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特許7015321ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法及びＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイ
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-01-25
(45)【発行日】2022-02-02
(54)【発明の名称】ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法及びＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイ
(51)【国際特許分類】
H05B 33/10 20060101AFI20220126BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20220126BHJP
H01L 27/32 20060101ALI20220126BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20220126BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20220126BHJP
H05B 33/26 20060101ALI20220126BHJP
G02B 5/20 20060101ALI20220126BHJP
H01L 21/336 20060101ALI20220126BHJP
H01L 29/786 20060101ALI20220126BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20220126BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20220126BHJP
【ＦＩ】
H05B33/10
H05B33/14 A
H01L27/32
H05B33/12 E
H05B33/02
H05B33/26 Z
G02B5/20 101
H01L29/78 612Z
H01L29/78 618B
H01L29/78 618A
H01L29/78 626C
G09F9/00 338
G09F9/30 349C
G09F9/30 349B
G09F9/30 349Z
G09F9/30 348A
G09F9/30 338
G09F9/30 365
G09F9/30 310
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2019562558
(86)(22)【出願日】2017-07-13
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2020-07-09
(86)【国際出願番号】 CN2017092874
(87)【国際公開番号】W WO2018214256
(87)【国際公開日】2018-11-29
【審査請求日】2019-11-12
(31)【優先権主張番号】201710389002.8
(32)【優先日】2017-05-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(73)【特許権者】
【識別番号】519182202
【氏名又は名称】深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司
(74)【代理人】
【識別番号】100188558
【弁理士】
【氏名又は名称】飯田 雅人
(74)【代理人】
【識別番号】100154922
【弁理士】
【氏名又は名称】崔 允辰
(72)【発明者】
【氏名】▲劉▼ 方▲梅▼
(72)【発明者】
【氏名】周 星宇
【審査官】越河 勉
(56)【参考文献】
【文献】特開２００７－０３５６３１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－０３８１６６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－０１３２０６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－１０８６２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１５／０１３７１１５（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２００７／００２４１８６（ＵＳ，Ａ１）
【文献】韓国公開特許第１０－２００７－００１４９９４（ＫＲ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１４／０２７３３１９（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１２－０１９２０６（ＪＰ，Ａ）
【文献】Si Yun Park et. Al.，Low-Temperature, Solution-Processed and Alkali Metal Doped ZnO for High-Performance Thin-Film Transistors，ADVANCED MATERIALS，米国，John Willey & Sons，2012年01月09日，Vol.24,Issue 6，pp.834-838
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｂ ３３／００－３３／２８
Ｈ０１Ｌ ５１／５０
Ｈ０１Ｌ ２７／３２
Ｇ０２Ｂ ５／２０
Ｈ０１Ｌ ２１／３３６
Ｈ０１Ｌ ２９／７８６
