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特許7000570ハウジング内に分析器を有する放射線検出装置及びその使用方法
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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2021-12-27
(45)【発行日】2022-01-20
(54)【発明の名称】ハウジング内に分析器を有する放射線検出装置及びその使用方法
(51)【国際特許分類】
   G01T 1/20 20060101AFI20220112BHJP
【FI】
G01T1/20 L
G01T1/20 E
G01T1/20 C
【請求項の数】 12
(21)【出願番号】P 2020523000
(86)(22)【出願日】2018-10-24
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2021-01-07
(86)【国際出願番号】 US2018057337
(87)【国際公開番号】W WO2019084155
(87)【国際公開日】2019-05-02
【審査請求日】2020-04-23
(31)【優先権主張番号】62/576,623
(32)【優先日】2017-10-24
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】593150863
【氏名又は名称】サン-ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド
【氏名又は名称原語表記】SAINT-GOBAIN CERAMICS AND PLASTICS, INC.
【住所又は居所原語表記】One New Bond Street, Worcester, MA 01615, United States of America
(74)【代理人】
【識別番号】110003281
【氏名又は名称】特許業務法人大塚国際特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100076428
【弁理士】
【氏名又は名称】大塚 康徳
(74)【代理人】
【識別番号】100115071
【弁理士】
【氏名又は名称】大塚 康弘
(74)【代理人】
【識別番号】100112508
【弁理士】
【氏名又は名称】高柳 司郎
(74)【代理人】
【識別番号】100116894
【弁理士】
【氏名又は名称】木村 秀二
(74)【代理人】
【識別番号】100130409
【弁理士】
【氏名又は名称】下山 治
(74)【代理人】
【識別番号】100134175
【弁理士】
【氏名又は名称】永川 行光
(74)【代理人】
【識別番号】100188857
【弁理士】
【氏名又は名称】木下 智文
(74)【代理人】
【識別番号】110000855
【氏名又は名称】特許業務法人浅村特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】フランク、ジョン エム.
(72)【発明者】
【氏名】デュラジ、アルタン
【審査官】藤本 加代子
(56)【参考文献】
【文献】特開2009-025308(JP,A)
【文献】特開平07-306270(JP,A)
【文献】特表2008-525161(JP,A)
【文献】特開2015-099149(JP,A)
【文献】特開平05-264735(JP,A)
【文献】特開2013-002828(JP,A)
【文献】特表2010-527021(JP,A)
【文献】米国特許出願公開第2016/0282476(US,A1)
【文献】米国特許出願公開第2015/0276949(US,A1)
【文献】特開2012-066063(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G01T 1/00-1/16
G01T 1/167-7/12
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
放射線検出装置であって、
ハウジングと、
放射線の吸収に応答してシンチレーション光を放出するシンチレータと、
前記シンチレーション光の受光に応答して電子パルスを生成する1つまたは複数のシリコン光電子増倍管と、
光カプラと、を備え、前記光カプラは前記シンチレータを絶縁するための封止を形成し、前記ハウジングは、前記シンチレータ、前記1つまたは複数のシリコン光電子増倍管、および前記光カプラを含み、前記1つまたは複数のシリコン光電子増倍管の数は前記封止を破ることなく変更できる、放射線検出装置。
【請求項2】
前記1つまたは複数のシリコン光電子増倍管の数が増加する、請求項1に記載の放射線検出装置。
【請求項3】
前記1つまたは複数のシリコン光電子増倍管の数が減少する、請求項1に記載の放射線検出装置。
【請求項4】
前記放射線検出装置の機能性は、前記封止を破ることなく変更できる、請求項1に記載の放射線検出装置。
【請求項5】
