知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025099276
(43)【公開日】2025-07-03
(54)【発明の名称】半導体発光装置
(51)【国際特許分類】
H01S 5/0239 20210101AFI20250626BHJP
【ＦＩ】
H01S5/0239
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023215810
(22)【出願日】2023-12-21
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】坂本 晃輝
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173MA10
5F173MD35
5F173MD44
5F173MD64
(57)【要約】
【課題】半導体発光装置に搭載可能な半導体発光素子の数を増大させること。
【解決手段】半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に設けられ、端面発光素子により各々構成された複数の半導体発光素子３０と、基板２０上に設けられ、複数の半導体発光素子３０のうちの一つ以上を各々駆動する複数の駆動回路４０Ａ～４０Ｈと、基板２０上に設けられ、複数の半導体発光素子３０から出射された光を基板２０に交差する方向に反射する光反射素子５０とを備える。
【選択図】図１
【解決手段】半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に設けられ、端面発光素子により各々構成された複数の半導体発光素子３０と、基板２０上に設けられ、複数の半導体発光素子３０のうちの一つ以上を各々駆動する複数の駆動回路４０Ａ～４０Ｈと、基板２０上に設けられ、複数の半導体発光素子３０から出射された光を基板２０に交差する方向に反射する光反射素子５０とを備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に設けられ、端面発光素子により各々構成された複数の半導体発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記複数の半導体発光素子のうちの一つ以上を各々駆動する複数の駆動回路と、
前記基板上に設けられ、前記複数の半導体発光素子から出射された光を前記基板に交差する方向に反射する光反射素子と、
を備える半導体発光装置。
前記基板上に設けられ、端面発光素子により各々構成された複数の半導体発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記複数の半導体発光素子のうちの一つ以上を各々駆動する複数の駆動回路と、
前記基板上に設けられ、前記複数の半導体発光素子から出射された光を前記基板に交差する方向に反射する光反射素子と、
を備える半導体発光装置。
【請求項2】
前記複数の半導体発光素子は、
前記基板に平行な第１方向に光を出射するように配向された第１の半導体発光素子と、
前記第１方向とは反対方向の第２方向に光を出射するように配向された第２の半導体発光素子と、を含み、
前記光反射素子は、前記第１の半導体発光素子と前記第２の半導体発光素子との間に位置して前記第１および第２の半導体発光素子の各々から出射された光を反射するように構成されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
前記基板に平行な第１方向に光を出射するように配向された第１の半導体発光素子と、
前記第１方向とは反対方向の第２方向に光を出射するように配向された第２の半導体発光素子と、を含み、
前記光反射素子は、前記第１の半導体発光素子と前記第２の半導体発光素子との間に位置して前記第１および第２の半導体発光素子の各々から出射された光を反射するように構成されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項3】
前記光反射素子は、第１の光入射面と、前記第１の光入射面と反対側の第２の光入射面とを含み、
前記第１の半導体発光素子は、前記第１の光入射面に沿って設けられた複数の第１の半導体発光素子のうちの一つであり、
前記第２の半導体発光素子は、前記第２の光入射面に沿って設けられた複数の第２の半導体発光素子のうちの一つである、請求項２に記載の半導体発光装置。
前記第１の半導体発光素子は、前記第１の光入射面に沿って設けられた複数の第１の半導体発光素子のうちの一つであり、
前記第２の半導体発光素子は、前記第２の光入射面に沿って設けられた複数の第２の半導体発光素子のうちの一つである、請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項4】
前記複数の半導体発光素子は、
前記基板に平行かつ前記第１および第２方向と直交する第３方向に光を出射するように配向された第３の半導体発光素子と、
前記第３方向と反対方向の第４方向に光を出射するように配向された第４の半導体発光素子と、をさらに含み、
前記第１の半導体発光素子、前記第２の半導体発光素子、前記第３の半導体発光素子、および前記第４の半導体発光素子は、前記光反射素子の四方に隣接して位置し、
前記光反射素子は、前記第１～第４の半導体発光素子の各々から出射された光を反射するように構成されている、請求項２に記載の半導体発光装置。
前記基板に平行かつ前記第１および第２方向と直交する第３方向に光を出射するように配向された第３の半導体発光素子と、
前記第３方向と反対方向の第４方向に光を出射するように配向された第４の半導体発光素子と、をさらに含み、
前記第１の半導体発光素子、前記第２の半導体発光素子、前記第３の半導体発光素子、および前記第４の半導体発光素子は、前記光反射素子の四方に隣接して位置し、
前記光反射素子は、前記第１～第４の半導体発光素子の各々から出射された光を反射するように構成されている、請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項5】
前記光反射素子は、第１の光入射面と、前記第１の光入射面と反対側の第２の光入射面と、前記第１および第２の光入射面に連なる第３の光入射面と、前記第１および第２の光入射面に連なりかつ前記第３の光入射面と反対側の第４の光入射面と、を含み、
前記第１の半導体発光素子は、前記第１の光入射面に沿って設けられた複数の第１の半導体発光素子のうちの一つであり、
前記第２の半導体発光素子は、前記第２の光入射面に沿って設けられた複数の第２の半導体発光素子のうちの一つであり、
前記第３の半導体発光素子は、前記第３の光入射面に沿って設けられた複数の第３の半導体発光素子のうちの一つであり、
前記第４の半導体発光素子は、前記第４の光入射面に沿って設けられた複数の第４の半導体発光素子のうちの一つである、請求項４に記載の半導体発光装置。
前記第１の半導体発光素子は、前記第１の光入射面に沿って設けられた複数の第１の半導体発光素子のうちの一つであり、
前記第２の半導体発光素子は、前記第２の光入射面に沿って設けられた複数の第２の半導体発光素子のうちの一つであり、
前記第３の半導体発光素子は、前記第３の光入射面に沿って設けられた複数の第３の半導体発光素子のうちの一つであり、
前記第４の半導体発光素子は、前記第４の光入射面に沿って設けられた複数の第４の半導体発光素子のうちの一つである、請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項6】
前記光反射素子は、前記複数の半導体発光素子から出射された光を前記基板に交差する方向において同じ方向に反射するように構成されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項7】
前記光反射素子は、ミラーまたは回折格子である、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項8】
前記複数の駆動回路は各々、
前記複数の半導体発光素子のうちの前記一つ以上を制御するスイッチング素子と、
前記複数の半導体発光素子のうちの前記一つ以上に電流を供給するキャパシタと、を含む、請求項１に記載の半導体発光装置。
前記複数の半導体発光素子のうちの前記一つ以上を制御するスイッチング素子と、
前記複数の半導体発光素子のうちの前記一つ以上に電流を供給するキャパシタと、を含む、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項9】
前記キャパシタは、前記複数の駆動回路の各々に設けられた複数のキャパシタのうちの１つである、請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項10】
前記キャパシタは、セラミックキャパシタまたはシリコンキャパシタである、請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項11】
前記スイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴまたは窒化物半導体トランジスタである、請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項12】
前記スイッチング素子は、前記複数の半導体発光素子のうちの前記一つ以上の各々と複数本のワイヤで接続されている、請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項13】
前記複数の駆動回路のうちの一つにおける前記スイッチング素子を各々駆動する複数のゲートドライバをさらに備える請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項14】
前記複数の半導体発光素子のうちの前記一つ以上に逆並列に各々接続された複数の保護ダイオードをさらに備える請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項15】
前記複数の半導体発光素子および前記複数の駆動回路に電流を供給する電源入力部と前記複数の駆動回路のうちの一つとの間に各々設けられた複数の逆流防止ダイオードをさらに備える請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項16】
前記基板は、ガラスエポキシ樹脂、セラミック、およびシリコンのうちのいずれか一つによって形成されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項17】
前記基板の主面に位置する表面電極層と、
前記基板の裏面に位置する裏面電極層と、
前記基板の厚さ方向において前記表面電極層と前記裏面電極層との間に位置する中間電極層と、
前記基板内に設けられ、前記表面電極層、前記裏面電極層、および前記中間電極層を電気的に接続する複数のビアと、
を備え、
前記複数の半導体発光素子および前記複数の駆動回路は、前記表面電極層上に実装されており、
前記複数の駆動回路の各々と、各前記駆動回路による駆動対象の前記複数の半導体発光素子のうちの前記一つ以上とに流れる電流の電流経路は、前記表面電極層と、前記中間電極層と、前記複数のビアのいくつかとによって構成されている、請求項１～１６のうちのいずれか一項に記載の半導体発光装置。
前記基板の裏面に位置する裏面電極層と、
前記基板の厚さ方向において前記表面電極層と前記裏面電極層との間に位置する中間電極層と、
前記基板内に設けられ、前記表面電極層、前記裏面電極層、および前記中間電極層を電気的に接続する複数のビアと、
を備え、
前記複数の半導体発光素子および前記複数の駆動回路は、前記表面電極層上に実装されており、
前記複数の駆動回路の各々と、各前記駆動回路による駆動対象の前記複数の半導体発光素子のうちの前記一つ以上とに流れる電流の電流経路は、前記表面電極層と、前記中間電極層と、前記複数のビアのいくつかとによって構成されている、請求項１～１６のうちのいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体発光装置の一つに、半導体レーザ素子を光源として備える半導体レーザ装置がある。半導体レーザ装置は、様々な電子機器に搭載される光源装置として広く採用されている。特許文献１は、半導体レーザ装置の一例を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１６－２９７１８号公報
【0004】
［概要］
近年、半導体発光装置のさらなる性能向上が求められている。一例として、３次元距離計測を利用するＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging）などのレーザシステムに半導体発光装置を適用する場合、視野角の拡大および解像度の向上などが求められる。このような要求に対し、半導体発光装置に搭載可能とする半導体発光素子の数をさらに増大することが求められている。
近年、半導体発光装置のさらなる性能向上が求められている。一例として、３次元距離計測を利用するＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging）などのレーザシステムに半導体発光装置を適用する場合、視野角の拡大および解像度の向上などが求められる。このような要求に対し、半導体発光装置に搭載可能とする半導体発光素子の数をさらに増大することが求められている。
【0005】
本開示の一態様による半導体発光装置は、基板と、前記基板上に設けられ、端面発光素子により各々構成された複数の半導体発光素子と、前記基板上に設けられ、前記複数の半導体発光素子のうちの一つ以上を各々駆動する複数の駆動回路と、前記基板上に設けられ、前記複数の半導体発光素子から出射された光を前記基板に交差する方向に反射する光反射素子とを備える。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【0007】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示における半導体発光装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するものに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
以下、添付図面を参照して本開示における半導体発光装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するものに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0008】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【0009】
［第１実施形態］
図１～図１２を参照して第１実施形態の半導体発光装置１０について説明する。
図１は、半導体発光装置１０の概略平面構造を示す。図２は、半導体発光装置１０の中央部分の概略平面構造を示す。図３～図６は、半導体発光装置１０の周辺領域の４つの異なる部分の概略平面構造を示す。図７は、図３のＦ７－Ｆ７線に沿った概略断面構造を示し、図８は、図２のＦ８－Ｆ８線に沿った概略断面構造を示す。図９は、半導体発光装置１０の概略的な裏面電極構造を示し、図１０は、半導体発光装置１０の概略的な中間電極構造を示す。図１１は、半導体発光装置１０の電流経路を説明する図であり、図１２は、半導体発光装置１０を含む発光システム２００の概略回路を示す。
図１～図１２を参照して第１実施形態の半導体発光装置１０について説明する。
図１は、半導体発光装置１０の概略平面構造を示す。図２は、半導体発光装置１０の中央部分の概略平面構造を示す。図３～図６は、半導体発光装置１０の周辺領域の４つの異なる部分の概略平面構造を示す。図７は、図３のＦ７－Ｆ７線に沿った概略断面構造を示し、図８は、図２のＦ８－Ｆ８線に沿った概略断面構造を示す。図９は、半導体発光装置１０の概略的な裏面電極構造を示し、図１０は、半導体発光装置１０の概略的な中間電極構造を示す。図１１は、半導体発光装置１０の電流経路を説明する図であり、図１２は、半導体発光装置１０を含む発光システム２００の概略回路を示す。
【0010】
なお、本開示では、図中に示された互いに直交するＸＹＺ軸に基づいて構成部材を説明する場合がある。本開示において使用される「平面視」という用語は、Ｚ軸方向に半導体発光装置１０を視ることをいう。本開示では、説明を目的として、Ｙ軸に沿った一方向（例えば、図１において下側から上側に向かう方向）を第１方向Ｄ１と定義し、Ｙ軸に沿った他方向、すなわち第１方向Ｄ１と反対の方向を第２方向Ｄ２と定義する。また、Ｘ軸に沿った一方向（例えば、図１において左側から右側に向かう方向）を第３方向Ｄ３と定義し、Ｘ軸に沿った他方向、すなわち第３方向Ｄ３と反対の方向を第４方向Ｄ４と定義する。ただし、第１～第４方向Ｄ１～Ｄ４はここで定義する方向に限定されない。
【0011】
［１－１．半導体発光装置の全体構造］
図１に示すように、半導体発光装置１０は、基板２０と、複数（図１では例えば１６個）の半導体発光素子３０と、複数（図１では例えば８個）の駆動回路４０Ａ～４０Ｈと、光反射素子５０とを含む。なお、以下の説明において、駆動回路４０Ａ～４０Ｈを互いに区別しない場合は、駆動回路４０Ａ～４０Ｈを駆動回路４０（または各駆動回路４０）と記載する。
図１に示すように、半導体発光装置１０は、基板２０と、複数（図１では例えば１６個）の半導体発光素子３０と、複数（図１では例えば８個）の駆動回路４０Ａ～４０Ｈと、光反射素子５０とを含む。なお、以下の説明において、駆動回路４０Ａ～４０Ｈを互いに区別しない場合は、駆動回路４０Ａ～４０Ｈを駆動回路４０（または各駆動回路４０）と記載する。
【0012】
複数の半導体発光素子３０、複数の駆動回路４０、および光反射素子５０は、基板２０上に設けられている。半導体発光装置１０は、複数の駆動回路４０によって複数の半導体発光素子３０を駆動するマルチチャンネル（図１の例では８チャンネル）駆動型の発光モジュールとして具現化されている。なお、半導体発光素子３０の数および駆動回路４０の数は、チャンネル数に応じて適宜変更可能である。
【0013】
基板２０は平面視矩形状を有している。図１の例では、基板２０は正方形状であるが、任意の平面視形状を有し得る。なお、平面視とは、基板２０の厚さ方向（図１にて紙面に垂直な方向）に半導体発光装置１０を視ることと同義である。基板２０は、主面２１と、その反対側の裏面２２（図７参照）と、第１～第４側面２３～２６とを含む。第１および第２側面２３，２４は、Ｙ軸方向における基板２０の両端面に相当する。図１の例では、第１側面２３は紙面下側に位置し、第２側面２４は紙面上側に位置する。第３および第４側面２５，２６は、Ｘ軸方向における基板２０の両端面に相当する。図１の例では、第３側面２５は紙面左側に位置し、第４側面２６は紙面右側に位置する。
【0014】
図７に示すように、基板２０には、例えば多層基板が使用されている。図７の例では、基板２０は４層基板であり、第１～第４電極層２８Ａ～２８Ｄと、第１～第４電極層２８Ａ～２８Ｄの間に位置する第１～第３基材２７Ａ～２７Ｃとを含む。第１～第４電極層２８Ａ～２８Ｄは、例えば、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、およびＷ（タングステン）を含む群から選択された一つまたは複数の材料によって形成されている。
【0015】
第１～第３基材２７Ａ～２７Ｃは、例えば絶縁材料で形成されている。絶縁材料の一例はエポキシ樹脂を含む材料であり、例えばガラスエポキシ樹脂が使用され得る。絶縁材料の他の例はセラミックを含む材料である。セラミックを含む材料としては、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）またはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が使用され得る。セラミックを含む材料を使用すると第１～第３基材２７Ａ～２７Ｃの放熱性能が高まることで、半導体発光装置１０における過度の温度上昇が抑制される。
【0016】
第１基材２７Ａは、基板２０の主面２１を含む。第２基材２７Ｂは、基板２０の裏面２２を含む。言い換えれば、第１基材２７Ａの主面は、基板２０の主面２１に対応し、第２基材２７Ａの裏面は、基板２０の裏面２２に対応する。第３基材２７Ｃは、第１基材２７Ａと第２基材２７Ｂとの間の中間に位置している。第１～第３基材２７Ａ～２７Ｃの各々の４つの側面は、基板２０の第１～第４側面２３～２６に対応している。
【0017】
基板２０の主面２１は、主面レジスト層２９Ａによって覆われており、基板２０の裏面２２は、裏面レジスト層２９Ｂによって覆われている。主面レジスト層２９Ａおよび裏面レジスト層２９Ｂは、例えば、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などの絶縁材料で形成されている。主面レジスト層２９Ａおよび裏面レジスト層２９Ｂは、シリカまたはアルミナなどのフィラーを含んでもよい。
【0018】
なお、基板２０の第１～第４側面２３～２６（図７における右端面は第１側面２３を示している）に、第１～第４電極層２８Ａ～２８Ｄの端部は露出していない。図７に示すように、基板２０の主面２１に位置する第１電極層２８Ａの端部は、主面レジスト層２９Ａによって覆われており、基板２０の裏面２２に位置する第２電極層２８Ｂの端部は、裏面レジスト層２９Ｂによって覆われている。第１～第３基材２７Ａ～２７Ｃの間に位置する第２および第３電極層２８Ｃ，２８Ｄの端部は、第１～第３基材２７Ａ～２７Ｃによって覆われている。なお、図７では、説明を目的として、第１～第３基材２７Ａ～２７Ｃの間の界面を実線で区別して示しているが、これらの界面は実際には明確でない場合がある。
【0019】
［１－２．半導体発光素子］
複数の半導体発光素子３０は各々、端面発光素子で構成されており、半導体発光装置１０の光源として機能する。各半導体発光素子３０は、基板２０（主面２１）に平行な方向に光を出射するように構成されている。例えば、各半導体発光素子３０は、所定の波長帯のレーザ光を出力する端面発光型レーザ（Edge Emitting Laser：ＥＥＬ）素子で構成されている。各半導体発光素子３０の構成は同じである。レーザ光は、可視光線であってもよいし、赤外線などの可視光線よりも波長が長いレーザ光であってもよい。
複数の半導体発光素子３０は各々、端面発光素子で構成されており、半導体発光装置１０の光源として機能する。各半導体発光素子３０は、基板２０（主面２１）に平行な方向に光を出射するように構成されている。例えば、各半導体発光素子３０は、所定の波長帯のレーザ光を出力する端面発光型レーザ（Edge Emitting Laser：ＥＥＬ）素子で構成されている。各半導体発光素子３０の構成は同じである。レーザ光は、可視光線であってもよいし、赤外線などの可視光線よりも波長が長いレーザ光であってもよい。
【0020】
図１に示すように、各半導体発光素子３０は平面視矩形状であり、Ｙ軸方向に沿った２つの長辺と、Ｘ軸方向に沿った２つの短辺とを含む。半導体発光素子３０は、光反射素子５０に近接する位置にて光反射素子５０の周囲に配置されている。図１の例では、１６個の半導体発光素子３０のうちの８個が、平面視で光反射素子５０の一つの光入射面５１Ａに沿って列状に配置されている。また、残りの８個の半導体発光素子３０が、平面視で光反射素子５０の他の光入射面５１Ｂに沿って列状に配置されている。なお、光反射素子５０の構成については後述する。各光入射面５１Ａ，５１Ｂに沿って一列に並ぶ半導体発光素子３０は長辺同士を隣り合わせて互いに離間しており、対応する光入射面５１Ａ，５１Ｂに光を出射するように配向されている。
【0021】
図７に示すように、各半導体発光素子３０は、素子表面３１と、その反対側の素子裏面３２とを含む。素子表面３１には表面電極３４が設けられている。素子裏面３２には裏面電極３５が設けられている。裏面電極３５は、例えば素子裏面３２の全面にわたって形成されている。表面電極３４はアノード電極に対応し、裏面電極３５はカソード電極に対応する。
【0022】
［１－３．半導体発光装置の駆動回路］
図１に示すように、駆動回路４０Ａ～４０Ｈは、半導体発光装置１０に搭載されている複数（図１では１６個）の半導体発光素子３０を駆動するために設けられている。これら駆動回路４０Ａ～４０Ｈは各々、複数の半導体発光素子３０のうちの一つ以上を駆動するように構成されている。図１の例では、１チャンネル（各駆動回路４０）当たり２個の半導体発光素子３０が設けられており、駆動回路４０Ａ～４０Ｈは各々、隣接して配置された２個の半導体発光素子３０を駆動する。なお、各駆動回路４０の構成は同じであるため、以下では、駆動回路４０Ａについて説明し、駆動回路４０Ｂ～４０Ｈについての詳細な説明を省略する。
図１に示すように、駆動回路４０Ａ～４０Ｈは、半導体発光装置１０に搭載されている複数（図１では１６個）の半導体発光素子３０を駆動するために設けられている。これら駆動回路４０Ａ～４０Ｈは各々、複数の半導体発光素子３０のうちの一つ以上を駆動するように構成されている。図１の例では、１チャンネル（各駆動回路４０）当たり２個の半導体発光素子３０が設けられており、駆動回路４０Ａ～４０Ｈは各々、隣接して配置された２個の半導体発光素子３０を駆動する。なお、各駆動回路４０の構成は同じであるため、以下では、駆動回路４０Ａについて説明し、駆動回路４０Ｂ～４０Ｈについての詳細な説明を省略する。
【0023】
駆動回路４０Ａは、スイッチング素子４１１と、一つまたは複数のキャパシタ４２１とを含む。スイッチング素子４１１は、複数の半導体発光素子３０のうちの一つ以上を制御するように構成されている。図１の例では、スイッチング素子４１１は、隣接して配置された２個の半導体発光素子３０を制御するように構成されている。スイッチング素子４１１は、その制御対象の２個の半導体発光素子３０の近傍に設けられている。図１の例では、スイッチング素子４１１は、２個の半導体発光素子３０とＹ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。
【0024】
スイッチング素子４１１は、平面視矩形状を有している。図１の例では、スイッチング素子４１１は正方形状であるが、任意の平面視形状を有し得る。スイッチング素子４１１には、例えば縦型トランジスタが用いられている。このような縦型トランジスタの例としては、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、バイポーラトランジスタなどが挙げられる。第１実施形態では、スイッチング素子４１１として例えばｎ型のＭＯＳＦＥＴが用いられている。
【0025】
図７に示すように、スイッチング素子４１１は、素子表面４１Ａと、その反対側の素子裏面４１Ｂとを含む。素子表面４１Ａには、ソース電極４１Ｓとゲート電極４１Ｇ（図３参照）とが設けられている。ソース電極４１Ｓは、例えば素子表面４１Ａの大部分にわたって配置されている。ゲート電極４１Ｇは、例えば素子表面４１Ａの一つの角部付近に配置されている。図７に示すように、素子裏面４１Ｂにはドレイン電極４１Ｄが設けられている。ドレイン電極４１Ｄは、例えば素子裏面４１Ｂの全面にわたって配置されている。
【0026】
図１に戻り、キャパシタ４２１は、複数の半導体発光素子３０のうちの一つ以上に電流を供給するように構成されている。図１の例では、駆動回路４０Ａは、並列接続された４個のキャパシタ４２１を含み、これら４個のキャパシタ４２１は、スイッチング素子４１１による制御対象の２個の半導体発光素子３０に電流を供給するように構成されている。４個のキャパシタ４２１は、スイッチング素子４１１の近傍に設けられている。図１の例では、４個のキャパシタ４２１は、スイッチング素子４１１とＹ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。４個のキャパシタ４２１は、Ｙ軸方向においてスイッチング素子４１１よりも基板２０の第１側面２３寄りに設けられている。
【0027】
キャパシタ４２１には、例えばセラミックキャパシタが用いられている。各キャパシタ４２１は平面視矩形状であり、Ｙ軸方向に沿った２つの長辺と、Ｘ軸方向に沿った２つの短辺とを含む。４個のキャパシタ４２１は、互いに離間しつつ長辺同士を隣り合わせてＸ軸方向に一列に並んでいる。図７に示すように、各キャパシタ４２１は、第１電極４２Ａと第２電極４２Ｂとを含む。第１電極４２Ａはキャパシタ４２１のＹ軸方向の一端に位置し、第２電極４２Ｂはキャパシタ４２１のＹ軸方向の他端に位置している。
