特許 7018082 描画装置及び描画方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-02-01

(45)【発行日】2022-02-09

(54)【発明の名称】描画装置及び描画方法

(51)【国際特許分類】

   G02B 6/13 20060101AFI20220202BHJP

【ＦＩ】

G02B6/13

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2020025209

(22)【出願日】2020-02-18

(65)【公開番号】P2021131413

(43)【公開日】2021-09-09

【審査請求日】2020-02-18

(73)【特許権者】

【識別番号】591230295

【氏名又は名称】ＮＴＴエレクトロニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100119677

【弁理士】

【氏名又は名称】岡田 賢治

(74)【代理人】

【識別番号】100160495

【弁理士】

【氏名又は名称】畑 雅明

(74)【代理人】

【識別番号】100173716

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 真理

(74)【代理人】

【識別番号】100115794

【弁理士】

【氏名又は名称】今下 勝博

(72)【発明者】

【氏名】黒澤 幹寛

(72)【発明者】

【氏名】小熊 学

(72)【発明者】

【氏名】日比野 善典

(72)【発明者】

【氏名】山田 智之

(72)【発明者】

【氏名】陣内 啓光

【審査官】山本 元彦

(56)【参考文献】

【文献】特開２００５－２７５２６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－３２５７０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－０１４０５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－１００００１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－０４０３３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－０７７７４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１１／００１１８４０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２００８／０２６４９１０（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｂ ６／１２－６／１４

Ｂ２３Ｋ ２６／００－２６／７０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

短パルスレーザからのレーザ光を複数に分岐するビームスプリッタと、
分岐された複数の前記レーザ光を対向しないように照射する位置にあり、分岐された複数の前記レーザ光をガラス基板の内部の同一の所定領域に集光するレンズと、
前記ガラス基板を所望の運動で移動するステージと、
を備え、
前記ステージの運動による前記所定領域の軌跡に光導波路を描画することを特徴とする描画装置。
ただし、前記対向とは、前記ガラス基板の前記レンズ側の表面において、分岐した全ての前記レーザ光の光軸の入射点が同一直線上にあり、且つ前記所定領域の中心点から前記表面におろした垂線と前記表面との交点が前記直線上に存在する状態である。

【請求項2】

ガラス基板に光導波路を描画する描画方法であって、
短パルスレーザからのレーザ光を複数に分岐すること、
分岐された複数の前記レーザ光を対向しないように前記ガラス基板の内部の同一の所定領域に集光すること、
前記ガラス基板を所望の運動で移動すること、及び
前記所定領域の軌跡に前記光導波路を形成すること
を特徴とする描画方法。
ただし、前記対向とは、複数の前記レーザ光が入射する側の前記ガラス基板の表面において、分岐した全ての前記レーザ光の光軸の入射点が同一直線上にあり、且つ前記所定領域の中心点から前記表面におろした垂線と前記表面との交点が前記直線上に存在する状態である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、光を照射してガラス基板に光導波路を描画する描画装置及び描画方法に関する。

【背景技術】

【0002】

通信ネットワーク需要の拡大に伴い光通信ネットワークの大容量化に対する要求は光部品の小型化、低消費電力化に対する要求とともに一層強くなっている。このような要求を解決するために、光伝送の多重化、高密度化が進められており、そのキーデバイスとなるのは機能回路を備えた光導波路デバイスである。

【0003】

従来では、光導波路デバイスの光導波路や機能回路は、火炎加水分解法等により、Ｓｉ基板上のアンダークラッド層状に積層されたコア層をエッチング加工して形成されていたが、二次元に限定されていた光導波路や光回路を三次元的に形成する試みもなされている（例えば、特許文献１を参照。）。これは、図４に示すように、レーザ光の集光照射によりガラス材料の内部の屈折率を連続的に変化させ導波路を形成する技術である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開平０９－３１１２３７号公報