前記1つまたは複数のシリコン光電子増倍管は前記光カプラに隣接している、請求項1に記載の放射線検出装置。
【請求項6】
前記1つまたは複数のシリコン光電子増倍管は前記シンチレータに光学的に結合されている、請求項1に記載の放射線検出装置。
【請求項7】
前記光カプラはシリカを含む、請求項1に記載の放射線検出装置。
【請求項8】
前記光カプラは、前記シンチレータを絶縁するために前記ハウジングとの封止を形成する、請求項1に記載の放射線検出装置。
【請求項9】
放射線検出装置を使用する方法であって、
シンチレータ、1つまたは複数のシリコン光電子増倍管、および光カプラを含むハウジングを提供することであって、
前記シンチレータは、放射線の吸収に応答してシンチレーション光を放出するように構成され、
前記1つまたは複数のシリコン光電子増倍管は、前記シンチレーション光の受光に応答して電子パルスを生成するように構成され、
前記光カプラは、前記シンチレータを絶縁するための封止を作成する、提供することと、
前記封止を破ることなく前記放射線検出装置の機能性を変更することであって、前記1つまたは複数のシリコン光電子増倍管の数を変更することを含む、前記機能性を変更することと、を含む方法。
【請求項10】
放射線の吸収に応答して前記シンチレータからシンチレーション光を放出することをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項11】
前記放射線検出装置の前記機能性を変更することは、メモリから命令を削除することをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項12】
前記放射線検出装置の前記機能性を変更することは、インターフェース板を変更することをさらに含み、前記インターフェース板は、前記1つまたは複数のシリコン光電子増倍管に電気的に接続されている、請求項9に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、ハウジング内に分析器を有する放射線検出装置に関する。
【発明の概要】
【0002】
放射線検出装置は、内部に構成要素を有する封止されたハウジングを含み得る。放射線検出装置が実行できる機能は、構成要素によって決定され得る。機能性を変更するには、ハウジングを開いて構成要素を交換する。ハウジングが封止されているか、アクセスが困難な場合があるため、ハウジングを開くことが難しい場合がある(例えば、ウェルホール内や複雑な機器の奥にあるなど)。放射線検出装置のさらなる改善が望まれている。
実施形態は、例として示されており、添付の図に限定されない。
【図面の簡単な説明】
【0003】
図1】一実施形態による放射線検出装置の断面図の例示を含む。
図2図1に示されるようなインターフェース板の底面の例示を含む。
図3図1に示されるようなインターフェース板の上面の例示を含む。
図4図1の放射線検出装置および該装置に結合された外部コネクタの側面図の例示を含む。
図5図1の装置の一部の切り欠き斜視図の例示を含む。
図6図1の装置の配線板およびインターフェース板の一部の斜視図の例示を含む。
図7図1の装置と共に使用することができる異なる蓋の斜視図の例示を含む。
図8図7の蓋の1つの上面図の例示を含む。
図9図7の蓋の1つの底面図の例示を含む。
図10図8および図9の蓋、ならびに電気コネクタおよびOリングの例示を含む。
図11図1の装置で使用され得る制御モジュールの描写を含む。
図12図1の装置を使用する方法のフロー図を含む。
図13】装置間の長さの違いを示すための放射線検出装置の側面図の例示を含む。
【発明を実施するための形態】
【0004】
当業者は、図中の要素が単純化および明瞭化のために示されており、必ずしも縮尺通りに描かれていないことを理解している。例えば、図中の要素のいくつかの寸法は、本発明の実施形態の理解を改善するのを助けるために、他の要素に対して誇張されている場合がある。
【0005】
図面と組み合わせた以下の説明は、本明細書に開示される教示を理解するのを助けるために提供される。以下の説明は、本教示の具体的な実装および実施形態に焦点を合わせるであろう。この焦点は、本教示を説明するのを助けるために提供されており、本教示の範囲または適用性に対する限定として解釈されるべきではない。しかしながら、本出願で開示される教示に基づいて他の実施形態を使用することができる。
【0006】
「化合物半導体」という用語は、少なくとも2つの異なる元素を含む半導体材料を意味することを意図している。例には、0≦x<1として、SiC、SiGe、GaN、InP、AlxGa(1-x)N、CdTeなどが含まれる。III-V族半導体材料は、少なくとも1つの三価金属元素および少なくとも1つの15族元素を含む半導体材料を意味することを意図している。III-N半導体材料は、少なくとも1つの三価金属元素および窒素を含む半導体材料を意味することを意図している。第13族-第15族半導体材料は、少なくとも1つの第13族元素および少なくとも1つの第15族元素を含む半導体材料を意味することを意図している。II-VI半導体材料は、少なくとも1つの二価金属元素および少なくとも1つの16族元素を含む半導体材料を意味することを意図している。
