特開 2025-99459 基板処理方法及び基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025099459

(43)【公開日】2025-07-03

(54)【発明の名称】基板処理方法及び基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/316 20060101AFI20250626BHJP

【ＦＩ】

H01L21/316 X

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023216138

(22)【出願日】2023-12-21

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】大内 健次

(72)【発明者】

【氏名】武内 保生

【テーマコード（参考）】

5F058

【Ｆターム（参考）】

5F058BC02

5F058BC04

5F058BF07

5F058BF24

5F058BF29

5F058BH16

5F058BJ04

(57)【要約】

【課題】導電層又は半導体層の表面のコロージョンを抑制する。
【解決手段】処理容器内に導電層又は半導体層を有する基板を準備する工程と、前記処理容器内に水素及び窒素を含む第１ガスを供給し、該第１ガスから生成されたプラズマに前記基板をさらすことにより、前記導電層又は前記半導体層の表面を還元する工程と、水素化されたシリコン又はアルキル化されたアルミニウムを含む第２ガスを供給し、還元された前記導電層又は前記半導体層を前記第２ガスにさらすことにより、前記導電層又は前記半導体層の上にシリコン又はアルミニウムを吸着させて安定化層を形成する工程と、を含む、基板処理方法が提供される。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理容器内に導電層又は半導体層を有する基板を準備する工程と、
前記処理容器内に水素及び窒素を含む第１ガスを供給し、該第１ガスから生成されたプラズマに前記基板をさらすことにより、前記導電層又は前記半導体層の表面を還元する工程と、
水素化されたシリコン又はアルキル化されたアルミニウムを含む第２ガスを供給し、還元された前記導電層又は前記半導体層を前記第２ガスにさらすことにより、前記導電層又は前記半導体層の上にシリコン又はアルミニウムを吸着させて安定化層を形成する工程と、
を含む、基板処理方法。

【請求項2】

前記第１ガスに含まれる水素原子と窒素原子の和に対する水素原子の割合は、０．７５～１未満である、
請求項１に記載の基板処理方法。

【請求項3】

前記第１ガスは、Ｈ_２ガス及びＮ_２ガスの混合ガス、Ｈ_２ガス及びＮＨ_３ガスの混合ガスのうちの、いずれかである、
請求項２に記載の基板処理方法。

【請求項4】

前記第１ガスに含まれる水素原子と窒素原子の和に対する水素原子の割合は、０．９５～１未満である、
請求項２に記載の基板処理方法。

【請求項5】

前記第１ガスは、Ｈ_２ガス及びＮ_２ガスの混合ガスである、
請求項４に記載の基板処理方法。

【請求項6】

前記第２ガスは、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＴＭＡ（Ａｌ（ＣＨ_３）_２）、又はＴＭＡＨ（ＡｌＨ（ＣＨ_３）_２）のいずれかを含む、
請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理方法。

【請求項7】

前記還元する工程において、前記処理容器内の圧力は、２０Ｐａ～１００Ｐａである、
請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理方法。

【請求項8】

前記導電層は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｗ、Ｔａのうちの、いずれかである、
請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理方法。

【請求項9】

前記半導体層は、Ｓｉである、
請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理方法。

【請求項10】

前記安定化層を形成する工程において、前記処理容器内の温度は、室温～３５０℃である、
請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理方法。

【請求項11】

前記安定化層を形成する工程において、前記処理容器内の温度は、室温～１００℃である、
請求項１０に記載の基板処理方法。

【請求項12】

処理容器と、
前記処理容器内にガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器内に高周波電力を供給する電源と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、
処理容器内に導電層又は半導体層を有する基板を準備することと、
前記ガス供給部から前記処理容器内に水素及び窒素を含む第１ガスを供給し、該第１ガスから生成されたプラズマに前記基板をさらすことにより、前記導電層又は前記半導体層の表面を還元することと、
前記ガス供給部から水素化されたシリコン又はアルキル化されたアルミニウムを含む第２ガスを供給し、還元された前記導電層又は前記半導体層を前記第２ガスにさらすことにより、前記導電層又は前記半導体層の上にシリコン又はアルミニウムを吸着させて安定化層を形成することと、
を制御する、基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、半導体基板上に形成された導電層に対して、絶縁膜を形成し、ハロゲンガスを含む第１のガスを用いて絶縁膜をドライエッチングして、導電層の表面を露出させ、露出した導電層に対して還元可能な第２のガスを用いて第１のプラズマ処理を行い、露出した導電層に対して、Ｃ元素及びＯ元素を含みハロゲン元素を含まない第３のガスを用いて第２のプラズマ処理を行うことが記載されている。また、第２のガスとして、Ｈ_２、Ｎ_２、ＮＨ_４を含むもの、例えばＮ_２／Ｈ_２を用いてプラズマ処理が行われることが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１１－２４３６８０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、導電層又は半導体層の表面のコロージョンを抑制することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一の態様によれば、処理容器内に導電層又は半導体層を有する基板を準備する工程と、前記処理容器内に水素及び窒素を含む第１ガスを供給し、該第１ガスから生成されたプラズマに前記基板をさらすことにより、前記導電層又は前記半導体層の表面を還元する工程と、水素化されたシリコン又はアルキル化されたアルミニウムを含む第２ガスを供給し、還元された前記導電層又は前記半導体層を前記第２ガスにさらすことにより、前記導電層又は前記半導体層の上にシリコン又はアルミニウムを吸着させて安定化層を形成する工程と、を含む、基板処理方法が提供される。

【発明の効果】

【0006】

一の側面によれば、導電層又は半導体層の表面のコロージョンを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】基板処理方法の従来例を示すフローチャート。