【0028】
なお、駆動回路４０Ａと同様、駆動回路４０Ｂ～４０Ｈも、スイッチング素子４１１と同様に構成されたスイッチング素子４１２～４１８と、キャパシタ４２１と同様に構成されたキャパシタ４２２～４２８をそれぞれ含む。また、駆動回路４０Ａと同様、駆動回路４０Ｂのキャパシタ４２２の数も例えば４個であり、これは他の駆動回路４０Ｃ～４０Ｈのキャパシタ４２３～４２８についても同様である。
【0029】
［１－４．半導体発光装置の光反射素子］
光反射素子５０は、半導体発光素子３０から出射された光を基板２０に交差する方向に反射するように構成されている。光反射素子５０の一例は、光を入射方向に対して所定の角度で反射するように構成された光反射型ミラーである。第１実施形態では、例えば、４５°の反射角を有し、光を入射方向に対して垂直方向に反射するように構成されたミラーが光反射素子５０として用いられている。
光反射素子５０は、半導体発光素子３０から出射された光を基板２０に交差する方向に反射するように構成されている。光反射素子５０の一例は、光を入射方向に対して所定の角度で反射するように構成された光反射型ミラーである。第１実施形態では、例えば、４５°の反射角を有し、光を入射方向に対して垂直方向に反射するように構成されたミラーが光反射素子５０として用いられている。
【0030】
なお、光反射素子５０はミラーのみに限定されない。光反射素子５０の他の例は、光を入射方向に対して所定の角度で回折するように構成された回折格子である。この場合、回折格子は反射型または透過型のいずれであってもよい。反射型の場合は、ミラーの場合と同様、回折格子は光を入射方向に対して垂直方向に反射するように構成され得る。透過型の場合、回折格子は、光の屈折によって光の入射方向に対して回折光を垂直方向に出射するように構成され得る。
【0031】
図１に示すように、光反射素子５０は、複数（図１では例えば２つ）の光入射面５１Ａ，５１Ｂを含む。第１実施形態では、例えば１６個の半導体発光素子３０のうちの８個が光入射面５１Ａに沿ってＸ軸方向に列状に配置され、残りの８個の半導体発光素子３０が光入射面５１Ｂに沿ってＸ軸方向に列状に配置されている。
【0032】
ここで、光入射面５１Ａは、第１の光入射面の一例であり、光入射面５１Ｂは、第２の光入射面の一例である。また、光入射面５１Ａに沿って設けられた複数（図１の例では８個）の半導体発光素子３０の各々は、第１の半導体発光素子の一例であり、光入射面５１Ｂに沿って設けられた複数（図１の例では８個）の半導体発光素子３０の各々は、第２の半導体発光素子の一例である。以下では、説明の便宜上、光入射面５１Ａに沿って設けられた各半導体発光素子３０を「第１の半導体発光素子３０」という場合があり、光入射面５１Ｂに沿って設けられた各半導体発光素子３０を「第２の半導体発光素子３０」という場合がある。
【0033】
光反射素子５０は、平面視矩形状を有しており、Ｘ軸方向に沿った２つの長辺と、Ｙ軸方向に沿った２つの短辺とを含む。光入射面５１Ａは、光反射素子５０の一方側の長辺に位置し、光入射面５１Ｂは、他方側の長辺に（すなわち、光入射面５１Ａとは反対側に）位置している。光反射素子５０は、Ｙ軸方向において８個の第１の半導体発光素子３０と８個の第２の半導体発光素子３０との間に位置している。光反射素子５０は、第１および第２の半導体発光素子３０の各々から出射された光を、基板２０に交差する方向において同じ方向に反射するように構成されている。
【0034】
図１の例では、８個の第１の半導体発光素子３０は、基板２０の主面２１に平行な第１方向Ｄ１に光を出射するように配向されている。光入射面５１Ａは、それら８個の第１の半導体発光素子３０の各々から出射されて第１方向Ｄ１に伝搬する光を、基板２０に交差する方向に反射する。入射面５１ＡのＸ軸方向の長さは、光入射面５１Ａに沿ってＸ軸方向に一列に並ぶ８個全ての第１の半導体発光素子３０の光出射面をカバーする寸法値を有している。したがって、光入射面５１Ａは、８個全ての第１の半導体発光素子３０から出射された光を反射する。
【0035】
一方、８個の第２の半導体発光素子３０は、第１方向Ｄ１とは反対の方向の第２方向Ｄ２に光を出射するように配向されている。光入射面５１Ｂは、それら８個の第２の半導体発光素子３０の各々から出射されて第２方向Ｄ２に伝搬する光を、基板２０に交差する方向に反射する。光入射面５１ＢのＸ軸方向の長さは、光入射面５１Ｂに沿ってＸ軸方向に一列に並ぶ８個全ての第２の半導体発光素子３０の光出射面をカバーする寸法値を有している。したがって、光入射面５１Ｂは、８個全ての第２の半導体発光素子３０から出射された光を反射する。
【0036】
図８に示すように、各光入射面５１Ａ，５１Ｂは、各半導体発光素子３０からの光Ｌ１の入射方向（基板２０に平行な方向）に対して例えば４５°の傾斜角で傾いている。したがって、光反射素子５０は、基板２０に平行に伝搬して各光入射面５１Ａ，５１Ｂに入射した光Ｌ１を、基板２０に垂直な方向に伝搬する反射光Ｌ２として反射する。
【0037】
［１－５．保護ダイオード］
図１に示すように、半導体発光装置１０は、上述した複数の半導体発光素子３０、複数の駆動回路４０、および光反射素子５０に加えて、半導体発光装置１０に搭載されている半導体発光素子３０を保護する複数（図１では例えば８個）の保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈを含む。保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈは、例えばチャンネル（駆動回路４０）毎に設けられている。なお、各保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈの構成は同じであるため、以下では、保護ダイオード７０Ａについて説明し、保護ダイオード７０Ｂ～７０Ｈについての詳細な説明を省略する。
図１に示すように、半導体発光装置１０は、上述した複数の半導体発光素子３０、複数の駆動回路４０、および光反射素子５０に加えて、半導体発光装置１０に搭載されている半導体発光素子３０を保護する複数（図１では例えば８個）の保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈを含む。保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈは、例えばチャンネル（駆動回路４０）毎に設けられている。なお、各保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈの構成は同じであるため、以下では、保護ダイオード７０Ａについて説明し、保護ダイオード７０Ｂ～７０Ｈについての詳細な説明を省略する。
【0038】
図１２に示すように、保護ダイオード７０Ａは、スイッチング素子４１１（駆動回路４０Ａ）による制御対象の２個の半導体発光素子３０に逆並列に接続されている。ただし、保護ダイオード７０Ａに接続される半導体発光素子３０の数は２個に限定されない。保護ダイオード７０Ａは、１チャンネル（各駆動回路４０）当たりに設けられている一つ以上の半導体発光素子３０に対して逆並列に接続され得る。なお、図１２では、図示を明瞭にするために、駆動回路４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｇ，４０Ｈおよびそれに関連する回路素子のみが示されており、駆動回路４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆおよびそれに関連する回路素子の図示は省略されている。また、各駆動回路４０による駆動対象の２個の半導体発光素子３０を纏めて一つのダイオード素子記号として示している。
【0039】
［１－６．基板の電極層］
次に、基板２０の複数の電極層、すなわち第１～第４電極層２８Ａ～２８Ｄの構成について説明する。図７に示すように、第１電極層２８Ａは、基板２０の主面２１に位置する表面電極層として設けられている。第２電極層２８Ｂは、基板２０の裏面２２に位置する裏面電極層として設けられている。第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄは各々、基板２０の厚さ方向において第１および第２電極層２８Ａ，２８Ｂ間に位置する中間電極層として設けられている。このうち、第３電極層２８Ｃは、第１電極層２８Ａ（表面電極層）寄りに位置する表面側中間電極層、第４電極層２８Ｄは、第２電極層２８Ｂ（裏面電極層）寄りに位置する裏面側中間電極層として設けられている。第１実施形態では、第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄは、例えば同一の構造を有している。
次に、基板２０の複数の電極層、すなわち第１～第４電極層２８Ａ～２８Ｄの構成について説明する。図７に示すように、第１電極層２８Ａは、基板２０の主面２１に位置する表面電極層として設けられている。第２電極層２８Ｂは、基板２０の裏面２２に位置する裏面電極層として設けられている。第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄは各々、基板２０の厚さ方向において第１および第２電極層２８Ａ，２８Ｂ間に位置する中間電極層として設けられている。このうち、第３電極層２８Ｃは、第１電極層２８Ａ（表面電極層）寄りに位置する表面側中間電極層、第４電極層２８Ｄは、第２電極層２８Ｂ（裏面電極層）寄りに位置する裏面側中間電極層として設けられている。第１実施形態では、第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄは、例えば同一の構造を有している。
【0040】
［１－６Ａ．第１電極層（表面電極層）］
図１～図６に示すように、基板２０の主面２１に位置する第１電極層２８Ａ（表面電極層）は、互いに離間した複数の表面電極（パターン電極）を含む。第１実施形態では、第１電極層２８Ａは、第１表面電極６１Ａ～６１Ｈ、第２表面電極６２Ａ～６２Ｈ、第３表面電極６３Ａ～６３Ｈ、第４表面電極６４Ａ～６４Ｄ、第５表面電極６５Ａ～６５Ｈ、および第６表面電極６６を含む。
図１～図６に示すように、基板２０の主面２１に位置する第１電極層２８Ａ（表面電極層）は、互いに離間した複数の表面電極（パターン電極）を含む。第１実施形態では、第１電極層２８Ａは、第１表面電極６１Ａ～６１Ｈ、第２表面電極６２Ａ～６２Ｈ、第３表面電極６３Ａ～６３Ｈ、第４表面電極６４Ａ～６４Ｄ、第５表面電極６５Ａ～６５Ｈ、および第６表面電極６６を含む。
【0041】
第１表面電極６１Ａ～６１Ｈは、複数の半導体発光素子３０の実装に用いられる。第１実施形態では、第１表面電極６１Ａ～６１Ｈの各々に、２個の半導体発光素子３０が実装されている。第２表面電極６２Ａ～６２Ｈ、第３表面電極６３Ａ～６３Ｈ、第４表面電極６４Ａ～６４Ｄ、および第５表面電極６５Ａ～６５Ｈは、駆動回路４０Ａ～４０Ｈの実装に用いられる。第６表面電極６６は、光反射素子５０の実装に用いられる。
【0042】
図２に示すように、第６表面電極６６は、平面視矩形状を有しており、Ｘ軸方向に沿った２つの長辺と、Ｙ軸方向に沿った２つの短辺とを含む。第６表面電極６６は、基板２０の中央領域ＡＣに位置している。したがって、光反射素子５０は、中央領域ＡＣに実装されている。図８に示すように、光反射素子５０は、導電性接合材ＳＤにより第６表面電極６６に実装されている。図３～図６に示すように、第６表面電極６６以外の他の表面電極、すなわち、第１表面電極６１Ａ～６１Ｈ、第２表面電極６２Ａ～６２Ｈ、第３表面電極６３Ａ～６３Ｈ、第４表面電極６４Ａ～６４Ｄ、および第５表面電極６５Ａ～６５Ｈは、平面視において第６表面電極６６よりも外側である基板２０の周辺領域ＡＰに位置している。
【0043】
図２に示すように、第１表面電極６１Ａ～６１Ｈは、第６表面電極６６に近接する位置において第６表面電極６６の周辺に配置されている。第１表面電極６１Ａ～６１Ｈは、第６表面電極６６の２つの長辺に沿って、すなわち、光反射素子５０の２つの光入射面５１Ａ，５１Ｂに沿ってＸ軸方向に列状に配置されている。第１実施形態では、光入射面５１Ａに沿って第１表面電極６１Ａ～６１ＤがＸ軸方向に一列に並び、光入射面５１Ｂに沿って第１表面電極６１Ｅ～６１ＨがＸ軸方向に一列に並んでいる。したがって、１６個の半導体発光素子３０は、光反射素子５０が位置する中央領域ＡＣの近傍位置に集約配置されている。
【0044】
第１表面電極６１Ａ～６１Ｈ、第２表面電極６２Ａ～６２Ｈ、第３表面電極６３Ａ～６３Ｈ、第４表面電極６４Ａ～６４Ｄ、および第５表面電極６５Ａ～６５Ｈは、基板２０の周辺領域ＡＰにおいて対称関係を有するように配置されている。第１実施形態では、周辺領域ＡＰに位置するこれらの表面電極は、Ｘ軸方向における基板２０の中央位置にてＹ軸方向に延びる仮想中心線ＶＣに対して線対称の関係で配置されている。また、周辺領域ＡＰに位置するこれらの表面電極は、Ｙ軸方向における基板２０の中央位置にてＸ軸方向に延びる仮想中心線ＨＣに対しても線対称の関係で配置されている。
【0045】
ここで、基板２０の周辺領域ＡＰは、上述した２つの仮想中心線ＶＣ，ＨＣに基づいて区分される４つの配線（電極）配置領域として、図１において基板２０の右下領域、左下領域、右上領域、および左上領域にそれぞれ対応する第１配置領域ＡＰ１、第２配置領域ＡＰ２、第３配置領域ＡＰ３、および第４配置領域ＡＰ４を含む。以下、第１～第４配置領域ＡＰ１～ＡＰ４内の表面電極レイアウトについて説明する。
【0046】
図３に示すように、第１配置領域ＡＰ１（図１において右下領域）は、第１表面電極６１Ａ，６１Ｂ、第２表面電極６２Ａ，６２Ｂ、第３表面電極６３Ａ，６３Ｂ、第４表面電極６４Ａ、および第５表面電極６５Ａ，６５Ｂの配置に用いられている。
【0047】
第１表面電極６１Ａ，６１Ｂは各々、上述したように２個の半導体発光素子３０の実装に用いられる。第２～第５表面電極６２Ａ，６３Ａ，６４Ａ，６５Ａは、駆動回路４０Ａの実装に用いられる。第４および第５表面電極６４Ａ，６５Ａはさらに、保護ダイオード７０Ａの実装に用いられる。第２～第５表面電極６２Ｂ，６３Ｂ，６４Ａ，６５Ｂは、駆動回路４０Ｂの実装に用いられる。第４および第５表面電極６４Ａ，６５Ｂはさらに、保護ダイオード７０Ｂの実装に用いられる。
【0048】
したがって、第４表面電極６４Ａは、駆動回路４０Ａ，４０Ｂの実装に共用されるとともに、保護ダイオード７０Ａ，７０Ｂの実装に共用されている。このように、基板２０の第１配置領域ＡＰ１（図１において右下領域）は、４個の半導体発光素子３０と、２個の駆動回路４０Ａ，４０Ｂと、２個の保護ダイオード７０Ａ，７０Ｂの実装に割り当てられている。
【0049】
駆動回路４０Ａのスイッチング素子４１１は、第２表面電極６２Ａに実装されている。第２表面電極６２Ａは、第１表面電極６１ＡとＹ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。スイッチング素子４１１のソース電極４１Ｓは、第１表面電極６１Ａに実装された２個の半導体発光素子３０の表面電極３４にワイヤＷ１で接続されている。なお、第１表面電極６１Ａに実装された各半導体発光素子３０の裏面電極３５（図７参照）は、導電性接合材ＳＤ（図７参照）により第１表面電極６１Ａに接合されている。
【0050】
スイッチング素子４１１のソース電極４１Ｓはさらに、第４表面電極６４ＡにワイヤＷ２で接続されている。スイッチング素子４１１のゲート電極４１Ｇは、第３表面電極６３ＡにワイヤＷ３で接続されている。第３および第４表面電極６３Ａ，６４Ａは各々、第２表面電極６２Ａ（スイッチング素子４１１の実装領域）とＸ軸方向に隣接または近接する部分を含む。スイッチング素子４１１のドレイン電極４１Ｄ（図７参照）は、導電性接合材ＳＤ（図７参照）により第２表面電極６２Ａに接合されている。
【0051】
ワイヤＷ１～Ｗ３は、ワイヤボンディング装置によって形成されたボンディングワイヤであり、例えば、Ａｕ、Ａｌ、またはＣｕなどの導体が用いられている。ワイヤＷ１～Ｗ３の各々の数は特に限定されず、１本以上であればよい。第１実施形態では、例えば回路全体の配線インダクタンスを低減する観点などから、スイッチング素子４１１と各半導体発光素子３０との間の電流経路上に位置するワイヤＷ１の数は複数本（例えば４本以上）とされている。
【0052】
駆動回路４０Ａの４個のキャパシタ４２１は、第２および第５表面電極６２Ａ，６５Ａの双方にわたって実装されている。各キャパシタ４２１の第１電極４２Ａは、導電性接合材ＳＤ（図７参照）により第２表面電極６２Ａに接合されており、各キャパシタ４２１の第２電極４２Ｂは、導電性接合材ＳＤ（図７参照）により第５表面電極６５Ａに接合されている。
【0053】
また、断面図は省略するが、保護ダイオード７０Ａは、第４および第５表面電極６４Ａ，６５Ａの双方にわたって実装されている。保護ダイオード７０Ａはアノード電極７１およびカソード電極７２を含み、アノード電極７１は導電性接合材により第５表面電極６５Ａに接合されており、カソード電極７２は導電性接合材により第４表面電極６４Ａに接合されている。
【0054】
駆動回路４０Ｂのスイッチング素子４１２は、第２表面電極６２Ｂに実装されている。第２表面電極６２Ｂは、第１表面電極６１ＢとＸ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。スイッチング素子４１２のソース電極４１Ｓは、第１表面電極６１Ｂに実装された２個の半導体発光素子３０の表面電極３４にワイヤＷ１で接続されている。なお、断面図は省略するが、第１表面電極６１Ｂに実装された各半導体発光素子３０の裏面電極３５は、導電性接合材により第１表面電極６１Ｂに接合されている。
【0055】
スイッチング素子４１２のソース電極４１Ｓはさらに、第４表面電極６４ＡにワイヤＷ２で接続されている。スイッチング素子４１２のゲート電極４１Ｇは、第３表面電極６３ＢにワイヤＷ３で接続されている。第３および第４表面電極６３Ｂ，６４Ａは各々、第２表面電極６２Ｂ（スイッチング素子４１２の実装領域）とＹ軸方向に隣接または近接する部分を含む。なお、断面図は省略するが、スイッチング素子４１２のドレイン電極４１Ｄは、導電性接合材により第２表面電極６２Ｂに接合されている。
【0056】
ここで、スイッチング素子４１１と同様、例えば回路全体の配線インダクタンスを低減する観点などから、スイッチング素子４１２と各半導体発光素子３０との間の電流経路上に位置するワイヤＷ１の数は複数本（例えば４本以上）とされている。
【0057】
駆動回路４０Ｂの４個のキャパシタ４２２は、第２および第５表面電極６２Ｂ，６５Ｂの双方にわたって実装されている。断面図は省略するが、各キャパシタ４２２の第１電極４２Ａは、導電性接合材により第２表面電極６２Ｂに接合されており、各キャパシタ４２２の第２電極４２Ｂは、導電性接合材により第５表面電極６５Ｂに接合されている。
【0058】
また、断面図は省略するが、保護ダイオード７０Ｂは、第４および第５表面電極６４Ａ，６５Ｂの双方にわたって実装されている。保護ダイオード７０Ｂのアノード電極７１は導電性接合材により第５表面電極６５Ｂに接合されており、保護ダイオード７０Ｂのカソード電極７２は導電性接合材により第４表面電極６４Ａに接合されている。
【0059】
図４に示すように、第２配置領域ＡＰ２（図１において左下領域）は、第１表面電極６１Ｃ，６１Ｄ、第２表面電極６２Ｃ，６２Ｄ、第３表面電極６３Ｃ，６３Ｄ、第４表面電極６４Ｂ、および第５表面電極６５Ｃ，６５Ｄの配置に用いられている。
【0060】
第１表面電極６１Ｃ，６１Ｄは各々、上述したように２個の半導体発光素子３０の実装に用いられる。第２～第５表面電極６２Ｃ，６３Ｃ，６４Ｂ，６５Ｃは、駆動回路４０Ｃの実装に用いられる。第４および第５表面電極６４Ｂ，６５Ｃはさらに、保護ダイオード７０Ｃの実装に用いられる。第２～第５表面電極６２Ｄ，６３Ｄ，６４Ｂ，６５Ｄは、駆動回路４０Ｄの実装に用いられる。第４および第５表面電極６４Ｂ，６５Ｄはさらに、保護ダイオード７０Ｄの実装に用いられる。したがって、第４表面電極６４Ｂは、駆動回路４０Ｃ，４０Ｄの実装に共用されるとともに、保護ダイオード７０Ｃ，７０Ｄの実装に共用されている。このように、基板２０の第２配置領域ＡＰ２（図１において左下領域）は、４個の半導体発光素子３０と、２個の駆動回路４０Ｃ，４０Ｄと、２個の保護ダイオード７０Ｃ，７０Ｄの実装に割り当てられている。
【0061】
第２配置領域ＡＰ２内に配置された表面電極（およびそれらに実装された素子）と、第１配置領域ＡＰ１内に配置された表面電極（およびそれらに実装された素子）とは、仮想中心線ＶＣに対して線対称の関係で配置されている。このため、第１表面電極６１Ｃ，６１Ｄ、第２表面電極６２Ｃ，６２Ｄ、第３表面電極６３Ｃ，６３Ｄ、第４表面電極６４Ｂ、および第５表面電極６５Ｃ，６５Ｄ、ならびにそれら表面電極に実装された半導体発光素子３０、駆動回路４０Ｃ，４０Ｄ（スイッチング素子４１３，４１４およびキャパシタ４２３，４２４）、および保護ダイオード７０Ｃ，７０Ｄの配置についての詳細な説明は省略する。
【0062】
図５に示すように、第３配置領域ＡＰ３（図１において右上領域）は、第１表面電極６１Ｅ，６１Ｆ、第２表面電極６２Ｅ，６２Ｆ、第３表面電極６３Ｅ，６３Ｆ、第４表面電極６４Ｃ、および第５表面電極６５Ｅ，６５Ｆの配置に用いられている。
【0063】
第１表面電極６１Ｅ，６１Ｆは各々、上述したように２個の半導体発光素子３０の実装に用いられる。第２～第５表面電極６２Ｅ，６３Ｅ，６４Ｃ，６５Ｅは、駆動回路４０Ｅの実装に用いられる。第４および第５表面電極６４Ｃ，６５Ｅはさらに、保護ダイオード７０Ｅの実装に用いられる。第２～第５表面電極６２Ｆ，６３Ｆ，６４Ｃ，６５Ｆは、駆動回路４０Ｆの実装に用いられる。第４および第５表面電極６４Ｃ，６５Ｆはさらに、保護ダイオード７０Ｆの実装に用いられる。したがって、第４表面電極６４Ｃは、駆動回路４０Ｅ，４０Ｆの実装に共用されるとともに、保護ダイオード７０Ｅ，７０Ｆの実装に共用されている。このように、基板２０の第３配置領域ＡＰ３（図１において右上領域）は、４個の半導体発光素子３０と、２個の駆動回路４０Ｅ，４０Ｆと、２個の保護ダイオード７０Ｅ，７０Ｆの実装に割り当てられている。
【0064】
第３配置領域ＡＰ３内に配置された表面電極（およびそれらに実装された素子）と、第１配置領域ＡＰ１内に配置された表面電極（およびそれらに実装された素子）とは、仮想中心線ＨＣに対して線対称の関係で配置されている。このため、第１表面電極６１Ｅ，６１Ｆ、第２表面電極６２Ｅ，６２Ｆ、第３表面電極６３Ｅ，６３Ｆ、第４表面電極６４Ｃ、および第５表面電極６５Ｅ，６５Ｆ、ならびにそれら表面電極に実装された半導体発光素子３０、駆動回路４０Ｅ，４０Ｆ（スイッチング素子４１５，４１６およびキャパシタ４２５，４２６）、および保護ダイオード７０Ｅ，７０Ｆの配置についての詳細な説明は省略する。
【0065】
図６に示すように、第４配置領域ＡＰ４（図１において左上領域）は、第１表面電極６１Ｇ，６１Ｈ、第２表面電極６２Ｇ，６２Ｈ、第３表面電極６３Ｇ，６３Ｈ、第４表面電極６４Ｄ、および第５表面電極６５Ｇ，６５Ｈの配置に用いられている。
【0066】
第１表面電極６１Ｇ，６１Ｈは各々、上述したように２個の半導体発光素子３０の実装に用いられる。第２～第５表面電極６２Ｇ，６３Ｇ，６４Ｄ，６５Ｇは、駆動回路４０Ｇの実装に用いられる。第４および第５表面電極６４Ｄ，６５Ｇはさらに、保護ダイオード７０Ｇの実装に用いられる。第２～第５表面電極６２Ｈ，６３Ｈ，６４Ｄ，６５Ｈは、駆動回路４０Ｈの実装に用いられる。第４および第５表面電極６４Ｄ，６５Ｈはさらに、保護ダイオード７０Ｈの実装に用いられる。したがって、第４表面電極６４Ｄは、駆動回路４０Ｇ，４０Ｈの実装に共用されるとともに、保護ダイオード７０Ｇ，７０Ｈの実装に共用されている。このように、基板２０の第４配置領域ＡＰ４（図１において左上領域）は、４個の半導体発光素子３０と、２個の駆動回路４０Ｇ，４０Ｈと、２個の保護ダイオード７０Ｇ，７０Ｈの実装に割り当てられている。
【0067】
第４配置領域ＡＰ４内に配置された表面電極（およびそれらに実装された素子）と、第２配置領域ＡＰ２内に配置された表面電極（およびそれらに実装された素子）とは、仮想中心線ＨＣに対して線対称の関係で配置されている。また、第４配置領域ＡＰ４内に配置された表面電極（およびそれらに実装された素子）と、第３配置領域ＡＰ３内に配置された表面電極（およびそれらに実装された素子）とは、仮想中心線ＶＣに対して線対称の関係で配置されている。このため、第１表面電極６１Ｇ，６１Ｈ、第２表面電極６２Ｇ，６２Ｈ、第３表面電極６３Ｇ，６３Ｈ、第４表面電極６４Ｄ、および第５表面電極６５Ｇ，６５Ｈ、ならびにそれら表面電極に実装された半導体発光素子３０、駆動回路４０Ｇ，４０Ｈ（スイッチング素子４１７，４１８およびキャパシタ４２７，４２８）、および保護ダイオード７０Ｇ，７０Ｈの配置についての詳細な説明は省略する。
【0068】
図７に示すように、主面レジスト層２９Ａは、第１電極層２８Ａの一部を露出する複数の開口部を含む。複数の半導体発光素子３０、駆動回路４０Ａ～４０Ｈの各々の構成部品、および保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈは、主面レジスト層２９Ａの開口部によって露出された第１電極層２８Ａの部分に実装されている。なお、図１～図６では、主面レジスト層２９Ａの開口部が二点鎖線によって示されている。
【0069】
［１－６Ｂ．第２電極層（裏面電極層）］
図９に示すように、基板２０の裏面２２に位置する第２電極層２８Ｂ（裏面電極層）は、互いに離間した複数の裏面電極（パターン電極）を含む。これらの裏面電極は、図示しない回路基板に対する半導体発光装置１０の実装時にその回路基板に電気的に接続される外部電極端子として機能する。第１実施形態では、第２電極層２８Ｂは、第１裏面電極８１Ａ～８１Ｈ、第２裏面電極８２Ａ～８２Ｈ、第３裏面電極８３Ａ～８３Ｈ、および第４裏面電極８４Ａ～８４Ｄを含む。
図９に示すように、基板２０の裏面２２に位置する第２電極層２８Ｂ（裏面電極層）は、互いに離間した複数の裏面電極（パターン電極）を含む。これらの裏面電極は、図示しない回路基板に対する半導体発光装置１０の実装時にその回路基板に電気的に接続される外部電極端子として機能する。第１実施形態では、第２電極層２８Ｂは、第１裏面電極８１Ａ～８１Ｈ、第２裏面電極８２Ａ～８２Ｈ、第３裏面電極８３Ａ～８３Ｈ、および第４裏面電極８４Ａ～８４Ｄを含む。
【0070】
第１裏面電極８１Ａ～８１Ｈ、第２裏面電極８２Ａ～８２Ｈ、第３裏面電極８３Ａ～８３Ｈ、および第４裏面電極８４Ａ～８４Ｄは、基板２０の周辺領域ＡＰに位置するとともに、２つの仮想中心線ＶＣ，ＨＣの各々に対して線対称の関係で配置されている。上述したように、周辺領域ＡＰは、仮想中心線ＶＣ，ＨＣに基づいて区分される４つの配線配置領域として第１～第４配置領域ＡＰ１～ＡＰ４を含む。基板２０を裏面２２から視た場合には、第１配置領域ＡＰ１、第２配置領域ＡＰ２、第３配置領域ＡＰ３、および第４配置領域ＡＰ４は、図９において基板２０の左下領域、右下領域、左上領域、および右上領域にそれぞれ対応する。以下、第１～第４配置領域ＡＰ１～ＡＰ４内の裏面電極レイアウトについて説明する。
【0071】
第１配置領域ＡＰ１（図９において左下領域）は、第１裏面電極８１Ａ，８１Ｂ、第２裏面電極８２Ａ，８２Ｂ、第３裏面電極８３Ａ，８３Ｂ、および第４裏面電極８４Ａの配置に用いられている。
【0072】
第１～第４裏面電極８１Ａ，８２Ａ，８３Ａ，８４Ａは、駆動回路４０Ａ（スイッチング素子４１１およびキャパシタ４２１）と、駆動回路４０Ａによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ａとの電気的接続用に設けられている。
【0073】
第１裏面電極８１Ａは、平面視で第１および第５表面電極６１Ａ，６５Ａ（それぞれ図３参照）と重なる位置に配置されている。第１裏面電極８１Ａは、例えばＹ軸方向に延在する帯状に形成されている。第２裏面電極８２Ａは、平面視で第２表面電極６２Ａ（図３参照）と重なる位置に配置されている。第２裏面電極８２Ａは、例えば、第１裏面電極８１ＡよりもＹ軸方向に短い寸法で帯状に形成されるとともに、第１裏面電極８１ＡとＸ軸方向に隣接または近接して設けられている。
