特許 7015804 部品内蔵パッケージ構造の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-01-26

(45)【発行日】2022-02-03

(54)【発明の名称】部品内蔵パッケージ構造の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20220127BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20220127BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 B

H05K3/46 Q

H05K3/46 N

H01L23/12 N

【請求項の数】 7

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2019106961

(22)【出願日】2019-06-07

(65)【公開番号】P2020061542

(43)【公開日】2020-04-16

【審査請求日】2019-06-07

(31)【優先権主張番号】16/159,264

(32)【優先日】2018-10-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】505111188

【氏名又は名称】日月光半導体製造股▲ふん▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】100096091

【弁理士】

【氏名又は名称】井上 誠一

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】特許業務法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】陳 建汎

(72)【発明者】

【氏名】王 建皓

【審査官】赤穂 州一郎

(56)【参考文献】

【文献】特開２００５－２２３１８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２００３８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－２３９１８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１２／０１５３４９３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１２－０６９８６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－３３２０９４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ ３／４６

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

キャリアを用意し、第１面を有する半硬化の第１絶縁層を前記キャリア上に形成すること、
前記半硬化の第１絶縁層上に部品を供給し、前記部品の上部および下部から熱エネルギーをそれぞれ供給して前記半硬化の第１絶縁層を硬化させること、
前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成して前記部品を覆うこと、および
前記第２絶縁層上に、前記部品に電気的に接続されていてパターニングされている回路層を形成すること
を含み、
前記部品の前記上部から供給される前記熱エネルギーの温度が、前記部品の前記下部から供給される前記熱エネルギーの温度よりも高い、部品内蔵パッケージ構造の製造方法。

【請求項2】

キャリアを用意し、第１面を有する半硬化の第１絶縁層を前記キャリア上に形成すること、
前記半硬化の第１絶縁層上に部品を供給し、前記部品の上部および下部から熱エネルギーをそれぞれ供給して前記半硬化の第１絶縁層を硬化させること、
前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成して前記部品を覆うこと、および
前記第２絶縁層上に、前記部品に電気的に接続されていてパターニングされている回路層を形成すること
を含み、
前記部品の前記上部からの熱エネルギーは予熱吸着ヘッドによって供給され、前記部品は前記予熱吸着ヘッドによって吸着されて前記第１面上に置かれ、前記部品は前記熱エネルギーを前記第１面に伝達し、前記部品の下の前記第１絶縁層が前記熱エネルギーを吸収し、前記部品の側面が、加熱された前記第１絶縁層によって囲まれ且つ覆われる、部品内蔵パッケージ構造の製造方法。

【請求項3】

前記キャリアが回路基板である、請求項１または２記載の製造方法。

【請求項4】

前記回路基板が導電性配線層を有し、前記第１絶縁層が前記導電性配線層を覆う、請求項３記載の製造方法。

【請求項5】

前記部品は少なくとも１つのパッドを有しており、
前記第２絶縁層の形成後に、前記第２絶縁層を介して前記少なくとも１つのパッドを露出する開口を形成することをさらに含む請求項４記載の製造方法。

【請求項6】

前記パターニングされている回路層が、前記開口内に伸びていて前記部品の前記パッドから前記第２絶縁層の上を覆う、請求項５記載の製造方法。

【請求項7】

前記第１面の上に前記部品を置いた後に、前記部品の底面が前記第１絶縁層に直接接続され、前記部品の前記底面が前記第１面よりも低い、請求項１または２記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、概して部品パッケージ構造およびその製造方法に、より詳しくは、部品内蔵パッケージ構造およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

システムレベルパッケージ構造において、半導体チップをパッケージ基板に埋め込む、基板への半導体内蔵技術は、製品のサイズの低減はもちろん、パッケージ製品のノイズ干渉の低減という利点を有し、従ってこの分野における製造者の研究開発の中心となっている。製造歩留まりを高めるためには、次の工程におけるパターニングされた導電回路と埋め込まれた部品との電気的接続を容易にするために、埋め込まれた部品をパッケージ基板内で固定する必要がある。従って、埋め込まれた部品がパッケージ基板内に固定されたままであるように、埋め込まれる部品についての接合およびパッケージング工程の信頼性を高めるソリューションに対するニーズがある。

