特許 7029223 半導体発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-02-22

(45)【発行日】2022-03-03

(54)【発明の名称】半導体発光装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/52 20100101AFI20220224BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20220224BHJP

   H01L 23/28 20060101ALI20220224BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20220224BHJP

【ＦＩ】

H01L33/52

H01L23/12 Z

H01L23/28 C

H01L33/62

【請求項の数】 24

(21)【出願番号】P 2016138140

(22)【出願日】2016-07-13

(65)【公開番号】P2018010949

(43)【公開日】2018-01-18

【審査請求日】2019-06-21

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100135389

【弁理士】

【氏名又は名称】臼井 尚

(72)【発明者】

【氏名】小早川 正彦

(72)【発明者】

【氏名】外山 智一郎

【審査官】大和田 有軌

(56)【参考文献】

【文献】特開２００９－１３０１９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１３／０１３４４７１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１２－１８６４５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１１５４３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－０２３４６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－０７７１６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２５８３２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２０１１７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－０８８１５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－２９８０４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－０３６４３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０８－３３０６３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０８－３２１６３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】実開昭６１－０９４３６２（ＪＰ，Ｕ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３３／００ － ３３／６４

Ｈ０１Ｌ ２１／５２ － ２１／５８

Ｈ０１Ｌ ２３／００ － ２３／３１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１方向において、第１方向前方を向く基材主面および第１方向後方を向く基材裏面を有し、前記第１方向に直角な第２方向において互いに反対側を向く一対の第１基材側面、前記第１方向および前記第２方向に直角な第３方向において互いに反対側を向く一対の第２基材側面を有する基材と、
前記基材主面に搭載された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆い、かつ、透光性を有し、前記第１方向視において、前記基材より小である封止樹脂と、
前記基材主面に形成された主面電極を有し、前記半導体発光素子への導通経路である配線パターンと、
前記第１方向視において、前記主面電極と重なるパターン被覆部を有し、絶縁性の材質からなるレジスト層と、
を備えており、
前記封止樹脂は、前記第２方向の端縁が一方の前記第２基材側面から他方の前記第２基材側面まで前記第３方向に繋がり、
前記パターン被覆部は、前記封止樹脂の前記第２方向の前記端縁の全長に対して前記第２方向における外側に接し、かつ、前記第１方向視において、一方の前記第２基材側面から他方の前記第２基材側面まで前記第３方向に繋がるとともに前記第１方向前方の面が平坦である樹脂流出防止部を有しており、
前記主面電極は、互いに離間する第１部分および第２部分を有し、
前記レジスト層は、前記第１方向視において前記第１部分に重なる第１レジスト層、および、前記第１レジスト層から離間し、かつ、前記第１方向視において前記第２部分に重なる第２レジスト層を有し、
前記第１レジスト層および前記第２レジスト層は、前記樹脂流出防止部を含む前記パターン被覆部に対して前記第２方向の内方に繋がり且つ前記基材主面と前記封止樹脂とに接して挟まれた内方基材被覆部と、前記パターン被覆部に対して前記第２方向の外方に繋がり且つ前記基材主面に接する外方基材被覆部と、を有し、
前記パターン被覆部、前記内方基材被覆部および前記外方基材被覆部は、前記第２方向視において互いに重なる部分を有し、
前記第１レジスト層の前記外方基材被覆部は、前記第１方向視において一方の前記第１基材側面に重なり、
前記第２レジスト層の前記外方基材被覆部は、前記第１方向視において他方の前記第１基材側面から離間している、ことを特徴とする半導体発光装置。

【請求項2】

前記第２レジスト層は、前記第２方向に離間する一対の端縁を有しており、
前記第２レジスト層の前記一対の端縁の各々は、前記第１方向視において、前記第３方向に沿った直線部と他方の端縁に向けて凹んだ形状の湾曲部とを有している、
請求項１に記載の半導体発光装置。

【請求項3】

前記一対の第１基材側面は、前記第２方向に凹み、かつ、前記基材主面から前記基材裏面に貫通する第１スルーホール部および第２スルーホール部をそれぞれ有する、
請求項２に記載の半導体発光装置。

【請求項4】

前記第１スルーホール部および前記第２スルーホール部は、前記第１方向視において、半円形状をなす、
請求項３に記載の半導体発光装置。

【請求項5】

前記第２レジスト層の前記一対の端縁のうち前記第２方向において前記第２スルーホール部側に位置する前記端縁の前記湾曲部は、前記第２スルーホール部に沿って湾曲している、
請求項３または請求項４に記載の半導体発光装置。

【請求項6】

前記配線パターンは、前記第１スルーホール部の表面に形成され、かつ、前記第１部分に繋がる第１側面電極、および、前記第２スルーホール部の表面に形成され、かつ、前記第２部分に繋がる第２側面電極を有する、
請求項３ないし請求項５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【請求項7】

前記配線パターンは、前記基材裏面に形成され、かつ、前記第１側面電極に繋がる第１裏面電極、および、前記基材裏面に形成され、かつ、前記第２側面電極に繋がる第２裏面電極を有する、
請求項６に記載の半導体発光装置。

【請求項8】

前記第１裏面電極および前記第２裏面電極は、互いに離間して絶縁されている、
請求項７に記載の半導体発光装置。

【請求項9】

前記第１裏面電極および前記第２裏面電極の間には、絶縁体が配置されている、
請求項８に記載の半導体発光装置。

【請求項10】

前記半導体発光素子と前記配線パターンとを接続するワイヤを、さらに備える、
請求項７ないし請求項９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【請求項11】

前記第１部分は、前記半導体発光素子がダイボンディングされるダイボンディング部を有し、
前記第２部分は、前記ワイヤを介して前記半導体発光素子と導通するワイヤボンディング部を有する、
請求項１０に記載の半導体発光装置。

