特許 7020726 水平メッキ装置及び方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-02-07

(45)【発行日】2022-02-16

(54)【発明の名称】水平メッキ装置及び方法

(51)【国際特許分類】

   C25D 5/04 20060101AFI20220208BHJP

   C25D 1/10 20060101ALI20220208BHJP

   C25D 17/06 20060101ALI20220208BHJP

   C25D 17/10 20060101ALI20220208BHJP

   C25D 17/12 20060101ALI20220208BHJP

   C25D 21/00 20060101ALI20220208BHJP

   C25D 21/04 20060101ALI20220208BHJP

【ＦＩ】

C25D5/04

C25D1/10

C25D17/06 E

C25D17/10 Z

C25D17/12 C

C25D21/00 A

C25D21/00 B

C25D21/00 J

C25D21/04

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2020566521

(86)(22)【出願日】2019-03-20

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2021-06-10

(86)【国際出願番号】 KR2019003208

(87)【国際公開番号】W WO2019190115

(87)【国際公開日】2019-10-03

【審査請求日】2020-08-17

(31)【優先権主張番号】10-2018-0035521

(32)【優先日】2018-03-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】520310654

【氏名又は名称】エクストル・カンパニー・リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＥＸＴＯＬ ＣＯ．， ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】７ＳＡ １０３ＨＯ， ２７， ＥＭＴＩＢＥＵＩ １‐ＲＯ ４３ＢＥＯＮ‐ＧＩＬ， ＤＡＮＷＯＮ‐ＧＵ， ＡＮＳＡＮ‐ＳＩ， ＧＹＥＯＮＧＧＩ‐ＤＯ １５６５７， ＲＥＰＵＢＬＩＣ ＯＦ ＫＯＲＥＡ

(74)【代理人】

【識別番号】110001818

【氏名又は名称】特許業務法人Ｒ＆Ｃ

(72)【発明者】

【氏名】ホ，ウク・ファン

(72)【発明者】

【氏名】キム，ナム・ジン

(72)【発明者】

【氏名】シム，ヨン・ソブ

(72)【発明者】

【氏名】チェ，ホン・ヨン

【審査官】岡田 隆介

(56)【参考文献】

【文献】韓国公開特許第１０－２０１８－００００１３３（ＫＲ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第１０－２００８－００１４５１９（ＫＲ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２５Ｄ １７／１０

Ｃ２５Ｄ ２１／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

内部空間にメッキ液が充填され、上面が開放された直方体状のメッキタンクと、
正極電源と連結され、前記メッキタンクの上部に位置するアノードと、
一面にメッキ層が形成されるように負極電源と連結された基板であって、前記メッキタンクの内部に前記メッキタンクの水平方向に配され、前記アノードの下に配置される前記基板と、
前記メッキタンクの下部空間からメッキ液が充填されるように、前記メッキタンクにメッキ液を供給するメッキ液供給部と、
前記基板に連結されて負極電源を供給する基板電極端子と、
前記アノードの一側または両側に位置するノズルであって、メッキ液を前記基板に向けて噴射する１つまたは複数個の噴射口を含む前記ノズルと、
前記メッキタンクでオーバーフローされるメッキ液を収容するオーバーフローメッキ液収容部と、を含み、
前記アノードは、前記メッキタンクの水平方向に前記基板と平行に移動自在であり、
前記アノードは、前記メッキタンクの水平方向及び前記アノードの移動方向に対して垂直に延びる棒状であり、
前記オーバーフローメッキ液収容部は、前記メッキタンクに充填完了して、前記メッキタンクの上部空間でオーバーフローされるメッキ液が貯蔵されるように、前記メッキタンクの外部空間を取り囲む形態に形成され、
前記メッキタンクの両側面の下部から前記アノードの延長方向に離隔して位置し、前記アノードの移動方向に沿って延びて、前記アノードの前記メッキタンクの水平方向への移動を案内する一対のアノードガイド部と、
前記アノードの上部に結合され、両端部が下側に折り曲げられて、前記一対のアノードガイド部に前記アノードガイド部の長手方向に沿って移動自在にそれぞれ結合されるアノード支持部と、
をさらに含む、メッキ装置。

