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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2026031266
(43)【公開日】2026-02-24
(54)【発明の名称】半導体装置、基板ユニット、および基板ユニットの製造方法
(51)【国際特許分類】
H10W 70/00 20260101AFI20260213BHJP
H10W 70/62 20260101ALI20260213BHJP
H10W 72/00 20260101ALI20260213BHJP
H10W 70/685 20260101ALI20260213BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 L
H01L23/12 Q
H01L21/60 311Q
H01L23/12 N
H01L23/12 501W
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024134689
(22)【出願日】2024-08-09
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001634
【氏名又は名称】弁理士法人志賀国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】森本 篤志
(72)【発明者】
【氏名】野島 誠樹
(72)【発明者】
【氏名】丸山 雄二
(72)【発明者】
【氏名】河原 清治
(72)【発明者】
【氏名】長澤 和也
(72)【発明者】
【氏名】齋藤 雅宏
【テーマコード（参考）】
5F044
【Ｆターム（参考）】
5F044KK01
5F044KK12
(57)【要約】
【課題】一実施形態は、不具合発生の抑制を図ることができる半導体装置、基板ユニット、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一実施形態の半導体装置は、基板と、電子部品と、複数の接合部と、第１金属部とを備える。前記基板は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面と、前記第１面の第１縁と前記第２面の第２縁とに亘る第１側面とを有する。前記電子部品は、前記第２面に実装されている。前記複数の接合部は、前記第１面に設けられ、第１接合部を含む。前記第１金属部は、前記第１面に沿って延びた第１部分と、前記第１側面に沿って延びた第２部分とを含む。前記第１金属部は、前記基板の厚さ方向である第１方向から見た場合の面積が前記第１接合部と比べて大きい。
【選択図】図１
【解決手段】一実施形態の半導体装置は、基板と、電子部品と、複数の接合部と、第１金属部とを備える。前記基板は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面と、前記第１面の第１縁と前記第２面の第２縁とに亘る第１側面とを有する。前記電子部品は、前記第２面に実装されている。前記複数の接合部は、前記第１面に設けられ、第１接合部を含む。前記第１金属部は、前記第１面に沿って延びた第１部分と、前記第１側面に沿って延びた第２部分とを含む。前記第１金属部は、前記基板の厚さ方向である第１方向から見た場合の面積が前記第１接合部と比べて大きい。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面と、前記第１面の第１縁と前記第２面の第２縁とに亘る第１側面とを有した基板と、
前記第２面に実装された電子部品と、
前記第１面に設けられ、第１接合部を含む複数の接合部と、
前記第１面に沿って延びた第１部分と、前記第１側面に沿って延びた第２部分とを含み、前記基板の厚さ方向である第１方向から見た場合の面積が前記第１接合部と比べて大きい第１金属部と、
を備えた半導体装置。
前記第２面に実装された電子部品と、
前記第１面に設けられ、第１接合部を含む複数の接合部と、
前記第１面に沿って延びた第１部分と、前記第１側面に沿って延びた第２部分とを含み、前記基板の厚さ方向である第１方向から見た場合の面積が前記第１接合部と比べて大きい第１金属部と、
を備えた半導体装置。
【請求項2】
前記第１部分と前記第２部分とは繋がっている、
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第２部分は、前記第１縁と前記第２縁とに亘る、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第１縁は、前記第１方向とは交差する第２方向に延びており、
前記第１金属部は、前記第１方向から見て、前記第１縁の前記第２方向の中央部に重なる位置に設けられた、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
前記第１金属部は、前記第１方向から見て、前記第１縁の前記第２方向の中央部に重なる位置に設けられた、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記複数の接合部は、前記第１方向とは交差する第２方向で前記第１接合部と隣り合う第２接合部を含み、
前記第１金属部の前記第２方向の長さは、前記第１接合部と前記第２接合部との中心間距離よりも大きい、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
前記第１金属部の前記第２方向の長さは、前記第１接合部と前記第２接合部との中心間距離よりも大きい、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第１金属部は、前記第２部分に繋がるとともに前記第２面に沿って延びた第３部分を含む、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記基板は、少なくとも一部が平面状に延びた導電層を有し、
前記第１金属部は、前記導電層に接続されている、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
前記第１金属部は、前記導電層に接続されている、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第１接合部は、前記複数の接合部のなかで前記第１縁に最も近い接合部であり、
前記基板の中心と前記第１金属部との間の前記基板の中心から前記第１縁に向かう第３方向の距離は、前記基板の中心と前記第１接合部との間の前記第３方向の距離以下である、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
前記基板の中心と前記第１金属部との間の前記基板の中心から前記第１縁に向かう第３方向の距離は、前記基板の中心と前記第１接合部との間の前記第３方向の距離以下である、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第１金属部から離れて設けられた第２金属部をさらに備え、
前記基板は、前記第１縁とは異なる前記第１面の第３縁と、前記第２縁とは異なる前記第２面の第４縁とに亘る第２側面を有し、
前記第２金属部は、前記第１面に沿って延びた第３部分と、前記第２側面に沿って延びた第４部分とを含み、前記第１方向から見た場合の面積が前記第１接合部よりも大きい、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
前記基板は、前記第１縁とは異なる前記第１面の第３縁と、前記第２縁とは異なる前記第２面の第４縁とに亘る第２側面を有し、
前記第２金属部は、前記第１面に沿って延びた第３部分と、前記第２側面に沿って延びた第４部分とを含み、前記第１方向から見た場合の面積が前記第１接合部よりも大きい、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項10】
回路基板と、
前記回路基板に載置された半導体装置と、
前記回路基板と前記半導体装置とを固定する半田フィレットと、
を備え、
前記回路基板は、
前記回路基板に面する第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面と、前記第１面の第１縁と前記第２面の第２縁とに亘る第１側面とを有したパッケージ基板と、
前記第２面に実装された電子部品と、
前記第１面に設けられ、第１接合部を含む複数の接合部と、
前記第１面に沿って延びた第１部分と、前記第１側面に沿って延びた第２部分とを含み、前記パッケージ基板の厚さ方向である第１方向から見た場合の面積が前記第１接合部と比べて大きい第１金属部と、
を有し、
前記半田フィレットは、前記第１金属部の前記第１部分と前記第２部分とに接する、
基板ユニット。
前記回路基板に載置された半導体装置と、
前記回路基板と前記半導体装置とを固定する半田フィレットと、
を備え、
前記回路基板は、
前記回路基板に面する第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面と、前記第１面の第１縁と前記第２面の第２縁とに亘る第１側面とを有したパッケージ基板と、
前記第２面に実装された電子部品と、
前記第１面に設けられ、第１接合部を含む複数の接合部と、
前記第１面に沿って延びた第１部分と、前記第１側面に沿って延びた第２部分とを含み、前記パッケージ基板の厚さ方向である第１方向から見た場合の面積が前記第１接合部と比べて大きい第１金属部と、
を有し、
前記半田フィレットは、前記第１金属部の前記第１部分と前記第２部分とに接する、
基板ユニット。
【請求項11】
第１基板と、電子部品と、複数の接合部と、第１金属部とを有し、前記第１基板は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面と、前記第１面の第１縁と前記第２面の第２縁とに亘る第１側面とを含み、前記電子部品は、前記第２面に実装されており、前記複数の接合部は、前記第１面に設けられており、第１接合部を含み、前記第１金属部は、前記第１面に沿って延びた第１部分と、前記第１側面に沿って延びた第２部分とを含み、前記第１金属部は、前記第１基板の厚さ方向である第１方向から見た場合の面積が前記第１接合部よりも大きい、半導体装置を準備し、