【0074】
第３裏面電極８３Ａは、平面視で第３表面電極６３Ａ（図３参照）と重なる位置に配置されている。第３裏面電極８３Ａは、例えば、第１裏面電極８１ＡよりもＹ軸方向に短くかつ第２裏面電極８２ＡよりもＹ軸方向に長い寸法で、屈曲した帯状に形成されるとともに、第２裏面電極８２ＡとＸ軸方向に隣接または近接して設けられている。第４裏面電極８４Ａは、平面視で第４表面電極６４Ａ（図３参照）と重なる位置に配置されている。第４裏面電極８４Ａは、例えば矩形状であり、第３裏面電極８３ＡとＸ軸方向に隣接または近接して設けられている。
【0075】
第１～第４裏面電極８１Ｂ，８２Ｂ，８３Ｂ，８４Ａは、駆動回路４０Ｂ（スイッチング素子４１２およびキャパシタ４２２）と、駆動回路４０Ｂによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ｂとの電気的接続用に設けられている。
【0076】
第１裏面電極８１Ｂは、平面視で第１表面電極６１Ｂおよび第５表面電極６５Ｂ（それぞれ図３参照）と重なる位置に配置されている。第１裏面電極８１Ｂは、例えばＸ軸方向に延在する帯状に形成されている。第２裏面電極８２Ｂは、平面視で第２表面電極６２Ｂ（図３参照）と重なる位置に配置されている。第２裏面電極８２Ｂは、例えば、第１裏面電極８１ＢよりもＸ軸方向に短い寸法で帯状に形成されるとともに、第１裏面電極８１ＢとＹ軸方向に隣接または近接して設けられている。
【0077】
第３裏面電極８３Ｂは、平面視で第３表面電極６３Ｂ（図３参照）と重なる位置に配置されている。第３裏面電極８３Ｂは、例えば、第１裏面電極８１ＢよりもＸ軸方向に短くかつ第２裏面電極８２ＢよりもＸ軸方向に長い寸法で、屈曲した帯状に形成されるとともに、第２裏面電極８２ＢとＹ軸方向に隣接または近接して設けられている。第４裏面電極８４Ａは、上述したように、平面視で第４表面電極６４Ａ（図３参照）と重なる位置に配置されている。第４裏面電極８４Ａは、第３裏面電極８３ＡとＸ軸方向に隣接または近接しつつ、第３裏面電極８３ＢとＹ軸方向に隣接または近接して設けられている。
【0078】
第２配置領域ＡＰ２（図９において右下領域）は、第１裏面電極８１Ｃ，８１Ｄ、第２裏面電極８２Ｃ，８２Ｄ、第３裏面電極８３Ｃ，８３Ｄ、および第４裏面電極８４Ｂの配置に用いられている。
【0079】
第１～第４裏面電極８１Ｃ，８２Ｃ，８３Ｃ，８４Ｂは、駆動回路４０Ｃ（スイッチング素子４１３およびキャパシタ４２３）と、駆動回路４０Ｃによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ｃとの電気的接続用に設けられている。第１～第４裏面電極８１Ｄ，８２Ｄ，８３Ｄ，８４Ｂは、駆動回路４０Ｄ（スイッチング素子４１４およびキャパシタ４２４）と、駆動回路４０Ｄによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ｄとの電気的接続用に設けられている。
【0080】
第２配置領域ＡＰ２内に配置された裏面電極と、第１配置領域ＡＰ１内に配置された裏面電極とは、仮想中心線ＶＣに対して線対称の関係で配置されている。このため、第１裏面電極８１Ｃ，８１Ｄ、第２裏面電極８２Ｃ，８２Ｄ、第３裏面電極８３Ｃ，８３Ｄ、および第４裏面電極８４Ｂの配置についての詳細な説明は省略する。
【0081】
第３配置領域ＡＰ３（図９において左上領域）は、第１裏面電極８１Ｅ，８１Ｆ、第２裏面電極８２Ｅ，８２Ｆ、第３裏面電極８３Ｅ，８３Ｆ、および第４裏面電極８４Ｃの配置に用いられている。
【0082】
第１～第４裏面電極８１Ｅ，８２Ｅ，８３Ｅ，８４Ｃは、駆動回路４０Ｅ（スイッチング素子４１５およびキャパシタ４２５）と、駆動回路４０Ｅによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ｅとの電気的接続用に設けられている。第１～第４裏面電極８１Ｆ，８２Ｆ，８３Ｆ，８４Ｃは、駆動回路４０Ｆ（スイッチング素子４１６およびキャパシタ４２６）と、駆動回路４０Ｆによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ｆとの電気的接続用に設けられている。
【0083】
第３配置領域ＡＰ３内に配置された裏面電極と、第１配置領域ＡＰ１内に配置された裏面電極とは、仮想中心線ＨＣに対して線対称の関係で配置されている。このため、第１裏面電極８１Ｅ，８１Ｆ、第２裏面電極８２Ｅ，８２Ｆ、第３裏面電極８３Ｅ，８３Ｆ、および第４裏面電極８４Ｃの配置についての詳細な説明は省略する。
【0084】
第４配置領域ＡＰ４（図９において右上領域）は、第１裏面電極８１Ｇ，８１Ｈ、第２裏面電極８２Ｇ，８２Ｈ、第３裏面電極８３Ｇ，８３Ｈ、および第４裏面電極８４Ｄの配置に用いられている。
【0085】
第１～第４裏面電極８１Ｇ，８２Ｇ，８３Ｇ，８４Ｄは、駆動回路４０Ｇ（スイッチング素子４１７およびキャパシタ４２７）と、駆動回路４０Ｇによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ｇとの電気的接続用に設けられている。第１～第４裏面電極８１Ｈ，８２Ｈ，８３Ｈ，８４Ｄは、駆動回路４０Ｈ（スイッチング素子４１８およびキャパシタ４２８）と、駆動回路４０Ｈによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ｈとの電気的接続用に設けられている。
【0086】
第４配置領域ＡＰ４内に配置された裏面電極と、第２配置領域ＡＰ２内に配置された裏面電極とは、仮想中心線ＨＣに対して線対称の関係で配置されている。また、第４配置領域ＡＰ４内に配置された裏面電極と、第３配置領域ＡＰ３内に配置された裏面電極とは、仮想中心線ＶＣに対して線対称の関係で配置されている。このため、第１裏面電極８１Ｇ，８１Ｈ、第２裏面電極８２Ｇ，８２Ｈ、第３裏面電極８３Ｇ，８３Ｈ、および第４裏面電極８４Ｄの配置についての詳細な説明は省略する。
【0087】
図７に示すように、裏面レジスト層２９Ｂは、第２電極層２８Ｂの一部を露出する複数の開口部を含む。半導体発光装置１０は、裏面レジスト層２９Ｂの開口部によって露出された第２電極層２８Ｂの部分によって、図示しない回路基板に実装される。したがって、半導体発光装置１０は、回路基板上に実装される表面実装型デバイスということができる。なお、図９では、裏面レジスト層２９Ｂの開口部が二点鎖線によって示されている。
【0088】
［１－６Ｃ．第３および第４電極層（中間電極層）］
図７に示すように、各々中間電極層である第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄは基板２０内に埋設されている。表面側中間電極層として設けられた第３電極層２８Ｃは、基板２０の主面２１を含む第１基材２７Ａと、基板２０の厚さ方向の中間に位置する第３基材２７Ｃとの間に位置している。一方、裏面側中間電極層として設けられた第４電極層２８Ｄは、基板２０の裏面２２を含む第２基材２７Ｂと、第３基材２７Ｃとの間に位置している。第１実施形態において、第３電極層２８Ｃ（表面側中間電極層）および第４電極層２８Ｄ（裏面側中間電極層）は同一の構造を有している。したがって、以下では、第３電極層２８Ｃについて説明し、第４電極層２８Ｄについての詳細な説明を省略する。
図７に示すように、各々中間電極層である第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄは基板２０内に埋設されている。表面側中間電極層として設けられた第３電極層２８Ｃは、基板２０の主面２１を含む第１基材２７Ａと、基板２０の厚さ方向の中間に位置する第３基材２７Ｃとの間に位置している。一方、裏面側中間電極層として設けられた第４電極層２８Ｄは、基板２０の裏面２２を含む第２基材２７Ｂと、第３基材２７Ｃとの間に位置している。第１実施形態において、第３電極層２８Ｃ（表面側中間電極層）および第４電極層２８Ｄ（裏面側中間電極層）は同一の構造を有している。したがって、以下では、第３電極層２８Ｃについて説明し、第４電極層２８Ｄについての詳細な説明を省略する。
【0089】
図１０に示すように、第３電極層２８Ｃは、互いに離間した複数の中間電極（パターン電極）を含む。第１実施形態では、第３電極層２８Ｃは、第１中間電極９１Ａ～９１Ｈ、第２中間電極９２Ａ～９２Ｈ、第３中間電極９３Ａ～９３Ｈ、および第４中間電極９４Ａ～９４Ｄを含む。
【0090】
第１中間電極９１Ａ～９１Ｈ、第２中間電極９２Ａ～９２Ｈ、第３中間電極９３Ａ～９３Ｈ、および第４中間電極９４Ａ～９４Ｄは、基板２０の周辺領域ＡＰに位置するとともに、２つの仮想中心線ＶＣ，ＨＣの各々に対して線対称の関係で配置されている。上述したように、周辺領域ＡＰは、仮想中心線ＶＣ，ＨＣに基づいて区分される４つの配線配置領域として第１～第４配置領域ＡＰ１～ＡＰ４を含む。第１配置領域ＡＰ１、第２配置領域ＡＰ２、第３配置領域ＡＰ３、および第４配置領域ＡＰ４は、図１０において基板２０の右下領域、左下領域、右上領域、および左上領域にそれぞれ対応する。以下、第１～第４配置領域ＡＰ１～ＡＰ４内の中間電極レイアウトについて説明する。
【0091】
第１配置領域ＡＰ１（図１０において右下領域）は、第１中間電極９１Ａ，９１Ｂ、第２中間電極９２Ａ，９２Ｂ、第３中間電極９３Ａ，９３Ｂ、および第４中間電極９４Ａの配置に用いられている。
【0092】
第１～第４中間電極９１Ａ，９２Ａ，９３Ａ，９４Ａは、駆動回路４０Ａ（スイッチング素子４１１およびキャパシタ４２１）と、駆動回路４０Ａによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ａとの電気的接続用に設けられている。
【0093】
第１中間電極９１Ａは、Ｙ軸方向に長尺状に形成されており、平面視で第１および第５表面電極６１Ａ，６５Ａ（図３参照）と重なるとともに第１裏面電極８１Ａ（図９参照）とも重なる位置に配置されている。第１中間電極９１Ａは、例えば、長円形状の第１開口部と、円形状の第２開口部とを含む。第２中間電極９２Ａは、第１開口部に配置されており、平面視で第２表面電極６２Ａ（図３参照）および第２裏面電極８２Ａ（図９参照）と重なっている。第３中間電極９３Ａは、第２開口部に配置されており、平面視で第３表面電極６３Ａ（図３参照）および第３裏面電極８３Ａ（図９参照）と重なっている。第４中間電極９４Ａは、平面視で第４表面電極６４Ａ（図３参照）および第４裏面電極８４Ａ（図９参照）と重なっている。
【0094】
第１～第４中間電極９１Ｂ，９２Ｂ，９３Ｂ，９４Ａは、駆動回路４０Ｂ（スイッチング素子４１２およびキャパシタ４２２）と、駆動回路４０Ｂによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ｂとの電気的接続用に設けられている。
【0095】
第１中間電極９１Ｂは、Ｘ軸方向に長尺状に形成されており、平面視で第１および第５表面電極６１Ｂ，６５Ｂ（図１参照）と重なるとともに第１裏面電極８１Ｂ（図９参照）とも重なる位置に配置されている。第１中間電極９１Ｂは、例えば、長円形状の第１開口部と、円形状の第２開口部とを含む。第２中間電極９２Ｂは、第１開口部に配置されており、平面視で第２表面電極６２Ｂ（図３参照）および第２裏面電極８２Ｂ（図９参照）と重なっている。第３中間電極９３Ｂは、第２開口部に配置されており、平面視で第３表面電極６３Ｂ（図３参照）および第３裏面電極８３Ｂ（図９参照）と重なっている。
【0096】
第２配置領域ＡＰ２（図１０において左下領域）は、第１中間電極９１Ｃ，９１Ｄ、第２中間電極９２Ｃ，９２Ｄ、第３中間電極９３Ｃ，９３Ｄ、および第４中間電極９４Ｂの配置に用いられている。
【0097】
第１～第４中間電極９１Ｃ，９２Ｃ，９３Ｃ，９４Ｂは、駆動回路４０Ｃ（スイッチング素子４１３およびキャパシタ４２３）と、駆動回路４０Ｃによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ｃとの電気的接続用に設けられている。第１中間電極９１Ｄ，９２Ｄ，９３Ｄ，９４Ｂは、駆動回路４０Ｄ（スイッチング素子４１４およびキャパシタ４２４）と、駆動回路４０Ｄによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ｄとの電気的接続用に設けられている。
【0098】
第２配置領域ＡＰ２内に配置された中間電極と、第１配置領域ＡＰ１内に配置された中間電極とは、仮想中心線ＶＣに対して線対称の関係で配置されている。このため、第１中間電極９１Ｃ，９１Ｄ、第２中間電極９２Ｃ，９２Ｄ、第３中間電極９３Ｃ，９３Ｄ、および第４中間電極９４Ｂの配置についての詳細な説明は省略する。
【0099】
第３配置領域ＡＰ３（図１０において右上領域）は、第１中間電極９１Ｅ，９１Ｆ、第２中間電極９２Ｅ，９２Ｆ、第３中間電極９３Ｅ，９３Ｆ、および第４中間電極９４Ｃの配置に用いられている。
【0100】
第１～第４中間電極９１Ｅ，９２Ｅ，９３Ｅ，９４Ｃは、駆動回路４０Ｅ（スイッチング素子４１５およびキャパシタ４２５）と、駆動回路４０Ｅによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ｅとの電気的接続用に設けられている。第１～第４中間電極９１Ｆ，９２Ｆ，９３Ｆ，９４Ｃは、駆動回路４０Ｆ（スイッチング素子４１６およびキャパシタ４２６）と、駆動回路４０Ｆによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ｆとの電気的接続用に設けられている。
【0101】
第３配置領域ＡＰ３内に配置された中間電極と、第１配置領域ＡＰ１内に配置された中間電極とは、仮想中心線ＨＣに対して線対称の関係で配置されている。このため、第１中間電極９１Ｅ，９１Ｆ、第２中間電極９２Ｅ，９２Ｆ、第３中間電極９３Ｅ，９３Ｆ、および第４中間電極９４Ｃの配置についての詳細な説明は省略する。
【0102】
第４配置領域ＡＰ４（図１０において左上領域）は、第１中間電極９１Ｇ，９１Ｈ、第２中間電極９２Ｇ，９２Ｈ、第３中間電極９３Ｇ，９３Ｈ、および第４中間電極９４Ｄの配置に用いられている。
【0103】
第１～第４中間電極９１Ｇ，９２Ｇ，９３Ｇ，９４Ｄは、駆動回路４０Ｇ（スイッチング素子４１７およびキャパシタ４２７）と、駆動回路４０Ｇによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ｇとの電気的接続用に設けられている。第１～第４中間電極９１Ｈ，９２Ｈ，９３Ｈ，９４Ｄは、駆動回路４０Ｈ（スイッチング素子４１８およびキャパシタ４２８）と、駆動回路４０Ｈによる駆動対象の２個の半導体発光素子３０と、保護ダイオード７０Ｈとの電気的接続用に設けられている。
【0104】
第４配置領域ＡＰ４内に配置された中間電極と、第２配置領域ＡＰ２内に配置された中間電極とは、仮想中心線ＨＣに対して線対称の関係で配置されている。また、第４配置領域ＡＰ４内に配置された中間電極と、第３配置領域ＡＰ３内に配置された中間電極とは、仮想中心線ＶＣに対して線対称の関係で配置されている。このため、第１中間電極９１Ｇ，９１Ｈ、第２中間電極９２Ｇ，９２Ｈ、第３中間電極９３Ｇ，９３Ｈ、および第４中間電極９４Ｄの配置についての詳細な説明は省略する。
【0105】
［１－７．電極層間の接続構造］
基板２０は、第１電極層２８Ａ（表面電極層）、第２電極層２８Ｂ（裏面電極層）、ならびに第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄ（各々中間電極層）を電気的に接続する複数のビア（接続導体）を含む。例えば、図３～図１０に示すように、基板２０は、基板２０の厚さ方向に第１～第３基材２７Ａ～２７Ｃならびに第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄを各々貫通する第１ビア１０１Ａ～１０１Ｈ、第２ビア１０２Ａ～１０２Ｈ、第３ビア１０３Ａ～１０３Ｈ、第４ビア１０４Ａ～１０４Ｄ、および第５ビア１０５Ａ～１０５Ｈを含む。なお、これら複数のビアは、第１および第２電極層２８Ａ，２８Ｂを貫通していてもよい。これら複数のビアは、例えば、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷを含む群から選択された一つまたは複数の材料によって形成されている。
基板２０は、第１電極層２８Ａ（表面電極層）、第２電極層２８Ｂ（裏面電極層）、ならびに第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄ（各々中間電極層）を電気的に接続する複数のビア（接続導体）を含む。例えば、図３～図１０に示すように、基板２０は、基板２０の厚さ方向に第１～第３基材２７Ａ～２７Ｃならびに第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄを各々貫通する第１ビア１０１Ａ～１０１Ｈ、第２ビア１０２Ａ～１０２Ｈ、第３ビア１０３Ａ～１０３Ｈ、第４ビア１０４Ａ～１０４Ｄ、および第５ビア１０５Ａ～１０５Ｈを含む。なお、これら複数のビアは、第１および第２電極層２８Ａ，２８Ｂを貫通していてもよい。これら複数のビアは、例えば、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷを含む群から選択された一つまたは複数の材料によって形成されている。
【0106】
図３～図６、図９、および図１０に示すように、第１ビア１０１Ａ～１０１Ｈ、第２ビア１０２Ａ～１０２Ｈ、第３ビア１０３Ａ～１０３Ｈ、第４ビア１０４Ａ～１０４Ｄ、および第５ビア１０５Ａ～１０５Ｈは、基板２０の周辺領域ＡＰに位置するとともに、２つの仮想中心線ＶＣ，ＨＣの各々に対して線対称の関係で配置されている。上述したように、周辺領域ＡＰは、仮想中心線ＶＣ，ＨＣに基づいて区分される第１～第４配置領域ＡＰ１～ＡＰ４を含む。以下、第１～第４配置領域ＡＰ１～ＡＰ４内における複数のビアのレイアウトについて説明する。
【0107】
第１配置領域ＡＰ１は、第１ビア１０１Ａ，１０１Ｂ、第２ビア１０２Ａ，１０２Ｂ、第３ビア１０３Ａ，１０３Ｂ、第４ビア１０４Ａ、および第５ビア１０５Ａ，１０５Ｂを含む。
【0108】
第１ビア１０１Ａは、第１電極層２８Ａの第１表面電極６１Ａと、第２電極層２８Ｂの第１裏面電極８１Ａと、第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄの第１中間電極９１Ａとを電気的に接続している。第１ビア１０１Ａの数は特に限定されず、例えば、１個の半導体発光素子３０当たり１個以上、すなわち、第１表面電極６１Ａと第１裏面電極８１Ａと２つの第１中間電極９１Ａとが重なる位置に２個以上であってよい。
【0109】
第２ビア１０２Ａは、第１電極層２８Ａの第２表面電極６２Ａと、第２電極層２８Ｂの第２裏面電極８２Ａと、第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄの第２中間電極９２Ａとを電気的に接続している。第２ビア１０２Ａの数は特に限定されず、例えば、第２表面電極６２Ａと第２裏面電極８２Ａと２つの第２中間電極９２Ａとが重なる位置に１個以上であってよい。
【0110】
第３ビア１０３Ａは、第１電極層２８Ａの第３表面電極６３Ａと、第２電極層２８Ｂの第３裏面電極８３Ａと、第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄの第３中間電極９３Ａとを電気的に接続している。第３ビア１０３Ａの数は特に限定されず、例えば、第３表面電極６３Ａと第３裏面電極８３Ａと２つの第３中間電極９３Ａとが重なる位置に１個以上であってよい。
【0111】
第４ビア１０４Ａは、第１電極層２８Ａの第４表面電極６４Ａと、第２電極層２８Ｂの第４裏面電極８４Ａと、第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄの第４中間電極９４Ａとを電気的に接続している。第４ビア１０４Ａの数は特に限定されず、例えば、第４表面電極６４Ａと第４裏面電極８４Ａと２つの第４中間電極９４Ａとが重なる位置に１個以上であってよい。第１実施形態では、例えば、第４ビア１０４Ａの配置に利用可能な電極重なり部分のほぼ全領域を使用して多数の第４ビア１０４Ａが行列状（例えば５×９個）に配置されている。
【0112】
第５ビア１０５Ａは、第１電極層２８Ａの第５表面電極６５Ａと、第２電極層２８Ｂの第１裏面電極８１Ａと、第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄの第１中間電極９１Ａとを電気的に接続している。第５ビア１０５Ａの数は特に限定されず、例えば、第５表面電極６５Ａと第１裏面電極８１Ａと２つの第１中間電極９１Ａとが重なる位置に１個以上であってよい。第１実施形態では、例えば、第５ビア１０５Ａの配置に利用可能な電極重なり部分の領域を使用して多数の第５ビア１０５Ａが行列状（例えば３×３個）に配置されている。
【0113】
第１配置領域ＡＰ１において、第１～第３ビア１０１Ｂ，１０２Ｂ，１０３Ｂおよび第５ビア１０５Ｂは、上述した第１～第３ビア１０１Ａ，１０２Ａ，１０３Ａおよび第５ビア１０５Ａと同様に配置されている。したがって、第１～第３ビア１０１Ｂ，１０２Ｂ，１０３Ｂおよび第５ビア１０５Ｂについての詳細な説明は省略する。
【0114】
第２配置領域ＡＰ２は、第１ビア１０１Ｃ，１０１Ｄ、第２ビア１０２Ｃ，１０２Ｄ、第３ビア１０３Ｃ，１０３Ｄ、第４ビア１０４Ｂ、および第５ビア１０５Ｃ，１０５Ｄを含む。第３配置領域ＡＰ３は、第１ビア１０１Ｅ，１０１Ｆ、第２ビア１０２Ｅ，１０２Ｆ、第３ビア１０３Ｅ，１０３Ｆ、第４ビア１０４Ｃ、および第５ビア１０５Ｅ，１０５Ｆを含む。第４配置領域ＡＰ４は、第１ビア１０１Ｇ，１０１Ｈ、第２ビア１０２Ｇ，１０２Ｈ、第３ビア１０３Ｇ，１０３Ｈ、第４ビア１０４Ｄ、および第５ビア１０５Ｇ，１０５Ｈを含む。第２～第４配置領域ＡＰ２，ＡＰ３，ＡＰ４におけるこれらのビアの配置は、上述した第１配置領域ＡＰ１におけるビアの配置と同様であるため、詳細な説明を省略する。
【0115】
［１－８．半導体発光装置の電流経路］
半導体発光装置１０は、複数の駆動回路４０が各々一つ以上（第１実施形態では２個）の半導体発光素子３０を駆動するマルチチャンネル駆動型の発光モジュールとして具現化されている。上述したように、半導体発光装置１０において、駆動回路４０は半導体発光素子３０と共に基板２０に搭載されている。したがって、各駆動回路４０とその駆動対象の半導体発光素子３０との間の電流経路は基板２０内に形成される。
半導体発光装置１０は、複数の駆動回路４０が各々一つ以上（第１実施形態では２個）の半導体発光素子３０を駆動するマルチチャンネル駆動型の発光モジュールとして具現化されている。上述したように、半導体発光装置１０において、駆動回路４０は半導体発光素子３０と共に基板２０に搭載されている。したがって、各駆動回路４０とその駆動対象の半導体発光素子３０との間の電流経路は基板２０内に形成される。
【0116】
図１１は、駆動回路４０Ａ（スイッチング素子４１１およびキャパシタ４２１）と、その駆動回路４０Ａによる駆動対象の半導体発光素子３０とに流れる電流の電流経路ＣＰ（矢印によって示される経路）を示している。
【0117】
電流経路ＣＰは、キャパシタ４２１の第１電極４２Ａ、第１電極層２８Ａ（表面電極層）の第２表面電極６２Ａ、スイッチング素子４１１のドレイン電極４１Ｄ、スイッチング素子４１１のソース電極４１Ｓ、ワイヤＷ１、半導体発光素子３０の表面電極３４（アノード電極）、裏面電極３５（カソード電極）、第１電極層２８Ａの第１表面電極６１Ａ、第１ビア１０１Ａ、第３電極層２８Ｃ（表面側中間電極層）の第１中間電極９１Ａ、第５ビア１０５Ａ、第１電極層２８Ａの第５表面電極６５Ａ、およびキャパシタ４２１の第２電極４２Ｂの順に電流が流れるループ状に構成される。
【0118】
ここで、保護ダイオード７０Ａ（図３参照）は、第４および第５表面電極６４Ａ，６５Ａ間を跨ぐように配置されている。保護ダイオード７０Ａのアノード電極７１は第５表面電極６５Ａに実装され、カソード電極７２は第４表面電極６４Ａに実装されている。したがって、保護ダイオード７０Ａのアノード電極７１は、第５表面電極６５Ａによってキャパシタ４２１の第２電極４２Ｂに電気的に接続されている。また、保護ダイオード７０Ａのアノード電極７１およびキャパシタ４２１の第２電極４２Ｂは、半導体発光素子３０の裏面電極３５（カソード電極）に電気的に接続されている。第４表面電極６４Ａはグランド配線として設けられ、第４裏面電極８４Ａはグランド端子として設けられている。したがって、保護ダイオード７０Ａのカソード電極７２（およびスイッチング素子４１１のソース電極４１Ｓ）は、グランドに接続されている。
【0119】
なお、ここでは詳細な説明を省略するが、他の駆動回路４０Ｂ～４０Ｈの各々についても、駆動回路４０Ａと同様な電気的接続が実現されており、上述した電流経路ＣＰと同様なループ状の電流経路が個別に構成される。また、他の保護ダイオード７０Ｂ～７０Ｈの各々についても、保護ダイオード７０Ａと同様な電気的接続が実現されている。
【0120】
［１－９．半導体発光装置の回路構成］
図１２に示すように、半導体発光装置１０を含む発光システム２００は、直流電源２０１と、直流電源２０１と並列に接続されるキャパシタ２０２と、電流制限抵抗２０３と、逆流防止用ダイオード２０４Ａ～２０４Ｈと、ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈと、パルスジェネレータ２０６Ａ～２０６Ｈと、制御電源２０７Ａ～２０７Ｈとを含む。なお、図示を明瞭にするために、図１２においては、駆動回路４０Ｃ～４０Ｆ、駆動回路４０Ｃ～４０Ｆによる駆動対象の半導体発光素子３０、保護ダイオード７０Ｃ～７０Ｆ、逆流防止用ダイオード２０４Ｃ～２０４Ｆ、ゲートドライバ２０５Ｃ～２０５Ｆ、パルスジェネレータ２０６Ｃ～２０６Ｆ、および制御電源２０７Ｃ～２０７Ｆの図示は省略されている。逆流防止用ダイオード２０４Ａ～２０４Ｈ、ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈ、パルスジェネレータ２０６Ａ～２０６Ｈ、および制御電源２０７Ａ～２０７Ｈは、駆動回路４０Ａ～４０Ｈにそれぞれ対応して設けられている。
図１２に示すように、半導体発光装置１０を含む発光システム２００は、直流電源２０１と、直流電源２０１と並列に接続されるキャパシタ２０２と、電流制限抵抗２０３と、逆流防止用ダイオード２０４Ａ～２０４Ｈと、ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈと、パルスジェネレータ２０６Ａ～２０６Ｈと、制御電源２０７Ａ～２０７Ｈとを含む。なお、図示を明瞭にするために、図１２においては、駆動回路４０Ｃ～４０Ｆ、駆動回路４０Ｃ～４０Ｆによる駆動対象の半導体発光素子３０、保護ダイオード７０Ｃ～７０Ｆ、逆流防止用ダイオード２０４Ｃ～２０４Ｆ、ゲートドライバ２０５Ｃ～２０５Ｆ、パルスジェネレータ２０６Ｃ～２０６Ｆ、および制御電源２０７Ｃ～２０７Ｆの図示は省略されている。逆流防止用ダイオード２０４Ａ～２０４Ｈ、ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈ、パルスジェネレータ２０６Ａ～２０６Ｈ、および制御電源２０７Ａ～２０７Ｈは、駆動回路４０Ａ～４０Ｈにそれぞれ対応して設けられている。
【0121】
直流電源２０１、キャパシタ２０２、および電流制限抵抗２０３は、複数の半導体発光素子３０および駆動回路４０Ａ～４０Ｈに電流を供給するように構成されている。直流電源２０１、キャパシタ２０２、および電流制限抵抗２０３は、電源入力部の一例である。電流制限抵抗２０３の第１端子は、直流電源２０１の正極に電気的に接続されている。
【0122】
逆流防止用ダイオード２０４Ａ～２０４Ｈのアノードは、電流制限抵抗２０３の第２端子に電気的に接続されている。逆流防止用ダイオード２０４Ａ～２０４Ｈのカソードは、第２裏面電極８２Ａ～８２Ｈを介して、スイッチング素子４１１～４１８のドレイン電極４１Ｄおよびキャパシタ４２１～４２８の第１電極４２Ａに電気的に接続されている。
【0123】
ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈは、駆動回路４０Ａ～４０Ｈのスイッチング素子４１１～４１８のゲート電極４１Ｇにそれぞれ電気的に接続されている。第１実施形態では、ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈは、スイッチング素子４１１～４１８のゲート電極４１Ｇに電気的に接続された第３裏面電極８３Ａ～８３Ｈにそれぞれ電気的に接続されている。ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈは、スイッチング素子４１１～４１８のゲート電極４１Ｇにゲート電圧信号をそれぞれ印加することで、スイッチング素子４１１～４１８を個別に駆動するように構成されている。
【0124】
パルスジェネレータ２０６Ａ～２０６Ｈおよび制御電源２０７Ａ～２０７Ｈは、ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈにそれぞれ電気的に接続されている。パルスジェネレータ２０６Ａ～２０６Ｈは、スイッチング素子４１１～４１８を制御するためのパルス信号をゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈにそれぞれ出力するように構成されている。制御電源２０７Ａ～２０７Ｈは、ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈに動作電圧をそれぞれ印加するように構成されている。
【0125】
直流電源２０１の負極、キャパシタ２０２、パルスジェネレータ２０６Ａ～２０６Ｈ、および制御電源２０７Ａ～２０７Ｈの負極は、グランド端子として機能する第４裏面電極８４Ａ～８４Ｄに電気的に接続されている。
【0126】
スイッチング素子４１１～４１８のソース電極４１Ｓは、制御対象とする対応する２個の半導体発光素子３０の表面電極３４（アノード電極）と、保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈのカソード電極７２とにそれぞれ電気的に接続されている。キャパシタ４２１～４２８の第２電極４２Ｂおよび保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈのアノード電極７１は、対応する２個の半導体発光素子３０の裏面電極３５（カソード電極）にそれぞれ電気的に接続されている。
【0127】
スイッチング素子４１１～４１８のソース電極４１Ｓおよび保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈのカソード電極７２は、グランド配線（第１電極層２８Ａの第４表面電極６４Ａ～６４Ｄ、ならびに第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄの第４中間電極９４Ａ～９４Ｄ）を介してグランド端子（第２電極層２８Ｂの第４裏面電極８４Ａ～８４Ｄ）に電気的に接続されている。グランド端子として設けられた第４裏面電極８４Ａ～８４Ｄは、グランドに接続されている。
【0128】
上記のように構成された半導体発光装置１０では、駆動回路４０Ａ～４０Ｈのスイッチング素子４１１～４１８がオフ状態のとき、直流電源２０１によってキャパシタ４２１～４２８が充電される。そして、スイッチング素子４１１～４１８がオフ状態からオン状態に切り替わると、スイッチング素子４１１～４１８を介してキャパシタ４２１～４２８から制御対象の各半導体発光素子３０に電流が流れる。これにより、半導体発光素子３０からパルス発光されたレーザ光が出射される。このように、各駆動回路４０Ａ～４０Ｈは、複数の半導体発光素子３０のうちの一つ以上（第１実施形態では２個）を個別に駆動するように構成されている。
【0129】
一例として、駆動回路４０Ａ～４０Ｈは、駆動対象の半導体発光素子３０を順次に駆動する。この場合、例えば１つの半導体発光素子のみを備える半導体発光装置と比較して、半導体発光装置１０から出射されるレーザ光のパルス間隔が短くなるように各半導体発光素子３０のパルス発光を調整することができる。したがって、単位時間当たりのパルス数の増加を図ることができる。また、駆動回路４０Ａ～４０Ｈによる駆動対象の半導体発光素子３０が順番に発光することによって、１つの半導体発光素子のみを備える半導体発光装置と比較して、各半導体発光素子３０の発熱を抑制することができる。
【0130】
次に、第１実施形態の半導体発光装置１０の作用を説明する。
近年、半導体発光装置の高出力化がますます要求されている。例えば、ＬｉＤＡＲなどのレーザシステムに半導体発光装置を適用する場合、視野角の拡大および解像度の向上などが求められる。このような要求に応えるべく、第１実施形態の半導体発光装置１０は、複数（第１実施形態では８個）の駆動回路４０Ａ～４０Ｈによって複数の半導体発光素子３０を駆動するマルチチャンネル（第１実施形態では８チャンネル）駆動型の発光モジュールとして具現化されている。
近年、半導体発光装置の高出力化がますます要求されている。例えば、ＬｉＤＡＲなどのレーザシステムに半導体発光装置を適用する場合、視野角の拡大および解像度の向上などが求められる。このような要求に応えるべく、第１実施形態の半導体発光装置１０は、複数（第１実施形態では８個）の駆動回路４０Ａ～４０Ｈによって複数の半導体発光素子３０を駆動するマルチチャンネル（第１実施形態では８チャンネル）駆動型の発光モジュールとして具現化されている。
【0131】
ここで、第１実施形態では、基板２０の中央領域ＡＣに光反射素子５０が配置されるとともに、その周囲に複数（第１実施形態では１６個）の半導体発光素子３０が配置されている。この構成では、半導体発光素子３０に端面発光素子を採用しつつ、半導体発光素子３０から出射された光を基板２０に交差する方向（例えば基板２０に垂直な方向）に反射させることができる。このため、端面発光素子により構成された複数の半導体発光素子３０を基板２０の端に配置する場合に比べて、より多くの半導体発光素子３０を半導体発光装置１０に搭載することができる。これにより、チャンネル数を増大させて例えばＬｉＤＡＲで求められるような視野角の拡大および解像度の向上を図ることができる。
【0132】
第１実施形態の半導体発光装置１０は、以下の利点を有する。
（１－１）半導体発光装置１０は、基板２０の中央領域ＡＣに配置された光反射素子５０を備える。光反射素子５０は、端面発光素子により構成された複数の半導体発光素子３０からの光を、基板２０に交差する方向に反射する。これにより、半導体発光素子３０を基板２０の端に配置する場合に比べて、より多くの半導体発光素子３０を半導体発光装置１０に搭載することができる。
（１－１）半導体発光装置１０は、基板２０の中央領域ＡＣに配置された光反射素子５０を備える。光反射素子５０は、端面発光素子により構成された複数の半導体発光素子３０からの光を、基板２０に交差する方向に反射する。これにより、半導体発光素子３０を基板２０の端に配置する場合に比べて、より多くの半導体発光素子３０を半導体発光装置１０に搭載することができる。
【0133】
（１－２）複数の半導体発光素子３０が光反射素子５０の周囲において基板２０の中央付近に集約配置されるため、複数の半導体発光素子３０を駆動する駆動回路４０Ａ～４０Ｈおよびそれに関連する回路素子の配線設計の自由度が向上する。結果として、チャンネル数をより増大させることが可能となる。
【0134】
（１－３）光反射素子５０が基板２０の中央領域ＡＣに配置されることで、光反射素子５０の両側に複数の半導体発光素子３０を配置することができる。これにより、より多くの半導体発光素子３０を半導体発光装置１０に搭載可能となるだけでなく、光反射素子５０を中心に駆動回路４０Ａ～４０Ｈを基板２０上に対称配置することが可能となる。これにより、チャンネル数を増大させつつ配線設計を容易化することができる。
【0135】
（１－４）光反射素子５０には、例えば４５°の反射角を有する光反射型ミラーを採用することができる。したがって、光反射素子５０を簡易な構成としつつ、半導体発光素子３０の数を増大させることができる。
【0136】
（１－５）半導体発光装置１０は、複数の半導体発光素子３０とともに、複数の半導体発光素子３０を駆動する駆動回路４０Ａ～４０Ｈを含む。この構成では、各駆動回路４０とその駆動対象の半導体発光素子３０とに流れる電流の電流経路ＣＰが基板２０に形成されるため、駆動回路４０Ａ～４０Ｈが半導体発光装置１０の外部に設けられる場合と比べて電流経路ＣＰが短くなる。これにより、電流経路ＣＰの長さに起因するインダクタンスを低減することができるとともに各電流経路ＣＰのインダクタンスのばらつきを低減することができる。その結果、各半導体発光素子３０が出射するレーザ光のパルス幅の短パルス化を図り、パルス幅のばらつきを低減することができる。
【0137】
（１－６）各駆動回路４０は、並列接続された複数のキャパシタを含む。例えば、駆動回路４０Ａは、並列接続された４個のキャパシタ４２１を含み、他の駆動回路４０Ｂ～４０Ｈにおいても、同数のキャパシタが設けられている。この構成では、各駆動回路４０が単一のキャパシタを含む場合に比べて、インダクタンスを低減することができる。
【0138】
（１－７）半導体発光装置１０は、各チャンネルに設けられた一つ以上（第１実施形態では２個）の半導体発光素子３０に各々逆並列に接続される保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈを備える。この構成では、半導体発光素子３０に過大な逆バイアスが加わることを抑制して、各半導体発光素子３０のピーク光出力を高めることができる。
【0139】
（１－８）各駆動回路４０のスイッチング素子（例えば、駆動回路４０Ａのスイッチング素子４１１）とその制御対象の半導体発光素子３０との間の電流経路ＣＰ上に位置するワイヤＷ１の数が複数本（第１実施形態では例えば４本以上）とされている。この構成では、半導体発光装置１０全体におけるインダクタンスを低減することができる。
【0140】
［第２実施形態］
次に、図１３～図２２を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第２実施形態の半導体発光装置１０は、駆動回路４０Ａ～４０Ｈの構成が変更されている点で、第１実施形態の半導体発光装置１０と主に異なる。以下では、第１実施形態の半導体発光装置１０との相違点を中心に第２実施形態を説明し、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
次に、図１３～図２２を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０について説明する。第２実施形態の半導体発光装置１０は、駆動回路４０Ａ～４０Ｈの構成が変更されている点で、第１実施形態の半導体発光装置１０と主に異なる。以下では、第１実施形態の半導体発光装置１０との相違点を中心に第２実施形態を説明し、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【0141】
図１３は、第２実施形態の半導体発光装置１０の概略平面構造を示す。図１４は、図１３の半導体発光装置１０の中央部の概略平面構造を示す。図１５～図１８は、図１３の半導体発光装置１０の周辺領域の４つの異なる部分の概略平面構造を示す。図１９は、図１３の半導体発光装置１０の概略的な裏面電極構造を示す。図２０は、図１３の半導体発光装置１０の概略的な表面側中間電極構造を示し、図２１は、図１３の半導体発光装置１０の概略的な裏面側中間電極構造を示す。図２２は、図１３の半導体発光装置１０を含む発光システム２００の概略回路を示す。なお、図１３～図１８では、主面レジスト層２９Ａの開口部が二点鎖線によって示されており、図１９では、裏面レジスト層２９Ｂの開口部が二点鎖線によって示されている。
【0142】
［２－１．第２実施形態の半導体発光装置の全体構造］
図１３に示すように、第２実施形態の半導体発光装置１０は、複数（図１３では例えば１６個）の半導体発光素子３０と、複数（図１３では例えば８個）の駆動回路４０Ａ～４０Ｄと、光反射素子５０とを含む。なお、以下の説明において、駆動回路４０Ａ～４０Ｈを互いに区別しない場合は、駆動回路４０Ａ～４０Ｈを駆動回路４０（または各駆動回路４０）と記載する。
図１３に示すように、第２実施形態の半導体発光装置１０は、複数（図１３では例えば１６個）の半導体発光素子３０と、複数（図１３では例えば８個）の駆動回路４０Ａ～４０Ｄと、光反射素子５０とを含む。なお、以下の説明において、駆動回路４０Ａ～４０Ｈを互いに区別しない場合は、駆動回路４０Ａ～４０Ｈを駆動回路４０（または各駆動回路４０）と記載する。
【0143】
複数の半導体発光素子３０、複数の駆動回路４０、および光反射素子５０は、基板２０上に設けられている。半導体発光装置１０は、複数の駆動回路４０によって複数の半導体発光素子３０を駆動するマルチチャンネル（図１３の例では８チャンネル）駆動型の発光モジュールとして具現化されている。なお、半導体発光素子３０の数および駆動回路４０の数は、チャンネル数に応じて適宜変更可能である。
【0144】
半導体発光装置１０はさらに、ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈと、キャパシタ２０８Ａ～２０８Ｈとを含む。なお、第２実施形態の半導体発光装置１０は、第１実施形態で基板２０に搭載されていた保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈ（図１参照）を含んでいない。第２実施形態では、このような保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈは、例えば半導体発光装置１０が実装される回路基板（図示略）に搭載され得る。
【0145】
第２実施形態の半導体発光装置１０では、第１実施形態と異なり、駆動回路４０Ａ～４０Ｈのスイッチング素子４１１～４１８に横型トランジスタが用いられている。このような横型トランジスタの一例は、窒化物半導体（例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ））を用いた窒化物半導体トランジスタである。第２実施形態では、例えば、窒化物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）が用いられている。なお、横型トランジスタであれば、スイッチング素子４１１～４１８にＭＯＳＦＥＴが用いられてもよい。
【0146】
図１５～図１８に示すように、ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈは、駆動回路４０Ａ～４０Ｈのスイッチング素子４１１～４１８のゲート電極４１Ｇにそれぞれ電気的に接続されている。ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈは、スイッチング素子４１１～４１８のゲート電極４１Ｇにゲート電圧信号をそれぞれ印加することで、スイッチング素子４１１～４１８を個別に駆動するように構成されている。キャパシタ２０８Ａ～２０８Ｈは、ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈとそれぞれ電気的に接続されている。
【0147】
［２－２．基板の電極層］
次に、基板２０の第１～第４電極層２８Ａ～２８Ｄの構成について説明する。第２実施形態では、第１～第４電極層２８Ａ～２８Ｄの構成は互いに異なっている。
次に、基板２０の第１～第４電極層２８Ａ～２８Ｄの構成について説明する。第２実施形態では、第１～第４電極層２８Ａ～２８Ｄの構成は互いに異なっている。
【0148】
［２－２Ａ．第１電極層（表面電極層）］
図１３～図１８に示すように、基板２０の主面２１に位置する第１電極層２８Ａ（表面電極層）は、互いに離間した複数の表面電極（パターン電極）を含む。第２実施形態では、第１電極層２８Ａは、第１表面電極３０１Ａ～３０１Ｈ、第２表面電極３０２Ａ～３０２Ｈ、第３表面電極３０３、第４表面電極３０４Ａ～３０４Ｈ、第５表面電極３０５Ａ～３０５Ｈ、第６表面電極３０６Ａ～３０６Ｈ、第７表面電極３０７Ａ～３０７Ｈ、第８表面電極３０８Ａ～３０８Ｄ、第９表面電極３０９Ａ～３０９Ｄ、第１０表面電極３１０Ａ～３１０Ｄ、および第１１表面電極３１１を含む。
図１３～図１８に示すように、基板２０の主面２１に位置する第１電極層２８Ａ（表面電極層）は、互いに離間した複数の表面電極（パターン電極）を含む。第２実施形態では、第１電極層２８Ａは、第１表面電極３０１Ａ～３０１Ｈ、第２表面電極３０２Ａ～３０２Ｈ、第３表面電極３０３、第４表面電極３０４Ａ～３０４Ｈ、第５表面電極３０５Ａ～３０５Ｈ、第６表面電極３０６Ａ～３０６Ｈ、第７表面電極３０７Ａ～３０７Ｈ、第８表面電極３０８Ａ～３０８Ｄ、第９表面電極３０９Ａ～３０９Ｄ、第１０表面電極３１０Ａ～３１０Ｄ、および第１１表面電極３１１を含む。
【0149】
第１表面電極３０１Ａ～３０１Ｈは、複数の半導体発光素子３０の実装に用いられる。第２実施形態では、第１表面電極３０１Ａ～３０１Ｈの各々に、２個の半導体発光素子３０が実装されている。第２表面電極３０２Ａ～３０２Ｈ、第３表面電極３０３、第４表面電極３０４Ａ～３０４Ｈ、および第５表面電極３０５Ａ～３０５Ｈは、駆動回路４０Ａ～４０Ｈの実装に用いられる。第５表面電極３０５Ａ～３０５Ｈ、第６表面電極３０６Ａ～３０６Ｈ、および第７表面電極３０７Ａ～３０７Ｈは、ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈの実装に用いられる。
【0150】
第８表面電極３０８Ａ～３０８Ｄおよび第９表面電極３０９Ａ～３０９Ｄは、半導体発光装置１０の外部に位置するパルスジェネレータ２０６Ａ～２０６Ｈ（図２２参照）との電気的接続用に設けられている。第８表面電極３０８Ａ～３０８Ｄおよび第９表面電極３０９Ａ～３０９Ｄは各々、第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄを用いた導通経路を介して第７表面電極３０７Ａ～３０７Ｈのうちの一つと電気的に接続されている。
【0151】
第１０表面電極３１０Ａ～３１０Ｄは、半導体発光装置１０の外部に位置する制御電源２０７Ａ～２０７Ｈ（図２２参照）との電気的接続用に設けられている。第１０表面電極３１０Ａ～３１０Ｄは各々、第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄを用いた導通経路を介して第６表面電極３０６Ａ～３０６Ｈのうちの２つと電気的に接続されている。
【0152】
第１１表面電極３１１は、光反射素子５０の実装に用いられる。第１１表面電極３１１は、第１実施形態の第６表面電極６６と同様に構成されている。第１実施形態と同様に、第１１表面電極６６は、平面視矩形状を有しており、Ｘ軸方向に沿った２つの長辺と、Ｙ軸方向に沿った２つの短辺とを含む。第１１表面電極６６は、基板２０の中央領域ＡＣに位置している。したがって、光反射素子５０は、中央領域ＡＣに実装されている。
【0153】
図１３および図１５～図１８に示すように、第１１表面電極３１１以外の他の表面電極、すなわち、第１表面電極３０１Ａ～３０１Ｈ、第２表面電極３０２Ａ～３０２Ｈ、第３表面電極３０３、第４表面電極３０４Ａ～３０４Ｈ、第５表面電極３０５Ａ～３０５Ｈ、第６表面電極３０６Ａ～３０６Ｈ、第７表面電極３０７Ａ～３０７Ｈ、第８表面電極３０８Ａ～３０８Ｄ、第９表面電極３０９Ａ～３０９Ｄ、および第１０表面電極３１０Ａ～３１０Ｄは、平面視において第１１表面電極３１１よりも外側である基板２０の周辺領域ＡＰに位置している。
【0154】
図１４に示すように、第１表面電極３０１Ａ～３０１Ｈは、第１１表面電極３１１に近接する位置において第１１表面電極３１１の周辺に配置されている。第１表面電極３０１Ａ～３０１Ｈは、第１１表面電極３１１の２つの長辺に沿って、すなわち、光反射素子５０の２つの光入射面５１Ａ，５１Ｂに沿ってＸ軸方向に列状に配置されている。第２実施形態では、光入射面５１Ａに沿って第１表面電極３０１Ａ～３０１ＤがＸ軸方向に一列に並び、光入射面５１Ｂに沿って第１表面電極３０１Ｅ～３０１ＨがＸ軸方向に一列に並んでいる。したがって、１６個の半導体発光素子３０は、光反射素子５０が位置する中央領域ＡＣの近傍位置に集約配置されている。
【0155】
第１表面電極３０１Ａ～３０１Ｈおよび第２表面電極３０２Ａ～３０２Ｈは、基板２０の周辺領域ＡＰにおいて対称関係を有するように配置されている。第２実施形態では、第１表面電極３０１Ａ～３０１Ｈおよび第２表面電極３０２Ａ～３０２Ｈは、２つの仮想中心線ＶＣ，ＨＣの各々に対して線対称の関係で配置されている。
【0156】
第３表面電極３０３は、平面視において第２表面電極３０２Ａ～３０２Ｈを囲む矩形枠状に形成されている。第３表面電極３０３は、基板２０の中央に中央開口部を含み、この中央開口部に、第１表面電極３０１Ａ～３０１Ｈ、第２表面電極３０２Ａ～３０２Ｈ、および第１１表面電極３１１が配置されている。
【0157】
第１実施形態と同様、基板２０の周辺領域ＡＰは、２つの仮想中心線ＶＣ，ＨＣに基づいて区分される４つの配線（電極）配置領域として、図１３において基板２０の右下領域、左下領域、右上領域、および左上領域にそれぞれ対応する第１配置領域ＡＰ１、第２配置領域ＡＰ２、第３配置領域ＡＰ３、および第４配置領域ＡＰ４を含む。以下、第１～第４配置領域ＡＰ１～ＡＰ４内の表面電極レイアウトについて説明する。
【0158】
図１３および図１５に示すように、第１配置領域ＡＰ１（図１３において右下領域）は、第１表面電極３０１Ａ，３０１Ｂ、第２表面電極３０２Ａ，３０２Ｂ、第４表面電極３０４Ａ，３０４Ｂ、第５表面電極３０５Ａ，３０５Ｂ、第６表面電極３０６Ａ，３０６Ｂ、第７表面電極３０７Ａ，３０７Ｂ、第８表面電極３０８Ａ、第９表面電極３０９Ａ、および第１０表面電極３１０Ａの配置に用いられている。第１配置領域ＡＰ１は、第３表面電極３０３の一部（図１３において右下領域）も含む。
【0159】
第１表面電極３０１Ａ，３０１Ｂは各々、上述したように２個の半導体発光素子３０の実装に用いられる。第２～第５表面電極３０２Ａ，３０３，３０４Ａ，３０５Ａは、駆動回路４０Ａの実装に用いられ、第３表面電極３０３および第５～第７表面電極３０５Ａ，３０６Ａ，３０７Ａは、ゲートドライバ２０５Ａの実装に用いられる。また、第３および第６表面電極３０３，３０６Ａは、キャパシタ２０８Ａの実装に用いられる。
【0160】
同様に、第２～第５表面電極３０２Ｂ，３０３，３０４Ｂ，３０５Ｂは、駆動回路４０Ｂの実装に用いられ、第３表面電極３０３および第５～第７表面電極３０５Ｂ，３０６Ｂ，３０７Ｂは、ゲートドライバ２０５Ｂの実装に用いられる。また、第３および第６表面電極３０３，３０６Ｂは、キャパシタ２０８Ｂの実装に用いられる。
【0161】
第８表面電極３０８Ａは、パルスジェネレータ２０６Ａ（図２２参照）との電気的接続用に設けられており、第９表面電極３０９Ａは、パルスジェネレータ２０６Ｂ（図２２参照）との電気的接続用に設けられている。第１０表面電極３１０Ａは、制御電源２０７Ａ，２０７Ｂとの電気的接続用に設けられている。
【0162】
したがって、第３表面電極３０３は、駆動回路４０Ａ，４０Ｂ、ゲートドライバ２０５Ａ，２０５Ｂ、およびキャパシタ２０８Ａ，２０８Ｂの実装に共用されている。基板２０の第１配置領域ＡＰ１は、４個の半導体発光素子３０と、２個の駆動回路４０Ａ，４０Ｂと、２個のゲートドライバ２０５Ａ，２０５Ｂと、２個のキャパシタ２０８Ａ，２０８Ｂとの実装に割り当てられている。
【0163】
第１表面電極３０１Ａは、第１配置領域ＡＰ１内で仮想中心線ＶＣ寄りに配置されている。第１表面電極３０１Ａに実装された２個の半導体発光素子３０の表面電極３４（アノード電極）は各々、第２表面電極３０２ＡにワイヤＷ４で接続されている。第２表面電極３０２Ａは、第１表面電極３０１ＡとＹ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。なお、ワイヤＷ４の数は特に限定されず、１本以上であればよい。第２実施形態では、例えば回路全体の配線インダクタンスを低減する観点などから、ワイヤＷ４の数は複数本（例えば４本以上）とされている。
【0164】
駆動回路４０Ａの４個のキャパシタ４２１は、第２および第３表面電極３０２Ａ，３０３の双方にわたって実装されている。各キャパシタ４２１の第１電極４２Ａは、導電性接合材により第２表面電極３０２Ａに接合されており、各キャパシタ４２１の第２電極４２Ｂは、導電性接合材により第３表面電極３０３に接合されている。４個のキャパシタ４２１は、互いに離間しつつ長辺同士を隣り合わせてＸ軸方向に一列に並んでいる。なお、第１実施形態と同様、各キャパシタ４２１は、例えばセラミックキャパシタであってよい。
【0165】
駆動回路４０Ａのスイッチング素子４１１は、第３～第５表面電極３０３，３０４Ａ，３０５Ａにわたって実装されている。第３表面電極３０３は、第１配置領域ＡＰ１内に２つの周辺開口部を含み、一方の周辺開口部に第４～第７表面電極３０４Ａ，３０５Ａ，３０６Ａ，３０７Ａが配置され、他方の周辺開口部に第４～第７表面電極３０４Ｂ，３０５Ｂ，３０６Ｂ，３０７Ｂが配置されている。第４表面電極３０４Ａは、Ｙ軸方向に延びる長円形状を有し、第５表面電極３０５Ａは、Ｘ軸方向に延びる矩形状を有している。第５表面電極３０５Ａは、第４表面電極３０４ＡとＸ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。
【0166】
スイッチング素子４１１のソース電極４１Ｓは、導電性接合材により第３表面電極３０３に実装されており、スイッチング素子４１１のドレイン電極４１Ｄは、導電性接合材により第４表面電極３０４Ａに実装されている。スイッチング素子４１１のゲート電極４１Ｇは、導電性接合材により第５表面電極３０５Ａに実装されている。スイッチング素子４１１は、４個のキャパシタ４２１とＹ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。スイッチング素子４１１は、Ｙ軸方向においてキャパシタ４２１よりも基板２０の第１側面２３寄りに設けられている。
【0167】
ゲートドライバ２０５Ａは、第３表面電極３０３および第５～７表面電極３０５Ａ，３０６Ａ，３０７Ａにわたって実装されている。第６および第７表面電極３０６Ａ，３０７Ａは、第５表面電極３０５ＡとＸ軸方向に隣接または近接して設けられている。第３表面電極３０３は、第６および第７表面電極３０６Ａ，３０７Ａの間に位置する延出部分を含み、第６および第７表面電極３０６Ａ，３０７Ａは、第３表面電極３０３の延出部分を間に挟んでＹ軸方向に互いに近接して設けられている。ゲートドライバ２０５Ａは、第３表面電極３０３および第５～７表面電極３０５Ａ，３０６Ａ，３０７Ａと個別に実装されるとともに電気的に接続される複数の端子２０５Ｐを含む。
【0168】
ゲートドライバ２０５Ａは、第５表面電極３０５Ａを介してスイッチング素子４１１のゲート電極４１Ｇと電気的に接続されている。後述するように、ゲートドライバ２０５Ａには、第６および第１０表面電極３０６Ａ，３１０Ａと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、制御電源２０７Ａ（図２２参照）からの電力が供給される。また、ゲートドライバ２０５Ａは、第７および第８表面電極３０７Ａ，３０８Ａと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、パルスジェネレータ２０６Ａ（図２２参照）に電気的に接続される。
【0169】
キャパシタ２０８Ａは、第３および第６表面電極３０３，３０６Ａの双方にわたって実装されている。キャパシタ２０８Ａは、ゲートドライバ２０５ＡとＸ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。ゲートドライバ２０５Ａは、Ｘ軸方向においてスイッチング素子４１１とキャパシタ２０８Ａとの間に位置している。キャパシタ２０８Ａは、第６表面電極３０６Ａと電気的に接続される第１電極２０８Ｐと、第３表面電極３０３と電気的に接続される第２電極２０８Ｑとを含む。したがって、キャパシタ２０８Ａは、ゲートドライバ２０５Ａと電気的に接続されている。
【0170】
