特許 7006670 磁気センサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-01-11

(45)【発行日】2022-01-24

(54)【発明の名称】磁気センサ

(51)【国際特許分類】

   G01R 33/02 20060101AFI20220117BHJP

   G01R 33/09 20060101ALI20220117BHJP

   H01L 43/08 20060101ALI20220117BHJP

【ＦＩ】

G01R33/02 V

G01R33/09

H01L43/08 Z

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2019193474

(22)【出願日】2019-10-24

(65)【公開番号】P2021067568

(43)【公開日】2021-04-30

【審査請求日】2020-09-16

(73)【特許権者】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100123788

【弁理士】

【氏名又は名称】宮崎 昭夫

(74)【代理人】

【識別番号】100127454

【弁理士】

【氏名又は名称】緒方 雅昭

(72)【発明者】

【氏名】原田 健太郎

(72)【発明者】

【氏名】梅原 剛

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼野 研一

【審査官】田口 孝明

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１９／１３９１１０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特表２０１７－５０２２９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１６／０３１３１２２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１９－０７４４８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１７／２０４１５１（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

ＩＰＣ Ｇ０１Ｒ ３３／００－３３／２６、

Ｈ０１Ｌ ２７／２２、

２９／８２、

４３／００－４３／１４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の軟磁性層と、
前記第１の軟磁性層の厚さ方向において前記第１の軟磁性層と異なる位置に設けられた一対の第２の軟磁性層と、
前記厚さ方向において前記第１の軟磁性層と前記第２の軟磁性層との間に設けられ、前記一対の第２の軟磁性層の配列方向と平行な磁界検出方向を有する磁界検出素子と、を有し、
前記磁界検出素子が設置される領域は、前記配列方向における前記第１の軟磁性層の中央部と対向する位置に設けられ、
前記厚さ方向からみて、前記一対の第２の軟磁性層は前記第１の軟磁性層の中心の両側に位置している、磁気センサ。

【請求項2】

前記厚さ方向からみて、前記磁界検出素子の少なくとも一部は前記一対の第２の軟磁性層の間に位置する、請求項１に記載の磁気センサ。

【請求項3】

前記厚さ方向からみて、前記一対の第２の軟磁性層は前記第１の軟磁性層と重なっている、請求項１または２に記載の磁気センサ。

【請求項4】

前記厚さ方向からみて、前記一対の第２の軟磁性層は前記第１の軟磁性層から離れている、請求項１または２に記載の磁気センサ。

【請求項5】

複数の第１の軟磁性層と、複数の第２の軟磁性層と、ブリッジ回路を構成する複数の磁界検出素子と、を有し、
複数の第２の軟磁性層は、前記磁界検出素子と交互に位置するように所定の配列方向に沿って配列され、
前記第１の軟磁性層の厚さ方向において、前記第２の軟磁性層は前記第１の軟磁性層と異なる位置に設けられ、前記磁界検出素子は、前記第１の軟磁性層と前記第２の軟磁性層との間に設けられ、
前記磁界検出素子は、前記配列方向と平行な磁界検出方向を有し、前記磁界検出素子が設置される領域は、前記配列方向における前記第１の軟磁性層の中央部と対向する位置に設けられ、
前記厚さ方向からみて、前記第２の軟磁性層は各第１の軟磁性層の中心の両側に位置している、磁気センサ。

【請求項6】

前記複数の磁界検出素子は４つの磁界検出素子であり、２つの前記磁界検出素子が前記磁界検出方向方向に互いに隣接して第１の列を、他の２つの前記磁界検出素子が前記磁界検出方向方向に互いに隣接して第２の列を形成し、
前記第１の列と前記第２の列は前記磁界検出方向と直交する方向に互いに隣接し、
前記厚さ方向からみて、各列の前記磁界検出素子の中心と前記第２の軟磁性層の中心は、前記第１の軟磁性層の中心より前記第１の列と前記第２の列の境界に近接している、請求項５に記載の磁気センサ。

