特開 2025-99769 クリーニング装置、インプリント装置、クリーニング方法、及び物品の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025099769

(43)【公開日】2025-07-03

(54)【発明の名称】クリーニング装置、インプリント装置、クリーニング方法、及び物品の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20250626BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20250626BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 502D

H01L21/304 645C

H01L21/304 648G

H01L21/304 648L

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023216686

(22)【出願日】2023-12-22

(71)【出願人】

【識別番号】000001007

【氏名又は名称】キヤノン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100094112

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 讓

(74)【代理人】

【識別番号】100101498

【弁理士】

【氏名又は名称】越智 隆夫

(74)【代理人】

【識別番号】100106183

【弁理士】

【氏名又は名称】吉澤 弘司

(74)【代理人】

【識別番号】100136799

【弁理士】

【氏名又は名称】本田 亜希

(72)【発明者】

【氏名】丸山 洋之

【テーマコード（参考）】

5F146

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F146AA28

5F146AA32

5F157BG32

5F157BG72

5F157BG73

5F157BG82

5F157BG85

5F157BG86

5F157BG96

5F157BH18

5F157CD36

5F157CE03

5F157CE23

5F157CE83

5F157CF20

5F157CF42

5F157CF44

5F157DB02

5F157DB18

5F157DC90

(57)【要約】

【課題】基板上にパターンを転写する際に用いられる原版をクリーニングするのに有利なクリーニング装置を提供する。
【解決手段】基板上のインプリント材へのパターンの形成に用いられる原版のクリーニング装置は、前記原版を保持するステージと、プラズマを照射するプラズマ照射部と、前記ステージ及び前記プラズマ照射部の少なくとも一方の位置を変更する駆動部と、前記原版が前記プラズマ照射部の照射方向に位置しない状態において、前記プラズマの照射を開始するように前記プラズマ照射部及び前記駆動部を制御する制御部とを有することを特徴とする。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上のインプリント材へのパターンの形成に用いられる原版のクリーニング装置であって、
前記原版を保持するステージと、
プラズマを照射するプラズマ照射部と、
前記ステージ及び前記プラズマ照射部の少なくとも一方の位置を変更する駆動部と、
前記原版が前記プラズマ照射部の照射方向に位置しない状態において、前記プラズマの照射を開始するように前記プラズマ照射部及び前記駆動部を制御する制御部とを有することを特徴とするクリーニング装置。

【請求項2】

前記制御部は、前記原版が前記プラズマ照射部の前記照射方向に位置しない状態において前記プラズマの照射を開始し、前記プラズマを照射した状態で前記照射方向に前記原版が位置するように前記プラズマ照射部及び前記駆動部を制御して、前記原版をクリーニングすることを特徴とする請求項１に記載のクリーニング装置。

【請求項3】

前記原版以外に設けられた排気開口部を備え、
前記制御部は、前記排気開口部が前記プラズマ照射部の照射方向に位置する状態において、前記プラズマの照射を開始するように前記プラズマ照射部及び前記駆動部を制御することを特徴とする請求項１に記載のクリーニング装置。

【請求項4】

前記制御部は、前記原版が前記照射方向にない状態において、前記プラズマの照射を終了するように前記プラズマ照射部及び駆動部を制御することを特徴とする請求項１に記載のクリーニング装置。

【請求項5】

前記原版以外に設けられた排気開口部を備え、
前記制御部は、前記排気開口部が前記照射方向に位置する状態において、前記プラズマの照射を終了するように前記プラズマ照射部及び前記駆動部を制御することを特徴とする請求項１に記載のクリーニング装置。

【請求項6】

前記排気開口部は、前記ステージに構成されていることを特徴とする請求項３に記載のクリーニング装置。

【請求項7】

複数の前記排気開口部を有することを特徴とする請求項３に記載のクリーニング装置。

【請求項8】

前記プラズマの照射が開始する位置と前記プラズマの照射が終了する位置は、前記原版を挟んで互いに対向する位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のクリーニング装置。

