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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2021-12-17
(45)【発行日】2022-01-14
(54)【発明の名称】ダイシングダイボンドフィルム
(51)【国際特許分類】
H01L 21/301 20060101AFI20220106BHJP
C09J 7/24 20180101ALI20220106BHJP
C09J 7/35 20180101ALI20220106BHJP
C09J 7/38 20180101ALI20220106BHJP
C09J 133/14 20060101ALI20220106BHJP
C09J 133/18 20060101ALI20220106BHJP
C09J 175/04 20060101ALI20220106BHJP
H01L 21/52 20060101ALI20220106BHJP
【ＦＩ】
H01L21/78 M
C09J7/24
C09J7/35
C09J7/38
C09J133/14
C09J133/18
C09J175/04
H01L21/52 E
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2017253131
(22)【出願日】2017-12-28
(65)【公開番号】P2018182294
(43)【公開日】2018-11-15
【審査請求日】2020-09-24
(31)【優先権主張番号】P 2017081121
(32)【優先日】2017-04-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002239
【氏名又は名称】特許業務法人後藤特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】木村 雄大
(72)【発明者】
【氏名】高本 尚英
(72)【発明者】
【氏名】大西 謙司
(72)【発明者】
【氏名】宍戸 雄一郎
(72)【発明者】
【氏名】福井 章洋
(72)【発明者】
【氏名】大和 道子
(72)【発明者】
【氏名】井上 真一
【審査官】三浦 みちる
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１３－０３８０９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－１５７５８９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１９８１１８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－１９１０４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－２１２８１６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－２９４８５５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－２８８７３０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－０１９９００（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０１
Ｃ０９Ｊ ７／２４
Ｃ０９Ｊ ７／３５
Ｃ０９Ｊ ７／３８
Ｃ０９Ｊ １３３／１４
Ｃ０９Ｊ １３３／１８
Ｃ０９Ｊ １７５／０４
Ｈ０１Ｌ ２１／５２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、
前記粘着剤層は放射線硬化型粘着剤層であり、
温度２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化後の前記粘着剤層と前記接着剤層との間の剥離力が、０.０４～０.３Ｎ/２０ｍｍであり、
前記粘着剤層は、ラウリル(メタ)アクリレート由来のユニットおよび２－ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のユニットを含む第１アクリル系ポリマーを含有し、
前記接着剤層は、ニトリル基を有する第２アクリル系ポリマーを含有し、
前記第２アクリル系ポリマーの赤外吸収スペクトルにおいて、カルボニル基に由来する１７３０ｃｍ-1付近のピークの高さに対する、ニトリル基に由来する２２４０ｃｍ-1付近のピークの高さの比が、０.０１５～０.０９である、ダイシングダイボンドフィルム。
【請求項2】
前記第２アクリル系ポリマーのエポキシ価は０.０５～１ｅｑ/ｋｇである、請求項１に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項3】
前記第２アクリル系ポリマーのカルボン酸価は１～２０ｍｇＫＯＨ/ｇである、請求項１に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項4】
前記接着剤層における前記第２アクリル系ポリマーの含有割合は５～９５質量％である、請求項１から３のいずれか一つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項5】
前記第１アクリル系ポリマーにおける前記２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート由来のユニットに対する前記ラウリル（メタ）アクリレート由来のユニットのモル比率は、１～４０である、請求項１から４のいずれか一つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項6】
前記第１アクリル系ポリマーは、不飽和官能基含有イソシアネート化合物の付加物である、請求項１から５のいずれか一つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項7】
前記第１アクリル系ポリマーにおける前記２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート由来のユニットに対する前記不飽和官能基含有イソシアネート化合物のモル比率は、０．１以上である、請求項６に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項8】
前記接着剤層の外周端は、フィルム面内方向において前記粘着剤層の外周端から１０００μｍ以内の距離にある、請求項１から７のいずれか一つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置の製造過程で使用することのできるダイシングダイボンドフィルムに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置の製造過程においては、ダイボンディング用のチップ相当サイズの接着フィルムを伴う半導体チップ、即ち、ダイボンディング用接着剤層付き半導体チップを得るうえで、ダイシングダイボンドフィルムが使用される場合がある。ダイシングダイボンドフィルムは、加工対象である半導体ウエハに対応するサイズを有し、例えば、基材および粘着剤層からなるダイシングテープと、その粘着剤層側に剥離可能に密着しているダイボンドフィルム（接着剤層）とを有する。
【0003】
ダイシングダイボンドフィルムを使用して接着剤層付き半導体チップを得る手法の一つとして、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドしてダイボンドフィルムを割断するための工程を経る手法が知られている。この手法では、まず、ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上に半導体ウエハが貼り合わせられる。この半導体ウエハは、例えば、後にダイボンドフィルムに共だって割断されて複数の半導体チップへと個片化可能なように、加工されたものである。次に、それぞれが半導体チップに密着している複数の接着フィルム小片がダイシングテープ上のダイボンドフィルムから生じるように当該ダイボンドフィルムを割断するために、エキスパンド装置が使用されてダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープが半導体ウエハの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされる。このエキスパンド工程では、ダイボンドフィルムにおける割断箇所に相当する箇所でダイボンドフィルム上の半導体ウエハにおいても割断が生じ、ダイシングダイボンドフィルムないしダイシングテープ上にて半導体ウエハが複数の半導体チップに個片化される。次に、ダイシングテープ上の割断後の複数の接着剤層付き半導体チップについて離間距離を広げるために、再度のエキスパンド工程が行われる。次に、例えば洗浄工程を経た後、各半導体チップがそれに密着しているチップ相当サイズのダイボンドフィルムと共に、ダイシングテープの下側からピックアップ機構のピン部材によって突き上げられたうえでダイシングテープ上からピックアップされる。このようにして、ダイボンドフィルム即ち接着剤層を伴う半導体チップが得られる。この接着剤層付き半導体チップは、その接着剤層を介して、実装基板等の被着体にダイボンディングによって固着されることとなる。例えば以上のように使用されるダイシングダイボンドフィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献１～３に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２００７－２１７３号公報
【文献】特開２０１０－１７７４０１号公報
【文献】特開２０１６－１１５８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
図１４は、従来型のダイシングダイボンドフィルムＹをその断面模式図で表すものである。ダイシングダイボンドフィルムＹは、ダイシングテープ６０およびダイボンドフィルム７０からなる。ダイシングテープ６０は、基材６１と、粘着力を発揮する粘着剤層６２との積層構造をする。ダイボンドフィルム７０は、粘着剤層６２の粘着力に依って粘着剤層６２に密着している。このようなダイシングダイボンドフィルムＹは、半導体装置の製造過程における加工対象ないしワークである半導体ウエハに対応するサイズの円盤形状を有し、上述のエキスパンド工程に使用され得る。例えば図１５に示すように、半導体ウエハ８１がダイボンドフィルム７０に貼り合わされ、且つ、リングフレーム８２が粘着剤層６２に貼り付けられた状態で、上述のエキスパンド工程が実施される。半導体ウエハ８１は、例えば、複数の半導体チップへと個片化可能なように加工されたものである。リングフレーム８２は、ダイシングダイボンドフィルムＹに貼り付けられた状態において、エキスパンド装置の備える搬送アームなど搬送機構がワーク搬送時に機械的に当接するフレーム部材である。従来型のダイシングダイボンドフィルムＹは、このようなリングフレーム８２がダイシングテープ６０の粘着剤層６２の粘着力に依って当該フィルムに固定され得るように、設計されている。すなわち、ダイシングテープ６０の粘着剤層６２においてダイボンドフィルム７０の周囲にリングフレーム貼着用領域が確保される設計を、従来型のダイシングダイボンドフィルムＹは有するのである。そのような設計において、粘着剤層６２の外周端６２ｅとダイボンドフィルム７０の外周端７０ｅとのフィルム面内方向の距離は１０～３０ｍｍ程度である。
【0006】
本発明は、以上のような事情のもとで考え出されたものであって、その目的は、接着剤層付き半導体チップを得るためにダイシングダイボンドフィルムが使用されるエキスパンド工程においてダイシングテープ上の接着剤層を良好に割断させると共に、割断後の接着剤層付き半導体チップについて良好なピックアップを実現するのに適した、ダイシングダイボンドフィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明により提供されるダイシングダイボンドフィルムは、ダイシングテープおよび接着剤層を備える。ダイシングテープは、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有する。接着剤層は、ダイシングテープにおける粘着剤層に剥離可能に密着している。ダイシングテープの粘着剤層は、ラウリル(メタ)アクリレート由来のユニットと２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のユニットとを少なくとも含む第１アクリル系ポリマーを含有する。第１アクリル系ポリマーは、ラウリル(メタ)アクリレートと２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートとを構成モノマーとして少なくとも含むアクリル共重合体である。本発明においては、「(メタ)アクリレート」をもって、「アクリレート」および／または「メタクリレート」を表す。一方、ダイシングテープの粘着剤層上の接着剤層は、ニトリル基を有する第２アクリル系ポリマーを含有する。この第２アクリル系ポリマーの赤外吸収スペクトルにおいて、カルボニル基に由来する１７３０ｃｍ-1付近のピーク（Ｃ＝Ｏ伸縮振動に帰属される吸収のピーク）の高さに対する、ニトリル基に由来する２２４０ｃｍ-1付近のピーク（Ｃ≡Ｎ伸縮振動に帰属される吸収のピーク）の高さの比の値は、０.０１以上であって好ましくは０.０１５以上、より好ましくは０.０２以上であり、且つ０.１以下であって好ましくは０.０９以下、より好ましくは０.０８以下である。すなわち、第２アクリル系ポリマーのニトリル基相対含有量は、このような範囲内に前記の比の値が収まる程度とされる。このような構成のダイシングダイボンドフィルムは、半導体装置の製造過程で接着剤層付き半導体チップを得るのに使用することができる。また、本ダイシングダイボンドフィルムは、例えば、所定のセパレータ上に形成された接着剤層の上に粘着剤層形成用の組成物を塗工して乾燥させて粘着剤層を形成する過程、または、所定の基材上に形成された粘着剤層の上に接着剤層形成用の組成物を塗工して乾燥させて接着剤層を形成する過程、を経る手法（積層塗工手法）によって製造することが可能である。
【0008】
半導体装置の製造過程においては、上述のように、接着剤層付き半導体チップを得るうえで、ダイシングダイボンドフィルムを使用して行うエキスパンド工程、即ち、割断のためのエキスパンド工程が、実施される場合がある。このエキスパンド工程では、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープ上の接着剤層に適切に割断力が作用することが必要である。本ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープの粘着剤層は、上述のように、ラウリル(メタ)アクリレート由来のユニットと２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のユニットとを少なくとも含む第１アクリル系ポリマーを含有する。粘着剤層中のアクリル系ポリマーがラウリル(メタ)アクリレート由来ユニットを含むという構成および２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来ユニットを含むという構成は、共に、ダイシングテープの粘着剤層とその上の接着剤層との間において高いせん断接着力を実現するのに適し、従って、エキスパンド工程において面内方向にエキスパンドされるダイシングテープ上の接着剤層に適切に割断力を作用させて割断させるのに適する。これとともに、本ダイシングダイボンドフィルムにおける接着剤層は、上述のように、ニトリル基を有する第２アクリル系ポリマーを含有する。このような構成は、接着剤層について高弾性率化を図るうえで好ましく、従って、割断用のエキスパンド工程において接着剤層の良好な割断を実現するのに資する。
【0009】
加えて、本ダイシングダイボンドフィルムにおいて、粘着剤層中の第１アクリル系ポリマーがラウリル(メタ)アクリレート由来ユニットを含むとともに接着剤層中の第２アクリル系ポリマーがニトリル基を有するという構成は、両層間において上述のように高いせん断接着力を確保しつつも、両層間の積層方向に働く結合的な相互作用を抑制するうえで好ましい。上述の積層塗工手法を経て粘着剤層と接着剤層とが積層形成される場合に例えば、当該両層間の積層方向に働く結合的な相互作用は過剰となりやすいものの、粘着剤層のアクリル系ポリマーがラウリル(メタ)アクリレート由来ユニットを含むとともに接着剤層のアクリル系ポリマーがニトリル基を有するという構成は、両層間の高いせん断接着力を確保しつつ当該両層間の積層方向に働く結合的な相互作用を抑制するのに好適なのである。そして、第２アクリル系ポリマーの赤外吸収スペクトルにおける吸収ピークに関する上記の比の値が０.０１以上であって好ましくは０.０１５以上、より好ましくは０.０２以上となるように第２アクリル系ポリマーのニトリル基相対含有量が設定されるという上述の構成は、ピックアップ工程において接着剤層付き半導体チップを粘着剤層から剥離ないしピックアップしやすくするうえで好適である。これとともに、第２アクリル系ポリマーの赤外吸収スペクトルにおける吸収ピークに関する上記の比の値が０.１以下であって好ましくは０.０９以下、より好ましくは０.０８以下となるように第２アクリル系ポリマーのニトリル基相対含有量が設定されるという上述の構成は、エキスパンド工程において、割断を経た接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの部分的な剥離すなわち浮きの発生を抑制するうえで好適である。
【0010】