【請求項7】

前記第２の軟磁性層の前記第１の軟磁性層と対向する縁部は面取りされている、請求項１から６のいずれか１項に記載の磁気センサ。

【請求項8】

前記磁界検出素子はＴＭＲ素子を有する、請求項１から７のいずれか１項に記載の磁気センサ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、磁気センサに関する。

【背景技術】

【0002】

磁気センサは特定の方向（磁界検出方向）の磁界を検出する。磁気センサは磁界検出素子を備えている。ＴＭＲ素子に代表される磁気抵抗効果を用いた磁界検出素子は、大きな磁界の検出時に磁気的に飽和する可能性が高いため、磁界検出素子の近傍に磁界を減衰させるための遮へい構造を設けることがある。特許文献１には感知素子の近傍に減衰器が、基準素子の近傍に遮へい体が設けられた磁気センサが開示されている。減衰器と遮へい体は軟磁性体などで形成され、同一平面上に磁界検出方向に交互に配置されている。感知素子は減衰器の直下に、基準素子は遮へい体の直下に、すなわち減衰器と遮へい体に対して同じ側に設けられている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１７－５０２２９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

磁気センサは磁界検出方向の磁界だけを検出することが望まれるが、通常、外部磁界は磁界検出方向以外の成分も含んでいる。磁界検出方向以外の磁界成分は磁気センサのノイズ源となり、ＳＮ比を低下させる。特許文献１に記載された磁気センサは磁界検出方向の磁界を減衰させることができるが、磁界検出方向と直交する方向の磁界については何ら開示されていない。

【0005】

本発明は、磁界検出方向と直交する方向の磁界を磁界検出方向の磁界よりも高い比率で減衰させることができる磁気センサを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の磁気センサは、第１の軟磁性層と、第１の軟磁性層の厚さ方向において第１の軟磁性層と異なる位置に設けられた一対の第２の軟磁性層と、厚さ方向において第１の軟磁性層と第２の軟磁性層との間に設けられ、一対の第２の軟磁性層の配列方向と平行な磁界検出方向を有する磁界検出素子と、を有している。磁界検出素子が設置される領域は、上記配列方向における第１の軟磁性層の中央部と対向する位置に設けられている。厚さ方向からみて、一対の第２の軟磁性層は第１の軟磁性層の中心の両側に位置し、磁界検出素子は第１の軟磁性層の周縁部の内側に位置している。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、磁界検出方向と直交する方向の磁界を磁界検出方向の磁界よりも高い比率で減衰させることができる磁気センサを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１の実施形態に係る磁気センサの概念図である。

【図2】図１に示す磁気センサに外部磁界を印加したときの磁束密度の例である。

【図3】第２の実施形態に係る磁気センサの概念図である。

【図4】第２の実施形態に係る磁気センサの概念図である。

【図5】図２に示す磁気センサに外部磁界を印加したときの磁束密度の例である。

【図6】第３の実施形態に係る磁気センサの概念図である。

【図7】図３に示す磁気センサに外部磁界を印加したときの磁束密度の例である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して本発明の磁気センサのいくつかの実施形態について説明する。以下の説明及び図面において、Ｘ方向は磁気センサの磁界検出方向と平行な方向、あるいは一対の第２の軟磁性層の配列方向と平行な方向である。Ｙ方向は一対の第２の軟磁性層の互いに対向する縁部と平行な方向であり、磁界検出素子のバイアス磁界の向きと一致する。Ｚ方向はＸ方向及びＹ方向と直交する方向であり、第１の軟磁性層、第２の軟磁性層及び磁界検出素子の厚さ方向と一致する。Ｘ方向の磁界は信号磁界であり、Ｙ方向の磁界は遮へい対象の磁界である。

