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特許7029769ＥＬ表示パネルの製造方法、ＥＬ表示パネルの製造装置、およびＥＬ表示パネルとＥＬ表示装置。
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-02-24
(45)【発行日】2022-03-04
(54)【発明の名称】ＥＬ表示パネルの製造方法、ＥＬ表示パネルの製造装置、およびＥＬ表示パネルとＥＬ表示装置。
(51)【国際特許分類】
H05B 33/10 20060101AFI20220225BHJP
C23C 14/04 20060101ALI20220225BHJP
C23C 14/58 20060101ALI20220225BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20220225BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20220225BHJP
H01L 27/32 20060101ALI20220225BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20220225BHJP
【ＦＩ】
H05B33/10
C23C14/04 Z
C23C14/58 C
H05B33/12 B
H05B33/12 C
H05B33/14 A
H01L27/32
G09F9/30 365
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2018059299
(22)【出願日】2018-03-27
(65)【公開番号】P2019071267
(43)【公開日】2019-05-09
【審査請求日】2021-02-26
(31)【優先権主張番号】P 2017069113
(32)【優先日】2017-03-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2017096359
(32)【優先日】2017-05-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2017152128
(32)【優先日】2017-08-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2017209417
(32)【優先日】2017-10-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】598014825
【氏名又は名称】株式会社クオルテック
(72)【発明者】
【氏名】高原 博司
(72)【発明者】
【氏名】永田 有紀
【審査官】中山 佳美
(56)【参考文献】
【文献】特開２００９－２６６６７３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－１３１４３４（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第１９９７／０４３８７４（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００５－３０７２５４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｂ ３３／１０
Ｈ０５Ｂ ３３／１２
Ｈ０１Ｌ ５１／５０
Ｈ０５Ｂ ３３／２８
Ｃ２３Ｃ １４／５８
Ｃ２３Ｃ １４／０４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の色の画素と第２の色の画素と第３の色の画素が、マトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記第１の色の画素と前記第２の色の画素と前記第３の色の画素に、連続した第１の発光層を形成する第１の工程と、
前記第２の画素に形成された前記第１の発光層と、前記第３の画素に形成された前記第１の発光層にレーザ光を照射し、前記第１の発光層を改質する第２の工程と、
前記第１の発光層の上層に、前記第１の色の画素と前記第２の色の画素と前記第３の色の画素に、連続した第２の発光層を形成する第３の工程と、
前記第３の画素に形成された前記第２の発光層にレーザ光を照射し、前記第２の発光層を改質する第４の工程と、
前記第２の発光層の上層に、前記第１の色の画素と前記第２の色の画素と前記第３の色の画素に、連続した第３の発光層を形成する第５の工程を有し、
前記第１の発光層が放出する光の主波長は、前記第２の発光層が放出する光の主波長より長く、
前記第２の発光層が放出する光の主波長は、前記第３の発光層が放出する光の主波長より長く、
前記発光層にレーザ光を照射した時に発生した光を受光し、前記発生した光により前記レーザ光を制御することを特徴とするＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項2】
第１の色の画素と第２の色の画素と第３の色の画素が、マトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記第１の色の画素と前記第２の色の画素と前記第３の色の画素に、連続した発光層を形成する第１の工程と、
前記第２の画素に形成された前記発光層に第１のレーザ光を照射し、前記発光層を改質する第２の工程と、
前記第３の画素に形成された前記発光層に第２のレーザ光を照射し、前記発光層を改質する第３の工程と有し、
前記発光層は、第１のゲスト材料と第２のゲスト材料とを含有し、
前記第１のレーザ光の波長と、前記第２のレーザ光の波長とが異なり、
前記第１のゲスト材料は前記第１のレーザ光を吸収し、前記第２の画素に形成された前記発光層が改質され、
前記第２のゲスト材料は前記第２のレーザ光を吸収し、前記第３の画素に形成された前記発光層が改質され、
前記発光層にレーザ光を照射した時に発生した光を受光し、
前記発生した光の強度が所定値となるように、前記発光層を改質することを特徴とするＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項3】
第１の色の画素と第２の色の画素と第３の色の画素が、マトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記第１の色の画素位置に開口部を有するマスクを配し、第１の発光層を蒸着して形成する第１の工程と、
前記第１の色の画素と前記第２の色の画素と前記第３の色の画素に、連続した第２の発光層を形成する第２の工程と、
前記第３の画素に形成された前記第２の発光層にレーザ光を照射し、前記第２の発光層を改質する第３の工程と、
前記第１の色の画素と第２の色の画素と第３の色の画素に、連続した第３の発光層を形成する第４の工程と有し、
前記第１の発光層が放出する光の主波長は、前記第２の発光層が放出する光の主波長よりも長く、
前記第２の発光層が放出する光の主波長は、前記第３の発光層が放出する光の主波長よりも長いことを特徴とするＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項4】
前記の発光層に照射するレーザ光は、紫外線領域の波長のレーザ光であり、
前記レーザ光を照射した時に前記発生した光の強度が所定値となるように、前記発光層を改質することを特徴とする請求項１または請求項３記載のＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項5】
前記発光層に前記レーザ光を照射する工程において、
前記レーザ光を照射した時に発生する光を、
前記のＥＬ表示パネルの裏面より受光することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３記載のＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項6】
前記ＥＬ表示パネルは、前記レーザ光を透過する窓を有する真空保持容器内に配置され、
前記レーザ光は前記窓を透過して、前記改質させる発光層に照射することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３記載のＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項7】
前記レーザ光はスリットマスクを介して、前記改質させる発光層に照射することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３記載のＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項8】
前記第１の色の画素に形成された前記第１の発光層、第２の発光層および第３の発光層のうち、少なくとも１つの発光層が、ファイン蒸着マスクを用いる技術、または熱転写技術で形成することを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項9】
前記レーザ光を照射する発光層は、ゲスト材料とホスト材料とを含有し、
前記ゲスト材料の前記レーザ光の光吸収率は、前記ホスト材料の前記レーザ光の光吸収率よりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３記載のＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項10】
前記レーザ光を照射する発光層は、ゲスト材料とホスト材料とを含有し、
前記発光層は前記レーザ光の照射により、
前記ゲスト材料のバンドギャップが前記ホスト材料のバンドギャップよりも大きく、
前記ゲスト材料と前記ホスト材料のＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital）の相対的な配置は前記ゲスト材料のほうが前記ホスト材料よりも低く、
前記ゲスト材料と前記ホスト材料のＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital）の相対的な配置はゲスト材料のほうがホスト材料よりも高い、
の３つの関係のうち、少なくとも１つ以上の関係があるように、改質することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３記載のＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ＥＬ表示パネルに関し、特に、有機エレクトロルミネッセンス（Organic Electro-Luminescence。以下、有機ＥＬと呼ぶことがある。）素子などを有し、カラー画像表示に適するＥＬ表示パネルとＥＬ表示装置、ＥＬ表示パネルの製造方法およびＥＬ表示パネルの製造装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
マトリックス状に有機ＥＬ素子が配置されたＥＬ表示パネルが、スマートフォン、テレビの表示パネルとして商品化されている。
【0003】
図３８は、従来のＥＬ表示パネルの構造図である。画素電極１５の周辺部には土手（バンク）９５が形成されている。土手９５は、ファイン蒸着マスク２５１が画素電極１５等に接触することを防止する。
【0004】
ＥＬ表示パネルは、ＥＬ素子２２が表示画面３６（図２参照）にマトリックス状に配置されている。ＥＬ素子２２は、正孔輸送層（ＨＴＬ : hole transport layer）１６、発光層（ＥＭＬ : emitter layer）１７、電子輸送層（ＥＴＬ : electron transport layer）１８などの有機材料の積層構造を有し、この積層構造を挟持する画素電極１５（１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）と、光透過性を有するカソード電極１９で構成される。ＥＬ表示パネルにソースドライバ回路３２（図２参照）、ゲートドライバ回路３１（図２参照）を実装してＥＬ表示パネルが構成される。
【0005】
図３９は、従来のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。蒸着の際、赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色のＥＬ材料を、対応する画素に蒸着させるために、ファイン蒸着マスク２５１が使用される。ファイン蒸着マスク２５１（２５１Ｒ、２５１Ｇ、２５１Ｂ）は、対応する画素形状にあわせた穴が開口された金属または樹脂からなるマスクである。
【0006】
図３９（ａ）に図示するように、画素電極１５には、正孔輸送層１６が形成される。次に、図３９（ｂ）に示すように、赤色のファイン蒸着マスク２５１Ｒが配置される。赤色のファイン蒸着マスク２５１Ｒは、赤色の画素電極１５Ｒに対応する箇所が、開口されている。赤色のファイン蒸着マスク２５１Ｒは、他の色の画素電極（緑色の画素電極１５Ｇ、青色の画素電極１５Ｂ）に対応する箇所は開口されていない。
【0007】
以上のように、ファイン蒸着マスク２５１Ｒが配置された状態で、蒸発源から赤色の発光層材料１７２Ｒが蒸発され、マスク２５１Ｒの開口部から、赤色の画素３７Ｒに、赤色の発光層材料１７２Ｒが蒸着される。蒸着された赤色の発光層材料は、赤色の発光層１７Ｒとなる。
【0008】
緑色画素も赤色画素と同様に、図３９（ｃ）に図示するように、緑色のファイン蒸着マスク２５１Ｇが配置され、マスク２５１Ｇの開口部を介して、緑色画素３７Ｇに緑色の発光層１７Ｇが形成される。
【0009】
青色画素も赤色画素と同様に、図３９（ｄ）に図示するように、青色のファイン蒸着マスク２５１Ｂが配置され、ファイン蒸着マスク２５１Ｂの開口部を介して、青色画素３７Ｂに青色の発光層１７Ｂが形成される。
【0010】
図３９（ｅ）は図３９（ｄ）の次の工程を示す説明図である。赤、緑、青の発光層１７の上方に、電子輸送層１８が蒸着される。また、電子輸送層１８上にマグネシウム・銀（ＭｇＡｇ）などからなるカソード電極（陰極）１９が形成される。図３９（ｆ）に図示するように、カソード電極１９上には、封止層２０が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0011】
【文献】特開２００４－２３５１３８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
従来のＥＬ表示パネルでは、赤色、緑色、青色のＥＬ素子の発光層１７の形成時に、赤色、緑色、青色のファイン蒸着マスク２５１を使用する。
【0013】
しかし、ファイン蒸着マスク２５１の位置ずれが発生すると、画素３７に混色が発生する。また、蒸着マスクの位置決め機構および装置の価格が高いという課題があった。また、蒸着マスクの位置決めに長時間を必要とするため製造タクトが長くなるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明は、ＥＬ表示パネルの製造において、赤色、緑色、青色等の少なくとも１つの色の発光層の形成工程において、複数の色の画素３７（図２参照）と共通に、連続した一色の発光層１７を形成する。発光層は主として、ゲスト（ドーパント）材料とホスト材料の共蒸着により形成される。形成した発光層１７に、発光層１７を「改質」させるレーザ光を照射する。
【0015】
「改質」とは、発光層１７等が消光するか、非発光となるか、もしくは、ほとんど発光しなくなることである。あるいは、発光層１７等が、蒸発し除去されることである。
【0016】
また、「改質」とは、ゲスト材料のバンドギャップはホスト材料のバンドギャップよりも大きく、ゲスト材料とホスト材料のＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital）およびＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital）の相対的な配置は、ＨＯＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも低く、ＬＵＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも高い、のうち少なくとも１つ以上の関係が発生することである。
【0017】
また、「改質」とは、ゲスト材料に紫外線等の光を吸収させ、ゲスト材料のバンドギャップを、可視光を発光するエネルギーギャップ領域よりも大きくすることである。
【0018】
また、「改質」とは、ＥＬ素子２２を構成する膜層、または発光層１７を構成する成分の少なくとも一部、例えばゲスト材料あるいはホスト材料が、分解または重合を生じるか、または分子構造に変化を生じ、物理的性質が変化することである。
【0019】
また、「改質」とは、ＥＬ素子２２を構成する膜層、例えば発光層１７のゲスト材料あるいはホスト材料が蒸発等し、蒸着された箇所から除去することである。あるいは、ＥＬ素子を構成する膜層が、変質すること、蒸発することにより除去することである。
【0020】
発光層１７が、ゲスト材料あるいはホスト材料の共蒸着で形成されない単一の材料で構成される場合の「改質」とは、ＥＬ素子２２または発光層１７を構成する成分の少なくとも一部が、分解または重合を生じるか、または分子構造に変化を生じ、物理的性質が変化することである。また、ＥＬ素子２２を構成する膜層、または発光層材料が蒸発等し、蒸着された箇所から除去されることである。あるいは、ＥＬ素子２２を構成する膜層が、分解すること、または変質すること、または蒸発することにより除去されることである。
【発明の効果】
【0021】
本発明は、ファイン蒸着マスク２５１を使用せずに発光層１７を形成する。発光層１７は、複数の色の画素に連続して共通に形成する。画素電極１５位置の対応した発光層１７にレーザ光５９等を照射し、発光層１７を改質して、画素３７の発光層１７の発光色を変化させる。
【0022】
ファイン蒸着マスク２５１を使用しないため、ファイン蒸着マスク２５１の位置ずれ課題が発生しないため、画素３７に混色の発生がない。また、ファイン蒸着マスク２５１の位置決め機構および装置が不要であるため、製造装置のコストを削減できる。また、ファイン蒸着マスク２５１の位置決め時間がなく、製造タクトを短くできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】本発明の第１の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図2】本発明のＥＬ表示パネルのブロックおよび画素の等価回路図である。
【図3】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
【図4】本発明のＥＬ表示パネルの製造における蒸着装置とレーザ装置の説明図である。
【図5】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。
【図6】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。
【図7】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
【図8】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
【図9】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
【図10】本発明の第１の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【図11】本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の説明図である。
【図12】本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の光照射器の説明図である。
【図13】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
【図14】本発明の第２の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図15】本発明の第２の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【図16】本発明の第３の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図17】本発明の第３の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【図18】本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の転写装置の説明図である。
【図19】本発明の第４の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
【図20】本発明の第４の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
【図21】本発明の第４の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【図22】本発明の第５の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図23】本発明の第５の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【図24】本発明の第６の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図25】本発明の第６の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【図26】本発明の第７の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図27】本発明の第７の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【図28】本発明の第８の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図29】本発明の第８の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【図30】本発明の第９の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図31】本発明の第９の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【図32】本発明の他の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図33】本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の説明図である。
【図34】本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の動作の説明図である。
【図35】本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の動作の説明図である。
【図36】本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の動作の説明図である。
【図37】本発明のＥＬ表示パネルを用いた表示機器の説明図である。
【図38】従来のＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図39】従来のＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
本明細書、図面において、同様または類似した機能を発揮する構成要素には、同一あるいは類似の参照符号を付加する。また、各実施例で重複する説明は省略する場合がある。
【0025】
本明細書の実施例の説明では、他の実施例との差異事項あるいは異なる個所を中心として説明をする。本発明の実施例で記載された事項は、本明細書で記載する他の実施例に適用することができる。また、本明細書で記載する他の実施例と組み合わせることができる。
【0026】
本発明のＥＬ表示パネルおよび表示装置は、表示画面３６に、赤色画素３７Ｒ、緑色画素３７Ｇ、青色画素３７Ｂがマトリックス状に配置されている。しかし、本発明のＥＬ表示パネルおよびＥＬ表示装置は、マトリックス状に画素が配置されたものに限定するものではない。表示画面３６に、複数の色の部分を有していれば本発明の技術的範疇である。たとえば、黄色画素３７Ｙ、青色画素３７Ｂがマトリックス状に形成された表示パネルでもよい。また、画素がマトリックス状に配置された表示パネルに限定されるものではなく、所定の文字、形状を表示するＥＬ表示パネルであっても良い。第１の色の表示部と、第２の色の第１の表示部とを有するＥＬ表示パネルであればよい。
【0027】
また、本発明は、表示領域の一部にレーザ光等を照射して発光層材料等を改質するものであるから、発光する領域と改質され発光しない領域を有するＥＬ表示パネル等も本発明の技術的範疇である。
【0028】
本発明のＥＬ表示パネルの製造装置または製造方法において、「改質」は、形成したＥＬ素子２２、発光層１７の一部に光を照射し、光を照射した箇所を「改質」するものであれば、どんなパネル構造、形態あっても、本発明の技術的思想は適用できる。たとえば、単色のキャラクタ表示のＥＬ表示パネルにも適用できることは言うまでもない。
【0029】
本発明は、蒸着等の工程により発光層１７を形成した後に、レーザ光などを発光層１７に照射し、発光層１７を「改質」するとして説明するが、これに限定するものではない。たとえば、蒸着等の工程で、ＥＬ素子２２、発光層１７を形成しつつ、レーザ光などを発光層１７に照射して、発光層１７を「改質」してもよい。
【0030】
発光層１７等へのレーザ光５９の照射は、真空中で実施する。なお、２０ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下の酸素を含む窒素あるいはアルゴン雰囲気中で実施してもよい。２０以上２００ｐｐｍ以下の酸素中で改質を実施することにより、改質時間が短時間になる。
【0031】
図２は、本発明のＥＬ表示パネルの構造図、および画素の等価回路図である。表示画面３６には、赤色画素３７Ｒ、緑色画素３７Ｇ、青色画素３７Ｂがマトリックス状に配置されている。
【0032】