【請求項12】

前記半導体発光素子は、前記第１方向前方を向く第１パッド部と、前記第１方向後方を向く第２パッド部と、を有し、
前記第１パッド部は、前記ワイヤがボンディングされ、前記ワイヤボンディング部と導通し、
前記第２パッド部は、導通性接合材により前記ダイボンディング部に接合され、前記ダイボンディング部と導通している、
請求項１１に記載の半導体発光装置。

【請求項13】

前記第１部分は、前記第１方向視において、前記第１スルーホール部に繋がる部分近傍に配置され、前記第１側面電極に繋がる第１端縁部と、前記第１端縁部と前記ダイボンディング部とを繋ぐ第１連結部と、を有する、
請求項１２に記載の半導体発光装置。

【請求項14】

前記第１部分は、前記第１連結部に繋がり、かつ、前記第１方向視において、前記基材主面の前記第３方向の一方の端縁から他方の端縁に向け伸びる第１帯状部を、さらに有する、
請求項１３に記載の半導体発光装置。

【請求項15】

前記樹脂流出防止部は、前記第１方向視において、前記第１帯状部に重なる第１防止部を含む、
請求項１４に記載の半導体発光装置。

【請求項16】

前記第２部分は、前記第１方向視において、前記第２スルーホール部に繋がる部分近傍に配置され、前記第２側面電極に繋がる第２端縁部と、前記第２端縁部と前記ワイヤボンディング部とを繋ぐ第２連結部と、を有する、
請求項１３ないし請求項１５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【請求項17】

前記第２部分は、前記第２連結部に繋がり、かつ、前記第１方向視において、前記基材主面の前記第３方向の一方の端縁から他方の端縁に向け伸びる第２帯状部を、さらに有する、
請求項１６に記載の半導体発光装置。

【請求項18】

前記樹脂流出防止部は、前記第１方向視において、前記第２帯状部に重なる第２防止部を含む、
請求項１７に記載の半導体発光装置。

【請求項19】

前記配線パターンは、Ｃｕからなる、
請求項１ないし請求項１８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【請求項20】

前記配線パターンは、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記レジスト層からも露出する部分に、Ａｕめっきが施されている、
請求項１９に記載の半導体発光装置。

【請求項21】

前記封止樹脂は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、もしくは、ポリビニル系樹脂の樹脂材料からなる、
請求項１ないし請求項２０のいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【請求項22】

前記封止樹脂は、前記第１方向前方に突き出たドーム状のドーム形状部を有する、
請求項２１に記載の半導体発光装置。

【請求項23】

前記レジスト層の一部は、前記封止樹脂と前記基材主面との間に介在しており、かつ、当該一部は、前記封止樹脂および前記基材主面の各々に直接的に接している、
請求項１ないし請求項２２のいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【請求項24】

前記レジスト層の前記一部の上面は、前記樹脂流出防止部の上面と面一である、
請求項２３に記載の半導体発光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体発光素子を用いた半導体発光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、従来の半導体発光装置の一例を開示している。同文献に開示された半導体発光装置は、基材、半導体発光素子、配線パターン、レジスト層、および、封止樹脂を備えている。前記半導体発光装置において、前記配線パターンおよび前記レジスト層は、前記基材上に形成されている。前記レジスト層は、前記配線パターン上に形成された部分（パターン被覆部）と前記基材上に形成された部分（基材被覆部）を有する。また、前記半導体発光素子は、前記基材に搭載されている。前記封止樹脂は、前記基材上に形成され、前記半導体発光素子を覆っている。そして、前記封止樹脂は、一般的に、モールド成形により形成される。モールド成形は前記封止樹脂を形成する方法の一種であり、上記半導体発光装置においては、上下一対の金型で基材を挟み込み、前記基材と前記金型との間に生じるキャビティ内にガラスエポキシ樹脂などの樹脂材料を充填および硬化させて、前記封止樹脂を形成している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１５－１１５４３２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

従来の半導体発光装置においては、上記するように、前記基材が露出する部分（前記配線パターンおよび前記レジスト層がともに形成されない部分）、前記基材被覆部、および、前記パターン被覆部などが存在し、これらにより、厚さ方向に段差が生じる。この段差が原因となり、前記金型で前記基材を挟み込んだときに、前記金型と前記基材との間に隙間が発生することがある。その結果、当該隙間を介して、キャビティ内に注入した樹脂材料が意図せぬところに漏れ出してしまうことがある。このような樹脂漏れにより形成された前記封止樹脂が外部回路に接続するための端子部を覆ってしまうと、外部回路との導通経路が確保できなくなる。また、前記樹脂漏れは樹脂バリの原因となり、樹脂バリ除去の工程が必要になってしまう。

【0005】

そこで、本発明は、上記課題に鑑みて創作されたものであり、その目的は、樹脂漏れを抑制することができる半導体発光装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の第１の側面によって提供される半導体発光装置は、第１方向において、第１方向前方を向く基材主面および第１方向後方を向く基材裏面を有し、前記第１方向に直角な第２方向において互いに反対側を向く一対の第１基材側面、前記第１方向および前記第２方向に直角な第３方向において互いに反対側を向く一対の第２基材側面を有する基材と、前記基材主面に搭載された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆い、かつ、透光性を有し、前記第１方向視において、前記基材より小である封止樹脂と、前記基材主面に形成された主面電極を有し、前記半導体発光素子への導通経路である配線パターンと、前記第１方向視において、前記主面電極と重なるパターン被覆部を有し、絶縁性の材質からなるレジスト層と、を備えており、前記パターン被覆部は、前記第２方向において、前記封止樹脂の端縁より外側に配置され、かつ、前記第１方向視において、一方の前記第２基材側面から他方の前記第２基材側面まで前記第３方向に繋がる樹脂流出防止部を有することを特徴とする。

【0007】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記樹脂流出防止部は、前記第１方向視において、線状であり、かつ、前記封止樹脂の前記第２方向の端縁と一致している。

【0008】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記第２基材側面は、前記第２方向に凹み、かつ、前記基材主面から前記基材裏面に貫通するスルーホール部を有する。

