(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-01-25
(45)【発行日】2022-02-02
(54)【発明の名称】圧電デバイス
(51)【国際特許分類】
H03H 9/02 20060101AFI20220126BHJP
H01L 23/04 20060101ALI20220126BHJP
H03B 5/32 20060101ALI20220126BHJP
【ＦＩ】
H03H9/02 A
H01L23/04 E
H03B5/32 H
【請求項の数】
5
(21)【出願番号】P 2019097866
(22)【出願日】2019-05-24
(62)【分割の表示】P 2015253752の分割
【原出願日】2015-12-25
(65)【公開番号】P2019169970
(43)【公開日】2019-10-03
【審査請求日】2019-06-17
【審判番号】
【審判請求日】2021-01-12
(31)【優先権主張番号】P 2015048754
(32)【優先日】2015-03-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2015060785
(32)【優先日】2015-03-24
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000149734
【氏名又は名称】株式会社大真空
(74)【代理人】
【識別番号】100086737
【弁理士】
【氏名又は名称】岡田 和秀
(72)【発明者】
【氏名】高瀬 秀憲
(72)【発明者】
【氏名】平井 政史
【合議体】
【審判長】佐藤 智康
【審判官】衣鳩 文彦
【審判官】伊藤 隆夫
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１４－２３９４１４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０３Ｈ ９／０２ －９／６６
Ｈ０３Ｈ ３／００７－３／０６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板部を有すると共に、当該基板部の外部基板に対向する側の主面の外周部に枠部を有する平面視矩形状の絶縁性容器と、前記枠部と前記基板部の外部基板に対向する側の主面とで囲まれた凹部に収容される電子部品と、
前記基板部の電子部品が収容される主面とは反対側の主面に搭載される圧電素子と、
前記圧電素子を気密に封止する蓋と、
を備える圧電デバイスにおいて、
前記枠部の底面の外周縁と内周縁とが平面視矩形状であり、当該内周縁の４隅は平面視で円弧状となっており、
前記外部基板に半田によって接合される４つの各外部接続端子のみが、前記枠部の底面の４隅において当該底面の内周縁との間に無電極領域を隔てて形成され、
前記４つの各外部接続端子の内の２つの各外部接続端子が、前記電子部品に電気的に接続され、他の２つの各外部接続端子が、前記圧電素子に電気的に接続され、
前記各外部接続端子は、前記枠部の内周縁の各隅の円弧と略対応した円弧状の内周縁を有し、前記各外部接続端子の前記円弧状の内周縁における円弧の中心と、前記枠部の内周縁の各隅の円弧の中心とが、前記絶縁性容器の長辺方向に沿って延びる仮想直線上にあって、前記各外部接続端子の前記円弧状の内周縁における円弧の中心が、前記枠部の内周縁の各隅の円弧の中心に比べて、各外部接続端子における前記絶縁性容器の短辺側にずれている、
圧電デバイス。
【請求項2】
前記各外部接続端子の前記円弧状の内周縁の前記円弧の曲率半径と、前記枠部の内周縁の各隅の前記円弧の曲率半径とが略同一である、請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項3】
前記各外部接続端子の前記円弧状の内周縁の前記円弧の曲率半径が、前記枠部の内周縁の各隅の前記円弧の曲率半径に比べて大きい、請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項4】
前記各外部接続端子が、前記枠部の底面の４隅の各々から当該底面の隣接する長辺および短辺の各々に沿って延出した辺を有する平面視Ｌ字状に形成され、前記各外部接続端子の前記短辺に沿って延出した辺の長さが、当該外部接続端子の前記長辺に沿って延出した辺の長さよりも長い、
請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電デバイス。
【請求項5】
前記電子部品が直方体状であり、前記電子部品は、その長手方向が、前記絶縁性容器の長辺方向に直交するように、前記凹部に収容される、請求項１ないし４のいずれかに記載の圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、外部基板に半田等を介して実装される表面実装型の圧電デバイスに関する。
【背景技術】
【0002】
従来より圧電振動子や圧電発振器等の圧電デバイスは、外部基板の表面に半田付けされる表面実装型のものが広く用いられている。例えば表面実装型の水晶デバイスでは、水晶素子と、集積回路素子（ＩＣ）やサーミスタ等の電子部品とを絶縁基板の表裏主面の各々に搭載し、水晶素子を、蓋を用いて気密に封止した構成のものが存在する。つまり、水晶素子と電子部品とが別個の空間に収容される構成となっている。
【0003】
前記構成の具体例としては、平板状の基板部の下面（外部基板と対向する側の主面）と、当該下面の外周部に設けられた枠部（下枠部）とで形成される下側凹部と、平板状の基板部の上面（外部基板と対向する側の主面と反対側の主面）と、当該上面の外周部に設けられた枠部（上枠部）とで形成される上側凹部とを備えた絶縁性容器（ベース）を備えたものがある。当該ベースでは前記上側凹部に水晶素子が搭載され、前記下側凹部にＩＣやサーミスタ等の電子部品が搭載される。そして上側凹部の開口部を塞ぐように平板状の蓋が接合されることによって水晶素子が上側凹部内に気密封止される。このような構成の圧電デバイスは、例えば特許文献１に開示されている。
【0004】
特許文献１ではベースの下枠部の底面の４隅に外部接続端子が形成される。前記外部接続端子は、水晶デバイスが超小型、例えば平面視矩形状の水晶デバイスの外形寸法が１．６ｍｍ×１．２ｍｍ程度以下になってくると下枠部の底面の面積も狭小化するため、外部接続端子の形成領域はより狭くなってくる。
【0005】
このように外部接続端子の形成領域がより狭くなってくるのは、下側凹部に搭載される電子部品は或る程度の大きさを有するため、当該電子部品の下側凹部内への実装作業性を考慮すると、下側凹部は或る程度の開口面積を確保しておく必要がある。これに伴って下枠部の枠幅が幅狭になって、下枠部の底面の領域が狭くなってしまうからである。
【0006】
ベースの下枠部の底面の領域が狭くなると、下枠部の剛性が相対的に低下するため、外部基板等から発生した各種応力によってベースに撓みが生じ易くなる。
