特許 7030578 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-02-25

(45)【発行日】2022-03-07

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1339 20060101AFI20220228BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1339 505

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2018050138

(22)【出願日】2018-03-16

(65)【公開番号】P2019159281

(43)【公開日】2019-09-19

【審査請求日】2020-12-09

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】特許業務法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】椎名 秀樹

【審査官】横井 亜矢子

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１３／１７５７０９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００９－０４２２９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１０７０２４８１３（ＣＮ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１２２７９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－０７１４１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００３／０１２２９７８（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０４３３５１１１（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｆ １／１３３，１／１３３３，１／１３３４

Ｇ０２Ｆ １／１３３９－１／１３４１，１／１３４７

Ｇ０２Ｆ １／１３４３－１／１３４５，１／１３５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

画像を表示する表示部、及び、前記表示部を囲む非表示部を有する表示パネルを備え、
前記表示パネルは、
絶縁基板と、第１有機絶縁膜と、前記第１有機絶縁膜の上に配置された第２有機絶縁膜と、前記非表示部において前記第１有機絶縁膜及び前記第２有機絶縁膜によって構成された土手部と、を備える第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを接着するシールと、を備え、
前記土手部は、前記第１有機絶縁膜と前記第２有機絶縁膜を貫通する第１スリットと、前記第１スリットによって分割された第１分割部及び第２分割部と、を有し、前記絶縁基板側から前記第２基板側に突出し、前記表示部よりも前記表示パネルの外形端部の近傍に位置し、
前記シールは、前記第１スリット内に配置され、
前記第１スリットのうち前記第２有機絶縁膜を貫通する部分の幅は、前記第１スリットのうち前記第１有機絶縁膜を貫通する部分の幅より大きい、表示装置。

【請求項2】

前記第１基板は、前記非表示部において前記第１有機絶縁膜及び前記第２有機絶縁膜を貫通する溝部を有し、
前記土手部は、前記表示パネルの端部と前記溝部との間に位置し、
前記溝部の前記第１有機絶縁膜を貫通する部分の幅は、前記第１スリットの前記第１有機絶縁膜を貫通する部分の幅より大きく、
前記溝部の前記第２有機絶縁膜を貫通する部分の幅は、前記第１スリットの前記第２有機絶縁膜を貫通する部分の幅より大きく、
前記溝部の幅は、前記土手部の幅より大きい、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第１基板は、前記表示部において、さらに、ドレイン電極を有するスイッチング素子と、
前記第１有機絶縁膜を前記ドレイン電極まで貫通する第１貫通孔において前記ドレイン電極に接する金属電極と、
前記金属電極と電気的に接続された画素電極と、を備える、請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第１基板は、さらに、前記第２有機絶縁膜を前記金属電極まで貫通する第２貫通孔において前記金属電極に接する透明電極と、
前記第２有機絶縁膜の上に位置し、前記透明電極まで貫通した第３貫通孔を有する無機絶縁膜と、を備え、
前記画素電極は、前記無機絶縁膜の上に位置し、前記第３貫通孔において前記透明電極に接する、請求項３に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第１分割部の前記第１有機絶縁膜の幅は、前記第１分割部の前記第２有機絶縁膜の幅より大きく、
前記第２分割部の前記第１有機絶縁膜の幅は、前記第２分割部の前記第２有機絶縁膜の幅より大きい、請求項１乃至４の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項6】

前記第１スリットの側面は、前記第１有機絶縁膜と前記第２有機絶縁膜との間で段差を有する、請求項１乃至５の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項7】

前記表示パネルは、第１方向に延出した第１端部及び第２端部と、前記第１方向と交差する第２方向に延出した第３端部及び第４端部と、前記表示部と前記第１端部との間の実装部と、を有し、
前記第１スリットは、前記第２端部と前記表示部との間、前記第３端部と前記表示部との間、及び、前記第４端部と前記表示部との間に位置する、請求項１乃至６の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項8】

前記土手部は、前記第１有機絶縁膜と前記第２有機絶縁膜を貫通する第２スリットと、前記第２スリットによって分割された第３分割部と、を有し、
前記シールは、前記第２スリット内に配置される、請求項１乃至７の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項9】

前記土手部は、前記第２有機絶縁膜を前記第１有機絶縁膜まで貫通する第３スリットを有する、請求項１乃至８の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項10】

前記第２基板は、前記表示パネルの前記外形端部の近傍に位置し、前記第１基板側に突出したスペーサを備え、
前記土手部は、前記スペーサと対向する、請求項１乃至９の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項11】

さらに、前記シールに拡散された複数のフィラーを備え、
前記第１分割部と前記スペーサとの間の間隔、及び、前記第２分割部と前記スペーサとの間の間隔は、前記フィラーの径と略等しい、請求項１０に記載の表示装置。

【請求項12】

前記土手部の端部、及び、前記スペーサの端部は、前記表示パネルの端部に位置する、請求項１０又は１１に記載の表示装置。

【請求項13】

前記スペーサは、前記スペーサを貫通する第４スリットと、前記第４スリットによって分割された第４分割部及び第５分割部と、を有し、
前記シールは、前記第４スリット内に配置される、請求項１０乃至１２の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項14】

前記表示パネルは、第１方向に延出した第１端部及び第２端部と、前記第１方向と交差する第２方向に延出した第３端部及び第４端部と、前記表示部と前記第１端部との間の実装部と、を有し、
前記第４スリットは、前記第２端部と前記表示部との間、前記第３端部と前記表示部との間、及び、前記第４端部と前記表示部との間に位置する、請求項１３に記載の表示装置。

【請求項15】

前記スペーサは、前記スペーサを貫通する第５スリットと、前記第５スリットによって分割された第６分割部と、を有し、
前記シールは、前記第５スリット内に配置される、請求項１３又は１４に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、タッチセンサを内蔵した表示装置が種々提案されている。一例では、表示パネルに形成された複数の電極がタッチセンシングモードである場合にセンサ電極の役割を果たし、表示モードである場合に共通電極の役割を果たす表示装置が開示されている。タッチセンシング方式としては、相互容量方式及び自己容量方式のいずれかが適用される。タッチセンシングモードでは、タッチ駆動電圧が信号ラインを通じてセンサ電極に印加されることにより、センシングが行われるものである。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１５－１２２０５７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本実施形態の目的は、信頼性の向上が可能な表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本実施形態によれば、画像を表示する表示部、及び、前記表示部を囲む非表示部を有する表示パネルを備え、前記表示パネルは、第１有機絶縁膜と、前記第１有機絶縁膜の上に配置された第２有機絶縁膜と、前記非表示部において前記第１有機絶縁膜及び前記第２有機絶縁膜を有する土手部と、を備える第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを接着するシールと、を備え、前記土手部は、前記第１有機絶縁膜と前記第２有機絶縁膜を貫通する第１スリットと、前記第１スリットによって分割された第１分割部及び第２分割部と、を有し、前記シールは、前記第１スリット内に配置される、表示装置が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】図１は、本実施形態の表示装置の外観を示す平面図である。