【図2】プラズマ処理装置の一例を示す図。

【図3】一実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャート。

【図4】工程ごとのウエハの断面模式図の一例。

【図5】処理容器内の圧力とイオンエネルギーとの関係の一例を示すグラフ。

【図6】ＨとＮ原子の和に対するＨ原子の割合と接触角の関係の一例を示すグラフ。

【図7】ＨとＮ原子の和に対するＨ原子の割合と表面粗さの関係の一例を示すグラフ。

【図8】安定化処理の有無とウエハの断面模式図の一例。

【図9】ＸＰＳ解析結果の一例を示すグラフ。

【図10】ＸＰＳ解析結果の一例を示すグラフ。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0009】

［基板処理方法の従来例］
金属膜（導電層）のエッチングやＳｉＦ_４ガス等を用いた選択成膜等を行う際に、ハロゲン化合物を含むエッチャント又はプリカーサを用いることにより、金属膜のハロゲン化や酸化が生じる。例えば金属膜のハロゲン化では、金属膜の表面にハロゲン化合物の吸着が生じる。ハロゲン化や酸化した金属膜を大気に暴露すると、金属膜の表面が水と反応することでコロージョン（腐食）が発生し、金属パターンの形成に悪影響が生じたり、デバイスが破壊されたりする場合がある。そのため、コロージョンを抑制するための基板処理方法が重要になってくる。

【0010】

一般的なコロージョン対策として従来から行われている基板処理方法の一例を、図１を参照しながら説明する。図１では、ステップＳ１において成膜処理を実行する。例えば、金属膜のパターンが形成された下地層に対してＳｉＦ_４ガスを用いて絶縁膜を成膜する場合、ＳｉＦ_４ガスに含まれるフッ素により金属膜のハロゲン化が生じる。

【0011】

ステップＳ２において、過剰なハロゲンの除去を目的にＨ_２ガスからプラズマを生成し、ハロゲン化した金属膜をプラズマにさらしてトリートメントを行った後、ステップＳ３において、ウエハの表面に水を供給し、ウエハの表面に対して水洗浄を行う。この水洗浄により、過剰なハロゲンを取り除くことができる。

【0012】

しかし、この方法では、水洗浄を行うためにウエハを大気に暴露している時間（Ｑ－Ｔｉｍｅという。）の管理が必要となってくるため、プロセスが煩雑になる。そのため、水洗浄に代えてウエハを大気に暴露せずにコロージョンを抑制することが可能な処理、もしくは、Ｑ－Ｔｉｍｅを延ばすための処理が重要となる。

【0013】

そこで、本実施形態に係る基板処理方法では、導電層又は半導体層に対する表面処理によって導電層又は半導体層の表面のコロージョンを抑制する。以下、図２を参照しながら、一実施形態に係る基板処理方法を実行可能な一実施形態に係る基板処理装置の構成例について説明する。その後、図３を参照しながら、一実施形態に係る基板処理方法の一例について説明する。

【0014】

［基板処理装置］
図２は、プラズマ処理装置の一例を示す図である。図２には、ウエハＷを一例とする基板に対する基板処理方法の種々の実施形態で利用可能なプラズマ処理装置１０の断面構造が概略的に示されている。図２に示すように、プラズマ処理装置１０は、誘導結合プラズマ処理装置である。プラズマ処理装置１０は、基板処理装置の一例である。基板処理装置は、誘導結合プラズマ処理装置に限られず、容量結合プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理装置等のプラズマ処理装置を適用できる。ウエハＷに成膜される絶縁膜は、少なくともシリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）を含む膜であり、例えばＳｉＯ_ｘ膜、ＳｉＯＦ膜であってもよい。

【0015】

プラズマ処理装置１０は、処理容器１を備える。処理容器１は、気密に設けられている。処理容器１は、導電性材料を含み、例えば、処理容器１の内壁面は、陽極酸化処理されたアルミニウム等の材料を含み得る。処理容器１は、分解可能に組み立てられており、接地線１ａによって接地されている。処理容器１は、誘電体壁２によって、上下にアンテナ室３と処理室４とに区画されている。誘電体壁２は、処理室４の天井壁を構成している。誘電体壁２は、例えばＡｌ_２Ｏ_３等のセラミックス、石英等で構成されている。

【0016】

誘電体壁２の下側部分には、処理ガス供給用のシャワー筐体１１が嵌め込まれている。シャワー筐体１１は、十字状に設けられており、誘電体壁２を下から支持する。誘電体壁２を支持するシャワー筐体１１は、複数本のサスペンダ（図示せず）によって、処理容器１の天井に吊されている。

【0017】

シャワー筐体１１は、金属等の導電性材料を含み得る。シャワー筐体１１の内面は、汚染物が発生しないように、例えば陽極酸化処理されたアルミニウム等を含み得る。シャワー筐体１１には、誘電体壁２に沿って延びるガス流路１２が形成されており、ガス流路１２には、載置台２２に向かって延びる複数のガス供給孔１２ａが連通している。誘電体壁２の上面中央には、ガス流路１２に連通するようにガス供給管２０ａが設けられている。ガス供給管２０ａは、誘電体壁２から処理容器１の外側に延びており、処理ガス供給源およびバルブシステム等を含む処理ガス供給系２０に接続されている。処理ガス供給源は、ＳｉＦ_４ガス供給源５１ａ、Ｏ_２ガス供給源５２ａ、Ｈ_２ガス供給源５３ａ、Ｎ_２ガス供給源５４ａ、ＳｉＨ_４ガス供給源５５ａ及びＡｒガス供給源５６ａを有する。

【0018】

ＳｉＦ_４ガス供給源５１ａは、ガス供給ライン５１ｂを介してＳｉＦ_４ガスを処理室４内に供給する。ガス供給ライン５１ｂには、上流側から流量制御器５１ｃ及びバルブ５１ｄが介設されている。ガス供給ライン５１ｂのバルブ５１ｄの下流側は、ガス供給ライン５７を介してガス供給管２０ａに接続されている。ＳｉＦ_４ガス供給源５１ａから供給されるＳｉＦ_４ガスの供給及び停止は、バルブ５１ｄの開閉により行われる。

【0019】

Ｏ_２ガス供給源５２ａは、ガス供給ライン５２ｂを介してＯ_２ガスを処理室４内に供給する。ガス供給ライン５２ｂには、上流側から流量制御器５２ｃ及びバルブ５２ｄが介設されている。ガス供給ライン５２ｂのバルブ５２ｄの下流側は、ガス供給ライン５７を介してガス供給管２０ａに接続されている。Ｏ_２ガス供給源５２ａから供給されるＯ_２ガスの供給及び停止は、バルブ５２ｄの開閉により行われる。

