特許 6994126 多重の接触点を備える発光ダイオードチップ構造

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2021-12-14

(45)【発行日】2022-01-14

(54)【発明の名称】多重の接触点を備える発光ダイオードチップ構造

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/38 20100101AFI20220106BHJP

【ＦＩ】

H01L33/38

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2021045098

(22)【出願日】2021-03-18

【審査請求日】2021-03-18

(73)【特許権者】

【識別番号】511207730

【氏名又は名称】聯嘉光電股▲ふん▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】110002262

【氏名又は名称】ＴＲＹ国際特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】陳 復邦

(72)【発明者】

【氏名】黄 國欣

【審査官】小澤 尚由

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－１１３３６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－６２９７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－４８１９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－１８２４４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－４３４７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１２８２２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－４６１２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－７１６４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－２５３３８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－２６４５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－４１８６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２００４／１１２１５７（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３３／３８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

Ｐ型電極と、
片側に前記Ｐ型電極が設けられた導電性基板と、
前記導電性基板の他側に設けられ、且つ前記導電性基板に設けられたＰ型半導体層と、前記Ｐ型半導体層に設けられた量子井戸層と、前記量子井戸層に設けられたＮ型半導体層とを含む発光半導体層と、
分散して前記Ｎ型半導体層に設けられ且つ前記Ｎ型半導体層にオーミック接触する複数のオーミック接触金属点と、
網状構造であって前記Ｎ型半導体層を覆う接続導電層であって、前記複数のオーミック接触金属点に電気的に接続され、前記接続導電層と前記Ｎ型半導体層との間にオーミック接触が形成されない前記接続導電層と、
前記接続導電層に設けられ、且つ前記接続導電層に電気的に接続された接点導電層と、
前記接点導電層に設けられ、且つ前記接点導電層に電気的に接続されたＮ型電極パッドとを含むことを特徴とする多重の接触点を備える発光ダイオードチップ構造。

【請求項2】

前記導電性基板は中央領域と、前記中央領域に隣接する側縁領域とを有し、前記発光半導体層は前記導電性基板の前記中央領域に設けられ、且つ前記Ｎ型半導体層及び前記導電性基板の前記側縁領域が絶縁層によって覆われ、前記接点導電層は前記導電性基板の前記側縁領域まで延伸し且つ前記絶縁層に設けられ、前記Ｎ型電極パッドは前記側縁領域の上方に位置することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードチップ構造。

【請求項3】

前記Ｎ型電極パッドは前記Ｎ型半導体層の上方に位置することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードチップ構造。

【請求項4】

前記Ｎ型電極パッドの厚さは２μｍより大きく、且つ材料は金（Ａｕ）が使用されることを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードチップ構造。

【請求項5】

前記接続導電層の前記Ｎ型半導体層を覆う面積の割合は３０％未満であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードチップ構造。

【請求項6】

前記接続導電層と前記接点導電層の全厚と線幅の比は２．０未満であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードチップ構造。

【請求項7】

前記接続導電層の縁部は閉鎖した幾何学的形状であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードチップ構造。

【請求項8】

前記接続導電層の材料には前記Ｎ型半導体層に非オーミック接触する導電性金属が選択されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードチップ構造。

【請求項9】

前記Ｎ型半導体層の前記接続導電層との接触面はイオン衝撃、Ｐ型拡散又はイオン注入によりパッシベーションが行われることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードチップ構造。

【請求項10】

前記Ｎ型半導体層の前記接続導電層との接触面は膜堆積により絶縁材料を覆わせたことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードチップ構造。

【請求項11】

前記複数のオーミック接触金属点の材料には前記Ｎ型半導体層にオーミック接触する導電性金属が選択されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードチップ構造。

【請求項12】

前記複数のオーミック接触金属点と前記Ｎ型半導体層との間に前記Ｎ型半導体層の外側に突出する電極反射面が設けられ、且つ前記導電性基板で前記発光半導体層に隣接する領域に導電性金属光反射層が設けられることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードチップ構造。

【請求項13】

前記複数のオーミック接触金属点は前記Ｎ型半導体層におけるその設置位置によって面積が異なることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードチップ構造。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光ダイオードに関し、特に多重の接触点を備える発光ダイオードチップ構造に関する。