Ｇ０９Ｆ ９／００
Ｇ０９Ｆ ９／３０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法であって、ベース基板を提供し、ベース基板に洗浄及びプリベークを行うステップＳ１と、
黒色遮光薄膜を堆積し、黒色遮光薄膜をパターニング処理し、黒色マトリクスを形成するステップＳ２と、
前記黒色マトリクス内に順に異なる色の色抵抗を堆積し、カラーフィルター層を形成するステップＳ３と、
前記カラーフィルター層の上に平坦層を堆積して形成するステップＳ４と、
前記平坦層の上に第１金属層を堆積し、第１金属層をパターニング処理し、ゲートを形成するステップＳ５と、
前記ゲートと平坦層の上にゲート絶縁層を堆積して被覆するステップＳ６と、
リチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置し、配置したリチウムドープ酸化亜鉛溶液をゲート絶縁層の上にスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、
次にリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理し、さらにリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をパターニング処理し、チャネル層を形成するステップＳ７と、
エッチングバリア層を堆積し、且つエッチングバリア層をパターニング処理し、それぞれチャネル層の両側を露出させる第１ビア及び第２ビアを形成するステップＳ８と、
前記エッチングバリア層の上に第２金属層を堆積し、且つ第２金属層をパターニング処理し、ソース及びドレインを形成し、前記ソース、ドレインはそれぞれ第１ビア、第２ビアを経由してチャネル層の両側に接触するステップＳ９と、
前記エッチングバリア層、ソース、及びドレインの上に順に保護層、陽極、画素定義層、ＯＬＥＤ発光層、及び陰極を製造するステップＳ１０と、を含み、
前記ステップＳ１～前記ステップＳ１０における温度条件が２３０℃未満である、ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
【請求項2】
前記ステップＳ１では、前記ベース基板はガラス基板である請求項１に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
【請求項3】
前記ステップＳ３では、前記異なる色の色抵抗は赤色抵抗、緑色抵抗、及び青色抵抗を含む請求項１に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
【請求項4】
前記平坦層、ゲート絶縁層、エッチングバリア層、及び保護層の材料はいずれも酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は両方の組み合わせである請求項１に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
【請求項5】
前記第１金属層と第２金属層の材料はいずれもモリブデン、チタン、アルミニウム、銅のうちの１種又は複数種のスタック組み合わせである請求項１に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
【請求項6】
前記ステップＳ７では、水酸化リチウムと水酸化亜鉛を原料としてリチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置する請求項１に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
【請求項7】
前記陽極の材料は酸化インジウム錫である請求項１に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
【請求項8】
ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法であって、ベース基板を提供し、ベース基板に洗浄及びプリベークを行うステップＳ１と、
黒色遮光薄膜を堆積し、黒色遮光薄膜をパターニング処理し、黒色マトリクスを形成するステップＳ２と、
前記黒色マトリクス内に順に異なる色の色抵抗を堆積し、カラーフィルター層を形成するステップＳ３と、
前記カラーフィルター層の上に平坦層を堆積して形成するステップＳ４と、
前記平坦層の上に第１金属層を堆積し、第１金属層をパターニング処理し、ゲートを形成するステップＳ５と、
前記ゲートと平坦層の上にゲート絶縁層を堆積して被覆するステップＳ６と、
リチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置し、配置したリチウムドープ酸化亜鉛溶液をゲート絶縁層の上にスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、次にリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理し、さらにリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をパターニング処理し、チャネル層を形成するステップＳ７と、
エッチングバリア層を堆積し、且つエッチングバリア層をパターニング処理し、それぞれチャネル層の両側を露出させる第１ビア及び第２ビアを形成するステップＳ８と、
前記エッチングバリア層の上に第２金属層を堆積し、且つ第２金属層をパターニング処理し、ソース及びドレインを形成し、前記ソース、ドレインはそれぞれ第１ビア、第２ビアを経由してチャネル層の両側に接触するステップＳ９と、
前記エッチングバリア層、ソース、及びドレインの上に順に保護層、陽極、画素定義層、ＯＬＥＤ発光層、及び陰極を製造するステップＳ１０と、を含み、