【0009】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記スルーホール部は、前記第１方向視において、半円形状をなす。

【0010】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記配線パターンは、前記スルーホール部の表面に形成され、かつ、前記主面電極の一部に繋がる一対の側面電極を有する。

【0011】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記配線パターンは、前記基材裏面に形成され、かつ、各前記側面電極の一部に繋がる一対の裏面電極を有する。

【0012】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記一対の裏面電極は互いに離間して絶縁されている。

【0013】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記一対の裏面電極の間には、絶縁体が配置されている。

【0014】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記半導体発光素子と前記配線パターンとを接続するワイヤを、さらに備える。

【0015】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記主面電極は、前記半導体発光素子がダイボンディングされるダイボンディング部と、前記ワイヤを介して前記半導体発光素子と導通するワイヤボンディング部と、を有する。

【0016】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記半導体発光素子は、前記第１方向前方を向く第１パッド部と、前記第１方向後方を向く第２パッド部と、を有し、前記第１パッド部は、前記ワイヤがボンディングされ、前記ワイヤボンディング部と導通し、前記第２パッド部は、導通性接合材により前記ダイボンディング部に接合され、前記ダイボンディング部と導通している。

【0017】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記主面電極は、前記第１方向視において、一方の前記スルーホール部に繋がる部分近傍に配置され、一方の前記側面電極に繋がる第１端縁部と、前記第１端縁部と前記ダイボンディング部とを繋ぐ第１連結部と、を有する。

【0018】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記主面電極は、前記第１連結部に繋がり、かつ、前記第１方向視において、前記基材主面の前記第３方向の一方の端縁から他方の端縁に向け伸びる第１帯状部を、さらに有する。

【0019】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記樹脂流出防止部は、前記第１方向視において、前記第１帯状部に重なる。

【0020】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記主面電極は、前記第１方向視において、他方の前記スルーホール部に繋がる部分近傍に配置され、他方の前記側面電極に繋がる第２端縁部と、前記第２端縁部と前記ワイヤボンディング部とを繋ぐ第２連結部と、を有する。

【0021】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記主面電極は、前記第２連結部に繋がり、かつ、前記第１方向視において、前記基材主面の前記第３方向の一方の端縁から他方の端縁に向け伸びる第２帯状部を、さらに有する。

【0022】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記樹脂流出防止部は、前記第１方向視において、前記第２帯状部に重なる。

【0023】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記配線パターンは、Ｃｕからなる。

【0024】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記配線パターンは、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記レジスト層からも露出する部分に、Ａｕめっきが施されている。

【0025】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記封止樹脂は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、もしくは、ポリビニル系樹脂などの樹脂材料からなる。

【0026】

前記半導体発光装置の好ましい実施の形態において、前記封止樹脂は、前記第１方向前方に突き出たドーム状のドーム形状部を有する。

【0027】

本発明の第２の側面によって提供される半導体発光装置の製造方法は、前記第１の側面によって提供される半導体発光装置の製造方法であって、前記基材を準備する基材準備工程と、前記基材上に前記配線パターンを形成するパターン形成工程と、前記配線パターンの一部を覆うように、前記基材に前記レジスト層を形成するレジスト形成工程と、前記基材に前記半導体発光素子をダイボンディングするダイボンディング工程と、一対の金型で前記基材を前記第１方向から挟み込み、前記金型の内部のキャビティ内に樹脂材料を注入し、前記封止樹脂を成形する金型成形工程と、を有しており、前記金型成形工程の前の工程において、前記第１方向前方側から前記基材を押さえる前記金型が当接する領域を考慮して、前記樹脂流出防止部が、前記領域内で、一方の前記第２基材側面から他方の前記第２基材側面まで連続的に繋がるように、前記パターン形成工程および前記レジスト形成工程を行う。

【0028】

前記半導体発光装置の製造方法の好ましい実施の形態においては、前記レジスト形成工程において、フィルム状のレジストを圧着させて貼り付けた後、硬化させて前記レジスト層を形成する。

【発明の効果】

【0029】

本発明によれば、半導体発光装置において、パターン被覆部は、樹脂流出防止部を有しており、当該樹脂流出防止部は、ｚ方向視において、一方の前記第２基材側面から他方の前記第２基材側面まで前記第３方向に繋がっている。これにより、金型成形工程において、前記金型で前記基材を挟み込んだときに、前記金型と前記樹脂流出防止部とが当接し、隙間がなくなる。したがって、樹脂材料を金型の内部に注入したとき、樹脂流出防止部が障壁となり、樹脂漏れを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0030】

【図1】本発明の実施形態に係る半導体発光装置の正面図である。

【図2】本発明の実施形態に係る半導体発光装置の右側側面図である。

【図3】本発明の実施形態に係る半導体発光装置の左側側面図である。

【図4】本発明の実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。

【図5】本発明の実施形態に係る半導体発光装置の底面図ある。

【図6】図４の平面図から封止樹脂を透過させて図示した平面図である。

【図7】図４のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。

【図8】図４のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。

【図9】本発明の製造方法において、基材準備工程後の集合基材を示す図である。

【図10】本発明の製造方法において、パターン形成工程後の集合基材を示す図である。

【図11】本発明の製造方法において、レジスト形成工程後の集合基材を示す図である。

【図12】本発明の製造方法において、ダイボンディング工程およびワイヤボンディング工程後の集合基材を示す図である。

【図13】図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。

【図14】図１３の断面図の一部を拡大した拡大断面図である。

【図15】本発明の製造方法において、金型成形工程後の集合基材を示す図である。

【図16】第１変形例に係る半導体発光装置を説明するための図である。

【図17】第２変形例に係る半導体発光装置を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0031】

本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。

【0032】

図１～図８は、本発明の実施形態に係る半導体発光装置Ａを示す図である。本実施形態に係る半導体発光装置Ａは、基材１、半導体発光素子２、配線パターン３、レジスト層４、ワイヤ５、および、封止樹脂６を備えている。

