特開2026-164150IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

基板処理方法及び基板処理システム

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】基板の表面をエッチングする際の局所的なエッチング量を制御する。
【解決手段】基板を処理する基板処理方法であって、前記基板の表面における少なくとも一部の付着領域に炭素を付着させることと、炭素が付着した前記付着領域を含む前記基板の表面にエッチング液を供給して、当該表面をエッチングすることと、を含む。
【選択図】図５

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示にかかる技術は、基板の表面をエッチングする際の局所的なエッチング量を制御する。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一態様は、基板を処理する基板処理方法であって、前記基板の表面における少なくとも一部の付着領域に炭素を付着させることと、炭素が付着した前記付着領域を含む前記基板の表面にエッチング液を供給して、当該表面をエッチングすることと、を含む。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示によれば、基板の表面をエッチングする際の局所的なエッチング量を制御することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本実施形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図2】 本実施形態にかかる表面処理装置の構成の概略を示す側面図である。
【図3】 本実施形態にかかる表面処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図4】 エッチング液供給ノズルが径方向に移動する様子を示す説明図である。
【図5】 ウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。
【図6】 ウェハの径方向のエッチング量分布を示す説明図である。
【図7】 炭素付着によるエッチング効果を示す説明図である。
【図8】 付着領域とエッチング量分布の一例を示す説明図である。
【図9】 付着領域とエッチング量分布の一例を示す説明図である。
【図10】 他の実施形態にかかる表面処理装置の構成の概略を示す側面図である。
【図11】 他の実施形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を示す平面図である。

選択図 図5出願人が指定した本件の代表的な図

１ ウェハ処理システム ４０ 表面処理装置 ２１０ 炭素付着部 ２２０ エッチング部 Ａ 付着領域 Ｅ エッチング液 Ｗ ウェハ

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