【0020】

Ｈ_２ガス供給源５３ａは、ガス供給ライン５３ｂを介してＨ_２ガスを処理室４内に供給する。ガス供給ライン５３ｂには、上流側から流量制御器５３ｃ及びバルブ５３ｄが介設されている。ガス供給ライン５３ｂのバルブ５３ｄの下流側は、ガス供給ライン５７を介してガス供給管２０ａに接続されている。Ｈ_２ガス供給源５３ａから供給されるＨ_２ガスの供給及び停止は、バルブ５３ｄの開閉により行われる。

【0021】

Ｎ_２ガス供給源５４ａは、ガス供給ライン５４ｂを介してＮ_２ガスを処理室４内に供給する。ガス供給ライン５４ｂには、上流側から流量制御器５４ｃ及びバルブ５４ｄが介設されている。ガス供給ライン５４ｂのバルブ５４ｄの下流側は、ガス供給ライン５７を介してガス供給管２０ａに接続されている。Ｎ_２ガス供給源５４ａから供給されるＮ_２ガスの供給及び停止は、バルブ５４ｄの開閉により行われる。

【0022】

ＳｉＨ_４ガス供給源５５ａは、ガス供給ライン５５ｂを介してＳｉＨ_４ガスを処理室４内に供給する。ガス供給ライン５５ｂには、上流側から流量制御器５５ｃ及びバルブ５５ｄが介設されている。ガス供給ライン５５ｂのバルブ５５ｄの下流側は、ガス供給ライン５７を介してガス供給管２０ａに接続されている。ＳｉＨ_４ガス供給源５５ａから供給されるＳｉＨ_４ガスの供給及び停止は、バルブ５５ｄの開閉により行われる。

【0023】

Ａｒガス供給源５６ａは、ガス供給ライン５６ｂを介してＡｒガスを処理室４内に供給する。ガス供給ライン５６ｂには、上流側から流量制御器５６ｃ及びバルブ５６ｄが介設されている。ガス供給ライン５６ｂのバルブ５６ｄの下流側は、ガス供給ライン５７を介してガス供給管２０ａに接続されている。Ａｒガス供給源５６ａから供給されるＡｒガスの供給及び停止は、バルブ５６ｄの開閉により行われる。

【0024】

プラズマ処理においては、処理ガス供給系２０から供給される処理ガスは、ガス供給管２０ａを介してシャワー筐体１１内に供給され、シャワー筐体１１の下面（処理室４に向いている面）のガス供給孔１２ａから処理室４内へ吐出される。

【0025】

処理容器１におけるアンテナ室３の側壁３ａと処理室４の側壁４ａとの間には内側に突出する支持棚５が設けられており、支持棚５の上に誘電体壁２が載置される。

【0026】

アンテナ室３内には誘電体壁２の上に誘電体壁２に面するように高周波アンテナ１３が配設されている。高周波アンテナ１３は、絶縁部材からなるスペーサ１３ａによって、誘電体壁２から例えば５０［ｍｍ］以下の範囲で離間している。アンテナ室３の中央部付近には、誘電体壁２の上面に垂直な方向に（鉛直方向に）延びる４つの給電部材１６が設けられており、４つの給電部材１６には整合器１４を介して高周波電源１５が接続されている。給電部材１６は、ガス供給管２０ａの周囲に配置されている。

【0027】

プラズマ処理中において、高周波電源１５からは、誘導電界形成用の例えば１３．５６［ＭＨｚ］程度の周波数のプラズマ生成用高周波電力（ＲＦ）が高周波アンテナ１３を介して処理室４内に供給される。このように高周波電源１５からプラズマ生成用高周波電力が処理室４内に供給されることによって、処理室４内に誘導電界が形成され、この誘導電界によって、シャワー筐体１１から処理室４内に供給される処理ガスのプラズマが生成される。なお、シャワー筐体１１は、十字状に設けられており、高周波アンテナ１３からの高周波の電力の処理室４内への供給は、シャワー筐体１１が金属であっても妨げられない。

【0028】

処理室４内の下方（誘電体壁２の反対側）には、載置台２２が設けられている。載置台２２は、誘電体壁２を挟んで高周波アンテナ１３と対向する。載置台２２には、ウエハＷが載置される。載置台２２は、導電性材料を含み得る。載置台２２の表面は、例えば陽極酸化処理、または、アルミナ溶射されたアルミニウムを含み得る。載置台２２に載置されたウエハＷは、静電チャック（図示せず）によって載置台２２に吸着保持される。

【0029】

載置台２２は、絶縁体枠２４内に収納され、支柱２５に支持される。支柱２５は、中空の構造を備える。載置台２２を収納する絶縁体枠２４と処理容器１の底部（処理容器１のうち支柱２５が設けられている側）との間には、支柱２５を気密に包囲するベローズ２６が配設されている。処理室４の側壁４ａには、ウエハＷを搬入出するための搬入出口２７ａと、搬入出口２７ａを開閉するゲートバルブ２７とが設けられている。

【0030】

載置台２２は、支柱２５内に設けられた給電棒２５ａによって、整合器２８を介して高周波電源２９に接続されている。高周波電源２９は、プラズマ処理中に、バイアス用高周波電力、例えば４００［ｋＨｚ］～６［ＭＨｚ］程度の周波数のバイアス用高周波電力を載置台２２に印加する。このバイアス用高周波電力によって、処理室４内に生成されたプラズマ中のイオンが効果的にウエハＷに引き込まれ得る。

【0031】

載置台２２内には、ウエハＷの温度を制御することを目的として、セラミックヒータ２１等の加熱手段および冷媒流路等を備える温度制御機構と、温度センサとが設けられている（いずれも図示せず）。当該温度制御機構、温度センサ、部材に対する配管および配線は、いずれも支柱２５の内部を通して処理容器１外に導出される。

【0032】

処理室４の底部（処理室４のうち支柱２５が設けられている側）には、排気管３１を介して真空ポンプ等を含む排気装置３０が接続される。排気装置３０によって、処理室４が排気され、プラズマ処理中において、処理室４内が所定の真空雰囲気（例えば１．３３［Ｐａ］程度の気圧）に設定され、維持される。