【図2】図２は、タッチセンサの一構成例を示す平面図である。

【図3】図３は、画素と図２に示したセンサ電極との関係を示す平面図である。

【図4】図４は、画素の基本構成及び等価回路を示す図である。

【図5】図５は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。

【図6】図６は、図５に示した画素の一例を示す平面図である。

【図7】図７は、図６に示したＡ－Ｂ線に沿った第１基板の断面図である。

【図8】図８は、図６に示したＣ－Ｄ線に沿った表示パネルの断面図である。

【図9】図９は、図６に示したＥ－Ｆ線に沿った第１基板の断面図である。

【図10】図１０は、図１に示したＧ－Ｈ線に沿った表示パネルの断面図である。

【図11】図１１は、図１０に示した領域の詳細な断面図である。

【図12】図１２は、図１１に示した土手部のスリットの位置を示す平面図である。

【図13】図１３は、図１１に示した本実施形態の第１変形例を示す断面図である。

【図14】図１４は、図１３に示したスペーサのスリットの位置を示す平面図である。

【図15】図１５は、図１１に示した本実施形態の第２変形例を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0008】

まず、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰについて詳細に説明する。本実施形態においては、表示装置ＤＳＰが液晶表示装置である場合について説明する。

【0009】

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの外観を示す平面図である。
一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。

【0010】

ここでは、Ｘ－Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面図を示している。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、フレキシブルプリント回路基板１と、ＩＣチップ２と、回路基板３と、を備えている。

【0011】

表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、遮光層ＢＭと、スペーサＳＰ１乃至ＳＰ４と、後述する液晶層ＬＣと、を備えている。また、表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示部ＤＡと、表示部ＤＡを囲む額縁状の非表示部ＮＤＡと、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１と対向している。第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも第２方向Ｙに延出した実装部ＭＡを有している。

【0012】

シールＳＥは、非表示部ＮＤＡに位置し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。遮光層ＢＭは、非表示部ＮＤＡに位置している。シールＳＥは、平面視で、遮光層ＢＭと重畳する位置に設けられている。図１において、シールＳＥが配置された領域と、遮光層ＢＭが配置された領域とでは、互いに異なる斜線で示し、シールＳＥと遮光層ＢＭとが重畳する領域はクロスハッチングで示している。遮光層ＢＭは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。

【0013】

スペーサＳＰ１乃至ＳＰ４は、いずれも非表示部ＮＤＡに位置している。スペーサＳＰ１は、表示パネルＰＮＬの最外周に位置している。スペーサＳＰ２は、スペーサＳＰ１よりも表示部ＤＡ側に位置している。スペーサＳＰ１及びＳＰ２は、シールＳＥと重畳している。スペーサＳＰ３及びＳＰ４は、シールＳＥよりも表示部ＤＡ側に位置している。

【0014】

表示部ＤＡは、遮光層ＢＭによって囲まれた内側に位置している。表示部ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。

【0015】

フレキシブルプリント回路基板１は、実装部ＭＡに実装され、回路基板３に接続されている。ＩＣチップ２は、フレキシブルプリント回路基板１に実装されている。なお、ＩＣチップ２は、実装部ＭＡに実装されてもよい。ＩＣチップ２は、画像を表示する表示モードにおいて画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。また、図示した例では、ＩＣチップ２は、表示装置ＤＳＰへの物体の接近又は接触を検出するタッチセンシングモードを制御するタッチコントローラＴＣを内蔵している。図中において、ＩＣチップ２は一点鎖線で示し、ディスプレイドライバＤＤ及びタッチコントローラＴＣは点線で示している。

【0016】

本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。

【0017】

また、表示パネルＰＮＬの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルＰＮＬは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モード、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。ここでの基板主面とは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面と平行な面である。

【0018】

表示パネルＰＮＬは、第１方向Ｘに延出した第１端部ＥＧ１及び第２端部ＥＧ２と、第２方向Ｙに延出した第３端部ＥＧ３及び第４端部ＥＧ４と、を有している。第１端部ＥＧ１は、表示部ＤＡを介して第２端部ＥＧ２と対向している。第３端部ＥＧ３は、表示部ＤＡを介して第４端部ＥＧ４と対向している。また、実装部ＭＡは、表示部ＤＡと第１端部ＥＧ１との間に位置している。第２基板ＳＵＢ２は、実装部ＭＡ側の第５端部ＥＧ５を有している。

【0019】

図２は、タッチセンサＴＳの一構成例を示す平面図である。ここでは、自己容量方式のタッチセンサＴＳについて説明するが、タッチセンサＴＳは相互容量方式であってもよい。

【0020】

タッチセンサＴＳは、マトリクス状に配置された複数のセンサ電極Ｒｘ（Ｒｘ１、Ｒｘ２…）と、複数のセンサ配線Ｌ（Ｌ１、Ｌ２…）と、を備えている。複数のセンサ電極Ｒｘは、表示部ＤＡに位置し、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。１つのセンサ電極Ｒｘは、１つのセンサブロックＢを構成している。センサブロックＢとは、タッチセンシングが可能な最小単位である。複数のセンサ配線Ｌは、表示部ＤＡにおいて、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに並んでいる。センサ配線Ｌの各々は、例えば後述する信号線Ｓと重畳する位置に設けられている。また、センサ配線Ｌの各々は、非表示部ＮＤＡに引き出され、フレキシブルプリント回路基板１を介してＩＣチップ２に電気的に接続されている。

【0021】

ここで、第１方向Ｘに並んだセンサ配線Ｌ１乃至Ｌ３と、第２方向Ｙに並んだセンサ電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ３との関係に着目する。センサ配線Ｌ１は、センサ電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ３と重畳し、センサ電極Ｒｘ１と電気的に接続されている。

【0022】

センサ配線Ｌ２は、センサ電極Ｒｘ２及びＲｘ３と重畳し、センサ電極Ｒｘ２と電気的に接続されている。ダミー配線Ｄ２０は、センサ配線Ｌ２から離間している。ダミー配線Ｄ２０は、センサ電極Ｒｘ１と重畳し、センサ電極Ｒｘ１と電気的に接続されている。センサ配線Ｌ２及びダミー配線Ｄ２０は、同一の信号線上に位置している。

【0023】

センサ配線Ｌ３は、センサ電極Ｒｘ３と重畳し、センサ電極Ｒｘ３と電気的に接続されている。ダミー配線Ｄ３１は、センサ電極Ｒｘ１と重畳し、センサ電極Ｒｘ１と電気的に接続されている。ダミー配線Ｄ３２は、ダミー配線Ｄ３１及びセンサ配線Ｌ３から離間している。ダミー配線Ｄ３２は、センサ電極Ｒｘ２と重畳し、センサ電極Ｒｘ２と電気的に接続されている。センサ配線Ｌ３、ダミー配線Ｄ３１及びＤ３２は、同一の信号線上に位置している。

