特許7007106 | 知財ポータル「IP Force」

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 三星ディスプレイ株式會社の特許一覧

特許7007106フレキシブル表示装置及びフレキシブル導電性パターン

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

目に優しい文字サイズ小中大 PDF Top

< >

1A
1B
1C
2A
2B
2C
3A
3B
3C
3D
3E
4A
4B
4C
4D
4E
4F
5A
5B
5C
6A
6B
6C
7A
7B
8A
8B
9A
9B
9C
9D
10A
10B
10C
10D
10E
10F
11
12A
12B
13
14

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-01-11

(45)【発行日】2022-01-24

(54)【発明の名称】フレキシブル表示装置及びフレキシブル導電性パターン

(51)【国際特許分類】

G09F 9/30 20060101AFI20220117BHJP

G09F 9/00 20060101ALI20220117BHJP

H01L 51/50 20060101ALI20220117BHJP

H05B 33/02 20060101ALI20220117BHJP

H05B 33/26 20060101ALI20220117BHJP

H05B 33/10 20060101ALI20220117BHJP

H01L 27/32 20060101ALI20220117BHJP

G06F 3/041 20060101ALI20220117BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 330

G09F9/30 308Z

G09F9/30 365

G09F9/00 366A

G09F9/00 338

H05B33/14 A

H05B33/02

H05B33/26 Z

H05B33/10

H01L27/32

G06F3/041 640

G06F3/041 660

G06F3/041 495

G06F3/041 430

【請求項の数】 27

(21)【出願番号】P 2017095298

(22)【出願日】2017-05-12

(65)【公開番号】P2017203987

(43)【公開日】2017-11-16

【審査請求日】2020-03-16

(31)【優先権主張番号】10-2016-0059110

(32)【優先日】2016-05-13

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】512187343

【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社

【氏名又は名称原語表記】ＳａｍｓｕｎｇＤｉｓｐｌａｙＣｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１，Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ，Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，ＲｅｐｕｂｌｉｃｏｆＫｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110000051

【氏名又は名称】特許業務法人共生国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】金キョンソプ

(72)【発明者】

【氏名】韓相允

(72)【発明者】

【氏名】朴成均

(72)【発明者】

【氏名】朴容佑

(72)【発明者】

【氏名】孫正河

(72)【発明者】

【氏名】姜帝旭

(72)【発明者】

【氏名】丁漢榮

【審査官】中村直行

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１６／００９３６８５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１５／１２５３０９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００６－０３２９３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－０７５８８４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０９Ｆ９／００－９／４６

Ｈ０１Ｌ５１／５０

Ｈ０１Ｌ２７／３２

Ｈ０５Ｂ３３／００－３３／２８

Ｇ０６Ｆ３／０４１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ベンディング部を含むフレキシブル基板と、
第１導電性パターン層及び該第１導電性パターン層上に配置された第２導電性パターン層を有する導電性パターンと、を備え、
前記導電性パターンの少なくとも一部は、前記ベンディング部上に配置され、
前記第１導電性パターン層は、第１厚さを有して第１物質を含み、
前記第２導電性パターン層は、前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有して前記第１物質とは異なる第２物質を含み、
前記第１導電性パターン層は、第１グレーンサイズのグレーンを有し、
前記第２導電性パターン層は、第２グレーンサイズのグレーンを有し、
前記第１導電性パターン層のグレーンの平均グレーンサイズは、前記第２導電性パターン層のグレーンの平均グレーンサイズよりも大きいことを特徴とするフレキシブル表示装置。

【請求項2】

前記第１厚さは、１００オングストローム以上１５００オングストローム以下であり、
前記第２厚さは、１０オングストローム以上１００オングストローム以下であることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項3】

前記第１物質及び前記第２物質のそれぞれは、金属、前記金属の合金、前記金属の酸化物、及び透明導電性酸化物のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項4】

前記第１物質及び前記第２物質のそれぞれは、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項３に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項5】

前記透明導電性酸化物は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、及びインジウム錫亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項３に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項6】

前記第１グレーンサイズ及び前記第２グレーンサイズのそれぞれは、１００オングストローム以上１０００オングストローム以下であることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項7】

前記第２導電性パターン層は、前記第１導電性パターン層のグレーンのグレーンサイズが増加しないように制御することを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項8】

前記導電性パターンは、前記第２導電性パターン層上に配置された第３導電性パターン層を更に含み、
前記第３導電性パターン層は、前記第２厚さよりも厚い第３厚さを有して第３物質を含むことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項9】

前記第１厚さ及び前記第３厚さのそれぞれは、１００オングストローム以上１５００オングストローム以下であり、
前記第２厚さは、１０オングストローム以上１００オングストローム以下であることを特徴とする請求項８に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項10】

前記第３物質は、前記第２物質とは異なることを特徴とする請求項８に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項11】

前記第１物質は、アルミニウムを含み、
前記第２物質は、チタンを含み、
前記第３物質は、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項８に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項12】

前記導電性パターンは、５つの積層パターンを含み、
前記積層パターンのそれぞれは、
前記第１導電性パターン層と、
前記第１導電性パターン層上に配置された前記第２導電性パターン層と、
前記第２導電性パターン層上に配置された前記第３導電性パターン層と、を含むことを特徴とする請求項１１に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項13】

前記第１厚さは、１５００オングストロームであり、
前記第２厚さは、５０オングストロームであり、
前記第３厚さは、１５００オングストロームであることを特徴とする請求項１１に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項14】

前記第１物質は、アルミニウムを含み、
前記第２物質は、アルミニウム酸化物を含み、
前記第３物質は、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項８に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項15】

前記フレキシブル基板上に配置された配線及び電極を更に含み、
前記配線及び前記電極のうちの少なくとも一つは、前記導電性パターンを含むことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項16】

前記配線は、ゲートライン、データライン、連結ライン、及びファンアウトラインのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１５に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項17】

前記フレキシブル基板上に配置された絶縁層と、
前記フレキシブル基板と前記絶縁層との間に配置された第１配線と、
前記絶縁層上に配置された第２配線と、を更に含み、
前記第１配線及び前記第２配線のうちの少なくとも一つは、前記導電性パターンを含むことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項18】

前記フレキシブル表示装置は、携帯電話、テレビジョン、コンピュータ、ウェアラブル表示装置、巻き込み可能な表示装置、折り畳み可能な表示装置、車両用表示装置、及び装飾品用表示装置から選択されることを特徴とする請求項１７に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項19】

前記フレキシブル表示装置は、前記フレキシブル基板及び前記導電性パターンのうちの少なくとも一部が折り曲げられる第１モードで、又は前記フレキシブル基板及び前記導電性パターンのうちの少なくとも一部が伸長される第２モードで動作することを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項20】

前記第１モードは、
前記フレキシブル基板及び前記導電性パターンのうちの少なくとも一部がベンディング軸に対して一方向に折り曲げられる第１ベンディングモードと、
前記フレキシブル基板及び前記導電性パターンのうちの少なくとも一部がベンディング軸に対して前記一方向に反対する方向に折り曲げられる第２ベンディングモードと、含むことを特徴とする請求項１９に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項21】

フレキシブル基板、該フレキシブル基板上に配置された有機発光素子、及び該有機発光素子上に配置された気密層を含むフレキシブル表示パネルと、
タッチベンディング部を有して前記気密層上に配置されたタッチセンシングユニットと、を備え、
前記タッチセンシングユニットは、第１導電性パターン層及び該第１導電性パターン層上に配置された第２導電性パターン層を有して前記タッチベンディング部に含まれる導電性パターンを含み、
前記第１導電性パターン層は、第１厚さを有して第１物質を含み、
前記第２導電性パターン層は、前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有して前記第１物質とは異なる第２物質を含み、
前記第１導電性パターン層は、第１グレーンサイズのグレーンを有し、
前記第２導電性パターン層は、第２グレーンサイズのグレーンを有し、
前記第１導電性パターン層のグレーンの平均グレーンサイズは、前記第２導電性パターン層のグレーンの平均グレーンサイズよりも大きいことを特徴とするフレキシブル表示装置。

【請求項22】

前記タッチセンシングユニットは、
センシング電極と、
前記センシング電極に電気的に連結されるパッド部と、
前記センシング電極に連結される連結ラインと、
前記連結ラインに連結されるファンアウトラインと、を含み、
前記センシング電極、前記パッド部、前記連結ライン、及び前記ファンアウトラインのうちの少なくとも一つは、前記導電性パターンに連結されることを特徴とする請求項２１に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項23】

前記センシング電極は、メッシュ状を有することを特徴とする請求項２２に記載のフレキシブル表示装置。

【請求項24】

フレキシブル基板上に配置され、第１厚さを有して第１物質を含む第１導電性パターン層と、
前記第１導電性パターン層上に配置され、前記第１物質とは異なる第２物質を含む第２導電性パターン層と、を備え、
前記第２物質は、前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有し、
前記第１導電性パターン層は、第１グレーンサイズのグレーンを有し、
前記第２導電性パターン層は、第２グレーンサイズのグレーンを有し、
前記第１導電性パターン層のグレーンの平均グレーンサイズは、前記第２導電性パターン層のグレーンの平均グレーンサイズよりも大きいことを特徴とするフレキシブル導電性パターン。

【請求項25】

前記第１厚さは、１００オングストローム以上１５００オングストローム以下であり、
前記第２厚さは、１０オングストローム以上１００オングストローム以下であることを特徴とする請求項２４に記載のフレキシブル導電性パターン。

【請求項26】

前記第２導電性パターン層上に配置され、前記第２厚さよりも厚い第３厚さを有して第３物質を含む第３導電性パターンを更に含むことを特徴とする請求項２４に記載のフレキシブル導電性パターン。

【請求項27】

前記第１厚さ及び前記第３厚さのそれぞれは、１００オングストローム以上１５００オングストローム以下であり、
前記第２厚さは、１０オングストローム以上１００オングストローム以下であることを特徴とする請求項２６に記載のフレキシブル導電性パターン。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、フレキシブル表示装置に関し、より詳しくは、湾曲によるクラックの発生を防止するフレキシブル表示装置及びフレキシブル導電性パターンに関する。

【背景技術】

【0002】

表示装置は、ユーザに情報を提供するように多様なイメージを表示する。最近、曲げられる表示装置が開発されている。平板表示装置とは異なって、フレキシブル表示装置は一枚の紙のように折り曲げられるか、巻かれるか、湾曲される。多様な形状を有するフレキシブル表示装置は、携帯が容易でユーザの便宜を向上させる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、折り曲げ変形によってクラックが発生することを防止するフレキシブル表示装置及びフレキシブル導電性パターンを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0004】

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるフレキシブル表示装置は、ベンディング部を含むフレキシブル基板と、第１導電性パターン層及び該第１導電性パターン層上に配置された第２導電性パターン層を有する導電性パターンと、を備え、前記導電性パターンの少なくとも一部は、前記ベンディング部上に配置され、前記第１導電性パターン層は、第１厚さを有して第１物質を含み、前記第２導電性パターン層は、前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有して前記第１物質とは異なる第２物質を含む。

【0005】

上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様によるフレキシブル表示装置は、フレキシブル基板、該フレキシブル基板上に配置された有機発光素子、及び該有機発光素子上に配置された気密層を含むフレキシブル表示パネルと、タッチベンディング部を有して前記気密層上に配置されたタッチセンシングユニットと、を備え、前記タッチセンシングユニットは、第１導電性パターン層及び該第１導電性パターン層上に配置された第２導電性パターン層を有して前記タッチベンディング部に含まれる導電性パターンを含み、前記第１導電性パターン層は、第１厚さを有して第１物質を含み、前記第２導電性パターン層は、前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有して前記第１物質とは異なる第２物質を含む。

【0006】

一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法は、フレキシブル基板を用意するステップと、前記フレキシブル基板上に導電性パターンを形成するステップと、を有し、前記導電性パターンを形成するステップは、第１ガスを供給して前記フレキシブル基板上に第１厚さを有する第１導電性パターン層を形成するステップと、前記第１ガスとは異なる第２ガスを供給して前記第１導電性パターン層上に前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有する第２導電性パターン層を形成するステップと、を含む。

【0007】

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるフレキシブル導電性パターンは、フレキシブル基板上に配置され、第１厚さを有して第１物質を含む第１導電性パターン層と、前記第１導電性パターン層上に配置され、前記第１物質とは異なる第２物質を含む第２導電性パターン層と、を備え、前記第２物質は、前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有する。

【発明の効果】

【0008】

本発明のフレキシブル表示装置によると、フレキシブル表示装置に含まれる導電性パターンが十分な抵抗性を有し、折り曲げによって引き起こされるクラックの発生が減少するため、適切な構成特性及び向上させた柔軟性を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1A】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の一例を示す斜視図である。

【図1B】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の一例を示す斜視図である。

【図1C】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の一例を示す斜視図である。

【図2A】図１ＢのＩ－Ｉ’線による一例を示す断面図である。

【図2B】図１ＢのＩ－Ｉ’線による他の例を示す断面図である。

【図2C】図１ＢのＩ－Ｉ’線による更に他の例を示す断面図である。

【図3A】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の他の例を示す斜視図である。

【図3B】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の他の例に含まれる配線の一例を示す断面図である。

【図3C】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の他の例に含まれる配線の他の例を示す断面図である。

【図3D】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の他の例に含まれる電極の一例を示す断面図である。

【図3E】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の他の例に含まれる電極の他の例を示す断面図である。

【図4A】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の更に他の例を示す斜視図である。

【図4B】図４ＡのＩＩ－ＩＩ’線による断面図である。

【図4C】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の更に他の例に含まれる第１ラインの一例を示す断面図である。

【図4D】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の更に他の例に含まれる第１ライン他の例を示す断面図である。

【図4E】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の更に他の例に含まれる第２ラインの一例を示す断面図である。

【図4F】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の更に他の例に含まれる第２ライン他の例を示す断面図である。