【非特許文献】

【0005】

【文献】可変式ビームスプリッタ“ｈｔｔｐｓ：／／ｂｉｔ．ｌｙ／２ＯａＸｚｅ２”、２０２０年１月３１日検索

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかし、特許文献１は、１つのレーザ光を用いて光導波路を描画するため、光導波路を１本ずつしか描画できず、チャネル数の多い光回路の形成には適していない。つまり、この技術には、形成する光導波路数に応じて描画時間が増加し、描画効率が悪いという第１の課題があった。

【0007】

また、特許文献１の技術は、ガラス基板に層状に光導波路を形成することが可能である。しかし、１つのレーザ光を用いて光導波路を描画するため、複数の層に光導波路を描画する場合、下層の光導波路を描画するとき上層の光導波路の影響を受けることがある。図５は、レーザ光Ｌでガラス基板に光導波路を描画して形成したマッハツエンダー干渉計（ＭＺＩ）である。当該ガラス基板には、本ＭＺＩの上層に光導波路Ｇｕが先に形成されていた。その下層に光導波路Ｇｌを形成する場合、光導波路Ｇｕ（コア導波路）の屈折率は周りのクラッド層と異なるため、光導波路Ｇｌを描画するレーザ光が光導波路Ｇｕを横切るときにレーザ光Ｌの集光位置がずれ、光導波路Ｇｌがずれて形成されることになる。ＭＺＩは、２本の導波路長差が重要であり、図５の部分Ｔのように光導波路がずれると導波路長が設計値と異なり、所望する波長で干渉が生じなくなる。
このように、特許文献１は、ガラス基板に層状に光導波路を形成するときに上層の光導波路の影響を受けることがあるという第２の課題があった。

【0008】

そこで本発明は、前記課題を解決するために、光導波路の描画効率を改善でき、層状に光導波路を形成するときでも上層の光導波路の影響を受け難い描画装置及び描画方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上記目的を達成するために、本発明に係る描画装置は、描画用高強度レーザ光を複数パスに分岐してガラス基板に照射することとした。

【0010】

具体的には、本発明に係る描画装置は、
短パルスレーザからのレーザ光を複数に分岐するビームスプリッタと、
分岐された前記レーザ光をガラス基板の内部の所定領域に集光するレンズと、
前記ガラス基板を所望の運動で移動するステージと、
を備え、前記ステージの運動による前記所定領域の軌跡に光導波路を描画することを特徴とする。
ここで、本発明に係る第１の描画装置は、前記レンズが、分岐された複数の前記レーザ光をそれぞれの前記所定領域に集光することを特徴とする。

【0011】

また、本発明に係る描画方法は、ガラス基板に光導波路を描画する描画方法であって、
短パルスレーザからのレーザ光を複数に分岐すること、
分岐された前記レーザ光を前記ガラス基板の内部の所定領域に集光すること、
前記ガラス基板を所望の運動で移動すること、及び
前記所定領域の軌跡に前記光導波路を形成することを特徴とする。
ここで、本描画方法は、分岐された複数の前記レーザ光をそれぞれの前記所定領域に集光することを特徴とする。

【0012】

レーザ光を複数パスに分岐し（分岐したレーザ光を「分岐レーザ光」と記載する。）、それぞれの分岐レーザ光をガラス基板に照射すれば複数本の光導波路を同時に描画できるようになる。このため、描画時間は形成する光導波路数に関わらず一定である。このため、本発明に係る描画装置及び描画方法は、描画効率を改善でき、第１の課題を解決できる。
従って、本発明は、光導波路の描画効率を改善できる描画装置及び描画方法を提供することができる。

【0013】

さらに、本発明に係る描画装置の前記ビームスプリッタは、前記レーザ光の分岐比を前記ステージの運動に応じて変化させることを特徴とする。
本発明に係る描画装置及び描画方法は、同時に描画する複数の光導波路の特性を揃えることができる。

【0014】

一方、本発明に係る第２の描画装置は、前記レンズが、分岐した複数の前記レーザ光を１つの前記所定領域に集光することを特徴とする。

【0015】

複数の分岐レーザ光で１つの光導波路を形成するため、いずれかの分岐レーザ光が上層の光導波路により集光位置がずれたとしても、他の分岐レーザ光で所望の光導波路を描画できる。このため、本発明に係る描画装置及び描画方法は、ガラス基板に層状に光導波路を形成するときに上層の光導波路の影響を受け難くなり、第２の課題を解決できる。
従って、本発明は、層状に光導波路を形成するときでも上層の光導波路の影響を受け難い描画装置及び描画方法を提供することができる。