【0003】

「部品内蔵デバイスおよびその製造方法」と題された米国特許第９，４０６，６５８号明細書には、電気的接点を含む電子部品、パターニングされた上層導電層、パターニングされた上層導電層と電子部品との間の絶縁層、第１電気的相互接続部、パターニングされた下層導電層、導電性ビアおよび第２電気的相互接続部を含む電子部品を備える部品内蔵デバイスが開示されている。絶縁層は、電気的接点を露出させる第１開口および、パターニングされた下層導電層からパターニングされた上層導電層に伸びる第２開口を有する。第１電気的相互接続部は、電気的接点からパターニングされた上層導電層まで伸び、第１開口を充填する。第２開口は、パターニングされた上層導電層を露出させる上部と、パターニングされた下層導電層を露出させる下部とを有する。導電性ビアは、第２開口の下部に配置される。第２電気的相互接続部は、第２開口の上部を充填する。

【発明の概要】

【0004】

本発明は、パッケージング工程の信頼性を高めることができる、部品内蔵パッケージ構造およびその製造方法に関する。

【0005】

本発明の一態様によれば、部品内蔵パッケージ構造の製造方法が提供される。方法は、以下の、キャリアを用意し、第１面を有する半硬化の第１絶縁層を前記キャリア上に形成すること、前記半硬化の第１絶縁層上に部品を供給し、前記部品の上部および下部から熱エネルギーをそれぞれ供給して前記半硬化の第１絶縁層を硬化させること、前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成して前記部品を覆うこと、および前記第２絶縁層上に、前記部品に電気的に接続されていてパターニングされている回路層を形成すること、という工程を含む。さらに、前記部品の前記上部から供給される前記熱エネルギーの温度が、前記部品の前記下部から供給される前記熱エネルギーの温度よりも高い。あるいは、前記部品の前記上部からの熱エネルギーは予熱吸着ヘッドによって供給され、前記部品は前記予熱吸着ヘッドによって吸着されて前記第１面上に置かれ、前記部品は前記熱エネルギーを前記第１面に伝達し、前記部品の下の前記第１絶縁層が前記熱エネルギーを吸収し、前記部品の側面が、加熱された前記第１絶縁層によって囲まれ且つ覆われる。

【0008】

本発明の上記および他の態様が、以下の好ましいが非限定的な実施形態の詳細な説明に関して、よりよく理解される。下記の説明は、添付の図面を参照して行われる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】部品内蔵パッケージ構造の製造方法の概略図である。

【図2】部品内蔵パッケージ構造の製造方法の概略図である。

【図3】本発明の一実施形態による部品内蔵パッケージ構造の概略図および拡大図である。

【図4】本発明の一実施形態による部品内蔵パッケージ構造の製造方法の概略図である。

【図5】本発明の一実施形態による部品内蔵パッケージ構造の製造方法の概略図である。

【図6】本発明の一実施形態による部品内蔵パッケージ構造の製造方法の概略図である。

【図7】本発明の一実施形態による部品内蔵パッケージ構造の製造方法の概略図である。

【図8】本発明の一実施形態による部品内蔵パッケージ構造の製造方法の概略図である。

【図9】キャリア上に、パターニングされた回路層を形成する概略図である。

【図10A】キャリア上に他のパターニングされた回路層を形成する概略図である。

【図10B】キャリア上に他のパターニングされた回路層を形成する概略図である。

【図11】本発明の他の実施形態による部品内蔵パッケージ構造の概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

非限定的な実施形態が、以下に詳細に示される。実施形態は、例示的なものであって、本発明の請求される範囲の限定と解されるべきものではない。同一／類似の記号は、以下の記載において、同一／類似の構成要素を示すために用いられる。

【0011】

図１および図２を参照すると、部品１２０（たとえば、半導体チップ）をパッケージ構造に埋め込む前に、まず、部品１２０は、キャリア１００の第１絶縁層１１０上に載置される。第１絶縁層１１０は、たとえば、半硬化のプリプレグである。キャリア１００は、その下の支持プラットフォーム（図示せず）によって支持され、熱エネルギーが、第１絶縁層１１０を所定の温度に加熱するために加熱装置（図示せず）によって供給される。加熱装置によって供給される温度は、高温（約８０℃）であるため、所定の這い広がる接着性および流動性を予熱された第１絶縁層１１０にもたらし、それは、部品１２０を第１絶縁層１１０上に固定するために部品１２０と第１絶縁層１１０とを接合するのに有益である。しかしながら、高温での第１絶縁層１１０の硬化速度は、結果として速くなる。図２に示すように、第１絶縁層１１０が充分に硬化されると、第２絶縁層１３０が、第１絶縁層１１０の上に形成される。第２絶縁層１３０は部品１２０の上部を覆う。