【0007】
このような超小型の水晶デバイスと外部基板との半田接合の強度を確保するためには、限られた下枠部の底面の領域内において、外部接続端子を出来るだけ大きく形成する必要がある。その結果、例えば特許文献２に示すように外部接続端子の形成領域は、下側凹部の開口端に接近してくることになる。しかし外部接続端子が下側凹部の開口端に接近し過ぎると、水晶デバイスを外部基板に実装する際に溶融した半田が、下側凹部の内底面の電子部品搭載用パッド（電極）にまで流れ込んで絶縁不良等の不具合が発生する危険性が高まる。このため、安全のためには外部接続端子の内周縁と下側凹部の開口端との間には隙間、すなわち、ベースの基材が露出した無電極領域を設けておくことが望ましい。
【0008】
ところで平面視矩形状の外部接続端子の場合、その角部は屈曲した部位であるため応力が集中しやすくなる。その結果、前記角部は半田のクラック発生の起点となり易い。そして上記のように超小型の水晶デバイスのベースの下枠部の剛性が低下することにより、外部基板等から発生した各種応力の影響を受けてベースに撓みが生じ易くなる。このような撓みが生じると、水晶デバイスの外部接続端子と半田との接合部に応力が働き、外部接続端子の角部にも前記応力が集中し易くなる。これにより、半田のクラックが発生する虞がある。半田のクラックが発生すると、当該クラックの進行によって接続不良や水晶デバイスの脱落等の不具合に至ることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【文献】特開２００７－１２４５１３号公報
【文献】特開２０１０－２６８１９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、超小型化に対応するとともに、半田のクラック発生を抑制し、高い接合信頼性を有する圧電デバイスを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明では、上記目的を達成するために、次のように構成している。
【0012】
すなわち、本発明の圧電デバイスは、基板部を有すると共に、当該基板部の外部基板に対向する側の主面の外周部に枠部を有する平面視矩形状の絶縁性容器と、前記枠部と前記基板部の外部基板に対向する側の主面とで囲まれた凹部に収容される電子部品と、前記基板部の電子部品が収容される主面とは反対側の主面に搭載される圧電素子と、前記圧電素子を気密に封止する蓋と、を備える圧電デバイスにおいて、
前記枠部の底面の外周縁と内周縁とが平面視矩形状であり、当該内周縁の４隅は平面視で円弧状となっており、
前記外部基板に半田によって接合される４つの各外部接続端子のみが、前記枠部の底面の４隅において当該底面の内周縁との間に無電極領域を隔てて形成され、
前記４つの各外部接続端子の内の２つの各外部接続端子が、前記電子部品に電気的に接続され、他の２つの各外部接続端子が、前記圧電素子に電気的に接続され、
前記各外部接続端子は、前記枠部の内周縁の各隅の円弧と略対応した円弧状の内周縁を有し、前記各外部接続端子の前記円弧状の内周縁における円弧の中心と、前記枠部の内周縁の各隅の円弧の中心とが、前記絶縁性容器の長辺方向に沿って延びる仮想直線上にあって、前記各外部接続端子の前記円弧状の内周縁における円弧の中心が、前記枠部の内周縁の各隅の円弧の中心に比べて、各外部接続端子における前記絶縁性容器の短辺側にずれている。
前記枠部の底面の外周縁と内周縁とが平面視矩形状であり、当該内周縁の４隅は平面視で円弧状となっており、
前記外部基板に半田によって接合される４つの各外部接続端子のみが、前記枠部の底面の４隅において当該底面の内周縁との間に無電極領域を隔てて形成され、
前記４つの各外部接続端子の内の２つの各外部接続端子が、前記電子部品に電気的に接続され、他の２つの各外部接続端子が、前記圧電素子に電気的に接続され、
前記各外部接続端子は、前記枠部の内周縁の各隅の円弧と略対応した円弧状の内周縁を有し、前記各外部接続端子の前記円弧状の内周縁における円弧の中心と、前記枠部の内周縁の各隅の円弧の中心とが、前記絶縁性容器の長辺方向に沿って延びる仮想直線上にあって、前記各外部接続端子の前記円弧状の内周縁における円弧の中心が、前記枠部の内周縁の各隅の円弧の中心に比べて、各外部接続端子における前記絶縁性容器の短辺側にずれている。
【0013】
本発明によれば、絶縁性容器の前記枠部の内周縁の４つの各隅を、平面視で円弧状にすることによって、枠部の４隅を補強して枠部の剛性を高め、外部基板等から発生した各種応力による絶縁性容器の撓みを生じ難くすることができる。補強された枠部の内周縁の各隅の円弧と各外部接続端子の内周縁の円弧とを略対応させた状態で枠部の外周縁の長辺方向にずらすことによって、枠部から外部接続端子に伝わる応力をより緩和することができる。
【0014】
また、本発明によれば、平面視矩形状の圧電デバイスが超小型になっても、圧電デバイスを外部基板に実装する際に溶融した半田が凹部内に流れ込む危険性を一層低減させることができる。これは、外部接続端子の円弧状の内周縁における円弧の中心と、枠部の内周縁の各隅の円弧の中心とが、枠部の外周縁の長辺方向にずれていることによって、よりスペースを確保し易い長手方向に前記無電極領域を確保することができるからである。つまり、外部接続端子の内周縁と枠部の内周縁、すなわち、凹部の開口端との間の、長辺方向における距離をより長く確保することができるからである。
【0015】
本発明の一つの実施態様では、前記各外部接続端子の前記円弧状の内周縁の前記円弧の曲率半径と、前記枠部の内周縁の各隅の前記円弧の曲率半径とが略同一である。
【0016】
この実施態様によれば、前記２つの円弧の曲率半径を同一とすることによって、外部接続端子の円弧状の内周縁と、枠部の底面の内周縁の各隅の円弧とをより対応させることができるため、絶縁容器から外部接続端子に伝わる応力を効果的に緩和することができる。
【0017】
本発明の好ましい実施態様では、前記各外部接続端子の前記円弧状の内周縁の前記円弧の曲率半径が、前記枠部の内周縁の各隅の前記円弧の曲率半径に比べて大きい。
【0018】
この実施態様によれば、絶縁性容器から外部接続端子に伝わる応力を緩和することができる。
【0019】
本発明の他の実施態様では、前記各外部接続端子が、前記枠部の底面の４隅の各々から当該底面の隣接する長辺および短辺の各々に沿って延出した辺を有する平面視Ｌ字状に形成され、前記各外部接続端子の前記短辺に沿って延出した辺の長さが、当該外部接続端子の前記長辺に沿って延出した辺の長さよりも長い。
【0020】
この実施態様によれば、外部接続端子の長辺に沿って延出した辺の長さを短くしても、その分、短辺に沿って延出した辺の長さを長くすることによって、外部接続端子の形成領域を確保することができる。
【0021】
本発明の他の実施態様では、前記電子部品が直方体状であり、前記電子部品は、その長手方向が、前記絶縁性容器の長辺方向に直交するように、前記凹部に収容される。
【0022】