【0016】

また、本発明に係る描画装置の前記レンズは、前記レーザ光を対向しないように照射する位置にあることが好ましい。ここで、前記対向とは、前記ガラス基板の前記レンズ側の表面において、全ての前記分岐レーザ光の入射点が同一直線状にあり、且つ前記集光領域の中心点から前記表面におろした垂線と前記表面との交点が前記直線上に存在する状態である。複数の分岐レーザ光が同時に上層の光導波路の影響を受けることを回避できる。

【0017】

なお、上記各発明は、可能な限り組み合わせることができる。

【発明の効果】

【0018】

本発明は、光導波路の描画効率を改善でき、層状に光導波路を形成するときでも上層の光導波路の影響を受け難い描画装置及び描画方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】本発明に係る描画装置を説明する図である。

【図2】本発明に係る描画装置を説明する図である。

【図3】本発明に係る描画装置の集光領域を説明する図である。

【図4】関連する描画装置を説明する図である。

【図5】本発明に係る描画装置の課題を説明する図である。

【図6】本発明に係る描画装置の課題を説明する図である。

【図7】本発明に係る描画装置の集光領域を説明する図である。

【図8】本発明に係る描画装置の課題を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本発明の実施例であり、本発明は、以下の実施形態に制限されるものではない。なお、本明細書及び図面において符号が同じ構成要素は、相互に同一のものを示すものとする。

【0021】

（実施形態１）
図１は、本実施形態の描画装置３０１を説明する図である。描画装置３０１は、
短パルスレーザ５１からのレーザ光Ｌｍを複数に分岐するビームスプリッタ１２と、
分岐された前記レーザ光（分岐レーザ光Ｌｓ）をガラス基板５０の内部の所定領域に集光するレンズ１３と、
ガラス基板５０を所望の運動で移動するステージ１１と、
を備え、
ステージ１１の運動による前記所定領域の軌跡に光導波路を描画することを特徴とする。
描画装置３０１では、レンズ１３が、分岐レーザ光Ｌｓをそれぞれの所定領域（Ａａ、Ａｂ、Ａｃ、Ａｄ）に集光する。

【0022】

描画装置３０１は、４つの光導波路を同時に描画できる装置例である。本発明に係る描画装置は、同時に描画できる光導波路の数を４つに限定しない。

【0023】

短パルスレーザ光源５１は、短パルスレーザとそれを駆動する電源から成る。短パルスレーザとしては、例えばチタンサファイアレーザを用いることができる。レーザ照射条件を事前に最適化する必要があり、最適化パラメータとしては、波長、平均強度、パルス幅、繰り返し周波数、基板の移動速度、基板材料が挙げられる。本実施形態では、中心波長を８００ｎｍ、繰り返し周波数を２ＭＨｚ、パルス幅を１４０ｆｓ、平均強度を１２０ｍＷに設定した。なお、ステージ１１の移動速度を５００μｍ／ｓとしている。

【0024】

ガラス基板５０は、レーザ光が透過する材料であればガラス以外の材料でも良い。例えば、石英、ボロシリケートガラス、ＢＫ７などの光学ガラスや、ニオブ酸リチウム、ＹＶＯ４などの結晶材料や、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの有機ポリマー材料を光導波路を形成する基板として用いても良い。基板材料の屈折率変化を誘起する条件にレーザ光の光強度を調整することで光導波路を描画可能である。

【0025】

短パルスレーザ光源５１から出射したレーザ光Ｌｍは、３つ広帯域ビームスプリッタキューブ（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）と広帯域全反射ミラー１２ｄで分岐レーザ光Ｌｓに４分岐される。本実施形態では、３つの広帯域ビームスプリッタキューブ（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）が連結されたものと広帯域全反射ミラー１２ｄがビームスプリッタ１２に相当する。

