特開2026-132928IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > 信越化学工業株式会社 > 特開2026-132928

技術分野

ＬＳＩなどの半導体デバイスの製造などに使用される反射型マスクの素材である反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクから製造される反射型マスク

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】表面粗さが低減された吸収体膜を有する反射型マスクブランク及び反射型マスクを得る。
【解決手段】反射型マスクブランク１００は、基板１と、前記基板１の一の主表面上に設けられた露光光を反射する多層反射膜２と、前記多層反射膜２上に設けられた吸収体膜５と、を有する。前記吸収体膜５は、ルテニウム（Ｒｕ）及び白金（Ｐｔ）の一方あるいは双方を含み、さらに炭素（Ｃ）及びケイ素（Ｓｉ）の一方あるいは双方を含む。前記吸収体膜５の表面の二乗平均平方根粗さ（Ｓｑ）が０．４０ｎｍ以下である。
【選択図】図１

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ＥＵＶリソグラフィにおいて、露光光であるＥＵＶ光は、反射型マスクに対して斜めから入射され、その入射角度は反射型マスクの主表面の法線に対して６度とすることが主流となっている。斜めから入射した露光光の一部は、吸収体パターンの側壁に遮られ、いわゆる３Ｄ効果（三次元効果、シャドーイング効果）が生じる。３Ｄ効果は、転写パターンに位置ずれや、寸法ずれを生じさせる原因となり、小さい方がパターンの微細化において好ましい。厚さが薄いほど、３Ｄ効果は小さくなるため、吸収体パターンの薄膜化が望まれる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明者らは、課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、ルテニウム（Ｒｕ）及び白金（Ｐｔ）の一方あるいは双方を含む吸収体膜において、さらに炭素（Ｃ）及びケイ素（Ｓｉ）の一方あるいは双方を含ませることにより、吸収体膜の表面粗さが小さくなることを見出し、本発明をなすに至った。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、表面粗さを小さくすることができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の実施の形態による反射型マスクブランクの一例を示す断面図。
【図2】 本発明の実施の形態による反射型マスクブランクにおいて、ハードマスク膜が設けられた例を示す断面図。
【図3】 本発明の実施の形態による反射型マスクの一例を示す断面図。
【図4】 本発明の実施の形態による反射型マスクブランクにおいて、ハードマスク膜及びレジスト膜が設けられた例を示す断面図。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

１ 基板 ２ 多層反射膜 ３ 保護膜 ４ エッチングストッパー膜 ５ 吸収体膜 ６ ハードマスク膜 ４１ エッチングストッパー膜のパターン（エッチングストッパーパターン） ５１ 吸収体膜のパターン（吸収体パターン） １００ 反射型マスクブランク １１０ 反射型マスク

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.