特許7010820IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > コミサリア　ア　レネルジ　アトミク　エ　オウ　エネルジ　アルタナティヴ > 特許7010820

技術分野

本発明の分野は、発光又は光検出に適したナノワイヤ又はマイクロワイヤのような３次元半導体構造を有する光電子素子（optoelectronic device）の分野である。

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、改善された光学効率を有し、ナノワイヤ又はマイクロワイヤの類いの３次元半導体構造を有する光電子素子を開発する必要がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、先行技術の欠点を少なくとも部分的に改善し、特に、改善された光学効率を有する少なくとも１つの３次元半導体構造を有する光電子素子を提案することを目的とする。この目的のために、本発明は少なくとも１つの３次元半導体構造を有する光電子素子に関し、３次元半導体構造は当該構造が載る基板平面に実質的に直交する長手方向軸に沿って延在し、基板の面から長手方向軸に沿って延在する第１ドープ部と、第１ドープ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明のその他の態様、目的、利点、特徴は、以下にこれらに限定されない例として与えられる本発明の好ましい実施の形態の詳細な説明を読み、添付された図面を参照することによって、より明らかになるであろう。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 活性部が拡大され不動態化（passivate）された軸方向配置の３次元半導体構造を有する、第１の実施の形態に係る光電子素子の概略断面図である。
【図2】 活性部が単一量子井戸を有する軸方向配置の３次元半導体構造の他の例の概略断面図である。
【図3】 成長温度Ｔ及び名目のIn/III比に応じた活性部の拡大率ＲＤの変化量の例を示す図である。
【図4】 エネルギー分散Ｘ線分光分析（ＥＤＸ）に基づく、図２に示す３次元半導体構造の活性部の断面に対するインジウム及びガリウムの原子比率の変化量の例を示す。
【図5】 活性部が相互に接触する、軸方向配置の３次元半導体構造を有する、第２の実施の形態に係る光電子素子の概略断面図である。
【図6a】 活性部が複数層の形状の多数の量子井戸を有する、軸方向配置の３次元半導体構造の変形例の概略断面図である。
【図6b】 活性部が複数の量子ドットの形状の多数の量子井戸を有する、軸方向配置の３次元半導体構造の他の変形例の概略断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.