特許7016923含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-01-28
(45)【発行日】2022-02-07
(54)【発明の名称】含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体
(51)【国際特許分類】
C07C 43/23 20060101AFI20220131BHJP
C07D 333/16 20060101ALI20220131BHJP
C07D 231/12 20060101ALI20220131BHJP
C07D 277/24 20060101ALI20220131BHJP
C07D 307/42 20060101ALI20220131BHJP
C07C 43/178 20060101ALI20220131BHJP
C08G 65/331 20060101ALI20220131BHJP
C10M 105/54 20060101ALI20220131BHJP
C10M 105/70 20060101ALI20220131BHJP
C10M 105/72 20060101ALI20220131BHJP
C10M 107/38 20060101ALI20220131BHJP
G11B 5/725 20060101ALI20220131BHJP
C10N 20/04 20060101ALN20220131BHJP
C10N 40/18 20060101ALN20220131BHJP
【ＦＩ】
C07C43/23 E CSP
C07D333/16
C07D231/12 C
C07D277/24
C07D307/42
C07C43/178 D
C08G65/331
C10M105/54
C10M105/70
C10M105/72
C10M107/38
G11B5/725
C10N20:04
C10N40:18
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2020129365
(22)【出願日】2020-07-30
(62)【分割の表示】P 2018504048の分割
【原出願日】2017-01-30
(65)【公開番号】P2020193204
(43)【公開日】2020-12-03
【審査請求日】2020-07-30
(31)【優先権主張番号】P 2016047359
(32)【優先日】2016-03-10
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000002004
【氏名又は名称】昭和電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100141139
【弁理士】
【氏名又は名称】及川 周
(74)【代理人】
【識別番号】100163496
【弁理士】
【氏名又は名称】荒 則彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134359
【弁理士】
【氏名又は名称】勝俣 智夫
(72)【発明者】
【氏名】柳生 大輔
(72)【発明者】
【氏名】山口 裕太
(72)【発明者】
【氏名】福本 直也
(72)【発明者】
【氏名】加藤 剛
(72)【発明者】
【氏名】植竹 祥子
(72)【発明者】
【氏名】冨田 浩幸
(72)【発明者】
【氏名】宮坂 隆太
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 直子
(72)【発明者】
【氏名】太田 一朗
(72)【発明者】
【氏名】室伏 克己
【審査官】武貞 亜弓
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２００９／１２３０４３（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１２－００９０９０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－１６３６６７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０７Ｃ、Ｃ０７Ｄ
Ｃ１０Ｍ、Ｃ１０Ｎ
Ｇ１１Ｂ
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
ＪＳＴＰｌｕｓ／ＪＳＴ７５８０／ＪＳＴＣｈｉｎａ（ＪＤｒｅａｍＩＩＩ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。Ｒ１－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３－ＣＨ２－Ｒ４ （１）
（式（１）中、Ｒ１はフェニル基、メトキシフェニル基、ナフチル基、ベンジル基、メトキシベンジル基、ナフチルメチル基、メトキシナフチル基、ピロリル基、ピラゾリル基、メチルピラゾリルメチル基、イミダゾリル基、フリル基、フルフリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チエニル基、チエニルエチル基、チアゾリル基、メチルチアゾリルエチル基、イソチアゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、インドリニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基又はシンノリニル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、プロピニル基、プロパルギル基、ブチニル基、メチルブチニル基、ペンチニル基、メチルペンチニル基、ヘキシニル基、シアノエチル基のいずれかであり、Ｒ２は－Ｏ－または下記式（６）で表され、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ４は２つまたは３つの水酸基を含み、各水酸基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記水酸基の結合している全ての炭素原子同士が、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。）
【化1】
【請求項2】
前記式（１）におけるＲ１が、フェニル基、ｐ－メトキシフェニル基、ナフチル基、ｐ－メトキシベンジル基、チエニルエチル基、メチルピラゾリルメチル基、メチルチアゾリルエチル基、フルフリル基、ブテニル基、アリル基、プロパルギル基、ベンジル基、ナフチルメチル基のいずれかである、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項3】
前記式（１）におけるＲ４が、３つの水酸基を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項4】
前記式（１）におけるＲ３が、下記式（３）で表されることを特徴とする請求項１～請求項３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。【化2】
【請求項5】
前記式（１）におけるＲ３が、下記式（４）または下記式（５）で表されることを特徴とする請求項１～請求項３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。【化3】
【化4】
【請求項6】
数平均分子量が５００～１００００の範囲内である請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項7】
請求項１～請求項６のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
【請求項8】
基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、請求項１～請求項６のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項9】
前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～３ｎｍである請求項８に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気記録媒体の潤滑剤用途に好適な含フッ素エーテル化合物に関する。
本出願は、２０１６年３月１０日に日本に出願された特願２０１６－０４７３５９に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本出願は、２０１６年３月１０日に日本に出願された特願２０１６－０４７３５９に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【0002】
磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。
従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。
【0003】
磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いられる潤滑剤としては、例えば、ＣＦ２を含む繰り返し構造を有するフッ素系のポリマーの末端に、水酸基等の極性基を有する化合物を含有するものが提案されている（例えば、特許文献１～３参照）。
例えば、特許文献１には、両方の末端部分に複数のヒドロキシル基を有し、該ヒドロキシル基間の最短距離が３原子以上離れている置換基が配置された化合物が開示されている。また、特許文献２には、片方の末端に芳香族を有し、他方の末端に水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物が開示されている。また、特許文献３には、パーフルオロポリエーテル主鎖を有し、分子の末端に芳香族基とヒドロキシル基を有し、芳香族基とヒドロキシル基はそれぞれ異なる炭素原子と結合している化合物が開示されている。
例えば、特許文献１には、両方の末端部分に複数のヒドロキシル基を有し、該ヒドロキシル基間の最短距離が３原子以上離れている置換基が配置された化合物が開示されている。また、特許文献２には、片方の末端に芳香族を有し、他方の末端に水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物が開示されている。また、特許文献３には、パーフルオロポリエーテル主鎖を有し、分子の末端に芳香族基とヒドロキシル基を有し、芳香族基とヒドロキシル基はそれぞれ異なる炭素原子と結合している化合物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特許第４６３２１４４号公報
【文献】特許第５９０９８３７号公報
【文献】特許第５４６５４５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
磁気記録再生装置においては、より一層、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における潤滑層の厚みを、より薄くすることが求められている。
しかし、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑層の被覆性が低下して、磁気記録媒体の化学物質耐性および耐摩耗性が低下する傾向がある。
しかし、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑層の被覆性が低下して、磁気記録媒体の化学物質耐性および耐摩耗性が低下する傾向がある。
【0006】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、厚みが薄くても優れた化学物質耐性および耐摩耗性が得られる潤滑層を形成できる磁気記録媒体用潤滑剤の材料として、好適な含フッ素エーテル化合物を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する優れた信頼性および耐久性を有する磁気記録媒体を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する優れた信頼性および耐久性を有する磁気記録媒体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。
その結果、パーフルオロポリエーテル鎖の一端に、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基を、エーテル性酸素によって結合する２価の連結基を介して配置し、パーフルオロポリエーテル鎖の他端に、２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基を配置した含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出し、本発明を想到した。
すなわち、本発明は以下の事項に関する。
その結果、パーフルオロポリエーテル鎖の一端に、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基を、エーテル性酸素によって結合する２価の連結基を介して配置し、パーフルオロポリエーテル鎖の他端に、２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基を配置した含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出し、本発明を想到した。
すなわち、本発明は以下の事項に関する。
【0008】
［１］ 下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ１－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３－ＣＨ２－Ｒ４ （１）
（式（１）中、Ｒ１は二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基であり、Ｒ２はエーテル性酸素によってＲ１と結合する２価の連結基であり、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ４は２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。）
［２］前記式（１）におけるＲ４の極性基が水酸基である［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
Ｒ１－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３－ＣＨ２－Ｒ４ （１）
（式（１）中、Ｒ１は二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基であり、Ｒ２はエーテル性酸素によってＲ１と結合する２価の連結基であり、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ４は２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。）
［２］前記式（１）におけるＲ４の極性基が水酸基である［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
【0009】
［３］ 前記式（１）におけるＲ４は下記式（２－１）～（２－４）のいずれかの末端基である［１］または［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。
【0010】
【化1】
【0011】
【化2】
【0012】
【化3】
【0013】
【化4】
【0014】
［４］ 前記式（１）におけるＲ３が、下記式（３）で表されることを特徴とする［１］～［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【0015】
【化5】
【0016】
［５］ 前記式（１）におけるＲ３が、下記式（４）または下記式（５）で表されることを特徴とする［１］～［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【0017】
【化6】
【0018】
【化7】
【0019】