【背景技術】

【0002】

図１及び図２に示すように、垂直型発光ダイオード１は高効率の軸方向光を発するため、高動作電流と高照度が必要な場面に適する。垂直型発光ダイオード１の通常の構造設計は次の特徴を有する。電極パッド２は発光ダイオード１の上方に位置し、ワイヤーボンディングのために用いられ、一般には大電流でも流れるように太径の金線が使用される。且つ電流が垂直に半導体へ流れ且つ水平に金属を通るように二次ワイヤー３はフィンガー（Ｆｉｎｇｅｒ）状にして発光ダイオード１の上方に位置し、発光ダイオード１に二次ワイヤー３が多く設けられるほど、電流が効果的に分散され、遮光面積が増えてしまう。

【0003】

電極パッド２が発光ダイオード１の中心に形成された場合には、電流の分散効果が最良で、発光効率が高まるだけでなく、優れた放熱効果は得られる。垂直型発光ダイオード１の不動作のパターンとして次の２つが挙げられる。（１）発光は殆ど電極パッド２と二次ワイヤー３に集中するため不均一であり、局所で熱集中が生じると発光ダイオード１が常に不動作になる。（２）ワイヤーボンディングが発光ダイオード１の表面の電極パッド２に行われるため、発光ダイオード１のＰＮ界面を傷つけるリスクがあり、良品率及び信頼性を低下させる。

【0004】

特許文献１は複数のコンタクトを用いた技術的解決手段を開示した。Ｎ電極が下方電極となり、側壁が絶縁で垂直の複数のコンタクトがＰ型半導体層、量子井戸層を通過し、Ｎ型半導体層内に延伸することで、動作電流がＮ型半導体層内に均一に分散され、パッケージ工程でワイヤーボンディングに用いるためにＰ電極に側縁が設けられる。このような設計では複数のコンタクトによって動作電流が最適に分散され、しかもパッケージ工程でワイヤーボンディング時に発光半導体層に衝撃が与えられずに済むため、前記垂直型発光ダイオード１の不動作の状況が改善される。しかし、当該構造は精度の高い多くのコンタクトを含み、その直径が一般に２０～３０μｍであり、円柱の内壁に絶縁物質が薄くコーティングされ、円柱の中心層に高導電性金属が堆積される。当該構造は精度が高いものの脆弱性が高く、製造工程が複雑で、コストが高く、工程要件はハードルが高く、不良品の検出が難しく、とりわけ、例えば物理的な表面接触、パッケージ工程における変形応力など、外部から大きな応力がかかる場合に、コンタクトに亀裂が入ると部品がすぐに不動作になり、長期的に信頼性に影響がある。また、複数のコンタクトという設計は窒化物単結晶のフォトダイオードに実施しやすいが、リン化物又はヒ化物単結晶のフォトダイオードの場合は、化学的性質が不安定で且つより低い欠陥密度が求められるため、複数のコンタクトの実現が難しく欠陥密度が増えるリスクがあり好ましくない。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】米国登録特許第ＵＳ８３１９２５０Ｂ２号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明は上記の実情に鑑みてなされたもので、電流が分散され遮光面積が減るように、多重の接触点を備える発光ダイオードチップ構造を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明は多重の接触点を備える発光ダイオードチップ構造であって、Ｐ型電極と、導電性基板と、発光半導体層と、複数のオーミック接触金属点と、接続導電層と、接点導電層と、Ｎ型電極パッドとを含み、当該導電性基板の片側に当該Ｐ型電極が設けられ、当該発光半導体層は、当該導電性基板の他側に設けられ、且つ当該導電性基板に設けられたＰ型半導体層、量子井戸層及びＮ型半導体層を含み、当該量子井戸層は当該Ｐ型半導体層に設けられ、当該Ｎ型半導体層は当該量子井戸層に設けられる。