【0026】

広帯域ビームスプリッタキューブ１２ａの分波比は３：１、広帯域ビームスプリッタキューブ１２ｂの分波比は２：１、広帯域ビームスプリッタキューブ１２ｃの分波比は１：１である。このためビームスプリッタ１２で分波された４つの分岐レーザ光Ｌｓの光強度は、それぞれレーザ光Ｌｍの１／４となり、同一の光強度である。

【0027】

分岐レーザ光Ｌｓは、それぞれの光路にあるレンズ１３でステージ１１上に固定されたガラス基板５０の４つの集光領域（Ａａ、Ａｂ、Ａｃ、Ａｄ）に集光される。
ステージ１１は、３軸ステージでありコンピュータなどの制御装置により運動が制御される。ステージ１１を移動させて集光領域（Ａａ、Ａｂ、Ａｃ、Ａｄ）を移動させれば連続した光導波路（Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄ）が同時に４つ形成される。

【0028】

図１では、４つの光導波路が平行に描画されているが、個々の広帯域ビームスプリッタキューブ（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）と広帯域全反射ミラー１２ｄを別個に制御して反射方向を変えることで集光領域（Ａａ、Ａｂ、Ａｃ、Ａｄ）の位置を自在に変えられるので、平行でない４つの光導波路を形成することもできる。

【0029】

ガラス基板５０の厚み方向に集光領域の位置を変える場合、焦点距離の異なるレンズを用いればよい。形成する導波路の数が多い場合、レーザ光Ｌｍの光強度を高めるか、ガラス基板５０の移動速度を低速にするなどして、集光領域の光強度の積算値（光強度×照射時間）を、ガラス基板の屈折率を変化させる値に保つようにすればよい。

【0030】

ビームスプリッタ１２は、レーザ光Ｌｍの分岐比をステージ１１の運動に応じて変化させてもよい。
直線の光導波路を描画するため、ステージ１１の動作が直線運動であれば、分岐レーザ光Ｌｓの光強度はいずれも同じでよい。つまり、ビームスプリッタ１２はレーザ光Ｌｍを等分岐して分岐レーザ光Ｌｓを出力する。しかし、曲がった光導波路を描画するため、ステージ１１が回転運動をした場合、分岐レーザ光Ｌｓの光強度が同じであると回転の中心側の集光領域と外側の集光領域とで光エネルギーの積分値に違いが生じる。具体的には、回転の中心側の集光領域は光エネルギーの積分値が大きく光導波路が太くなり、回転の外側の集光領域は光エネルギーの積分値が小さく光導波路が細くなる。光導波路の太さが変化すると光導波路の特性が異なることになる。このため、ステージ１１の動作が回転運動の場合、ビームスプリッタ１２は全ての集光領域での光エネルギーの積分値が等しくなるようにレーザ光を分岐する。
なお、このような場合、ビームスプリッタ１２として、入射角度を変えることで透過率と反射率を変化させて分岐比を変化させるビームスプリッタ（例えば、非特許文献１を参照。）を使用することができる。

【0031】

（効果）
描画装置３０１は、レーザ光Ｌｍをビームスプリッタ１２で分割し、複数の集光領域（Ａａ、Ａｂ、Ａｃ、Ａｄ）に照射することで、一括して複数の導波路を描画することができる。その際、分割部分（スプリッタキューブ）を個別に移動することにより任意の導波路をガラス基板に描画することができる。

【0032】

（実施形態２）
図２は、本実施形態の描画装置３０２を説明する図である。描画装置３０２は、ビームスプリッタ１２、レンズ１３、ステージ１１、反射ミラー（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）、及びプリズム（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）を備える。ビームスプリッタ１２は、広帯域ビームスプリッタキューブ（１２ａ、１２ｂ）と全反射ミラー１２ｄで構成される。レンズ１３は、個々の分岐レーザ光Ｌｓに対応したレンズ（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ）で構成される。なお、図２において、短パルスレーザ光源５１とガラス基板５０は描画装置３０２に含まれない。