【0033】

図１は、半導体発光装置Ａの正面図である。図２は、図１に示した半導体発光装置Ａの右側面図（ｘ方向前方側側面）である。図３は、半導体発光装置Ａの左側面図（ｘ方向後方側側面）である。図４は、図１に示した半導体発光装置Ａの平面図である。図５は、図１に示した半導体発光装置Ａの底面図である。図６は、図４から封止樹脂６を透過させて図示した平面図である。なお、図６において、レジスト層４にハッチングし、かつ、透過させている。図７は、図４のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図４のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。

【0034】

図１～図８において、半導体発光装置Ａの厚さ方向をｚ方向、ｚ方向に直角な方向をｘ方向、ｘ方向およびｚ方向に直角な方向をｙ方向とする。また、各方向において、矢印が向く方向を前方とし、その反対方向を後方としている。ｚ方向が本発明の「第１方向」に相当し、ｘ方向が本発明の「第２方向」、ｙ方向が本発明の「第３方向」に相当する。

【0035】

基材１は、絶縁性の材料よりなる。このような絶縁性の材料としては、例えば、絶縁性の樹脂もしくはセラミックなどが挙げられる。絶縁性の樹脂としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂などが挙げられる。セラミックとしては、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＣ，またはＡｌＮなどが挙げられる。なお、基材１は、アルミニウムなどの金属よりなる基板に、絶縁膜が形成されたものであってもよい。基材１は、ｚ方向視において、ｘ方向に長く伸びた矩形状を呈する。本実施形態においては、基材１は、ｚ方向寸法が、４００μｍである。基材１は、基材主面１１、基材裏面１２、一対の第１基材側面１３，１４、および、一対の第２基材側面１５，１６を有する。

【0036】

基材主面１１および基材裏面１２は、図１、図７および図８に示すように、ｚ方向において、離間しており、互いに反対側を向く。基材主面１１は、ｚ方向前方を向く面である。基材裏面１２は、ｚ方向後方を向く面である。基材主面１１および基材裏面１２はともに、平坦である。

【0037】

一対の第１基材側面１３，１４は、図１、図４、図５および図６に示すように、ｘ方向に離間して形成された面である。一対の第１基材側面１３，１４は、ｘ方向において、互いに反対側を向く。第１基材側面１３は、ｘ方向前方側に位置する面であり、第１基材側面１４は、ｘ方向後方側に位置する面である。第１基材側面１３，１４はともに、ｚ方向前方の端部が基材主面１１に繋がり、ｚ方向後方の端部が基材裏面１２に繋がっている。また、第１基材側面１３，１４はともに、平坦である。第１基材側面１３，１４はそれぞれ、スルーホール部１３１，１４１を有する。

【0038】

スルーホール部１３１，１４１はそれぞれ、第１基材側面１３，１４から基材１の内側に向け凹んでいる。スルーホール部１３１，１４１はともに、基材主面１１から基材裏面１２に向けて貫通している。本実施形態においては、スルーホール部１３１，１４１は、ｚ方向視において、半円形状をなす。

【0039】

一対の第２基材側面１５，１６は、図２～図６および図８に示すように、ｙ方向に離間して形成された面である。一対の第２基材側面１５，１６は、ｙ方向において、互いに反対側を向く。第２基材側面１５は、ｙ方向前方側に位置する面であり、第２基材側面１６は、ｙ方向後方側に位置する面である。第２基材側面１５，１６はともに、ｚ方向前方の端部が基材主面１１に繋がり、ｚ方向後方の端部が基材裏面１２に繋がっている。また、第２基材側面１５，１６はともに、平坦である。

【0040】

半導体発光素子２は、いわゆるＬＥＤチップであり、半導体発光装置Ａの光源となる電子部品である。なお、半導体発光素子２は、ＬＥＤチップに限定されず、受光素子あるいはダイオードなどであってもよい。半導体発光素子２は、ｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とを有する。ｎ型半導体層は活性層に積層されている。活性層はｐ型半導体層に積層されている。よって、活性層はｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に位置する。ｎ型半導体層、活性層、および、ｐ型半導体層は、例えば、ＧａＮよりなる。半導体発光素子２は、ｚ方向前方を向く面に第１パッド部を有し、ｚ方向後方を向く面に第２パッド部を有する。なお、これらの図示は省略する。半導体発光素子２は、基材１に搭載されている。半導体発光素子２の発光色は特に限定されない。

【0041】

配線パターン３は、半導体発光素子２に電力を供給するための電流経路を構成するものである。配線パターン３は、半導体発光素子２に導通している。配線パターン３は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕなどの単種類または複数種類の金属からなる。配線パターン３は基材１に形成されている。本実施形態においては、配線パターン３は、厚さ１８μｍのＣｕ箔上に厚さ１５μｍのＣｕめっきを有している。したがって、配線パターン３は、ｚ方向寸法が３３μｍである。なお、配線パターン３の構成および厚さ方向寸法はこれに限定されない。配線パターン３は、主面電極３１、複数の裏面電極３２，３３、および、複数の側面電極３４，３５を有する。

【0042】

主面電極３１は、基材１の基材主面１１の一部を覆う。主面電極３１は、ダイボンディング部３１１、ワイヤボンディング部３１２、第１端縁部３１３、第２端縁部３１４、第１連結部３１５、第２連結部３１６、第１帯状部３１７、および、第２帯状部３１８を有している。

【0043】

ダイボンディング部３１１は、半導体発光素子２を支持する部分である。ダイボンディング部３１１は、導通性を有する接合材（図示略）により、ダイボンディング部３１１と第２パッド部とが向かい合うように、半導体発光素子２が接合されている。このような接合材としては、例えば、半田やＡｇペーストなどが挙げられる。本実施形態においては、ダイボンディング部３１１は、ｚ方向視において、円形状をなす。なお、ダイボンディング部３１１は円形状に限らず、矩形状や多角形状などであってもよい。

