特開 2026-158809 基板付きコネクタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】

(43)【公開日】

(54)【発明の名称】基板付きコネクタ

(51)【国際特許分類】

   

   

【ＦＩ】

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】

(21)【出願番号】

(22)【出願日】

(71)【出願人】

【識別番号】000006895

【氏名又は名称】矢崎総業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100083806

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 秀和

(74)【代理人】

【識別番号】100111235

【弁理士】

【氏名又は名称】原 裕子

(74)【代理人】

【識別番号】100170575

【弁理士】

【氏名又は名称】森 太士

(72)【発明者】

【氏名】古橋 杏子

【テーマコード（参考）】

【Ｆターム（参考）】

5E223AB60

5E223BA17

5E223BB12

5E223CA13

5E223CB45

5E223CD01

5E223CD06

5E223CD14

5E223DA25

5E223DA34

5E223DB13

5E223DB14

(57)【要約】

【課題】基板に実装される同軸コネクタを備える基板付きコネクタにおいて、基板の伝送線路と同軸コネクタとの接続部分におけるインピーダンス不整合を低減することができる基板付きコネクタを提供する。
【解決手段】基板付きコネクタ１は、伝送線路４１を有する基板４と、基板４に実装される同軸コネクタ２とを備える。同軸コネクタ２は、伝送線路４１に電気的に接続される中心導体１１と、中心導体１１の周囲を覆う誘電体２１と、誘電体２１の外側を覆う外導体３１とを有する。基板４には、基板４を厚さ方向に貫通する第一貫通孔５１が形成される。中心導体１１及び誘電体２１は、同軸コネクタ２の基板４との実装面１０から突出して、第一貫通孔５１に挿通される突出部１３，２３を有する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項】

伝送線路を有する基板と、
前記基板に実装される同軸コネクタと、を備え、
前記同軸コネクタは、
前記伝送線路に電気的に接続される中心導体と、
前記中心導体の周囲を覆う誘電体と、
前記誘電体の外側を覆う外導体と、を有し、
前記基板には、前記基板を厚さ方向に貫通する貫通孔が形成され、
前記中心導体及び前記誘電体は、前記同軸コネクタの前記基板との実装面から突出して、前記貫通孔に挿通される突出部を有する、
基板付きコネクタ。

【請求項】

前記貫通孔の内面には、メッキ層が設けられている、請求項１に記載の基板付きコネクタ。

【請求項】

前記中心導体は、前記中心導体の前記突出部の先端部から前記伝送線路へ向けて延在する接続部を有し、
前記誘電体の前記突出部の先端部には、前記接続部が配置される窪み部が形成されている、
請求項１又は２に記載の基板付きコネクタ。

【請求項】

前記誘電体は、低摩擦性を有する材料から構成されている、請求項１又は２に記載の基板付きコネクタ。

【請求項】

前記誘電体の前記突出部と前記貫通孔の内面との間には、隙間が設けられていない、請求項１又は２に記載の基板付きコネクタ。

【請求項】

前記基板には、前記基板を厚さ方向に貫通する第二貫通孔が形成され、
前記外導体は、前記同軸コネクタの前記基板との実装面から突出して、前記第二貫通孔に挿通される足部を有する、
請求項１又は２に記載の基板付きコネクタ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【】

本発明は、基板付きコネクタに関する。

【背景技術】

【】

基板に実装される同軸コネクタを備える基板付きコネクタにおける信号伝送では、通信の高速化及び高周波化が進む中で、基板の伝送線路における信号減衰が増大し、信号品質が低下することが懸念される。従来は、ケーブルの導体損失が信号品質低下の主な原因とされていたが、高速・高周波通信では、コネクタによる損失も無視することができない。特に、基板と同軸コネクタとの接続部分における特性インピーダンスの不整合は、信号反射による損失を引き起こし、信号品質を低下させる要因となっている。そのため、高速・高周波通信においては、基板と同軸コネクタとの接続部分におけるインピーダンス不整合を低減することが重要である。

【】

これに対して、特許文献１は、同軸コネクタが回路基板に挿入実装された部品実装基板に関する技術を開示している。当該特許文献１に開示の同軸コネクタは、第１の突起部を有する中心導体と、複数の第２の突起部を有する外部導体と、中心導体と外部導体とを電気的に絶縁する絶縁体とを備える。また、回路基板は、複数の絶縁層が積層方向に重ね合わされた絶縁基板と、絶縁基板を積層方向に貫通する第１のスルーホールと、絶縁基板を積層方向に貫通する複数の第２のスルーホールとを備える。そして、中心導体の第１の突起部が第１のスルーホールに挿嵌されており、外部導体の複数の第２の突起部のそれぞれが複数の第２のスルーホールに挿嵌されていることで、同軸コネクタが回路基板に挿入実装される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【】