赤色画素３７Ｒには画素電極１５Ｒ、反射膜１２Ｒが形成または配置されている。緑色画素３７Ｇには画素電極１５Ｇ、反射膜１２Ｇが形成または配置されている。青色画素３７Ｂには画素電極１５Ｂ、反射膜１２Ｂが形成または配置されている。
【0033】
トランジスタ２１は、高温ポリシリコン(HTPS : High-temperature polycrystalline silicon)、低温ポリシリコン(LTPS : Low-temrature poly silicon)、連続粒界シリコン(CGS : Continuous grain silicon)、透明アモルファス酸化物半導体(TAOS : Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)、アモルファスシリコン（AS : amorphous silicon）、赤外線RTA（RTA : rapid thermal annealing）で形成したもののうち、いずれでもよい。
【0034】
図２（ａ）は、本発明のＥＬ表示パネルの構造図であり、図２（ｂ１）（ｂ２）は、画素３７の等価回路図である。図２（ｂ１）は、画素３７を構成するトランジスタ２１をＰチャンネルトランジスタで構成した場合の等価回路図である。図２（ｂ２）は、画素３７を構成するトランジスタ２１をＮチャンネルトランジスタで構成した場合の等価回路図である。画素３７は、ＮチャンネルのトランジスタとＰチャンネルのトランジスタの両方を用いて構成してもよい。
【0035】
画素３７には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）２１ａ、薄膜トランジスタ２１ｂ、コンデンサ２３、ＥＬ素子２２が形成されている。スイッチ用トランジスタ２１ａはソースドライバ回路３２が出力する映像信号を、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子に供給するスイッチ素子として機能する。駆動用トランジスタ２１ｂはＥＬ素子２２に電流を供給する駆動用トランジスタとして機能する。
【0036】
各画素３７のスイッチ用トランジスタ２１ａのゲート端子はゲート信号線３４に接続され、スイッチ用トランジスタ２１ａのソース端子またはドレイン端子は、ソース信号線３５、または駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子と接続されている。
【0037】
駆動用トランジスタ２１ｂのソース端子またはドレイン端子は、アノード電圧Ｖｄｄが印加されている電極、またはＥＬ素子２２のアノード端子と接続されている。
【0038】
ＥＬ素子２２のアノード端子は、駆動用トランジスタ２１ｂのドレイン端子またはソース端子と接続され、ＥＬ素子２２のカソード端子はカソード電圧Ｖｓｓが印加されたカソード電極１９と接続されている。
【0039】
本明細書では、駆動用トランジスタ２１ｂ、スイッチ用トランジスタ２１ａは、薄膜トランジスタとして説明するが、薄膜トランジスタに限定するものではなく、シリコンウエハに形成したトランジスタでもよい。トランジスタ２１は、ＦＥＴ、ＭＯＳ－ＦＥＴ、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタでもよい。
【0040】
ＴＦＴ基板５２の画素電極１５の表面を酸素プラズマ処理し、その表面に付着した有機物等の汚染物を除去する。具体的には、ＴＦＴ基板５２を所定温度、例えば７０～１８４℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。
【0041】
図１で図示するように、ＥＬ素子２２を構成するアノード電極（画素電極）１５は、透明電極であるＩＴＯで形成される。画素電極１５の下層には反射膜１２が形成されている。反射膜１２と画素電極１５を電極として、コンデンサ２３を形成してもよい。反射膜１２は電極である必要はなく、光を反射する膜であればよい。たとえば、ダイクロイックミラーのように、多層膜からなる反射膜が例示される。
赤、緑、青色画素３７で絶縁膜１４の膜厚を異ならせることにより、赤、緑、青色画素３７で保持容量Ｃを異ならせることができる。
赤、緑、青色画素３７で絶縁膜１４の膜厚を異ならせることにより、赤、緑、青色画素３７で保持容量Ｃを異ならせることができる。
【0042】
膜厚の測定には、真空下で使用でき、オングストロームオーダーの膜厚計測が可能な水晶振動子式膜厚計を用いる。水晶振動子の固有振動数は非常に安定している。このような性質を持つ水晶振動子に交流電場を印加すると、水晶振動子の固有振動数と交流電場の振動数が等しくなったところで共振現象が起こる。
【0043】
この水晶振動子表面に物質が蒸着されると、水晶振動子の固有振動数は低い振動数の方向に変化する。この変化量は蒸着物質の質量に比例する。つまり、共振周波数の変化を精度よく検出すれば、蒸着物の付着質量を膜厚に換算して膜厚が測定できることになる。
【0044】
水晶振動式膜厚モニターは、蒸着物の密度を入力し、z-ratioと呼ばれる水晶振動子と蒸着物質の音響インピーダンスの補正を行うパラメーターを入力、さらに、触針式の膜厚計やエリプソメーターによって膜厚を実測し、水晶振動子式膜厚計のモニター値のズレを補正（Tooling Factor）する必要がある。
【0045】
実際に水晶振動子に付着した蒸着物の質量を、オングストロームオーダーの膜厚として検出できる水晶振動子式膜厚計は、水晶振動子に入射する蒸着材料の量に非常に敏感になるため、膜厚補正した水晶振動子検出器の位置や角度の固定には十分に注意を払い、定期的にTooling Factorの再補正を行う必要がある。
【0046】
なお、画素電極１５は、透明電極に限定するものでなく、アルミニウム、銀などの金属材料で形成しても良い。この場合、画素電極１５が反射膜となる。また、反射膜１２と画素電極１５は積層して形成してもよい。
【0047】
本明細書では、絶縁膜１４を、画素電極１５と反射膜１２間に形成するとしたがこれに限定するものではない。１４は光透過性を機能として有すれば、いずれの材料であってもよい。たとえば、導電性を有していてもよい。
【0048】
絶縁膜１４は、一例として平坦化膜（ＨＲＣ）である。ＴＦＴ基板５２には、ＳｉＮ膜が２０ｎｍ～８０ｎｍ、その上に、ＳｉＯ２膜が５００ｎｍ～１０００ｎｍ、ＳｉＮ膜が３００ｎｍ～５００ｎｍ形成され、その上に、平坦化膜（ＨＲＣ）が１０００ｎｍ～５０００ｎｍの厚みで形成される。これらの膜を絶縁膜１４としてもよい。
画素電極１５Ｒは、図２の画素３７Ｒが対応し、画素電極１５Ｇは画素３７Ｇが対応し、画素電極１５Ｂは画素３７Ｂが対応する。
画素電極１５Ｒは、図２の画素３７Ｒが対応し、画素電極１５Ｇは画素３７Ｇが対応し、画素電極１５Ｂは画素３７Ｂが対応する。
【0049】
本発明の製造装置、製造方法、ＥＬ表示パネル等の技術的思想は、反射膜１２がなく、陰極１９を反射膜とし、下部電極側からのみ光を取り出すようにした、下面発光型のＥＬ素子２２にも適用可能である。
【0050】
ＴＦＴ基板５２は、トランジスタ２１、画素電極１５等が形成されたガラス基板である。なお、ガラス基板の代わりに樹脂からなる基板の場合もある。たとえば、ポリイミド樹脂で形成された基板であってもよい。また、ワニスを平面上に塗布し、硬化させた基板であってもよい。また、金属材料、セラミック材料からなる基板であってもよい。
【0051】
なお、本明細書では、ＴＦＴ基板５２に発光層１７などを形成する例を例示して説明するが、本発明は、ＴＦＴ基板５２を用いたＥＬ表示パネルに限定するものではない。たとえば、ＴＦＴが形成されていない単純マトリックス型ＥＬ表示パネルであっても良いし、固定の文字を表示するキャラクタ表示のＥＬ表示パネルであっても良い。
【0052】
図１は、本発明のＥＬ表示パネルの断面構成図である。ＴＦＴ基板５２の上にトランジスタ２１などからなる画素３７を形成し、その上に、一例として感光性樹脂よりなる平坦化膜２８を設ける。反射膜１２は、平坦化膜２８の下層に形成しても良いし、平坦化膜２８の上方に形成してもよい。
【0053】
平坦化膜２８の上に、ＩＴＯまたはＩＺＯからなる透明導電膜を形成し、この透明導電膜をパターニングすることにより、赤色の画素電極１５Ｒ、緑色の画素電極１５Ｇ、青色の画素電極１５Ｂを形成する。画素電極１５は、平坦化膜２８のコンタクトホール（図示せず）を介して駆動用トランジスタ２１ｂの一端子と導通させる。
【0054】
各画素電極１５の下層に形成される絶縁膜１４の膜厚は、ＥＬ素子の光学的距離Ｌを調整するための膜厚を有する。本発明は、複数色の画素電極１５の下層の絶縁膜１５において、いずれかの絶縁膜１５の膜厚を異ならせた構成である。
【0055】
光学的距離（Optical Path Length）とは、光路長とも呼ぶ。実際に光が進む距離（物理的距離）に屈折率をかけたものである。なお、各色のＥＬ素子を構成する各層の物質の屈折率は大きくは差がないため、各色のＥＬ素子の光学的距離Ｌと物理的距離は相対的に比例する。したがって、光学的距離Ｌを物理的距離に置き換え、あるいは読み替えても良い。
【0056】
本発明は、複数色を発光するＥＬ表示パネルにおいて、少なくも１つの色のＥＬ素子に、複数の発光層を形成し、他の色のＥＬ素子の発光層１７と異ならせ、光学的距離Ｌを異ならせた構成である。また、本発明は、複数色を発光するＥＬ表示パネルにおいて、少なくも１つの色のＥＬ素子の光学的距離Ｌを、他の色のＥＬ素子の光学的距離Ｌと異ならせた構成である。
【0057】
発光層１７Ｒ（第１の発光層）が放出する光の主波長λ１ｎｍは、発光層１７Ｇ（第２の発光層）が放出する光の主波長λ２ｎｍに比較してより長い。この主波長λ２は、発光層１７Ｂ（第３の発光層）が放出する光の主波長λ３ｎｍに比較してより長い。一例として、発光層１７Ｒの発光色は赤色であり、発光層１７Ｇの発光色は緑色であり、発光層１７Ｂの発光色は青色であるとする。
【0058】
図１に図示する実施例では、赤の画素電極１５Ｒ上には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。反射膜１２Ｒとカソード電極１９Ｒとの間の距離Ｌ１が赤色のＥＬ素子２２の光学的距離である。緑の画素電極１５Ｇ上には、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。反射膜１２Ｇとカソード電極１９Ｇとの間の距離Ｌ２が緑色のＥＬ素子２２の光学的距離である。青の画素電極１５Ｂ上には、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。反射膜１２Ｂとカソード電極１９との間の距離Ｌ３が青色のＥＬ素子２２の光学的距離である。
【0059】
赤の画素電極１５Ｒ、緑の画素電極１５Ｇ、青の画素電極１５Ｂの上方には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが共通に形成されている。発光層１７Ｒは、複数の色の画素（赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂ）に、共通に、かつ連続した膜として形成されている。同様に、発光層１７Ｇは、複数の色の画素に、共通に、かつ連続した膜として形成され、発光層１７Ｂは、複数の色の画素に、共通に、かつ連続した膜として形成されている。発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂは、ラフ蒸着マスクを使用して、表示画面３６の全体に形成されている。なお、ラフ蒸着マスクは、表示画面３６に開口部を有し、画素単位の開口部を有さないマスクである。
【0060】
赤色の波長は波長が最も長く、青色の波長は波長が最も短く、緑色の波長は、赤色と青色の波長の中間である。したがって、各色で最適な光学的距離Ｌは、赤色の光学的距離Ｌ１ ＞ 緑色の光学的距離Ｌ２ ＞ 青色の光学的距離Ｌ３となる。ただし、干渉次数は、赤色、緑色、青色で同一次数としている。
【0061】
本発明のＥＬ表示パネルは、光取り出し側の電極には、透過性の金属膜（ＭｇＡｇ１９）を形成し、光取り出し側と逆側には反射膜１２を形成する。反射膜として高反射金属である銀（Ａｇ）を用いる。また、光学的距離Ｌに関して、Ｌ＝（２ｍ－（φ／π））×（λ／４）を満たすことで、取り出したい波長λの光を正面方向に集光させている。φは反射膜における反射時の位相シフト［ｒａｄ］、干渉次数ｍは０又は正の整数であり、ｍ＝０の時に光学的距離Ｌは式を満足する正の最小値をとる。λは発光波長である。
【0062】
干渉次数ｍは、０又は１を選択する。干渉次数０の場合は、ＥＬ素子を構成する膜厚が薄く、使用する有機材料量を削減できるため、低コスト化を実現できる。また、視角方向による色変わりが発生しにくい。
【0063】
画素電極１５上には、正孔輸送層１６が形成されている。画素電極１５と正孔輸送層１６間に正孔注入層（ＨＩＬ：Hole injection layer、図示せず）を形成してもよい。
正孔注入層は、正孔輸送層１６のＨＯＭＯ準位と陽極の仕事関数との間にＨＯＭＯ準位を有し、陽極から有機層への掘る注入障壁を下げる働きをする。
正孔注入層は、正孔輸送層１６のＨＯＭＯ準位と陽極の仕事関数との間にＨＯＭＯ準位を有し、陽極から有機層への掘る注入障壁を下げる働きをする。
【0064】
このような正孔注入層を構成する材料としては、例えば、ベンジジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、テトラシアノキノジメタン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマーあるいはポリマーを用いることができる。
【0065】
画素電極１５の正孔輸送層１６の膜厚は、赤色、緑色、青色の画素３７で異ならせてもよい。たとえば、画素電極１５Ｒ上に正孔輸送層１６Ｒを形成し、画素電極１５Ｇ上に正孔輸送層１６Ｇを形成し、画素電極１５Ｂ上に正孔輸送層１６Ｂを形成し、それぞれの正孔輸送層１６の膜厚を異ならせる。
【0066】
本発明の第１の実施例のＥＬ表示パネルは、図１に図示するように、画素電極１５の上方には、赤色の発光層１７Ｒ、緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂが形成されている。
【0067】
「改質」する発光層１７、たとえば、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇは、ホスト材料とゲスト材料との混合物を含んでいる。発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇは、少なくとも、ホスト材料またはゲスト材料のいずれかが異なっており、発光色が互いに異なっている。
【0068】
発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の吸収スペクトルは、発光層１７Ｇの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料の吸収スペクトルは、発光層１７Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。
図１において、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは改質されている。また、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇも改質されている。
図１において、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは改質されている。また、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇも改質されている。
【0069】
図１の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、赤色で発光する。画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは発光しない。画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、緑色で発光する。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは発光しない。
【0070】
図１の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒと比較して、発光するゲスト材料をより高い濃度で含有している。
【0071】
図１の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の多くは発光可能であり、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料のほとんどは消光するか、または励起されない。または、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒと比較して、正孔移動度と正孔注入効率のうち少なくとも一方が小さい。
【0072】
画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇと比較して、発光するゲスト材料を、より高い濃度で含有している。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇのゲスト材料のほとんどは消光するかまたは励起されない。
【0073】
または、画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇと電気的特性が異なっている。画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇと比較して、正孔移動度と正孔注入効率のうち少なくとも一方がより小さい。
【0074】
画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料の多くは発光可能であり、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇが含んでいる発光層１７Ｇのゲスト材料のほとんどは消光するか、または励起されない。
【0075】
画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒと比較して、発光層１７Ｒの正孔移動度と正孔注入効率がのうち少なくとも一方がより大きい。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇと比較して、発光層１７Ｇの正孔移動度と正孔注入効率がのうち少なくとも一方がより大きい。
【0076】
本明細書では、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８を形成し、共通電極としてのカソード電極１９形成された構造のＥＬ素子２２を有するＥＬ表示パネルを例示して説明するが、これに限定するものではない。画素電極１５の上方に電子輸送層１８、発光層１７、正孔輸送層１６を形成し、共通電極としてのカソード電極１９が形成された逆構造のＥＬ素子２２を有するＥＬ表示パネルでもよい。
【0077】
逆構造のＥＬ素子２２の場合は、本発明の図面および本明細書とその説明において、正孔輸送層を電子輸送層と置き換える必要がある。また、正孔注入層を電子注入層と置き換える必要がある。
【0078】
逆構造のＥＬ素子２２の場合は、図１、図１４、図１６、図２２、図２４、図２６、図２８、図３０などの本発明のＥＬ表示パネルの構造断面図、製造方法の説明図において、正孔輸送層１６は電子輸送層１８に、電子輸送層１８は正孔輸送層１６に図を変更する必要がある。
【0079】
画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは、本発明の製造方法により、紫外線光領域または紫色光領域または青色光領域のレーザ光５９が照射される。レーザ光５９は、主として、発光層１７Ｒのゲスト材料が吸収する。紫外線とは、波長が１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、すなわち、可視光線より短く軟Ｘ線より長い不可視光線の電磁波である。赤外線は、可視光線の赤色より波長が長く（周波数が低い）、電波より波長の短い電磁波のことである。
【0080】
発光層１７Ｒのゲスト材料は、レーザ光５９の吸収によって共有結合鎖が切断される。酸素の無い蒸着室５６で共有結合鎖が切断されると、共有結合鎖のラジカルは二重結合を生成する。または、他の共有結合鎖の原子を引き抜き結合する。あるいは、他の共有結合鎖と架橋構造を生成し、構造に変化が生じる。また、共有結合鎖が切断されることで他の物質へも変化する。したがって、発光層１７Ｒのゲスト材料のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ電位が変化し、レーザ光５９を照射された発光層１７Ｒのゲスト材料は発光しなくなる。
【0081】
レーザ光５９は、狭指向性があり直進性がよい。そのため、所定の画素３７の発光層１７を選択してレーザ光５９を照射することができる。本発明等のＥＬ表示パネルは、図７等に図示するように同一色の画素３７が縦方向（画面の上から下方向）に配列されている。隣接した画素電極１５間にも、発光層１７の材料が蒸着されているが、隣接した画素電極１５間には、ソース信号線３５などが形成されている。また、隣接画素３７間には所定の間隔がある。したがって、レーザ光５９のレーザスポット９１のサイズが大きくとも、横方向に隣接した画素の発光層１７に照射されることはない。
【0082】
レーザ光５９の走査方向は、ガルバノミラー６２を制御することにより、高速かつ精度よく制御できる。また、レーザ装置５８は、蒸着室５６外に配置しているため、メンテナンスが容易である。レーザ光５９は蒸着室５６外で発生させ、発生したレーザ光５９は、レーザ窓６３を介して、蒸着室５６内の真空中に導光させる。したがって、蒸着室５６内の真空状態を良好に維持できる。なお、レーザ装置５８またはレーザヘッド部は、蒸着室５６内に配置してもよい。
【0083】
レーザ光５９の照射は、画素行あるいは画素列に一致させて順番を行っていっても良いが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、表示画面３６内の画素３７にランダムあるいは分散して（順番でなく）、レーザ光５９を照射してもよい。レーザ光５９の強弱変化がある場合、表示画面３６内の画素３７にランダムあるいは分散して照射することにより、レーザ光５９の強弱による改質ムラが発生しても、表示ムラとして視覚されにくくなる。
【0084】
照射する光の波長が短いと材料への光吸収率が高まる。光の波長が短い紫外線領域のレーザ光５９は回折限界近くまでスポット径を絞ることができるので、加工したときに周囲への熱影響を小さくでき、微細加工に適し、超高精細のＥＬ表示パネルを加工することができる。
【0085】
また、１つの画素電極１５領域内を、レーザ光５９で走査することにより、画素電極１５の形状に一致させて、良好に発光層１７などを改質させることができる。
【0086】
レーザ装置５８は、連続発振モードの装置を使用することが好ましい。しかし、パルス発振方式のレーザ装置５８は、レーザ光パルスのエネルギーが強い。マトリックス状に画素が配置されたＥＬ表示パネルのように、レーザ光５９を照射する画素が離散的に配置されている場合は、パルス発振方式のレーザ装置５８を用いることが好ましい。
【0087】
パルス発振方式のレーザ装置５８が出力するレーザ光５９は、Ｑスイッチでオンオフ制御されるため、パルス強度のバラツキが発生しやすい。そのため、改質させる箇所に、複数のレーザパルスを照射して発光層１７等を改質させることが望ましい。
【0088】
パルス発振レーザの場合は、同一箇所に複数のパルスを照射する。同一箇所に複数のパルスを照射することにより、同一箇所に照射されるレーザ光５９のエネルギーが平均化され、改質状態が均一になる。なお、レーザパルスの照射間隔は、５０ｎｓｅｃ以上５μｓｅｃ以下にすることが好ましい。また、レーザパルスの照射間隔は、第１番目のレーザパルスにより、発光層１７を半溶解状態にし、次のレーザパルスは発光層１７が固体状態になる前にレーザパルスを照射することが好ましい。
【0089】
連続発振レーザの場合は、同一箇所に複数回のレーザ光を照射する。同一箇所に複数回のレーザ光５９を照射することにより、同一箇所に照射されるレーザ光のエネルギーが平均化され、改質状態が均一になる。なお、レーザ光５９の照射間隔は、５０ｎｓｅｃ以上５μｓｅｃ以下にすることが好ましい。また、レーザ光５９の照射間隔は、第１番目のレーザ光５９のスキャンにより、発光層１７を半溶解状態にし、次のレーザ光５９のスキャンは発光層１７が固体状態になる前に実施することが好ましい。
【0090】
レーザ装置５８としては、一例として、オプトピア株式会社が製品化しているレーザ・リフト・オフ（ＬＬＯ）装置のレーザ装置を使用することができる。レーザ・リフト・オフ装置のレーザ装置のレーザ波長は３４３ｎｍ、ラインビーム長は７５０ｍｍである。ライン幅は３０μｍ、エネルギー密度は２５０ｍＪ／ｃｍ２、パルス幅は１５ｎｓである。したがって、大型のＥＬ表示パネルであっても、１画素列（画面の上端から下端）に、一つのレーザスポット９１で、１画素列にレーザ光５９を照射することができる。レーザ光５９のパルス幅は１０ｎｓｅｃ以上８０ｎｓｅｃ以下が適正である。
その他、レーザ装置５８として、波長３５５ｎｍの固体レーザを用いたもの、３０８ｎｍのエキシマレーザを用いたものも例示される。
その他、レーザ装置５８として、波長３５５ｎｍの固体レーザを用いたもの、３０８ｎｍのエキシマレーザを用いたものも例示される。
【0091】
本発明のＥＬ表示装置の製造方法は、レーザ装置５８を用いることにより、レーザ光５９を走査し、精度よく画素３７を選択して、所定の発光層１７を改質することができる。また、レーザ光５９は単位面積あたりの光強度が大きい。したがって、発光層１７等を短時間で改質することができる。
【0092】
本発明は、少なくとも、一つの色の発光層１７を形成する工程では、従来の製造方法のように、ファイン蒸着マスク２５１は使用しない。そのため、ファイン蒸着マスク２５１の位置ずれによる発光色の混色問題は発生しない。また、蒸着製造装置のコストを低減できる。ファイン蒸着マスク２５１を使用しないため、ファイン蒸着マスク２５１の位置決めも不要であるから、製造タクトを短縮することができる。
【0093】
本発明は、レーザ光５９の照射により、発光層１７のゲスト材料とホスト材料の組み合わせ状態に変化を発生させる。レーザ光５９は紫外線領域の波長の光を使用する。ゲスト材料に紫外線領域の光を吸収させる。