【請求項9】

前記プラズマ中の粒子を検出する検出部を有し、
前記制御部は、前記プラズマの照射を開始した後の前記検出部の検出結果に基づき、前記プラズマを照射した状態で前記照射方向に前記原版が位置するように前記プラズマ照射部及び前記駆動部の制御を開始することを特徴とする請求項１に記載のクリーニング装置。

【請求項10】

前記検出部は前記プラズマ中の粒子数を検出するパーティクルカウンタであり、
前記制御部は、前記プラズマの照射を開始した後の前記検出部により検出された前記粒子数が閾値以下である場合に、前記プラズマを照射した状態で前記プラズマ照射部による前記照射方向に前記原版が位置するように前記プラズマ照射部及び前記駆動部を制御することを特徴とする請求項９に記載のクリーニング装置。

【請求項11】

原版としての型を用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
請求項１から１０までの何れか一項に記載のクリーニング装置を有することを特徴とするインプリント装置。

【請求項12】

請求項１１に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程とを有し、
処理した前記基板を用いて物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。

【請求項13】

基板上のインプリント材へのパターンの形成に用いられる原版のクリーニング方法であって、
プラズマを照射するプラズマ照射部の照射方向に前記原版が位置しないように、前記原版を保持するステージ及び前記プラズマ照射部の少なくとも一方を駆動する照射前ステップと、
前記照射前ステップの後に、前記プラズマの照射を開始する照射開始ステップと、
前記照射開始ステップの後に、前記プラズマを照射している状態で前記照射方向に前記原版が位置するように前記プラズマ照射部及び前記原版の少なくとも一方を駆動する移動ステップと、
前記移動ステップの後に、前記プラズマを前記原版に照射して前記原版をクリーニングする照射ステップとを有することを特徴とするクリーニング方法。

【請求項14】

前記照射ステップの後に、前記プラズマを照射している状態で前記照射方向に前記原版が位置しないように前記プラズマ照射部及び前記原版の少なくとも一方を駆動する退避ステップと、
前記退避ステップの後に、前記プラズマの照射を終了する照射終了ステップとを有することを特徴とする請求項１３に記載のクリーニング方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、クリーニング装置、インプリント装置、クリーニング方法、及び物品の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加えて、基板上の未硬化の樹脂（インプリント材）を型で成形し、樹脂の微細なパターンを基板上に形成するインプリント技術が注目を集めている。インプリント技術では、基板上にナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。

【0003】

インプリント装置では、まず、基板上のインプリント領域に樹脂を供給（塗布）し、基板上の未硬化の樹脂と型とを接触させた状態で光を照射して樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から型を引き離すことで基板上にパターンを形成する。

【0004】

インプリント装置では型と基板上の樹脂とを接触させるため、型に樹脂の硬化物が残存することがある。型に樹脂の硬化物が残存した状態でインプリント処理を行うと、残存した樹脂がそのまま転写され、基板上に形成されるパターンに欠陥などが生じてしまう。よって、型は定期的にクリーニングする必要がある。

【0005】

特許文献１には、プラズマによって異物を除去する技術が開示されている。特許文献２には、クリーニング対象部材をプラズマによってクリーニングするクリーニング装置を露光装置内に備える技術が開示されている。特許文献３には、プラズマヘッドに排気開口部、ヒーターの熱放射開口部、プラズマ照射の開口部、ガス放出開口部の中心を並べて配置し、プラズマによって基板に付着した異物を除去する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００９－１６４３４号公報