【0010】

（第１の実施形態）
図１は第１の実施形態に係る磁気センサ１の概念図であり、図１（ａ）は磁気センサ１の斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ－Ａ線で切断した断面図を示している。磁気センサ１は、磁界検出素子２と、第１の軟磁性層３と、一対の第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂと、を有している。磁界検出素子２は直列接続された複数のＴＭＲ素子（図示せず）から構成されている。各ＴＭＲ素子のフリー層の磁化方向は、外部磁化のない状態では、バイアス磁石（図示せず）によってＹ方向を向いている。Ｘ方向に外部磁界（信号磁界）が印加されると、フリー層の磁化方向が外部磁界の大きさに応じてＸ－Ｙ面内をＸ方向に回転し、ＴＭＲ素子の電気抵抗が変化する。磁気センサ１は電気抵抗に応じた電圧を出力し、それによってＸ方向の磁界強度が求められる。

【0011】

第１の軟磁性層３はパーマロイ（ＮｉＦｅ）などの軟磁性層からなる薄膜であり、メッキやスパッタリングによって形成される。Ｚ方向からみて、第１の軟磁性層３は長方形であり、磁界検出素子２は第１の軟磁性層３に含まれている。換言すれば、Ｚ方向からみて、磁界検出素子２は第１の軟磁性層３の周縁部３１の内側に位置しており、磁界検出素子２の周縁部２１は第１の軟磁性層３の周縁部３１と重なっていない。第１の軟磁性層３のＺ方向からみた形状は磁界検出素子２の形状に応じて決定することができる。例えば磁界検出素子２がＹ方向に長いバー形状であるときは、第１の軟磁性層３もＹ方向に長いバー形状とすることができる。第１の軟磁性層３と磁界検出素子２との間にはＺ方向にギャップＧ１が設けられている。

【0012】

一対の第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂは、Ｚ方向において第１の軟磁性層３と異なる位置ないしレベルに設けられている。第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂは、Ｚ方向において同じレベルに設けられている。すなわち、第１の軟磁性層３と一対の第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂとの間にはＺ方向にギャップＧ２が設けられている。磁界検出素子２はＺ方向において第１の軟磁性層３と第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂとの間に設けられている。このように、第１の軟磁性層３と磁界検出素子２と一対の第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂは３層構成をなしており、かつＺ方向に互いに分離されている。第１の軟磁性層３と磁界検出素子２との間、及び磁界検出素子２と一対の第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂとの間は、アルミナなどの非磁性材料が充填されている。Ｚ方向からみて（すなわち、Ｘ方向において）、一対の第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂは第１の軟磁性層３の中心ＣのＸ方向両側に位置し、且つ第１の軟磁性層３と重なっている。Ｚ方向からみて（すなわち、Ｘ方向において）、磁界検出素子２は一対の第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂの間に位置しており、第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂのいずれからも離れている。

【0013】

図２（ａ）はＸ方向に磁束密度１０ｍＴの外部磁界を印加したときの磁束密度（Ｂｘ）を、図２（ｂ）はＹ方向に磁束密度１０ｍＴの外部磁界を印加したときの磁束密度（Ｂｙ）を示している。実施例は本実施形態に対応し、比較例１では第１の軟磁性層３だけが設けられ、比較例２では一対の第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂだけが設けられている。Ｂｘ及びＢｙは磁界検出素子２の設置される領域における平均値であり、図中に磁界検出素子２の設置されるＸ方向の領域を記載している。比較例１では、磁界検出素子２の設置される領域でＢｘ，Ｂｙとも低い値を示している。これは第１の軟磁性層３が磁界を弱めるシールドとして機能していることを示している。比較例２では、磁界検出素子２の設置される領域でＢｘ，Ｂｙとも大きな値を示している。これは第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂが磁界を強めるヨークとして機能していることを示している。表１はＸ方向の磁場透過率Ｐｘに対するＹ方向の磁場透過率Ｐｙの比Ｐｙ／Ｐｘを示している。磁場透過率Ｐｘ，Ｐｙは、磁場透過率が求められる場所における磁束密度の、外部磁界により生じる磁束密度の比として定義される。比較例１に対する比較例２の増加率はＸ方向の方がＹ方向よりも大きい。このため、Ｐｙ／Ｐｘは比較例１より比較例２の方が小さい。実施例は磁界検出素子２の設置される領域で、比較例１より大きな磁束密度Ｂｘを示している。これに対して、磁束密度Ｂｙは比較例１とほとんど同じである。この結果、Ｐｙ／Ｐｘは比較例２よりも小さくなっている。すなわち、実施例は信号磁場を透過させ信号磁場と直交する磁場を減衰させる性能が高く、信号磁場と異なる方向から印加される外乱磁場に強い。また、比較例２はＢｘ，Ｂｙとも大きな値を示しているため、外部磁場が大きいときは磁気センサ１の出力が飽和し、測定精度が低下する可能性がある。