【0033】

高周波アンテナ１３は、四つの給電部（例えば、給電部４１、給電部４３等）を有する。四つの給電部は、給電部材１６に接続される。四つの給電部は、高周波アンテナ１３の中心の周囲において、例えば９０度程度ずつ離間している。四つの給電部のそれぞれからは２本のアンテナ線が外側に延びており、それぞれのアンテナ線は、コンデンサ１８を介して接地される。

【0034】

プラズマ処理装置１０は、制御部Ｃｎｔを備える。制御部Ｃｎｔは、プロセッサ、記憶部、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり、プラズマ処理装置１０の各部を制御する。制御部Ｃｎｔがプラズマ処理装置１０の外部に設けられている場合、制御部Ｃｎｔは、有線又は無線等の通信手段によって、プラズマ処理装置１０を制御できる。

【0035】

制御部Ｃｎｔは、入力されたレシピに基づくプログラムに従って動作し、制御信号を送出する。制御部Ｃｎｔからの制御信号によって、処理ガス供給系２０から供給されるガスの選択および流量と、排気装置３０の排気と、高周波電源１５および高周波電源２９からの電力供給と、載置台２２の温度と、を制御することが可能である。本明細書において開示される基板に対する処理の各工程（図１に示す工程Ｓ１～Ｓ２）は、制御部Ｃｎｔによる制御によってプラズマ処理装置１０の各部を動作させることによって、実行され得る。

【0036】

［基板処理方法］
図３及び図４を参照しながら、一実施形態に係る基板処理方法ＳＴの一例について説明する。図３は、一実施形態に係る基板処理方法ＳＴの一例を示すフローチャートである。図４は、工程ごとのウエハＷの断面模式図の一例である。ここでは、プラズマ処理装置１０を使用してウエハＷに絶縁層としてＳｉＯＦ膜を成膜し、その後、後述するトリートメント処理（還元処理、安定化処理）を行う例について説明する。

【0037】

ステップＳ１１において、制御部Ｃｎｔは、処理容器１内にウエハＷを準備し、成膜処理を行う。具体的には、載置台２２を搬送位置に下降させた状態でゲートバルブ２７を開く。続いて、搬送アーム（図示せず）によりウエハＷを、搬入出口２７ａを介して処理容器１内に搬入し、セラミックヒータ２１により所定温度（例えば、室温～３５０℃）に加熱された載置台２２上に載置する。続いて、載置台２２を処理位置まで上昇させ、排気装置３０により処理容器１内を所定の真空度まで減圧する。減圧後、制御部Ｃｎｔは、バルブ５６ｄを開き、流量制御器５６ｃを制御してＡｒガス供給源５６ａからＡｒガスを供給する。これにより、処理容器１（処理室４）内は所定の圧力で安定する。

【0038】

処理容器１内に準備するウエハＷは、図４（ａ）に示すように、絶縁層１０１と導電層１０２とを有する。ウエハＷの表面は、ダマシン（damascene）の実施の後にＣＭＰ（Chemical-Mechanical-Polishing or Planarization）を実施することによって形成される。導電層１０２は、ダマシンの実施を介して形成される。導電層１０２は、ウエハＷの表面において絶縁層１０１に埋め込まれており、ウエハＷの表面側において導電層１０２の表面と絶縁層１０１の表面とは露出されている。導電層１０２の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ルテニウム（Ｒｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）のうちのいずれかであり得る。

【0039】

処理容器１内に準備するウエハＷは、図４（ａ）に示す導電層１０２の代わりに半導体層を有してもよい。この場合、半導体層は、ウエハＷの表面において絶縁層１０１に埋め込まれており、ウエハＷの表面側において半導体層の表面と絶縁層１０１の表面とは露出されている。半導体層の材料は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、酸化物半導体のＩＧＺＯであり得る。

【0040】

絶縁層１０１の材料は、Ｌｏｗ－Ｋ膜、金属酸化物絶縁膜であり得る。また、絶縁層１０１の材料は、ｘ、ｙを自然数として、ＳｉＯ_ｘ、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＣ_ｘ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＨ、Ａｌ_ｘＯ_ｙ等の絶縁膜であり得る。

【0041】

ステップＳ１１において、制御部Ｃｎｔは、ウエハＷに対して成膜処理を行う。成膜処理の一例としては、図４（ｂ）に示すように、絶縁層１０１の表面上にＳｉＯＦ膜１０３が選択的に成膜される。よって、導電層１０２の表面上にＳｉＯＦ膜１０３は形成されていない。

【0042】

ＳｉＯＦ膜１０３の成膜処理では、制御部Ｃｎｔは、Ａｒガスの供給を維持しつつ、バルブ５２ｄを開き、流量制御器５２ｃを制御してＯ_２ガス供給源５２ａからＯ_２ガスを供給する。

【0043】

次に、制御部Ｃｎｔは、高周波電源１５により、高周波アンテナ１３を介して処理室４にプラズマ生成用高周波電力（ＲＦ）を供給し、Ｏ_２ガスからプラズマを生成する。

【0044】

次に、制御部Ｃｎｔは、バルブ５１ｄを開き、流量制御器５１ｃを制御してＳｉＦ_４ガス供給源５１ａからＳｉＦ_４ガス供給する。制御部Ｃｎｔは、高周波電源１５により、高周波アンテナ１３を介して処理室４にプラズマ生成用高周波電力を供給し、ＳｉＦ_４ガスからプラズマを生成する。ＳｉＦ_４ガスのプラズマの生成は、Ｏ_２ガスのプラズマの生成と同時か、Ｏ_２ガスのプラズマ生成以降であればよい。

【0045】

Ｏ_２ガスとＳｉＦ_４ガスのプラズマによりウエハＷにＳｉＯＦ膜が成膜される。所定時間が経過すると、制御部Ｃｎｔは、バルブ５６ｄ、５２ｄ、５１ｄを閉じ、Ａｒガス、Ｏ_２ガス、ＳｉＦ_４ガスの供給を停止し、処理室４からガスを排除する。