【請求項2】

前記アノード及び前記ノズルは、前記メッキタンクの水平方向に延び、前記アノードの移動方向に対し垂直に延びる棒状である、請求項１に記載のメッキ装置。

【請求項3】

前記アノードガイド部は、前記メッキタンクの両側に互いに平行に対向するように位置する２つのアノードガイド部で構成される、請求項１に記載のメッキ装置。

【請求項4】

前記メッキタンクの内部に前記メッキタンクの水平方向に配列された複数個の基板支持ローラーであって、前記基板が載置されて、前記基板を支持することができる前記複数個の基板支持ローラーをさらに含み、
前記基板支持ローラーが回転することにより、前記基板支持ローラー上に置かれた基板が移動可能な、請求項１に記載のメッキ装置。

【請求項5】

前記基板電極端子は、複数個のクランプで構成され、前記複数個のクランプは、前記基板の各辺にそれぞれ連結される、請求項１に記載のメッキ装置。

【請求項6】

前記メッキ装置は、マスク製造装置であり、
前記基板のメッキ層が形成される一面には、マスクパターンが形成されている、請求項１に記載のメッキ装置。

【請求項7】

前記メッキ液供給部を通じて前記メッキタンクに供給されるメッキ液と前記ノズルを通じて前記基板に噴射されるメッキ液は、同じ成分からなる、請求項１に記載のメッキ装置。

【請求項8】

請求項１から請求項７のうち何れか一項に記載のメッキ装置で行われるメッキ方法において、
前記基板を前記メッキタンクの水平方向に前記メッキタンクの内部に移動する段階と、
前記基板電極端子を前記基板に連結する段階と、
前記メッキタンクの内部に前記メッキ液供給部を通じて前記メッキ液を供給する段階と、
前記アノードが前記基板の水平方向に平行に移動しながら、前記基板上にメッキ工程を行う段階と、
を含む、メッキ方法。

【請求項9】

請求項１から請求項７のうち何れか一項に記載のメッキ装置で行われるメッキ方法において、
前記基板を前記メッキタンクの水平方向に前記メッキタンクの内部に移動する段階と、
前記基板電極端子を前記基板に連結する段階と、
前記メッキタンクの内部に前記メッキ液供給部を通じて前記メッキ液を供給する段階と、
前記アノードが前記基板の水平方向に平行に移動しながら、前記基板上にメッキ工程を行う段階と、を含み、
前記基板上にメッキ工程を行う段階は、前記ノズルを通じてメッキ液を供給する段階を含む、メッキ方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、２０１８年３月２８日付の大韓民国特許出願１０－２０１８－００３５５２１号に基づいた優先権の利益を主張し、当該大韓民国特許出願の文献に開示されたあらゆる内容は、本明細書の一部として含まれる。

【0002】

本発明は、メッキ装置及び方法に係り、より具体的に、水平方向に置かれた基板に亘って均一にメッキを行える装置及び方法に関する。

【背景技術】

【0003】

半導体製造工程のフォトリソグラフィーパターニングのために、露光用マスクが用いられる。マスクは、主に熱膨張などを考慮して、インバー（Ｉｎｖａｒ：鋼鉄とニッケルとの合金）が使われる。マスク製作のためのインバー合金（３６％Ｎｉ－６４％Ｆｅ）またはスーパーインバー合金（３２％Ｎｉ－６３％Ｆｅ－５％Ｃｏ）の代表的な生産方式は、冷間圧延方式が用いられているが、冷間圧延方式で厚さ５０μｍ以下の薄板を得るためには、多段の圧延工程が必要なので、工程が長く、複雑であって、製造コストが高いという短所がある。また、冷間圧延方式で生産される５０μｍ以下の圧延インバー薄板は、その幅が５００ｍｍ以下に制限されて、大面積工程材料への適用に多くの難点がある。