第２基板に前記半導体装置を載置し、
前記第１金属部の前記第１部分と前記第２部分とに接する半田フィレットを形成する、
基板ユニットの製造方法。
第２基板に前記半導体装置を載置し、
前記第１金属部の前記第１部分と前記第２部分とに接する半田フィレットを形成する、
基板ユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体装置、基板ユニット、および基板ユニットの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
基板と、基板の第１面に設けられた複数の半田ボールと、基板の第２面に実装された電子部品とを含む半導体装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】米国特許出願公開第２０２１／０１２５９５２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
一実施形態は、不具合の発生の抑制を図ることができる半導体装置、基板ユニット、および基板ユニットの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態の半導体装置は、基板と、電子部品と、複数の接合部と、第１金属部とを備える。前記基板は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面と、前記第１面の第１縁と前記第２面の第２縁とに亘る第１側面とを有する。前記電子部品は、前記第２面に実装されている。前記複数の接合部は、前記第１面に設けられ、第１接合部を含む。前記第１金属部は、前記第１面に沿って延びた第１部分と、前記第１側面に沿って延びた第２部分とを含む。前記第１金属部は、前記基板の厚さ方向である第１方向から見た場合の面積が前記第１接合部よりも大きい。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】第１実施形態の基板ユニットを示す断面図。
【図2】第１実施形態の基板を示す平面図。
【図3】第１実施形態の半導体装置を示す断面図。
【図4】第１実施形態の半導体装置の裏面を示す斜視図。
【図5】第１実施形態の半導体装置の裏面を示す下面図。
【図6】第１実施形態の基板ユニットの製造方法を示す断面図。
【図7】第１実施形態の基板ユニットの放熱に関する作用を説明するための断面図。
【図8】第１実施形態の基板ユニットの製造に関する事項を説明するための断面図。
【図9】第１実施形態の第１変形例の基板ユニットの製造方法を示す断面図。
【図10】第１実施形態の第２変形例の基板ユニットの製造方法を示す断面図。
【図11】第１実施形態の第３変形例の基板ユニットの製造方法を示す断面図。
【図12】第１実施形態の第４変形例の基板ユニットの製造方法を示す断面図。
【図13】第１実施形態の第５変形例の基板ユニットの製造方法を示す断面図。
【図14】第１実施形態の第６変形例の基板ユニットの製造方法を示す断面図。
【図15】第２実施形態の半導体装置の裏面を示す下面図。
【図16】第３実施形態の基板ユニットを示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、実施形態の半導体装置、基板ユニット、および基板ユニットの製造方法を、図面を参照して説明する。以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。本出願で「平行」、「直交」、または「同じ」とは、それぞれ、「略平行」、「略直交」、または「略同じ」である場合を含み得る。本出願で「接続」とは、機械的な接続に限定されず、電気的な接続を含み得る。すなわち「接続」とは、対象物と直接に接続される場合に限定されず、別の要素を間に介在させて対象物と接続される場合を含み得る。
【0008】
本出願では、＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｚ方向、および－Ｚ方向は、以下のように定義される。＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、および－Ｙ方向は、後述するパッケージ基板３１の第１面３１ａと平行な方向である（図１参照）。＋Ｘ方向は、後述するパッケージ基板３１の第２側面３１ｃｂから第１側面３１ｃａに向かう方向である（図１参照）。－Ｘ方向は、＋Ｘ方向とは反対の方向である。＋Ｘ方向と－Ｘ方向とを区別しない場合は、単に「Ｘ方向」と称する。＋Ｙ方向および－Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。＋Ｙ方向は、後述するパッケージ基板３１の第４面３１ｃｄから第３面３１ｃｃに向かう方向である（図４参照）。－Ｙ方向は、＋Ｙ方向とは反対の方向である。＋Ｙ方向と－Ｙ方向とを区別しない場合は、単に「Ｙ方向」と称する。＋Ｚ方向および－Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。＋Ｚ方向は、後述するパッケージ基板３１の第１面３１ａから第２面３１ｂに向かう方向である（図１参照）。－Ｚ方向は、＋Ｚ方向とは反対の方向である。＋Ｚ方向と－Ｚ方向とを区別しない場合は、単に「Ｚ方向」と称する。Ｚ方向は、パッケージ基板３１の厚さ方向である。Ｚ方向は、「第１方向」の一例である。Ｙ方向は、「第２方向」の一例である。Ｘ方向は、「第３方向」の一例である。
【0009】
（第１実施形態）
＜１．基板ユニットの全体構成＞
図１から図７を参照し、第１実施形態の基板ユニット１について説明する。
図１は、基板ユニット１を示す断面図である。なお図１では、説明の便宜上、ソルダーレジスト層の図示を省略している。
＜１．基板ユニットの全体構成＞
図１から図７を参照し、第１実施形態の基板ユニット１について説明する。
図１は、基板ユニット１を示す断面図である。なお図１では、説明の便宜上、ソルダーレジスト層の図示を省略している。
【0010】
基板ユニット１は、回路を含む部品が実装された組立体である。基板ユニット１は、例えば、基板１０と、半導体装置３０と、複数の半田フィレット７０とを有する。
【0011】
＜２．基板＞
基板１０は、プリント配線板である。基板１０は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板部材である。基板１０は、「回路基板」および「第２基板」のそれぞれ一例である。基板１０は、第１面１０ａと、第２面１０ｂとを有する。第１面１０ａは、＋Ｚ方向に向いた面である。第２面１０ｂは、第１面１０ａとは反対側に位置し、－Ｚ方向に向いた面である。基板１０は、例えば、絶縁基材１１と、導電パターン１２と、ソルダーレジスト層１３（図７参照）とを含む。
基板１０は、プリント配線板である。基板１０は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板部材である。基板１０は、「回路基板」および「第２基板」のそれぞれ一例である。基板１０は、第１面１０ａと、第２面１０ｂとを有する。第１面１０ａは、＋Ｚ方向に向いた面である。第２面１０ｂは、第１面１０ａとは反対側に位置し、－Ｚ方向に向いた面である。基板１０は、例えば、絶縁基材１１と、導電パターン１２と、ソルダーレジスト層１３（図７参照）とを含む。
【0012】
（絶縁基材）
絶縁基材１１は、基板１０の基部を形成した絶縁性の基材である。絶縁基材１１は、例えば、ガラスエポキシ材またはポリイミドなどの絶縁材料で形成された絶縁性の硬質部材である。
絶縁基材１１は、基板１０の基部を形成した絶縁性の基材である。絶縁基材１１は、例えば、ガラスエポキシ材またはポリイミドなどの絶縁材料で形成された絶縁性の硬質部材である。
【0013】
（導電パターン）
導電パターン１２は、絶縁基材１１に設けられた導電部である。導電パターン１２は、例えば、銅材料により形成されている。導電パターン１２は、例えば、複数のパッド２１と、複数のパッド２２と、複数の導電ライン２３と、導電層２４とを含む。
導電パターン１２は、絶縁基材１１に設けられた導電部である。導電パターン１２は、例えば、銅材料により形成されている。導電パターン１２は、例えば、複数のパッド２１と、複数のパッド２２と、複数の導電ライン２３と、導電層２４とを含む。
【0014】
複数のパッド２１は、電気接続用パッドである。複数のパッド２１は、基板１０の第１面１０ａにおいて、半導体装置３０の複数の半田ボール３５（後述）に対応する位置に分かれて配置されている。
【0015】
複数のパッド２２は、半田フィレット７０が設けられる固定用のパッドである。複数のパッド２２は、基板１０の第１面１０ａにおいて、半導体装置３０の金属部（後述）に対応する位置に分かれて配置されている。
【0016】
図２は、基板１０を示す平面図である。各パッド２２は、第１部分２２ａと、第２部分２２ｂとを有する。第１部分２２ａは、Ｚ方向から見た場合に、半導体装置３０と重なる。一方で、第２部分２２ｂは、Ｚ方向から見た場合、半導体装置３０と重ならない。第２部分２２ｂは、半導体装置３０から離れる方向に向けて第１部分２２ａから延びている。
【0017】
図１に戻り、導電ライン２３および導電層２４について説明する。
複数の導電ライン２３は、絶縁基材１１に設けられた導電性の接続部である。導電ライン２３は、絶縁基材１１の内部または表面に設けられている。各導電ライン２３は、線状に延びている。いくつかの導電ライン２３は、例えば、パッド２１に接続されている。別の１つ以上（例えば複数）の導電ライン２３は、パッド２２と、導電層２４とを接続している。
複数の導電ライン２３は、絶縁基材１１に設けられた導電性の接続部である。導電ライン２３は、絶縁基材１１の内部または表面に設けられている。各導電ライン２３は、線状に延びている。いくつかの導電ライン２３は、例えば、パッド２１に接続されている。別の１つ以上（例えば複数）の導電ライン２３は、パッド２２と、導電層２４とを接続している。
【0018】