［６］ 前記式（１）におけるＲ１が、芳香族環を含む末端基、複素環を含む末端基、アルケニル基を含む末端基、またはアルキニル基を含む末端基のいずれかであることを特徴とする［１］～［５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【0020】
［７］ 前記式（１）におけるＲ２が、－Ｏ－または下記式（６）で表されることを特徴とする［１］～［６］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【0021】
【化8】
【0022】
［８］ 前記式（１）におけるＲ４が、３つの極性基を含むことを特徴とする［１］～［７］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【0023】
［９］ 数平均分子量が５００～１００００の範囲内である［１］～［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
【0024】
［１０］ ［１］～［９］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
【0025】
［１１］ 基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、［１］～［９］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【0026】
［１２］ 前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～３ｎｍである［１１］に記載の磁気記録媒体。
【発明の効果】
【0027】
本発明の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物であり、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みが薄くても優れた化学物質耐性および耐摩耗性が得られる潤滑層を形成できる。
本発明の磁気記録媒体は、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層が設けられているものであるため、優れた信頼性および耐久性を有する。
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みが薄くても優れた化学物質耐性および耐摩耗性が得られる潤滑層を形成できる。
本発明の磁気記録媒体は、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層が設けられているものであるため、優れた信頼性および耐久性を有する。
【図面の簡単な説明】
【0028】
【図1】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0029】
以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。
【0030】
［含フッ素エーテル化合物］
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
Ｒ１－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３－ＣＨ２－Ｒ４ （１）
（式（１）中、Ｒ１は二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基であり、Ｒ２はエーテル性酸素によってＲ１と結合する２価の連結基であり、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ４は２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。）
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
Ｒ１－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３－ＣＨ２－Ｒ４ （１）
（式（１）中、Ｒ１は二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基であり、Ｒ２はエーテル性酸素によってＲ１と結合する２価の連結基であり、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ４は２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。）
【0031】
ここで、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤（以下「潤滑剤」と略記する場合がある。）を用いて、磁気記録媒体の保護層上に潤滑層を形成した場合に、厚みが薄くても、優れた化学物質耐性および耐摩耗性が得られる理由について説明する。
【0032】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）に示すように、Ｒ３で表されるパーフルオロポリエーテル鎖（以下「ＰＦＰＥ鎖」と略記する場合がある。）の一端に、Ｒ２で表されるエーテル性酸素によってＲ１と結合する２価の連結基を介して、Ｒ１で表される二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基が配置されている。ＰＦＰＥ鎖は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、保護層の表面を被覆するとともに、磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。また、Ｒ１で表される二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基は、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基の分子間相互作用、および／または該有機基と保護層との相互作用により、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層における耐摩耗性を向上させる。したがって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、例えば、Ｒ１で表される末端基に代えて、水酸基が配置された含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層と比較して、優れた耐摩耗性が得られる。
【0033】
また、式（１）のＲ３で表されるＰＦＰＥ鎖のＲ２と反対側の端部（他端）には、Ｒ４で表される末端基が配置されている。Ｒ４で表される末端基は、２つまたは３つの極性基を含む。Ｒ４で表される末端基に含まれる２つまたは３つの極性基は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物と保護層とを密着させて、化学物質耐性および耐摩耗性を向上させるとともに、ピックアップを抑制する。
【0034】
また、上記の潤滑層では、Ｒ４で表される末端基に含まれる２つまたは３つの極性基が、それぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している。Ｒ４で表される末端基を有する含フッ素エーテル化合物は、例えば、末端基に含まれる２つの極性基が、それぞれ異なる炭素原子に結合し、極性基の結合している炭素原子同士が結合しているフッ素エーテル化合物と比較して、凝集しにくい。よって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層では、保護層に密着（吸着）せずに存在している含フッ素エーテル化合物が凝集して、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着することを防止でき、ピックアップが抑制される。また、含フッ素エーテル化合物同士が凝集しにくいため、潤滑層中の含フッ素エーテル化合物が、保護層上で面方向に広がって延在した状態で配置されやすい。よって、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤では、厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、優れた化学物質耐性を有する潤滑層を形成できると推定される。
【0035】
式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、Ｒ４は、２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。Ｒ４で表される末端基は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤の塗布される保護層と、潤滑剤を塗布して形成した潤滑層との密着性に寄与する。式（１）におけるＲ４は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。
【0036】
また、式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、ＰＦＰＥ鎖（Ｒ３）の両末端にそれぞれ異なる末端基（Ｒ１、Ｒ４）が結合した非対称の化合物である。両末端にそれぞれ異なる末端基が結合している化合物では、分子末端にそれぞれ結合された異なる機能を有する末端基（Ｒ１、Ｒ４）の相乗効果によって、両末端に同じ末端基が結合している化合物と比較して、優れた化学物質耐性および耐摩耗性が得られる。
【0037】
Ｒ４における極性基としては、例えば、水酸基、アミノ基、カルボキシル基およびチオール基などが挙げられる。なお、エーテル結合（－Ｏ－）は、Ｒ４における極性基には含まれない。
Ｒ４の２つまたは３つの極性基を含む末端基における極性基は、保護層との密着性が良好な含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が得られるため、水酸基であることが好ましい。
Ｒ４の２つまたは３つの極性基を含む末端基における極性基は、保護層との密着性が良好な含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が得られるため、水酸基であることが好ましい。
【0038】
式（１）におけるＲ４は、下記式（２－１）～（２－４）のいずれかの末端基であることが好ましい。このようなＲ４は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤の塗布される保護層と、潤滑剤を塗布して形成した潤滑層との高い密着性および被覆率に寄与する。
【0039】
【化9】
【0040】
式（２－１）において、ｐ１は１～２である。
式（２－１）において、ｐ２が１～５である場合、式（２－１）で表される末端基中の水酸基間の距離が適正となり、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できる。ｐ２は１～２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。
式（２－１）において、ｐ２が１～５である場合、式（２－１）で表される末端基中の水酸基間の距離が適正となり、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できる。ｐ２は１～２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。
【0041】
【化10】
【0042】
式（２－２）において、ｓが２～５である場合、Ｒ３側の水酸基と末端の水酸基との間の距離が適正となり、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できるものとなる。ｓは２～３であることが好ましく、２であることが最も好ましい。
【0043】
【化11】
【0044】
式（２－３）において、ｔが１～５である場合、Ｒ３側の水酸基と末端の水酸基との間の距離が適正となり、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できるものとなる。ｔは１～２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。
【0045】
【化12】
【0046】
式（２－４）において、ｑが２～５である場合、Ｒ３側の水酸基と末端の水酸基との間の距離が適正となり、保護層との密着性に優れ、被覆率の高い潤滑層を形成できるものとなる。ｑは２～３であることが好ましい。
【0047】
式（１）中、Ｒ３はパーフルオロポリエーテル鎖（ＰＦＰＥ鎖）である。ＰＦＰＥ鎖は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。
Ｒ３は、特に限定されるものではなく、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。
式（１）においてＲ３は、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であるため、下記式（３）で表されるＰＦＰＥ鎖であることが好ましい。
Ｒ３は、特に限定されるものではなく、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。
式（１）においてＲ３は、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であるため、下記式（３）で表されるＰＦＰＥ鎖であることが好ましい。
【0048】
【化13】
【0049】
式（３）において、繰り返し単位である（ＣＦ２－ＣＦ２－Ｏ）と（ＣＦ２－Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（３）において（ＣＦ２－ＣＦ２－Ｏ）の数ｍと（ＣＦ２－Ｏ）の数ｎは同じであってもよいし、異なっていてもよい。式（３）は、モノマー単位（ＣＦ２－ＣＦ２－Ｏ）と（ＣＦ２－Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかを含むものであってもよい。
【0050】
式（１）におけるＲ３が式（３）である場合、ｍは１～３０であり、１～２０であることが好ましく、さらに１～１５であることが好ましい。式（１）においてＲ３が式（３）である場合、ｎは０～３０であり、０～２０であることが好ましく、さらに０～１５であることが好ましい。また、ｎが０の場合、ｍは１～１７であることが好ましい。
【0051】
式（１）においてＲ３は、下記式（４）または下記式（５）であってもよい。
【0052】
【化14】
【0053】
式（４）において、ｕが１～３０である場合、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が好ましい範囲になりやすい。ｕは３～２０であることが好ましく、４～１０であることがより好ましい。
【0054】
【化15】
【0055】
式（５）において、ｖが１～３０である場合、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が好ましい範囲になりやすい。ｖは３～２０であることが好ましく、４～１０であることがより好ましい。
【0056】
式（１）におけるＲ３が、式（３）～式（５）のいずれかである場合、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり好ましい。また、式（１）におけるＲ３が、式（３）～式（５）のいずれかである場合、パーフルオロポリエーテル鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合が適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。また、式（１）におけるＲ３が式（３）である場合、原料入手が容易であるため、より好ましい。
【0057】
式（１）におけるＲ１は、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基である。Ｒ１は、芳香族環を含む末端基、複素環を含む末端基、アルケニル基を含む末端基、またはアルキニル基を含む末端基のいずれかであることが好ましい。