【0012】

上記のパッケージング工程において、吸着ヘッド１０が部品１２０を吸着すると、部品１２０の内部応力によって反りが起こり、それにより、部品１２０の底面は第１絶縁層１１０にしっかりと接合され得ず（完全に接合されず）、部品１２０の接着力が不十分になる。また、次の硬化工程において、第１絶縁層１１０が、過度に高い温度（たとえば、８０℃以上）のために高速で硬化することがある。結果として、第１絶縁層１１０は、部品１２０の表面（すなわち、側面）を有効に覆い且つ囲むことができないことがあり、部品１２０に対する第１絶縁層１１０の不十分な被覆効果を引き起こし、故に、次の第２絶縁層１３０の積層や配線パターニング工程がうまく行われ得ないような落下を起こし易い。

【0013】

上記の問題を解決するために、部品内蔵パッケージ構造が提供される。図３を参照すると、部品内蔵パッケージ構造２００Ａは、キャリア２００、第１絶縁層２１０、部品２２０、第２絶縁層２３０、パターニングされている回路層２４０およびパターニングされている絶縁保護層２６０を備える。回路基板などのキャリア２００は、導電性配線層２０２を有する。第１絶縁層２１０は、キャリア２００の上に配置され、第１面２１２を有する。部品２２０は、第１絶縁層２１０の第１面２１２の上に配置され、部品２２０の底面Ｂは、第１面２１２よりも低く、それによって、半導体チップなどの部品２２０は、第１絶縁層２１０の上に安定して搭載され得る。第２絶縁層２３０は、第１絶縁層２１０の上に配置され、部品２２０を覆っている。パターニングされている回路層２４０は第２絶縁層２３０の上に配置され、パターニングされている回路層２４０は部品２２０と電気的に接続されている。パターニングされている絶縁保護層２６０は、パターニングされている回路層２４０を覆っている。

【0014】

一実施形態において、第１絶縁層２１０は部品２２０の側面Ｓ１を囲い且つ覆っており、第１絶縁層２１０は第１面２１２に対して３μｍよりも大きい被覆高さＨ１を有し、それにより、半導体チップなどの部品２２０は第１絶縁層２１０の上に安定して搭載され得る。一実施形態において、部品２２０の底面Ｂと第１面２１２との間の高さの差Ｈ２は、好ましくは、たとえば３μｍよりも大きい。一実施形態において、第１絶縁層２１０の被覆高さＨ１は、たとえば、５μｍよりも大きいか、または５μｍに等しく、部品２２０の厚さＷよりも小さい。

【0015】

前述の問題を解決するために、部品内蔵パッケージ構造２００Ａの製造方法が一実施形態によって提供される。方法は、第１絶縁層を硬化させるために、埋め込まれる部品の上部および下部の両方から熱エネルギーを同時に供給することができる。さらに、埋め込まれる部品の吸着および加熱に使用される、予熱された吸着ヘッドは、反りの問題を改善し、埋め込まれる部品が第１絶縁層の上により密接に、またはいっそう全体的に接合されることを可能にし、埋め込まれる部品において第１絶縁層によって覆われる面積および高さを増加させ、故に埋め込まれる部品を落下しがちにならずにしっかりと固定されたまま維持する。

【0016】

図４～図９を参照すると、本発明の一実施形態による部品内蔵パッケージ構造２００Ｂの製造方法は、以下の工程を含む。キャリア２００が、まず用意され、半硬化の第１絶縁層２１０がキャリア２００の上に形成され、半硬化の第１絶縁層２１０は、第１面２１２を有する。部品２２０が、半硬化の第１絶縁層２１０の上に供給され、第１絶縁層２１０を硬化させるために、熱エネルギーＨａおよびＨｂが、部品２２０の上部および下部からそれぞれ同時に供給される。第２絶縁層２３０が、部品２２０を覆うために、第１絶縁層２１０の上に形成される。パターニングされている回路層２４０が、第２絶縁層２３０の上に形成され、パターニングされている回路層２４０は、部品２２０に電気的に接続される。上記の工程の詳細が、添付の図面と共に以下に示される。