【0004】

したがって、最近、一面にマスクパターンが形成された基板を用いて電鋳メッキ方式でマスクを製造する製造装置１が開発されている。このような電鋳メッキ方式を利用した一般的なマスク製造装置１は、アノードと基板とをそれぞれメッキ液（電解液）が満たされたメッキタンクの内部にメッキタンクの垂直方向に位置させ、アノードと基板とを互いに平行な状態で対向するように配置し、アノードと基板とにそれぞれ正極電源と負極電源とを連結する方式で基板の一面にメッキ層を形成させる方式（以下、「垂直メッキ方式」と称する、図３ａ及び図３ｂ参照）で構成される。以後、メッキ層を基板から分離して後処理した後、マスクを最終的に製造完了する。この際、メッキ層には、基板の一面に形成されたマスクパターンが転写されて残される。

【0005】

このような垂直メッキ方式によれば、アノード２あるいは製品３が浸漬されたメッキタンク４にメッキ液が循環供給される場合に、循環のための電解液の流れ（図３ａの点線矢印方向参照）がタンク４の上部に繋がりながら、製品の上部側のメッキが厚くなるという問題点が発生する。また、このような垂直メッキ方式の場合、アノード２から発生する水素気泡がタンク４の上部側に押し寄せながら、製品にエアポケットが生じてメッキの不良原因になり、気泡を離隔させるために隔膜を設置すれば、製品との間隔が広くなって、メッキ偏差の発生が懸念される。特に、１０世代基板（３．１３ｍ×２．８８ｍ）の場合、設備の高さが１０メートルまで高くなり、アノードまたは製品の流動時に、下側ガイドレールが液面の下に位置して、設備の問題が発生する恐れがあり、製品のクランプも、液面の下に位置して、製品とアノードとの干渉による不良も懸念されるという問題点がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

マスク製造工程のようなメッキ工程を行う装置及び方法において、垂直メッキ方式を使用する従来技術とは異なって、メッキの厚さ偏差を減らしながらも、前述したエアポケットによる問題点を解決することができる新たなメッキ方式が要求される。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一実施例によるメッキ装置は、内部空間にメッキ液が充填されるメッキタンク；正極電源と連結され、前記メッキタンクの上部に位置するアノード；一面にメッキ層が形成されるように負極電源と連結された基板であって、前記メッキタンクの内部に前記メッキタンクの水平方向に配され、前記アノードの下に配置される前記基板；前記メッキタンクの下部空間からメッキ液が充填されるように、前記メッキタンクにメッキ液を供給するメッキ液供給部；及び前記基板に連結されて負極電源を供給することができる基板電極端子；を含み、前記アノードは、前記メッキタンクの水平方向に前記基板と平行に移動自在である。

【0008】

また、本発明の一実施例によるメッキ装置で行われるメッキ方法において、前記基板を前記メッキタンクの水平方向に前記メッキタンクの内部に移動する段階；前記基板電極端子を前記基板に連結する段階；前記メッキタンクの内部に前記メッキ液供給部を通じて前記メッキ液を供給する段階；及び前記アノードが前記基板の水平方向に平行に移動しながら、前記基板上にメッキ工程を行う段階；を含みうる。

【0009】

また、本発明の一実施例によるメッキ装置で行われるメッキ方法において、前記基板を前記メッキタンクの水平方向に前記メッキタンクの内部に移動する段階；前記基板電極端子を前記基板に連結する段階；前記メッキタンクの内部に前記メッキ液供給部を通じて前記メッキ液を供給する段階；及び前記アノードが前記基板の水平方向に平行に移動しながら、前記基板上にメッキ工程を行う段階；を含み、前記基板上にメッキ工程を行う段階は、前記ノズルを通じてメッキ液を供給する段階を含みうる。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、アノードとノズルとが一体化されてメッキ液（電解液）と電流とを供給することによって、厚さ偏差が従来技術である垂直メッキ方式に比べて著しく低くなるという長所がある。また、ノズルが水平方向に移動しながら、基板（マスタ、製品）の表面または周囲に形成された気泡を除去するために、前述した従来技術によるエアポケットの発生による問題点を解決することができるという長所がある。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の一実施例による水平メッキ装置の概略図を図示する。

