特許 7030648 半導体装置の製造方法およびエッチングガス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-02-25

(45)【発行日】2022-03-07

(54)【発明の名称】半導体装置の製造方法およびエッチングガス

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20220228BHJP

   H01L 21/3213 20060101ALI20220228BHJP

   H01L 21/768 20060101ALI20220228BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20220228BHJP

   H01L 29/788 20060101ALI20220228BHJP

   H01L 29/792 20060101ALI20220228BHJP

   H01L 27/11582 20170101ALI20220228BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 105A

H01L21/88 D

H01L29/78 371

H01L27/11582

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2018150773

(22)【出願日】2018-08-09

(65)【公開番号】P2020027832

(43)【公開日】2020-02-20

【審査請求日】2021-03-17

(73)【特許権者】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100091982

【弁理士】

【氏名又は名称】永井 浩之

(74)【代理人】

【識別番号】100091487

【弁理士】

【氏名又は名称】中村 行孝

(74)【代理人】

【識別番号】100082991

【氏名又は名称】佐藤 泰和

(74)【代理人】

【識別番号】100105153

【弁理士】

【氏名又は名称】朝倉 悟

(74)【代理人】

【識別番号】100107582

【弁理士】

【氏名又は名称】関根 毅

(74)【代理人】

【識別番号】100118843

【弁理士】

【氏名又は名称】赤岡 明

(74)【代理人】

【識別番号】100124372

【弁理士】

【氏名又は名称】山ノ井 傑

(72)【発明者】

【氏名】堀内 三成

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 俊行

(72)【発明者】

【氏名】長谷川 智

【審査官】加藤 芳健

(56)【参考文献】

【文献】特開２００２－１６０５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－５０５２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１５６５３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－１８４７６８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｈ０１Ｌ ２１／３２１３

Ｈ０１Ｌ ２１／７６８

Ｈ０１Ｌ ２１／３３６

Ｈ０１Ｌ ２７／１１５８２

Ｈ０１Ｌ ２９／７８８

Ｈ０１Ｌ ２９／７９２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

Ｃ_３Ｆ_４基（Ｃは炭素を表し、Ｆはフッ素を表す）を有し、炭素原子の個数が４個または５個である第１または第２分子を含むエッチングガスを用いて膜をエッチングすることを含み、
前記第１分子は、前記Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に二重結合により結合したＲ１基を有し、前記Ｒ１基は、炭素を含み、かつ、塩素、臭素、ヨウ素、または酸素を含み、
前記第２分子は、前記Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に単結合により結合したＲ２基と、前記Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に単結合により結合したＲ３基とを有し、前記Ｒ２基および前記Ｒ３基の少なくとも一方は、炭素を含み、かつ、前記Ｒ２基および前記Ｒ３基の各々は、水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、または酸素を含む、
半導体装置の製造方法。

【請求項2】

前記Ｒ１基内のフッ素原子および炭素原子のＦ／Ｃ比、または前記Ｒ２およびＲ３基内のフッ素原子および炭素原子のＦ／Ｃ比は、２以下である、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項3】

前記エッチングガスはさらに、酸素分子、希ガス分子、およびＣ_ａＦ_ｂ分子（ａ、ｂは１以上の整数を表す）の少なくともいずれかを含む、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項4】

前記膜は、前記第１または第２分子から生成されたプラズマによりエッチングされる、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項5】

前記プラズマは、前記第１または第２分子から生成されたＣ_３Ｆ_４ラジカルを含む、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項6】

前記プラズマの電子密度は、５．０×１０^９～２．０×１０^１１個／ｃｍ^３である、請求項４または５に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項7】

前記膜は、基板上に交互に形成された複数の第１膜と複数の第２膜とを含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項8】

前記エッチングでは、アスペクト比が１０以上の凹部が前記膜に形成される、請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項9】