【0046】

この状態で後述する還元処理を実行しない場合、特に導電層１０２の表面が腐食し、コロージョンが発生する。この結果、図４（ｃ）に示すように、導電層１０２の上にハロゲン化物１０４が形成される。このため、制御部Ｃｎｔは、ステップＳ１１において成膜処理を実行した後に、コロージョンを抑制するために還元処理を行う。

【0047】

ステップＳ１３における還元効率を高めるために、ステップＳ１２において、制御部Ｃｎｔは、バルブ５３ｄを開き、流量制御器５３ｃを制御してＨ_２ガス供給源５３ａからＨ_２ガスを供給し、処理容器１の圧力を２０Ｐａ～１００Ｐａの範囲に制御する。制御部Ｃｎｔは、Ｈ_２ガスの供給を維持しつつ、処理室４内をパージする。ここで、制御部Ｃｎｔは、流量制御器５３ｃによりＨ_２ガス供給源５３ａからのＨ_２ガスの流量を制御しつつ、排気装置３０を制御して処理室４内の圧力を２０Ｐａ以上１００Ｐａ以下に制御する。

【0048】

図５は、処理室４内の圧力とイオンエネルギーとの関係の一例を示すグラフである。横軸のＰｒｅｓｓｕｒｅは、処理室４内の圧力を示し、縦軸のｉｏｎ ｅｎｅｒｇｙは、イオンエネルギーを示す。グラフでは、イオンエネルギーは、処理室４内の圧力が高いほど低くなっており、２０Ｐａ以上１００Ｐａ以下の範囲では、イオンエネルギーがわずかであるために、イオンによるダメージが小さくウエハＷ表面のラフネス（表面粗さ）が良くなる。

【0049】

Ｈ_２ガスの流量及び処理室４内の圧力が調整されると、制御部Ｃｎｔの処理はステップＳ１３に進む。ステップＳ１３において、制御部Ｃｎｔは、Ｈ_２ガスの供給を維持しつつ、処理室４内に水素及び窒素を含む第１ガスを供給し、第１ガスから生成されたプラズマにウエハＷをさらす。第１ガスは、Ｎ_２ガス、ＮＨ_３ガスのうち、いずれかであってもよい。ここでは、一例として、Ｈ_２ガス及び第１ガスとしてＮ_２ガスを供給する。

【0050】

制御部Ｃｎｔは、バルブ５３ｄを開いた状態で更にバルブ５４ｄを開き、流量制御器５３ｃ、５４ｃを制御してＨ_２ガス供給源５３ａ及びＮ_２ガス供給源５４ａから処理室４内にＨ_２ガスとＮ_２ガスを供給する。制御部Ｃｎｔは、高周波電源１５により高周波アンテナ１３を介して処理室４にプラズマ生成用高周波電力（ＲＦ）を供給し、処理室４にてＨ_２ガス及びＮ_２ガスからプラズマを生成する。生成されたプラズマにウエハＷをさらすことにより、導電層１０２の表面を還元する。所定時間が経過すると、制御部Ｃｎｔは、バルブ５３ｄ、５４ｄを閉じ、Ｈ_２ガスとＮ_２ガス供給を停止し、処理室４からガスを排除する。

【0051】

還元処理において、第１ガスがＨ_２ガスを含み、Ｎ_２ガスを含まない場合、導電層１０２の表面は還元され難く、ハロゲン化合物を除去することは難しい。これに対して、高周波電源２９から載置台２２にバイアス電力を印加し、イオンエネルギーを与えてハロゲン化合物を除去しようとすると、導電層１０２の表面のラフネスが悪くなる。

【0052】

導電層１０２の表面を還元し易くし、ハロゲン化合物の除去を促進しつつ、導電層１０２の表面のラフネスが良い状態にするために、第１ガスはＨ_２ガスに微量のＮ_２ガスを含む混合ガスとする。これにより、導電層１０２の表面をＨ_２とＮ_２のプラズマにより還元し易くする。この結果、図４（ｄ）に示すように、導電層１０２の表面上からハロゲン化物１０４が除去される。ただし、導電層１０２の表面が不安定（活性）になり、導電層１０２の表面に変質層１０５が生じたり、多少のハロゲン化物１０４が残ったりする。

【0053】

そこで、ステップＳ１４において、制御部Ｃｎｔは、導電層１０２を第２ガスにさらすことにより、導電層１０２上にシリコン又はアルミニウムを吸着させて安定化層を形成する。

【0054】

この安定化処理では、バルブ５６ｄを開き、流量制御器５６ｃを制御してＡｒガス供給源５６ａから処理室４内にＡｒガスを供給しつつ、処理室４内に、水素化されたシリコン又はアルキル化されたアルミニウムを含む第２ガスを供給する。第２ガスは、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＴＭＡ（Ａｌ（ＣＨ_３）_２）、又はＴＭＡＨ（ＡｌＨ（ＣＨ_３）_２）のいずれかを含む。ここでは、第２ガスの一例として、ＳｉＨ_４ガスを供給する。

【0055】

制御部Ｃｎｔは、バルブ５５ｄを開き、流量制御器５５ｃを制御してＳｉＨ_４ガス供給源５５ａから処理室４内にＳｉＨ_４ガスを供給する。ＳｉＨ_４ガスにウエハＷをさらすことにより、導電層１０２の表面にシリコンを吸着させ、安定化させる。

【0056】

この結果、図４（ｅ）に示すように、導電層１０２の表面に安定化層１０６が形成され、導電層１０２の表面の変質を防止又は抑制することができ、コロージョンを抑制することができる。

【0057】

ステップＳ１４では、制御部Ｃｎｔは、載置台２２の温度を、室温以上であってセラミックヒータ２１により温度制御が可能な３５０℃以下に制御してもよい。これにより、表面が還元された導電層１０２上に、第２ガスに含まれるシリコン又はアルミニウムが吸着し、安定化層１０６を形成することができる。ただし、安定化層１０６の形成をより確実に実施するためには、載置台２２の温度を、室温以上であって１００℃以下に制御することが好ましい。