【0044】

ワイヤボンディング部３１２は、ワイヤ５をボンディングする部分である。本実施形態においては、ワイヤボンディング部３１２は、ｚ方向視において、略矩形状をなす。なお、ワイヤボンディング部３１２の形状は、これに限定されない。

【0045】

第１端縁部３１３は、基材主面１１のうち、スルーホール部１３１と繋がる部分近傍を覆っている。第２端縁部３１４は、基材主面１１のうち、スルーホール部１４１と繋がる部分近傍を覆っている。本実施形態においては、第１端縁部３１３および第２端縁部３１４はともに、ｚ方向視において、半円環状をなす。また、本実施形態においては、第１端縁部３１３および第２端縁部３１４は、図４に示すように、その一部が、レジスト層４および封止樹脂６のいずれからも露出しているため、耐食性を考慮して、Ａｕめっきされている。

【0046】

第１連結部３１５は、ダイボンディング部３１１と第１端縁部３１３とを繋ぐ。第２連結部３１６は、ワイヤボンディング部３１２と第２端縁部３１４とを繋ぐ。本実施形態においては、第１連結部３１５および第２連結部３１６はともに、ｘ方向に伸びる帯状をなす。なお、第１連結部３１５および第２連結部３１６の形状は、これに限定されない。

【0047】

第１帯状部３１７および第２帯状部３１８は、基材主面１１のｙ方向前方の端部からｙ方向後方の端部まで繋がっている。第１帯状部３１７は、基材主面１１のｘ方向前方寄りに配置されている。第２帯状部３１８は、基材主面１１のｘ方向後方寄りに配置されている。本実施形態においては、第１帯状部３１７は、第１端縁部３１３および第１連結部３１５と繋がっている。また、第２帯状部３１８は、第２端縁部３１４および第２連結部３１６と繋がっている。

【0048】

裏面電極３２，３３は、基材裏面１２の一部を覆っている。裏面電極３２，３３は、半導体発光装置Ａを実装基板などに実装する際の接合箇所として用いられる。裏面電極３２，３３は、互いに、ｘ方向に離間し、絶縁されている。裏面電極３２はｘ方向前方寄り配置されており、裏面電極３３は、ｘ方向後方寄りに配置されている。

【0049】

側面電極３４，３５はそれぞれ、基材１のスルーホール部１３１，１４１の表面を覆っている。側面電極３４，３５は、基材主面１１から基材裏面１２に達している。側面電極３４は、ｚ方向前方の端縁が第１端縁部３１３に繋がり、ｚ方向後方の端縁が裏面電極３２に繋がっている。したがって、半導体発光素子２の第２パッド部は、ダイボンディング部３１１、第１連結部３１５、第１端縁部３１３、および、側面電極３４を介して、裏面電極３２と電気的に接続されている。側面電極３５は、ｚ方向前方の端縁が第２端縁部３１４に繋がり、ｚ方向後方の端縁が裏面電極３３に繋がっている。

【0050】

レジスト層４は、基材１に形成され、絶縁性を有する材質からなる。なお、理解の便宜上、一部の図において、レジスト層４にハッチングして示している。レジスト層４は、基材主面側レジスト４１と基材裏面側レジスト４２とを含んでいる。

【0051】

基材主面側レジスト４１は、基材１の基材主面１１に形成されている。基材主面側レジスト４１は、フィルム状のレジストを圧着して貼り付け、硬化させることで、基材主面１１に形成される。フィルム状のレジストを圧着するときの圧力により、基材主面側レジスト４１には、ｚ方向前方の面が平面となる。基材主面側レジスト４１は、パターン被覆部４１１および基材被覆部４１３を有する。

【0052】

パターン被覆部４１１は、基材主面側レジスト４１のうち、配線パターン３上に形成された部分である。パターン被覆部４１１は、ｚ方向前方の面が平坦である。本実施形態においては、パターン被覆部４１１は、第１帯状部３１７および第２帯状部３１８のすべてを覆っている。本実施形態においては、パターン被覆部４１１は、ｚ方向寸法が、１５μｍである。パターン被覆部４１１は、樹脂流出防止部４１２を有する。

【0053】

樹脂流出防止部４１２は、後述する封止樹脂６の金型成形工程を用いられる金型７１に当接する領域である。樹脂流出防止部４１２は、ｚ方向視において、封止樹脂６よりｘ方向外側に位置する。また、樹脂流出防止部４１２は、ｚ方向視において、第１基材側面１３から第１基材側面１４までｙ方向に繋がっている。本実施形態においては、樹脂流出防止部４１２は、ｚ方向視において、矩形状としている。樹脂流出防止部４１２のｚ方向前方の面は、レジスト層４のうち最もｚ方向前方に位置し、かつ、平坦である。なお、理解の便宜上、一部の図において、樹脂流出防止部４１２を太い点線で示している。

【0054】

基材被覆部４１３は、基材主面側レジスト４１のうち、基材１上に形成された部分である。本実施形態においては、基材被覆部４１３のｚ方向寸法は、配線パターン３のｚ方向寸法とパターン被覆部４１１のｚ方向寸法との和より小さい。例えば、基材被覆部４１３のｚ方向寸法は４０μｍである。

【0055】

基材裏面側レジスト４２は、基材１の基材裏面１２に形成されている。基材裏面側レジスト４２は、基材裏面１２のｘ方向中央付近に形成され、基材裏面１２のｙ方向の両端縁に繋がっている。また、基材裏面側レジスト４２は、ｚ方向後方の面が平坦である。本実施形態においては、基材裏面側レジスト４２は、ｚ方向寸法が２０μｍである。また、本実施形態においては、基材裏面側レジスト４２は、ｚ方向視において、ｘ方向前方の端縁がｘ方向前方に突き出た凸字形の形状をなす。このような形状にすることで、半導体発光装置Ａの接続方向を判断する目印として機能する。基材裏面側レジスト４２は、液体レジストを塗布し、熱硬化させることで、基材裏面１２に形成される。なお、基材主面側レジスト４１と同様に、フィルム状のレジストを用いて形成してもよい。当該基材裏面側レジスト４２が、特許請求の範囲に記載の「絶縁体」に相当する。