Ｃ_３Ｆ_４基（Ｃは炭素を表し、Ｆはフッ素を表す）を有し、炭素原子の個数が４個または５個である第１または第２分子を含み、
前記第１分子は、前記Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に二重結合により結合したＲ１基を有し、前記Ｒ１基は、炭素を含み、かつ、塩素、臭素、ヨウ素、または酸素を含み、
前記第２分子は、前記Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に単結合により結合したＲ２基と、前記Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に単結合により結合したＲ３基とを有し、前記Ｒ２基および前記Ｒ３基の少なくとも一方は、炭素を含み、かつ、前記Ｒ２基および前記Ｒ３基の各々は、水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、または酸素を含む、
エッチングガス。

【請求項10】

さらに、酸素分子、希ガス分子、およびＣ_ａＦ_ｂ分子（ａ、ｂは１以上の整数を表す）の少なくともいずれかを含む、請求項９に記載のエッチングガス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法およびエッチングガスに関する。

【背景技術】

【0002】

Ｃ_４Ｆ_６ガスなど、炭素とフッ素を含有する炭素・フッ素含有ガスを用いたエッチングにより被加工膜に凹部を形成すると、凹部内の被加工膜の側面にフルオロカーボン膜が堆積され、エッチング中の被加工膜の側面がフルオロカーボン膜により保護される。Ｃ_４Ｆ_６ガスは、フルオロカーボン膜の堆積速度が速いなどの利点があるが、単価が高いなどの欠点がある。そこで、Ｃ_４Ｆ_６ガスの代替ガスとなる好適な炭素・フッ素含有ガスが求められている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特許第６３２３５４０号公報

【文献】特許第４８０４３４５号公報

【文献】特開２０１１－４４７４０号公報

【文献】特開２００３－１３３２８９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

好適な炭素・フッ素含有ガスにより膜をエッチングすることが可能な半導体装置の製造方法およびエッチングガスを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一の実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、Ｃ_３Ｆ_４基（Ｃは炭素を表し、Ｆはフッ素を表す）を有し、炭素原子の個数が４個または５個である第１または第２分子を含むエッチングガスを用いて膜をエッチングすることを含む。さらに、前記第１分子は、前記Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に二重結合により結合したＲ１基を有し、前記Ｒ１基は、炭素を含み、かつ、塩素、臭素、ヨウ素、または酸素を含む。さらに、前記第２分子は、前記Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に単結合により結合したＲ２基と、前記Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に単結合により結合したＲ３基とを有し、前記Ｒ２基および前記Ｒ３基の少なくとも一方は、炭素を含み、かつ、前記Ｒ２基および前記Ｒ３基の各々は、水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、または酸素を含む。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。

【図2】Ｃ_４Ｆ_６ガスについて説明するためのグラフである。

【図3】Ｃ_４Ｆ_６ガスについて説明するための表である。

【図4】Ｃ_４Ｆ_６ガスについて説明するための別のグラフである。

【図5】第１実施形態のエッチングガスの成分を説明するための図である。

【図6】第１実施形態のエッチングガスの成分の例を説明するための図(1/4)である。

【図7】第１実施形態のエッチングガスの成分の例を説明するための図(2/4)である。

【図8】第１実施形態のエッチングガスの成分の例を説明するための図(3/4)である。

【図9】第１実施形態のエッチングガスの成分の例を説明するための図(4/4)である。

【図10】第１実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。図１から図１０において、同一または類似の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

【0008】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態の半導体装置は、３次元メモリである。

【0009】

まず、基板１上に下部層２を形成し、下部層２上に、複数の犠牲層３と複数の絶縁層４とを交互に含む積層膜を形成する（図１(ａ)）。犠牲層３は第１膜の例であり、絶縁層４は第２膜の例である。次に、この積層膜上に上部層５を形成し、上部層５上にマスク層６を形成する（図１(ａ)）。

【0010】

基板１は例えば、シリコン（Ｓｉ）基板などの半導体基板である。図１(ａ)は、基板１の表面に平行で互いに垂直なＸ方向およびＹ方向と、基板１の表面に垂直なＺ方向とを示している。本明細書では、＋Ｚ方向を上方向として取り扱い、－Ｚ方向を下方向として取り扱う。－Ｚ方向は、重力方向と一致していてもよいし、重力方向と一致していなくてもよい。