【特許文献2】特開２０１０－９３２４５号公報

【特許文献3】特表２０２１－５０６１１９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

しかし、従来のクリーニング装置では、プラズマの照射開始時にプラズマ照射部に構成されている電極もしくは誘電体から発生した微少粒子が洗浄対象である基板やクリーニング装置の構成部材の表面に付着してしまうという課題がある。
そこで、本発明は、基板上にパターンを転写する際に用いられる型(原版)をクリーニングするのに有利なクリーニング装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明のクリーニング装置は、基板上のインプリント材へのパターンの形成に用いられる型(原版)のクリーニング装置であって、前記原版を保持するステージと、プラズマを照射するプラズマ照射部と、前記ステージ及び前記プラズマ照射部の少なくとも一方の位置を変更する駆動部と、前記型(原版)が前記プラズマ照射部の照射方向に位置しない状態において、前記プラズマの照射を開始するように前記プラズマ照射部及び前記駆動部を制御する制御部とを有することを特徴とする。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、基板上にパターンを転写する際に用いられる型(原版)をクリーニングするのに有利なクリーニング装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】第１実施形態に係るクリーニング装置の構成を示す概略断面図である。

【図2】第１実施形態に係るクリーニング装置の概略上面図である。

【図3】第１実施形態に係るクリーニング方法を示すフローチャートである。

【図4】第２実施形態に係るクリーニング装置の構成を示す概略断面図である。

【図5】第２実施形態に係るクリーニング方法を示すフローチャートである。

【図6】第２実施形態に係るクリーニング方法を示すフローチャートである。

【図7】クリーニング装置を適用したインプリント装置の構成を示す概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態では、基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置に用いられる型（モールド、原版）に本発明を適用する例について説明するが、パターンを基板に投影して転写する露光装置に用いられるマスク（原版）に本発明を適用しても良い。このように、本発明において原版は、インプリント装置で用いられる型や露光装置で用いられるマスクが含まれる。

【0012】

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係るクリーニング装置１００の構成を示す概略図である。
以下の図において、型の表面に平行な面内において互いに直交する方向をＸ方向及びＹ方向とし、Ｘ方向及びＹ方向に垂直な方向（型の表面に垂直な方向）をＺ方向として説明する。クリーニング装置１００は、型１を保持する型ステージ２１と、加熱部２と、加熱部２の熱放射部３と、プラズマヘッド４とを備える。加熱部２は、駆動機構５に保持され駆動する。

【0013】

型１は、例えば、基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置に用いられる。型１の片側の表面には、基板上に供給されたインプリント材を成形する凹凸のパターンが３次元形状に形成されたパターン部６を備える。パターン部６はメサとも呼ばれ、押印時に型１のパターン部６以外が基板に接触しないように数十μｍ～数百μｍの凸部に形成されている。このため、メサエッジと呼ばれるパターン部６の端部には、インプリント材の硬化物が残存しやすく、インプリント処理を繰り返すとインプリント材の硬化物が堆積することがある。

【0014】

本実施形態の型１のパターン部６の対向面側の中央部分には、円筒状にくり抜かれたコアアウト部７（窪み）が形成されている。コアアウト部７は、凹凸のパターン部６に対応した領域に形成されており、より詳細には、凹凸のパターン部６よりも広い面積の窪みである。

【0015】

加熱部２の熱放射部３は、例えば遠赤外線ヒーターで構成されている。光硬化法を採用したインプリント装置では、型１の材料として石英が用いられ、０．２μｍ～２μｍの波長の光に対し９０％以上の透過率を有する。石英は波長３μｍ以上の遠赤外線の照射領域では透過率が低く吸熱しやすくなるため、効率よく加熱することができる。
プラズマヘッド４から照射されるプラズマ８内で生成されるラジカルは、パターン部６の温度を上げることにより、ラジカルとインプリント材の硬化物との化学反応の速度を速め、パターン部６のクリーニング効率を上げることができる。

【0016】

プラズマ８の化学反応により生じたガスに含まれる粒子がパターン部６に再付着することを防止するため、パターン部６の温度を高温に保っておくことが望ましい。したがって、熱放射部３はパターン部６の直上に配置し、熱放射部３の大きさは、パターン部６と同じ大きさか、パターン部６より大きいことが望ましい。加熱部２は型１がクリーニング装置１００内に搬送され、型ステージ２１に搭載される際、駆動機構５によりＺ方向に上昇し、型１と接触しないよう退避される。型１が型ステージ２１に搭載後、加熱部２はＺ方向に下降し、熱放射部３は型１のコアアウト部７内に配置され、熱放射部３下面とコアアウト部７底面の距離は、好ましくは０．１ｍｍ～２ｍｍの間になるように制御部（不図示）で制御されてもよい。