以上のように、本発明のダイシングダイボンドフィルムは、エキスパンド工程においてダイシングテープ上の接着剤層を良好に割断させるとともに、ピックアップ工程において接着剤層付き半導体チップの良好なピックアップを実現するのに、適するのである。
【0011】
本ダイシングダイボンドフィルムは、その接着剤層にワーク貼着用領域に加えてフレーム貼着用領域を含むように、ダイシングテープないしその粘着剤層とその上の接着剤層とをフィルム面内方向において実質的に同一の寸法で設計することが可能である。例えば、ダイシングダイボンドフィルムの面内方向において、接着剤層の外周端がダイシングテープの基材や粘着剤層の各外周端から１０００μｍ以内の距離にある設計を、採用することが可能である。このような本ダイシングダイボンドフィルムは、例えば上述の積層塗工手法による接着剤層と粘着剤層との積層形成の後に、基材と粘着剤層との積層構造を有する一のダイシングテープを形成するための加工と、一の接着剤層を形成するための加工とを、一の打抜き加工等の加工で一括的に実施するのに適する。
【0012】
上述の従来型のダイシングダイボンドフィルムＹの製造過程においては、所定のサイズおよび形状のダイシングテープ６０を形成するための加工工程（第１の加工工程）と、所定のサイズおよび形状のダイボンドフィルム７０を形成するための加工工程（第２の加工工程）とが、別個の工程として必要である。第１の加工工程では、例えば、所定のセパレータと、基材６１へと形成されることとなる基材層と、これらの間に位置して粘着剤層６２へと形成されることとなる粘着剤層との積層構造を有する積層シート体に対し、基材層の側からセパレータに至るまで加工刃を突入させる加工が施される。これにより、セパレータ上の粘着剤層６２と基材６１との積層構造を有するダイシングテープ６０が、セパレータ上に形成される。第２の加工工程では、例えば、所定のセパレータと、ダイボンドフィルム７０へと形成されることとなる接着剤層との積層構造を有する積層シート体に対し、接着剤層の側からセパレータに至るまで加工刃を突入させる加工が施される。これにより、セパレータ上にダイボンドフィルム７０が形成される。このように別個の工程で形成されたダイシングテープ６０とダイボンドフィルム７０とは、その後、位置合わせされつつ貼り合わせられる。図１６に、ダイボンドフィルム７０表面および粘着剤層６２表面を覆うセパレータ８３を伴う従来型のダイシングダイボンドフィルムＹを示す。
【0013】
これに対し、ダイシングテープないしその粘着剤層とその上の接着剤層とがフィルム面内方向において実質的に同一の設計寸法を有する場合の本発明のダイシングダイボンドフィルムは、例えば上述の積層塗工手法による接着剤層と粘着剤層との積層形成の後に、基材と粘着剤層との積層構造を有する一のダイシングテープを形成するための加工と、一の接着剤層を形成するための加工とを、一の打抜き加工等の加工で一括的に実施するのに適するのである。このような本ダイシングダイボンドフィルムは、エキスパンド工程にて接着剤層を良好に割断させるとともにピックアップ工程にて接着剤層付き半導体チップの良好なピックアップを実現するのに適するうえに、製造工程数の削減の観点や製造コスト抑制の観点などにおいて効率的に製造するのに適する。
【0014】
本ダイシングダイボンドフィルムにおける接着剤層中の第２アクリル系ポリマーのエポキシ価は、好ましくは０.０５ｅｑ/ｋｇ以上、より好ましくは０.１ｅｑ/ｋｇ以上、より好ましくは０.２ｅｑ/ｋｇ以上である。このような構成は、ダイシングテープの粘着剤層とその上の接着剤層との間の接着力ないし密着性を確保して、エキスパンド工程において接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの部分的な剥離すなわち浮きの発生を抑制するうえで、好適である。また、当該第２アクリル系ポリマーのエポキシ価は、好ましくは１ｅｑ/ｋｇ以下、より好ましくは０.９ｅｑ/ｋｇ以下である。このような構成は、ダイシングテープの粘着剤層と接着剤層との間の積層方向に働く結合的な相互作用を抑制するうえで好ましく、従って、ピックアップ工程での良好なピックアップの実現に資する。このようなエポキシ価の第２アクリル系ポリマーの接着剤層における含有割合は、好ましくは５～９５質量％、より好ましくは４０～８０質量％である。
【0015】
本ダイシングダイボンドフィルムにおける接着剤層中の第２アクリル系ポリマーのカルボン酸価は、好ましくは１ｍｇＫＯＨ/ｇ以上、より好ましくは３ｍｇＫＯＨ/ｇ以上、より好ましくは５ｍｇＫＯＨ/ｇ以上である。このような構成は、ダイシングテープの粘着剤層とその上の接着剤層との間の接着力ないし密着性を確保して、エキスパンド工程において接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの部分的な剥離すなわち浮きの発生を抑制するうえで、好適である。また、当該第２アクリル系ポリマーのカルボン酸価は、好ましくは２０ｍｇＫＯＨ/ｇ以下、より好ましくは１８ｍｇＫＯＨ/ｇ以下である。このような構成は、ダイシングテープの粘着剤層と接着剤層との間の積層方向に働く結合的な相互作用を抑制するうえで好適であり、従って、ピックアップ工程での良好なピックアップの実現に資する。このようなカルボン酸価の第２アクリル系ポリマーの接着剤層における含有割合は、好ましくは５～９５質量％、より好ましくは４０～８０質量％である。
【0016】
本ダイシングダイボンドフィルムにおける粘着剤層中の第１アクリル系ポリマーにて、２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のユニットに対するラウリル(メタ)アクリレート由来のユニットのモル比率は、好ましくは１以上、より好ましくは３以上、より好ましくは５以上である。このような構成は、ダイシングテープの粘着剤層とその上の接着剤層との間において上述のように高いせん断接着力を確保しつつも両層間の積層方向に働く結合的な相互作用を抑制するうえで好ましく、従って、ピックアップ工程での良好なピックアップの実現に資する。また、当該モル比率は、好ましくは４０以下、より好ましくは３５以下、より好ましくは３０以下である。このような構成は、ダイシングテープの粘着剤層と接着剤層との間の接着力ないし密着性を確保して、エキスパンド工程において接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの部分的な剥離すなわち浮きの発生を抑制するうえで、好適である。
【0017】
本ダイシングダイボンドフィルムにおいて、ダイシングテープの粘着剤層は好ましくは放射線硬化型粘着剤層であり、温度２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化後の粘着剤層と接着剤層との間の剥離力は、好ましくは０.０４Ｎ/２０ｍｍ以上、より好ましくは０.０５Ｎ/２０ｍｍ以上、より好ましくは０.０８Ｎ/２０ｍｍ以上である。このような構成は、ダイシングテープの粘着剤層とその上の接着剤層との間の接着力ないし密着性を確保して、エキスパンド工程において接着剤層付き半導体チップの粘着剤層からの部分的な剥離すなわち浮きの発生を抑制するうえで、好適である。温度２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化後の粘着剤層と接着剤層との間の剥離力は、好ましくは０.３Ｎ/２０ｍｍ以下、より好ましくは０.２５Ｎ/２０ｍｍ以下、より好ましくは０.２２Ｎ/２０ｍｍ以下である。このような構成は、ピックアップ工程において良好なピックアップを実現するうえで好適である。
【0018】
本ダイシングダイボンドフィルムにおける粘着剤層中の第１アクリル系ポリマーは、好ましくは、放射線重合性成分である不飽和官能基含有イソシアネート化合物の付加物である。この場合、第１アクリル系ポリマーにおける２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のユニットに対する不飽和官能基含有イソシアネート化合物のモル比率は、好ましくは０.１以上、より好ましくは０.２以上、より好ましくは０.３以上である。これら構成は、第１アクリル系ポリマーと不飽和官能基含有イソシアネート化合物との反応を経て粘着剤層を適度に高弾性率化するうえで好適であり、エキスパンド工程での接着剤層の良好な割断に資する。また、硬化後粘着剤層中の低分子量成分の低減という観点からは、不飽和官能基含有イソシアネート化合物の付加した第１アクリル系ポリマーを形成するための第１アクリル系ポリマーと不飽和官能基含有イソシアネート化合物とを含む反応組成物中においては、第１アクリル系ポリマーの２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のユニットに対する不飽和官能基含有イソシアネート化合物のモル比率は、好ましくは２以下、より好ましくは１.５以下、より好ましくは１.３以下である。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【発明を実施するための形態】
【0020】
図１は、本発明の一の実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムＸの断面模式図である。ダイシングダイボンドフィルムＸは、ダイシングテープ１０と接着剤層２０とを含む積層構造を有する。ダイシングテープ１０は、基材１１と粘着剤層１２とを含む積層構造を有する。接着剤層２０は、ダイシングテープ１０の粘着剤層１２ないしその粘着面１２ａに剥離可能に密着している。ダイシングダイボンドフィルムＸは、半導体装置の製造において接着剤層付き半導体チップを得る過程での例えば後記のようなエキスパンド工程に使用することのできるものであり、半導体ウエハ等のワークに対応するサイズの円盤形状を有する。ダイシングダイボンドフィルムＸの直径は、例えば、３４５～３８０ｍｍの範囲内（１２インチウエハ対応型）、２４５～２８０ｍｍの範囲内（８インチウエハ対応型）、１９５～２３０ｍｍの範囲内（６インチウエハ対応型）、または、４９５～５３０ｍｍの範囲内（１８インチウエハ対応型）にある。
【0021】
ダイシングテープ１０の基材１１は、ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおいて支持体として機能する要素である。基材１１には、例えば、プラスチックフィルム等のプラスチック基材を好適に用いることができる。当該プラスチック基材の構成材料としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフィド、アラミド、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、およびシリコーン樹脂が挙げられる。ポリオレフィンとしては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン－(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン－(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン－ブテン共重合体、およびエチレン－ヘキセン共重合体が挙げられる。ポリエステルとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、およびポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）が挙げられる。基材１１は、一種類の材料からなってもよいし、二種類以上の材料からなってもよい。基材１１は、単層構造を有してもよいし、多層構造を有してもよい。基材１１において良好な熱収縮性を確保して、後記の離間用エキスパンド工程にて実現されるチップ離間距離をダイシングテープ１０ないし基材１１の部分的熱収縮を利用して維持するという観点からは、基材１１は、主成分としてエチレン－酢酸ビニル共重合体を含むのが好ましい。基材１１の主成分とは、構成成分中で最も大きな質量割合を占める成分とする。また、基材１１がプラスチックフィルムよりなる場合、当該基材１１は、無延伸フィルムであってもよいし、一軸延伸フィルムであってもよいし、二軸延伸フィルムであってもよい。基材１１上の粘着剤層１２が後述のように紫外線硬化型である場合、基材１１は紫外線透過性を有するのが好ましい。
【0022】
ダイシングダイボンドフィルムＸの使用に際してダイシングテープ１０ないし基材１１を例えば部分的な加熱によって収縮させる場合、例えば、後記の離間用エキスパンド工程にて実現されるチップ離間距離をダイシングテープ１０ないし基材１１の部分的熱収縮を利用して維持する場合には、基材１１は熱収縮性を有するのが好ましい。また、基材１１がプラスチックフィルムよりなる場合、ダイシングテープ１０ないし基材１１について等方的な熱収縮性を実現するうえでは、基材１１は二軸延伸フィルムであるのが好ましい。ダイシングテープ１０ないし基材１１は、加熱温度１００℃および加熱処理時間６０秒の条件で行われる加熱処理試験による熱収縮率が好ましくは１～３０％、より好ましくは２～２５％、より好ましくは３～２０％、より好ましくは５～２０％である。当該熱収縮率は、いわゆるＭＤ方向の熱収縮率およびいわゆるＴＤ方向の熱収縮率の少なくとも一方の熱収縮率をいうものとする。
【0023】
基材１１における粘着剤層１２側の表面は、粘着剤層１２との密着性を高めるための物理的処理、化学的処理、または下塗り処理が施されていてもよい。物理的処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、およびイオン化放射線処理が挙げられる。化学的処理としては例えばクロム酸処理が挙げられる。密着性を高めるための当該処理は、基材１１における粘着剤層１２側の表面全体に施されているのが好ましい。
【0024】
基材１１の厚さは、ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおける支持体として基材１１が機能するための強度を確保するという観点からは、好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは５５μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以上である。また、ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおいて適度な可撓性を実現するという観点からは、基材１１の厚さは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１８０μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下である。
【0025】
ダイシングテープ１０の粘着剤層１２は、ラウリル(メタ)アクリレート由来のモノマーユニットと２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のモノマーユニットとを少なくとも含むアクリル系ポリマー（第１アクリル系ポリマー）をベースポリマーとして含有する。第１アクリル系ポリマーは、ラウリル(メタ)アクリレートと２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートとを構成モノマーとして少なくとも含むアクリル共重合体である。この第１アクリル系ポリマーにおいて、２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のユニットに対するラウリル(メタ)アクリレート由来のユニットのモル比率は、好ましくは１以上、より好ましくは３以上、より好ましくは５以上である。また、当該モル比率は、好ましくは４０以下、より好ましくは３５以下、より好ましくは３０以下である。本実施形態においては、「(メタ)アクリレート」をもって、「アクリレート」および／または「メタクリレート」を表す。
【0026】
第１アクリル系ポリマーは、好ましくは、アクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多いモノマーユニットとして含み、上述のように、ラウリル(メタ)アクリレート由来のモノマーユニットと２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のモノマーユニットとを少なくとも含む。
【0027】
第１アクリル系ポリマーのモノマーユニットをなすための(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステルなどの炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。ラウリル(メタ)アクリレート以外の(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ-ブチルエステル、ｔ-ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２-エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、およびエイコシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のシクロペンチルエステルおよびシクロヘキシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸フェニルおよび(メタ)アクリル酸ベンジルが挙げられる。第１アクリル系ポリマーのための(メタ)アクリル酸エステルとしては、ラウリル(メタ)アクリレートのみを用いてもよいし、ラウリル(メタ)アクリレートと共に一種類または二種類以上の(メタ)アクリル酸エステルを用いてもよい。(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性を粘着剤層１２にて適切に発現させるうえでは、第１アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における(メタ)アクリル酸エステルの割合は、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上である。