【特許文献】特開２０２２－４５９３４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【】

特許文献１に開示の同軸コネクタでは、外部導体の突起部を増やすのには限界があり、また、突起部を増やすことで、突起部を挿入するために回路基板に設ける複数のスルーホール間の距離が短くなり、実装前の回路基板のスルーホールが破損する可能性がある。また、通信の高周波化が進むにつれ、導体損失を抑制するために、同軸コネクタの中心導体は細くなり、回路基板の伝送線路も細くなる。それに伴い同軸コネクタの外部導体の直径も小さくなるために、外部導体の突起部を挿入するためにスルーホールを基板に複数設けることで、複数のスルーホール間の距離が短くなり、実装前の回路基板のスルーホールが破損する可能性がある。さらに、同軸コネクタの中心導体の先端部分が回路基板の裏側に突出していることによりスタブが形成されるため、信号反射による信号品質の低下を招く可能性がある。

【】

本発明は、このような従来技術が有する課題に鑑みてなされたものである。そして本発明の目的は、基板に実装される同軸コネクタを備える基板付きコネクタにおいて、基板の伝送線路と同軸コネクタとの接続部分におけるインピーダンス不整合を低減することができる基板付きコネクタを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【】

本発明の態様に係る基板付きコネクタは、伝送線路を有する基板と、基板に実装される同軸コネクタと、を備え、同軸コネクタは、伝送線路に電気的に接続される中心導体と、中心導体の周囲を覆う誘電体と、誘電体の外側を覆う外導体と、を有し、基板には、基板を厚さ方向に貫通する貫通孔が形成され、中心導体及び誘電体は、同軸コネクタの基板との実装面から突出して、貫通孔に挿通される突出部を有する。

【発明の効果】

【】

本発明によれば、基板に実装される同軸コネクタを備える基板付きコネクタにおいて、基板の伝送線路と同軸コネクタとの接続部分におけるインピーダンス不整合を低減することができる基板付きコネクタを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【】

【図】本実施形態に係る基板付きコネクタの一例を示す斜視図である。

【図】基板付きコネクタを基板の裏側から見た要部拡大の斜視図である。

【図】基板に実装される同軸コネクタの要部拡大の斜視図である。

【図】基板付きコネクタを基板の裏側から見た要部拡大の平面図である。

【図】図４のＡ－Ａ部で切断された基板付きコネクタの概略的な一部断面図である。

【図】図５のＢ－Ｂ部で切断された基板付きコネクタの概略的な断面図である。

【図】図５のＣ－Ｃ部で切断された基板付きコネクタの概略的な断面図である。

【図】基板に設けられた第一貫通孔の要部拡大の斜視図である。

【図】図８のＤ－Ｄ部で切断された基板の概略的な一部断面図である。

【図】変形例に係る中心導体及び誘電体の概略的な一部断面図である。

【図】変形例に係る中心導体及び誘電体の概略的な一部断面図である。

【図】変形例に係る中心導体及び誘電体の概略的な一部断面図である。

【図】他の実施形態に係る基板付きコネクタの概略的な一部断面図である。

【図】他の実施形態に係る基板の概略的な一部断面図である。

【図】更に他の実施形態に係る基板付きコネクタの概略的な一部断面図である。

【図】変形例に係る中心導体及び誘電体を基板の裏側から見た概略的な平面図である。

【発明を実施するための形態】

【】

以下、図面を用いて本実施形態に係る基板付きコネクタについて詳細に説明する。なお、図面の寸法比率は説明の都合上誇張されており、実際の比率と異なる場合がある。

【】

図１は、一実施形態に係る基板付きコネクタ１の斜視図である。図１では、同軸コネクタ２に接続されるハウジング３が仮想線（二点鎖線）で示されている。本実施形態では、一例として、基板４の厚さ方向をＺ方向と規定し、Ｚ方向に直交する平面をＸＹ平面と規定する。Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交する。以下、基板４の厚さ方向を基準として、Ｚ方向の上流側、すなわち、同軸コネクタ２が基板４に実装される側を「表」と表現し、Ｚ方向の下流側、すなわち、同軸コネクタ２が基板４に実装される側とは反対側を「裏」と表現する場合がある。