【0014】

【表1】

【0015】

表２、３は、Ｚ方向からみた第１の軟磁性層３と第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂの重なり長さＤ（図１（ｂ）参照）をパラメータとしたときの、Ｘ方向磁場透過率Ｐｘと、Ｙ方向磁場透過率Ｐｙと、それらの比Ｐｙ／Ｐｘと、を示している。Ｘ方向磁場透過率ＰｘはＸ方向に１０ｍＴの外部磁界を掛けたときの値であり、Ｙ方向磁場透過率ＰｙはＹ方向に１０ｍＴの外部磁界を掛けたときの値である。Ｄが負の場合、第１の軟磁性層３と第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂは重なっておらず、第１の軟磁性層３と第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂの離間距離がＤの負値で示されている。表２は第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂの幅Ｗ（図１（ｂ）参照）が１２μｍ、表３は第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂの幅Ｗが２４μｍの場合を示している。

【0016】

【表2】

【0017】

【表3】

【0018】

表２、３からわかる通り、重なりの有無や重なり長さＤはＰｙ／Ｐｘに対して有意な差を与えず、他の要因で適宜選択することができる。すなわち、Ｚ方向からみて、一対の第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂは第１の軟磁性層３から離れていてもよい。例えば、第１の軟磁性層３と第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂの重なり長さＤを増加することで、磁気センサ１のＸ方向寸法を短縮することができる。第１の軟磁性層３と第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂが重ならないようにすれば、第１の軟磁性層３の広い範囲でＢｙの小さい領域を確保することができるため、磁界検出素子２のＸ方向の設置領域を拡大することができる。

【0019】

（第２の実施形態）
図３は第２の実施形態に係る磁気センサ１の概念図であり、図３（ａ）は磁気センサ１の斜視図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ－Ａ線で切断した断面図を示している。本実施形態では４つの磁界検出素子（第１～第４の磁界検出素子２Ａ～２Ｄ）が設けられている。図４（ａ）は磁気センサ１の平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）に対応する磁気センサ１の概略回路構成を示している。磁界検出素子２Ａ～２Ｄがブリッジ回路（ホイートストンブリッジ）で相互に接続されている。４つの磁界検出素子２Ａ～２Ｄは２つの組２Ａ，２Ｂ及び２Ｃ，２Ｄに分割され、それぞれの組の磁界検出素子２Ａ，２Ｂ及び磁界検出素子２Ｃ，２Ｄが直列接続されている。磁界検出素子２の組２Ａ，２Ｂ及び２Ｃ，２Ｄのそれぞれの一端が電源電圧Ｖｃｃに接続され、他端が接地（ＧＮＤ）されている。また、第１の磁界検出素子２Ａと第２の磁界検出素子２Ｂの間の中点電圧Ｖ１と、第３の磁界検出素子２Ｃと第４の磁界検出素子２Ｄの間の中点電圧Ｖ２が取り出されるようにされている。従って、第１～第４の磁界検出素子２Ａ～２Ｄの電気抵抗をそれぞれＲ１～Ｒ４とすると、中点電圧Ｖ１、Ｖ２はそれぞれ下式のように求められる。

