特許7005007IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

式(I) TIFF 0007005007000001.tif 48 170 の化合物又はその塩の新規な固体形態並びにその製造方法、これらの固体形態を含む薬学的組成物、並びにそれらの医薬としての使用

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 形態AのXRPDパターンである。
【図2】 形態BのXRPDパターンである。
【図3】 形態BのXRPDパターンである。
【図4】 形態CのXRPDパターンである。
【図5】 形態AのFTIRヌジョールスペクトルである。
【図6】 形態BのFTIRヌジョールスペクトルである。
【図7】 形態AのFT-ラマンスペクトルである(x軸の単位はラマン波数シフト(cm-1)、y軸の単位は任意の強度単位である)。
【図8】 形態AのFT-ラマンスペクトルの指紋領域である(x軸の単位はラマン波数シフト(cm-1)、y軸の単位は任意の強度単位である)。
【図9】 形態BのFT-ラマンスペクトルである(x軸の単位はラマン波数シフト(cm-1)、y軸の単位は任意の強度単位である)。
【図10】 形態BのFT-ラマンスペクトルの指紋領域である(x軸の単位はラマン波数シフト(cm-1)、y軸の単位は任意の強度単位である)。
【図11】 形態Aの粒子のSEM顕微鏡写真である(二次電子検出器、高電圧3.00kV、作動距離7.8mm、倍率50倍)。
【図12】 形態Aの粒子のSEM顕微鏡写真である(二次電子検出器、高電圧3.00kV、作動距離7.7mm、倍率200倍)。
【図13】 形態Bの粒子のSEM顕微鏡写真である(二次電子検出器、高電圧3.00kV、作動距離7.4mm、倍率50倍)。
【図14】 形態Bの粒子のSEM顕微鏡写真である(二次電子検出器、高電圧3.00kV、作動距離7.4mm、倍率200倍)。
【図15】 形態BのXRPDパターンである。
【図16】 形態BのXRPDパターンである。

代表図 図1本件の代表的な図

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