【0017】

図４を参照すると、キャリア２００は、たとえば、導電性配線層２０２を有する回路基板である。回路基板は、たとえば、銅張積層板（ＣＣＬ）、メタルコアＰＣＢ（ＭＣＰＢＣ）またはセラミック基板であってもよい。他の実施形態において、キャリア２００は、たとえば、ガラス基板であって、一時的な支持のための基板としての役目を果たし、導電性配線を備えない。

【0018】

図５を参照すると、半硬化の第１絶縁層２１０がキャリア２００の上に形成され、同時に、安定した熱エネルギーＨａが、第１絶縁層２１０を所定の温度に保つように、キャリア２００の下部で加熱装置（図示せず）によって供給される。この実施形態において、熱エネルギーＨａの温度は、たとえば、８０℃から５０℃に下がり、それによって、第１絶縁層２１０の過度に高い硬化速度を防止し、故に、部品の側面を効果的に覆い損ねることが防がれる。一方、熱エネルギーＨａの温度が下がった後、半硬化の第１絶縁層２１０の這い広がる接着性および流動性が、次の接合工程を容易にする或る一定の範囲内に保たれ得る。一般的に第１絶縁層２１０の材料は、ガラス繊維を含まない樹脂材料、たとえば、液晶ポリマー、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂、半硬化のプリプレグ、味の素ビルドアップフィルム（ＡＢＦ）、エポキシおよびポリイミドからなる群から選ばれる１つであってもよいが、本発明はこれらの例に限定されない

【0019】

図６Ａおよび図６Ｂを参照すると、予熱された吸着ヘッド２０により部品２２０が吸着され、他の熱エネルギーＨｂが吸着ヘッド２０によって部品２２０の上部に供給される。熱エネルギーＨｂの温度は、１００℃と１５０℃との間、たとえば１３０℃であって、これはキャリア２００の下部から第１絶縁層２１０に伝達される熱エネルギーＨａの温度よりも高い。図６Ｂに示されるように、予熱された吸着ヘッド２０から伝達された熱エネルギーＨｂを部品２２０が吸収した後、次の第１絶縁層２１０上への部品２２０の接合を容易にするように、部品２２０の底面Ｂを平面として維持すべく、部品２２０の内部応力によって生成された反りが軽減され得る。

【0020】

図７を参照すると、部品２２０は、熱エネルギーＨｂを吸収した後に略反りが無く（すなわち平坦であり）、部品２２０の低面Ｂは、吸着ヘッド２０によって下方に押され得て第１絶縁層２１０の上に直接且つ平坦に置かれるようになる。さらに、部品２２０は、熱エネルギーＨｂを第１面２１２に直接伝達することができ、それによって、部品２２０の下の第１絶縁層２１０は、熱エネルギーＨｂを吸収して溶融し、さらに、第１絶縁層２１０が部品２２０の側面Ｓ１を覆い且つ囲うのに有利な第１絶縁層２１０の流動性を増加させる。図６Ｃおよび図７を参照すると、部品２２０の下の第１絶縁層２１０が熱エネルギーＨｂを吸収した後、部品２２０の周囲の第１絶縁層２１０の温度が、所定の温度（たとえば、５０℃）から略１３０℃まで上昇することができ、これにより、図６Ｃに示すように、第１絶縁層２１０の這い広がる接着性および流動性を増加させる。加熱された部品２２０が第１絶縁層２１０に接触する場合、第１絶縁層２１０の這い広がる接着剤の状態および粘着力は、加熱されていない部品１２０に第１絶縁層１１０が接触する場合よりも良好である。結果として、第１絶縁層２１０の被覆高さが相対的に増加する。

【0021】

図７に示されるように、一実施形態において、第１面２１２に対する、部品２２０の側面Ｓ１における第１絶縁層２１０の被覆高さＨ１は、たとえば、３μｍよりも大きいか、さらに５μｍよりも大きいか、もしくは５μｍに等しい。そのため、部品２２０は、第１絶縁層２１０の上にしっかりと固定され得る。一実施形態において、第１絶縁層２１０の被覆高さＨ１は、たとえば、部品２２０の厚さＷよりも小さいが、本発明は、上記の例に限定されない。

