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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2021-12-14
(45)【発行日】2022-01-14
(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20220106BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 651M
H01L21/304 651B
H01L21/304 643A
【請求項の数】
21
(21)【出願番号】P 2017148111
(22)【出願日】2017-07-31
(65)【公開番号】P2019029527
(43)【公開日】2019-02-21
【審査請求日】2020-06-22
(73)【特許権者】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】110002310
【氏名又は名称】特許業務法人あい特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】中井 仁司
(72)【発明者】
【氏名】金松 泰範
【審査官】今井 聖和
(56)【参考文献】
【文献】特開２００８－１４０８１８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－２４３８６９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－０６５３９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１０３５９５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１４９４１０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－０４２０９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－０１６６９９（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／００９９１６０（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属パターンが形成された第１主面、および前記第１主面の反対側の第２主面を有する基板を水平に保持する基板保持工程と、被覆剤を前記第１主面に供給することによって、前記第１主面を覆う昇華性の被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、
前記被覆膜の表面を洗浄する被覆膜洗浄工程とを含み、
前記被覆膜形成工程が、前記被覆剤が前記第１主面に供給された後に、前記基板を加熱することによって前記被覆剤を固化させて前記被覆膜を形成する固化工程を含み、
前記被覆膜洗浄工程の終了後に、前記被覆膜を昇華させる昇華工程をさらに含む、基板処理方法。
【請求項2】
前記被覆膜形成工程の終了後に、前記第２主面を洗浄する第２主面洗浄工程をさらに含み、前記被覆膜洗浄工程が、前記第２主面洗浄工程の終了後に開始され、または、前記第２主面洗浄工程と並行して実行される、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項3】
前記被覆膜洗浄工程が、前記第２主面洗浄工程の終了後に前記被覆膜の表面の洗浄を開始する第１洗浄工程を含む、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項4】
前記被覆膜洗浄工程が、前記第２主面洗浄工程と並行して前記被覆膜の表面を洗浄する第２洗浄工程を含む、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項5】
前記第２洗浄工程が、前記第２主面洗浄工程の終了後に終了される、請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項6】
前記被覆膜の表面を保護する保護液を前記被覆膜の表面に供給する保護液供給工程をさらに含み、前記保護液供給工程が、前記被覆膜洗浄工程の開始前に前記第２主面洗浄工程と並行して実行される、請求項２～５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項7】
前記被覆膜洗浄工程が、前記被覆膜の表面に洗浄液を供給することによって、前記被覆膜の表面を洗浄する工程を含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項8】
前記被覆膜洗浄工程が、前記被覆膜の表層を除去する工程を含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項9】
前記固化工程の開始前に、前記第２主面の周縁を洗浄する周縁洗浄工程をさらに含む、請求項１～８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項10】
金属パターンが形成された第１主面、および前記第１主面の反対側の第２主面を有する基板を水平に保持する基板保持ユニットと、前記第１主面を覆う昇華性の被覆膜を形成可能な被覆剤を前記第１主面に供給する被覆剤供給ユニットと、
前記被覆膜の表面を洗浄する被覆膜洗浄ユニットと、
前記基板を加熱する基板加熱ユニットと、
前記被覆膜を昇華する昇華ユニットと、
前記基板保持ユニット、前記被覆剤供給ユニット、前記被覆膜洗浄ユニット、前記基板加熱ユニット、および、前記昇華ユニットを制御する制御ユニットとを含み、
前記制御ユニットが、前記基板保持ユニットによって、前記基板が水平に保持される基板保持工程と、前記被覆剤供給ユニットから前記被覆剤を前記第１主面に供給することによって、前記被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、前記被覆膜洗浄ユニットによって前記被覆膜の表面が洗浄される被覆膜洗浄工程とを実行するようにプログラムされており、
前記制御ユニットが、前記被覆膜形成工程において、前記被覆剤が前記第１主面に供給された後に、前記基板加熱ユニットによって前記基板が加熱されることによって、前記被覆膜を固化させる固化工程を実行するようにプログラムされており、
前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程の終了後に、前記昇華ユニットによって前記被覆膜が昇華される昇華工程を実行するようにプログラムされている、基板処理装置。
【請求項11】
前記第２主面を洗浄する第２主面洗浄ユニットをさらに含み、前記制御ユニットが、前記被覆膜形成工程の終了後に、前記第２主面洗浄ユニットによって、前記第２主面が洗浄される第２主面洗浄工程をさらに実行するようにプログラムされており、
前記制御ユニットが、前記第２主面洗浄工程の終了後に前記被覆膜洗浄工程を開始するように、または、前記第２主面洗浄工程と並行して前記被覆膜洗浄工程を実行するようにプログラムされている、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程において、前記第２主面洗浄工程の終了後に、前記被覆膜洗浄ユニットによって、前記被覆膜の洗浄が開始される第１洗浄工程を実行するようにプログラムされている、請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程において、前記第２主面洗浄工程と並行して、前記被覆膜洗浄ユニットによって、前記被覆膜の表面が洗浄される第２洗浄工程を実行するようにプログラムされている、請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記制御ユニットが、前記第２主面洗浄工程の終了後に前記第２洗浄工程を終了させるようにプログラムされている、請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記被覆膜の表面を保護する保護液を前記第１主面に供給する保護液供給ユニットをさらに含み、前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程の開始前に前記第２主面洗浄工程と並行して、前記保護液供給ユニットから前記被覆膜の表面に前記保護液を供給する保護液供給工程を実行するようにプログラムされている、請求項１１～１４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記被覆膜洗浄ユニットが、前記第１主面に向けて洗浄液を供給する洗浄液供給ユニットを有し、前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程において、前記洗浄液供給ユニットから前記第１主面に向けて洗浄液を供給することによって、前記被覆膜の表面を洗浄する工程を実行するようにプログラムされている、請求項１０～１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程において、前記被覆膜の表層を除去する工程を実行するようにプログラムされている、請求項１０～１６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項18】
前記第２主面の周縁を洗浄する周縁洗浄ユニットをさらに含み、前記制御ユニットが、前記固化工程の開始前に、前記周縁洗浄ユニットによって、前記第２主面の周縁が洗浄される周縁洗浄工程を実行するようにプログラムされている、請求項１０～１７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項19】
パターンが形成された第１主面、および前記第１主面の反対側の第２主面を有する基板を水平に保持する基板保持工程と、
被覆剤を前記第１主面に供給することによって、前記第１主面を覆う昇華性の被覆膜を、前記被覆膜の厚さが前記パターンの高さよりも大きくなるように形成する被覆膜形成工程と、
前記被覆膜の表面を洗浄する被覆膜洗浄工程と、
前記被覆膜洗浄工程の終了後に、前記基板を加熱することによって前記被覆膜を昇華させる昇華工程とを含み、
前記被覆膜洗浄工程は、前記被覆膜の表層を除去する工程であり、
前記被覆膜の前記表層の除去が、前記被覆膜の前記表層の除去の後においても前記被覆膜の厚さが前記パターンの高さよりも大きくなり前記パターンが露出しないように、行われ、
前記昇華工程は、前記被覆膜の前記表層の除去後に前記第１主面に残存する前記被覆膜の全てを除去する工程である、基板処理方法。
【請求項20】
前記被覆膜形成工程が、前記被覆剤が前記第１主面に供給された後に、前記基板を加熱することによって前記被覆剤を固化させて前記被覆膜を形成する固化工程を含む、請求項１９に記載の基板処理方法。
【請求項21】
前記パターンが、金属パターンを含む、請求項１９または２０に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、基板を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。
【背景技術】
【0002】
枚葉式の基板処理装置による基板処理では、基板が１枚ずつ処理される。詳しくは、スピンチャックによって基板がほぼ水平に保持される。そして、基板の主面が薬液によって洗浄された後、リンス液によって主面がリンスされる。その後、基板上からリンス液を排除するスピンドライ工程が行われる（例えば、特許文献１を参照）。
基板の主面を薬液で処理することによって基板の主面に金属パターンが露出する。金属パターンが露出した状態で基板を長時間放置しておくと、金属パターンが酸化するおそれがある。そこで、特許文献２および３には、基板の主面を被覆するトップコート膜を形成する基板処理方法が開示されている。これにより、金属パターンの酸化が抑制される。基板の主面に更なる処理を施す際には、トップコート膜が除去される。
基板の主面を薬液で処理することによって基板の主面に金属パターンが露出する。金属パターンが露出した状態で基板を長時間放置しておくと、金属パターンが酸化するおそれがある。そこで、特許文献２および３には、基板の主面を被覆するトップコート膜を形成する基板処理方法が開示されている。これにより、金属パターンの酸化が抑制される。基板の主面に更なる処理を施す際には、トップコート膜が除去される。
【0003】
特許文献２には、トップコート膜を除去液によって除去した後、基板の主面をリンス液で洗浄する方法が記載されている。一方、特許文献３には、トップコート膜が昇華によって除去される方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０００－１５６３６２号公報
【文献】特開２０１６－１９７７６２号公報
【文献】特開２０１５－１４９４１０号公報（第４の実施形態）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献２に記載の基板処理では、リンス液を振りきる際、基板の主面に形成された金属パターン間に入り込んだリンス液を除去できないおそれがある。それによって、乾燥不良が生じるおそれがある。金属パターンの内部に入り込んだリンス液の液面（空気と液体との界面）は、金属パターン内に形成されるので、液面と金属パターンとの接触位置に、液体の表面張力が作用する。この表面張力によって、金属パターンが倒壊するおそれがある。
【0006】
特許文献３の基板処理では、特許文献２の基板処理とは異なり、トップコート膜の除去に液体を用いない。そのため、金属パターンの倒壊を抑制することができる。しかし、トップコート膜の表面が汚染されている場合、トップコート膜を昇華させると、トップコート膜の表面に付着していた汚れ（パーティクル）が、基板の主面に残るおそれがある。
そこで、この発明の１つの目的は、基板の主面に被覆膜が形成される構成において、当該主面の汚染を抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
そこで、この発明の１つの目的は、基板の主面に被覆膜が形成される構成において、当該主面の汚染を抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
この発明は、第１主面、および前記第１主面の反対側の第２主面を有する基板を水平に保持する基板保持工程と、被覆剤を前記第１主面に供給することによって、前記第１主面を覆う昇華性の被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、前記被覆膜の表面を洗浄する被覆膜洗浄工程とを含む、基板処理方法を提供する。
この方法によれば、被覆膜形成工程において昇華性の被覆膜が形成される。そのため、液体を用いることなく第１主面から被覆膜を除去することが可能である。また、被覆膜洗浄工程において、昇華性の被覆膜の表面が洗浄される。そのため、被覆膜洗浄工程後に被覆膜が昇華したとしても、被覆膜の表面に付着していた汚れが第１主面に残ることを抑制することができる。したがって、基板の第１主面の汚染を抑制することができる。
この方法によれば、被覆膜形成工程において昇華性の被覆膜が形成される。そのため、液体を用いることなく第１主面から被覆膜を除去することが可能である。また、被覆膜洗浄工程において、昇華性の被覆膜の表面が洗浄される。そのため、被覆膜洗浄工程後に被覆膜が昇華したとしても、被覆膜の表面に付着していた汚れが第１主面に残ることを抑制することができる。したがって、基板の第１主面の汚染を抑制することができる。
【0008】