本発明の製造方法・製造装置は、ＥＬ素子２２を構成する膜層、発光層１７等にレーザ光等を照射し、改質させる。
したがって、レーザ光５９を照射された発光層１７は消光するか、非発光となるか、もしくはほとんど発光しなくなる。
本発明の製造方法・製造装置は、ＥＬ素子２２を構成する膜層、発光層１７等にレーザ光等を照射し、改質させる。
したがって、レーザ光５９を照射された発光層１７は消光するか、非発光となるか、もしくはほとんど発光しなくなる。
【0094】
電子と正孔との再結合は、画素３７Ｒでは、主に発光層１７Ｒにおいて生じさせる。画素３７Ｇでは電子と正孔との再結合は、主に発光層１７Ｇにおいて生じさせる。画素３７Ｂでは主に発光層１７Ｂにおいて生じさせる。
【0095】
本発明の第一の実施例におけるＥＬ表示パネルでは、画素３７Ｒでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｇおよび１７Ｂにおいても発生する可能性がある。すなわち、画素電極１５Ｒでは、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂの各々が発光する可能性がある。
【0096】
画素３７Ｒでは、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料は、発光層１７Ｇおよび発光層１７Ｂが励起されるエネルギーを吸収して発光する。発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料は、発光層１７Ｂが放出する光を吸収して励起するが、発光層１７Ｒが放出する光を吸収して励起することはほとんどない。また、発光層１７Ｂが含んでいるゲスト材料は、発光層１７Ｒまたは１７Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光することはほとんどない。
【0097】
画素３７Ｒでは、発光層１７Ｂが放出する励起エネルギーうち少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。発光層１７Ｇが励起されるエネルギーの少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。したがって、画素３７Ｒの発光色は、発光層１７Ｒの発光色とほぼ等しく、画素３７Ｒは、赤色光を放出する。
【0098】
画素３７Ｇでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｒおよび１７Ｂにおいても発生する可能性がある。画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｒは、レーザ光５９の照射により、発光するゲスト材料を含有していない。
【0099】
画素３７Ｇの発光層１７Ｒは発光するゲスト材料を含有していないので、発光層１７Ｒにおいて、色変換は生じない。発光層１７Ｂでは、上記の色変換を生じる。したがって、画素電極１５Ｇの発光色は、発光層１７Ｇの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｇは、緑色光を放出する。
【0100】
画素３７Ｂでは、電子と正孔との再結合は、主に発光層１７Ｂにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｒおよび１７Ｇにおいても発生する可能性がある。しかし、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒおよび１７Ｇは、レーザ光５９の照射により、発光するゲスト材料を含有していないので、発光層１７Ｂのみが発光する。
【0101】
画素３７Ｂの発光層１７Ｒおよび発光層１７Ｇは、発光するゲスト材料を含有していないので、発光層１７Ｒおよび１７Ｇにおいて色変換は生じない。したがって、画素３７Ｂの発光色は、発光層１７Ｂの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｂは、青色光を放出する。
【0102】
図３（ａ）に図示するように、ホスト材料は、レーザ光５９を吸収しにくく、ゲスト材料は、レーザ光５９を吸収しやすい材料を選定する。もしくは、レーザ光５９の波長は、ホスト材料が吸収しにくく、ゲスト（ドーパント）材料が吸収しやすい波長を選定する。
【0103】
好ましくは、図３（ａ）に図示するように、ゲスト材料の吸収率が７５％以上の時、ホスト材料の吸収率が２５％以下の関係となるようなホスト材料、ゲスト材料を選定する。なお、図３において、ゲスト材料およびホスト材料の光吸収率（％）は、光吸収率の最大時を１００％として規格化して図示している。
【0104】
図３（ａ）において、ゲスト材料Ａは、波長４００ｎｍ以下で吸収率（％）が増加する特性を有し、レーザ光５９の波長で、７５％以上の吸収率を有する材料の例である。ゲスト材料Ｂは、レーザ光５９の波長近傍で良好な吸収率を有する材料の例である。
【0105】
レーザ光５９の波長で、ゲスト材料の光吸収率と、ホスト材料の光吸収率は３倍以上の関係となるように、好ましくは４倍以上の関係となるように、レーザ光波長、ゲスト材料、ホスト材料を選定する。
【0106】
たとえば、レーザ光５９でのゲスト材料の光吸収率７５％、ホスト材料の光吸収率２５％とすれば、７５％／２５％＝３倍である。レーザ光５９でのゲスト材料の光吸収率５０％、ホスト材料の光吸収率１０％とすれば、５０％／１０％＝５倍である。
【0107】
レーザ光５９の波長は、正孔輸送層の光吸収率（％）も考慮する必要がある。正孔輸送層１６の上方に発光層１７が形成され、発光層１７にレーザ光５９を照射する。その際、発光層１７を透過したレーザ光５９が正孔輸送層１６に照射される場合がある。正孔輸送層１６がレーザ光５９を吸収すると正孔輸送層１６が特性変化する可能性がある。
【0108】
したがって、図３（ｂ）に図示するように、正孔輸送層１６材料は、ホスト材料と同様に、ゲスト材料のレーザ光５９の吸収率が、７５％以上の時、ホスト材料のレーザ光５９の吸収率が２５％以下の関係となるような正孔輸送層１６材料を選定することが好ましい。
【0109】
本発明は、発光層１７がゲスト材料とホスト材料から形成される構成に限定するものではない。発光層１７は、単一の材料で形成される場合もある。発光層１７が単一の材料で形成される場合は、前記単一の材料を改質させる。
【0110】
本発明は、レーザ光５９などを、ＥＬ素子２２を形成する有機膜に照射し、発光層１７などを改質させることを技術的思想とするものである。この場合、発光層１７と正孔輸送層材料のレーザ光５９の吸収率の関係が必要になる。つまり、図３（ｂ）に図示するように、レーザ光５９の波長は、正孔輸送層の光吸収率（％）と発光層１７の光吸収率（％）の関係が必要である。
【0111】
したがって、図３（ｂ）に図示するように、発光層１７材料のレーザ光５９の吸収率が７５％以上の時、正孔輸送層材料のレーザ光５９の吸収率が２５％以下の関係となるような正孔輸送層材料を選定することが好ましい。
【0112】
図３（ｂ）において、発光層材料Ａは、波長４００ｎｍ以下で吸収率（％）が増加する特性を有し、レーザ光５９の波長で、７５％以上の吸収率を有する材料の例である。発光層材料Ｂは、レーザ光５９の波長近傍で良好な吸収率を有する材料の例である。正孔輸送層材料は、レーザ光５９の波長で、光吸収率２５％以下となる。
【0113】
以上のように、発光層１７を構成する材料と、正孔輸送層を構成する材料は、改質させる光（レーザ光５９等）の波長において、７５％／２５％＝３倍以上の光吸収率差とする。好ましくは、４倍以上の光吸収率差とすることが好ましい。
【0114】
レーザ光５９の波長で、発光層１７の光吸収率と、正孔輸送層の光吸収率は３倍以上関係となるように、レーザ光波長、発光層材料、正孔輸送層材料を選定する。
【0115】
たとえば、レーザ光５９での発光層１７の光吸収率７５％、正孔輸送層材料の光吸収率２５％とすれば、７５％／２５％＝３倍である。レーザ光５９での発光層１７の光吸収率５０％、正孔輸送層の光吸収率１０％とすれば、５０％／１０％＝５倍である。
図３で説明する事項は、本発明の他の実施例においても適用されることは言うまでもない。
図３で説明する事項は、本発明の他の実施例においても適用されることは言うまでもない。
【0116】
図１の実施例において、画素電極１５Ｒの上方の発光層は、赤色の発光層１７Ｒが赤色で発光する。緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂは発光しない。赤色の発光層１７Ｒは、“発光”、緑色の発光層１７Ｇは“消光”、青色の発光層１７Ｂは“消光”となっている。
【0117】
画素電極１５Ｇの上方の発光層は、緑色の発光層１７Ｇが緑色で発光する。赤色の発光層１７Ｒおよび青色の発光層１７Ｂは発光しない。赤色の発光層１７Ｒは、“消光”、緑色の発光層１７Ｇは“発光”、青色の発光層１７Ｂは“消光”となっている。
【0118】
画素電極１５Ｂの上方の発光層は、青色の発光層１７Ｂが青色で発光する。赤色の発光層１７Ｒおよび青色の発光層１７Ｂは発光しない。赤色の発光層１７Ｒは、“消光”、緑色の発光層１７Ｇは“消光”、青色の発光層１７Ｂは“発光”となっている。
【0119】
正孔輸送層１６は、発光層１７へ正孔を輸送する働きをし、発光層と接するため発光層１７から励起エネルギーが移動せず、さらには他の層と相互作用してエキサイプレックスを形成しないように、発光層１７よりもエネルギーバンドギャップが大きな材料が用いられる。たとえば、ＴＰＤ、α―ＮＰＤ、ＮＢＰ、ＴＣＴＡが例示される。
正孔注入層は、正孔輸送層１６のＨＯＭＯ準位と陽極の仕事関数との間にＨＯＭＯ準位を有し、陽極から有機層への掘る注入障壁を下げる働きをする。
正孔注入層は、正孔輸送層１６のＨＯＭＯ準位と陽極の仕事関数との間にＨＯＭＯ準位を有し、陽極から有機層への掘る注入障壁を下げる働きをする。
【0120】
発光層１７の上方には、電子輸送層１８を形成されている。電子輸送層１８とカソード電極１９との間に電子注入層（ＥＩＬ：Electron injection layer 図示せず）を形成してもよい。電子輸送層１８の種類は、赤色画素３７Ｒ、緑色画素３７Ｇ、青色画素３７Ｂで異ならせてもよい。
【0121】
カソード電極（陰極）１９は、例えば金属材料を用いて構成されたものであり、光透過性を有している。例えば、ＭｇＡｇなどの光透過性を有する層を用いた薄膜により構成されている。この金属陰極層は、さらにアルミキノリン錯体、スチリルアミン誘導体、フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層であっても良い。さらに第３の層としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。
【0122】
一実施例としてＭｇＡｇを例示してカソード電極（陰極）を形成している。カソード電極（陰極）１９は、蒸着により形成する。カソード電極（陰極）１９を形成したのち、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ法により、封止層２０を形成する。例えば、アモルファス窒化シリコンからなる封止層２０を形成する場合には、ＣＶＤ法によって１μｍ以上５μｍ以下の膜厚に形成する。この際、有機層の劣化による輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に設定すると共に、封止層の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。
【0123】
また、ＳｉＯＮなどをＣＶＤで形成した後、有機材料などを形成して、封止層２０としてもよい。封止層２０には、封止フィルム２７を貼り付け、防湿対策をすることが好ましい。また、光出射側には、表示コントラストを良好なものとするため、円偏光板（円偏光フィルム）２９を貼り付けることが望ましい。
【0124】
電子注入層は、電子注入層として用いられるものであり、仕事関数が小さく、かつ光透過性の良好な材料を用いて構成される。このような材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）、さらにはこれらの酸化物および複合酸化物の混合物を用いることができる。
【0125】
電子注入層は、このような材料に限定されることはなく、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、さらにはインジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の仕事関数の小さい金属、さらにはこれらの金属の酸化物および複合酸化物、フッ化物等を、単体でまたはこれらの金属および酸化物および複合酸化物、フッ化の混合物や合金として安定性を高めて使用しても良い。
【0126】
電子輸送層１８は、カソード電極（陰極)１９から電子を注入し輸送する機能を持つ。正孔輸送層１６と同様に、バンドギャップが広い材料が好ましい。また、発光層１７内で生成した励起子の移動を阻止する働きもあるため、励起子阻止層や、ＢＣＰはホールの移動を阻止する作用があるため、ホールブロッキング層として使われることもある。
【0127】
電子輸送層１８の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、スチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。
【0128】
具体的には、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ3）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、Ｃ６０、アクリジン、スチルベン、１，１０－フェナントロリンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。このような電子輸送層（ＥＴＬ）１８は積層構造であっても良い。
【0129】
発光層１７は、画素電極（陽極）１５とカソード電極（陰極）１９とに対する電圧印加時に、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とが再結合する領域である。
【0130】
このような発光材料としては、例えば、多環縮合芳香族化合物、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキサノイド化合物、ジスチリルベンゼン系化合物などの薄膜形成性の良い化合物を用いることができる。
【0131】
多環縮合芳香族化合物としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン骨格を含む縮合環発光物質や、約８個の縮合環を含む他の縮合環発光物質などを挙げることができる。
【0132】
具体的には、１，１，４，４－テトラフェニル－１，３－ブタジエン、４，４'－（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニルなどを用いることができる。この発光層は、これらの発光材料の１種または２種以上からなる層で構成されてもよいし、あるいは該発光層とは別種の化合物からなる発光層を積層したものであってもよい。
【0133】
発光層１７は、燐光（燐光）発光材料とホスト材料とを含有する層とすることが好ましい。燐光発光材料を用いて発光層１７を構成した場合、正孔輸送層１６は、炭素より重い第１４族元素の有機化合物基を有する材料で構成されていることが好ましい。
【0134】
ホスト材料は、発光材料の濃度消光が激しいときや、発光材料のキャリア移動度が遅く単層膜として挿入できない場合など、バイポーラー性のホスト材料中に発光色素（ゲスト材料）をドーピングする。ホスト材料は、ゲスト材料よりも大きなバンドギャップを有している必要がある。
【0135】
また、燐光発光材料をドーピングするときは、ホスト材料の三重項のバンドギャップも燐光発光材料よりも大きい必要がある。小さい場合はエネルギー移動し、エネルギーを閉じ込められなくなったり、ホスト材料の三重項から熱失活してしまったりするので、材料の選択には注意を要する。
【0136】
燐光材料には、禁制である三重項からの発光をえるため、重原子効果を利用する。そのため、中心金属に白金やイリジウムを有する材料が例示される。これらの金属錯体は、配位子のπ電子の広がりを制御することによって、青（Ｂ）色～赤（Ｒ）色の発光色が得られている。
【0137】
ホスト材料としては、4,4'-Bis(9H-carbazol-9-yl)biphenyl 、4,4'-Bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl、9,9'-Bianthracene、4,4'-Bis(9H-carbazol-9-yl)biphenyl (purified by sublimation)、2,6-Bis[3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]pyridine、Bis[2-(2-pyridinyl)phenolato]beryllium(II) 、4,4'-Bis(9H-carbazol-9-yl)-2,2'-dimethylbiphenyl 、2,8-Bis(9H-carbazol-9-yl)dibenzothiophene 、2,6-Bis(9H-carbazol-9-yl)pyridine 、2,2''-Bi-9,9'-spirobi[9H-fluorene] (This product is only available in Japan.) 、9,9-Bis[4-(1-pyrenyl)phenyl]fluorene 、9,10-Bis(4-methoxyphenyl)anthracene 、4,4'-Bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl (purified by sublimation) 、Bis[2-[(oxo)diphenylphosphino]phenyl] Ether 、3,7-Bis[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-2,6-diphenylbenzo[1,2-b:4,5-b’]difuran 、9,10-Diphenylanthracene 、9,10-Di(1-naphthyl)anthracene 、1,3-Di-9-carbazolylbenzene (purified by sublimation) 、9,10-Di(2-naphthyl)anthracene 、9,10-Diphenylanthracene (purified by sublimation) 、3,3'-Di(9H-carbazol-9-yl)-1,1'-biphenyl 、9,9'-Diphenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole 、3,3''-Di(9H-carbazol-9-yl)-1,1':3',1''-terphenyl 、9-[3-(Dibenzofuran-2-yl)phenyl]-9H-carbazole 、Diphenyl[9,9'-spirobi[9H-fluoren]-2-yl]phosphine Oxide (This product is only available in Japan.) 、1,4-Di(1-pyrenyl)benzene 、2,7-Di(1-pyrenyl)-9,9'-spirobi[9H-fluorene] 、9,10-Di(1-naphthayl)anthracene (purified by sublimation) 、9,10-Di(2-naphthayl)anthracene (purified by sublimation) 、2-Methyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene 、Poly(N-vinylcarbazole) 、Tris(8-quinolinolato)aluminum 、1,3,5-Tri(9H-carbazol-9-yl)benzene (purified by sublimation) 、Tris(8-quinolinolato)aluminum (purified by sublimation) 、4,4',4''-Tri-9-carbazolyltriphenylamine (purified by sublimation) 、4,4',4''-Tri-9-carbazolyltriphenylamine 、1,3,5-Tri(1-naphthyl)benzene 、9,9',10,10'-Tetraphenyl-2,2'-bianthracene等が例示される。
【0138】
赤（Ｒ）色ドーパント（ゲスト材料）としては、4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-dimethylaminostyryl)-4H-pyran 、4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)vinyl]-4H-pyran 、DCJTB 、(1,10-Phenanthroline)tris[4,4,4-trifluoro-1-(2-thienyl)-1,3-butanedionato]europium(III) 、5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene 、Tris(1,3-diphenyl-1,3-propanedionato)(1,10-phenanthroline)europium(III) 、5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene (purified by sublimation) 、Tris[1-phenylisoquinoline-C2,N]iridium(III) (purified by sublimation) 、Tris(acetylacetonato)(1,10-phenanthroline)europium(III) 、Tris(1,10-phenanthroline)ruthenium(II) Bis(hexafluorophosphate) が例示される。
【0139】
緑（Ｇ）色ドーパント（ゲスト材料）としては、Bis(8-quinolinolato)zinc(II) Hydrate 、Bis[2-(2-benzothiazolyl)phenolato]zinc(II) 、Bis[2-(2-benzoxazolyl)phenolato]zinc(II) 、3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin 、3-(2-Benzimidazolyl)-7-(diethylamino)coumarin 、Coumarin 545T 、(2,2'-Bipyridine)bis(2-phenylpyridinato)iridium(III) Hexafluorophosphate 、(2,2'-Bipyridine)bis[2-(2,4-difluorophenyl)pyridine]iridium(III)Hexafluorophosphate、9,10-Bis[N-(m-tolyl)anilino]anthracene 、9,10-Bis[N,N-di(p-tolyl)amino]anthracene 、2,6-Bis(diphenylamino)anthraquinone 、B5149 9,10-Bis[N-(p-tolyl)anilino]anthracene 、7-(Diethylamino)-3-(1-methyl-2-benzimidazolyl)coumarin 、Coumarin 153 、Coumarin 545 、N,N'-Dimethylquinacridone 、N,N'-Dimethylquinacridone (purified by sublimation) 、7-(Dimethylamino)-4-(trifluoromethyl)coumarin 、7-(Diethylamino)-4-(trifluoromethyl)coumarin 、5,12-Dibutyl-1,3,8,10-tetramethylquinacridone 、N,N'-Dibutylquinacridone 、(4,4'-Di-tert-butyl-2,2'-bipyridine)bis[(2-pyridinyl)phenyl]iridium(III) Hexafluorophosphate 、Quinacridone 、Quinacridone (purified by sublimation) 、Tris(2-phenylpyridinato)iridium(III) (purified by sublimation) 、Tris(acetylacetonato)(1,10-phenanthroline)terbium(III) が例示される。
【0140】
青ドーパント（ゲスト材料）としては、1,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]benzene 、4,4'-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl 、1,4-Bis[2-(9-ethylcarbazol-3-yl)vinyl]benzene 、3-(Diphenylamino)dibenzo[g,p]chrysene 、Perylene 、Perylene (purified by sublimation) 、4-Styryltriphenylamine 、1,3,6,8-Tetraphenylpyrene 、2,5,8,11-Tetra-tert-butylperylene が例示される。
本発明のＥＬ表示パネルの発光層１７は、ホスト材料とドーパンド材料（ゲスト材料）を共蒸着して形成することが好ましい。
本発明のＥＬ表示パネルの発光層１７は、ホスト材料とドーパンド材料（ゲスト材料）を共蒸着して形成することが好ましい。
【0141】
ＥＬ素子２２が、共振器構造となっている場合、半透過、半反射性を有して構成された陰極１９の光反射面と、反射膜１２の光反射面との間で多重干渉させた発光が陰極１９側から取り出される。反射膜１２の光反射面と陰極１９側の光反射面との間の光学的距離Ｌは、取り出したい光の波長によって規定され、この光学的距離Ｌを満たすように各層の膜厚および干渉条件が設定される。