平面視矩形状の枠部は、外部基板から応力等が加わったときには、長辺方向の方が、短辺方向に比べて相対的に撓み量が大きくなるが、この実施態様によれば、撓み易い枠部の長辺方向に対して、直方体状の電子部品の長手方向が直交するように電子部品を配置するので、電子部品の長手方向を、前記長辺方向に対して平行に配置するのに比べて、枠部の撓み量を相対的に抑制することができる。その結果、電子部品に働く曲げ応力等を緩和することができる。
【発明の効果】
【0034】
以上のように、超小型化に対応するとともに、半田のクラック発生を抑制し、高い接合信頼性を有する圧電デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1】本発明の参考例に係る水晶振動子の断面模式図
【図2】本発明の参考例に係る水晶振動子の底面模式図
【図6】本発明の他の参考例に係る水晶振動子の底面の部分拡大図
【図9】応力シミュレーションのモデルを示す斜視図
【図10】応力シミュレーションに用いた対称な外部接続端子の平面図
【図11】応力シミュレーションに用いた非対称な外部接続端子の平面図
【図14】
本発明の他の実施形態に係る水晶振動子の底面の部分拡大図
【発明を実施するための形態】
【0036】
以下、圧電デバイスとして温度センサを内蔵した表面実装型の水晶振動子を例に挙げ、本発明の実施形態の説明に先立って、本発明の参考例を、図面を参照しながら説明する。
【0037】
本発明の参考例を図１乃至図３を用いて説明する。図２は、本発明の参考例に係る水晶振動子の底面を示す模式図であり、図１は図２のＡ－Ａ線における断面模式図であり、図３は図２における外部接続端子１０ａを含む領域を拡大した模式図である。
【0038】
図１において、温度センサ内蔵水晶振動子１（以下、「水晶振動子１」という）は略直方体状のパッケージであり、平面視では矩形状となっている。本実施形態では水晶振動子１の平面視の外形寸法は、長辺が１．６ｍｍ、短辺が１．２ｍｍであり、その発振周波数は３８．４ＭＨｚとなっている。なお、前記水晶振動子１の平面視外形寸法と発振周波数は一例であり、前記外形寸法以外のパッケージサイズおよび前記発振周波数以外の発振周波数であっても本発明は適用可能である。
【0039】
水晶振動子１は、絶縁性容器２（以下、「ベース２」という）と、水晶素子３と、電子部品４と、蓋５とが主な構成部材となっている。本参考例では前記電子部品４として温度センサであるサーミスタ（以下「サーミスタ４」という）が用いられている。水晶振動子１は、サーミスタ４から得られた温度情報に基づいて外部で温度補償が行われる。以下、水晶振動子１を構成する各部材の概略について説明する。
【0040】
図１乃至図２において、ベース２は絶縁性材料からなる平面視矩形状の容器である。ベース２は、平板状の基板部２０と、基板部２０の一主面２０１の外周部から上方に伸びる上枠部２１と、基板部２０の他主面２０２の外周部から下方に伸びる下枠部２２とから構成されている。ここで基板部２０の他主面２０２は、外部基板に対向する側の主面であり、基板部２０の一主面２０１は電子部品としてのサーミスタ４が収容される主面とは反対側の主面となっている。本参考例では基板部２０と上枠部２１と下枠部２２の各々は、セラミックグリーンシート（アルミナ）となっており、これら３つのシートが積層された状態で焼成によって一体成形されている。これらのシートの積層間には所定形状の内部配線が形成されている。
【0041】
図１に示すように、ベース２の上枠部２１と基板部２０の一主面２０１とで囲まれた空間は、上側凹部Ｅ１となっている。この上側凹部Ｅ１は、平面視では略矩形となっている。上側凹部Ｅ１の周囲の上枠部２１の内周縁は、平面視で略矩形となっており、当該内周縁の４隅は平面視で円弧状となっている。上側凹部Ｅ１の内底面の一端側には、水晶素子３と導電接合される一対の水晶搭載用パッド７，７が並列して形成されている（図１では１つの水晶搭載用パッド７のみを示している）。当該水晶搭載用パッド７には、導電性接着剤８によって水晶素子３の一端側が導電接合される。
【0042】
ベース２の下枠部２２と基板部２０の他主面２０２とで囲まれた空間は、下側凹部Ｅ２となっている。この下側凹部Ｅ２は、平面視では正方形状となっている。下側凹部Ｅ２は、上側凹部Ｅ１よりも平面視の大きさが小さくなっており、平面視透過では、下側凹部Ｅ２は上側凹部Ｅ１に内包される位置関係となっている。
【0043】
図２に示すように、本参考例において下枠部２２の外周縁２２ａは、平面視矩形状となっており、ベース２の平面視の外形形状と略一致している。一方、下枠部２２の内周縁２２ｂ、すなわち、下側凹部Ｅ２の開口端は、平面視で正方形状となっている。下側凹部Ｅ２の開口端を構成する各辺は、下枠部２２の外周縁２２ａの短辺（図２で符号Ｗに平行な辺）および長辺（図２で符号Ｌに平行な辺）と略平行となっている。そして下枠部２２の内周縁２２ｂの４つの各隅は、平面視で円弧状Ｅ２Ｒとなっている。つまり下枠部２２の内周縁２２ｂの４隅は、平面視で正方形状の下側凹部Ｅ２の角部を円弧状（４分の１円状）に丸めたような平面視形状となっている。
【0044】
平面視矩形状の下枠部２２の外周縁２２ａの４つの角部には、図２に示すように、切り欠き部９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄが形成されている。これら切り欠き部９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄは、ベース２の外側面の４つの稜部の各々において下枠部２２のみを上下方向に貫くように切り欠かれており、平面視では４分の１円状となっている。これら４つの切り欠き部９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄの各々の内壁面には、導体が被着されている。各導体は、後述する４つの各外部接続端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄにそれぞれ接続されている。
【0045】
下側凹部Ｅ２の内底面、すなわち、基板部２０の他主面２０２には、サーミスタ４と導電接合される一対のサーミスタ搭載用パッド１１，１１が、図２に示すように、互いに対向するように形成されている。この一対のサーミスタ搭載用パッド１１，１１は、一対の引き出し電極１２，１２とそれぞれ接続されている。この一対の引き出し電極１２，１２は、内部配線を経由してサーミスタ用の外部接続端子１０ｂ，１０ｄとそれぞれ電気的に接続されている。一対のサーミスタ搭載用パッド１１，１１は、半田Ｓによってサーミスタ４の両端の電極４Ｅ，４Ｅに導電接合される。なお半田Ｓには、鉛（Ｐｂ）を含有しない鉛フリー半田が用いられている。
【0046】