【図5A】本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置を示す斜視図である。

【図5B】本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置を示す斜視図である。

【図5C】本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置を示す斜視図である。

【図6A】本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれるピクセルのうちの一つのピクセルを示す回路図である。

【図6B】本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれるピクセルのうちの一つのピクセルを示す平面図である。

【図6C】図６ＢのＩＩＩ－ＩＩＩ’線による断面図である。

【図7A】本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置の一例を示す断面図である。

【図7B】本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置の一例に含まれるタッチセンシングユニットを示す平面図である。

【図8A】本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置の他の例を示す断面図である。

【図8B】本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置の他の例に含まれるタッチセンシングユニットを示す平面図である。

【図9A】本発明の他の実施形態によるタッチセンシングユニットに含まれるセンシング電極の一例を示す断面図である。

【図9B】本発明の他の実施形態によるタッチセンシングユニットに含まれるセンシング電極の他の例を示す断面図である。

【図9C】本発明の他の実施形態によるタッチセンシングユニットに含まれるラインの一例を示す断面図である。

【図9D】本発明の他の実施形態によるタッチセンシングユニットに含まれるラインの他の例を示す断面図である。

【図10A】本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置が適用された多様な装置を示す斜視図である。

【図10B】本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置が適用された多様な装置を示す斜視図である。

【図10C】本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置が適用された多様な装置を示す斜視図である。

【図10D】本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置が適用された多様な装置を示す斜視図である。

【図10E】本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置が適用された多様な装置を示す斜視図である。

【図10F】本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置が適用された多様な装置を示す斜視図である。

【図11】本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図12A】実施例１、比較例１、及び比較例３のＳＥＭ画像である。

【図12B】実施例２、比較例１、及び比較例２のＳＥＭ画像である。

【図13】実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２の断面画像である。

【図14】比較例１及び比較例３における内側への折り曲げ又は外側への折り曲げによる断線画像である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。本明細書の説明において、説明の目的のために多数の特定の細部事項を本発明の実施形態の完全なる理解を提供するために説明する。しかし、本発明の実施形態がこのような特定の細部事項なしに又は一つ以上の等価形態に実施され得ることは明らかである。本発明の実施形態において、広く知られている構造及び装置が不要に多様な実施形態を不明確にすることを防止するために、ブロック図の形態で示す。

【0011】

図面において、層、膜、パネル、領域などの大きさ及び相対的な大きさは、明確性及び説明の便宜上誇張している可能性がある。また、同じ参照符号は同じ要素を示す。

【0012】

要素又は層が他の要素又は層の「上」に「連結」又は「結合」されると説明する場合、要素又は層は他の要素又は層の上に直接配置されるか連結又は結合されてもよく、他の構成要素又は層がこれらの間に介在してもよい。しかし、一つの構成要素が他の構成要素の「上」に「直接配置」されるか「直接連結」又は「直接結合」されると説明する場合、これらの間に他の要素又は層は存在しない。本開示の目的のために、Ｘ、Ｙ、及びＺのうちの少なくとも一つ、そしてＸ、Ｙ、及びＺで構成されたグループから選択された少なくとも一つは、単にＸ、Ｙ、又はＺのみで構成されるか、或いはＸ、Ｙ、及びＺのうちの２つ以上の任意の組み合わせ、例えばＸＹＺ、ＸＹＹ、ＹＺ、及びＺＺで構成されてもよい。同じ参照符号は同じ要素を指す。ここで使用する用語「及び／又は」は、関連する列挙項目の一つ又はそれ以上の全ての任意の組み合わせを含む。

【0013】

ここで第１、第２などの用語を多様な要素、領域、層、及び／又は部分を説明するために使用するが、このような要素、成分、領域、層、及び／又は部分がこのような用語によって限定されることはない。これらの用語は、他の要素、成分、領域、層、及び／又は部分を一つの要素、成分、領域、層及び／又は部分と区別するために使用する。従って、後述する第１要素、成分、領域、層、及び／又は部分を、本発明の技術を逸脱することなく第２要素、成分、領域、層及び／又は部分と称する。

【0014】

ここで、説明の便宜上「下」、「下部」、「上」、「上部」などのような空間的に相対的な用語を使用し、図示した他の要素又は特徴に対する一つの要素又は特徴の関係を説明する。空間的に相対的な用語を図面に示した方向に加えて使用中の装置の他の方向、動作及び／又は製造を網羅するものとして意図する。例えば、図面で装置が逆さになると、他の要素又は特徴の「下」に配置されたとして説明する要素は他の要素又は特徴の「上」に配置される。従って、「下」の例示的な用語は上下両方向を含む。なお、そうでない場合、装置をそれに合わせて説明し、このような空間的に相対的な記述語のように配置（例えば、９０度又は他の方向に回転）する。

【0015】

ここで使用する用語は、特定の実施形態を説明するためのものであって、発明を制限しようとするものではない。ここで使用するように、単数形態、「一つ」及び「前記」は、文脈を特に明示しない限り複数の表現を含むように意図する。また、用語「含む」は、本明細書で使用する際、明示した特徴、数字、ステップ、動作、要素、成分、及び／又はこれらのグループの存在を明示するが、一つ又はそれ以上の他の特徴、数字、ステップ、動作、用度、成分、及び／又はこれらのグループの存在又は付加を排除することはない。

【0016】

本発明の実施形態は、理想的な実施形態の概略的な図面である断面図及び／又は中間構造体を参照して説明する。このように、結果的に図面の形状からの変化、例えば製造技術及び／又は許容誤差の変化は十分に予想可能なものである。従って、ここで開示する実施形態は領域の特定の形態に限らず、例えば製造工程で発生する形状偏差を含むものとして解釈すべきである。例えば、矩形に示した注入領域は、一般に非注入領域への注入による二元的な変化よりも、その角でラウンドした又は屈曲した特徴及び／又は注入濃度勾配を有する。このように、注入によって形成される埋立領域は、埋立領域と注入が発生する表面との間の領域で任意の注入を発生させる。従って、図面に示した領域は事実上概略的であり、その形状は素子領域の実際の形状を示すものでもなく制限するものでもない。

【0017】

異なるように定義しない限り、ここで使用する全ての用語（技術的及び科学的用語を含む）は本開示が一部の当業者によって一般的に理解されるようなものと同じ意味を有する。一般的に使用される辞書に定義されたものと同じようなこのような用語は、関連技術の文脈上、その意味と一致する意味を有すると解析すべきであり、ここで明白に定義しない限り、理想的な又は過度に形式的な意味として解析されない。

【0018】

図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃは、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の一例を示す斜視図である。

【0019】

図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃを参照すると、フレキシブル表示装置１０はフレキシブル基板ＦＢ及び導電性パターンＣＰを含む。導電性パターンＣＰは第１方向ＤＲ１にフレキシブル基板ＦＢ上に配置される。ここで使用するように、用語「フレキシブル」は基板が曲げられるように設計されたことを意味し、従ってフレキシブル基板ＦＢは完全に折り曲げられるか又は部分的に曲げられる。フレキシブル基板ＦＢは、これに限らないが、プラスチック物質又は有機ポリマー、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリエーテルスルホンなどを含む。フレキシブル基板ＦＢ用物質は、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑度、取り扱いの容易性、撥水性などの組み合わせから選択される。フレキシブル基板ＦＢは透明である。

【0020】

フレキシブル表示装置１０は第１モード又は第２モードで動作する。フレキシブル基板ＦＢはベンディング部ＢＦ及び非ベンディング部ＮＦＢを含む。ベンディング部ＢＦは、第２方向ＤＲ２に延長するベンディング軸ＢＸに対して第１モードで折り曲げられ、第２モードで伸長される。ベンディング部ＢＦは非ベンディング部ＮＢＦに連結される。非ベンディング部ＮＢＦは第１及び第２モードで折り曲げられない。導電性パターンＣＰの少なくとも一部はベンディング部ＢＦ上に配置される。ここで使用するように、用語「ベンディング」はフレキシブル基板が外力によって特定の形状に曲げられることを意味する。例えば、ベンディング部はリジッド（ｒｉｇｉｄ）であるかフレキシブルである。ベンディング部は、湾曲した、折り曲げ可能な、伸長可能な、巻き込み可能な、そしてフレキシブルな部品の全てを含む概念である。

【0021】

図１Ａ及び図１Ｃを参照すると、フレキシブル基板ＦＢ及び導電性パターンＣＰの少なくとも一部は第１モードで屈曲する。図１Ｂを参照すると、ベンディング部ＢＦは第２モードで伸長する。

【0022】

第１モードは第１ベンディングモード及び第２ベンディングモードを含む。図１Ａを参照すると、フレキシブル表示装置１０は第１ベンディングモードでベンディング軸ＢＸに対して一方向に折り曲げられる。即ち、フレキシブル表示装置１０は第１ベンディングモードで内側に折り曲げられる。以下、フレキシブル表示装置１０がベンディング軸ＢＸに対して折り曲げられる際、導電性パターンＣＰが折り曲げられてから互いに向かい合う導電性パターンＣＰの部分間の距離が、フレキシブル基板ＦＢが折り曲げられてから互いに向かい合うフレキシブル基板ＦＢの部分間の距離より短い状態を、内側への折り曲げという。内側への折り曲げ状態において、ベンディング部ＢＦの表面は第１曲率半径Ｒ１を有する。第１曲率半径Ｒ１は約１ｍｍ以上約１０ｍｍ以下の範囲である。

【0023】

図１Ｃを参照すると、フレキシブル表示装置１０は第２ベンディングモードでベンディング軸ＢＸに対して図１Ａの一方向に反対する方向に折り曲げられる。即ち、フレキシブル表示装置１０は第２ベンディングモードで外側に折り曲げられる。以下、フレキシブル表示装置１０がベンディング軸ＢＸに対して折り曲げられる際、フレキシブル基板ＦＢが折り曲げられてから互いに向かい合うフレキシブル基板ＦＢの部分間の距離が、導電性パターンＣＰが折り曲げられてから互いに向かい合う導電性パターンＣＰの部分間の距離より短い状態を、外側への折り曲げという。外側への折り曲げ状態において、ベンディング部ＢＦの表面は第２曲率半径Ｒ２を有する。第２曲率半径Ｒ２は第１曲率半径Ｒ１と同じであるか又は異なる。第２曲率半径Ｒ２は約１ｍｍ以上約１０ｍｍ以下の範囲である。

【0024】

図１Ａ及び図１Ｃにおいて、フレキシブル表示装置１０がベンディング軸ＢＸに対して折り曲げられる際、フレキシブル基板ＦＢの互いに向かい合う部分間の距離は、一定であるが、これに限ることはない。即ち、フレキシブル基板ＦＢの互いに向かい合う部分間の距離は一定でなくてもよい。なお、図１Ａ及び図１Ｃにおいて、フレキシブル表示装置１０がベンディング軸ＢＸに対して折り曲げられる際、折り曲げられたフレキシブル基板ＦＢの部分のうちの一部分の面積は、折り曲げられたフレキシブル基板ＦＢの部分のうちの他の部分の面積と同じであるが、これに限ることはない。即ち、折り曲げられたフレキシブル基板ＦＢの部分のうちの一部分の面積は、折り曲げられたフレキシブル基板ＦＢの部分の他の部分の面積と異なってもよい。

【0025】

図２Ａ、図２Ｂ、及び図２Ｃは、図１ＢのＩ－Ｉ’線による多様な例を示す断面図である。

【0026】

図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、及び図２Ａを参照すると、導電性パターンＣＰの少なくとも一部はベンディング部ＢＦ上に配置される。導電性パターンＣＰは多数の導電性パターン層を含む。導電性パターンＣＰは、２つ、３つ、４つ、５つ、又は６つの導電性パターン層を含むが、これに限ることはない。即ち、導電性パターンＣＰは７つ又はそれ以上の導電性パターン層を含んでもよい。各導電性パターン層は多数のグレーン（ｇｒａｉｎ）を含む。グレーンは規則的に配列する成分原子によって得られた結晶グレーンである。

【0027】

図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、及び図２Ａを参照すると、導電性パターンＣＰは第１導電性パターン層ＣＰＬ１及び第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は、約１００オングストローム以上約１５００オングストローム以下の第１厚さｔ１を有する。第１導電性パターン層ＣＰＬ１の第１厚さｔ１が約１００オングストロームよりも薄いと、導電性パターンの厚さが変わらなくても導電性パターン層間の界面の数が増加し、それによって導電性パターンの抵抗が増加する。従って、フレキシブル表示装置１０を駆動するために使用される消費電力が増加する。また、第１導電性パターン層ＣＰＬ１を製造し提供する工程の信頼性が悪くなる虞があり、第１導電性パターン層ＣＰＬ１の第１厚さｔ１が約１５００オングストロームを超過すると、第１導電性パターン層ＣＰＬ１の柔軟性を確保することが難しく、その結果、第１導電性パターン層ＣＰＬ１でクラック又は断線が発生して信頼性が低下する虞がある。

【0028】

第１導電性パターン層ＣＰＬ１は、それぞれが第１グレーンサイズを有する第１グレーンＧＲ１を含む。以下、グレーンサイズは粒子直径の平均値又は最大粒子直径を示す。第１導電性パターン層ＣＰＬ１の第１グレーンＧＲ１は、約１００オングストローム以上約１０００オングストローム以下の第１グレーンサイズを有する。詳しくは、第１グレーンＧＲ１のそれぞれの第１グレーンサイズは約１００オングストローム以上約１０００オングストローム以下であり、第１グレーンＧＲ１の第１グレーンサイズの平均値は約１００オングストローム以上約１０００オングストローム以下であり、そして第１グレーンサイズの代表値は約１００オングストローム以上約１０００オングストローム以下である。