【0028】
第１アクリル系ポリマーは、２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来ユニットに加え、凝集力や耐熱性などを改質するために、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのようなモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、およびアクリロニトリルなどの官能基含有モノマー等が挙げられる。カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、およびクロトン酸が挙げられる。酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸および無水イタコン酸が挙げられる。２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート以外のヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、２-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、４-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、６-ヒドロキシヘキシル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸８-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸１０-ヒドロキシデシル、１２-ヒドロキシラウリル(メタ)アクリレート、および(４-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレートが挙げられる。グリシジル基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジルおよび(メタ)アクリル酸メチルグリシジルが挙げられる。スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２-(メタ)アクリルアミド-２-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、および(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸が挙げられる。リン酸基含有モノマーとしては、例えば、２-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートが挙げられる。第１アクリル系ポリマーのための当該他のモノマーとしては、一種類のモノマーを用いてもよいし、二種類以上のモノマーを用いてもよい。(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性を粘着剤層１２にて適切に発現させるうえでは、第１アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における当該他のモノマー成分の割合は、好ましくは６０質量％以下、より好ましくは４０質量％以下である。
【0029】
第１アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、(メタ)アクリル酸エステルなどのモノマー成分と共重合可能な多官能性モノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート（即ちポリグリシジル(メタ)アクリレート）、ポリエステル(メタ)アクリレート、およびウレタン(メタ)アクリレートが挙げられる。第１アクリル系ポリマーのための多官能性モノマーとしては、一種類の多官能性モノマーを用いてもよいし、二種類以上の多官能性モノマーを用いてもよい。第１アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における多官能性モノマーの割合は、(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性を粘着剤層１２にて適切に発現させるうえでは、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下である。
【0030】
第１アクリル系ポリマーは、それを形成するための原料モノマーを重合して得ることができる。重合手法としては、例えば、溶液重合、乳化重合、塊状重合、および懸濁重合が挙げられる。ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸの使用される半導体装置製造方法における高度の清浄性の観点からは、ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおける粘着剤層１２中の低分子量物質は少ない方が好ましいところ、第１アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは１０万以上、より好ましくは２０万～３００万である。
【0031】
粘着剤層１２ないしそれをなすための粘着剤は、ベースポリマーである第１アクリル系ポリマーの数平均分子量を高めるために例えば、外部架橋剤を含有してもよい。第１アクリル系ポリマーと反応して架橋構造を形成するための外部架橋剤としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物（ポリフェノール系化合物など）、アジリジン化合物、およびメラミン系架橋剤が挙げられる。粘着剤層１２ないしそれをなすための粘着剤における外部架橋剤の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対して、好ましくは５質量部以下、より好ましくは０.１～５質量部である。
【0032】
このような粘着剤層１２をなすための粘着剤は、放射線照射や加熱など外部からの作用によって意図的に粘着力を低減させることが可能な粘着剤（粘着力低減型粘着剤）として構成されてもよいし、外部からの作用によっては粘着力がほとんど又は全く低減しない粘着剤（粘着力非低減型粘着剤）として構成されてもよい。ダイシングダイボンドフィルムＸを使用して個片化される半導体チップの個片化の手法や条件などに応じて、いずれの構成とするかを適宜に選択することができる。粘着剤層１２中の粘着剤として粘着力低減型粘着剤を用いる場合、ダイシングダイボンドフィルムＸの製造過程や使用過程において、粘着剤層１２が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを、使い分けることが可能となる。例えば、ダイシングダイボンドフィルムＸが所定のウエハダイシング工程に使用される時には、粘着剤層１２が相対的に高い粘着力を示す状態を利用して粘着剤層１２からの接着剤層２０の浮きや剥離を抑制・防止することが可能となる一方で、それより後、ダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０から接着剤層付き半導体チップをピックアップするためのピックアップ工程では、粘着剤層１２の粘着力を低減させたうえで、粘着剤層１２から接着剤層付き半導体チップを適切にピックアップすることが可能となる。粘着剤層１２をなすための放射線硬化型粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、またはＸ線の照射により硬化するタイプの粘着剤を用いることができ、紫外線照射によって硬化するタイプの粘着剤（紫外線硬化型粘着剤）を特に好適に用いることができる。
【0033】
粘着剤層１２における放射線硬化型粘着剤としては、上記の第１アクリル系ポリマーに加えて、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の不飽和官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分を含有する、添加型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。
【0034】
放射線硬化型粘着剤をなすための上記の放射線重合性モノマー成分としては、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、および１,４-ブタンジオールジ(メタ)アクリレートが挙げられる。放射線硬化型粘着剤をなすための上記の放射線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーが挙げられ、分子量１００～３００００程度のものが適当である。放射線硬化型粘着剤中の放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分の総含有量は、形成される粘着剤層１２の粘着力を適切に低下させ得る範囲で決定され、アクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００質量部に対して、例えば５～５００質量部であり、好ましくは４０～１５０質量部である。また、添加型の放射線硬化型粘着剤としては、例えば特開昭６０－１９６９５６号公報に開示のものを用いてもよい。
【0035】
粘着剤層１２における放射線硬化型粘着剤としては、例えば、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の不飽和官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有する第１アクリル系ポリマーを含有する内在型の放射線硬化型粘着剤も挙げられる。このような内在型の放射線硬化型粘着剤は、形成される粘着剤層１２内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制するうえで好適である。
【0036】
第１アクリル系ポリマーへの放射線重合性の炭素－炭素二重結合の導入手法としては、例えば、所定の官能基（第１の官能基）を有するモノマーを含む原料モノマーを共重合させて第１アクリル系ポリマーを得た後、第１の官能基との間で反応を生じて結合しうる所定の官能基（第２の官能基）と放射線重合性炭素－炭素二重結合とを有する化合物を、炭素－炭素二重結合の放射線重合性を維持したまま第１アクリル系ポリマーに対して縮合反応または付加反応させる方法が、挙げられる。第１アクリル系ポリマーは、第１の官能基として、２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のヒドロキシ基を少なくとも有するものである。
【0037】
第１の官能基と第２の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基が挙げられる。これら組み合わせのうち、反応追跡の容易さの観点からは、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせや、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが、好適である。また、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製するのは技術的難易度が高いところ、第１アクリル系ポリマーの作製または入手のしやすさの観点からは、第１アクリル系ポリマー側の上記第１の官能基がヒドロキシ基であり且つ上記第２の官能基がイソシアネート基である場合が、より好適である。この場合、放射線重合性炭素－炭素二重結合と第２の官能基たるイソシアネート基とを併有するイソシアネート化合物、即ち、放射線重合性の不飽和官能基含有イソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）、およびｍ-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネートが挙げられる。第１アクリル系ポリマーに不飽和官能基含有イソシアネート化合物が導入ないし付加されている場合、第１アクリル系ポリマーにおける２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のユニットに対する不飽和官能基含有イソシアネート化合物のモル比率は、好ましくは０.１以上、より好ましくは０.２以上、より好ましくは０.３以上である。また、第１の官能基を伴うアクリル系ポリマーとしては、上記のヒドロキシ基含有モノマーに由来するモノマーユニットを含むものが好適であり、２-ヒドロキシエチルビニルエーテルや、４-ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルなどのエーテル系化合物に由来するモノマーユニットを含むものも好適である。
【0038】
粘着剤層１２における放射線硬化型粘着剤は、好ましくは光重合開始剤を含有する。光重合開始剤としては、例えば、α-ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、およびアシルホスフォナートが挙げられる。α-ケトール系化合物としては、例えば、４-(２-ヒドロキシエトキシ)フェニル(２-ヒドロキシ-２-プロピル)ケトン、α-ヒドロキシ-α,α'-ジメチルアセトフェノン、２-メチル-２-ヒドロキシプロピオフェノン、および１-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンが挙げられる。アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２,２-ジメトキシ-１,２-ジフェニルエタン-１-オン、２,２-ジエトキシアセトフェノン、および２-メチル-１-[４-(メチルチオ)-フェニル]-２-モルホリノプロパン-１が挙げられる。ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、およびアニソインメチルエーテルが挙げられる。ケタール系化合物としては、例えばベンジルジメチルケタールが挙げられる。芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば２-ナフタレンスルホニルクロリドが挙げられる。光活性オキシム系化合物としては、例えば、１-フェノン-１,２-プロパンジオン-２-(Ｏ-エトキシカルボニル)オキシムが挙げられる。ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、および３,３'-ジメチル-４-メトキシベンゾフェノンが挙げられる。チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、２-クロロチオキサントン、２-メチルチオキサントン、２,４-ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２,４-ジクロロチオキサントン、２,４-ジエチルチオキサントン、および２,４-ジイソプロピルチオキサントンが挙げられる。粘着剤層１２における放射線硬化型粘着剤中の光重合開始剤の含有量は、アクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００質量部に対して例えば０.０５～２０質量部である。
【0039】
上述の粘着力非低減型粘着剤としては、例えば感圧型粘着剤が挙げられる。この感圧型粘着剤には、粘着力低減型粘着剤に関して上述した放射線硬化型粘着剤を予め放射線照射によって硬化させつつも所定の粘着力が確保される形態の粘着剤が含まれる。放射線硬化型粘着剤を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤（放射線照射済放射線硬化型粘着剤）は、放射線照射によって粘着力が低減されているとしても、ポリマー成分の含有量によっては当該ポリマー成分に起因する粘着性を示し得て、ダイシング工程などにおいて被着体を粘着保持するのに利用可能な粘着力を発揮することが可能である。本実施形態の粘着剤層１２においては、一種類の粘着力非低減型粘着剤が用いられてもよいし、二種類以上の粘着力非低減型粘着剤が用いられてもよい。また、粘着剤層１２の全体が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層１２の一部が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよい。
【0040】
一方、粘着剤層１２における放射線照射済放射線硬化型粘着剤以外の感圧型粘着剤としては、例えば、上述の第１アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤を好適に用いることができる。
【0041】
粘着剤層１２ないしそれをなすための粘着剤には、上述の各成分に加えて、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、顔料や染料などの着色剤などを、含有してもよい。着色剤は、放射線照射を受けて着色する化合物であってもよい。そのような化合物としては、例えばロイコ染料が挙げられる。
【0042】
粘着剤層１２の厚さは、好ましくは１～５０μｍ、より好ましくは２～３０μｍ、より好ましくは５～２５μｍである。このような構成は、例えば、粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤を含む場合に当該粘着剤層１２の放射線硬化の前後における接着剤層２０に対する接着力のバランスをとるうえで、好適である。
【0043】
ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０は、ダイボンディング用の熱硬化性を示す接着剤としての機能と、半導体ウエハ等のワークとリングフレーム等のフレーム部材とを保持するための粘着機能とを併有する。接着剤層２０をなすための粘接着剤は、熱硬化性樹脂と例えばバインダー成分としての熱可塑性樹脂とを含む組成を有してもよいし、硬化剤と反応して結合を生じ得る熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成を有してもよい。接着剤層２０をなすための粘接着剤が、熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成を有する場合、当該粘接着剤は熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂など）を更に含む必要はない。接着剤層２０は、これら熱可塑性樹脂として、ニトリル基を有するアクリル系ポリマー（第２アクリル系ポリマー）を少なくとも含有する。
【0044】
接着剤層２０に含まれる第２アクリル系ポリマーは、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多いモノマーユニットとして含む。そのような(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、粘着剤層１２形成用の第１アクリル系ポリマーに関して上記したのと同様の(メタ)アクリル酸エステルを用いることができる。これとともに、第２アクリル系ポリマーは、ニトリル基含有モノマーに由来するモノマーユニットを含む。ニトリル基含有モノマーとしては、例えば、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、およびシアノスチレンが挙げられる。また、第２アクリル系ポリマーは、ニトリル基含有モノマーに由来するモノマーユニットに加えて、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのような他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミドなどの官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマーが挙げられ、具体的には、粘着剤層１２形成用の第１アクリル系ポリマーに関して(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマーとして上記したのと同様のものを用いることができる。
【0045】
ニトリル基を有する第２アクリル系ポリマーの赤外吸収スペクトルにおいて、カルボニル基に由来する１７３０ｃｍ-1付近のピーク（Ｃ＝Ｏ伸縮振動に帰属される吸収のピーク）の高さに対する、ニトリル基に由来する２２４０ｃｍ-1付近のピーク（Ｃ≡Ｎ伸縮振動に帰属される吸収のピーク）の高さの比の値は、０.０１以上であって好ましくは０.０１５以上、より好ましくは０.０２以上であり、且つ０.１以下であって好ましくは０.０９以下、より好ましくは０.０８以下である。すなわち、第２アクリル系ポリマーのニトリル基相対含有量は、このような範囲内に前記の比の値が収まる程度に設定される。
【0046】
接着剤層２０は、アクリル系ポリマー以外の熱可塑性樹脂を含んでもよい。そのような熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６-ナイロンや６,６-ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、およびフッ素樹脂が挙げられる。接着剤層２０をなすうえでは、一種類の熱可塑性樹脂を用いてもよいし、二種類以上の熱可塑性樹脂を用いてもよい。また、後記のリングフレームに対する接着剤層２０の、室温およびその近傍の温度における貼着性と剥離時残渣の防止との両立の観点からは、接着剤層２０は、熱可塑性樹脂の主成分として、ガラス転移温度が－１０～１０℃のポリマーを含むのが好ましい。熱可塑性樹脂の主成分とは、熱可塑性樹脂成分中で最も大きな質量割合を占める樹脂成分とする。
【0047】
ポリマーのガラス転移温度については、下記のＦｏｘの式に基づき求められるガラス転移温度（理論値）を用いることができる。Ｆｏｘの式は、ポリマーのガラス転移温度Ｔｇと、当該ポリマーにおける構成モノマーごとの単独重合体のガラス転移温度Ｔｇｉとの関係式である。下記のＦｏｘの式において、Ｔｇはポリマーのガラス転移温度（℃）を表し、Ｗｉは当該ポリマーを構成するモノマーｉの重量分率を表し、Ｔｇｉはモノマーｉの単独重合体のガラス転移温度（℃）を示す。単独重合体のガラス転移温度については文献値を用いることができ、例えば「新高分子文庫７ 塗料用合成樹脂入門」（北岡協三 著，高分子刊行会，１９９５年）や「アクリルエステルカタログ（１９９７年度版）」（三菱レイヨン株式会社）には、各種の単独重合体のガラス転移温度が挙げられている。一方、モノマーの単独重合体のガラス転移温度については、特開２００７－５１２７１号公報に具体的に記載されている手法によって求めることも可能である。
Ｆｏｘの式 １／（２７３＋Ｔｇ）＝Σ［Ｗｉ／（２７３＋Ｔｇｉ）］
Ｆｏｘの式 １／（２７３＋Ｔｇ）＝Σ［Ｗｉ／（２７３＋Ｔｇｉ）］
【0048】
接着剤層２０が、熱硬化性樹脂を熱可塑性樹脂とともに含む場合、当該熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、および熱硬化性ポリイミド樹脂が挙げられる。接着剤層２０をなすうえでは、一種類の熱硬化性樹脂を用いてもよいし、二種類以上の熱硬化性樹脂を用いてもよい。ダイボンディング対象の半導体チップの腐食原因となりうるイオン性不純物等の含有量の少ない傾向にあるという理由から、接着剤層２０に含まれる熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
【0049】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、およびグリシジルアミン型のエポキシ樹脂が挙げられる。ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、およびテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み且つ耐熱性に優れることから、接着剤層２０に含まれるエポキシ樹脂として好ましい。
【0050】
エポキシ樹脂の硬化剤として作用しうるフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、および、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ-ブチルフェノールノボラック樹脂、およびノニルフェノールノボラック樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂の硬化剤として作用しうるフェノール樹脂としては、一種類のフェノール樹脂を用いてもよいし、二種類以上のフェノール樹脂を用いてもよい。フェノールノボラック樹脂やフェノールアラルキル樹脂は、ダイボンディング用接着剤としてのエポキシ樹脂の硬化剤として用いられる場合に当該接着剤の接続信頼性を向上させうる傾向にあるので、接着剤層２０に含まれるエポキシ樹脂の硬化剤として好ましい。
【0051】
接着剤層２０において、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を充分に進行させるという観点からは、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たり、当該フェノール樹脂中の水酸基が好ましくは０.５～２.０当量、より好ましくは０.８～１.２当量となる量で、含まれる。
【0052】
接着剤層２０における熱硬化性樹脂の含有割合は、接着剤層２０において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点から、好ましくは５～６０質量％、より好ましくは１０～５０質量％である。
【0053】
接着剤層２０が、熱硬化性官能基を伴う上記第２アクリル系ポリマーを含有する場合、その熱硬化性官能基としては、例えば、エポキシ基ないしグリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、およびイソシアネート基が挙げられる。これらのうち、エポキシ基およびカルボキシ基を好適に用いることができる。すなわち、熱硬化性官能基を伴う第２アクリル系ポリマーとしては、エポキシ基および／またはカルボキシ基を含有する第２アクリル系ポリマーを好適に用いることができる。また、熱硬化性官能基含有の第２アクリル系ポリマーの硬化剤としては、例えば、粘着剤層１２形成用の粘着剤の一成分とされる場合のある外部架橋剤として上記したものを用いることができる。熱硬化性官能基含有第２アクリル系ポリマーにおける熱硬化性官能基がエポキシ基である場合には、硬化剤としてポリフェノール系化合物を好適に用いることができ、例えば上記の各種フェノール樹脂を用いることができる。
【0054】
接着剤層２０中の第２アクリル系ポリマーのエポキシ価は、好ましくは０.０５ｅｑ/ｋｇ以上、より好ましくは０.１ｅｑ/ｋｇ以上、より好ましくは０.２ｅｑ/ｋｇ以上である。また、当該第２アクリル系ポリマーのエポキシ価は、好ましくは１ｅｑ/ｋｇ以下、より好ましくは０.９ｅｑ/ｋｇ以下である。このようなエポキシ価の第２アクリル系ポリマーの接着剤層２０における含有割合は、好ましくは５～９５質量％、より好ましくは４０～８０質量％である。
【0055】
接着剤層２０中の第２アクリル系ポリマーのカルボン酸価は、好ましくは１ｍｇＫＯＨ/ｇ以上、より好ましくは３ｍｇＫＯＨ/ｇ以上、より好ましくは５ｍｇＫＯＨ/ｇ以上である。また、当該第２アクリル系ポリマーのカルボン酸価は、好ましくは２０ｍｇＫＯＨ/ｇ以下、より好ましくは１８ｍｇＫＯＨ/ｇ以下である。このようなカルボン酸価の第２アクリル系ポリマーの接着剤層２０における含有割合は、好ましくは５～９５質量％、より好ましくは４０～８０質量％である。
【0056】
ダイボンディングのために硬化される前の接着剤層２０について、ある程度の架橋度を実現するためには、例えば、接着剤層２０に含まれる上述の樹脂の分子鎖末端の官能基等と反応して結合しうる多官能性化合物を架橋剤として接着剤層形成用樹脂組成物に配合しておくのが好ましい。このような構成は、接着剤層２０について、高温下での接着特性を向上させるうえで、また、耐熱性の改善を図るうえで好適である。そのような架橋剤としては、例えばポリイソシアネート化合物が挙げられる。ポリイソシアネート化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ-フェニレンジイソシアネート、１,５-ナフタレンジイソシアネート、および、多価アルコールとジイソシアネートの付加物が挙げられる。接着剤層形成用樹脂組成物における架橋剤の含有量は、当該架橋剤と反応して結合しうる上記官能基を有する樹脂１００質量部に対し、形成される接着剤層２０の凝集力向上の観点からは好ましくは０.０５質量部以上であり、形成される接着剤層２０の接着力向上の観点からは好ましくは７質量部以下である。また、接着剤層２０における架橋剤としては、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物をポリイソシアネート化合物と併用してもよい。
【0057】
接着剤層２０における以上のような高分子量成分の含有割合は、好ましくは５０～１００質量％、より好ましくは５０～８０質量％である。高分子量成分とは、重量平均分子量１００００以上の成分とする。このような構成は、後記のリングフレームに対する接着剤層２０の、室温およびその近傍の温度における貼着性と剥離時残渣の防止との両立を図るうえで好ましい。また、接着剤層２０は、２３℃で液状である液状樹脂を含んでもよい。接着剤層２０がそのような液状樹脂を含む場合、接着剤層２０における当該液状樹脂の含有割合は、好ましくは１～１０質量％、より好ましくは１～５質量％である。このような構成は、後記のリングフレームに対する接着剤層２０の、室温およびその近傍の温度における貼着性と剥離時残渣の防止との両立を図るうえで好ましい。
【0058】
接着剤層２０は、フィラーを含有していてもよい。接着剤層２０へのフィラーの配合により、接着剤層２０の引張貯蔵弾性率などの弾性率や、導電性、熱伝導性などの物性を調整することができる。フィラーとしては、無機フィラーおよび有機フィラーが挙げられるところ、特に無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカの他、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体や、合金、アモルファスカーボンブラック、グラファイトが挙げられる。フィラーは、球状、針状、フレーク状等の各種形状を有していてもよい。接着剤層２０におけるフィラーとしては、一種類のフィラーを用いてもよいし、二種類以上のフィラーを用いてもよい。後記の低温エキスパンド工程においてリングフレームに対する接着剤層２０の貼着性を確保するうえでは、接着剤層２０におけるフィラー含有割合は、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下である。
【0059】
接着剤層２０がフィラーを含有する場合における当該フィラーの平均粒径は、好ましくは０.００５～１０μｍ、より好ましくは０.００５～１μｍである。当該フィラーの平均粒径が０.００５μｍ以上であるという構成は、接着剤層２０において、半導体ウエハ等の被着体に対する高い濡れ性や接着性を実現するうえで好適である。当該フィラーの平均粒径が１０μｍ以下であるという構成は、接着剤層２０において充分なフィラー添加効果を享受するとともに耐熱性を確保するうえで好適である。フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（商品名「ＬＡ－９１０」，株式会社堀場製作所製）を使用して求めることができる。
【0060】
接着剤層２０は、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。当該他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、および臭素化エポキシ樹脂が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β-(３,４-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、およびγ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ-３００」）、特定構造のリン酸ジルコニウム（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ-１００」）、ケイ酸マグネシウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード６００」）、およびケイ酸アルミニウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード７００」）を挙げることができる。金属イオンとの間で錯体を形成し得る化合物もイオントラップ剤として使用することができる。そのような化合物としては、例えば、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、およびビピリジル系化合物が挙げられる。これらのうち、金属イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点からはトリアゾール系化合物が好ましい。そのようなトリアゾール系化合物としては、例えば、１,２,３-ベンゾトリアゾール、１-｛Ｎ,Ｎ-ビス(２-エチルヘキシル)アミノメチル｝ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-ブチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３-ｔ-ブチル-５-メチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、６-(２-ベンゾトリアゾリル)-４-ｔ-オクチル-６'-ｔ-ブチル-４'-メチル-２,２'-メチレンビスフェノール、１-(２,３-ジヒドロキシプロピル)ベンゾトリアゾール、１-(１,２-ジカルボキシジエチル)ベンゾトリアゾール、１-(２-エチルヘキシルアミノメチル)ベンゾトリアゾール、２,４-ジ-ｔ-ペンチル-６-｛(Ｈ-ベンゾトリアゾール-１-イル)メチル｝フェノール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-ブチルフェニル)-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、オクチル-３-[３-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシ-５-(５-クロロ-２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)フェニル]プロピオネート、２-エチルヘキシル-３-[３-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシ-５-(５-クロロ-２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)フェニル]プロピオネート、２-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-６-(１-メチル-１-フェニルエチル)-４-(１,１,３,３-テトラメチルブチル)フェノール、２-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-４-ｔ-ブチルフェノール、２-(２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-オクチルフェニル)-ベンゾトリアゾール、２-(３-ｔ-ブチル-２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-ブチルフェニル)-５-クロロ-ベンゾトリアゾール、２-[２-ヒドロキシ-３,５-ジ(１,１-ジメチルベンジル)フェニル]-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、２,２'-メチレンビス[６-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-４-(１,１,３,３-テトラメチルブチル)フェノール]、２-[２-ヒドロキシ-３,５-ビス(α,α-ジメチルベンジル)フェニル]-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、および、メチル-３-[３-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-５-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシフェニル]プロピオネートが挙げられる。また、キノール化合物や、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物などの所定の水酸基含有化合物も、イオントラップ剤として使用することができる。そのような水酸基含有化合物としては、具体的には、１,２-ベンゼンジオール、アリザリン、アントラルフィン、タンニン、没食子酸、没食子酸メチル、ピロガロールなどが挙げられる。以上のような他の成分としては、一種類の成分を用いてもよいし、二種類以上の成分を用いてもよい。