【図2】図１の水平メッキ装置の要部を図示する。

【図3a】従来技術による垂直メッキ装置を図示する。

【図3b】従来技術による垂直メッキ装置を図示する。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明の一実施例によるメッキ装置は、内部空間にメッキ液が充填されるメッキタンク；正極電源と連結され、前記メッキタンクの上部に位置するアノード；一面にメッキ層が形成されるように負極電源と連結された基板であって、前記メッキタンクの内部に前記メッキタンクの水平方向に配され、前記アノードの下に配置される前記基板；前記メッキタンクの下部空間からメッキ液が充填されるように、前記メッキタンクにメッキ液を供給するメッキ液供給部；及び前記基板に連結されて負極電源を供給することができる基板電極端子；を含み、前記アノードは、前記メッキタンクの水平方向に前記基板と平行に移動自在である。

【0013】

また、本発明の一実施例によるメッキ装置は、前記アノードの一側または両側に位置するノズルであって、メッキ液を前記基板に向けて噴射することができる１つまたは複数個の噴射口を含む前記ノズルをさらに含みうる。

【0014】

また、本発明の一実施例によるメッキ装置は、前記メッキタンクの側面付近に位置し、前記メッキタンクの水平方向に延びて、前記アノードの前記メッキタンクの水平方向への移動を案内することができるアノードガイド部；及び前記アノードが連結されて、前記アノードを支持するアノード支持部であって、前記アノードガイド部に沿って移動可能に連結される前記アノード支持部；をさらに含みうる。

【0015】

また、本発明の一実施例によるメッキ装置において、前記アノードは、前記メッキタンクの水平方向に延び、前記アノードの移動方向の垂直に延びる棒状である。

【0016】

また、本発明の一実施例によるメッキ装置において、前記アノード及び前記ノズルは、前記メッキタンクの水平方向に延び、前記アノードの移動方向の垂直に延びる棒状である。

【0017】

また、本発明の一実施例によるメッキ装置において、前記アノードガイド部は、前記メッキタンクの両側に互いに平行に対向するように位置する２つのアノードガイド部で構成することができる。

【0018】

また、本発明の一実施例によるメッキ装置は、前記メッキタンクの内部に前記メッキタンクの水平方向に配列された複数個の基板支持ローラーであって、前記基板が載置されて、前記基板を支持することができる前記複数個の基板支持ローラーをさらに含み、前記基板支持ローラーが回転することにより、前記基板支持ローラー上に置かれた基板が移動可能である。

【0019】

また、本発明の一実施例によるメッキ装置において、前記基板電極端子は、複数個のクランプ（ｃｌａｍｐ）で構成され、前記複数個のクランプは、前記基板の各辺にそれぞれ連結される。

【0020】

また、本発明の一実施例によるメッキ装置は、マスク製造装置であり、前記基板のメッキ層が形成される一面には、マスクパターンが形成されうる。

【0021】

また、本発明の一実施例によるメッキ装置において、前記メッキ液供給部を通じて前記メッキタンクに供給されるメッキ液と前記ノズルを通じて前記基板に噴射されるメッキ液は、同じ成分からなるものである。

【0022】

また、本発明の一実施例によるメッキ装置で行われるメッキ方法において、前記基板を前記メッキタンクの水平方向に前記メッキタンクの内部に移動する段階；前記基板電極端子を前記基板に連結する段階；前記メッキタンクの内部に前記メッキ液供給部を通じて前記メッキ液を供給する段階；及び前記アノードが前記基板の水平方向に平行に移動しながら、前記基板上にメッキ工程を行う段階；を含みうる。

【0023】

また、本発明の一実施例によるメッキ装置で行われるメッキ方法において、前記基板を前記メッキタンクの水平方向に前記メッキタンクの内部に移動する段階；前記基板電極端子を前記基板に連結する段階；前記メッキタンクの内部に前記メッキ液供給部を通じて前記メッキ液を供給する段階；及び前記アノードが前記基板の水平方向に平行に移動しながら、前記基板上にメッキ工程を行う段階；を含み、前記基板上にメッキ工程を行う段階は、前記ノズルを通じてメッキ液を供給する段階を含みうる。