【0029】

第１導電性パターン層ＣＰＬ１の第１グレーンＧＲ１の第１グレーンサイズが約１００オングストロームよりも小さいと、第１導電性パターン層ＣＰＬ１の抵抗が増加し、従って、フレキシブル表示装置１０を駆動するために要求される消費電力が増加する。また、第１導電性パターン層ＣＰＬ１の第１グレーンＧＲ１の第１グレーンサイズが約１０００オングストロームを超過すると、第１グレーンサイズが過度に大きいために第１導電性パターン層ＣＰＬ１の折り曲げ信頼性を確保することが難しくなる。その結果、クラックや断線が第１導電性パターン層ＣＰＬ１に発生してフレキシブル装置１０の信頼性が落ちる虞がある。

【0030】

第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１物質を含む。第１物質は、金属、金属合金、金属酸化物、及び透明導電性酸化物のうちの少なくとも一つを含むが、これに限ることはない。

【0031】

第１物質は、これに限ることはないが、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒのうちの少なくとも一つを含む。

【0032】

透明導電性酸化物は、これに限ることはないが、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、及びインジウム錫亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）のうちの少なくとも一つを含む。

【0033】

第１導電性パターン層ＣＰＬ１において、約２００個のグレーン～約１２００個のグレーンが約１．０μｍ^２の単位面積内に配列される。用語“約１．０μｍ^２の単位面積内”とは、単位面積が第１導電性パターン層ＣＰＬ１の平面上の任意の面積内で定義されることを意味する。約１．０μｍ^２の単位面積内で第１グレーンＧＲ１の数が約２００個よりも少ないと、折り曲げの柔軟性を確保することが難しい。従って、第１導電性パターン層ＣＰＬ１にクラックや断線が発生してフレキシブル装置１０の信頼性が落ちる虞がある。また、約１．０μｍ^２の単位面積内で第１グレーンＧＲ１の数が約１２００個を超過すると、第１導電性パターン層ＣＰＬ１の抵抗が増加し、それによってフレキシブル表示装置１０を駆動するために要求される消費電力が増加する虞がある。

【0034】

第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置される。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は、約１０オングストローム以上約１００オングストローム以下の第２厚さｔ２を有する。第２厚さｔ２は第１厚さｔ１よりも薄い。第２導電性パターン層ＣＰＬ２の第２厚さｔ２が約１０オングストロームよりも薄いと、第１導電性パターン層ＣＰＬ１の第１グレーンサイズが過度に拡大されることを防止することが難しくなる虞がある。また、第２導電性パターン層ＣＰＬ２を製造し提供する工程の信頼性が悪くなる虞があり、第２導電性パターン層ＣＰＬ２の第２厚さｔ２が約１００オングストロームを超過すると、第２導電性パターン層ＣＰＬ２の柔軟性を確保することが難しく、その結果、第２導電性パターン層ＣＰＬ２でクラック又は断線が発生して信頼性が低下する虞がある。

【0035】

第２導電性パターン層ＣＰＬ２は、第１導電性パターン層ＣＰＬ１の第１グレーンＧＲ１が第２導電性パターン層ＣＰＬ２の第２グレーンＧＲ２に連結されることを防止する。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１導電性パターン層ＣＰＬ１の第１グレーンサイズを制御する。例えば、第２導電性パターン層ＣＰＬ２は、第１導電性パターン層ＣＰＬ１の第１グレーンサイズが過度に増加することを防止する。

【0036】

第２導電性パターン層ＣＰＬ２は、それぞれが第２グレーンサイズを有する第２グレーンＧＲ２を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２の第２グレーンＧＲ２は、約１００オングストローム以上約１０００オングストローム以下の第２グレーンサイズを有する。詳しくは、第２導電性パターン層ＣＰＬ２の第２グレーンＧＲ２の第２グレーンサイズの平均値は、第１導電性パターン層ＣＰＬ１の第１グレーンＧＲ１の第１グレーンサイズの平均値よりも小さい。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第２物質を含む。第２物質は第１物質とは異なる物質である。第２物質は、金属、金属合金、金属酸化物、及び透明導電性酸化物のうちの少なくとも一つを含むが、これに限ることはない。

【0037】

第２物質は、これに限ることはないが、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒのうちの少なくとも一つを含む。

【0038】

【0039】

図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、及び図２Ｂを参照すると、導電性パターンＣＰは、第１導電性パターン層ＣＰＬ１、第２導電性パターン層ＣＰＬ２、及び第３導電性パターン層ＣＰＬ３を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。

【0040】

導電性パターンＣＰは、例えばアルミニウムを含む第１導電性パターン層ＣＰＬ１、第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置されてチタンを含む第２導電性パターン層ＣＰＬ２、及び第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置されてアルミニウムを含む第３導電性パターン層ＣＰＬ３を含む。この場合、第１導電性パターン層ＣＰＬ１、第２導電性パターン層ＣＰＬ２、及び第３導電性パターン層ＣＰＬ３は、それぞれ約１５００オングストローム、約５０オングストローム、及び約１５００オングストロームの厚さを有する。

【0041】

導電性パターンＣＰは、例えばアルミニウムを含む第１導電性パターン層ＣＰＬ１、第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置されてアルミニウム酸化物を含む第２導電性パターン層ＣＰＬ２、及び第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置されてアルミニウムを含む第３導電性パターン層ＣＰＬ３を含む。

【0042】

第３導電性パターン層ＣＰＬ３は、約１００オングストローム以上約１５００オングストローム以下の第３厚さｔ３を有する。第３厚さｔ３は第２厚さｔ２よりも厚い。第３厚さｔ３は第１厚さｔ１と同じであるか又は異なる。第３導電性パターン層ＣＰＬ３の第３厚さｔ３が約１００オングストロームよりも薄いと、導電性パターンの厚さが変わらなくても導電性パターン間の界面の数が増加し、それによって導電性パターン層の抵抗が増加する。従って、フレキシブル表示基板１０を駆動するために消費される電力が増加する。また、第３導電性パターン層ＣＰＬ３を製造し提供する工程の信頼性が悪くなる虞があり、第３導電性パターン層ＣＰＬ３の第３厚さｔ３が約１５００オングストロームを超過すると、第３導電性パターン層ＣＰＬ３の柔軟性を確保することが難しく、その結果、第３導電性パターン層ＣＰＬ３でクラック又は断線が発生して信頼性が低下する虞がある。

【0043】

第３導電性パターン層ＣＰＬ３は、それぞれが第３グレーンサイズを有する第３グレーンＧＲ３を含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３の第３グレーンＧＲ３は、約１００オングストローム以上約１０００オングストローム以下の第３グレーンサイズを有する。詳しくは、第３グレーンＧＲ３のそれぞれの第３グレーンサイズは約１００オングストローム以上約１０００オングストローム以下であり、第３グレーンＧＲ３の第３グレーンサイズの平均値は約１００オングストローム以上約１０００オングストローム以下であり、そして第３グレーンサイズの代表値は約１００オングストローム以上約１０００オングストローム以下である。第３導電性パターン層ＣＰＬ３の第３グレーンＧＲ３の第３グレーンサイズの平均値は、第２導電性パターン層ＣＰＬ２の第２グレーンＧＲ２の第２グレーンサイズの平均値よりも大きい。

【0044】

第３導電性パターン層ＣＰＬ３の第３グレーンＧＲ３の第３グレーンサイズが約１００オングストロームよりも小さいと、第３導電性パターン層ＣＰＬ３の抵抗が増加し、それによってフレキシブル表示装置１０を駆動するために要求される消費電力が増加する。また、第３導電性パターン層ＣＰＬ３の第３グレーンサイズが約１０００オングストロームを超過すると、第３グレーンサイズが過度に大きいために第３導電性パターン層ＣＰＬ３の折り曲げ信頼性を確保することが難しい。その結果、第３導電性パターン層ＣＰＬ３でクラックや断線が発生してフレキシブル装置１０の信頼性が落ちる。

【0045】

第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第３物質を含む。第３物質は第２物質とは異なる物質である。第３物質は第１物質と同じであるか又は異なる。第３物質は、金属、金属合金、金属酸化物、及び透明導電性酸化物のうちの少なくとも一つを含むが、これに限ることはない。

【0046】

上述した物質は、これに限ることはないが、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒのうちの少なくとも一つを含む。

【0047】

【0048】

第３導電性パターン層ＣＰＬ３において、約２００個のグレーン～約１２００個のグレーンが約１．０μｍ^２の単位面積内に配列される。用語“約１．０μｍ^２の単位面積内”とは、単位面積が第３導電性パターン層ＣＰＬ３の平面上の任意の面積内で定義されることを意味する。約１．０μｍ^２の単位面積内で第３ブレーンＧＲ３の数が約２００個よりも少ないと、折り曲げの柔軟性を確保することが難しい。従って、第３導電性パターン層ＣＰＬ３にクラックや断線が発生してフレキシブル装置１０の信頼性が落ちる虞がある。また、約１．０μｍ^２の単位面積内で第３グレーンＧＲ３の数が約１２００個を超過すると、第３導電性パターン層ＣＰＬ３の抵抗が増加し、それによってフレキシブル表示装置１０を駆動するために要求される消費電力が増加する虞がある。

【0049】

図２Ｃを参照すると、導電性パターンＣＰは、それぞれが第１導電性パターン層ＣＰＬ１、第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２、及び第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置された第３導電性パターン層ＣＰＬ３を含む５つの積層パターンを含む。導電性パターンＣＰは、例えばアルミニウムを含む第１導電性パターン層ＣＰＬ１、第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置されてチタンを含む第２導電性パターン層ＣＰＬ２、及び第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置されてアルミニウムを含む第３導電性パターン層ＣＰＬ３を含む。

【0050】

一般的に、導電性パターンＣＰのグレーンサイズが減少すると、導電性パターンＣＰの抵抗が増加する。従って、フレキシブル表示装置１０を駆動するために使用される消費電力は増加するが、導電性パターンＣＰの柔軟性が確保されるため、フレキシブル表示装置１０は向上した柔軟性を有する。一方、導電性パターンＣＰのグレーンサイズが増加すると、導電性パターンＣＰの抵抗は減少するが、フレキシブル表示装置１０の折り曲げの柔軟性を確保することが難しく、その結果、クラック又は断線が発生する。

【0051】

上述した本実施形態によるフレキシブル表示装置１０の導電性パターンＣＰは、第１厚さｔ１を有して第１物質を含む第１導電性パターン層ＣＰＬ１、及び第１厚さよりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は、第１導電性パターン層ＣＰＬ１の第１グレーンサイズが過度に増加することを防止する。従って、導電性パターンが単に一つの層を含むように構成された構造に対し、本実施形態によるフレキシブル表示装置１０に含まれる導電性パターンＣＰは、十分な抵抗性を有するために適切な構成特性及び向上した柔軟性を確保することができる。

【0052】

図３Ａは、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の他の例を示す斜視図である。図３Ｂ、図３Ｃは、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれる配線の多様な例を示す断面図であり、図３Ｄ及び図３Ｅは、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれる電極の多様な例を示す断面図である。

【0053】

図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、及び図３Ｅを参照すると、フレキシブル表示装置１０は、フレキシブル基板ＦＢ、配線ＷＩ、及び電極ＥＬを含む。配線ＷＩ及び電極ＥＬのうちの少なくとも一つは導電性パターンＣＰを含む。配線ＷＩ及び電極ＥＬば、タッチセンシングユニットＴＳＵ（図５Ａを参照）及びフレキシブル表示パネル（図５Ａを参照）に含まれる。

【0054】

配線ＷＩはフレキシブル基板ＦＢ上に配置される。配線ＷＩの少なくとも一部はベンディング部ＢＦ上に配置される。例えば、配線ＷＩは、ベンディング部ＢＦ上に配置されて非ベンディング部ＮＢＦ上には配置されないが、これに限ることはない。即ち、配線ＷＩはベンディング部ＢＦ及び非ベンディング部ＮＢＦ上に配置される。

【0055】

図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃを参照すると、配線ＷＩは多数の配線層を含む。配線ＷＩは、２つ、３つ、４つ、５つ、又は６つの配線層を含むが、これに限ることはない。即ち、配線ＷＩは７つ又はそれ以上の配線層を含む。配線ＷＩは第１配線層ＷＩＬ１及び第２配線層ＷＩＬ２を含む。第１配線層ＷＩＬ１は、それぞれが第１グレーンサイズを有する第１グレーンＧＲ１を含む。第１配線層ＷＩＬ１は第１物質を含む。第２配線層ＷＩＬ２は第１配線層ＷＩＬ１上に配置される。第２配線層ＷＩＬ２は、それぞれが第２グレーンサイズを有する第２グレーンＧＲ２を含む。第２配線層ＷＩＬ２は第２物質を含む。第２物質は第１物質とは異なる物質である。第２配線層ＷＩＬ２は第１配線層ＷＩＬ１の厚さよりも薄い厚さを有する。

【0056】

配線層ＷＩは第３配線層ＷＩＬ３を更に含む。第３配線層ＷＩＬ３は、それぞれが第３グレーンサイズを有する第３グレーンＧＲ３を含む。第３配線層ＷＩＬ３は第３物質を含む。第３物質は第２物質とは異なる物質である。第３物質は第１物質と同じであるか又は異なる。第３配線層ＷＩＬ３は第２配線層ＷＩＬ２の厚さよりも厚い厚さを有する。

【0057】

図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図３Ａ、図３Ｄ、及び図３Ｅを参照すると、電極ＥＬはフレキシブル基板ＦＢ上に配置される。電極ＥＬの少なくとも一部はベンディング部ＢＦ上に配置される。例えば、電極ＥＬは、ベンディング部ＢＦ上に配置されて非ベンディング部ＮＢＦ上には配置されないが、これに限ることはない。即ち、電極ＥＬはベンディング部ＢＦ及び非ベンディング部ＮＢＦ上に配置される。