【】

図２は、基板付きコネクタ１を基板４の裏側（基板４の実装面４０とは反対側の面側）から見た要部拡大の斜視図である。図３は、基板４に実装される同軸コネクタ２の要部拡大の斜視図である。図３では、同軸コネクタ２の基板４との実装面１０が仮想線（一点鎖線）で示されている。図４は、基板付きコネクタ１を基板４の裏側から見た要部拡大の平面図である。図５は、図４のＡ－Ａ部で切断された基板付きコネクタ１の概略的な一部断面図である。図５における断面図は、後述する中心導体１１の中心軸を含む仮想面である。図６は、図５のＢ－Ｂ部で切断された基板付きコネクタ１の概略的な断面図である。図７は、図５のＣ－Ｃ部で切断された基板付きコネクタ１の概略的な断面図である。

【】

基板付きコネクタ１は、同軸コネクタ２と、基板４とを備えている。同軸コネクタ２は、基板４の表側にある実装面４０に実装されており、基板４は、伝送線路４１を有している。基板４に実装された同軸コネクタ２には、ハウジング３が接続されている。

【】

同軸コネクタ２は、基板４の伝送線路４１に電気的に接続される中心導体１１と、中心導体１１の周囲を覆う誘電体２１と、誘電体２１の外側を覆う外導体３１とを有する。

【】

中心導体１１は、棒状部材である。本実施形態では、中心導体１１は、円柱状に形成されている。中心導体１１は、外導体３１の内部に配置される導体本体１２と、同軸コネクタ２の基板４との実装面１０から突出して、後述する第一貫通孔５１に挿通される突出部１３とを有して構成されている。中心導体１１の突出部１３の先端は、誘電体２１の突出部２３の先端と略面一となっており、中心導体１１の突出部１３が誘電体２１の突出部２３からは突出してはいないため、スタブ（Stub）は形成されない。

【】

誘電体２１は、中心導体１１の少なくとも一部を内側に貫通させつつ、中心導体１１と同軸状に配置される筒状部材である。本実施形態では、誘電体２１は、外導体３１の内部に配置される誘電体本体２２と、同軸コネクタ２の基板４との実装面１０から突出して、第一貫通孔５１に挿通される突出部２３とを有して構成されている。

【】

外導体３１は、基板４の実装面４０に配置される外導体本体３２と、同軸コネクタ２の基板４との実装面１０から突出して、後述する第二貫通孔５３に挿通される複数（本実施形態では、４本）の足部３３とを有して構成されている。外導体本体３２には、少なくとも中心導体１１の導体本体１２及び誘電体２１の誘電体本体２２を収容する収容室３４が形成されている。本実施形態では、外導体本体３２は、直方体状に形成されており、足部３３は、角柱状に形成されている。これら足部３３は、基板４に形成された第二貫通孔５３に挿通されて、基板４の裏面に例えば半田付けされて固定されている。

【】

本実施形態では、中心導体１１が、中心導体１１の突出部１３の先端部（下端部）から伝送線路４１へ向けて延在する接続部１４をさらに有している。また、誘電体２１の突出部２３の先端部（下端部）には、中心導体１１の接続部１４が配置される窪み部２４が形成されている。中心導体１１の接続部１４の外表面は、誘電体２１の突出部２３の外表面と略面一となっており、接続部１４の全体が窪み部２４の内部に配置されている。

【】

高周波通信用の同軸コネクタ２の特性インピーダンスは、後述する基板４の伝送線路４１の特性インピーダンスと同等の値（本実施形態では、５０Ω）になるように設定されている。なお、同軸構造の特性インピーダンスは、一般的な近似式を用いて算出することができる。同軸コネクタ２の特性インピーダンスに影響を及ぼすパラメータを図６に示す。ここで、εrは絶縁体（誘電体２１）の比誘電率、Ｄは外導体３１の内径、ｄは内導体（中心導体１１）の外径である。各パラメータは、近似式から求めてもよく、３次元電磁界解析等から求めてもよい。

【】

基板４は、例えば、トップ層４２と、中間層４３と、ボトム層４４とから構成される３層構造のものである。トップ層４２と中間層４３との間、中間層４３とボトム層４４との間には、それぞれ絶縁層４５が形成又は配置されている。本実施形態では、伝送線路４１が、ボトム層４４に形成又は配置され、中間層４３をＧＮＤ（グランド）としたコプレーナ線路である。その伝送線路４１の特性インピーダンスは、所定の値（例えば、５０Ω）となるように設定されている。なお、伝送線路４１の特性インピーダンスは、一般的な近似式を用いて算出することができる。