【0017】

図２は図１のクリーニング装置の上面図である。加熱部２は型１のコアアウト部７の略中央に配置され、駆動機構５に保持される。加熱部２はコアアウト部７の窪み形状より小さく、熱放射部３の下面がコアアウト部７の底面に近接するように駆動することができる。型１やコアアウト部７の位置や形状を測定するための測定器(不図示)を設けてもよい。

【0018】

図１に戻り、プラズマヘッド４から照射されるプラズマ８は、例えば、高周波電源を用いて大気圧中で発生させる大気圧プラズマ８である。大気圧プラズマを用いることで、コストを低減することが可能となる。プラズマ８の周囲が大気の場合、様々な気相反応が起こり、パターン部６のクリーニングのムラが発生する。ムラの発生を抑えるため、プラズマ８の周囲を不活性ガスでパージすることが望ましい。

【0019】

パージガスはガス流路９を通りパージガス放出開口部１０から放出される。パージガスはプラズマヘッド４の上面を流れ、プラズマ照射部１３を通りガス排気開口部１１からガス流路１２を通り回収される。不図示の除害装置でパージガスの有害ガス成分を処理するようにしてもよい。

【0020】

プラズマ照射部１３内には電極１４が備えられ、電極１４に高周波電圧を印加することによりプラズマ８を発生させる。プラズマ８を生成させるための第１のガスと反応物質を含む第２のガスがガス流路１５を通り供給される。第１のガスと第２のガスはガス排気開口部１１からガス流路１２を通り回収される。電極１４は誘電体により覆われた平行平板型構造や、筒型構造のトーチ型であってもよいが、これに限定されるものではなく、プラズマ８を生成させる構造であればよい。プラズマヘッド４は、プラズマ８を照射するプラズマ照射部１３を１つ備えていてもよいし、複数個備えていてもよい。

【0021】

型１を保持する型ステージ２１及びプラズマヘッド４の少なくとも一方は不図示の駆動部により、ＸＹ平面内で相対的に移動できる構成を有し、型１とプラズマヘッド４との相対的な位置関係が変更できる。プラズマ８が型１に照射される範囲がパターン部６の領域に対して狭い場合、型１を保持した型ステージ２１及びプラズマヘッド４の少なくとも一方がＸＹ平面内で移動することにより、パターン部６全体をクリーニングすることができる。

【0022】

また、パターン部６の異物の付着による汚れ具合を検知機構（不図示）等で検知し、汚れ具合に合わせて移動速度や移動範囲を変えて型ステージ２１及びプラズマヘッド４の少なくとも一方を駆動してもよい。ＸＹ平面上の移動は１軸のみ移動、もしくは２軸移動でもよい。また、パターン部６内の異物の付着したところだけのクリーニングを実施し、クリーニング時間を短縮するようにしてもよい。または、パターン部６を含む型１内に付着した異物に対してクリーニングを実施するようにしてもよい。

【0023】

駆動機構５に保持された加熱部２は型ステージ２１の駆動に合わせて、コアアウト部７の側面と接触しないように、Ｚ方向の駆動をしてもよい。または駆動機構５が型ステージ２１の移動に合わせてＸＹ平面内で移動するようにしてもよい。

【0024】

本実施形態によれば、プラズマ８の照射範囲がパターン部６に対して狭い場合でも、型１とプラズマヘッド４との相対的な位置関係を変更させながら、型１に堆積したインプリント材などの異物を効率的に除去することができる。また、本実施形態によれば、パターン部６の温度を高温に保った状態で、プラズマ８を照射し、型１に堆積したインプリント材などの異物を効率的に除去することができる。