第２表面電極３０２Ｂは、第１配置領域ＡＰ１内で第１表面電極３０１ＡとＸ軸方向に隣接して配置されている。第２表面電極３０２Ｂに実装された２個の半導体発光素子３０の表面電極３４（アノード電極）は各々、第２表面電極３０２ＢにワイヤＷ４で接続されている。第２表面電極３０２Ｂは、第１表面電極３０１ＢとＸ軸方向およびＹ軸方向の双方に隣接または近接する位置に設けられている。
【0171】
駆動回路４０Ｂの４個のキャパシタ４２２は、第２および第３表面電極３０２Ｂ，３０３の双方にわたって実装されている。各キャパシタ４２２の第１電極４２Ａは、導電性接合材により第２表面電極３０２Ｂに接合されており、各キャパシタ４２２の第２電極４２Ｂは、導電性接合材により第３表面電極３０３に接合されている。４個のキャパシタ４２２は、互いに離間しつつ長辺同士を隣り合わせてＹ軸方向に一列に並んでいる。なお、第１実施形態と同様、各キャパシタ４２２は、例えばセラミックキャパシタであってよい。
【0172】
駆動回路４０Ｂのスイッチング素子４１２は、第３～第５表面電極３０３，３０４Ｂ，３０５Ｂにわたって実装されている。第４表面電極３０４Ｂは、Ｘ軸方向に延びる長円形状を有し、第５表面電極３０５Ｂは、Ｙ軸方向に延びる矩形状を有している。第５表面電極３０５Ｂは、第４表面電極３０４ＢとＹ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。
【0173】
スイッチング素子４１２のソース電極４１Ｓは、導電性接合材により第３表面電極３０３に実装されており、スイッチング素子４１２のドレイン電極４１Ｄは、導電性接合材により第４表面電極３０４Ｂに実装されている。スイッチング素子４１２のゲート電極４１Ｇは、導電性接合材により第５表面電極３０５Ｂに実装されている。スイッチング素子４１２は、４個のキャパシタ４２２とＸ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。スイッチング素子４１２は、Ｘ軸方向においてキャパシタ４２２よりも基板２０の第４側面２６寄りに設けられている。
【0174】
ゲートドライバ２０５Ｂは、第３表面電極３０３および第５～７表面電極３０５Ｂ，３０６Ｂ，３０７Ｂにわたって実装されている。第６および第７表面電極３０６Ｂ，３０７Ｂは、第５表面電極３０５ＢとＹ軸方向に隣接または近接して設けられている。第３表面電極３０３は、第６および第７表面電極３０６Ｂ，３０７Ｂの間に位置する延出部分を含み、第６および第７表面電極３０６Ｂ，３０７Ｂは、第３表面電極３０３の延出部分を間に挟んでＸ軸方向に互いに近接して設けられている。ゲートドライバ２０５Ｂは、第３表面電極３０３および第５～７表面電極３０５Ａ，３０６Ａ，３０７Ａと個別に実装されるとともに電気的に接続される複数の端子２０５Ｐを含む。
【0175】
ゲートドライバ２０５Ｂは、第５表面電極３０５Ｂを介してスイッチング素子４１２のゲート電極４１Ｇと電気的に接続されている。後述するように、ゲートドライバ２０５Ｂには、第６および第１０表面電極３０６Ｂ，３１０Ａと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、制御電源２０７Ｂ（図２２参照）からの電力が供給される。また、ゲートドライバ２０５Ｂは、第７および第９表面電極３０７Ｂ，３０９Ａと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、パルスジェネレータ２０６Ｂ（図２２参照）に電気的に接続される。
【0176】
キャパシタ２０８Ｂは、第３および第６表面電極３０３，３０６Ｂの双方にわたって実装されている。キャパシタ２０８Ｂは、ゲートドライバ２０５ＢとＹ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。ゲートドライバ２０５Ｂは、Ｘ軸方向においてスイッチング素子４１２とキャパシタ２０８Ｂとの間に位置している。キャパシタ２０８Ｂは、第６表面電極３０６Ｂと電気的に接続される第１電極２０８Ｐと、第３表面電極３０３と電気的に接続される第２電極２０８Ｑとを含む。したがって、キャパシタ２０８Ｂは、ゲートドライバ２０５Ｂと電気的に接続されている。
【0177】
図１３および図１６に示すように、第２配置領域ＡＰ２（図１３において左下領域）は、第１表面電極３０１Ｃ，３０１Ｄ、第２表面電極３０２Ｃ，３０２Ｄ、第４表面電極３０４Ｃ，３０４Ｄ、第５表面電極３０５Ｃ，３０５Ｄ、第６表面電極３０６Ｃ，３０６Ｄ、第７表面電極３０７Ｃ，３０７Ｄ、第８表面電極３０８Ｂ、第９表面電極３０９Ｂ、および第１０表面電極３１０Ｂの配置に用いられている。第２配置領域ＡＰ２は、第３表面電極３０３の一部（図１３において左下領域）も含む。
【0178】
第１表面電極３０１Ｃ，３０１Ｄは各々、上述したように２個の半導体発光素子３０の実装に用いられる。第２～第５表面電極３０２Ｃ，３０３，３０４Ｃ，３０５Ｃは、駆動回路４０Ｃの実装に用いられ、第３表面電極３０３および第５～第７表面電極３０５Ｃ，３０６Ｃ，３０７Ｃは、ゲートドライバ２０５Ｃの実装に用いられる。また、第３および第６表面電極３０３，３０６Ｃは、キャパシタ２０８Ｃの実装に用いられる。
【0179】
同様に、第２～第５表面電極３０２Ｄ，３０３，３０４Ｄ，３０５Ｄは、駆動回路４０Ｄの実装に用いられ、第３表面電極３０３および第５～第７表面電極３０５Ｄ，３０６Ｄ，３０７Ｄは、ゲートドライバ２０５Ｄの実装に用いられる。また、第３および第６表面電極３０３，３０６Ｄは、キャパシタ２０８Ｄの実装に用いられる。
【0180】
第８表面電極３０８Ｂは、パルスジェネレータ２０６Ｃ（図２２参照）との電気的接続用に設けられており、第９表面電極３０９Ｂは、パルスジェネレータ２０６Ｄ（図２２参照）との電気的接続用に設けられている。第１０表面電極３１０Ｂは、制御電源２０７Ｃ，２０７Ｄとの電気的接続用に設けられている。
【0181】
したがって、第３表面電極３０３は、駆動回路４０Ｃ，４０Ｄ、ゲートドライバ２０５Ｃ，２０５Ｄ、およびキャパシタ２０８Ｃ，２０８Ｄの実装に共用されている。基板２０の第２配置領域ＡＰ２は、４個の半導体発光素子３０と、２個の駆動回路４０Ｃ，４０Ｄと、２個のゲートドライバ２０５Ｃ，２０５Ｄと、２個のキャパシタ２０８Ｃ，２０８Ｄとの実装に割り当てられている。
【0182】
第１表面電極３０１Ｃは、第２配置領域ＡＰ２内で仮想中心線ＶＣ寄りに配置されている。第１表面電極３０１Ｃに実装された２個の半導体発光素子３０の表面電極３４（アノード電極）は各々、第２表面電極３０２ＣにワイヤＷ４で接続されている。第２表面電極３０２Ｃは、第１表面電極３０１ＣとＹ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。
【0183】
第１表面電極３０１Ｄは、第２配置領域ＡＰ２内で第１表面電極３０１ＣとＸ軸方向に隣接して配置されている。第１表面電極３０１Ｄに実装された２個の半導体発光素子３０の表面電極３４（アノード電極）は各々、第２表面電極３０２ＤにワイヤＷ４で接続されている。第２表面電極３０２Ｄは、第１表面電極３０１ＤとＸ軸方向およびＹ軸方向の双方に隣接または近接する位置に設けられている。
【0184】
第２配置領域ＡＰ２内に位置するいくつかの表面電極（およびそれらに実装された素子）のレイアウトは、第１配置領域ＡＰ１内に位置するいくつかの対応する表面電極（およびそれらに実装された素子）のレイアウトを平面視で時計回りに９０°回転させたものに相当する。
【0185】
例えば、第２配置領域ＡＰ２内の第４～第７表面電極３０４Ｃ，３０５Ｃ，３０６Ｃ，３０７Ｃのレイアウトは、第１配置領域ＡＰ１内の第４～第７表面電極３０４Ｂ，３０５Ｂ，３０６Ｂ，３０７Ｂのレイアウトを時計回りに９０°回転させたものに相当する。したがって、第２配置領域ＡＰ２内における駆動回路４０Ｃ（キャパシタ４２３およびスイッチング素子４１３）、ゲートドライバ２０５Ｃ、およびキャパシタ２０８Ｃのレイアウトは、第１配置領域ＡＰ１内における駆動回路４０Ｂ（キャパシタ４２２およびスイッチング素子４１２）、ゲートドライバ２０５Ｂ、およびキャパシタ２０８Ｂのレイアウトを時計回りに９０°回転させたものに相当する。このため、第４～第７表面電極３０４Ｃ，３０５Ｃ，３０６Ｃ，３０７Ｃの配置、ならびに駆動回路４０Ｃ（キャパシタ４２３およびスイッチング素子４１３）、ゲートドライバ２０５Ｃ、およびキャパシタ２０８Ｃの配置についての詳細な説明は省略する。
【0186】
同様に、第２配置領域ＡＰ２内の第４～第７表面電極３０４Ｄ，３０５Ｄ，３０６Ｄ，３０７Ｄのレイアウトは、第１配置領域ＡＰ１内の第４～第７表面電極３０４Ａ，３０５Ａ，３０６Ａ，３０７Ａのレイアウトを時計回りに９０°回転させたものに相当する。したがって、第２配置領域ＡＰ２内における駆動回路４０Ｄ（キャパシタ４２４およびスイッチング素子４１４）、ゲートドライバ２０５Ｄ、およびキャパシタ２０８Ｄのレイアウトは、第１配置領域ＡＰ１内における駆動回路４０Ａ（キャパシタ４２１およびスイッチング素子４１１）、ゲートドライバ２０５Ａ、およびキャパシタ２０８Ａのレイアウトを時計回りに９０°回転させたものに相当する。このため、第４～第７表面電極３０４Ｄ，３０５Ｄ，３０６Ｄ，３０７Ｄの配置、ならびに駆動回路４０Ｄ（キャパシタ４２４およびスイッチング素子４１４）、ゲートドライバ２０５Ｄ、およびキャパシタ２０８Ｄの配置についての詳細な説明は省略する。
【0187】
なお、ゲートドライバ２０５Ｃには、第６および第１０表面電極３０６Ｃ，３１０Ｂと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、制御電源２０７Ｃ（図２２参照）からの電力が供給される。また、ゲートドライバ２０５Ｃは、第７および第８表面電極３０７Ｃ，３０８Ｂと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、パルスジェネレータ２０６Ｃ（図２２参照）に電気的に接続される。
【0188】
また、ゲートドライバ２０５Ｄには、第６および第１０表面電極３０６Ｄ，３１０Ｂと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、制御電源２０７Ｄ（図２２参照）からの電力が供給される。また、ゲートドライバ２０５Ｄは、第７および第９表面電極３０７Ｄ，３０９Ｂと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、パルスジェネレータ２０６Ｄ（図２２参照）に電気的に接続される。
【0189】
図１３および図１７に示すように、第３配置領域ＡＰ３（図１３において右上領域）は、第１表面電極３０１Ｅ，３０１Ｆ、第２表面電極３０２Ｅ，３０２Ｆ、第４表面電極３０４Ｅ，３０４Ｆ、第５表面電極３０５Ｅ，３０５Ｆ、第６表面電極３０６Ｅ，３０６Ｆ、第７表面電極３０７Ｅ，３０７Ｆ、第８表面電極３０８Ｃ、第９表面電極３０９Ｃ、および第１０表面電極３１０Ｃの配置に用いられている。第３配置領域ＡＰ３は、第３表面電極３０３の一部（図１３において右上領域）も含む。
【0190】
第１表面電極３０１Ｅ，３０１Ｆは各々、上述したように２個の半導体発光素子３０の実装に用いられる。第２～第５表面電極３０２Ｅ，３０３，３０４Ｅ，３０５Ｅは、駆動回路４０Ｅの実装に用いられ、第３表面電極３０３および第５～第７表面電極３０５Ｅ，３０６Ｅ，３０７Ｅは、ゲートドライバ２０５Ｅの実装に用いられる。また、第３および第６表面電極３０３，３０６Ｅは、キャパシタ２０８Ｅの実装に用いられる。
【0191】
同様に、第２～第５表面電極３０２Ｆ，３０３，３０４Ｆ，３０５Ｆは、駆動回路４０Ｆの実装に用いられ、第３表面電極３０３および第５～第７表面電極３０５Ｆ，３０６Ｆ，３０７Ｆは、ゲートドライバ２０５Ｆの実装に用いられる。また、第３および第６表面電極３０３，３０６Ｆは、キャパシタ２０８Ｆの実装に用いられる。
【0192】
第８表面電極３０８Ｃは、パルスジェネレータ２０６Ｅ（図２２参照）との電気的接続用に設けられており、第９表面電極３０９Ｃは、パルスジェネレータ２０６Ｆ（図２２参照）との電気的接続用に設けられている。第１０表面電極３１０Ｃは、制御電源２０７Ｅ，２０７Ｆとの電気的接続用に設けられている。
【0193】
したがって、第３表面電極３０３は、駆動回路４０Ｅ，４０Ｆ、ゲートドライバ２０５Ｅ，２０５Ｆ、およびキャパシタ２０８Ｅ，２０８Ｆの実装に共用されている。基板２０の第３配置領域ＡＰ３は、４個の半導体発光素子３０と、２個の駆動回路４０Ｅ，４０Ｆと、２個のゲートドライバ２０５Ｅ，２０５Ｆと、２個のキャパシタ２０８Ｅ，２０８Ｆとの実装に割り当てられている。
【0194】
第１表面電極３０１Ｅは、第３配置領域ＡＰ３内で仮想中心線ＶＣ寄りに配置されている。第１表面電極３０１Ｅに実装された２個の半導体発光素子３０の表面電極３４（アノード電極）は各々、第２表面電極３０２ＥにワイヤＷ４で接続されている。第２表面電極３０２Ｅは、第１表面電極３０１ＥとＹ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。
【0195】
第１表面電極３０１Ｆは、第３配置領域ＡＰ２内で第１表面電極３０１ＥとＸ軸方向に隣接して配置されている。第１表面電極３０１Ｆに実装された２個の半導体発光素子３０の表面電極３４（アノード電極）は各々、第２表面電極３０２ＦにワイヤＷ４で接続されている。第２表面電極３０２Ｆは、第１表面電極３０１ＦとＸ軸方向およびＹ軸方向の双方に隣接または近接する位置に設けられている。
【0196】
第３配置領域ＡＰ３内に位置するいくつかの表面電極（およびそれらに実装された素子）のレイアウトは、第１配置領域ＡＰ１内に位置するいくつかの対応する表面電極（およびそれらに実装された素子）のレイアウトを平面視で反時計回りに９０°回転させたものに相当する。
【0197】
例えば、第３配置領域ＡＰ３内の第４～第７表面電極３０４Ｅ，３０５Ｅ，３０６Ｅ，３０７Ｅのレイアウトは、第１配置領域ＡＰ１内の第４～第７表面電極３０４Ｂ，３０５Ｂ，３０６Ｂ，３０７Ｂのレイアウトを反時計回りに９０°回転させたものに相当する。したがって、第３配置領域ＡＰ３内における駆動回路４０Ｅ（キャパシタ４２５およびスイッチング素子４１５）、ゲートドライバ２０５Ｅ、およびキャパシタ２０８Ｅのレイアウトは、第１配置領域ＡＰ１内における駆動回路４０Ｂ（キャパシタ４２２およびスイッチング素子４１２）、ゲートドライバ２０５Ｂ、およびキャパシタ２０８Ｂのレイアウトを反時計回りに９０°回転させたものに相当する。このため、第４～第７表面電極３０４Ｅ，３０５Ｅ，３０６Ｅ，３０７Ｅの配置、ならびに駆動回路４０Ｅ（キャパシタ４２５およびスイッチング素子４１５）、ゲートドライバ２０５Ｅ、およびキャパシタ２０８Ｅの配置についての詳細な説明は省略する。
【0198】
同様に、第３配置領域ＡＰ３内の第４～第７表面電極３０４Ｆ，３０５Ｆ，３０６Ｆ，３０７Ｆのレイアウトは、第１配置領域ＡＰ１内の第４～第７表面電極３０４Ａ，３０５Ａ，３０６Ａ，３０７Ａのレイアウトを反時計回りに９０°回転させたものに相当する。したがって、第３配置領域ＡＰ３内における駆動回路４０Ｆ（キャパシタ４２６およびスイッチング素子４１６）、ゲートドライバ２０５Ｆ、およびキャパシタ２０８Ｆのレイアウトは、第１配置領域ＡＰ１内における駆動回路４０Ａ（キャパシタ４２１およびスイッチング素子４１１）、ゲートドライバ２０５Ａ、およびキャパシタ２０８Ａのレイアウトを反時計回りに９０°回転させたものに相当する。このため、第４～第７表面電極３０４Ｆ，３０５Ｆ，３０６Ｆ，３０７Ｆの配置、ならびに駆動回路４０Ｆ（キャパシタ４２６およびスイッチング素子４１６）、ゲートドライバ２０５Ｆ、およびキャパシタ２０８Ｆの配置についての詳細な説明は省略する。
【0199】
なお、ゲートドライバ２０５Ｅには、第６および第１０表面電極３０６Ｅ，３１０Ｃと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、制御電源２０７Ｅ（図２２参照）からの電力が供給される。また、ゲートドライバ２０５Ｅは、第７および第８表面電極３０７Ｅ，３０８Ｃと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、パルスジェネレータ２０６Ｅ（図２２参照）に電気的に接続される。
【0200】
また、ゲートドライバ２０５Ｆには、第６および第１０表面電極３０６Ｆ，３１０Ｃと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、制御電源２０７Ｆ（図２２参照）からの電力が供給される。また、ゲートドライバ２０５Ｆは、第７および第９表面電極３０７Ｆ，３０９Ｃと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、パルスジェネレータ２０６Ｆ（図２２参照）に電気的に接続される。
【0201】
図１３および図１８に示すように、第４配置領域ＡＰ４（図１３において左上領域）は、第１表面電極３０１Ｇ，３０１Ｈ、第２表面電極３０２Ｇ，３０２Ｈ、第４表面電極３０４Ｇ，３０４Ｈ、第５表面電極３０５Ｇ，３０５Ｈ、第６表面電極３０６Ｇ，３０６Ｈ、第７表面電極３０７Ｇ，３０７Ｈ、第８表面電極３０８Ｄ、第９表面電極３０９Ｄ、および第１０表面電極３１０Ｄの配置に用いられている。第４配置領域ＡＰ４は、第３表面電極３０３の一部（図１３において左上領域）も含む。
【0202】
第１表面電極３０１Ｇ，３０１Ｈは各々、上述したように２個の半導体発光素子３０の実装に用いられる。第２～第５表面電極３０２Ｇ，３０３，３０４Ｇ，３０５Ｇは、駆動回路４０Ｇの実装に用いられ、第３表面電極３０３および第５～第７表面電極３０５Ｇ，３０６Ｇ，３０７Ｇは、ゲートドライバ２０５Ｇの実装に用いられる。また、第３および第６表面電極３０３，３０６Ｇは、キャパシタ２０８Ｇの実装に用いられる。
【0203】
同様に、第２～第５表面電極３０２Ｈ，３０３，３０４Ｈ，３０５Ｈは、駆動回路４０Ｈの実装に用いられ、第３表面電極３０３および第５～第７表面電極３０５Ｈ，３０６Ｈ，３０７Ｈは、ゲートドライバ２０５Ｈの実装に用いられる。また、第３および第６表面電極３０３，３０６Ｈは、キャパシタ２０８Ｈの実装に用いられる。
【0204】
第８表面電極３０８Ｄは、パルスジェネレータ２０６Ｇ（図２２参照）との電気的接続用に設けられており、第９表面電極３０９Ｄは、パルスジェネレータ２０６Ｈ（図２２参照）との電気的接続用に設けられている。第１０表面電極３１０Ｄは、制御電源２０７Ｇ，２０７Ｈとの電気的接続用に設けられている。
【0205】
したがって、第３表面電極３０３は、駆動回路４０Ｇ，４０Ｈ、ゲートドライバ２０５Ｇ，２０５Ｈ、およびキャパシタ２０８Ｇ，２０８Ｈの実装に共用されている。基板２０の第４配置領域ＡＰ４は、４個の半導体発光素子３０と、２個の駆動回路４０Ｇ，４０Ｈと、２個のゲートドライバ２０５Ｇ，２０５Ｈと、２個のキャパシタ２０８Ｇ，２０８Ｈとの実装に割り当てられている。
【0206】
第１表面電極３０１Ｇは、第４配置領域ＡＰ４内で仮想中心線ＶＣ寄りに配置されている。第１表面電極３０１Ｇに実装された２個の半導体発光素子３０の表面電極３４（アノード電極）は各々、第２表面電極３０２ＧにワイヤＷ４で接続されている。第２表面電極３０２Ｇは、第１表面電極３０１ＧとＹ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。
【0207】
第１表面電極３０１Ｈは、第４配置領域ＡＰ４内で第１表面電極３０１ＧとＸ軸方向に隣接して配置されている。第１表面電極３０１Ｈに実装された２個の半導体発光素子３０の表面電極３４（アノード電極）は各々、第２表面電極３０２ＨにワイヤＷ４で接続されている。第２表面電極３０２Ｈは、第１表面電極３０１ＨとＸ軸方向およびＹ軸方向の双方に隣接または近接する位置に設けられている。
【0208】
第４配置領域ＡＰ４内に位置するいくつかの表面電極（およびそれらに実装された素子）のレイアウトは、第２配置領域ＡＰ２内に位置するいくつかの対応する表面電極（およびそれらに実装された素子）のレイアウトを平面視で時計回りに９０°回転させたものに相当する。言い換えれば、第４配置領域ＡＰ４内に位置するいくつかの表面電極（およびそれらに実装された素子）のレイアウトは、第３配置領域ＡＰ３内に位置するいくつかの対応する表面電極（およびそれらに実装された素子）のレイアウトを反時計回りに９０°回転させたものに相当する。
【0209】
例えば、第４配置領域ＡＰ４内の第４～第７表面電極３０４Ｇ，３０５Ｇ，３０６Ｇ，３０７Ｇのレイアウトは、第２配置領域ＡＰ２内の第４～第７表面電極３０４Ｄ，３０５Ｄ，３０６Ｄ，３０７Ｄのレイアウトを時計回りに９０°回転させたものに相当する。したがって、第４配置領域ＡＰ４内における駆動回路４０Ｇ（キャパシタ４２７およびスイッチング素子４１７）、ゲートドライバ２０５Ｇ、およびキャパシタ２０８Ｇのレイアウトは、第２配置領域ＡＰ２内における駆動回路４０Ｄ（キャパシタ４２４およびスイッチング素子４１４）、ゲートドライバ２０５Ｄ、およびキャパシタ２０８Ｄのレイアウトを時計回りに９０°回転させたものに相当する。このため、第４～第７表面電極３０４Ｇ，３０５Ｇ，３０６Ｇ，３０７Ｇの配置、ならびに駆動回路４０Ｇ（キャパシタ４２７およびスイッチング素子４１７）、ゲートドライバ２０５Ｇ、およびキャパシタ２０８Ｇの配置についての詳細な説明は省略する。
【0210】
同様に、第４配置領域ＡＰ４内の第４～第７表面電極３０４Ｈ，３０５Ｈ，３０６Ｈ，３０７Ｈのレイアウトは、第２配置領域ＡＰ２内の第４～第７表面電極３０４Ｃ，３０５Ｃ，３０６Ｃ，３０７Ｃのレイアウトを時計回りに９０°回転させたものに相当する。したがって、第４配置領域ＡＰ４内における駆動回路４０Ｈ（キャパシタ４２８およびスイッチング素子４１８）、ゲートドライバ２０５Ｈ、およびキャパシタ２０８Ｈのレイアウトは、第２配置領域ＡＰ２内における駆動回路４０Ｃ（キャパシタ４２３およびスイッチング素子４１３）、ゲートドライバ２０５Ｃ、およびキャパシタ２０８Ｃのレイアウトを時計回りに９０°回転させたものに相当する。このため、第４～第７表面電極３０４Ｈ，３０５Ｈ，３０６Ｈ，３０７Ｈの配置、ならびに駆動回路４０Ｈ（キャパシタ４２８およびスイッチング素子４１８）、ゲートドライバ２０５Ｈ、およびキャパシタ２０８Ｈの配置についての詳細な説明は省略する。
【0211】
なお、ゲートドライバ２０５Ｇには、第６および第１０表面電極３０６Ｇ，３１０Ｄと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、制御電源２０７Ｇ（図２２参照）からの電力が供給される。また、ゲートドライバ２０５Ｇは、第７および第８表面電極３０７Ｇ，３０８Ｄと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、パルスジェネレータ２０６Ｇ（図２２参照）に電気的に接続される。
【0212】
また、ゲートドライバ２０５Ｈには、第６および第１０表面電極３０６Ｈ，３１０Ｄと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、制御電源２０７Ｈ（図２２参照）からの電力が供給される。また、ゲートドライバ２０５Ｈは、第７および第９表面電極３０７Ｈ，３０９Ｄと第２～第４電極層２８Ｂ～２８Ｄとによる導通経路を介して、パルスジェネレータ２０６Ｈ（図２２参照）に電気的に接続される。
【0213】
［２－２Ｂ．第２電極層（裏面電極層）］
図１９に示すように、基板２０の裏面２２に位置する第２電極層２８Ｂ（裏面電極層）は、互いに離間した複数の裏面電極（パターン電極）を含む。第２実施形態では、第２電極層２８Ｂは、第１裏面電極３２１Ａ～３２１Ｈ、第２裏面電極３２２Ａ～３２２Ｈ、第３裏面電極３２３Ａ～３２３Ｃ、第４裏面電極３２４Ａ～３２４Ｈ、第５裏面電極３２５Ａ～３２５Ｈ、第６裏面電極３２６Ａ～３２６Ｄ、第７裏面電極３２７Ａ～３２７Ｄ、第８裏面電極３２８Ａ～３２８Ｄ、および第９裏面電極３２９Ａ～３２９Ｄを含む。
図１９に示すように、基板２０の裏面２２に位置する第２電極層２８Ｂ（裏面電極層）は、互いに離間した複数の裏面電極（パターン電極）を含む。第２実施形態では、第２電極層２８Ｂは、第１裏面電極３２１Ａ～３２１Ｈ、第２裏面電極３２２Ａ～３２２Ｈ、第３裏面電極３２３Ａ～３２３Ｃ、第４裏面電極３２４Ａ～３２４Ｈ、第５裏面電極３２５Ａ～３２５Ｈ、第６裏面電極３２６Ａ～３２６Ｄ、第７裏面電極３２７Ａ～３２７Ｄ、第８裏面電極３２８Ａ～３２８Ｄ、および第９裏面電極３２９Ａ～３２９Ｄを含む。
【0214】
第２裏面電極３２２Ａ～３２２Ｈ、第３裏面電極３２３Ａ～３２３Ｃ、第７裏面電極３２７Ａ～３２７Ｄ、第８裏面電極３２８Ａ～３２８Ｄ、および第９裏面電極３２９Ａ～３２９Ｄは、図示しない回路基板への半導体発光装置１０の実装時にその回路基板に電気的に接続される外部電極端子として機能する。第１裏面電極３２１Ａ～３２１Ｈは、半導体発光装置１０の外部に放熱するための放熱用電極としても機能する。なお、第４裏面電極３２４Ａ～３２４Ｈ、第５裏面電極３２５Ａ～３２５Ｈ、および第６裏面電極３２６Ａ～３２６Ｄは裏面レジスト層２９Ｂ（図７参照）によって覆われているため、外部電極端子を構成していない。
【0215】
第１配置領域ＡＰ１（図１９において左下領域）は、第１裏面電極３２１Ａ，３２１Ｂ、第２裏面電極３２２Ａ，３２２Ｂ、第３裏面電極３２３Ａ，３２３Ｂの各々一部、第４裏面電極３２４Ａ，３２４Ｂ、第５裏面電極３２５Ａ，３２５Ｂ、第６裏面電極３２６Ａ、第７裏面電極３２７Ａ、第８裏面電極３２８Ａ、および第９裏面電極３２９Ａの配置に用いられている。
【0216】
第１裏面電極３２１Ａは、第１および第４表面電極３０１Ａ，３０４Ａ（ともに図１５参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第１および第４表面電極３０１Ａ，３０４Ａと重なる部分を含む。第１裏面電極３２１Ａは、Ｙ軸方向に延びる長尺状に形成されている。第１裏面電極３２１Ｂは、第１および第４表面電極３０１Ｂ，３０４Ｂ（ともに図１５参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第１および第４表面電極３０１Ｂ，３０４Ｂと重なる部分を含む。第１裏面電極３２１Ｂは、Ｘ軸方向に延びる長尺状に形成されている。
【0217】
第２裏面電極３２２Ａは、第２表面電極３０２Ａ（図１５参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第２表面電極３０２Ａと重なる部分を含む。第２裏面電極３２２Ａは、第１裏面電極３２１ＡとＸ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。第２裏面電極３２２Ｂは、第２表面電極３０２Ｂ（図１５参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第２表面電極３０２Ｂと重なる部分を含む。第２裏面電極３２２Ｂは、第１裏面電極３２１ＢとＹ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。
【0218】
第３裏面電極３２３Ａ，３２３Ｂは、第３表面電極２０３（図１５参照）との電気的接続用に設けられている。第３裏面電極３２３Ａは、平面視において略Ｕ字状に形成されている。第３裏面電極３２３Ａの半分に相当する第１部分３２３Ａ１と、第３裏面電極３２３Ａの残りの半分に相当する第２部分３２３Ａ２とを含む。第１部分３２３Ａ１は、第１配置領域ＡＰ１に配置されており、第２部分３２３Ａ２は、第１配置領域ＡＰ１に隣接する第２配置領域ＡＰ２に配置されている。第１部分３２３Ａ１と第２部分３２３Ａ２とは、仮想中心線ＶＣに対して線対称の形状を有している。
【0219】
第３裏面電極３２３Ｂは、平面視において略Ｈ字状に形成されている。第３裏面電極３２３Ｂは、第１～第４配置領域ＡＰ１～ＡＰ４にわたって配置されている。第３裏面電極３２３Ｂは、第１配置領域ＡＰ１内に位置する第１部分３２３Ｂ１を含む。第１部分３２３Ｂ１は、第３裏面電極３２３Ａの第２部分３２３Ａ２を時計周りに９０°回転した形状に類似している。
【0220】
第４裏面電極３２４Ａは、第６表面電極３０６Ａ（図１５参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第６表面電極３０６Ａと重なる部分を含む。第４裏面電極３２４Ｂは、第６表面電極３０６Ｂ（図１５参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第６表面電極３０６Ｂと重なる部分を含む。第４裏面電極３２４Ａ，３２４Ｂは、例えば円形状に形成されており、第６裏面電極３２６Ａに形成された円形開口部内にそれぞれ配置されている。