一対のサーミスタ搭載用パッド１１，１１は、本参考例では、下枠部２２の外周縁２２ａの短辺方向で互いに対向するように配置されている。つまり、後述する略直方体形状のサーミスタ４の長手方向が、下枠部２２の外周縁２２ａの長辺、すなわち、ベース２の長辺と直交するようにサーミスタ４が、サーミスタ搭載用パッド１１，１１上に導電接合されることになる。このような位置関係でサーミスタ４が搭載されることにより、水晶振動子１を外部基板へ実装した後にサーミスタ４に働く応力を緩和することができる。これは次の理由による。
【0047】
水晶振動子１が実装された外部基板は、曲げ応力等が働くことによって外部基板に撓みが生じることがある。外部基板が撓むことにより、外部基板と半田を介して接合された水晶振動子１にも応力が伝わる。ベース２は平面視矩形状であり、ベース長辺の方がベース短辺よりも相対的に撓み量が大きくなる。このため、略直方体形状のサーミスタ４の長手方向が、相対的に撓み易いベース２の長辺と直交するように下側凹部Ｅ２内で接合する方が、ベース２の長辺と平行になるように下側凹部Ｅ２内で接合するよりも、ベース２の撓み量がより少ない方向でサーミスタ４を固着することができる。その結果、サーミスタ４に働く曲げ応力等を緩和することができる。
【0048】
上枠部２１と基板部２０と下枠部２２とで構成されるベース２は、図１に示す断面視では、上枠部２１と下枠部２２との枠幅が略等しいと見なすと、基板部２０の上下に凹部Ｅ１，Ｅ２を有するアルファベットの「Ｈ」状（Ｈ型）のパッケージ構造となっている。このようなパッケージ構造により、水晶素子３とサーミスタ４とが、別空間である上下の凹部Ｅ１，Ｅ２に収容されるため、製造過程で発生するガスの影響や、他の素子から発生するノイズの影響を受けにくくすることができるという効果がある。また水晶素子３とサーミスタ４とは、互いに接近した状態で１つのベース２内に収容されているため、水晶素子３の実際の温度とサーミスタ４の測定値との差異を小さくすることができる。さらに本参考例における温度センサ内蔵型水晶振動子１は、温度補償回路を内蔵していない非温度補償デバイスであるため、良好な位相雑音特性を得ることができる。
【0049】
ベース２の上枠部２１の上面には、図１に示すように金属膜６が形成されている。この金属膜６と蓋５に形成された後述の封止材とが、接触した状態で加熱されることにより、蓋５とベース２とが溶着される。本参考例では金属膜６は金メッキ層（Ａｕ）であるが、金以外の金属を使用してもよい。
【0050】
図１において、水晶素子３はＡＴカット水晶振動板の表裏主面に各種電極が形成された平面視矩形状の圧電素子である。なお、図１では記載を省略しているが、水晶素子３の略中央部分には、励振電極が表裏で対向するように一対で形成されている。前記一対の励振電極の各々から水晶素子３の表裏主面の一短辺縁部に向かって引出電極が引き出されている。この引出電極の終端部は、接合用の電極となっており、上記水晶搭載用パッド７と導電性接着剤８とによって片持ち支持されて接合されるようになっている。本参考例では導電性接着剤８にシリコーン系の接着剤が使用されているが、シリコーン系以外の導電性接着剤を使用してもよい。
【0051】
本参考例では、上記のように温度センサとしてサーミスタ４を用いている。サーミスタ４は温度上昇に対して抵抗値が減少する、いわゆるＮＴＣサーミスタ（Negative Temperature Coefficient Thermistor ）であり、圧電デバイスの小型化に対応したチップタイプのものが用いられている。図２においてサーミスタ４は略直方体形状であり、その平面視の大きさは０．６ｍｍ×０．３ｍｍとなっている。なお本参考例におけるサーミスタの大きさは一例であり、前記サイズ以外のサーミスタであってもよい。
【0052】
図１において、蓋５は平面視矩形状の平板である。蓋５はコバールが基材となっており、基材の表面にニッケルメッキと金メッキが施されている。そして蓋５のベース２と接合される側の主面の外周部には、封止材として金錫合金（ＡｕＳｎ）が枠状に形成されている。なお封止材として金錫合金以外の材料を用いてもよい。
【0053】
本参考例では図１に示すように、上枠部２１と基板部２０の内部を貫通し、その内部に導体が充填されたビアＶが形成されている。ビアＶの一端は、上枠部２１の上面に露出しており、金属膜６と電気的に接続されている。一方、ビアＶの他端は、ベース２の内部配線と接続されており、当該内部配線を経由して外部接続端子１０ｄと接続されている。つまり、金属製の蓋５と外部接続端子１０ｄとはグランド接続されている。このようにグランド接続することによって電磁的シールド効果を得ることができる。以上が各構成部材の概略である。
【0054】
【0055】
図２に示すように、下枠部２２の底面２２０、すなわち、ベース２の底面の外周縁は、平面視矩形状となっており、当該底面２２０の４隅の各々に外部接続端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄが形成されている。これら４つの外部接続端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄは、外部基板と半田によって接合される端子である。なお本参考例では、外部接続端子１０ａ～１０ｄは、３種類の金属の積層構成となっている。具体的には前記外部接続端子１０ａ～１０ｄは、ベース２の基材（セラミック）上に印刷処理によってモリブデン層が形成され、当該モリブデン層の上に、ニッケルめっき層、金めっき層の順でめっき層が積層された構成となっている。前記ニッケルめっき層および前記金めっき層は、電解めっき法によって形成されており、外部接続端子１０ａ～１０ｄとパッド等が一括同時に形成されている。なお上記外部接続端子１０ａ～１０ｄの各層を構成する金属材料は一例であり、他の金属材料を使用してもよい。例えばモリブデンに代えてタングステンを用いてもよい。
【0056】
４つの外部接続端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄのうち、外部接続端子１０ａと１０ｃは、水晶素子３の表裏主面の図示しない各励振電極と電気的に接続されている。残りの外部接続端子１０ｂと１０ｄは、サーミスタ４の両端の電極４Ｅ，４Ｅとそれぞれ電気的に接続されている。つまり、外部接続端子１０ａと１０ｃは、水晶素子用の外部接続端子であり、外部接続端子１０ｂと１０ｄは、サーミスタ用の外部接続端子となっている。ここで水晶素子用の外部接続端子１０ａと１０ｃは、サーミスタ用の外部接続端子１０ｂと１０ｄとは互いに電気的に接続されることはなく、図１の内部配線Ｍ１，Ｍ２に示すように別個独立した状態となっている。換言すれば、外部接続端子１０ａと１０ｃは、水晶素子３の励振電極とのみ電気的に接続されている。また外部接続端子１０ｂと１０ｄは、サーミスタ４の両端の電極４Ｅ，４Ｅとのみ電気的に接続されている。
【0057】
前記４つの外部接続端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄは、平面視では、下枠部２２の外周縁２２ａの短辺方向（図２の上下方向）、すなわち、ベース２の短辺方向に長く、下枠部２２の外周縁２２ａの長辺方向（図２の左右方向）、すなわち、ベース２の長辺方向に短いアルファベットの「Ｌ」のように屈曲した形状となっており、この屈曲した部分の内周縁側は円弧状１０Ｒとなっている。
