7014563 チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-01-24

(45)【発行日】2022-02-01

(54)【発明の名称】チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01C 17/22 20060101AFI20220125BHJP

   H01C 1/014 20060101ALI20220125BHJP

   H01C 17/065 20060101ALI20220125BHJP

   H01C 7/00 20060101ALI20220125BHJP

【ＦＩ】

H01C17/22

H01C1/014

H01C17/065 310

H01C7/00 110

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2017206566

(22)【出願日】2017-10-25

(65)【公開番号】P2019079963

(43)【公開日】2019-05-23

【審査請求日】2020-09-15

(73)【特許権者】

【識別番号】000105350

【氏名又は名称】ＫＯＡ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000442

【氏名又は名称】特許業務法人 武和国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】松本 健太郎

【審査官】田中 晃洋

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１４－０１７３７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－０３１４０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－２７７３１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０４－１６４３０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－０７６５５５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｃ １７／２２

Ｈ０１Ｃ １／０１４

Ｈ０１Ｃ １７／０６５

Ｈ０１Ｃ ７／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁基板と、この絶縁基板上に所定間隔を存して対向配置された一対の電極と、これら一対の電極間を橋絡する抵抗体とを備え、前記抵抗体が前記電極と隙間を存して対向する複数のターン部を有する蛇行形状に形成されているチップ抵抗器において、
前記ターン部の外側に導電材料からなる浮島導体が形成されていると共に、前記抵抗体に前記浮島導体に向かって電極間方向へ延びるトリミング溝が形成されており、前記浮島導体は前記電極に形成されたスリットによって該電極から分離されたものであることを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項2】

請求項１の記載において、前記トリミング溝が電極間距離の１／２以上の長さに形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項3】

請求項１の記載において、前記スリットと前記トリミング溝とが連続していることを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項4】

請求項１の記載において、前記抵抗体は前記ターン部に向かって電極方向へ延びる切込みを有しており、この切込みと前記スリットとが連続していると共に、前記切込みが前記スリットよりも幅広に設定されていることを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項5】

請求項１の記載において、一対の前記電極の少なくとも一方に相手側の電極方向へ突出する凸部が形成されていると共に、この凸部に前記抵抗体が接続されており、前記凸部に対して前記スリットを電極間方向と直交する方向に沿って形成することにより、前記凸部が前記電極から分離されて前記浮島導体となることを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項6】

請求項５の記載において、前記抵抗体に前記ターン部に向かって電極方向へ延びる切込みが印刷形成されていると共に、前記凸部の幅が該凸部に重なる前記抵抗体の幅より小さく設定されており、前記スリットの先端が前記切込みに連続していることを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項7】

絶縁基板と、この絶縁基板上に所定間隔を存して対向配置された一対の電極と、これら一対の電極間を橋絡する抵抗体とを備え、前記抵抗体が前記電極と隙間を存して対向する複数のターン部を有する蛇行形状に形成されているチップ抵抗器の製造方法において、
前記電極に前記抵抗体との接続箇所に達するスリットを形成することにより、前記ターン部に前記電極から分離された浮島導体を形成する工程と、
前記スリットを延長して前記抵抗体に前記浮島導体に向かって電極間方向へ延びるトリミング溝を形成する工程と、
を含むことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、絶縁基板上に設けられた抵抗体にトリミング溝を形成することで抵抗値が調整されるチップ抵抗器と、そのようなチップ抵抗器の製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

チップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を橋絡する端面電極と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う保護膜等によって主に構成されている。

【0003】

一般的に、このようなチップ抵抗器を製造する場合、大判の集合基板に対して多数個分の電極や抵抗体や保護膜等を一括して形成した後、この集合基板を格子状の分割ライン（例えば分割溝）に沿って分割してチップ抵抗器を多数個取りするようにしている。かかるチップ抵抗器の製造過程で、集合基板の片面には抵抗ペーストを印刷・焼成することにより多数の抵抗体が形成されるが、印刷時の位置ずれや滲み、あるいは焼成炉内の温度むら等の影響により、各抵抗体の大きさや膜厚に若干のばらつきを生じることは避け難いため、集合基板の状態で各抵抗体にトリミング溝を形成して所望の抵抗値に設定するという抵抗値調整作業が行われる。

【0004】

このような構成のチップ抵抗器において、静電気や電源ノイズ等で発生するサージ電圧が印加すると、過剰な電気的ストレスにより抵抗器の特性に影響を与えることになり、最悪の場合に抵抗器が破壊されてしまうことがある。サージ特性を向上させるためには、抵抗体を蛇行形状（ミアンダ形状）にして全長を長くすれば、電位降下がなだらかになってサージ特性を改善できることが知られている。