【0058】

ステップＳ１４では、第２ガスからプラズマは生成しない。プラズマを用いると導電層１０２上にシリコン膜が形成されてしまい、第２ガスに含まれるシリコン又はアルミニウムを導電層１０２上に吸着させ、安定化層１０６を形成することができないためである。なお、安定化層１０６は層状でなくてもよく、導電層１０２の表面が安定した状態であればよい。ステップＳ１４の実行後、制御部Ｃｎｔは、基板処理方法ＳＴを終了する。

【0059】

還元処理及び安定化処理では、真空雰囲気が好ましく、雰囲気制御された処理であってもよい。なお、雰囲気制御される場合、雰囲気ガスは、活性表面と反応しない若しくは反応しにくいガスを用いることができる。

【0060】

基板処理方法ＳＴによれば、還元処理において、第１ガスのプラズマに導電層１０２の表面をさらして導電層１０２の表面の清浄化を行う。次に、安定化処理において、還元処理により不安定（活性）になった導電層１０２の表面をＳｉＨ_４ガス、ＴＭＡ等の第２ガスで処理して、導電層１０２の表面を安定化させる。これにより、導電層１０２の表面のコロージョン（腐食）及び変質層１０５の生成を抑制することができる。

【0061】

また、還元処理において、処理容器１内の圧力を、２０Ｐａ～１００Ｐａの範囲に制御することにより、イオンエネルギーを低減することができる。これにより、イオンによるダメージが少なく、導電層１０２の表面のラフネス（表面粗さ）を良好にすることができる。これにより、導電層１０２の表面におけるコロージョンの抑制とラフネスの良さを両立することができる。

【0062】

［実験結果］
還元処理において、第１ガスに含まれる水素原子と窒素原子の和に対する水素原子の割合（以下、Ｈ／Ｈ＋Ｎで示す。）は、０．７５～１未満（０．９９）であってよい。第１ガスの水素原子と窒素原子の和に対する水素原子の割合（Ｈ／Ｈ＋Ｎ）は、０．９５～１未満（０．９９）であってよい。以下、図６及び図７を参照しながら、Ｈ／Ｈ＋Ｎの数値についての実験結果について説明する。

【0063】

図６は、ＨとＮ原子の和に対するＨ原子の割合（Ｈ／Ｈ＋Ｎ）と接触角θｅの関係の一例を示すグラフである。図６の横軸はＨ／Ｈ＋Ｎを示し、縦軸は水の接触角θｅを示す。図７は、ＨとＮ原子の和に対するＨ原子の割合（Ｈ／Ｈ＋Ｎ）と表面粗さの関係の一例を示すグラフである。図７の横軸はＨ／Ｈ＋Ｎを示し、縦軸はラフネス（ＲＭＳ）を示す。図６及び図７の実験では、導電層１０２にはメッキで成膜したＣｕ膜を使用した。

【0064】

図６及び図７の●（黒丸）は、第１ガスがＨ_２ガスとＮ_２ガスとの混合ガスのとき、Ｈ_２ガスとＮ_２ガスの和に対するＨ_２ガスの割合（Ｈ_２／Ｈ_２＋Ｎ_２）をＨ／Ｈ＋Ｎに換算して接触角θｅ及びラフネスとの関係を示したものである。図６及び図７の△（三角）は、第１ガスがＨ_２ガスとＮＨ_３ガスとの混合ガスのとき、Ｈ_２ガスとＮＨ_３ガスの和に対するＨ_２ガスの割合（Ｈ_２／Ｈ_２＋ＮＨ_３）をＨ／Ｈ＋Ｎに換算して接触角θｅ及びラフネスとの関係を示したものである。図６及び図７の〇（白丸）は、第１ガスがＮ_２ガスとＮＨ_３ガスとの混合ガスのとき、ＮＨ_３に対するＮ_２ガスの割合（Ｎ_２／ＮＨ_３）を、ＮＨ_３中のＨとＮをＨ：Ｎ＝３：１としてＨ／Ｈ＋Ｎに換算して接触角θｅ及びラフネスとの関係に示したものである。

【0065】

図６のグラフでは、上記３種類の混合ガスからそれぞれ生成されたプラズマに銅メッキで形成されたＣｕ膜の導電層１０２の表面をさらした結果を示す。グラフは、縦軸の水の接触角θｅにおいて導電層１０２の表面の親水性の挙動を示す。

【0066】

これによれば、導電層１０２の表面が還元処理により清浄化し、親水性になると接触角θｅの角度が上がる方に変化した。接触角θｅが４０度～４５度であれば、導電層１０２の表面が清浄化していると判断できる。また、接触角θｅが４０度～４５度以上でほぼ一定であれば、導電層１０２の表面が清浄化された状態で変化していないと判断できる。

【0067】

グラフから、第１ガスがＨ_２ガスとＮ_２ガスとの混合ガスのとき（●）及び第１ガスがＨ_２ガスとＮＨ_３ガスとの混合ガスのとき（△）、Ｈ／Ｈ＋Ｎが０．７５～１未満の範囲で接触角θｅが概ね４５度以上になり、導電層１０２の表面の親水性が高かった。つまり、導電層１０２の表面が清浄化された。特に、第１ガスがＨ_２ガスとＮ_２ガスとの混合ガスのとき（●）、Ｈ／Ｈ＋Ｎが０．９５～１未満の範囲で接触角θｅが４５度よりも高く、導電層１０２の表面の親水性が更に高かった。つまり、導電層１０２の表面が更に清浄化された。また、グラフから、第１ガスがＮ_２ガスとＮＨ_３ガスとの混合ガスのとき（〇）、Ｈ／Ｈ＋Ｎが約０．５～約０．７の範囲において、接触角θｅが４０度～４５度以上でほぼ一定になり、導電層１０２の表面が清浄化された。

【0068】

図７のグラフでは、ラフネスが１ｎｍ台程度又はそれ以下になると、導電層１０２の表面のラフネスが良い状態を示す。すなわち、導電層１０２の表面に凹凸がなく、平坦な状態を示す。