【0058】

電極ＥＬは配線ＷＩに電気的に連結される。電極ＥＬは、配線ＷＩから離隔されるがこれに限ることはない。例えば、電極ＥＬは配線ＷＩに一体に連結される。

【0059】

電極ＥＬ及び配線ＷＩは、同じ層上に配置されるが、これに限ることはない。電極ＥＬと配線ＷＩは互いに異なる層上に配置されてもよい。図示していないが、中間層が配線ＷＩと電極ＥＬとの間に介在してもよい。

【0060】

電極ＥＬは多数の電極層を含む。電極ＥＬは、２つ、３つ、４つ、５つ、又は６つの電極層を含む。電極ＥＬは第１電極層ＥＬＬ１及び第２電極層ＥＬＬ２を含む。第１電極層ＥＬＬ１は、それぞれが第１グレーンサイズを有する第１グレーンを含む。第１電極層ＥＬＬ１は第１物質を含む。第２電極層ＥＬＬ２は第１電極層ＥＬＬ１上に配置される。第２電極層ＥＬＬ２は、それぞれが第２グレーンサイズを有する第２グレーンを含む。第２電極層ＥＬＬ２は第２物質を含む。第２物質は第１物質とは異なる物質である。第２電極層ＥＬＬ２は第１電極層ＥＬＬ１の厚さよりも薄い厚さを有する。

【0061】

電極層ＥＬは第３電極層ＥＬＬ３を更に含む。第３電極層ＥＬＬ３は、それぞれが第３グレーンサイズを有する第３グレーンを含む。第３電極層ＥＬＬ３は第３物質を含む。第３物質は第２物質とは異なる物質である。第３物質は第１物質と同じであるか又は異なる。第３電極層ＥＬＬ３は第２電極層ＥＬＬ２の厚さよりも厚い厚さを有する。

【0062】

図４Ａは、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の更に他の例を示す斜視図であり、図４Ｂは、図４ＡのＩＩ－ＩＩ’線による断面図である。図４Ｃ及び図４Ｄは、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の更に他の例に含まれる第１ラインの多様な例を示す断面図であり、図４Ｅ及び図４Ｆは、本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置の更に他の例に含まれる第２ラインの多様な例を示す断面図である。

【0063】

図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、図４Ｄ、図４Ｅ、及び図４Ｆを参照すると、配線ＷＩは第１配線ＷＩ１及び第２配線ＷＩ２を含む。絶縁層ＩＬが第１配線ＷＩ１と第２配線ＷＩ２との間に配置される。第１配線ＷＩ１はフレキシブル基板ＦＢと絶縁層ＩＬとの間に配置され、第２配線ＷＩ２は絶縁層ＩＬ上に配置される。絶縁層ＩＬは、有機絶縁物質又は無機絶縁物質を含むが、これに限ることはない。

【0064】

図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、及び図４Ｄを参照すると、第１配線ＷＩ１は多数のサブ配線層を含む。第１配線ＷＩ１は、２つ、３つ、４つ、５つ、又は６つのサブ配線層を含むが、これに限ることはない。即ち、第１配線ＷＩ１は７つ又はそれ以上のサブ配線層を含む。図４Ｄを参照すると、第２配線ＷＩ２は多数のサブ配線層を含む。第２配ＷＩ２は、２つ、３つ、４つ、５つ又は６つのサブ配線層を含むが、これに限ることはない。即ち、第２配線ＷＩ２は７つ又はそれ以上のサブ配線層を含む。

【0065】

第１配線ＷＩ１は第１サブ配線層ＷＩＬ１１及び第２サブ配線層ＷＩＬ１２を含む。第１サブ配線層ＷＩＬ１１は、それぞれが第１グレーンサイズを有する第１グレーンを含む。第１サブ配線層ＷＩＬ１１は第１物質を含む。第２サブ配線層ＷＩＬ１２は第１サブ配線層ＷＩＬ１１上に配置される。第２サブ配線層ＷＩＬ１２は、それぞれが第２グレーンサイズを有する第２グレーンを含む。第２サブ配線層ＷＩＬ１２は第２物質を含む。第２物質は第１物質とは異なる物質である。第２サブ配線層ＷＩＬ１２は第１サブ配線層ＷＩＬ１１の厚さよりも薄い厚さを有する。

【0066】

第１サブ配線層ＷＩＬ１１は第３サブ配線層ＷＩＬ１３を更に含む。第３サブ配線層ＷＩＬ１３は、それぞれが第３グレーンサイズを有する第３グレーンを含む。第３サブ配線層ＷＩＬ１３は第３物質を含む。第３物質は第２物質とは異なる物質である。第３物質は第１物質と同じであるか又は異なる。第３サブ配線層ＷＩＬ１３は第２サブ配線層ＷＩＬ１２の厚さよりも厚い厚さを有する。

【0067】

図４Ａ、図４Ｅ、及び図４Ｆを参照すると、第２配線ＷＩ２は第４サブ配線層ＷＩＬ２１及び第５サブ配線層ＷＩＬ２２を含む。第４サブ配線層ＷＩＬ２１は、それぞれが第１レーンサイズを有する第１グレーンを含む。第４サブ配線層ＷＩＬ２１は第１物質を含む。第５サブ配線層ＷＩＬ２２は第４サブ配線層ＷＩＬ２１上に配置される。第５サブ配線層ＷＩＬ２２は、それぞれが第２レーンサイズを有する第２グレーンを含む。第５サブ配線層ＷＩＬ２２は第２物質を含む。第２物質は第１物質とは異なる物質である。第５サブ配線層ＷＩＬ２２は第４サブ配線層ＷＩＬ２１の厚さよりも薄い厚さを有する。

【0068】

第２配線層ＷＩ２は第６サブ配線層ＷＩＬ２３を更に含む。第６サブ配線層ＷＩＬ２３は、それぞれが第３レーンサイズを有する第３グレーンを含む。第６サブ配線層ＷＩＬ２３は第３物質を含む。第３物質は第２物質とは異なる物質である。第３物質は第１物質と同じであるか又は異なる。第６サブ配線層ＷＩＬ２３は第５サブ配線層ＷＩＬ２２の厚さよりも厚い厚さを有する。

【0069】

図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃは、本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置を示す斜視図である。

【0070】

図５Ａ、図５Ｂ及び図５Ｃを参照すると、フレキシブル表示装置１０は第１モード又は第２モードで動作する。フレキシブル表示装置１０はタッチセンシングユニットＴＳＵ及びフレキシブル表示パネルＤＰを含む。タッチセンシングユニットＴＳＵは第１方向ＤＲ１にフレキシブル表示パネルＤＰ上に配置される。

【0071】

タッチセンシングユニットＴＳＵはタッチベンディング部ＢＦ２及びタッチ非ベンディング部ＮＦＢ２を含む。タッチベンディング部ＢＦ２は、第２方向ＤＲ２に延長するベンディング軸ＢＸに対して第１モードで折り曲げられ、第２モードで伸長される。タッチベンディング部ＢＦ２はタッチ非ベンディング部ＮＢＦ２に連結される。タッチ非ベンディング部ＮＢＦは第１及び第２モードで折り曲げられない。

【0072】

フレキシブル表示パネルＤＰはパネルベンディング部ＢＦ１及びパネル非ベンディング部ＮＦＢ１を含む。パネルベンディング部ＢＦ１は、第２方向ＤＲ２に延長するベンディング軸ＢＸに対して第１モードで折り曲げられ、第２モードで伸長される。パネルベンディング部ＢＦ１はパネル非ベンディング部ＮＢＦ１に連結される。パネル非ベンディング部ＮＢＦ１は第１及び第２モードで折り曲げられない。

【0073】

図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃを参照すると、タッチセンシングユニットＴＳＵ及びフレキシブル表示パネルＤＰの少なくとも一部は第１モードで折り曲げられる。図５Ｂを参照すると、タッチセンシングユニットＴＳＵのタッチベンディング部ＢＦ２及びフレキシブル表示パネルＤＰのパネルベンディング部ＢＦ１は第２モードで伸長される。

【0074】

第１モードは第１ベンディングモード及び第２ベンディングモードを含む。図５Ａを参照すると、フレキシブル表示装置１０は第１ベンディングモードでベンディング軸ＢＸに対して一方向に折り曲げられる。即ち、フレキシブル表示装置１０は第１ベンディングモードで内側に折り曲げられる。フレキシブル表示装置１０が内側へ折り曲げられた状態である場合、タッチセンシングユニットＴＳＵが折り曲げられた後におけるタッチセンシングユニットＴＳＵの互いに向かい合う部分間の距離は、フレキシブル表示パネルＤＰが折り曲げられた後におけるフレキシブル表示パネルＤＰの互いに向かい合う部分の距離よりも短い。内側へ折り曲げられた状態において、タッチセンシングユニットＴＳＵのタッチベンディング部ＢＦ２の表面は第３曲率半径Ｒ３を有する。第３曲率半径Ｒ３は約１ｍｍ以上約１０ｍｍ以下である。

【0075】

図５Ｃを参照すると、フレキシブル表示装置１０は第２ベンディングモードでベンディング軸ＢＸに対して図５Ａの一方向に反対する方向に折り曲げられる。即ち、フレキシブル表示装置１０は第２ベンディングモードで外側に折り曲げられる。フレキシブル表示装置１０が外側へ折り曲げられた状態である場合、フレキシブル表示パネルＤＰが折り曲げられた後におけるフレキシブル表示パネルＤＰの互いに向かい合う部分間の距離は、タッチセンシングユニットＴＳＵが折り曲げられた後におけるタッチセンシングユニットＴＳＵの互いに向かい合う部分の距離より短い。外側へ折り曲げられた状態において、フレキシブル表示パネルＤＰのパネルベンディング部ＢＦ１の表面は第４曲率半径Ｒ４を有する。第４曲率半径Ｒ４は約１ｍｍ以上約１０ｍｍ以下である。

【0076】

図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図２Ａ、図２Ｂ、図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃを参照すると、フレキシブル表示パネルＤＰ及びタッチセンシングユニットＴＳＵの少なくとも一部分は導電性パターンＣＰを含む。導電性パターンＣＰはパネルベンディング部ＢＦ１及びタッチベンディング部ＢＦ２のうちの少なくとも一つに含まれる。

【0077】

導電性パターンＣＰは、第１導電性パターン層ＣＰＬ１、第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。

【0078】

導電性パターン層ＣＰは第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0079】

図６Ａは、本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれるピクセルのうちの一つのピクセルを示す回路図である。図６Ｂは、本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれるピクセルのうちの一つのピクセルを示す平面図であり、図６Ｃは、図６ＢのＩＩＩ－ＩＩＩ’線による断面図である。

【0080】

以下、有機発光表示パネルをフレキシブル表示パネルＤＰとして説明するが、フレキシブル表示パネルＤＰが有機発光表示パネルに限ることはない。即ち、フレキシブル表示パネルＤＰは、液晶表示パネル、プラズマ表示パネル、電気永動表示パネル、ＭＥＭＳ（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏ‐ＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍ）表示パネル、又は電気湿潤表示パネルである。

【0081】

図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図２Ａ、図２Ｂ、図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図６Ａ、及び図６Ｂを参照すると、フレキシブル表示パネルＤＰは、フレキシブル基板ＦＢ及びフレキシブル基板ＦＢ上に配置された導電性パターンＣＰを含む。導電性パターンＣＰの少なくとも一部はパネルベンディング部ＢＦ１に含まれる。導電性パターンＣＰは、パネルベンディング部ＢＦ１に含まれるが、パネル非ベンディング部ＮＢＦ１には含まれなくてもよい。或いは、導電性パターンＣＰは、パネルベンディング部ＢＦ１及びパネル非ベンディング部ＮＢＦ１のそれぞれに含まれる。

【0082】

導電性パターンＣＰは、第１導電性パターン層ＣＰＬ１、及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１より薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。

【0083】

【0084】

以下で説明するゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、駆動電圧ラインＤＶＬ、スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１、駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２、キャパシタＣｓｔ、第１半導体パターンＳＭ１、第２半導体パターンＳＭ２、第１電極ＥＬ１、及び第２電極ＥＬ２のうちの少なくとも一つは導電性パターンＣＰである。駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２は、第２ゲート電極ＧＥ２、第２ソース電極ＳＥ２、及び第２ドレイン電極ＤＥ２を含む。キャパシタＣｓｔは第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２を含む。

【0085】

図１Ａ～図１Ｃ、図２Ａ、図２Ｂ、図６Ａ、及び図６Ｂを参照すると、各ピクセルＰＸは、ゲートランＧＬ、データラインＤＬ、及び駆動電圧ラインＤＶＬを含むライン部に連結される。各ピクセルＰＸは、ライン部に連結された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１、ＴＦＴ２）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１、ＴＦＴ２）に連結された有機発光素子ＯＥＬ、及びキャパシタＣｓｔを含む。

【0086】

本実施形態において、一つのピクセルは、一つのゲートライン、一つのデータライン、及び一つの駆動電圧ラインに連結されるが、これに限ることはない。即ち、多数のピクセルは、一つのゲートライン、一つのデータライン、及び一つの駆動電圧ラインに連結される。また、多数のピクセルは、少なくとも一つのゲートライン、少なくとも一つのデータライン、及び少なくとも一つの駆動電圧ラインに連結される。

【0087】

ゲートラインＧＬは第３方向ＤＲ３に延長される。データラインＤＬは第４方向ＤＲ４に延長されてゲートラインＧＬと交差する。駆動電圧ラインＤＶＬは同じ方向、即ちデータラインＤＬと同じ第４方向ＤＲ４に延長される。ゲートラインＧＬはスキャン信号を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１、ＴＦＴ２）に印加し、データラインＤＬはデータ信号を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１、ＴＦＴ２）に印加し、駆動電圧ラインＤＶＬは駆動電圧を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１、ＴＦＴ２）に印加する。

【0088】

ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、及び駆動電圧ラインＤＶＬのうちの少なくとも一つは、第１導電性パターン層ＣＰＬ１、及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。