【0058】
平面視矩形状のベース２は、上記のようにベース長辺の方がベース短辺よりも相対的に撓みが大きく、ベース長辺の中央部分の撓み量が最大となるため、外部接続端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの先端を、ベース長辺方向へあまり延出させるのは好ましくない。このため、半田接合の領域を確保するためには、外部接続端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの先端を、ベース短辺方向へ長く延出させるのが好ましい。
【0059】
４つの外部接続端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄのうち、外部端子１０ｃには、図２に示すように、下枠部２２の外周縁２２ａの短辺方向に延びる延出端の一部が、短辺の中央側（図２の上側）に突出した突出部１３が形成されている。この突出部１３は、画像認識の際に、４つの外部接続端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの方向性を識別するための目印として設けられているものである。なお、この突出部１３に換えて、例えば図４に示すように、外部接続端子１０1ｃの角部を面取り形状に切り欠いた切り欠き３５としてもよい。
【0060】
外部接続端子１０ａ～１０ｄは、下枠部２２の内周縁２２ｂ、すなわち下側凹部Ｅ２の開口端との間に、無電極領域１４を隔てて形成されている。ここで「無電極領域」とは、下枠部２２の底面２２０において、外部接続端子１０ａ～１０ｄが形成されていない領域のことであり、ベース２の基材であるセラミック素地が露出した領域となっている。このように外部接続端子１０ａ～１０ｄが、下側凹部Ｅ２の開口端との間に無電極領域１４を隔てて形成されていることにより、水晶振動子１を外部基板に実装する際に、溶融した半田が下側凹部Ｅ２内に流れ込むのを防止することができる。
【0061】
次に、外部接続端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄのうち、代表例として外部接続１０ａに着目して説明するが、他の外部接続端子１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの構成も同様である。
【0062】
外部接続端子１０ａは、図３に示すように平面視で略直角となる複数の角部Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を備えている。これらの角部Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４のうち、外部接続端子１０ａの外周縁側の角部がＣ１，Ｃ２であり、外部接続端子１０ａの内周縁側の角部がＣ３，Ｃ４である。
【0063】
本参考例においては、外部接続端子１０ａの内周縁側の角部Ｃ３，Ｃ４のうち、角部Ｃ４が、下枠部２２の隅の円弧状Ｅ２Ｒの内周縁２２ｂに近接している。なお外部接続端子１０ａを構成する各角部Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４は若干の曲率を帯びていてもよい。
【0064】
このように外部接続端子１０ａの角部Ｃ４を、下枠部２２の隅の円弧状Ｅ２Ｒの内周縁２２ｂに近接させることによって、超小型の水晶振動子においても半田のクラック発生を抑制することができる。これは下枠部２２の内周縁２２ｂの４隅が平面視で円弧状Ｅ２Ｒであることによって、当該４隅を補強して下枠部２２の剛性を高めることができることによる。つまり、下枠部２２の内周縁２２ｂの４隅を平面視で円弧状Ｅ２Ｒにすることによって下枠部２２の剛性を高め、外部基板等から発生した各種応力をベース２に伝わり難くすることができる。
【0065】
そして補強された領域である下枠部２２の円弧状Ｅ２Ｒの内周縁２２ｂに、外部接続端子１０ａの少なくとも１つの角部Ｃ４を近接させることによって、外部接続端子１０ａを構成する角部Ｃ４への応力集中を緩和することができる。これにより、半田のクラック発生を抑制することができる。
【0066】
ここで、近接について、図３を拡大して示す図５に基づいて説明する。近接とは、角部Ｃ４に適用した場合、角部Ｃ４が、下枠部２２の隅の円弧状Ｅ２Ｒの内周縁２２ｂと、下側凹部Ｅ２の平面視正方形状の開口端を構成する一組の対向辺のうちの１つの辺Ｅ２Ｗに沿って延びる第１仮想直線ＶＬ１と、下側凹部Ｅ２の平面視正方形状の開口端を構成する他の一組の対向辺のうちの１つの辺Ｅ２Ｌに沿って延びる第２仮想直線ＶＬ２とによって区画される近接領域ＰＡ、あるいは、この近接領域ＰＡの周囲の周辺領域ＳＡにあることをいう。すなわち、角部Ｃ４が、近接領域ＰＡと周辺領域ＳＡとを併せた領域（ＰＡ＋ＳＡ）にあることをいう。
【0067】
【0068】
近接領域ＰＡの周囲の領域である周辺領域ＳＡとは、近接領域ＰＡを区画する前記第１仮想直線ＶＬ１を、近接領域ＰＡの外側（図５の左側）へ第１距離ＳＰ１だけ平行移動させた移動第１仮想直線ＶＬ１ｍと、近接領域ＰＡを区画する前記第２仮想直線ＶＬ２を、近接領域ＰＡの外側（図５の上側）へ第２距離ＳＰ２だけ平行移動させた移動第２仮想直線ＶＬ２ｍとによって区画される、近接領域ＰＡ寄りの領域であって、かつ、前記移動第１，第２仮想直線ＶＬ１ｍ，ＶＬ２ｍと、下枠部２２の円弧状Ｅ２Ｒの円弧の各終端において第１，第２仮想直線ＶＬ１，ＶＬ２にそれぞれ直交する第３，第４仮想垂線ＶＬ３，ＶＬ４によって区画される領域である。
【0069】
周辺領域ＳＡを規定する前記第１，第２距離ＳＰ１，ＳＰ２は、前記移動第１仮想直線ＶＬ１ｍについては、下枠部２２の外周縁２２ａの短辺方向（図５の上下方向）に延びる部分の枠幅ＦＷ１の１／４以内であり、好ましくは１／８以内、更に好ましくは、１／１６以内である。また、前記移動第２仮想直線ＶＬ２ｍについては、下枠部２２の外周縁２２ａの長辺方向（図５の左右方向）に延びる部分の枠幅ＦＷ２の１／４以内であり、好ましくは１／８以内、更に好ましくは、１／１６以内である。なお、周辺領域ＳＡを規定する前記第１，第２距離ＳＰ１，ＳＰ２が下枠部２２の枠幅ＦＷ１，ＦＷ２の各々の１／４以上であると、補強された領域である下枠部２２の円弧状Ｅ２Ｒの内周縁２２ｂに対して、外部接続端子の角部Ｃ４が離間してしまい、角部Ｃ４への応力集中の緩和効果が低くなってしまう。また、周辺領域ＳＡを規定する前記第１，第２距離ＳＰ１，ＳＰ２が下枠部２２の枠幅ＦＷ１，ＦＷ２の各々の１／４以上であると、外部接続端子の形成領域が小さくなり、外部基板との充分な接合強度を得られなくなってしまう。
【0070】
この第１，第２距離ＳＰ１，ＳＰ２は、外部接続端子１０を構成するメタライズ層（本参考例ではモリブデン）の印刷位置のずれを考慮して設定するのが好ましい。