導電層２４は、絶縁基材１１の内部に設けられ、Ｘ方向およびＹ方向に沿って平面状（板状）に広がる導電部である。導電層２４は、導電ライン２３と比べて面積が広い導電部である。導電層２４は、いわゆるベタ層である。導電層２４は、例えば、基板１０のグラウンド層である。なお、導電層２４は、基板１０の電源層でもよいし、放熱用の金属層などでもよい。
【0019】
（ソルダーレジスト）
ソルダーレジスト層１３（図７参照）は、基板１０の第１面１０ａおよび第２面１０ｂに設けられた保護層である。ソルダーレジスト層１３は、例えば、基板１０の第１面１０ａにおいて、パッド２１およびパッド２２を外れた位置に設けられている。なお、ソルダーレジスト層１３は、パッド２１の縁部、および／または、パッド２２の縁部を覆ってもよい。
ソルダーレジスト層１３（図７参照）は、基板１０の第１面１０ａおよび第２面１０ｂに設けられた保護層である。ソルダーレジスト層１３は、例えば、基板１０の第１面１０ａにおいて、パッド２１およびパッド２２を外れた位置に設けられている。なお、ソルダーレジスト層１３は、パッド２１の縁部、および／または、パッド２２の縁部を覆ってもよい。
【0020】
＜３．半導体装置＞
次に、半導体装置３０について説明する。
図３は、半導体装置３０を示す断面図である。半導体装置３０は、例えば、基板３１、１つ以上の電子部品３２、複数のボンディングワイヤ３３、封止部材３４、複数の半田ボール３５、および複数の金属部３６を有する。以下では、半導体装置３０の基板３１と、上述した基板１０とを区別するため、基板３１を「パッケージ基板３１」と称する。
次に、半導体装置３０について説明する。
図３は、半導体装置３０を示す断面図である。半導体装置３０は、例えば、基板３１、１つ以上の電子部品３２、複数のボンディングワイヤ３３、封止部材３４、複数の半田ボール３５、および複数の金属部３６を有する。以下では、半導体装置３０の基板３１と、上述した基板１０とを区別するため、基板３１を「パッケージ基板３１」と称する。
【0021】
＜３．１ パッケージ基板＞
パッケージ基板３１は、プリント配線板である。パッケージ基板３１は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板部材である。パッケージ基板３１は、Ｚ方向から見た場合に、半導体装置３０の外形と同じ矩形状である。パッケージ基板３１は、「第１基板」の一例である。
パッケージ基板３１は、プリント配線板である。パッケージ基板３１は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板部材である。パッケージ基板３１は、Ｚ方向から見た場合に、半導体装置３０の外形と同じ矩形状である。パッケージ基板３１は、「第１基板」の一例である。
【0022】
パッケージ基板３１は、第１面３１ａと、第２面３１ｂと、周面３１ｃとを有する。第１面３１ａは、－Ｚ方向に向いた面である。第１面３１ａは、Ｘ方向およびＹ方向に沿う平面である。第２面３１ｂは、第１面３１ａとは反対側に位置し、＋Ｚ方向に向いた面である。第２面３１ｂは、Ｘ方向およびＹ方向に沿う平面である。周面３１ｃは、第１面３１ａおよび第２面３１ｂとは交差した方向に延びており、第１面３１ａの周縁と第２面３１ｂの周縁とに亘る。周面３１ｃは、Ｚ方向に沿う。
【0023】
図４は、半導体装置３０の裏面を示す斜視図である。パッケージ基板３１は、矩形の板状である。上述した第１面３１ａは、パッケージ基板３１の４つの辺に対応した４つの縁３１ａａ～３１ａｄを有する。縁３１ａａは、＋Ｘ方向側の縁である。縁３１ａａは、Ｙ方向に延びている。縁３１ａｂは、－Ｘ方向側の縁である。縁３１ａｂは、Ｙ方向に延びている。縁３１ａｃは、＋Ｙ方向側の縁である。縁３１ａｃは、Ｘ方向に延びており、縁３１ａａの一端と縁３１ａｂの一端とに亘る。縁３１ａｄは、－Ｙ方向側の縁である。縁３１ａｄは、Ｘ方向に延びており、縁３１ａａの他端と縁３１ａｂの他端とに亘る。縁３１ａａは、「第１縁」の一例である。縁３１ａｂは、「第３縁」の一例である。
【0024】
上述した第２面３１ｂは、パッケージ基板３１の４つの辺に対応した４つの縁３１ｂａ～３１ｂｄを有する。縁３１ｂａは、＋Ｘ方向側の縁である。縁３１ｂａは、Ｙ方向に延びている。縁３１ｂｂは、－Ｘ方向側の縁である。縁３１ｂｂは、Ｙ方向に延びている。縁３１ｂｃは、＋Ｙ方向側の縁である。縁３１ｂｃは、Ｘ方向に延びており、縁３１ｂａの一端と縁３１ｂｂの一端とに亘る。縁３１ｂｄは、－Ｙ方向側の縁である。縁３１ｂｄは、Ｘ方向に延びており、縁３１ｂａの他端と縁３１ｂｂの他端とに亘る。縁３１ｂａは、「第２縁」の一例である。縁３１ｂｂは、「第４縁」の一例である。
【0025】
上述した周面３１ｃは、パッケージ基板３１の４つの辺に対応した４つの側面３１ｃａ～３１ｃｄを有する。第１側面３１ｃａは、＋Ｘ方向に向いた面である。第１側面３１ｃａは、Ｙ方向およびＺ方向に沿う平面である。第１側面３１ｃａは、第１面３１ａの縁３１ａａと第２面３１ｂの縁３１ｂａとに亘る。第２側面３１ｃｂは、第１側面３１ｃａとは反対側に位置する。第２側面３１ｃｂは、－Ｘ方向に向いた面である。第２側面３１ｃｂは、Ｙ方向およびＺ方向に沿う平面である。第２側面３１ｃｂは、第１面３１ａの縁３１ａｂと第２面３１ｂの縁３１ｂｂとに亘る。
【0026】
第３側面３１ｃｃは、＋Ｙ方向に向いた面である。第３側面３１ｃｃは、Ｘ方向およびＺ方向に沿う平面である。第３側面３１ｃｃは、第１面３１ａの縁３１ａｃと第２面３１ｂの縁３１ｂｃとに亘る。第４側面３１ｃｄは、第３側面３１ｃｃとは反対側に位置する。第４側面３１ｃｄは、－Ｙ方向に向いた面である。第４側面３１ｃｄは、Ｘ方向およびＺ方向に沿う平面である。第４側面３１ｃｄは、第１面３１ａの縁３１ａｄと第２面３１ｂの縁３１ｂｄとに亘る。
【0027】
図３に戻り、パッケージ基板３１の構造について説明する。パッケージ基板３１は、例えば、絶縁基材４１と、導電パターン４２と、ソルダーレジスト層４３とを含む。
【0028】
（絶縁基材）
絶縁基材４１は、パッケージ基板３１の基部を形成した絶縁性の基材である。絶縁基材４１は、ガラスエポキシ樹脂またはポリイミドなどの絶縁材料で形成された絶縁性の硬質部材である。
絶縁基材４１は、パッケージ基板３１の基部を形成した絶縁性の基材である。絶縁基材４１は、ガラスエポキシ樹脂またはポリイミドなどの絶縁材料で形成された絶縁性の硬質部材である。
【0029】
（導電パターン）
導電パターン４２は、絶縁基材４１に設けられた導電部である。導電パターン４２は、例えば、銅材料により形成されている。導電パターン４２は、例えば、複数のパッド５１と、複数の導電ライン５２と、導電層５３とを含む。
導電パターン４２は、絶縁基材４１に設けられた導電部である。導電パターン４２は、例えば、銅材料により形成されている。導電パターン４２は、例えば、複数のパッド５１と、複数の導電ライン５２と、導電層５３とを含む。
【0030】
複数のパッド５１は、電気接続用パッドである。複数のパッド５１は、パッケージ基板３１の第１面３１ａに露出している。各パッド５１には、半田ボール３５が搭載される。
【0031】
複数の導電ライン５２は、絶縁基材４１に設けられた導電性の接続部である。導電ライン５２は、絶縁基材４１の内部または表面に設けられている。各導電ライン５２は、線状に延びている。複数の導電ライン５２に含まれる一部の導電ライン５２ａは、例えば、電子部品３２とパッド５１とを接続している。複数の導電ライン５２に含まれる別の１つ以上（例えば複数）の導電ライン５２ｂは、導電層５３と金属部３６（後述）とを接続する。なお上記例に代えて／加えて、複数の導電ライン５２に含まれる別の１つ以上（例えば複数）の導電ライン５２ｂは、電子部品３２と金属部３６（後述）とを接続してもよい。
【0032】
導電層５３は、少なくとも一部が平面状に広がる。導電層５３は、例えば、Ｘ方向およびＹ方向に沿う平面部である。導電層５３は、電子部品３２にＺ方向で向かい合う。本実施形態では、導電層５３は、パッケージ基板３１の第２面３１ｂに設けられている。導電層５３は、例えば電子部品３２に直接に接する。これにより、導電層５３は、電子部品３２に熱的に接続されている。なお、導電層５３は、熱伝導性部材（熱伝導性シートまたは熱伝導性グリスなど）を介して電子部品３２に熱的に接続されてもよい。
【0033】
（ソルダーレジスト）
ソルダーレジスト層４３は、パッケージ基板３１の第１面３１ａに設けられた保護層である。ソルダーレジスト層４３は、例えば、パッケージ基板３１の第１面３１ａにおいて、パッド５１および金属部３６を外れた位置に設けられている。なお、ソルダーレジスト層４３は、パッド５１の縁部、および／または、金属部３６の縁部を覆ってもよい。
ソルダーレジスト層４３は、パッケージ基板３１の第１面３１ａに設けられた保護層である。ソルダーレジスト層４３は、例えば、パッケージ基板３１の第１面３１ａにおいて、パッド５１および金属部３６を外れた位置に設けられている。なお、ソルダーレジスト層４３は、パッド５１の縁部、および／または、金属部３６の縁部を覆ってもよい。
【0034】
＜３．２ 電子部品＞
電子部品３２は、パッケージ基板３１の第２面３１ｂに実装されている。電子部品３２は、例えば、半導体部品である。電子部品３２は、例えば、コントローラのようなＳｏＣ（System on a Chip）を含む半導体部品でもよいし、半導体メモリチップでもよいし、その他の半導体部品でもよい。「半導体メモリチップ」とは、例えば、ＮＡＮＤ型の半導体メモリチップであるが、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）型の半導体メモリチップ、またはその他形式の半導体メモリチップでもよい。
電子部品３２は、パッケージ基板３１の第２面３１ｂに実装されている。電子部品３２は、例えば、半導体部品である。電子部品３２は、例えば、コントローラのようなＳｏＣ（System on a Chip）を含む半導体部品でもよいし、半導体メモリチップでもよいし、その他の半導体部品でもよい。「半導体メモリチップ」とは、例えば、ＮＡＮＤ型の半導体メモリチップであるが、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）型の半導体メモリチップ、またはその他形式の半導体メモリチップでもよい。
【0035】
＜３．３ ボンディングワイヤ＞