前記ステップＳ１～前記ステップＳ１０における温度条件が２３０℃未満であり、
前記ステップＳ１では、前記ベース基板はガラス基板であり、
前記平坦層、ゲート絶縁層、エッチングバリア層、及び保護層の材料はいずれも酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は両方の組み合わせであり、
前記第１金属層と第２金属層の材料はいずれもモリブデン、チタン、アルミニウム、銅のうちの１種又は複数種のスタック組み合わせであり、
前記ステップＳ７では、水酸化リチウムと水酸化亜鉛を原料としてリチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置するＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
【請求項9】
前記ステップＳ３では、前記異なる色の色抵抗は赤色抵抗、緑色抵抗、及び青色抵抗を含む請求項８に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
【請求項10】
前記陽極の材料は酸化インジウム錫である請求項８に記載のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はＯＬＥＤ表示装置製造プロセスの分野に関し、特にＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法及びＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイに関する。
【背景技術】
【0002】
表示技術分野では、液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）と有機発光ダイオードディスプレイ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）等の平板型表示装置は徐々に陰極線管ディスプレイ（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）を代替ている。
【0003】
ＯＬＥＤディスプレイは自己発光、低駆動電圧、高発光効率、短い応答時間、高解像度、高コントラスト、略１８０°の視野角、広い使用温度範囲や、柔軟性のある表示及び大画面フルカラー表示を実現できること等、多くの利点を有し、業界では最も有望な表示装置として認められている。
【0004】
表示技術の発展に伴って、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ－Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）駆動回路をカラーフィルター層（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ、ＣＦ）の上に設置したＴＯＣ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｏｎ Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）型ＯＬＥＤディスプレイが登場した。ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイは偏光片（Ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）を省くことができ、ＯＬＥＤ表示装置のさらなる軽量化及び薄型化を実現でき、製造コストがさらに低くなる。
【0005】
ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造フローは、まず、ベース基板の上にＣＦを製造するステップと、次に、カラーフィルター層の上にＴＦＴを製造するステップと、を含む。
【0006】
先にＣＦが製造されるため、後続のＴＦＴの製造は２３０℃未満の温度制約条件下で行わざるを得ない。
【0007】
一方、従来のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイは通常、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）等の高価なレアメタルを含有する材料を用いてＴＦＴのチャネル層を製造するが、ＴＦＴの電気的性能を向上させることができるものの、生産コストをさらに削減することが期待される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明の目的は、２３０℃未満の温度制約条件下でＴＦＴを製造でき、チャネル層の材料コスト及びＴＦＴの装置コストを効果的に削減させ、経済的で環境にやさしいＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法を提供することである。
【0009】
本発明の別の目的は、内部のＴＦＴの電気的性能が比較的良く、生産コストが比較的低いＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記目的を実現するために、本発明はまずＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法を提供し、以下のステップを含む。
【0011】
ステップＳ１、ベース基板を提供し、ベース基板に洗浄及びプリベークを行う。
【0012】
ステップＳ２、黒色遮光薄膜を堆積し、黒色遮光薄膜をパターニング処理し、黒色マトリクスを形成する。
【0013】
ステップＳ３、前記黒色マトリクス内に順に異なる色の色抵抗を堆積し、カラーフィルター層を形成する。
【0014】
ステップＳ４、前記カラーフィルター層の上に平坦層を堆積して形成する。
【0015】