【0025】

プラズマ８の照射開始時には、電極１４のアーク放電によりプラズマを発生させる方式の場合は、アーク放電により電極１４の表面から電極材料がパーティクルとしてプラズマ照射部１３からプラズマ８と一緒に放出される。また、誘電体バリア放電の場合は、誘電体の材料がパーティクルとしてプラズマ照射部１３からプラズマ８と一緒に放出される。そのため、型１の下にプラズマ照射部１３が位置する（プラズマ照射方向に型１が位置する）状態でプラズマ８の照射を開始すると、プラズマ８と一緒に放出される電極材料又は誘電体材料のパーティクルが型１に付着する虞がある。

【0026】

本実施形態のクリーニング装置においては、電極材料又は誘電体材料のパーティクルの型１への付着を防止するため、型ステージ２１の下面２２（原版以外）がプラズマ照射部１３の上部に位置している状態でプラズマ８の照射を開始する。

【0027】

図３のフローチャートを参照しながら、本実施形態のクリーニング方法を順に説明する。
プラズマ照射部１３のプラズマ照射方向が型１以外の位置と対向するように、不図示の制御部は型ステージ２１とプラズマ照射部１３の相対位置を移動（変更）する（ステップＳ１０１、照射前ステップ）。
プラズマ照射部１３のプラズマ照射方向が型１以外の位置と対向した状態で、プラズマ照射部１３によるプラズマ８の照射を開始する（ステップＳ１０２、照射開始ステップ）。

【0028】

プラズマ照射部１３によるプラズマ８の照射の開始から一定時間の経過を待つ。プラズマ８を照射した状態で、駆動部により型ステージ２１及びプラズマヘッド４の少なくとも一方をＸＹ平面内で移動させて、ＸＹ平面内でパターン部６とプラズマ照射部１３が重なるようにする。即ち、プラズマ照射方向がパターン部６と対向する位置となるように型ステージ２１とプラズマヘッド４との相対位置を変更する（ステップＳ１０３、移動ステップ）。

【0029】

プラズマ照射方向がパターン部６と対向している状態で、プラズマ８を照射して型１のパターン部６のクリーニングを行う（ステップＳ１０４、照射ステップ）。
この方法で型１のクリーニングを開始することにより、パーティクルが多く発生するプラズマ８の照射開始時には、パターン部６の下にプラズマヘッド４が位置していないため、パターン部６にパーティクルが付着してしまうことを防止することができる。

【0030】

必要なクリーニングが終了すると、プラズマ照射を継続したまま、プラズマ照射部１３のプラズマ照射方向が型１以外の位置と対向するように、不図示の駆動部によって型ステージ２１とプラズマ照射部１３の相対位置を移動する（ステップＳ１０５、退避ステップ）。
プラズマ照射部１３のプラズマ照射方向が型１以外の位置と対向した状態（例えば、型ステージ２１に対向する状態）まで移動した状態で、プラズマ照射部１３によるプラズマ８の照射を停止する（ステップＳ１０６、照射終了ステップ）。

【0031】

このように、本実施形態においては、ステップＳ１０１において、プラズマ８の照射を開始して一定時間が経過した後に、パターン部６とプラズマヘッド４とが対向する位置に移動して、クリーニングを開始するようにした。これに対し、プラズマヘッド４から放出されたパーティクルを検出して、パーティクル検出量が閾値以下になってから、パターン部６とプラズマヘッド４とが互いに対向するように移動させ、クリーニングを開始するようにしてもよい。その場合には、プラズマヘッド４近傍にパーティクルを採取するためのポートを設けて、そのポートを介してパーティクルカウンタでプラズマ８中のパーティクル数の測定を行ってもよい。

【0032】

本実施形態によれば、プラズマ８の照射開始時に発生するパーティクルを型１のパターン部６に付着させることなく、型１に堆積したインプリント材などの異物を効率的に除去することができる。