【0007】
「アバランシェフォトダイオード」とは、受光面積が1mm2以上であり、比例モードで動作する単一のフォトダイオードを指す。
【0008】
「SiPM」という用語は、各フォトダイオードが1mm2未満のセルサイズを有し、ガイガーモードで動作する複数のフォトダイオードを含む光電子増倍管を意味することを意図している。SiPMにおけるダイオード用の半導体材料は、シリコン、化合物半導体、または別の半導体材料を含み得る。
【0009】
「備える(comprises)」、「備える(comprising)」、「含む(includes)」、「含む(including)」、「有する(has)」、「有する(having)」という用語、またはそれらの任意の他の変形は、非排他的包含を含むことを意図している。例えば、特徴の列挙を含む方法、物品、または装置は、必ずしもそれらの特徴のみに限定されず、そのような方法、物品、または装置に明示的に列挙されていないかまたは固有ではない他の特徴を含み得る。さらに、そうではないと明示的に述べられていない限り、「または(or)」は、包含的な「または」を指し、排他的な「または」を指さない。例えば、条件AまたはBは、以下のいずれか1つによって満たされる:Aは真(または存在する)かつBは偽(または存在しない)、Aは偽(または存在しない)かつBは真(または存在する)、およびAとBの両方が真(または存在する)である。
【0010】
また、「1つ(a)」または「1つ(an)」の使用は、本明細書に記載の要素および構成要素を説明するために使用される。これは、単に便宜上および本発明の範囲の一般的な意味を与えるために行われている。この説明は、他を意味することが明確でない限り、1つ、少なくとも1つ、または複数も含む単数形、またはその逆を含むように読む必要がある。例えば、本明細書で単一の物品が説明される場合、単一の物品の代わりに複数の物品が使用され得る。同様に、本明細書で複数の物品が説明される場合、それら複数の物品に代えて単一の物品が使用され得る。
【0011】
「約」、「およそ」、または「実質的に」という言葉の使用は、パラメータの値が規定の値または位置に近いことを意味することを意図している。ただし、わずかな違いにより、値または位置が記載どおりにならない場合がある。したがって、値の最大10パーセント(10%)(および半導体ドーピング濃度の最大20パーセント(20%))の差は、説明されているとおりの理想的な目標からの合理的な差である。
【0012】
グループ番号は、IUPAC元素周期表、2016年11月28日付けバージョンに基づく元素周期表内の列に対応する。
【0013】
他に定義されない限り、本明細書において使用される全ての技術的用語および科学的用語は、本発明が属する分野の当業者によって一般的に理解されるのと同じ意味を有する。材料、方法、および例は、例示的なものにすぎず、限定的であることを意図しない。本明細書に記載されていない範囲で、特定の材料および処理行為に関する多くの詳細は従来通りであり、シンチレーション技術、放射線検出技術および測距技術内の教科書およびその他の情報源に見られ得る。
【0014】
放射線検出装置は、分析器が含まれるハウジングから分析器を取り外す必要なしに装置の機能性を変更できるように構成することができる。機能性は、放射線イベントのカウント、様々な種類の放射線の識別(たとえば、ガンマ放射線と中性子との識別)、放射線に対応する同位体の識別、光センサの利得補償の提供、シンチレータの光出力の調整に関する情報の、温度の関数としての提供、別の適切な機能の実行、またはそれらの任意の組み合わせを含む機能をアクティブ化または非アクティブ化することで変更できる。
【0015】
一態様では、放射線検出装置は、放射線の吸収に応答してシンチレーション光を放出するシンチレータと、シンチレーション光の受光に応答して電子パルスを生成する光センサと、放射線の特性を判定するための分析器と、シンチレータ、光センサ、および分析器を含むハウジングと、を含むことができ、放射線検出装置は、分析器をハウジングから取り外すことなく機能性を変更できるように構成されている。
【0016】
一実施形態では、放射線検出装置は、光センサと分析器とに結合されたインターフェース板をさらに含み得る。別の実施形態では、光センサは、半導体ベースの光電子増倍管を含み得る。PMTを備えた放射線検出装置と比較して、半導体ベースの光電子増倍管を備えた放射線検出装置は、よりコンパクトにすることができ、より頑丈にすることができる。半導体ベースの光電子増倍管は、放射線検出装置に接続されたケーブルによって電力を供給することを可能にし、インターフェース板は、半導体ベースの光電子増倍管を動作させるのに十分な電力を供給することができる。図および非限定的な実施形態に注意が向けられる。
【0017】
図1は、放射線検出装置100の実施形態を示す。放射線検出装置100は、軍事用途などのための医用画像化装置、坑井検層装置、セキュリティ検査装置であり得る。放射線検出装置100は、内部に構成要素を含むハウジング110を含む。ハウジングは、取り外し可能に封止されてもよいし、気密に封止されてもよい。特定の実施形態では、ハウジング110は、IP67のIPコード定格に従って封止することができ、IPコードは、国際電気標準会議規格60529、第2.2版(2013)である。