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記被覆膜形成工程の終了後に、前記第２主面を洗浄する第２主面洗浄工程をさらに含む。そして、前記被覆膜洗浄工程が、前記第２主面洗浄工程の終了後に開始され、または、前記第２主面洗浄工程と並行して実行される。
この方法によれば、第２主面洗浄工程によって、第２主面が洗浄される。その一方で、第２主面に着液した洗浄液が、基板の周辺を浮遊して被覆膜の表面に付着するおそれがある。第２主面に着液した洗浄液が、基板の周辺に配置された部材に向かって飛散し、当該部材に跳ね返されて被覆膜の表面に付着するおそれもある。さらに、第２主面に着液した洗浄液が、第１主面側に回り込み被覆膜の表面に付着するおそれもある。第２主面に一度着液した洗浄液には、パーティクル等の汚れが含まれていることがある。基板の周辺に配置された部材に跳ね返された洗浄液には、パーティクル等の汚れが一層含まれやすい。
この方法によれば、第２主面洗浄工程によって、第２主面が洗浄される。その一方で、第２主面に着液した洗浄液が、基板の周辺を浮遊して被覆膜の表面に付着するおそれがある。第２主面に着液した洗浄液が、基板の周辺に配置された部材に向かって飛散し、当該部材に跳ね返されて被覆膜の表面に付着するおそれもある。さらに、第２主面に着液した洗浄液が、第１主面側に回り込み被覆膜の表面に付着するおそれもある。第２主面に一度着液した洗浄液には、パーティクル等の汚れが含まれていることがある。基板の周辺に配置された部材に跳ね返された洗浄液には、パーティクル等の汚れが一層含まれやすい。
【0009】
この基板処理方法によれば、被覆膜洗浄工程は、第２主面洗浄工程の終了後に開始され、または、被覆膜洗浄工程が第２主面洗浄工程と並行して実行される。そのため、第２主面洗浄工程に起因して被覆膜の表面に洗浄液が付着した場合であっても、被覆膜洗浄工程において、被覆膜の表面が洗浄される。したがって、第２主面洗浄工程によって第２主面が洗浄される基板処理方法において、第１主面の汚染を抑制できる。
【0010】
この発明の一実施形態では、前記被覆膜洗浄工程が、前記第２主面洗浄工程の終了後に前記被覆膜の表面の洗浄を開始する第１洗浄工程を含む。ここで、第２主面に着液した洗浄液が被覆膜の表面に達するまでには所定時間を要するため、第２主面洗浄工程の終了後、当該所定時間が経過するまでの間、洗浄液が被覆膜の表面に付着する可能性がある。この基板処理方法のように被覆膜の表面の洗浄が第２主面洗浄工程後に開始される方法であれば、第２主面洗浄工程に起因して被覆膜の表面に付着した洗浄液を確実に除去できる。また、第２主面洗浄工程の開始前から被覆膜の表面に汚れが付着していた場合であっても、この汚れを、第２主面洗浄工程に起因して被覆膜の表面に付着した洗浄液と同時に除去することができる。
【0011】
この発明の一実施形態では、前記被覆膜洗浄工程が、前記第２主面洗浄工程と並行して前記被覆膜の表面を洗浄する第２洗浄工程を含む。
そのため、第２主面洗浄工程に起因して被覆膜の表面に付着した洗浄液を即座に除去することができる。第２主面洗浄工程の開始前に被覆膜の表面に既に汚れが付着していた場合、第２主面に着液した洗浄液が被覆膜の表面に到達するまでに、当該汚れの除去を開始することができる。さらに、被覆膜洗浄工程が終了するまでの時間を短縮することもできる。したがって、単位時間当たりに処理できる基板の枚数を増大させることができる。つまり、スループットの向上が図れる。このように、スループットの向上を図りつつ、第１主面の汚染を抑制することができる。
そのため、第２主面洗浄工程に起因して被覆膜の表面に付着した洗浄液を即座に除去することができる。第２主面洗浄工程の開始前に被覆膜の表面に既に汚れが付着していた場合、第２主面に着液した洗浄液が被覆膜の表面に到達するまでに、当該汚れの除去を開始することができる。さらに、被覆膜洗浄工程が終了するまでの時間を短縮することもできる。したがって、単位時間当たりに処理できる基板の枚数を増大させることができる。つまり、スループットの向上が図れる。このように、スループットの向上を図りつつ、第１主面の汚染を抑制することができる。
【0012】
第２主面に着液した洗浄液が被覆膜の表面に達するまでには所定時間を要するため、第２主面洗浄工程の終了後、当該所定時間が経過するまでの間、洗浄液が被覆膜の表面に付着する可能性がある。そこで、この発明の一実施形態では、前記第２洗浄工程が、前記第２主面洗浄工程の終了後に終了される。そのため、被覆膜洗浄工程の終了後における、汚染された洗浄液の被覆膜の表面への付着を一層抑制することができる。
【0013】
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記被覆膜の表面を保護する保護液を前記被覆膜の表面に供給する保護液供給工程をさらに含む。そして、前記保護液供給工程が、前記被覆膜洗浄工程の開始前に前記第２主面洗浄工程と並行して実行される。そのため、汚染された洗浄液の被覆膜の表面への付着が、保護液によって抑制される。したがって、第１主面の汚染を抑制することができる。
【0014】
この発明の一実施形態では、前記被覆膜洗浄工程が、前記被覆膜の表面に洗浄液を供給することによって、前記被覆膜の表面を洗浄する工程を含む。被覆膜洗浄工程において被覆膜の表面に供給された洗浄液は、被覆膜の表面上で広がる。そのため、被覆膜の表面の洗浄時間を低減することができる。
この発明の一実施形態では、前記被覆膜洗浄工程が、前記被覆膜の表層を除去する工程を含む。ここで、パーティクルが被覆膜の表面に強固に付着することによって、被覆膜の表面からパーティクルを除去しにくい場合が有り得る。このような場合であっても、被覆膜洗浄工程において、被覆膜の表層とともにパーティクルを除去することができる。したがって、被覆膜の表面を確実に洗浄することができる。
この発明の一実施形態では、前記被覆膜洗浄工程が、前記被覆膜の表層を除去する工程を含む。ここで、パーティクルが被覆膜の表面に強固に付着することによって、被覆膜の表面からパーティクルを除去しにくい場合が有り得る。このような場合であっても、被覆膜洗浄工程において、被覆膜の表層とともにパーティクルを除去することができる。したがって、被覆膜の表面を確実に洗浄することができる。
【0015】
この発明の一実施形態では、前記被覆膜形成工程が、前記被覆剤が前記第１主面に供給された後に、前記基板を加熱することによって前記被覆剤を固化させて前記被覆膜を形成する固化工程を含む。そのため、被覆膜を確実に形成することができる。
ここで、第１主面に供給された被覆剤は、第１主面の周縁部から第２主面に回り込み、第２主面の周縁部に付着することがある。この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記固化工程の開始前に、前記第２主面の周縁を洗浄する周縁洗浄工程をさらに含む。そのため、被覆剤による第２主面の汚染を抑制することができる。
ここで、第１主面に供給された被覆剤は、第１主面の周縁部から第２主面に回り込み、第２主面の周縁部に付着することがある。この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記固化工程の開始前に、前記第２主面の周縁を洗浄する周縁洗浄工程をさらに含む。そのため、被覆剤による第２主面の汚染を抑制することができる。
【0016】
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記被覆膜洗浄工程の終了後に、前記被覆膜を昇華させる昇華工程をさらに含む。そのため、被覆膜が昇華されて第１主面が露出される。被覆膜洗浄工程において被覆膜の表面が洗浄されているため、被覆膜の表面に付着していた汚れが被覆膜の昇華後に第１主面に残ることを抑制することができる。つまり、第１主面の汚染が抑制される。
【0017】
この発明の一実施形態では、前記第１主面には金属パターンが形成されている。そのため、昇華性の被覆膜を第１主面に形成し当該被覆膜の表面を洗浄する基板処理方法であれば、金属パターンの倒壊を抑制しつつ、第１主面の汚染を抑制できる。
この発明の一実施形態では、第１主面、および前記第１主面の反対側の第２主面を有する基板を水平に保持する基板保持ユニットと、前記第１主面を覆う昇華性の被覆膜を形成可能な被覆剤を前記第１主面に供給する被覆剤供給ユニットと、前記被覆膜の表面を洗浄する被覆膜洗浄ユニットと、前記基板保持ユニット、前記被覆剤供給ユニットおよび前記被覆膜洗浄ユニットを制御する制御ユニットとを含み、前記制御ユニットが、前記基板保持ユニットによって、前記基板が水平に保持される基板保持工程と、前記被覆剤供給ユニットから前記被覆剤を前記第１主面に供給することによって、前記被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、前記被覆膜洗浄ユニットによって、前記被覆膜の表面が洗浄される被覆膜洗浄工程とを実行するようにプログラムされている、基板処理装置を提供する。
この発明の一実施形態では、第１主面、および前記第１主面の反対側の第２主面を有する基板を水平に保持する基板保持ユニットと、前記第１主面を覆う昇華性の被覆膜を形成可能な被覆剤を前記第１主面に供給する被覆剤供給ユニットと、前記被覆膜の表面を洗浄する被覆膜洗浄ユニットと、前記基板保持ユニット、前記被覆剤供給ユニットおよび前記被覆膜洗浄ユニットを制御する制御ユニットとを含み、前記制御ユニットが、前記基板保持ユニットによって、前記基板が水平に保持される基板保持工程と、前記被覆剤供給ユニットから前記被覆剤を前記第１主面に供給することによって、前記被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、前記被覆膜洗浄ユニットによって、前記被覆膜の表面が洗浄される被覆膜洗浄工程とを実行するようにプログラムされている、基板処理装置を提供する。
【0018】
この装置によれば、被覆膜形成工程において昇華性の被覆膜が形成される。そのため、液体を用いることなく第１主面から被覆膜を除去することが可能である。また、被覆膜洗浄工程において、昇華性の被覆膜の表面が洗浄される。そのため、被覆膜洗浄工程後に被覆膜が昇華したとしても、被覆膜の表面に付着していた汚れが第１主面に残ることを抑制することができる。したがって、基板の第１主面の汚染を抑制することができる。
【0019】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記第２主面を洗浄する第２主面洗浄ユニットをさらに含む。そして、前記制御ユニットが、前記被覆膜形成工程の終了後に、前記第２主面洗浄ユニットによって、前記第２主面が洗浄される第２主面洗浄工程をさらに実行するようにプログラムされている。さらに、前記制御ユニットが、前記第２主面洗浄工程の終了後に前記被覆膜洗浄工程を開始するように、または、前記第２主面洗浄工程と並行して前記被覆膜洗浄工程を実行するようにプログラムされている。
【0020】
この装置によれば、第２主面洗浄工程において、第２主面が洗浄される。その一方で、第２主面洗浄工程では、第２主面に着液した洗浄液が、基板の周辺を浮遊して被覆膜の表面に付着するおそれがある。第２主面に着液した洗浄液が、基板の周辺に配置された部材に向かって飛散し、当該部材に跳ね返されて被覆膜の表面に付着するおそれもある。さらに、第２主面に着液した洗浄液が、第１主面側に回り込み被覆膜の表面に付着するおそれもある。第２主面に一度着液した洗浄液には、パーティクル等の汚れが含まれていることがある。基板処理装置に備えられた部材に跳ね返された洗浄液には、パーティクル等の汚れが一層含まれやすい。
【0021】
この基板処理装置によれば、被覆膜洗浄工程は、第２主面洗浄工程の終了後に開始され、または、被覆膜洗浄工程が第２主面洗浄工程と並行して実行される。そのため、第２主面洗浄工程に起因して被覆膜の表面に洗浄液が付着した場合であっても、被覆膜洗浄工程において、被覆膜の表面が洗浄される。したがって、第２主面洗浄工程によって第２主面が洗浄される基板処理装置において、第１主面の汚染を抑制できる。
【0022】
この発明の一実施形態では、前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程において、前記第２主面洗浄工程の終了後に、前記被覆膜洗浄ユニットによって、前記被覆膜の洗浄が開始される第１洗浄工程を実行するようにプログラムされている。ここで、第２主面に着液した洗浄液が被覆膜の表面に達するまでには所定時間を要するため、第２主面洗浄工程の終了後、当該所定時間が経過するまでの間、洗浄液が被覆膜の表面に付着する可能性がある。この基板処理装置のように被覆膜の表面の洗浄が第２主面洗浄工程後に開始される構成であれば、第２主面洗浄工程に起因して被覆膜の表面に付着した洗浄液を確実に除去できる。また、第２主面洗浄工程の開始前から被覆膜の表面に汚れが付着していた場合であっても、この汚れを、第２主面洗浄工程に起因して被覆膜の表面に付着した洗浄液と同時に除去することができる。
【0023】
この発明の一実施形態では、前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程において、前記第２主面洗浄工程と並行して、前記被覆膜洗浄ユニットによって、前記被覆膜の表面が洗浄される第２洗浄工程を実行するようにプログラムされている。
そのため、第２主面洗浄工程に起因して被覆膜の表面に付着した洗浄液を即座に除去することができる。第２主面洗浄工程の開始前に被覆膜の表面に既に汚れが付着していた場合、第２主面に着液した洗浄液が被覆膜の表面に到達するまでに、当該汚れの除去を開始することができる。さらに、被覆膜洗浄工程が終了するまでの時間を短縮することもできる。したがって、単位時間当たりに処理できる基板の枚数を増大させることができる。つまり、スループットの向上が図れる。このように、スループットの向上を図りつつ、第１主面の汚染を抑制することができる。
そのため、第２主面洗浄工程に起因して被覆膜の表面に付着した洗浄液を即座に除去することができる。第２主面洗浄工程の開始前に被覆膜の表面に既に汚れが付着していた場合、第２主面に着液した洗浄液が被覆膜の表面に到達するまでに、当該汚れの除去を開始することができる。さらに、被覆膜洗浄工程が終了するまでの時間を短縮することもできる。したがって、単位時間当たりに処理できる基板の枚数を増大させることができる。つまり、スループットの向上が図れる。このように、スループットの向上を図りつつ、第１主面の汚染を抑制することができる。
【0024】
前述したように、第２主面に着液した洗浄液が被覆膜の表面に達するまでには所定時間を要するため、第２主面洗浄工程の終了後、当該所定時間が経過するまでの間、洗浄液が被覆膜の表面に付着する可能性がある。そこで、この発明の一実施形態では、前記制御ユニットが、前記第２主面洗浄工程の終了後に前記第２洗浄工程を終了させるようにプログラムされている。そのため、被覆膜洗浄工程の終了後における、汚染された洗浄液の被覆膜の表面への付着を一層抑制することができる。
【0025】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記被覆膜の表面を保護する保護液を前記第１主面に供給する保護液供給ユニットをさらに含む。そして、前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程の開始前に前記第２主面洗浄工程と並行して、前記保護液供給ユニットから前記被覆膜の表面に前記保護液を供給する保護液供給工程を実行するようにプログラムされている。そのため、汚染された洗浄液の被覆膜の表面への付着が、保護液によって抑制される。したがって、第１主面の汚染を抑制することができる。
【0026】