【】

基板４には、基板４を厚さ方向に貫通して、中心導体１１及び誘電体２１の突出部１３，２３が挿通される第一貫通孔５１が形成されている。つまり、同軸コネクタ２を基板４に接続するために、同軸コネクタ２の誘電体２１の突出部２３が挿通できる大きさの第一貫通孔５１が基板４に形成されている。第一貫通孔５１の内面には、一部を除いてメッキ層５２が形成されている。つまり、基板４の伝送線路４１との接続のための導体である接続部１４と、基板４のボトム層４４等とを電気的に接続させないようにするため、第一貫通孔５１の内面にメッキ層５２を一部施さないようにしている。

【】

本実施形態では、第一貫通孔５１の大きさ（第一貫通孔５１のメッキ層５２を含む内径）が重要である。同軸コネクタ２の基板４との実装面１０から突出している中心導体１１及び誘電体２１の突出部１３，２３の径、そして、同軸構造の外導体としての役割を持つ第一貫通孔５１のメッキ層５２を含む内径を、特性インピーダンスが５０Ωとなるように設定している。

【】

なお、同軸構造の特性インピーダンスは、一般的な近似式を用いて算出することができる。中心導体１１及び誘電体２１の突出部１３，２３の特性インピーダンスに影響を及ぼすパラメータを図７に示す。ここで、εrは絶縁体（誘電体２１）の比誘電率、Ｄは外導体（メッキ層５２）の内径、ｄは内導体（中心導体１１の突出部１３）の外径である。各パラメータは、近似式から求めてもよく、３次元電磁界解析等から求めてもよい。

【】

また、基板４には、基板４を厚さ方向に貫通して、同軸コネクタ２の外導体３１に形成された足部３３が挿通される第二貫通孔５３が複数（本実施形態では、４つ）形成されている。本実施形態では、第二貫通孔５３は、円孔状に形成されている。第二貫通孔５３には、同軸コネクタ２の外導体３１に形成された足部３３が挿通されて、その足部３３が、基板４の裏面に例えば半田付けされて固定されている。

【】

図８は、基板４に設けられた第一貫通孔５１の要部拡大の斜視図である。図９は、図８のＤ－Ｄ部で切断された基板４の概略的な一部断面図である。

【】

基板４の伝送線路４１は、前述の通り、特性インピーダンスが５０Ωとなるように設定されている。なお、伝送線路４１の特性インピーダンスは、一般的な近似式を用いて算出することができる。伝送線路４１の特性インピーダンスに影響を及ぼすパラメータを図９に示す。ここで、Ｗは信号線路（伝送線路４１）の幅、Ｇは信号線路（伝送線路４１）とグランド（ボトム層４４）との間のギャップ４６の幅、ｈは絶縁体（絶縁層４５）の厚さ、ｔは信号線路（伝送線路４１）の厚さ、εrは絶縁体（絶縁層４５）の比誘電率である。各パラメータは、近似式から求めてもよく、３次元電磁界解析等から求めてもよい。

【】

ところで、基板４の伝送線路４１があるボトム層４４において、同軸コネクタ２の中心導体１１と基板４の伝送線路４１とを電気的に接続する必要がある。その一方で、基板４の伝送線路４１との接続のための導体である接続部１４と、基板４のボトム層４４等とを電気的に接続させないようにする必要がある。そのため、基板４の第一貫通孔５１の内面の一部にメッキ層５２を施さない、又は一旦形成したメッキ層５２の一部を除去するものとする。

【】

図９に第一貫通孔５１の断面を示し、図９中のドットのハッチングを付した部分がメッキ層５２を形成した箇所である。メッキ層５２を施さない部分はメッキ工程の際にマスクを使用して形成してもよく、メッキ工程の後に不要なメッキをレーザー等で除去するようにしてもよい。