【0024】

以下、本発明の一実施例による基板が水平に配され、基板上にアノードが水平方向に移動しながら、メッキが行われる装置（本発明の明細書で「水平メッキ装置」と称する）１０を詳しく説明する。添付図面は、本発明の例示的な形態を図示したものであって、これは、本発明をより詳しく説明するために提供されるものであり、これにより、本発明の技術的な範囲が限定されるものではない。

【0025】

また、図面符号に関係なく同一または対応する構成要素は、同じ参照番号を付与し、これについての重複説明は省略し、説明の便宜上、示された各構成部材の大きさ及び形状は、誇張または縮小されうる。

【0026】

図１は、本発明の一実施例による水平メッキ装置１０の概略図を図示し、図２は、図１の水平メッキ装置１０の要部を図示する。

【0027】

まず、本発明の一実施例による水平メッキ装置１０は、例えば、マスク製造装置１０であり、より具体的には、マスク製造装置１０は、一面にマスクパターンが形成された基板を用いて電鋳メッキ方式でマスクを製造する装置である。

【0028】

図１及び図２を参照すれば、水平メッキ装置１０は、メッキ液が充填されるメッキタンク１００と、メッキタンク１００の内部に配されて、正極電源が連結されたアノード２００及び負極電源が連結された基板３００と、メッキタンク１００にメッキ液（電解液）を供給するメッキ液供給部１１０と、を含んで構成される。

【0029】

メッキタンク１００は、メッキ液供給部１１０から供給されるメッキ液が充填される空間であって、内部に基板３００が配される。アノード２００は、メッキタンク１００上で水平方向（例えば、Ｘ軸方向）に移動自在に配される。また、本発明による水平メッキ装置１０は、メッキタンク１００でオーバーフローされるメッキ液を収容することができるオーバーフローメッキ液収容部（図示せず）をさらに含みうる。オーバーフローメッキ液収容部は、メッキタンク１００に充填完了してメッキタンク１００の上部空間でオーバーフローされるメッキ液が貯蔵されるようにメッキタンク１００の外部空間を取り囲む形態に形成されうる。メッキタンク１００の壁面には、基板３００がメッキタンク１００の内外部に出入りできるように、後述する水門をさらに含みうる。また、メッキタンク１００には、内部に貯蔵されたメッキ液を外部排出することができる排出口（図示せず）をさらに含むこともある。メッキタンク１００の水平方向は、メッキタンク１００に満たされたメッキ液が形成する水面と平行な方向に、重力方向と垂直な方向である。

【0030】

本発明によるアノード２００は、メッキタンク１００の上部に配されて正極電源を供給される。また、アノード２００は、メッキタンク１００の上部で後述するように、メッキタンク１００の水平方向に移動自在である。メッキタンク１００内に収容されるメッキ液にアノード２００の全体が浸漬されても、アノード２００の一部（基板３００と対向する下端部側）が浸漬されても良い。メッキタンク１００の側面付近にメッキタンク１００の水平方向に沿って延びて、アノード２００の移動を案内することができるアノードガイド部２１０が配されている。アノードガイド部２１０には、アノード支持部２２０がアノードガイド部２１０に沿って移動可能に連結される。アノード支持部２２０には、アノード２００が連結されてアノード２００を支持する。アノード２００を支持するアノード支持部２２０がメッキタンク１００の水平方向に延びたアノードガイド部２１０に沿って移動することにより、アノード２００がメッキタンク１００の水平方向に移動可能にした。

【0031】

アノードガイド部２１０は、図１に示したように、メッキタンク１００の両側に互いに平行に対向するように２つのアノードガイド部２１０で構成することができるが、本発明は、これに限定されず、メッキタンク１００の一側のみに構成されるか、メッキタンク１００の上に別途に支持可能に固定されているなど、多様な変形、変更が可能である。本発明によるアノードガイド部２１０及びアノード支持部２２０のそれぞれの形状及び配置は、図１に示されたことに限定されず、アノード２００を水平方向に沿って案内することができるものであれば、適用可能であり、本発明が具現される多様な環境によって、変形、変更が可能である。