【0018】
ハウジング110は、ガンマ線、イオン化粒子などの放射線の吸収に応答してシンチレーション光を放出する材料を含み得るシンチレータ120を含む。シンチレータ120の例示的で非限定的な材料には、ハロゲン化アルカリ、ハロゲン化希土類、エルパソライト、希土類含有ケイ酸塩、ペロブスカイト酸化物などが含まれる。ハウジング110が封止されると、吸湿性であるか、またはハウジング110に隣接する周囲条件と不利に相互作用する材料を保護することができる。シンチレータ120は、反射体132によって囲まれている。反射体132は、シンチレータ120を横方向に取り囲むことができ、または光センサ152に面する側を除く全ての側でシンチレータを取り囲むことができる。反射体132は、鏡面反射体、拡散反射体、または両方を含み得る。1つまたは複数の弾性部材は、シンチレータ120をハウジング110内の定位置に保つのに役立ち得る。図示の実施形態では、エラストマー材料134が反射体132を取り囲むことができ、シンチレータ120とハウジング110との間にばね136が配置されてもよい。図示されていないが、ばね136とシンチレータ120との間にプレートを使用して、シンチレータ120の表面に沿ってより均一に圧力を分散させてもよい。
【0019】
半導体ベースの光電子増倍管は、光カプラ140を介してシンチレータ120に光学的に結合され得る。光カプラ140は、シンチレータ120を絶縁するためにハウジング110との封止を作成することができる。半導体ベースの光電子増倍管は、SiPMまたはアバランシェフォトダイオードを含み得る。一実施形態では、半導体ベースの光電子増倍管は、1つまたは複数のSiPM152を含み得る。一実施形態では、シンチレータを絶縁するために作成された封止を破ることなく、SiPMの数を変更することができる。一実施形態では、SiPMの数を増やすことができる。別の実施形態では、SiPMの数を減らすことができる。したがって、放射線検出装置の機能性も、封止を破ることなく変更することができる。図示の実施形態に見られるように、SiPM152は、プリント配線板154に取り付けることができる。一実施形態では、SiPM152は、プリント配線板154と光カプラ140との間に存在し得る。一実施形態では、光カプラ140は、シリカとすることができる。別の実施形態では、SiPM152は、エポキシまたはゴムシリコーンを使用して光カプラ140に結合することができる。SiPM152からの電子パルスは、プリント配線板154および電気コネクタ162を介してインターフェース板172に送られ得る。電気コネクタ162は、ワイヤ(図示)、はんだボールなどとすることができる。
【0020】
インターフェース板172は、電子構成要素174、176、および178を含み得る。図2は、追加の電子構成要素272、274、276、および278と、バッテリ、コンデンサなどの電荷蓄積要素210とをさらに含む、インターフェース板172の底面の図を含む。電子構成要素の1つに、ユニバーサル非同期受信機/送信機を含めることができる。電子部品の機能は、図11に示されるような制御モジュールに関して説明され、本明細書内で後述する。別の実施形態では、インターフェース板の底面に示されている構成要素の一部または全ては、インターフェース板172の上面に存在し得る。
【0021】
図3は、インターフェース板172の上面の図を含む。電気コネクタ362は、蓋180を通って、外部コネクタを受け入れるように構成されたコネクタセクション190内に延在し得る。コネクタ362の数および配置、ならびにコネクタセクション190の設計は、使用される外部コネクタの種類に依存し得る。
【0022】
図4は、放射線検出器装置100および放射線装置に接続された外部コネクタ490の側面図を含む。図示した実施形態では、コネクタ490は、封止ブーツ492およびケーブル494を含み得る。この構成は、放射線検出装置100の外部コネクタ490へのIP67封止を可能にする。
【0023】
図5図7は、放射線検出装置100の一部のさらなる図を含む。図5は、放射線検出装置の一部の切り欠き斜視図を含む。図5は、シンチレータ120、反射体132、弾性部材、および光カプラ140を除き、図1に示されるような特徴の全てを含む。図6は、互いに分離されたプリント配線板154およびインターフェース板172を示す。4つのSiPMが示されているが、別の実施形態では、より多いまたはより少ないSiPMが使用され得る。インターフェース板172上の電子部品が図示されているが、参照番号で個別にラベル付けされていない。図7は、蓋782、784、および786の斜視図を含む。蓋782には2つの外部コネクタ792があり、1つは同軸ケーブルコネクタ、もう1つはミニ・ユニバーサル・シリアル・バス・コネクタである。別の実施形態では、より多くのまたは異なるコネクタを使用することができる。必要なまたは望ましい場合、接続に表面実装技術を使用できる。外部コネクタは、放射線検出装置100に電力を供給することができ、電力の少なくとも一部は、インターフェース板172を介して送信されて、半導体ベースの光電子増倍管などの光センサ、さらに具体的にはSiPM152に電力を供給することができる。放射線検出装置100は、キャリアボード154上のSiPM152、インターフェース板172、および蓋などのモジュール式構成要素を含み得る。