【】

次に、同軸コネクタ２の中心導体１１と基板４の伝送線路４１との接続部分について説明する。

【】

基板４の内部の同軸構造（中心導体１１及び誘電体２１の突出部１３，２３）から、基板４の伝送線路４１へ、可能な限り特性インピーダンスの乱れなく接続することが重要である。そのため、中心導体１１の突出部１３から伝送線路４１へ段差なく滑らかに接続できるように、伝送線路４１と同じ厚み、同じ幅の導体である接続部１４を中心導体１１の突出部１３から伝送線路４１の方向へ向けて形成する。この接続部１４は、同軸コネクタ２の中心導体１１と一体化して成型することが可能である。また、誘電体２１にボトム層４４の厚みと同じ深さの窪み部２４を設け、その窪み部２４に金属導体を印刷したり、ＭＩＤ（立体成形基板）で成型したりして、接続部１４を形成してもよい。このように接続部１４を形成することにより、同軸コネクタ２の誘電体２１を基板４の第一貫通孔５１へ挿入すると、同軸コネクタ２の中心導体１１と基板４の伝送線路４１とがメッキ層５２を介して電気的に接続されることになる。

【】

第一貫通孔５１のメッキ層５２は、一般的に１５μｍ～２０μｍ程度の厚みを持つ。そのため、伝送線路４１とのより確実な接続のために、伝送線路４１との接続のための導体である接続部１４の先端に、第一貫通孔５１への挿入が可能な程度の微小な突起６１を設けてもよい（図１０Ａ参照）。また、伝送線路４１との接続のための導体である接続部１４に、いわゆるポゴピンのように機能するバネ６２を持つ突起６３を設けてもよい（図１０Ｂ参照）。さらに、誘電体２１に微小なバネ６４を設け、このバネ６４によって中心導体１１を伝送線路４１の方向へ押すような構造としてもよい（図１０Ｃ参照）。

【】

誘電体２１は、高周波帯での誘電体損失を抑制するために、例えば、低誘電率の材料である低誘電率の材料としてＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）が用いられる。このＰＴＦＥは、低摩擦性に優れているため、誘電体２１の突出部２３を基板４の第一貫通孔５１へ挿入し易くすることが可能である。また、誘電体２１と第一貫通孔５１との間の隙間は極力減らすのがよく、誘電体２１の突出部２３と第一貫通孔５１の内面との間には隙間が設けられていないことが望ましい。

【】

基板４の実装面４０よりも上方の同軸コネクタ２の内部の特性インピーダンスが５０Ωであれば、不要な反射を防ぐために、外導体３１の内部にある中心導体１１の導体本体１２の外径と、基板４の内部にある中心導体１１の突出部１３の外径とを同じとする。また、同様に、特別な理由がない限り、外導体３１の内部にある誘電体２１の誘電体本体２２の外径と、基板４の内部にある誘電体２１の突出部２３の外径とを同じとする。そして、誘電体２１の突出部２３の外径と同等の内径の第一貫通孔５１を基板４に形成する。

【】

このように、本実施形態の態様に係る基板付きコネクタ１は、伝送線路４１を有する基板４と、基板４に実装される同軸コネクタ２とを備える。同軸コネクタ２は、伝送線路４１に電気的に接続される中心導体１１と、中心導体１１の周囲を覆う誘電体２１と、誘電体２１の外側を覆う外導体３１とを有する。基板４には、基板４を厚さ方向に貫通する第一貫通孔５１が形成される。中心導体１１及び誘電体２１は、同軸コネクタ２の基板４との実装面１０から突出して、第一貫通孔５１に挿通される突出部１３，２３を有する。

【】

本実施形態では、同軸コネクタ２の中心導体１１及び誘電体２１が、同軸コネクタ２の基板４との実装面１０から突出した形状の突出部１３，２３を有し、これら中心導体１１及び誘電体２１の突出部１３，２３が、基板４に形成された第一貫通孔５１に挿通される。これにより、同軸コネクタ２の外導体３１の内部のみでなく、基板４の内部においても同様に同軸構造を形成して、特性インピーダンスの不整合を抑制することができ、信号品質の低下を抑制することができる。

【】

以上、本実施形態によれば、基板４の伝送線路４１と同軸コネクタ２との接続部分におけるインピーダンス不整合を低減することができる基板付きコネクタ１を提供することができる。

【】

また、基板付きコネクタ１において、第一貫通孔５１の内面には、メッキ層５２が設けられていてもよい。

【】

本実施形態では、同軸コネクタ２の基板４との実装面１０から突出した中心導体１１及び誘電体２１の突出部１３，２３が挿入される第一貫通孔５１の内面に、メッキ層５２が形成される。これにより、同軸コネクタ２の外導体３１の内部のみでなく、基板４の内部においても同様に同軸構造を形成して、特性インピーダンスの不整合を抑制することができ、信号品質の低下を抑制することができる。