【0022】

図３および図７を参照すると、図１および図２におけるパッケージング工程において、第１絶縁層１１０は片側加熱により加熱され、そして部品１２０の望ましくない反りが非加熱状況において生成され、それによって、第１絶縁層１１０は、部品１２０の側面を効果的に覆うことができない。さらに、第２絶縁層１３０が第１絶縁層１１０を覆うと、ボイドＶＯが部品１２０の周囲（第１絶縁層１１０によって覆われない、側面の下部近くの領域）に形成され易く、第２絶縁層１３０は、このボイドＶＯを完全に埋めることができない。そのため、部品１２０は、第１絶縁層１１０との接触のためには部品１２０の底面にしか頼ることができず、パッケージング工程後の部品１２０の不十分な信頼性を示す。逆に、図７中のパッケージング工程では、第１絶縁層２１０は両面加熱によって加熱される。すなわち、所定の温度（たとえば１３０℃）の熱エネルギーＨｂが、第１絶縁層２１０の加熱および溶融を部分的に補助するように第１絶縁層２１０の上部にさらに供給される。加えて、熱エネルギーＨｂは、部品２２０の反りが起こりがちでなくなるように、予熱のために部品２２０の上部に供給される。このため、第１絶縁層２１０は、部品２２０の側面Ｓ１を効果的に覆うことができ、被覆高さＨ１を所定の値よりも大きくなるように制御することができる。従って、部品２２０の側面Ｓ１は、より良好な接着剤の這い広がり状態または粘着状態を有する第１絶縁層２１０によってしっかりと覆われることが可能で、さらに、パッケージング工程後、部品２２０の信頼性を高める。なお、部品２２０は、第１絶縁層２１０に固定されると、第１絶縁層２１０を充分に硬化させるために、炉内に置かれ、（たとえば３０分を超える）所定の期間、所定の温度（たとえば１８０℃）で加熱されてもよい。

【0023】

さらに、部品２２０が吸着ヘッド２０によって予熱され、第１絶縁層２１０上に置かれると、部品２２０の底面Ｂは、第１面２１２と好ましくは面一にされてもよく、または、溶融した第１絶縁層２１０の増大した流動性のために第１面２１２よりも低くなるように沈められてもよい。一実施形態において、部品２２０の底面Ｂと第１面２１２との間の高さの差Ｈ２は、好ましくは、たとえば３μｍよりも大きい。このように、本発明の製造方法において、部品２２０を収容するために確保される窪みまたは開口は、第１面２１２上に作られる必要が無く、そのため開口工程が省かれ、そして部品２２０を固定するための追加的な接着剤は部品２２０の底面Ｂに必要とされない。その一方、キャリア２００の絶縁材料（すなわち第１絶縁層２１０）は、部品２２０の底面Ｂに直接接合され、それによって、パッケージング工程後の部品２２０の信頼性が相対的に高められ、部品２２０の位置が、位置合わせエラーを減らすべく正確に位置合わせされる。

【0024】

図８を参照すると、第２絶縁層２３０が、第１絶縁層２１０上に形成され、部品２２０を覆っている。より具体的には、第２絶縁層２３０は、第１絶縁層２１０を完全に覆い、部品２２０の側面を囲み得る。第２絶縁層２３０が充分に硬化されると、部品２２０が、第１絶縁層２１０と第２絶縁層２３０との間に埋め込まれ、部品内蔵パッケージ構造が形成される。埋め込まれた部品２２０は、能動素子（たとえば、トランジスタ、集積回路チップ、ロジック回路デバイス、または電力増幅器）および受動素子（たとえば、キャパシタ、インダクタ、または抵抗器）の少なくとも１つであってもよい。埋め込まれる部品の数は１つに限定されず、第１絶縁層２１０および第２絶縁層２３０は単層または多層構造であってもよく、第１絶縁層２１０および第２絶縁層２３０は同じ材料または異なる材料で作られた絶縁材であってもよく、本発明は上記の例に限定されない。