【0069】

グラフから、第１ガスがＨ_２ガスとＮ_２ガスとの混合ガスのとき（●）及び第１ガスがＨ_２ガスとＮＨ_３ガスとの混合ガスのとき（△）、ラフネスが概ね１ｎｍ台になり、導電層１０２の表面が平坦で良い状態となった。一方、第１ガスがＮ_２ガスとＮＨ_３との混合ガスのとき（〇）、ラフネスが１ｎｍ台の約２倍程度になり、導電層１０２の表面が平坦されていない悪い状態となった。

【0070】

以上から、第１ガスがＨ_２ガスとＮ_２ガスとの混合ガス、及び、Ｎ_２ガスとＮＨ_３ガスとの混合ガスのとき、導電層１０２の表面の清浄化と、導電層１０２の表面のラフネスと、の両方が好ましい結果となった。つまり、還元処理に使用する第１ガスは、Ｈ_２ガスとＮ_２ガスとの混合ガス、Ｎ_２ガスとＮＨ_３ガスとの混合ガスのうちの、いずれかを使用できることがわかった。

【0071】

図８は、安定化処理の有無とウエハＷの断面模式図の一例である。図８の実験では、導電層１０２にはメッキで成膜したＣｕ膜を使用した。また、安定化工程において、真空雰囲気に雰囲気制御し、第２ガスには、Ｈ_２ガスとＮ_２ガスとの混合ガスを使用した。この条件にて、還元処理を実行した後、安定化処理を実行していないときの導電層１０２上のＴＥＭ画像を図８（ａ）に示す。図８（ａ）では、Ｃｕ膜の導電層１０２の表面に不安定な変質層１０５が形成された。このとき、ウエハＷを大気に暴露していない。その後、２時間、ウエハＷを大気に暴露した。２時間、ウエハＷを大気に暴露した後の導電層１０２上のＴＥＭ画像を図８（ｂ）に示す。

【0072】

図８（ｂ）では、導電層１０２の表面の不安定な変質層１０５が厚くなった。ハロゲン化した導電層１０２を有するウエハＷを大気に暴露したことにより、導電層１０２の表面が水と反応することでコロージョン（腐食）が発生し、変質層１０５が厚くなったと考えられる。

【0073】

図８（ａ）及び（ｂ）では、還元処理を実行した後に安定化処理を実行しなかった。これに対して、還元処理を実行した後に、大気に暴露せずに安定化処理を実行した後の導電層１０２上のＴＥＭ画像を図８（ｃ）に示す。

【0074】

図８（ｃ）では、導電層１０２の表面上の変質層１０５は大幅に改善された。図８（ｃ）の状態から２時間大気に暴露した後の導電層１０２上のＴＥＭ画像を図８（ｄ）に示す。図８（ｄ）では、導電層１０２の表面の変質層１０５は、図８（ｃ）の大幅に改善された状態から変化はなく、導電層１０２の表面の安定化層により、コロージョンが抑制された。

【0075】

図９及び図１０は、基板に形成されたＣｕ膜のＸＰＳ解析結果の一例を示すグラフである。ここでは、導電層１０２を模擬して、実験上においてメッキによってＣｕ膜を成膜したウエハについてＸＰＳ解析を行った。

【0076】

図９（ａ）～（ｄ）の一点鎖線で示す「Initial」は、Ｃｕ膜が形成されたウエハに還元処理を行う前のＣｕ膜表面のＸＰＳ解析結果を示す。破線で示す「H₂ Vessel」は、Ｃｕ膜が形成されたウエハについて、Ｈ_２プラズマを用いてＣｕ膜を還元処理した後のＣｕ膜表面のＸＰＳ解析結果を示す。実線で示す「H₂/N₂ Vessel」は、Ｃｕ膜が形成されたウエハについて、Ｈ_２ガスにＮ_２ガスを微量添加したプラズマを用いてＣｕ膜を還元処理した後のＣｕ膜表面のＸＰＳ解析結果を示す。この実験では、Ｈ／Ｈ＋Ｎを０．９５とした。横軸は結合エネルギーを示し、縦軸は単位時間当たりの検出数を示す。

【0077】

図９（ａ）は、Ｃ１ｓのＸＰＳ解析結果を示す。図９（ｂ）は、Ｏ１ｓのＸＰＳ解析結果を示す。図９（ｃ）は、Ｃｕ ２ｐのＸＰＳ解析結果を示す。図９（ｄ）は、Ｃｕ ＬＭＭのＸＰＳ解析結果を示す。

【0078】

図９（ａ）（ｂ）の結果から、「Initial」と「H₂ Vessel」とを比較すると、Ｈ_２プラズマを用いてＣｕ膜を還元処理することにより、Ｃｕ膜の表面に取り込まれていた酸素が減り、Ｃｕ膜の表面の酸化状態が改善された。

【0079】

また、Ｈ_２ガスにＮ_２ガスを微量添加したプラズマを用いてＣｕ膜を還元処理することにより、「H₂/N₂ Vessel」に示すように、イオンエネルギーが低い状態でＣｕ膜の表面から効率よく酸素が除去された。

【0080】

一方、図９（ｃ）（ｄ）の結果から、還元処理後にＣｕ^＋の状態が多い不安定な状態のＣｕ膜の表面に変質した。図８（ａ）（ｂ）に示す変質層が形成されたことと一致する。

【0081】

図１０は、安定化処理の有無とＸＰＳ解析結果の一例を示すグラフである。図１０（ａ）は、図９（ｄ）と同一グラフであり、還元処理後のＣｕ表面は、Ｃｕが再酸化されることで変質層が形成された。これに対して、図１０（ｂ）は、還元処理後のＣｕ表面にＳｉＨ_４ガスを供給し、安定化処理を行った後のＣｕ膜の表面を示す。