光学的距離Ｌは、反射膜と光出射膜間の距離と、反射膜と光出射膜間の構成材料で規定される。
光学的距離Ｌは、反射膜と光出射膜間の距離と、反射膜と光出射膜間の構成材料で規定される。
【0142】
このような上面発光型のＥＬ素子２２においては、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能である。
【0143】
図１の実施例では、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂの絶縁膜１４を調整して、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂの光学的距離Ｌをキャビティ効果が最大に発揮されるように形成したものであった。しかし、本発明は、これに限定するものではない。
図３２（ａ）は、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素の干渉次数を０次、青（Ｂ）画素の干渉次数を１次に形成した実施例である。
図３２（ａ）は、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素の干渉次数を０次、青（Ｂ）画素の干渉次数を１次に形成した実施例である。
【0144】
絶縁膜１４の膜厚を、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素で異ならせて形成している。また、青（Ｂ）画素の正孔輸送層（ＨＴＬ）を厚く形成している。正孔輸送層は、１回の蒸着による形成ではなく、複数回の蒸着により形成している。また、複数回の蒸着で形成する正孔輸送層は、異なる正孔輸送層の材料で形成してもよい。
【0145】
キャビティ効果を発揮する光学的距離Ｌは（）、発光波長に比例させる。赤の波長は緑の波長より長く、緑の波長は青の波長より長い。したがって、干渉次数が同一の場合、赤の光学的距離Ｌ１は緑の光学的距離Ｌ２より長く、緑の光学的距離Ｌ２は青の光学的距離Ｌ３より長い。
【0146】
ＥＬ素子２２の膜厚は、１００ｎｍ程度である。干渉次数が０次の場合、青の画素３７Ｂの膜厚が最も薄くなる。光学的距離Ｌが薄いと製造時のダストなどによる欠陥が発生しやすい。したがって、赤の画素３７Ｒに比較して、青の画素３７Ｂの欠陥の発生が多く、青の画素３７Ｂの欠陥でＥＬ表示パネルの歩留まりを低下させる。
【0147】
図３０（ａ）の実施例のように、青の画素３７Ｂの干渉次数を１次とし、他の色の画素（０次）よりもＥＬ素子２２の膜厚を厚くすることにより、ＥＬ表示パネルの歩留まりを向上できる。また、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素で、発光する波長に対応して最適な光学的距離Ｌを実現できるので、キャビティ効果を発揮し、良好な色再現性を実現できる。
【0148】
なお、図３０（ａ）では、３色のうち、青（Ｂ）の画素の干渉次数を１次としたが、本発明はこれに限定するものではなく、図２８（ｂ）のように、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素のすべての干渉次数を１次してもよい。また、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素の膜厚を異ならせる構成は、共通の膜層に限定するものではなく、たとえば、赤（Ｒ）画素は、正孔輸送層（ＨＴＬ）とし、緑（Ｇ）画素は発光層（ＥＭＬ）とし、青（Ｂ）画素は絶縁膜１４Ｂとしてもよい。
【0149】
また、図３０（ｃ）に図示するように、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素で干渉次数を同一とし、共通の膜層で光学的距離を調整してもよい。図３０（ｃ）は、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素の干渉次数を０次と共通にし、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素で絶縁膜を異ならせることにより、最適なキャビティ効果を実現し、良好な色再現性を実現した実施例である。青（Ｂ）画素では絶縁膜が無くとも良い。反射膜１２Ｂと画素電極１５Ｂとを積層させる。
【0150】
また、図３０（ｄ）に図示するように、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素で干渉次数を異ならせ、複数の色で、干渉次数を１次としてよいことは言うまでもない。赤（Ｒ）画素は干渉次数を０次とし、緑（Ｇ）画素および青（Ｂ）画素で干渉次数を１次としている。緑（Ｇ）画素では発光層１７Ｇを厚く形成し、青（Ｂ）画素では、絶縁膜１４Ｂを厚く形成している。
【0151】
画素電極１５の周囲には土手（バンク）９５が形成されている。土手９５は、主として、ファイン蒸着マスク２５１を配置する際、ファイン蒸着マスク２５１が画素電極１５などと接触することを防止すること、発光層１７が隣接した画素間に混入することを防止することを目的として形成される。
【0152】
本発明のように、ファイン蒸着マスク２５１を使用しない場合、レーザ光５９などの狭指向性の光を照射して、発光層１７を改質する場合、また、画素間に混色が発生しない場合、また、画素間の混色を防止または抑制できる場合等は、図３０、図３１に図示するように、土手９５は形成しなくともよいことは言うまでもない。
【0153】
なお、本発明の製造装置、製造方法、ＥＬ表示パネル等は、反射膜１２を形成し、透明なカソード電極１９側から、発光層１７で発生した光を取り出す上面発光型のＥＬパネルを例示して説明する。しかし、本発明はこれに限定するものではなく、陰極１９を反射膜として、下部電極側からのみ光を取り出すようにした、下面発光型のＥＬ表示パネルにも適用できる。
【0154】
図４は、本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の蒸着装置の構成図および説明図である。本発明のＥＬ表示パネルの蒸着装置は、金属蒸発源６５、有機蒸発源６６を備えた蒸着室５６を有する。蒸着室５６には、ＴＦＴ基板５２を保持するための移動ステージ５１と、ＴＦＴ基板５２を所定温度に保持あるいは調整する温度調整板５３、真空ポンプ（真空排気装置）５４、真空ポンプ５４と蒸着室５６とを結ぶ排気ダクト５５を備えている。
【0155】
真空ポンプ５４は、オイルミストや熱分解したオイル成分が、きわめてわずかであるが真空チャンバー内へ混入して不純物として振る舞うために、水分を効果的に除去できるクライオポンプや、メンテナンスがほぼ必要のないターボ分子ポンプと液体窒素トラップを組み合わせたドライな排気系を採用している。
【0156】
本発明の有機ＥＬパネルの製造装置は、真空一貫で作製したＥＬ表示パネルを、大気に曝すことなく酸素や水分濃度が０．１ｐｐｍ以下のグローブボックスへ取り出し、ガラスやアルミ缶などのガスバリア性の高い封止缶とＵＶ硬化樹脂を用いて封止まで行うように製造する。
【0157】
チャンバー室１１１（図１１参照）の蒸着室５６、転写装置室１１７およびレーザ装置室１１８の真空度は、１×１０－３Ｐａ以上の真空度に保つことが好ましい。さらに好ましくは１×１０－４Ｐａ以上の真空度に保つことが好ましい。
【0158】
有機分子は酸素存在下で加熱すると、酸化反応が進み炭化してしまうことが多い。しかし、高真空下では沸点降下現象により沸点（昇華点）は低下するが、有機分子を構成するＣ－Ｃ結合などの化学結合を解離・分解するエネルギーは影響を受けない。そのため、大気中で分解することなく昇華（蒸発）することができない有機材料も、酸素も取り除かれた高真空状態で加熱することによって、容易に昇華させ基板上へ薄膜を製膜することが可能となる。
【0159】
また、蒸着された有機材料にレーザ光を照射しても、酸素も取り除かれた高真空状態であるため、有機材料は必要な化学的変化が促進される。したがって、レーザ光を照射しても、酸化反応が進み炭化してしまうことがない。
２種類の有機材料を共蒸着法により製膜できるように、複数の蒸着用電源および膜厚計がホスト材料用とゲスト材料用に設置されている。
２種類の有機材料を共蒸着法により製膜できるように、複数の蒸着用電源および膜厚計がホスト材料用とゲスト材料用に設置されている。
【0160】
蒸着源が複数設置される場合には、蒸着源を基板直下に集中することができないため、膜厚のムラが危惧される。本発明の製造装置および製造方法では１０～１２ｒｐｍの速度でＴＦＴ基板５２を回転させることにより対策している。
【0161】
容器（るつぼ等）を蒸着室５６内に複数設け、この容器の一方にはホスト材料を、他方にはゲスト材料を充填し、このホスト材料とゲスト材料とを同時に蒸発させて、ホスト材料とゲスト材料とを共蒸着させる。
【0162】
図４に図示するように、レーザ装置５８が発生したレーザ光５９は、光量調整フィルタ６０でレーザ光５９の強度が調整される。発光層１７を改質させるレーザ光５９は、主として紫外線波長領域のレーザ光５９を採用する。
図４等で説明するレーザ装置５８に関する事項は、図２０で説明する付着物２０１の除去装置、あるいは付着物２０１の改質装置として適用できる。
図４等で説明するレーザ装置５８に関する事項は、図２０で説明する付着物２０１の除去装置、あるいは付着物２０１の改質装置として適用できる。
【0163】
なお、図４では、図示を容易にするためにレーザ装置５８は１台として図示しているがこれに限定するものではない。複数のレーザ装置５８を使用してもよい。また、レーザ装置５８は、ライン状のレーザ光５９を発生するものであってもよいし、面状にレーザ光５９を発生するレーザ装置５８を使用してもよい。
【0164】
光量調整フィルタ６０として、偏光ビームスプリッターを用いたバリアブルアッテネータが例示される。偏光ビームスプリッターの手前でλ／２波長板を回転させる事により、透過率(反射率)を変化させる。キューブタイプの偏光ビームスプリッターを使用する為、光軸のシフトも最小限に抑えることができる。
【0165】
レーザ装置５８が発生したレーザ光５９は必要に応じて、シリンドリカルレンズ６１で矩形あるいは楕円形に整形する。また、スリットマスクで画素形状に略一致させるように略矩形あるいは円形状に整形する。
【0166】
光量調整フィルタ６０で強度が調整されたレーザ光５９は、ガルバノミラー６２に入射する。ガルバノミラー６２は、ＸＹの２次元エリア（ＴＦＴ基板５２あるいはドナーフィルム１９７）にレーザ光５９を走査させる。ガルバノミラー６２ではＸおよびＹ軸方向にレーザ光５９を走査させる２つのモーター（ロータリーエンコーダー）を使用している。
【0167】
レーザ光５９は、蒸着室５６に配置されたレーザ窓６３を介して、蒸着室５６に入射する。レーザ光５９は、高真空状態でＴＦＴ基板５２を照射される。レーザ窓６３は石英ガラスで形成されている。
【0168】
レーザ装置５８は蒸着室５６外部の大気中に配置され、レーザ光５９がレーザ窓６３から、蒸着室５６の真空中に入射させる。したがって、レーザ装置５８の操作、保守が容易である。
【0169】
レーザ光５９をＴＦＴ基板５２に結像するためのレンズとして、ｆθ（エフシータ）レンズ６４を具備している。ｆθレンズ６４は、レンズのレンズ面の曲率をかえることにより、レンズ周辺部と中心部で走査速度が一定になるように設計されている。
【0170】
レーザ装置５８が発生したレーザ光５９は、ガルバノミラー６２でレーザ光の方向を変化させられ、ｆθレンズ６４により、ＴＦＴ基板５２あるいはドナーフィルム１９７の表面に照射される。
【0171】
図５に図示するように、必要に応じて、ｆθレンズ６４の位置を、ｆθレンズ６４ａからｆθレンズ６４ｂ間で変化させる。ｆθレンズ６４の位置を変化させることにより、レーザ光５９のフォーカス位置を変更できる。
【0172】
ｆθレンズ６４は、材質にベリリウムを使用したベリリウムミラーを用いている。ベリリウムはアルミニウムより軽く、鉄より丈夫な金属で研磨すると紫外光から赤外線を非常によく反射するのでレーザの波長にもマッチしている。
【0173】
また、移動ステージ５１の位置を、移動ステージ５１ａから移動ステージ５１ｂ間で変化させる。移動ステージ５１の位置を変化させることにより、レーザ光５９のフォーカス位置を変更できる。フォーカス位置を変化させると、レーザ光５９の照射範囲、レーザスポット９１の大きさを変更できる。
【0174】
【0175】
レーザ装置５８はレーザ光５９を発生する。レーザ光５９は光分離ミラー７２ｂに入射する。光分離ミラー７２ｂは、レーザ装置５８が発生したレーザ光５９の強度をモニターするため、ハーフミラー的な機能を有する。光分離ミラー７２ｂは、レーザ光５９の所定割合のレーザ光を反射する。
光分離ミラー７２ｂで反射したレーザ光５９ｂは、ミラー７３ｂで反射し、レンズ７４ｃで集光されて光増幅回路７６ｂに入射する。
光分離ミラー７２ｂで反射したレーザ光５９ｂは、ミラー７３ｂで反射し、レンズ７４ｃで集光されて光増幅回路７６ｂに入射する。
【0176】
図６（ｂ）は、光増幅回路７６の回路図である。光増幅回路７６は、ホトダイオード（ＰＤ）、オペアンプ８１、抵抗Ｒ、コンデンサＣなどで構成する。光増幅回路７６は、ホトダイオード（ＰＤ）で、レーザ光５９ｂを光－電気変換する。光－電気変換されたレーザ光は、増幅され、アナログ信号電圧Ｖ２となる。アナログ信号電圧Ｖ２はＡ／Ｄ変換回路８０ｂでデジタル信号に変換され、レーザ制御回路７９に入力される。
【0177】
レーザ制御回路７９は、レーザ光５９の強弱を検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内となるように、レーザ装置５８をフィードバック制御する。フィードバック制御により、レーザ光５９の強度は所定値範囲内に設定される。
【0178】
レーザ装置５８からのレーザ光５９ａは光分離ミラー７２ｂ、光分離ミラー７２ａを透過し、蒸着室５６のレーザ窓６３から、蒸着室５６に導光され、改質対象の発光層１７に入射する。
【0179】
光分離ミラー７２ａは、波長分離ミラーとして機能する。光分離ミラー７２ａは表面に光学的多層膜が形成され、特定の帯域の波長を透過し、特定の帯域の波長を反射する機能を有する。光分離ミラー７２ａはレーザ光５９ａを透過し、発光層１７で励起された蛍光・燐光波長の光７１を反射する。
【0180】
蛍光・燐光波長の光７１はレンズ７４ａで集光され、ミラー７３ａで方向を曲げられ、レンズ７４ｂで集光される。光フィルタ７５は、集光された光７１のうち、一定の範囲内の波長のみを透過させる。光フィルタ７５は、励起され、発生した所定帯域範囲内の波長の光強度を検出するために使用される。
【0181】
光フィルタ７５を透過した蛍光・燐光波長の光７１は、光増幅回路７６ａに入射する。光増幅回路７６ａは、ホトダイオード（ＰＤ）で、光７１を光－電気変換する。光－電気変換された光７１は、増幅され、アナログ信号電圧Ｖ１となる。アナログ信号電圧Ｖ１はＡ／Ｄ変換回路８０ａでデジタル信号に変換され、レーザ制御回路７９に入力される。
【0182】
図６の実施例で、光検出素子はホトダイオード（ＰＤ）としたが、これに限定するものではない。たとえば、光電子増幅管、光電管、太陽電池なども使用することができることは言うまでもない。
【0183】
また、ホトダイオード（ＰＤ）を、ＣＣＤあるいはビデオカメラに置き換えてもよい。ＣＣＤ等で蛍光・燐光の発生分布を２次元状に観察し、蛍光・燐光の強度、分布をリアルタイムで測定する。測定結果で、改質状態を判断する。２次元状に観察できるように構成することにより、多数の画素を同時に改質し、同時に改質状態を測定できるようになる。
【0184】
レーザ制御回路７９は、蛍光・燐光（蛍光または燐光）波長の光７１の強弱を検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内かを検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内である場合、レーザ装置５８が照射するレーザ光５９ａの照射位置を変化あるいは移動させる。また、レーザ光５９ａの強度を変化させる。
【0185】
レーザ光５９ｂが蒸着された発光層１７に照射され、発光層１７は励起されて蛍光・燐光７１を発光する。レーザ光５９ａは照射された発光層１７を改質させる。発光層１７が改質されると、発光層１７が発生する蛍光・燐光７１の強度は低下する。
【0186】
したがって、レーザ光５９ａは、発光層１７を励起する機能と、発光層１７を改質する機能の２つを併せ持つ。特に、レーザ光５９ａは、紫外線領域の光であるため、発光層１７を励起しやすい。
【0187】
レーザ光５９ａは波長が固定波長のため、発生する蛍光・燐光７１の波長と分離しやすい。したがって、蛍光・燐光７１の光の検出が容易である。また、図６で示すように、光検出装置７７は、蛍光・燐光７１を分離する光フィルタ７５、光分離ミラー７２ａを具備するため、検出は容易である。
【0188】
光フィルタ７５の透過波長は、発光層１７が発生する蛍光・燐光７１の波長に対応させて切り替える。光増幅回路７６ａの増幅率は、発光層１７が発光する蛍光・燐光７１の波長・強度で異なるからである。
【0189】
発光層、発光層１７Ｒが発光する蛍光・燐光７１の波長・強度と、発光層１７Ｇが発光する蛍光・燐光７１の波長・強度と、発光層１７Ｂが発光する蛍光・燐光７１の波長・強度とは異なるので、それぞれの発光層１７の蛍光・燐光７１に対応して最適値に制御する。
【0190】
蛍光・燐光７１の強度を測定あるいは検出することにより、発光層１７の改質状態を把握できる。改質状態が所定の設定値を越えた場合、レーザ光５９ａの照射対象の画素３７の改質が完了したと判断し、改質させる次の画素にレーザ光５９ａを位置決め動作させる。
【0191】
光検出装置７７と光制御装置７８は、同一の部材に取り付けられている。したがって、レーザ光５９の照射位置の移動にともない、光検出装置７７も、同時に移動する。なお、光検出装置７７を蒸着室５６内に設置し、光制御装置７８は蒸着室５６外に設置してもよいことは言うまでもない。
【0192】
光増幅回路７６はＴＦＴ基板５２の裏面に配置してもよい。レーザ光５９ｃをＴＦＴ基板５２の裏面に配置した光増幅回路７６ｃなどで検出する。また、蛍光・燐光７１ａをＴＦＴ基板５２の裏面に配置した光増幅回路７６ｃなどで検出する。
【0193】
光検出装置７７は、図６（ｃ）に図示するように、蛍光・燐光７１を検出するレンズ７４の角度θを可変できるように構成する。角度θの変更あるいは設定は、蒸着室５６外に設置した制御装置で行う。角度θは、蛍光・燐光７１が最も強く検出できる角度に自動調整される。
蛍光・燐光７１の強度を最も強く検出できるように、レンズ７４ａ、レンズ７４ｂ、光検出装置７７ａ、光検出装置７７ｂの位置を変更あるいは設定する。
蛍光・燐光７１の強度を最も強く検出できるように、レンズ７４ａ、レンズ７４ｂ、光検出装置７７ａ、光検出装置７７ｂの位置を変更あるいは設定する。
【0194】
光検出装置７７は、蛍光・燐光７１の強度だけでなく、波長も判別できるように構成しておくことが好ましい。たとえば、赤色の発光波長が、緑色の発光波長に変化した割合、あるいは変化量を検出する。緑色の発光波長に変化すれば、結果的に、赤色の発光波長は「消光」状態となり、非発光になったと検出できる。
【0195】
なお、発光層１７に照射するレーザ光５９ａとは別に、発光層１７を励起させる光を別途発生させ、前記光を発光層１７Ｇに照射させてもよい。たとえば、蛍光・燐光発光用のレーザ光５９の発生装置を別途設置し、前記レーザ光５９を改質する発光層１７に照射する構成が例示される。
【0196】
発生する蛍光・燐光７１の強度が所定値以下となれば、発光層１７が消光状態となる。消光状態になると、発光層１７Ｇの改質が完了したと判断し、レーザ光５９ａの照射位置を、次の画素に移動させる。また、改質に要する時間を計測し、レーザ光５９ａの強度を制御する。
なお、蛍光・燐光７１の強度だけでなく、蛍光・燐光７１の強度の変化速度も検出あるいは測定できるように構成することが好ましい。
なお、蛍光・燐光７１の強度だけでなく、蛍光・燐光７１の強度の変化速度も検出あるいは測定できるように構成することが好ましい。
【0197】
蛍光・燐光７１の強度・波長を、光検出装置７７でモニターすることにより、改質対象の画素の発光層１７を精度よく消光状態にすることができる。また、光制御装置７８でレーザ装置５８が出力するレーザ光５９の強度をモニターすることにより、発光層１７に照射するレーザ光強度を、安定した一定値にすることができるため、改質対象の画素の発光層１７を精度よく消光状態にすることができる。
【0198】
レーザ装置５８は、Ａ紫外線（ＵＶ－Ａ)近傍の３１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長の光を発生し、発生した光を所定の画素電極１５上に照射する機能を有する。
【0199】
紫外線を発生するレーザ装置は、光子の持つエネルギーが大きいため、結合の弱い部分を持つ材料（主に有機物）に照射すると分子結合を直接解離する光分解加工が行える。光分解加工はワークに当たったエネルギーが加熱ではなく、分解に主に使われるので加工面が極めてシャープとなる。紫外線領域の波長の光を発生するレーザ装置として、紫外線レーザ（ＹＡＧレーザの３倍波、４倍波）、固体紫外線レーザ、エキシマレーザなどが例示される。
【0200】
レーザ光５９を集光させて加工位置に照射することができるため、加工位置の有機材料などを容易に改質または蒸発させることができる。有機材料などを蒸発させる際は、真空中で行うため、有機材料は炭化することがなく、レーザ光を照射した位置の周辺部に影響を与えない。
【0201】
紫外線領域の波長のレーザ光５９は波長が短いため、レーザ光５９のスポット径を小さくできる。また、加工に用いるエネルギー量を、高精細の画素に集光できるため、超高精細のＥＬ表示パネルの画素の上方の有機材料の加工（光分解加工等）を行うことができる。
【0202】
なお、本明細書において、理解を容易にするため、レーザ光５９は主として４１０ｎｍ以下の紫外線領域の波長の光を使用するとして説明するが、これに限定するものではない。たとえば、４１０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の青（Ｂ）色領域の波長の光もレーザ光５９として使用できる。
【0203】
レーザ光５９は、ＴＦＴ基板５２の上方から照射できるように構成することが好ましい。レーザ光５９によりゲスト材料が加熱され、加熱されたゲスト材料が昇華しても、周辺部に付着することを抑制することができる。
【0204】
レーザ装置５８はフェムト秒レーザ装置を用いてもよい。フェムト秒レーザ装置はパルスレーザで、そのパルス幅がフェムト秒レベルのレーザ装置である。
レーザ強度はＩ ＝ E ／ Ｓｔ で表される。Ｅはパルスエネルギー、Ｓはビームスポットの面積、ｔ はレーザパルスの時間幅である。
レーザ強度はＩ ＝ E ／ Ｓｔ で表される。Ｅはパルスエネルギー、Ｓはビームスポットの面積、ｔ はレーザパルスの時間幅である。
【0205】
フェムト秒レーザ装置は、通常の加工に用いられるＣＯ２レーザ装置やＹＡＧレーザ装置などと違い、非熱加工であることに特徴がある。加工対象物にＣＯ２レーザ光やＹＡＧレーザ光を当てると、分子が光エネルギーを吸収して振動し、熱エネルギーに変換されて溶融・蒸発することで加工される。フェムト秒レーザの場合は光エネルギーで分子結合を切断し、周辺部分に熱拡散せずに分子を除去する「アブレーション」という現象で加工することができる。したがって、レーザ光５９を照射した箇所のみを改質し、周辺部には熱的影響などを与えない。
【0206】
レーザ光５９のレーザスポットのサイズは、図７のレーザスポット９１ａに図示するように、画素電極１５より小さくとも良い。レーザスポット９１ａを画素電極１５内で移動させることにより、画素電極１５の全領域にレーザ光５９ａを照射することができるからである。
【0207】
レーザ光５９ａがＴＦＴ基板５２に順次照射できるように、移動ステージ５１を動作させてＴＦＴ基板５２の位置を変化させる。もしくは、ガルバノミラー６２などを用いて、レーザ光５９aをＴＦＴ基板５２上に走査する。
【0208】
ＴＦＴ基板５２の画素３７にレーザ光５９ａを照射する際は、図３３に図示するように、ＴＦＴ基板５２は移動ステージ５１に配置される。移動ステージ５１は、矢印Ｂの方向にレーザ光５９ａの照射と同期して滑らかに移動する。移動は一例として、リニアモータにより行われる。
【0209】
ＴＦＴ基板５２は、図３３に図示するように移動ステージ５１上で、かつ所定の角度θで配置される。レーザ光５９ａは画素３７に結像される。レーザ光５９ａは、ガルバノミラー６２で、画素列方向に走査される。ＥＬ表示パネルは画素列方向の画素は、同一の色に設定されている。つまり、画素列１が赤（Ｒ）色の画素であれば、画素列１に隣接した画素列２は、緑（Ｇ）色の画素であり、画素列２に隣接した画素列３は、青（Ｂ）色の画素である。画素列は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、赤（Ｒ）と繰り返されて形成されている。
【0210】
図３３に図示するように、レーザスポット９１（レーザ光５９が照射されている箇所または場所）は位置「１」の画素３７位置に照射され、レーザ光５９は、Ａ方向に移動する。レーザ光５９の移動と同時にあるいは同期を取って、移動ステージ５１が移動する。
【0211】
レーザ光５９は紙面の上下方向（Ａ方向）であるが、移動ステージ５１も移動するため、レーザスポット９１は、画素列方向の画素３７に順次、照射される。したがって、画素列の位置「１」の画素３７から位置「２」の画素３７までレーザ光５９ａが照射される。
【0212】
位置「２」までレーザ光５９が照射されると、図３４に図示するように、位置「３」の画素３７にレーザ光５９が照射される。以上のように、順次、画素列単位でレーザ光５９ａが照射されていく。つまり、図３５に図示するように、（１）→（２）→（３）→（４）→（５）→（６）→（７）→（８）→と、レーザ光５９ａが照射される。
【0213】
レーザ光５９ａのレーザスポットのサイズは、図７のレーザスポット９１ａに図示するように、画素電極１５より小さくとも良い。レーザスポット９１ａを画素電極１５内に移動させることにより、画素電極１５の全領域にレーザ光５９ａを照射することができるからである。
【0214】
レーザ光５９ａの強度分布はガウス分布となる。改質する箇所の全体にレーザ光５９ａを照射する場合、図７（ｂ）に図示するように、レーザ光５９ａのガウス分布の強度６３％の範囲Ｗ１を改質させる発光層１７の幅にすることが好ましい。さらに好ましくは、レーザ光５９ａのガウス分布の強度８０％の範囲Ｗ２を改質させる発光層１７の幅に設定することが好ましい。