【0020】

【数1】

【0021】

【数2】

【0022】

中点電圧Ｖ１，Ｖ２の差分Ｖ１－Ｖ２を検出することで、中点電圧Ｖ１，Ｖ２を検出する場合と比べて２倍の感度が得られる。また、中点電圧Ｖ１，Ｖ２がオフセットしている場合も差分を検出することでオフセットの影響を排除することができる。

【0023】

本実施形態の磁気センサ１は、各々が磁界検出素子と第１の軟磁性層と一対の第２の軟磁性層からなる複数の組５Ａ～５Ｄを有している。第１の組５Ａは磁界検出素子２Ａと、第１の軟磁性層３Ａと、一対の第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂとを有し、第２の組５Ｂは磁界検出素子２Ｂと、第１の軟磁性層３Ｂと、一対の第２の軟磁性層４Ｂ，４Ｃとを有し、第３の組５Ｃは磁界検出素子２Ｃと、第１の軟磁性層３Ｃと、一対の第２の軟磁性層４Ｄ，４Ｅとを有し、第４の組５Ｄは磁界検出素子２Ｄと、第１の軟磁性層３Ｄと、一対の第２の軟磁性層４Ｅ，４Ｆとを有している。第１の組５Ａと第２の組５Ｂが磁界検出方向Ｘに互いに隣接し、第３の組５Ｃと第４の組５Ｄが磁界検出方向Ｘに互いに隣接している。第１の組５Ａと第２の組５Ｂが磁界検出方向Ｘに互いに隣接して第１の列６Ａを、第３の組５Ｃと第４の組５Ｄが磁界検出方向Ｘに互いに隣接して第２の列６Ｂを形成している。第１の列６Ａと第２の列６Ｂは磁界検出方向と直交する方向Ｙに互いに隣接している。第１の組５Ａの一方の第２の軟磁性層４Ｂは、隣接する第２の組５Ｂの一方の第２の軟磁性層４Ｂと一体化されている。同様に、第３の組５Ｃの一方の第２の軟磁性層４Ｅは、隣接する第４の組５Ｄの一方の第４の軟磁性層４Ｅと一体化されている。

【0024】

図５は（ａ）はＸ方向に１０ｍＴ及び１００ｍＴの外部磁界を印加したときの磁束密度（Ｂｘ）を、図５（ｂ）はＹ方向に１０ｍＴ及び１００ｍＴの外部磁界を印加したときの磁束密度（Ｂｙ）を示している。Ｂｘ及びＢｙは磁界検出素子２Ａ～２Ｄの設置される領域における平均値である。磁界検出素子２Ａ～２Ｄの設置領域ではＢｘが大きく、Ｂｙが小さい。１０ｍＴ、１００ｍＴの場合ともＸ方向磁場透過率Ｐｘは２３％、Ｙ方向磁場透過率Ｐｙは４％、Ｐｙ／Ｐｘは約１７％であった。

【0025】

Ｚ方向からみて、各組の磁界検出素子２Ａ～２Ｄの中心Ｃ１と一対の第２の軟磁性層４Ａ～４Ｆの中心Ｃ２は、第１の軟磁性層３の中心Ｃ３より第１の列６Ａと第２の列６Ｂの境界に近接している。これによって、磁界検出素子２Ａ～２Ｄの設置領域におけるＢｘのばらつきを抑えることができる。磁界検出素子２Ａ～２Ｄの設置領域内でＢｘの大きさがばらつくと、磁界検出素子２Ａ～２Ｄを構成する個々のＭＲ素子の出力がばらつく。この結果、磁界検出素子２Ａ～２Ｄの出力が縁部７の影響を受けやすくなる。ばらつきを抑えることで、磁界検出素子２Ａ～２Ｄの設計自由度が高められる。