Ｒ１として用いる二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基としては、具体的には、例えば、フェニル基、メトキシフェニル基、ナフチル基、ベンジル基、メトキシベンジル基、ナフチルメチル基、メトキシナフチル基、ピロリル基、ピラゾリル基、メチルピラゾリルメチル基、イミダゾリル基、フリル基、フルフリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チエニル基、チエニルエチル基、チアゾリル基、メチルチアゾリルエチル基、イソチアゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、インドリニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基又はシンノリニル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、プロピニル基、プロパルギル基、ブチニル基、メチルブチニル基、ペンチニル基、メチルペンチニル基、ヘキシニル基、シアノエチル基などが挙げられる。これらの二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基は、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、チオール基、カルボキシル基、カルボニル基、アミノ基などの置換基を有しても良い。
Ｒ１は特に、フェニル基、ｐ－メトキシフェニル基、ナフチル基、ｐ－メトキシベンジル基、チエニルエチル基、メチルピラゾリルメチル基、メチルチアゾリルエチル基、フルフリル基、ブテニル基、アリル基、プロパルギル基、ベンジル基、ナフチルメチル基のいずれかであることが好ましい。Ｒ１が、これらの好ましい例であると、より優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。
Ｒ１として用いる二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基としては、具体的には、例えば、フェニル基、メトキシフェニル基、ナフチル基、ベンジル基、メトキシベンジル基、ナフチルメチル基、メトキシナフチル基、ピロリル基、ピラゾリル基、メチルピラゾリルメチル基、イミダゾリル基、フリル基、フルフリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チエニル基、チエニルエチル基、チアゾリル基、メチルチアゾリルエチル基、イソチアゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、インドリニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基又はシンノリニル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、プロピニル基、プロパルギル基、ブチニル基、メチルブチニル基、ペンチニル基、メチルペンチニル基、ヘキシニル基、シアノエチル基などが挙げられる。これらの二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基は、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、チオール基、カルボキシル基、カルボニル基、アミノ基などの置換基を有しても良い。
Ｒ１は特に、フェニル基、ｐ－メトキシフェニル基、ナフチル基、ｐ－メトキシベンジル基、チエニルエチル基、メチルピラゾリルメチル基、メチルチアゾリルエチル基、フルフリル基、ブテニル基、アリル基、プロパルギル基、ベンジル基、ナフチルメチル基のいずれかであることが好ましい。Ｒ１が、これらの好ましい例であると、より優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。
【0058】
式（１）におけるＲ２は、エーテル性酸素によってＲ１と結合する２価の連結基である。Ｒ２で表される２価の連結基は、エーテル性酸素によってＲ１と結合するものであれば特に限定されるものではなく、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。
【0059】
Ｒ２で表される２価の連結基は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤の塗布される保護層と、潤滑剤を塗布して形成した潤滑層との密着性を向上させるために、１つ以上の極性基を有することが好ましい。連結基に含まれる極性基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、アミノカルボキシル基などが挙げられ、水酸基であることが好ましい。Ｒ２で表される２価の連結基が少なくとも１つの水酸基を含むものであると、特に、潤滑剤の塗布される保護層が、炭素または窒素を含む炭素で形成されている場合に、保護層と含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層との密着性がより一層向上する。
【0060】
Ｒ２で表される２価の連結基が１つ以上の極性基を有する場合、連結基の有する極性基の数は、特に限定されるものではなく、１つであってもよいし、複数であってもよい。連結基の有する極性基の数は、含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が大きくなりすぎることを防止するために、４つ以下であることが好ましい。
【0061】
式（１）において、Ｒ２で表される２価の連結基は、炭素原子数が１～２０のものあることが好ましい。炭素原子数が２０以下であると、含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が大きくなりすぎることを防止できる。連結基の炭素原子数は、３～１２であることがより好ましい。
式（１）におけるＲ２は、具体的には、下記式（６）で表されるものであることが好ましい。
式（１）におけるＲ２は、具体的には、下記式（６）で表されるものであることが好ましい。
【0062】
【化16】
【0063】
式（６）において、ｗが１以上であると、Ｒ２で表される２価の連結基が１つ以上の水酸基を含むことにより、保護層と潤滑層との密着性がより良好となり、好ましい。また、ｗが４以下である場合、含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が大きくなりすぎることを防止でき、好ましい。ｗは１～２であることがより好ましい。
【0064】
式（１）におけるＲ２は、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であるため、－Ｏ－であってもよい。
【0065】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、具体的には下記式（Ａ）～（ＡＣ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。なお、式（Ａ）～（ＡＣ）中のｍ、ｎなどの繰り返し数は、平均値を示す値であるため、必ずしも整数とはならない。
【0066】
【化17】
【0067】
【化18】
【0068】
【化19】
【0069】
【化20】
【0070】
【化21】
【0071】
【化22】
【0072】
【化23】
【0073】
【化24】
【0074】
【化25】
【0075】
【化26】
【0076】
【化27】
【0077】
【化28】
【0078】
【化29】
【0079】
【化30】
【0080】
【化31】
【0081】
【化32】
【0082】
【化33】
【0083】
【化34】
【0084】
【化35】
【0085】
【化36】
【0086】
【化37】
【0087】
【化38】
【0088】
【化39】
【0089】
【化40】
【0090】
【化41】
【0091】
【化42】
（式（ＡＣ）中、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）
【0092】
式（１）で表わされる化合物が上記式（Ａ）～（ＡＣ）で表されるいずれかの化合物であると、原料が入手しやすく、厚みが薄くても優れた化学物質耐性および耐摩耗性が得られる潤滑層を形成できるため好ましい。
【0093】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量が５００～１００００の範囲内であることが好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が蒸散しにくいものとなり、潤滑剤が蒸散して磁気ヘッドに移着することを防止できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、１０００以上であることがより好ましい。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に厚みの薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、３０００以下であることが好ましい。
【0094】
数平均分子量は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定において、試料をヘキサフルオロベンゼン／ｄ－アセトン（４／１ｖ／ｖ）溶媒へ希釈し、測定に使用した。１９Ｆ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを－１６４．７ｐｐｍとし、１Ｈ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとした。
【0095】
「製造方法」
本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
まず、式（１）におけるＲ３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。
本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
まず、式（１）におけるＲ３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。
【0096】
次いで、フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基を、式（１）におけるＲ１－Ｒ２－からなる末端基に置換する（第１反応）。その後、他方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基を、式（１）における－Ｒ４からなる末端基に置換する（第２反応）。
第１反応および第２反応は、従来公知の方法を用いて行うことができ、式（１）におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ４の種類などに応じて適宜決定できる。また、第１反応と第２反応のうち、どちらの反応を先に行ってもよい。
以上の方法により、式（１）で表される化合物が得られる。
第１反応および第２反応は、従来公知の方法を用いて行うことができ、式（１）におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ４の種類などに応じて適宜決定できる。また、第１反応と第２反応のうち、どちらの反応を先に行ってもよい。
以上の方法により、式（１）で表される化合物が得られる。
【0097】
本実施形態において、Ｒ２が式（６）で表される含フッ素エーテル化合物を製造する場合、エポキシ化合物を用いて製造することが好ましい。このエポキシ化合物は、製造する含フッ素エーテル化合物のＲ１で表される末端基に対応する構造を有するアルコールと、エピクロロヒドリンまたはエピブロモヒドリンとを用いて合成できる。
具体的には、例えば、後述する式（１２）で表されるエポキシ化合物の場合、チオフェンエタノールとエピクロロヒドリンを塩基の存在下反応させ、得ることが出来る。
具体的には、例えば、後述する式（１２）で表されるエポキシ化合物の場合、チオフェンエタノールとエピクロロヒドリンを塩基の存在下反応させ、得ることが出来る。
【0098】
本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物である。したがって、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成すると、式（１）においてＲ３で表されるＰＦＰＥ鎖によって、保護層の表面が被覆されるとともに、磁気ヘッドと保護層との摩擦力が低減される。また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて形成した潤滑層では、Ｒ１で表される末端基における分子間相互作用および／または該末端基と保護層の相互作用により、優れた耐摩耗性が得られる。
【0099】
また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、ＰＦＰＥ鎖が、ＰＦＰＥ鎖に連結されたＲ４の有する２つまたは３つの極性基と保護層との結合によって、保護層上に密着される。したがって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物によれば、潤滑層と保護層とが強固に結合され、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層が得られる。
【0100】
［磁気記録媒体用潤滑剤］
本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。
公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標） ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ－２００１（以上Ｓｏｌｖｅｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）などが挙げられる。本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００～１００００であることが好ましい。
本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。
公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標） ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ－２００１（以上Ｓｏｌｖｅｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）などが挙げられる。本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００～１００００であることが好ましい。
【0101】
本実施形態の潤滑剤が、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。
【0102】
本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、保護層との密着性に優れる潤滑層を形成できる。よって、本実施形態の潤滑剤によれば、厚みが薄くても、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層が得られる。
また、本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、保護層に密着（吸着）せずに存在している潤滑剤層中の含フッ素エーテル化合物が、凝集しにくい。よって、含フッ素エーテル化合物が凝集して、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着することを防止でき、ピックアップが抑制される。
また、本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、Ｒ１で表される末端基中の二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基における分子間相互作用および／または該有機基と保護層との相互作用により、優れた耐摩耗性を有する潤滑層が得られる。
