特開2026-119044IP Force 特許公報全文掲載

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要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】 ビアメタライゼーションと、ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間のギャップと、を含むガラス貫通ビア構造、ならびに関連するパッケージ、機器、及びシステムが論じられる。
【解決手段】 集積回路パッケージで使用されるガラス基板は、第１表面と、反対側の第２表面と、第１表面と第２表面との間に延在する開口部とを有する。犠牲材料が開口部の側壁上にコーティングされ、ビアメタライゼーションが犠牲材料内に形成される。犠牲材料は除去され、ビアメタライゼーションと開口部の側壁との間に１つ以上のギャップを残して、ビアメタライゼーションとガラス基板とを少なくとも部分的に分離する。
【選択図】 図１

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

本願明細書に記載される材料は、添付の図面において、限定としてではなく、例として示される。説明を簡単かつ明瞭にするために、図に示された要素は、必ずしも縮尺通りに描かれていない。例えば、幾つかの要素の寸法は、明確にするために他の要素に対して誇張されている場合がある。更に、適切と考えられる場合、参照符号は、対応する要素又は類似の要素を示すために、図面間で繰り返されている。図面は以下の通りである。
【図1】 ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間に１つ以上のエアギャップを有するガラス基板構造を製造し組み立てるための例示的な方法を示すフロー図である。
【図2】 図１の方法が、上にあるポリマー材料を通して犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために実施されるときのガラス基板構造の断面側面図である。
【図3】 図１の方法が、上にあるポリマー材料を通して犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために実施されるときのガラス基板構造の断面側面図である。
【図4】 図１の方法が、上にあるポリマー材料を通して犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために実施されるときのガラス基板構造の断面側面図である。
【図5】 図１の方法が、上にあるポリマー材料を通して犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために実施されるときのガラス基板構造の断面側面図である。
【図6】 図１の方法が、上にあるポリマー材料を通して犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために実施されるときのガラス基板構造の断面側面図である。
【図7】 図１の方法が、上にあるポリマー材料を通して犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために実施されるときのガラス基板構造の断面側面図である。
【図8】 図１の方法が、上にあるポリマー材料を通して犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために実施されるときのガラス基板構造の断面側面図である。
【図9】 図１の方法が、上にあるポリマー材料を通して犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために実施されるときのガラス基板構造の断面側面図である。
【図10】 図１の方法が、上にあるポリマー材料を通して犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために実施されるときのガラス基板構造の断面側面図である。
【図11】 露出した犠牲層を除去し、任意的にその後の誘電体材料の埋め戻しを行うことによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図12】 露出した犠牲層を除去し、任意的にその後の誘電体材料の埋め戻しを行うことによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図13】 露出した犠牲層を除去し、任意的にその後の誘電体材料の埋め戻しを行うことによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図14】 露出した犠牲層を除去し、任意的にその後の誘電体材料の埋め戻しを行うことによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図15】 露出した犠牲層を除去し、任意的にその後の誘電体材料の埋め戻しを行うことによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図16】 露出した犠牲層を除去し、任意的にその後の誘電体材料の埋め戻しを行うことによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図17】 露出した犠牲層を除去し、任意的にその後の誘電体材料の埋め戻しを行うことによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図18】 露出した犠牲層を除去し、任意的にその後の誘電体材料の埋め戻しを行うことによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図19】 露出した犠牲層を除去し、任意的にその後の誘電体材料の埋め戻しを行うことによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図20】 露出した犠牲層を除去し、任意的にその後の誘電体材料の埋め戻しを行うことによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図21】 ボトムアップ充填されたビア金属化から犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図22】 ボトムアップ充填されたビア金属化から犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図23】 ボトムアップ充填されたビア金属化から犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図24】 ボトムアップ充填されたビア金属化から犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図25】 ボトムアップ充填されたビア金属化から犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図26】 ボトムアップ充填されたビア金属化から犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図27】 ボトムアップ充填されたビア金属化から犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図28】 ボトムアップ充填されたビア金属化から犠牲層を除去することによって、ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを形成するために図１の方法が実施されるときのガラス基板構造の側断面図である。
【図29】 図１の方法がガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを有するガラス基板を有するパッケージアセンブリを組み立てるために実施されるときのパッケージ構造の断面側面図である。
【図30】 図１の方法がガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを有するガラス基板を有するパッケージアセンブリを組み立てるために実施されるときのパッケージ構造の断面側面図である。
【図31】 図１の方法がガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間にエアギャップを有するガラス基板を有するパッケージアセンブリを組み立てるために実施されるときのパッケージ構造の断面側面図である。
【図32】 ガラス貫通ビアメタライゼーションとガラス基板の開口部の側壁との間に１つ以上のエアギャップを有するガラスコア基板を含むICアセンブリを採用する例示的なシステムを示す。
【図33】 本開示の少なくとも幾つかの実装形態に従って全てが構成された、コンピューティング装置のブロック図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

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