【0005】

そこで、図１２に示すように、絶縁基板１１の両端部に所定間隔を存して一対の表電極１２を形成し、次いで、これら両表電極１２間に印刷技法により２ターン蛇行している抵抗体１３を形成した後、この抵抗体１３の蛇行していない領域にレーザートリミング法でトリミング溝１４を形成することにより、抵抗体１３を３ターン分蛇行させるようにしたチップ抵抗器１００が提案されている（特許文献１参照）。

【0006】

このチップ抵抗器１００においては、スクリーン印刷等の印刷技法とレーザートリミング加工との併用により、抵抗体１３の全長を長く（３ターン蛇行）してサージ特性を向上させることができると共に、トリミング溝１４の形成が抵抗値の調整を兼ねているため、抵抗値精度を向上させることができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】特開平９－２０５００４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

特許文献１に記載された従来技術では、直線状に延びるトリミング溝１４を形成することによって、抵抗値調整を兼ねて抵抗体１３を蛇行させることができるため、印刷技法のみを用いて蛇行形状の抵抗体１３を形成する場合に比べると、抵抗値精度を向上させることができる。しかし、トリミング溝１４の先端部分の抵抗体１３はマイクロクラックの発生によって負荷に弱い部分であるにもかかわらず、当該部分は抵抗体１３の中で特に負荷の集中するターン部の内側であるため、負荷による抵抗値変化などの不具合を発生させてしまう危険性が高くなる。

【0009】

本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減できると共に、サージ特性を向上させることが可能なチップ抵抗器を提供することにあり、第２の目的は、そのようなチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上記第１の目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板と、この絶縁基板上に所定間隔を存して対向配置された一対の電極と、これら一対の電極間を橋絡する抵抗体とを備え、前記抵抗体が前記電極と隙間を存して対向する複数のターン部を有する蛇行形状に形成されているチップ抵抗器において、前記ターン部の外側に導電材料からなる浮島導体が形成されていると共に、前記抵抗体に前記浮島導体に向かって電極間方向へ延びるトリミング溝が形成されており、前記浮島導体は前記電極に形成されたスリットによって該電極から分離されたものであることを特徴としている。

【0011】

このように構成されたチップ抵抗器では、電極と隙間を存して対向するターン部の外側に導電材料からなる浮島導体が形成されており、ターン部を流れる電流はターン部の外側に形成された電気抵抗の小さい浮島導体を流れやすいため、ターン部の内側にかかる負荷を軽減することができ、トリミング溝の先端部にマイクロクラックが発生しても、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができる。また、浮島導体は電極にスリットを入れることで電極から分離されたものであるから、浮島導体をわざわざ別途設ける必要がなく、チップ抵抗器を容易に製造することができる。しかも、抵抗体のターン部と電極との間に位置ずれや滲み等を考慮して広めの隙間を確保しておく必要がなくなり、その分、抵抗体の形成スペースを広くすることができるため、蛇行形状の抵抗体の全長を長くすることが可能となり、サージ特性に優れたチップ抵抗器を実現することができる。

【0012】

上記構成のチップ抵抗器において、トリミング溝が電極間距離の１／２以上の長さに形成されていると、ターン部を流れる電流は電気抵抗の小さい浮島導体を流れやすいため、ターン部の内側にかかる負荷をより一層軽減することができる。

【0013】

また、上記構成のチップ抵抗器において、スリットとトリミング溝を別工程で形成したり、異なる手段を用いて形成することも可能であるが、これらスリットとトリミング溝とが連続していると、例えば電極に照射したレーザー光をそのまま抵抗体まで延ばせば、スリットによる浮島導体の形成とトリミング溝による抵抗値調整とを連続的に行うことができる。

【0014】

また、上記構成のチップ抵抗器において、トリミング溝によって抵抗体の蛇行形状が規定されるように構成しても良いが、抵抗体の印刷パターンとトリミング溝の両方によって蛇行形状が規定されるように構成することも可能である。例えば、２つのターン部の一方を抵抗体の印刷パターンによって形成する場合、抵抗体にターン部に向かって相手側の電極方向へ延びる切込みを予め印刷形成しておき、電極に形成したスリットの先端を切込みに連続させると共に、切込みの幅をスリットよりも広く設定するという構成にすると、切込みに連続するスリットの先端が抵抗体と離間するため、抵抗体にマイクロクラックが発生しなくなる。したがって、マイクロクラックに起因する特性への悪影響をより一層軽減することができる。なお、切込みの全長に亘って切込みの幅をスリットよりも広く設定しても良いが、切込みのうちスリットの先端に連続する部分だけ、切込みの幅をスリットよりも広く設定するようにしても良い。