この発明の一実施形態では、前記被覆膜洗浄ユニットが、前記第１主面に向けて洗浄液を供給する洗浄液供給ユニットを有する。そして、前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程において、前記洗浄液供給ユニットから前記第１主面に向けて洗浄液を供給することによって、前記被覆膜の表面を洗浄する工程を実行するようにプログラムされている。
そのため、被覆膜洗浄工程において被覆膜の表面に供給された洗浄液は、被覆膜の表面上で広がる。そのため、被覆膜の表面の洗浄時間を低減することができる。
そのため、被覆膜洗浄工程において被覆膜の表面に供給された洗浄液は、被覆膜の表面上で広がる。そのため、被覆膜の表面の洗浄時間を低減することができる。
【0027】
この発明の一実施形態では、前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程において、前記被覆膜の表層を除去する工程を実行するようにプログラムされている。ここで、パーティクルが被覆膜の表面に強固に付着することによって、被覆膜の表面からパーティクルを除去しにくい場合が有り得る。このような場合であっても、被覆膜洗浄工程において、被覆膜の表層とともにパーティクルを除去することができる。したがって、被覆膜の表面を確実に洗浄することができる。
【0028】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板を加熱する基板加熱ユニットをさらに含む。そして、前記制御ユニットが、前記被覆膜形成工程において、前記被覆剤が前記第１主面に供給された後に、前記基板加熱ユニットによって、前記基板が加熱されることによって、前記被覆膜を固化させる固化工程を実行するようにプログラムされている。そのため、被覆膜を確実に形成することができる。
【0029】
ここで、第１主面に供給された被覆剤は、第１主面の周縁部から第２主面に回り込み、第２主面の周縁部に付着することがある。この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記第２主面の周縁を洗浄する周縁洗浄ユニットをさらに含む。そして、前記制御ユニットが、前記固化工程の開始前に、前記周縁洗浄ユニットによって、前記第２主面の周縁が洗浄される周縁洗浄工程を実行するようにプログラムされている。そのため、被覆剤による第２主面の汚染を抑制することができる。
【0030】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記被覆膜を昇華する昇華ユニットをさらに含む。そして、前記制御ユニットが、前記被覆膜洗浄工程の終了後に、前記昇華ユニットによって、前記被覆膜が昇華される昇華工程を実行するようにプログラムされている。そのため、被覆膜が昇華されて第１主面が露出される。被覆膜洗浄工程において被覆膜の表面が洗浄されているため、被覆膜の表面に付着していた汚れが被覆膜の昇華後に第１主面に残ることを抑制することができる。つまり、第１主面の汚染が抑制される。
【0031】
この発明の一実施形態では、前記第１主面には金属パターンが形成されている。そのため、昇華性の被覆膜を第１主面に形成し、当該被覆膜の表面を洗浄する構成の基板処理装置であれば、金属パターンの倒壊を抑制しつつ、第１主面の汚染を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【発明を実施するための形態】
【0033】
以下では、この発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
<第１実施形態>
図１Ａは、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の構成を説明するための平面図である。図１Ｂは、基板処理装置１の構成を説明するための図解的な立面図である。
図１Ａを参照して、基板処理装置１は、半導体ウエハ等の基板Ｗ一枚ずつに対して、洗浄処理やエッチング処理等の各種の処理を施す枚葉式の装置である。基板処理装置１で処理される基板Ｗは、例えば、主面に金属パターンが形成された基板である。詳しくは、基板Ｗは、第１主面Ｗ１と、第１主面Ｗ１の反対側の主面である第２主面Ｗ２とを有する（図１Ｂ参照）。第１主面Ｗ１には、金属パターンが形成されており、第２主面Ｗ２には、金属パターンが形成されていない。
<第１実施形態>
図１Ａは、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の構成を説明するための平面図である。図１Ｂは、基板処理装置１の構成を説明するための図解的な立面図である。
図１Ａを参照して、基板処理装置１は、半導体ウエハ等の基板Ｗ一枚ずつに対して、洗浄処理やエッチング処理等の各種の処理を施す枚葉式の装置である。基板処理装置１で処理される基板Ｗは、例えば、主面に金属パターンが形成された基板である。詳しくは、基板Ｗは、第１主面Ｗ１と、第１主面Ｗ１の反対側の主面である第２主面Ｗ２とを有する（図１Ｂ参照）。第１主面Ｗ１には、金属パターンが形成されており、第２主面Ｗ２には、金属パターンが形成されていない。
【0034】
基板処理装置１は、薬液やリンス液などの処理液で基板Ｗを処理する複数（本実施形態では４つ）の処理タワー２Ａ～２Ｄを含む。複数の処理タワー２Ａ～２Ｄをまとめて処理タワー２という。
基板処理装置１は、処理タワー２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理タワー２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御ユニット３とをさらに含む。
基板処理装置１は、処理タワー２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理タワー２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御ユニット３とをさらに含む。
【0035】
基板処理装置１は、水平方向に延びる搬送路５をさらに含む。搬送路５は、搬送ロボットＩＲから搬送ロボットＣＲに向かって直線状に延びている。搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理タワー２との間で基板Ｗを搬送する。
複数の処理タワー２は、搬送路５を挟んで対称に配置されている。複数の処理タワー２は、搬送路５の両側のそれぞれにおいて、搬送路５が延びる方向（延長方向Ｘ）に沿って並んでいる。本実施形態では、処理タワー２は、搬送路５の両側に２つずつ配置されている。
複数の処理タワー２は、搬送路５を挟んで対称に配置されている。複数の処理タワー２は、搬送路５の両側のそれぞれにおいて、搬送路５が延びる方向（延長方向Ｘ）に沿って並んでいる。本実施形態では、処理タワー２は、搬送路５の両側に２つずつ配置されている。
【0036】
複数の処理タワー２Ａ～２Ｄのうち、搬送ロボットＩＲに近い側の２つの処理タワー２のそれぞれを、第１処理タワー２Ａおよび第２処理タワー２Ｂという。第１処理タワー２Ａおよび第２処理タワー２Ｂは、搬送路５を挟んで互いに対向している。複数の処理タワー２Ａ～２Ｄのうち、搬送ロボットＩＲから遠い側の２つの処理タワー２のそれぞれを、第３処理タワー２Ｃおよび第４処理タワー２Ｄという。第３処理タワー２Ｃおよび第４処理タワー２Ｄは、搬送路５を挟んで互いに対向している。第１処理タワー２Ａおよび第３処理タワー２Ｃは、延長方向Ｘに並んで配置されている。第２処理タワー２Ｂおよび第４処理タワー２Ｄは、延長方向Ｘに並んで配置されている。
【0037】
各処理タワー２Ａは、基板Ｗを処理液で処理するユニット、および基板Ｗを加熱するユニット等を備えている。詳しくは後述するが、処理液としては、薬液、リンス液、洗浄液、被覆剤、除去液等が挙げられる。
具体的には、第１処理タワー２Ａは、第１液処理ユニットＭ１１およびＭ１２と、第１加熱ユニットＤ１１とを含む。第２処理タワー２Ｂは、第１液処理ユニットＭ１３およびＭ１４と、第１加熱ユニットＤ１２とを含む。第３処理タワー２Ｃは、第２液処理ユニットＭ２１およびＭ２２と、第２加熱ユニットＤ２１とを含む。第４処理タワー２Ｄは、第２液処理ユニットＭ２３およびＭ２４と、第２加熱ユニットＤ２２とを含む。
具体的には、第１処理タワー２Ａは、第１液処理ユニットＭ１１およびＭ１２と、第１加熱ユニットＤ１１とを含む。第２処理タワー２Ｂは、第１液処理ユニットＭ１３およびＭ１４と、第１加熱ユニットＤ１２とを含む。第３処理タワー２Ｃは、第２液処理ユニットＭ２１およびＭ２２と、第２加熱ユニットＤ２１とを含む。第４処理タワー２Ｄは、第２液処理ユニットＭ２３およびＭ２４と、第２加熱ユニットＤ２２とを含む。
【0038】
複数の第１液処理ユニットＭ１１～１４は、例えば、同様の構成を有している。複数の第１液処理ユニットＭ１１～Ｍ１４を総称するときは、第１液処理ユニットＭ１という。複数の第１加熱ユニットＤ１１およびＤ１２は、例えば、同様の構成を有している。複数の第１加熱ユニットＤ１１およびＤ１２を総称するときは、第１加熱ユニットＤ１という。複数の第２液処理ユニットＭ２１～２４は、例えば、同様の構成を有している。複数の第２液処理ユニットＭ２１～Ｍ２４を総称するときは、第２液処理ユニットＭ２という。複数の第２加熱ユニットＤ２１およびＤ２２は、例えば、同様の構成を有している。複数の第２加熱ユニットＤ２１およびＤ２２を総称するときは、第２加熱ユニットＤ２という。
【0039】
図１Ｂを参照して、第１処理タワー２Ａでは、第１液処理ユニットＭ１１、第１加熱ユニットＤ１１および第１液処理ユニットＭ１２が、上下に積層されている。第１処理タワー２Ａでは、第１液処理ユニットＭ１１が最も下側に配置されており、第１液処理ユニットＭ１２が最も上側に配置されている。第２処理タワー２Ｂでは、第１液処理ユニットＭ１３、第１加熱ユニットＤ１２および第１液処理ユニットＭ１４が、上下に積層されている。第２処理タワー２Ｂでは、第１液処理ユニットＭ１３が最も下側に配置されており、第１液処理ユニットＭ１４が最も上側に配置されている。
【0040】
第３処理タワー２Ｃでは、第２液処理ユニットＭ２１、第２加熱ユニットＤ２１および第２液処理ユニットＭ２２が、上下に積層されている。第３処理タワー２Ｃでは、第２液処理ユニットＭ２１が最も下側に配置されており、第２液処理ユニットＭ２２が最も上側に配置されている。第４処理タワー２Ｄでは、第２液処理ユニットＭ２３、第２加熱ユニットＤ２２および第２液処理ユニットＭ２４が、上下に積層されている。第４処理タワー２Ｄでは、第２液処理ユニットＭ２３が最も下側に配置されており、第２液処理ユニットＭ２４が最も上側に配置されている。
【0041】
図２は、第１液処理ユニットＭ１の構成例を説明するための図解的な断面図である。
第１液処理ユニットＭ１は、チャンバＲ１と、基板Ｗを回転可能に水平に保持する第１スピンチャック１０と、第１スピンチャック１０を取り囲む複数のカップ１１，１２（第１カップ１１および第２カップ１２）と、基板Ｗ上から基板Ｗ外に排除される処理液を受ける複数のガード１３，１４（第１ガード１３および第２ガード１４）とを含む。第１スピンチャック１０、複数のカップ１１，１２、および複数のガード１３，１４は、チャンバＲ１内に配置されている。
第１液処理ユニットＭ１は、チャンバＲ１と、基板Ｗを回転可能に水平に保持する第１スピンチャック１０と、第１スピンチャック１０を取り囲む複数のカップ１１，１２（第１カップ１１および第２カップ１２）と、基板Ｗ上から基板Ｗ外に排除される処理液を受ける複数のガード１３，１４（第１ガード１３および第２ガード１４）とを含む。第１スピンチャック１０、複数のカップ１１，１２、および複数のガード１３，１４は、チャンバＲ１内に配置されている。
【0042】
第１液処理ユニットＭ１は、薬液供給ユニット１５と、第１リンス液供給ユニット１６と、被覆剤供給ユニット１７と、除去液供給ユニット１８と、有機溶剤供給ユニット１９とをさらに含む。薬液供給ユニット１５は、基板Ｗの上面にフッ酸等の薬液を供給するユニットである。第１リンス液供給ユニット１６は、基板Ｗの上面に脱イオン水（ＤＩＷ：Deionized Water）等のリンス液を供給するユニットである。被覆剤供給ユニット１７は、被覆剤を基板Ｗの上面に供給するユニットである。除去液供給ユニット１８は、基板Ｗに付着した被覆剤を除去するための除去液を基板Ｗの下面の周縁に供給するユニットである。有機溶剤供給ユニット１９は、イソプロピルアルコール（Isopropyl Alcohol: IPA）等の有機溶剤を基板Ｗの上面に供給するユニットである。
【0043】
第１スピンチャック１０は、スピンベース２１と、回転軸２２と、回転軸２２に回転力を与える電動モータ２３とを含む。回転軸２２は、中空軸である。回転軸２２は回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びている。回転軸２２の上端には、スピンベース２１が結合されている。スピンベース２１は、水平方向に沿う円盤状の円板部２１Ａと、回転軸２２の上端に外嵌される筒状部２１Ｂとを有している。円板部２１Ａの上面の直径は、基板Ｗの直径よりも小さい。
【0044】
第１スピンチャック１０は、基板Ｗをスピンベース２１に保持させるために、スピンベース２１の上面に配置された基板Ｗを吸引する吸引ユニット２７をさらに含む。スピンベース２１および回転軸２２には、吸引経路２５が挿通されている。吸引経路２５は、スピンベース２１の上面の中心から露出する吸引口２４を有する。吸引経路２５は、吸引管２６に連結されている。吸引管２６は、真空ポンプなどの吸引ユニット２７に連結されている。吸引管２６には、その経路を開閉するための吸引バルブ２８が介装されている。第１スピンチャック１０は、基板Ｗを水平に保持するための基板保持ユニットの一例である。
【0045】
電動モータ２３は、回転軸２２に回転力を与える。電動モータ２３によって回転軸２２が回転されることにより、スピンベース２１が回転される。これにより、基板Ｗが回転軸線Ａ１まわりに回転される。以下では、基板Ｗの回転径方向内方を単に「径方向内方」といい、基板Ｗの回転径方向外方を単に「径方向外方」という。電動モータ２３は、基板Ｗを回転軸線Ａ１まわりに回転させる回転ユニットの一例である。
【0046】
チャンバＲ１の側壁３０には、搬送ロボットＣＲによって基板Ｗが搬出入される出入口３１が形成されている。チャンバＲ１には、出入口３１を開閉するシャッタ３２が設けられている。シャッタ３２は、シャッタ開閉ユニット３３によって開閉駆動される。
各カップ１１，１２は、上向きに開いた環状の溝を有している。各カップ１１，１２は、第１スピンチャック１０を取り囲んでいる。第２カップ１２は、第１カップ１１よりも径方向外方に配置されている。各カップ１１，１２の溝には、回収配管（図示せず）または排出配管（図示せず）が接続されている。
各カップ１１，１２は、上向きに開いた環状の溝を有している。各カップ１１，１２は、第１スピンチャック１０を取り囲んでいる。第２カップ１２は、第１カップ１１よりも径方向外方に配置されている。各カップ１１，１２の溝には、回収配管（図示せず）または排出配管（図示せず）が接続されている。
【0047】
ガード１３，１４は、平面視で第１スピンチャック１０を取り囲むように配置されている。第２ガード１４は、第１ガード１３よりも径方向外方に配置されている。第１ガード１３は、第１カップ１１よりも上方で第１スピンチャック１０を取り囲む第１筒状部１３Ａと、径方向内方に向かうにしたがって上方に向かうように、第１筒状部１３Ａから延びる第１延設部１３Ｂとを含む。第２ガード１４は、第２カップ１２よりも上方で第１スピンチャック１０を取り囲む第２筒状部１４Ａと、径方向内方に向かうにしたがって上方に向かうように、第２筒状部１４Ａから延びる第２延設部１４Ｂとを含む。
【0048】