【0024】

タッチセンシングモードにおいては、タッチコントローラＴＣは、センサ配線Ｌにタッチ駆動電圧を印加する。これにより、センサ電極Ｒｘにはタッチ駆動電圧が印加され、センサ電極Ｒｘでのセンシングが行われる。センサ電極Ｒｘでのセンシング結果に対応したセンサ信号は、センサ配線Ｌを介してタッチコントローラＴＣに出力される。タッチコントローラＴＣあるいは外部のホストは、センシング信号に基づいて、表示装置ＤＳＰへの物体の接近又は接触の有無及び物体の位置座標を検出する。
なお、表示モードにおいては、センサ電極Ｒｘは、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）が印加された共通電極として機能する。コモン電圧は、例えばディスプレイドライバＤＤに含まれる電圧供給部からセンサ配線Ｌを介して印加される。

【0025】

図３は、画素ＰＸと図２に示したセンサ電極Ｒｘとの関係を示す平面図である。図３において、第２方向Ｙに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ１と定義し、第２方向Ｙに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ２と定義する。なお、第２方向Ｙと方向Ｄ１とのなす角度θ１は、第２方向Ｙと方向Ｄ２とのなす角度θ２とほぼ同一である。

【0026】

１つのセンサ電極Ｒｘは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。図示した例では、第２方向Ｙに沿って奇数行目に位置する画素ＰＸは、方向Ｄ１に沿って延出している。また、第２方向Ｙに沿って偶数行目に位置する画素ＰＸは、方向Ｄ２に沿って延出している。なお、ここでの画素ＰＸとは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、副画素と称する場合がある。また、カラー表示を実現するための最小単位を主画素ＭＰと称する場合がある。主画素ＭＰは、互いに異なる色を表示する複数の副画素ＰＸを備えて構成されるものである。一例では、主画素ＭＰは、副画素ＰＸとして、赤色を表示する赤画素、緑色を表示する緑画素、及び、青色を表示する青画素を備えている。また、主画素ＭＰは、白色を表示する白画素を備えていてもよい。
一例では、１つのセンサ電極Ｒｘには、第１方向Ｘに沿って６０～７０個の主画素ＭＰが配置され、第２方向に沿って６０～７０個の主画素ＭＰが配置されている。

【0027】

図４は、画素ＰＸの基本構成及び等価回路を示す図である。
複数の走査線Ｇは、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。複数の信号線Ｓは、信号線駆動回路ＳＤに接続されている。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。例えば、信号線Ｓは、その一部が屈曲していたとしても、第２方向Ｙに延出しているものとする。

【0028】

共通電極ＣＥは、センサブロックＢ毎にそれぞれ設けられている。共通電極ＣＥは、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）の電圧供給部ＣＤに接続され、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。また、共通電極ＣＥは、それぞれ上記の通りタッチコントローラＴＣにも接続され、タッチセンシングモードにおいてタッチ駆動電圧が印加されるセンサ電極Ｒｘを形成している。

【0029】

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。

【0030】

図５は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。
走査線Ｇ１乃至Ｇ３は、それぞれ第１方向Ｘに沿って直線的に延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。信号線Ｓ１乃至Ｓ３は、それぞれ概ね第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。

【0031】

画素電極ＰＥ１及びＰＥ２は、走査線Ｇ１及びＧ２の間に配置されている。画素電極ＰＥ１及びＰＥ２は、第１方向Ｘに沿って並んでいる。画素電極ＰＥ３及びＰＥ４は、走査線Ｇ２及びＧ３の間に配置されている。画素電極ＰＥ３及びＰＥ４は、第１方向Ｘに沿って並んでいる。画素電極ＰＥ１及びＰＥ３は信号線Ｓ１及びＳ２の間に配置され、画素電極ＰＥ２及びＰＥ４は信号線Ｓ２及びＳ３の間に配置されている。

【0032】

画素電極ＰＥ１及びＰＥ２は、それぞれ方向Ｄ１に沿って延出した帯電極Ｐａ１及びＰａ２を有している。画素電極ＰＥ３及びＰＥ４は、それぞれ方向Ｄ２に沿って延出した帯電極Ｐａ３及びＰａ４を有している。図示した例では、帯電極Ｐａ１乃至Ｐａ４は、２本であるが、１本でもよいし、３本以上であってもよい。

【0033】

共通電極ＣＥ１は、画素ＰＸ１及びＰＸ２に亘って配置されている。共通電極ＣＥ２は、画素ＰＸ３及びＰＸ４に亘って配置されている。共通電極ＣＥ１及びＣＥ２は、第２方向Ｙに並んでいる。共通電極ＣＥ１及びＣＥ２は、図２に示した１つのセンサ電極Ｒｘに含まれている。共通電極ＣＥ１は、信号線Ｓ１乃至Ｓ３の上に重畳している。画素電極ＰＥ１及びＰＥ２は、共通電極ＣＥ１の上に重畳している。共通電極ＣＥ２は、信号線Ｓ１乃至Ｓ３の上に重畳している。画素電極ＰＥ３及びＰＥ４は、共通電極ＣＥ２の上に重畳している。図示した例では、走査線Ｇ２は、共通電極ＣＥ１及びＣＥ２の間に位置している。

【0034】

ブリッジ部ＢＲは、図中に斜線で示された領域に相当する。ブリッジ部ＢＲは、共通電極ＣＥ１と共通電極ＣＥ２との間に位置し、信号線Ｓ２に重畳している。ブリッジ部ＢＲは、共通電極ＣＥ１及び共通電極ＣＥ２と一体的に形成され、共通電極ＣＥ１及び共通電極ＣＥ２を電気的に接続している。ブリッジ部ＢＲは、共通電極ＣＥ１及び共通電極ＣＥ２と同様にセンサ電極Ｒｘに含まれている。

【0035】

図６は、図５に示した画素の一例を示す平面図である。ここでは、図５に示した走査線Ｇ１及びＧ２と信号線Ｓ１及びＳ２とで囲まれた画素ＰＸ１に着目して、主要部について説明する。なお、図６は、第１基板ＳＵＢ１上の構成を示している。

【0036】

スイッチング素子ＳＷは、第１基板ＳＵＢ１に配置されている。スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇ２及び信号線Ｓ２と電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣと、ドレイン電極ＤＥと、を備えている。

【0037】

半導体層ＳＣは、その一部分が信号線Ｓ２と重なるように配置され、他の部分が信号線Ｓ１及びＳ２の間に延出し、略Ｕ字状に形成されている。半導体層ＳＣは、信号線Ｓ２と重なる位置において走査線Ｇ２と交差し、信号線Ｓ１とＳ２との間においても走査線Ｇ２と交差している。走査線Ｇ２において、半導体層ＳＣと重畳する領域がそれぞれゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２として機能する。すなわち、図示した例のスイッチング素子ＳＷは、ダブルゲート構造を有している。半導体層ＳＣは、その一端部ＳＣＡにおいて貫通孔ＣＨ１を通じて信号線Ｓ２と電気的に接続され、また、その他端部ＳＣＢにおいて貫通孔ＣＨ２を通じてドレイン電極ＤＥと電気的に接続されている。