【0015】

また、上記構成のチップ抵抗器において、一対の電極の少なくとも一方に相手側の電極方向へ突出する凸部が形成されていると共に、この凸部に抵抗体が接続されており、凸部に対してスリットを電極間方向と直交する方向に沿って形成することにより、凸部が電極から分離されて浮島導体となるように構成すると、凸部を直線的に切断することが可能になるため、浮島導体を容易に形成することができる。

【0016】

この場合において、抵抗体にターン部に向かって電極方向へ延びる切込みが印刷形成されていると共に、凸部の幅が該凸部に重なる抵抗体の幅より小さく設定されており、凸部を縦断するスリットの先端がこの切込みに連続していると、凸部と抵抗体の重なり部分の近傍に切込みに繋がるスペースが確保され、このスペースに連続するスリットの先端が抵抗体と離間するため、抵抗体にマイクロクラックは発生しなくなる。したがって、切込みの幅を狭く設定することが可能となり、その分、抵抗体の形成スペースを広くすることができる。

【0017】

また、上記第２の目的を達成するために、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板と、この絶縁基板上に所定間隔を存して対向配置された一対の電極と、これら一対の電極間を橋絡する抵抗体とを備え、前記抵抗体が前記電極と隙間を存して対向する複数のターン部を有する蛇行形状に形成されているチップ抵抗器の製造方法において、前記電極に前記抵抗体との接続箇所に達するスリットを形成することにより、前記ターン部に前記電極から分離された浮島導体を形成する工程と、前記スリットを延長して前記抵抗体に前記浮島導体に向かって電極間方向へ延びるトリミング溝を形成する工程と、を含むことを特徴としている。

【0018】

このような工程を含むチップ抵抗器の製造方法では、トリミング溝の先端部と対向する抵抗体のターン部に浮島導体が形成され、このターン部を流れる電流はターン部の外側に形成された電気抵抗の小さい浮島導体を流れやすいため、ターン部の内側にかかる負荷を軽減することができ、トリミング溝の先端部にマイクロクラックが発生しても、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができる。また、浮島導体は電極にスリットを入れることで電極から分離されたものであるから、浮島導体をわざわざ別途設ける必要がなく、チップ抵抗器を容易に製造することができる。しかも、抵抗体のターン部と電極との間に位置ずれや滲み等を考慮して広めの隙間を確保しておく必要がなくなり、その分、抵抗体の形成スペースを広くすることができるため、蛇行形状の抵抗体の全長を長くすることが可能となり、サージ特性に優れたチップ抵抗器を実現することができる。

【発明の効果】

【0019】

本発明によれば、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減できると共に、サージ特性を向上させることが可能なチップ抵抗器を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。

【図2】第１実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。

【図3】本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。

【図4】本発明の第３実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。

【図5】第３実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。

【図6】本発明の第４実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。

【図7】本発明の第５実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。

【図8】第５実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。

【図9】本発明の第６実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。

【図10】本発明の第７実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。

【図11】第７実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。

【図12】従来例に係るチップ抵抗器の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１に示すように、本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の表面における長手方向両端部に所定間隔を存して対向配置された第１電極３および第２電極４と、これら第１および第２電極３，４に接続する蛇行形状の抵抗体５と、抵抗体５を覆う図示せぬ保護膜等によって主に構成されている。

【0022】

絶縁基板２はセラミック等からなり、この絶縁基板２は後述する大判の集合基板を縦横の分割溝に沿って分割して多数個取りされたものである。

【0023】

第１電極３と第２電極４はＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。図示左側の第１電極３は段付き状に突出する下端部が抵抗体５の一端部と接続されており、図示右側の第２電極４は段付き状に突出する上端部が抵抗体５の他端部と接続されている。

【0024】

抵抗体５は酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、この抵抗体５は電極間方向に延びるリード部５ａが延出方向を反転するターン部５ｂを介して連続する蛇行形状（ミアンダ形状）に形成されている。本実施形態例の場合、３つのリード部５ａが２つのターン部５ｂを介して交互に連続する２ターン蛇行の抵抗体５となっており、これら３つのリード部５ａのうち、下段側のリード部５ａが第１電極３に接続され、上段側のリード部５ａが第２電極４に接続されている。また、２つのターン部５ｂにはそれぞれ浮島導体６Ａ，６Ｂが形成されており、これら浮島導体６Ａ，６Ｂは第１および第２電極３，４と同一材料からなる。図示左側の浮島導体６ＡはＬ字状のスリットＳ１を介して第１電極３に対向しており、図示右側の浮島導体６Ｂは逆Ｌ字状のスリットＳ２を介して第２電極４に対向している。