ボンディングワイヤ３３は、パッケージ基板３１の第２面３１ｂと電子部品３２とを接続する電気接続部である。なお、電子部品３２は、ボンディングワイヤ３３を介してパッケージ基板３１に電気的に接続される電子部品に限定されない。電子部品３２は、パッケージ基板３１の第２面３１ｂに向かい合う複数の半田ボールを有してパッケージ基板３１の第２面３１ｂに実装されてもよい。
ボンディングワイヤ３３は、パッケージ基板３１の第２面３１ｂと電子部品３２とを接続する電気接続部である。なお、電子部品３２は、ボンディングワイヤ３３を介してパッケージ基板３１に電気的に接続される電子部品に限定されない。電子部品３２は、パッケージ基板３１の第２面３１ｂに向かい合う複数の半田ボールを有してパッケージ基板３１の第２面３１ｂに実装されてもよい。
【0036】
＜３．４ 封止部材＞
封止部材３４は、電子部品３２を＋Ｚ方向側から覆う絶縁部である。本実施形態では、封止部材３４は、電子部品３２およびボンディングワイヤ３３を＋Ｚ方向側から覆う。封止部材３４は、例えば、モールド樹脂である。封止部材３４は、パッケージ基板３１の第２面３１ｂに設けられ、Ｚ方向から見た場合にパッケージ基板３１の第２面３１ｂを覆う。なお、後述する変形例のように封止部材３４は、設けられなくてもよい。
封止部材３４は、電子部品３２を＋Ｚ方向側から覆う絶縁部である。本実施形態では、封止部材３４は、電子部品３２およびボンディングワイヤ３３を＋Ｚ方向側から覆う。封止部材３４は、例えば、モールド樹脂である。封止部材３４は、パッケージ基板３１の第２面３１ｂに設けられ、Ｚ方向から見た場合にパッケージ基板３１の第２面３１ｂを覆う。なお、後述する変形例のように封止部材３４は、設けられなくてもよい。
【0037】
＜３．５ 半田ボール＞
複数の半田ボール３５は、半導体装置３０と基板１０とを接続する電気接続部である。複数の半田ボール３５は、パッケージ基板３１の第１面３１ａに設けられ、半導体装置３０の外部に露出している。各半田ボール３５は、パッケージ基板３１の第１面３１ａに露出したパッド５１に接続されている。複数の半田ボール３５は、例えば、Ｘ方向およびＹ方向に沿う格子状に配列されている。本実施形態では、複数の半田ボール３５は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）タイプの半田接合部である。半田ボール３５は、「接合部」の一例である。複数の半田ボール３５は、当該複数の半田ボール３５のなかで最外周に配置された複数の半田ボール３５Ｓを有する（図４参照）。
複数の半田ボール３５は、半導体装置３０と基板１０とを接続する電気接続部である。複数の半田ボール３５は、パッケージ基板３１の第１面３１ａに設けられ、半導体装置３０の外部に露出している。各半田ボール３５は、パッケージ基板３１の第１面３１ａに露出したパッド５１に接続されている。複数の半田ボール３５は、例えば、Ｘ方向およびＹ方向に沿う格子状に配列されている。本実施形態では、複数の半田ボール３５は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）タイプの半田接合部である。半田ボール３５は、「接合部」の一例である。複数の半田ボール３５は、当該複数の半田ボール３５のなかで最外周に配置された複数の半田ボール３５Ｓを有する（図４参照）。
【0038】
図５は、半導体装置３０の裏面を示す下面図である。
パッケージ基板３１の第１面３１ａは、半田ボール３５が配置されていない４つの領域Ａ１～Ａ４を有する。第１領域Ａ１は、第１面３１ａの縁３１ａａに沿って配置されている。第１領域Ａ１は、第１面３１ａの縁３１ａａのＹ方向の中央部に対応して配置されている。第１領域Ａ１は、Ｙ方向で複数の半田ボール３５（例えば複数の半田ボール３５Ｓ）の間に位置する。第２領域Ａ２は、第１面３１ａの縁３１ａｂに沿って配置されている。第２領域Ａ２は、第１面３１ａの縁３１ａｂのＹ方向の中央部に対応して配置されている。第２領域Ａ２は、Ｙ方向で複数の半田ボール３５（例えば複数の半田ボール３５Ｓ）の間に位置する。
パッケージ基板３１の第１面３１ａは、半田ボール３５が配置されていない４つの領域Ａ１～Ａ４を有する。第１領域Ａ１は、第１面３１ａの縁３１ａａに沿って配置されている。第１領域Ａ１は、第１面３１ａの縁３１ａａのＹ方向の中央部に対応して配置されている。第１領域Ａ１は、Ｙ方向で複数の半田ボール３５（例えば複数の半田ボール３５Ｓ）の間に位置する。第２領域Ａ２は、第１面３１ａの縁３１ａｂに沿って配置されている。第２領域Ａ２は、第１面３１ａの縁３１ａｂのＹ方向の中央部に対応して配置されている。第２領域Ａ２は、Ｙ方向で複数の半田ボール３５（例えば複数の半田ボール３５Ｓ）の間に位置する。
【0039】
第３領域Ａ３は、第１面３１ａの縁３１ａｃに沿って配置されている。第３領域Ａ３は、第１面３１ａの縁３１ａｃのＸ方向の中央部に対応して配置されている。第３領域Ａ３は、Ｘ方向で複数の半田ボール３５（例えば複数の半田ボール３５Ｓ）の間に位置する。第４領域Ａ４は、第１面３１ａの縁３１ａｄに沿って配置されている。第４領域Ａ４は、第１面３１ａの縁３１ａｄのＸ方向の中央部に対応して配置されている。第４領域Ａ２は、Ｘ方向で複数の半田ボール３５（例えば複数の半田ボール３５Ｓ）の間に位置する。
【0040】
＜３．６ 金属部＞
図３に戻り、金属部３６について説明する。複数の金属部３６は、パッケージ基板３１に設けられている。金属部３６は、例えば、（１）リフロー工程での半導体装置３０のセルフアライメント効果の向上、（２）部品接続強度の向上、および（３）放熱性の向上のうち、いずれか１つ以上の作用を期待して設けられた金属部である。なお、金属部３６は、上記作用とは異なる作用を期待して設けられていてもよい。
図３に戻り、金属部３６について説明する。複数の金属部３６は、パッケージ基板３１に設けられている。金属部３６は、例えば、（１）リフロー工程での半導体装置３０のセルフアライメント効果の向上、（２）部品接続強度の向上、および（３）放熱性の向上のうち、いずれか１つ以上の作用を期待して設けられた金属部である。なお、金属部３６は、上記作用とは異なる作用を期待して設けられていてもよい。
【0041】
図３に示すように、各金属部３６は、例えば、第１水平部６１と、起立部６２と、第２水平部６３とを有する。第１水平部６１、起立部６２、および第２水平部６３は、例えば、互いに繋がっている。なお、「水平部」および「起立部」との表現は、説明の便宜上のものであり、金属部３６の姿勢や形状を限定するものではない。また、第２水平部６３は、省略されてもよい。
【0042】
第１水平部６１は、パッケージ基板３１の第１面３１ａに沿って延びている。第１水平部６１は、－Ｚ方向に向いた平面部である。第１水平部６１は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う。第１水平部６１は、半導体装置３０の外部に露出する。第１水平部６１は、パッケージ基板３１の周面３１ｃの一部に隣接して設けられている。第１水平部６１は、後述する起立部６２から第１面３１ａの中央側に向けて延びている。ここで本実施形態では、第１水平部６１は、後述するように、パッケージ基板３１の表面に設けられた本体部３７と、本体部３７に積層された表層部３８とを有する。「第１水平部６１が半導体装置３０の外部に露出する」とは、第１水平部６１の本体部３７が外部に露出する場合に限定されず、第１水平部６１の表層部３８が外部に露出する場合を含み得る。
【0043】
Ｚ方向から見た場合、第１水平部６１の面積は、複数の半田ボール３５に含まれる任意の１つの半田ボール３５（例えば第１半田ボール３５Ｓ１）の面積よりも大きい（図５参照）。半田ボール３５Ｓ１は、「第１接合部」の一例である。本実施形態では、第１水平部６１の面積は、任意の２つの半田ボール３５の面積の合計よりも大きい。なお、「半田ボールの面積」とは、半田ボールの最大直径部の面積を意味する。
【0044】
起立部６２は、第１水平部６１の端から＋Ｚ方向に起立している。起立部６２は、パッケージ基板３１の周面３１ｃに沿ってＺ方向に延びている。起立部６２は、例えば、パッケージ基板３１のＺ方向の厚さの全長（周面３１ｃのＺ方向の全長）に亘り設けられている。起立部６２は、半導体装置３０の外部に露出する。ここで本実施形態では、起立部６２は、後述するように、パッケージ基板３１の表面に設けられた本体部３７と、本体部３７に積層された表層部３８とを有する。「起立部６２が半導体装置３０の外部に露出する」とは、起立部６２の本体部３７が外部に露出する場合に限定されず、起立部６２の表層部３８が外部に露出する場合を含み得る。
【0045】
第２水平部６３は、パッケージ基板３１の第２面３１ｂに沿って延びている。第２水平部６３は、＋Ｚ方向に向いた平面部である。第２水平部６３は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う。第２水平部６３は、パッケージ基板３１の周面３１ｃの一部に隣接して設けられている。第２水平部６３は、起立部６２の＋Ｚ方向側の端から第２面３１ｂの中央側に向いて延びている。第２水平部６３は、封止部材３４により＋Ｚ方向側から覆われている。
【0046】
Ｚ方向から見た場合、第２水平部６３の面積は、複数の半田ボール３５に含まれる任意の１つの半田ボール３５（例えば第１半田ボール３５Ｓ１）の面積よりも大きい。本実施形態では、第２水平部６３の面積は、任意の２つの半田ボール３５の面積の合計よりも大きい。
【0047】
図４に示すように、本実施形態では、複数の金属部３６は、第１から第４の金属部３６Ａ～３６Ｄを含む。第１から第４の金属部３６Ａ～３６Ｄは、互いに離れて配置されている。第１から第４の金属部３６Ａ～３６Ｄの各々は、例えば、導電ライン５２ｂを介して上述した導電層５３に接続されている（図３参照）。例えば、第１から第４の金属部３６Ａ～３６Ｄの各々の第２水平部６３は、導電ライン５２ｂを介して導電層５３に接続されている。なお上記例に代えて／加えて、第１から第４の金属部３６Ａ～３６Ｄの第１水平部６１または起立部６２が導電ライン５２ｂを介して導電層５３に接続されてもよい。
【0048】
（第１金属部）