【】

また、基板付きコネクタ１において、中心導体１１は、中心導体１１の突出部１３の先端部から伝送線路４１へ向けて延在する接続部１４を有していてもよい。誘電体２１の突出部２３の先端部には、接続部１４が配置される窪み部２４が形成されていてもよい。

【】

本実施形態では、伝送線路４１を多層基板である基板４のグランド（ボトム層４４）に配置して、その伝送線路４１を同軸コネクタ２の中心導体１１に接続部１４を介して電気的に接続することが可能である。

【】

また、基板付きコネクタ１において、誘電体２１は、低摩擦性を有する材料から構成されていてもよい。

【】

本実施形態では、誘電体２１が低摩擦性に優れているため、誘電体２１の突出部２３を基板４の第一貫通孔５１へ挿入し易くすることが可能である。

【】

また、基板付きコネクタ１において、誘電体２１の突出部２３と第一貫通孔５１の内面との間には、隙間が設けられていなくてもよい。

【】

誘電体２１と第一貫通孔５１との間の隙間は極力減らすのがよく、誘電体２１の突出部２３と第一貫通孔５１の内面との間には隙間が設けられていないことが望ましい。これにより、同軸コネクタ２の外導体３１の内部のみでなく、基板４の内部においても同様に同軸構造を形成して、特性インピーダンスの不整合を抑制することができ、信号品質の低下を抑制することができる。

【】

さらに、基板付きコネクタ１において、基板４には、基板４を厚さ方向に貫通する第二貫通孔５３が形成されていてもよい。外導体３１は、同軸コネクタ２の基板４との実装面１０から突出して、第二貫通孔５３に挿通される足部３３を有していてもよい。

【】

同軸コネクタ２の外導体３１に固定用の足部３３を設けることにより、足部３３を基板４に形成された第二貫通孔５３に挿通して、基板４の裏面に例えば半田付けして固定することが可能である。

【】

［他の実施形態］
以下、他の実施形態に係る基板付きコネクタについて説明する。

【】

前述の実施形態に係る基板付きコネクタ１では、基板４は３層基板から構成されているが、これに限定はされない。基板付きコネクタにおける基板は、例えば、両面基板であってもよく、多層基板であってもよい。

【】

図１１、図１２に示す基板付きコネクタ１Ａのように、基板４Ａの内層（中間層４３）に伝送線路４１を配置し、その伝送線路４１に同軸コネクタ２の中心導体１１を電気的に接続することが可能である。その場合でも、信号品質を悪化させるスタブは形成されない。なお、基板付きコネクタ１Ａでは、基板４Ａは５層基板から構成されている。

【】

また、図１３に示す基板付きコネクタ１Ｂのように、基板４に挿入する誘電体２１にバネ７１を形成して、基板４に対して固定する機能を誘電体２１に持たせることも可能である。この際には、基板４に対して固定するための足部３３をなくすことが可能になる。さらに、図１４に示すように、誘電体２１にスリット７２を数か所形成して、誘電体２１がバネ性を有するようにしてもよい。ただし、誘電体２１の形状は特性インピーダンスに影響を及ぼすため、信号への影響が許容される範囲内で誘電体２１の形状を設計することが望ましい。

【】

また、同軸コネクタの特性インピーダンス、並びに基板の伝送線路の特性インピーダンスは、５０Ωには限定されない。同軸コネクタの特性インピーダンス、並びに基板の伝送線路の特性インピーダンスは、７５Ωであってもよく、その他の任意の値であってもよい。

【】

さらに、基板に形成する伝送線路は、グランド付きのコプレーナ線路には限定されない。基板に形成する伝送線路は、例えば、ストリップ線路であってもよく、マイクロストリップ線路であってもよい。

【】

以上、本実施形態を説明したが、本実施形態はこれらに限定されるものではなく、本実施形態の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。

【符号の説明】

【】

１ 基板付きコネクタ
２ 同軸コネクタ
４ 基板
１０ 実装面
１１ 中心導体
１３ 突出部
１４ 接続部
２１ 誘電体
２３ 突出部
２４ 窪み部
３１ 外導体
３３ 足部
４１ 伝送線路
５１ 第一貫通孔
５２ メッキ層
５３ 第二貫通孔

【図】

【図】

【図】

【図】

【図】

【図】

【図】

【図】

【図】

【図】

【図】

【図】

【図】

【図】

【図】

【図】