【0061】
接着剤層２０の厚さは、例えば１～２００μｍの範囲にある。当該厚さの下限は、好ましくは３μｍ、より好ましくは５μｍである。当該厚さの上限は、好ましくは１００μｍ、より好ましくは８０μｍである。
【0062】
本実施形態では、ダイシングダイボンドフィルムＸの面内方向Ｄにおいて、ダイシングテープ１０における基材１１の外周端１１ｅおよび粘着剤層１２の外周端１２ｅから、接着剤層２０の外周端２０ｅが、１０００μｍ以内、好ましくは５００μｍ以内の、距離にある。すなわち、接着剤層２０の外周端２０ｅは、全周にわたり、フィルム面内方向Ｄにおいて、基材１１の外周端１１ｅに対して内側１０００μｍから外側１０００μｍまでの間、好ましくは内側５００μｍから外側５００μｍまでの間にあり、且つ、粘着剤層１２の外周端１２ｅに対して内側１０００μｍから外側１０００μｍまでの間、好ましくは内側５００μｍから外側５００μｍまでの間にある。ダイシングテープ１０ないしその粘着剤層１２とその上の接着剤層２０とが面内方向Ｄにおいて実質的に同一の寸法を有する当該構成では、接着剤層２０は、ワーク貼着用の領域に加えてフレーム貼着用の領域を含むこととなる。
【0063】
ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて、ダイシングテープ１０の粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層である場合、温度２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化後の粘着剤層１２と接着剤層２０との間の剥離力は、好ましくは０.０４Ｎ/２０ｍｍ以上、より好ましくは０.０５Ｎ/２０ｍｍ以上、より好ましくは０.０８Ｎ/２０ｍｍ以上である。また、温度２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化後の粘着剤層１２と接着剤層２０との間の剥離力は、好ましくは０.３Ｎ/２０ｍｍ以下、より好ましくは０.２５Ｎ/２０ｍｍ以下、より好ましくは０.２２Ｎ/２０ｍｍ以下である。このようなＴ型剥離試験については、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して行うことができる。その試験に供される試料片は、次のようにして作製される。まず、ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて基材１１の側から粘着剤層１２に対して３５０ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射して粘着剤層１２を硬化させる。次に、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０側に裏打ちテープ（商品名「ＢＴ-３１５」，日東電工株式会社製）を貼り合わせた後、幅５０ｍｍ×長さ１２０ｍｍのサイズの試験片を切り出す。
【0064】
ダイシングダイボンドフィルムＸは、図２に示すようにセパレータＳを伴ってもよい。具体的には、ダイシングダイボンドフィルムＸごとに、セパレータＳを伴うシート状の形態をとってもよいし、セパレータＳが長尺状であってその上に複数のダイシングダイボンドフィルムＸが配され且つ当該セパレータＳが巻き回されてロールの形態とされてもよい。セパレータＳは、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０の表面を被覆して保護するための要素であり、ダイシングダイボンドフィルムＸを使用する際には当該フィルムから剥がされる。セパレータＳとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類などが、挙げられる。セパレータＳの厚さは、例えば５～２００μｍである。
【0065】
以上のような構成を有するダイシングダイボンドフィルムＸは、例えば以下のようにして製造することができる。
【0066】
まず、図３（ａ）に示すように、セパレータＳ上に接着剤フィルム２０'を作製する。接着剤フィルム２０'は、上述の接着剤層２０へと加工形成されることとなる長尺状のフィルムである。接着剤フィルム２０'の作製においては、接着剤層形成用の接着剤組成物を調製した後、まず、当該接着剤組成物をセパレータＳ上に塗工して接着剤組成物層を形成する。接着剤組成物層の塗工手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、およびグラビア塗工が挙げられる。次に、この接着剤組成物層において、加熱によって、必要に応じて架橋反応を生じさせ、また、必要に応じて乾燥させる。加熱温度は例えば７０～１６０℃であり、加熱時間は例えば１～５分間である。以上のようにして、セパレータＳ上に接着剤フィルム２０'を作製することができる。
【0067】
次に、図３（ｂ）に示すように、接着剤フィルム２０'上に粘着剤層１２'を積層形成する。粘着剤層１２'は、上述の粘着剤層１２へと加工形成されることとなるものである。粘着剤層１２'の形成においては、例えば、粘着剤層形成用の粘着剤溶液を調製した後、まず、当該粘着剤溶液を接着剤フィルム２０'上に塗工して粘着剤塗膜を形成する。粘着剤溶液の塗工手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、およびグラビア塗工が挙げられる。次に、この粘着剤塗膜において、加熱によって、必要に応じて架橋反応を生じさせ、また、必要に応じて乾燥させる。加熱温度は例えば８０～１５０℃であり、加熱時間は例えば０.５～５分間である。接着剤層２０へと加工形成される接着剤フィルム２０'と、粘着剤層１２へと加工形成される粘着剤層１２'とは、このような積層塗工手法によって形成することができる。
【0068】
次に、図３（ｃ）に示すように、粘着剤層１２'上に基材１１'を圧着して貼り合わせる。基材１１'は、上述の基材１１へと加工形成されるものである。樹脂製の基材１１'は、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法などの製膜手法により作製することができる。製膜後のフィルムないし基材１１'には、必要に応じて所定の表面処理が施される。本工程において、貼り合わせ温度は、例えば３０～５０℃であり、好ましくは３５～４５℃である。貼り合わせ圧力（線圧）は、例えば０.１～２０ｋｇｆ/ｃｍであり、好ましくは１～１０ｋｇｆ/ｃｍである。本工程により、セパレータＳと、接着剤フィルム２０'と、粘着剤層１２'と、基材１１'との積層構造を有する長尺状の積層シート体が得られる。また、粘着剤層１２が上述のような放射線硬化型粘着剤層である場合に接着剤フィルム２０'の貼り合わせより後に粘着剤層１２'に紫外線等の放射線を照射する時には、例えば基材１１'の側から、粘着剤層１２'に対して紫外線等の放射線の照射を行い、その照射量は、例えば５０～５００ｍＪ/ｃｍ2であり、好ましくは１００～３００ｍＪ/ｃｍ2である。その照射領域は、例えば、接着剤層２０と密着することとなる粘着剤層１２へと形成される領域の全体である。
【0069】
次に、図３（ｄ）に示すように、上記の積層シート体に対し、基材１１'の側からセパレータＳに至るまで加工刃を突入させる加工を施す（図３（ｄ）では切断箇所を模式的に太線で表す）。例えば、積層シート体を一方向Ｆに一定速度で流しつつ、その方向Ｆに直交する軸心まわりに回転可能に配され且つ打抜き加工用の加工刃をロール表面に伴う加工刃付き回転ロール（図示略）の加工刃付き表面を、積層シート体の基材１１'側に所定の押圧力を伴って当接させる。これにより、ダイシングテープ１０（基材１１，粘着剤層１２）と接着剤層２０とが一括的に加工形成され、ダイシングダイボンドフィルムＸがセパレータＳ上に形成される。この後、図３（ｅ）に示すように、ダイシングダイボンドフィルムＸの周囲の材料積層部をセパレータＳ上から取り除く。
【0070】
以上のようにして、ダイシングダイボンドフィルムＸを製造することができる。
【0071】
半導体装置の製造過程においては、上述のように、接着剤層２０付き半導体チップを得るうえで、ダイシングダイボンドフィルムＸを使用して行うエキスパンド工程、即ち、割断のためのエキスパンド工程が、実施される場合があるところ、エキスパンド工程では、ダイシングダイボンドフィルムＸにおけるダイシングテープ１０上の接着剤層２０に適切に割断力が作用することが必要である。ダイシングダイボンドフィルムＸにおけるダイシングテープ１０の粘着剤層１２は、上述のように、ラウリル(メタ)アクリレート由来のユニットと２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のユニットとを少なくとも含む第１アクリル系ポリマーを含有する。粘着剤層１２中のアクリル系ポリマーがラウリル(メタ)アクリレート由来ユニットを含むという構成および２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来ユニットを含むという構成は、共に、ダイシングテープ１０の粘着剤層１２とその上の接着剤層２０との間において高いせん断接着力を実現するのに適し、従って、エキスパンド工程において面内方向にエキスパンドされるダイシングテープ１０上の接着剤層２０に適切に割断力を作用させて割断させるのに適する。これとともに、ダイシングダイボンドフィルムＸにおける接着剤層２０は、上述のように、ニトリル基を有する第２アクリル系ポリマーを含有する。このような構成は、接着剤層２０について高弾性率化を図るうえで好ましく、従って、割断用のエキスパンド工程において接着剤層２０の良好な割断を実現するのに資する。
【0072】
加えて、ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて、粘着剤層１２中の第１アクリル系ポリマーがラウリル(メタ)アクリレート由来ユニットを含むとともに接着剤層２０中の第２アクリル系ポリマーがニトリル基を有するという構成は、両層間において上述のように高いせん断接着力を確保しつつも、両層間の積層方向に働く結合的な相互作用を抑制するうえで好ましい。上述のような積層塗工手法を経て粘着剤層１２と接着剤層２０とが積層形成される場合に例えば、当該両層間の積層方向に働く結合的な相互作用は過剰となりやすいものの、粘着剤層１２のアクリル系ポリマーがラウリル(メタ)アクリレート由来ユニットを含むとともに接着剤層２０のアクリル系ポリマーがニトリル基を有するという構成は、両層間の高いせん断接着力を確保しつつ当該両層間の積層方向に働く結合的な相互作用を抑制するのに好適なのである。そして、第２アクリル系ポリマーの赤外吸収スペクトルにおける吸収ピークに関する上記の比の値が０.０１以上であって好ましくは０.０１５以上、より好ましくは０.０２以上となるように第２アクリル系ポリマーのニトリル基相対含有量が設定されるという上述の構成は、ピックアップ工程において接着剤層２０付き半導体チップを粘着剤層１２から剥離ないしピックアップしやすくするうえで好適である。これとともに、第２アクリル系ポリマーの赤外吸収スペクトルにおける吸収ピークに関する上記の比の値が０.１以下であって好ましくは０.０９以下、より好ましくは０.０８以下となるように第２アクリル系ポリマーのニトリル基相対含有量が設定されるという上述の構成は、エキスパンド工程において、割断を経た接着剤層２０付き半導体チップの粘着剤層１２からの部分的な剥離すなわち浮きの発生を抑制するうえで好適である。
【0073】
以上のように、ダイシングダイボンドフィルムＸは、エキスパンド工程においてダイシングテープ１０上の接着剤層２０を良好に割断させるとともに、ピックアップ工程において接着剤層２０付き半導体チップの良好なピックアップを実現するのに、適するのである。
【0074】
ダイシングダイボンドフィルムＸは、その接着剤層２０にワーク貼着用領域に加えてフレーム貼着用領域を含むように、ダイシングテープ１０ないしその粘着剤層１２とその上の接着剤層２０とをフィルム面内方向において実質的に同一の寸法で設計することが可能である。具体的には、上述のように、ダイシングダイボンドフィルムＸの面内方向において、接着剤層２０の外周端２０ｅがダイシングテープ１０の基材１１の外周端１１ｅや粘着剤層１２の外周端１２ｅから１０００μｍ以内の距離、好ましくは５００μｍ以内の距離にある設計を、採用することが可能である。このようなダイシングダイボンドフィルムＸは、基材１１と粘着剤層１２との積層構造を有する一のダイシングテープ１０を形成するための加工と、一の接着剤層２０を形成するための加工とを、一の打抜き加工等の加工で一括的に実施するのに適する。このようなダイシングダイボンドフィルムＸは、エキスパンド工程にて接着剤層２０を良好に割断させるとともにピックアップ工程にて接着剤層２０付き半導体チップの良好なピックアップを実現するのに適するうえに、製造工程数の削減の観点や製造コスト抑制の観点などにおいて効率的に製造するのに適する。
【0075】
ダイシングダイボンドフィルムＸにおける粘着剤層１２中の第１アクリル系ポリマーにて、２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のユニットに対するラウリル(メタ)アクリレート由来のユニットのモル比率は、上述のように、好ましくは１以上、より好ましくは３以上、より好ましくは５以上である。このような構成は、ダイシングテープ１０の粘着剤層１２とその上の接着剤層２０層との間において上述のように高いせん断接着力を確保しつつも両層間の積層方向に働く結合的な相互作用を抑制するうえで好ましく、従って、ピックアップ工程での良好なピックアップの実現に資する。また、当該モル比率は、上述のように、好ましくは４０以下、より好ましくは３５以下、より好ましくは３０以下である。このような構成は、ダイシングテープ１０の粘着剤層１２と接着剤層２０との間の接着力ないし密着性を確保して、エキスパンド工程において接着剤層２０付き半導体チップの粘着剤層１２からの部分的な剥離すなわち浮きの発生を抑制するうえで、好適である。
【0076】
ダイシングダイボンドフィルムＸにおけるダイシングテープ１０の粘着剤層１２中の第１アクリル系ポリマーは、好ましくは、放射線重合性成分である不飽和官能基含有イソシアネート化合物の付加物である。この場合、粘着剤層１２における、第１アクリル系ポリマーの２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のユニットに対する不飽和官能基含有イソシアネート化合物のモル比率は、上述のように、好ましくは０.１以上、より好ましくは０.２以上、より好ましくは０.３以上である。これら構成は、第１アクリル系ポリマーと不飽和官能基含有イソシアネート化合物との反応を経て粘着剤層１２を適度に硬化させるうえで好適である。エキスパンド工程より前に粘着剤層１２を硬化させることは、エキスパンド工程での接着剤層２０の良好な割断に資する。また、硬化後の粘着剤層１２中の低分子量成分の低減という観点からは、不飽和官能基含有イソシアネート化合物の付加した第１アクリル系ポリマーを形成するための第１アクリル系ポリマーと不飽和官能基含有イソシアネート化合物とを含む反応組成物中においては、第１アクリル系ポリマーの２-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート由来のユニットに対する不飽和官能基含有イソシアネート化合物のモル比率は、上述のように、好ましくは２以下、より好ましくは１.５以下、より好ましくは１.３以下である。
【0077】
ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて、ダイシングテープ１０の粘着剤層１２が放射線硬化型の粘着剤層１２である場合、温度２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化後の粘着剤層１２と接着剤層２０との間の剥離力は、上述のように、好ましくは０.０４Ｎ/２０ｍｍ以上、より好ましくは０.０５Ｎ/２０ｍｍ以上、より好ましくは０.０８Ｎ/２０ｍｍ以上である。このような構成は、ダイシングテープ１０の粘着剤層１２とその上の接着剤層２０との間の接着力ないし密着性を確保して、エキスパンド工程において接着剤層２０付き半導体チップの粘着剤層１２からの部分的な剥離すなわち浮きの発生を抑制するうえで、好適である。温度２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化後の粘着剤層１２と接着剤層２０との間の剥離力は、上述のように、好ましくは０.３Ｎ/２０ｍｍ以下、より好ましくは０.２５Ｎ/２０ｍｍ以下、より好ましくは０.２２Ｎ/２０ｍｍ以下である。このような構成は、ピックアップ工程において良好なピックアップを実現するうえで好適である。
【0078】
【0079】
本半導体装置製造方法においては、まず、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに分割溝３０ａが形成される（分割溝形成工程）。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａおよび第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。本工程では、粘着面Ｔ１ａを有するウエハ加工用テープＴ１が半導体ウエハＷの第２面Ｗｂ側に貼り合わされた後、ウエハ加工用テープＴ１に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に所定深さの分割溝３０ａがダイシング装置等の回転ブレードを使用して形成される。分割溝３０ａは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための空隙である（図４から図６では分割溝３０ａを模式的に太線で表す）。
【0080】
次に、図４（ｃ）に示すように、粘着面Ｔ２ａを有するウエハ加工用テープＴ２の、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側への貼り合わせと、半導体ウエハＷからのウエハ加工用テープＴ１の剥離とが、行われる。
【0081】
次に、図４（ｄ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化される（ウエハ薄化工程）。研削加工は、研削砥石を備える研削加工装置を使用して行うことができる。このウエハ薄化工程によって、本実施形態では、複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ａが形成される。半導体ウエハ３０Ａは、具体的には、当該ウエハにおいて複数の半導体チップ３１へと個片化されることとなる部位を第２面Ｗｂ側で連結する部位（連結部）を有する。半導体ウエハ３０Ａにおける連結部の厚さ、即ち、半導体ウエハ３０Ａの第２面Ｗｂと分割溝３０ａの第２面Ｗｂ側先端との間の距離は、例えば１～３０μｍであり、好ましくは３～２０μｍである。
【0082】
次に、図５（ａ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ３０ＡがダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０に対して貼り合わせられる。この後、図５（ｂ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａからウエハ加工用テープＴ２が剥がされる。ダイシングダイボンドフィルムＸにおける粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層である場合には、ダイシングダイボンドフィルムＸの製造過程での上述の放射線照射に代えて、半導体ウエハ３０Ａの接着剤層２０への貼り合わせの後に、基材１１の側から粘着剤層１２に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。照射量は、例えば５０～５００ｍＪ/ｃｍ2であり、好ましくは１００～３００ｍＪ/ｃｍ2である。ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて粘着剤層１２の粘着力低減措置としての照射が行われる領域（図１に示す照射領域Ｒ）は、例えば、粘着剤層１２における接着剤層２０貼り合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。
【0083】
次に、ダイシングダイボンドフィルムＸにおける接着剤層２０上にリングフレーム４１が貼り付けられた後、図６（ａ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａを伴う当該ダイシングダイボンドフィルムＸがエキスパンド装置の保持具４２に固定される。
【0084】
次に、相対的に低温の条件下での第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）が、図６（ｂ）に示すように行われ、半導体ウエハ３０Ａが複数の半導体チップ３１へと個片化されるとともに、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０が小片の接着剤層２１に割断されて、接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接して上昇され、半導体ウエハ３０Ａの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０が、半導体ウエハ３０Ａの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において１５～３２ＭＰａ、好ましくは２０～３２ＭＰａの範囲内の引張応力が生ずる条件で行われる。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは－２０～－５℃、より好ましくは－１５～－５℃、より好ましくは－１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、好ましくは０.１～１００ｍｍ/秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは３～１６ｍｍである。
【0085】
本工程では、半導体ウエハ３０Ａにおいて薄肉で割れやすい部位に割断が生じて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝に対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生ずる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間の分割溝に対向する箇所が割断されることとなる。本工程の後、図６（ｃ）に示すように、突き上げ部材４３が下降されて、ダイシングテープ１０におけるエキスパンド状態が解除される。
【0086】
次に、相対的に高温の条件下での第２エキスパンド工程が、図７（ａ）に示すように行われ、接着剤層付き半導体チップ３１間の距離（離間距離）が広げられる。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が再び上昇され、ダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０がエキスパンドされる。第２エキスパンド工程における温度条件は、例えば１０℃以上であり、好ましくは１５～３０℃である。第２エキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、例えば０.１～１０ｍｍ/秒であり、好ましくは０.３～１ｍｍ/秒である。また、第２エキスパンド工程におけるエキスパンド量は、例えば３～１６ｍｍである。後記のピックアップ工程にてダイシングテープ１０から接着剤層付き半導体チップ３１を適切にピックアップ可能な程度に、本工程では接着剤層付き半導体チップ３１の離間距離が広げられる。本工程の後、図７（ｂ）に示すように、突き上げ部材４３が下降されて、ダイシングテープ１０におけるエキスパンド状態が解除される。エキスパンド状態解除後にダイシングテープ１０上の接着剤層付き半導体チップ３１の離間距離が狭まることを抑制するうえでは、エキスパンド状態を解除するより前に、ダイシングテープ１０における半導体チップ３１保持領域より外側の部分を加熱して収縮させるのが好ましい。
【0087】
次に、接着剤層付き半導体チップ３１を伴うダイシングテープ１０における半導体チップ３１側を水などの洗浄液を使用して洗浄するクリーニング工程を必要に応じて経た後、図８に示すように、接着剤層付き半導体チップ３１をダイシングテープ１０からピックアップする（ピックアップ工程）。例えば、ピックアップ対象の接着剤層付き半導体チップ３１について、ダイシングテープ１０の図中下側においてピックアップ機構のピン部材４４を上昇させてダイシングテープ１０を介して突き上げた後、吸着治具４５によって吸着保持する。ピックアップ工程において、ピン部材４４の突き上げ速度は例えば１～１００ｍｍ/秒であり、ピン部材４４の突き上げ量は例えば５０～３０００μｍである。
【0088】
次に、図９（ａ）に示すように、ピックアップされた接着剤層付き半導体チップ３１が、所定の被着体５１に対して接着剤層２１を介して仮固着される。被着体５１としては、例えば、リードフレーム、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）フィルム、配線基板、および、別途作製した半導体チップが挙げられる。接着剤層２１の仮固着時における２５℃での剪断接着力は、被着体５１に対して好ましくは０.２ＭＰａ以上、より好ましくは０.２～１０ＭＰａである。接着剤層２１の当該剪断接着力が０.２ＭＰａ以上であるという構成は、後記のワイヤーボンディング工程において、超音波振動や加熱によって接着剤層２１と半導体チップ３１または被着体５１との接着面でずり変形が生じるのを抑制して適切にワイヤーボンディングを行うのに好適である。また、接着剤層２１の仮固着時における１７５℃での剪断接着力は、被着体５１に対して好ましくは０.０１ＭＰａ以上、より好ましくは０.０１～５ＭＰａである。
【0089】
次に、図９（ｂ）に示すように、半導体チップ３１の電極パッド（図示略）と被着体５１の有する端子部（図示略）とをボンディングワイヤー５２を介して電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。半導体チップ３１の電極パッドや被着体５１の端子部とボンディングワイヤー５２との結線は、加熱を伴う超音波溶接によって実現され、接着剤層２１を熱硬化させないように行われる。ボンディングワイヤー５２としては、例えば金線、アルミニウム線、または銅線を用いることができる。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は、例えば８０～２５０℃であり、好ましくは８０～２２０℃である。また、その加熱時間は数秒～数分間である。
【0090】
次に、図９（ｃ）に示すように、被着体５１上の半導体チップ３１やボンディングワイヤー５２を保護するための封止樹脂５３によって半導体チップ３１を封止する（封止工程）。本工程では、接着剤層２１の熱硬化が進む。本工程では、例えば、金型を使用して行うトランスファーモールド技術によって封止樹脂５３が形成される。封止樹脂５３の構成材料としては、例えばエポキシ系樹脂を用いることができる。本工程において、封止樹脂５３を形成するための加熱温度は例えば１６５～１８５℃であり、加熱時間は例えば６０秒～数分間である。本工程（封止工程）で封止樹脂５３の硬化が充分には進行しない場合には、本工程の後に封止樹脂５３を完全に硬化させるための後硬化工程が行われる。封止工程において接着剤層２１が完全に熱硬化しない場合であっても、後硬化工程において封止樹脂５３と共に接着剤層２１の完全な熱硬化が可能となる。後硬化工程において、加熱温度は例えば１６５～１８５℃であり、加熱時間は例えば０.５～８時間である。
【0091】
以上のようにして、半導体装置を製造することができる。
【0092】
本実施形態では、上述のように、接着剤層付き半導体チップ３１が被着体５１に仮固着された後、接着剤層２１が完全な熱硬化に至ることなくワイヤーボンディング工程が行われる。このような構成に代えて、本発明では、接着剤層付き半導体チップ３１が被着体５１に仮固着された後、接着剤層２１が熱硬化されてからワイヤーボンディング工程が行われてもよい。
【0093】
本発明に係る半導体装置製造方法おいては、図４（ｄ）を参照して上述したウエハ薄化工程に代えて、図１０に示すウエハ薄化工程を行ってもよい。図４（ｃ）を参照して上述した過程を経た後、図１０に示すウエハ薄化工程では、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、当該ウエハが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化されて、複数の半導体チップ３１を含んでウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ分割体３０Ｂが形成される。本工程では、分割溝３０ａそれ自体が第２面Ｗｂ側に露出するまでウエハを研削する手法（第１の手法）を採用してもよいし、第２面Ｗｂ側から分割溝３０ａに至るより前までウエハを研削し、その後、回転砥石からウエハへの押圧力の作用により分割溝３０ａと第２面Ｗｂとの間にクラックを生じさせて半導体ウエハ分割体３０Ｂを形成する手法（第２の手法）を採用してもよい。採用される手法に応じて、図４（ａ）および図４（ｂ）を参照して上述したように形成される分割溝３０ａの、第１面Ｗａからの深さは、適宜に決定される。図１０では、第１の手法を経た分割溝３０ａ、または、第２の手法を経た分割溝３０ａおよびこれに連なるクラックについて、模式的に太線で表す。本発明では、このようにして作製される半導体ウエハ分割体３０Ｂが半導体ウエハ３０Ａの代わりにダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされたうえで、図５から図９を参照して上述した各工程が行われてもよい。
【0094】
図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、半導体ウエハ分割体３０ＢがダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされた後に行われる第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を表す。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接して上昇され、半導体ウエハ分割体３０Ｂの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０が、半導体ウエハ分割体３０Ｂの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において、例えば５～２８ＭＰａ、好ましくは８～２５ＭＰａの範囲内の引張応力が生ずる条件で行われる。本工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは－２０～－５℃、より好ましくは－１５～－５℃、より好ましくは－１５℃である。本工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、例えば１～４００ｍｍ/秒である。また、本工程におけるエキスパンド量は、例えば５０～２００ｍｍである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０が小片の接着剤層２１に割断されて接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において、半導体ウエハ分割体３０Ｂの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝３０ａに対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生ずる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間の分割溝３０ａに対向する箇所が割断されることとなる。
【0095】
本発明に係る半導体装置製造方法おいては、半導体ウエハ３０Ａまたは半導体ウエハ分割体３０ＢがダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされるという上述の構成に代えて、以下のようにして作製される半導体ウエハ３０ＣがダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされてもよい。
【0096】
図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、まず、半導体ウエハＷに改質領域３０ｂが形成される。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａおよび第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。本工程では、粘着面Ｔ３ａを有するウエハ加工用テープＴ３が半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に貼り合わされた後、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、ウエハ内部に集光点の合わせられたレーザー光がウエハ加工用テープＴ３とは反対の側から半導体ウエハＷに対してその分割予定ラインに沿って照射され、多光子吸収によるアブレーションに因って半導体ウエハＷ内に改質領域３０ｂが形成される。改質領域３０ｂは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための脆弱化領域である。半導体ウエハにおいてレーザー光照射によって分割予定ライン上に改質領域３０ｂを形成する方法については、例えば特開２００２－１９２３７０号公報に詳述されているところ、本実施形態におけるレーザー光照射条件は、例えば以下の条件の範囲内で適宜に調整される。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３.１４×１０-8ｃｍ2