【0038】

ドレイン電極ＤＥは、島状に形成され、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間に配置されている。なお、スイッチング素子ＳＷにおいて、ドレイン電極ＤＥはソース電極と称される場合がある。

【0039】

画素電極ＰＥ１は、複数の帯電極Ｐａ１と一体の基部ＢＳを備えている。基部ＢＳは、ドレイン電極ＤＥと重畳し、ドレイン電極ＤＥと電気的に接続される。

【0040】

図７は、図６に示したＡ－Ｂ線に沿った第１基板ＳＵＢ１の断面図である。
第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、絶縁膜１１乃至１６、半導体層ＳＣ、走査線Ｇ２、信号線Ｓ２、金属配線ＭＬ２、共通電極ＣＥ１、ブリッジ部ＢＲ、配向膜ＡＬ１などを備えている。

【0041】

絶縁基板１０は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの光透過性を有する基板である。絶縁膜１１は、絶縁基板１０の上に位置している。半導体層ＳＣは、絶縁膜１１の上に位置し、絶縁膜１２によって覆われている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていてもよい。

【0042】

走査線Ｇ２の一部であるゲート電極ＧＥ１は、絶縁膜１２の上に位置し、絶縁膜１３によって覆われている。なお、図示しない他の走査線も、走査線Ｇ２と同一層に位置している。走査線Ｇ２は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、走査線Ｇ２は、モリブデン－タングステン合金によって形成されている。

【0043】

信号線Ｓ２は、絶縁膜１３の上に位置し、絶縁膜（第１有機絶縁膜）１４によって覆われている。なお、図示しない他の信号線も、信号線Ｓ２と同一層に位置している。信号線Ｓ２は、上記の金属材料や、上記の金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、信号線Ｓ２は、チタン（Ｔｉ）を含む第１層、アルミニウム（Ａｌ）を含む第２層、及び、チタン（Ｔｉ）を含む第３層がこの順に積層された積層体である。信号線Ｓ２は、絶縁膜１２及び絶縁膜１３を貫通する貫通孔ＣＨ１を通じて半導体層ＳＣにコンタクトしている。

【0044】

金属配線ＭＬ２は、絶縁膜１４の上に位置し、絶縁膜（第２有機絶縁膜）１５によって覆われている。金属配線ＭＬ２は、上記の金属材料や、上記の金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、金属配線ＭＬ２は、チタン（Ｔｉ）を含む第１層、アルミニウム（Ａｌ）を含む第２層、及び、チタン（Ｔｉ）を含む第３層がこの順に積層された積層体、あるいは、モリブデン（Ｍｏ）を含む第１層、アルミニウム（Ａｌ）を含む第２層、及び、モリブデン（Ｍｏ）を含む第３層がこの順に積層された積層体である。

【0045】

共通電極ＣＥ１及びブリッジ部ＢＲは、絶縁膜１５の上に位置し、絶縁膜（無機絶縁膜）１６によって覆われている。共通電極ＣＥ１及びブリッジ部ＢＲは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成された透明電極である。共通電極ＣＥ１は、絶縁膜１５を貫通する貫通孔ＣＨ３を通じて金属配線ＭＬ２にコンタクトしている。配向膜ＡＬ１は、絶縁膜１６の上に位置している。

【0046】

絶縁膜１１乃至１３、及び、絶縁膜１６は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁材料によって形成された無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁膜１４及び１５は、例えば、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成された有機絶縁膜である。

【0047】

上記の通り、共通電極ＣＥ１はセンサ電極Ｒｘとしても機能し、金属配線ＭＬ２はセンサ電極Ｒｘと電気的に接続されるセンサ配線Ｌとしても機能する。

【0048】

図８は、図６に示したＣ－Ｄ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードが適用された例に相当する。

【0049】

第１基板ＳＵＢ１において、信号線Ｓ１及びＳ２は、絶縁膜１３の上に位置し、絶縁膜１４によって覆われている。金属配線ＭＬ１及びＭＬ２は、それぞれ信号線Ｓ１及びＳ２の直上に位置している。画素電極ＰＥ１は、絶縁膜１６の上に位置し、配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥ１は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成された透明電極である。

【0050】

第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、配向膜ＡＬ２などを備えている。

【0051】

絶縁基板２０は、絶縁基板１０と同様に、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥ１と対向する位置に配置され、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色のカラーフィルタＣＦＲ、緑色のカラーフィルタＣＦＧ、青色のカラーフィルタＣＦＢを有している。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂によって形成されている。配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。

【0052】

上述した第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、所定のセルギャップが形成された状態でシールによって接着されている。液晶層ＬＣは、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に保持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子ＬＭを備えている。液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。

【0053】

偏光板ＰＬ１を含む光学素子ＯＤ１は、絶縁基板１０に接着されている。偏光板ＰＬ２を含む光学素子ＯＤ２は、絶縁基板２０に接着されている。なお、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。

【0054】

このような表示パネルＰＮＬにおいては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ＩＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された光は、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子ＬＭは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ＩＬからの光の一部は、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２を透過し、明表示となる。

【0055】

図９は、図６に示したＥ－Ｆ線に沿った第１基板ＳＵＢ１の断面図である。なお、図示した第１基板ＳＵＢ１において、絶縁膜１３より下方の層及び配向膜ＡＬ１の図示を省略している。

【0056】

第１基板ＳＵＢ１は、上記したドレイン電極ＤＥ、信号線Ｓ１及びＳ２、金属電極ＭＥ、透明電極ＴＥ、金属配線ＭＬ１及びＭＬ２、絶縁膜１３乃至１６、画素電極ＰＥ１、ブリッジ部ＢＲを備えている。

【0057】

信号線Ｓ１及びＳ２、ドレイン電極ＤＥは、絶縁膜１３の上に位置し、絶縁膜１４によって覆われている。ドレイン電極ＤＥは、信号線Ｓ１及びＳ２と同一層に位置し、信号線Ｓ１及びＳ２と同一材料によって形成されている。絶縁膜１４は、ドレイン電極ＤＥまで貫通した貫通孔（第１貫通孔）ＣＨ１１を有している。

【0058】

金属配線ＭＬ１及びＭＬ２、金属電極ＭＥは、絶縁膜１４の上に位置し、絶縁膜１５によって覆われている。金属電極ＭＥは、貫通孔ＣＨ１１においてドレイン電極ＤＥに接している。金属電極ＭＥは、金属配線ＭＬ１及びＭＬ２と同一層に位置し、金属配線ＭＬ１及びＭＬ２と同一の金属材料によって形成されている。絶縁膜１５は、絶縁膜１４の上に位置し、金属電極ＭＥまで貫通した貫通孔（第２貫通孔）ＣＨ２１を有している。なお、本実施形態においては、絶縁膜１４の膜厚は約２．５μｍであり、絶縁膜１５の膜厚は約１．５μｍである。