基板Ｗから排除される処理液はガード１３，１４によって受けられる。第１ガード１３によって受けられた処理液は、第１筒状部１３Ａを伝って第１カップ１１に導かれる。第２ガード１４によって受けられた処理液は、第２筒状部１４Ａを伝って第２カップ１２に導かれる。各カップ１１，１２の底部に導かれた処理液は、回収配管または排出配管を通じて、回収または廃棄される。
【0049】
第１ガード１３は、第１ガード昇降ユニット３６によって、上位置と下位置との間で昇降される。第２ガード１４は、第２ガード昇降ユニット３７によって、上位置と下位置との間で昇降される。第１ガード１３が上位置に位置するとき、第１ガード１３の上端は、基板Ｗよりも上方に位置する。第１ガード１３が下位置に位置するとき、第１ガード１３の上端は、基板Ｗよりも下方に位置する。第２ガード１４が上位置に位置するとき、第２ガード１４の上端は、基板Ｗよりも上方に位置する。第２ガード１４が下位置に位置するとき、第２ガード１４の上端は、基板Ｗよりも下方に位置する。
【0050】
第１ガード１３の第１延設部１３Ｂは、第２ガード１４の第２延設部１４Ｂに下方から対向している。そのため、第２ガード１４は、第１ガード１３よりも下方に移動することができない。したがって、第１ガード１３が上位置に位置するとき、第２ガード１４は、下位置に位置することができない。第１ガード１３および第２ガード１４の両方が上位置に位置するとき、基板Ｗから排除される処理液は、第１ガード１３によって受けられる。第１ガード１３が下位置に位置し第２ガード１４が上位置に位置するとき、基板Ｗから排除される処理液は、第２ガード１４によって受けられる。第１ガード１３および第２ガード１４の両方が下位置に位置するとき、搬送ロボットＣＲがスピンベース２１にアクセスできる。
【0051】
薬液供給ユニット１５は、基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する薬液ノズル４０と、薬液ノズル４０に結合された薬液供給管４１と、薬液供給管４１に介装された薬液バルブ４２とを含む。薬液供給管４１には、薬液供給源から、フッ酸（フッ化水素水：ＨＦ）などの薬液が供給されている。薬液バルブ４２は、薬液供給管４１内の流路を開閉する。薬液ノズル４０は、この実施形態では、水平方向および鉛直方向における位置が固定された固定ノズルである。
【0052】
薬液ノズル４０から吐出される薬液は、基板Ｗのエッチング等に用いられる液体である。薬液ノズル４０から吐出される薬液は、フッ酸に限られない。薬液ノズル４０から吐出される薬液は、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、希フッ酸（ＤＨＦ）、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえば、クエン酸、蓚酸等）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。これらを混合した薬液の例としては、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水混合液）、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）などが挙げられる。
【0053】
第１リンス液供給ユニット１６は、基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出する第１リンス液ノズル５０と、第１リンス液ノズル５０に結合された第１リンス液供給管５１と、第１リンス液供給管５１に介装された第１リンス液バルブ５２とを含む。第１リンス液供給管５１には、第１リンス液供給源から、ＤＩＷなどのリンス液が供給されている。第１リンス液バルブ５２は、第１リンス液供給管５１内の流路を開閉する。第１リンス液ノズル５０は、この実施形態では、水平方向および鉛直方向における位置が固定された固定ノズルである。
【0054】
リンス液は、基板Ｗに付着した薬液等を洗い流すための液体である。第１リンス液ノズル５０から吐出されるリンス液は、ＤＩＷに限られない。第１リンス液ノズル５０から吐出されるリンス液は、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、還元水（水素水）であってもよい。
被覆剤供給ユニット１７は、基板Ｗの上面に向けて被覆剤を吐出する被覆剤ノズル６０と、被覆剤ノズル６０に結合された被覆剤供給管６１と、被覆剤供給管６１に介装された被覆剤バルブ６２とを含む。被覆剤供給管６１には、リンス液供給源から、被覆剤が供給されている。被覆剤バルブ６２は、被覆剤供給管６１内の流路を開閉する。
被覆剤供給ユニット１７は、基板Ｗの上面に向けて被覆剤を吐出する被覆剤ノズル６０と、被覆剤ノズル６０に結合された被覆剤供給管６１と、被覆剤供給管６１に介装された被覆剤バルブ６２とを含む。被覆剤供給管６１には、リンス液供給源から、被覆剤が供給されている。被覆剤バルブ６２は、被覆剤供給管６１内の流路を開閉する。
【0055】
被覆剤ノズル６０から吐出される被覆剤は、昇華性の被覆膜を形成することができる液体である。被覆剤は、例えば、昇華性のアクリル系ポリマーを有機溶媒に溶解させた溶液である。昇華性のアクリル系ポリマーを溶解させる有機溶媒としては、ＰＧＥＥ（１－エトキシ－２－プロパノール）等が挙げられる。この実施形態では、被覆剤が２５０℃に加熱されることによって、有機溶媒が蒸発し、被覆膜が形成される。また、被覆膜は、３００℃に加熱されることによって、昇華する。
【0056】
被覆剤ノズル６０は、被覆剤ノズル移動ユニット３８によって鉛直方向および水平方向に移動される。被覆剤ノズル６０は、水平方向の移動によって、中央位置と退避位置との間で移動される。被覆剤ノズル６０が中央位置に位置するとき、被覆剤ノズル６０に設けられた吐出口６０ａが基板Ｗの上面の回転中心位置に鉛直方向から対向する。被覆剤ノズル６０が退避位置に位置するとき、吐出口６０ａは、基板Ｗの上面に鉛直方向から対向しない。基板Ｗの上面の回転中心位置とは、基板Ｗの上面における回転軸線Ａ１との交差位置である。
【0057】
除去液供給ユニット１８は、基板Ｗの下面の周縁部に向けて除去液を吐出する除去液ノズル７０と、除去液ノズル７０に結合された除去液供給管７１と、除去液供給管７１に介装された除去液バルブ７２とを含む。除去液供給管７１には、除去液供給源から、ＴＭＡＨ等の除去液が供給されている。除去液バルブ７２は、除去液供給管７１内の流路を開閉する。
【0058】
除去液ノズル７０から吐出される除去液は、たとえば、ＩＰＡである。除去液ノズル７０から吐出される除去液は、ＩＰＡに限られない。除去液ノズル７０から吐出される除去液は、アルカリ性を有する液体であってもよい。除去液ノズル７０から吐出される除去液は、ＴＭＡＨに限られない。除去液は、たとえば、アンモニア水、コリン水溶液であってもよい。除去液は、ＴＭＡＨ、アンモニア水、コリン水溶液等の混合液であってもよい。
【0059】
有機溶剤供給ユニット１９は、基板Ｗの上面に向けて有機溶剤を吐出する有機溶剤ノズル８０と、有機溶剤ノズル８０に結合された有機溶剤供給管８１と、有機溶剤供給管８１に介装された有機溶剤バルブ８２とを含む。有機溶剤供給管８１には、有機溶剤供給源から、ＩＰＡ等の有機溶剤が供給されている。有機溶剤バルブ８２は、有機溶剤供給管８１内の流路を開閉する。
【0060】
有機溶剤ノズル８０から吐出される有機溶剤は、ＩＰＡに限られない。有機溶剤ノズル８０から吐出される有機溶剤は、被覆剤に含有される溶媒と、リンス液に含有される水との両方と混和可能であればよい。
図３は、第２液処理ユニットＭ２の構成例を説明するための図解的な断面図である。
第２液処理ユニットＭ２は、チャンバＲ２と、基板Ｗを回転可能に水平に保持する第２スピンチャック１００と、第２スピンチャック１００を取り囲む第３カップ１０１と、基板Ｗ上から基板Ｗ外に排除される処理液を受ける第３ガード１０２とを含む。第２スピンチャック１００、第３カップ１０１および第３ガード１０２は、チャンバＲ２内に配置されている。
図３は、第２液処理ユニットＭ２の構成例を説明するための図解的な断面図である。
第２液処理ユニットＭ２は、チャンバＲ２と、基板Ｗを回転可能に水平に保持する第２スピンチャック１００と、第２スピンチャック１００を取り囲む第３カップ１０１と、基板Ｗ上から基板Ｗ外に排除される処理液を受ける第３ガード１０２とを含む。第２スピンチャック１００、第３カップ１０１および第３ガード１０２は、チャンバＲ２内に配置されている。
【0061】
第２液処理ユニットＭ２は、第１洗浄液供給ユニット１０３と、第２洗浄液供給ユニット１０４と、第２リンス液供給ユニット１０５と、第３リンス液供給ユニット１０６とをさらに含む。第１洗浄液供給ユニット１０３は、基板Ｗの上面に洗浄液を供給する。第２洗浄液供給ユニット１０４は、基板Ｗの下面に洗浄液を供給する。第２リンス液供給ユニット１０５は、基板Ｗの上面にＤＩＷ等のリンス液を供給する。第３リンス液供給ユニット１０６は、基板Ｗの下面にＤＩＷ等のリンス液を供給する。
【0062】
第２スピンチャック１００は、一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ２まわりに基板Ｗを回転させる。第２スピンチャック１００は、スピンベース１２１と、複数のチャックピン１２０と、回転軸１２２と、電動モータ１２３とを含む。スピンベース１２１は、水平方向に沿う円板形状を有している。スピンベース１２１の上面には、複数のチャックピン１２０が周方向に間隔を空けて配置されている。基板Ｗは、複数のチャックピン１２０に挟持されているとき、スピンベース１２１の上面から上方に離間している。回転軸１２２は、スピンベース２１の下面中央に結合されている。回転軸１２２は、中空軸である。回転軸１２２は、回転軸線Ａ２に沿って鉛直方向に延びている。電動モータ１２３は、回転軸１２２に回転力を与える。電動モータ１２３によって回転軸１２２が回転されることにより、スピンベース１２１が回転される。これにより、基板Ｗが回転軸線Ａ２のまわりに回転される。電動モータ１２３は、基板Ｗを回転軸線Ａ２のまわりに回転させる回転ユニットに含まれる。
【0063】
チャンバＲ２の側壁１３０には、搬送ロボットＣＲによって基板Ｗが搬出入される出入口１３１が形成されている。チャンバＲ２には、出入口１３１を開閉するシャッタ１３２が設けられている。シャッタ１３２は、シャッタ開閉ユニット１３３によって開閉駆動される。
第３カップ１０１は、上向きに開いた環状の溝を有している。第３カップ１０１は、第２スピンチャック１００を取り囲んでいる。第３カップ１０１の溝には、回収配管（図示せず）または排出配管（図示せず）が接続されている。第３ガード１０２は、平面視で第２スピンチャック１００を取り囲むように配置されている。
第３カップ１０１は、上向きに開いた環状の溝を有している。第３カップ１０１は、第２スピンチャック１００を取り囲んでいる。第３カップ１０１の溝には、回収配管（図示せず）または排出配管（図示せず）が接続されている。第３ガード１０２は、平面視で第２スピンチャック１００を取り囲むように配置されている。
【0064】
第３ガード１０２は、第３カップ１０１よりも上方で第２スピンチャック１００を取り囲む第３筒状部１０２Ａと、径方向内方に向かうにしたがって上方に向かうように第３筒状部１０２Ａから延びる第３延設部１０２Ｂとを含む。
基板Ｗから排除される処理液は、第３筒状部１０２Ａを伝って第３カップ１０１に導かれる。第３カップ１０１の底部に導かれた処理液は、回収配管または排出配管を通じて、回収または廃棄される。
基板Ｗから排除される処理液は、第３筒状部１０２Ａを伝って第３カップ１０１に導かれる。第３カップ１０１の底部に導かれた処理液は、回収配管または排出配管を通じて、回収または廃棄される。
【0065】
第３ガード１０２は、第３ガード昇降ユニット１３６によって、上位置と下位置との間で昇降される。第３ガード１０２が上位置に位置するとき、第３ガード１０２の上端は、基板Ｗよりも上方に位置する。第３ガード１０２が下位置に位置するとき、第３ガード１０２の上端は、基板Ｗよりも下方に位置する。第３ガード１０２は、上位置に位置するとき、基板Ｗから排除される処理液を受ける。第３ガード１０２が下位置に位置するとき、搬送ロボットＣＲがスピンベース１２１にアクセスできる。
【0066】
第１洗浄液供給ユニット１０３は、基板Ｗの上面に向けて洗浄液を吐出する第１洗浄液ノズル１４０と、第１洗浄液ノズル１４０に結合された第１洗浄液供給管１４１と、第１洗浄液供給管１４１に介装された第１洗浄液バルブ１４２とを含む。第１洗浄液供給管１４１には、第１洗浄液供給源から、ＳＣ１などの洗浄液が供給されている。第１洗浄液ノズル１４０は、この実施形態では、水平方向および鉛直方向における位置が固定された固定ノズルである。
【0067】
第２洗浄液供給ユニット１０４は、基板Ｗの下面に向けて洗浄液を吐出する第２洗浄液ノズル１５０と、第２洗浄液ノズル１５０に結合された第２洗浄液供給管１５１と、第２洗浄液供給管１５１に介装された第２洗浄液バルブ１５２とを含む。第２洗浄液供給管１５１には、第２洗浄液供給源から、ＳＣ１などの洗浄液が供給されている。第２洗浄液ノズル１５０は、回転軸１２２に挿通されたノズル収容部１２５に挿通されている。ノズル収容部１２５は、基板Ｗの下面の中央領域に下方から対向している。第２洗浄液ノズル１５０の吐出口１５０ａは、ノズル収容部１２５の先端から露出している。
【0068】
第１洗浄液ノズル１４０から吐出される洗浄液や第２洗浄液ノズル１５０から吐出される洗浄液は、ＳＣ１に限られない。第１洗浄液ノズル１４０から吐出される洗浄液や第２洗浄液ノズル１５０から吐出される洗浄液は、ＳＣ１以外で、アンモニアを含有する液体であってもよい。第１洗浄液ノズル１４０から吐出される洗浄液や第２洗浄液ノズル１５０から吐出される洗浄液は、ＩＰＡ等の有機溶剤であってもよい。
【0069】
第２リンス液供給ユニット１０５は、基板Ｗの上面にリンス液を吐出する第２リンス液ノズル１６０と、第２リンス液ノズル１６０に結合された第２リンス液供給管１６１と、第２リンス液供給管１６１に介装された第２リンス液バルブ１６２とを含む。第２リンス液供給管１６１には、第２リンス液供給源から、ＤＩＷなどのリンス液が供給されている。第２リンス液ノズル１６０は、この実施形態では、水平方向および鉛直方向における位置が固定された固定ノズルである。
【0070】
第３リンス液供給ユニット１０６は、基板Ｗの下面にリンス液を吐出する第３リンス液ノズル１７０と、第３リンス液ノズル１７０に結合された第３リンス液供給管１７１と、第３リンス液供給管１７１に介装された第３リンス液バルブ１７２とを含む。第３リンス液供給管１７１には、第３リンス液供給源から、ＤＩＷなどのリンス液が供給されている。第３リンス液ノズル１７０は、第２洗浄液ノズル１５０とともにノズル収容部１２５に挿通されている。第３リンス液ノズル１７０の吐出口１７０ａは、ノズル収容部１２５の先端から露出している。
【0071】
第２リンス液ノズル１６０から吐出されるリンス液や第３リンス液ノズル１７０から吐出されるリンス液は、ＤＩＷに限られない。第２リンス液ノズル１６０から吐出されるリンス液や第３リンス液ノズル１７０から吐出されるリンス液は、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、還元水（水素水）であってもよい。
【0072】
図４は、第１加熱ユニットＤ１の構成例を説明するための図解的な断面図である。第１加熱ユニットＤ１は、チャンバＲ３と、基板Ｗを保持する第１基板ホルダ２００と、基板Ｗを加熱する第１ヒータ２０１（基板加熱ユニット）と、基板Ｗを冷却する第１冷却ユニット２０２と、基板Ｗを上下動させる複数の第１リフトピン２０３とを含む。
第１基板ホルダ２００は、基板Ｗが水平な姿勢となるように基板Ｗを下方から支持する板状の部材である。第１基板ホルダ２００は、基板Ｗを水平に保持する基板保持ユニットに含まれる。第１基板ホルダ２００は、チャンバＲ３内に収容されている。