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０.５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される載置台の移動速度 ２８０ｍｍ/秒以下
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３.１４×１０-8ｃｍ2
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０.５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される載置台の移動速度 ２８０ｍｍ/秒以下
【0097】
次に、図１２（ｃ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化され、これによって複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ｃが形成される（ウエハ薄化工程）。本発明では、以上のようにして作製される半導体ウエハ３０Ｃが半導体ウエハ３０Ａの代わりにダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされたうえで、図５から図９を参照して上述した各工程が行われてもよい。
【0098】
図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、半導体ウエハ３０ＣがダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされた後に行われる第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を表す。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接して上昇され、半導体ウエハ３０Ｃの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０が、半導体ウエハ３０Ｃの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において、例えば５～２８ＭＰａ、好ましくは８～２５ＭＰａの範囲内の引張応力が生ずる条件で行われる。本工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは－２０～－５℃、より好ましくは－１５～－５℃、より好ましくは－１５℃である。本工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、例えば１～４００ｍｍ/秒である。また、本工程におけるエキスパンド量は、例えば５０～２００ｍｍである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０が小片の接着剤層２１に割断されて接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、本工程では、半導体ウエハ３０Ｃにおいて脆弱な改質領域３０ｂにクラックが形成されて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において、半導体ウエハ３０Ｃの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、ウエハのクラック形成箇所に対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生ずる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間のクラック形成箇所に対向する箇所が割断されることとなる。
【0099】
また、本発明において、ダイシングダイボンドフィルムＸは、上述のように接着剤層付き半導体チップを得るうえで使用することができるところ、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合における接着剤層付き半導体チップを得るうえでも使用することができる。そのような３次元実装における半導体チップ３１間には、接着剤層２１と共にスペーサが介在していてもよいし、スペーサが介在していなくてもよい。
【実施例】
【0100】
〔実施例１〕
〈接着剤層〉
アクリル系ポリマーＡ1（アクリル酸エチルとアクリル酸ブチルとアクリロニトリルとグリシジルメタクリレートとの共重合体であって上述の第２アクリル系ポリマー，重量平均分子量は１２０万，ガラス転移温度は０℃，エポキシ価は０.４ｅｑ/ｋｇ）５４質量部と、固形フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ-７８５１ＳＳ」，２３℃で固形，明和化成株式会社製）３質量部と、液状フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ-８０００Ｈ」，２３℃で液状，明和化成株式会社製）３質量部と、シリカフィラー（商品名「ＳＯ-Ｃ２」，平均粒径は０.５μｍ，株式会社アドマテックス製）４０質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、室温での粘度が７００ｍＰａ・ｓになるように濃度を調整し、接着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ３８μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物を塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１３０℃で２分間の加熱乾燥を行った。以上のようにして、実施例１における厚さ１０μｍの接着剤層をＰＥＴセパレータ上に作製した。実施例１における接着剤層の組成を表１に掲げる（表１において、組成物の組成を表す各数値の単位は、後記のＭＯＩに関する数値を除き、当該組成物内での相対的な“質量部”である）。
〈接着剤層〉
アクリル系ポリマーＡ1（アクリル酸エチルとアクリル酸ブチルとアクリロニトリルとグリシジルメタクリレートとの共重合体であって上述の第２アクリル系ポリマー，重量平均分子量は１２０万，ガラス転移温度は０℃，エポキシ価は０.４ｅｑ/ｋｇ）５４質量部と、固形フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ-７８５１ＳＳ」，２３℃で固形，明和化成株式会社製）３質量部と、液状フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ-８０００Ｈ」，２３℃で液状，明和化成株式会社製）３質量部と、シリカフィラー（商品名「ＳＯ-Ｃ２」，平均粒径は０.５μｍ，株式会社アドマテックス製）４０質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、室温での粘度が７００ｍＰａ・ｓになるように濃度を調整し、接着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ３８μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物を塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１３０℃で２分間の加熱乾燥を行った。以上のようにして、実施例１における厚さ１０μｍの接着剤層をＰＥＴセパレータ上に作製した。実施例１における接着剤層の組成を表１に掲げる（表１において、組成物の組成を表す各数値の単位は、後記のＭＯＩに関する数値を除き、当該組成物内での相対的な“質量部”である）。
【0101】
〈粘着剤層〉
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、ラウリルアクリレート（ＬＡ）１００モル部と、２-ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２０モル部と、これらモノマー成分１００質量部に対して０.２質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、６０℃で１０時間、窒素雰囲気下で撹拌した（重合反応）。これにより、アクリル系ポリマーＰ1を含有するポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液中のアクリル系ポリマーＰ1について、重量平均分子量（Ｍｗ）は４５万であり、ガラス転移温度は９.５℃であり、２ＨＥＡ由来ユニットに対するＬＡ由来ユニットのモル比率は５である。次に、このアクリル系ポリマーＰ1を含有するポリマー溶液と、２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、室温で４８時間、空気雰囲気下で撹拌した（付加反応）。当該反応溶液において、ＭＯＩの配合量は、上記ラウリルアクリレート１００モル部に対して１６モル部であり、アクリル系ポリマーＰ1における２ＨＥＡ由来ユニットないしその水酸基の総量に対する当該ＭＯＩ配合量のモル比率は０.８である。また、当該反応溶液において、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーＰ1１００質量部に対して０.０１質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーＰ2（不飽和官能基含有イソシアネート化合物の付加した上述の第１アクリル系ポリマー）を含有するポリマー溶液を得た。次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーＰ2１００質量部に対して１質量部のポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」，東ソー株式会社製）と、２質量部の光重合開始剤（商品名「イルガキュア１２７」，ＢＡＳＦ社製）とを加えて混合し、且つ、当該混合物の室温での粘度が５００ｍＰａ・ｓになるように当該混合物についてトルエンを加えて希釈し、粘着剤溶液を得た。次に、ＰＥＴセパレータ上に形成された上述の接着剤層の上にアプリケーターを使用して粘着剤溶液を塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１３０℃で２分間の加熱乾燥を行い、接着剤層上に厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面にエチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）製の基材（商品名「ＲＢ-０１０４」，厚さ１３０μｍ，倉敷紡績株式会社製）を室温で貼り合わせた。次に、ＥＶＡ基材の側からセパレータに至るまで加工刃を突入させる打抜き加工を行った。これにより、ＥＶＡ基材／粘着剤層／接着剤層の積層構造を有する直径３７０ｍｍの円盤形状のダイシングダイボンドフィルムがセパレータ上に形成された。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対してＥＶＡ基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を３５０ｍＪ/ｃｍ2とした。以上のようにして、ダイシングテープ（ＥＶＡ基材／粘着剤層）と接着剤層とを含む積層構造を有する実施例１のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、ラウリルアクリレート（ＬＡ）１００モル部と、２-ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２０モル部と、これらモノマー成分１００質量部に対して０.２質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、６０℃で１０時間、窒素雰囲気下で撹拌した（重合反応）。これにより、アクリル系ポリマーＰ1を含有するポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液中のアクリル系ポリマーＰ1について、重量平均分子量（Ｍｗ）は４５万であり、ガラス転移温度は９.５℃であり、２ＨＥＡ由来ユニットに対するＬＡ由来ユニットのモル比率は５である。次に、このアクリル系ポリマーＰ1を含有するポリマー溶液と、２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、室温で４８時間、空気雰囲気下で撹拌した（付加反応）。当該反応溶液において、ＭＯＩの配合量は、上記ラウリルアクリレート１００モル部に対して１６モル部であり、アクリル系ポリマーＰ1における２ＨＥＡ由来ユニットないしその水酸基の総量に対する当該ＭＯＩ配合量のモル比率は０.８である。また、当該反応溶液において、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーＰ1１００質量部に対して０.０１質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーＰ2（不飽和官能基含有イソシアネート化合物の付加した上述の第１アクリル系ポリマー）を含有するポリマー溶液を得た。次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーＰ2１００質量部に対して１質量部のポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」，東ソー株式会社製）と、２質量部の光重合開始剤（商品名「イルガキュア１２７」，ＢＡＳＦ社製）とを加えて混合し、且つ、当該混合物の室温での粘度が５００ｍＰａ・ｓになるように当該混合物についてトルエンを加えて希釈し、粘着剤溶液を得た。次に、ＰＥＴセパレータ上に形成された上述の接着剤層の上にアプリケーターを使用して粘着剤溶液を塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１３０℃で２分間の加熱乾燥を行い、接着剤層上に厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面にエチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）製の基材（商品名「ＲＢ-０１０４」，厚さ１３０μｍ，倉敷紡績株式会社製）を室温で貼り合わせた。次に、ＥＶＡ基材の側からセパレータに至るまで加工刃を突入させる打抜き加工を行った。これにより、ＥＶＡ基材／粘着剤層／接着剤層の積層構造を有する直径３７０ｍｍの円盤形状のダイシングダイボンドフィルムがセパレータ上に形成された。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対してＥＶＡ基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を３５０ｍＪ/ｃｍ2とした。以上のようにして、ダイシングテープ（ＥＶＡ基材／粘着剤層）と接着剤層とを含む積層構造を有する実施例１のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【0102】
〔実施例２,３〕
粘着剤層の形成においてＭＯＩの配合量を１６モル部に代えて１２モル部（実施例２）または８モル部（実施例３）としたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例２,３の各ダイシングダイボンドフィルムを作製した。
粘着剤層の形成においてＭＯＩの配合量を１６モル部に代えて１２モル部（実施例２）または８モル部（実施例３）としたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例２,３の各ダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【0103】
〔実施例４〕
接着剤層の形成においてアクリル系ポリマーＡ1５４質量部の代わりにアクリル系ポリマーＡ2（商品名「テイサンレジン ＳＧ-７０Ｌ」，ニトリル基を有するアクリル共重合体であって上述の第２アクリル系ポリマー，重量平均分子量は９０万，ガラス転移温度は－１３℃，カルボン酸価は５ｍｇＫＯＨ/ｇ，ナガセケムテックス株式会社製）５４質量部を用いたこと、および、粘着剤層の形成においてＭＯＩの配合量を１６モル部に代えて８モル部としたこと、以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例４のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
接着剤層の形成においてアクリル系ポリマーＡ1５４質量部の代わりにアクリル系ポリマーＡ2（商品名「テイサンレジン ＳＧ-７０Ｌ」，ニトリル基を有するアクリル共重合体であって上述の第２アクリル系ポリマー，重量平均分子量は９０万，ガラス転移温度は－１３℃，カルボン酸価は５ｍｇＫＯＨ/ｇ，ナガセケムテックス株式会社製）５４質量部を用いたこと、および、粘着剤層の形成においてＭＯＩの配合量を１６モル部に代えて８モル部としたこと、以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例４のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【0104】