【0025】

図９を参照すると、パターニングされた回路層２４０が第２絶縁層２３０上に形成され、パターニングされた回路層２４０は部品２２０に電気的に接続され得る。一実施形態において、部品２２０は、ビアホールＶ１内に配置された少なくとも１つのパッド２２２を含み、パターニングされた回路層２４０が、部品２２０のパッド２２２から、ビアホールＶ１内へと、そして第２絶縁層２３０上へと伸びている。回路構造の作製方法の詳細が以下に説明される。最初に、第２絶縁層２３０の形成後に、部品２２０の少なくとも１つのパッド２２２を露出させるために、第２絶縁層２３０を通過するビアホールＶ１が、ウェットエッチングまたはドライエッチングによって形成される。次に、パターニングされた回路層２４０が第２絶縁層２３０上に形成され、パターニングされた回路層２４０は、ビアホールＶ１内のパッド２２２を経由して部品２２０に電気的に接続される。一実施形態において、パターニングされた回路層２４０は、部品内蔵パッケージ構造２００Ａを形成するために、第１絶縁層２１０および第２絶縁層２３０を通過する他のビアホールＶ２を経由して導電性配線層２０２に電気的に接続されてもよい。パターニングされた回路層２４０は、銅層またはアルミニウム層であってもよい。パターニングされた回路層２４０の上部を覆うために、（図１０Ｂおよび図３に示されるように）たとえば、緑色の塗料またはその他の絶縁材料によって作られるパターニングされた絶縁保護層２６０が形成されてもよい。

【0026】

図１０Ａおよび図１０Ｂを参照すると、上記のパターニングされた回路層２４０の完成後、両面に（上部および下部）導電性回路を有する部品内蔵パッケージ構造２００Ｃが作製されるように、他のパターニングされた回路層２５０がキャリア２００上に形成されてもよい。パターニングされたビアホールＶ３の作製方法は、ビアホールＶ１の作製方法と同様であり、ビアホールＶ３がキャリア２００の導電性配線層２０２を露出させるためにキャリア２００を通過する点においてのみ異なる。次に、パターニングされた回路層２５０がキャリア２００の他の表面（すなわち底面）上に形成され、下部のパターニングされた回路層２５０はビアホールＶ３を経由して導電性配線層２０２に電気的に接続される。さらに、他の実施形態では、下部のパターニングされた回路層２５０は、層間導電性ビアを経由して、または垂直の導電性スルーホール（図示せず）を経由して直接的に、上部のパターニングされた回路層２４０に電気的に接続されてもよく、本発明は上記の例に限定されない。

【0027】

図１０Ｂを参照すると、パターニングされた絶縁保護層２６０および２７０が、上部および下部において、パターニングされた回路層２４０および２５０の上にそれぞれ形成され、上部および下部の電気的接点２４２および２５２が露出される。部品２２０のパッド２２２は、これらの２つのパターニングされた回路層２４０および２５０を介して、上部および下部の電気的接点２４２および２５２に電気的に接続され得る。電気的接点２４２および２５２は、たとえば、外部の電子信号に電気的に接続するために設けられた、はんだ突部、リードレス突部、銅突部、または金突部であり、本発明は上記の例に限定されない。

【0028】

図９および図１１を参照すると、一実施形態において、図９のキャリア２００は、一時的な支持を提供する基板としてのみの役目を果たし、キャリア２００は、図１１に示されるように、部品内蔵パッケージ構造２００Ｄの導電性配線層２０２を露出させるために取り外されるか、または分離されてもよい。図１１において、導電性配線層２０２は、単層構造に限定されず、多層構造であってもよい。さらに、図１０Ｂに示されるように、パターニングされた絶縁保護層２７０および電気的接点２５２が導電性配線層２０２の下部に形成されてもよく、本発明は上記の例に限定されない。

【0029】

本発明の実施形態によって開示される部品内蔵パッケージ構造において、積層され、積み重ねられる第１絶縁層２１０および第２絶縁層２３０は一例として示される。しかしながら、埋め込まれる部品は、２層に供給されることに代えて、積層され、積み重ねられる多数の絶縁層に供給されてもよい。さらに、埋め込まれる部品２２０は、積層され、積み重ねられる第１絶縁層２１０および第２絶縁層２３０内に配置されることに限定されず、複数の埋め込まれる部品２２０は、パッケージ要件に応じて、隣接して配置される任意の二つの絶縁層の間に設けられてもよい。

【0030】

本発明を例示により、また好ましい１以上の実施形態の観点で説明したが、本発明は、それらに限定されるものではないことが理解されるべきである。むしろ、各種の修正および同等の配列および手順を含むことが意図され、従って、添付の請求項の範囲には、かかる全ての修正ならびに同等の配列および手順を含むように最も広い解釈が与えられるべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10A】

【図10B】

【図11】