【0215】
発光層１７のゲスト材料を改質させるか、蒸発させるかはレーザ装置５８が発生し、ＴＦＴ基板５２に照射するレーザ光５９ａの強度を制御することにより容易に実現できる。レーザ光５９ａの強度の可変は光量調整フィルタ６０で行う。なお、光量調整フィルタ６０は、レーザ光５９のパルス単位でレーザ光５９の強度を変更できるように構成することが好ましい。
【0216】
図７のレーザスポット９１ｂ、９１ｃのように、画素電極１５の全体を囲うように楕円形あるいは矩形としてもよい。レーザ光５９ａを楕円形あるいは矩形にするは、シリンドルカルレンズ６１を使用することにより容易に実現できる。レーザスポット９１ｂは１つの画素電極１５に全範囲に照射する形状である。レーザスポット９１ｃは複数の画素電極１５を同時に照射する形状である。
図７のレーザスポット９１ｄのように、ストライプ状のレーザスポットとし、ＴＦＴ基板５２に、ライン状のレーザ光５９ａを照射してもよい。
図７のレーザスポット９１ｄのように、ストライプ状のレーザスポットとし、ＴＦＴ基板５２に、ライン状のレーザ光５９ａを照射してもよい。
【0217】
レーザ光５９のレーザスポット９１は、改質させる画素３７に照射され、レーザスポット９１位置を移動させて、画素３７の発光層のゲスト材料、あるいはホスト材料を改質させる。もしくは、発光層１７を形成するホスト材料とゲスト材料を蒸発させる。
【0218】
画素３７の横幅が３０μｍ以下と狭く、レーザ光５９のレーザスポット９１を画素３７に照射すると、隣接した画素３７列にレーザ光５９が照射される場合がある。この場合は、図８に図示するように、スリットマスク９２を使用して、隣接した画素列にレーザ光５９が照射されないようにする。
【0219】
図８（ａ１）（ａ２）の平面図および断面図に図示するように、レーザスポット９１ａは、スリットマスク９２のスリットから、レーザ光５９が発光層１７に照射される。レーザスポット９１ａはＡ方向に走査され、画素列方向の画素が順次、改質される。
【0220】
図８（ｂ１）（ｂ２）の平面図および断面図に図示するように、レーザスポット９１ｂは、スリットマスク９２のスリットから、レーザ光５９が発光層１７に照射される。レーザスポット９１ａはＢ方向に走査され、画素列方向の画素が順次、改質される。
【0221】
図８（ｃ１）（ｃ２）の平面図および断面図に図示するように、矩形状のレーザスポット９１ｃは、スリットマスク９２のスリットから、レーザ光５９が発光層１７に照射される。矩形状のレーザスポット９１ｃは、表示画面３６の１画素列に同時に照明する。レーザ光５９が照射された画素例の発光層１７は、１画素列の発光層１７が同時に改質される。
【0222】
スリットマスク９２は、レーザスポット９１の移動に合わせて、移動し、表示画面３６の所定の色の画素の発光層１７を改質させる。もしくは、レーザスポット９１は、スリットマスクの穴位置に合わせて移動し、表示画面３６の所定の色の画素の発光層１７を改質させる。
【0223】
スリットマスク９２は、薄い金属膜あるいは樹脂膜で形成させる。そのため、画素３７位置に対応させて配置するため、スリットマスク９２は張力をかけて平面状に保持する必要がある。
【0224】
図９に図示するように、透明基板９４に金属材料などでスリットパターン９３を形成したものを使用してもよい。透明基板９４は、レーザ光５９などの紫外線領域の波長の光を、透過する基板を使用する。透明基板９４として、石英ガラス、ソーダライムガラスなどが例示される。
【0225】
図９（ａ）（ｂ）の平面図および断面図に図示するように、レーザ光５９は、スリットパターン９３のスリット穴から、発光層１７に照射される。スリット穴を透過したレーザ光５９は、矩形状であり、表示画面３６の１画素列に同時に照明する。レーザ光５９が照射された画素例の発光層１７は、１画素列の発光層１７が同時に改質される。
【0226】
スリットマスク９２をＥＬ表示パネルの全体にわたり、スリットマスク９２のスリット（溝）を画素列位置に位置合わせすることは困難を伴う場合がある。特に、ＥＬ表示パネルが大画面でかつ、高精細画素の場合である。
この場合は、図３６に図示するように、複数のスリットマスク９２を使用する。図３６はスリットマスク９２ａ、スリットマスク９２ｂを使用した一例である。
この場合は、図３６に図示するように、複数のスリットマスク９２を使用する。図３６はスリットマスク９２ａ、スリットマスク９２ｂを使用した一例である。
【0227】
スリットマスク９２ａ、９２ｂは、画素列の倍数幅のスリット（溝）が形成されている。たとえば、１画素列幅のスリット、２画素列幅のスリットが形成されている。また、スリットマスク９２には複数の画素列に対応するスリットが形成されている。
【0228】
スリットマスク９２ａ、９２ｂは独立に移動（位置合わせ）することができる。スリット位置にあわせて、レーザ光５９が照射される。スリットマスク９２はスリット位置をＴＦＴ基板５２の画素列位置に位置合わせを行う。
【0229】
図３６（ａ）は、ＴＦＴ基板５２の中央部にスリットマスク９２ａ、９２ｂが位置合わせされている。説明を容易にするために、１つのスリットマスク９２は、ＴＦＴ基板５２の１／４の面積に作製されているとする。
【0230】
図３６（ａ）において、レーザ光５９は、スリットマスク９２ａのスリット（画素列位置に対応）に、順次、照射する。次に、図３６（ｂ）に図示するように、レーザ光５９は、スリットマスク９２ｂのスリット（画素列位置に対応）に、順次、照射する。
【0231】
次に、図３６（ｃ）に図示するように、スリットマスク９２ｂにレーザ光５９が照射されている期間内に、スリットマスク９２ａは、ＴＦＴ基板５２の左端の表示画面３６の位置に移動し、位置決めされる。
【0232】
次に、図３６（ｄ）に図示するように、スリットマスク９２ａにレーザ光５９が照射されている期間内に、スリットマスク９２ｂは、ＴＦＴ基板５２の右端の画面位置に移動し、位置決めされる。最後に、スリットマスク９２ｂにレーザ光５９が照射される。
【0233】
以上にように、複数のスリットマスク９２を使用し、レーザ光５９が照射されていないスリットマスク９２を移動させて先行的に位置決めすることにより、レーザ装置５８は連続してレーザ光５９を照射することができる。したがって、レーザ光５９の照射工程での作業時間を短縮することができる。
【0234】
また、１つのスリットマスク９２は、ＴＦＴ基板５２の一部の画面に配置される。したがって、スリットマスク９２が担当するＴＦＴ基板５２の面積は、ＴＦＴ基板５２の１／ｎ（ｎは、２以上の実数）でよいため、スリットの位置決め精度は比較的ラフでもよい。
【0235】
第１の実施例における本発明のＥＬ表示パネルの製造方法について説明をする。図１０は、第１の実施例における本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。また、図１１は、本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の説明図である。図４に図示するように、本発明の製造方法は、蒸着室５６のような真空状態中にＴＦＴ基板５２を配置する。ＥＬ素子２２を構成する各有機膜は、蒸着により形成する。
【0236】
なお、図１１のチャンバー室１１１の配置、構成等にこれに限定するものでない。また、複数の成膜装置１１６を設けてもよいことは言うまでもない。また、レーザ装置室１１８を成膜装置１１６から独立させて設けてもよいことは言うまでもない。
【0237】
図１１において、ＴＦＴ基板５２は搬入室１１３から成膜装置１１６に搬入される。成膜装置１１６内は、超真空状態に維持されている。成膜装置１１６の中央部には中央室１１５があり、中央室１１５内には、各チャンバー室１１１にＴＦＴを搬入、あるいは、各チャンバー室１１１から搬出する搬送ロボット（図示せず）が設置されている。搬送ロボットは、チャンバー室１１１から移動ステージ５１等を搬出し、方向を変更して、次の工程のチャンバー室１１１に搬入する。
【0238】
発光層１７などを改質させるレーザ装置５８は、レーザ装置室１１８内に設置されており、ＴＦＴ基板５２はロードロック室（ＬＬ：load lock chamber）を経由してレーザ装置室１１８に搬入される。ＴＦＴ基板５２は、カソード電極１９を形成後、あるいは、封止膜２０、封止フィルム２７による封止後、搬出室１１４から搬出される。
【0239】
搬入室１１３からＴＦＴ基板５２は搬入され、正孔輸送層１６を蒸着するチャンバー（ＨＴＬ）１１１ｃに搬入される。チャンバー室１１１ｃで、図１０（ａ）、図１１（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。
【0240】
次に、ＴＦＴ基板５２は、発光層（ＥＭＬ）Ｒを蒸着するチャンバー室（ＥＭＬ（Ｒ））１１１ｄに搬入される。図１０（ｂ）に図示するように、発光層１７Ｒを、蒸着工法により、正孔輸送層１６上に積層させる。発光層１７Ｒはホスト材料と赤色のゲスト材料を共蒸着させて形成する。
【0241】
発光層１７Ｒの形成工程では、従来の製造方法のように、画素３７Ｒに対応した位置に開口が設けられたファイン蒸着マスク２５１Ｒは使用しない。発光層１７Ｒは、表示画面３６全体に、蒸着工法を使用して、連続膜として形成される。つまり、画素電極１５Ｒ、画素電極１５Ｇ、画素電極１５Ｂに共通に、かつ連続して発光層１７Ｒが形成される。発光層１７Ｒの形成には、発光層１７Ｒが表示画面３６内に蒸着されるように、表示画面３６に開口部を有するラフ蒸着マスク（図示せず）を使用する。
【0242】
図１０などの本発明の実施例において、ＥＬ表示パネルに、土手９５を図示しているが、土手９５は必ずしも必要な構成物ではない。土手９５は、ソース信号線３５上、ゲート信号線３４上、画素電極１５の周辺部に形成され、電界の遮蔽効果を発揮する。土手は可視光を吸収する色素、染料を添加した材料で形成する。
ＴＦＴ基板５２は、中央室１１５で搬送ロボットにより方向転換され、ロードロック室１１２を経由して、レーザ装置室１１８に搬入される。
ＴＦＴ基板５２は、中央室１１５で搬送ロボットにより方向転換され、ロードロック室１１２を経由して、レーザ装置室１１８に搬入される。
【0243】
レーザ装置室１１８では、図１０（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の発光層１７にレーザ光５９ａの照射を行う。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒに照射する。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒには照射されない。レーザ光５９ａの照射部で、発光層１７Ｒは改質され、改質部９６ａとなる。
【0244】
画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒのゲスト材料は、レーザ光５９ａを吸収し、共有結合鎖が切断される。酸素の無い蒸着室５６で共有結合鎖が切断されると、共有結合鎖のラジカルは二重結合を生成したり、他の共有結合鎖の原子を引き抜き結合したり、他の共有結合鎖と架橋構造を生成したりと構造に変化が生じる。
画素電極１５Ｒに対応した発光層１７Ｒのゲスト材料は、レーザ光５９ａが照射されていない。したがって、発光するゲスト材料としての性能を維持する。
画素電極１５Ｒに対応した発光層１７Ｒのゲスト材料は、レーザ光５９ａが照射されていない。したがって、発光するゲスト材料としての性能を維持する。
【0245】
本発明の実施例では、ＥＬ素子２２を形成する各有機膜は、蒸着工法で形成するとして説明するが、これに限定するものではない。インクジェット方式あるいは印刷方式により、電子輸送層１８、正孔輸送層１６、発光層１７などを形成してもよいことは言うまでもない。たとえば、発光層１７はホスト材料とゲスト材料とが溶剤に溶解されて、インクジェット方式で画素電極１５の上方に発光層１７として形成される。インクジェット方式で発光層１７Ｒを形成し、発光層１７Ｒにレーザ光５９を照射して改質させる方式あるいはＥＬ表示パネル（装置）の構成も本発明の技術的範疇である。
【0246】
また、本発明は、理解を容易にするため、主としてゲスト材料が光を吸収し、発光層１７が改質するとしたが、これに限定するものではない。たとえば、発光層１７が、Ａｌｑ３のような単一の有機膜で形成されている場合、この単一の有機膜に光を照射し、単一の有機膜を改質させる方式あるいはＥＬ表示パネル（装置）の構成も本発明の技術的範疇である。また、正孔輸送層などにレーザ光５９を照射し、改質させる方式あるいはＥＬ表示パネル（装置）も本発明の技術的範疇である。
【0247】
レーザ光５９は、波長λが３００ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の紫外光である。さらに好ましくは、レーザ光５９は、波長λが３１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外光である。
【0248】
次に、ＴＦＴ基板５２は、ロードロック室１１２を経由して中央室１１５に搬入され、チャンバー室（ＥＭＬ（Ｇ））１１１ｂに搬入される。チャンバー室１１１ｂでは、図１０（ｃ）に図示するように、発光層１７Ｒの上方に、発光層１７Ｇを蒸着工法により積層させる。
【0249】
発光層１７Ｇの真空蒸着工程は、ファイン蒸着マスク２５１は使用しない。発光層１７Ｇはラフ蒸着マスク（図示せず）を用いて、表示パネルの表示画面３６に蒸着する。したがって、画素電極１５Ｒ、画素電極１５Ｇ、画素電極１５Ｂの上方に、共通に発光層１７Ｇが形成される。
ＴＦＴ基板５２は、中央室１１５で搬送ロボットにより、方向転換され、ロードロック室１１２を経由して、レーザ装置室１１８に搬入される。
ＴＦＴ基板５２は、中央室１１５で搬送ロボットにより、方向転換され、ロードロック室１１２を経由して、レーザ装置室１１８に搬入される。
【0250】
レーザ装置室１１８では、図１０（ｄ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の発光層１７Ｇにレーザ光５９ｂの照射を行う。レーザ光５９ｂは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに照射する。レーザ光５９ｂは、画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇには照射されない。レーザ光５９ｂの照射部で、発光層１７Ｇは改質され、改質部９６ｂとなる。
【0251】
発光層１７Ｇのゲスト材料は、発光層１７Ｒのゲスト材料に比較して励起エネルギーが大きい場合が多い。励起エネルギーが大きいゲスト材料は、吸収する波長が短波長になる場合がある。その場合は、レーザ光５９ｂの波長は、レーザ光５９ａより波長が短いレーザ光を選定する。たとえば、レーザ光５９ｂは、波長λが３００ｎｍ以上約３８０ｎｍ以下の紫外光である。レーザ光５９ａは、波長λが３１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外光である。または、レーザ光５９ａとレーザ光５９ｂの波長を同一とし、レーザ光５９ａとレーザ光５９ｂとの単位面積あたりの強度を異ならせる。
【0252】
画素３７Ｂ（画素電極１５Ｂ）の上方の発光層１７Ｇは、レーザ光５９ｂを吸収し、改質する。画素３７Ｂ（画素電極１５Ｂ）の上方の発光層１７Ｇは改質部９６ｂとなる。したがって、前記発光層１７Ｇのゲスト材料は改質されて励起できない。発光層１７Ｇはホスト材料として機能する。
【0253】
画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｒは改質部９６ａとし、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは改質部９６ｂと記載している。改質部９６ａと改質部９６ｂはゲスト材料などが異なり、物理的あるいは物性的性質が異なることが多い。しかし、改質部９６ａと改質部９６ｂは物性的性質が同一である、あるいは類似することも多い。したがって、改質部９６ａと改質部９６ｂは、同一だとして改質部９６としてもよい。
【0254】
図１１（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、中央室１１５を経由して、チャンバー室（ＥＭＬ（Ｂ） ＥＴＬ）１１１ｅに搬入される。図１０（ｅ）に図示するように、発光層１７Ｂを、発光層１７Ｇの上方に積層させる。発光層１７Ｂ材料の蒸着は、ホスト材料と青色発光のゲスト材料を真空中で、真空蒸着により発光層１７Ｇ上に共蒸着させて積層させる。
【0255】
発光層１７Ｂの真空蒸着工程は、ファイン蒸着マスク２５１は使用しない。発光層１７Ｂはラフ蒸着マスク（図示せず）を用いて、表示パネルの表示画面３６の全体に蒸着する。したがって、画素電極１５Ｒ、画素電極１５Ｇ、画素電極１５Ｂの上方に、共通に発光層１７Ｂが形成される。
【0256】
次に、図１０（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂの上方に電子輸送層１８を形成し、続いて、電子注入層としてのＬｉＦあるいはＬｉｑなどを形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。カソード電極１９には、アルミニウム、銀、銀・マグネシウム（ＭｇＡｇ）合金、カルシウムなどを用いる。
【0257】
カソード電極１９は、例えば真空蒸着により発光層１７Ｂの上方に積層させる。この真空蒸着では、ＥＬ表示パネルの表示領域にカソード電極材料が蒸着されるように、ラフ蒸着マスクを使用する。これにより、カソード電極１９は、表示領域全体に連続膜として形成される。
【0258】
次に図１０（ｆ）に図示するように、カソード電極（陰極）１９を形成したのち、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ法により、封止層２０を形成する。
【0259】
例えば、アモルファス窒化シリコンからなる封止層２０を形成する場合には、ＣＶＤ法によって２～３μｍの膜厚に形成する。この際、有機層の劣化による輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に近い、摂氏１５℃以上２５℃の範囲に設定する。
【0260】
また、ＳｉＯＮなどをＣＶＤで形成した後、アクリル系、エポキシ系の有機材料などを形成して、封止層２０としてもよい。封止層２０上には、封止フィルム２７を貼り付け、防湿対策をすることが好ましい。次に、ＥＬ表示素子がＴＦＴ基板５２と封止基板とシール層とによって取り囲まれるように、ＴＦＴ基板５２と封止基板とをシール層を介して貼り合わせる。
【0261】
または、ＴＦＴ基板５２は薄膜封止技術で封止する。薄膜封止技術は、ＴＦＴ基板５２上に極めて薄い無機膜と有機膜を多層に積層して形成する。無機膜（通常厚さ１μｍ未満）と有機膜（通常厚さ６μｍ以上）が交互に重なったマルチレイヤー構造を持つ。無機膜は主に酸素や水分の侵入を防いでＥＬ素子２２を保護する。
【0262】
ＴＦＴ基板２５は搬出室１１４を経由して、成膜装置１１６から搬出される。なお、ＥＬ表示パネルの光出射側には、表示コントラストを良好なものとするため、円偏光板（円偏光フィルム）２９を貼り付け、あるいは配置する。
【0263】
図１０の実施例では、レーザ光５９ａを発生するレーザ装置、レーザ光５９ｂを発生するレーザ装置５８を設置すると説明したが、本発明はこれに限定するものではない。可変波長の光を発生させる１台のレーザ装置５８で、レーザ光５９ａとレーザ光５９ｂを発生させてもよい。また、レーザ光５９ａまたはレーザ光５９ｂのいずれかのレーザ光を発生する複数台のレーザ装置５８を設置してもよいことは言うまでもない。レーザ光５９ａとレーザ光５９ｂとは波長を異ならせても良い。
【0264】
以上の実施例では、発光層１７を形成後、レーザ光５９を照射して発光層１７を改質するとして説明したが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、蒸着により発光層１７を形成しつつ、レーザ光５９を照射して、前記発光層１７を改質または除去してもよい。
【0265】
本発明のＥＬ表示パネルは、複数色の画素３７がマトリックス状に配置されている。ＥＬ表示パネルは、少なくも一色の画素に、第１の色の発光層１７ａが成膜され、その上に第２の色の発光層１７ｂが成膜されている。第１の色の発光層１７ａの発光波長は、第２の色の発光層１７ｂの発光波長よりも長い。前記第１の色の発光層１７ａのゲスト材料は、前記第２の色の発光層１７ｂが励起されるエネルギーを吸収して発光する。
【0266】
また、本発明のＥＬ表示パネルは、少なくも一色の画素に、第１の色の発光層１７ａが成膜され、その上に第２の色の発光層１７ｂが成膜されている。前記第１の色の発光層１７ａに、レーザ光５９などの狭指向性の光を照射し、前記第１の色の発光層１７ａを改質させて非発光層にする。前記第２の色の発光層１７ｂが発光する。
【0267】
本発明は、複数色の画素３７がマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルに限定されるものではない。本発明の表示パネルは、表示部あるいは表示画面３６に複数個所の発光する部分が形成されており、前記発光する部分に複数の発光層１７が積層されている。前記複数の発光層１７のうち、長波長の発光層１７に、ファイン蒸着マスク２５１などを使用せず、レーザ光５９などの狭指向性の光が照射され、前記長波長の発光層１７が改質されていることを特徴とするものである。
【0268】
たとえば、画素電極１５の上方に赤色の発光層１７Ｒと緑色の発光層１７Ｇの２層の発光層が積層されている場合、赤色の発光層１７Ｒを改質することにより、赤色の発光層１７Ｒは発光せず、緑色の発光層１７Ｇのみが発光し、前記画素電極１５を有する画素３７は緑色で発光する。
【0269】
本発明の製造方法、製造装置では、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂを形成するために、少なくともいずれかの発光層１７の形成時に、ファイン蒸着アスク２５１を使用しない。本発明では、発光する発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂを形成するために、少なくともいずれかの発光層１７にレーザ光５９などの狭指向性の紫外線波長の光を照射する。
【0270】
レーザ光５９の照射位置の制御は、ガルバノミラー６２あるいは、移動ステージ（リニアステージなど）により高精度に位置決めを行うことができる。また、位置決めは、ＴＦＴ基板５２の画素３７位置に対応させて容易に設定することができる。したがって、画素３７形状、画素３７配置、画素３７数が異なるＥＬ表示パネルを、容易に品種変更して製造することができる。また、製造装置の設備コストも非常に安価である。
【0271】
従来のファイン蒸着マスク２５１を使用する製造方式では、画素３７が高精細の場合は、ファイン蒸着マスク２５１の蒸着穴（マスク開口部）が小さくなるためファイン蒸着マスク２５１の蒸着穴の加工が困難である。また、ファイン蒸着マスク２５１を、ＥＬ表示パネルの画素３７位置に合わせて位置決めすることが困難であるという課題があった。また、テレビ用の大型ＥＬ表示パネルの製造に使用するファイン蒸着マスク２５１は、大面積となり、重量が重い。したがって、ファイン蒸着マスク２５１を位置決めする搬送ロボットも大型になるという課題があった。
【0272】
本発明の製造方式、製造装置では、レーザ光５９を画素３７に照射することにより、発光層１７の発光色を決定する。紫外線波長のレーザ光５９のスポットサイズは、直径１０μ以下が実現可能である。また、レーザ光５９は、ガルバノミラー６２の制御により、高速に位置決めできる。また、ＥＬ表示パネルサイズが広面積であっても、レーザ光５９は、ガルバノミラー６２の制御により、また、移動ステージ５１などを移動させることにより、ＥＬ表示パネルの周辺部から中央部のいずれの位置にでも、高速に位置決めできる。また、ファイン蒸着マスク２５１の位置決めが不要であり、レーザ光５９の制御だけであるので、製造設備は安価であり、製造タクトも短くすることができる。
【0273】
以上の事項から、本発明の製造方式では、画素３７が高精細であっても、ＥＬ表示パネルサイズが広面積であっても、ＥＬ表示パネルを低コストで製造することができる。また、優れた表示品位と高い製造歩留まりとを実現できる。
【0274】
以上の実施例では、発光層１７を改質には、レーザ装置５８を使用するとして説明をした。しかし、本発明は、これに限定するものではない。たとえば、改質させる光として、紫外線光を発生するＬＥＤ（light‐emitting diode）を使用してもよい。ＬＥＤは、発光素子が小さいため狭指向性の光を発生することができる。
図１２は、ＬＥＤ１２２を用いた光発生器の説明図である。また、図１３は、図１２の光発生器を用いた発光層１７の改質方法の説明図である。
図１２は、ＬＥＤ１２２を用いた光発生器の説明図である。また、図１３は、図１２の光発生器を用いた発光層１７の改質方法の説明図である。
【0275】
光発生器の基板１２３は、ＬＥＤ１２２が発生する熱を放熱するため、金属板またはセラミック板を基材として使用されている。基板の裏面には、放熱板（図示せず）を取り付ける。
【0276】
基板１２３には、紫外線光を発生するＬＥＤ１２２が取り付けられている。ＬＥＤ１２２の発光部のサイズ（縦長さＣ、横長さＢ）は、画素３７の改質させる領域のサイズと略一致させている。あるいは、発光部のサイズ（縦長さＣ、横長さＢ）は、画素３７の改質させる領域のサイズよりも小さくしている。
【0277】
また、ＬＥＤ１２２の発光部の前にレンズ（図示せず）などを配置し、ＬＥＤ１２２が発生した紫外線光を画素３７の略全体に照射できるように構成してもよい。ＬＥＤ１２２が発光すると、画素３７の所定色の画素電極１５の上方に形成された発光層１７を改質できる。
【0278】
ＬＥＤ１２２の縦方向の実装位置Ｅは、画素３７のピッチと一致させている。ＬＥＤ１２２の横方向の実装位置Ｄは、画素３７の列ピッチと略一致させている。あるいは、ＬＥＤ１２２の縦方向の実装位置Ｅ、ＬＥＤの横方向の実装位置Ｄは、画素ピッチのＮ倍（Ｎは１以上の正数）としている。
【0279】
ＬＥＤの実装されている長さＦは、ＥＬ表示パネルの第１行目から最終画素行目の長さである。したがって、長さＦに実装させているＬＥＤ個数は、ＥＬ表示パネルの画素行数と一致する。あるいは、長さＦは、ＥＬ表示パネルの第１行目から最終画素行目の長さの１／Ｎ（Ｎは１以上の正数）にしている。