【0059】

透明電極ＴＥ、ブリッジ部ＢＲは、絶縁膜１５の上に位置し、絶縁膜１６によって覆われている。透明電極ＴＥは、貫通孔ＣＨ２１において金属電極ＭＥに接している。透明電極ＴＥ及びブリッジ部ＢＲは、図５に示した共通電極ＣＥ１及びＣＥ２と同一層に位置し、共通電極ＣＥ１及びＣＥ２と同一の透明な導電材料によって形成されている。ブリッジ部ＢＲは、信号線Ｓ２及び金属配線ＭＬ２の直上に位置している。絶縁膜１６は、絶縁膜１５の上に位置し、透明電極ＴＥまで貫通した貫通孔（第３貫通孔）ＣＨ３１を有している。

【0060】

画素電極ＰＥ１の基部ＢＳは、絶縁膜１６の上に位置し、図示しない配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥ１は、貫通孔ＣＨ３１において透明電極ＴＥに接している。また、画素電極ＰＥ１は、金属電極ＭＥと電気的に接続されている。

【0061】

図１０は、図１に示したＧ－Ｈ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。図１０は、表示パネルＰＮＬの非表示部ＮＤＡを示している。
第１基板ＳＵＢ１は、非表示部ＮＤＡにおいて周辺配線ＷＲ１乃至ＷＲ３と、周辺電極ＰＲＥと、を備えている。周辺配線ＷＲ１は、絶縁膜１２の上に配置され絶縁膜１３によって覆われている。周辺配線ＷＲ１は、走査線と同層に配置され、走査線と同一材料によって形成されている。周辺配線ＷＲ２は、絶縁膜１３の上に配置され絶縁膜１４によって覆われている。周辺配線ＷＲ２は、信号線と同層に配置され、信号線と同一材料によって形成されている。周辺配線ＷＲ３及び周辺電極ＰＲＥは、絶縁膜１６の上に配置され、配向膜ＡＬ１によって覆われている。周辺配線ＷＲ３及び周辺電極ＰＲＥは、画素電極と同層に配置され、画素電極と同一材料によって形成されている。

【0062】

第１基板ＳＵＢ１は、非表示部ＮＤＡにおいて絶縁膜１４及び１５を絶縁膜１３まで貫通する溝部ＧＲを有している。溝部ＧＲは、シールＳＥと重なる領域に位置している。本実施形態においては、溝部ＧＲの幅Ｗ１は約９０μｍである。溝部ＧＲによって、表示パネルＰＮＬの外部から絶縁膜１４及び１５を伝わる水分の侵入経路を遮断することができる。

【0063】

絶縁膜１６は、絶縁膜１５の上に配置され、溝部ＧＲの内部にも配置されている。絶縁膜１６は、溝部ＧＲの側面に接している。溝部ＧＲの側面は、絶縁膜１４及び１５によって段差が形成されているため、絶縁膜１６は、溝部ＧＲの側面に付着しやすい。また、周辺電極ＰＲＥ及び配向膜ＡＬ１は、溝部ＧＲの内部にも配置されている。

【0064】

第１基板ＳＵＢ１は、非表示部ＮＤＡにおいて、絶縁膜１４及び１５から構成された土手部ＢＡを有している。土手部ＢＡは、表示パネルＰＮＬの第３端部ＥＧ３と溝部ＧＲとの間に位置し、第２基板ＳＵＢ２側に突出している。土手部ＢＡは、スペーサＳＰ１と対向している。また、土手部ＢＡは、スリットＳＬ１乃至ＳＬ３を有している。本実施形態においては、土手部ＢＡの幅Ｗ２は約６０μｍである。

【0065】

遮光層ＢＭは、絶縁基板２０まで貫通するスリットＳＬ１１を有している。遮光層ＢＭを伝わる水分の侵入経路をスリットＳＬ１１によって遮断することができる。なお、第１基板ＳＵＢ１は、スリットＳＬ１１と重なる位置において、周辺配線ＷＲ１を備えているため、スリットＳＬ１１からの光漏れを抑制することができる。

【0066】

遮光層ＢＭは、液晶層ＬＣと重なる領域においてスリットＳＬ１２を有している。このため、遮光層ＢＭを介した表示部ＤＡへの電荷の移動経路をスリットＳＬ１２において遮断することができる。これにより、表示パネルＰＮＬの製造工程において、静電気が表示部ＤＡに集中するのを抑制し、表示パネルＰＮＬが損傷するのを抑制することが可能である。なお、第１基板ＳＵＢ１は、スリットＳＬ１２と重なる位置において、周辺配線ＷＲ２を備えているため、スリットＳＬ１２からの光漏れを抑制することができる。また、カラーフィルタＣＦＲ及びＣＦＢは、スリットＳＬ１２内に第３方向Ｚに重なって配置されている。このため、周辺配線ＷＲ２の周囲を透過した光に対してもスリットＳＬ１２からの光漏れを抑制することができる。

【0067】

スペーサＳＰ１乃至ＳＰ４は、第２基板ＳＵＢ２に配置され、第１基板ＳＵＢ１側に突出している。スペーサＳＰ１乃至ＳＰ４は、樹脂材料によって形成されている。また、スペーサＳＰ１及びＳＰ２と重なる位置に高さ調整のためのカラーフィルタＣＦＢが配置されている。本実施形態においては、スペーサＳＰ１の幅Ｗ３は約５０μｍである。なお、配向膜ＡＬ２は、スペーサＳＰ１乃至ＳＰ４を覆っていない。

【0068】

土手部ＢＡの端部ＢＡＥ、及び、スペーサＳＰ１の端部ＳＰＥは、表示パネルＰＮＬの第３端部ＥＧ３に位置している。すなわち、土手部ＢＡ及びスペーサＳＰ１は、製造工程において表示パネルＰＮＬが大判から単個にカットされる際に、表示パネルＰＮＬを支持するための部材としてカットライン上に配置されている。そのため、表示パネルＰＮＬのカット時にかかる力によって表示パネルＰＮＬが変形するのを抑制し、カット不良を抑制することが可能となる。なお、図１に示した表示パネルＰＮＬの第２端部ＥＧ２及び第４端部ＥＧ４や、第２基板ＳＵＢ２の第５端部ＥＧ５についても同様に、カットライン上に土手部ＢＡ及びスペーサＳＰ１が位置している。

【0069】

図１１は、図１０に示した領域ＡＲの詳細な断面図である。
スリットＳＬ１乃至ＳＬ３は、絶縁膜１４及び１５を絶縁膜１３まで貫通している。シールＳＥは、スリットＳＬ１乃至ＳＬ３内に入り込んでいる。また、土手部ＢＡは、スリットＳＬ１乃至ＳＬ３によって分割された分割部ＤＤ１乃至ＤＤ４を有している。分割部ＤＤ１は、第３端部ＥＧ３の表示部ＤＡ側に位置している。分割部ＤＤ２は、分割部ＤＤ１の表示部ＤＡ側に位置している。分割部ＤＤ３は、分割部ＤＤ２の表示部ＤＡ側に位置している。分割部ＤＤ４は、分割部ＤＤ３の表示部ＤＡ側に位置している。スリットＳＬ１は、分割部ＤＤ１と分割部ＤＤ２との間に位置している。スリットＳＬ２は、分割部ＤＤ２と分割部ＤＤ３との間に位置している。スリットＳＬ３は、分割部ＤＤ３と分割部ＤＤ４との間に位置している。