【0033】

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態において第１実施形態と同様の構成については説明を省略し、異なる構成について説明する。
図４は、第２実施形態に係るクリーニング装置１００の構成を示す概略図である。第２実施形態のクリーニング装置１００は、型１を保持する型ステージ２１の下面２２にパーティクルを排気・回収するための不図示の排気手段に接続された排気開口部２３を備える。

【0034】

図示の制御部により、プラズマ８の照射開始時には、プラズマヘッド４が、型ステージ２１の下面２２の排気開口部２３と対向するように、プラズマヘッド４と型ステージ２１との相対的な位置が調整されている。プラズマヘッド４が排気開口部２３と対向した状態でプラズマ８の照射を開始し、プラズマ８の照射開始時に発生するパーティクルは周囲に拡散することはなく排気流路２４を通る気流によって回収することができる。

【0035】

プラズマ８の照射を開始して一定時間が経過した後、プラズマ８を照射したままの状態で型ステージ２１及びプラズマヘッド４の少なくとも一方をＸＹ平面内で移動させ、型１のパターン部６のクリーニングを行う。

【0036】

図５のフローチャートを参照しながら、本実施形態のクリーニング方法を順に説明する。
プラズマ照射部１３のプラズマ照射方向が型ステージ２１の下面２２に形成された排気開口部２３と対向するように、不図示の制御部は型ステージ２１とプラズマ照射部１３の相対位置を移動（変更）する（ステップＳ２０１、照射前ステップ）。
プラズマ照射部１３のプラズマ照射方向が排気開口部２３と対向した状態で、プラズマ照射部１３によるプラズマ８の照射を開始する（ステップＳ２０２、照射開始ステップ）。

【0037】

図５のフローチャートのステップＳ１０３～Ｓ１０６は、図３で説明した第１実施形態と同様であるので、ここでの説明は省略する。

【0038】

第２実施形態においても、ステップＳ２０１において、プラズマ８の照射を開始して一定時間が経過した後に、パターン部６とプラズマヘッド４とが対向する位置に移動して、クリーニングを開始するようにした。これに対し、第１実施形態と同様にプラズマヘッド４から放出されたパーティクルを検出して、パーティクル検出量が閾値以下になってから、パターン部６とプラズマヘッド４とが互いに対向するように移動させ、クリーニングを開始するようにしてもよい。

【0039】

第２実施形態においては、排気流路２４の流路内にパーティクルを採取するための不図示の分岐を設け、分岐先に設けられた不図示のパーティクルカウンタ（検出部）でパーティクル数の測定を行うようにしてもよい。この構成により、プラズマ８の照射開始時には、パーティクルカウンタでのパーティクル数（検出結果、粒子数）が閾値以下になってから、クリーニング位置へ移動し、クリーニングを開始するようにしてもよい。

【0040】

排気開口部２３は型ステージ２１に１つだけ設けてもよいし、型ステージ２１に複数の排気開口部２３を設けるようにしてもよい。さらに、排気開口部が設置される位置は、型１以外（原版以外）であればよく、型ステージ２１、又はその他の部材、或いは型１に照射方向が向かないような位置に排気開口部だけが独立して設置されるようにしてもよい。複数の排気開口部２３を備える場合には、型１を型ステージ２１に載せた後、プラズマ照射部１３に一番近い排気開口部２３がプラズマ照射部１３の上部に位置する状態に移動し、プラズマ８の照射を開始するとよい。これにより、クリーニング開始までの時間を短縮することができる。

【0041】

プラズマ８の照射終了時に発生するパーティクルを回収することができるように、排気開口部２３がプラズマ照射部１３の上部に位置するように移動させた後にプラズマ８の照射を終了するようにしてもよい。また、プラズマ照射開始時に使用する排気開口部２３に対して、型１を挟んだ反対側に第２の排気開口部（不図示）を設けるようにしてもよい。