【0280】
図１２では、図示を容易にするため、ＬＥＤ１２２の実装列は２列としたが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、ＬＥＤ１２２の実装列を３列以上にしてもよい。また、ＬＥＤ１２２の実装列または実装行数は、表示パネルの画素列または画素行数としてもよい。この場合は、図１３に図示するように、光発生器はＡ方向に移動させる必要はない。ＥＬ表示パネルに光発生器を位置決めして、ＬＥＤ１２２を発光させればよい。
【0281】
図１２に図示するように、ＬＥＤ１２２ａとＬＥＤ１２２ｂが発生する光の波長を異ならせてもよい。たとえば、ＬＥＤ１２２ａが図１０で説明したレーザ光５９ａの主波長の光を発生させ、ＬＥＤ１２２ｂがレーザ光５９ｂの主波長の光を発生させるように構成してもよい。
【0282】
図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡＡ’線での断面図である。ＬＥＤ１２２の周囲には、ＬＥＤ１２２が発生した紫外線光を吸収する光吸収材１２１が形成されている。ＬＥＤ１２２ａは、紫外線光１４１ａを発生させ、ＬＥＤ１２２ｂは、紫外線光１４１ｂを発生させる。光吸収材１２１として、アクリル樹脂あるいはエポキシ樹脂にカーボンを添加したものが例示される。
【0283】
図１３（ａ）（ｂ）に図示するように、光発生器はＴＦＴ基板５２の画素電極１５位置に一致させて配置される。また、光発生器は、画素列または画素行ピッチで移動し、移動した位置で、ＬＥＤ１２２が発光し、画素３７の発光層１７を改質させる。
【0284】
２画素列または２画素行を同時に改質させる場合は、ＬＥＤ１２２ａとＬＥＤ１２２ｂの両方が発光する。１画素列または１画素行を改質させる場合は、ＬＥＤ１２２ａまたはＬＥＤ１２２ｂの一方が発光する。
【0285】
ＬＥＤ１２２は、連続的に発光させてもよいし、パルス状に発光させてもよい。また、ＬＥＤ１２２ａとＬＥＤ１２２ｂは、対象の発光層１７材料などに適合させて、発光波長を異ならせてもよい。
【0286】
以上のように、本発明は、紫外線光５９を発生する光発生手段は、レーザ装置５８に限定するものではない。ファイン蒸着マスク２５１を介さず、画素３７位置に対応させて、紫外線光等の光を照射できる光発生手段であればいずれの手段であってもよい。また、光発生手段を、赤外光を発生する手段とすることにより、図１８等の熱転写装置の光発生源５８としても適用できることは言うまでもない。
【0287】
光発生器のＬＥＤ１２２を赤外発光のＬＥＤとすることにより、図１８、図１９、図２１で図示する熱転写装置の光発生源として使用できることは言うまでもない。図１３と同様に、ＴＦＴ基板５２と光発生器間にドナーフィルム１９７を配置し、光発生器の赤外発光のＬＥＤ１２２が発生する光で、ドナーフィルム１９７の転写有機膜１９５を過熱して、発光層１７を形成すればよい。
【0288】
図１２（ａ）に図示する光発生器のＬＥＤ１２２ａを赤外発光のＬＥＤとし、ＬＥＤ１２２ｂを紫外線発光のＬＥＤとすれば、光発生器は発光層１７の構成材料の改質と熱転写用とを兼用した装置として構成できる。また、図２０で説明する付着物２０１を除去する光発生器として使用することができる。
【0289】
ＬＥＤ１２２が発生する光は、レーザ光のように単一波長ではなく一定の波長帯域を有している。したがって、ＬＥＤ１２２が発生する光は、主波長が３１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外線光を発生するものを採用する。
【0290】
【0291】
図１４において、赤色の画素電極１５Ｒの上方には、発光層（ＥＭＬ（Ｒ））１７Ｒおよび発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢが形成されている。緑色の画素電極１５Ｇおよび青色の画素電極１５Ｂの上方には、発光層（ＥＭＬ（Ｒ））１７Ｒおよび発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢが形成されている。
【0292】
発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢは、青色のゲスト材料と緑色のゲスト材料を含有している。青色のゲスト材料と緑色のゲスト材料とは、吸収する光の波長が異なる。
【0293】
緑色の画素電極１５Ｇ上方には、発光層（ＥＭＬ（Ｒ））１７Ｒは、レーザ光５９ａが照射されて改質されている。また、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢにレーザ光５９ｂが照射されて、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢの青色のゲスト材料が改質されている。
【0294】
青色の画素電極１５Ｂ上方には、発光層（ＥＭＬ（Ｒ））１７Ｒは、レーザ光５９ａが照射されて改質されている。また、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢにレーザ光５９ｃが照射されて、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢの緑色のゲスト材料が改質されている。
【0295】
以下、図面を参照しながら、本発明の第２の実施例の製造方法について説明をする。図１１（ａ）の搬入室１１３からＴＦＴ基板５２は搬入され、チャンバー（ＨＴＬ）１１１ｃに搬入される。図１５（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。
【0296】
次に、ＴＦＴ基板５２は、発光層（ＥＭＬ）Ｒを蒸着するチャンバー室（ＥＭＬ（Ｒ））１１１ｄに搬入される。図１０（ｂ）に図示するように、発光層１７Ｒを、蒸着工法により、正孔輸送層１６上に積層させる。発光層１７Ｒはホスト材料と赤色のゲスト材料を共蒸着させて形成する。発光層１７Ｒは、表示画面３６全体に、連続膜として形成される。
【0297】
次に、ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入される。レーザ装置室１１８では、図１５（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の発光層１７Ｒにレーザ光５９ａの照射を行う。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒに照射する。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒには照射しない。レーザ光５９ａの照射部で、発光層１７Ｒは改質され、改質部９６ａとなる。画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、レーザ光５９ａが照射されていないため、発光するゲスト材料としての性能を維持する。
【0298】
次に、ＴＦＴ基板５２は、ロードロック室１１２を経由して中央室１１５に搬入され、チャンバー室（ＥＭＬ（Ｇ））１１１ｂに搬入される。チャンバー室１１１ｂでは、図１５（ｃ）に図示するように、発光層１７Ｒの上方に、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢを積層させる。
【0299】
発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢは、青色のゲスト材料と緑色のゲスト材料とを含有している。青色のゲスト材料と緑色のゲスト材料とは、吸収するレーザ光５９の波長が異なる。発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢに照射するレーザ光５９の波長を変更することにより、青色のゲスト材料と緑色のゲスト材料を選択して改質することができる。
【0300】
図３（ｃ）に図示するように、ホスト材料は、レーザ光５９ａ、レーザ光５９ｂ、レーザ光５９ｃを吸収しにくい材料を選定する。あるいは、レーザ光５９を透過する材料を選択する。
【0301】
当該材料がレーザ光などの光を「吸収しにくい」という概念は、当該材料が前記光を吸収しないことの他、前記レーザ光などの光を反射すること、あるいは前記レーザ光などの光を透過することをも含む。また、レーザ光などの光を吸収しても、当該材料あるいはその構成物が変化しないことをも含む。
【0302】
ゲスト材料Ｒは、レーザ光５９ａを吸収しやすい材料を選定する。ゲスト材料Ｂは、レーザ光５９ｂを吸収しやすく、レーザ光５９ｃを吸収しにくい材料を選定する。ゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｃを吸収しやすく、レーザ光５９ｂを吸収しにくい材料を選定する。
【0303】
好ましくは、図３（ｃ）に図示するように、レーザ光５９ｂの波長で、ゲスト材料Ｂの吸収率が１００％とした時、ゲスト材料Ｇの吸収率が２５％以下となるゲスト材料Ｇの材料を選定する。また、レーザ光５９ｃの波長で、ゲスト材料Ｇの吸収率が１００％とした時、ゲスト材料Ｂの吸収率が２５％以下となるゲスト材料Ｂを選定する。また、レーザ光５９ｂの波長で、ゲスト材料Ｂの吸収率が１００％とした時、ホスト材料の吸収率が２５％以下となるホスト材料を選定する。
吸収率が１００％は透過率０％、吸収率が０％は透過率１００％、吸収率７５％は透過率２５％、吸収率２５％は透過率７５％と読み替えてもよい。
吸収率が１００％は透過率０％、吸収率が０％は透過率１００％、吸収率７５％は透過率２５％、吸収率２５％は透過率７５％と読み替えてもよい。
【0304】
図１５（ｄ）に図示するように、緑色の画素電極１５Ｇ上方には、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７が形成されている。発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７には、青色の発光に寄与するゲスト材料Ｂと、緑色の発光に寄与するゲスト材料Ｇを含有している。図３（ｃ）に図示するように、レーザ光５９ｂの波長は、レーザ光５９ｃの波長よりも短波長である。ゲスト材料Ｂは、ゲスト材料Ｇよりも短波長の光をよく吸収する。
【0305】
緑色の画素電極１５Ｇ上方の発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７に、レーザ光５９ｂを照射すると、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７のゲスト材料Ｂは、レーザ光５９ｂを吸収し改質される。発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７のゲスト材料Ｇはレーザ光５９ｂを吸収しない。発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７は、ゲスト材料Ｇが発光可能な状態を維持されるため、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７は、緑発光する発光層１７Ｇとなる。
【0306】
図１５（ｅ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂ上方には、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７が形成されている。発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７に、レーザ光５９ｃを照射すると、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７のゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｃを吸収し改質される。ゲスト材料Ｂはレーザ光５９ｃを吸収しない。発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７は、ゲスト材料Ｂが発光可能な状態を維持されるため、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７は、青発光する発光層１７Ｂとなる。
【0307】
次に、図１５（ｆ）に図示するように、発光層１７ＧＢの上方に電子輸送層１８を形成し、続いて、電子注入層としてのＬｉＦまたはＬｉｑを形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。また、電子輸送層１８上にカソード電極１９を形成する。
【0308】
図１４の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤ゲスト材料Ｒの吸収スペクトルは、発光層１７ＧＢの緑ゲスト材料の発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。また、発光層１７ＧＢの緑ゲスト材料の発光スペクトルは、青ゲスト材料Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。
【0309】
画素電極１５ＲのＲ上方の発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の多くは発光可能である。画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤ゲスト材料Ｒはほとんど消光するか、または励起されない。
【0310】
画素電極１５Ｇの上方の発光層１７ＧＢが含んでいる青ゲスト材料Ｂは、レーザ光５９ｂの照射により、ほとんど消光するか、または励起されない。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７ＧＢが含んでいる緑ゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｃの照射により、ほとんど消光するか、または励起されない。
【0311】
画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒの赤ゲスト材料Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層１７ＧＢの緑ゲスト材料Ｇおよび青ゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。
【0312】
すなわち、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７ＧＢでは、緑ゲスト材料Ｇ、青ゲスト材料Ｂも励起することが可能である。発光層１７ＧＢの緑ゲスト材料Ｇは、青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤ゲスト材料Ｒは、緑ゲスト材料Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光する。
【0313】
画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｒでは、含有する赤ゲスト材料Ｒは、レーザ光５９ａが照射されているため励起しない。また、発光層１７ＧＢの青ゲスト材料Ｂはレーザ光５９ｂが照射されているため励起しない。そのため、発光層１７ＧＢは、緑で発光する。したがって、画素電極１５Ｇの画素３７は、緑で発光する。
【0314】
なお、画素電極１５Ｇの上方の発光層１７ＧＢでは、発光層１７ＧＢの緑ゲスト材料Ｇが、青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを良好に吸収する材料あるいはＥＬ素子２２の構成では、画素電極１５Ｇの上方の発光層１７ＧＢが含んでいる緑ゲスト材料Ｇは、青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収して発光する。したがって、発光層１７ＧＢは、緑で発光する。この場合は、図１５（ｄ）において、画素電極１５Ｇの上方の発光層１７ＧＢにレーザ光５９ｂを照射する工程を削除することができる。
【0315】
画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒでは、含有する赤ゲスト材料Ｒは、レーザ光５９ａが照射されているため励起しない。また、発光層１７ＧＢの緑ゲスト材料Ｇはレーザ光５９ｃが照射されているため励起しない。そのため、発光層１７ＧＢは、青で発光する。したがって、画素電極１５Ｂの画素３７は、青で発光する。
【0316】
【0317】
図１６において、赤色の画素電極１５Ｒの上方には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。緑色の画素電極１５Ｇおよび青色の画素電極１５Ｂの上方には、発光層１７Ｇおよび発光層１７Ｂが形成されている。
青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇには、光が照射されて、発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料が改質されている。
青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇには、光が照射されて、発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料が改質されている。
【0318】
以下、図面を参照しながら、本発明の第３の実施例の製造方法について説明をする。図１７（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。次に、ＴＦＴ基板５２は、発光層（ＥＭＬ）Ｒを蒸着するチャンバー室（ＥＭＬ（Ｒ））１１１ｄに搬入される。
【0319】
図１７（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、赤色の発光層１７Ｒを形成するために、ファイン蒸着マスク２５１Ｒを配置する。ファイン蒸着マスク２５１Ｒは、赤の画素位置に開口部を有するマスクである。
【0320】
赤色の発光層材料１７２Ｒを蒸発させ、発光層１７Ｒを正孔輸送層１６上に積層させる。発光層１７Ｒはホスト材料と赤色のゲスト材料を共蒸着させて形成する。共蒸着は真空工程で実施される。
【0321】
ファイン蒸着マスク２５１の開口部以外の部分（蒸着材料の遮蔽部分）を、樹脂フィルム、ガラス材料などのように光透過性を有する部材で形成してもよい。特にレーザ光５９を透過するような部材で形成することが好ましい。光透過性を有するように構成することにより、図１７（ｄ）のレーザ光５９を照射する際、ファイン蒸着マスク２５１をＴＦＴ基板５２等の上に配置したまま、発光層１７等の改質工程を実施することができる。
【0322】
また、ファイン蒸着マスク２５１は、発光層１７等を蒸着する際に仕様するとして説明するが、蒸着材料の蒸着で使用することに限定されるものではない。たとえば、インクジェット方式により発光層１７を形成する場合にも使用することができる。インクジェット工程で、インクをファイン蒸着マスク２５１の開口部を介して、画素１５に滴下させる。
【0323】
ファイン蒸着マスク２５１は、画素１５形状あるいは表示領域（たとえば、文字、パターン）単位に一致させて色を塗り分けする開口部を有するマスクである。したがって、ＴＦＴ基板５２のみに対応するものでないことは言うまでもない。
【0324】
次に、ＴＦＴ基板５２は、チャンバー室１１１ｂに搬入される。チャンバー室１１１ｂでは、図１７（ｃ）に図示するように、発光層１７Ｇを積層させる。発光層１７Ｇには、緑色のゲスト材料が含有されている。
【0325】
次に、ＴＦＴ基板５２は、図１１（ａ）で示すレーザ装置室１１８に搬入される。図１７（ｄ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに、レーザ光５９が照射される。レーザ光５９を照射すると、発光層１７Ｇのゲスト材料Ｇは、レーザ光５９を吸収し改質される。
緑色の画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇにはレーザ光５９が照射されていないため、発光層１７Ｇのゲスト材料Ｇが発光可能な状態が維持されている。
緑色の画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇにはレーザ光５９が照射されていないため、発光層１７Ｇのゲスト材料Ｇが発光可能な状態が維持されている。
【0326】
次に、図１７（ｅ）に図示するように、発光層１７Ｂが形成される。発光層１７Ｂは、ゲスト材料Ｂが発光可能な状態を維持されるため、発光層１７Ｂは、青発光する発光層となる。
【0327】
次に、図１７（ｆ）に図示するように、発光層１７ＧＢの上方に電子輸送層１８を形成し、続いて、電子注入層を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。
【0328】
図１６の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤ゲスト材料Ｒの吸収スペクトルは、発光層１７Ｇの緑ゲスト材料の発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。また、発光層１７Ｇの緑ゲスト材料の発光スペクトルは、発光層１７Ｂの青ゲスト材料Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。
【0329】
画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒの赤ゲスト材料Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｇの緑ゲスト材料Ｇおよび発光層１７Ｂの青ゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。
【0330】
発光層１７Ｇの緑ゲスト材料Ｇは、発光層１７Ｂの青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤ゲスト材料Ｒは、緑ゲスト材料Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光する。図１６の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｒの発光層１７は、赤色で発光する。
【0331】
画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇの緑ゲスト材料Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｂの青ゲスト材料Ｂの青ゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。
【0332】
発光層１７Ｇの緑ゲスト材料Ｇは、発光層１７Ｂの青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。図１６の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｇの発光層１７は、緑色で発光する。
【0333】
画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇでは、含有する緑ゲスト材料Ｇは、レーザ光５９が照射されて励起しない。発光層１７Ｂは、青で発光する。したがって、画素電極１５Ｂの画素３７は、青で発光する。
【0334】
なお、図１７の本発明の製造方法では、ファイン蒸着マスク２５１で、発光層１７Ｒを形成することを例示して説明したが、これに限定するものではない。たとえば、発光層１７をレーザ熱転写方式、インクジェット方式あるいは印刷方式で形成してもよい。
【0335】
また、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂなどの他の発光層をファイン蒸着マスクで形成することも、本発明の技術的範疇である。また、発光層１７に限定されるものでなく、たとえば、正孔輸送層１６を形成してもよい。ファイン蒸着マスク２５１を使用して正孔輸送層１６を形成することにより、たとえば、図１に図示するように、正孔輸送層１６Ｒ、正孔輸送層１６Ｇ、正孔輸送層１６Ｂの膜厚を容易に変更して形成できる。
【0336】
以下、図面を参照しながら、本発明の第４の実施例について説明をする。まず、本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の１つであるレーザ熱転写装置について説明する。
【0337】
図１８は、本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の１つであるレーザ熱転写装置の説明図である。レーザ熱転写装置のレーザ装置５８の関連部材、制御装置、制御方法、動作等などに関する事項は、図４、図５、図６などを用いて説明しているので説明を省略する。
【0338】
レーザ装置５８が発生するレーザ光５９は、発光層１７などを改質させる場合は、紫外線領域の光であるのに対して、レーザ熱転写の場合は、赤外線領域の光であることが異なる。
【0339】
図１１（ｂ）は、本発明の第４の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造装置の説明図である。レーザ熱転写装置は、図１１（ｂ）の転写装置室１１７に配置されている。ＴＦＴ基板５２は、ロードロック室１１２ａを介して、転写装置室１１７に搬入される。なお、図１１（ａ）と図１１（ｂ）の差異は、チャンバー室１１１ｄが、ロードロック室１１２ａおよび転写装置１１７となっている点である。
【0340】
転写有機膜１９５の転写装置は、図１８に図示するように、ドナーフィルム１９７に照射するレーザ光５９ｄを発生させるレーザ装置５８を具備する。図１９は転写工程において、レーザ装置５８により、ドナーフィルム１９７にレーザ光５９ｄを照射する動作を説明する説明図である。
【0341】
レーザ熱転写装置は、ＴＦＴ基板５２が置かれる移動ステージ１８２と制御機構１８５を具備する。制御機構１８５の支持機構１８３は、ＴＦＴ基板５２上に配置されるドナーフィルム１９７を保持する。支持機構１８３は、ＴＦＴ基板５２とドナーフィルム１９７との間隔を調節できるように、昇降機構１８４を具備する。また、移動ステージ１８２には、ＴＦＴ基板５２とドナーフィルム１９７間に存在するガスを外部に排出させる排気口１８１を有する。