【0024】
図8図10は、蓋784に関する図を含む。図8は上面図を含み、図9は底面図を含む。図10は、蓋784、蓋784と共に使用することができるコネクタ1090、および蓋784をハウジング110(図10には図示せず)に封止するのを助けるために使用できるOリング1080を示す。
【0025】
インターフェース板172上の電子構成要素は、図11に示されるように、制御モジュール1100として機能するように構成され得る。半導体ベースの光電子増倍管は、制御モジュール1100内の増幅器1102に結合される。一実施形態では、増幅器1102は、高忠実度増幅器であり得る。増幅器1102は、電子パルスを増幅することができ、増幅された電子パルスは、プロセッサ1122が受信することができるアナログデジタル変換器(「ADC」)1104においてデジタル信号に変換され得る。プロセッサ1122は、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ(「FPGA」)1124または特定用途向け集積回路(「ASIC」)などのプログラム可能/再プログラム可能な処理モジュール(「PRPM」)、メモリ1126、および入力/出力(「I/O」)モジュール1142に結合され得る。結合は、一方向または双方向であり得る。別の実施形態では、より多くの、より少ない、または異なる構成要素を制御モジュール1100で使用することができる。例えば、FPGA1124によって提供される機能は、プロセッサ1122によって実行されてもよく、したがって、FPGA1124は必要とされない。FPGA1124は、プロセッサ1122よりも速く情報に作用することができる。
【0026】
制御モジュール1100は、分析器を含み、1つまたは複数の異なる機能を実行することができる。この機能には、放射線イベントのカウント、様々な種類の放射線の識別、放射線に対応する同位体の識別、光センサの利得補償の提供、シンチレータの光出力の調整に関する情報の、温度の関数としての提供、別の適切な機能の実行、またはそれらの任意の組み合わせがある。分析器は、マルチチャネル分析器であり得る。分析器は、プロセッサ1122、FPGA1124、またはそれらの組み合わせを含み得る。図1および図11を参照すると、インターフェース板172は、SiPM152などの光センサ、および分析器を互いに結合する。一実施形態では、インターフェース板172は、配線ボード154に取り外し可能に結合される。
【0027】
図12は、例示的な実施形態による放射線検出装置100を使用するためのフローチャートを含む。この方法は、図1および図11に関連して説明される。放射線検出装置100に外部コネクタが接続されていない場合、以下に説明する方法の残りを実行する前に、外部コネクタを放射線検出装置100に接続することができる。
【0028】
放射線検出装置100の近くに放射線源が配置され得る。放射線源からの放射線は、シンチレータ120によって吸収され得る。この方法は、ブロック1210において、シンチレータ120からシンチレーション光を放出することを含み得る。放射線の吸収に応答して、シンチレーション光が放出され得る。シンチレーション光は、シンチレーション光の受光に応答して電子パルスを生成することができる半導体ベースの光電子増倍管によって受光され得る。一実施形態では、シンチレータからのシンチレーション光は、光カプラ140を通過してSiPM152に到達する。電子パルスはアナログ信号の例である。この方法は、ブロック1220において、光センサから分析器に信号を送信することをさらに含み得る。図1のSiPM152からの電子パルスは、増幅器1102によって受信され、増幅されて、増幅された信号を生成することができる。
【0029】
必要なまたは望ましい場合、方法は、ブロック1232において、アナログ信号をデジタル信号に変換することを含むことができる。特に、増幅された信号は、ADC1104においてアナログ信号からデジタル信号に変換され得る。分析器はアナログ信号を使用して分析を実行できるため、信号の変換は随意的である。信号は、アナログであろうとデジタルであろうと、プロセッサ1122によって受信され得る。
【0030】
この方法は、ブロック1234において、既存の機能に従って信号を分析することをさらに含み得る。この機能は、制御モジュール1100に関して前述した機能のいずれかを含み得る。この分析を使用して、シンチレータ120によって吸収された放射線の特性を判定することができる。分析は、メモリ1126に格納され得る命令と共にプロセッサ1122によって実行することができ、FPGA1124によって実行することができ、またはプロセッサ1122とFPGA1124との組合せによって実行することができる。
