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特開 2026-158932出願番号 特願 2025-49772
成膜方法及び成膜装置
出願人 東京エレクトロン株式会社（識別番号 219967）
2026年 特許公開件数ランキング 36位 490件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 25位 521件（※）
公報発行日 2026年10月7
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2026-158932 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
成膜方法及び成膜装置
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】窒化膜が有する保護膜としての機能の低下を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による成膜方法は、表面に酸化膜が形成された基板を準備する工程と、前記基板に第１珪素含有ガス、ホウ素含有ガス及び第１窒化剤を供給することにより、前記酸化膜の上に珪素とホウ素と窒素とを含むシードを形成する工程と、前記シードが形成された前記酸化膜の上に窒化膜を形成する工程と、を有する。
【選択図】図３
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
窒化膜が有する保護膜としての機能の低下を抑制できる技術を提供する。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示の一態様による成膜方法は、表面に酸化膜が形成された基板を準備する工程と、前記基板に第１珪素含有ガス、ホウ素含有ガス及び第１窒化剤を供給することにより、前記酸化膜の上に珪素とホウ素と窒素とを含むシードを形成する工程と、前記シードが形成された前記酸化膜の上に窒化膜を形成する工程と、を有する。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示によれば、窒化膜が有する保護膜としての機能の低下を抑制できる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
成膜装置を示す鉛直断面図である。
【図2】
成膜装置を示す水平断面図である。
【図3】
成膜方法を示すフローチャートである。
【図4】
成膜方法を示す断面図（１）である。
【図5】
成膜方法を示す断面図（２）である。
【図6】
成膜方法を示す断面図（３）である。
【図7】
ＳｉＢＮシードの形成方法の一例を示す図である。
【図8】
ＳｉＢＣＮシードの形成方法の一例を示す図である。
【図9】
窒化シリコン膜の形成方法の一例を示す図である。
【図10】
繰り返し回数と膜厚との関係を示す図である。
【図11】
ピンホール試験の結果を示す図である。
【図12】
ＤＣＳガスを用いて形成される窒化シリコン膜の成長過程を示す図である。
【図13】
ＨＣＤガスを用いて形成される窒化シリコン膜の成長過程を示す図である。
【図14】
ＳｉＢＮシードの成長過程を示す図である。
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