【0033】

実施形態１の描画装置３０１は、それぞれの分波レーザ光で光導波路を描画した。すなわち、４つの分波レーザ光で同時に４つの光導波路を描画した。一方、描画装置３０２は、３つの分波レーザ光Ｌｓを１つの集光領域Ａｔに集光し、１つの光導波路を形成する点が描画装置３０１と異なる。すなわち、レンズ１３は、複数の分岐レーザ光Ｌｓを１つの集光領域Ａｔに集光する。

【0034】

描画装置３０２は、１つの短パルスレーザ光源５１から出射したレーザ光Ｌｍをビームスプリッタ１２で３つの分岐レーザ光Ｌｓに分岐する。分岐レーザ光Ｌｓは、それぞれ反射ミラー（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）で反射され、プリズム（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）及びレンズ１３を介してステージ１１上に固定されたガラス基板５０の１つの集光領域Ａｔに集光される。

【0035】

ステージ１１は、コンピュータなどの制御装置２０により移動が制御され、所望の運動でガラス基板５０を移動できる。このため、ステージ１１を運動させ集光領域Ａｔを移動させれば連続した光導波路が１つ形成される。なお、ステージ１１をガラス基板５０の厚み方向へ移動させることで、ガラス基板５０内に複数の層状に光導波路を描画できる。図２の場合、ガラス基板５０内に上層の光導波路Ｇｕと下層の光導波路Ｇｌが形成されている。

【0036】

描画装置３０２は、２つの分岐レーザ光Ｌｓが重畳したときの光強度をガラス基板５０の屈折率が変化する光強度未満、且つ３つの分岐レーザ光Ｌｓが重畳したときの光強度をガラス基板５０の屈折率が変化する光強度以上となるように、短パルスレーザ光源５１を制御し、レーザ光Ｌｍの光強度を調整する。

【0037】

つまり、３以上の分波レーザ光Ｌｓが重なる領域ではガラス基板５０の屈折率が変化し、２つの分岐レーザ光Ｌｓが重畳し照射される領域ではガラス基板５０の屈折率は変化しない。図３を用いて説明する。Ｌｓ１、Ｌｓ２、Ｌｓ３は、それぞれの分岐レーザ光Ｌｓの集光位置を示す。

【0038】

図３（Ａ）はそれぞれの分岐レーザ光Ｌｓの集光位置が重なっていない状態である。レーザの集光領域は双曲線で挟まれた形状に類似しており、図３では模式的に鼓形状で表している。図３（Ｂ）はビームスプリッタ１２、反射ミラー２１、プリズム２２及びレンズ１３を調整してそれぞれの分岐レーザ光Ｌｓの３つの集光位置を重畳した状態である。集光位置が重なれば光強度が高くなりガラス基板５０の屈折率を変化させることができ、光導波路を描画できる。

【0039】

図３（Ｃ）は１つの分岐レーザ光Ｌｓ１の集光位置がずれ、Ｌｓ１’の位置にある状態である。このような状態であっても３つの分岐レーザ光Ｌｓの集光位置が重なった領域（Ｌｓ１’＋Ｌｓ２＋Ｌｓ３）の位置と形状は元の領域（（Ｌｓ１＋Ｌｓ２＋Ｌｓ３）とほとんど変化していない。そのため、１つの分岐レーザ光の集光位置がずれたとしても、位置ずれがない図３（Ｂ）と同様の位置においてガラス基板５０の屈折率を変化させることができ、光導波路を描画できる。

【0040】

したがって、複数に分岐されたレーザ光が重畳した場合にのみ、ガラス基板５０の屈折率を変化させることができる構成とすれば、レーザ光の集光位置がずれてもその影響はほとんどない。

【0041】

分岐レーザ光Ｌｓの集光位置がずれる原因のひとつに、図２のガラス基板５０のように、集光領域Ａｔの上方（光源方向）に光導波路Ｇｕが存在することが挙げられる。前述のように、光導波路Ｇｕ（コア導波路）の屈折率は周りのクラッド層と異なるため、分岐レーザ光Ｌｓが光導波路Ｇｕを横切るときに焦点距離がずれるためである（図６参照。）。