【0026】

（第３の実施形態）
図６は第３の実施形態に係る磁気センサ１の概念図であり、図６（ａ）は磁気センサ１の斜視図、図６（ｂ）は図１（ａ）のＡ－Ａ線で切断した断面図を示している。本実施形態は第２の実施形態の変形例であるが、第１の実施形態に対しても同様に適用することができる。第２の軟磁性層４Ａ～４Ｆの第１の軟磁性層３と対向する縁部７は面取りされている。図７はＸ方向に１０ｍＴの外部磁界を印加したときの磁束密度（Ｂｘ）を示している。面取りがない場合、磁界検出素子２の設置領域のＸ方向端部付近（ほぼ第２の軟磁性層４Ａ～４Ｆの縁部７に一致する）でＢｘのピークが見られる。鋭い縁部７には磁束が集中するため、その近傍で磁束密度が増加する。この結果、磁界検出素子２Ａ～２Ｄの設置領域内でＢｘの大きさがばらつく。縁部７を面取りすることで、図に示すように第２の軟磁性層４Ａ～４Ｆの縁部７の磁束密度が低下し、磁界検出素子２Ａ～２Ｄの設置領域内でＢｘの大きさがより平準化される。これによって、第２の実施形態で述べた効果がさらに増大する。

【0027】

以上説明したように、上述の各実施形態では第１の軟磁性層３（または３Ａ～３Ｄ）と第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂ（または４Ａ～４Ｆ）が異なるレベルに配置されている。このため、第１の軟磁性層３と第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂの配置の自由度が増大する。例えば、第１の軟磁性層３と第２の軟磁性層４Ａ，４ＢのＸ方向の重なりＤや第１の軟磁性層３と第２の軟磁性層４Ａ，４ＢのＺ方向のギャップＧ２の寸法Ｈ（図１（ｂ）参照）を調整することで、ヨークとして機能する第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂの集磁性能を調整することができる。表４にはギャップＧ２の寸法Ｈを変えたときの磁界検出素子２の設置領域におけるＸ方向の平均磁場透過率を示している。磁界検出素子２と第１の軟磁性層３とのギャップＧ１は１μｍとしている。ギャップＧ２の寸法Ｈを変えることで平均磁場透過率を調整することができる。一般に、平均磁場透過率が高いほど磁気センサ１の感度は向上するが、信号磁場が高いときには逆に信号磁場を低減する必要が生じることがある。このように、上述した各実施形態では平均磁場透過率を調整が容易である。

【0028】

【表4】

【0029】

上述の各実施形態では一つの磁界検出素子２に一つに第１の軟磁性層３が組み合わされている。第１の軟磁性層３はＺ方向からみて磁界検出素子２を覆う大きさを有しており、製造誤差による影響を受けにくい。このため、磁気センサ１の歩留まりを向上させることができる。第１の軟磁性層３の形状も特に限定されないため、磁界検出素子２の設計に合わせた最適な形状及び大きさの第１の軟磁性層３を採用することができる。

【0030】

第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂの形状も限定されない。例えば、第２の軟磁性層４Ａ，４ＢがＹ方向に長い形状である場合、Ｙ方向の磁化が飽和しやすい。本実施形態ではＺ方向からみた第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂのアスペクト比が限定されないため、最適な形状の第２の軟磁性層４Ａ，４Ｂを採用することができる。

【0031】

本発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、磁界検出素子２はＺ方向からみて第２の磁界検出素子２のいずれかまたは双方と重なっていてもよい。第２及び第３の実施形態において、ブリッジ回路を構成する４つの磁界検出素子２は１列に配置されていてもよい。すなわち、複数の組５Ａ～５Ｄの少なくとも一部が磁界検出方向に互いに隣接していればよい。

【符号の説明】

【0032】

１ 磁気センサ
２，２Ａ～２Ｄ 磁界検出素子
３，３Ａ～３Ｄ 第１の軟磁性層
４Ａ～４Ｆ 第２の軟磁性層
Ｘ 磁界検出方向
Ｚ 厚さ方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】