第１基板ホルダ２００は、基板Ｗが水平な姿勢となるように基板Ｗを下方から支持する板状の部材である。第１基板ホルダ２００は、基板Ｗを水平に保持する基板保持ユニットに含まれる。第１基板ホルダ２００は、チャンバＲ３内に収容されている。
【0073】
第１ヒータ２０１および第１冷却ユニット２０２は、第１基板ホルダ２００に内蔵されている。第１ヒータ２０１、第１冷却ユニット２０２および第１基板ホルダ２００によって、温度調節プレートが構成されている。第１ヒータ２０１は、伝熱または熱輻射によって基板Ｗを加熱する。第１ヒータ２０１には、第１ヒータ２０１に電力を供給する第１ヒータ通電ユニット２１０が接続されている。第１ヒータ２０１は、基板Ｗを約２５０℃に加熱可能である。
【0074】
第１ヒータ２０１の代わりに、電磁波（紫外線、赤外線、マイクロ波、Ｘ線、レーザ光等）を照射して基板Ｗを加熱する電磁波照射ユニットが用いられてもよい。第１冷却ユニット２０２は、第１基板ホルダ２００内を通る冷却通路を有していてもよい。第１冷却ユニット２０２は、電子冷却素子を有していてもよい。
複数の第１リフトピン２０３は、第１基板ホルダ２００を貫通する複数の貫通穴にそれぞれ挿入されている。複数の第１リフトピン２０３が、第１リフトピン昇降ユニット２１６によって、上位置と下位置との間で昇降される。複数の第１リフトピン２０３が上位置に位置するとき、基板Ｗは、第１基板ホルダ２００から上方に離間する。複数の第１リフトピン２０３が下位置に位置するとき、複数の第１リフトピン２０３の上端部が第１基板ホルダ２００の内部に退避する。そのため、基板Ｗが第１基板ホルダ２００によって下方から支持される。
複数の第１リフトピン２０３は、第１基板ホルダ２００を貫通する複数の貫通穴にそれぞれ挿入されている。複数の第１リフトピン２０３が、第１リフトピン昇降ユニット２１６によって、上位置と下位置との間で昇降される。複数の第１リフトピン２０３が上位置に位置するとき、基板Ｗは、第１基板ホルダ２００から上方に離間する。複数の第１リフトピン２０３が下位置に位置するとき、複数の第１リフトピン２０３の上端部が第１基板ホルダ２００の内部に退避する。そのため、基板Ｗが第１基板ホルダ２００によって下方から支持される。
【0075】
チャンバＲ３は、第１ベース部２１１と、第１ベース部２１１に対して上下動する第１可動蓋部２１２とを有している。第１ベース部２１１と第１可動蓋部２１２とによって、チャンバＲ３の内部空間２１３が区画されている。第１可動蓋部２１２は、第１蓋部駆動ユニット２１４によって、上位置と下位置との間で昇降される。第１可動蓋部２１２が下位置に位置するとき、第１ベース部２１１と第１可動蓋部２１２とが接触する。これにより、チャンバＲ３が閉じられる。第１可動蓋部２１２が上位置に位置するとき、搬送ロボットＣＲがチャンバＲ３の内部空間２１３にアクセスできる。
【0076】
図５は、第２加熱ユニットＤ２の構成例を説明するための図解的な断面図である。
第２加熱ユニットＤ２は、密閉可能なチャンバＲ４と、基板Ｗを保持する第２基板ホルダ３００と、基板Ｗを加熱する第２ヒータ３０１と、基板Ｗを冷却する第２冷却ユニット３０２と、基板Ｗを上下動させる複数の第２リフトピン３０３と、チャンバＲ４を排気する排気ユニット３０４とを含む。
第２加熱ユニットＤ２は、密閉可能なチャンバＲ４と、基板Ｗを保持する第２基板ホルダ３００と、基板Ｗを加熱する第２ヒータ３０１と、基板Ｗを冷却する第２冷却ユニット３０２と、基板Ｗを上下動させる複数の第２リフトピン３０３と、チャンバＲ４を排気する排気ユニット３０４とを含む。
【0077】
第２基板ホルダ３００は、基板Ｗが水平な姿勢となるように基板Ｗを下方から支持する板状の部材である。第２基板ホルダ３００は、基板Ｗを水平に保持する基板保持ユニットに含まれる。第２基板ホルダ３００は、チャンバＲ４内に収容されている。
第２ヒータ３０１および第２冷却ユニット３０２は、第２基板ホルダ３００に内蔵されている。第２ヒータ３０１、第２冷却ユニット３０２および第２基板ホルダ３００によって、温度調節プレートが構成されている。第２ヒータ３０１は、伝熱または熱輻射によって基板Ｗを加熱する。第２ヒータ３０１には、第２ヒータ３０１に電力を供給する第２ヒータ通電ユニット３１０が接続されている。第２ヒータ３０１は、第１ヒータ２０１（図４参照）よりも基板Ｗを高温に加熱することができるように構成されていればよい。第２ヒータ３０１は、例えば、基板Ｗを約３００℃に加熱可能であればよい。
第２ヒータ３０１および第２冷却ユニット３０２は、第２基板ホルダ３００に内蔵されている。第２ヒータ３０１、第２冷却ユニット３０２および第２基板ホルダ３００によって、温度調節プレートが構成されている。第２ヒータ３０１は、伝熱または熱輻射によって基板Ｗを加熱する。第２ヒータ３０１には、第２ヒータ３０１に電力を供給する第２ヒータ通電ユニット３１０が接続されている。第２ヒータ３０１は、第１ヒータ２０１（図４参照）よりも基板Ｗを高温に加熱することができるように構成されていればよい。第２ヒータ３０１は、例えば、基板Ｗを約３００℃に加熱可能であればよい。
【0078】
第２ヒータ３０１の代わりに、電磁波（紫外線、赤外線、マイクロ波、Ｘ線、レーザ光等）を照射して基板Ｗを加熱する電磁波照射ユニットが用いられてもよい。第２冷却ユニット３０２は、第２基板ホルダ３００内を通る冷却通路を有していてもよい。第２冷却ユニット３０２は、電子冷却素子を有していてもよい。
複数の第２リフトピン３０３は、第２基板ホルダ３００を貫通する複数の貫通穴にそれぞれ挿入されている。複数の第２リフトピン３０３が、第２リフトピン昇降ユニット３１６によって、上位置と下位置との間で昇降される。複数の第２リフトピン３０３が上位置に位置するとき、基板Ｗは、第２基板ホルダ３００から上方に離間する。複数の第２リフトピン３０３が下位置に位置するとき、複数の第２リフトピン３０３の上端部が第２基板ホルダ３００の内部に退避する。そのため、基板Ｗが第２基板ホルダ３００によって下方から支持される。
複数の第２リフトピン３０３は、第２基板ホルダ３００を貫通する複数の貫通穴にそれぞれ挿入されている。複数の第２リフトピン３０３が、第２リフトピン昇降ユニット３１６によって、上位置と下位置との間で昇降される。複数の第２リフトピン３０３が上位置に位置するとき、基板Ｗは、第２基板ホルダ３００から上方に離間する。複数の第２リフトピン３０３が下位置に位置するとき、複数の第２リフトピン３０３の上端部が第２基板ホルダ３００の内部に退避する。そのため、基板Ｗが第２基板ホルダ３００によって下方から支持される。
【0079】
チャンバＲ４は、第２ベース部３１１と、第２ベース部３１１に対して上下動する第２可動蓋部３１２とを有している。第２ベース部３１１と第２可動蓋部３１２とによって、チャンバＲ４の内部空間３１３が区画されている。第２可動蓋部３１２は、第２蓋部駆動ユニット３１４によって、上位置と下位置との間で昇降される。第２可動蓋部３１２が下位置に位置するとき、第２ベース部３１１と第２可動蓋部３１２とが接触する。第２可動蓋部３１２が下位置に位置するとき、第２ベース部３１１と第２可動蓋部３１２との間は、Ｏリング３１５によって密閉されている。第２可動蓋部３１２が上位置に位置するとき、搬送ロボットＣＲがチャンバＲ４の内部空間３１３にアクセスできる。
【0080】
第２ベース部３１１には、内部空間３１３内の気体をチャンバＲ４外に導く排気管３１７が接続されている。排気管３１７には、排気管３１７内の流路を開閉する排気バルブ３１８が介装されている。排気管３１７は、排気ユニット３０４に接続されている。排気ユニット３０４は、例えば、真空ポンプである。
図６は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御ユニット３は、マイクロコンピュータを備えており、所定のプログラムに従って、基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御ユニット３は、プロセッサ（ＣＰＵ）３Ａと、プログラムが格納されたメモリ３Ｂとを含む。制御ユニット３は、プロセッサ３Ａがプログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。特に、制御ユニット３は、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ、シャッタ開閉ユニット３３，１３３、蓋部駆動ユニット２１４，３１４、リフトピン昇降ユニット２１６，３１６、ヒータ通電ユニット２１０，３１０、ガード昇降ユニット３６，３７，１３６、ノズル移動ユニット３８、バルブ類２８，４２，５２，６２，７２，８２，１４２，１５２，１６２，１７２，３１８等の動作を制御する。
図６は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御ユニット３は、マイクロコンピュータを備えており、所定のプログラムに従って、基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御ユニット３は、プロセッサ（ＣＰＵ）３Ａと、プログラムが格納されたメモリ３Ｂとを含む。制御ユニット３は、プロセッサ３Ａがプログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。特に、制御ユニット３は、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ、シャッタ開閉ユニット３３，１３３、蓋部駆動ユニット２１４，３１４、リフトピン昇降ユニット２１６，３１６、ヒータ通電ユニット２１０，３１０、ガード昇降ユニット３６，３７，１３６、ノズル移動ユニット３８、バルブ類２８，４２，５２，６２，７２，８２，１４２，１５２，１６２，１７２，３１８等の動作を制御する。
【0081】
図７は、基板処理装置１による基板処理の第１例を説明するための流れ図であり、主として、制御ユニット３がプログラムを実行することによって実現される処理が示されている。図８Ａ～図８Ｈは、基板処理の第１例を説明するための図解的な断面図である。
基板処理装置１による基板処理では、基板Ｗが連続して処理される。基板Ｗの連続処理中、第１加熱ユニットＤ１の第１ヒータ２０１は、第１ヒータ通電ユニット２１０によって通電された状態で維持される（図４参照）。同様に、基板Ｗの連続処理中、第２加熱ユニットＤ２の第２ヒータ３０１は、第２ヒータ通電ユニット３１０によって通電された状態で維持される（図５参照）。
基板処理装置１による基板処理では、基板Ｗが連続して処理される。基板Ｗの連続処理中、第１加熱ユニットＤ１の第１ヒータ２０１は、第１ヒータ通電ユニット２１０によって通電された状態で維持される（図４参照）。同様に、基板Ｗの連続処理中、第２加熱ユニットＤ２の第２ヒータ３０１は、第２ヒータ通電ユニット３１０によって通電された状態で維持される（図５参照）。
【0082】
まず、基板処理装置１による基板処理では、図１Ａも参照して、基板Ｗが、搬送ロボットＩＲ，ＣＲによってキャリヤＣから第１液処理ユニットＭ１に搬入される（ステップＳ１：第１搬入工程）。図２も参照して、搬送ロボットＣＲは、出入口３１を介して第１液処理ユニットＭ１に進入することができる。第１液処理ユニットＭ１に搬入された基板Ｗは、搬送ロボットＣＲから第１スピンチャック１０に渡される。基板Ｗは、第１主面Ｗ１が上面となるようにスピンベース２１に載置される。
【0083】
そして、吸引バルブ２８が開かれる。これにより、基板Ｗの第２主面Ｗ２がスピンベース２１の上面に接触した状態で、基板Ｗが第１スピンチャック１０に保持される（第１基板保持工程）。この後、基板Ｗは、搬送ロボットＣＲによって第１液処理ユニットＭ１から搬出されるまでの間、水平に保持された状態で維持される。
そして、電動モータ２３が基板Ｗの回転を開始させる（基板回転工程）。そして、ガード昇降ユニット３６，３７がガード１３，１４を上位置に配置する。そして、薬液バルブ４２が開かれる。これにより、薬液供給ユニット１５の薬液ノズル４０から基板Ｗの第１主面Ｗ１への薬液の供給が開始される（薬液供給工程）。第１主面Ｗ１に供給された薬液は、遠心力によって第１主面Ｗ１の全体に行き渡る。これにより、基板Ｗが薬液によって処理される（ステップＳ２：薬液処理工程）。遠心力によって基板Ｗ外へ排出された薬液は、第１ガード１３によって受けられる。
そして、電動モータ２３が基板Ｗの回転を開始させる（基板回転工程）。そして、ガード昇降ユニット３６，３７がガード１３，１４を上位置に配置する。そして、薬液バルブ４２が開かれる。これにより、薬液供給ユニット１５の薬液ノズル４０から基板Ｗの第１主面Ｗ１への薬液の供給が開始される（薬液供給工程）。第１主面Ｗ１に供給された薬液は、遠心力によって第１主面Ｗ１の全体に行き渡る。これにより、基板Ｗが薬液によって処理される（ステップＳ２：薬液処理工程）。遠心力によって基板Ｗ外へ排出された薬液は、第１ガード１３によって受けられる。
【0084】
第１主面Ｗ１に薬液を一定時間供給した後、薬液バルブ４２が閉じられ、第１リンス液バルブ５２が開かれる。これにより、図８Ａに示すように、第１リンス液供給ユニット１６の第１リンス液ノズル５０から第１主面Ｗ１へのリンス液の供給が開始される（第１リンス液供給工程）。第１主面Ｗ１に供給されたリンス液は、遠心力によって第１主面Ｗ１の全体に行き渡る。これにより、基板Ｗ上の薬液がリンス液に置換される（ステップＳ３：リンス液置換工程）。遠心力によって基板Ｗ外へ排出された薬液およびリンス液は、第１ガード１３によって受けられる。
【0085】
そして、第１リンス液バルブ５２が閉じられ、有機溶剤バルブ８２が開かれる。これにより、図８Ｂに示すように、有機溶剤供給ユニット１９の有機溶剤ノズル８０から第１主面Ｗ１への有機溶剤の供給が開始される（有機溶剤供給工程）。第１主面Ｗ１に供給された有機溶剤は、遠心力によって第１主面Ｗ１の全体に行き渡る。これにより、基板Ｗ上のリンス液が有機溶剤に置換される（ステップＳ４：有機溶剤置換工程）。遠心力によって基板Ｗ外へ排出されたリンス液および有機溶剤は、第１ガード１３によって受けられる。
【0086】
第１主面Ｗ１に有機溶剤が供給されている間に、被覆剤ノズル移動ユニット３８が、被覆剤ノズル６０を中央位置に移動させる。また、第１ガード昇降ユニット３６が第１ガード１３を下位置に移動させる。第１主面Ｗ１に有機溶剤を一定時間供給した後、有機溶剤バルブ８２が閉じられ、被覆剤バルブ６２が開かれる。これにより、図８Ｃに示すように、被覆剤供給ユニット１７の被覆剤ノズル６０から第１主面Ｗ１への被覆剤の供給が開始される（ステップＳ５：被覆剤供給工程）。第１主面Ｗ１に供給された被覆剤は、遠心力によって第１主面Ｗ１の全体に行き渡る。これにより、基板Ｗ上の有機溶剤が被覆剤に置換される。これにより、基板Ｗの第１主面Ｗ１が被覆剤の液膜９０によって覆われる。遠心力によって基板Ｗ外へ排出された有機溶剤および被覆剤は、第２ガード１４によって受けられる。
【0087】
被覆剤ノズル６０から基板Ｗの第１主面Ｗ１に供給された被覆剤が第１主面Ｗ１の周縁部から基板Ｗの第２主面Ｗ２に回り込むことがある。また、基板Ｗの第１主面Ｗ１外に飛散した被覆剤がガード１３，１４から跳ね返って第２主面Ｗ２の周縁部に付着する場合もある。そこで、第１主面Ｗ１が被覆剤の液膜９０によって覆われた後、被覆剤バルブ６２が閉じられる代わりに、除去液バルブ７２が開かれる。これにより、図８Ｄに示すように、除去液供給ユニット１８の除去液ノズル７０から基板Ｗの第２主面Ｗ２の周縁部に除去液が供給される（除去液供給工程）。除去液ノズル７０から吐出された除去液が、基板Ｗの第２主面Ｗ２の周縁部に供給されることによって、第２主面Ｗ２の周縁部が洗浄される（ステップＳ６：周縁洗浄工程）。そのため、被覆剤による第２主面Ｗ２の汚染を抑制することができる。このように、除去液供給ユニット１８が周縁洗浄ユニットとして機能する。