〔比較例１〕
〈粘着剤層〉
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、２-エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）１００モル部と、２-ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２０モル部と、これらモノマー成分１００質量部に対して０.２質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、６０℃で１０時間、窒素雰囲気下で撹拌した（重合反応）。これにより、アクリル系ポリマーＰ3を含有するポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液中のアクリル系ポリマーＰ3について、重量平均分子量（Ｍｗ）は４０万であり、ガラス転移温度は６０℃であった。次に、このアクリル系ポリマーＰ3を含有するポリマー溶液と、２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、室温で４８時間、空気雰囲気下で撹拌した（付加反応）。当該反応溶液において、ＭＯＩの配合量は、上記２-エチルヘキシルアクリレート１００モル部に対して２０モル部である。また、当該反応溶液において、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーＰ3１００質量部に対して０.０１質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーＰ4を含有するポリマー溶液を得た。次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーＰ4１００質量部に対して１質量部のポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」，東ソー株式会社製）と、２質量部の光重合開始剤（商品名「イルガキュア１２７」，ＢＡＳＦ社製）とを加えて混合し、且つ、当該混合物の室温での粘度が５００ｍＰａ・ｓになるように当該混合物についてトルエンを加えて希釈し、粘着剤溶液を得た。接着剤層上への粘着剤層の形成において当該粘着剤溶液を用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例１のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
〈粘着剤層〉
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、２-エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）１００モル部と、２-ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２０モル部と、これらモノマー成分１００質量部に対して０.２質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、６０℃で１０時間、窒素雰囲気下で撹拌した（重合反応）。これにより、アクリル系ポリマーＰ3を含有するポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液中のアクリル系ポリマーＰ3について、重量平均分子量（Ｍｗ）は４０万であり、ガラス転移温度は６０℃であった。次に、このアクリル系ポリマーＰ3を含有するポリマー溶液と、２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、室温で４８時間、空気雰囲気下で撹拌した（付加反応）。当該反応溶液において、ＭＯＩの配合量は、上記２-エチルヘキシルアクリレート１００モル部に対して２０モル部である。また、当該反応溶液において、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーＰ3１００質量部に対して０.０１質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーＰ4を含有するポリマー溶液を得た。次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーＰ4１００質量部に対して１質量部のポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」，東ソー株式会社製）と、２質量部の光重合開始剤（商品名「イルガキュア１２７」，ＢＡＳＦ社製）とを加えて混合し、且つ、当該混合物の室温での粘度が５００ｍＰａ・ｓになるように当該混合物についてトルエンを加えて希釈し、粘着剤溶液を得た。接着剤層上への粘着剤層の形成において当該粘着剤溶液を用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例１のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【0105】
〔比較例２〕
接着剤層の形成においてアクリル系ポリマーＡ1５４質量部の代わりにアクリル系ポリマーＡ3（商品名「パラクロン Ｗ-１１６.３」，アクリル酸エチル由来のモノマーユニットを含むアクリル酸エステル系ポリマー，重量平均分子量は９０万，ガラス転移温度は－２２℃，カルボン酸価は７.８ｍｇＫＯＨ/ｇ，水酸基価は１.１ｍｇＫＯＨ/ｇ，根上工業株式会社製）５４質量部を用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例２のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
接着剤層の形成においてアクリル系ポリマーＡ1５４質量部の代わりにアクリル系ポリマーＡ3（商品名「パラクロン Ｗ-１１６.３」，アクリル酸エチル由来のモノマーユニットを含むアクリル酸エステル系ポリマー，重量平均分子量は９０万，ガラス転移温度は－２２℃，カルボン酸価は７.８ｍｇＫＯＨ/ｇ，水酸基価は１.１ｍｇＫＯＨ/ｇ，根上工業株式会社製）５４質量部を用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例２のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【0106】
〈赤外吸収スペクトル〉
アクリル系ポリマーＡ1,Ａ2,Ａ3のそれぞれについて、赤外分光分析装置（商品名「ＦＴ／ＩＲ－２３０」，日本分光株式会社製）を使用して赤外吸収スペクトルを測定し、得られた赤外吸収スペクトルにおける１７３０ｃｍ-1付近の第１ピークの高さと２２４０ｃｍ-1付近の第２ピークの高さとを求め、第１ピークの高さに対する第２ピークの高さの比の値を算出した。その値を表１に掲げる。１７３０ｃｍ-1付近の第１ピークは、Ｃ＝Ｏ伸縮振動に帰属される吸収のピークである。この第１ピークの高さは、得られた赤外吸収スペクトル上の１６７０ｃｍ-1の点と１８６０ｃｍ-1の点とを通る直線をベースラインとしたうえで、当該赤外吸収スペクトルにおいて１６７０ｃｍ-1から１８６０ｃｍ-1までの範囲内での極大値（１７３０ｃｍ-1付近の一つしかなかった）の、ベースラインに対する値（具体的には吸光度の差）として求めた。２２４０ｃｍ-1付近の第２ピークは、Ｃ≡Ｎ伸縮振動に帰属される吸収のピークである。この第２ピークの高さは、同一赤外吸収スペクトル上の２２２０ｃｍ-1の点と２２７０ｃｍ-1の点とを通る直線をベースラインとしたうえで、当該赤外吸収スペクトルにおいて２２２０ｃｍ-1から２２７０ｃｍ-1までの範囲内での極大値（２２４０ｃｍ-1付近の一つしかなかった）の、ベースラインに対する値（具体的には吸光度の差）として求めた。
アクリル系ポリマーＡ1,Ａ2,Ａ3のそれぞれについて、赤外分光分析装置（商品名「ＦＴ／ＩＲ－２３０」，日本分光株式会社製）を使用して赤外吸収スペクトルを測定し、得られた赤外吸収スペクトルにおける１７３０ｃｍ-1付近の第１ピークの高さと２２４０ｃｍ-1付近の第２ピークの高さとを求め、第１ピークの高さに対する第２ピークの高さの比の値を算出した。その値を表１に掲げる。１７３０ｃｍ-1付近の第１ピークは、Ｃ＝Ｏ伸縮振動に帰属される吸収のピークである。この第１ピークの高さは、得られた赤外吸収スペクトル上の１６７０ｃｍ-1の点と１８６０ｃｍ-1の点とを通る直線をベースラインとしたうえで、当該赤外吸収スペクトルにおいて１６７０ｃｍ-1から１８６０ｃｍ-1までの範囲内での極大値（１７３０ｃｍ-1付近の一つしかなかった）の、ベースラインに対する値（具体的には吸光度の差）として求めた。２２４０ｃｍ-1付近の第２ピークは、Ｃ≡Ｎ伸縮振動に帰属される吸収のピークである。この第２ピークの高さは、同一赤外吸収スペクトル上の２２２０ｃｍ-1の点と２２７０ｃｍ-1の点とを通る直線をベースラインとしたうえで、当該赤外吸収スペクトルにおいて２２２０ｃｍ-1から２２７０ｃｍ-1までの範囲内での極大値（２２４０ｃｍ-1付近の一つしかなかった）の、ベースラインに対する値（具体的には吸光度の差）として求めた。
【0107】
〈Ｔ型剥離試験〉
実施例１～４および比較例１,２の各ダイシングダイボンドフィルムについて、次のようにして粘着剤層と接着剤層との間の剥離力を調べた。まず、各ダイシングダイボンドフィルムから試験片を作製した。具体的には、ダイシングダイボンドフィルムにおいて基材の側から粘着剤層に対して３５０ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射して粘着剤層を硬化させた後、ダイシングダイボンドフィルムの接着剤層側に裏打ちテープ（商品名「ＢＴ-３１５」，日東電工株式会社製）を貼り合わせ、当該裏打ちテープを伴うダイシングダイボンドフィルムから、幅５０ｍｍ×長さ１２０ｍｍのサイズの試験片を切り出した。そして、試験片について、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用してＴ型剥離試験を行い、剥離力（Ｎ/２０ｍｍ）を測定した。本測定においては、温度条件を２３℃とし、剥離速度を３００ｍｍ/分とした。測定結果を表１に掲げる。
実施例１～４および比較例１,２の各ダイシングダイボンドフィルムについて、次のようにして粘着剤層と接着剤層との間の剥離力を調べた。まず、各ダイシングダイボンドフィルムから試験片を作製した。具体的には、ダイシングダイボンドフィルムにおいて基材の側から粘着剤層に対して３５０ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射して粘着剤層を硬化させた後、ダイシングダイボンドフィルムの接着剤層側に裏打ちテープ（商品名「ＢＴ-３１５」，日東電工株式会社製）を貼り合わせ、当該裏打ちテープを伴うダイシングダイボンドフィルムから、幅５０ｍｍ×長さ１２０ｍｍのサイズの試験片を切り出した。そして、試験片について、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用してＴ型剥離試験を行い、剥離力（Ｎ/２０ｍｍ）を測定した。本測定においては、温度条件を２３℃とし、剥離速度を３００ｍｍ/分とした。測定結果を表１に掲げる。
【0108】
〈エキスパンド工程とピックアップ工程の実施〉
実施例１～４および比較例１,２の各ダイシングダイボンドフィルムを使用して、以下のような貼り合わせ工程、割断のための第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）、離間のための第２エキスパンド工程（常温エキスパンド工程）、およびピックアップ工程を行った。
実施例１～４および比較例１,２の各ダイシングダイボンドフィルムを使用して、以下のような貼り合わせ工程、割断のための第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）、離間のための第２エキスパンド工程（常温エキスパンド工程）、およびピックアップ工程を行った。
【0109】
貼り合わせ工程では、ウエハ加工用テープ（商品名「ＵＢ-３０８３Ｄ」，日東電工株式会社製）に保持された半導体ウエハ分割体をダイシングダイボンドフィルムの接着剤層に対して貼り合わせ、その後、半導体ウエハ分割体からウエハ加工用テープを剥離した。貼合わせにおいては、ラミネーターを使用し、貼合わせ速度を１０ｍｍ/秒とし、温度条件を６０℃とし、圧力条件を０.１５ＭＰａとした。また、半導体ウエハ分割体は、次のようにして形成して用意したものである。まず、ウエハ加工用テープ（商品名「Ｖ１２Ｓ-Ｒ２-Ｐ」，日東電工株式会社製）にリングフレームと共に保持された状態にあるベアウエハ（直径１２インチ，厚さ７８０μｍ，東京化工株式会社製）について、その一方の面の側から、ダイシング装置（商品名「ＤＦＤ６２６０」，株式会社ディスコ製）を使用してその回転ブレードによって個片化用の分割溝（幅２５μｍ，深さ５０μｍ，一区画６ｍｍ×１２ｍｍの格子状をなす）を形成した。次に、分割溝形成面にウエハ加工用テープ（商品名「ＵＢ-３０８３Ｄ」，日東電工株式会社製）を貼り合わせた後、上記のウエハ加工用テープ（商品名「Ｖ１２Ｓ-Ｒ２-Ｐ」）をウエハから剥離した。この後、バックグラインド装置（商品名「ＤＧＰ８７６０」，株式会社ディスコ製）を使用して、ウエハの他方の面（分割溝の形成されていない面）の側からの研削によって当該ウエハを厚さ２０μｍに至るまで薄化し、続いて、同装置を使用して行うドライポリッシュによって当該研削面に対して鏡面仕上げを施した。以上のようにして、半導体ウエハ分割体（ウエハ加工用テープに保持された状態にある）を形成した。この半導体ウエハ分割体には、複数の半導体チップ（６ｍｍ×１２ｍｍ）が含まれている。
【0110】
クールエキスパンド工程は、ダイセパレート装置（商品名「ダイセパレータ ＤＤＳ３２００」，株式会社ディスコ製）を使用して、そのクールエキスパンドユニットにて行った。具体的には、まず、半導体ウエハ分割体を伴う上述のダイシングダイボンドフィルムにおける接着剤層のフレーム貼着用領域（ワーク貼着用領域の周囲）に、直径１２インチのＳＵＳ製リングフレーム(株式会社ディスコ製)を室温で貼り付けた。次に、当該ダイシングダイボンドフィルムを装置内にセットし、同装置のクールエキスパンドユニットにて、半導体ウエハ分割体を伴うダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープをエキスパンドした。このクールエキスパンド工程において、温度は－１５℃であり、エキスパンド速度は１００ｍｍ/秒であり、エキスパンド量は７ｍｍである。
【0111】
常温エキスパンド工程は、ダイセパレート装置（商品名「ダイセパレータ ＤＤＳ３２００」，株式会社ディスコ製）を使用して、その常温エキスパンドユニットにて行った。具体的には、上述のクールエキスパンド工程を経た半導体ウエハ分割体を伴うダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープを、同装置の常温エキスパンドユニットにてエキスパンドした。この常温エキスパンド工程において、温度は２３℃であり、エキスパンド速度は１ｍｍ/秒であり、エキスパンド量は１０ｍｍである。この後、常温エキスパンドを経たダイシングダイボンドフィルムについて加熱収縮処理を施した。その処理温度は２００℃であり、処理時間は２０秒である。
【0112】
ピックアップ工程では、ピックアップ機構を有する装置（商品名「ダイボンダー ＳＰＡ－３００」，株式会社新川製）を使用して、ダイシングテープ上にて個片化された接着剤層付き半導体チップのピックアップを試みた。このピックアップにつき、ピン部材による突き上げ速度は１ｍｍ／秒であり、突き上げ量は２０００μｍであり、ピックアップ評価数は５である。
【0113】
実施例１～４および比較例１,２の各ダイシングダイボンドフィルムを使用して行った以上のような過程において、クールエキスパンド工程に関しては、ダイシングテープからの接着剤層付き半導体チップの浮きが生じなかった場合に割断時の浮きについて良（○）であると評価し、ピックアップ工程に関しては、五つの接着剤層付き半導体チップすべてをダイシングテープからピックアップできた場合をピックアップ性が良（○）であると評価し、そうでない場合をピックアップ性が不良（×）と評価した。これら評価結果を表１に掲げる。
【0114】
［評価］
実施例１～４のダイシングダイボンドフィルムによると、クールエキスパンド工程において、ダイシングテープからの接着剤層付き半導体チップの浮きを生じることなく接着剤層の割断を良好に行うことができたうえに、ピックアップ工程において、接着剤層付き半導体チップを適切にピックアップすることができた。
実施例１～４のダイシングダイボンドフィルムによると、クールエキスパンド工程において、ダイシングテープからの接着剤層付き半導体チップの浮きを生じることなく接着剤層の割断を良好に行うことができたうえに、ピックアップ工程において、接着剤層付き半導体チップを適切にピックアップすることができた。
【0115】
【表1】
【符号の説明】
【0116】
Ｘ ダイシングダイボンドフィルム
１０ ダイシングテープ
１１ 基材
１１ｅ 外周端
１２ 粘着剤層
１２ｅ 外周端
２０，２１ 接着剤層
２０ｅ 外周端
Ｗ，３０Ａ，３０Ｃ 半導体ウエハ
３０Ｂ 半導体ウエハ分割体
３０ａ 分割溝
３０ｂ 改質領域
３１ 半導体チップ
１０ ダイシングテープ
１１ 基材
１１ｅ 外周端
１２ 粘着剤層
１２ｅ 外周端
２０，２１ 接着剤層
２０ｅ 外周端
Ｗ，３０Ａ，３０Ｃ 半導体ウエハ
３０Ｂ 半導体ウエハ分割体
３０ａ 分割溝
３０ｂ 改質領域
３１ 半導体チップ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】