【0082】

図１０（ｂ）の一点鎖線で示す「Initial」は、Ｃｕ膜が形成されたウエハに安定化処理を行う前のＣｕ膜表面のＸＰＳ解析結果を示す。二点鎖線で示す「H₂+SiH₄ Flow atm」は、Ｃｕ膜が形成されたウエハについて、Ｈ_２プラズマを用いてＣｕ膜を還元処理した後にＳｉＨ_４ガスにＣｕ膜表面をさらして安定化処理を行った後のＣｕ膜表面のＸＰＳ解析結果を示す。破線で示す「H₂／N₂+SiH₄ Flow atm」は、Ｃｕ膜が形成されたウエハについて、Ｈ_２ガスにＮ_２ガスを微量添加したプラズマを用いてＣｕ膜を還元処理した後にＳｉＨ_４ガスにＣｕ膜表面をさらして安定化処理を行った後のＣｕ膜表面のＸＰＳ解析結果を示す。点線で示す「H₂/NH₃+SiH₄ Flow atm」は、Ｃｕ膜が形成されたウエハについて、Ｈ_２ガスにＮＨ_３ガスを微量添加したプラズマを用いてＣｕ膜を還元処理した後にＳｉＨ_４ガスにＣｕ膜表面をさらして安定化処理を行った後のＣｕ膜表面のＸＰＳ解析結果を示す。この実験では、Ｈ／Ｈ＋Ｎ＝０．９５とした。横軸は結合エネルギーを示し、縦軸は単位時間当たりの検出数を示す。

【0083】

これによれば、Ｃｕ膜が形成されたウエハに安定化処理を行った後は、安定化処理を行う前よりもＣｕ表面が安定化し、変質層が大幅に改善された。図８（ｃ）に示す変質層が大幅に改善され、Ｃｕ表面が安定化したことと一致する。

【0084】

以上の実験のプロセス条件の一例を示す。
（還元処理）
・Ｈ_２プラズマ
Ｈ_２ガス ：５００ｓｃｃｍ
圧力 ：２０Ｐａ
温度 ：１００℃
ＲＦ電力 ：２０００Ｗ（上部電極）／５０Ｗ（下部電極）
・Ｈ_２／Ｎ_２プラズマ
Ｈ_２ガス ：４７５ｓｃｃｍ
Ｎ_２ガス ：２５ｓｃｃｍ
圧力 ：２０Ｐａ
温度 ：１００℃
ＲＦ電力 ：１０００Ｗ（上部電極）

【0085】

（安定化処理）
・ＳｉＨ_４フロー
ＳｉＨ_４ガス ：３６ｓｃｃｍ
圧力 ： １５Ｐａ
温度 ：１００℃

【0086】

［その他］
本実施形態に係る基板処理方法ＳＴによれば、ハロゲン含有ガスのプリカーサを使用して成膜した導電層又は半導体層の表面のコロージョンを抑制することができる。ただし、これに限らず、ハロゲン含有ガスでエッチングした等、ハロゲン含有ガスを使用してプロセスを行ったときの下地層の導電層に対して好適に適用することができる。例えば、図３のステップＳ１１（成膜処理）に示す処理は、ハロゲン含有ガスを使用したエッチング等、成膜処理以外のプロセスであってもよい。

【0087】

図３のステップＳ１１からステップＳ１４に示す処理は、真空雰囲気が好ましく、雰囲気制御された処理であってもよい。また、ステップＳ１１からステップＳ１４に示す処理は、同一の基板処理装置で行われる構成であってもよい。また、ステップＳ１１に示す処理を施す基板処理装置と、ステップＳ１２，Ｓ１３に示す処理を施す基板処理装置と、ステップＳ１４に示す処理を施す基板処理装置と、を真空搬送室または雰囲気制御された搬送室で接続する構成であってもよい。これにより、ステップＳ１３に示す還元工程の後、ステップＳ１４に示す安定化工程の前に、ウエハＷを大気に暴露することがないため、導電層１０２の表面に不安定な変質層が形成されることを抑制することができる。

【0088】

基板処理装置は、ウエハを１枚ずつ処理するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、ＡＬＤ等の枚葉式の処理装置に限定されない。例えば、基板処理装置は、複数のウエハをウェハボートに保持して処理容器内に搬入し、複数のウエハに対して一度に処理を行うバッチ式の処理装置であってもよい。また、例えば基板処理装置は、処理容器内の回転テーブルの上に配置した複数のウエハを回転テーブルにより公転させ、一のガスが供給される領域と他のガスが供給される領域とを順番に通過させてウエハに対して処理を行うセミバッチ式の装置であってもよい。また、例えば成膜装置は１つの処理容器内に複数の載置台を備えた複数枚葉成膜装置であってもよい。

【0089】

以上に説明したように、本実施形態の基板処理方法及び基板処理装置によれば、導電層又は半導体層の表面のコロージョンを抑制することができる。

【0090】

今回開示された実施形態に係る基板処理方法及び基板処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。

【符号の説明】

【0091】

１…処理容器、１ａ…接地線、２…誘電体壁、３…アンテナ室、３ａ…側壁、４…処理室、４ａ…側壁、５…支持棚、１０…プラズマ処理装置、１１…シャワー筐体、１２…ガス流路、１２ａ…ガス供給孔、１３…高周波アンテナ、１３ａ…スペーサ、１４…整合器、１５…高周波電源、１６…給電部材、１８…コンデンサ、２０…処理ガス供給系、２０ａ…ガス供給管、２１…セラミックヒータ、２２…載置台、２４…絶縁体枠、２５…支柱、２５ａ…給電棒、２６…ベローズ、２７…ゲートバルブ、２７ａ…搬入出口、２８…整合器、２９…高周波電源、３０…排気装置、３１…排気管、４１…給電部、４３…給電部、５１ａ…ＳｉＦ_４ガス供給源、５２ａ…Ｏ_２ガス供給源、５３ａ…Ｈ_２ガス供給源、５４ａ…Ｎ_２ガス供給源、５５ａ…ＳｉＨ_４ガス供給源、５６ａ…Ａｒガス供給源、１０１…絶縁層、１０２…導電層、１０３…ＳｉＯＦ膜、Ｃｎｔ…制御部、Ｗ…ウエハ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【手続補正書】

【提出日】2024-11-12

【手続補正1】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0040】

絶縁層１０１の材料は、Ｌｏｗ－Ｋ膜、金属酸化物絶縁膜であり得る。また、絶縁層１０１の材料は、ｘ、ｙを自然数として、ＳｉＯ_ｘ、Ｓｉ _ｘ Ｎ _ｙ 、ＳｉＣ_ｘ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＨ、Ａｌ_ｘＯ_ｙ等の絶縁膜であり得る。