【0032】

アノード２００は、メッキタンク１００の水平方向に延びた形状であるが、アノード２００の移動方向の垂直に延びる棒状である。例えば、図１に示したように、アノード２００がＸ軸方向に移動する場合に、アノード２００は、Ｙ軸方向に延びた形状である。したがって、メッキタンク１００の内部に水平方向に載置された基板３００上をアノード２００が移動して、基板３００上に均一にメッキ工程が行われるようにした。一実施形態として、アノード２００がメッキ工程時間の間にメッキタンク１００上でアノードガイド部２１０に沿って往復運動しながら、基板３００上に均一にメッキ膜を形成しうる。

【0033】

また、アノード２００には、アノード２００の長手方向（例えば、Ｙ軸方向）と平行であり、アノード２００の一側または両側に位置するノズル２３０が装着される。ノズル２３０は、メッキ液を基板３００に向けて噴射することができる１つまたは複数個の噴射口を含む。

【0034】

一実施形態として、アノード２００に装着されたノズル２３０から噴射されるメッキ液は、後述するメッキ液供給部１１０から供給されるメッキ液と同一である。例えば、メッキ液供給部１１０を通じてメッキタンク１００の内部に供給されるメッキ液がマスク製造のためのニッケルイオンまたは鉄イオンを含有したものであれば、アノード２００に装着されたノズル２３０から噴射されるメッキ液も、同様にマスク製造のためのニッケルイオンまたは鉄イオンを含有したメッキ液を使用することができる。

【0035】

他の実施形態としては、アノード２００に装着されたノズル２３０から噴射されるメッキ液は、後述するメッキ液供給部１１０から供給されるメッキ液と当該工程の目的に合わせて成分が一部変形されたものでもある。

【0036】

ノズル２３０は、アノード２００に装着されているので、アノード２００の移動によって共に水平方向に移動しながら、基板３００に均一にメッキ液を噴射することができる。アノード２００に装着されたノズル２３０から基板３００に均一にメッキ液が噴射されることによって、基板３００の表面に形成された気泡が除去される。それにより、従来技術での問題点であるエアポケットの形成による問題点を防止可能にした。

【0037】

アノード２００は、溶融されず、正極電源を供給される役割を果たす。したがって、不溶性の導電性材質で形成され、例えば、フェライト、白金メッキチタン、白金クラッドチタン、鉛合金、炭素、ＩｒＯ_２／Ｔｉなどの材質で形成されうる。一方、アノード２００に装着されたノズル２３０で、メッキに必要な陽イオンを含んだメッキ液を供給するので、非導電性材質であるＰＥ、ＰＰ、ＰＶＣ、テフロン（Ｔｅｆｌｏｎ）などの材質で形成されうる。

【0038】

基板３００は、アノード２００に対応するものであって、メッキタンク１００の内部に配されて、負極電源を供給され、負極電極板として機能する。この際、基板３００は、一面にメッキ層が形成されるようにメッキタンク１００の内部にアノード２００（より正確には、アノード２００が水平方向に移動する領域）と対向する位置に配される。

【0039】

このような基板３００は、負極電源を供給されて負極電極板として機能するので、アノード２００と基板３００とにそれぞれ正極電源及び負極電源が供給されると共に、メッキ液がメッキタンク１００に充填されれば、負極電極板として機能する基板３００の表面にメッキ層が形成される。これは、メッキ液に含有されたイオン粒子が負極電極板である基板３００の表面でメッキ層を成す一般的なメッキ原理によるものであって、このようなメッキ原理についての詳細な説明は省略する。

【0040】

基板３００は、アノード２００と対向する一面にメッキ層が形成される。例えば、マスク製造のためのメッキ工程で、基板３００は、マスタであり、このような基板３００のアノード２００と対向する一面には、マスクパターンが形成されている。基板３００は、導電性材質で形成されうる。