【0025】

抵抗体５には抵抗値調整用の２本のトリミング溝７Ａ，７Ｂが形成されており、これらトリミング溝７Ａ，７Ｂによって抵抗体５はＳ字状の蛇行形状となっている。図示下側のトリミング溝７Ａは第１電極３に形成されたスリットＳ１の先端部に連続して電極間方向へ延びており、このトリミング溝７Ａの先端は図示右側のターン部５ｂに形成された浮島導体６Ｂに対向している。図示上側のトリミング溝７Ｂは第２電極４に形成されたスリットＳ２の先端部に連続して電極間方向へ延びており、このトリミング溝７Ｂの先端は図示左側のターン部５ｂに形成された浮島導体６Ａに対向している。詳細については後述するが、スリットＳ１とトリミング溝７ＡおよびスリットＳ２とトリミング溝７Ｂは、レーザー光の照射によってそれぞれ連続的に形成されたものであり、それぞれの幅寸法は同一に設定されている。

【0026】

図示せぬ保護膜はエポキシ系の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、この保護膜は抵抗体５を外部環境から保護する機能を有している。

【0027】

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器１の製造工程について、図２を参照しながら説明する。

【0028】

まず、絶縁基板２が多数個取りされる大判の集合基板を準備する。この集合基板には予め１次分割溝と２次分割溝が格子状に設けられており、両分割溝によって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ領域となる。図２には１個分のチップ領域に相当する集合基板２Ａが代表して示されているが、実際は多数個分のチップ領域に相当する集合基板に対して以下に説明する各工程が一括して行われる。

【0029】

すなわち、図２（ａ）に示すように、この集合基板２Ａの表面にＡｇ系ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成して一対の第１電極３と第２電極４を形成する（表電極形成工程）。なお、この表電極形成工程と同時あるいは前後して、集合基板２Ａの裏面にＡｇ系ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、第１および第２電極３，４に対応する図示せぬ裏電極を形成する（裏電極形成工程）。

【0030】

次に、集合基板２Ａの表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、図２（ｂ）に示すように、両端部が第１電極３と第２電極４に重なる長方形状の抵抗体５を形成する（抵抗体印刷工程）。

【0031】

次に、図２（ｃ）に示すように、レーザー光を第１電極３の上端部から電極間方向と直交する方向（下方）へ照射した後、これを電極間方向へ直角に方向変換して抵抗体５にもレーザー光を照射する（符号ＬＴ１参照）。

【0032】

これにより、図２（ｄ）に示すように、第１電極３の上端部から抵抗体５に達するＬ字状のスリットＳ１が形成され、このスリットＳ１によって第１電極３から分離された部分が浮島導体６Ａとなる（電極切断工程）。また、抵抗体５にスリットＳ１の先端と連続するトリミング溝７Ａが形成され、このトリミング溝７Ａが第２電極４に向かって直線状に延びることにより、抵抗体５の抵抗値が目標抵抗値よりも幾分下回る値まで抵抗値調整される（抵抗値調整工程）。

【0033】

次に、図２（ｄ）に示すように、レーザー光を第２電極４の下端部から電極間方向と直交する方向（上方）へ照射した後、これを電極間方向へ直角に方向変換して抵抗体５にもレーザー光を照射する（符号ＬＴ２参照）。

【0034】

これにより、図２（ｅ）に示すように、第２電極４の下端部から抵抗体５に達する逆Ｌ字状のスリットＳ２が形成され、このスリットＳ２によって第２電極４から分離された部分が浮島導体６Ｂとなる。また、抵抗体５にスリットＳ２の先端と連続するトリミング溝７Ｂが形成され、このトリミング溝７Ｂが第１電極３に向かって直線状に延びることにより、抵抗体５の抵抗値が目標抵抗値となるように抵抗値調整される。なお、スリットＳ１とスリットＳ２の形成順序は上記と逆でも良く、第２電極４側からスリットＳ２とそれに続くトリミング溝７Ｂを形成した後に、第１電極３側からスリットＳ１とそれに続くトリミング溝７Ａを形成することも可能である。

【0035】

このようにスリットＳ１，Ｓ２と２本のトリミング溝７Ａ，７Ｂが形成された時点で、長方形状に印刷された抵抗体５は２つのターン部５ｂを介して連続する蛇行形状となり、これら両ターン部５ｂに第１電極３と第２電極４から分離した浮島導体６Ａ，６Ｂが形成される。なお、抵抗体５の表面をガラスペースト等からなるプリコート層で覆い、このプリコート層の上からレーザー光を照射するようにしても良い。