【0342】
制御機構１８５ａはドナーフィルム１９７の一端部を支持する支持機構１８３ａと昇降機構１８４ａを備える。制御機構１８５ｂはドナーフィルム１９７の他端部を支持する支持機構１８３ｂと昇降機構１８４ｂを備える。支持機構１８３ａと支持機構１８３ｂとは、独立して、移動ステージ１８２上で、ドナーフィルム１９７を昇降させることができる。
【0343】
昇降機構１８４ａは、移動ステージ１８２上で上下に移動させる。支持機構１８３ｂは、ドナーフィルム１９７の他端部を固定する。昇降機構１８４ｂは、移動ステージ１８２上でドナーフィルム１９７を上下に移動させる。
【0344】
支持機構１８３は、ドナーフィルム１９７がＴＦＴ基板５２上に配置されるようにドナーフィルム１９７を支持する。支持機構１８３、昇降機構１８４は、ドナーフィルム１９７の両端部を支持してドナーフィルム１９７をＴＦＴ基板５２に対して上下に移動させることができる。
【0345】
移動ステージ１８２は、２つの排気口１８１ａ、排気口１８１ｂをさらに備える。排気口１８１は、転写装置室１１７内部と外部とを連結する通路である。排気口１８１を通じて移動ステージ１８２上に置かれるＴＦＴ基板５２と、ＴＦＴ基板５２上に配されるドナーフィルム１９７との間に存在するガスが、転写装置室１１７の外部に排出される。
【0346】
移動ステージ１８２は、移動するための駆動手段（図示せず）をさらに備えている。例えば、レーザ５９がＴＦＴ基板５２の法線方向に照射される場合、横方向に移動ステージ１８２を移動させる駆動手段（機構）を有する。
【0347】
支持機構１８３は昇降機構１８４により、ＴＦＴ基板５２の法線方向に、上昇または下降できる。制御機構１８５ａと制御機構１８５ｂは、独立して動作制御することができ、また、独立して上昇、降下の制御をすることができる。
【0348】
加圧ローラー１８６は、ドナーフィルム１９７上に配置され、ＴＦＴ基板５２に向かってドナーフィルム１９７上に圧力を加えることができる。加圧ローラー１８６は、ドナーフィルム１９７とＴＦＴ基板５２との接着工程時、ドナーフィルム１９７にＴＦＴ基板５２に向かって圧力を加えて、ドナーフィルム１９７とＴＦＴ基板５２とを密着させる。加圧ローラー１８６は、ドナーフィルム１９７とＴＦＴ基板５２との剥離工程時、ＴＦＴ基板５２に転写された転写有機膜１９５がはがれることを防止できる。
【0349】
支持機構１８３は、ＴＦＴ基板５２とドナーフィルム１９７との接着工程前に、ＴＦＴ基板５２と離隔されるようにドナーフィルム１９７を移動させる。排気口１８１は、ＴＦＴ基板５２とドナーフィルム１９７との空間に存在するガスを外部に排出させる。
【0350】
支持機構１８３は、ドナーフィルム１９７の一端部および他端部から外部に延びる方向に引っ張る。ドナーフィルム１９７を引っ張ることにより、支持機構１８３は、ドナーフィルム１９７がＴＦＴ基板５２に向かって垂れ下がることを防止する。
【0351】
図１８に図示するように、剥離工程時には、まず、支持機構１８３ａがドナーフィルム１９７の一端部を持ち上げることによって、加圧ローラー１８６は、ドナーフィルム１９７の一端部から一端部に対向する他端部に沿って移動する。加圧ローラー１８６によりドナーフィルム１９７に圧力を加えることによって、ＴＦＴ基板５２に転写された転写有機膜１９５が剥離工程中にはがれることを防止できる。
【0352】
ドナーフィルム１９７とＴＦＴ基板５２との剥離工程時は、支持機構１８３ｂが停止した状態で、支持機構１８３ａが上昇する。ドナーフィルム１９７は支持機構１８３ａに近い側からドナーフィルム１９７の一端部からＴＦＴ基板５２が分離される。
【0353】
支持機構１８３ａの上昇が完了すると、支持機構１８３ｂが上昇を開始する。ドナーフィルム１９７は支持機構１８３ｂに近い側のドナーフィルム１９７が上昇し、ドナーフィルム１９７とＴＦＴ基板５２とが分離される。
【0354】
本発明の第４の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造方法は、レーザ熱転写法を利用する。レーザ熱転写法は、移動ステージ１８２上にＴＦＴ基板５２を配置する工程と、ＴＦＴ基板５２とドナーフィルム１９７との間に存在するガスを除去する工程と、ドナーフィルム１９７とＴＦＴ基板５２とを接着する工程と、ドナーフィルム１９７の転写有機膜１９５をＴＦＴ基板５２に転写する工程と、ドナーフィルム１９７とＴＦＴ基板５２とを剥離する工程とを実施する。
図１９は、本発明の第４の実施例で使用するドナーフィルム１９７の構成、およびドナーフィルム１９７を用いた製造方法を説明するための説明図である。
図１９は、本発明の第４の実施例で使用するドナーフィルム１９７の構成、およびドナーフィルム１９７を用いた製造方法を説明するための説明図である。
【0355】
ドナーフィルム１９７のベースフィルム１９１は透明性高分子から構成されている。透明性高分子としては、ポリエチレンテレフタルレートのような、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレンなどが用いられる。特に、ポリエチレンテレフタルレートフィルムを用いることが好ましい。
【0356】
ドナーフィルム１９７のベースフィルム１９１は、支持フィルムとしての光学的性質と機械的安全性を有しなければならない。ベースフィルム１９１の厚さは１０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。
【0357】
ベースフィルム１９１に光学変換膜１９２が形成される。光学変換膜１９２は、赤外線－可視光線領域のレーザ光５９ｄ等を吸収して光の一部を熱に変換させる層である。光学変換膜１９２は、光吸収性物質を含む。
【0358】
光学変換膜１９２として、例えば、アルミニウム酸化物またはアルミニウム硫化物を光吸収性物質に含む金属膜、カーボンブラック、黒鉛や赤外線染料を光吸収性物質に含む高分子有機膜がある。金属膜の場合は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法またはスパッタリングを用いて１００Å以上５０００Å以下の厚さに形成することが好ましく、有機膜の場合は、一般のフィルムコーティング方法であるロ－ルコーティング(ｒｏｌｌ ｃｏａｔｉｎｇ)、グラビア(ｇｒａｖｕｒｅ)、圧出(ｅｘｔｒｕｓｉｏｎ)、スピン(ｓｐｉｎ)、およびナイフ(ｋｎｉｆｅ)コーティング方法を用いて０．１μｍ以上１０μｍ以下の厚さに形成することが好ましい。
【0359】
また、光学変換膜１９２として、鉄・コバルト・ニッケルなどの金属磁性体を用いることもできる。その他、ネオジム磁石、サマリウムコバルト磁石の材料物質も用いることができる。
【0360】
なお、ドナーフィルム１９７を構成するベースフィルム１９１は、樹脂材料からなるフィルムとして説明するが、本発明はこれに限定するものではない。ベースフィルム１９１は、ガラスのように無機材料の板で構成してもよいことは言うまでもない。したがって、ドナーフィルムは、フィルムに限定されるものではなく、光学変換膜１９２、転写有機膜１９５が形成されたシート状のものであれば、いずれの構成物であってもよい。
【0361】
ベースフィルム１９１に光学変換膜１９２が形成される。光学変換膜１９２は、赤外線－可視光線領域のレーザ光５９ｄを吸収して光の一部を熱に変換させる層である。光学変換膜１９２として、例えば、アルミニウム酸化物、アルミニウム硫化物を光吸収性物質に含む金属膜、カーボンブラック、黒鉛がある。
【0362】
光学変換膜１９２上に中間膜１９３を形成することができる。中間膜１９３は、光学変換膜１９２に含まれた光吸収性物質、例えば、カーボンブラックが、後続の工程で形成される転写有機膜１９５を汚染することを防止する役割をする。
【0363】
中間膜１９３はアクリル樹脂またはアルキド樹脂で形成することができる。光学変換膜１９２上に中間膜１９３を形成する場合は、中間膜１９３上にさらにバッファ膜１９４を形成することが好ましい。
【0364】
バッファ膜１９４は、転写有機膜１９５に形成される有機膜などの損傷を防止し、中間膜１９３と転写有機膜１９５との接着力を効果的に調節するために形成される。バッファ膜１９４は、レーザビーム透過率が２０％以下の金属または金属酸化物を用いており、また、バッファ膜１９４の厚さは０．０５μｍ以上１μｍ以下に形成する。
【0365】
バッファ膜１９４上に転写有機膜１９５が形成される。転写有機膜１９５は、発光層１７、正孔注入層、正孔輸送層１６、電子注入層、電子輸送層１８などを形成するための有機材料である。
【0366】
一実施態様として、転写有機膜１９５は、有機薄膜形成用物質をコーティングして製造する。転写有機膜１９５としては、１つの有機層ではなく２つ以上の有機層を、必要に応じて積層することができる。
【0367】
図１９に図示するように、ＴＦＴ基板５２と所定間隔分に離隔された位置にドナーフィルム１９７を配置した後、ドナーフィルム１９７に赤外波長あるいは可視波長のレーザ光５９ｄを照射する。
【0368】
本発明の実施例において、画素３７Ｒの発光層１７Ｒを熱転写により形成することを例示して説明をするが、本発明はこれに限定するものではない。他の色の画素３７の発光層１７を形成してもよいことは言うまでもない。また、熱転写で形成するのは、発光層１７に限定されるものではなく、たとえば、正孔輸送層１６などの他の有機膜を形成してもよいことは言うまでもない。
【0369】
【0370】
レーザ光５９ｄは、ベースフィルム１９１を通過して光学変換膜１９２を加熱する。レーザ光５９ｄにより光学変換膜１９２は、熱を放出する。光学変換膜１９２は膨張し、転写有機膜１９５がドナーフィルム１９７から剥離する。剥離した転写有機膜１９５ａは、ＴＦＴ基板５２の画素電極１５の上方に、発光層１７Ｒとして積層される。
【0371】
積層した発光層１７の厚みは、転写有機膜１９５の厚みに比例する。したがって、転写有機膜１９５の厚みを規定することにより、発光層１７の膜厚を規定することができる。
【0372】
また、複数のドナーフィルム１９７を使用し、転写有機膜１９５を複数回、正孔輸送層１６上に転写してもよい。複数回の転写により、発光層１７の膜厚を規定の膜厚に精度よく形成できる。
【0373】
レーザ光５９ｄは、固体、ガス、半導体、染料などのすべての汎用のレーザ光を使用することができる。中でも、波長が８００ｎｍ以上の赤外線領域の波長のレーザ光を用いることが好ましい。たとえば、ＹＡＧレーザ、ガラスレーザ、炭酸ガスレーザが例示される。ヘリウムネオン（Ｈｅ－Ｎｅ）レーザも採用することができる。
【0374】
【0375】
発光層１７を熱転写する熱転写装置は、転写装置室１１７内に設置されている。ＴＦＴ基板５２はロードロック室１１２ａを経由して転写装置室１１７に搬入される。 ＴＦＴ基板５２は正孔輸送層１６を蒸着するチャンバー（ＨＴＬ）室１１１ｃに搬入される。チャンバー室１１１ｃで、図２１（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。
【0376】
次に、ＴＦＴ基板５２は、発光層Ｒを転写する転写装置室１１７に搬入される。図２１（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２と離隔された位置にドナーフィルム１９７を配置した後、ドナーフィルム１９７に赤外領域あるいは可視光領域の波長のレーザ光５９ｄを照射する。レーザ光５９ｄは、ベースフィルム１９１を通過して光学変換膜１９２を加熱する。
【0377】
放出された熱によって、ドナーフィルム１９７の光学変換膜１９２が膨張され、転写有機膜１９５ａがドナーフィルム１９７から剥離する。剥離した転写有機膜１９５がＴＦＴ基板５２の正孔輸送層１６上に、発光層１７Ｒとして所望するパターンと厚さに転写される。転写有機膜１９５ａが発光層１７Ｒとなる。
【0378】
図２１（ｂ）に図示するように、転写有機膜１９５が発光層１７Ｒとして、ＴＦＴ基板５２に熱転写される。しかし、図２０に図示するように、転写有機膜１９５は、赤色の画素電極１５Ｒの上方だけでなく、土手９５上に付着物２０１ｂとして付着することがある。また、赤色の画素電極１５Ｒだけでなく、緑色の画素電極１５Ｇの上方、青色の画素電極１５Ｂの上方に付着物２０１ａとして付着する場合がある。
【0379】
土手９５上に付着した付着物２０１ｂは剥離し、画素電極１５上に付着して不良原因になる場合がある。また、緑色の画素電極１５Ｇの上方、青色の画素電極１５Ｂの上方に付着した付着物２０１ａは発光し、混色問題となる場合がある。
図２０は、本発明のＥＬ表示パネルの製造工程で発生する付着物２０１を改質あるいは除去する方法の説明図である。
図２０は、本発明のＥＬ表示パネルの製造工程で発生する付着物２０１を改質あるいは除去する方法の説明図である。
【0380】
図２０では、ＴＦＴ基板５２の上側からレーザ光５９ａを照射している。有機材料を改質させる方式では、ＴＦＴ基板５２の上側からでも下側からでもいずれでもよい。
【0381】
レーザ光５９ａで有機材料を除去させる場合は、ＴＦＴ基板５２の上側からレーザ光５９ａを照射することが好ましい。除去した有機材料は上方向に蒸発する。ＴＦＴ基板５２の下側からレーザ光５９ａを照射すると、除去した有機材料がＴＦＴ基板５２に付着する場合がある。
【0382】
熱転写により、不要な箇所に付着した付着物２０１には、レーザ光５９ａを照射して改質させる。付着物２０１に紫外線帯域のレーザ光５９ａを照射する。紫外線波長のレーザ光５９ａの照射により付着物２０１のゲスト材料は改質される。改質により、付着物２０１は発光しなくなるか、除去される。
【0383】
レーザ光５９ａは、図４のレーザ光５９と同様のものを使用できる。また、レーザ装置５８も同様のものを使用できる。レーザ光５９ａの波長は紫外線領域の波長を使用する。
【0384】
レーザ光５９ａの照射により、付着物２０１は改質される。あるいは、レーザ光５９ａの照射により、付着物２０１は加熱され、蒸発し、画素電極１５の上方から除去される。
【0385】
次に、ＴＦＴ基板５２は、チャンバー室（ＥＭＬ（Ｇ））１１１ｂに搬入される。チャンバー室１１１ｂでは、図２１（ｃ）に図示するように、発光層１７Ｒの上方に、発光層１７Ｇを蒸着工法により積層させる。
【0386】
発光層１７Ｇの真空蒸着工程は、ファイン蒸着マスク２５１は使用しない。発光層１７Ｇはラフ蒸着マスク（図示せず）を用いて、表示パネルの表示画面３６の全体に蒸着する。したがって、画素電極１５Ｒ、画素電極１５Ｇ、画素電極１５Ｂの上方に、共通に発光層１７Ｇが形成される。
【0387】
ＴＦＴ基板５２は、ロードロック室１１２ｂを経由して、レーザ装置室１１８に搬入される。レーザ装置室１１８では、図２１（ｄ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の発光層１７Ｇにレーザ光５９ａの照射を行う。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに照射する。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇには照射されない。レーザ光５９ａの照射部で、発光層１７Ｇは改質され、改質部９６ｂとなる。
画素電極１５Ｒおよび画素電極１７Ｇに対応した発光層１７Ｇは、レーザ光５９ａが照射されていないため、発光層としての性能を維持している。
画素電極１５Ｒおよび画素電極１７Ｇに対応した発光層１７Ｇは、レーザ光５９ａが照射されていないため、発光層としての性能を維持している。
【0388】
次に、ＴＦＴ基板５２は、チャンバー室（ＥＭＬ（Ｂ） ＥＴＬ）１１１ｅに搬入される。チャンバー室１１１ｅでは、図２１（ｅ）に図示するように、発光層１７Ｇの上方に、発光層１７Ｂを蒸着工法により積層させる。
【0389】
発光層１７Ｂの真空蒸着工程は、ファイン蒸着マスク２５１は使用しない。発光層１７Ｂはラフ蒸着マスク（図示せず）を用いて、表示パネルの表示画面３６の全体に蒸着する。したがって、画素電極１５Ｒ、画素電極１５Ｇ、画素電極１５Ｂの上方に、共通に発光層１７Ｂが形成される。
【0390】
次に、図２１（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂの上方に電子輸送層１８を形成し、続いて、電子注入層を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。
【0391】
図２１で説明したＥＬ表示パネルの製造方法で製造されたパネル構造は、図１６と同様である。図１６のＥＬ表示パネルの構造、動作については、説明しているので説明を省略する。第４の実施例では、図１６の発光層１７が、熱転写方法で形成されている点が異なる。
【0392】
図２１の本発明の製造方法では、ドナーフィルム１９７等を用いて、発光層１７Ｒを形成することを例示して説明したが、これに限定するものではない。たとえば、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂなどの他の発光層をドナーフィルム１９７等で形成することも本発明の技術的範疇である。また、発光層１７に限定されるものでなく、たとえば、絶縁膜１４を形成してもよい。ドナーフィルム１９７等を使用して絶縁膜１４を形成することにより、たとえば、図１に図示するように、絶縁膜１４Ｒ、絶縁膜１４Ｇ、絶縁膜１４Ｂの膜厚を容易に設定できる。
図２２、図２３は本発明の第５の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。
図２２、図２３は本発明の第５の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。
【0393】
図２２において、赤色の画素電極１５Ｒの上方には、発光層１７Ｒ、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）が形成されている。緑色の画素電極１５Ｇおよび青色の画素電極１５Ｂの上方には、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）が形成されている。
発光層ＥＭＬ（ＧＢ）は、ホスト材料と、緑発光のゲスト材料と青色発光のゲスト材料とが共蒸着されて形成される。
発光層ＥＭＬ（ＧＢ）は、ホスト材料と、緑発光のゲスト材料と青色発光のゲスト材料とが共蒸着されて形成される。
【0394】
以下、図面を参照しながら、本発明の第５の実施例の製造方法について説明をする。図２３（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。次に、図２３（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、赤色の発光層１７Ｒを形成するために、ファイン蒸着マスク２５１Ｒを配置する。赤色の発光層材料１７２Ｒを蒸発させ、発光層１７Ｒを正孔輸送層１６上に積層させる。発光層１７Ｒはホスト材料と赤色のゲスト材料を共蒸着させて形成する。
【0395】
次に、図２３（ｃ）に図示するように、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）を積層させる。発光層ＥＭＬ（ＧＢ）は緑色発光のゲスト材料と青色発光のゲスト材料とを含有している。発光層ＥＭＬ（ＧＢ）は、ホスト材料、緑色発光のゲスト材料、青色発光のゲスト材料を共蒸着して形成する。
【0396】
次に、ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入され、図２３（ｄ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層ＥＭＬ（ＧＢ）に、レーザ光５９ｃが照射される。レーザ光５９ｃを照射すると、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の緑色のゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｃを吸収し、改質部９６となる。
【0397】
図３（ｃ）に図示するように、ホスト材料および緑色のゲスト材料Ｂは、レーザ光５９ｃを吸収しにくい材料を選定する。緑色のゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｃを吸収しやすい材料を選定する。
【0398】
好ましくは、図３（ｃ）に図示するように、レーザ光５９ｃの波長で、ゲスト材料Ｇの吸収率が１００％とした時、ゲスト材料Ｂの吸収率が２５％以下となるゲスト材料Ｂを選定する。また、ゲスト材料Ｇの吸収率とゲスト材料Ｂの吸収率の差が３倍以上となるように材料を選定する。
緑色の画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇにはレーザ光５９ｃが照射されていないため、発光層１７Ｇのゲスト材料Ｇが発光可能な状態が維持されている。
緑色の画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇにはレーザ光５９ｃが照射されていないため、発光層１７Ｇのゲスト材料Ｇが発光可能な状態が維持されている。
【0399】
【0400】
図２２の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤ゲスト材料Ｒの吸収スペクトルは、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の緑ゲスト材料の発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。また、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の緑ゲスト材料の発光スペクトルは、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の青ゲスト材料Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。
【0401】
画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒの赤ゲスト材料Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の緑ゲスト材料Ｇおよび青ゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。
【0402】
発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の緑ゲスト材料Ｇは、青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤ゲスト材料Ｒは、緑ゲスト材料Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光する。図２２の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｒの発光層１７Ｒは、赤色で発光する。
【0403】
画素電極１５Ｇの上方の発光層ＥＭＬ（ＧＢ）では、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇの緑ゲスト材料Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の青ゲスト材料Ｂの青ゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。
【0404】
発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の緑ゲスト材料Ｇは、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。図２２の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｇの発光層ＥＭＬ（ＧＢ）は、緑色で発光する。
【0405】
画素電極１５Ｂの上方の発光層ＥＭＬ（ＧＢ）では、含有する緑ゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｃが照射されて励起しない。画素電極１５Ｂの上方の発光層ＥＭＬ（ＧＢ）では、青ゲスト材料Ｂが発光する。したがって、画素電極１５Ｂの画素３７は、青色で発光する。
図２４、図２５は本発明の第６の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。
図２４、図２５は本発明の第６の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。
【0406】
図２４において、赤色、緑色および青色の画素電極１５の上方には、発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）が形成されている。発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）は、ホスト材料と、赤発光のゲスト材料、緑発光のゲスト材料、青色発光のゲスト材料とが共蒸着されて形成されている。
【0407】
以下、本発明の第６の実施例の製造方法について説明をする。図２５（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。次に、図２５（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、発光層１７ＲＧＢを正孔輸送層１６上に積層させる。発光層１７ＲＧＢは、ホスト材料と、赤発光のゲスト材料、緑発光のゲスト材料、青色発光のゲスト材料を共蒸着させて形成する。
【0408】
次に、ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入され、図２５（ｃ）に図示するように、緑色の画素電極１５Ｇおよび青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）に、レーザ光５９ａが照射される。レーザ光５９ａを照射すると、発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の赤色のゲスト材料Ｒは、レーザ光５９ａを吸収し、改質部９６ａとなる。
【0409】
図３（ｄ）に図示するように、赤色のゲスト材料Ｒは、レーザ光５９ａを吸収しやすい材料を選定する。緑色のゲスト材料Ｇおよび青色のゲスト材料Ｂは、レーザ光５９ａを吸収しにくい材料を選定する。
【0410】