【0031】
この方法はまた、ブロック1100において、放射線検出装置100の機能性を変更することを含み得る。機能性の変更は、機能の非アクティブ化または機能のアクティブ化を含み得る。例えば、既存の機能を無効化したり、新しい機能を追加したり、それらの組み合わせを行ったりしてもよい。特定の実施形態では、放射線検出装置100は、試用期間に使用できる特定の機能を含む多くの機能と共に販売されている場合がある。料金が支払われず、期限切れになった場合、いくつかの機能が無効化され得る。別の特定の実施形態では、放射線検出装置100は、別の機能を含まずに少なくとも1つの機能を提供してもよい。ユーザは追ってアクティブ化料金を支払うことができ、その後に他の機能がアクティブ化され得る。FPGA1124の利点は、それを消去することができ、機能に対応する情報をFPGA1124に書き込むことができることである。あるいは、特定の機能に対応する命令を含むファイルをメモリ1126から削除することができ、別の機能に対応する命令を含む新しいファイルをメモリ1126に格納することができる。一実施形態では、ケーブル494を介してインターフェース板172上の制御モジュール1100に命令を送信して、放射線検出装置100の機能をアクティブ化または非アクティブ化することができる。別の実施形態では、インターフェース板172を取り外して、異なる機能を含む異なるインターフェース板172と交換することができる。したがって、放射線検出装置100の機能性は、ハウジング110から分析器を取り外すことなく変更することができる。この利点は、特に、ハウジング110が封止されたハウジングである場合に役立てることができる。なぜなら、封止を破ってハウジングを再封止する必要がないからである。
【0032】
別の電子パルスを生成する光センサによって受け取られるシンチレーション光を放出するシンチレータ120によってより多くの放射線が吸収され得る。この方法は、ブロック1238において、別の機能に従って別の信号を分析することを含み得る。電子パルスは、他の信号を提供するために、前述の方法と同様に処理され得る。この他の信号は、プロセッサ1122、FPGA1124、またはその両方によって分析され得る。この機能は、放射線の特性を判定するために前述した任意の機能とすることができる。分析は、ブロック1234における前回の分析以降に最近追加された新しい機能に対するものであり得る。
【0033】
半導体ベースの光電子増倍管(photomultiplier)を有する放射線検出装置の実施形態は、光電子増倍管(「photomultiplier tube:PMT」)を有する放射線検出装置と比較して大幅に小さいサイズを可能にすることができる。図13は、2つの異なる放射線検出装置、すなわち、PMTを含むPMT検出器と半導体ベースの光電子増倍管を含むSiPM検出器、および特定の実施形態では複数のSiPM、の側面図を含む。図示された各々の検出器について、ハウジングの長さに沿ってシンチレータ、光センサ、分析器、およびインターフェース板が配向されている。SiPM検出器の場合、光センサ、分析器、およびインターフェース板の組み合わせは、ハウジングの長さの最大50%、最大40%、または最大25%を占める。PMTの場合、光センサ、分析器、およびインターフェース板の組み合わせは、ハウジングの長さの65%以上を占める。
【0034】
さらに、PMTは半導体ベースの光電子増倍管よりも大幅に高い電圧を必要とする。したがって、PMT検出器には分析器が配置されていない。さらに、PMTに必要な電力は、インターフェース板172がサポートする電圧を超える可能性がある。したがって、PMT検出器はより大きいだけでなく、前述の放射線検出器装置に関して前述されたような機能性も提供しない。さらに、本明細書に記載される放射線検出器装置は、PMT検出器と比較して、より頑丈であり、より多くの乱用または厳しい条件に耐えることができる。
【0035】
多くの異なる態様および実施形態が可能である。それらの態様および実施形態のいくつかが以下に説明される。本明細書を読んだ後、当業者は、それらの態様および実施形態が例示にすぎず、本発明の範囲を限定しないことを理解するであろう。実施形態は、以下に列挙される実施形態のうちのいずれか1つまたはそれ以上に従い得る。
【0036】
実施形態1。放射線検出装置であって、放射線の吸収に応答してシンチレーション光を放出するシンチレータと、シンチレーション光の受光に応答して電子パルスを生成する光センサと、放射線の特性を判定するための分析器と、シンチレータ、光センサ、および分析器を含むハウジングと、を備え、放射線検出装置は、分析器をハウジングから取り外すことなく機能性を変更できるように構成されている、放射線検出装置。
【0037】
実施形態2。機能性は、放射線イベントのカウント、異なる種類の放射線の識別、放射線に対応する同位体の識別、光センサの利得補償の提供、シンチレータの光出力の調整に関する情報の、温度の関数としての提供、またはそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態1に記載の放射線検出装置。