【0089】

ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、及び駆動電圧ラインＤＶＬのうちの少なくとも一つは、第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0090】

ピクセルＰＸは、それぞれ特定の色、例えば赤色光、緑色光、又は青色光を有する光を放出するが、光の色がこれに限ることはない。例えば、各ピクセルは、白色光、シアン光、マゼンタ光、又は黄色光を放出する。

【0091】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１、ＴＦＴ２）は、駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２を含んで有機発光素子ＯＥＬを制御し、スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１を含んで駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２をスイッチングする。本実施形態において、各ピクセルＰＸは２つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１、ＴＦＴ２）を含むが、各ピクセルＰＸに含まれるトランジスタの数が２つに限ることはない。即ち、各ピクセルＰＸは、一つの薄膜トランジスタ及びキャパシタを含むか、或いは３つ以上の薄膜トランジスタ及び２つ以上のキャパシタを含む。

【0092】

スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１、駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２、及びキャパシタＣｓｔのうちの少なくとも一つは、第１導電性パターン層ＣＰＬ１、及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。

【0093】

スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１、駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２、及びキャパシタＣｓｔのうちの少なくとも一つは、第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0094】

スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１は、第１ゲート電極ＧＥ１、第１ソース電極ＳＥ１、及び第１ドレイン電極ＤＥ１を含む。第１ゲート電極ＧＥ１はゲートラインＧＬに連結され、第１ソース電極ＳＥ１はデータラインＤＬに連結される。第１ドレイン電極ＤＥ１は、第５コンタクト穴ＣＨ５を介して第１共通電極ＣＥ１に連結される。スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１は、ゲートラインＧＬを介して提供されたスキャン信号に応答して、データラインＤＬを介して提供されたデータ信号を駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２に印加する。

【0095】

第１ゲート電極ＧＥ１、第１ソース電極ＳＥ１、及び第１ドレイン電極ＤＥ１のうちの少なくとも一つは、第１導電性パターン層ＣＰＬ１、及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。

【0096】

第１ゲート電極ＧＥ１、第１ソース電極ＳＥ１、及び第１ドレイン電極ＤＥ１のうちの少なくとも一つは、第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬは第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0097】

駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２は、第２ゲート電極ＧＥ２、第２ソース電極ＳＥ２、及び第２ドレイン電極ＤＥ２を含む。第２ゲート電極ＧＥ２は第１共通電極ＣＥ１に連結される。第２ソース電極ＳＥ２は駆動電圧ラインＤＶＬに連結される。第２ドレイン電極ＤＥ２は第３コンタクト穴ＣＨ３を介して第１電極ＥＬ１に連結される。

【0098】

第２ゲート電極ＧＥ２、第２ソース電極ＳＥ２、及び第２ドレイン電極ＤＥ２のうちの少なくとも一つは、第１導電性パターン層ＣＰＬ１、及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。

【0099】

第２ゲート電極ＧＥ２、第２ソース電極ＳＥ２、及び第２ドレイン電極ＤＥ２のうちの少なくとも一つは、第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0100】

第１電極ＥＬ１は駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の第２ドレイン電極ＤＥ２に連結される。第２電極ＥＬ２には共通電圧が印加され、発光層ＥＭＬは駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２からの出力信号に応答して青色光を放出しイメージを表示する。第１及び第２電極（ＥＬ１、ＥＬ２）については詳細に後述する。

【0101】

キャパシタＣｓｔは、駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の第２ゲート電極ＧＥ２と第２ソース電極ＳＥ２との間に連結され、駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の第２ゲート電極ＧＥ２に印加されたデータ信号で帯電される。キャパシタＣｓｔは第６コンタクト穴ＣＨ６を介して第１ドレイン電極ＤＥ１に連結された第１共通電極ＣＥ１及び駆動電圧ラインＤＶＬに連結された第２共通電極ＣＥ２を含む。

【0102】

第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２のうちの少なくとも一つは、第１導電性パターン層ＣＰＬ１、及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。

【0103】

第１共通電極ＣＥ１及び第２共通電極ＣＥ２のうちの少なくとも一つは、第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0104】

図６Ａ、図６Ｂ、及び図６Ｃを参照すると、第１フレキシブル基板ＦＢ１は、これに限らないが、プラスチック物質又は有機ポリマー、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリエーテルスルホンなどを含む。第１フレキシブル基板ＦＢ１用物質は、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑度、取り扱いの容易性、撥水性などの組み合わせから選択される。第１フレキシブル基板ＦＢ１は透明である。

【0105】

基板バッファ層（図示せず）は第１フレキシブル基板ＦＢ１上に配置される。基板バッファ層は、不純物がスイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１及び駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の内部に拡散することを防止する。基板バッファ層は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、又はシリコン酸窒化物（ＳｉＯｘＮｙ）で形成されるが、物質及び第１フレキシブル基板ＦＢ１の工程条件によっては省略される。

【0106】

第１半導体パターンＳＭ１及び第２半導体パターンＳＭ２は第１フレキシブル基板ＦＢ１上に配置される。第１及び第２半導体パターン（ＳＭ１、ＳＭ２）は、半導体物質で形成され、スイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１及び駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の活性層としてそれぞれ動作する。第１及び第２半導体パターン（ＳＭ１、ＳＭ２）のそれぞれは、ソース部ＳＡ、ドレイン部ＤＡ、及びソース部ＳＡとドレイン部ＤＡとの間に配置されたチャネル部ＣＡを含む。第１及び第２半導体パターン（ＳＭ１、ＳＭ２）のそれぞれは、無機半導体又は有機半導体で形成される。ソース部ＳＡとドレイン部ＤＡはｎ－タイプの不純物又はｐ－タイプの不純物でドーピングされる。

【0107】

第１半導体パターンＳＭ１及び第２半導体パターンＳＭ２のうちの少なくとも一つは、第１導電性パターン層ＣＰＬ１、及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。

【0108】

第１半導体パターンＳＭ１及び第２半導体パターンＳＭ２のうちの少なくとも一つは、第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0109】

ゲート絶縁層ＧＩは第１及び第２半導体パターン（ＳＭ１、ＳＭ２）上に配置される。ゲート絶縁層ＧＩは第１及び第２半導体パターン（ＳＭ１、ＳＭ２）をカバーする。ゲート絶縁層ＧＩは有機絶縁物質又は無機絶縁物質を含む。

【0110】

第１及び第２ゲート電極（ＧＥ１、ＧＥ２）はゲート絶縁層ＧＩ上に配置される。第１及び第２ゲート電極（ＧＥ１、ＧＥ２）は、第１及び第２半導体パターン（ＳＭ１、ＳＭ２）のドレイン部ＤＡに対応する部分をそれぞれカバーするように配置される。

【0111】

第１絶縁層ＩＬ１は第１及び第２ゲート電極（ＧＥ１、ＧＥ２）上に配置される。第１絶縁層ＩＬ１は第１及び第２ゲート電極（ＧＥ１、ＧＥ２）をカバーする。第１絶縁層ＩＬ１は有機絶縁物質又は無機絶縁物質を含む。

【0112】

第１ソース電極ＳＥ１、第１ドレイン電極ＤＥ１、第２ソース電極ＳＥ２、及び第２ドレイン電極ＤＥ２は第１絶縁層ＩＬ１上に配置される。第２ドレイン電極ＤＥ２は、ゲート絶縁層ＧＩ及び第１絶縁層ＩＬ１を介して形成された第１コンタクト穴ＣＨ１を介して第２半導体パターンＳＭ２のドレイン部ＤＡに接触し、第２ソース電極ＳＥ２は、ゲート絶縁層ＧＩ及び第１絶縁層ＩＬ１を介して形成された第２コンタクト穴ＣＨ２を介して第２半導体パターンＳＭ２のソース部ＳＡに接触する。第１ソース電極ＳＥ１はゲート絶縁層ＧＩ及び第１絶縁層ＩＬ１を介して形成された第４コンタクト穴ＣＨ４を介して第１半導体パターンＳＭ１のソース部（図示せず）に接触し、第１ドレイン電極ＤＥ１は、ゲート絶縁層ＧＩ及び第１絶縁層ＩＬ１を介して形成された第５コンタクト穴ＣＨ５を介して第１半導体パターンＳＭ１のドレイン部（図示せず）に接触する。

【0113】

パッシベーション層ＰＬは第１ソース電極ＳＥ１、第１ドレイン電極ＤＥ１、第２ソース電極ＳＥ２、及び第２ドレイン電極ＤＥ２上に配置される。パッシベーション層ＰＬは、保護層として機能してスイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１及び駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２を保護し、平坦層として機能してスイッチング薄膜トランジスタＴＦＴ１及び駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の上面を平坦化する。

【0114】

第１電極層ＥＬ１はパッシベーション層ＰＬ上に配置される。第１電極層ＥＬ１は正極である。第１電極層ＥＬ１は、パッシベーション層ＰＬを介して形成された第３コンタクト穴ＣＨ３を介して駆動薄膜トランジスタＴＦＴ２の第２ドレイン電極ＤＥ２に連結される。

【0115】

ピクセル定義層ＰＤＬは、パッシベーション層ＰＬ上に配置され、各ピクセルＰＸに対応するように発光層ＥＭＬを駆動する。ピクセル定義層ＰＤＬは第１電極ＥＬ１の上面を露出させて第１フレキシブル基板ＦＢ１から突出する。ピクセル定義層ＰＤＬは、これに限らないが、ＬｉＦ、ＢａＦ_２、又はＣｓＦのような金属－フッ化イオン化合物を含む。金属－フッ化イオン化合物が所定の厚さを有する場合、金属－フッ化イオン化合物は絶縁特性を有する。ピクセル定義層ＰＤＬは約１０ｍｍ以上約１００ｍｍで以下の厚さを有する。ピクセル定義層ＰＤＬについては詳細に後述する。

【0116】

有機発光素子ＯＥＬはピクセル定義層ＰＤＬによって囲まれた領域に提供される。有機発光素子ＯＥＬは、第１電極ＥＬ１、正孔輸送領域ＨＴＲ、発光層ＥＭＬ、電子輸送領域ＥＴＲ、及び第２電極ＥＬ２を含む。

【0117】

第１電極ＥＬ１は導電性を有する。第１電極ＥＬ１はピクセル電極又は正極である。第１電極ＥＬ１は、第１導電性パターン層ＣＰＬ１及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。第１電極ＥＬ１は第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0118】

第１電極ＥＬ１は、透過電極、半透過電極、又は反射電極である。第１電極ＥＬ１が透過電極である場合、第１電極ＥＬ１は、透明金属酸化物、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム錫亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）などを含む。第１電極ＥＬ１が半透過電極である場合、第１電極ＥＬ１は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、及びＣｒのうちの少なくとも一つを含む。

【0119】

有機層は第１電極ＥＬ１上に配置される。有機層は発光層ＥＭＬを含む。有機層は正孔輸送領域ＨＴＲ及び電子輸送領域ＥＴＲを更に含む。

【0120】

正孔輸送領域ＨＴＲは第１電極ＥＬ１上に配置される。正孔輸送領域ＨＴＲは、正孔注入層、正孔輸送層、バッファ、及び電子遮断層のうちの少なくとも一つを含む。

【0121】

正孔輸送領域ＨＴＲは、単一物質の単一層構造、異なる物質の単一層構造、又は多数の異なる物質層のマルチ層構造を有する。

【0122】

例えば、正孔輸送領域ＨＴＲは、互いに異なる物質の単一層が互いに積層された構造、又は正孔注入層／正孔輸送層、正孔注入層／正孔輸送層／バッファ層、正孔注入層／バッファ層、正孔輸送層／バッファ層、又は正孔注入層／正孔輸送層／電子遮断層の構造を有する。

【0123】

正孔輸送領域ＨＴＲは、多様な方法、例えば真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスティング法、ラングミュア－ブロジェット法、インクジェットプリント法、レーザプリント法、レーザ励起熱転写法（ＬＩＴＩ法）などを利用して形成される。

【0124】

正孔輸送領域ＨＴＲが正孔注入層を含む場合、正孔輸送領域ＨＴＲは、これに限らないが、銅フタロシアニン、ＤＮＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス－［４－（フェニル－ｍ－トリルーアミノ）－フェニル］－ビフェニル－４，４’－ジアミン）、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミノ）、ＴＤＡＴＡ（４，４’，４”－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン）、２ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”－トリス｛Ｎ，－（２－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ｝－トリフェニルアミン）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルフォナート）、ＰＡＮＩ／ＤＢＳＡ（ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）、ＰＡＮＩ／ＣＳＡ（ポリアニリン／カンファースルホン酸）、ＰＡＮＩ／ＰＳＳ（ポリアニリン）／ポリ（４－スチレンスルフォナート）などのようなフタロシアニン化合物を含む。

【0125】

正孔輸送領域ＨＴＲが正孔輸送層を含む場合、正孔輸送領域ＨＴＲは、これに限らないが、ｎ－フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバソールなどのカルバゾール系誘導体、フッ素系誘導体、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１－ビフェニル］－４，４’－ジアミン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”－トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン）などのトリフェニルアミン系誘導体、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン）、ＴＡＰＣ（４，４’－シクロへキシリデンビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］）などを含む。

【0126】

正孔輸送領域ＨＴＲは電荷発生物質を更に含む。電荷発生物質は正孔輸送領域ＨＴＲに均一に又は不均一に分布する。電荷発生物質は、これに限らないが、ｐ－ドーパントである。ｐ－ドーパントは、キノン誘導体、金属酸化物、シアン基を含む化合物のうちの一つであるが、これに限ることはない。例えば、ｐ－ドーパントは、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、Ｆ４－ＴＣＮＱ（２，３，５，６－テトラフルオロ－テトラシアノキノジメタン）などのようなキノン誘導体、又はタングステン酸化物、モリブデン酸化物などのような金属酸化物を含むが、これに限ることはない。