第１金属部３６Ａは、第１面３１ａの縁３１ａａのＹ方向の中央部に対応して設けられている。例えば、第１金属部３６Ａの第１水平部６１は、第１面３１ａの縁３１ａａのＹ方向の中央部に対応して配置され、領域Ａ１に設けられている。第１金属部３６Ａの第１水平部６１は、「第１部分」の一例である。
第１金属部３６Ａは、第１面３１ａの縁３１ａａのＹ方向の中央部に対応して設けられている。例えば、第１金属部３６Ａの第１水平部６１は、第１面３１ａの縁３１ａａのＹ方向の中央部に対応して配置され、領域Ａ１に設けられている。第１金属部３６Ａの第１水平部６１は、「第１部分」の一例である。
【0049】
ここで、半導体装置３０に設けられた複数の半田ボール３５は、上述した第１半田ボール３５Ｓ１とＹ方向で隣り合う第２半田ボール３５Ｓ２を含む。第２半田ボール３５Ｓ２は、「第２接合部」の一例である。本実施形態では、第１金属部３６Ａの第１水平部６１のＹ方向の長さＬ１は、第１半田ボール３５Ｓ１と第２半田ボール３５Ｓ２との中心間距離Ｌ２よりも大きい（図５参照）。なお、第２から第４の金属部３６Ｂ～３６Ｄの各々の第１水平部６１も、第１金属部３６Ａの第１水平部６１と同じ面積を有する。
【0050】
上述した第１半田ボール３５Ｓ１は、例えば、複数の半田ボール３５のなかで、パッケージ基板３１の縁３１ａａに最も近い半田ボール３５である。パッケージ基板３１の中心Ｃと第１金属部３６Ａの第１水平部６１との間のＸ方向の距離Ｌ３は、パッケージ基板３１の中心Ｃと第１半田ボール３５Ｓ１との間のＸ方向の距離Ｌ４以下である（図５参照）。本実施形態では、上記距離Ｌ３は、上記距離Ｌ４よりも小さい。本実施形態では、第１金属部３６Ａの第１水平部６１の一部は、最外周の半田ボール３５Ｓよりも－Ｘ方向側に位置する。
【0051】
第１金属部３６Ａの起立部６２は、パッケージ基板３１の第１側面３１ｃａのＹ方向の中央部に設けられている。第１金属部３６Ａの起立部６２は、第１側面３１ｃａに沿ってＺ方向に延びている。第１金属部３６Ａの起立部６２は、＋Ｘ方向に向いた平面部である。第１金属部３６Ａの起立部６２は、Ｙ方向およびＺ方向に沿う。第１金属部３６Ａの起立部６２は、例えば、第１側面３１ｃａのＺ方向の全長に亘り設けられている。第１金属部３６Ａの起立部６２は、第１面３１ａの縁３１ａａと第２面３１ｂの縁３１ｂａとに亘る。第１金属部３６Ａの起立部６２のＹ方向の長さは、例えば、第１金属部３６Ａの第１水平部６１のＹ方向の長さと同じである。第１金属部３６Ａの起立部６２は、「第２部分」の一例である。
【0052】
第１金属部３６Ａの第２水平部６３は、第２面３１ｂの縁３１ｂａのＹ方向の中央部に対応して設けられている（図３参照）。第１金属部３６Ａの第２水平部６３のＹ方向の長さは、例えば、第１金属部３６Ａの第１水平部６１のＹ方向の長さと同じである。
【0053】
（第２金属部）
第２金属部３６Ｂは、第１面３１ａの縁３１ａｂのＹ方向の中央部に対応して設けられている。例えば、第２金属部３６Ｂの第１水平部６１は、第１面３１ａの縁３１ａｂのＹ方向の中央部に対応して配置され、領域Ａ２に設けられている。第２金属部３６Ｂの第１水平部６１は、「第３部分」の一例である。
第２金属部３６Ｂは、第１面３１ａの縁３１ａｂのＹ方向の中央部に対応して設けられている。例えば、第２金属部３６Ｂの第１水平部６１は、第１面３１ａの縁３１ａｂのＹ方向の中央部に対応して配置され、領域Ａ２に設けられている。第２金属部３６Ｂの第１水平部６１は、「第３部分」の一例である。
【0054】
本実施形態では、第２金属部３６Ｂの第１水平部６１のＹ方向の長さＬ１は、第１半田ボール３５Ｓ１と第２半田ボール３５Ｓ２との中心間距離Ｌ２よりも大きい。本実施形態では、第２金属部３６Ｂの第１水平部６１の一部は、最外周の半田ボール３５Ｓよりも＋Ｘ方向側に位置する。
【0055】
第２金属部３６Ｂの起立部６２は、パッケージ基板３１の第２側面３１ｃｂのＹ方向の中央部に設けられている。第２金属部３６Ｂの起立部６２は、第２側面３１ｃｂに沿ってＺ方向に延びている。第２金属部３６Ｂの起立部６２は、－Ｘ方向に向いた平面部である。第２金属部３６Ｂの起立部６２は、Ｙ方向およびＺ方向に沿う。第２金属部３６Ｂの起立部６２は、例えば、第２側面３１ｃｂのＺ方向の全長に亘り設けられている。第２金属部３６Ｂの起立部６２は、第１面３１ａの縁３１ａｂと第２面３１ｂの縁３１ｂｂとに亘る。第２金属部３６Ｂの起立部６２のＹ方向の長さは、例えば、第２金属部３６Ｂの第１水平部６１のＹ方向の長さと同じである。第２金属部３６Ｂの起立部６２は、「第４部分」の一例である。
【0056】
第２金属部３６Ｂの第２水平部６３は、第２面３１ｂの縁３１ｂｂのＹ方向の中央部に対応して設けられている。第２金属部３６Ｂの第２水平部６３のＹ方向の長さは、例えば、第２金属部３６Ｂの第１水平部６１のＹ方向の長さと同じである。
【0057】
（第３金属部）
第３金属部３６Ｃは、第１面３１ａの縁３１ａｃのＸ方向の中央部に対応して設けられている。例えば、第３金属部３６Ｃの第１水平部６１は、第１面３１ａの縁３１ａｃのＸ方向の中央部に対応して配置され、領域Ａ３に設けられている。
第３金属部３６Ｃは、第１面３１ａの縁３１ａｃのＸ方向の中央部に対応して設けられている。例えば、第３金属部３６Ｃの第１水平部６１は、第１面３１ａの縁３１ａｃのＸ方向の中央部に対応して配置され、領域Ａ３に設けられている。
【0058】
本実施形態では、第３金属部３６Ｃの第１水平部６１のＸ方向の長さＬ１は、第１半田ボール３５Ｓ１と第２半田ボール３５Ｓ２との中心間距離Ｌ２よりも大きい。本実施形態では、第３金属部３６Ｃの第１水平部６１の一部は、最外周の半田ボール３５Ｓよりも－Ｙ方向側に位置する。
【0059】
第３金属部３６Ｃの起立部６２は、パッケージ基板３１の第３側面３１ｃｃのＸ方向の中央部に設けられている。第３金属部３６Ｃの起立部６２は、第３側面３１ｃｃに沿ってＺ方向に延びている。第３金属部３６Ｃの起立部６２は、＋Ｙ方向に向いた平面部である。第３金属部３６Ｃの起立部６２は、Ｘ方向およびＺ方向に沿う。第３金属部３６Ｃの起立部６２は、例えば、第３側面３１ｃｃのＺ方向の全長に亘り設けられている。第３金属部３６Ｃの起立部６２は、第１面３１ａの縁３１ａｃと第２面３１ｂの縁３１ｂｃとに亘る。第３金属部３６Ｃの起立部６２のＸ方向の長さは、例えば、第３金属部３６Ｃの第１水平部６１のＸ方向の長さと同じである。
【0060】
第３金属部３６Ｃの第２水平部６３は、第２面３１ｂの縁３１ｂｃのＹ方向の中央部に対応して設けられている。第３金属部３６Ｃの第２水平部６３のＸ方向の長さは、例えば、第３金属部３６Ｃの第１水平部６１のＸ方向の長さと同じである。
【0061】
（第４金属部）
第４金属部３６Ｄは、第１面３１ａの縁３１ａｄのＸ方向の中央部に対応して設けられている。例えば、第４金属部３６Ｄの第１水平部６１は、第１面３１ａの縁３１ａｄのＸ方向の中央部に対応して配置され、領域Ａ４に設けられている。
第４金属部３６Ｄは、第１面３１ａの縁３１ａｄのＸ方向の中央部に対応して設けられている。例えば、第４金属部３６Ｄの第１水平部６１は、第１面３１ａの縁３１ａｄのＸ方向の中央部に対応して配置され、領域Ａ４に設けられている。
【0062】
本実施形態では、第４金属部３６Ｄの第１水平部６１のＸ方向の長さＬ１は、第１半田ボール３５Ｓ１と第２半田ボール３５Ｓ２との中心間距離Ｌ２よりも大きい。本実施形態では、第４金属部３６Ｄの第１水平部６１の一部は、最外周の半田ボール３５Ｓよりも＋Ｙ方向側に位置する。
【0063】
第４金属部３６Ｄの起立部６２は、パッケージ基板３１の第４側面３１ｃｄのＸ方向の中央部に設けられている。第４金属部３６Ｄの起立部６２は、第４側面３１ｃｄに沿ってＺ方向に延びている。第４金属部３６Ｄの起立部６２は、－Ｙ方向に向いた平面部である。第４金属部３６Ｄの起立部６２は、Ｘ方向およびＺ方向に沿う。第４金属部３６Ｄの起立部６２は、例えば、第４側面３１ｃｄのＺ方向の全長に亘り設けられている。第４金属部３６Ｄの起立部６２は、第１面３１ａの縁３１ａｄと第２面３１ｂの縁３１ｂｄとに亘る。第４金属部３６Ｄの起立部６２のＸ方向の長さは、例えば、第４金属部３６Ｄの第１水平部６１のＸ方向の長さと同じである。
【0064】
第４金属部３６Ｄの第２水平部６３は、第２面３１ｂの縁３１ｂｄのＸ方向の中央部に対応して設けられている。同様に、第４金属部３６Ｄの第２水平部６３のＸ方向の長さは、例えば、第４金属部３６Ｄの第１水平部６１のＸ方向の長さと同じである。
【0065】
図５に示すように、本実施形態では、パッケージ基板３１の第１から第４の側面３１ｃａ～３１ｃｄの各々は、窪み６５を有する。窪み６５は、各金属部３６の起立部６２に対応する位置に設けられている。第１側面３１ｃａの窪み６５は、第１側面３１ｃａの一部がパッケージ基板３１の中央側（－Ｘ方向側）に窪むことで形成されている。第２側面３１ｃｂの窪み６５は、第２側面３１ｃｂの一部がパッケージ基板３１の中央側（＋Ｘ方向側）に窪むことで形成されている。第３側面３１ｃｃの窪み６５は、第３側面３１ｃｃの一部がパッケージ基板３１の中央側（－Ｙ方向側）に窪むことで形成されている。第４側面３１ｃｄの窪み６５は、第４側面３１ｃｄの一部がパッケージ基板３１の中央側（＋Ｘ方向側）に窪むことで形成されている。窪み６５は、パッケージ基板３１のＺ方向の厚さの全長に亘り設けられている。
【0066】
本実施形態では、金属部３６の起立部６２は、複数の半導体装置３０が製造段階の途中で個片化される前の状態（複数の半導体装置３０が繋がった状態）において、隣り合う２つの半導体装置３０の境界部にＺ方向に貫通した貫通孔を設け、スルーホールを形成する工程と同様の工程で当該貫通孔の内部に金属層（例えば銅層）を設けることで形成される。このような製造方法を用いた場合、個片化された半導体装置３０では、上記窪み６５が残る。このような窪み６５が存在すると、後述する半田フィレット７０が窪み６５の外部に広がりにくくなり、金属部３６と基板１０との間で半田フィレット７０の形状が安定しやすい。このため、このような窪み６５が存在すると、金属部３６と半田フィレット７０との接続強度をより高めることができる。
【0067】
＜３．７ 表層部＞
図３に示すように、本実施形態では、パッド５１および金属部３６の表面には、当該パッド５１または金属部３６の一部として、表層部３８が設けられている。例えば、パッド５１および金属部３６の各々は、パッケージ基板３１の表面に設けられた本体部３７と、本体部３７に積層された表層部３８とを有する。