ステップＳ５、前記平坦層の上に第１金属層を堆積し、第１金属層をパターニング処理し、ゲートを形成する。
【0016】
ステップＳ６、前記ゲートと平坦層の上にゲート絶縁層を堆積して被覆する。
【0017】
ステップＳ７、リチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置し、配置したリチウムドープ酸化亜鉛溶液をゲート絶縁層の上にスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、次にリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理し、さらにリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をパターニング処理し、チャネル層を形成する。
【0018】
ステップＳ８、エッチングバリア層を堆積し、且つエッチングバリア層をパターニング処理し、それぞれチャネル層の両側を露出させる第１ビア及び第２ビアを形成する。
【0019】
ステップＳ９、前記エッチングバリア層の上に第２金属層を堆積し、且つ第２金属層をパターニング処理し、ソース及びドレインを形成し、前記ソース、ドレインはそれぞれ第１ビア、第２ビアを経由してチャネル層の両側に接触する。
【0020】
ステップＳ１０、前記エッチングバリア層、ソース、及びドレインの上に順に保護層、陽極、画素定義層、ＯＬＥＤ発光層、及び陰極を製造する。
【0021】
前記ステップＳ１では、前記ベース基板はガラス基板である。
【0022】
前記ステップＳ３では、前記異なる色の色抵抗は赤色抵抗、緑色抵抗、及び青色抵抗を含む。
【0023】
前記平坦層、ゲート絶縁層、エッチングバリア層、及び保護層の材料はいずれも酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は両方の組み合わせである。
【0024】
前記第１金属層と第２金属層の材料はいずれもモリブデン、チタン、アルミニウム、銅のうちの１種又は複数種のスタック組み合わせである。
【0025】
前記ステップＳ７では、水酸化リチウムと水酸化亜鉛を原料としてリチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置する。
【0026】
前記陽極の材料は酸化インジウム錫である。
【0027】
本発明はＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイをさらに提供し、上記ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法によって製造され、その内部のチャネル層の材料はリチウムドープ酸化亜鉛である。
【0028】
本発明はＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法をさらに提供し、以下のステップを含む。
【0029】
ステップＳ１、ベース基板を提供し、ベース基板に洗浄及びプリベークを行う。
【0030】
ステップＳ２、黒色遮光薄膜を堆積し、黒色遮光薄膜をパターニング処理し、黒色マトリクスを形成する。
【0031】
ステップＳ３、前記黒色マトリクス内に順に異なる色の色抵抗を堆積し、カラーフィルター層を形成する。
【0032】
ステップＳ４、前記カラーフィルター層の上に平坦層を堆積して形成する。
【0033】
ステップＳ５、前記平坦層の上に第１金属層を堆積し、第１金属層をパターニング処理し、ゲートを形成する。
【0034】
ステップＳ６、前記ゲートと平坦層の上にゲート絶縁層を堆積して被覆する。
【0035】
ステップＳ７、リチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置し、配置したリチウムドープ酸化亜鉛溶液をゲート絶縁層の上にスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、次にリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理し、さらにリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をパターニング処理し、チャネル層を形成する。
【0036】
ステップＳ８、エッチングバリア層を堆積し、且つエッチングバリア層をパターニング処理し、それぞれチャネル層の両側を露出させる第１ビア及び第２ビアを形成する。
【0037】
ステップＳ９、前記エッチングバリア層の上に第２金属層を堆積し、且つ第２金属層をパターニング処理し、ソース及びドレインを形成し、前記ソース、ドレインはそれぞれ第１ビア、第２ビアを経由してチャネル層の両側に接触する。
【0038】
ステップＳ１０、前記エッチングバリア層、ソース、及びドレインの上に順に保護層、陽極、画素定義層、ＯＬＥＤ発光層、及び陰極を製造する。
前記ステップＳ１では、前記ベース基板はガラス基板であり、
前記平坦層、ゲート絶縁層、エッチングバリア層、及び保護層の材料はいずれも酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は両方の組み合わせであり、
前記ステップＳ１では、前記ベース基板はガラス基板であり、
前記平坦層、ゲート絶縁層、エッチングバリア層、及び保護層の材料はいずれも酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は両方の組み合わせであり、
【0039】
前記第１金属層と第２金属層の材料はいずれもモリブデン、チタン、アルミニウム、銅のうちの１種又は複数種のスタック組み合わせであり、
【0040】
前記ステップＳ７では、水酸化リチウムと水酸化亜鉛を原料としてリチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置する。
