特開2026-164503IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

圧電積層体、及び圧電積層体の製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】主面全域にわたって絶縁性が良好な圧電膜を有する圧電積層体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上の下部電極膜と、一般式ＡＢＯ３で表され、ＡサイトがＫ及びＮａを含み、ＢサイトがＮｂを含むペロブスカイト型の酸化物で構成される、下部電極膜上の圧電膜と、を備え、圧電膜の上面における縁から所定幅の外周領域を除く領域のうち８０％以上の領域において、下部電極膜と圧電膜上に設けられた上部電極膜との間に－２００ｋＶ／ｃｍの電界を生じさせるように上部電極膜に対して電圧を印加した際のリーク電流密度が１．５８５×１０－６Ａ／ｃｍ２以下であり、圧電定数ｅ３１が１０Ｃ／ｍ２以上である。
【選択図】図１

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の目的は、主面全域にわたって絶縁性が良好な圧電膜を有する圧電積層体を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一態様によれば、 基板と、 前記基板上の下部電極膜と、 一般式ＡＢＯ３で表され、ＡサイトがＫ及びＮａを含み、ＢサイトがＮｂを含むペロブスカイト型の酸化物で構成される、前記下部電極膜上の圧電膜と、を備え、 前記圧電膜の上面における縁から所定幅の外周領域を除く領域のうち８０％以上の領域において、前記下部電極膜と、前記圧電膜上に設けられた上部電極膜と、の間に２００ｋＶ／ｃｍ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示によれば、主面全域にわたって絶縁性が良好な圧電膜を有する圧電積層体を提供できる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本開示の一態様にかかる圧電積層体の断面構造の一例を示す図である。
【図2】 圧電膜の絶縁性、圧電特性、及び耐久性を評価する際の試料の分割位置の設定の様子の一例、及び、圧電膜の上面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で観察する際の観察視野の設定の様子の一例を示す図である。
【図3】 本開示の一態様にかかる簡易圧電素子の構造の一例を示す図である。
【図4】 本開示の一態様にかかる圧電素子の概略構成の一例を示す図である。
【図5】 本開示の一態様にかかる圧電デバイスモジュールの概略構成の一例を示す図である。
【図6】 実施例における評価箇所の一例を示す図である。
【図7】 （ａ）～（ｆ）は、それぞれ、サンプル１のリーク電流密度の測定結果を示すグラフである。
【図8】 （ａ）は、各サンプルを用いて作製した簡易的なユニモルフカンチレバーの概略構成の一例を示す図であり、（ｂ）は、圧電変位量の測定方法を説明する図である。
【図9】 （ａ）は、サンプル７におけるＫＮＮ膜と上部密着層との間の界面を含む領域のＨＡＡＤＦ－ＳＴＥＭ画像であり、（ｂ）は、サンプル８におけるＫＮＮ膜と上部密着層との間の界面を含む領域のＨＡＡＤＦ－ＳＴＥＭ画像であり、（ｃ）は、サンプル４におけるＫＮＮ膜と上部密着層との間の界面を含む領域のＨＡＡＤＦ－ＳＴＥＭ画像であり、（ｄ）は、サンプル１におけるＫＮＮ膜と上部密着層との間の界面を含む領域のＨＡＡＤＦ－ＳＴＥＭ画像である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

１ 基板 ２ 下部電極膜 ３ 圧電膜 ３ａ 圧電膜の外周領域 ３ｂ 圧電膜の外周領域を除く領域 ４ 上部電極膜 ６ 下部密着層 ７ 上部密着層 １０ 圧電積層体 ２０ 圧電素子 ３０ 圧電デバイスモジュール

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