【0011】

下部層２は例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）などの絶縁膜や、絶縁膜間に形成された導電層である。犠牲層３は例えばシリコン窒化膜であり、絶縁層４は例えばシリコン酸化膜である。上部層５は例えば、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜や、絶縁膜間に形成された導電層である。マスク層６は例えば、有機膜、金属膜、シリコン含有膜などのハードマスク層である。シリコン含有膜の例は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリシリコン膜などである。

【0012】

次に、リソグラフィおよびドライエッチングにより、メモリホールＭを形成するための開口パターンをマスク層６に形成する（図１(ｂ)）。次に、マスク層６を利用したドライエッチングにより、上部層５、複数の絶縁層４、複数の犠牲層３、および下部層２を貫通するメモリホールＭを形成する（図１(ｂ)）。メモリホールＭのアスペクト比は、例えば１０以上である。メモリホールＭは、凹部の例である。

【0013】

本実施形態のメモリホールＭは、炭素・フッ素含有ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより形成される。その結果、このドライエッチング中にメモリホールＭ内の絶縁層４や犠牲層３の側面に保護膜７が堆積され、絶縁層４や犠牲層３の側面が保護膜７により保護される。本実施形態の保護膜７は、Ｃ_ｍＦ_ｎ膜（フルオロカーボン膜）である。ただし、Ｃは炭素を表し、Ｆはフッ素を表し、ｍ、ｎは１以上の整数を表す。

【0014】

本実施形態のエッチングガスは、炭素・フッ素含有ガスの分子として、第１分子または第２分子を含んでいる。第１分子と第２分子はいずれも、Ｃ_３Ｆ_４基（ＣＦ－ＣＦ＝ＣＦ_２基）を有しており、符号「－」は単結合を表し、符号「＝」は二重結合を表す。第１分子内の炭素原子の個数は、４個または５個である。同様に、第２分子内の炭素原子の個数は、４個または５個である。

【0015】

第１分子は、Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に二重結合により結合したＲ１基をさらに有している。Ｒ１基は、炭素を含んでおり、かつ、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、または酸素（Ｏ）を含んでいる。Ｒ１基は、例えばＣＣｌ_２基やＣＯ基である。Ｒ１基はさらに、水素（Ｈ）またはフッ素（Ｆ）を含んでいてもよい。

【0016】

第２分子は、Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に単結合により結合したＲ２基と、Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に単結合により結合したＲ３基とをさらに有している。Ｒ２基およびＲ３基の少なくとも一方は、炭素を含んでおり、かつ、Ｒ２基およびＲ３基の各々は、水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、または酸素を含んでいる。Ｒ２基およびＲ３基の組合せは、例えばＣＨ_３基およびＦ基である。

【0017】

Ｃ_３Ｆ_４基は、Ｃ_４Ｆ_６分子にも含まれている官能基である。その結果、本実施形態によれば、このようなエッチングガスを用いてドライエッチングを行うことで、Ｃ_４Ｆ_６ガスを用いる場合と同様に、保護膜７の堆積速度を速くすることができることが判明した。これにより、メモリホールＭ内の絶縁層４や犠牲層３の側面を保護膜７により好適に保護しつつ、メモリホールＭを形成することが可能となる。本実施形態のこのような効果の詳細については後述する。

【0018】

次に、保護膜７とマスク層６とを除去し、メモリホールＭ内にブロック絶縁膜１１と、電荷蓄積層１２と、トンネル絶縁膜１３とを順に形成する（図１(ｃ)）。次に、メモリホールＭの底部からブロック絶縁膜１１と、電荷蓄積層１２と、トンネル絶縁膜１３とを除去し、メモリホールＭ内にチャネル半導体層１４と、コア絶縁膜１５とを順に形成する（図１(ｃ)）。電荷蓄積層１２は、例えばシリコン窒化膜である。チャネル半導体層１４は、例えばポリシリコン層である。ブロック絶縁膜１１、トンネル絶縁膜１３、およびコア絶縁膜１５は、例えばシリコン酸化膜や金属絶縁膜である。