【0070】

絶縁膜１６は、分割部ＤＤ１乃至ＤＤ４を覆い、第３端部ＥＧ３まで延出している。また、配向膜ＡＬ１は、図示した例では、分割部ＤＤ３及びＤＤ４を覆いスリットＳＬ２まで延出し、分割部ＤＤ１及びＤＤ２は覆っていない。なお、配向膜ＡＬ１は、図示した例に限らず、分割部ＤＤ１及びＤＤ２を覆い第３端部ＥＧ３まで延出していても良い。

【0071】

絶縁膜１４は、スリットＳＬ１乃至ＳＬ３によって、分割部ＤＤ４１乃至ＤＤ４４に分割されている。絶縁膜１５は、スリットＳＬ１乃至ＳＬ３によって、分割部ＤＤ５１乃至ＤＤ５４に分割されている。すなわち、分割部ＤＤ１は分割部Ｄ４１及びＤ５１によって構成され、分割部ＤＤ２は分割部Ｄ４２及びＤ５２によって構成され、分割部ＤＤ３は分割部Ｄ４３及びＤ５３によって構成され、分割部ＤＤ４は分割部Ｄ４４及びＤ５４によって構成されている。

【0072】

分割部Ｄ４１は幅Ｗ４１を有し、分割部Ｄ４２は幅Ｗ４２を有し、分割部Ｄ４３は幅Ｗ４３を有し、分割部Ｄ４４は幅Ｗ４４を有している。本実施形態においては、幅Ｗ４１乃至Ｗ４４は、それぞれ１０μｍ以上である。また、スリットＳＬ１は分割部Ｄ４１と分割部Ｄ４２との間において幅Ｗ４５を有し、スリットＳＬ２は分割部Ｄ４２と分割部Ｄ４３との間において幅Ｗ４６を有し、スリットＳＬ３は分割部Ｄ４３と分割部Ｄ４４との間において幅Ｗ４７を有している。本実施形態においては、幅Ｗ４５乃至Ｗ４７は、それぞれ３．５μｍ以上である。また、図１０に示したように、幅Ｗ４１乃至Ｗ４７を足し合わせた幅Ｗ２は、約６０μｍとなる。

【0073】

分割部Ｄ５１は幅Ｗ５１を有し、分割部Ｄ５２は幅Ｗ５２を有し、分割部Ｄ５３は幅Ｗ５３を有し、分割部Ｄ５４は幅Ｗ５４を有している。本実施形態においては、幅Ｗ５１乃至Ｗ５４は、それぞれ８μｍ以上である。また、スリットＳＬ１は分割部Ｄ５１と分割部Ｄ５２との間において幅Ｗ５５を有し、スリットＳＬ２は分割部Ｄ５２と分割部Ｄ５３との間において幅Ｗ５６を有し、スリットＳＬ３は分割部Ｄ５３と分割部Ｄ５４との間において幅Ｗ５７を有している。本実施形態においては、幅Ｗ５５乃至Ｗ５７は、それぞれ４μｍ以上である。

【0074】

分割部ＤＤ１において、分割部Ｄ４１の幅Ｗ４１は、分割部Ｄ５１の幅Ｗ５１より大きい。分割部ＤＤ２において、分割部Ｄ４２の幅Ｗ４２は、分割部Ｄ５２の幅Ｗ５２より大きい。分割部ＤＤ３において、分割部Ｄ４３の幅Ｗ４３は、分割部Ｄ５３の幅Ｗ５３より大きい。分割部ＤＤ４において、分割部Ｄ４４の幅Ｗ４４は、分割部Ｄ５４の幅Ｗ５４より大きい。また、スリットＳＬ１において絶縁膜１５を貫通する部分の幅Ｗ５５は、絶縁膜１４を貫通する部分の幅Ｗ４５より大きい。同様に、スリットＳＬ２において、幅Ｗ５６は幅Ｗ４６より大きい。スリットＳＬ３において、幅Ｗ５７は幅Ｗ４７より大きい。

【0075】

スリットＳＬ１は、側面ＳＳ１及びＳＳ２を有している。スリットＳＬ２は、側面ＳＳ３及びＳＳ４を有している。スリットＳＬ３は、側面ＳＳ５及びＳＳ６を有している。側面ＳＳ１乃至ＳＳ６は、それぞれ絶縁膜１４と絶縁膜１５との間の段差を有している。絶縁膜１４及び１５が別々にパターニングされることでスリットＳＬ１乃至ＳＬ３が形成されるため、側面ＳＳ１乃至ＳＳ６は段差を有している。

【0076】

複数のフィラー１００は、シールＳＥ中に拡散されている。フィラー１００は、それぞれ径ＤＭを有している。分割部ＤＤ１とスペーサＳＰ１との間の間隔ＧＰ１、分割部ＤＤ２とスペーサＳＰ１との間の間隔ＧＰ２、分割部ＤＤ３とスペーサＳＰ１との間の間隔ＧＰ３、分割部ＤＤ４とスペーサＳＰ１との間の間隔ＧＰ４は、フィラー１００の径ＤＭと略等しい。そのため、分割部ＤＤ１乃至ＤＤ４とスペーサＳＰ１との間には、フィラー１００が互いに第３方向Ｚに重ならずに介在している。径ＤＭは、例えば、約０．５μｍである。なお、フィラー１００は接着力を有さず、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢはシールＳＥの接着力によって接着される。

【0077】

例えば、土手部ＢＡがスリットＳＬ１乃至ＳＬ３を有していない場合には、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着する際に、土手部ＢＡとスペーサＳＰ１の間からシールＳＥが押し出され、フィラー１００が土手部ＢＡとスペーサＳＰ１との間に密集してしまう。そのため、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の接着力が低下してしまう恐れがある。

【0078】

本実施形態によれば、土手部ＢＡは、絶縁膜１４及び絶縁膜１５を貫通するスリットＳＬ１乃至ＳＬ３を有している。シールＳＥは、スリットＳＬ１乃至ＳＬ３の内部に入り込んでいる。そのため、フィラー１００をシールＳＥとともにスリットＳＬ１乃至ＳＬ３内に均等に分散させることができ、フィラー１００が土手部ＢＡとスペーサＳＰ１との間に密集して配置されるのを抑制することができる。また、スリットＳＬ１乃至ＳＬ３によって、シールＳＥと土手部ＢＡとの間の接着面積を拡大することができる。したがって、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の接着力が低下するのを抑制することができる。また、土手部ＢＡがスリットＳＬ１乃至ＳＬ３を有している場合にも、表示パネルＰＮＬが大判から単個にカットされる際の土手部ＢＡの支持機能を保つことができる。よって、表示装置ＤＳＰの信頼性を向上することができる。
なお、図示した例では、土手部ＢＡは３本のスリットＳＬ１乃至ＳＬ３を有しているが、土手部ＢＡは１本又は２本のスリットを有していても良いし、４本以上のスリットを有していても良い。