【0008】

当該複数のオーミック接触金属点は分散して当該Ｎ型半導体層に設けられ且つ当該Ｎ型半導体層にオーミック接触し、当該接続導電層は、網状構造であって当該Ｎ型半導体層を覆い、且つ当該複数のオーミック接触金属点に電気的に接続され、当該接続導電層と当該Ｎ型半導体層との間にオーミック接触が形成されない。当該接点導電層は、当該接続導電層に設けられ、且つ当該接続導電層に電気的に接続され、当該Ｎ型電極パッドは、当該接点導電層に設けられ、且つ当該接点導電層に電気的に接続される。

【発明の効果】

【0009】

本発明は従来技術と比べて次の利点を有する。接続導電層とＮ型半導体層との間にオーミック接触が形成されないため、動作電流がＮ型電極パッドから接点導電層を経由して接続導電層に入る場合は、直接Ｎ型半導体層に入る代わりに、接続導電層を経由して複数のオーミック接触金属点に伝わり、そして複数のオーミック接触金属点を経由してＮ型半導体層に入る。複数のオーミック接触金属点が分散してＮ型半導体層に設けられるため、電流が分散され、接続導電層は線幅が小さい網状構造であるため、遮光面積が減り、光透過率が向上する。また本発明は蛍光粉の塗布後、既存の光源と励起光の配光の均一性に役立つもので、ディスプレイのバックライトの使用上のニーズが満たされる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】図１は従来の構造の断面模式図である。

【図2】図２は従来の構造の上面模式図である。

【図3】図３は本発明の第１実施例の構造の断面模式図である。

【図4】図４は本発明の第１実施例の構造の上面模式図である。

【図5】図５は本発明の第２実施例の構造の断面模式図である。

【図6】図６は本発明の第２実施例の構造の上面模式図である。

【図7】図７は本発明の第２実施例の電流拡散の模式図である。

【図8】図８は本発明の導電層の網状構造のサイズの模式図である。

【図9】図９は本発明の導電層の網状構造の実施の模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

審査官が本発明の特徴、目的及び利点を一層把握した上でこれを認めるように、好ましい実施例を挙げ、図面を添えて説明する。
図３及び図４は、本発明の第１実施例を示し、本発明は多重の接触点を備える発光ダイオードチップ構造であり、Ｐ型電極１０と、導電性基板２０と、発光半導体層３０と、複数のオーミック接触金属点４０と、接続導電層５０と、接点導電層６０と、Ｎ型電極パッド７０とを含み、導電性基板２０の片側にＰ型電極１０が設けられ、発光半導体層３０は導電性基板２０の他側に設けられる。好ましい実施例では、導電性基板２０で発光半導体層３０に隣接する領域に導電性金属光反射層８０が設けられ、且つ導電性基板２０は緩衝層２１と、結合層２２と、代替基板２３とを含んでもよく、発光半導体層３０は（導電性金属光反射層８０を介して）緩衝層２１に設けられ、Ｐ型電極１０は代替基板２３におけるこの発光半導体層３０から離れる一側に設けられ、結合層２２は緩衝層２１と代替基板２３を接着して固定させる。発光半導体層３０は導電性基板２０の上方に設けられたＰ型半導体層３１、量子井戸層３２及びＮ型半導体層３３を含み、量子井戸層３２はＰ型半導体層３１に設けられ、Ｎ型半導体層３３は量子井戸層３２に設けられる。

【0012】

複数のオーミック接触金属点４０は分散してＮ型半導体層３３（発光半導体層３０）に設けられ且つＮ型半導体層３３にオーミック接触し、接続導電層５０は、網状構造であってＮ型半導体層３３を覆い、且つ複数のオーミック接触金属点４０に電気的に接続され、接続導電層５０とＮ型半導体層３３との間にオーミック接触が形成されない。より詳細に言えば、接続導電層５０は水平方向において電流が流れやすいように、良好な導電性を有する金属で製造され、下方のＮ型半導体層３３とは直接的に導通せず（その界面は非オーミック接触が特徴である）、複数のオーミック接触金属点４０とのみ導通する。

【0013】

また、接点導電層６０は、接続導電層５０に設けられて接続導電層５０を覆い、且つ接続導電層５０に電気的に接続される。接点導電層６０は導電性が高く安定性が高い金属であり、化学特性が安定的な金属が使用される。Ｎ型半導体層３３が窒化物、リン化物又はヒ化物の垂直型チップである場合に、接点導電層６０はＡｕ、Ｐｔ、Ａｌ材料が使用されてもよい。