【0088】
除去液ノズル７０から除去液が吐出されている間に、被覆剤ノズル６０が退避位置に移動される。その後、除去液バルブ７２が閉じられ、第２ガード１４が下位置に移動させられる。そして、電動モータ２３が基板Ｗの回転を停止させる。そして、吸引バルブ２８が閉じられる。
その後、図２を参照して、シャッタ開閉ユニット３３によって再びシャッタ３２が開かれる。そして、搬送ロボットＣＲは、出入口３１を介して第１液処理ユニットＭ１にアクセスし、第１液処理ユニットＭ１から基板Ｗを搬出する（ステップＳ７：第１搬出工程）。
その後、図２を参照して、シャッタ開閉ユニット３３によって再びシャッタ３２が開かれる。そして、搬送ロボットＣＲは、出入口３１を介して第１液処理ユニットＭ１にアクセスし、第１液処理ユニットＭ１から基板Ｗを搬出する（ステップＳ７：第１搬出工程）。
【0089】
そして、図４を参照して、基板Ｗは、搬送ロボットＣＲによって、第１加熱ユニットＤ１に搬入される（ステップＳ８：第２搬入工程）。このとき、第１蓋部駆動ユニット２１４が第１可動蓋部２１２を上位置に位置させることによって、搬送ロボットＣＲは、第１加熱ユニットＤ１に進入することができる。そして、基板Ｗは、第１基板ホルダ２００によって水平に保持される（第２基板保持工程）。具体的には、基板Ｗは、上位置に配置された複数の第１リフトピン２０３に受け渡された後、第１リフトピン２０３が第１リフトピン昇降ユニット２１６によって下位置に移動させられる。これにより、基板Ｗが第１基板ホルダ２００の上面に載置される。そして、搬送ロボットＣＲが第１加熱ユニットＤ１から退避する。その後に、第１蓋部駆動ユニット２１４が第１可動蓋部２１２を下位置に位置させる。これによって、チャンバＲ３が閉じられる。
【0090】
第１加熱ユニットＤ１では、図８Ｅに示すように、第１基板ホルダ２００に内蔵された第１ヒータ２０１によって基板Ｗが加熱される（ステップＳ９：第１基板加熱工程）。これにより、基板Ｗの第１主面Ｗ１を覆う被覆剤が固化される（固化工程）。詳しくは、被覆剤に含有される溶媒が蒸発し、固体成分のみが第１主面Ｗ１上に残る。これにより、基板Ｗの第１主面Ｗ１を覆う昇華性の被覆膜２５０が形成される（被覆膜形成工程）。固化工程が実行されることによって、被覆膜２５０を確実に形成することができる。
【0091】
なお、前述した周縁洗浄工程は、固化工程の開始前に行われている。そのため、固化工程によって被覆剤が固化される前に、第２主面Ｗ２の周縁部が洗浄される。したがって、被覆剤が固化された後に第２主面Ｗ２の周縁部を洗浄する場合と比較して、第２主面Ｗ２の周縁部を洗浄しやすい。
そして、図４を参照して、第１蓋部駆動ユニット２１４によって第１可動蓋部２１２が上位置に位置させられ、第１リフトピン昇降ユニット２１６によって、複数の第１リフトピン２０３が上位置に移動される。そして、搬送ロボットＣＲが複数の第１リフトピン２０３から基板Ｗを受け取り、第１加熱ユニットから基板Ｗを搬出する（ステップＳ１０：第２搬出工程）。
そして、図４を参照して、第１蓋部駆動ユニット２１４によって第１可動蓋部２１２が上位置に位置させられ、第１リフトピン昇降ユニット２１６によって、複数の第１リフトピン２０３が上位置に移動される。そして、搬送ロボットＣＲが複数の第１リフトピン２０３から基板Ｗを受け取り、第１加熱ユニットから基板Ｗを搬出する（ステップＳ１０：第２搬出工程）。
【0092】
そして、図３も参照して、基板Ｗが、搬送ロボットＣＲによって、第２液処理ユニットＭ２に搬入される（ステップＳ１１：第３搬入工程）。第２液処理ユニットＭ２に搬入された基板Ｗは、搬送ロボットＣＲから第２スピンチャック１００に渡される。基板Ｗは、第１主面Ｗ１を上方に向けた状態で、複数のチャックピン１２０によって把持される。これにより、基板Ｗが第２スピンチャック１００によって水平に保持される（第３基板保持工程）。この後、基板Ｗは、搬送ロボットＣＲによって第２液処理ユニットＭ２から搬出されるまでの間、水平に保持された状態で維持される。
【0093】
そして、電動モータ１２３が基板Ｗの回転を開始させる。そして、第３ガード１０２は、第３ガード昇降ユニット１３６によって、上位置に配置される。
第２液処理ユニットＭ２では、図８Ｆを参照して、第２主面Ｗ２が洗浄液によって洗浄される（ステップＳ１２：第２主面洗浄工程）。具体的には、第２洗浄液バルブ１５２が開かれる。これにより、第２洗浄液供給ユニット１０４の第２洗浄液ノズル１５０から基板Ｗの第２主面Ｗ２に向けて洗浄液が供給される（第２洗浄液供給工程）。第２主面Ｗ２に供給された洗浄液は、遠心力によって第２主面Ｗ２の全体に行き渡る。これにより、第２主面Ｗ２が洗浄される。このように、第２洗浄液供給ユニット１０４は、第２主面洗浄ユニットとして機能する。遠心力によって、基板Ｗ外へ飛散した洗浄液は第３ガード１０２によって受けられる。第２主面洗浄工程は、被覆膜形成工程の終了後に行われている。
第２液処理ユニットＭ２では、図８Ｆを参照して、第２主面Ｗ２が洗浄液によって洗浄される（ステップＳ１２：第２主面洗浄工程）。具体的には、第２洗浄液バルブ１５２が開かれる。これにより、第２洗浄液供給ユニット１０４の第２洗浄液ノズル１５０から基板Ｗの第２主面Ｗ２に向けて洗浄液が供給される（第２洗浄液供給工程）。第２主面Ｗ２に供給された洗浄液は、遠心力によって第２主面Ｗ２の全体に行き渡る。これにより、第２主面Ｗ２が洗浄される。このように、第２洗浄液供給ユニット１０４は、第２主面洗浄ユニットとして機能する。遠心力によって、基板Ｗ外へ飛散した洗浄液は第３ガード１０２によって受けられる。第２主面洗浄工程は、被覆膜形成工程の終了後に行われている。
【0094】
そして、第２主面Ｗ２に洗浄液を一定時間供給した後、第２洗浄液バルブ１５２が閉じられる。その後、図８Ｇに示すように、第１洗浄液バルブ１４２が開かれる。これにより、第１洗浄液供給ユニット１０３の第１洗浄液ノズル１４０から被覆膜２５０の表面に洗浄液が供給される（第１洗浄液供給工程）。これにより、被覆膜２５０の表面が洗浄される（ステップＳ１３：被覆膜洗浄工程）。このように、第２主面洗浄工程の終了後に被覆膜洗浄工程が開始される。つまり、被覆膜洗浄工程が、第２主面洗浄工程の終了後に被覆膜２５０の表面を洗浄する第１洗浄工程を含む。このように、第１洗浄液供給ユニット１０３は、被覆膜洗浄ユニットに含まれる。
【0095】
そして、第１洗浄液バルブ１４２が閉じられる。その代わりに、第２リンス液バルブ１６２および第３リンス液バルブ１７２が開かれる。これにより、第２リンス液供給ユニット１０５の第２リンス液ノズル１６０からの第１主面Ｗ１へのリンス液の供給が開始される。厳密には、第１主面Ｗ１に形成された被覆膜２５０の表面にリンス液が供給される。被覆膜２５０の表面に供給されたリンス液は、遠心力によって被覆膜２５０の表面の全体に行き渡る。これにより、被覆膜２５０上の洗浄液がリンス液に置換される。第３リンス液供給ユニット１０６の第３リンス液ノズル１７０から第２主面Ｗ２へのリンス液の供給も開始される。これにより、第２主面Ｗ２上の洗浄液がリンス液に置換される。このように、基板Ｗの両面（厳密には、被覆膜２５０の表面および第２主面Ｗ２）に付着していた洗浄液がリンス液によって置換される（ステップＳ１４：第２リンス液置換工程）。
【0096】
その後、電動モータ１２３が基板Ｗを高速回転させることによって、基板Ｗに付着していたリンス液を振り切る。これによって、基板Ｗが乾燥される（Ｓ１５：基板乾燥工程）。そして、電動モータ１２３が基板Ｗの回転を停止させる。そして、第３ガード昇降ユニット１３６が第３ガード１０２を下位置に移動させる。
その後、図３も参照して、シャッタ開閉ユニット１３３によって再びシャッタ１３２が開かれる。そして、搬送ロボットＣＲは、出入口１３１を介して第２液処理ユニットＭ２にアクセスし、第２液処理ユニットＭ２から基板Ｗを搬出する（ステップＳ１６：第３搬出工程）。
その後、図３も参照して、シャッタ開閉ユニット１３３によって再びシャッタ１３２が開かれる。そして、搬送ロボットＣＲは、出入口１３１を介して第２液処理ユニットＭ２にアクセスし、第２液処理ユニットＭ２から基板Ｗを搬出する（ステップＳ１６：第３搬出工程）。
【0097】
そして、図５も参照して、基板Ｗは、搬送ロボットＣＲによって、第２加熱ユニットＤ２に搬入される（ステップＳ１７：第４搬入工程）。このとき、第２蓋部駆動ユニット３１４が第２可動蓋部３１２を上位置に位置させているため、搬送ロボットＣＲは、第２加熱ユニットＤ２に進入することができる。そして、基板Ｗは、第２基板ホルダ３００によって水平に保持される（第４基板保持工程）。具体的には、基板Ｗが上位置に配置された複数の第２リフトピン３０３に受け渡された後、第２リフトピン３０３が第２リフトピン昇降ユニット３１６によって下位置に移動させられる。これにより、基板Ｗが第２基板ホルダ３００の上面に載置される。そして、搬送ロボットＣＲが第２加熱ユニットＤ２から退避する。その後、第２蓋部駆動ユニット３１４が第２可動蓋部３１２を下位置に位置させる。これによって、チャンバＲ４が閉じられる。
【0098】
第２加熱ユニットＤ２では、図８Ｈに示すように、第２基板ホルダ３００に内蔵された第２ヒータ３０１によって基板Ｗが加熱される（ステップＳ１８：第２基板加熱工程）。これにより、基板Ｗの第１主面Ｗ１を覆う被覆膜２５０が昇華される（昇華工程）。昇華工程は、被覆膜洗浄工程の終了後に実行される。このように、第２ヒータ３０１は、昇華ユニットとして機能する。基板Ｗを加熱する際、排気バルブ３１８を開いてもよい。これにより、排気ユニット３０４が、被覆膜２５０の昇華により発生した気体を、チャンバＲ４の内部空間３１３外に排除する。
【0099】
そして、第２蓋部駆動ユニット３１４によって第２可動蓋部３１２が上位置に位置させられ、第２リフトピン昇降ユニット３１６によって、複数の第２リフトピン３０３が上位置に移動される。そして、搬送ロボットＣＲが複数の第２リフトピン３０３から基板Ｗを受け取り、第２加熱ユニットＤ２から基板Ｗを搬出する（ステップＳ１９：第４搬出工程）。
【0100】
次に、被覆膜洗浄工程の前後における被覆膜２５０の変化の様子を説明する。図９Ａは、被覆膜洗浄工程（図７のステップＳ１３）が開始される直前の基板Ｗの第１主面Ｗ１の周辺の模式的な断面図である。図９Ｂは、被覆膜洗浄工程が終了した直後の基板Ｗの第１主面Ｗ１の周辺の模式的な断面図である。
図９Ａに示すように、被覆膜２５０の厚さＴ１が第１主面Ｗ１に形成された金属パターンＰの高さＴ２よりも大きくなるように、被覆膜２５０が形成されていることが好ましい。
図９Ａに示すように、被覆膜２５０の厚さＴ１が第１主面Ｗ１に形成された金属パターンＰの高さＴ２よりも大きくなるように、被覆膜２５０が形成されていることが好ましい。
【0101】
ここで、第２主面洗浄工程において、第２主面Ｗ２に着液した洗浄液は、基板Ｗの周辺を浮遊して被覆膜２５０の表面２５１に付着するおそれがある。第２主面Ｗ２に着液した洗浄液が、基板Ｗの周辺に配置された部材（第３ガード１０２等）に向かって飛散し、当該部材に跳ね返されて被覆膜２５０の表面２５１に付着するおそれもある（図８Ｆの矢印参照）。さらに、第２主面Ｗ２に着液した洗浄液が、第２主面Ｗ２の周縁部から第１主面Ｗ１側に回り込んで被覆膜２５０の表面２５１に付着するおそれもある。第２主面Ｗ２に一度着液した洗浄液には、パーティクル２５６等の汚れが含まれていることがある。基板処理装置１に備えられた部材に跳ね返された洗浄液の液滴２５５には、パーティクル２５６が一層含まれやすい。
【0102】
被覆膜洗浄工程の前の被覆膜２５０の表面２５１には、液滴２５５や、この液滴２５５に含有されるパーティクル２５６等が付着している。被覆膜２５０の表面２５１に付着するパーティクル２５６は、第２主面洗浄工程において基板Ｗ外に飛散した洗浄液の液滴２５５に含有されているものに限られない。基板Ｗの第１主面Ｗ１に被覆剤が供給されてから、被覆膜洗浄工程が開始されるまでの間に、第２主面洗浄工程以外の何らかの原因でパーティクル２５７が被覆膜２５０の表面２５１に付着することも有り得る。
【0103】
被覆膜洗浄工程では、これらの液滴２５５やパーティクル２５６，２５７が被覆膜２５０の表面２５１から除去される。被覆膜洗浄工程において被覆膜２５０の表面２５１に供給される洗浄液は、被覆膜２５０の表層２５２を溶解させる液体であってもよい。
被覆膜洗浄工程で用いられる洗浄液が、被覆膜２５０の表層２５２を溶解させる液体であれば、図９Ｂに示すように、被覆膜洗浄工程によって、表面２５１に付着していたパーティクル２５６，２５７が表層２５２ごと除去される（表層除去工程）。ここで、パーティクル２５６，２５７が被覆膜２５０の表面２５１に強固に付着しており、被覆膜２５０の表面２５１からパーティクル２５６，２５７を除去しにくい場合が有り得る。このような場合であっても、被覆膜洗浄工程において、被覆膜２５０の表層２５２とともにパーティクル２５６，２５７を除去することによって、被覆膜２５０の表面２５１を確実に洗浄することができる。
被覆膜洗浄工程で用いられる洗浄液が、被覆膜２５０の表層２５２を溶解させる液体であれば、図９Ｂに示すように、被覆膜洗浄工程によって、表面２５１に付着していたパーティクル２５６，２５７が表層２５２ごと除去される（表層除去工程）。ここで、パーティクル２５６，２５７が被覆膜２５０の表面２５１に強固に付着しており、被覆膜２５０の表面２５１からパーティクル２５６，２５７を除去しにくい場合が有り得る。このような場合であっても、被覆膜洗浄工程において、被覆膜２５０の表層２５２とともにパーティクル２５６，２５７を除去することによって、被覆膜２５０の表面２５１を確実に洗浄することができる。
【0104】
表層除去工程が実行されることによって、被覆膜２５０は、薄くなり、表面２５１よりも第１主面Ｗ１側に新たな表面２５３が形成される。被覆膜２５０の厚さＴ１が被覆膜洗浄工程の後においても金属パターンＰの高さＴ２よりも大きくなるように、被覆膜洗浄工程が行われることが好ましい。このように、被覆膜洗浄工程では、被覆膜２５０の表層２５２を除去する工程が実行されてもよい。
【0105】
この基板処理とは異なり、被覆膜洗浄工程において被覆膜２５０の表面２５１に供給される洗浄液は、被覆膜２５０の表層２５２を溶解させない液体であってもよい。
以上のように、本実施形態によれば、基板処理装置１は、基板保持ユニット（第１スピンチャック１０、第２スピンチャック１００、第１基板ホルダ２００および第２基板ホルダ３００）と、被覆剤を第１主面Ｗ１に供給する被覆剤供給ユニット１７と、第１主面Ｗ１を覆う被覆膜２５０の表面を洗浄する被覆膜洗浄ユニット（第１洗浄液供給ユニット１０３）と、制御ユニット３とを含む。そして、制御ユニット３が、第１スピンチャック１０、第２スピンチャック１００、第１基板ホルダ２００および第２基板ホルダ３００に、基板Ｗを水平に保持させる基板保持工程（第１～第４基板保持工程）と、被覆剤供給ユニット１７から被覆剤を第１主面Ｗ１に供給させることによって、被覆膜２５０を形成する被覆膜形成工程と、第１洗浄液供給ユニット１０３に被覆膜２５０の表面を洗浄させる被覆膜洗浄工程とを実行する。
以上のように、本実施形態によれば、基板処理装置１は、基板保持ユニット（第１スピンチャック１０、第２スピンチャック１００、第１基板ホルダ２００および第２基板ホルダ３００）と、被覆剤を第１主面Ｗ１に供給する被覆剤供給ユニット１７と、第１主面Ｗ１を覆う被覆膜２５０の表面を洗浄する被覆膜洗浄ユニット（第１洗浄液供給ユニット１０３）と、制御ユニット３とを含む。そして、制御ユニット３が、第１スピンチャック１０、第２スピンチャック１００、第１基板ホルダ２００および第２基板ホルダ３００に、基板Ｗを水平に保持させる基板保持工程（第１～第４基板保持工程）と、被覆剤供給ユニット１７から被覆剤を第１主面Ｗ１に供給させることによって、被覆膜２５０を形成する被覆膜形成工程と、第１洗浄液供給ユニット１０３に被覆膜２５０の表面を洗浄させる被覆膜洗浄工程とを実行する。