【0041】

メッキ液供給部１１０は、メッキタンク１００の下部空間の基板３００の下に位置してメッキタンク１００にメッキ液を供給する。メッキ液供給部１１０は、メッキタンク１００の下部空間からメッキ液が充填されるようにメッキタンク１００にメッキ液を供給するが、メッキ液を貯蔵する別途のメッキ液貯蔵タンク（図示せず）からメッキ液をポンピングしてメッキタンク１００に供給するポンプに連結されても良い。メッキ液供給部１１０の形状は、例えば、メッキタンク１００の内部に延びた管または板状にも製作され、このような管または板状にメッキ液をメッキタンク１００に供給する複数個の噴射口または供給用開口部を含む形状に具現可能である。しかし、本発明は、これに限定されず、メッキタンク１００の壁面に開閉可能な注入口（図示せず）の形状にも具現されるなど、多様な変形、変更が可能である。

【0042】

一方、メッキ液は、例えば、マスク製造の場合、ニッケルイオン及び／または鉄イオンが溶解された電解液であって、例えば、ＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ（Ｆｅｒｒｏｕｓ Ｓｕｌｆａｔｅ）、ＮｉＳＯ_４・６Ｈ_２Ｏ（Ｎｉｃｋｅｌ Ｓｕｌｆａｔｅ）、ＮｉＣｌ_２・６Ｈ_２Ｏ（Ｎｉｃｋｅｌ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、ＦｅＣｌ_２・４Ｈ_２Ｏ（Ｆｅｒｒｏｕｓ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、及びＮｉ（ＮＨ_２ＳＯ_３）_２（Ｎｉｃｋｅｌ Ｓｕｌｆａｍａｔｅ）からなるグループから選択された少なくとも１つを主成分とし、ホウ酸などの添加剤を添加して作ったメッキ液が使われるが、これに限定されず、ユーザの必要に応じて多様な種類が使われる。

【0043】

メッキタンク１００は、メッキ液を排出することができる排出口（図示せず）をさらに含みうる。排出口を通じて排出されたメッキ液は、図１に示したように、別途のメッキ液貯蔵タンク（図示せず）に流入され、メッキ液貯蔵タンクで異物分離などの再処理過程を経て、再びメッキ液供給部１１０及び／または前述したノズル２３０を通じてメッキタンク１００に供給される循環過程を経るように構成することができる。追加的に、または代案として、排出口には、このような循環流れの構成以外にも、メッキタンク１００の内部の洗浄水などの外部への排出のための構成が連結されても良い。すなわち、排出口を通じて排出された液体の流れがメッキタンク１００に供給される循環過程からなっても、外部に排出されても良い。

【0044】

一方、メッキタンク１００の内部には、メッキタンク１００の水平方向に延び、配列された複数個の基板支持ローラー４００が装着されており、複数個の基板支持ローラー４００上に基板３００が載置されて基板３００を支持することができる。基板支持ローラー４００が回転することにより、基板支持ローラー４００上に置かれた基板３００がメッキ工程のために、メッキタンク１００の内部に移動することができる。同様に、メッキ工程が完了した後に、基板支持ローラー４００が回転することにより、基板支持ローラー４００上に置かれた基板３００がメッキタンク１００の外部に移動自在である。より具体的には、例えば、メッキタンク１００の壁面に水門が備えられて、メッキタンク１００の水門が開かれれば、基板支持ローラー４００が回転して基板３００がメッキタンク１００の内部に移動し、メッキタンク１００の水門が閉まれば、メッキタンク１００の内部にメッキ液が供給されてメッキ工程が進行する。メッキ工程が完了すれば、メッキ液が排出され、メッキタンク１００の水門が開き、基板支持ローラー４００が回転してメッキが完了した基板３００がメッキタンク１００の外部に移動する。