図３に示すように、本実施形態では、パッド５１および金属部３６の表面には、当該パッド５１または金属部３６の一部として、表層部３８が設けられている。例えば、パッド５１および金属部３６の各々は、パッケージ基板３１の表面に設けられた本体部３７と、本体部３７に積層された表層部３８とを有する。
【0068】
本体部３７は、例えば銅材料である第１材料で形成されている。表層部３８は、上記第１材料とは異なる材料で形成されている。表層部３８は、半田の濡れ性を良くする、防錆性を高める、またはその他の作用を期待して設けられる。表層部３８は、例えば、表面処理またはめっき処理により形成される。表層部３８の一例は、表面処理により形成されるプレフラックス層である。表層部３８の別の一例は、電解めっきにより形成されるめっき層である。めっき層は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）で形成される第１層と、金（Ａｕ）により第１層上に形成された第２層とを含んでもよい。なお、表層部３８の材質は、上記例に限定されない。本実施形態では、表層部３８は、金属部３６の第１水平部６１、起立部６２、および第２水平部６３に連続して設けられている。
【0069】
＜３．半田フィレット＞
次に図１に戻り、半田フィレット７０について説明する。半田フィレット７０は、半導体装置３０の金属部３６と、基板１０のパッド２２との間に設けられている。半田フィレット７０は、半導体装置３０の金属部３６と、基板１０のパッド２２とを接続する。
次に図１に戻り、半田フィレット７０について説明する。半田フィレット７０は、半導体装置３０の金属部３６と、基板１０のパッド２２との間に設けられている。半田フィレット７０は、半導体装置３０の金属部３６と、基板１０のパッド２２とを接続する。
【0070】
本実施形態では、半田フィレット７０は、半導体装置３０の金属部３６の第１水平部６１に接続される第１部分７１と、半導体装置３０の金属部３６の起立部６２に接続される第２部分７２とを有する。第２部分７２は、起立部６２と水平方向で隣り合う。また本実施形態では、半田フィレット７０は、基板１０のパッド２２の第１部分２２ａと第２部分２２ｂとに亘り接続される。
【0071】
＜４．基板ユニットの製造方法＞
次に、基板ユニット１の製造方法について説明する。
図６は、基板ユニット１の製造方法を示す断面図である。本実施形態では、まず、基板１０の複数のパッド２１および複数のパッド２２に半田Ｓが供給される（図６中の（ａ）参照）。半田Ｓの供給は、例えばスクリーン印刷であるが、これに限定されない。次に、半田Ｓが供給された基板１０に半導体装置３０が載置される。
次に、基板ユニット１の製造方法について説明する。
図６は、基板ユニット１の製造方法を示す断面図である。本実施形態では、まず、基板１０の複数のパッド２１および複数のパッド２２に半田Ｓが供給される（図６中の（ａ）参照）。半田Ｓの供給は、例えばスクリーン印刷であるが、これに限定されない。次に、半田Ｓが供給された基板１０に半導体装置３０が載置される。
【0072】
次に、基板１０に半導体装置３０が載置された状態で、リフロー工程が行われる。このとき、パッド２２に供給された半田Ｓにより、半導体装置３０の金属部３６の第１部分６１と第２部分６２とに亘り接続される半田フィレット７０が形成される（図６中の（ｂ）参照）。このため、基板１０と半導体装置３０との間に載置時の位置ずれが存在する場合には、半田フィレット７０および半田ボール３５の表面張力（半田凝縮力）によってセルフアライメント効果が生じる。
【0073】
その結果、半導体装置が正規の位置に移動する（図６中の（ｃ）参照）。これにより、基板１０と半導体装置３０との間に載置時の位置ずれが小さくなる（例えば位置ずれが無くなる）。これにより、基板ユニット１が完成する。
【0074】
＜５．放熱に関する作用＞
次に、基板ユニット１の放熱に関する作用について説明する。
図７は、基板ユニット１の放熱に関する作用を説明するための断面図である。図７中の白抜き矢印は、熱の移動を示す。電子部品３２が発する熱は、電子部品３２から導電層５３に伝わる。導電層５３に伝わった熱は、導電ライン５２ｂを介して金属部３６に伝わる。金属部３６に伝わった熱は、半田フィレット７０を介して基板１０のパッド２２に伝わる。パッド２２に伝わった熱は、導電ライン２３を介して導電層２４に伝わる。導電層２４に伝わった熱は、基板１０内で拡散され、基板１０の表面から放出される。
次に、基板ユニット１の放熱に関する作用について説明する。
図７は、基板ユニット１の放熱に関する作用を説明するための断面図である。図７中の白抜き矢印は、熱の移動を示す。電子部品３２が発する熱は、電子部品３２から導電層５３に伝わる。導電層５３に伝わった熱は、導電ライン５２ｂを介して金属部３６に伝わる。金属部３６に伝わった熱は、半田フィレット７０を介して基板１０のパッド２２に伝わる。パッド２２に伝わった熱は、導電ライン２３を介して導電層２４に伝わる。導電層２４に伝わった熱は、基板１０内で拡散され、基板１０の表面から放出される。
【0075】
＜６．利点＞
比較例として、金属部３６が設けられていない半導体装置３０について考える。このような比較例の構成では、半田フィレット７０が存在しないため、次のような事象が生じ得る。（１）半田フィレット７０が存在しない場合、半田ボール３５の表面張力によるセルフアライメント効果のみが生じる。この場合、基板１０と半導体装置３０との間に載置時の位置ずれが大きいと、半田ボール３５の表面張力によるセルフアライメント効果のみでは半田の凝縮力不足により位置ずれの解消が不十分になるおそれがある。その結果、基板１０と半導体装置３０とがずれた状態のままでリフロー工程が完了し、製造歩留まりを向上させることが難しくなる。（２）基板ユニット１において、基板１０と半導体装置３０との間に位置ずれが存在すると、半田ボール３５にくびれ部が生じることがある。半田ボール３５にくびれ部が生じると、長期に亘りストレス（物理衝撃、残留応力、または湿熱など）がかかることでクラックや半田剥離が進行し、製品不具合の原因となり得る。（３）放熱性を十分に確保しにくく、半導体装置３０に大きな温度上昇が生じる可能性がある。半導体装置３０に大きな温度上昇が生じると、半導体装置３０の機能および／または寿命の低下を招く可能性がある。
比較例として、金属部３６が設けられていない半導体装置３０について考える。このような比較例の構成では、半田フィレット７０が存在しないため、次のような事象が生じ得る。（１）半田フィレット７０が存在しない場合、半田ボール３５の表面張力によるセルフアライメント効果のみが生じる。この場合、基板１０と半導体装置３０との間に載置時の位置ずれが大きいと、半田ボール３５の表面張力によるセルフアライメント効果のみでは半田の凝縮力不足により位置ずれの解消が不十分になるおそれがある。その結果、基板１０と半導体装置３０とがずれた状態のままでリフロー工程が完了し、製造歩留まりを向上させることが難しくなる。（２）基板ユニット１において、基板１０と半導体装置３０との間に位置ずれが存在すると、半田ボール３５にくびれ部が生じることがある。半田ボール３５にくびれ部が生じると、長期に亘りストレス（物理衝撃、残留応力、または湿熱など）がかかることでクラックや半田剥離が進行し、製品不具合の原因となり得る。（３）放熱性を十分に確保しにくく、半導体装置３０に大きな温度上昇が生じる可能性がある。半導体装置３０に大きな温度上昇が生じると、半導体装置３０の機能および／または寿命の低下を招く可能性がある。
【0076】
一方で、本実施形態の半導体装置３０は、パッケージ基板３１と、電子部品３２と、複数の半田ボール３５と、第１金属部３６Ａとを有する。第１金属部３６Ａは、パッケージ基板３１の第１面３１ａに沿って延びた第１水平部６１と、パッケージ基板３１の第１側面３１ｃａに沿って延びた起立部６２とを含む。第１金属部３６Ａは、Ｚ方向から見た場合の面積が複数の半田ボール３５に含まれる第１半田ボール３５Ｓ１よりも大きい。
【0077】
このような構成によれば、次の（１）～（３）のうち１つ以上の作用を期待することができる。このため、半導体装置３０の不具合発生の抑制を図ることができる。（１）第１金属部３６Ａが設けられることで、第１金属部３６Ａと接続される半田フィレット７０を形成することができる。半田フィレット７０が存在する場合、半田フィレット７０および半田ボール３５の表面張力によるセルフアライメント効果を期待することができる。この場合、基板１０と半導体装置３０との間に載置時の位置ずれがある程度大きくても、セルフアライメント効果が大きいため位置ずれが解消しやすくなる。その結果、製造歩留まりの向上を図ることができる。（２）半導体装置３０の第１側面３１ｃａに亘る半田フィレット７０が形成されることで、半導体装置３０の第１面３１ａに設けられた金属部に半田フィレットが接続された場合と比べて、基板１０と半導体装置３０の間の接合強度が向上する。このため、長期に亘りストレス（物理衝撃、残留応力、または湿熱など）がかかる場合でもクラックや半田剥離が進行しにくく、製品不具合が発生しにくくなる。（３）半導体装置３０の第１金属部３６Ａおよび半田フィレット７０が放熱部として機能することで、放熱性を高めることができる。これにより、半導体装置３０に大きな温度上昇が生じることを抑制することができる。
【0078】
本実施形態では、第１金属部３６Ａの第１水平部６１と起立部６２とが繋がっている。このような構成によれば、第１水平部６１から起立部６２に半田Ｓが濡れ広がりやすく、半田フィレット７０が形成されやすくなる。これにより、例えば、基板１０と半導体装置３０との間に載置時の位置ずれがさらに解消しやすくなる。
【0079】
本実施形態では、第１金属部３６Ａの起立部６２は、パッケージ基板３１の第１面３１ａの縁３１ａａと第２面３１ｂの縁ｂａとに亘る。このような構成によれば、パッケージ基板３１の第１側面３１ｃａのＺ方向の全長に亘って半田フィレット７０と金属部３６の起立部６２とが接合しやすい。これにより、例えば、基板１０と半導体装置３０との間の載置時の位置ずれがさらに解消しやすくなる。また、半田フィレット７０をより大きく形成しやすくなることで、基板１０と半導体装置３０の間の接合強度および放熱性をより向上させることができる。