【0036】

次に、両スリットＳ１，Ｓ２を含む領域にエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、第１電極３と第２電極４の浮島導体６Ａ，６Ｂを含む一部と抵抗体５の全体を覆う図示せぬ保護膜を形成する（保護膜形成工程）。

【0037】

ここまでの各工程は多数個取り用の集合基板２Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、集合基板２Ａを１次分割溝に沿って短冊状に分割するという１次ブレーク加工を行うことより、複数個分のチップ領域が設けられた図示せぬ短冊状基板を得る（１次分割工程）。次いで、短冊状基板の分割面にＡｇペーストを塗布して乾燥・焼成したり、Ａｇペーストの代わりにＮｉ／Ｃｒをスパッタすることにより、第１電極３および第２電極４と対応する裏電極とを橋絡する図示せぬ端面電極を形成する（端面電極形成工程）。

【0038】

しかる後、短冊状基板を２次分割溝に沿って分割するという２次ブレーク加工を行うことにより、チップ抵抗器１と同等の大きさのチップ単体を得る（２次分割工程）。最後に、個片化された各チップ単体の絶縁基板の長手方向両端部にＮｉとＡｕやＳｎ等の電解メッキを施し、保護膜から露出する第１電極３と第２電極４を覆う図示せぬ外部電極を形成することにより、図１に示すようなチップ抵抗器１が得られる。

【0039】

以上説明したように、第１実施形態例に係るチップ抵抗器１では、トリミング溝７Ａ，７Ｂの先端部と対向する抵抗体５のターン部５ｂに浮島導体６Ａ，６Ｂが形成されており、ターン部５ｂを流れる電流はターン部５ｂの外側に形成された電気抵抗の小さい浮島導体６Ａ，６Ｂを流れやすいため、ターン部５ｂの内側にかかる負荷を軽減することができ、トリミング溝７Ａ，７Ｂの先端部にマイクロクラックが発生しても、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができる。

【0040】

また、浮島導体６Ａ，６ＢはスリットＳ１，Ｓ２によって第１電極３と第２電極４から分離されたものであるから、浮島導体６Ａ，６Ｂをわざわざ別途設けるという面倒な工程必要がなくなり、チップ抵抗器１を容易に製造することができる。しかも、抵抗体５のターン部５ｂと両電極３，４との間に位置ずれや滲み等を考慮して広めの隙間を確保しておく必要がなくなり、その分、抵抗体５の形成スペースを広くすることができるため、蛇行形状の抵抗体５の全長を長くすることが可能となり、サージ特性に優れたチップ抵抗器１を実現することができる。

【0041】

さらに、スリットＳ１，Ｓ２とトリミング溝７Ａ，７Ｂとが連続しているため、第１電極３に照射したレーザー光をそのまま抵抗体５まで延ばしてトリミング溝７Ａを形成したり、第２電極４に照射したレーザー光をそのまま抵抗体５まで延ばしてトリミング溝７Ｂを形成することができ、浮島導体６Ａ，６Ｂの形成と抵抗値調整を連続的に行うことができる。

【0042】

図３は本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器１０の平面図であり、図１に対応する部分には同一符号を付してある。第２実施形態例に係るチップ抵抗器１０が第１実施形態例に係るチップ抵抗器１と相違する点は、スリットＳ２に連続するトリミング溝７Ｂの先端が浮島導体６Ａまで達していることにあり、それ以外の構成は基本的に同様である。

【0043】

このように構成されたチップ抵抗器１０によれば、浮島導体６Ａと接触するトリミング溝７Ｂの先端にマイクロクラックは発生せず、マイクロクラックが発生する部位はもう一方の浮島導体６Ｂと対向するトリミング溝７Ａの先端１箇所だけとなるため、マイクロクラックに起因する特性への悪影響をより一層軽減することができる。

【0044】

図４は本発明の第３実施形態例に係るチップ抵抗器２０の平面図、図５は第３実施形態例に係るチップ抵抗器２０の製造工程を示す説明図であり、図１，２に対応する部分には同一符号を付してある。

【0045】

図４に示す第３実施形態例に係るチップ抵抗器２０が第１実施形態例に係るチップ抵抗器１と相違する点は、抵抗体５に第２電極４から一方の浮島導体６Ａに向かって延びる切込み８が印刷形成されており、この切込み８と第１電極３から他方の浮島導体６Ｂに向かって延びるトリミング溝７Ａとによって抵抗体５の蛇行形状が規定されていることにあり、それ以外の構成は基本的に同様である。すなわち、抵抗体５に印刷形成された切込み８によって一方のターン部５ｂが規定されると共に、この切込み８に第２電極４に形成されたスリットＳ２の先端が連続するように構成されており、切込み８の幅寸法はスリットＳ２よりも十分に幅広に設定されている。