【0038】
実施形態3。光センサと分析器とに結合されたインターフェース板をさらに含む、実施形態1または2に記載の放射線検出装置。
【0039】
実施形態4。放射線検出装置を使用する方法であって、シンチレータ、光センサ、および分析器を含むハウジングを提供することであって、シンチレータは、放射線の吸収に応答してシンチレーション光を放出するように構成され、光センサは、シンチレーション光の受光に応答して電子パルスを生成するように構成され、分析器は、放射線の特性を判定するように構成されている、提供することと、分析器をハウジングから取り外すことなく、放射線検出装置の機能性を変更することと、を含む方法。
【0040】
実施形態5。機能性を変更することは、放射線イベントのカウント、異なる種類の放射線の識別、放射線に対応する同位体の識別、光センサの利得補償の提供、シンチレータの光出力の調整に関する情報の、温度の関数としての提供、またはそれらの任意の組み合わせを含む機能のアクティブ化または非アクティブ化を含む、実施形態4に記載の方法。
【0041】
実施形態6。放射線に対応する信号を分析することをさらに含む、実施形態4または5に記載の方法。
【0042】
実施形態7。機能性を変更した後、機能に従って信号を分析することをさらに含み、機能性を変更することは機能をアクティブ化するために実行される、実施形態6に記載の方法。
【0043】
実施形態8。機能性を変更する前に機能に従って放射線に対応する信号を分析することをさらに含み、機能性を変更することは機能を非アクティブ化するために実行される、実施形態6に記載の方法。
【0044】
実施形態9。ハウジングを提供することは、封止されたハウジングを提供することを含む、実施形態4~8のいずれか1つに記載の方法。
【0045】
実施形態10。機能性を変更することは、封止されたハウジングの封止を破ることなく実行される、実施形態9に記載の方法。
【0046】
実施形態11。放射線の吸収に応答してシンチレータからシンチレーション光を放出することと、光センサから分析器に信号を送信することと、をさらに含む、実施形態3~10のいずれか1つに記載の方法。
【0047】
実施形態12。光センサからの信号がアナログ信号である、実施形態11に記載の方法。
【0048】
実施形態13。アナログ信号をデジタル信号に変換することをさらに含む、実施形態12に記載の方法。
【0049】
実施形態14。放射線検出装置に外部コネクタを接続することをさらに含む、実施形態4~13のいずれか1つに記載の方法。
【0050】
実施形態15。外部コネクタを接続することは、放射線検出装置に同軸ケーブルコネクタ、ユニバーサル・シリアル・バス・コネクタ、表面実装技術コネクタを接続することを含む、実施形態14に記載の方法。
【0051】
実施形態16。外部コネクタを接続することは、外部コネクタを接続してIP67のIPコード定格を提供することを含み、IPコードは、国際電気標準会議規格60529、第2.2版(2013)である、実施形態14または15に記載の方法。
【0052】
実施形態17。ハウジングを提供することは、光センサと分析器とに結合されたインターフェース板をさらに備えるハウジングを提供することを含む、実施形態4~16のいずれか1つに記載の方法。
【0053】
実施形態18。インターフェース板を介して外部供給源から光センサに電力を送信することをさらに含む、実施形態17に記載の方法。
【0054】
実施形態19。分析器はマルチチャネル分析器を含む、実施形態1に記載の放射線検出装置または実施形態18に記載の方法。
【0055】
実施形態20。インターフェース板はユニバーサル非同期受信機/送信機をさらに含む、実施形態1~19のいずれか1つに記載の放射線検出装置または方法。
【0056】
実施形態21。ハウジングは、同軸ケーブルコネクタ、ユニバーサルシリアルバスコネクタ、または表面実装技術コネクタを含む外部コネクタをさらに含む、実施形態1~14および実施形態17~20のいずれか1つに記載の放射線検出装置または方法。
【0057】
実施形態22。外部コネクタは、IP67のIPコード定格を可能にし、IPコードは、国際電気標準会議規格60529、第2.2版(2013)である、実施形態21に記載の放射線検出装置または方法。
【0058】
実施形態23。インターフェース板は、光センサに電力を供給するようにさらに構成されている、実施形態3に記載の放射線検出装置および実施形態17~22のいずれか1つに記載の放射線検出装置または方法。
【0059】
実施形態24。光センサは半導体ベースの光電子増倍管である、実施形態1~23のいずれか1つに記載の放射線検出装置または方法。
【0060】
実施形態25。半導体ベースの光電子増倍管はSiPMである、実施形態24に記載の放射線検出装置または方法。
【0061】
実施形態26。半導体ベースの光電子増倍管はアバランシェフォトダイオードである、実施形態24に記載の放射線検出装置または方法。
【0062】
実施形態27。光センサは、シンチレータとインターフェース板との間に配置された配線板に搭載されている、実施形態3に記載の放射線検出装置および実施形態17~26のいずれか1つに記載の放射線検出装置または方法。