【0045】

また、基板支持ローラー４００の回転を微細に調節して、基板３００のメッキタンク１００の内部の水平方向への精密な位置調節も可能である。

【0046】

一方、このような複数個の基板支持ローラー４００上に基板３００が載置されば良いので、メッキタンク１００の内部に収容されるサイズの基板３００であれば、基板３００のサイズに関係なく基板３００が基板支持ローラー４００上に載置されて安全にメッキ工程及び基板３００の移動自在である。従来の垂直メッキ方式では、基板が垂直にメッキタンクに位置するが、基板のサイズが大きいか、重い場合に、製品移動及びタンク載置時などに製品損傷の発生の恐れが高かった（特に、ガラス製品の場合、破損の恐れがさらに大きくなる）（図３ｂ参照）。しかし、本発明によれば、基板３００が水平方向に配列された複数個の基板支持ローラー４００上に載置されてメッキ工程がなされ、運搬されるので、従来の垂直メッキ方式よりも破損の恐れが非常に低くなるという長所がある。基板支持ローラー４００は、非導電性材質で形成され、例えば、ＰＰ、ＰＥ、ＰＶＣ、テフロンなどで形成されうる。

【0047】

一方、基板３００は、基板３００に負極電源を供給することができる基板電極端子４１０に接触して負極電源に連結される。基板電極端子４１０は、例えば、基板３００に連結されるクランプ４１０である。クランプ４１０は、１つで備えられてもよく、複数個備えられてもよい。例えば、図２の場合、長方形の板状である基板３００の４辺に複数個のクランプ４１０が連結され、一実施形態として、基板３００上により均一にメッキが進行するように、基板３００の各辺にそれぞれ１０個（ｐｏｉｎｔ）のクランプ４１０が連結され、基板３００と基板電極端子４１０との接点の個数は、例えば、少なくとも３０個（ｐｏｉｎｔ）以上である。本発明は、これに限定されず、クランプ４１０の個数（すなわち、基板３００と基板電極端子４１０との接点の個数）及び基板３００にクランプ４１０が連結される位置などが、本発明が具現される多様な環境に合わせて変形、変更が可能である。

【0048】

本発明によるメッキ方法は、前述した水平メッキ装置１０で行われ、より具体的に、次の段階からなる。

【0049】

まず、基板３００を基板支持ローラー４００によってメッキタンクの水平方向にメッキタンク１００の内部に移動する段階（段階１）が行われる。

【0050】

次に、基板電極端子４１０を基板３００に連結する段階（段階２）が行われる。

【0051】

次に、メッキタンク１００の内部にメッキ液供給部１１０を通じてメッキ液を供給する段階（段階３）が行われる。

【0052】

次に、基板３００上にメッキ工程を行う段階であって、アノード２００を通じて電流を供給し、ノズル２３０を通じてメッキ液を供給する段階（段階４）が行われる。この際、既定のメッキ時間の間にアノード２００及びアノード２００に装着されたノズル２３０が共にメッキタンク１００の水平方向に、すなわち、基板３００の水平方向に平行に往復移動しながら、基板３００に均一なメッキ膜を形成する。

【0053】

本発明で使用する「連結」という用語は、物理的連結及び／または電気的連結を含み、各構成要素間の直接連結及び他の構成要素を介在した間接連結を含む。

【0054】

前述した本発明の技術的構成は、当業者が、本発明のその技術的思想や必須的な特徴を変更せずとも、他の具体的な形態で実施可能であるということを理解できるであろう。したがって、前述した実施例は、あらゆる面で例示的なものであり、限定的ではないということを理解しなければならない。また、本発明の範囲は、前記の詳細な説明よりは後述する特許請求の範囲によって表われる。また、特許請求の範囲の意味及び範囲、そして、その等価概念から導出されるあらゆる変更または変形された形態が、本発明の範囲に含まれると解釈されねばならない。

【産業上の利用可能性】

【0055】

本発明によれば、アノードとノズルとが一体化されてメッキ液（電解液）と電流とを供給することによって、厚さ偏差が従来技術である垂直メッキ方式に比べて著しく低くなるという長所がある。また、ノズルが水平方向に移動しながら、基板（マスタ、製品）の表面または周囲に形成された気泡を除去するために、前述した従来技術によるエアポケットの発生による問題点を解決することができるという長所がある。

【図1】

【図2】

【図3a】

【図3b】