【0042】

これにより、プラズマ照射部１３がパターン部６を挟んで排気開口部２３の反対側でクリーニングが終了した場合、第２の排気開口部がプラズマ照射部１３の上部に位置するように移動させた後にプラズマ８の照射を終了することができる。第２の排気開口部を有することにより、クリーニング終了時のプラズマ照射部１３の位置に関わらず、早く排気開口部の位置にプラズマ照射部１３を相対移動させて、プラズマ８の照射終了時に発生するパーティクルを回収することができる。

【0043】

図６に第２実施形態において、排気開口部がプラズマ照射部１３の上部に位置するように移動させた後にプラズマ８の照射を終了する場合の処理フロー示す。当該フローチャートにおいて、ステップＳ２０１、Ｓ２０２、Ｓ１０３、Ｓ１０４は図５と同様であるので説明を省略する。
ステップＳ１０４で必要なクリーニングが終了すると、プラズマ照射を継続したまま、プラズマ照射部１３のプラズマ照射方向が排気開口部と対向するように、不図示の駆動部によって型ステージ２１とプラズマ照射部１３の相対位置を移動する（ステップＳ２０５、退避ステップ）。ここで、排気開口部は、プラズマ照射開始時に対向していた排気開口部２３でもよいし、第２の排気開口部でもよいし、他の排気開口部でもよい。

【0044】

図６のフローチャートのステップＳ１０６は、図３で説明した第１実施形態と同様であるので、ここでの説明は省略する。

【0045】

本実施形態によれば、プラズマ８の照射開始時に発生するパーティクルや照射終了時に発生するパーティクルを型１のパターン部６や型ステージ２１の下面２２、プラズマヘッド４の上面に付着させることなく、型１に堆積したインプリント材などの異物を効率的に除去できる。

【0046】

＜インプリント装置の実施形態＞
本発明の適用例として、クリーニング装置１００をインプリント装置内に設けてもよい。
図７は、クリーニング装置１００を適用したインプリント装置２００の構成を示す概略図である。インプリント装置２００は、基板２０２上に型１を用いてインプリント材のパターンを形成する装置である。インプリント装置２００は、型１を保持して移動する型保持部２０１と、基板２０２を保持して移動する基板ステージ２０３と、型１を搬送する搬送部２０４と、回収部２０５と、クリーニング装置１００と、を備える。

【0047】

回収部２０５は、クリーニング装置１００が型１のクリーニングを行うことによって生じるガス、特に、インプリント処理に対して阻害となるガスを回収する。但し、インプリント処理に対して阻害となるガスが生じない場合や、クリーニング装置１００をインプリント装置２００から独立させた形態で使用する場合には、回収部２０５は、必ずしも必要な構成要素ではない。

【0048】

本実施形態に係るクリーニング装置１００の構成は上述の実施形態と同様である。また、インプリント装置２００内に複数の型１を保管する場所を有し、そこでクリーニングが可能であれば、型１のクリーニングと並行して、他の型を用いてインプリント処理を行ってもよい。
インプリント装置２００内にクリーニング装置１００を設けることで、型１をクリーニング装置１００まで搬送する距離が短縮できるため、クリーニング処理時間を短縮することが可能となる。

【0049】

＜物品の製造方法の実施形態＞
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置２００を用いて基板２０２（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。

【0050】

さらに該製造方法は、パターンが形成された基板２０２をエッチングする工程を含み得る。
なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンが形成された基板２０２を加工する他の処理を含み得る。