【0063】
実施形態28。シンチレータ、光センサ、分析器、およびインターフェース板が、ハウジングの長さに沿って配向されており、光センサ、分析器、およびインターフェース板の組み合わせは、ハウジングの長さの最大50%、最大40%、または最大25%を占める、実施形態3に記載の放射線検出装置および実施形態17~27のいずれか1つに記載の放射線検出装置または方法。
【0064】
実施形態29。放射線検出装置であって、ハウジングと、放射線の吸収に応答してシンチレーション光を放出するシンチレータと、シンチレーション光の受光に応答して電子パルスを生成する1つまたは複数のシリコン光電子増倍管と、光カプラと、を備え、光カプラは、シンチレータを絶縁するための封止を作成し、ハウジングはシンチレータ、1つまたは複数のシリコン光電子増倍管、および光カプラを含み、1つまたは複数のシリコン光電子増倍管の数は封止を破ることなく変更できる、放射線検出装置。
【0065】
実施形態30。1つまたは複数のシリコン光電子増倍管の数が増加する、実施形態29に記載の放射線検出装置。
【0066】
実施形態31。1つまたは複数のシリコン光電子増倍管の数が減少する、実施形態29に記載の放射線検出装置。
【0067】
実施形態32。放射線検出装置の機能性は、封止を破ることなく変更できる、実施形態29に記載の放射線検出装置。
【0068】
実施形態33。1つまたは複数のシリコン光電子増倍管は光カプラに隣接している、実施形態29に記載の放射線検出装置。
【0069】
実施形態34。1つまたは複数のシリコン光電子増倍管はシンチレータに光学的に結合される、実施形態29に記載の放射線検出装置。
【0070】
実施形態35。光カプラはシリカを含む、実施形態29に記載の放射線検出装置。
【0071】
実施形態36。光カプラは、シンチレータを絶縁するためにハウジングとの封止を形成する、実施形態29に記載の放射線検出装置。
【0072】
実施形態37。放射線検出装置を使用する方法であって、シンチレータ、光センサ、および光カプラを含むハウジングを提供することであって、シンチレータは、放射線の吸収に応答してシンチレーション光を放出するように構成され、光センサは、シンチレーション光の受光に応答して電子パルスを生成するように構成され、光カプラは、シンチレータを絶縁するための封止を作成する、提供することと、封止を破ることなく放射線検出装置の機能性を変更することと、を含む、方法。
【0073】
実施形態38。機能性を変更することは、光センサの数を変更することを含む、実施形態37に記載の方法。
【0074】
実施形態39。光センサは、半導体ベースの光電子増倍管である、実施形態37に記載の方法。
【0075】
実施形態40。半導体ベースの光電子増倍管は、1つまたは複数のシリコン光電子増倍管を含む、実施形態39に記載の方法。
【0076】
実施形態41。放射線の吸収に応答してシンチレータからシンチレーション光を放出することをさらに含む、実施形態37に記載の方法。
【0077】
実施形態42。光カプラは、シンチレータを絶縁するためにハウジングとの封止を作成する、実施形態37に記載の方法。
【0078】
上記の一般的な説明または例で説明した機能の全てが必要なわけではなく、特定の機能の一部が必要でない場合があり、説明した機能に加えて1つ以上の機能を実行できることに留意されたい。さらにまた、機能が記載される順序は、必ずしも実行される順序ではない。
【0079】
特定の実施形態に関して、利益、他の利点、および課題の解決策が上述されている。しかしながら、利益、利点、課題の解決策、および任意の利益、利点、または解決策を発生させるまたはより明確にさせることができる任意の特徴は、任意または全ての請求項の重要な、必要な、または本質的な特徴として解釈されるべきではない。
【0080】
本明細書に記載された実施形態の明細書および例示は、様々な実施形態の構造の一般的な理解を提供することを意図している。明細書および図は、本明細書に記載の構造または方法を使用する1つまたは複数の装置の全ての要素および特徴の網羅的かつ包括的な説明として役立てることを意図するものではない。別個の実施形態はまた、単一の実施形態において組み合わせて提供されてもよく、逆に、簡潔にするために、単一の実施形態の文脈で説明されている様々な特徴もまた、別個にまたは任意のサブコンビネーションで提供されてもよい。さらに、範囲に記載されている値への言及は、言及された終了範囲の値を含む、その範囲内の全ての値を含む。本明細書を読んだ後であれば、他の多くの実施形態が当業者にとって明らかであろう。本開示の範囲から逸脱することなく、構造的置換、論理的置換、または他の変更が行われ得るように、他の実施形態が使用され、本開示から導出され得る。したがって、本開示は、限定的ではなく例示的とみなされるべきである。
図1
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図10
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