【0127】

発光層ＥＭＬは正孔輸送領域ＨＴＲ上に配置される。発光層ＥＭＬは、赤色、緑色、及び青色を有する発光物質を含み、蛍光物質又は燐光物質を含む。また、発光層ＥＭＬはホスト及びドーパントを含む。

【0128】

ホストとして、例えば、Ａｌｑ３（トリス（８－ヒドロキシキノリノ）アルミニウム）、ＣＢＰ（４，４’－ビス（Ｎ－カルバゾリル）－１，１’－ビフェニル）、ＰＶＫ（ポリ（ｎ－ビニルカルバゾール）、ＡＤＮ（９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”－トリス（カルバゾール－９－イル）－トリフェニルアミン）、ＴＰＢｉ（１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン）、ＴＢＡＤＮ（３－テルト－ブチル－９，１０－ジ（ナフト－２－イル）アントラセン）、ＤＳＡ（ジスチリルアリレン）、ＣＤＢＰ（４，４’－ビス（９－カルバゾリル）－２，２”－ジメチル－ビフェニル）、ＭＡＤＮ（２－メチル－９，１０－ビス（ナフタレン－２－イル）アントラセン）が使用されるが、これに限ることはない。

【0129】

発光層ＥＭＬが赤色を有する光を放出する場合、発光層ＥＭＬは、例えばＰＢＤ：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）（トリス（ジベンゾイルメタナト）フェナントロリンユウロピウム）又はパリレンを含む蛍光物質を含む。発光層ＥＭＬが赤色を有する光を放出する場合、発光層ＥＭＬに含まれるドーパントは、ＰＩＱＩｒ（ａｃａｃ）（ビス（１－フェニルイソキノリン）アセチルアセトネートイリジウム）、ＰＱＩｒ（ａｃａｃ）（ビス（１－フェニルキノリン）アセチルアセトネートイリジウム）、ＰＱＩｒ（トリス（１－フェニルキノリン）イリジウム）、ＰｔＯＥＰ（オクタエチルポリフィリンプラチナ）などのような金属複合体、又は有機金属複合体から選択される。

【0130】

発光層ＥＭＬが緑色を有する光を放出する場合、発光層ＥＭＬは、例えばＡｌｑ３（トリス（８－ヒドロキシキノリノ）アルミニウム）を含む蛍光物質を含む。発光層ＥＭＬが緑色を有する光を放出する場合、発光層ＥＭＬに含まれるドーパントは、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ファック－トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム）のような金属複合体、又は有機金属複合体から選択される。

【0131】

発光層ＥＭＬが青色を有する光を放出する場合、発光層ＥＭＬは、例えばｓｐｉｒｏ－ＤＰＶＢｉ、ｓｐｉｒｏ－６Ｐ、ＤＳＢ（ジスチリル－ベンゼン）、ＤＳＡ（ジスチリル－アリレン）、ＰＦＯ（ポリフルオレン）系ポリマー、及びＰＰＶ（ポリ（ｐ－フェニレン）ビニレン）系ポリマーで構成されたグループから選択されるいずれか一つを含む蛍光物質を含む。発光層ＥＭＬが青色を有する光を放出する場合、発光層ＥＭＬに含まれるドーパントは、（４，６－Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒｐｉｃのような金属複合体、又は有機金属複合体から選択される。発光層ＥＭＬについては詳細に後述する。

【0132】

電子輸送領域ＥＴＲは発光層ＥＭＬ上に配置される。電子輸送領域ＥＴＲは、正孔遮断層、電子輸送層、及び電子注入層のうちの少なくとも一つを含むが、これに限ることはない。

【0133】

電子輸送領域ＥＴＲが電子輸送層を含む場合、電子輸送領域ＥＴＲは、Ａｌｑ３（トリス（８－ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）、ＴＰＢｉ（１，３，５－トリ（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェニル）、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ｂｐｈｅｎ（４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、ＴＡＺ（３－（４－ビフェニルイル）－４－フェニル－５－テルト－ブチルフェニル－１，２，４－トリアゾール）、ＮＴＡＺ（４－（ナフタレン－１－イル）－３，５－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール）、ｔＢｕ－ＰＢＤ（２－（４－ビフェニルイル）－５－（４－テルトーブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール）、ＢＡｌｑ（ビス（２－メチル－８－キノリノラト－Ｎ１，Ｏ８）－（１，１’－ビフェニル－４－オラト）アルミニウム）、Ｂｅｂｑ２（ベリリウムビス（ベンゾキノリン－１０－オラト）、ＡＤＮ（９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン）、又はその化合物を含む。電子輸送層は、約１００オングストローム以上約１０００オングストローム以下であり、より好ましくは、約１５０オングストローム以上約５００オングストローム以下の厚さを有する。電子輸送層の厚さが上述した範囲内にあると、駆動電圧が増加することなく満足する電子輸送特性が確保される。

【0134】

電子輸送領域ＥＴＲが電子注入層を含む場合、電子輸送領域ＥＴＲは、ＬｉＦ、ＬｉＱ（リチウムキノレート）、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｙｂなどのようなランタン系金属、又はＲｂＣｌ、ＲｂＩなどのような金属ハロゲン化物を含むが、これに限ることはない。電子輸送層は、電子輸送物質及び絶縁特性を有する有機金属塩の混合物を含む。有機金属塩は、約４ｅＶ又はそれ以上のエネルギーバンドキャップを有する。詳しくは、有機金属塩は、酢酸金属塩、安息香酸塩金属塩、金属アセトアセテート（ｍｅｔａｌａｃｅｔｏａｃｅｔａｔｅ）、金属アセチルアセトナート（ｍｅｔａｌａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、又はステアリン酸金属塩を含む。電子注入層は、約１オングストローム～約１０００オングストローム、より好ましくは、約３オングストローム～約９０オングストロームの厚さを有する。電子注入層の厚さが上述した範囲内にあると、駆動電圧が増加することなく満足する電子注入特性が確保される。

【0135】

上述したように、電子輸送領域ＥＴＲは正孔遮断層を含む。正孔遮断層は、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、及びＢｐｈｅｎ（４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）のうちの少なくとも一つを含むが、これに限ることはない。

【0136】

第２電極ＥＬ２は電子輸送領域ＥＴＲ上に配置される。第２電極ＥＬ２は共通電極又は負極である。第２電極ＥＬ２は、第１導電性パターン層ＣＰＬ１及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。第２電極ＥＬ２は第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0137】

第２電極ＥＬ２は、透過電極、半透過電極、又は反射電極である。第２電極ＥＬ２が透過電極である場合、第２電極ＥＬ２は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、ＢａＦ、Ｂａ、Ａｇ、これらの化合物又はこれらの混合物、例えばＡｇ及びＭｇの混合物を含む。

【0138】

第２電極ＥＬ２は補助電極を含む。補助電極は発光層に向かい合うように上述した物質を蒸着して得られる層を含み、透明金属酸化物は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、及びインジウム錫亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）と同じ層上に配置される。

【0139】

第２電極ＥＬ２が半透過電極である場合、第２電極ＥＬ２は、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、これらの化合物又はこれらの混合物、例えばＡｇ及びＭｇの混合物を含む。また、第２電極ＥＬ２は、上述した物質で形成された反射層又は半透過層及びインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛酸化物、及びインジウム錫亜鉛酸化物で形成された透明導電層の多層構造を有する。

【0140】

有機発光素子ＯＥＬが前面発光型である場合、第１電極ＥＬ１は反射電極であり、第２電極ＥＬ２は透過電極又は半透過電極である。有機発光素子ＯＥＬが後面発光型である場合、第１電極ＥＬ１は透過電極又は半透過電極であり、第２電極ＥＬ２は反射電極である。

【0141】

電圧が有機発光素子ＯＥＬ内で第１及び第２電極（ＥＬ１、ＥＬ２）にそれぞれ印加されると、第１電極ＥＬ１から注入された正孔は正孔輸送領域ＨＴＲを介して発光層ＥＭＬに移動し、第２電極ＥＬ２から注入された電子は電子輸送領域ＥＴＲを介して発光層ＥＭＬに移動する。正孔と電子は発光層ＥＭＬで再結合して励起子を発生し、有機発光素子ＯＥＬは励起状態から基底状態に復帰する励起子によって光を放出する。

【0142】

気密層ＳＬは第２電極ＥＬ２上に配置される。気密層ＳＬは第２電極ＥＬ２をカバーする。気密層ＳＬは有機層及び無機層のうちの少なくとも一つを含む。気密層ＳＬは薄い気密層である。気密層ＳＬは有機発光素子ＯＥＬを保護する。

【0143】

図７Ａは、本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置の一例を示す断面図であり、図７Ｂは、本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置の一例に含まれるタッチセンシングユニットを示す平面図である。図８Ａは、本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置の他の例を示す断面図であり、図８Ｂは、本発明の他の実施形態によるフレキシブル表示装置の他の例に含まれるタッチセンシングユニットを示す平面図である。

【0144】

図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、及び図８Ｂを参照すると、タッチセンシングユニットＴＳＵはフレキシブル表示パネルＤＰ上に配置される。タッチセンシングユニットＴＳＵは気密層ＳＬ上に配置される。タッチセンシングユニットＴＳＵは、ユーザの直接タッチ、ユーザの間接タッチ、物体の直接タッチ、又は物体の間接タッチを認識する。ここで使用する用語「間接タッチ」とは、タッチセンシングユニットＴＳＵがユーザや物体のタッチを認識する距離だけユーザや物体がタッチセンシングユニットＴＳＵから離隔され、タッチセンシングユニットＴＳＵがユーザや物体によってタッチされなくてもタッチセンシングユニットＴＳＵがタッチを認識することを意味する。

【0145】

直接又は間接タッチが発生すると、静電容量の変化がセンシング電極ＴＥに含まれる第１センシング電極Ｔｘと第２センシング電極Ｒｘとの間に発生する。第１センシング電極Ｔｘに印加された感知信号は、静電容量の変化によって遅延され、次に第２センシング電極Ｒｘに印加される。タッチセンシングユニットＴＳＵは感知信号の遅延値からタッチ座標を発生する。

【0146】

本実施形態によるフレキシブル表示装置１０において、タッチセンシングユニットＴＳＵは、静電容量モードで動作するが、これに限ることはない。即ち、タッチセンシングユニットＴＳＵは、抵抗膜モード、自己静電容量モード、相互静電容量モードで動作する。

【0147】

図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図２Ａ、図２Ｂ、図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、及び図８Ｂを参照すると、導電性パターンＣＰの少なくとも一部はタッチベンディング部ＢＦ２に含まれる。導電性パターンＣＰは、タッチベンディング部ＢＦ２に含まれるが、タッチル非ベンディング部ＮＢＦ２には含まれない。或いは、導電性パターンＣＰは、タッチベンディング部ＢＦ２及びタッチル非ベンディング部ＮＢＦ２のそれぞれに含まれる。導電性パターンＣＰは、第１導電性パターン層ＣＰＬ１、及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。導電性パターン層ＣＰＬは第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0148】

以下で詳細に説明するセンシング電極ＴＥ、第１連結ラインＴＬ１、第２連結ラインＴＬ２、第１ファンアウトライン（ｆａｎ－ｏｕｔｌｉｎｅ）ＰＯ１、第２ファンアウトラインＰＯ２、第１ブリッジＢＤ１、及び第２ブリッジＢＤ２のうちの少なくとも一つは導電性パターン層ＣＰである。

【0149】

センシング電極ＴＥは気密層ＳＬ上に配置される。図示していないが、追加的なフレキシブル基板がセンシング電極ＴＥと気密層ＳＬとの間に配置されてもよい。センシング電極ＴＥは、第１導電性パターン層ＣＰＬ１及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。センシング電極ＴＥは第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0150】

絶縁層ＩＬは第１センシング電極Ｔｘ上に配置される。絶縁層ＩＬは、例えばシリコン窒化物を含むが、実施形態によっては有機物質を含む。第２センシング電極Ｒｘは第１センシング電極Ｔｘの上側に配置される。第２センシング電極Ｒｘは、第１導電性パターン層ＣＰＬ１及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。第２センシング電極Ｒｘは第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0151】

有機層ＯＲＬは第２センシング電極Ｒｘ上に配置される。有機層ＯＲＬは有機物質を含む。

【0152】

第１センシング電極Ｔｘ及び第２センシング電極Ｒｘのうちの少なくとも一つは導電性パターンＣＰである。例えば、気密層ＳＬはシリコン窒化物を含み、第１センシング電極Ｔｘのそれぞれは、チタンを含む第１導電性パターン層ＣＰＬ１、アルミニウムを含む第２導電性パターン層ＣＰＬ２、及びチタンを含む第３導電性パターン層ＣＰＬ３を含む。絶縁層ＩＬはシリコン窒化物を含み、第２センシング電極Ｒｘのそれぞれは、アルミニウムを含む第１導電性パターン層ＣＰＬ１、チタンを含む第２導電性パターン層ＣＰＬ２、及びアルミニウムを含む第３導電性パターン層ＣＰＬ３を含む。

【0153】

例えば、気密層ＳＬはシリコン窒化物を含み、第１センシング電極Ｔｘのそれぞれはアルミニウムを含む一つの層を含む。絶縁層ＩＬは有機物質を含み、第２センシング電極Ｒｘのそれぞれは、アルミニウムを含む第１導電性パターン層ＣＰＬ１、及びチタンを含む第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。

【0154】

図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、第１及び第２センシング電極（Ｔｘ、Ｒｘ）は同じ層上に配置される。第１及び第２センシング電極（Ｔｘ、Ｒｘ）は気密層ＳＬ上に配置される。第１センシング電極Ｔｘは第５及び第６方向（ＤＲ５、ＤＲ６）に配列されて互いに離隔する。