【0019】

その後、犠牲層３を除去して絶縁層４間に複数の空洞を形成し、これらの空洞内に複数の電極層を形成する。さらには、基板１上に種々のプラグ、配線、層間絶縁膜などを形成する。このようにして、本実施形態の半導体装置が製造される。

【0020】

以下、Ｃ_４Ｆ_６ガスの詳細を説明し、その内容を踏まえて本実施形態のエッチングガスの詳細を説明する。

【0021】

図２は、Ｃ_４Ｆ_６ガスについて説明するためのグラフである。

【0022】

有機膜、金属膜、シリコン含有膜などのマスク層６を用いて絶縁層４や犠牲層３をエッチングする際に、エッチングガスとしてＣ_４Ｆ_６（ヘキサフルオロ－１，３－ブタジエン）ガスを用いると、高いマスク選択比が得られる。このような高い選択比が得られる要因として、Ｃ_４Ｆ_６ガスが多量の保護膜７を生成することが挙げられる。

【0023】

図２は、Ｃ_４Ｆ_６ガスを用いた場合の保護膜７の堆積速度と、Ｃ_４Ｆ_８ガスを用いた場合の保護膜７の堆積速度を示している。エッチングガスとしてＣ_４Ｆ_６ガスを用いると、保護膜７の堆積速度が速くなるため、多量の保護膜７が生成される。

【0024】

図３は、Ｃ_４Ｆ_６ガスについて説明するための表である。

【0025】

エッチングガスとしてＣ_４Ｆ_６ガスを用いる場合には、Ｃ_４Ｆ_６分子から生成されたプラズマを用いて絶縁層４や犠牲層３がエッチングされる。具体的には、プラズマに含まれ堆積に寄与するラジカルにより保護膜７が堆積され、プラズマに含まれエッチングに寄与するラジカルおよびイオンにより絶縁層４や犠牲層３の側面がエッチングされる。

【0026】

図３は、Ｃ_４Ｆ_６分子から生成される２８種類のラジカルを示している。これらのうちのどのラジカルが保護膜７の堆積に寄与するかを、図４を参照して説明する。

【0027】

図４は、Ｃ_４Ｆ_６ガスについて説明するための別のグラフである。

【0028】

図４は、エッチングガスに対する希ガスの添加量を変化させた場合の、Ｃ_３Ｆ_４ラジカルのラジカル密度と、保護膜７の堆積速度とを示している。Ｃ_３Ｆ_４のラジカル密度は、希ガスの添加量がゼロの場合の密度を基準に規格化されている。

【0029】

ここで、Ｃ_４Ｆ_６分子は、ＣＦ_２＝ＣＦ－ＣＦ＝ＣＦ_２という構造を有している。ＣＦ_２とＣＦとの間の二重結合は弱いことから、Ｃ_４Ｆ_６分子からＣ_３Ｆ_４ラジカルとＣＦ_２ラジカルが生成されやすいと考えられる。そこで、Ｃ_３Ｆ_４ラジカルのラジカル密度と保護膜７の堆積速度との関係を調べてみたところ、Ｃ_３Ｆ_４ラジカルのラジカル密度と保護膜７の堆積速度との間には相関関係があることが分かった（図４）。この結果から、保護膜７の堆積にはＣ_３Ｆ_４ラジカルが寄与していると考えられる。

【0030】

図５は、第１実施形態のエッチングガスの成分を説明するための図である。本実施形態のエッチングガスは、炭素・フッ素含有ガスの分子として、第１または第２分子を含んでいる。