【0221】
第５裏面電極３２５Ａは、第７表面電極３０７Ａ（図１５参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第７表面電極３０７Ａと重なる部分を含む。第５裏面電極３２５Ｂは、第７表面電極３０７Ｂ（図１５参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第７表面電極３０７Ｂと重なる部分を含む。第５裏面電極３２５Ａ，３２５Ｂは、例えば円形状に形成されており、第６裏面電極３２６Ａに形成された円形開口部内にそれぞれ配置されている。
【0222】
第６裏面電極３２６Ａは、第３表面電極３０３（図１５参照）との電気的接続用に設けられている。第６裏面電極３２６Ａは、略矩形状を有し、第２裏面電極３２２Ａ，３２２Ｂの双方に隣接して設けられている。第７裏面電極３２７Ａは、第８表面電極３０８Ａ（図１５参照）との電気的接続用に設けられている。第８裏面電極３２８Ａは、第９表面電極３０９Ａ（図１５参照）との電気的接続用に設けられている。第９裏面電極３２９Ａは、第１０表面電極３１０Ａ（図１５参照）との電気的接続用に設けられている。第７～第９裏面電極３２７Ａ，３２８Ａ，３２９Ａは、Ｘ軸方向に列状に並んでいる。
【0223】
第２配置領域ＡＰ２（図１９において右下領域）は、第１裏面電極３２１Ｃ，３２１Ｄ、第２裏面電極３２２Ｃ，３２２Ｄ、第３裏面電極３２３Ａ，３２３Ｂの各々一部、第４裏面電極３２４Ｃ，３２４Ｄ、第５裏面電極３２５Ｃ，３２５Ｄ、第６裏面電極３２６Ｂ、第７裏面電極３２７Ｂ、第８裏面電極３２８Ｂ、および第９裏面電極３２９Ｂの配置に用いられている。
【0224】
第１裏面電極３２１Ｃは、第１および第４表面電極３０１Ｃ，３０４Ｃ（ともに図１６参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第１および第４表面電極３０１Ｃ，３０４Ｃと重なる部分を含む。第１裏面電極３２１Ｃは、Ｙ軸方向に延びる長尺状に形成されている。第１裏面電極３２１Ｄは、第１および第４表面電極３０１Ｄ，３０４Ｄ（ともに図１６参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第１および第４表面電極３０１Ｄ，３０４Ｄと重なる部分を含む。第１裏面電極３２１Ｄは、Ｘ軸方向に延びる長尺状に形成されている。
【0225】
第２裏面電極３２２Ｃは、第２表面電極３０２Ｃ（図１６参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第２表面電極３０２Ｃと重なる部分を含む。第２裏面電極３２２Ｃは、第１裏面電極３２１ＣとＸ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。第２裏面電極３２２Ｄは、第２表面電極３０２Ｄ（図１６参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第２表面電極３０２Ｄと重なる部分を含む。第２裏面電極３２２Ｄは、第１裏面電極３２１ＤとＹ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。
【0226】
第３裏面電極３２３Ａは、上述したように、第２配置領域ＡＰ２内に位置する第２部分３２３Ａ２を含む。第３裏面電極３２３Ｂは、第２配置領域ＡＰ２内に位置する第２部分３２３Ｂ２を含む。この第２部分３２３Ｂ２は、第３裏面電極３２３Ａの第１部分３２３Ａ１を反時計周りに９０°回転した形状に類似している。
【0227】
第４裏面電極３２４Ｃは、第６表面電極３０６Ｃ（図１６参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第６表面電極３０６Ｃと重なる部分を含む。第４裏面電極３２４Ｄは、第６表面電極３０６Ｄ（図１６参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第６表面電極３０６Ｄと重なる部分を含む。第４裏面電極３２４Ｃ，３２４Ｄは、例えば円形状に形成されており、第６裏面電極３２６Ｂに形成された円形開口部内にそれぞれ配置されている。
【0228】
第５裏面電極３２５Ｃは、第７表面電極３０７Ｃ（図１６参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第７表面電極３０７Ｃと重なる部分を含む。第５裏面電極３２５Ｄは、第７表面電極３０７Ｄ（図１６参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第７表面電極３０７Ｄと重なる部分を含む。第５裏面電極３２５Ｃ，３２５Ｄは、例えば円形状に形成されており、第６裏面電極３２６Ｂに形成された円形開口部内にそれぞれ配置されている。
【0229】
第６裏面電極３２６Ｂは、第３表面電極３０３（図１６参照）との電気的接続用に設けられている。第６裏面電極３２６Ｂは、略矩形状を有し、第２裏面電極３２２Ｃ，３２２Ｄの双方に隣接して設けられている。第７裏面電極３２７Ｂは、第８表面電極３０８Ｂ（図１６参照）との電気的接続用に設けられている。第８裏面電極３２８Ｂは、第９表面電極３０９Ｂ（図１６参照）との電気的接続用に設けられている。第９裏面電極３２９Ｂは、第１０表面電極３１０Ｂ（図１６参照）との電気的接続用に設けられている。第７～第９裏面電極３２７Ｂ，３２８Ｂ，３２９Ｂは、Ｘ軸方向に列状に並んでいる。
【0230】
第３配置領域ＡＰ３（図１９において左上領域）は、第１裏面電極３２１Ｅ，３２１Ｆ、第２裏面電極３２２Ｅ，３２２Ｆ、第３裏面電極３２３Ｂ，３２３Ｃの各々一部、第４裏面電極３２４Ｅ，３２４Ｆ、第５裏面電極３２５Ｅ，３２５Ｆ、第６裏面電極３２６Ｃ、第７裏面電極３２７Ｃ、第８裏面電極３２８Ｃ、および第９裏面電極３２９Ｃの配置に用いられている。
【0231】
第１裏面電極３２１Ｅは、第１および第４表面電極３０１Ｅ，３０４Ｅ（ともに図１７参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第１および第４表面電極３０１Ｅ，３０４Ｅと重なる部分を含む。第１裏面電極３２１Ｅは、Ｙ軸方向に延びる長尺状に形成されている。第１裏面電極３２１Ｆは、第１および第４表面電極３０１Ｆ，３０４Ｆ（ともに図１７参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第１および第４表面電極３０１Ｆ，３０４Ｆと重なる部分を含む。第１裏面電極３２１Ｆは、Ｘ軸方向に延びる長尺状に形成されている。
【0232】
第２裏面電極３２２Ｅは、第２表面電極３０２Ｅ（図１７参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第２表面電極３０２Ｅと重なる部分を含む。第２裏面電極３２２Ｅは、第１裏面電極３２１ＥとＸ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。第２裏面電極３２２Ｆは、第２表面電極３０２Ｆ（図１７参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第２表面電極３０２Ｆと重なる部分を含む。第２裏面電極３２２Ｆは、第１裏面電極３２１ＦとＹ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。
【0233】
第３裏面電極３２３Ｃは、第３表面電極２０３（図１７参照）との電気的接続用に設けられている。第３裏面電極３２３Ｃは、平面視において略Ｕ字状に形成されている。第３裏面電極３２３Ｃの半分に相当する第１部分３２３Ｃ１と、第３裏面電極３２３Ｃの残りの半分に相当する第２部分３２３Ｃ２とを含む。第１部分３２３Ｃ１は、第３配置領域ＡＰ３に配置されており、第２部分３２３Ｃ２は、第３配置領域ＡＰ３に隣接する第４配置領域ＡＰ４に配置されている。第１部分３２３Ｃ１と第２部分３２３Ｃ２とは、仮想中心線ＶＣに対して線対称の形状を有している。
【0234】
第３裏面電極３２３Ｂは、第３配置領域ＡＰ３内に位置する第３部分３２３Ｂ３を含む。この第３部分３２３Ｂ３は、第３裏面電極３２３Ｃの第２部分３２３Ｃ２を反時計周りに９０°回転した形状に類似している。
【0235】
第４裏面電極３２４Ｅは、第６表面電極３０６Ｅ（図１７参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第６表面電極３０６Ｅと重なる部分を含む。第４裏面電極３２４Ｆは、第６表面電極３０６Ｆ（図１７参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第６表面電極３０６Ｆと重なる部分を含む。第４裏面電極３２４Ｅ，３２４Ｆは、例えば円形状に形成されており、第６裏面電極３２６Ｃに形成された円形開口部内にそれぞれ配置されている。
【0236】
第５裏面電極３２５Ｅは、第７表面電極３０７Ｅ（図１７参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第７表面電極３０７Ｅと重なる部分を含む。第５裏面電極３２５Ｆは、第７表面電極３０７Ｆ（図１７参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第７表面電極３０７Ｆと重なる部分を含む。第５裏面電極３２５Ｅ，３２５Ｆは、例えば円形状に形成されており、第６裏面電極３２６Ｃに形成された円形開口部内にそれぞれ配置されている。
【0237】
第６裏面電極３２６Ｃは、第３表面電極３０３（図１７参照）との電気的接続用に設けられている。第６裏面電極３２６Ｃは、略矩形状を有し、第２裏面電極３２２Ｅ，３２２Ｆの双方に隣接して設けられている。第７裏面電極３２７Ｃは、第８表面電極３０８Ｃ（図１７参照）との電気的接続用に設けられている。第８裏面電極３２８Ｃは、第９表面電極３０９Ｃ（図１７参照）との電気的接続用に設けられている。第９裏面電極３２９Ｃは、第１０表面電極３１０Ｃ（図１７参照）との電気的接続用に設けられている。第７～第９裏面電極３２７Ｃ，３２８Ｃ，３２９Ｃは、Ｘ軸方向に列状に並んでいる。
【0238】
第４配置領域ＡＰ４（図１９において右上領域）は、第１裏面電極３２１Ｇ，３２１Ｈ、第２裏面電極３２２Ｇ，３２２Ｈ、第３裏面電極３２３Ｂ，３２３Ｃの各々一部、第４裏面電極３２４Ｇ，３２４Ｈ、第５裏面電極３２５Ｇ，３２５Ｈ、第６裏面電極３２６Ｄ、第７裏面電極３２７Ｄ、第８裏面電極３２８Ｄ、および第９裏面電極３２９Ｄの配置に用いられている。
【0239】
第１裏面電極３２１Ｇは、第１および第４表面電極３０１Ｇ，３０４Ｇ（ともに図１８参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第１および第４表面電極３０１Ｇ，３０４Ｇと重なる部分を含む。第１裏面電極３２１Ｇは、Ｙ軸方向に延びる長尺状に形成されている。第１裏面電極３２１Ｈは、第１および第４表面電極３０１Ｈ，３０４Ｈ（ともに図１８参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第１および第４表面電極３０１Ｈ，３０４Ｈと重なる部分を含む。第１裏面電極３２１Ｈは、Ｘ軸方向に延びる長尺状に形成されている。
【0240】
第２裏面電極３２２Ｇは、第２表面電極３０２Ｇ（図１８参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第２表面電極３０２Ｇと重なる部分を含む。第２裏面電極３２２Ｇは、第１裏面電極３２１ＧとＸ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。第２裏面電極３２２Ｈは、第２表面電極３０２Ｈ（図１８参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第２表面電極３０２Ｈと重なる部分を含む。第２裏面電極３２２Ｈは、第１裏面電極３２１ＨとＹ軸方向に隣接または近接する位置に設けられている。
【0241】
第３裏面電極３２３Ｃは、上述したように、第４配置領域ＡＰ４内に位置する第２部分３２３Ｃ２を含む。第３裏面電極３２３Ｂは、第４配置領域ＡＰ４内に位置する第４部分３２３Ｂ４を含む。この第２部分３２３Ｂ４は、第３裏面電極３２３Ｃの第１部分３２３Ｃ１を時計周りに９０°回転した形状に類似している。
【0242】
第４裏面電極３２４Ｇは、第６表面電極３０６Ｇ（図１８参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第６表面電極３０６Ｇと重なる部分を含む。第４裏面電極３２４Ｈは、第６表面電極３０６Ｈ（図１８参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第６表面電極３０６Ｈと重なる部分を含む。第４裏面電極３２４Ｇ，３２４Ｈは、例えば円形状に形成されており、第６裏面電極３２６Ｄに形成された円形開口部内にそれぞれ配置されている。
【0243】
第５裏面電極３２５Ｇは、第７表面電極３０７Ｇ（図１８参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第７表面電極３０７Ｇと重なる部分を含む。第５裏面電極３２５Ｈは、第７表面電極３０７Ｈ（図１８参照）との電気的接続用に設けられており、平面視で第７表面電極３０７Ｈと重なる部分を含む。第５裏面電極３２５Ｇ，３２５Ｈは、例えば円形状に形成されており、第６裏面電極３２６Ｄに形成された円形開口部内にそれぞれ配置されている。
【0244】
第６裏面電極３２６Ｄは、第３表面電極３０３（図１８参照）との電気的接続用に設けられている。第６裏面電極３２６Ｄは、略矩形状を有し、第２裏面電極３２２Ｇ，３２２Ｈの双方に隣接して設けられている。第７裏面電極３２７Ｄは、第８表面電極３０８Ｄ（図１８参照）との電気的接続用に設けられている。第８裏面電極３２８Ｄは、第９表面電極３０９Ｄ（図１８参照）との電気的接続用に設けられている。第９裏面電極３２９Ｄは、第１０表面電極３１０Ｄ（図１８参照）との電気的接続用に設けられている。第７～第９裏面電極３２７Ｄ，３２８Ｄ，３２９Ｄは、Ｘ軸方向に列状に並んでいる。
【0245】
［２－２Ｃ．第３電極層（表面側中間電極層）］
図２０に示すように、第３電極層２８Ｃ（表面側中間電極層）は、互いに離間した複数の中間電極（パターン電極）を含む。第２実施形態では、第３電極層２８Ｃは、第１中間電極３３１Ａ～３３１Ｈ、第２中間電極３３２Ａ～３３２Ｈ、第３中間電極３３３、第４中間電極３３４Ａ～３３４Ｈ、第５中間電極３３５Ａ～３３５Ｄ、第６中間電極３３６Ａ～３３６Ｄ、および第７中間電極３３７Ａ～３３７Ｄを含む。
図２０に示すように、第３電極層２８Ｃ（表面側中間電極層）は、互いに離間した複数の中間電極（パターン電極）を含む。第２実施形態では、第３電極層２８Ｃは、第１中間電極３３１Ａ～３３１Ｈ、第２中間電極３３２Ａ～３３２Ｈ、第３中間電極３３３、第４中間電極３３４Ａ～３３４Ｈ、第５中間電極３３５Ａ～３３５Ｄ、第６中間電極３３６Ａ～３３６Ｄ、および第７中間電極３３７Ａ～３３７Ｄを含む。
【0246】
図２０の例では、第３中間電極３３３は平面視略矩形状を有しており、第１～第４配置領域ＡＰ１～ＡＰ４にわたって配置されている。第３中間電極３３３は２つのＴ字開口部を含み、一方のＴ字開口部に、第１中間電極３３１Ａ～３３１Ｄおよび第２中間電極３３２Ａ～３３２Ｄが配置され、他方のＴ字開口部に、第１中間電極３３１Ｅ～３３１Ｈおよび第２中間電極３３２Ｅ～３３２Ｈが配置されている。また、第３中間電極３３３は８つの円形開口部を含み、これら８つの円形開口部に第４中間電極３３４Ａ～３３４Ｈが配置されている。また、第３中間電極３３３は、平面視において基板２０の４つの角部に対応する箇所に、第５中間電極３３５Ａ～３３５Ｄ、第６中間電極３３６Ａ～３３６Ｄ、および第７中間電極３３７Ａ～３３７Ｄをそれぞれ配置するための４つの切り欠きを有している。
【0247】
第１配置領域ＡＰ１（図２０において右下領域）は、第１中間電極３３１Ａ，３３１Ｂ、第２中間電極３３２Ａ，３３２Ｂ、第３中間電極３３３の一部（図２０において右下領域）、第４中間電極３３４Ａ，３３４Ｂ、第５中間電極３３５Ａ、第６中間電極３３６Ａ、および第７中間電極３３７Ａの配置に用いられている。
【0248】
第１中間電極３３１Ａ，３３１Ｂの形状、サイズ、および配置は、第１裏面電極３２１Ａ，３２１Ｂ（図１９参照）と同じである。第１中間電極３３１Ａは、第１および第４表面電極３０１Ａ，３０４Ａ（ともに図１５参照）と第１裏面電極３２１Ａとの電気的接続用に設けられている。第１中間電極３３１Ｂは、第１および第４表面電極３０１Ｂ，３０４Ｂ（ともに図１５参照）と第１裏面電極３２１Ｂとの電気的接続用に設けられている。
【0249】
第２中間電極３３２Ａは、第２表面電極３０２Ａおよび第２裏面電極３２２Ａとの電気的接続用に設けられている。第２中間電極３３２Ａは長円形状であり、Ｘ軸方向において第１中間電極３３１Ａに隣接または近接する位置に設けられている。第２中間電極３３２Ｂは、第２表面電極３０２Ｂおよび第２裏面電極３２２Ｂとの電気的接続用に設けられている。第２中間電極３３２Ｂは長円形状であり、Ｙ軸方向において第１中間電極３３１Ｂに隣接または近接する位置に設けられている。
【0250】
【0251】
第４中間電極３３４Ａは、第７表面電極３０７Ａ（図１５参照）および第５裏面電極３２５Ａ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３３４Ｂは、第７表面電極３０７Ｂ（図１５参照）および第５裏面電極３２５Ｂ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３３４Ａ，３３４Ｂは円形状であり、第１配置領域ＡＰ１内の２つの円形開口部内に配置されている。
【0252】
第５中間電極３３５Ａは、第８表面電極３０８Ａ（図１５参照）および第７裏面電極３２７Ａ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第６中間電極３３６Ａは、第９表面電極３０９Ａ（図１５参照）および第８裏面電極３２８Ａ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第５および第６中間電極３３５Ａ，３３６Ａは矩形状であり、Ｘ軸方向に並んで設けられている。
【0253】
第７中間電極３３７Ａは、第６表面電極３０６Ａ、第６表面電極３０６Ｂ、第１０表面電極３１０Ａ（それぞれ図１５参照）、第４裏面電極３２４Ａ、第４裏面電極３２４Ｂ、および第９裏面電極３２９Ａ（それぞれ図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第７中間電極３３７Ａは、第６中間電極３３６Ａに隣接して設けられる矩形状の基部３３７Ａ１と、基部３３７Ａ１に一体に形成された第１および第２分岐配線３３７Ａ２，３３７Ａ３とを含む。基部３３７Ａ１は、平面視において第１０表面電極３１０Ａおよび第９裏面電極３２９Ａと重なる位置に設けられている。第１分岐配線３３７Ａ２は、平面視において第６表面電極３０６Ａおよび第４裏面電極３２４Ａと重なる位置に設けられている。第２分岐配線３３７Ａ３は、平面視において第６表面電極３０６Ｂおよび第４裏面電極３２４Ｂと重なる位置に設けられている。
【0254】
第２配置領域ＡＰ２（図２０において左下領域）は、第１中間電極３３１Ｃ，３３１Ｄ、第２中間電極３３２Ｃ，３３２Ｄ、第３中間電極３３３の一部（図２０において左下領域）、第４中間電極３３４Ｃ，３３４Ｄ、第５中間電極３３５Ｂ、第６中間電極３３６Ｂ、および第７中間電極３３７Ｂの配置に用いられている。
【0255】
第１中間電極３３１Ｃ，３３１Ｄの形状、サイズ、および配置は、第１裏面電極３２１Ｃ，３２１Ｄ（図１９参照）と同じである。第１中間電極３３１Ｃは、第１および第４表面電極３０１Ｃ，３０４Ｃ（ともに図１６参照）と第１裏面電極３２１Ｃとの電気的接続用に設けられている。第１中間電極３３１Ｄは、第１および第４表面電極３０１Ｄ，３０４Ｄ（ともに図１６参照）ならびに第１裏面電極３２１Ｄとの電気的接続用に設けられている。
【0256】
第２中間電極３３２Ｃは、第２表面電極３０２Ｃおよび第２裏面電極３２２Ｃとの電気的接続用に設けられている。第２中間電極３３２Ｃは長円形状であり、Ｘ軸方向において第１中間電極３３１Ｃに隣接または近接する位置に設けられている。第２中間電極３３２Ｄは、第２表面電極３０２Ｄおよび第２裏面電極３２２Ｄとの電気的接続用に設けられている。第２中間電極３３２Ｄは長円形状であり、Ｙ軸方向において第１中間電極３３１Ｄに隣接または近接する位置に設けられている。
【0257】
第４中間電極３３４Ｃは、第７表面電極３０７Ｃ（図１６参照）および第５裏面電極３２５Ｃ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３３４Ｄは、第７表面電極３０７Ｄ（図１６参照）および第５裏面電極３２５Ｄ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３３４Ｃ，３３４Ｄは円形状であり、第２配置領域ＡＰ２内の２つの円形開口部内に配置されている。
【0258】
第５中間電極３３５Ｂは、第８表面電極３０８Ｂ（図１６参照）および第７裏面電極３２７Ｂ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第６中間電極３３６Ｂは、第９表面電極３０９Ｂ（図１６参照）および第８裏面電極３２８Ｂ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第５および第６中間電極３３５Ｂ，３３６Ｂは矩形状であり、Ｘ軸方向に並んで設けられている。
【0259】
第７中間電極３３７Ｂは、第６表面電極３０６Ｃ、第６表面電極３０６Ｄ、第１０表面電極３１０Ｂ（それぞれ図１６参照）、第４裏面電極３２４Ｃ、第４裏面電極３２４Ｄ、および第９裏面電極３２９Ｂ（それぞれ図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第７中間電極３３７Ｂは、第６中間電極３３６Ｂに隣接して設けられる矩形状の基部３３７Ｂ１と、基部３３７Ｂ１に一体に形成された第１および第２分岐配線３３７Ｂ２，３３７Ｂ３とを含む。基部３３７Ｂ１は、平面視において第１０表面電極３１０Ｂおよび第９裏面電極３２９Ｂと重なる位置に設けられている。第１分岐配線３３７Ｂ２は、平面視において第６表面電極３０６Ｃおよび第４裏面電極３２４Ｃと重なる位置に設けられている。第２分岐配線３３７Ｂ３は、平面視において第６表面電極３０６Ｄおよび第４裏面電極３２４Ｄと重なる位置に設けられている。
【0260】
第３配置領域ＡＰ３（図２０において右上領域）は、第１中間電極３３１Ｅ，３３１Ｆ、第２中間電極３３２Ｅ，３３２Ｆ、第３中間電極３３３の一部（図２０において右上領域）、第４中間電極３３４Ｅ，３３４Ｆ、第５中間電極３３５Ｃ、第６中間電極３３６Ｃ、および第７中間電極３３７Ｃの配置に用いられている。
【0261】
第１中間電極３３１Ｅ，３３１Ｆの形状、サイズ、および配置は、第１裏面電極３２１Ｅ，３２１Ｆ（図１９参照）と同じである。第１中間電極３３１Ｅは、第１および第４表面電極３０１Ｅ，３０４Ｅ（ともに図１７参照）と第１裏面電極３２１Ｅとの電気的接続用に設けられている。第１中間電極３３１Ｆは、第１および第４表面電極３０１Ｆ，３０４Ｆ（ともに図１７参照）ならびに第１裏面電極３２１Ｆとの電気的接続用に設けられている。
【0262】
第２中間電極３３２Ｅは、第２表面電極３０２Ｅおよび第２裏面電極３２２Ｅとの電気的接続用に設けられている。第２中間電極３３２Ｅは長円形状であり、Ｘ軸方向において第１中間電極３３１Ｅに隣接または近接する位置に設けられている。第２中間電極３３２Ｆは、第２表面電極３０２Ｆおよび第２裏面電極３２２Ｆとの電気的接続用に設けられている。第２中間電極３３２Ｆは長円形状であり、Ｙ軸方向において第１中間電極３３１Ｆに隣接または近接する位置に設けられている。
【0263】
第４中間電極３３４Ｅは、第７表面電極３０７Ｅ（図１７参照）および第５裏面電極３２５Ｅ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３３４Ｆは、第７表面電極３０７Ｆ（図１７参照）および第５裏面電極３２５Ｆ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３３４Ｅ，３３４Ｆは円形状であり、第３配置領域ＡＰ３内の２つの円形開口部内に配置されている。
【0264】
第５中間電極３３５Ｃは、第８表面電極３０８Ｃ（図１７参照）および第７裏面電極３２７Ｃ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第６中間電極３３６Ｃは、第９表面電極３０９Ｃ（図１７参照）および第８裏面電極３２８Ｃ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第５および第６中間電極３３５Ｃ，３３６Ｃは矩形状であり、Ｘ軸方向に並んで設けられている。
【0265】
第７中間電極３３７Ｃは、第６表面電極３０６Ｅ、第６表面電極３０６Ｆ、第１０表面電極３１０Ｃ（それぞれ図１７参照）、第４裏面電極３２４Ｅ、第４裏面電極３２４Ｆ、および第９裏面電極３２９Ｃ（それぞれ図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第７中間電極３３７Ｃは、第６中間電極３３６Ｃに隣接して設けられる矩形状の基部３３７Ｃ１と、基部３３７Ｃ１に一体に形成された第１および第２分岐配線３３７Ｃ２，３３７Ｃ３とを含む。基部３３７Ｃ１は、平面視において第１０表面電極３１０Ｃおよび第９裏面電極３２９Ｃと重なる位置に設けられている。第１分岐配線３３７Ｃ２は、平面視において第６表面電極３０６Ｅおよび第４裏面電極３２４Ｅと重なる位置に設けられている。第２分岐配線３３７Ｃ３は、平面視において第６表面電極３０６Ｆおよび第４裏面電極３２４Ｆと重なる位置に設けられている。
【0266】
第４配置領域ＡＰ４（図２０において左上領域）は、第１中間電極３３１Ｇ，３３１Ｈ、第２中間電極３３２Ｇ，３３２Ｈ、第３中間電極３３３の一部（図２０において左上領域）、第４中間電極３３４Ｇ，３３４Ｈ、第５中間電極３３５Ｄ、第６中間電極３３６Ｄ、および第７中間電極３３７Ｄの配置に用いられている。
【0267】
第１中間電極３３１Ｇ，３３１Ｈの形状、サイズ、および配置は、第１裏面電極３２１Ｇ，３２１Ｈ（図１９参照）と同じである。第１中間電極３３１Ｇは、第１および第４表面電極３０１Ｇ，３０４Ｇ（ともに図１８参照）と第１裏面電極３２１Ｇとの電気的接続用に設けられている。第１中間電極３３１Ｈは、第１および第４表面電極３０１Ｈ，３０４Ｈ（ともに図１８参照）ならびに第１裏面電極３２１Ｈとの電気的接続用に設けられている。
【0268】
第２中間電極３３２Ｇは、第２表面電極３０２Ｇおよび第２裏面電極３２２Ｇとの電気的接続用に設けられている。第２中間電極３３２Ｇは長円形状であり、Ｘ軸方向において第１中間電極３３１Ｇに隣接または近接する位置に設けられている。第２中間電極３３２Ｈは、第２表面電極３０２Ｈおよび第２裏面電極３２２Ｈとの電気的接続用に設けられている。第２中間電極３３２Ｈは長円形状であり、Ｙ軸方向において第１中間電極３３１Ｈに隣接または近接する位置に設けられている。
【0269】
第４中間電極３３４Ｇは、第７表面電極３０７Ｇ（図１８参照）および第５裏面電極３２５Ｇ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３３４Ｈは、第７表面電極３０７Ｈ（図１８参照）および第５裏面電極３２５Ｈ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３３４Ｇ，３３４Ｈは円形状であり、第４配置領域ＡＰ４内の２つの円形開口部内に配置されている。
【0270】
第５中間電極３３５Ｄは、第８表面電極３０８Ｄ（図１８参照）および第７裏面電極３２７Ｄ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第６中間電極３３６Ｄは、第９表面電極３０９Ｄ（図１８参照）および第８裏面電極３２８Ｄ（図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第５および第６中間電極３３５Ｄ，３３６Ｄは矩形状であり、Ｘ軸方向に並んで設けられている。