【0014】

Ｎ型電極パッド７０は、接点導電層６０に設けられ、且つ接点導電層６０に電気的に接続される。一実施例では、Ｎ型電極パッド７０はＮ型半導体層３３の上方に位置し、ワイヤーボンディングによる遮光を避けるために、図４に示すように、Ｎ型電極パッド７０の設置位置はＮ型半導体層３３の側方の領域にあることが好ましい。後続のパッケージのワイヤーボンディング工程でＮ型半導体層３３への衝撃を低減させるために、Ｎ型電極パッド７０の厚さは２μｍより大きく、且つ材料は金（Ａｕ）が使用されるのが好ましい実施形態である。Ｎ型電極パッド７０に厚くて展延性が優れた金を使用して衝撃力を吸収することで、Ｎ型半導体層３３の損傷を避ける。

【0015】

図５及び図６は、本発明の第２実施例を示し、第１実施例と比べて、導電性基板２０は中央領域２０１と、中央領域２０１に隣接する側縁領域２０２とをさらに有し、発光半導体層３０は導電性基板２０の中央領域２０１に設けられ、且つＮ型半導体層３３及び導電性基板２０の側縁領域２０２が絶縁層９０によって覆われ、絶縁層９０にはＳｉＯ_２、ＳｉＮ又はＴｉＯ_２などが使用されてもよく、接点導電層６０は導電性基板２０の側縁領域２０２まで延伸し且つ絶縁層９０に設けられ、Ｎ型電極パッド７０は側縁領域２０２の上方に位置する。このようにして、Ｎ型電極パッド７０がＮ型半導体層３３の上方に位置しないため、パッケージのワイヤーボンディング工程でＮ型半導体層３３を傷つけることが避けられる。

【0016】

前記２つの実施例で、複数のオーミック接触金属点４０は面積が小さく、形状が円形であることが好ましい。複数のオーミック接触金属点４０の材料にはＮ型半導体層３３にオーミック接触する導電性金属が選択され、Ｎ型半導体層３３が窒化物Ｎ型半導体（Ｎ－ＧａＮ）である場合に、複数のオーミック接触金属点４０としてＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、ＩＴＯが選択されてもよく、Ｎ型半導体層３３がリン化物Ｎ型半導体（Ｎ－（Ａｌ_ｘＧａ_{（１－ｘ）}）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ、ｘ＝０～１）である場合に、複数のオーミック接触金属点４０としてＧｅＡｕが選択されてもよく、Ｎ型半導体層３３がヒ化物Ｎ型半導体（Ｎ－（Ａｌ_ｘＧａ_{（１－ｘ）}）_０．５Ａｓ、ｘ＝０～１）である場合に、複数のオーミック接触金属点４０としてＮｉＧｅＡｕ、ＧｅＡｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕが選択されてもよく、オーミック接触金属点４０が当該Ｎ型半導体とオーミック接触を形成できる。

【0017】

接続導電層５０は導電性材料であってＮ型半導体層３３とオーミック接触が形成されず、実施上、少なくとも次のいくつかの形態が挙げられる。接続導電層５０の材料にはＮ型半導体層３３に非オーミック接触する導電性金属が選択されてもよい。例えば、Ｎ型半導体層３３が窒化物Ｎ型半導体（Ｎ－ＧａＮ）である場合に、接続導電層５０としてＡｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇが選択されてもよく、Ｎ型半導体層３３がリン化物Ｎ型半導体Ｎ－（Ａｌ_ｘＧａ_{（１－ｘ）}）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ、ｘ＝０～１）である場合に、接続導電層５０としてＡｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｌが選択されてもよく、Ｎ型半導体層３３がヒ化物Ｎ型半導体（Ｎ－（Ａｌ_ｘＧａ_{（１－ｘ）}）_０．５Ａｓ、ｘ＝０～１）である場合に、接続導電層５０としてＡｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｌが選択されてもよく、接続導電層５０の材料上の特性によりＮ型半導体層３３とオーミック接触が形成されない。