【0031】

図５(ａ)は、第１分子の構造式を示している。第１分子は、Ｃ_３Ｆ_４基と、Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に二重結合により結合したＲ１基とを有している。第１分子内の炭素原子の総数は、４個または５個である。Ｒ１基は、炭素を含んでおり、かつ、塩素、臭素、ヨウ素、または酸素を含んでいる。Ｒ１基はさらに、水素またはフッ素を含んでいてもよい。

【0032】

図５(ｂ)は、第２分子の構造式を示している。第２分子は、Ｃ_３Ｆ_４基と、Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に単結合により結合したＲ２基と、Ｃ_３Ｆ_４基内の炭素原子に単結合により結合したＲ３基とを有している。第２分子内の炭素原子の総数は、４個または５個である。Ｒ２基およびＲ３基の少なくとも一方は、炭素を含んでおり、かつ、Ｒ２基およびＲ３基の各々は、水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、または酸素を含んでいる。

【0033】

本実施形態の絶縁層４や犠牲層３は、図１(ｂ)の工程にて、第１または第２分子から生成されたプラズマを用いてエッチングされる。具体的には、プラズマに含まれ堆積に寄与するラジカルにより保護膜７が堆積され、プラズマに含まれエッチングに寄与するラジカルおよびイオンにより絶縁層４や犠牲層３の側面がエッチングされる。この際のプラズマの電子密度は、例えば５．０×１０^９～２．０×１０^１１個／ｃｍ^３である。

【0034】

第１分子と第２分子は、いずれもＣ_３Ｆ_４基を有している。よって、第１または第２分子からプラズマを生成すると、Ｃ_４Ｆ_６分子からプラズマを生成する場合と同様に、Ｃ_３Ｆ_４ラジカルを含むプラズマを生成することができる。本実施形態によれば、第１または第２分子から生成されたＣ_３Ｆ_４ラジカルにより、保護膜７の堆積速度を速くすることや、高いマスク選択比を実現することが可能となる。別言すると、本実施形態によれば、第１または第２分子により、Ｃ_４Ｆ_６ガスの代替ガスとなる好適な炭素・フッ素含有ガスを実現することが可能となる。

【0035】

本実施形態のエッチングガスは、第１または第２分子とその他の分子とを含む混合ガスでもよいし、２種類以上の第１分子、２種類以上の第２分子、または第１分子と第２分子との両方を含む混合ガスでもよい。例えば、本実施形態のエッチングガスは、第１または第２分子のほかに、酸素分子、希ガス分子（単原子分子）、またはＣ_ａＦ_ｂ（フルオロカーボン）分子を含んでいてもよい。ただし、ａ、ｂは１以上の整数を表す。

【0036】

なお、本実施形態の第１分子内の炭素原子の総数は、上述のように、４個または５個に設定されている。理由は、第１分子内の炭素原子の総数が６個以上になると、第１分子から生成されるＣ_３Ｆ_４ラジカル以外のラジカルの影響が大きくなり、エッチングの特性が低下する可能性があるからである。同様の理由から、本実施形態の第２分子内の炭素原子の総数も、４個または５個に設定されている。

【0037】

また、Ｒ１基内のフッ素原子および炭素原子のＦ／Ｃ比や、Ｒ２およびＲ３基内のフッ素原子および炭素原子のＦ／Ｃ比は、２以下に設定することが望ましい。Ｒ１基のＦ／Ｃ比は、Ｒ１基内のＦ原子の個数を、Ｒ１基内のＣ原子の個数で割った値である。例えば、Ｒ１基内のＣ原子の個数が２の場合には、Ｒ１基内のＦ原子の個数は４以下に設定することが望ましい（０でもよい）。同様に、Ｒ２およびＲ３基のＦ／Ｃ比は、Ｒ２基内のＦ原子とＲ３基内のＦ原子の合計個数を、Ｒ２基内のＣ原子とＲ３基内のＣ原子の合計個数で割った値である。理由は、これらのＦ／Ｃ比が２よりも大きくなると、マスク選択比が低くなるからである。