【0041】
本発明の有益な効果は、以下のとおりである。本発明により提供されるＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法は、カラーフィルター層を製造した後、リチウムドープ酸化亜鉛溶液をスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、さらにリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理する方式によってＴＦＴのチャネル層を製造し、製造プロセス温度を２００℃まで低くすることができ、ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイ製造の温度制約条件を満たし、且つ操作がシンプルであり、高価な真空装置を使用する必要がなく、インジウム、ガリウム等の高価レアメタルのかわりにリチウムをチャネル層にドープすることで、ＴＦＴの電気的性能を向上させ、且つ材料コストが低く、さらに経済的で環境にやさしい。本発明により提供されるＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイは、その内部のチャネル層の材料がリチウムドープ酸化亜鉛であり、それによりＴＦＴの電気的性能が比較的良く、生産コストが比較的低い。
【0042】
本発明の特徴及び技術内容をさらに理解するために、以下の本発明に関する詳細説明及び図面を参照できるが、図面は参考及び説明用のものに過ぎず、本発明を制限するためのものではない。
【図面の簡単な説明】
【0043】
【発明を実施するための形態】
【0044】
本発明が採用する技術手段及びその効果をさらに説明するために、以下、本発明の好適な実施例及びその図面と組み合わせて詳細に説明する。
【0045】
【0046】
ステップＳ１、ベース基板１を提供し、ベース基板１に洗浄及びプリベークを行う。
【0047】
具体的には、前記ベース基板１は好適にはガラス基板である。
【0048】
ステップＳ２、黒色遮光薄膜を堆積し、フォトマスクを用いて黒色遮光薄膜をパターニング処理し、黒色マトリクス２を形成する。
【0049】
ステップＳ３、前記黒色マトリクス２内に異なる色の色抵抗を順に堆積し、カラーフィルター層３を形成する。
【0050】
具体的には、前記異なる色の色抵抗は少なくとも赤色抵抗Ｒ、緑色抵抗Ｇ、及び青色抵抗Ｂを含む。
【0051】
ステップＳ４、前記カラーフィルター層３の上に平坦層４を堆積して形成する。
【0052】
具体的には、前記平坦層４の材料は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、又は両方の組み合わせである。
【0053】
ステップＳ５、前記平坦層４の上に第１金属層を堆積し、フォトマスクを用いて第１金属層をパターニング処理し、ゲート５を形成する。
【0054】
具体的には、前記第１金属層の材料はモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）のうちの１種又は複数種のスタック組み合わせである。
【0055】
ステップＳ６、前記ゲート５と平坦層４の上にゲート絶縁層６を堆積して被覆する。
【0056】
具体的には、前記ゲート絶縁層６の材料はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、又は両方の組み合わせである。
【0057】
ステップＳ７、リチウム（Ｌｉ）ドープ酸化亜鉛（ＺｎＯ）溶液を配置し、配置したリチウムドープ酸化亜鉛（Ｌｉ－ ＺｎＯ）溶液をゲート絶縁層６の上にスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、次にリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理し、さらにフォトマスクを用いてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をパターニング処理し、チャネル層７を形成する。
【0058】
具体的には、該ステップＳ７では、水酸化リチウム（ＬｉＯＨ）と水酸化亜鉛（Ｚｎ（ＯＨ）２）を原料としてリチウムドープ酸化亜鉛溶液を配置する。
【0059】
ステップＳ８、エッチングバリア層８を堆積し、且つフォトマスクを用いてエッチングバリア層８をパターニング処理し、それぞれチャネル層７の両側を露出させる第１ビア８１及び第２ビア８２を形成する。
【0060】
具体的には、前記エッチングバリア層８の材料はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、又は両方の組み合わせである。
【0061】
ステップＳ９、前記エッチングバリア層８の上に第２金属層を堆積し、且つフォトマスクを用いて第２金属層をパターニング処理し、ソース９１及びドレイン９２を形成する。
【0062】
具体的には、前記第２金属層の材料もＭｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕのうちの１種又は複数種のスタック組み合わせである。
【0063】
前記ソース９１、ドレイン９２はそれぞれ第１ビア８１、第２ビア８２を経由してチャネル層７の両側に接触する。
【0064】
前記ゲート５、ゲート絶縁層６、チャネル層７、ソース９１、及びドレイン９２からＴＦＴが構成される。
【0065】
ステップＳ１０、前記エッチングバリア層８、ソース９１、及びドレイン９２の上に保護層１０、陽極１１、画素定義層１２、ＯＬＥＤ発光層１３、及び陰極１４を順に製造する。
【0066】