【0051】

本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

【0052】

＜その他の実施形態＞
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

【0053】

本実施形態の開示は、以下の構成及び方法を含む。
（構成１）
基板上のインプリント材へのパターンの形成に用いられる原版のクリーニング装置であって、
前記原版を保持するステージと、
プラズマを照射するプラズマ照射部と、
前記ステージ及び前記プラズマ照射部の少なくとも一方の位置を変更する駆動部と、
前記原版が前記プラズマ照射部の照射方向に位置しない状態において、前記プラズマの照射を開始するように前記プラズマ照射部及び前記駆動部を制御する制御部とを有することを特徴とするクリーニング装置。
（構成２）
前記制御部は、前記原版が前記プラズマ照射部の前記照射方向に位置しない状態において前記プラズマの照射を開始し、前記プラズマを照射した状態で前記照射方向に前記原版が位置するように前記プラズマ照射部及び前記駆動部を制御して、前記原版をクリーニングすることを特徴とする構成１に記載のクリーニング装置。
（構成３）
前記原版以外に設けられた排気開口部を備え、
前記制御部は、前記排気開口部が前記プラズマ照射部の照射方向に位置する状態において、前記プラズマの照射を開始するように前記プラズマ照射部及び前記駆動部を制御することを特徴とする構成１又は２に記載のクリーニング装置。
（構成４）
前記制御部は、前記原版が前記照射方向にない状態において、前記プラズマの照射を終了するように前記プラズマ照射部及び駆動部を制御することを特徴とする構成１から３までの何れか一項に記載のクリーニング装置。
（構成５）
前記原版以外に設けられた排気開口部を備え、
前記制御部は、前記排気開口部が前記照射方向に位置する状態において、前記プラズマの照射を終了するように前記プラズマ照射部及び前記駆動部を制御することを特徴とする構成１から４までの何れか一項に記載のクリーニング装置。
（構成６）
前記排気開口部は、前記ステージに構成されていることを特徴とする構成３又は５に記載のクリーニング装置。
（構成７）
複数の前記排気開口部を有することを特徴とする構成３、５又は６に記載のクリーニング装置。
（構成８）
前記プラズマの照射が開始する位置と前記プラズマの照射が終了する位置は、前記原版を挟んで互いに対向する位置に配置されていることを特徴とする構成１から７までの何れか一項に記載のクリーニング装置。
（構成９）
前記プラズマ中の粒子を検出する検出部を有し、
前記制御部は、前記プラズマの照射を開始した後の前記検出部の検出結果に基づき、前記プラズマを照射した状態で前記照射方向に前記原版が位置するように前記プラズマ照射部及び前記駆動部の制御を開始することを特徴とする構成１から８までの何れか一項に記載のクリーニング装置。
（構成１０）
前記検出部は前記プラズマ中の粒子数を検出するパーティクルカウンタであり、
前記制御部は、前記プラズマの照射を開始した後の前記検出部により検出された前記粒子数が閾値以下である場合に、前記プラズマを照射した状態で前記プラズマ照射部による前記照射方向に前記原版が位置するように前記プラズマ照射部及び前記駆動部を制御することを特徴とする構成９に記載のクリーニング装置。
（構成１１）
原版としての型を用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
構成１から１０までの何れか一項に記載のクリーニング装置を有することを特徴とするインプリント装置。
（方法１）
構成１１に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程とを有し、
処理した前記基板を用いて物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
（方法２）
基板上のインプリント材へのパターンの形成に用いられる原版のクリーニング方法であって、
プラズマを照射するプラズマ照射部の照射方向に前記原版が位置しないように、前記原版を保持するステージ及び前記プラズマ照射部の少なくとも一方を駆動する照射前ステップと、
前記照射前ステップの後に、前記プラズマの照射を開始する照射開始ステップと、
前記照射開始ステップの後に、前記プラズマを照射している状態で前記照射方向に前記原版が位置するように前記プラズマ照射部及び前記原版の少なくとも一方を駆動する移動ステップと、
前記移動ステップの後に、前記プラズマを前記原版に照射して前記原版をクリーニングする照射ステップとを有することを特徴とするクリーニング方法。
（方法３）
前記照射ステップの後に、前記プラズマを照射している状態で前記照射方向に前記原版が位置しないように前記プラズマ照射部及び前記原版の少なくとも一方を駆動する退避ステップと、
前記退避ステップの後に、前記プラズマの照射を終了する照射終了ステップとを有することを特徴とする方法２に記載のクリーニング方法。

【符号の説明】

【0054】

１ 型（原版）
１３ プラズマ照射部
２１ ステージ
１００ クリーニング装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】