【0106】
このように、被覆膜形成工程において昇華性の被覆膜２５０が形成される。そのため、液体を用いることなく第１主面Ｗ１から被覆膜２５０を除去することが可能である。したがって、液体の供給に起因する金属パターンＰの倒壊を抑制することができる。また、被覆膜洗浄工程において、被覆膜２５０の表面が洗浄される。そのため、被覆膜洗浄工程後に被覆膜２５０が昇華したとしても、被覆膜２５０の表面２５１に付着していた汚れ（洗浄液の液滴２５５およびパーティクル２５６，２５７）が第１主面Ｗ１に残ることを抑制することができる。したがって、基板Ｗの第１主面Ｗ１の汚染を抑制することができる。
【0107】
また、第１実施形態によれば、基板処理装置１が、第２主面Ｗ２を洗浄する第２洗浄液供給ユニット１０４（第２主面洗浄ユニット）をさらに含む。そして、制御ユニット３が、被覆膜形成工程の終了後に、第２洗浄液供給ユニット１０４に第２主面Ｗ２を洗浄させる第２主面洗浄工程をさらに実行する。さらに、制御ユニット３が、第２主面洗浄工程の終了後に被覆膜洗浄工程（第１洗浄工程）を開始する。
【0108】
このように、被覆膜洗浄工程は、第２主面洗浄工程の終了後に開始される。そのため、第２主面洗浄工程に起因して被覆膜２５０の表面２５１に洗浄液が付着した場合であっても、被覆膜洗浄工程において、被覆膜２５０の表面２５１が洗浄される。したがって、第２主面洗浄工程によって第２主面Ｗ２が洗浄される基板処理装置１において、第１主面Ｗ１の汚染を抑制できる。
【0109】
ここで、第２主面Ｗ２に着液した洗浄液が被覆膜２５０の表面２５１に達するまでには所定時間を要するため、第２主面洗浄工程の終了後、所定時間が経過するまでの間、洗浄液が被覆膜２５０の表面２５１に付着する可能性がある。この基板処理装置１のように被覆膜２５０の表面２５１の洗浄が第２主面洗浄工程後に開始される構成であれば、第２主面洗浄工程に起因して被覆膜２５０の表面２５１に付着した洗浄液を確実に除去できる。また、第２主面洗浄工程の開始前から被覆膜２５０の表面２５１に汚れ（パーティクル２５７）が付着していた場合であっても、この汚れ（パーティクル２５７）を、第２主面洗浄工程に起因して被覆膜２５０の表面２５１に付着した洗浄液の液滴２５５（およびパーティクル２５６）と同時に除去することができる。
【0110】
また、第１実施形態によれば、第１洗浄液供給ユニット１０３が第１主面洗浄ユニットに含まれている。そして、制御ユニット３が、被覆膜洗浄工程において、第１洗浄液供給ユニット１０３から第１主面Ｗ１に向けて洗浄液を供給させることによって、被覆膜２５０の表面２５１を洗浄する工程を実行する（第１洗浄液供給工程）。
そのため、被覆膜洗浄工程において被覆膜２５０の表面２５１に供給された洗浄液は、被覆膜２５０の表面２５１上で広がる。そのため、被覆膜２５０の表面２５１の洗浄時間を低減することができる。
そのため、被覆膜洗浄工程において被覆膜２５０の表面２５１に供給された洗浄液は、被覆膜２５０の表面２５１上で広がる。そのため、被覆膜２５０の表面２５１の洗浄時間を低減することができる。
【0111】
また第１実施形態によれば、基板処理装置１が、被覆膜２５０を昇華する第２ヒータ３０１（昇華ユニット）をさらに含む。そして、制御ユニット３が、被覆膜洗浄工程の終了後に、第２ヒータ３０１に被覆膜２５０を昇華させる昇華工程を実行する。そのため、被覆膜２５０が昇華されて第１主面Ｗ１が露出される。被覆膜洗浄工程において被覆膜２５０の表面２５１が洗浄されているため、被覆膜２５０の表面に付着していた汚れが、被覆膜２５０の昇華後に第１主面Ｗ１に残ることを抑制することができる。つまり、第１主面Ｗ１の汚染が抑制される。
【0112】
また第１実施形態によれば、第１主面Ｗ１には金属パターンＰが形成されている。そのため、昇華性の被覆膜２５０を第１主面Ｗ１に形成し、被覆膜２５０の表面２５１を洗浄する構成の基板処理装置１であれば、金属パターンＰの倒壊を抑制しつつ、第１主面Ｗ１の汚染を抑制できる。
第１実施形態に係る基板処理装置１による基板処理は、上述した例に限られない。第１実施形態に係る基板処理装置１による基板処理は、以下に示すような例であってもよい。
第１実施形態に係る基板処理装置１による基板処理は、上述した例に限られない。第１実施形態に係る基板処理装置１による基板処理は、以下に示すような例であってもよい。
【0113】
図１０は、基板処理装置１による基板処理の第２例を説明するための図解的な断面図である。図１０に示すように、基板処理装置１による基板処理では、被覆膜洗浄工程（図７のステップＳ１３）と第２主面洗浄工程（図７のステップＳ１２）とが並行して実行されてもよい。つまり、被覆膜洗浄工程は、第２主面洗浄工程と並行して被覆膜２５０の表面を洗浄する第２洗浄工程を含む。そのため、第２主面洗浄工程に起因して被覆膜２５０の表面に付着した洗浄液を即座に除去することができる。第２主面洗浄工程の開始前に被覆膜２５０の表面に既に汚れが付着していた場合、第２主面Ｗ２に着液した洗浄液が被覆膜２５０の表面に到達するまでに、当該汚れの除去を開始することができる。さらに、被覆膜洗浄工程が終了するまでの時間を短縮することもできる。したがって、単位時間当たりに処理できる基板の枚数を増大させることができる。つまり、スループットの向上が図れる。このように、スループットの向上を図りつつ、第１主面Ｗ１の汚染を抑制することができる。
【0114】
第２洗浄工程は、第２主面洗浄工程の終了後も継続されることが好ましい。前述したように、第２主面Ｗ２に着液した洗浄液が被覆膜２５０の表面に達するまでには所定時間を要するため、第２主面洗浄工程の終了後、所定時間が経過するまでの間、洗浄液が被覆膜２５０の表面に付着する可能性がある。そのため、この第２例の基板処理のように第２洗浄工程が第２主面洗浄工程の終了後に終了させることによって、被覆膜洗浄工程の終了後における、汚染された洗浄液の被覆膜２５０の表面への付着を一層抑制することができる。
【0115】
図１１Ａおよび図１１Ｂは、基板処理装置１による基板処理の第３例を説明するための図解的な断面図である。図１１Ａに示すように、基板処理装置１による基板処理では、第２主面洗浄工程（図７のステップＳ１２）と並行して、第２リンス液ノズル１６０から被覆膜２５０の表面へ向けてリンス液を供給させてもよい。これにより、第２主面洗浄工程中に基板Ｗから飛散する液滴の、被覆膜２５０の表面への付着が抑制される。言い換えると、第２リンス液ノズル１６０から吐出されるリンス液によって、被覆膜２５０が保護される。このように、第２リンス液ノズル１６０から吐出されるリンス液が、被覆膜２５０の表面を保護する保護液として機能する。つまり、保護液を被覆膜２５０の表面に供給する保護液供給工程が第２主面洗浄工程と並行して実行される。保護液供給工程は、第２主面洗浄工程の終了と同時に終了するのではなく、第２主面洗浄工程の終了後に終了することが好ましい。
【0116】
そして、図１１Ｂに示すように、第１洗浄液ノズル１４０から被覆膜２５０の表面への洗浄液の供給が開始される前に、第２リンス液ノズル１６０からのリンス液の供給が停止される。つまり、保護液供給工程は、被覆膜洗浄工程（図７のステップＳ１３）の開始前に実行される。
第３例の基板処理によれば、汚染された洗浄液の被覆膜２５０の表面への付着が保護液によって抑制される。したがって、第１主面Ｗ１の汚染を抑制することができる。
第３例の基板処理によれば、汚染された洗浄液の被覆膜２５０の表面への付着が保護液によって抑制される。したがって、第１主面Ｗ１の汚染を抑制することができる。
【0117】
図１２Ａおよび図１２Ｂは、基板処理装置１による基板処理の第４例を説明するための図解的な断面図である。図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、基板処理装置１による基板処理では、第２主面Ｗ２が上面となるように基板Ｗを、第２液処理ユニットＭ２の第２スピンチャック１００に保持させてもよい。この基板処理では、第２主面洗浄工程（図７のステップＳ１２）において、第１洗浄液供給ユニット１０３の第１洗浄液ノズル１４０から第２主面Ｗ２に向けて洗浄液が供給される。また、被覆膜洗浄工程（図７のステップＳ１３）において、第２洗浄液供給ユニット１０４の第２洗浄液ノズル１５０から被覆膜２５０の表面に向けて洗浄液が供給される。このように、この基板処理では、第１洗浄液供給ユニット１０３が第２主面洗浄ユニットとして機能し、第２洗浄液供給ユニット１０４が被覆膜洗浄ユニット（洗浄液供給ユニット）として機能する。
【0118】
また、この基板処理では、第２リンス液置換工程（図７のステップＳ１４）において、第２リンス液ノズル１６０から第２主面Ｗ２に向けてリンス液が供給され、第３リンス液ノズル１７０から第１主面Ｗ１に向けてリンス液が供給される。
＜第２実施形態＞
図１３は、第２実施形態に係る基板処理装置１Ｐに備えられた第２液処理ユニットＭ２Ｐの構成例を説明するための図解的な断面図である。図１３では、今まで説明した部材と同じ部材には、同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
＜第２実施形態＞
図１３は、第２実施形態に係る基板処理装置１Ｐに備えられた第２液処理ユニットＭ２Ｐの構成例を説明するための図解的な断面図である。図１３では、今まで説明した部材と同じ部材には、同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
【0119】
第２液処理ユニットＭ２Ｐが第１実施形態の第２液処理ユニットＭ２（図３参照）と主に異なる点は、第２液処理ユニットＭ２Ｐが、第１洗浄液供給ユニット１０３の代わりにブラシユニット１０８を含むことである。ブラシユニット１０８は、基板Ｗの上面にブラシ１８０を擦り付けて基板Ｗの上面を洗浄するユニットである。ブラシユニット１０８は、基板Ｗの上面を洗浄するためのブラシ１８０と、ブラシ１８０の上方に配置されたブラシホルダ１８１と、ブラシホルダ１８１を支持するブラシアーム１８２とを含む。
【0120】
ブラシ１８０は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などの合成樹脂で作成された弾性変形可能なスポンジブラシである。ブラシ１８０は、ブラシホルダ１８１から下方に突出している。ブラシ１８０は、スポンジブラシに限らず、樹脂製の複数の繊維によって形成された毛束を備えるブラシであってもよい。
ブラシ１８０は、ブラシ移動ユニット１８３によって、水平方向および鉛直方向に移動される。ブラシ移動ユニット１８３は、水平方向の移動によって、中央位置と退避位置との間でブラシ１８０を移動させる。ブラシ１８０は、中央位置に位置するとき、基板Ｗの上面の回転中心位置に鉛直方向から対向する。ブラシ１８０は、退避位置に位置するとき、基板Ｗの上面に鉛直方向から対向しない。ブラシ移動ユニット１８３は、制御ユニット３によって制御される（図６参照）
基板処理装置１Ｐでは、被覆膜洗浄工程（図７のステップＳ１３）を除いて、基板処理装置１とほぼ同様の基板処理が実行される。基板処理装置１Ｐによる基板処理における被覆膜洗浄工程では、ブラシユニット１０８によって、被覆膜２５０の表面がスクラブ洗浄される。具体的には、ブラシ移動ユニット１８３が、ブラシアーム１８２を移動させて、被覆膜２５０の表面にブラシ１８０を押し付ける。基板Ｗは、回転されているので、ブラシ１８０は、被覆膜２５０の表面に擦り付けられる。したがって、被覆膜２５０を一層確実に洗浄することができる。このように、基板処理装置１Ｐによる基板処理では、ブラシユニット１０８が被覆膜洗浄ユニットとして機能する。なお、ブラシ１８０が被覆膜２５０を洗浄する際、第１実施形態の基板処理装置１による基板処理と同様に、被覆膜２５０の表層２５２が除去されてもよい（図９Ａおよび図９Ｂを参照）。
ブラシ１８０は、ブラシ移動ユニット１８３によって、水平方向および鉛直方向に移動される。ブラシ移動ユニット１８３は、水平方向の移動によって、中央位置と退避位置との間でブラシ１８０を移動させる。ブラシ１８０は、中央位置に位置するとき、基板Ｗの上面の回転中心位置に鉛直方向から対向する。ブラシ１８０は、退避位置に位置するとき、基板Ｗの上面に鉛直方向から対向しない。ブラシ移動ユニット１８３は、制御ユニット３によって制御される（図６参照）
基板処理装置１Ｐでは、被覆膜洗浄工程（図７のステップＳ１３）を除いて、基板処理装置１とほぼ同様の基板処理が実行される。基板処理装置１Ｐによる基板処理における被覆膜洗浄工程では、ブラシユニット１０８によって、被覆膜２５０の表面がスクラブ洗浄される。具体的には、ブラシ移動ユニット１８３が、ブラシアーム１８２を移動させて、被覆膜２５０の表面にブラシ１８０を押し付ける。基板Ｗは、回転されているので、ブラシ１８０は、被覆膜２５０の表面に擦り付けられる。したがって、被覆膜２５０を一層確実に洗浄することができる。このように、基板処理装置１Ｐによる基板処理では、ブラシユニット１０８が被覆膜洗浄ユニットとして機能する。なお、ブラシ１８０が被覆膜２５０を洗浄する際、第１実施形態の基板処理装置１による基板処理と同様に、被覆膜２５０の表層２５２が除去されてもよい（図９Ａおよび図９Ｂを参照）。
【0121】
第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
また、基板処理装置１Ｐによる基板処理では、第１実施形態の基板処理装置１による基板処理の第４例と同様に、第２主面Ｗ２が上面となるように基板Ｗを、第２液処理ユニットＭ２Ｐの第２スピンチャック１００に保持させてもよい。この基板処理では、第２主面洗浄工程（図７のステップＳ１２）において、ブラシ１８０によって第２主面Ｗ２がスクラブ洗浄される。また、被覆膜洗浄工程（図７のステップＳ１３）において、第２洗浄液ノズル１５０から被覆膜２５０の表面に向けて洗浄液が供給される。このように、この基板処理では、ブラシユニット１０８が第２主面洗浄ユニットとして機能し、第２洗浄液供給ユニット１０４が被覆膜洗浄ユニット（洗浄液供給ユニット）として機能する。
また、基板処理装置１Ｐによる基板処理では、第１実施形態の基板処理装置１による基板処理の第４例と同様に、第２主面Ｗ２が上面となるように基板Ｗを、第２液処理ユニットＭ２Ｐの第２スピンチャック１００に保持させてもよい。この基板処理では、第２主面洗浄工程（図７のステップＳ１２）において、ブラシ１８０によって第２主面Ｗ２がスクラブ洗浄される。また、被覆膜洗浄工程（図７のステップＳ１３）において、第２洗浄液ノズル１５０から被覆膜２５０の表面に向けて洗浄液が供給される。このように、この基板処理では、ブラシユニット１０８が第２主面洗浄ユニットとして機能し、第２洗浄液供給ユニット１０４が被覆膜洗浄ユニット（洗浄液供給ユニット）として機能する。
【0122】
また、第２リンス液置換工程（図７のステップＳ１４）において、第２リンス液ノズル１６０から第２主面Ｗ２に向けてリンス液が供給され、第３リンス液ノズル１７０から第１主面Ｗ１に向けてリンス液が供給される。
＜第３実施形態＞
図１４は、第３実施形態に係る基板処理装置１Ｑに備えられた第２液処理ユニットＭ２Ｑの構成例を説明するための図解的な断面図である。図１４では、今まで説明した部材と同じ部材には、同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
＜第３実施形態＞
図１４は、第３実施形態に係る基板処理装置１Ｑに備えられた第２液処理ユニットＭ２Ｑの構成例を説明するための図解的な断面図である。図１４では、今まで説明した部材と同じ部材には、同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
【0123】
第２液処理ユニットＭ２Ｑが第１実施形態の第２液処理ユニットＭ２（図３参照）と主に異なる点は、第２液処理ユニットＭ２Ｑが、第１洗浄液供給ユニット１０３の代わりに、第３洗浄液供給ユニット１０９を含むことである。