【0038】

図６～図９は、第１実施形態のエッチングガスの成分の例を説明するための図である。

【0039】

図６は、第１分子の例について説明するための図であり、様々な分子の構造式を示している。本実施形態の第１分子は、図６に示す各分子の少なくとも一部のＨ原子またはＦ原子を、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、またはＩ原子に置換することで得られる。ただし、Ｆ原子をＣｌ原子、Ｂｒ原子、またはＩ原子に置換する場合には、Ｃ_３Ｆ_４基以外に含まれるＦ原子が置換対象となる。

【0040】

図７～図９は、第２分子の例について説明するための図であり、様々な分子の構造式を示している。図７～図９は、本実施形態の第２分子の様々な例を示している。さらに、本実施形態の第２分子は、図７～図９に示す各分子の少なくとも一部のＨ原子またはＦ原子を、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、またはＩ原子に置換することでも得られる。ただし、Ｆ原子をＣｌ原子、Ｂｒ原子、またはＩ原子に置換する場合には、Ｃ_３Ｆ_４基以外に含まれるＦ原子が置換対象となる。

【0041】

なお、本実施形態の第１分子や第２分子は、これらの分子に限定されるものではなく、その他の組成や構造を有していてもよい。

【0042】

図１０は、第１実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。

【0043】

図１０は、本実施形態の方法で製造される半導体装置の一例を示している。図１０は、３次元メモリのメモリセル部と階段コンタクト部とを示している。図１０では、下部層２が、第１絶縁膜２ａ、ソース側導電層２ｂ、および第２絶縁膜２ｃにより構成され、上部層５が、カバー絶縁膜５ａ、ドレイン側導電層５ｂ、第１層間絶縁膜５ｃ、および第２層間絶縁膜５ｄにより構成されている。チャネル半導体層１４は、基板１内の拡散層Ｌに電気的に接続されている。犠牲層３は、タングステン（Ｗ）層などを含む電極層３’に置き換えられている。電極層３’は第１膜の例である。

【0044】

図１０はさらに、上部層５のコンタクトホールＨ内に形成されたコンタクトプラグ１６を示している。各コンタクトプラグ１６は、対応する電極層３’に電気的に接続されるように形成されている。

【0045】

以上のように、本実施形態のメモリホールＭは、Ｃ_３Ｆ_４基を有する第１または第２分子を含むエッチングガスを用いて形成される。よって、本実施形態によれば、好適な炭素・フッ素含有ガスにより絶縁層４や犠牲層３をエッチングすることが可能となる。例えば、単価の高いＣ_４Ｆ_６ガスを使用せずに、Ｃ_４Ｆ_６ガスと同様に好適なエッチングを実行することが可能となる。本実施形態によれば、例えば１０以上という高いアスペクト比を有するメモリホールＭも好適な形状に形成することが可能となる。

【0046】

なお、図１(ａ)の工程では、下部層２上に複数の犠牲層３と複数の絶縁層４とを交互に形成する代わりに、下部層２上に複数の電極層３’と複数の絶縁層４とを交互に形成してもよい。この場合、犠牲層３を電極層３’に置き換える工程が不要となる。

【0047】

また、本実施形態のドライエッチングは、メモリホールＭの加工以外の工程にも適用可能であり、例えばメモリホールＭ以外の凹部を加工する工程にも適用可能である。

【0048】

以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な方法およびガスは、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した方法およびガスの形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。

【符号の説明】

【0049】

１：基板、２：下部層、２ａ：第１絶縁膜、２ｂ：ソース側導電層、
２ｃ：第２絶縁膜、３：犠牲層、３’：電極層、４：絶縁層、
５：上部層、５ａ：カバー絶縁膜、５ｂ：ドレイン側導電層、
５ｃ：第１層間絶縁膜、５ｄ：第２層間絶縁膜、６：マスク層、７：保護膜、
１１：ブロック絶縁膜、１２：電荷蓄積層、１３：トンネル絶縁膜、
１４：チャネル半導体層、１５：コア絶縁膜、１６：コンタクトプラグ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】