【0079】

図１２は、図１１に示した土手部ＢＡのスリットＳＬ１乃至ＳＬ３の位置を示す平面図である。図１２においては、溝部ＧＲは右上がり斜線で示され、土手部ＢＡは左上がり斜線で示されている。また、シールＳＥは、点線で示されている。
土手部ＢＡは、第１方向Ｘに延出した第１部分ＢＡ１及び第２部分ＢＡ２と、第２方向Ｙに延出した第３部分ＢＡ３及び第４部分ＢＡ４と、を有している。第１部分ＢＡ１及び第２部分ＢＡ２は、それぞれ第３部分ＢＡ３及び第４部分ＢＡ４と繋がっている。第１部分ＢＡ１は、表示部ＤＡと第１端部ＥＧ１との間に位置している。第２部分ＢＡ２は、表示部ＤＡと第２端部ＥＧ２との間に位置している。第３部分ＢＡ３は、表示部ＤＡと第３端部ＥＧ３との間に位置している。第４部分ＢＡ４は、表示部ＤＡと第４端部ＥＧ４との間に位置している。土手部ＢＡは、第２部分ＢＡ２、第３部分ＢＡ３、第４部分ＢＡ４において、スリットＳＬ１乃至ＳＬ３を有している。すなわち、スリットＳＬ１乃至ＳＬ３は、第２端部ＥＧ２と表示部ＤＡとの間、第３端部ＥＧ３と表示部ＤＡとの間、第４端部ＥＧ４と表示部ＤＡとの間に位置している。

【0080】

溝部ＧＲは、第１方向Ｘに延出した第１部分ＧＲ１及び第２部分ＧＲ２と、第２方向Ｙに延出した第３部分ＧＲ３及び第４部分ＧＲ４と、を有している。第１部分ＧＲ１及び第２部分ＧＲ２は、それぞれ第３部分ＧＲ３及び第４部分ＧＲ４と繋がっている。第１部分ＧＲ１は、土手部ＢＡの第１部分ＢＡ１の表示部ＤＡ側に位置している。第２部分ＧＲ２は、土手部ＢＡの第２部分ＢＡ２の表示部ＤＡ側に位置している。第３部分ＧＲ３は、土手部ＢＡの第３部分ＢＡ３の表示部ＤＡ側に位置している。第４部分ＧＲ４は、土手部ＢＡの第４部分ＢＡ４の表示部ＤＡ側に位置している。

【0081】

シールＳＥは、第１方向Ｘに延出した第１部分ＳＥ１及び第２部分ＳＥ２と、第２方向Ｙに延出した第３部分ＳＥ３及び第４部分ＳＥ４と、を有している。第１部分ＳＥ１及び第２部分ＳＥ２は、それぞれ第３部分ＳＥ３及び第４部分ＳＥ４と繋がっている。図示した例では、第１部分ＳＥ１は、溝部ＧＲの第１部分ＧＲ１には重なっているが、土手部ＢＡの第１部分ＢＡ１には重なっていない。第２部分ＳＥ２は、溝部ＧＲの第２部分ＧＲ２及び土手部ＢＡの第２部分ＢＡ２に重なっている。第３部分ＳＥ３は、溝部ＧＲの第３部分ＧＲ３及び土手部ＢＡの第３部分ＢＡ３に重なっている。第４部分ＳＥ４は、溝部ＧＲの第４部分ＧＲ４及び土手部ＢＡの第４部分ＢＡ４に重なっている。また、第１部分ＳＥ１の幅Ｗ２１は、第２部分ＳＥ２の幅Ｗ２２、第３部分ＳＥ３の幅Ｗ２３、第４部分ＳＥ４の幅Ｗ２４よりも大きい。

【0082】

なお、土手部ＢＡは、第１部分ＢＡ１において、スリットＳＬ１乃至ＳＬ３を有していない。非表示部ＮＤＡの第１端部ＥＧ１側の幅が、非表示部ＮＤＡの第２端部ＥＧ２乃至第４端部ＥＧ４側の幅より広いため、シールＳＥの第１部分ＳＥ１は土手部ＢＡの第１部分ＢＡ１と重なる位置まで延出していない。そのため、第１部分ＢＡ１にはスリットＳＬ１乃至ＳＬ３が形成されていなくても良い。また、シールＳＥの第１部分ＳＥ１は、第２部分ＳＥ２乃至第４部分ＳＥ４より大きい幅を有しているため、第１部分ＳＥ１の接着強度は、第２部分ＳＥ２乃至第４部分ＳＥ４のそれぞれの接着強度より強い。よって、第１部分ＳＥ１が土手部ＢＡの第１部分ＢＡ１と重なっていたとしても、第１部分ＢＡ１にスリットＳＬ１乃至ＳＬ３が形成されていなくても良い。

【0083】

次に、本実施形態の変形例について詳細に説明する。
図１３は、図１１に示した本実施形態の第１変形例を示す断面図である。図１３は、図１１に示した構成と比較して、スペーサＳＰ１がスリットＳＬ２１及びＳＬ２２を有している点で相違している。
スリットＳＬ２１及びＳＬ２２は、スペーサＳＰ１をオーバーコート層ＯＣまで貫通している。シールＳＥは、スリットＳＬ２１及びＳＬ２２内に入り込んでいる。また、スペーサＳＰ１は、スリットＳＬ２１及びＳＬ２２によって分割された分割部ＳＰ１１、ＳＰ１２、ＳＰ１３を有している。分割部ＳＰ１１は、第３端部ＥＧ３の表示部ＤＡ側に位置している。分割部ＳＰ１２は、分割部ＳＰ１１の表示部ＤＡ側に位置している。分割部ＳＰ１３は、分割部ＳＰ１２の表示部ＤＡ側に位置している。スリットＳＬ２１は、分割部ＳＰ１１と分割部ＳＰ１２との間に位置している。スリットＳＬ２２は、分割部ＳＰ１２と分割部ＳＰ１３との間に位置している。

【0084】

分割部ＳＰ１１は幅Ｗ１１を有し、分割部ＳＰ１２は幅Ｗ１２を有し、分割部ＳＰ１３は幅Ｗ１３を有している。本実施形態においては、幅Ｗ１１乃至Ｗ１３は、それぞれ７μｍ以上である。また、スリットＳＬ２１は分割部ＳＰ１１と分割部ＳＰ１２との間において幅Ｗ１４を有し、スリットＳＬ２２は分割部ＳＰ１２と分割部ＳＰ１３との間において幅Ｗ１５を有している。本実施形態においては、幅Ｗ１４及びＷ１５は、それぞれ１０μｍ以上である。また、図１０に示したように、幅Ｗ１１乃至Ｗ１５を足し合わせた幅Ｗ３は、約５０μｍとなる。