第３洗浄液供給ユニット１０９は、二流体ノズル１９０と、第３洗浄液供給管１９１と、第３洗浄液バルブ１９２と、気体供給管１９６と、気体バルブ１９７とを含む。二流体ノズル１９０は、ＳＣ１等の洗浄液と、窒素ガス（Ｎ２）等の気体とを混合して吐出する。第３洗浄液供給管１９１および気体供給管１９６は、二流体ノズル１９０に結合されている。第３洗浄液供給管１９１には、第３洗浄液供給源から、洗浄液が供給されている。第３洗浄液バルブ１９２は、第３洗浄液供給管１９１内の流路を開閉する。気体供給管１９６には、気体供給源から窒素ガスなどの気体が供給されている。気体バルブ１９７は、気体供給管１９６内の流路を開閉する。第３洗浄液バルブ１９２および気体バルブ１９７は、制御ユニット３によって制御される（図６参照）。
第３洗浄液供給ユニット１０９は、二流体ノズル１９０と、第３洗浄液供給管１９１と、第３洗浄液バルブ１９２と、気体供給管１９６と、気体バルブ１９７とを含む。二流体ノズル１９０は、ＳＣ１等の洗浄液と、窒素ガス（Ｎ２）等の気体とを混合して吐出する。第３洗浄液供給管１９１および気体供給管１９６は、二流体ノズル１９０に結合されている。第３洗浄液供給管１９１には、第３洗浄液供給源から、洗浄液が供給されている。第３洗浄液バルブ１９２は、第３洗浄液供給管１９１内の流路を開閉する。気体供給管１９６には、気体供給源から窒素ガスなどの気体が供給されている。気体バルブ１９７は、気体供給管１９６内の流路を開閉する。第３洗浄液バルブ１９２および気体バルブ１９７は、制御ユニット３によって制御される（図６参照）。
【0124】
第３洗浄液供給源から第３洗浄液供給管１９１に供給される洗浄液は、ＳＣ１に限られない。第１洗浄液ノズル１４０から吐出される洗浄液は、ＳＣ１以外の、アンモニアを含有する液体であってもよい。
気体供給源から気体供給管１９６に供給される気体としては、窒素ガスなどの不活性ガスが好ましい。不活性ガスとは、窒素ガスに限らず、基板Ｗの上面およびパターンに対して不活性なガスのことである。不活性ガスの例としては、窒素ガス以外に、アルゴンなどの希ガス類が挙げられる。
気体供給源から気体供給管１９６に供給される気体としては、窒素ガスなどの不活性ガスが好ましい。不活性ガスとは、窒素ガスに限らず、基板Ｗの上面およびパターンに対して不活性なガスのことである。不活性ガスの例としては、窒素ガス以外に、アルゴンなどの希ガス類が挙げられる。
【0125】
二流体ノズル１９０は、二流体ノズル移動ユニット１９８によって鉛直方向および水平方向に移動される。二流体ノズル移動ユニット１９８は、水平方向の移動によって、中央位置と退避位置との間で二流体ノズル１９０を移動させる。二流体ノズル１９０が中央位置に位置するとき、二流体ノズル１９０に設けられた吐出口１９０ａが基板Ｗの上面の回転中心位置に鉛直方向から対向する。二流体ノズル１９０が退避位置に位置するとき、吐出口１９０ａは、基板Ｗの上面に鉛直方向から対向しない。二流体ノズル移動ユニット１９８は、制御ユニット３によって制御される（図６参照）。
【0126】
基板処理装置１Ｑでは、基板処理装置１とほぼ同様の基板処理が実行される。基板処理装置１Ｑによる基板処理では、基板処理装置１による基板処理において第１洗浄液供給ユニット１０３が用いられていた工程において、第３洗浄液供給ユニット１０９が用いられる。例えば、被覆膜洗浄工程において、二流体ノズル１９０の吐出口１９０ａから、洗浄液の液滴が気体とともに被覆膜２５０の表面に噴射される。これにより被覆膜２５０の表面がスクラブ洗浄される。したがって、被覆膜２５０を一層確実に洗浄することができる。このように、第３洗浄液供給ユニット１０９が被覆膜洗浄ユニットとして機能する。なお、二流体ノズル１９０が被覆膜２５０を洗浄する際、第１実施形態の基板処理装置１による基板処理と同様に、被覆膜２５０の表層２５２が除去されてもよい（図９Ａおよび図９Ｂを参照）。
【0127】
また、第３実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
また、基板処理装置１Ｑによる基板処理では、第１実施形態の基板処理装置１による基板処理の第４例と同様に、第２主面Ｗ２が上面となるように基板Ｗを、第２液処理ユニットＭ２Ｐの第２スピンチャック１００に保持させてもよい。この基板処理では、第２主面洗浄工程（図７のステップＳ１２）において、二流体ノズル１９０から第２主面Ｗ２に向けて洗浄液が供給される。また、被覆膜洗浄工程（図７のステップＳ１３）において、第２洗浄液ノズル１５０から被覆膜２５０の表面に向けて洗浄液が供給される。このように、この基板処理では、第３洗浄液供給ユニット１０９が第２主面洗浄ユニットとして機能し、第２洗浄液供給ユニット１０４が被覆膜洗浄ユニット（洗浄液供給ユニット）として機能する。
また、基板処理装置１Ｑによる基板処理では、第１実施形態の基板処理装置１による基板処理の第４例と同様に、第２主面Ｗ２が上面となるように基板Ｗを、第２液処理ユニットＭ２Ｐの第２スピンチャック１００に保持させてもよい。この基板処理では、第２主面洗浄工程（図７のステップＳ１２）において、二流体ノズル１９０から第２主面Ｗ２に向けて洗浄液が供給される。また、被覆膜洗浄工程（図７のステップＳ１３）において、第２洗浄液ノズル１５０から被覆膜２５０の表面に向けて洗浄液が供給される。このように、この基板処理では、第３洗浄液供給ユニット１０９が第２主面洗浄ユニットとして機能し、第２洗浄液供給ユニット１０４が被覆膜洗浄ユニット（洗浄液供給ユニット）として機能する。
【0128】
また、第２リンス液置換工程（図７のステップＳ１４）において、第２リンス液ノズル１６０から第２主面Ｗ２に向けてリンス液が供給され、第３リンス液ノズル１７０から第１主面Ｗ１に向けてリンス液が供給される。
なお、第３実施形態の基板処理装置１Ｑによって、第１実施形態の基板処理装置１による基板処理の第２例および第３例と同様の基板処理を行うこともできる。これらの場合であっても、当然、第１洗浄液供給ユニット１０３の代わりに第３洗浄液供給ユニット０９が用いられる。
なお、第３実施形態の基板処理装置１Ｑによって、第１実施形態の基板処理装置１による基板処理の第２例および第３例と同様の基板処理を行うこともできる。これらの場合であっても、当然、第１洗浄液供給ユニット１０３の代わりに第３洗浄液供給ユニット０９が用いられる。
【0129】
＜第４実施形態＞
図１５は、第４実施形態に係る基板処理装置１Ｒの構成を説明するための図解的な立面図である。図１５では、今まで説明した部材と同じ部材には、同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
基板処理装置１Ｒが第１実施形態の基板処理装置１（図１Ｂ参照）と主に異なる点は、基板処理装置１Ｒが、第２加熱ユニットＤ２１，Ｄ２２の代わりに、第１加熱ユニットＤ１３，Ｄ１４を含むことである。詳しくは、第３処理タワー２Ｃは、第２液処理ユニットＭ２１およびＭ２２と、第１加熱ユニットＤ１３とを含む。第４処理タワー２Ｄは、第２液処理ユニットＭ２３およびＭ２４と、第１加熱ユニットＤ１４とを含む。この基板処理装置１Ｒによる基板処理では、図７のステップＳ１７～ステップＳ１９は実行されない。基板Ｗの第１主面Ｗ１に形成された被覆膜２５０は、基板処理装置１Ｒから取り出された後に、基板処理装置１Ｒとは別に設けられた昇華ユニット（例えば、プラズマアッシング装置）によって昇華されてもよい。
図１５は、第４実施形態に係る基板処理装置１Ｒの構成を説明するための図解的な立面図である。図１５では、今まで説明した部材と同じ部材には、同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
基板処理装置１Ｒが第１実施形態の基板処理装置１（図１Ｂ参照）と主に異なる点は、基板処理装置１Ｒが、第２加熱ユニットＤ２１，Ｄ２２の代わりに、第１加熱ユニットＤ１３，Ｄ１４を含むことである。詳しくは、第３処理タワー２Ｃは、第２液処理ユニットＭ２１およびＭ２２と、第１加熱ユニットＤ１３とを含む。第４処理タワー２Ｄは、第２液処理ユニットＭ２３およびＭ２４と、第１加熱ユニットＤ１４とを含む。この基板処理装置１Ｒによる基板処理では、図７のステップＳ１７～ステップＳ１９は実行されない。基板Ｗの第１主面Ｗ１に形成された被覆膜２５０は、基板処理装置１Ｒから取り出された後に、基板処理装置１Ｒとは別に設けられた昇華ユニット（例えば、プラズマアッシング装置）によって昇華されてもよい。
【0130】
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
上述の実施形態とは異なり、基板処理装置１，１Ｐ，１Ｑでは、第２加熱ユニットＤ２の代わりに、被覆膜２５０を除去可能なプラズマアッシャーユニット（昇華ユニット）が設けられていてもよい。
上述の実施形態とは異なり、基板処理装置１，１Ｐ，１Ｑでは、第２加熱ユニットＤ２の代わりに、被覆膜２５０を除去可能なプラズマアッシャーユニット（昇華ユニット）が設けられていてもよい。
【0131】
また、上述の実施形態の基板処理装置１，１Ｐ，１Ｑ，１Ｒによる基板処理では、第１加熱ユニットＤ１内で基板Ｗを加熱することによって基板Ｗ上の被覆剤が固化されると説明した。しかしながら、上述の基板処理とは異なり、第１液処理ユニットＭ１または第２液処理ユニットＭ２内で基板Ｗを加熱することによって、基板Ｗ上の被覆剤を固化する基板処理が実行されていてもよい。そのためには、第１液処理ユニットＭ１または第２液処理ユニットＭ２内に、基板Ｗを加熱するヒータ（図示せず）を設ける必要がある。第１液処理ユニットＭ１または第２液処理ユニットＭ２内に、基板Ｗを加熱するヒータを設ける場合、基板処理装置１，１Ｐ，１Ｑ，１Ｒには、第１加熱ユニットＤ１が備えられていなくてもよい。
【0132】
また、上述の実施形態では、被覆剤は、加熱によって固化されるとした。しかし、被覆剤は、常温で固化される被覆剤（例えば速乾性の被覆剤）であってもよい。その場合、基板処理装置１，１Ｐ，１Ｑ，１Ｒには、第１加熱ユニットＤ１が備えられていなくてもよい。また、被覆剤は、冷却することによって、固化するものであってもよい。その場合、基板処理装置１，１Ｐ，１Ｑ，１Ｒの第１加熱ユニットＤ１に備えられた第１冷却ユニット２０２によって基板Ｗを冷却してもよい。また、被覆膜２５０が形成された後に、基板Ｗに供給される処理液は、冷却されていることが好ましい。
【0133】
また、上述の実施形態では、周縁洗浄工程（図７のステップＳ６）において、第２主面Ｗ２の周縁部が除去液で洗浄されるとした。しかしながら、第１主面Ｗ１の周縁部に金属パターンＰが形成されていない基板Ｗを基板処理に用いる場合、周縁洗浄工程（図７のステップＳ６）において、第２主面Ｗ２の周縁部に加えて、第１主面Ｗ１の周縁部も除去液で洗浄されてもよい。この場合、基板処理装置１，１Ｐ，１Ｑ，１Ｒの第１液処理ユニットＭ１には、上面の周縁部に除去液を供給する除去液供給ユニット（図示せず）が設けられている必要がある。
【0134】
また、上述の実施形態では、ＳＣ１等の洗浄液を用いて被覆膜２５０の表面および第２主面Ｗ２を洗浄すると説明した。しかしながら、上述の実施形態とは異なり、被覆膜２５０の表面や第２主面Ｗ２にＤＩＷ等のリンス液を供給することによって、被覆膜２５０の表面や第２主面Ｗ２を充分に洗浄することができる場合は、被覆膜２５０の表面や第２主面Ｗ２にＳＣ１等を供給する必要はない。つまり、上述の実施形態とは異なり、ＤＩＷ等のリンス液が洗浄液として用いられる基板処理が実行されてもよい。この場合、第２リンス液供給ユニット１０５および第３リンス液供給ユニット１０６のうちの一方が、被覆膜洗浄ユニット（洗浄液供給ユニット）として機能し、第２リンス液供給ユニット１０５および第３リンス液供給ユニット１０６のうちの他方が第２主面洗浄ユニットとして機能する。
【0135】
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。
【符号の説明】
【0136】
１ ：基板処理装置
１Ｐ ：基板処理装置
１Ｑ ：基板処理装置
１Ｒ ：基板処理装置
３ ：制御ユニット
１０ ：第１スピンチャック（基板保持ユニット）
１７ ：被覆剤供給ユニット
１８ ：除去液供給ユニット（周縁洗浄ユニット）
１００ ：第２スピンチャック（基板保持ユニット）
１０３ ：第１洗浄液供給ユニット（被覆膜洗浄ユニット、第２主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット）
１０４ ：第２洗浄液供給ユニット（被覆膜洗浄ユニット、第２主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット）
１０５ ：第２リンス液供給ユニット（被覆膜洗浄ユニット、第２主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット、保護液供給ユニット）
１０６ ：第３リンス液供給ユニット（被覆膜洗浄ユニット、第２主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット、保護液供給ユニット）
１０８ ：ブラシユニット（被覆膜洗浄ユニット、第２主面洗浄ユニット）
１０９ ：第３洗浄液供給ユニット（被覆膜洗浄ユニット、第２主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット）
２００ ：第１基板ホルダ（基板保持ユニット）
２０１ ：第１ヒータ（基板加熱ユニット）
２５０ ：被覆膜
２５２ ：表層
３００ ：第２基板ホルダ（基板保持ユニット）
３０１ ：第２ヒータ（昇華ユニット）
Ｐ ：金属パターン
Ｗ ：基板
Ｗ１ ：第１主面
Ｗ２ ：第２主面
１Ｐ ：基板処理装置
１Ｑ ：基板処理装置
１Ｒ ：基板処理装置
３ ：制御ユニット
１０ ：第１スピンチャック（基板保持ユニット）
１７ ：被覆剤供給ユニット
１８ ：除去液供給ユニット（周縁洗浄ユニット）
１００ ：第２スピンチャック（基板保持ユニット）
１０３ ：第１洗浄液供給ユニット（被覆膜洗浄ユニット、第２主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット）
１０４ ：第２洗浄液供給ユニット（被覆膜洗浄ユニット、第２主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット）
１０５ ：第２リンス液供給ユニット（被覆膜洗浄ユニット、第２主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット、保護液供給ユニット）
１０６ ：第３リンス液供給ユニット（被覆膜洗浄ユニット、第２主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット、保護液供給ユニット）
１０８ ：ブラシユニット（被覆膜洗浄ユニット、第２主面洗浄ユニット）
１０９ ：第３洗浄液供給ユニット（被覆膜洗浄ユニット、第２主面洗浄ユニット、洗浄液供給ユニット）
２００ ：第１基板ホルダ（基板保持ユニット）
２０１ ：第１ヒータ（基板加熱ユニット）
２５０ ：被覆膜
２５２ ：表層
３００ ：第２基板ホルダ（基板保持ユニット）
３０１ ：第２ヒータ（昇華ユニット）
Ｐ ：金属パターン
Ｗ ：基板
Ｗ１ ：第１主面
Ｗ２ ：第２主面
【図1A】
【図1B】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図8E】
【図8F】
【図8G】
【図8H】
【図9A】
【図9B】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図12A】
【図12B】
【図13】
【図14】
【図15】