【0046】

このように構成されたチップ抵抗器２０の製造工程について説明すると、図５（ａ）に示すように、集合基板２Ａの表面に所定間隔を存して対向する一対の第１電極３と第２電極４を形成した後、図５（ｂ）に示すように、両端部が第１電極３と第２電極４に重なる抵抗体５を印刷形成する。この抵抗体５の内側領域には、第２電極４を始点として第１電極３の手前位置まで延びる長方形状の切込み８が形成されている。

【0047】

次に、図５（ｃ）に示すように、レーザー光を第２電極４の下端部から電極間方向と直交する方向（上方）へ照射した後、これを電極間方向へ直角に方向変換して切込み８内まで走査することにより（符号ＬＴ２参照）、図５（ｄ）に示すように、第２電極４の下端部から切込み８に達する逆Ｌ字状のスリットＳ２を形成すると、このスリットＳ２によって第２電極４から分離した浮島導体６Ｂが得られる。その際、切込み８がスリットＳ２に対して幅広に設定されているため、スリットＳ２の先端が切込み８に対して多少位置ずれしても、スリットＳ２の先端を切込み８に簡単かつ確実に連続させることができる。また、切込み８に連続するスリットＳ２の先端が抵抗体５と離間するため、抵抗体５にマイクロクラックは発生しなくなる。

【0048】

次に、図５（ｄ）に示すように、レーザー光を第１電極３の上端部から電極間方向と直交する方向（下方）へ照射した後、これを電極間方向へ直角に方向変換することにより（符号ＬＴ１参照）、図５（ｅ）に示すように、第１電極３にＬ字状のスリットＳ１を形成すると共に、抵抗体５にスリットＳ１の先端と連続するトリミング溝７Ａを形成する。このスリットＳ１によって第１電極３から分離した浮島導体６Ａが得られ、この浮島導体６Ａは切込み８と対向するターン部５ｂに形成される。また、トリミング溝７Ａによって抵抗体５の抵抗値が目標抵抗値となるように抵抗値調整される。この時点で抵抗体５は切込み８とトリミング溝７Ａによって２つのターン部５ｂを有する蛇行形状となる。なお、これ以降の工程は第１実施形態例と基本的に同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。

【0049】

以上説明したように、第３実施形態例に係るチップ抵抗器２０では、抵抗体５に一方のターン部５ｂに向かって電極方向へ延びる切込み８を予め印刷形成しておき、この切込み８に第２電極４に形成したスリットＳ２の先端を連続させると共に、切込み８の幅をスリットＳ２よりも広く設定しているため、切込み８に連続するスリットＳ２の先端にマイクロクラックは発生せず、マイクロクラックに起因する特性への悪影響をより一層軽減することができる。

【0050】

図６は本発明の第４実施形態例に係るチップ抵抗器３０の平面図であり、図１に対応する部分には同一符号を付してある。第３実施形態例に係るチップ抵抗器２０では、第１電極３から分離する浮島導体６Ａと切込み８との間に抵抗体５の一部を介在させているが、図６に示すチップ抵抗器３０のように、切込み８の先端を浮島導体６Ａまで延ばしても良い。

【0051】

ここで、切込み８によって分離された２つの抵抗体５のうち、図示上側の抵抗体に符号５Ａを付し、図示下側の抵抗体に符号５Ｂを付すと、抵抗体５Ａの幅はトリミング溝７Ａが形成された抵抗体５Ｂの幅よりも狭く設定されている。このようにすると、負荷は幅の狭い方の抵抗体５Ａにかかりやすくなり、この抵抗体５Ａにはトリミング溝によるマイクロクラックが発生しないため、トリミング溝７Ａが形成された抵抗体５Ｂの負荷を軽減でき、結果的にチップ抵抗器３０全体の負荷特性を向上することができる。

【0052】

図７は本発明の第５実施形態例に係るチップ抵抗器４０の平面図、図８は第５実施形態例に係るチップ抵抗器４０の製造工程を示す説明図であり、図１，２に対応する部分には同一符号を付してある。図７に示す第５実施形態例に係るチップ抵抗器４０では、浮島導体６Ｂが直線状に延びるスリットＳ２によって第２電極４から分離され、このスリットＳ２の先端に切込み８が連続するように構成されている。