また、本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、保護層に密着（吸着）せずに存在している潤滑剤層中の含フッ素エーテル化合物が、凝集しにくい。よって、含フッ素エーテル化合物が凝集して、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着することを防止でき、ピックアップが抑制される。
また、本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、Ｒ１で表される末端基中の二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基における分子間相互作用および／または該有機基と保護層との相互作用により、優れた耐摩耗性を有する潤滑層が得られる。
【0103】
［磁気記録媒体］
図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。
図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。
【0104】
「基板」
基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。
基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。
【0105】
「付着層」
付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に、基板１１の腐食の進行を防止する。
付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に、基板１１の腐食の進行を防止する。
付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0106】
「軟磁性層」
軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。軟磁性層１３がＡＦＣ結合した構造を有していると、外部からの磁界に対しての耐性、並びに、垂直磁気記録特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ Ａｒｅａ Ｔａｃｋ Ｅｒａｓｕｒｅ）現象に対しての耐性を高めることができる。
軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。軟磁性層１３がＡＦＣ結合した構造を有していると、外部からの磁界に対しての耐性、並びに、垂直磁気記録特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ Ａｒｅａ Ｔａｃｋ Ｅｒａｓｕｒｅ）現象に対しての耐性を高めることができる。
【0107】
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜は、ＣｏＦｅ合金からなる膜であることが好ましい。第１軟磁性膜および第２軟磁性膜がＣｏＦｅ合金からなる膜である場合、高い飽和磁束密度Ｂｓ（１．４（Ｔ）以上）を実現できる。
また、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
また、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0108】
「第１下地層」
第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向や結晶サイズを制御するための層である。第１下地層１４は、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするとともに、磁性層１６の磁化の方向をより強固に基板１１と垂直な方向に固定するために設けられている。
第１下地層１４は、ＮｉＷ合金からなる層であることが好ましい。第１下地層１４がＮｉＷ合金からなる層である場合、必要に応じてＮｉＷ合金にＢ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａなどの他の元素を添加してもよい。
第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向や結晶サイズを制御するための層である。第１下地層１４は、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするとともに、磁性層１６の磁化の方向をより強固に基板１１と垂直な方向に固定するために設けられている。
第１下地層１４は、ＮｉＷ合金からなる層であることが好ましい。第１下地層１４がＮｉＷ合金からなる層である場合、必要に応じてＮｉＷ合金にＢ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａなどの他の元素を添加してもよい。
第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0109】
「第２下地層」
第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0110】
「磁性層」
磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２等が挙げられる。
磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２等が挙げられる。
【0111】
磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
例えば、磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ２Ｏ３－ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３－ＴｉＯ２、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２等を好適に用いることができる。
例えば、磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ２Ｏ３－ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３－ＴｉＯ２、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２等を好適に用いることができる。
【0112】
第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を１種類以上含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、または結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。
【0113】
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。
第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。第３磁性層がＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、または結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性および熱揺らぎ特性が得られる。
第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。第３磁性層がＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、または結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性および熱揺らぎ特性が得られる。
【0114】
磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。
隣接する磁性層間に非磁性層を適度な厚みで設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができ、Ｓ／Ｎ比をより向上させることができる。
隣接する磁性層間に非磁性層を適度な厚みで設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができ、Ｓ／Ｎ比をより向上させることができる。
【0115】
磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ，Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。
【0116】
磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【0117】
磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましいが、面内磁気記録であってもよい。
磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよいが、通常、スパッタリング法により形成される。
磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよいが、通常、スパッタリング法により形成される。
【0118】
「保護層」
保護層１７は、磁性層１６を保護するための層である。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７の材料としては、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素などが挙げられる。
保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
保護層１７は、磁性層１６を保護するための層である。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７の材料としては、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素などが挙げられる。
保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
【0119】
「潤滑層」
潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、保護層１７上に上述した実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を塗布することにより形成されたものである。したがって、潤滑層１８は、上述の（本発明の）含フッ素エーテル化合物を含む。
潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、保護層１７上に上述した実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を塗布することにより形成されたものである。したがって、潤滑層１８は、上述の（本発明の）含フッ素エーテル化合物を含む。
【0120】
潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素で形成されている場合、保護層１７に含まれる（本発明の）含フッ素エーテル化合物と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。
【0121】
潤滑層１８の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）～３ｎｍ（３０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）～２ｎｍ（２０Å）であることがより好ましい。
潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。このため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を３ｎｍ以下にすることで、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくして、磁気記録媒体１０の記録密度を高くできる。
潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。このため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を３ｎｍ以下にすることで、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくして、磁気記録媒体１０の記録密度を高くできる。
【0122】
保護層１７の表面が潤滑層１８によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１０の表面に吸着した環境物質が、潤滑層１８の隙間を通り抜けて、潤滑層１８の下に侵入する。潤滑層１８の下層に侵入した環境物質は、保護層１７と吸着、結合し汚染物質を生成する。そして、磁気記録再生の際に、この汚染物質（凝集成分）がスメアとして磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドを破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。
【0123】
汚染物質を生成させる環境物質としては、例えば、シロキサン化合物（環状シロキサン、直鎖シロキサン）、イオン性化合物、オクタコサン等の比較的分子量の高い炭化水素、フタル酸ジオクチル等の可塑剤等が挙げられる。イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、塩素イオン、臭素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、アンモニウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる有機物イオンとしては、例えば、シュウ酸イオン、蟻酸イオン等を挙げることができる。
【0124】
「潤滑層の形成方法」
潤滑層１８を形成するには、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布する方法が挙げられる。
潤滑層１８を形成するには、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布する方法が挙げられる。
【0125】
潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて溶媒で希釈し、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。
潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。
【0126】
潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法やディップ法等が挙げられる。
ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。
ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。
【0127】
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面を被覆している。よって、本実施形態の磁気記録媒体１０では、イオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質が、潤滑層１８の隙間から侵入することが防止されている。したがって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、表面上に存在する汚染物質が少ないものである。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、異物（スメア）を生じさせにくく、ピックアップを抑制できる。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する。このため、本実施形態の磁気記録媒体１０は、優れた信頼性および耐久性を有する。