【0071】
【0072】
外部接続端子１０ａの、下枠部２２の隅から該下枠部２２の外周縁２２ａの長辺方向（図５の左右方向）に延出する延出端１０ａ１は、上記第１仮想直線ＶＬ１を越えて前記長辺方向へ延出している。同様に、外部接続端子１０ａの、下枠部２２の隅から該下枠部２２の外周縁２２ａの短辺方向（図５の上下方向）に延出する延出端１０ａ２は、上記第２仮想直線ＶＬ２を越えて前記短辺方向へ延出している。
【0073】
このように外部接続端子１０ａの前記長辺方向及び前記短辺方向にそれぞれ延出する延出端１０ａ１，１０ａ２は、下側凹部Ｅ２の開口端の各辺Ｅ２Ｗ，Ｅ２Ｌに沿って延びる第１仮想直線ＶＬ１及び第２仮想直線ＶＬ２をそれぞれ越えて、下側凹部Ｅ２の開口端よりも内側の位置まで延出することにより、外部接続端子１０ａの形成領域をより多く確保することができる。これにより、水晶振動子１が超小型になっても外部基板との半田の接合強度を確保することができる。
【0074】
上記参考例では下枠部２２の内周縁２２ｂの４隅は平面視で円弧状となっていたが、図６に示す本発明の他の参考例のように、平面視で直線状に面取りされた面取り状（いわゆるＣ面状）であってもよい。図６は４つの外部接続端子１０ａ～１０ｄのうち、代表例として外部接続端子１０ａに着目した部分拡大図であり、上記参考例と同一の構成については同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【0075】
この参考例では、ベース２１の下枠部２２１の内周縁２２１ｂの４隅は平面視で面取り状Ｅ２Ｃとなっている。
【0076】
この参考例では、近接領域ＰＡ１が、下枠部２２１の隅の面取り状Ｅ２Ｃの内周縁２２１ｂと、下側凹部Ｅ２１の平面視正方形状の開口端を構成する一組の対向辺のうちの１つの辺Ｅ２Ｗ１に沿って延びる第１仮想直線ＶＬ１１と、下側凹部Ｅ２１の平面視正方形状の開口端を構成する他の一組の対向辺のうちの１つの辺Ｅ２Ｌ１に沿って延びる第２仮想線ＶＬ２１とによって区画された領域となる。この近接領域ＰＡ１の周囲の周辺領域ＳＡ１は、上記図３，図５の参考例と同様である。
【0077】
すなわち、周辺領域ＳＡ1は、前記第１仮想直線ＶＬ１1を、近接領域ＰＡ1の外側（図６の左側）へ第１距離だけ平行移動させた移動第１仮想直線ＶＬ１1ｍと、前記第２仮想直線ＶＬ２1を、近接領域ＰＡ1の外側（図６の上側）へ第２距離だけ平行移動させた移動第２仮想直線ＶＬ２1ｍとによって区画される、近接領域ＰＡ1寄りの領域であって、かつ、前記移動第１，第２仮想直線ＶＬ１1ｍ，ＶＬ２1ｍと、下枠部２２1の面取り状Ｅ２Ｃの直線の各終端において第１，第２仮想直線ＶＬ１1，ＶＬ２1にそれぞれ直交する第３，第４仮想直線ＶＬ３1，ＶＬ４1とによって区画される領域である。
【0078】
この参考例では、外部接続端子１０ａの角部Ｃ４は、近接領域ＰＡ１内に位置している。
【0079】
このように外部接続端子１０ａの角部Ｃ４が、近接領域ＰＡ１内に位置しているので、上記参考例に比べて、角部Ｃ４への応力集中を一層緩和することができる。これにより、半田のクラック発生を効果的に抑制することができる。
【0080】
上記参考例では、外部接続端子１０ａ～１０ｄは平面視で「Ｌ」字状に屈曲し、この屈曲した部分の内周縁は円弧状となっていたが、必ずしも円弧状でなくてもよい。例えば外部接続端子１０ａ～１０ｄの屈曲した部分の内周縁を直角または面取り状としてもよい。
【0081】
次に、本発明について説明する。
【0083】
本発明は、上記参考例に基づいて説明することが可能であり、上記図１～図３に示される水晶振動子１に基づいて説明する。本発明の一実施形態は、上記参考例の図１～図３に示される水晶振動子１と共通の構成を有しており、図１～図３に対応する部分には、同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【0084】
図７は、本発明の一実施形態を説明するための図３に対応する図であり、上記のように、４つの外部接続端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄのうち、外部接続端子１０ａを代表例として説明するものであり、他の外部接続端子１０ｂ，１０ｃ，１０ｄも、第１外部接続端子１０ａと同様である。
【0085】
下枠部２２の内周縁２２ｂの４つの各隅は、上記のように平面視で円弧状Ｅ２Ｒとなっている。つまり下枠部２２の内周縁２２ｂの４隅は、平面視で正方形状の下側凹部Ｅ２の角部を円弧状（４分の１円状）に丸めたような平面視形状となっている。
【0086】
図７では、４分の１円の曲率半径を符号Ｒ１で示し、中心をＯ１で示している。なお、中心Ｏ１を中心とした点線円は、前記４分の１円の全周を示す仮想円である。
【0087】
このように下枠部２２の内周縁の各隅を平面視で４分の１円状（円弧状）にすることによって、上記のように当該４隅を補強して下枠部２２の剛性を高め、外部基板等から発生した各種応力によるベース２の撓みを生じ難くすることができる。これにより、ベース２から外部接続端子１０ａに伝わる応力を緩和することができる。
【0088】
一方、外部接続端子１０ａは、平面視で「Ｌ」字状に屈曲し、この屈曲した部分の内周縁は円弧状１０Ｒとなっている。つまり外部接続端子１０ａの屈曲した部分の内周縁は、平面視で４分の１円状となっている。この４分の１円の曲率半径を符号Ｒ２で示し、中心をＯ２で示している。なお、中心Ｏ２を中心とした点線円は、前記４分の１円の全周を示す仮想円である。
【0089】
本実施形態では２つの円弧の曲率半径Ｒ１とＲ２とは同一となっている。
【0090】
このように２つの円弧の曲率半径Ｒ１，Ｒ２を同一とすることによって、外部接続端子１０ａの円弧状１０Ｒの内周縁と、下枠部２２の隅の円弧状Ｅ２Ｒの内周縁２２ｂとをより対応させることができるため、ベース２から外部接続端子１０ａ～１０ｄに伝わる応力をより緩和することができる。
【0091】
図７に示すように、下枠部２２の底面２２０の隅の円弧状Ｅ２Ｒの内周縁２２ｂの円弧の中心Ｏ１と、外部接続端子１０ａの円弧状１０Ｒの内周縁における円弧の中心Ｏ２とは、下枠２２の外周縁２２ａの長辺方向（図７の左右方向）にずれている。図７に示す例では、中心Ｏ１と中心Ｏ２とは、下枠部２２の外周縁２２ａの長辺方向に沿って延びる１本の仮想直線ＶＬ上に互いに離間して位置している。つまり、本実施形態では２つの円弧の曲率半径Ｒ１とＲ２とは同一であることから、２つの４分の１円が前記長辺方向にずれた状態となっている。
【0092】
２つの円弧（４分の１円）がこのような位置関係にあることによって、ベース２から外部接続端子１０ａ～１０ｄに伝わる応力をより緩和することができるため、半田のクラック発生を抑制することができる。つまり、下枠部２２の内周縁２２ｂの４隅を平面視で円弧状Ｅ２Ｒにして下枠部２２の剛性を高めてベース２の撓みを生じ難くするとともに、補強された下枠部２２の内周縁２２ｂの４隅の円弧と外部接続端子１０ａ～１０ｄの内周縁の円弧とを略対応させた状態で、下枠部２２の外周縁２２ａの長辺方向、すなわち、ベース２の長辺方向にずらすことによって、ベース２から外部接続端子１０ａ～１０ｄに伝わる応力をより緩和することができる。