【0085】

分割部ＳＰ１１は、土手部ＢＡの分割部ＤＤ１と対向している。分割部ＳＰ１２は、土手部ＢＡの分割部ＤＤ２と対向している。分割部ＳＰ１３は、土手部ＢＡの分割部ＤＤ４と対向している。すなわち、スペーサＳＰ１の分割部ＳＰ１１乃至ＳＰ１３は、それぞれ土手部ＢＡの分割部ＤＤ１乃至ＤＤ４の何れかと対向する位置に配置される。

【0086】

スペーサＳＰ１がスリットＳＬ２１及びＳＬ２２を有している場合にも、フィラー１００をシールＳＥとともにスリットＳＬ２１及びＳＬ２２内に均等に分散させることができる。また、スリットＳＬ２１及びＳＬ２２によって、シールＳＥとスペーサＳＰ１との間の接着面積を拡大することができる。また、スペーサＳＰ１がスリットＳＬ２１及びＳＬ２２を有している場合にも、表示パネルＰＮＬが大判から単個にカットされる際のスペーサＳＰ１の支持機能を保つことができる。なお、図示した例では、スペーサＳＰ１は２本のスリットＳＬ２１及びＳＬ２２を有しているが、スペーサＳＰ１は１本のスリットを有していても良いし、３本以上のスリットを有していても良い。
このような変形例においても上記したのと同様の効果を得ることができる。

【0087】

図１４は、図１３に示したスペーサＳＰのスリットＳＬ２１及びＳＬ２２の位置を示す平面図である。図１４においては、スペーサＳＰ１は左上がり斜線で示されている。
スペーサＳＰ１は、第１方向Ｘに延出した第１部分ＳＰＰ１及び第２部分ＳＰＰ２と、第２方向Ｙに延出した第３部分ＳＰＰ３及び第４部分ＳＰＰ４と、を有している。第１部分ＳＰＰ１及び第２部分ＳＰＰ２は、それぞれ第３部分ＳＰＰ３及び第４部分ＳＰＰ４と繋がっている。第１部分ＳＰＰ１は、表示部ＤＡと第１端部ＥＧ１との間に位置している。第２部分ＳＰＰ２は、表示部ＤＡと第２端部ＥＧ２との間に位置している。第３部分ＳＰＰ３は、表示部ＤＡと第３端部ＥＧ３との間に位置している。第４部分ＳＰＰ４は、表示部ＤＡと第４端部ＥＧ４との間に位置している。スペーサＳＰ１は、第２部分ＳＰＰ２、第３部分ＳＰＰ３、第４部分ＳＰＰ４において、スリットＳＬ２１及びＳＬ２２を有している。すなわち、スリットＳＬ２１及びＳＬ２２は、第２端部ＥＧ２と表示部ＤＡとの間、第３端部ＥＧ３と表示部ＤＡとの間、第４端部ＥＧ４と表示部ＤＡとの間に位置している。

【0088】

図示した例では、シールＳＥの第１部分ＳＥ１は、スペーサＳＰ１の第１部分ＳＰＰ１に重なっていない。第２部分ＳＥ２は、スペーサＳＰ１の第２部分ＳＰＰ２に重なっている。第３部分ＳＥ３は、スペーサＳＰ１の第３部分ＳＰＰ３に重なっている。第４部分ＳＥ４は、スペーサＳＰ１の第４部分ＳＰＰ４に重なっている。

【0089】

なお、スペーサＳＰ１は、第１部分ＳＰＰ１において、スリットＳＬ２１及びＳＬ２２を有していない。非表示部ＮＤＡの第１端部ＥＧ１側の幅が、非表示部ＮＤＡの第２端部ＥＧ２乃至第４端部ＥＧ４側の幅より広いため、シールＳＥの第１部分ＳＥ１はスペーサＳＰ１の第１部分ＳＰＰ１と重なる位置まで延出していない。そのため、第１部分ＳＰＰ１にはスリットＳＬ２１及びＳＬ２２が形成されていなくても良い。また、シールＳＥの第１部分ＳＥ１は、第２部分ＳＥ２乃至第４部分ＳＥ４より大きい幅を有しているため、第１部分ＳＥ１の接着強度は、第２部分ＳＥ２乃至第４部分ＳＥ４のそれぞれの接着強度より強い。よって、第１部分ＳＥ１がスペーサＳＰ１の第１部分ＳＰＰ１と重なっていたとしても、第１部分ＳＰＰ１にスリットＳＬ２１及びＳＬ２２が形成されていなくても良い。

【0090】

図１５は、図１１に示した本実施形態の第２変形例を示す断面図である。図１５は、図１１に示した構成と比較して、スリットＳＬ１が絶縁膜１４を貫通していない点で相違している。
すなわち、スリットＳＬ１は、絶縁膜１５を絶縁膜１４まで貫通している。なお、スリットＳＬ２及びＳＬ３も、絶縁膜１４を貫通していなくても良い。もしくは、スリットＳＬ１乃至ＳＬ３のうち、何れか１つ又は２つのスリットが絶縁膜１４を貫通しないスリットであっても良い。
このような変形例においても上記したのと同様の効果を得ることができる。

【0091】

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の向上が可能な表示装置を得ることができる。

【0092】

本実施形態にて開示した主要な構成は、液晶表示装置に適用可能である。また、本明細書中の、略等しい、という表現は製造工程上の誤差を考慮したものである。また、本実施形態において、土手部ＢＡ等の第１基板ＳＵＢ１上に配置される部材の幅は、最も絶縁基板１０側で計測するものとし、スペーサＳＰ１等の第２基板ＳＵＢ２上に配置される部材の幅は、最も絶縁基板２０側で計測するものとする。

【0093】

また、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0094】

ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、
ＳＥ…シール、ＤＡ…表示部、ＮＤＡ…非表示部、１４、１５、１６…絶縁膜、
ＢＡ…土手部、ＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ３、ＳＬ２１、ＳＬ２２…スリット、
ＤＤ１～ＤＤ４…分割部、ＤＥ…ドレイン電極、ＳＷ…スイッチング素子、
ＣＨ１１、ＣＨ２１、ＣＨ３１…貫通孔、ＭＥ…金属電極、ＰＥ…画素電極、
ＴＥ…透明電極、ＧＲ…溝部、Ｗ４１～Ｗ４７、Ｗ５１～Ｗ５７…幅、
ＳＳ１～ＳＳ６…側面、ＥＧ１…第１端部、ＥＧ２…第２端部、ＥＧ３…第３端部、
ＥＧ４…第４端部、ＭＡ…実装部、ＳＰ１…スペーサ、１００…フィラー、
ＤＭ…径、ＳＰ１１、ＳＰ１２、ＳＰ１３…分割部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】