【実施例】
【0128】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【0129】
「潤滑剤の製造」
（実施例１）
以下に示す方法により、上記式（Ａ）で示される化合物を製造した。
（実施例１）
以下に示す方法により、上記式（Ａ）で示される化合物を製造した。
【0130】
窒素ガス雰囲気下、１００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑ（ＣＦ２Ｏ）ｒＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｑは６であり、ｒは６である。）で表される化合物（数平均分子量１２７０、分子量分布１．１）２５．４ｇと、下記式（７）で示されるグリシジルフェニルエーテル１．５０ｇと、ｔ－ＢｕＯＨ１０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにｔ－ＢｕＯＫを０．９００ｇ加え、７０℃で８時間撹拌して反応させた。
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．５ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和後、三井デュポンフロロケミカル社製バートレルＸＦ（以下、バートレルＸＦ）で抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、下記式（８）で示される化合物７．２５ｇを得た。
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．５ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和後、三井デュポンフロロケミカル社製バートレルＸＦ（以下、バートレルＸＦ）で抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、下記式（８）で示される化合物７．２５ｇを得た。
【0131】
【化43】
【0132】
窒素ガス雰囲気下で２００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた式（８）で示される化合物７．１０ｇと、下記式（９）で示される化合物１．０５ｇと、ｔ－ＢｕＯＨ５０ｍＬを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にｔ－ＢｕＯＫを０．１８７ｇ加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．１ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和後、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮した。
なお、下記式（９）で示される化合物は、エチレングリコールｔｅｒｔ－ブチルエーテルとエピブロモヒドリンから合成した。
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．１ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和後、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮した。
なお、下記式（９）で示される化合物は、エチレングリコールｔｅｒｔ－ブチルエーテルとエピブロモヒドリンから合成した。
【0133】
【化44】
【0134】
得られた残渣に室温で、水０．７５ｍＬ、トリフルオロ酢酸７．５ｍＬを加え、室温で６時間撹拌した。水、トリフルオロ酢酸を３５℃以下で留去し、得られた残渣に５％重曹水を３０ｍＬ加え、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、濃縮した。得られた残渣にメタノール５ｍＬと１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液２０ｍＬとを加え、室温で１時間撹拌した。メタノールを留去し、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（Ａ）を４．７５ｇ得た。
【0135】
得られた化合物（Ａ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ａ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．５５～３．９０（１１Ｈ）、３．９５～４．１５（４Ｈ）、６．８０～７．３０（５Ｈ）
化合物（Ａ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．５５～３．９０（１１Ｈ）、３．９５～４．１５（４Ｈ）、６．８０～７．３０（５Ｈ）
【0136】
（実施例２）
式（７）で示される化合物の代わりに下記式（１０）で示される化合物を１．８０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｂ）を４．８５ｇ得た。
式（７）で示される化合物の代わりに下記式（１０）で示される化合物を１．８０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｂ）を４．８５ｇ得た。
【0137】
得られた化合物（Ｂ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｂ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４５～３．６０（３Ｈ）、３．６０～４．００（１４Ｈ）３．９５～４．１５（４Ｈ）、６．７５～６．８５（２Ｈ）、７．１０～７．２０（２Ｈ）
化合物（Ｂ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４５～３．６０（３Ｈ）、３．６０～４．００（１４Ｈ）３．９５～４．１５（４Ｈ）、６．７５～６．８５（２Ｈ）、７．１０～７．２０（２Ｈ）
【0138】
【化45】
【0139】
（実施例３）
式（７）で示される化合物の代わりに下記式（１１）で示される化合物を２．００ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｃ）を４．８０ｇ得た。
なお、下記式（１１）で示される化合物は、ナフトールとエピクロロヒドリンから合成した。
式（７）で示される化合物の代わりに下記式（１１）で示される化合物を２．００ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｃ）を４．８０ｇ得た。
なお、下記式（１１）で示される化合物は、ナフトールとエピクロロヒドリンから合成した。
【0140】
得られた化合物（Ｃ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｃ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．６０～３．９０（１１Ｈ）、４．００～４．１５（４Ｈ）、７．００～７．７０（７Ｈ）
化合物（Ｃ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．６０～３．９０（１１Ｈ）、４．００～４．１５（４Ｈ）、７．００～７．７０（７Ｈ）
【0141】
【化46】
【0142】
（実施例４）
式（７）で示される化合物の代わりに下記式（１２）で示される化合物を１．８５ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｄ）を４．９５ｇ得た。
なお、下記式（１２）で示される化合物は、チオフェンエタノールとエピクロロヒドリンから合成した。
式（７）で示される化合物の代わりに下記式（１２）で示される化合物を１．８５ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｄ）を４．９５ｇ得た。
なお、下記式（１２）で示される化合物は、チオフェンエタノールとエピクロロヒドリンから合成した。
【0143】
得られた化合物（Ｄ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｄ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））：
δ［ｐｐｍ］＝３．１５（２Ｈ）、３．４０～３．５５（８Ｈ）、３．６０～３．９５（８Ｈ）、４．００～４．１５（４Ｈ）、６．８０（２Ｈ）、７．０３（１Ｈ）
化合物（Ｄ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））：
δ［ｐｐｍ］＝３．１５（２Ｈ）、３．４０～３．５５（８Ｈ）、３．６０～３．９５（８Ｈ）、４．００～４．１５（４Ｈ）、６．８０（２Ｈ）、７．０３（１Ｈ）
【0144】
【化47】
【0145】
（実施例５）
式（７）で示される化合物の代わりに下記式（１３）で示される化合物を１．６９ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｅ）を４．５５ｇ得た。
なお、下記（１３）で示される化合物は、Ｎ－メチルピラゾールメタノールとエピクロロヒドリンから合成した。
式（７）で示される化合物の代わりに下記式（１３）で示される化合物を１．６９ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｅ）を４．５５ｇ得た。
なお、下記（１３）で示される化合物は、Ｎ－メチルピラゾールメタノールとエピクロロヒドリンから合成した。
【0146】
得られた化合物（Ｅ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｅ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））：
δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．６０～３．９０（１６Ｈ）、４．０５～４．２０（４Ｈ）、６．００（１Ｈ）、７．２５（１Ｈ）
化合物（Ｅ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））：
δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．６０～３．９０（１６Ｈ）、４．０５～４．２０（４Ｈ）、６．００（１Ｈ）、７．２５（１Ｈ）
【0147】
【化48】
【0148】
（実施例６）
式（７）で示される化合物の代わりに下記式（１４）で示される化合物を２．００ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｆ）を４．４０ｇ得た。
なお、下記（１４）で示される化合物は、メチルチアゾールエタノールとエピクロロヒドリンから合成した。
式（７）で示される化合物の代わりに下記式（１４）で示される化合物を２．００ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｆ）を４．４０ｇ得た。
なお、下記（１４）で示される化合物は、メチルチアゾールエタノールとエピクロロヒドリンから合成した。
【0149】
得られた化合物（Ｆ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｆ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））：
δ［ｐｐｍ］＝２．３５（３Ｈ）、３．００（２Ｈ）、３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．６０～３．９０（１３Ｈ）、４．０５～４．２０（４Ｈ）、８．４０（１Ｈ）
化合物（Ｆ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））：
δ［ｐｐｍ］＝２．３５（３Ｈ）、３．００（２Ｈ）、３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．６０～３．９０（１３Ｈ）、４．０５～４．２０（４Ｈ）、８．４０（１Ｈ）
【0150】
【化49】
【0151】
（実施例７）
式（７）で示される化合物の代わりに下記式（１５）で示される化合物を１．５５ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｇ）を４．７７ｇ得た。
なお、下記（１５）で示される化合物は、フランメタノールとエピクロロヒドリンから合成した。
式（７）で示される化合物の代わりに下記式（１５）で示される化合物を１．５５ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｇ）を４．７７ｇ得た。
なお、下記（１５）で示される化合物は、フランメタノールとエピクロロヒドリンから合成した。
【0152】
得られた化合物（Ｇ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｇ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））：
δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．６０～３．９５（１１Ｈ）、４．００～４．１５（４Ｈ）、４．４５（２Ｈ）、６．３５（１Ｈ）、７．３５（２Ｈ）
化合物（Ｇ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））：
δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．６０～３．９５（１１Ｈ）、４．００～４．１５（４Ｈ）、４．４５（２Ｈ）、６．３５（１Ｈ）、７．３５（２Ｈ）
【0153】
【化50】
【0154】
（実施例８）
式（７）で示される化合物の代わりに下記式（１６）で示される化合物を１．１５ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｈ）を４．６９ｇ得た。
式（７）で示される化合物の代わりに下記式（１６）で示される化合物を１．１５ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｈ）を４．６９ｇ得た。
【0155】
得られた化合物（Ｈ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｈ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））：
δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．６０～３．９５（１１Ｈ）、４．００～４．１５（６Ｈ）、５．１５（２Ｈ）、５．３０（１Ｈ）、５．９０～６．００（１Ｈ）
化合物（Ｈ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））：
δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．６０～３．９５（１１Ｈ）、４．００～４．１５（６Ｈ）、５．１５（２Ｈ）、５．３０（１Ｈ）、５．９０～６．００（１Ｈ）
【0156】
【化51】
【0157】
（実施例９）
以下に示す方法により、上記式（Ｉ）で示される化合物を製造した。
窒素ガス雰囲気下、３００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑ（ＣＦ２Ｏ）ｒＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｑは４．５であり、ｒは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量９９７、分子量分布１．１）２０．０と、下記式（１７）で示される化合物３．４２ｇと、炭酸カリウム８．２９ｇと、アセトン６０ｍＬとを仕込み、還流下で２４時間撹拌して反応させた。