【0053】

このように構成されたチップ抵抗器４０の製造工程について説明すると、まず、図８（ａ）に示すように、集合基板２Ａの表面に所定間隔を存して対向する第１電極３と第２電極４を形成する。その際、第１電極３は長方形状であるが、第２電極４には第１電極３に向かって突出する凸部４ａが形成されている。

【0054】

次に、図８（ｂ）に示すように、両端部が第１電極３と第２電極４に重なる抵抗体５を印刷形成する。この抵抗体５は、第１電極３と第２電極４間に形成された長方形状の抵抗体５Ａと、第１電極３と凸部４ａ間に形成された長方形状の抵抗体５Ｂとを有し、これら抵抗体５Ａと抵抗体５Ｂは幅狭な切込み８を挟んで対向している。ここで、抵抗体５Ａの幅は抵抗体５Ｂの幅よりも狭く設定されており、この抵抗体５Ｂの幅よりも凸部４ａの幅が小さく設定されている。

【0055】

次に、図８（ｃ）に示すように、第２電極４から突出する凸部４ａの下端部からレーザー光を上方へ照射し、このレーザー光を凸部４ａを通過する位置まで走査する（符号ＬＴ２参照）。これにより、図８（ｄ）に示すように、第２電極４に凸部４ａを縦断して切込み８に達する直線状のスリットＳ２が形成され、このスリットＳ２によって第２電極４から分離した浮島導体６Ｂが得られる。

【0056】

次に、図８（ｄ）に示すように、レーザー光を第１電極３の上端部から電極間方向と直交する方向へ照射した後、これを電極間方向へ直角に方向変換することにより（符号ＬＴ１参照）、図８（ｅ）に示すように、第１電極３にＬ字状のスリットＳ１を形成すると共に、抵抗体５ＢにスリットＳ１の先端と連続するトリミング溝７Ａを形成する。このスリットＳ１によって第１電極３から分離した浮島導体６Ａが得られると共に、トリミング溝７Ａによって抵抗体５の抵抗値が目標抵抗値となるように抵抗値調整される。なお、これ以降の工程は第１実施形態例と基本的に同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。

【0057】

以上説明したように、第５実施形態例に係るチップ抵抗器４０では、第２電極４に相手側の第１電極３に向かって突出する凸部４ａが形成されており、この凸部４ａに対してスリットＳ２を電極間方向と直交する方向に沿って形成することにより、凸部４ａが第２電極４から分離されて浮島導体６Ｂが得られるため、凸部４ａの切断によって浮島導体６Ｂを容易に形成することができる。しかも、抵抗体５に蛇行形状の一部を規定する切込み８が印刷形成されていると共に、凸部４ａの幅が凸部４ａに重なる抵抗体５Ｂの幅より小さく設定されているため、凸部４ａと抵抗体５Ｂが重なる部分の近傍に切込み８に繋がるスペースを確保することができる。そして、スリットＳ２の先端をこのスペースに連続させることで、スリットＳ２の先端を抵抗体５Ａと離間させることができるため、抵抗体５Ａにマイクロクラックは発生しなくなり、結果的に、印刷によって規定される切込み８の幅を狭く設定することが可能となり、その分、抵抗体５の形成スペースを広くすることができる。

【0058】

なお、切込み８の先端は必ずしも第１電極３側の浮島導体６Ａまで達していなくても良く、切込み８と浮島導体６Ａとの間に抵抗体５の一部が介在するように構成しても良い。また、上記第５実施形態例では、抵抗体５に印刷形成された切込み８にスリットＳ２の先端が連続するように構成されているが、第１実施形態例や第２実施形態例と同様に、切込みを形成せずにトリミング溝７Ａ，７Ｂだけで抵抗体５の蛇行形状を規定するように構成し、スリットＳ２の先端をそのまま直交方向へ延長してトリミング溝７Ｂを形成するようにしても良い。

【0059】

図９は本発明の第６実施形態例に係るチップ抵抗器５０の平面図である。図９に示すように、第６実施形態例に係るチップ抵抗器５０では、浮島導体６Ｂを第２電極４の凸部から分離して形成するだけでなく、浮島導体６Ａも第１電極３の凸部から分離して形成するように構成されている。すなわち、第１電極３には第２電極４に向かって突出する図示せぬ凸部が形成されており、この凸部を縦断するようにスリットＳ１を入れることで浮島導体６Ａが得られ、このスリットＳ１の先端がトリミング溝７Ｂと連続するようになっている。

【0060】

図１０は本発明の第７実施形態例に係るチップ抵抗器６０の平面図、図１１は第７実施形態例に係るチップ抵抗器６０の製造工程を示す説明図であり、図１，２に対応する部分には同一符号を付してある。