【0155】

第５方向ＤＲ５に互いに離隔された第１センシング電極Ｔｘは第１ブリッジＢＤ１によって互いに連結される。第２センシング電極Ｒｘは第５及び第６方向（ＤＲ５、ＤＲ６）に配列されて互いに離隔する。第６方向ＤＲ６に互いに離隔された第２センシング電極Ｒｘは第２ブリッジＢＤ２によって互いに連結される。第２ブリッジＢＤ２は第１ブリッジＢＤ１の上に配置される。図示していないが、絶縁層が第１ブリッジＢＤ１と第２ブリッジＢＤ２との間に配置される。

【0156】

第１ブリッジＢＤ１及び第２ブリッジＢＤ２のそれぞれは、第１導電性パターン層ＣＰＬ１、及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。第１ブリッジＢＤ１及び第２ブリッジＢＤ２のそれぞれは、第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0157】

連結ライン（ＴＬ１、ＴＬ２）はセンシング電極ＴＥに電気的に連結される。連結ライン（ＴＬ１、ＴＬ２）は、第１導電性パターン層ＣＰＬ１及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。連結ライン（ＴＬ１、ＴＬ２）は第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0158】

連結ライン（ＴＬ１、ＴＬ２）は、第１連結ラインＴＬ１及び第２連結ラインＴＬ２を含む。第１連結ラインＴＬ１は第１センシング電極Ｔｘ及び第１ファンアウトラインＰＯ１に連結される。第２連結ラインＴＬ２は第２センシング電極Ｒｘ及び第２ファンアウトラインＰＯ２に連結される。

【0159】

ファンアウトライン（ＰＯ１、ＰＯ２）は、連結ライン（ＴＬ１、ＴＬ２）及びバッド部（ＰＤ１、ＰＤ２）に連結される。ファンアウトライン（ＰＯ１、ＰＯ２）は、第１ファンアウトラインＰＯ１及び第２ファンアウトラインＰＯ２を含む。第１ファンアウトラインＰＯ１は第１連結ラインＴＬ１及び第１パッド部ＰＤ１に連結される。第２ファンアウトラインＰＯ２は第２連結ラインＴＬ２及び第２パッド部ＰＤ２に連結される。

【0160】

第１及び第２パッド部（ＰＤ１、ＰＤ２）はセンシング電極ＴＥに電気的に連結される。第１及び第２パッド部（ＰＤ１、ＰＤ２）は、第１導電性パターン層ＣＰＬ１及び第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に配置された第２導電性パターン層ＣＰＬ２を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１厚さｔ１を有して第１物質を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む。

【0161】

第１及び第２パッド部ＰＤ１、ＰＤ２は第３導電性パターン層ＣＰＬ３を更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に配置される。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第２厚さｔ２よりも厚い第３厚さｔ３を有して第３物質を含む。

【0162】

第１及び第２パッド部（ＰＤ１、ＰＤ２）は第１パッド部ＰＤ１及び第２パッド部ＰＤ２を含む。第１パッド部ＰＤ１は第１ファンアウトラインＰＯ１に連結される。第１パッド部ＰＤ１は第１センシング電極Ｔｘに電気的に連結される。第２パッド部ＰＤ２は第２ファンアウトラインＰＯ２に連結される。第２パッド部ＰＤ２は第２センシング電極Ｒｘに電気的に連結される。

【0163】

図９Ａ及び図９Ｂは、本発明の他の実施形態によるタッチセンシングユニットに含まれるセンシング電極の多様な例を示す断面図である。

【0164】

図９Ａ及び図９Ｂを参照すると、センシング電極ＴＥは多数のセンシング電極層を含む。センシング電極ＴＥは、例えば２つ、３つ、４つ、５つ、又は６つのセンシング電極層を含むが、これに限ることはない。センシング電極ＴＥは７つ又はそれ以上の電極層を含んでもよい。

【0165】

センシング電極ＴＥは第１センシング電極層ＴＥＬ１及び第２センシング電極層ＴＥＬ２を含む。第１センシング電極層ＴＥＬ１は、それぞれが第１グレーンサイズを有する第１グレーンを含む。第１センシング電極層ＴＥＬ１は第１物質を含む。第２センシング電極層ＴＥＬ２は第１センシング電極層ＴＥＬ１上に配置される。第２センシング電極層ＴＥＬ２は、それぞれが第２グレーンサイズを有する第２グレーンを含む。第２センシング電極層ＴＥＬ２は第２物質を含む。第２物質は第１物質とは異なる物質である。第２センシング電極層ＴＥＬ２は第１センシング電極層ＴＥＬ１の厚さよりも薄い厚さを有する。

【0166】

センシング電極ＴＥは第３センシング電極層ＴＥＬ３を更に含む。第３センシング電極層ＴＥＬ３は、それぞれが第３グレーンサイズを有する第３グレーンを含む。第３センシング電極層ＴＥＬ３は第３物質を含む。第３物質は第２物質とは異なる物質である。第３物質は第１物質と同じであるか又は異なる。第３センシング電極層ＴＥＬ３は第２センシング電極層ＴＥＬ２の厚さよりも厚い厚さを有する。

【0167】

図９Ｃ及び図９Ｄは、本発明の他の実施形態によるタッチセンシングユニットに含まれるラインの多様な例を示す断面図である。

【0168】

図９Ｃ及び図９Ｄを参照すると、ライン（ＴＬ１、ＴＬ、ＰＯ１、ＰＯ２）は多数のラインを含む。ライン（ＴＬ１、ＴＬ、ＰＯ１、ＰＯ２）は２つ、３つ、４つ、５つ、又は６つのライン層を含むが、これに限ることはない。ライン（ＴＬ１、ＴＬ、ＰＯ１、ＰＯ２）は７つ又はそれ以上のライン層を含んでもよい。空気層がライン層の間に提供される。

【0169】

ライン（ＴＬ１、ＴＬ、ＰＯ１、ＰＯ２）は第１ライン層ＴＬＬ１及び第２ライン層ＴＬＬ２を含む。第１ライン層ＴＬＬ１は、それぞれが第１グレーンサイズを有する第１グレーンを含む。第１ライン層ＴＬＬ１は第１物質を含む。第２ライン層ＴＬＬ２は第１ライン層ＴＬＬ１上に配置される。第２ライン層ＴＬＬ２は、それぞれが第２グレーンサイズを有する第２グレーンを含む。第２ライン層ＴＬＬ２は第２物質を含む。第２物質は第１物質とは異なる物質である。第２ライン層ＴＬＬ２は第１ライン層ＴＬＬ１の厚さよりも薄い厚さを有する。

【0170】

ライン（ＴＬ１、ＴＬ、ＰＯ１、ＰＯ２）は第３ライン層ＴＬＬ３を更に含む。第３ライン層ＴＬＬ３は、それぞれが第３グレーンサイズを有する第３グレーンを含む。第３ライン層ＴＬＬ３は第３物質を含む。第３物質は第２物質とは異なる物質である。第３物質は第１物質と同じであるか又は異なる。第３ライン層ＴＬＬ３は第２ライン層ＴＬＬ２の厚さよりも厚い厚さを有する。

【0171】

図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ、図１０Ｄ、図１０Ｅ、及び図１０Ｆは、本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置が適用された多様な装置を示す斜視図である。

【0172】

図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ、図１０Ｄ、図１０Ｅ、及び図１０Ｆを参照すると、本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置が多様な装置に適用される。例えば、本発明の実施形態による表示装置は、携帯電話、テレビジョン、コンピュータ、ウェアラブル表示装置、巻き込み可能な表示装置、折り畳み可能な表示装置、車両用表示装置、装飾品用表示装置などに適用される。

【0173】

図１０Ａはフレキシブル表示装置が適用された携帯電話を示し、図１０Ｂはフレキシブル表示装置が適用されたウェアラブル表示装置を示す。ウェアラブル表示装置は、例えば、腕時計、めがね、ヘッドアップディスプレイなどのような装置であるが、人体に着用可能であれば特定装置に限ることはない。

【0174】

図１０Ｃは、フレキシブル表示装置が適用された巻き込み可能な表示装置を示す。巻き込み可能な表示装置は、表示パネルが筐体に含まれる巻き込み軸によって巻かれるか又は伸長する表示装置を意味する。図１０Ｄは、フレキシブル表示装置が適用された折り畳み可能な表示装置を示す。折り畳み可能な表示装置は、折り畳み軸に対して折り畳まれるか又は伸長する装置を意味する。

【0175】

図１０Ｅは、フレキシブル表示装置が適用された車両用表示装置を示す。車両用表示装置は、運送手段、例えば、自動車、飛行機、船舶、汽車などに使用される表示装置を意味する。車両用表示装置は、それを設置可能であれば折り畳み可能な表示装置又は巻き込み可能な表示装置であってもよい。

【0176】

図１０Ｆは、フレキシブル表示装置が適用された装飾品用表示装置を示す。図１０Ｆはビルの柱などのような部分に設置された表示装置を示すが、これに限ることはない。

【0177】

導電性パターンの変形程度は変位程度に応じて異なる。変位が増加するにつれて導電性パターンの変形程度が増加する。即ち、変位が増加するにつれて導電性パターンの柔軟性は折り曲げられる際により難しくなる。グレーン境界の密度が増加するにつれて変位は減少する。従って、グレーン境界の密度を上げるためには、各導電性パターンのグレーンサイズを小さくする必要がある。

【0178】

従来のフレキシブル表示装置の導電性パターンは一つの層を有するように形成されていたが、そのため導電性パターンのサイズを減少することが難しかった。また、導電性パターンが一つの層を含む場合、均一なグレーンサイズを有するグレーンを含む導電性パターンを形成することが難しかった。従って、従来のフレキシブル表示装置の導電性パターンの変位が大きくなり、その結果、導電性パターンを折り曲げるための柔軟性を確保することが難しかった。従って、フレキシブル表示装置が繰り返し折り曲げられると、導電性パターンにクラックや断線が発生し、それによってフレキシブル表示装置の柔軟性が低下する虞がある。

【0179】

また、導電性パターンを折り曲げるための柔軟性を確保することが難しいため、導電性パターンの一方向及び一方向に反対する方向に繰り返し折り曲げられると、導電性パターンにクラックや断線が発生する虞がある。上述したように、本実施形態によるフレキシブル表示装置の導電性パターンは、第１厚さｔ１を有して第１物質を含む第１導電性パターン層、及び第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む第２導電性パターン層を含む。本実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれる導電性パターンは、第２物質を含む第２導電性パターンを含むため、第１導電性パターンのグレーンサイズを調節することができる。また、本実施形態によるフレキシブル表示装置に含まれる導電性パターンが互いに異なる物質を含む多数の層を含むため、グレーンのサイズは従来のグレーンよりも相対的に小さく相対的に均一であるが、それによって導電性パターンを折り曲げるための柔軟性が十分に確保される。従って、フレキシブル表示装置が繰り返し折り曲げられても、導電性パターンのクラック又は断線の発生可能性は、従来のフレキシブル表示装置に含まれる導電性パターンよりも顕著に減少する。従って、本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置の信頼性が増加する。

【0180】

なお、本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置が折り曲げられるための柔軟性が確保されるため、導電性パターンが一方向及び一方向に反対する方向に繰り返し折り曲げられても、導電性パターンのクラック又は断線の発生可能性を顕著に下げることができる。

【0181】

以下、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法を説明する。フレキシブル表示装置の製造方法において、フレキシブル表示装置の説明における特徴とは異なる特徴を主に説明する。

【0182】

図１１は、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法を示すフローチャートである。

【0183】

図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図２Ａ、図２Ｂ、及び図１１を参照すると、フレキシブル表示装置１０の製造方法は、フレキシブル基板ＦＢを用意するステップＳ１００と、フレキシブル基板ＦＢ上に導電性パターンＣＰを形成するステップと、を含む。

【0184】

フレキシブル基板ＦＢは、これに限らないが、プラスチック物質又は有機ポリマー、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリエーテルスルホンなどを含む。フレキシブル基板ＦＢ用物質は、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑度、取り扱いの容易性、撥水性などの組み合わせから選択される。フレキシブル基板ＦＢは透明である。

【0185】

導電性パターンＣＰはフレキシブル基板ＦＢ上に配置される。導電性パターンＣＰを形成するステップは、第１厚さｔ１を有する第１導電性パターン層ＣＰＬ１を形成するステップＳ２００と、第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に第２厚さｔ２を有する第２導電性パターン層ＣＰＬ２を形成するステップＳ３００と、を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１を形成するステップは、第１ガスを供給してフレキシブル基板ＦＢ上に第１厚さｔ１を有する第１導電性パターン層ＣＰＬ１を形成することで行われる。第２導電性パターン層ＣＰＬ２を形成するステップは、第１ガスとは異なる第２ガスを供給して第１導電性パターン層ＣＰＬ１上に第１厚さｔ１よりも薄い第２厚さｔ２を有する第２導電性パターン層ＣＰＬ２を形成することで行われる。

【0186】

第１導電性パターン層ＣＰＬ１は約１００オングストローム以上約１５００オングストローム以下の第１厚さｔ１を有する。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は、それぞれが第１グレーンサイズを有する第１グレーンＧＲ１を含む。第１導電性パターン層ＣＰＬ１の第１グレーンＧＲ１は約１００オングストローム以上約１０００オングストローム以下の第１グレーンサイズを有する。第１導電性パターン層ＣＰＬ１は第１物質を含む。第１物質は、金属、金属合金、金属酸化物、及び透明導電性酸化物のうちの少なくとも一つを含むが、これに限ることはない。第１導電性パターン層ＣＰＬ１において、約２００個のグレーン～約１２００個のグレーンが、約１．０μｍ^２の単位面積内に配列される。