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、アセトンを留去した。残渣にバートレルＸＦを加え、水洗、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、下記式（１８）で示される化合物７．５２ｇを得た。
以下に示す方法により、上記式（Ｉ）で示される化合物を製造した。
窒素ガス雰囲気下、３００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑ（ＣＦ２Ｏ）ｒＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｑは４．５であり、ｒは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量９９７、分子量分布１．１）２０．０と、下記式（１７）で示される化合物３．４２ｇと、炭酸カリウム８．２９ｇと、アセトン６０ｍＬとを仕込み、還流下で２４時間撹拌して反応させた。
得られた反応生成物を２５℃に冷却し、アセトンを留去した。残渣にバートレルＸＦを加え、水洗、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、下記式（１８）で示される化合物７．５２ｇを得た。
【0158】
【化52】
【0159】
窒素ガス雰囲気下、５００ｍＬナスフラスコに、エチレングリコール１２ｍＬと、ジクロロメタン１５０ｍＬと、トリチルクロライド２０．０ｇとを仕込み、均一になるまで撹拌した。さらに上記ナスフラスコに、氷冷下で、トリエチルアミン２０ｍＬ／ジクロロメタン５０ｍＬ溶液を３０分かけて加えた。さらに上記ナスフラスコに、室温で４－ジメチルアミノピリジン０．９００ｇを加え、４０℃で１０時間反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、下記式（１９）で示される化合物を１９．０ｇ得た。
【0160】
【化53】
【0161】
窒素ガス雰囲気下、５００ｍＬナスフラスコに、化合物（１９）を１５．０ｇ（４９．３ｍｍｏｌ）と、テトラヒドロフランを１５０ｍＬと、アリルグリシジルエーテル７．００ｍＬとを仕込み、均一になるまで撹拌した。この均一の液にｔ－ＢｕＯＫを６．００ｇ加え、７０℃で４時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、テトラヒドロフランを留去した。残渣にトルエンを加え、水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、下記式（２０）で示される化合物を１２．０ｇ得た。
【0162】
【化54】
【0163】
３００ｍＬナスフラスコに、氷冷下で、式（２０）で示される化合物５．００ｇと、ジクロロメタン５０ｍＬと、メタクロロ過安息香酸５．００ｇとを仕込み、同温で１時間、室温で１２時間撹拌した。この反応液に氷冷下で、飽和亜硫酸ナトリウム水溶液１０ｍＬを加え、３０分撹拌した後、室温で３０分撹拌した。分液漏斗へ移液し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（２１）を４．５０ｇ得た。
【0164】
得られた化合物（２１）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（２１）１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；
δ［ｐｐｍ］２．６２（１Ｈ）、２．８１（１Ｈ）、３．１８（１Ｈ）、３．２８（２Ｈ）、３．４８（１Ｈ）、３．５０～３．７５（６Ｈ）、３．８５（１Ｈ）、４．０３（１Ｈ）、７．１８～７．３８（９Ｈ）、７．４５（６Ｈ）
化合物（２１）１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；
δ［ｐｐｍ］２．６２（１Ｈ）、２．８１（１Ｈ）、３．１８（１Ｈ）、３．２８（２Ｈ）、３．４８（１Ｈ）、３．５０～３．７５（６Ｈ）、３．８５（１Ｈ）、４．０３（１Ｈ）、７．１８～７．３８（９Ｈ）、７．４５（６Ｈ）
【0165】
【化55】
【0166】
窒素ガス雰囲気下、１００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた式（１８）で示される化合物５．９８ｇと、式（２１）で示される化合物１．５２ｇと、ｔ－ＢｕＯＨ３０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にｔ－ＢｕＯＫを０．２００ｇ（１．７８ｍｍｏｌ）加え、７０℃で１２時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．１ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和した。その後、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗して、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮した。
【0167】
得られた残渣に室温で、バートレルＸＦ８ｍＬと、水０．７５ｍＬと、トリフルオロ酢酸７．５ｍＬとを加え、室温で１時間撹拌した。バートレルＸＦ、水、トリフルオロ酢酸を３５℃以下で留去し、得られた残渣に５％重曹水を３０ｍＬ加え、バートレルＸＦで抽出し、有機層の水洗を行い、濃縮した。得られた残渣にメタノール５ｍＬと、１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液１４ｍＬとを加え、室温で１時間撹拌した。メタノールを留去し、バートレルＸＦで抽出し、有機層を１ｍｏｌ／Ｌの塩酸と水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ｉ）を３．３０ｇ得た。
【0168】
得られた化合物（Ｉ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｉ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］δ［ｐｐｍ］３．４５～３．９０（１４Ｈ）、３．９５～４．１５（４Ｈ）、４．９０（２Ｈ）、７．４５～７．７５（５Ｈ）
化合物（Ｉ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］δ［ｐｐｍ］３．４５～３．９０（１４Ｈ）、３．９５～４．１５（４Ｈ）、４．９０（２Ｈ）、７．４５～７．７５（５Ｈ）
【0169】
（実施例１０）
式（１７）で示される化合物の代わりに下記式（２２）で示される化合物を４．４２ｇ用いたこと以外は、実施例９と同様な操作を行い、化合物（Ｊ）を３．４０ｇ得た。
式（１７）で示される化合物の代わりに下記式（２２）で示される化合物を４．４２ｇ用いたこと以外は、実施例９と同様な操作を行い、化合物（Ｊ）を３．４０ｇ得た。
【0170】
得られた化合物（Ｊ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｊ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４５～３．９０（１４Ｈ）、３．９５～４．１５（４Ｈ）、４．９５（２Ｈ）、７．４５～７．７５（７Ｈ）
化合物（Ｊ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４５～３．９０（１４Ｈ）、３．９５～４．１５（４Ｈ）、４．９５（２Ｈ）、７．４５～７．７５（７Ｈ）
【0171】
【化56】
【0172】
（実施例１１）
式（１７）で示される化合物の代わりに下記式（２３）で示される化合物を２．４２ｇ用いたこと以外は、実施例９と同様な操作を行い、化合物（Ｋ）を３．０２ｇ得た。
式（１７）で示される化合物の代わりに下記式（２３）で示される化合物を２．４２ｇ用いたこと以外は、実施例９と同様な操作を行い、化合物（Ｋ）を３．０２ｇ得た。
【0173】
得られた化合物（Ｋ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｋ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４５～３．９０（１４Ｈ）、３．９５～４．１５（６Ｈ）、５．１０～５．３０（２Ｈ）、５．９０～６．００（１Ｈ）
化合物（Ｋ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４５～３．９０（１４Ｈ）、３．９５～４．１５（６Ｈ）、５．１０～５．３０（２Ｈ）、５．９０～６．００（１Ｈ）
【0174】
【化57】
【0175】
（実施例１２）
窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた式（８）で示される化合物４．９０ｇと、ｔ－ＢｕＯＨ４５ｍＬと、エピブロモヒドリン２．３０ｇとを仕込み、均一になるまで撹拌した。この均一の液にｔ－ＢｕＯＫを０．５００ｇ加え、７０℃で６時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．１ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和後、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、下記式（２４）で示される化合物を５．００ｇ得た。
窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた式（８）で示される化合物４．９０ｇと、ｔ－ＢｕＯＨ４５ｍＬと、エピブロモヒドリン２．３０ｇとを仕込み、均一になるまで撹拌した。この均一の液にｔ－ＢｕＯＫを０．５００ｇ加え、７０℃で６時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．１ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和後、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、下記式（２４）で示される化合物を５．００ｇ得た。
【0176】
【化58】
【0177】
窒素ガス雰囲気下、１００ｍＬナスフラスコに、式（２４）で示される化合物３．１９ｇと、ｔ－ＢｕＯＨ２８ｍＬと、プロピレングリコール３．５０ｇとを仕込み、均一になるまで撹拌した。この均一の液にｔ－ＢｕＯＫを０．７００ｇ加え、７０℃で６時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．１ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和した後、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ｌ）を２．１４ｇ得た。
【0178】
得られた化合物（Ｌ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｌ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．７９（２Ｈ）、３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．５５～３．９０（１１Ｈ）、３．９５～４．１５（４Ｈ）、６．８０～７．３０（５Ｈ）
化合物（Ｌ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．７９（２Ｈ）、３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．５５～３．９０（１１Ｈ）、３．９５～４．１５（４Ｈ）、６．８０～７．３０（５Ｈ）
【0179】
（実施例１３）
式（８）で示される化合物の代わりに、実施例２の合成中間体である下記式（２５）で示される化合物を５．００ｇ用いたこと以外は、実施例１２と同様な操作を行い、化合物（Ｍ）を２．３４ｇ得た。
式（８）で示される化合物の代わりに、実施例２の合成中間体である下記式（２５）で示される化合物を５．００ｇ用いたこと以外は、実施例１２と同様な操作を行い、化合物（Ｍ）を２．３４ｇ得た。
【0180】
得られた化合物（Ｍ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｍ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．７９（２Ｈ）、３．４５～３．６０（３Ｈ）、３．６０～４．００（１４Ｈ）、３．９５～４．１５（４Ｈ）、６．７５～６．８５（２Ｈ）、７．１０～７．２０（２Ｈ）
化合物（Ｍ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．７９（２Ｈ）、３．４５～３．６０（３Ｈ）、３．６０～４．００（１４Ｈ）、３．９５～４．１５（４Ｈ）、６．７５～６．８５（２Ｈ）、７．１０～７．２０（２Ｈ）
【0181】
【化59】
【0182】
（実施例１４）
式（８）で示される化合物の代わりに、実施例４の合成中間体である下記式（２６）で示される化合物を５．０２ｇ用いたこと以外は、実施例１２と同様な操作を行い、化合物（Ｎ）を２．２６ｇ得た。
式（８）で示される化合物の代わりに、実施例４の合成中間体である下記式（２６）で示される化合物を５．０２ｇ用いたこと以外は、実施例１２と同様な操作を行い、化合物（Ｎ）を２．２６ｇ得た。
【0183】
得られた化合物（Ｎ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｎ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］＝１．７９（２Ｈ）、３．１５（２Ｈ）、３．４０～３．５５（８Ｈ）、３．６０～３．９５（８Ｈ）、４．００～４．１５（４Ｈ）、６．８０（２Ｈ）、７．０５（１Ｈ）
化合物（Ｎ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］＝１．７９（２Ｈ）、３．１５（２Ｈ）、３．４０～３．５５（８Ｈ）、３．６０～３．９５（８Ｈ）、４．００～４．１５（４Ｈ）、６．８０（２Ｈ）、７．０５（１Ｈ）
【0184】
【化60】
【0185】
（実施例１５）
式（８）で示される化合物の代わりに、実施例８の合成中間体である下記式（２７）で示される化合物を４．７７ｇ用いたこと以外は、実施例１２と同様な操作を行い、化合物（Ｏ）を２．３３ｇ得た。
式（８）で示される化合物の代わりに、実施例８の合成中間体である下記式（２７）で示される化合物を４．７７ｇ用いたこと以外は、実施例１２と同様な操作を行い、化合物（Ｏ）を２．３３ｇ得た。
【0186】
得られた化合物（Ｏ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｏ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．７９（２Ｈ）、３．４５～３．９０（１４Ｈ）、３．９５～４．１５（６Ｈ）、５．１０～５．３０（２Ｈ）、５．９０～６．００（１Ｈ）
化合物（Ｏ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．７９（２Ｈ）、３．４５～３．９０（１４Ｈ）、３．９５～４．１５（６Ｈ）、５．１０～５．３０（２Ｈ）、５．９０～６．００（１Ｈ）
【0187】
【化61】
【0188】
（実施例１６）
窒素ガス雰囲気下、１００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた式（２４）で示される化合物３．１９ｇと、ｔ－ＢｕＯＨ２８ｍＬと、２，２，３，３－テトラフルオロブタン－１，４－ジオール４．００ｇとを仕込み、均一になるまで撹拌した。この均一の液にｔ－ＢｕＯＫ０．１１２ｇ加え、７０℃で６時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．１ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和した後、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ｐ）を２．３２ｇ得た。