【0271】
第７中間電極３３７Ｄは、第６表面電極３０６Ｇ、第６表面電極３０６Ｈ、第１０表面電極３１０Ｄ（それぞれ図１８参照）、第４裏面電極３２４Ｇ、第４裏面電極３２４Ｈ、および第９裏面電極３２９Ｄ（それぞれ図１９参照）との電気的接続用に設けられている。第７中間電極３３７Ｄは、第６中間電極３３６Ｄに隣接して設けられる矩形状の基部３３７Ｄ１と、基部３３７Ｄ１に一体に形成された第１および第２分岐配線３３７Ｄ２，３３７Ｄ３とを含む。基部３３７Ｄ１は、平面視において第１０表面電極３１０Ｄおよび第９裏面電極３２９Ｄと重なる位置に設けられている。第１分岐配線３３７Ｄ２は、平面視において第６表面電極３０６Ｇおよび第４裏面電極３２４Ｇと重なる位置に設けられている。第２分岐配線３３７Ｄ３は、平面視において第６表面電極３０６Ｈおよび第４裏面電極３２４Ｈと重なる位置に設けられている。
【0272】
［２－２Ｄ．第４電極層（裏面側中間電極層）］
図２１に示すように、第４電極層２８Ｄ（裏面側中間電極層）は、互いに離間した複数の中間電極（パターン電極）を含む。第２実施形態では、第４電極層２８Ｄは、第１中間電極３４１Ａ～３４１Ｈ、第２中間電極３４２Ａ～３４２Ｈ、第３中間電極３４３、第４中間電極３４４Ａ～３４４Ｈ、第５中間電極３４５Ａ～３４５Ｄ、第６中間電極３４６Ａ～３４６Ｄ、および第７中間電極３４７Ａ～３４７Ｄを含む。
図２１に示すように、第４電極層２８Ｄ（裏面側中間電極層）は、互いに離間した複数の中間電極（パターン電極）を含む。第２実施形態では、第４電極層２８Ｄは、第１中間電極３４１Ａ～３４１Ｈ、第２中間電極３４２Ａ～３４２Ｈ、第３中間電極３４３、第４中間電極３４４Ａ～３４４Ｈ、第５中間電極３４５Ａ～３４５Ｄ、第６中間電極３４６Ａ～３４６Ｄ、および第７中間電極３４７Ａ～３４７Ｄを含む。
【0273】
図２１の例では、第３中間電極３４３は平面視略矩形状を有しており、第１～第４配置領域ＡＰ１～ＡＰ４にわたって配置されている。第３中間電極３４３は２つのＴ字開口部を含み、一方のＴ字開口部に、第１中間電極３４１Ａ～３４１Ｄおよび第２中間電極３４２Ａ～３４２Ｄが配置され、他方のＴ字開口部に、第１中間電極３４１Ｅ～３４１Ｈおよび第２中間電極３４２Ｅ～３４２Ｈが配置されている。また、第３中間電極３４３は８つの円形開口部を含み、これら８つの円形開口部に第４中間電極３４４Ａ～３４４Ｈが配置されている。また、第３中間電極３３３は、平面視において基板２０の４つの角部に対応する箇所に、第５中間電極３４５Ａ～３４５Ｄ、第６中間電極３４６Ａ～３４６Ｄ、および第７中間電極３４７Ａ～３４７Ｄをそれぞれ配置するための４つの切り欠きを有している。
【0274】
第１配置領域ＡＰ１（図２１において右下領域）は、第１中間電極３４１Ａ，３４１Ｂ、第２中間電極３４２Ａ，３４２Ｂ、第３中間電極３４３の一部（図２０において右下領域）、第４中間電極３４４Ａ，３４４Ｂ、第５中間電極３４５Ａ、第６中間電極３４６Ａ、および第７中間電極３４７Ａの配置に用いられている。
【0275】
第１中間電極３４１Ａ，３４１Ｂの形状、サイズ、および配置は、第１中間電極３３１Ａ，３３１Ｂ（図２０参照）と同じである。第１中間電極３４１Ａは、第１および第４表面電極３０１Ａ，３０４Ａ（ともに図１５参照）と第１裏面電極３２１Ａ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ａ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第１中間電極３４１Ｂは、第１および第４表面電極３０１Ｂ，３０４Ｂ（ともに図１５参照）と第１裏面電極３２１Ｂ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ｂ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。
【0276】
第２中間電極３４２Ａ，３４２Ｂの形状、サイズ、および配置は、第１中間電極３３１Ａ，３３１Ｂ（図２０参照）と同じである。第２中間電極３４２Ａは、第２表面電極３０２Ａ（図１５参照）と第２裏面電極３２２Ａ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ａ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第２中間電極３４２Ａは長円形状であり、Ｘ軸方向において第１中間電極３４１Ａに隣接または近接する位置に設けられている。第２中間電極３４２Ｂは、第２表面電極３０２Ｂ（図１５参照）と第２裏面電極３２２Ｂ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ｂ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第２中間電極３４２Ｂは長円形状であり、Ｙ軸方向において第１中間電極３４１Ｂに隣接または近接する位置に設けられている。
【0277】
第３中間電極３４３は、第３表面電極３０３（図１５参照）、第３裏面電極３２３Ａ～３２３Ｃ（図１９参照）、第６裏面電極３２６Ａ～３２６Ｄ（図１９参照）、および第３中間電極３３３（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。
【0278】
第４中間電極３４４Ａは、第６表面電極３０６Ａ（図１５参照）と第４裏面電極３２４Ａ（図１９参照）と第７中間電極３３７Ａ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３４４Ｂは、第６表面電極３０６Ｂ（図１５参照）と第４裏面電極３２４Ｂ（図１９参照）と第７中間電極３３７Ｂ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３４４Ａ，３４４Ｂは円形状であり、第１配置領域ＡＰ１内の２つの円形開口部内に配置されている。
【0279】
第５中間電極３４５Ａは、第７表面電極３０７Ａ（図１５参照）と第８表面電極３０８Ａ（図１５参照）と第５裏面電極３２５Ａ（図１９参照）と第７裏面電極３２７Ａ（図１９参照）と第４中間電極３３４Ａ（図２０参照）と第５中間電極３３５Ａ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。
【0280】
第６中間電極３４６Ａは、第７表面電極３０７Ｂ（図１５参照）と第９表面電極３０９Ａ（図１５参照）と第５裏面電極３２５Ｂ（図１９参照）と第８裏面電極３２８Ａ（図１９参照）と第４中間電極３３４Ｂ（図２０参照）と第６中間電極３３６Ａ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第７中間電極３４７Ａは、第１０表面電極３１０Ａ（図１５参照）と第９裏面電極３２９Ａ（図１９参照）と第７中間電極３３７Ａ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。
【0281】
第２配置領域ＡＰ２（図２１において左下領域）は、第１中間電極３４１Ｃ，３４１Ｄ、第２中間電極３４２Ｃ，３４２Ｄ、第３中間電極３４３の一部（図２０において左下領域）、第４中間電極３４４Ｃ，３４４Ｄ、第５中間電極３４５Ｂ、第６中間電極３４６Ｂ、および第７中間電極３４７Ｂの配置に用いられている。
【0282】
第１中間電極３４１Ｃ，３４１Ｄの形状、サイズ、および配置は、第１中間電極３３１Ｃ，３３１Ｄ（図２０参照）と同じである。第１中間電極３４１Ｃは、第１および第４表面電極３０１Ｃ，３０４Ｃ（ともに図１６参照）と第１裏面電極３２１Ｃ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ｃ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第１中間電極３４１Ｄは、第１および第４表面電極３０１Ｄ，３０４Ｄ（ともに図１６参照）と第１裏面電極３２１Ｄ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ｄ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。
【0283】
第２中間電極３４２Ｃ，３４２Ｄの形状、サイズ、および配置は、第１中間電極３３１Ｃ，３３１Ｄ（図２０参照）と同じである。第２中間電極３４２Ｃは、第２表面電極３０２Ｃ（図１６参照）と第２裏面電極３２２Ｃ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ｃ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第２中間電極３４２Ｃは長円形状であり、Ｘ軸方向において第１中間電極３４１Ｃに隣接または近接する位置に設けられている。第２中間電極３４２Ｄは、第２表面電極３０２Ｄ（図１６参照）と第２裏面電極３２２Ｄ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ｄ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第２中間電極３４２Ｄは長円形状であり、Ｙ軸方向において第１中間電極３４１Ｄに隣接または近接する位置に設けられている。
【0284】
第４中間電極３４４Ｃは、第６表面電極３０６Ｃ（図１６参照）と第４裏面電極３２４Ｃ（図１９参照）と第７中間電極３３７Ｂ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３４４Ｄは、第６表面電極３０６Ｄ（図１６参照）と第４裏面電極３２４Ｄ（図１９参照）と第７中間電極３３７Ｂ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３４４Ｃ，３４４Ｄは円形状であり、第２配置領域ＡＰ２内の２つの円形開口部内に配置されている。
【0285】
第５中間電極３４５Ｂは、第７表面電極３０７Ｃ（図１６参照）と第８表面電極３０８Ｂ（図１６参照）と第５裏面電極３２５Ｃ（図１９参照）と第７裏面電極３２７Ｂ（図１９参照）と第４中間電極３３４Ｃ（図２０参照）と第５中間電極３３５Ｂ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。
【0286】
第６中間電極３４６Ｂは、第７表面電極３０７Ｄ（図１６参照）と第９表面電極３０９Ｂ（図１６参照）と第５裏面電極３２５Ｄ（図１９参照）と第８裏面電極３２８Ｂ（図１９参照）と第４中間電極３３４Ｄ（図２０参照）と第６中間電極３３６Ｂ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第７中間電極３４７Ｂは、第１０表面電極３１０Ｂ（図１６参照）と第９裏面電極３２９Ｂ（図１９参照）と第７中間電極３３７Ｂ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。
【0287】
第３配置領域ＡＰ３（図２１において右上領域）は、第１中間電極３４１Ｅ，３４１Ｆ、第２中間電極３４２Ｅ，３４２Ｆ、第３中間電極３４３の一部（図２１において左下領域）、第４中間電極３４４Ｅ，３４４Ｆ、第５中間電極３４５Ｃ、第６中間電極３４６Ｃ、および第７中間電極３４７Ｃの配置に用いられている。
【0288】
第１中間電極３４１Ｅ，３４１Ｆの形状、サイズ、および配置は、第１中間電極３３１Ｅ，３３１Ｆ（図２０参照）と同じである。第１中間電極３４１Ｅは、第１および第４表面電極３０１Ｅ，３０４Ｅ（ともに図１７参照）と第１裏面電極３２１Ｅ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ｅ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第１中間電極３４１Ｆは、第１および第４表面電極３０１Ｆ，３０４Ｆ（ともに図１７参照）と第１裏面電極３２１Ｆ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ｆ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。
【0289】
第２中間電極３４２Ｅ，３４２Ｆの形状、サイズ、および配置は、第１中間電極３３１Ｅ，３３１Ｆ（図２０参照）と同じである。第２中間電極３４２Ｅは、第２表面電極３０２Ｅ（図１７参照）と第２裏面電極３２２Ｅ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ｅ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第２中間電極３４２Ｅは長円形状であり、Ｘ軸方向において第１中間電極３４１Ｅに隣接または近接する位置に設けられている。第２中間電極３４２Ｆは、第２表面電極３０２Ｆ（図１７参照）と第２裏面電極３２２Ｆ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ｆ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第２中間電極３４２Ｆは長円形状であり、Ｙ軸方向において第１中間電極３４１Ｆに隣接または近接する位置に設けられている。
【0290】
第４中間電極３４４Ｅは、第６表面電極３０６Ｅ（図１７参照）と第４裏面電極３２４Ｅ（図１９参照）と第７中間電極３３７Ｃ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３４４Ｆは、第６表面電極３０６Ｆ（図１７参照）と第４裏面電極３２４Ｆ（図１９参照）と第７中間電極３３７Ｃ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３４４Ｅ，３４４Ｆは円形状であり、第３配置領域ＡＰ３内の２つの円形開口部内に配置されている。
【0291】
第５中間電極３４５Ｃは、第７表面電極３０７Ｅ（図１７参照）と第８表面電極３０８Ｅ（図１７参照）と第５裏面電極３２５Ｅ（図１９参照）と第７裏面電極３２７Ｃ（図１９参照）と第４中間電極３３４Ｅ（図２０参照）と第５中間電極３３５Ｃ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。
【0292】
第６中間電極３４６Ｃは、第７表面電極３０７Ｆ（図１７参照）と第９表面電極３０９Ｆ（図１７参照）と第５裏面電極３２５Ｆ（図１９参照）と第８裏面電極３２８Ｃ（図１９参照）と第４中間電極３３４Ｆ（図２０参照）と第６中間電極３３６Ｃ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第７中間電極３４７Ｃは、第１０表面電極３１０Ｃ（図１７参照）と第９裏面電極３２９Ｃ（図１９参照）と第７中間電極３３７Ｃ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。
【0293】
第４配置領域ＡＰ４（図２１において左上領域）は、第１中間電極３４１Ｇ，３４１Ｈ、第２中間電極３４２Ｇ，３４２Ｈ、第３中間電極３４３の一部（図２１において左上領域）、第４中間電極３４４Ｇ，３４４Ｈ、第５中間電極３４５Ｄ、第６中間電極３４６Ｄ、および第７中間電極３４７Ｄの配置に用いられている。
【0294】
第１中間電極３４１Ｇ，３４１Ｈの形状、サイズ、および配置は、第１中間電極３３１Ｇ，３３１Ｈ（図２０参照）と同じである。第１中間電極３４１Ｇは、第１および第４表面電極３０１Ｇ，３０４Ｇ（ともに図１８参照）と第１裏面電極３２１Ｇ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ｇ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第１中間電極３４１Ｈは、第１および第４表面電極３０１Ｈ，３０４Ｈ（ともに図１８参照）と第１裏面電極３２１Ｈ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ｈ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。
【0295】
第２中間電極３４２Ｇ，３４２Ｈの形状、サイズ、および配置は、第１中間電極３３１Ｇ，３３１Ｈ（図２０参照）と同じである。第２中間電極３４２Ｇは、第２表面電極３０２Ｇ（図１８参照）と第２裏面電極３２２Ｇ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ｇ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第２中間電極３４２Ｇは長円形状であり、Ｘ軸方向において第１中間電極３４１Ｇに隣接または近接する位置に設けられている。第２中間電極３４２Ｈは、第２表面電極３０２Ｈ（図１８参照）と第２裏面電極３２２Ｈ（図１９参照）と第１中間電極３３１Ｈ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第２中間電極３４２Ｈは長円形状であり、Ｙ軸方向において第１中間電極３４１Ｈに隣接または近接する位置に設けられている。
【0296】
第４中間電極３４４Ｇは、第６表面電極３０６Ｇ（図１８参照）と第４裏面電極３２４Ｇ（図１９参照）と第７中間電極３３７Ｄ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３４４Ｈは、第６表面電極３０６Ｈ（図１８参照）と第４裏面電極３２４Ｈ（図１９参照）と第７中間電極３３７Ｄ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第４中間電極３４４Ｇ，３４４Ｈは円形状であり、第４配置領域ＡＰ４内の２つの円形開口部内に配置されている。
【0297】
第５中間電極３４５Ｄは、第７表面電極３０７Ｇ（図１８参照）と第８表面電極３０８Ｇ（図１８参照）と第５裏面電極３２５Ｇ（図１９参照）と第７裏面電極３２７Ｄ（図１９参照）と第４中間電極３３４Ｇ（図２０参照）と第５中間電極３３５Ｄ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。
【0298】
第６中間電極３４６Ｄは、第７表面電極３０７Ｈ（図１８参照）と第９表面電極３０９Ｈ（図１８参照）と第５裏面電極３２５Ｈ（図１９参照）と第８裏面電極３２８Ｄ（図１９参照）と第４中間電極３３４Ｈ（図２０参照）と第６中間電極３３６Ｄ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。第７中間電極３４７Ｄは、第１０表面電極３１０Ｄ（図１８参照）と第９裏面電極３２９Ｄ（図１９参照）と第７中間電極３３７Ｄ（図２０参照）との電気的接続用に設けられている。
【0299】
［２－３．電極層間の接続構造］
基板２０は、第１電極層２８Ａ（表面電極層）、第２電極層２８Ｂ（裏面電極層）、ならびに第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄ（各々中間電極層）を電気的に接続する複数のビア（接続導体）を含む。例えば、図１５～図２１に示すように、基板２０は、基板２０の厚さ方向に第１～第３基材２７Ａ～２７Ｃならびに第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄを各々貫通する第１ビア４０１Ａ～４０１Ｈ、第２ビア４０２Ａ～４０２Ｈ、第３ビア４０３Ａ～４０３Ｌ、第４ビア４０４Ａ～４０４Ｈ、第５ビア４０５Ａ～４０５Ｈ、第６ビア４０６Ａ～４０６Ｈ、第７ビア４０７Ａ～４０７Ｄ、第８ビア４０８Ａ～４０８Ｄ、および第９ビア４０９Ａ～４０９Ｄを含む。なお、これら複数のビアは、第１および第２電極層２８Ａ，２８Ｂを貫通していてもよい。これら複数のビアは、例えば、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷを含む群から選択された一つまたは複数の材料によって形成されている。
基板２０は、第１電極層２８Ａ（表面電極層）、第２電極層２８Ｂ（裏面電極層）、ならびに第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄ（各々中間電極層）を電気的に接続する複数のビア（接続導体）を含む。例えば、図１５～図２１に示すように、基板２０は、基板２０の厚さ方向に第１～第３基材２７Ａ～２７Ｃならびに第３および第４電極層２８Ｃ，２８Ｄを各々貫通する第１ビア４０１Ａ～４０１Ｈ、第２ビア４０２Ａ～４０２Ｈ、第３ビア４０３Ａ～４０３Ｌ、第４ビア４０４Ａ～４０４Ｈ、第５ビア４０５Ａ～４０５Ｈ、第６ビア４０６Ａ～４０６Ｈ、第７ビア４０７Ａ～４０７Ｄ、第８ビア４０８Ａ～４０８Ｄ、および第９ビア４０９Ａ～４０９Ｄを含む。なお、これら複数のビアは、第１および第２電極層２８Ａ，２８Ｂを貫通していてもよい。これら複数のビアは、例えば、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびＷを含む群から選択された一つまたは複数の材料によって形成されている。
【0300】
第１ビア４０１Ａは、第１表面電極３０１Ａと、第１裏面電極３２１Ａと、第１中間電極３３１Ａと、第１中間電極３４１Ａとを電気的に接続している。第１ビア１０１Ａの数は特に限定されず、例えば、１個の半導体発光素子３０当たり１個以上、すなわち、第１表面電極３０１Ａと第１裏面電極３２１Ａと２つの第１中間電極３３１Ａ，３４１Ａとが重なる位置に２個以上であってよい。
【0301】
第２ビア４０２Ａは、第２表面電極３０２Ａと、第２裏面電極３２２Ａと、第２中間電極３３２Ａと、第２中間電極３４２Ａとを電気的に接続している。第２ビア４０２Ａの数は特に限定されず、例えば、第２表面電極３０２Ａと第２裏面電極３２２Ａと２つの第２中間電極３３２Ａ，３４２Ａとが重なる位置に１個以上であってよい。
【0302】
第３ビア４０３Ａは、第３表面電極３０３と、第３裏面電極３２３Ａと、第３中間電極３３３と、第３中間電極３４３とを電気的に接続している。第３ビア４０３Ａの数は特に限定されず、例えば、第３表面電極３０３と第３裏面電極３２３Ａと２つの第３中間電極３３３，３４３とが重なる位置に１個以上であってよい。第２実施形態では、例えば、多数の第３ビア４０３Ａが行列状（例えば２×５個）に配置されている。
【0303】
第３ビア４０３Ｂは、第３表面電極３０３と、第３裏面電極３２３Ｂと、第３中間電極３３３と、第３中間電極３４３とを電気的に接続している。第３ビア４０３Ａの数は特に限定されず、例えば、第３表面電極３０３と第３裏面電極３２３Ｂと２つの第３中間電極３３３，３４３とが重なる位置に１個以上であってよい。第２実施形態では、例えば、多数の第３ビア４０３Ｂが行列状（例えば２×５個）に配置されている。
【0304】
第３ビア４０３Ｃは、第３表面電極３０３と、第６裏面電極３２６Ａと、第３中間電極３３３と、第３中間電極３４３とを電気的に接続している。第３ビア４０３Ｃの数は特に限定されず、例えば、第３表面電極３０３と第６裏面電極３２６Ａと２つの第３中間電極３３３，３４３とが重なる位置に１個以上であってよい。
【0305】
第４ビア４０４Ａは、第４表面電極３０４Ａと、第１裏面電極３２１Ａと、第１中間電極３３１Ａと、第１中間電極３４１Ａとを電気的に接続している。第４ビア４０４Ａの数は特に限定されず、例えば、第４表面電極３０４Ａと第１裏面電極３２１Ａと２つの第１中間電極３３１Ａ，３４１Ａとが重なる位置に１個以上であってよい。
【0306】
第５ビア４０５Ａは、第６表面電極３０６Ａと、第４裏面電極３２４Ａと、第７中間電極３３７Ａと、第４中間電極３４４Ａとを電気的に接続している。第５ビア４０５Ａの数は特に限定されず、例えば、第６表面電極３０６Ａと第４裏面電極３２４Ａと第７中間電極３３７Ａと第４中間電極３４４Ａとが重なる位置に１個以上であってよい。
【0307】
第６ビア４０６Ａは、第７表面電極３０７Ａと、第５裏面電極３２５Ａと、第４中間電極３３４Ａと、第５中間電極３４５Ａとを電気的に接続している。第６ビア４０６Ａの数は特に限定されず、例えば、第７表面電極３０７Ａと第５裏面電極３２５Ａと第４中間電極３３４Ａと第５中間電極３４５Ａとが重なる位置に１個以上であってよい。
【0308】
第７ビア４０７Ａは、第８表面電極３０８Ａと、第７裏面電極３２７Ａと、第５中間電極３３５Ａと、第５中間電極３４５Ａとを電気的に接続している。第７ビア４０７Ａの数は特に限定されず、例えば、第８表面電極３０８Ａと第７裏面電極３２７Ａと２つの第５中間電極３３５Ａ，３４５Ａとが重なる位置に１個以上であってよい。
【0309】
第８ビア４０８Ａは、第９表面電極３０９Ａと、第８裏面電極３２８Ａと、第６中間電極３３６Ａと、第６中間電極３４６Ａとを電気的に接続している。第８ビア４０８Ａの数は特に限定されず、例えば、第９表面電極３０９Ａと第８裏面電極３２８Ａと２つの第６中間電極３３６Ａ，３４６Ａとが重なる位置に１個以上であってよい。
【0310】
第９ビア４０９Ａは、第１０表面電極３１０Ａと、第９裏面電極３２９Ａと、第７中間電極３３７Ａと、第７中間電極３４７Ａとを電気的に接続している。第９ビア４０９Ａの数は特に限定されず、例えば、第１０表面電極３１０Ａと第９裏面電極３２９Ａと２つの第７中間電極３３７Ａ，３４７Ａとが重なる位置に１個以上であってよい。
【0311】
第１配置領域ＡＰ１において、第１、第２、第４、第５、および第６ビア４０１Ｂ，４０２Ｂ，４０４Ｂ，４０５Ｂ，４０６Ｂは、上述した第１、第２、第４、第５、および第６ビア４０１Ａ，４０２Ａ，４０４Ａ，４０５Ａ，４０６Ａと同様に配置されている。したがって、第１、第２、第４、第５、および第６ビア４０１Ｂ，４０２Ｂ，４０４Ｂ，４０５Ｂ，４０６Ｂについての詳細な説明は省略する。
【0312】
第２配置領域ＡＰ２は、第１ビア４０１Ｃ，４０１Ｄ、第２ビア４０２Ｃ，４０２Ｄ、第３ビア４０３Ｄ～４０３Ｆ、第４ビア４０４Ｃ，４０４Ｄ、第５ビア４０５Ｃ，４０５Ｄ、第６ビア４０６Ｃ，４０６Ｄ、第７ビア４０７Ｂ、第８ビア４０８Ｂ、および第９ビア４０９Ｂを含む。第３配置領域ＡＰ３は、第１ビア４０１Ｅ，４０１Ｆ、第２ビア４０２Ｅ，４０２Ｆ、第３ビア４０３Ｇ～４０３Ｉ、第４ビア４０４Ｅ，４０４Ｆ、第５ビア４０５Ｅ，４０５Ｆ、第６ビア４０６Ｅ，４０６Ｆ、第７ビア４０７Ｃ、第８ビア４０８Ｃ、および第９ビア４０９Ｃを含む。第４配置領域ＡＰ４は、第１ビア４０１Ｇ，４０１Ｈ、第２ビア４０２Ｇ，４０２Ｈ、第３ビア４０３Ｊ～４０３Ｌ、第４ビア４０４Ｇ，４０４Ｈ、第５ビア４０５Ｇ，４０５Ｈ、第６ビア４０６Ｇ，４０６Ｈ、第７ビア４０７Ｄ、第８ビア４０８Ｄ、および第９ビア４０９Ｄを含む。第２～第４配置領域ＡＰ２，ＡＰ３，ＡＰ４におけるこれらのビアの配置は、上述した第１配置領域ＡＰ１におけるビアの配置と同様であるため、詳細な説明を省略する。
【0313】
［２－４．半導体発光装置の電流経路］
第２実施形態において、駆動回路４０Ａとその駆動回路４０Ａによる駆動対象の半導体発光素子３０とに流れる電流の電流経路は、キャパシタ４２１の第１電極４２Ａ、第２表面電極３０２Ａ、ワイヤＷ４、半導体発光素子３０の表面電極３４（アノード電極）、半導体発光素子３０の裏面電極３５（カソード電極）、第１表面電極３０１Ａ、第１ビア４０１Ａ、第１中間電極３３１Ａ、第４ビア４０４Ａ、第４表面電極３０４Ａ、スイッチング素子４１１のドレイン電極４１Ｄ、スイッチング素子４１１のソース電極４１Ｓ、第３表面電極３０３、およびキャパシタ４２１の第２電極４２Ｂの順に電流が流れるループ状に構成される。
第２実施形態において、駆動回路４０Ａとその駆動回路４０Ａによる駆動対象の半導体発光素子３０とに流れる電流の電流経路は、キャパシタ４２１の第１電極４２Ａ、第２表面電極３０２Ａ、ワイヤＷ４、半導体発光素子３０の表面電極３４（アノード電極）、半導体発光素子３０の裏面電極３５（カソード電極）、第１表面電極３０１Ａ、第１ビア４０１Ａ、第１中間電極３３１Ａ、第４ビア４０４Ａ、第４表面電極３０４Ａ、スイッチング素子４１１のドレイン電極４１Ｄ、スイッチング素子４１１のソース電極４１Ｓ、第３表面電極３０３、およびキャパシタ４２１の第２電極４２Ｂの順に電流が流れるループ状に構成される。
【0314】