【0080】
比較例として、パッケージ基板３１の角部に金属部３６を配置する場合の半導体装置３０について考える。このような比較例の構成では、半田ボール３５が配置されるパッケージ基板３１の角部に金属部３６が配置されるため、金属部３６の面積が十分に確保できない可能性がある。一方で、本実施形態では、第１金属部３６Ａは、パッケージ基板３１の第１面３１ａの縁３１ａａのＹ方向の中央部に対応して設けられている。このような構成によれば、上記比較例と比べて、金属部３６の面積を大きく確保しやすくなる。これにより、半田フィレット７０をより大きく形成しやすくなり、基板１０と半導体装置３０との間の載置時の位置ずれがさらに解消しやすくなる。また、半田フィレット７０をより大きく形成しやすくなることで、基板１０と半導体装置３０の間の接合強度および放熱性をより向上させることができる。
【0081】
本実施形態では、第１金属部３６Ａは、起立部６２に繋がるとともにパッケージ基板３１の第２面３１ｂに沿って延びた第２水平部６３を含む。このような構成によれば、第２水平部６３を介して電子部品３２の熱が第１金属部３６Ａにより伝わりやすくなる。これにより、半導体装置３０の放熱性をさらに向上させることができる。
【0082】
本実施形態では、パッケージ基板３１は、少なくとも一部が平面状に広がる導電層５３を有する。第１金属部３６Ａは、導電層５３に接続されている。このような構成によれば、導電層５３を介して電子部品３２の熱が第１金属部３６Ａにより伝わりやすくなる。これにより、半導体装置３０の放熱性をさらに向上させることができる。
【0083】
本実施形態では、パッケージ基板３１の中心Ｃと第１金属部３６Ａとの間のＸ方向の距離Ｌ３は、パッケージ基板３１の中心Ｃと第１半田ボール３５Ｓ１との間のＸ方向の距離Ｌ４以下である。このような構成によれば、金属部３６の面積を大きく確保しやすくなる。これにより、より大きな半田フィレット７０を形成しやすくなり、基板１０と半導体装置３０との間の載置時の位置ずれがさらに解消しやすくなる。また、半田フィレット７０をより大きく形成しやすくなることで、基板１０と半導体装置３０の間の接合強度および放熱性をより向上させることができる。
【0084】
本実施形態では、半導体装置３０は、第１金属部３６Ａから離れて設けられた第２金属部３６Ｂをさらに備える。第２金属部３６Ｂは、パッケージ基板３１の第１面３１ａに沿って延びた第１水平部６１と、パッケージ基板３１の第２側面３１ｃｂに沿って延びた起立部６２とを含む。第２金属部３６Ｂは、Ｚ方向から見た場合の面積が第１半田ボール３５Ｓ１よりも大きい。このような構成によれば、第１金属部３６Ａとは離れた第２金属部３６Ｂが存在することで、複数の半田フィレット７０が形成される。これにより、例えば、基板１０と半導体装置３０との間の載置時の位置ずれがさらに解消しやすくなる。また、第１金属部３６Ａ、第２金属部３６Ｂ、および複数の半田フィレット７０が接合部として機能することで、基板１０と半導体装置３０の間の接合強度をより向上させることができる。また、第１金属部３６Ａ、第２金属部３６Ｂ、および複数の半田フィレット７０が放熱部として機能することで、半導体装置３０の放熱性をさらに高めることができる。
【0085】
＜６．製造方法の変形例＞
次に、基板ユニット１の製造方法の変形例について説明する。なお各変形例において以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同じである。
次に、基板ユニット１の製造方法の変形例について説明する。なお各変形例において以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同じである。
【0086】
図８は、基板ユニット１の製造に関する事項を説明するための断面図である。図８に示すように、半導体装置３０のパッド５１には、半田ボール３５が取り付けられている。一方で、半導体装置３０の金属部３６には、半田ボール３５は取り付けられていない。このため、基板１０のパッド２１に供給された半田Ｓの高さと、基板１０のパッド２２に供給された半田Ｓの高さとが同じである場合、次の状態が生じ得る。すなわち、基板１０のパッド２１に供給された半田Ｓと半導体装置３０の半田ボール３５とが接触する状態において、基板１０のパッド２２に供給された半田Ｓと半導体装置３０の金属部３６との間に隙間ｇが残る。以下に説明する各変形例は、このような隙間ｇが生じ得る場合であっても、基板ユニット１の製造を良好に行うための変形例である。
【0087】
＜６．１ 第１変形例＞
図９は、第１変形例の基板ユニット１の製造方法を示す断面図である。本変形例では、基板１０のパッド２１およびパッド２２に半田Ｓをスクリーン印刷で供給するためのマスクＭが基板１０上に設けられる（図９中の（ａ）参照）。マスクＭは、複数のパッド２１に対向する複数の開口Ｍｈ１と、複数のパッド２２（パッド２２Ａ，２２Ｂ）に対向する複数の開口Ｍｈ２（開口Ｍｈ２Ａ，Ｍｈ２Ｂ）とを有する。
図９は、第１変形例の基板ユニット１の製造方法を示す断面図である。本変形例では、基板１０のパッド２１およびパッド２２に半田Ｓをスクリーン印刷で供給するためのマスクＭが基板１０上に設けられる（図９中の（ａ）参照）。マスクＭは、複数のパッド２１に対向する複数の開口Ｍｈ１と、複数のパッド２２（パッド２２Ａ，２２Ｂ）に対向する複数の開口Ｍｈ２（開口Ｍｈ２Ａ，Ｍｈ２Ｂ）とを有する。
【0088】
開口Ｍｈ２は、パッド２２と比べて、半導体装置３０の中心から離れる方向に延びた形状を有する。例えば、半導体装置３０の中心に対して、＋Ｘ方向側に配置されるパッド２２Ａと、当該パッド２２Ａに対応する開口Ｍｈ２Ａとについて説明する。この場合、開口Ｍｈ２Ａの－Ｘ方向側の縁ｅ１１ａのＸ方向の位置は、パッド２２Ａの－Ｘ方向側の縁ｅ２１ａのＸ方向の位置と同じである。一方で、開口Ｍｈ２Ａの＋Ｘ方向側の縁ｅ１２ａのＸ方向の位置は、パッド２２Ａの＋Ｘ方向側の縁ｅ２２ａのＸ方向の位置よりも、＋Ｘ方向側に位置する。
【0089】
同様に、半導体装置３０の中心に対して、－Ｘ方向側に配置されるパッド２２Ｂと、当該パッド２２Ｂに対応する開口Ｍｈ２Ｂとについて説明する。この場合、開口Ｍｈ２Ｂの＋Ｘ方向側の縁ｅ１１ｂのＸ方向の位置は、パッド２２Ｂの＋Ｘ方向側の縁ｅ２１ｂのＸ方向の位置と同じである。一方で、開口Ｍｈ２Ｂの－Ｘ方向側の縁ｅ１２ｂのＸ方向の位置は、パッド２２Ｂの－Ｘ方向側の縁ｅ２２ｂのＸ方向の位置よりも、－Ｘ方向側に位置する。このように開口Ｍｈ２は、パッド２２と比べて、半導体装置３０の中心から離れる方向に延びた形状を有する。この形状は、半導体装置３０の中心に対して＋Ｙ方向側に配置されるパッド２２と開口Ｍｈ２の組でも同様であり、半導体装置３０の中心に対して－Ｙ方向側に配置されるパッド２２と開口Ｍｈ２の組でも同様である。
【0090】
次に、上述したマスクＭを用いてスクリーン印刷により半田Ｓを供給する。これにより、パッド２１上に半田Ｓが供給されるとともに、パッド２２上に半田Ｓが供給される。本変形例では、開口Ｍｈ２は、パッド２２と比べて、半導体装置３０の中心から離れる方向に延びた形状を有する。このため、半田Ｓは、パッド２２と比べて半導体装置３０の中心から離れた形状で供給される。半田Ｓの一部は、パッド２２を外れてソルダーレジスト層１３上に配置される。この状態で、基板１０に半導体装置３０が載置される（図９中の（ｂ）参照）。
【0091】
次に、基板１０に半導体装置３０が載置された状態で、リフロー工程が行われる。このとき、パッド２２に供給された半田Ｓは、加熱されて流動状態になることで凝縮力Ｐによりパッド２２の上方に集まり、パッド２２上で半田Ｓの高さが高くなる。これにより、上述したような隙間ｇが生じるような場合でも、半導体装置３０の金属部３６の第１部分６１と第２部分６２とに亘り接続される半田フィレット７０が良好に形成される（図９中の（ｃ）参照）。
【0092】
＜６．２ 第２変形例＞
図１０は、第２変形例の基板ユニット１の製造方法を示す断面図である。本変形例では、基板１０への半導体装置３０の載置後、半導体装置３０を保持するマウンターの押し込み量を調整することで半導体装置３０を基板１０に向けて押し込む動作を行う（図１０中の（ａ）の白抜き矢印参照）。これにより、半導体装置３０の金属部３６が基板１０のパッド２２上の半田Ｓに接した状態にする（図１０中の（ｂ）参照）。そして、半導体装置３０の金属部３６が基板１０のパッド２２上の半田Ｓに接した状態でリフロー工程を行う。このような構成によれば、上記隙間ｇが生じるような場合でも、半導体装置３０の金属部３６の第１部分６１と第２部分６２とに亘り接続される半田フィレット７０が良好に形成される。
図１０は、第２変形例の基板ユニット１の製造方法を示す断面図である。本変形例では、基板１０への半導体装置３０の載置後、半導体装置３０を保持するマウンターの押し込み量を調整することで半導体装置３０を基板１０に向けて押し込む動作を行う（図１０中の（ａ）の白抜き矢印参照）。これにより、半導体装置３０の金属部３６が基板１０のパッド２２上の半田Ｓに接した状態にする（図１０中の（ｂ）参照）。そして、半導体装置３０の金属部３６が基板１０のパッド２２上の半田Ｓに接した状態でリフロー工程を行う。このような構成によれば、上記隙間ｇが生じるような場合でも、半導体装置３０の金属部３６の第１部分６１と第２部分６２とに亘り接続される半田フィレット７０が良好に形成される。
【0093】
＜６．３ 第３変形例＞
図１１は、第３変形例の基板ユニット１の製造方法を示す断面図である。本変形例では、スクリーン印刷によってパッド２１およびパッド２２に半田Ｓを供給した後に、ディスペンサーＤＳを用いてパッド２２に半田Ｓを追加供給する（図１１中の（ａ））。そして、パッド２２に半田Ｓが追加供給された状態で、基板１０に半導体装置３０を載置する（図１１中の（ｂ））。このような構成によれば、上記隙間ｇが生じるような場合でも、半導体装置３０の金属部３６の第１部分６１と第２部分６２とに亘り接続される半田フィレット７０が良好に形成される。