窒素ガス雰囲気下、１００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた式（２４）で示される化合物３．１９ｇと、ｔ－ＢｕＯＨ２８ｍＬと、２，２，３，３－テトラフルオロブタン－１，４－ジオール４．００ｇとを仕込み、均一になるまで撹拌した。この均一の液にｔ－ＢｕＯＫ０．１１２ｇ加え、７０℃で６時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．１ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和した後、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ｐ）を２．３２ｇ得た。
【0189】
得られた化合物（Ｐ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｐ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．５５～３．９５（１１Ｈ）、４．００～４．２０（４Ｈ）、６．８０～７．３０（５Ｈ）
化合物（Ｐ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．５５～３．９５（１１Ｈ）、４．００～４．２０（４Ｈ）、６．８０～７．３０（５Ｈ）
【0190】
（実施例１７）
式（２４）で示される化合物の代わりに、実施例１３の合成中間体である下記式（２８）で示される化合物を３．２６ｇ用いたこと以外は、実施例１６と同様な操作を行い、化合物（Ｑ）を２．３８ｇ得た。
式（２４）で示される化合物の代わりに、実施例１３の合成中間体である下記式（２８）で示される化合物を３．２６ｇ用いたこと以外は、実施例１６と同様な操作を行い、化合物（Ｑ）を２．３８ｇ得た。
【0191】
得られた化合物（Ｑ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｑ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４５～３．６０（３Ｈ）、３．６０～４．００（１４Ｈ）、４．００～４．２０（４Ｈ）、６．７５～６．８５（２Ｈ）、７．１０～７．２０（２Ｈ）
化合物（Ｑ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４５～３．６０（３Ｈ）、３．６０～４．００（１４Ｈ）、４．００～４．２０（４Ｈ）、６．７５～６．８５（２Ｈ）、７．１０～７．２０（２Ｈ）
【0192】
【化62】
【0193】
（実施例１８）
式（２４）で示される化合物の代わりに、実施例１４の合成中間体である下記式（２９）で示される化合物を３．２６ｇ用いたこと以外は、実施例１６と同様な操作を行い、化合物（Ｒ）を２．２１ｇ得た。
式（２４）で示される化合物の代わりに、実施例１４の合成中間体である下記式（２９）で示される化合物を３．２６ｇ用いたこと以外は、実施例１６と同様な操作を行い、化合物（Ｒ）を２．２１ｇ得た。
【0194】
得られた化合物（Ｒ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｒ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］＝３．１５（２Ｈ）、３．４０～３．５５（８Ｈ）、３．６０～３．９５（８Ｈ）、４．００～４．１５（４Ｈ）、６．８０（２Ｈ）、７．０５（１Ｈ）
化合物（Ｒ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］＝３．１５（２Ｈ）、３．４０～３．５５（８Ｈ）、３．６０～３．９５（８Ｈ）、４．００～４．１５（４Ｈ）、６．８０（２Ｈ）、７．０５（１Ｈ）
【0195】
【化63】
【0196】
（実施例１９）
式（２４）で示される化合物の代わりに、実施例１５の合成中間体である下記式（３０）で示される化合物を３．１２ｇ用いたこと以外は、実施例１６と同様な操作を行い、化合物（Ｓ）を２．２８ｇ得た。
式（２４）で示される化合物の代わりに、実施例１５の合成中間体である下記式（３０）で示される化合物を３．１２ｇ用いたこと以外は、実施例１６と同様な操作を行い、化合物（Ｓ）を２．２８ｇ得た。
【0197】
得られた化合物（Ｓ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｓ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））：
δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．６０～３．９５（１１Ｈ）、４．００～４．１５（６Ｈ）、５．１５（２Ｈ）、５．３０（１Ｈ）、５．９０～６．００（１Ｈ）
化合物（Ｓ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））：
δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．６０～３．９５（１１Ｈ）、４．００～４．１５（６Ｈ）、５．１５（２Ｈ）、５．３０（１Ｈ）、５．９０～６．００（１Ｈ）
【0198】
【化64】
【0199】
（実施例２０）
５００ｍＬナスフラスコに、３－ブテニルアセテート（１２．０ｇ）と、ジクロロメタン１００ｍＬとを仕込み、室温で撹拌し、均一な溶液とした。この溶液に、氷冷下で、ｍ－クロロ過安息香酸３１．０ｇを加え、同温で１時間撹拌し、さらに室温で１０時間撹拌した。その後、氷冷下で飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２０ｍＬおよび、飽和亜硫酸ナトリウム水溶液２０ｍＬを加え、３０分間同温で撹拌した。反応液から水層を分離し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（３１）を６．４０ｇ得た。
５００ｍＬナスフラスコに、３－ブテニルアセテート（１２．０ｇ）と、ジクロロメタン１００ｍＬとを仕込み、室温で撹拌し、均一な溶液とした。この溶液に、氷冷下で、ｍ－クロロ過安息香酸３１．０ｇを加え、同温で１時間撹拌し、さらに室温で１０時間撹拌した。その後、氷冷下で飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２０ｍＬおよび、飽和亜硫酸ナトリウム水溶液２０ｍＬを加え、３０分間同温で撹拌した。反応液から水層を分離し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（３１）を６．４０ｇ得た。
【0200】
得られた化合物（３１）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（３１）１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．７３（１Ｈ）、１．８８（１Ｈ）、２．０１（３Ｈ）、２．４１（１Ｈ）、２．６７（１Ｈ）、２．８８（１Ｈ）、４．１２（２Ｈ）
化合物（３１）１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．７３（１Ｈ）、１．８８（１Ｈ）、２．０１（３Ｈ）、２．４１（１Ｈ）、２．６７（１Ｈ）、２．８８（１Ｈ）、４．１２（２Ｈ）
【0201】
【化65】
【0202】
窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコに、式（８）で示される化合物７．１０ｇと、式（３１）で示される化合物０．７８１ｇと、ｔ－ＢｕＯＨ５０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にｔ－ＢｕＯＫを０．２２５ｇ加え、７０℃で３０時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．１ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和した後、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮した。
得られた残渣に室温で、メタノール３０ｍＬと、１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液３０ｍＬとを加え、室温で１時間撹拌した。メタノールを留去し、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ｔ）を４．６２ｇ得た。
得られた残渣に室温で、メタノール３０ｍＬと、１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液３０ｍＬとを加え、室温で１時間撹拌した。メタノールを留去し、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ｔ）を４．６２ｇ得た。
【0203】
得られた化合物（Ｔ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｔ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．５４～１．７６（２Ｈ）、３．５５～３．８０（５Ｈ）、３．８２～４．２０（９Ｈ）、６．８０～７．３０（５Ｈ）
化合物（Ｔ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．５４～１．７６（２Ｈ）、３．５５～３．８０（５Ｈ）、３．８２～４．２０（９Ｈ）、６．８０～７．３０（５Ｈ）
【0204】
（実施例２１）
式（８）で示される化合物の代わりに、式（２５）で示される化合物を７．２５ｇ用いたこと以外は、実施例２０と同様な操作を行い、化合物（Ｕ）を５．０２ｇ得た。
式（８）で示される化合物の代わりに、式（２５）で示される化合物を７．２５ｇ用いたこと以外は、実施例２０と同様な操作を行い、化合物（Ｕ）を５．０２ｇ得た。
【0205】
得られた化合物（Ｕ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｕ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．５４～１．７６（２Ｈ）、３．５５～３．８０（８Ｈ）、３．８２～４．２０（９Ｈ）、６．５５～６．６０（２Ｈ）、６．７０～６．７５（２Ｈ）
化合物（Ｕ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．５４～１．７６（２Ｈ）、３．５５～３．８０（８Ｈ）、３．８２～４．２０（９Ｈ）、６．５５～６．６０（２Ｈ）、６．７０～６．７５（２Ｈ）
【0206】
（実施例２２）
式（８）で示される化合物の代わりに、実施例１０の中間体である下記式（３２）で示される化合物を７．３５ｇ用いたこと以外は、実施例２０と同様な操作を行い、化合物（Ｖ）を４．８９ｇ得た。
式（８）で示される化合物の代わりに、実施例１０の中間体である下記式（３２）で示される化合物を７．３５ｇ用いたこと以外は、実施例２０と同様な操作を行い、化合物（Ｖ）を４．８９ｇ得た。
【0207】
得られた化合物（Ｖ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｖ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．５４～１．７６（２Ｈ）、３．５５～３．８０（５Ｈ）、３．８２～４．２０（９Ｈ）、７．００～７．５０（７Ｈ）
化合物（Ｖ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．５４～１．７６（２Ｈ）、３．５５～３．８０（５Ｈ）、３．８２～４．２０（９Ｈ）、７．００～７．５０（７Ｈ）
【0208】
【化66】
【0209】
（実施例２３）
式（８）で示される化合物の代わりに、式（２６）で示される化合物を７．２７ｇ用いたこと以外は、実施例２０と同様な操作を行い、化合物（Ｗ）を４．５５ｇ得た。
式（８）で示される化合物の代わりに、式（２６）で示される化合物を７．２７ｇ用いたこと以外は、実施例２０と同様な操作を行い、化合物（Ｗ）を４．５５ｇ得た。
【0210】
得られた化合物（Ｗ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｗ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．５４～１．７６（２Ｈ）、３．５５～３．８０（５Ｈ）、３．８０～４．２０（９Ｈ）、６．８０（２Ｈ）、７．０５（１Ｈ）
化合物（Ｗ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．５４～１．７６（２Ｈ）、３．５５～３．８０（５Ｈ）、３．８０～４．２０（９Ｈ）、６．８０（２Ｈ）、７．０５（１Ｈ）
【0211】
（実施例２４）
式（８）で示される化合物の代わりに、実施例６の中間体である下記式（３３）で示される化合物を７．３５ｇ用いたこと以外は、実施例２０と同様な操作を行い、化合物（Ｘ）を４．２４ｇ得た。
式（８）で示される化合物の代わりに、実施例６の中間体である下記式（３３）で示される化合物を７．３５ｇ用いたこと以外は、実施例２０と同様な操作を行い、化合物（Ｘ）を４．２４ｇ得た。
【0212】
得られた化合物（Ｘ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｘ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．５４～１．７６（２Ｈ）、２．３５（３Ｈ）、３．００（２Ｈ）、３．５５～３．８０（５Ｈ）、３．８２～４．２０（１１Ｈ）、８．４０（１Ｈ）
化合物（Ｘ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．５４～１．７６（２Ｈ）、２．３５（３Ｈ）、３．００（２Ｈ）、３．５５～３．８０（５Ｈ）、３．８２～４．２０（１１Ｈ）、８．４０（１Ｈ）
【0213】
【化67】
【0214】
（実施例２５）
式（８）で示される化合物の代わりに、式（２７）で示される化合物を６．９２ｇ用いたこと以外は、実施例２０と同様な操作を行い、化合物（Ｙ）を４．６６ｇ得た。
式（８）で示される化合物の代わりに、式（２７）で示される化合物を６．９２ｇ用いたこと以外は、実施例２０と同様な操作を行い、化合物（Ｙ）を４．６６ｇ得た。
【0215】
得られた化合物（Ｙ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｙ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．５４～１．７６（２Ｈ）、３．５５～３．８０（５Ｈ）、３．８２～４．２０（１１Ｈ）、５．２０～５．３０（２Ｈ）、５．８０～５．９０（１Ｈ）
化合物（Ｙ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］１．５４～１．７６（２Ｈ）、３．５５～３．８０（５Ｈ）、３．８２～４．２０（１１Ｈ）、５．２０～５．３０（２Ｈ）、５．８０～５．９０（１Ｈ）
【0216】
（実施例２６）
窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｘは８である。）で表される化合物（数平均分子量１１０６、分子量分布１．１）２２．１ｇと、化合物（７）１．５０ｇと、ｔ－ＢｕＯＨ１０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にｔ－ＢｕＯＫを０．９００ｇ加え、７０℃で８時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．５ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和した後、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（３４）を６．２９ｇ得た。
窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコに、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（式中のｘは８である。）で表される化合物（数平均分子量１１０６、分子量分布１．１）２２．１ｇと、化合物（７）１．５０ｇと、ｔ－ＢｕＯＨ１０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にｔ－ＢｕＯＫを０．９００ｇ加え、７０℃で８時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．５ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和した後、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（３４）を６．２９ｇ得た。
【0217】
【化68】
【0218】
窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた式（３４）で示される化合物６．２８ｇと、式（９）で示される化合物１．０５ｇと、ｔ－ＢｕＯＨ５０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液に、ｔ－ＢｕＯＫを０．２２４ｇ加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．１ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和した後、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮した。
【0219】
得られた残渣に室温で、水０．７５ｍＬと、トリフルオロ酢酸７．５ｍＬとを加え、室温で６時間撹拌した。水、トリフルオロ酢酸を３５℃以下で留去し、得られた残渣に５％重曹水を３０ｍＬ加え、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、濃縮した。得られた残渣にメタノール５ｍＬと１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液２０ｍＬとを加え、室温で１時間撹拌した。メタノールを留去し、バートレルＸＦで抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ｚ）を４．２８ｇ得た。
【0220】
得られた化合物（Ｚ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｚ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．８８～４．２０（１５Ｈ）、６．９０～７．２０（５Ｈ）
化合物（Ｚ）；１Ｈ－ＮＭＲ（Ｃ６Ｆ６／ＣＤ３ＣＯＣＤ３＝４／１（Ｖ／Ｖ））；
δ［ｐｐｍ］３．４０～３．５５（３Ｈ）、３．８８～４．２０（１５Ｈ）、６．９０～７．２０（５Ｈ）
【0221】
（実施例２７）
式（７）で示される化合物の代わりに、下記式（３５）で示される化合物を１．１２ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（ＡＢ）を４．０５ｇ得た。
式（７）で示される化合物の代わりに、下記式（３５）で示される化合物を１．１２ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（ＡＢ）を４．０５ｇ得た。
【0222】
得られた化合物（ＡＢ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（ＡＢ）；１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＯＣＤ３）；
δ［ｐｐｍ］２．５０（１Ｈ）、３．４５～３．６５（８Ｈ）、３．６５～３．９０（６Ｈ）、４．００～４．２０（６Ｈ）
化合物（ＡＢ）；１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＯＣＤ３）；
δ［ｐｐｍ］２．５０（１Ｈ）、３．４５～３．６５（８Ｈ）、３．６５～３．９０（６Ｈ）、４．００～４．２０（６Ｈ）
【0223】
【化69】
【0224】
（参考例２８）
式（７）で示される化合物の代わりに、下記式（３６）で示される化合物を１．８８ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（ＡＣ）を３．８５ｇ得た。なお、下記式（３６）で示される化合物は、グリセリンジアリルエーテルを片側だけ酸化して合成した。
式（７）で示される化合物の代わりに、下記式（３６）で示される化合物を１．８８ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（ＡＣ）を３．８５ｇ得た。なお、下記式（３６）で示される化合物は、グリセリンジアリルエーテルを片側だけ酸化して合成した。
【0225】
得られた化合物（ＡＣ）の１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（ＡＣ）；１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＯＣＤ３）；
δ［ｐｐｍ］３．３５～３．９５（１９Ｈ）、３．９５～４．１５（６Ｈ）、５．０５～５．１５（１Ｈ）、５．２０～５．３０（１Ｈ）、５．８０～６．００（１Ｈ）
化合物（ＡＣ）；１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＯＣＤ３）；
δ［ｐｐｍ］３．３５～３．９５（１９Ｈ）、３．９５～４．１５（６Ｈ）、５．０５～５．１５（１Ｈ）、５．２０～５．３０（１Ｈ）、５．８０～６．００（１Ｈ）
【0226】
【化70】
【0227】
「比較例１」
下記式（ＡＡ）で表される化合物を特許文献１に記載の方法で合成した。
下記式（ＡＡ）で表される化合物を特許文献１に記載の方法で合成した。
【0228】
【化71】
【0229】
「比較例２」
下記式（ＢＢ）で表される化合物を特許文献２に記載の方法で合成した。
下記式（ＢＢ）で表される化合物を特許文献２に記載の方法で合成した。
【0230】
【化72】
【0231】
「比較例３」
下記式（ＣＣ）で表される化合物を特許文献３に記載の方法で合成した。
下記式（ＣＣ）で表される化合物を特許文献３に記載の方法で合成した。
【0232】
【化73】
【0233】
このようにして得られた実施例１～２７、参考例２８および比較例１～３の化合物を、式（１）に当てはめたときのＲ１～Ｒ４の構造を表１～表４に示す。また、実施例１～２７、参考例２８の化合物の数平均分子量を、上述した１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲの測定により求めた。その結果を表１～表４に示す。
【0234】
【表1】
【0235】
【表2】
【0236】
【表3】
【0237】
【表4】
【0238】
次に、以下に示す方法により、実施例１～２７、参考例２８および比較例１～３で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１～２７、参考例２８および比較例１～３の磁気記録媒体を得た。
【0239】
「潤滑層形成用溶液」
実施例１～２７、参考例２８および比較例１～３で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９Å～１１Åになるようにバートレルで希釈し、化合物の濃度が０．０００５質量％～０．００１質量％である潤滑層形成用溶液とした。
実施例１～２７、参考例２８および比較例１～３で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９Å～１１Åになるようにバートレルで希釈し、化合物の濃度が０．０００５質量％～０．００１質量％である潤滑層形成用溶液とした。
【0240】
「磁気記録媒体」
直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～２７、参考例２８および比較例１～３の潤滑層形成用溶液を、それぞれディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱して潤滑層形成用溶液中の溶媒を除去することにより、保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。
直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～２７、参考例２８および比較例１～３の潤滑層形成用溶液を、それぞれディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱して潤滑層形成用溶液中の溶媒を除去することにより、保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。
【0241】
このようにして得られた実施例１～２７、参考例２８および比較例１～３の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、ＦＴ－ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表５に示す。
【0242】
次に、実施例１～２７、参考例２８および比較例１～３の磁気記録媒体に対して、以下に示す化学物質耐性試験を行なった。
（化学物質耐性試験）
この評価手法は、高温環境下において汚染物質を生成させる環境物質による磁気記録媒体の汚染を調べる評価手法である。以下に示す耐環境性の評価手法では、環境物質としてＳｉイオンを用い、環境物質によって生成された磁気記録媒体を汚染する汚染物質の量としてＳｉ吸着量を測定した。
（化学物質耐性試験）
この評価手法は、高温環境下において汚染物質を生成させる環境物質による磁気記録媒体の汚染を調べる評価手法である。以下に示す耐環境性の評価手法では、環境物質としてＳｉイオンを用い、環境物質によって生成された磁気記録媒体を汚染する汚染物質の量としてＳｉ吸着量を測定した。
【0243】
具体的には、評価対象である磁気記録媒体を、温度８５℃、湿度０％の高温環境下で、シロキサン系Ｓｉゴムの存在下に２４０時間保持した。次に、磁気記録媒体の表面に存在するＳｉ吸着量を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を用いて分析測定し、Ｓｉイオンによる汚染の程度をＳｉ吸着量として評価した。Ｓｉ吸着量の評価は、比較例２の結果を１．００としたときの数値を用いて評価した。その結果を表５に示す。
【0244】
【表5】
【0245】
表５より、実施例１～２７、参考例２８の磁気記録媒体では、比較例１～３の磁気記録媒体と比較して、潤滑層の膜厚が薄いにも関わらず、Ｓｉ吸着量が少なく、高温環境下において環境物質によって汚染されにくいことが明らかになった。
また、実施例２は、潤滑層を形成している式（１）で表される化合物中のＲ４における水酸基の結合している炭素原子同士が、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している場合である。これに対し、比較例２は、潤滑層を形成している式（１）で表される化合物中のＲ４における水酸基の結合している炭素原子同士が結合している場合である。表５に示す実施例２と比較例２の結果から、Ｒ４における水酸基の結合している炭素原子同士が、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合していることにより、化学物質耐性が向上することが分かる。
また、実施例２は、潤滑層を形成している式（１）で表される化合物中のＲ４における水酸基の結合している炭素原子同士が、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している場合である。これに対し、比較例２は、潤滑層を形成している式（１）で表される化合物中のＲ４における水酸基の結合している炭素原子同士が結合している場合である。表５に示す実施例２と比較例２の結果から、Ｒ４における水酸基の結合している炭素原子同士が、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合していることにより、化学物質耐性が向上することが分かる。
【0246】
また、実施例１～２７、参考例２８および比較例１～３の磁気記録媒体に対して、以下に示す耐摩耗性試験を行なった。
（耐摩耗性試験）
ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機を用い、接触子としての直径２ｍｍのアルミナの球を、荷重４０ｇｆ、摺動速度０．２５ｍ／ｓｅｃで、磁気記録媒体の潤滑層上で摺動させ、潤滑層の表面の摩擦係数を測定した。そして、潤滑層の表面の摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間を測定した。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間は、各磁気記録媒体の潤滑層について４回ずつ測定し、その平均値（時間）を潤滑剤塗膜の耐摩耗性の指標とした。実施例１～２７、参考例２８の化合物および比較例１～３の化合物を用いた磁気記録媒体の結果を表５に示す。摩擦係数増大時間の評価は、以下のとおりとした。
◎：６５０ｓｅｃ以上
○：５５０ｓｅｃ以上、６５０ｓｅｃ未満
△：４５０ｓｅｃ以上、５５０ｓｅｃ未満
×：４５０ｓｅｃ未満
（耐摩耗性試験）
ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機を用い、接触子としての直径２ｍｍのアルミナの球を、荷重４０ｇｆ、摺動速度０．２５ｍ／ｓｅｃで、磁気記録媒体の潤滑層上で摺動させ、潤滑層の表面の摩擦係数を測定した。そして、潤滑層の表面の摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間を測定した。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間は、各磁気記録媒体の潤滑層について４回ずつ測定し、その平均値（時間）を潤滑剤塗膜の耐摩耗性の指標とした。実施例１～２７、参考例２８の化合物および比較例１～３の化合物を用いた磁気記録媒体の結果を表５に示す。摩擦係数増大時間の評価は、以下のとおりとした。
◎：６５０ｓｅｃ以上
○：５５０ｓｅｃ以上、６５０ｓｅｃ未満
△：４５０ｓｅｃ以上、５５０ｓｅｃ未満
×：４５０ｓｅｃ未満
【0247】
なお、摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、以下に示す理由により、潤滑層の耐摩耗性の指標として用いることができる。磁気記録媒体の潤滑層は、磁気記録媒体を使用することにより摩耗が進行し、摩耗により潤滑層が無くなると、接触子と保護層とが直接接触して、摩擦係数が急激に増大するためである。本摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、フリクション試験とも相間があると考えられる。
【0248】
表５に示すように、実施例１～２７、参考例２８の磁気記録媒体は、比較例１～３の磁気記録媒体と比較して、潤滑層の膜厚が薄いにも関わらず、摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間が長く、耐摩耗性が良好であった。
これは、実施例１～２７、参考例２８の磁気記録媒体では、潤滑層を形成している式（１）で表される化合物中のＲ１が、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基であることよるものであると推定される。
これは、実施例１～２７、参考例２８の磁気記録媒体では、潤滑層を形成している式（１）で表される化合物中のＲ１が、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基を含む末端基であることよるものであると推定される。
【産業上の利用可能性】
【0249】
本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を実現できる潤滑層を形成できる。
【符号の説明】
【0250】
１０・・・磁気記録媒体、１１・・・基板、１２・・・付着層、１３・・・軟磁性層、１４・・・第１下地層、１５・・・第２下地層、１６・・・磁性層、１７・・・保護層、１８・・・潤滑層。
【図1】