【0187】

【0188】

第２導電性パターン層ＣＰＬ２は、約１０オングストローム以上約１００オングストローム以下の第２厚さｔ２を有する。第２厚さｔ２は第１厚さｔ１よりも薄い。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は、それぞれが第２グレーンサイズを有する第２グレーンＧＲ２を含む。第２導電性パターン層ＣＰＬ２は第２物質を含む。第２物質は第１物質とは異なる物質である。第２物質は、金属、金属合金、金属酸化物、及び透明導電性酸化物のうちの少なくとも一つを含むが、これに限ることはない。

【0189】

第１導電性パターン層ＣＰＬ１を形成するステップＳ２００及び第２導電性パターン層ＣＰＬ２を形成するステップＳ３００のうちの少なくとも一つは、金属、金属合金、金属酸化物、及び透明導電性酸化物のうちの少なくとも一つをスパッタリングすることで行われる。例えば、第１及び第２導電性パターン層（ＣＰＬ１、ＣＰＬ２）のうちの少なくとも一つは、室温で約１分以上約３分以内の時間の間に行われるスパッタリング工程を介して行われる。例えば、第１及び第２導電性パターン層（ＣＰＬ１、ＣＰＬ２）のうちの少なくとも一つは、約５０℃以上約６０℃以下の温度において、約１分以上約３分以内の時間の間に行われるスパッタリング工程を介して行われる。

【0190】

【0191】

【0192】

導電性パターンＣＰを形成するステップは、第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に第３導電性パターン層ＣＰＬ３を形成するステップを更に含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３を形成するステップは、第２ガスとは異なる第３ガスを供給して第２導電性パターン層ＣＰＬ２上に第３厚さｔ３を有する第３導電性パターン層ＣＰＬ３を形成することで行われる。

【0193】

第３導電性パターン層ＣＰＬ３は、約１００オングストローム以上約１５００オングストローム以下の第３厚さｔ３を有する。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は、それぞれが第３グレーンサイズを有する第３グレーンＧＲ３を含む。第３導電性パターン層ＣＰＬ３の第３グレーンＧＲ３は、約１００オングストローム以上約１０００オングストローム以下の第３グレーンサイズを有する。第３導電性パターン層ＣＰＬ３は第３物質を含む。第３物質は第２物質とは異なる物質である。第３物質は第１物質と同じであるか又は異なる。第３物質は、金属、金属合金、金属酸化物、及び透明導電性酸化物のうちの少なくとも一つを含むが、これに限ることはない。第３導電性パターン層ＣＰＬ３において、約２００個のグレーン～約１２００個のグレーンが約１．０μｍ^２の単位面積内で配列される。

【0194】

第１導電性パターン層ＣＰＬ１を形成するステップＳ２００、第２導電性パターン層ＣＰＬ２を形成するステップＳ３００、及び第３導電性パターン層ＣＰＬ３を形成するステップのそれぞれは、プラズマなしに行われる。

【0195】

第１導電性パターン層ＣＰＬ１を形成するステップＳ２００はアルミニウムガスを利用して行われ、第２導電性パターン層ＣＰＬ２を形成するステップＳ３００はチタンガスを利用して行われ、第３導電性パターン層ＣＰ３を形成するステップはアルミニウムガスを利用して行われる。この場合、第１、第２、及び第３導電性パターン層（ＣＰＬ１、ＣＰＬ２、ＣＰＬ３）は、それぞれ約１５００オングストローム、約５０オングストローム、及び約１５００オングストロームの厚さを有する。

【0196】

第１導電性パターン層ＣＰＬ１を形成するステップＳ２００がアルミニウムガスを利用して行われる場合、第２導電性パターン層ＣＰＬ２を形成するステップＳ３００はチタンガスを利用して行われ、第３導電性パターン層ＣＰ３を形成するステップはアルミニウムガスを利用して行われる。第１導電性パターン層ＣＰＬ１を形成するステップＳ２００、第２導電性パターン層ＣＰＬ２を形成するステップＳ３００、及び第３導電性パターン層ＣＰ３を形成するステップは、それぞれ５回行われる。

【0197】

他の実施形態として、第１導電性パターン層ＣＰＬ１を形成するステップＳ２００はアルミニウムガスを利用して行われ、第２導電性パターン層ＣＰＬ２を形成するステップＳ３００は酸素ガスを利用して行われ、第３導電性パターン層ＣＰ３を形成するステップはアルミニウムガスを利用して行われる。

【0198】

第１導電性パターン層ＣＰＬ１を形成するステップＳ２００は、第１ガスとは異なる第２ガスを利用して第２層を形成するステップ、第２ガスとは異なる第３ガスを利用して第３層を形成するステップ、並びに第１、第２、及び第３層をエッチングして第１、第２、及び第３導電性パターン層ＣＰＬ１、ＣＰＬ２、ＣＰＬ３を形成するステップを含む。

【0199】

他の実施形態として、導電性パターンＣＰを形成するステップは、第１ガスを利用して第１層を形成するステップ、第１マスクを利用して第１層をエッチングして第１導電性パターン層ＣＰＬ１を形成するステップ、第１ガスとは異なる第２ガスを利用して第２層を形成するステップ、第２マスクを利用して第２層をエッチングして第２導電性パターン層ＣＰＬ２を形成するステップ、第２ガスとは異なる第３ガスを利用して第３層を形成するステップ、及び第３マスクを利用して第３層をエッチングして第３導電性パターン層ＣＰＬ３を形成するステップを含む。

【0200】

【0201】

【0202】

また、導電性パターンを折り曲げるための柔軟性を確保することが難しいため、導電性パターンの一方向及び一方向に反対する方向に繰り返し折り曲げられると、導電性パターンにクラックや断線が発生する虞がある。上述したように、本実施形態による製造方法によって製造されたフレキシブル表示装置に含まれる導電性パターンは、第１厚さｔ１を有して第１物質を含む第１導電性パターン層、及び第２厚さｔ２を有して第１物質とは異なる第２物質を含む第２導電性パターン層を含む。本実施形態による製造方法によって製造されたフレキシブル表示装置に含まれる導電性パターンは、第２物質を含む第２導電性パターンを含むため、第１導電性パターンのグレーンサイズを調節することができる。また、本実施形態による製造方法によって製造されたフレキシブル表示装置に含まれる導電性パターンが互いに異なる物質を含む多数の層を含むため、グレーンのサイズは従来のグレーンよりも相対的に小さく相対的に均一であるが、それによって導電性パターンを折り曲げるための柔軟性が十分に確保される。従って、フレキシブル表示装置が繰り返し折り曲げられても、導電性パターンのクラック又は断線の発生可能性は、従来のフレキシブル表示装置に含まれる導電性パターンよりも顕著に減少する。従って、本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置の信頼性が増加する。

【0203】

【0204】

以下、本発明によるフレキシブル表示装置を多様な実施例を参照して詳細に説明する。

【0205】

実施例１：

【0206】

約２分間、約６０℃の温度でポリカーボネート（ＰＣ）基板上にアルミニウムをスパッタリングすることで、約５０ｎｍの厚さを有するアルミニウム導電性パターン層を形成する工程を６回行って、アルミニウム酸化物－導電層をアルミニウム導電性パターン層の間に形成した。アルミニウム導電性パターン層と交互に積層された６つの導電性パターン層及び５つのアルミニウム酸化物－導電層を含む導電性パターンを形成した。

【0207】

実施例２：

【0208】

スパッタリング工程が約６０℃ではなく約２０℃の温度で行われたことを除いては、実施例１に説明した工程と同じ工程を介して導電性パターンを形成した。

【0209】

実施例３：

【0210】

アルミニウムがＰＣ基板上にスパッタリングされて、約１５０ｎｍの厚さを有する第１アルミニウム導電性パターン層を形成し、チタンが第１アルミニウム導電性パターン層上にスパッタリングされて、約５ｎｍの厚さを有するチタン導電性パターン層を形成し、アルミニウムがチタン導電性パターン層上にスパッタリングされて、約１５０ｎｍの厚さを有する第２アルミニウム導電性パターン層を形成した。

【0211】

比較例１：

【0212】

アルミニウムがＰＣ基板上に約６０℃で３分間スパッタリングされたことを除いては、実施例１に説明した工程と同じ工程を介して約３０ｎｍの厚さを有する導電性パターンを形成した。

【0213】

比較例２：

【0214】

スパッタリング工程が約６０℃ではなく約２０℃の温度で行われたことを除いては、比較例１に説明した工程と同じ工程を介して導電性パターンを形成した。

【0215】

比較例３：

【0216】

アルミニウムをＰＣ基板の上にスパッタリングして形成した導電性パターンが約２００ｎｍの厚さを有することを除いては、実施例１に説明した工程と同じ工程を介して導電性パターンを形成した。

【0217】

１．測定

【0218】

１）グレーンサイズの測定

【0219】

グレーンサイズは、実施例１～３、並びに比較例１及び２の断面の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を獲得して測定した。ＳＥＭ画像は、ＦＥＩ社のＨｅｌｉｏｓ４５０を使用して獲得した。実施例１、並びに比較例１及び３のＳＥＭ画像を図１２Ａに示し、実施例１及び２、並びに比較例１及び２のＳＥＭ画像を図１２Ｂに示し、グレーンサイズを下記表１に示した。なお、実施例１及び２、並びに比較例１及び２の断面のＳＥＭ画像を図１３に示した。

【0220】

【表1】

【0221】

２）内側への折り曲げ及び外側への折り曲げによって断線が発生したか否かを点検

【0222】

実施例１～３、並びに比較例１及び３の内側への折り曲げ及び外側への折り曲げによる断線を点検した。比較例１及び３における内側への折り曲げによる断線を図１４に示した。

【0223】

３）内側への折り曲げ及び外側への折り曲げによる抵抗変化の測定

【0224】

実施例１～３、並びに比較例１及び３の内側への折り曲げによる抵抗変化、及び実施例１～３、並びに比較例１及び３の外側への折り曲げよる抵抗変化を測定した。内側への折り曲げによる抵抗変化は下記表２に示し、外側への折り曲げによる抵抗変化は下記表３に示した。

【0225】

【表2】

【0226】

【表3】

【0227】

２．測定結果

【0228】

１）グレーンサイズの測定

【0229】

図１２Ａ、図１２Ｂ、及び図１３、そして表１に示すように、実施例１～３のそれぞれのグレーンサイズは比較例１～３のそれぞれのグレーンサイズより小さかった。

【0230】

２）内側への折り曲げ及び外側への折り曲げによって断線が発生したか否かを点検

【0231】

実施例１～３では内側への折り曲げ及び外側への折り曲による断線が発生していなかったが、図１４に示したように、比較例１及び３では内側への折り曲げ及び外側への折り曲による断線が発生していた。

【0232】

３）内側への折り曲げ及び外側への折り曲げによって引き起こされた抵抗変化の測定

【0233】

表２及び３に示すように、実施例１～３では内側への折り曲げ及び外側への折り曲げによる抵抗変化が相対的に小さかったが、比較例１及び３では内側への折り曲げ及び外側への折り曲による抵抗変化が相対的に大きかった。

【0234】

以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。

【符号の説明】

【0235】

１０フレキシブル表示装置
ＢＤ１、ＢＤ２第１、第２ブリッジ
ＢＦベンディング部
ＢＦ１パネルベンディング部
ＢＦ２タッチベンディング部
ＢＸベンディング軸
ＣＡチャネル部
ＣＥ１、ＣＥ２第１、第２共通電極
ＣＨ１～ＣＨ６第１～第６コンタクト穴
ＣＰ導電性パターン
ＣＰＬ１～ＣＰＬ３第１～第３導電性パターン層
Ｃｓｔキャパシタ
ＤＡドレイン部
ＤＥ１、ＤＥ２第１、第２ドレイン電極
ＤＬデータライン
ＤＰフレキシブル表示パネル
ＤＲ１～ＤＲ６第１～第６方向
ＤＶＬ駆動電圧ライン
ＥＬ電極
ＥＬ１、ＥＬ２第１、第２電極
ＥＬＬ１～ＥＬＬ３際１～第３電極層
ＥＭＬ発光層
ＥＴＲ電子輸送領域
ＦＢフレキシブル基板
ＦＢ１第１フレキシブル基板
ＧＥ１、ＧＥ２第１、第２ゲート電極
ＧＩゲート絶縁層
ＧＬゲートライン
ＧＲ１～ＧＲ３第１～第３グレーン
ＨＴＲ正孔輸送領域
ＩＬ絶縁層
ＩＬ１、ＩＬ２第１、第２絶縁層
ＮＢＦ非ベンディング部
ＮＢＦ１パネル非ベンディング部
ＮＢＦ２タッチ非ベンディング部
ＯＥＬ有機発光素子
ＯＲＬ有機層
ＰＤ１、ＰＤ２第１、第２パッド部
ＰＤＬピクセル定義層
ＰＬ
ＰＯ１、ＰＯ２第１、第２ファンアウトライン
ＰＸピクセル
Ｒ１～Ｒ４第１～第４曲率半径
Ｒｘ第２センシング電極
ＳＡソース部
ＳＥ１、ＳＥ２第１、第２ソース電極
ＳＬ気密層
ＳＭ１、ＳＭ２第１、第２半導体パターン
ｔ１～ｔ３第１～第３厚さ
ＴＥセンシング電極
ＴＥＬ１～ＴＥＬ３第１～第３センシング電極層
ＴＦＴ１スイッチング薄膜トランジスタ
ＴＦＴ２駆動薄膜トランジスタ
ＴＬ１、ＴＬ２第１、第２連結ライン
ＴＬＬ１～ＴＬＬ３第１～第３ライン層
ＴＳＵタッチセンシングユニット
Ｔｘ第１センシング電極
ＷＩ配線
ＷＩ１、ＷＩ２第１、第２配線
ＷＩＬ１～ＷＩＬ３第１～第３配線層
ＷＩＬ１１～ＷＬＩ１３第１～第３サブ配線層
ＷＩＬ２１～ＷＩＬ２３第４～第６サブ配線層

【図1A】