なお、ここでは詳細な説明を省略するが、他の駆動回路４０Ｂ～４０Ｈの各々についても、駆動回路４０Ａと同様な電気的接続が実現されており、上述した電流経路と同様なループ状の電流経路が個別に構成される。
【0315】
［２－５．半導体発光装置の回路構成］
次に、図２２を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０を含む発光システム２００について説明する。なお、図示を明瞭にするために、図２２においては、駆動回路４０Ｃ～４０Ｆ、駆動回路４０Ｃ～４０Ｆによる駆動対象の半導体発光素子３０、保護ダイオード７０Ｃ～７０Ｆ、逆流防止用ダイオード２０４Ｃ～２０４Ｆ、ゲートドライバ２０５Ｃ～２０５Ｆ、パルスジェネレータ２０６Ｃ～２０６Ｆ、キャパシタ２０８Ｃ～２０８Ｆ、および制御電源２０７Ｃ～２０７Ｆの図示は省略されている。また、各駆動回路４０による駆動対象の２個の半導体発光素子３０を纏めて一つのダイオード素子記号として示している。
次に、図２２を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０を含む発光システム２００について説明する。なお、図示を明瞭にするために、図２２においては、駆動回路４０Ｃ～４０Ｆ、駆動回路４０Ｃ～４０Ｆによる駆動対象の半導体発光素子３０、保護ダイオード７０Ｃ～７０Ｆ、逆流防止用ダイオード２０４Ｃ～２０４Ｆ、ゲートドライバ２０５Ｃ～２０５Ｆ、パルスジェネレータ２０６Ｃ～２０６Ｆ、キャパシタ２０８Ｃ～２０８Ｆ、および制御電源２０７Ｃ～２０７Ｆの図示は省略されている。また、各駆動回路４０による駆動対象の２個の半導体発光素子３０を纏めて一つのダイオード素子記号として示している。
【0316】
逆流防止用ダイオード２０４Ａ～２０４Ｈ、ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈ、パルスジェネレータ２０６Ａ～２０６Ｈ、キャパシタ２０８Ａ～２０８Ｈ、および制御電源２０７Ａ～２０７Ｈは、駆動回路４０Ａ～４０Ｈにそれぞれ対応して設けられている。以下では、第１実施形態に係る発光システム２００（図１２）との相違点を中心に説明する。
【0317】
逆流防止用ダイオード２０４Ａ～２０４Ｈのカソードは、第２裏面電極３２２Ａ～３２２Ｈを介して、キャパシタ４２１～４２８の第１電極４２Ａ、さらには駆動回路４０Ｃ～４０Ｆによる駆動対象となる対応する２個の半導体発光素子３０の表面電極３４（アノード電極）にそれぞれ電気的に接続されている。各半導体発光素子３０の裏面電極３５（カソード電極）は、対応するスイッチング素子４１１～４１８のドレイン電極４１Ｄに電気的に接続されている。スイッチング素子４１１～４１８のソース電極４１Ｓは、第３裏面電極３２３Ａ～３２３Ｃをそれぞれ介してグランドに接続されている。半導体発光装置１０の外部に設けられた保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈは各々、対応する半導体発光素子３０に逆並列に接続されている。
【0318】
以上説明した第２実施形態の半導体発光装置１０は、第１実施形態の半導体発光装置１０で得られる利点と同様な利点が得られる。また、第２実施形態では、スイッチング素子４１１～４１８に、横型トランジスタとして例えば窒化物半導体を用いたＨＥＭＴが採用されている。この構成では、スイッチング素子４１１～４１８が小型化されるため、基板２０上に（すなわち半導体発光装置１０に）ゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈを一緒に搭載することができる。これにより、発光システム２００全体の小型化を図ることができる。
【0319】
［変更例］
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記実施形態および以下の各変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記実施形態および以下の各変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
【0320】
・上記各実施形態では、光反射素子５０の両側に複数の半導体発光素子３０を配置したが、例えば、図２３に示すように、平面視矩形状の光反射素子５０の４辺に沿って複数の半導体発光素子３０を配置してもよい。図２３の例では、光反射素子５０は、第１～第４の光入射面５１Ａ～５１Ｄを含む。複数の半導体発光素子３０は、第１の光入射面５１Ａに沿って設けられた第１の半導体発光素子３０と、第２の光入射面５１Ｂに沿って設けられた第２の半導体発光素子３０と、第３の光入射面５１Ｃに沿って設けられた第３の半導体発光素子３０と、第４の光入射面５１Ｄに沿って設けられた第４の半導体発光素子３０とを含む。すなわち、第１の半導体発光素子３０は、第１方向Ｄ１に光を出射するように配向されており、第２の半導体発光素子３０は、第２方向Ｄ２に光を出射するように配向されており、第３の半導体発光素子３０は、第３方向Ｄ３に光を出射するように配向されており、第４の半導体発光素子３０は、第４方向Ｄ４に光を出射するように配向されている。この構成では、基板２０の中央付近にさらにより多くの半導体発光素子３０を配置することができる。
【0321】
・上記各実施形態において、各駆動回路４０に設けられるキャパシタの数は１つでもよい。また、キャパシタはセラミックキャパシタに限定されず、シリコンキャパシタでもよい。
【0322】
・上記各実施形態において、基板２０の内部に設けられる中間電極層の数は２層に限定されず、１層または３層以上でもよい。また、基板２０の材料は、ガラスエポキシ樹脂またはセラミックに限定されず、シリコンでもよい。
【0323】
・第１実施形態の基板２０上に、第２実施形態のようなゲートドライバ２０５Ａ～２０５Ｈを搭載してもよい。
・第２実施形態の基板２０上に、第１実施形態のような保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈを搭載してもよい。
・第２実施形態の基板２０上に、第１実施形態のような保護ダイオード７０Ａ～７０Ｈを搭載してもよい。
【0324】
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば、「第１要素が第２要素上に実装される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。
【0325】
本開示で使用されるＺ軸方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造（例えば、図１に示される構造）は、本明細書で説明されるＺ軸方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えば、Ｘ軸方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ軸方向が鉛直方向であってもよい。
【0326】
［付記］
上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、各付記に記載された構成要素に対応する実施形態の構成要素の符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、各付記に記載された構成要素に対応する実施形態の構成要素の符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0327】
（付記１）
基板（２０）と、
前記基板（２０）上に設けられ、端面発光素子により各々構成された複数の半導体発光素子（３０）と、
前記基板（２０）上に設けられ、前記複数の半導体発光素子（３０）のうちの一つ以上を各々駆動する複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）と、
前記基板（２０）上に設けられ、前記複数の半導体発光素子（３０）から出射された光を前記基板（２０）に交差する方向に反射する光反射素子（５０）と、
を備える半導体発光装置（１０）。
基板（２０）と、
前記基板（２０）上に設けられ、端面発光素子により各々構成された複数の半導体発光素子（３０）と、
前記基板（２０）上に設けられ、前記複数の半導体発光素子（３０）のうちの一つ以上を各々駆動する複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）と、
前記基板（２０）上に設けられ、前記複数の半導体発光素子（３０）から出射された光を前記基板（２０）に交差する方向に反射する光反射素子（５０）と、
を備える半導体発光装置（１０）。
【0328】
（付記２）
前記複数の半導体発光素子（３０）は、
前記基板（２０）に平行な第１方向（Ｄ１）に光を出射するように配向された第１の半導体発光素子（３０）と、
前記第１方向（５０）とは反対方向の第２方向（Ｄ２）に光を出射するように配向された第２の半導体発光素子（３０）と、を含み、
前記光反射素子（５０）は、前記第１の半導体発光素子（３０）と前記第２の半導体発光素（３０）子との間に位置して前記第１および第２の半導体発光素子（３０）の各々から出射された光を反射するように構成されている、付記１に記載の半導体発光装置（１０）。
前記複数の半導体発光素子（３０）は、
前記基板（２０）に平行な第１方向（Ｄ１）に光を出射するように配向された第１の半導体発光素子（３０）と、
前記第１方向（５０）とは反対方向の第２方向（Ｄ２）に光を出射するように配向された第２の半導体発光素子（３０）と、を含み、
前記光反射素子（５０）は、前記第１の半導体発光素子（３０）と前記第２の半導体発光素（３０）子との間に位置して前記第１および第２の半導体発光素子（３０）の各々から出射された光を反射するように構成されている、付記１に記載の半導体発光装置（１０）。
【0329】
（付記３）
前記光反射素子（５０）は、第１の光入射面（５１Ａ）と、前記第１の光入射面（５１Ａ）と反対側の第２の光入射面（５１Ｂ）とを含み、
前記第１の半導体発光素子（３０）は、前記第１の光入射面（５１Ａ）に沿って設けられた複数の第１の半導体発光素子（３０）のうちの一つであり、
前記第２の半導体発光素子（３０）は、前記第２の光入射面（５１Ｂ）に沿って設けられた複数の第２の半導体発光素子（３０）のうちの一つである、付記２に記載の半導体発光装置（１０）。
前記光反射素子（５０）は、第１の光入射面（５１Ａ）と、前記第１の光入射面（５１Ａ）と反対側の第２の光入射面（５１Ｂ）とを含み、
前記第１の半導体発光素子（３０）は、前記第１の光入射面（５１Ａ）に沿って設けられた複数の第１の半導体発光素子（３０）のうちの一つであり、
前記第２の半導体発光素子（３０）は、前記第２の光入射面（５１Ｂ）に沿って設けられた複数の第２の半導体発光素子（３０）のうちの一つである、付記２に記載の半導体発光装置（１０）。
【0330】
（付記４）
前記複数の半導体発光素子（３０）は、
前記基板（２０）に平行かつ前記第１および第２方向（Ｄ１，Ｄ２）と直交する第３方向（Ｄ３）に光を出射するように配向された第３の半導体発光素子（３０）と、
前記第３方向（Ｄ３）と反対方向の第４方向（Ｄ４）に光を出射するように配向された第４の半導体発光素子（３０）と、をさらに含み、
前記第１の半導体発光素子（３０）、前記第２の半導体発光素子（３０）、前記第３の半導体発光素子（３０）、および前記第４の半導体発光素子（３０）は、前記光反射素子（５０）の四方に隣接して位置し、
前記光反射素子（５０）は、前記第１～第４の半導体発光素子（３０）の各々から出射された光を反射するように構成されている、付記２に記載の半導体発光装置（１０）。
前記複数の半導体発光素子（３０）は、
前記基板（２０）に平行かつ前記第１および第２方向（Ｄ１，Ｄ２）と直交する第３方向（Ｄ３）に光を出射するように配向された第３の半導体発光素子（３０）と、
前記第３方向（Ｄ３）と反対方向の第４方向（Ｄ４）に光を出射するように配向された第４の半導体発光素子（３０）と、をさらに含み、
前記第１の半導体発光素子（３０）、前記第２の半導体発光素子（３０）、前記第３の半導体発光素子（３０）、および前記第４の半導体発光素子（３０）は、前記光反射素子（５０）の四方に隣接して位置し、
前記光反射素子（５０）は、前記第１～第４の半導体発光素子（３０）の各々から出射された光を反射するように構成されている、付記２に記載の半導体発光装置（１０）。
【0331】
（付記５）
前記光反射素子（５０）は、第１の光入射面（５１Ａ）と、前記第１の光入射面（５１Ａ）と反対側の第２の光入射面（５１Ｂ）と、前記第１および第２の光入射面（５１Ａ，５１Ｂ）に連なる第３の光入射面（５１Ｃ）と、前記第１および第２の光入射面（５１Ａ，５１Ｂ）に連なりかつ前記第３の光入射面（５１Ｃ）と反対側の第４の光入射面（５１Ｄ）と、を含み、
前記第１の半導体発光素子（３０）は、前記第１の光入射面（５１Ａ）に沿って設けられた複数の第１の半導体発光素子（３０）のうちの一つであり、
前記第２の半導体発光素子（３０）は、前記第２の光入射面（５１Ｂ）に沿って設けられた複数の第２の半導体発光素子（３０）のうちの一つであり、
前記第３の半導体発光素子（３０）は、前記第３の光入射面（５１Ｃ）に沿って設けられた複数の第３の半導体発光素子（３０）のうちの一つであり、
前記第４の半導体発光素子（３０）は、前記第４の光入射面（５１Ｄ）に沿って設けられた複数の第４の半導体発光素子（３０）のうちの一つである、付記４に記載の半導体発光装置（１０）。
前記光反射素子（５０）は、第１の光入射面（５１Ａ）と、前記第１の光入射面（５１Ａ）と反対側の第２の光入射面（５１Ｂ）と、前記第１および第２の光入射面（５１Ａ，５１Ｂ）に連なる第３の光入射面（５１Ｃ）と、前記第１および第２の光入射面（５１Ａ，５１Ｂ）に連なりかつ前記第３の光入射面（５１Ｃ）と反対側の第４の光入射面（５１Ｄ）と、を含み、
前記第１の半導体発光素子（３０）は、前記第１の光入射面（５１Ａ）に沿って設けられた複数の第１の半導体発光素子（３０）のうちの一つであり、
前記第２の半導体発光素子（３０）は、前記第２の光入射面（５１Ｂ）に沿って設けられた複数の第２の半導体発光素子（３０）のうちの一つであり、
前記第３の半導体発光素子（３０）は、前記第３の光入射面（５１Ｃ）に沿って設けられた複数の第３の半導体発光素子（３０）のうちの一つであり、
前記第４の半導体発光素子（３０）は、前記第４の光入射面（５１Ｄ）に沿って設けられた複数の第４の半導体発光素子（３０）のうちの一つである、付記４に記載の半導体発光装置（１０）。
【0332】
（付記６）
前記光反射素子（５０）は、前記複数の半導体発光素子（３０）から出射された光を前記基板（２０）に交差する方向において同じ方向に反射するように構成されている、付記１～５のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
前記光反射素子（５０）は、前記複数の半導体発光素子（３０）から出射された光を前記基板（２０）に交差する方向において同じ方向に反射するように構成されている、付記１～５のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
【0333】
（付記７）
前記光反射素子（５０）は、ミラーまたは回折格子である、付記１～６のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
前記光反射素子（５０）は、ミラーまたは回折格子である、付記１～６のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
【0334】
（付記８）
前記複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）は各々、
前記複数の半導体発光素子（３０）のうちの前記一つ以上を制御するスイッチング素子（４１１～４１８）と、
前記複数の半導体発光素子（３０）のうちの前記一つ以上に電流を供給するキャパシタ（４２１～４２８）と、を含む、付記１～７のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
前記複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）は各々、
前記複数の半導体発光素子（３０）のうちの前記一つ以上を制御するスイッチング素子（４１１～４１８）と、
前記複数の半導体発光素子（３０）のうちの前記一つ以上に電流を供給するキャパシタ（４２１～４２８）と、を含む、付記１～７のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
【0335】
（付記９）
前記キャパシタは、前記複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）の各々に設けられた複数のキャパシタ（４２１～４２８）のうちの１つである、付記８に記載の半導体発光装置（１０）。
前記キャパシタは、前記複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）の各々に設けられた複数のキャパシタ（４２１～４２８）のうちの１つである、付記８に記載の半導体発光装置（１０）。
【0336】
（付記１０）
前記キャパシタ（４２１～４２８）は、セラミックキャパシタまたはシリコンキャパシタである、付記８または９に記載の半導体発光装置（１０）。
前記キャパシタ（４２１～４２８）は、セラミックキャパシタまたはシリコンキャパシタである、付記８または９に記載の半導体発光装置（１０）。
【0337】
（付記１１）
前記スイッチング素子（４１１～４１８）は、ＭＯＳＦＥＴまたは窒化物半導体トランジスタである、付記８～１０のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
前記スイッチング素子（４１１～４１８）は、ＭＯＳＦＥＴまたは窒化物半導体トランジスタである、付記８～１０のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
【0338】
（付記１２）
前記スイッチング素子（４１１～４１８）は、前記複数の半導体発光素子（３０）のうちの前記一つ以上の各々と複数本のワイヤ（Ｗ１）で接続されている、付記８～１１のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
前記スイッチング素子（４１１～４１８）は、前記複数の半導体発光素子（３０）のうちの前記一つ以上の各々と複数本のワイヤ（Ｗ１）で接続されている、付記８～１１のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
【0339】
（付記１３）
前記複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）のうちの一つにおける前記スイッチング素子（４１１～４１８）を各々駆動する複数のゲートドライバ（２０５Ａ～２０５Ｈ）をさらに備える付記８～１２のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
前記複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）のうちの一つにおける前記スイッチング素子（４１１～４１８）を各々駆動する複数のゲートドライバ（２０５Ａ～２０５Ｈ）をさらに備える付記８～１２のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
【0340】
（付記１４）
前記複数の半導体発光素子（３０）のうちの前記一つ以上に逆並列に各々接続された複数の保護ダイオード（７０Ａ～７０Ｈ）をさらに備える付記１～１３のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
前記複数の半導体発光素子（３０）のうちの前記一つ以上に逆並列に各々接続された複数の保護ダイオード（７０Ａ～７０Ｈ）をさらに備える付記１～１３のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
【0341】
（付記１５）
前記複数の半導体発光素子（３０）および前記複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）に電流を供給する電源入力部（２０１，２０２，２０３）と前記複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）のうちの一つとの間に各々設けられた複数の逆流防止ダイオード（２０４Ａ～２０４Ｈ）をさらに備える付記１～１４のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
前記複数の半導体発光素子（３０）および前記複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）に電流を供給する電源入力部（２０１，２０２，２０３）と前記複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）のうちの一つとの間に各々設けられた複数の逆流防止ダイオード（２０４Ａ～２０４Ｈ）をさらに備える付記１～１４のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
【0342】
（付記１６）
前記基板（２０）は、ガラスエポキシ樹脂、セラミック、およびシリコンのうちのいずれか一つによって形成されている、付記１～１５のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
前記基板（２０）は、ガラスエポキシ樹脂、セラミック、およびシリコンのうちのいずれか一つによって形成されている、付記１～１５のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
【0343】
（付記１７）
前記基板（２０）の主面（２１）に位置する表面電極層（２８Ａ）と、
前記基板（２０）の裏面（２２）に位置する裏面電極層（２８Ｂ）と、
前記基板（２０）の厚さ方向において前記表面電極層（２８Ａ）と前記裏面電極層（２８Ｂ）との間に位置する中間電極層（２８Ｃ；２８Ｄ）と、
前記基板（２０）内に設けられ、前記表面電極層（２８Ａ）、前記裏面電極層（２８Ｂ）、および前記中間電極層（２８Ｃ；２８Ｄ）を電気的に接続する複数のビアと、
を備え、
前記複数の半導体発光素子（３０）および前記複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）は、前記表面電極層（２８Ａ）上に実装されており、
前記複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）の各々と、各前記駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）による駆動対象の前記複数の半導体発光素子（３０）のうちの前記一つ以上とに流れる電流の電流経路（ＣＰ）は、前記表面電極層（２８Ａ）と、前記中間電極層（２８Ｃ；２８Ｄ）と、前記複数のビアのいくつかとによって構成されている、付記１～１６のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
前記基板（２０）の主面（２１）に位置する表面電極層（２８Ａ）と、
前記基板（２０）の裏面（２２）に位置する裏面電極層（２８Ｂ）と、
前記基板（２０）の厚さ方向において前記表面電極層（２８Ａ）と前記裏面電極層（２８Ｂ）との間に位置する中間電極層（２８Ｃ；２８Ｄ）と、
前記基板（２０）内に設けられ、前記表面電極層（２８Ａ）、前記裏面電極層（２８Ｂ）、および前記中間電極層（２８Ｃ；２８Ｄ）を電気的に接続する複数のビアと、
を備え、
前記複数の半導体発光素子（３０）および前記複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）は、前記表面電極層（２８Ａ）上に実装されており、
前記複数の駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）の各々と、各前記駆動回路（４０Ａ～４０Ｈ）による駆動対象の前記複数の半導体発光素子（３０）のうちの前記一つ以上とに流れる電流の電流経路（ＣＰ）は、前記表面電極層（２８Ａ）と、前記中間電極層（２８Ｃ；２８Ｄ）と、前記複数のビアのいくつかとによって構成されている、付記１～１６のうちのいずれか一つに記載の半導体発光装置（１０）。
【符号の説明】
【0344】
１０：半導体発光装置
２０：基板
２１：主面
２２：裏面
２３～２６：第１～第４側面
２７Ａ～２７Ｃ：第１～第３基材
２８Ａ：第１電極層（表面電極層）
２８Ｂ：第２電極層（裏面電極層）
２８Ｃ：第３電極層（中間電極層；表面側中間電極層）
２８Ｄ：第４電極層（中間電極層；裏面側中間電極層）
２９Ａ：主面レジスト層
２９Ｂ：裏面レジスト層
３０：半導体発光素子
３１：素子表面
３２：素子裏面
３４：表面電極
３５：裏面電極
４０，４０Ａ～４０Ｈ：駆動回路
４１１～４１８：スイッチング素子
４１Ａ：素子表面
４１Ｂ：素子裏面
４１Ｓ：ソース電極
４１Ｇ：ゲート電極
４１Ｄ：ドレイン電極
４２１～４２８：キャパシタ
４２Ａ：第１電極
４２Ｂ：第２電極
５０：光反射素子
５１Ａ～５１Ｄ：光入射面
７０Ａ～７０Ｈ：保護ダイオード
７１：アノード電極
７２：カソード電極
２００：発光システム
２０１：直流電源
２０２：キャパシタ
２０３：直流制限抵抗
２０４Ａ～２０４Ｈ：逆流防止用ダイオード
２０５Ａ～２０５Ｈ：ゲートドライバ
２０６Ａ～２０６Ｈ：パルスジェネレータ
２０７Ａ～２０７Ｈ：制御電源
２０８Ａ～２０８Ｈ：キャパシタ
１０１Ａ～１０１Ｈ，４０１Ａ～４０１Ｈ：第１ビア
１０２Ａ～１０２Ｈ，４０２Ａ～４０２Ｈ：第２ビア
１０３Ａ～１０３Ｈ，４０３Ａ～４０３Ｌ：第３ビア
１０４Ａ～１０４Ｄ，４０４Ａ～４０４Ｈ：第４ビア
１０５Ａ～１０５Ｈ，４０５Ａ～４０５Ｈ：第５ビア
４０６Ａ～４０６Ｈ：第６ビア
４０７Ａ～４０７Ｄ：第７ビア
４０８Ａ～４０８Ｄ：第８ビア
４０９Ａ～４０９Ｄ：第９ビア
ＡＣ：中央領域
ＡＰ：周辺領域
ＡＰ１：第１配置領域
ＡＰ２：第２配置領域
ＡＰ３：第３配置領域
ＡＰ４：第４配置領域
ＣＰ：電流経路
Ｄ１～Ｄ４：第１～第４方向
Ｌ１：光
Ｌ２：反射光
ＶＣ，ＨＣ：仮想中心線
Ｗ１～Ｗ４：ワイヤ
２０：基板
２１：主面
２２：裏面
２３～２６：第１～第４側面
２７Ａ～２７Ｃ：第１～第３基材
２８Ａ：第１電極層（表面電極層）
２８Ｂ：第２電極層（裏面電極層）
２８Ｃ：第３電極層（中間電極層；表面側中間電極層）
２８Ｄ：第４電極層（中間電極層；裏面側中間電極層）
２９Ａ：主面レジスト層
２９Ｂ：裏面レジスト層
３０：半導体発光素子
３１：素子表面
３２：素子裏面
３４：表面電極
３５：裏面電極
４０，４０Ａ～４０Ｈ：駆動回路
４１１～４１８：スイッチング素子
４１Ａ：素子表面
４１Ｂ：素子裏面
４１Ｓ：ソース電極
４１Ｇ：ゲート電極
４１Ｄ：ドレイン電極
４２１～４２８：キャパシタ
４２Ａ：第１電極
４２Ｂ：第２電極
５０：光反射素子
５１Ａ～５１Ｄ：光入射面
７０Ａ～７０Ｈ：保護ダイオード
７１：アノード電極
７２：カソード電極
２００：発光システム
２０１：直流電源
２０２：キャパシタ
２０３：直流制限抵抗
２０４Ａ～２０４Ｈ：逆流防止用ダイオード
２０５Ａ～２０５Ｈ：ゲートドライバ
２０６Ａ～２０６Ｈ：パルスジェネレータ
２０７Ａ～２０７Ｈ：制御電源
２０８Ａ～２０８Ｈ：キャパシタ
１０１Ａ～１０１Ｈ，４０１Ａ～４０１Ｈ：第１ビア
１０２Ａ～１０２Ｈ，４０２Ａ～４０２Ｈ：第２ビア
１０３Ａ～１０３Ｈ，４０３Ａ～４０３Ｌ：第３ビア
１０４Ａ～１０４Ｄ，４０４Ａ～４０４Ｈ：第４ビア
１０５Ａ～１０５Ｈ，４０５Ａ～４０５Ｈ：第５ビア
４０６Ａ～４０６Ｈ：第６ビア
４０７Ａ～４０７Ｄ：第７ビア
４０８Ａ～４０８Ｄ：第８ビア
４０９Ａ～４０９Ｄ：第９ビア
ＡＣ：中央領域
ＡＰ：周辺領域
ＡＰ１：第１配置領域
ＡＰ２：第２配置領域
ＡＰ３：第３配置領域
ＡＰ４：第４配置領域
ＣＰ：電流経路
Ｄ１～Ｄ４：第１～第４方向
Ｌ１：光
Ｌ２：反射光
ＶＣ，ＨＣ：仮想中心線
Ｗ１～Ｗ４：ワイヤ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】