【0056】

ワイヤ５は、半導体発光素子２と配線パターン３とを導通させるためのものである。ワイヤ５は、例えば、Ａｕなどの金属からなり、ワイヤボンディングによりボンディングされている。ワイヤ５は、一端が半導体発光素子２の第１パッド部にボンディングされ、他端がワイヤボンディング部３１２にボンディングされている。したがって、半導体発光素子２の第１パッド部は、ワイヤ５、ワイヤボンディング部３１２、第２連結部３１６、第２端縁部３１４、および、側面電極３５を介して、裏面電極３３と電気的に接続されている。

【0057】

封止樹脂６は、半導体発光素子２、配線パターン３の一部、レジスト層４の一部、および、ワイヤ５を覆っている。封止樹脂６は、光を透過させる樹脂材料からなる。このような樹脂材料として、透明あるいは半透明の、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、もしくは、ポリビニル系樹脂などが挙げられる。また、半導体発光素子２からの光によって励起されることにより異なる波長の光を発する蛍光材料を含むものであってもよい。

【0058】

封止樹脂６は、後述する金型成形工程においてモールド成形により形成される。封止樹脂６は、ｘ方向において、基材１よりも小である。また、封止樹脂６は、ｚ方向前方にドーム形状部６１を有する。

【0059】

ドーム形状部６１は、封止樹脂６のうち、ｚ方向前方に突出し、半球体形状をなす部分である。当該ドーム形状部６１により、半導体発光素子２から発せられた光を所定の方向に照射することができる。すなわち、ドーム形状部６１により、封止樹脂６は凸面レンズとして機能する。なお、封止樹脂６の形状は特に限定されない。例えば、半導体発光素子２から発する光を拡散させる場合には、ｚ方向前方の面を凹面にしてもよい。

【0060】

次に、本実施形態に係る半導体発光装置Ａの製造方法について、図９～図１５を参照し、説明する。本実施形態においては、複数の半導体発光装置Ａを製造する場合を例に説明する。本発明に係る半導体発光装置Ａの製造方法は、基材準備工程、パターン形成工程、レジスト形成工程、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、および、金型成形工程を有する。

【0061】

基材準備工程では、複数の貫通孔１０１がマトリクス状に形成された、矩形状の集合基材１００ａ（図９参照）を用意する。当該集合基材１００ａは、図１～図８に示す基材１を複数個形成可能なサイズとされる。図９においては、６個の基材１を形成可能なサイズとし、集合基材１００ａには、半円形状の貫通孔１０１が６つ、および、円形状の貫通孔１０１が３つ形成されている。複数の貫通孔１０１は、例えば、パンチング処理により形成される。集合基材１００ａは、上記基材１の材質と同じ、ガラスエポキシ樹脂からなる。

【0062】

パターン形成工程では、上記集合基材１００ａに配線パターン３を形成する。配線パターン３は、Ｃｕ箔にＣｕめっきを施すことにより、形成される。当該パターン形成工程により、集合基材１００ａに配線パターン３が形成された集合基材１００ｂ（図１０参照）が形成される。

【0063】

レジスト形成工程では、上記配線パターン３を形成した集合基材１００ｂにレジスト層４を形成する。本実施形態においては、集合基材１００ｂのｚ方向前方の面にフィルム状のレジストを圧着し貼り付ける。そして、露光などにより、硬化させることで、基材主面側レジスト４１が形成される。また、集合基材１００ｂのｚ方向後方の面に液体状のレジストを塗布し、その後、硬化させることで、基材裏面側レジスト４２が形成される。当該レジスト形成工程において、基材主面側レジスト４１は、フィルム状のレジストを圧着させたときの圧力により、ｚ方向前方側の面は平坦になる。また、形成された基材主面側レジスト４１には、配線パターン３上に形成されたパターン被覆部４１１、および、集合基材１００ｂ上（配線パターン３が形成されていない部分）に形成された基材被覆部４１３が形成されている。本実施形態においては、後述する金型成形工程において、金型７１で押さえる領域（図１１の点線で囲われた領域）において、パターン被覆部４１１の一部が、集合基材１００ｃのｙ方向前方の端縁からｙ方向後方の端縁まで繋がるように、レジスト層４の貼り付け位置を考慮する。当該レジスト形成工程により、集合基材１００ｂにレジスト層４が形成された集合基材１００ｃ（図１１参照）が形成される。なお、レジスト形成工程後に、レジスト層４から露出し、かつ、封止樹脂６からも露出させる予定の部分には、Ａｕめっきを施す。

【0064】

ダイボンディング工程では、半導体発光素子２を、集合基材１００ｃの片面（ｚ方向前方の面）に、周知のダイボンディングの手法によって、搭載する。そして、ワイヤボンディング工程では、ワイヤ５を、周知のワイヤボンディングの手法により、半導体発光素子２の第１パッド部とワイヤボンディング部３１２とにワイヤボンディングする。これにより、半導体発光素子２と配線パターン３との導通が確保される。これらダイボンディング工程およびワイヤボンディング工程により、集合基材１００ｃに半導体発光素子２およびワイヤ５がボンディングされた集合基材１００ｄ（図１２参照）が形成される。

