特許7000163IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

概して、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関し、より詳しくは、異なる材料からなる基板上において成長させた、以下の材料：ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの少なくとも１つを用いて得られた少なくとも１つの窒化物（Ｎ）のエピタキシャル層を含むＬＥＤ

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

したがって、本発明の１つの目的は、表面へと伝搬する拡張欠陥の数を減らすことにより、ＬＥＤ、特に緑色ＬＥＤの効率を高めるための解決策を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明のその他の目的、特徴、及び利点は、以下の説明を検討し、添付の図面を参照すれば当業者に明らかとなるであろう。任意の追加の利点が本明細書に含まれることが想定される。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 ウルツ鉱型結晶構造の各種の結晶方向を示す。
【図2】 方向に対するウルツ鉱型結晶構造におけるピエゾ分極の強さを示す。
【図3a】 先行技術文献に記載されている、｛１１１｝方向のファセットの１つの集合から開始するエピタキシャル層の成長を示す。
【図3b】 先行技術文献に記載されている、｛１１１｝方向のファセットの１つの集合から開始するエピタキシャル層の成長を示す。
【図3c】 先行技術文献に記載されている、｛１１１｝方向のファセットの１つの集合から開始するエピタキシャル層の成長を示す。
【図3d】 先行技術文献に記載されている、｛１１１｝方向のファセットの１つの集合から開始するエピタキシャル層の成長を示す。
【図4a】 図４ａ～４ｈからなり、成長後のエピタキシャル層の欠陥密度を減少させることのできる、本発明の１つの実施形態による方法のステップを示す。
【図4b】 図４ａ～４ｈからなり、成長後のエピタキシャル層の欠陥密度を減少させることのできる、本発明の１つの実施形態による方法のステップを示す。
【図4c】 図４ａ～４ｈからなり、成長後のエピタキシャル層の欠陥密度を減少させることのできる、本発明の１つの実施形態による方法のステップを示す。
【図4d】 図４ａ～４ｈからなり、成長後のエピタキシャル層の欠陥密度を減少させることのできる、本発明の１つの実施形態による方法のステップを示す。
【図4e】 図４ａ～４ｈからなり、成長後のエピタキシャル層の欠陥密度を減少させることのできる、本発明の１つの実施形態による方法のステップを示す。
【図4f】 図４ａ～４ｈからなり、成長後のエピタキシャル層の欠陥密度を減少させることのできる、本発明の１つの実施形態による方法のステップを示す。
【図4g】 図４ａ～４ｈからなり、成長後のエピタキシャル層の欠陥密度を減少させることのできる、本発明の１つの実施形態による方法のステップを示す。
【図4h】 図４ａ～４ｈからなり、成長後のエピタキシャル層の欠陥密度を減少させることのできる、本発明の１つの実施形態による方法のステップを示す。
【図5a】 図５ａ及び５ｂからなり、図４ｇ及び４ｈに示される構造の、｛１１１｝方向のファセットを通る、｛１１１｝方向のファセットに垂直であり、且つ平行なトレンチに垂直な断面の２つの断面図である。
【図5b】 図５ａ及び５ｂからなり、図４ｇ及び４ｈに示される構造の、｛１１１｝方向のファセットを通る、｛１１１｝方向のファセットに垂直であり、且つ平行なトレンチに垂直な断面の２つの断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

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