【0093】
また本実施形態によれば、平面視矩形状の水晶振動子１が超小型になっても、水晶振動子１を外部基板に実装する際に溶融した半田が凹部Ｅ２内に流れ込む危険性を低減させることができる。これは例えば図７に示すように、外部接続端子１０ａの円弧状１０Ｒの内周縁における円弧の中心Ｏ２と、下枠部２２の内周縁２２ｂの４隅の円弧の中心Ｏ１とが、ベース２の長辺方向にずれていることによって、よりスペースを確保し易いベース２の長辺方向に無電極領域１４を確保することができるからである。つまり、外部接続端子１０ａの内周側と下枠部２２の底面２２０の内周縁２２ｂとの間の、ベース長辺方向（図７の左右方向）における距離Ｇをより長く確保することができるからである。
【0094】
図７に示すように、平面視で「Ｌ」字状に屈曲した形状の外部接続端子１０ａは、下枠部２２の隅から該下枠部２２の外周縁２２ａの長辺方向（図７の左右方向）に延出する長さと、下枠部２２の外周縁２２ａの短辺方向（図７の上下方向）に延出する長さとが、異なっている。すなわち、外部接続端子１０ａの下枠部２２の外周縁２２ａの短辺方向に延出した辺の長さ１０Ｗが、外部接続端子１０ａの下枠部２２の外周縁２２ａの長辺方向に延出した辺の長さ１０Ｌよりも長くなっている（１０Ｌ＜１０Ｗ）。
【0095】
換言すれば外部接続端子１０ａは、切り欠き９ａが無いと想定したときの外側の仮想角部Ｐと、外部接続端子１０ａの内周側の屈曲部分の仮想角部ＣＰとを結ぶ図示しない仮想線に対して非対称な形状となっている。なお仮想角部ＣＰとは、外部接続端子１０ａの内周側の各辺に沿ってそれぞれ延びる仮想直線Ｌ１，Ｗ１が交差する点である。
【0096】
ここで、外部接続端子１０ａの平面視形状による応力の伝搬について説明する。外部接続端子１０ａの平面視形状として、実施形態の外部接続端子１０ａとは異なり、屈曲部を有しない単なる矩形である場合と、実施形態の外部接続端子１０ａと同様に屈曲部を有するものの、下枠部２２の外周縁２２ａの長辺方向及び短辺方向へそれぞれ延出する各延出長さが等しい（１０Ｌ＝１０Ｗ）対称な形状である場合と、屈曲部を有し、下枠部２２の外周縁２２ａの長辺方向及び短辺方向へそれぞれ延出する延出長さが異なる実施形態のような非対称な形状である場合とについて説明する。
【0097】
先ず、外部接続端子が平面視で、屈曲部を有しない単なる矩形の場合、当該外部接続端子を構成する４つの角部のうち、応力の影響を受けてクラック発生の起点となり易いのは、後述の図８の中心Ｏ４で示されるベース底面の中心Ｏ４から最も遠方に位置する最遠の角部となる。そして主に当該最遠の角部から、４つの角部のうち、ベース底面の中心Ｏ４に最も近い角部付近に向かって応力が伝搬することによってクラックが進行する傾向がある。
【0098】
一方、外部接続端子が、平面視で、屈曲部を有し、下枠部２２の外周縁２２ａの長辺方向及び短辺方向へそれぞれ延出する各延出長さが等しい場合（１０Ｌ＝１０Ｗ）は、切り欠き９ａが無いと想定したときの外側の仮想角部Ｐと外部接続端子１０ａの内周側の屈曲部分の仮想角部ＣＰとを結ぶ仮想線に対して対称な形状である。この場合は、クラック発生の起点となりやすいベース底面の中心Ｏ４から最も遠方に位置する角部（角部に上記の切り欠き部９ａが存在する場合は当該角部に相当する仮想角部Ｐの近傍）から、図７の符号Ｖｃ１で示すように仮想角部ＣＰに向かって応力が伝搬すると考えられる。
【0099】
これに対して本実施形態における外部接続端子１０ａのように、屈曲部を有し、下枠部２２の外周縁２２ａの短辺方向へ延出した延出長さ１０Ｗが、下枠部２２の外周縁２２ａの長辺方向へ延出した延出長さ１０Ｌよりも長い非対称な形状、すなわち、平面視でＬ字状の場合には、相対的に延出長さが長い（１０Ｗ）方の延出部分の影響を受けて、応力の伝搬は、図７において符号Ｖｃ２で示すように仮想角部ＣＰから下方にずれると考えられる。
【0100】
一般的に応力の伝搬に対して、直線状に屈曲して連続する部分（例えば角部）は、応力が集中し易い。したがって、曲線状に連続する方が、応力が集中し難くなるため好ましい。
【0101】
本実施形態では、平面視で非対称な形状の外部接続端子１０ａにおいて、図７の符号Ｖｃ２で示すように仮想角部ＣＰから下方にずれた方向に応力が伝搬しても、外部接続端子１０ａの円弧状１０Ｒの内周縁が、応力の伝搬方向にも対応しているため当該円弧状１０Ｒの内周縁に応力が集中し難くなる。これにより、外部接続端子１０ａにおける応力集中を緩和することができる。つまり、ベース底面の中心から最遠となる外部接続端子１０ａの角部（もしくは仮想角部Ｐ）からの応力の伝搬に対して、外部接続端子１０ａの内周縁の角度を鈍化させることによって、応力の集中を緩和することができる。これにより、超小型の平面視略矩形の水晶振動子１においても半田のクラック発生を抑制することができる。
【0102】
また、本実施形態に係る水晶振動子によれば、半田のクラックが発生したとしても、その進展を遅らせることができる。これを、図８を用いて説明する。図８は、本実施形態に係る水晶振動子１の底面模式図であり、上記図２に対応する底面摸式図である。図８においては、２本の仮想対角線ＤＬが点線で表示されている。これらの仮想対角線ＤＬは、平面視矩形状の下枠部２２の底面２２０の外周縁２２ａの４つの仮想角部Ｐ，Ｐ，Ｐ，Ｐのうち、斜対向する２つの仮想角部同士を結んだ直線であり、その交点（ベース２の底面の中心）をＯ４として示している。
【0103】
４つの外接続端子１０ａ～１０ｄの各々は、下枠部２２の底面２２０の外周縁２２ａの４つの仮想角部Ｐと、外部接続端子１０ａ～１０ｄの内周側の屈曲部分の仮想角部（図８では図示省略）とを結ぶ図示しない仮想線に対して非対称な形状となっている。そして図７で述べたように応力の伝搬は、平面視Ｌ字状の外部接続端子１０ａ～１０ｄの相対的に延出長さが長い方の影響を受けて、外部接続端子１０ａ～１０ｄの外周側の仮想角部Ｐから図８の符号Ｖｃ２で示す矢印の方向にずれると考えられる。
【0104】
４つの応力の伝搬方向Ｖｃ２は、２本の対角線ＤＬ，ＤＬを基準にすると、それぞれ対角線ＤＬから逸脱し、下枠部２２の外周縁２２ａの短辺方向（図８の上下方向）においては、互いに近づくように弧を描くような向きになっている。応力の伝搬方向がこのような向きとなることによって、クラック発生の起点となり易いベース底面の中心Ｏ４から最も遠方に位置する仮想角部Ｐから、ベース底面の中心Ｏ４に向かう方向への応力の伝搬を遅らせることができる。
【0105】
ここで、外部接続端子が、本実施形態のように、下枠部２２の外周縁２２ａの短辺方向に延出した辺の長さ１０Ｗが、前記外周縁２２ａの長辺方向に延出した辺の長さ１０Ｌよりも長い非対称な平面視Ｌ字状の場合と、前記短辺方向に延出した辺の長さ１０Ｗと前記長辺方向に延出した辺の長さ１０Ｌが等しい対称な場合とについて行った応力シミュレーションについて説明する。