【0065】

金型成形工程では、上記集合基材１００ｄに封止樹脂６をモールド形成する。図１３および図１４は、金型成形工程を説明するための図である。図１３は、金型成形工程における、図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図を示しており、図１４は、図１３の一点鎖線で示した部分の部分拡大図である。金型成形工程においては、図１３に示すように、一対の金型７１，７２を集合基材１００ｄのｚ方向から挟み込む。金型７１には複数の凹部７１１が形成されている。当該凹部７１１の寸法および形状は、封止樹脂６と略同一である。また、金型７１は、当接面７１２を有する。当接面７１２は、ｚ方向後方を向き、かつ、最もｚ方向後方側に位置する面である。当接面７１２は、平坦である。金型７１は、当該当接面７１２により、集合基材１００ｄのｚ方向前方側の面を押さえている。図１２において、当接面７１２で押さえる領域を細い点線で囲っている。金型７２は、ｚ方向前方側の面が一様に平坦であり、集合基材１００ｄのｚ方向後方側の面を押さえている。

【0066】

金型成形工程において、金型７１の凹部７１１内に半導体発光素子２を収容するように、一対の金型７１，７２で集合基材１００ｄを挟み込む。これにより、凹部７１１と集合基材１００ｄのうち凹部７１１に対向する部分とにより、空隙（キャビティ）７３が形成される。また、図１４に示すように、樹脂流出防止部４１２が、金型７１のｚ方向後方の面（当接面）７１２に当接し、かつ、図１２に示すように、樹脂流出防止部４１２が集合基材１００ｄのｙ方向の一方の端縁から他方の端縁まで連続的に当接している。そして、金型７１で集合基材１００ｄを挟み込んだ状態で、金型７１に形成された樹脂注入路７４から透光性の樹脂材料をキャビティ７３内に充填する。そして、これを硬化させることで、封止樹脂６が形成される。なお、樹脂注入路７４の位置は限定されない。当該金型成形工程により、集合基材１００ｄに封止樹脂６が形成された集合基材１００ｅ（図１５参照）が形成される。

【0067】

金型成形工程によって、封止樹脂６を形成した後は、図１５に示す複数の切断線ＣＬに沿って、集合基材１００ｅを切断する。この切断により、図１～図８に示す半導体発光装置Ａを複数個製造することができる。なお、上記半導体発光装置Ａの製造方法において、複数の半導体発光装置Ａを製造する場合を例に説明したが、１つずつ製造してもよい。

【0068】

次に、上記実施形態に係る半導体発光装置Ａおよび当該半導体発光装置Ａの製造方法における作用について説明する。

【0069】

本実施形態によれば、樹脂流出防止部４１２が、ｚ方向視において、封止樹脂６よりｘ方向外側に位置し、かつ、ｚ方向視において、第２基材側面１５から第２基材側面１６までｙ方向に繋がっている。これにより、封止樹脂６をモールド成形するときに、当該樹脂流出防止部４１２が金型７１（当接面７１２）に当接するため、レジスト層４（樹脂流出防止部４１２）と金型７１とが密接し、隙間が存在しない。したがって、金型成形工程において、キャビティ７３内に樹脂材料を注入したときに、樹脂流出防止部４１２が障壁となり、上記隙間を介した樹脂漏れを抑制することができる。そして、樹脂漏れが抑制されることで、外部回路との導通経路の確保が可能となり、また、樹脂バリを抑制することができる。

【0070】

本実施形態によれば、封止樹脂６のｘ方向両端縁が全てレジスト層４と当接している。封止樹脂６は、配線パターン３よりレジスト層４との接合性が高い。したがって、封止樹脂６の前記ｘ方向両端縁の接合性を高くすることができ、封止樹脂６のはがれを低減させることができる。

【0071】

本実施形態によれば、金型成形工程において、樹脂流出防止部４１２と金型７１（当接面７１２）とを、ｚ方向視において、第２基材側面１５から第２基材側面１６までｙ方向に繋がって当接させることで、樹脂漏れを抑制している。従来の半導体発光装置の金型成形工程において、一対の金型で挟み込むときの型締力を高くすることで、上記隙間を防ぎ、樹脂漏れを抑制することも可能であるが、当該型締力を高くすると、その型締力に基材が耐えられず、基材割れなどの要因となってしまう。特に、薄型の半導体発光装置の場合、当該課題は顕著に表れる。したがって、半導体発光装置Ａは、金型成形工程において、一対の金型７１，７２の型締力を、従来のように高くすることなく、樹脂漏れを抑制することが可能となる。これにより、基材割れなどを低減することができる。さらに、高い型締力でプレス可能な金型成形機が不要となり、製造コストの抑制にも寄与することができる。

【0072】

本実施形態によれば、レジスト形成工程において、基材主面側レジスト４１としてフィルム状のレジストを用いた。フィルム状のレジストは液体状のレジストと比べ、パターニング精度がよい。このパターニング精度により、スルーホール部１３１，１４１が形成されている場合、液体状のレジストにおいては、スルーホール部１３１，１４１から０．１２５ｍｍ以上離れた位置でなければ塗布できなかった。一方、フィルム状のレジストにおいては、スルーホール部１３１，１４１からの距離を０．０５ｍｍ程度まで近づけることができるため、樹脂流出防止部４１２の形成が容易になる。また、フィルム状のレジストを圧着により貼り付けるため、液体状のレジストを塗布する場合に比べて、平面を形成しやすい。したがって、樹脂流出防止部４１２のｚ方向前方の面が平坦にしやすいため、金型７１との密着性を高めることができる。なお、液体状のレジストであっても、フィルム状のレジストと同等のパターニングが可能であれば、液体のソルダーレジストにより基材主面側レジスト４１を形成してもよい。

【0073】

本実施形態によれば、金型成形工程において、樹脂流出防止部４１２（レジスト層４）が、金型７１（当接面７１２）に当接しており、配線パターン３に当接しない。したがって、配線パターン３に上記型締力が加わらないため、配線パターン３の断線を抑制することができる。

【0074】

上記実施形態において、配線パターン３およびレジスト層４の配置位置は上記したものに限定されず、金型成形工程において、当接面７１２に当接する樹脂流出防止部４１２が、第２基材側面１５から第２基材側面１６までｙ方向に繋がっていればどのような配置であってもよい。このような、配線パターン３およびレジスト層４の片方あるいは両方が、上記半導体発光装置Ａと異なる変形例について、説明する。なお、上記半導体発光装置Ａと同一あるいは類似の構成については、同一の符号を付して、その説明を省略する。