【0042】

図６では、説明容易のため分岐レーザ光Ｌｓがガラス基板５０の表面に対して垂直に入射する場合を記載している。この場合、光導波路Ｇｕにより集光位置は本来の位置より上方に移動する。なお、分岐レーザ光Ｌｓがガラス基板５０の表面に対して垂直でない方向から入射した場合、光導波路Ｇｕにより集光位置は上方だけでなく水平方向にも移動する。

【0043】

このように、上層の光導波路Ｇｕで分岐レーザ光Ｌｓの焦点領域がずれるような場合であっても、レーザ光の集光形状（鼓形状）は光軸方向に伸びているので、３つの分岐レーザ光Ｌｓの重畳位置とその形状はほとんど変わらないので、光導波路Ｇｕを横切ることにより分岐レーザ光Ｌｓの焦点距離がずれたとしても、光導波路Ｇｕが存在しない場合と同様な位置に光導波路を描画することができる。

【0044】

なお、本実施形態では分岐レーザ光Ｌｓの数が３である場合を説明したが、本発明に係る描画装置は、分岐レーザ光Ｌｓの数を３に限定しない。分岐レーザ光Ｌｓの数は２であっても４以上であってもよい。

【0045】

また、レンズ１３は、分岐レーザ光Ｌｓを対向しないように照射する位置にあることが好ましい。すなわち、少なくとも２つの分岐レーザ光Ｌｓの光軸は非１８０度対向としておく。ここで、前記対向（１８０度対向）とは、図７のように、ガラス基板５０のレンズ１３側の表面５０ｓにおいて、全ての分岐レーザ光Ｌｓの入射点Ｐｉｎが同一直線上にあり、且つ集光領域Ａｔの中心点Ａｔｃから表面５０ｓにおろした垂線と表面５０ｓとの交点Ｐａｔが当該直線上に存在する状態である。図７（Ａ）はガラス基板５０を厚み方向に切断した断面図であり、図７（Ｂ）はガラス基板５０をレンズ１３側から見た図である。ここで、図７は分岐レーザ光が２つの場合であるが、３以上でも同様である。

【0046】

光導波路の曲率半径（Ｒ≧数百μｍ）はレーザ照射系に対して大きく、分岐レーザ光にとって上層の光導波路Ｇｕは殆ど直線とみなせる。
もし、２つの分岐レーザ光Ｌｓの光軸が１８０度対向であれば、図８のように偶然２つの光軸が光導波路Ｇｕの影響を受けることがあり得る。一般的に、隣り合う光導波路の間隔は５０μｍより広く光導波路の太さ（≒集光領域Ａｔの径）が数μｍであることに比べ十分に粗である、よって、２つの分岐レーザ光Ｌｓの光軸を非１８０度配置とすれば分岐レーザ光Ｌｓが２つ以上同時に光導波路Ｇｕの影響を受けることはほとんど無いからである。このような状態を避けるためにも、分岐レーザ光の数を３以上とし、且つ全ての分岐レーザ光が上層の光導波路の影響を受けないように分岐レーザ光の位置を調整しておくことが好ましい。なお、２つの分岐レーザ光Ｌｓが同時に、光導波路Ｇｕを横切る場合でもその影響は小さい。それは、レーザ光の焦点形状が光軸方向に伸びているため、同時に２つの集光位置が光軸方向に移動しても、３つの分岐レーザ光の重畳位置とその形状はほとんど変わらないためである。

【0047】

（効果）
描画装置３０２は、複数のパスで分岐レーザ光Ｌｓを同期して照射し、また上層の光導波路Ｇｕの下部に集光領域Ａｔを調節することで、光導波路Ｇｕの影響を受けずに下層に光導波路Ｇｌを描画することができる。

【符号の説明】

【0048】

１１：ステージ
１２：ビームスプリッタ
２１ａ、１２ｂ、１２ｃ：広帯域ビームスプリッタキューブ
１２ｄ：広帯域全反射ミラー
１３、１３ａ、１３ｂ、１３ｃ：レンズ
２１ａ、２１ｂ、２１ｃ：反射ミラー
２２ａ、２２ｂ、２２ｃ：プリズム
５０：ガラス基板
５１：短パルスレーザ光源
３０１、３０２：描画装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】