【0018】

あるいは、図３又は図５に示すように、窒化物、リン化物Ｎ型半導体であるかヒ化物Ｎ型半導体であるかに関らず、Ｎ型半導体層３３の接続導電層５０との接触面５１にはいずれもイオン衝撃、Ｐ型拡散又はイオン注入によりパッシベーションが行われてもよく、接触面５１に絶縁界面が形成されてＮ型半導体の特性が失われるとＮ型半導体層３３とオーミック接触が形成されない。

【0019】

又は、Ｎ型半導体層３３の接続導電層５０との接触面５１は膜堆積により絶縁材料を覆わせたものであり、窒化物、リン化物Ｎ型半導体であるかヒ化物Ｎ型半導体であるかに関らず、いずれもＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＣなどが膜堆積で絶縁材料として使用されてもよく、同様に、絶縁界面が形成されるとＮ型半導体層３３とオーミック接触が形成されない。

【0020】

図３、図５及び図７に示すように、複数のオーミック接触金属点４０がＮ型半導体層３３にオーミック接触し、且つ接続導電層５０とＮ型半導体層３３との間にオーミック接触が形成されない場合、（不図示の）動作電流がＮ型電極パッド７０から接点導電層６０を経由して接続導電層５０に入る時は、直接Ｎ型半導体層３３に入る代わりに、接続導電層５０を経由して複数のオーミック接触金属点４０に伝わり、そして複数のオーミック接触金属点４０を経由してＮ型半導体層３３に入る。したがって、オーミック接触金属点４０ごとに電流拡散領域４１が生成され、電流が効果的に分散される。

【0021】

図３又は図５に示すように、発光ダイオードチップ構造の発光輝度を高めるために、複数のオーミック接触金属点４０とＮ型半導体層３３との間にＮ型半導体層３３の外側に突出する電極反射面４０１が設けられてもよく、電極反射面４０１及び当該導電性金属光反射層の複数回の反射により光取出効率を高める。

【0022】

また図８に示すように、接続導電層５０のＮ型半導体層３３を覆う面積の割合は３０％未満であることが好ましく、接続導電層５０の遮光面積を減らす。あるいは、接続導電層５０及び接点導電層６０の線幅Ｄを減らし、例えば１～１０μｍに限定するか、又は複数のオーミック接触金属点４０の数量及び面積を減らすなどにより、遮光面積を減らすことができる。また動作電流のインピーダンスを低減するために、接続導電層５０及び接点導電層６０の断面積が大きい方が好ましく、接続導電層５０及び接点導電層６０の断面積は接続導電層５０と接点導電層６０の全厚Ｈと線幅Ｄの積であり、しかし線幅Ｄの幅を増やすと遮光面積が増えるため、接続導電層５０と接点導電層６０の全厚Ｈを増やすことが考えられ、全厚Ｈが大きすぎると形崩れが問題になる。より詳細に言えば、厚さＨと線幅Ｄの比が０．５未満である場合には線幅が大きくて遮光の問題があり、比が２．０を超える場合には形崩れするリスクがある。したがって、接続導電層５０と接点導電層６０の全厚Ｈと線幅Ｄの比が１．０前後であることが好ましい。

【0023】

図９に示すように、接続導電層５０は接点導電層６０の下方に位置し接点導電層６０によって遮蔽され、接続導電層５０の網状構造の縁部は閉鎖した幾何学的形状であるのが好ましい実施形態であるが、これに限定されず、接続導電層５０が複数のオーミック接触金属点４０に電気的に接続されるものであればよい。接続導電層５０の網状構造の縁部が閉鎖した幾何学的形状である場合に、分散経路が多くなり、且つ半導体工程で、対称な形状の方が製作はより効率的で実施しやすい。図９に示すように、本発明の好ましい実施例では、複数のオーミック接触金属点４０はＮ型半導体層３３におけるその設置位置によって面積が異なり、より詳細に言えば、オーミック接触金属点４０の位置によってその面積が実際のニーズに応じて変わる。例えば、大サイズ、中サイズ、小サイズの３種のサイズのオーミック接触金属点４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを使用することができ、大サイズのオーミック接触金属点４０ＡはＮ型半導体層３３の中心領域に設けられてもよく、Ｎ型半導体層３３の中心領域を流れる電流が多くなり、発光半導体層３０の発光特性が満たされる。中サイズのオーミック接触金属点４０Ｂは通常の状態で設けられ、小サイズのオーミック接触金属点４０Ｃは電流分布を修正及び微調整して、使用上の実際のニーズを満たすために用いられる。また接続導電層５０は六角形が互い違いにできたハニカムのような網状構造であってもよく、六角形が互い違いにできたハニカムのような網状構造は完全に閉鎖した幾何学的形状である上に、それによって囲まれた領域は周長と面積の比が小さく、六角形の頂点にいずれもオーミック接触金属点４０が設けられてもよく、電流均一化のニーズが満たされる。