好ましくは、図３（ｄ）に図示するように、レーザ光５９ａの波長で、ゲスト材料Ｒの吸収率が１００％とした時、ゲスト材料Ｇの吸収率が２５％以下となるゲスト材料Ｇを選定する。また、ゲスト材料Ｒの吸収率とゲスト材料Ｇの吸収率の差が３倍以上となるように材料を選定する。好ましくは４倍以上となるように材料を選定する。
【0411】
赤色の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒにはレーザ光５９ａが照射されていないため、発光層１７ＲＧＢのゲスト材料Ｒ、ゲスト材料Ｇ、ゲスト材料Ｂが発光可能な状態が維持されている。
【0412】
次に、図２５（ｄ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）に、レーザ光５９ｂが照射される。レーザ光５９ｂを照射すると、発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の緑色のゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｂを吸収し、改質部９６ｂとなる。
【0413】
図３（ｄ）に図示するように、緑色のゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｂを吸収しやすい材料を選定する。青色のゲスト材料Ｂは、レーザ光５９ｂを吸収しにくい材料を選定する。
【0414】
好ましくは、図３（ｄ）に図示するように、レーザ光５９ｂの波長で、ゲスト材料Ｇの吸収率が１００％とした時、ゲスト材料Ｂの吸収率が２５％以下となるゲスト材料Ｂを選定する。また、ゲスト材料Ｇの吸収率とゲスト材料Ｂの吸収率の差が３倍以上となるように材料を選定する。
【0415】
【0416】
図２４の画素電極１５Ｒの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）が含んでいる赤ゲスト材料Ｒの吸収スペクトルは、緑ゲスト材料の発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。また、発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の緑ゲスト材料の発光スペクトルは、青ゲスト材料Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。
【0417】
画素電極１５Ｒの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）では、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒの赤ゲスト材料Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の緑ゲスト材料Ｇおよび青ゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。
【0418】
発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の緑ゲスト材料Ｇは、青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。画素電極１５Ｒの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）が含んでいる赤ゲスト材料Ｒは、緑ゲスト材料Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光する。図２４の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｒの発光層１７Ｒは、赤色で発光する。
【0419】
画素電極１５Ｇの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）では、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇの緑ゲスト材料Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の青ゲスト材料Ｂの青ゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。
【0420】
発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の緑ゲスト材料Ｇは、発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。図２４の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｇの発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）は、緑色で発光する。
【0421】
画素電極１５Ｂの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）が含有する緑ゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｂが照射されて励起しない。また、発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）が含有する赤ゲスト材料Ｒは、レーザ光５９ａが照射されて励起しない。画素電極１５Ｂの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）では、青ゲスト材料Ｂが発光する。したがって、画素電極１５Ｂの画素３７は青色で発光する。
【0422】
以上の実施例では、画素電極１５の上方の発光層１７等にレーザ光５９を照射し、発光層１７等を改質するものであった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。
図２６、図２７は本発明の第７の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。
図２６、図２７は本発明の第７の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。
【0423】
【0424】
図２６において、赤色の画素電極１５Ｒの上方には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。緑色の画素電極１５Ｇの上方には、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。青色の画素電極１５Ｂの上方には、発光層１７Ｂが形成されている。
【0425】
以下、本発明の第７の実施例の製造方法について説明をする。図２７（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。
【0426】
図２７（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、発光層１７Ｒを正孔輸送層１６上に積層させる。発光層１７Ｒは、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂに連続した発光層１７として形成される。
【0427】
次に、ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入され、図２７（ｂ）に図示するように、緑色の画素電極１５Ｇおよび青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒに、レーザ光５９ａを照射する。レーザ光５９ａの照射により、発光層１７Ｒはレーザ光５９ａを吸収し、過熱されて蒸発する。発光層１７Ｒは蒸発することにより除去される。
【0428】
図２７（ｃ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、発光層１７Ｇを積層させる。発光層１７Ｇは、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂに連続した発光層１７として積層される。
【0429】
次に、ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入され、図２７（ｄ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに、レーザ光５９ｂを照射する。レーザ光５９ｂの照射により、発光層１７Ｇはレーザ光５９ｂを吸収し、過熱されて蒸発する。発光層１７Ｇは蒸発することにより正孔輸送層１６上から除去される。
【0430】
図２７（ｅ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、発光層１７Ｂを積層させる。発光層１７Ｂは、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂに連続した発光層１７として積層される。
次に、図２７（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂの上方に電子輸送層１８を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。
次に、図２７（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂの上方に電子輸送層１８を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。
【0431】
赤色の画素電極１５Ｒの上方には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｇの３つの発光層が積層されている。緑色の画素電極１５Ｇの上方には、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｇの２つの発光層が積層されている。青色の画素電極１５Ｂの上方には、発光層１７Ｇが積層されている。
【0432】
なお、図２７（ｂ）の工程で、発光層１７Ｒは蒸発して除去されるが、発光層１７Ｒの一部は残存する場合がある。しかし、残存した発光層１７Ｒはレーザ光５９ａにより改質されているため、発光に寄与しない。また、図２７（ｄ）の工程で、発光層１７Ｇは蒸発して除去されるが、発光層１７Ｇの一部は残存する場合がある。しかし、残存した発光層１７Ｇはレーザ光５９ｂにより改質されているため、発光に寄与しない。
【0433】
画素３７Ｒでは、発光層１７Ｂが放出する励起エネルギーうち少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。発光層１７Ｇが励起されるエネルギーの少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。したがって、画素３７Ｒの発光色は、発光層１７Ｒの発光色とほぼ等しく、画素３７Ｒは、赤色光を放出する。
【0434】
画素３７Ｇでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｂにおいても発光する可能性がある。発光層１７Ｂが放出する励起エネルギーうち少なくとも一部は、発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。したがって、画素電極１５Ｇの発光色は、発光層１７Ｇの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｇは、緑色光を放出する。
画素３７Ｂでは、電子と正孔との再結合は、主に発光層１７Ｂにおいて生じる。他の色の発光層１７は、除去されているため、画素３７Ｂは青色光を放出する。
したがって、レーザ光５９で発光層１７を除去することにより、赤色、緑色、青色の３原色を有するＥＬ表示パネルを製造できる。
画素３７Ｂでは、電子と正孔との再結合は、主に発光層１７Ｂにおいて生じる。他の色の発光層１７は、除去されているため、画素３７Ｂは青色光を放出する。
したがって、レーザ光５９で発光層１７を除去することにより、赤色、緑色、青色の３原色を有するＥＬ表示パネルを製造できる。
【0435】
図１７の実施例では、ファイン蒸着マスク２５１を使用して発光層１７を形成する実施例であった。本発明はこれに限定するものではない。ファイン蒸着マスク２５１を使用して発光層１７以外の層を形成してもよい。
図２８、図２９は本発明の第８の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。
図２８、図２９は本発明の第８の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。
【0436】
【0437】
図２８において、赤色の画素電極１５Ｒの上方には、正孔輸送層１６ａ、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。緑色の画素電極１５Ｇの上方には、正孔輸送層１６ａ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。青色の画素電極１５Ｂの上方には、正孔輸送層１６ａ、正孔輸送層１６ｂ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。
【0438】
以下、本発明の第８の実施例の製造方法について説明をする。図２９（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６ａが形成される。
【0439】
次に、図２９（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２にファイン蒸着マスク２５１Ｈが配置される。ファイン蒸着マスク２５１Ｈの穴を介して、正孔輸送層材料１７２Ｈが正孔輸送層１６ａ上に積層させ、正孔輸送層１６ｂとなる。
【0440】
次に、図２９（ｃ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２にファイン蒸着マスク２５１Ｒが配置される。ファイン蒸着マスク２５１Ｒの穴を介して、発光層材料１７２Ｒが正孔輸送層１６ａ上に積層させ、発光層１７Ｒとなる。
【0441】
次に、図２９（ｄ）に図示するように、発光層１７Ｇが形成される。発光層１７Ｇは、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂに連続した発光層１７Ｇとして形成される。
【0442】
ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入され、図２９（ｅ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに、レーザ光５９を照射する。レーザ光５９の照射により、発光層１７Ｇはレーザ光５９を吸収し、改質される。
次に、図２９（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂの上方に電子輸送層１８を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。
次に、図２９（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂの上方に電子輸送層１８を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。
【0443】
赤色の画素電極１５Ｒの上方には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｇの３つの発光層が積層されている。緑色の画素電極１５Ｇの上方には、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂの２つの発光層が積層されている。青色の画素電極１５Ｂの上方には、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが積層されている。
【0444】
画素３７Ｒでは、発光層１７Ｂが放出する励起エネルギーうち少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。発光層１７Ｇが励起されるエネルギーの少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。したがって、画素３７Ｒの発光色は、発光層１７Ｒの発光色とほぼ等しく、画素３７Ｒは、赤色光を放出する。
【0445】
画素３７Ｇでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｂにおいても発光する可能性がある。発光層１７Ｂが放出する励起エネルギーうち少なくとも一部は、発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。したがって、画素電極１５Ｇの発光色は、発光層１７Ｇの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｇは、緑色光を放出する。
【0446】
画素３７Ｂでは、電子と正孔との再結合は、主に発光層１７Ｂにおいて生じる。発光層１７Ｇは、レーザ光５９により改質されているので、発光に寄与しない。画素３７Ｂは青色光を放出する。
【0447】
図１、図１０で説明した第１の実施例に、画素３７にレーザ光５９を照射し、照射した発光層１７を改質させて、非発光層とした実施例であろ。しかし、本発明は、レーザ光５９の照射は画素電極１５上に限定されるものではない。
図２０に図示するように、画素３７間にレーザ光５９を照射して、発光層１７等を改質あるいは除去してもよい。
図２０に図示するように、画素３７間にレーザ光５９を照射して、発光層１７等を改質あるいは除去してもよい。
【0448】
図３０、図３１は本発明の第９の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。第９の実施例は、隣接した画素間に、レーザ光５９を照射し、隣接した画素間の発光層１７等を改質させて、発光させなくした実施例である。
【0449】
第９の実施例では、図３０に図示するように、画素電極１５間の発光層１７および正孔輸送層１６にレーザ光５９ｃを照射し、改質部９６ｃにしている。断面構造は図１の実施例を例示し、図１の土手９５をなくし、図１の土手９５部にレーザ光５９ｃを照射して、レーザ光５９ｃを照射した箇所を改質部９６ｃとした構造である。
【0450】
土手９５を形成しないことにより、土手９５を形成する工程が省略でき、製造コストを低減できる。また、画素３７の開口率を高くでき、画素３７での電流集中がなくなり、ＥＬ素子２２を高寿命化できる。
【0451】
また、画素３７間にレーザ光５９ｃを照射することにより、隣接した画素３７間に異なる色の発光層１７が重なることによる混色がなくなり、混色発光がなくなる。
図３０（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。
図３０（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。
【0452】
次に、図３０（ｂ）に図示するように、発光層１７Ｒを、蒸着工法により、正孔輸送層１６上に積層させる。また、ＴＦＴ基板５２の発光層１７にレーザ光５９ａの照射を行う。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒに照射する。
【0453】
【0454】
次に、図３０（ｄ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の発光層１７Ｇにレーザ光５９ｂの照射を行う。レーザ光５９ｂは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに照射する。レーザ光５９ｂの照射部で、発光層１７Ｇは改質され、改質部９６ｂとなる。
図３１（ｅ）に図示するように、隣接した画素間に、レーザ光５９ｃを照射することにより、画素３７間の発光材料等が改質される。
図３１（ｅ）に図示するように、隣接した画素間に、レーザ光５９ｃを照射することにより、画素３７間の発光材料等が改質される。
【0455】
なお、図３１（ｅ）で図示するように、レーザ光５９ｃの照射時に、スリットマスク９２等を使用し、スリットマスク９２ｃの開口部（光透過部）からレーザ光５９ｃを照射すれば、位置精度よく画素３７間を改質することができる。
次に、図３１（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂの上方に電子輸送層１８を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。
以上のように、本発明は、レーザ光などを照射し、発光層１７などを改質あるいは除去させて非発光状態とすることを技術思想としている。
実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）を様々な電子機器に適用することができる。具体的には、電子機器の表示部に適用することができる。
次に、図３１（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂの上方に電子輸送層１８を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。
以上のように、本発明は、レーザ光などを照射し、発光層１７などを改質あるいは除去させて非発光状態とすることを技術思想としている。
実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）を様々な電子機器に適用することができる。具体的には、電子機器の表示部に適用することができる。
【0456】
そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが例示される。
【0457】
図３７（ａ）は、本発明のＥＬ表示パネル３７１を用いたディスプレイの斜視図である。ＥＬ表示パネル３７１は筐体３７２に取り付けられている。図３７（ａ）に示すディスプレイは様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する。
図３７（ｂ）は、本発明のＥＬ表示パネル３７１を用いたスマートフォンの斜視図である。ＥＬ表示パネル３７１は筐体３７２に取り付けられている。
図３７（ｂ）は、本発明のＥＬ表示パネル３７１を用いたスマートフォンの斜視図である。ＥＬ表示パネル３７１は筐体３７２に取り付けられている。
【0458】
本実施の形態に係るＥＬ表示パネルを用いたＥＬ表示装置とは、情報機器などのシステム機器を含む概念である。表示装置の概念は、情報機器などのシステム機器を含む。
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
【0459】
また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【0460】
本開示は、ＥＬ表示装置、ＥＬ表示パネルに有用である。特に、アクティブ型の有機ＥＬフラットパネルディスプレイに有用である。また、本発明のＥＬ表示パネルの製造方法、製造装置として有用である。
【符号の説明】
【0461】
１２ 反射膜
１４ 絶縁膜
１５ 画素電極
１６ 正孔輸送層（ＨＴＬ）
１７ 発光層（ＥＭＬ）
１８ 電子輸送層（ＥＴＬ）
１９ カソード電極
２０ 封止層
２１ ＴＦＴ（トランジスタ）
２２ ＥＬ素子
２３ コンデンサ
２７ 封止フィルム
２８ 平坦化膜
２９ 円偏光板（円偏光フィルム）
３１ ゲートドライバＩＣ（回路）
３２ ソースドライバＩＣ（回路）
３４ ゲート信号線
３５ ソース信号線
３６ 表示画面
３７ 画素
５１ 移動ステージ
５２ ＴＦＴ基板
５３ 温度調整板
５４ 真空ポンプ
５５ 排気ダクト
５６ 蒸着室
５８ レーザ装置
５９ レーザ光
６０ 光量調整フィルタ
６１ シリンドリカルレンズ
６２ ガルバノミラー
６３ レーザ窓
６４ ｆθレンズ
６５ 金属蒸発源
６６ 有機蒸発源
７１ 蛍光・燐光
７２ 光分離ミラー
７３ ミラー
７４ レンズ
７５ フィルタ
７６ 増幅回路
７７ 光検出装置
７８ 光制御装置
７９ レーザ制御回路
８０ ホトダイオード（光センサ）
９１ レーザスポット
９２ スリットマスク
９４ 透明基板
９５ 土手
１１１ チャンバー室
１１２ ロードロック室
１１３ 搬入室
１１４ 搬出室
１１５ 中央室
１１６ 成膜室
１１７ 転写装置室
１１８ レーザ装置室
１２１ 黒色樹脂
１２２ ＬＥＤ
１２３ ベース基板
１８１ 排気口
１８２ 移動ステージ
１８３ 支持機構
１８４ 昇降機構
１８５ 制御機構
１８６ 加圧ローラー
１９１ ベースフィルム
１９２ 光学変換膜
１９３ 中間膜
１９４ バッファ膜
１９５ 転写有機膜
１９７ ドナーフィルム
３７１ ＥＬ表示パネル
３７２ 筐体
１４ 絶縁膜
１５ 画素電極
１６ 正孔輸送層（ＨＴＬ）
１７ 発光層（ＥＭＬ）
１８ 電子輸送層（ＥＴＬ）
１９ カソード電極
２０ 封止層
２１ ＴＦＴ（トランジスタ）
２２ ＥＬ素子
２３ コンデンサ
２７ 封止フィルム
２８ 平坦化膜
２９ 円偏光板（円偏光フィルム）
３１ ゲートドライバＩＣ（回路）
３２ ソースドライバＩＣ（回路）
３４ ゲート信号線
３５ ソース信号線
３６ 表示画面
３７ 画素
５１ 移動ステージ
５２ ＴＦＴ基板
５３ 温度調整板
５４ 真空ポンプ
５５ 排気ダクト
５６ 蒸着室
５８ レーザ装置
５９ レーザ光
６０ 光量調整フィルタ
６１ シリンドリカルレンズ
６２ ガルバノミラー
６３ レーザ窓
６４ ｆθレンズ
６５ 金属蒸発源
６６ 有機蒸発源
７１ 蛍光・燐光
７２ 光分離ミラー
７３ ミラー
７４ レンズ
７５ フィルタ
７６ 増幅回路
７７ 光検出装置
７８ 光制御装置
７９ レーザ制御回路
８０ ホトダイオード（光センサ）
９１ レーザスポット
９２ スリットマスク
９４ 透明基板
９５ 土手
１１１ チャンバー室
１１２ ロードロック室
１１３ 搬入室
１１４ 搬出室
１１５ 中央室
１１６ 成膜室
１１７ 転写装置室
１１８ レーザ装置室
１２１ 黒色樹脂
１２２ ＬＥＤ
１２３ ベース基板
１８１ 排気口
１８２ 移動ステージ
１８３ 支持機構
１８４ 昇降機構
１８５ 制御機構
１８６ 加圧ローラー
１９１ ベースフィルム
１９２ 光学変換膜
１９３ 中間膜
１９４ バッファ膜
１９５ 転写有機膜
１９７ ドナーフィルム
３７１ ＥＬ表示パネル
３７２ 筐体
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】