【0061】

図１０に示す第７実施形態例に係るチップ抵抗器６０では、抵抗体５は印刷パターンによってＮ字状の蛇行形状に形成されており、この抵抗体５の一方のターン部５ｂに第１電極３から分離した浮島導体６Ａが形成されると共に、他方のターン部５ｂに第２電極４から分離した浮島導体６Ｂが形成されている。また、抵抗体５の両端側のリード部５ａにそれぞれＬ字状のトリミング溝７Ａ，７Ｂが形成されており、一方のトリミング溝７Ａは第１電極３と浮島導体６Ａを分離するスリットＳ１の先端と連続し、他方のトリミング溝７Ｂは第２電極４と浮島導体６Ｂを分離するスリットＳ２の先端と連続している。

【0062】

このように構成されたチップ抵抗器６０の製造工程について説明すると、まず、図１１（ａ）に示すように、集合基板２Ａの表面に所定間隔を存して対向する第１電極３と第２電極４を形成する。その際、第１電極３には第２電極４に向かって突出する凸部３ａを形成し、第２電極４には第１電極３に向かって突出する凸部４ａを形成する。

【0063】

次に、図１１（ｂ）に示すように、両端部が第１電極３と第２電極４に重なる蛇行形状の抵抗体５を印刷形成する。この抵抗体５は、第１電極３と第２電極４の凸部３ａ，４ａに接続する２つのターン部５ｂと、第１電極３と一方のターン部５ｂを直線状に繋ぐリード部５ａと、第２電極４と他方のターン部５ｂを直線状に繋ぐリード部５ａと、これら２つのリード部５ａを斜め方向に繋ぐ合計３つのリード部５ａを有している。

【0064】

次に、図１１（ｃ）に示すように、レーザー光を第２電極４の凸部４ａの右側部から左方へ照射し、このレーザー光を凸部４ａの通過後にそのまま図示左側のリード部５ａ内に延ばす（符号ＬＴ２参照）。これにより、図１１（ｄ）に示すように、第２電極４に直線状のスリットＳ２を形成すると共に、抵抗体５Ｂのリード部５ａにスリットＳ２に連続するＬ字状のトリミング溝７Ｂを形成し、このスリットＳ２によって第２電極４から分離した浮島導体６Ｂが得られる。

【0065】

また、これに前後して、レーザー光を第１電極３の凸部３ａの左側部から右方へ照射し、このレーザー光を凸部３ａの通過後にそのまま図示右側のリード部５ａ内に延ばす（符号ＬＴ１参照）。これにより、図１１（ｅ）に示すように、第１電極３に直線状のスリットＳ１を形成すると共に、抵抗体５Ｂのリード部５ａにスリットＳ１に連続するＬ字状のトリミング溝７Ａを形成し、このスリットＳ１によって第１電極３から分離した浮島導体６Ａが得られると共に、両トリミング溝７Ａ，７Ｂによって抵抗体５の抵抗値が目標抵抗値となるように抵抗値調整される。なお、これ以降の工程は第１実施形態例と基本的に同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。

【0066】

以上説明したように、第７実施形態例に係るチップ抵抗器６０では、抵抗体５の印刷パターンと第１電極３および第２電極４に形成した両スリットＳ１，Ｓ２とによって蛇行形状を規定するように構成されており、トリミング溝７Ａ，７Ｂの先端部と対向するターン部５ｂにそれぞれ浮島導体６Ａ，６Ｂが形成されているため、ターン部５ｂにかかる負荷を軽減することができ、トリミング溝７Ａ，７Ｂの先端部にマイクロクラックが発生しても、マイクロクラックに起因する特性への悪影響を軽減することができる。

【0067】

また、第７実施形態例では、トリミング溝７Ａ，７Ｂがリード部５ａの幅方向内側を始点としてＬ字状に形成されているため、抵抗体５の抵抗値を高精度に抵抗値調整することができると共に、スリットＳ１，Ｓ２とトリミング溝７Ａ，７Ｂが連続しているため、トリミング溝７Ａ，７Ｂのスタートポイント（始点）が安定し、抵抗値調整を容易に行うことができる。

【符号の説明】

【0068】

１，１０，２０，３０，４０，５０，６０ チップ抵抗器
２ 絶縁基板
２Ａ 集合基板
３ 第１電極
３ａ 凸部
４ 第２電極
４ａ 凸部
５ 抵抗体
５ａ リード部
５ｂ ターン部
６Ａ，６Ｂ 浮島導体
７Ａ，７Ｂ トリミング溝
８ 切込み
Ｓ１，Ｓ２ スリット

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】