【0024】

上述した内容から分かるように、本発明は少なくとも次の特徴を有する。
１．接続導電層とＮ型半導体層との間にオーミック接触が形成されず、複数のオーミック接触金属点とＮ型半導体層との間にオーミック接触が形成されること、及び複数のオーミック接触金属点が分散して設計されることを利用して、電流が効果的に分散され、発光が均一になるだけでなく、局所の熱集中が避けられ、部品の信頼性が向上する。

【0025】

２．本発明は、電流を分散させることにより、発光が均一になるという特性があり、窒化物白光ＬＥＤに用いる場合に、均一な青色発光が得られ、蛍光粉の励起後の光混合の均一性に役立つ。

【0026】

３．Ｎ型電極パッドはＮ型半導体層になく側縁領域の上方に位置し、パッケージのワイヤーボンディング工程時にＮ型半導体層を傷つけることが避けられ、且つパッケージ工程時はワイヤーボンディングにおいてＮ型半導体層が引っ張られて亀裂が入るか分離させられるリスクはない。

【0027】

４．接続導電層と接点導電層の全厚と線幅の比を２．０未満に限定して、接続導電層及び接点導電層の遮光面積を最大限に減らし、電流のインピーダンスを最小にし、さらに電極反射面及び導電性金属光反射層の設計を利用して、２回の斜め反射により光の吸収を減らす。

【0028】

５．本発明は製造工程が簡単で十分な構造強度を有するため窒化物、リン化物、ヒ化物などの半導体材料に適し、様々な分野で所望の信頼性が満たされる。

【符号の説明】

【0029】

１ 発光ダイオード
２ 電極パッド
３ 二次ワイヤー
１０ Ｐ型電極
２０ 導電性基板
２０１ 中央領域
２０２ 側縁領域
２１ 緩衝層
２２ 結合層
２３ 代替基板
３０ 発光半導体層
３１ Ｐ型半導体層
３２ 量子井戸層
３３ Ｎ型半導体層
４０ オーミック接触金属点
４０Ａ オーミック接触金属点
４０Ｂ オーミック接触金属点
４０Ｃ オーミック接触金属点
４０１ 電極反射面
４１ 電流拡散領域
５０ 接続導電層
５１ 接触面
６０ 接点導電層
７０ Ｎ型電極パッド
８０ 導電性金属光反射層
９０ 絶縁層
Ｈ 全厚
Ｄ 線幅

【要約】      （修正有）

【課題】電流が分散され遮光面積が減る発光ダイオードチップ構造を提供する。
【解決手段】多重の接触点を備える発光ダイオードチップ構造であって、Ｐ型電極１０と、導電性基板２０と、発光半導体層３０と、複数のオーミック接触金属点４０と、接続導電層５０と、接点導電層６０と、Ｎ型電極パッド７０とを含み、複数のオーミック接触金属点は分散して発光半導体層のＮ型半導体層３３に設けられ且つＮ型半導体層にオーミック接触し、接続導電層は、網状構造であってＮ型半導体層を覆い、且つ複数のオーミック接触金属点に電気的に接続され、接続導電層とＮ型半導体層との間にオーミック接触が形成されず、接点導電層は接続導電層に電気的に接続され、Ｎ型電極パッドは接点導電層に電気的に接続される。このようにして、分散して設けられた複数のオーミック接触金属点及び網状構造の接続導電層が、電流を分散させる。
【選択図】図３

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】