【0106】
この応力シミュレーションでは、図９の斜視図に示すように、基板部２０及び上下の枠部２１，２２に相当するセラミックベース３０と、リッド３１とを有し、セラミックベース３０の底面に、図１０に示される対称な外部接続端子３２、又は、図１１に示される非対称なＬ字状の外部接続端子３３をそれぞれ有する水晶振動子の全体の１／４の部分を、半田３４によって外部基板に接合したシミュレーションモデルを用いて行った。
【0107】
セラミックベース３０、リッド３１、及び、図１１の外部接続端子３３の寸法は、上記図１～図３に示される実施形態と同じ寸法とし、図１０の外部接続端子３２は、図１１の外部接続端子３３の短辺方向への延出長さを短くして形状を対称としたものである。
【0108】
次に、この応力シミュレーションの結果について説明する。
【0109】
【0110】
【0111】
図１３に示すように、Ｌ字状の非対称な外部接続端子３３では、図１２の対称な外部接続端子３２に比べて、応力の大きな部分が、外部接続端子３３の非対称に長く延びる方向（図１３の下方）へ広がって応力勾配が生じている。
【0112】
クラックは、応力が高い領域から低い領域へ進展していくと考えられる。したがって、図１２の対称な外部接続端子３２の場合には、クラック発生の起点となりやすいベース底面の中心から最も遠方に位置する角部から、矢印ＡＷ１で示すように、仮想角部ＣＰに向かって応力が伝搬すると考えられる。
【0113】
これに対して、図１３のＬ字状の非対称な外部接続端子３３の場合には、非対称に長く延びる方向に、応力の大きい領域が広がるために、応力の勾配が生じ、クラック発生の起点となりやすいベース底面の中心から最も遠方に位置する角部から、矢印ＡＷ１で示すように、仮想角部ＣＰに向かう応力が、矢印ＡＷ２で示す非対称に長く延びている部分の影響を受けて、長く延びる方向である短辺方向（図１３では、下方向）にずれて伝搬すると考えられる。
【0114】
応力の伝搬方向が、このような向きとなることによって、クラック発生の起点となり易いベース底面の中心Ｏ４から最も遠方に位置する仮想角部Ｐから、ベース底面の中心に向かう方向への応力の伝搬を遅らせることができる。
【0115】
なお、図１１の外部端子３３とは逆に、下枠部２２の外周縁２２ａの長辺方向に延出した辺の長さ１０Ｌが、前記外周縁２２ａの短辺方向に延出した辺の長さ１０Ｗよりも長い非対称な平面視Ｌ字状の外部端子についても応力シミュレーションを行った。この場合は、図１２の対称な外部接続端子３２に比べて、応力の大きな部分が、外部接続端子３３の非対称に長く延びる方向、すなわち、下枠部２２の外周縁２２ａの長辺方向へ広がって応力勾配が生じた。したがって、ベース底面の中心から最も遠方に位置する角部から、仮想角部ＣＰに向かう応力が、前記長辺方向にずれて伝搬すると考えられる。
【0116】
図１４に本発明の他の実施形態を示す。なお上記実施形態と同一の構成については同一の参照符号を付してその説明を省略する。上記実施形態では、２つの円弧の曲率半径（Ｒ１とＲ２）は同一となっていたが、この実施形態では異なっている。
【0117】
具体的には、ベース２2の下枠部２２2の底面２２０2の内周縁２２2ｂの４隅の円弧状（４分の１円）Ｅ２Ｒの内周縁における曲率半径Ｒ１よりも、４つの外部接続端子１０2ａ，１０2ｂ，１０2ｃ，１０2ｄ（図１４では代表例として１０2ａのみを図示している）の円弧状（４分の１円）１０2Ｒの曲率半径Ｒ３の方が大きくなっている。
【0118】
下枠部２２2の底面２２０2の内周縁２２2ｂの４隅の円弧の中心Ｏ１と、外部接続端子１０2ａの円弧状１０2Ｒの内周縁における円弧の中心Ｏ３とは、下枠部２２2の外周縁２２2ａの長辺方向（図１４において左右方向）に沿って延びる１本の仮想直線ＶＬ２上に位置している。
【0119】
このように２つの円弧の曲率半径（Ｒ１とＲ３）とが異なる場合であっても、ベース２2から外部接続端子１０2ａに伝わる応力をより緩和させることができる。これにより、超小型の水晶振動子においても半田のクラック発生を抑制することができる。つまり、下枠部２２2の内周縁の４隅を平面視で円弧状Ｅ２Ｒにして下枠部２２2の剛性を高めてベース２2の撓みを生じ難くするとともに、補強された下枠部２２2の内周縁の４隅の円弧と外部接続端子１０2ａの内周縁の円弧とを対応させることによって、ベース２2から外部接続端子１０2ａに伝わる応力をより緩和することができる。
【0120】
なお、この図１４の実施形態では、外部接続端子１０2ａの角部Ｃ４は、下枠部２２2の円弧状Ｅ２Ｒの内周縁２２2ｂには近接していない。すなわち、上記図３及び図５で示す近接領域ＰＡ及び周辺領域ＳＡに位置していない。
【0124】
上述の本発明の各実施形態では、下枠部の底面の内周縁の４隅の円弧および外部接続端子の内周縁の円弧の、それぞれの平面視形状は４分の１円であったが、前記円弧の平面視形状は４分の１円以外であってもよい。
【0125】
上述の本発明の実施形態においては、ベースの構造は断面視でＨ型としたが、本発明は基板部の下面側の外周部にのみ枠部を形成することで下側凹部を設けたベースにも適用可能である。当該構造のベースの場合、基板部の上面側は平坦面となるため、基板部の上面の外周部に対応するように、その下面側の外周部に鍔部が形成された蓋を用いて、基板部の上面側に搭載された圧電素子を気密封止するようにしてもよい。
【0126】
上述した本発明の実施形態では温度センサとしてサーミスタを使用しているが、サーミスタ以外にダイオード等を用いることも可能である。また、温度センサを内蔵した水晶振動子だけでなく、電子部品として発振回路を内蔵したＩＣを用いた圧電発振器や、温度補償回路等を内蔵したＩＣを用いた温度補償型の圧電発振器にも本発明は適用可能である。
【0127】
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【0128】
本発明は、圧電デバイスの量産に好適である。
【符号の説明】
【0129】
１ 水晶振動子
２、２1、２2 絶縁性容器
３ 水晶素子
４ 電子部品
５ 蓋
１０ａ、１０1ａ、１０2ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ 外部接続端子
１４ 無電極領域
２１ 上枠部
２２、２２1 下枠部
Ｅ１ 上側凹部
Ｅ２ 下側凹部
２２０、２３０ 下枠部の底面
２、２1、２2 絶縁性容器
３ 水晶素子
４ 電子部品
５ 蓋
１０ａ、１０1ａ、１０2ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ 外部接続端子
１４ 無電極領域
２１ 上枠部
２２、２２1 下枠部
Ｅ１ 上側凹部
Ｅ２ 下側凹部
２２０、２３０ 下枠部の底面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】