【0075】

図１６は、第１変形例に係る各種半導体発光装置Ａ１を示している。図１６は、上記図６に対応する平面図であり、封止樹脂６の記載を省略し、金型７１の当接面７１２を点線で示している。換言すれば、金型成形工程において、樹脂材料（封止樹脂６）をキャビティ７３内に充填する前の状態を示している。なお、図１６においては、ｘ方向前方部分のみを図示している。

【0076】

図１６（ａ）は、パターン被覆部４１１が、第１帯状部３１７のすべてを覆っていない場合の変形例を示している。図１６（ｂ）は、図示している基材主面側レジスト４１のｘ方向後方の端縁が、曲線である場合の変形例を示している。図１６（ｃ）は、配線パターン３（第１帯状部３１７）の形状が異なる場合の変形例を示している。

【0077】

図１６（ａ）～（ｃ）においても、太い点線で示した樹脂流出防止部４１２が、ｚ方向視において、第２基材側面１５から第２基材側面１６までｙ方向に繋がっている。したがって、これらのような第１変形例においても上記実施形態と同様に、金型成形工程において、樹脂流出防止部４１２が障壁となり、上記隙間を介した樹脂漏れを抑制することができる。また、金型成形工程より封止樹脂６が形成された半導体発光装置Ａ１において、樹脂流出防止部４１２が封止樹脂６よりｘ方向外側に位置する。

【0078】

図１７は、第２変形例に係る各種半導体発光装置Ａ２を示している。図１７は、図１６に対応する平面図である。上記実施形態に係る半導体発光装置Ａおよび第１変形例に係る半導体発光装置Ａ１は、樹脂流出防止部４１２がｚ方向視において平面状であったが、第２変形例に係る半導体発光装置Ａ２は、樹脂流出防止部４１２がｚ方向視において線状になっている。

【0079】

図１７（ａ）は、第１帯状部３１７のｘ方向前方の端縁と基材主面側レジスト４１（パターン被覆部４１１）のｘ方向後方の端縁とがｚ方向視において一致している場合を示している。図１７（ｂ）は、第１帯状部３１７のｘ方向前方の端縁と、基材主面側レジスト４１（パターン被覆部４１１）のｘ方向前方の端縁と、金型７１の当接面７１２のｘ方向後方の端縁とがｚ方向視において一致している場合を示している。

【0080】

図１７（ａ），（ｂ）において、樹脂流出防止部４１２が、線状に、ｚ方向視において、第２基材側面１５から第２基材側面１６までｙ方向に繋がっている。したがって、これらのような第２変形例においても上記実施形態と同様に、金型成形工程において、樹脂流出防止部４１２が障壁となり、上記隙間を介した樹脂漏れを抑制することができる。なお、図１７（ａ），（ｂ）で示す半導体発光装置Ａ２において、金型成形工程より封止樹脂６が形成されたとき、封止樹脂６の外側の端縁と樹脂流出防止部４１２とは、ｚ方向視において一致している。

【0081】

上記半導体発光装置Ａ，Ａ１，Ａ２においては、基材被覆部４１３のｚ方向寸法が、配線パターン３のｚ方向寸法とパターン被覆部４１１のｚ方向寸法との和より小さい場合を例に説明したが、これに限定されない。例えば、基材被覆部４１３のｚ方向寸法が、配線パターン３のｚ方向寸法とパターン被覆部４１１のｚ方向寸法との和と同じであってもよい。すなわち、基材被覆部４１３のｚ方向寸法を、４８μｍ（３３μｍ（配線パターン３のｚ方向寸法）＋１５μｍ（パターン被覆部４１１のｚ方向寸法））としてもよい。この場合、金型成形工程における樹脂材料の注入時に、樹脂流出防止部４１２だけでなく、基材被覆部４１３も障壁となるため、樹脂漏れをさらに抑制することができる。また、樹脂流出防止部４１２が、ｚ方向視において、第２基材側面１５から第２基材側面１６までｙ方向に繋がっていなくても、基材被覆部４１３と樹脂流出防止部４１２とで、ｚ方向視において、第２基材側面１５から第２基材側面１６までｙ方向に繋がっていれば、同様に、樹脂漏れを抑制することができる。

【0082】

本発明に係る半導体発光装置および当該半導体発光装置の製造方法は、上記した実施形態に限定されるものではない。本発明の半導体発光装置の各部の具体的な構成および当該半導体発光装置の製造方法の各工程の具体的な手順や方法は、種々に設計変更自在である。

【符号の説明】

【0083】

Ａ，Ａ１，Ａ２：半導体発光装置
１ ：基材
１１ ：基材主面
１２ ：基材裏面
１３，１４ ：第１基材側面
１３１，１４１：スルーホール部
１５，１６ ：第２基材側面
２ ：半導体素子
３ ：配線パターン
３１ ：主面電極
３１１ ：ダイボンディング部
３１２ ：ワイヤボンディング部
３１３ ：第１端縁部
３１４ ：第２端縁部
３１５ ：第１連結部
３１６ ：第２連結部
３１７ ：第１帯状部
３１８ ：第２帯状部
３２，３３ ：裏面電極
３４，３５ ：側面電極
４ ：レジスト層
４１ ：基材主面側レジスト
４１１ ：パターン被覆部
４１２ ：樹脂流出防止部
４１３ ：基材被覆部
４２ ：基材裏面側レジスト
５ ：ワイヤ
６ ：封止樹脂
６１ ：ドーム形状部
１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ，１００ｅ：集合基材
１０１ ：貫通孔
７１，７２ ：金型
７１１ ：凹部
７１２ ：当接面
７３ ：キャビティ
７４ ：樹脂注入路

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】