具体的には、前記保護層１０の材料もＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、又は両方の組み合わせであり、前記陽極１１の材料は酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）であり、前記画素定義層１２の材料は有機フォトレジストであり、前記保護層１０はパターニング処理によって、ドレイン９２の表面の一部を露出させる第３ビア１０１を有し、前記画素定義層１２はパターニング処理によって、陽極１１の表面の一部を露出させる第４ビア１２１を有し、前記陽極１１は第３ビア１０１を経由してドレイン９２に接触し、前記ＯＬＥＤ発光層１３と陰極１４は順に第４ビア１２１内に位置する。
【0067】
上記ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法は、カラーフィルター層３を製造した後、リチウムドープ酸化亜鉛溶液をスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、さらにリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理する方式によってＴＦＴのチャネル層７を製造し、製造プロセス温度を２００℃まで低くすることができ、ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイ製造の温度制約条件を満たし、且つ操作がシンプルであり、高価な真空装置を使用する必要がなく、インジウム、ガリウム等の高価なレアメタルのかわりにリチウムをチャネル層７にドープすることで、ＴＦＴの電気的性能を向上させることができるだけでなく、且つ材料コストが低く、さらに経済的で環境にやさしい。
【0068】
同一の発明思想に基づき、本発明は上記ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法によって製造されたＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイであって、図２に示すように、ベース基板１と、前記ベース基板１の上に設置される黒色マトリクス２と、前記黒色マトリクス２内に充填されるカラーフィルター層３と、前記カラーフィルター層３に被覆される平坦層４と、前記平坦層４の上に設置されるゲート５と、前記ゲート５及び平坦層４に被覆されるゲート絶縁層６と、前記ゲート５の上方においてゲート絶縁層６の上に設置されるチャネル層７と、前記チャネル層７及びゲート絶縁層６に被覆されるエッチングバリア層８と、前記エッチングバリア層８の上に設置されるソース９１及びドレイン９２と、前記ソース９１、ドレイン９２、及びエッチングバリア層８に被覆される保護層１０と、前記保護層１０の上に設置される陽極１１と、前記陽極１１の上に設置される画素定義層１２と、前記画素定義層１２内において陽極１１の上に順に積層されるＯＬＥＤ発光層１３及び陰極１４と、を含むＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイをさらに提供する。
【0069】
前記エッチングバリア層８はそれぞれチャネル層７の両側を露出させる第１ビア８１、及び第２ビア８２を有し、前記保護層１０はドレイン９２の表面の一部を露出させる第３ビア１０１を有し、前記画素定義層１２は陽極１１の表面の一部を露出させる第４ビア１２１を有し、前記ソース９１、ドレイン９２はそれぞれ第１ビア８１、第２ビア８２を経由してチャネル層７の両側に接触し、前記陽極１１は第３ビア１０１を経由してドレイン９２に接触し、前記ＯＬＥＤ発光層１３と陰極１４は順に第４ビア１２１内に位置し、前記チャネル層７の材料はリチウムドープ酸化亜鉛であり、それによりＴＦＴの電気的性能を向上させ、生産コストを削減させることができる。
【0070】
上記のように、本発明のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイの製造方法は、カラーフィルター層を製造した後、リチウムドープ酸化亜鉛溶液をスピンコーティングしてリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層を形成し、さらにリチウムドープ酸化亜鉛コーティング層をアニール処理する方式によってＴＦＴのチャネル層を製造し、製造プロセス温度を２００℃まで低くすることができ、ＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイ製造の温度制約条件を満たし、且つ操作がシンプルであり、高価な真空装置を使用する必要がなく、インジウム、ガリウム等の高価レアメタルのかわりにリチウムをチャネル層にドープすることで、ＴＦＴの電気的性能を向上させ、且つ材料コストが低く、さらに経済的で環境にやさしい。本発明のＴＯＣ型ＯＬＥＤディスプレイは、その内部のチャネル層の材料がリチウムドープ酸化亜鉛であり、それによりＴＦＴの電気的性能が比較的良く、生産コストが比較的低い。
【0071】
上記について、当業者であれば、本発明の技術的手段及び技術的思想に基づきほかの各種の相応な変更や変形を行うことができ、これらの変更や変形はすべて本発明の、添付する特許請求の範囲の保護範囲に属する。
【符号の説明】
【0072】
１ ベース基板
２ 黒色マトリクス
３ カラーフィルター層
４ 平坦層
５ ゲート
６ ゲート絶縁層
７ チャネル層
８ エッチングバリア層
１０ 保護層
１１ 陽極
１２ 画素定義層
１３ ＯＬＥＤ発光層
１４ 陰極
８１ 第１ビア
８２ 第２ビア
９１ ソース
９２ ドレイン
１０１ 第３ビア
１２１ 第４ビア
２ 黒色マトリクス
３ カラーフィルター層
４ 平坦層
５ ゲート
６ ゲート絶縁層
７ チャネル層
８ エッチングバリア層
１０ 保護層
１１ 陽極
１２ 画素定義層
１３ ＯＬＥＤ発光層
１４ 陰極
８１ 第１ビア
８２ 第２ビア
９１ ソース
９２ ドレイン
１０１ 第３ビア
１２１ 第４ビア
【図1】
【図2】