図１１は、第３変形例の基板ユニット１の製造方法を示す断面図である。本変形例では、スクリーン印刷によってパッド２１およびパッド２２に半田Ｓを供給した後に、ディスペンサーＤＳを用いてパッド２２に半田Ｓを追加供給する（図１１中の（ａ））。そして、パッド２２に半田Ｓが追加供給された状態で、基板１０に半導体装置３０を載置する（図１１中の（ｂ））。このような構成によれば、上記隙間ｇが生じるような場合でも、半導体装置３０の金属部３６の第１部分６１と第２部分６２とに亘り接続される半田フィレット７０が良好に形成される。
【0094】
＜６．４ 第４変形例＞
図１２は、第４変形例の基板ユニット１の製造方法を示す断面図である。本変形例では、基板１０に半導体装置３０が載置された後に、ディスペンサーＤＳを用いてパッド２２に半田Ｓを追加供給する。例えば、半田Ｓは、パッド２２の第２部分２２ｂに追加供給される。このような構成によれば、上記隙間ｇが生じるような場合でも、半導体装置３０の金属部３６の第１部分６１と第２部分６２とに亘り接続される半田フィレット７０が良好に形成される。
図１２は、第４変形例の基板ユニット１の製造方法を示す断面図である。本変形例では、基板１０に半導体装置３０が載置された後に、ディスペンサーＤＳを用いてパッド２２に半田Ｓを追加供給する。例えば、半田Ｓは、パッド２２の第２部分２２ｂに追加供給される。このような構成によれば、上記隙間ｇが生じるような場合でも、半導体装置３０の金属部３６の第１部分６１と第２部分６２とに亘り接続される半田フィレット７０が良好に形成される。
【0095】
＜６．５ 第５変形例＞
図１３は、第５変形例の基板ユニット１の製造方法を示す断面図である。本変形例では、パッド２１およびパッド２２にスクリーン印刷より半田Ｓを供給した後に、マウンターＭＴを用いてパッド２２に半田Ｓを追加供給する（図１３中の（ａ））。マウンターＭＴは、例えば、パッド２２に供給された半田Ｓの上に追加の半田Ｓのブロックを置く。そして、パッド２２に半田Ｓが追加供給された状態で、基板１０に半導体装置３０を載置する（図１３中の（ｂ））。このような構成によれば、上記隙間ｇが生じるような場合でも、半導体装置３０の金属部３６の第１部分６１と第２部分６２とに亘り接続される半田フィレット７０が良好に形成される。
図１３は、第５変形例の基板ユニット１の製造方法を示す断面図である。本変形例では、パッド２１およびパッド２２にスクリーン印刷より半田Ｓを供給した後に、マウンターＭＴを用いてパッド２２に半田Ｓを追加供給する（図１３中の（ａ））。マウンターＭＴは、例えば、パッド２２に供給された半田Ｓの上に追加の半田Ｓのブロックを置く。そして、パッド２２に半田Ｓが追加供給された状態で、基板１０に半導体装置３０を載置する（図１３中の（ｂ））。このような構成によれば、上記隙間ｇが生じるような場合でも、半導体装置３０の金属部３６の第１部分６１と第２部分６２とに亘り接続される半田フィレット７０が良好に形成される。
【0096】
＜６．６ 第６変形例＞
図１４は、第６変形例の基板ユニット１の製造方法を示す断面図である。本変形例では、基板１０に半導体装置３０が載置された後に、マウンターＭＴを用いてパッド２２に半田Ｓを追加供給する。例えば、半田Ｓは、パッド２２の第２部分２２ｂに追加供給される。マウンターＭＴは、例えば、パッド２２に供給された半田Ｓの上に追加の半田Ｓのブロックを置く。このような構成によれば、上記隙間ｇが生じるような場合でも、半導体装置３０の金属部３６の第１部分６１と第２部分６２とに亘り接続される半田フィレット７０が良好に形成される。
図１４は、第６変形例の基板ユニット１の製造方法を示す断面図である。本変形例では、基板１０に半導体装置３０が載置された後に、マウンターＭＴを用いてパッド２２に半田Ｓを追加供給する。例えば、半田Ｓは、パッド２２の第２部分２２ｂに追加供給される。マウンターＭＴは、例えば、パッド２２に供給された半田Ｓの上に追加の半田Ｓのブロックを置く。このような構成によれば、上記隙間ｇが生じるような場合でも、半導体装置３０の金属部３６の第１部分６１と第２部分６２とに亘り接続される半田フィレット７０が良好に形成される。
【0097】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、半導体装置３０Aが２つの金属部３６を有した点で第１実施形態とは異なる。なお以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同じである。
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、半導体装置３０Aが２つの金属部３６を有した点で第１実施形態とは異なる。なお以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同じである。
【0098】
図１５は、第２実施形態の半導体装置３０Aの裏面を示す下面図である。本実施形態では、半導体装置３０Aは、第１金属部３６Aと、第２金属部３６Ｂとを有する。第１金属部３６Ａは、パッケージ基板３１の縁３１ａａの中央部に対応して設けられている。第２金属部３６Ｂは、パッケージ基板３１の縁３１ａｂの中央部に対応して設けられている。一方で、半導体装置３０は、第１実施形態のような第３金属部３６Ｃおよび第４金属部３６Ｄを有しない。このような構成によれば、第１実施形態と比べて効果は劣るが、第１実施形態と同様に、基板ユニット１の構造的特性の向上を図ることができる。
【0099】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、半導体装置３０Ｂがヒートスプレッタ８１を有した点で第１実施形態とは異なる。なお以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同じである。
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、半導体装置３０Ｂがヒートスプレッタ８１を有した点で第１実施形態とは異なる。なお以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同じである。
【0100】
【0101】
ヒートスプレッタ８１は、本体部８１ａと、支持部（脚部）８１ｂとを有する。本体部８１ａは、＋Ｚ方向側から電子部品３２に面する。本体部８１ａは、パッケージ基板３１とは反対側から電子部品３２に面する。本体部８１ａと電子部品３２との間には、熱伝導部材８２（例えば熱伝導シート）が配置されている。熱伝導部材８２は、弾性を有する。
【0102】
支持部８１ｂは、本体部８１ａからパッケージ基板３１の周端部に向けて延びている。本実施形態では、支持部８１ｂは、金属部３６の第２水平部６３に＋Ｚ方向側から面する。支持部８１ｂは、接着部８３を介して金属部３６の第２水平部６３に接続される。これにより、支持部８１ｂは、パッケージ基板３１に固定される。ヒートスプレッタ８１は、支持部８１ｂがパッケージ基板３１に固定されることで、本体部８１ａを電子部品３２に向けて押圧する。接着部８３は、例えば、熱伝導性を有した接着シートまたは接着剤により形成される。なお、接着部８３に代えて、ヒートスプレッタ８１の支持部８１ｂを金属部３６の第２水平部６３に固定する別の固定構造が設けられてもよい。
【0103】
本実施形態では、電子部品３２が発する熱は、熱伝導部材８２を介してヒートスプレッタ８１の本体部８１ａに伝わる。ヒートスプレッタ８１の本体部８１ａに伝わった熱は、ヒートスプレッタ８１の支持部８１ｂを介して金属部３６の第２水平部６３に伝わる。金属部３６に伝わった熱は、半田フィレット７０を介して基板１０のパッド２２に伝わる。パッド２２に伝わった熱は、導電ライン２３を介して導電層２４に伝わる。導電層２４に伝わった熱は、基板１０内で拡散された基板１０の表面から放出される。
【0104】
このような構成によれば、第１実施形態の同様に、基板ユニット１Ｂの不具合の抑制の向上を図ることができる。また本実施形態によれば、ヒートスプレッタ８１が設けられているため、電子部品３２から金属部３６へ熱が移動しやすい。これにより、基板ユニット１Ｂの放熱性をさらに高めることができる。
【0105】
以上、いくつかの実施形態および変形例について説明した。ただし、実施形態および変形例は、上述した例に限定されない。例えば、複数の実施形態または変形例は、互いに組み合わされて実現可能である。例えば、金属部３６の形状や配置は、上述した例に限定されない。金属部３６は、パッケージ基板３１の角部に設けられてもよい。導電層５３は省略されてもよい。導電層５３が無くても、電子部品３２が発する熱の一部が金属部３６に伝わることで、金属部３６が存在しない場合と比べて、基板ユニット１の放熱性を高めることができる。
【0106】
以上説明した少なくともひとつの実施形態によれば、半導体装置は、基板と、電子部品と、複数の接合部と、第１金属部とを備える。前記第１金属部は、前記基板の第１面に沿って延びた第１部分と、前記基板の第１側面に沿って延びた第２部分とを含む。前記第１金属部は、前記基板の厚さ方向である第１方向から見た場合の面積が前記複数の接合部に含まれる第１接合部よりも大きい。このような構成によれば、構造的特性の向上を図ることができる。
【0107】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0108】
１，１Ｂ…基板ユニット
１０…基板
３０，３０Ａ，３０Ｂ…半導体装置
３１…パッケージ基板
３１ａ…第１面
３１ｂ…第２面
３１ａａ…縁（第１縁）
３１ａｂ…縁（第３縁）
３１ｂａ…縁（第２縁）
３１ｂｂ…縁（第４縁）
３１ｃａ…第１側面
３１ｃｂ…第２側面
３２…電子部品
３６…金属部
３６Ａ…第１金属部
３６Ｂ…第２金属部
６１…第１水平部
６２…起立部
６３…第２水平部
７０…半田フィレット
１０…基板
３０，３０Ａ，３０Ｂ…半導体装置
３１…パッケージ基板
３１ａ…第１面
３１ｂ…第２面
３１ａａ…縁（第１縁）
３１ａｂ…縁（第３縁）
３１ｂａ…縁（第２縁）
３１ｂｂ…縁（第４縁）
３１ｃａ…第１側面
３１ｃｂ…第２側面
３２…電子部品
３６…金属部
３６Ａ…第１金属部
３６Ｂ…第２金属部
６１…第１水平部
６２…起立部
６３…第２水平部
７０…半田フィレット
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】