(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-03-08
(45)【発行日】2022-03-16
(54)【発明の名称】安定性の改善されたレーザ駆動封止ビームランプ
(51)【国際特許分類】
H01J 65/04 20060101AFI20220309BHJP
H01J 9/24 20060101ALI20220309BHJP
H01J 61/30 20060101ALI20220309BHJP
【FI】
H01J65/04 Z
H01J9/24 G
H01J61/30 Q
(21)【出願番号】P 2017559424
(86)(22)【出願日】2016-05-12
(86)【国際出願番号】 US2016031983
(87)【国際公開番号】W WO2016183271
(87)【国際公開日】2016-11-17
【審査請求日】2019-04-12
(32)【優先日】2015-05-14
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
【前置審査】
(73)【特許権者】
【識別番号】514156116
【氏名又は名称】エクセリタス テクノロジーズ コーポレイション
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ブロンディア,ルディ
【審査官】大門 清
(56)【参考文献】
【文献】特表2015-505419(JP,A)
【文献】米国特許第08259771(US,B1)
【文献】特開2013-045537(JP,A)
【文献】特表2014-528641(JP,A)
【文献】特開2011-119200(JP,A)
【文献】特開昭58-010363(JP,A)
【文献】独国特許出願公開第102011113681(DE,A1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H01J 61/50-65/08
H01J 9/00
H01J 61/30
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
レーザ光源からレーザビームを受けるように構成された封止高出力照明装置であって、
イオン性媒体を包含するように構成され、内径を備えた円筒形壁部、第1の波長範囲に対して透過的な侵入ウィンドウ、及び、第2の波長範囲に対して透過的であり侵入ウィンドウの反対側に配される退出ウィンドウ、を有する封止円筒形チャンバと、
インサート外部からインサート内部を分離する隔壁領域、前記チャンバ侵入ウィンドウに当接する侵入端部、及び、前記チャンバ退出ウィンドウに当接する退出端部、を有する絶縁材料で形成されるチャンバ内に配されたチューブインサートと、を備え、
前記インサートは、前記インサート内径内で前記レーザビームを受けるように構成される、装置。
【請求項2】
前記インサートの断面形状は、インサート外径及びインサート内径を備えた円形であり、
前記インサート外径は、前記チャンバ内径より小さい、請求項1に記載の装置。
【請求項3】
前記絶縁材料は、石英を備える、請求項1に記載の装置。
【請求項4】
前記インサートは、前記イオン性媒体が前記インサート内部及び前記インサート外部の間を流れるように構成される、請求項1に記載の装置。
【請求項5】
第1のインサート側開口を通じて前記インサート内部内に延びる第1の電極と、
前記第1の電極とは略反対側の前記第1のインサート側開口を通じて前記インサート内部内に延びる第2の電極と、
をさらに備える、請求項1に記載の装置。
【請求項6】
前記絶縁インサートに組み込まれたパッシブ非電極点火剤をさらに備える、請求項1に記載の装置。
【請求項7】
前記侵入ウィンドウ及び前記退出ウィンドウは、各々、石英ガラス及びサファイヤからなる群より選択された材料で形成される、請求項1に記載の装置。
【請求項8】
前記封止チャンバの本体は、ニッケル-コバルト鉄合金を備える、請求項1に記載の装置。
【請求項9】
前記封止チャンバの本体は、サファイヤ及び/又は石英を備える、請求項1に記載の装置。
【請求項10】
イオン性媒体は、キセノンガス、アルゴンガス、及びクリプトンガスからなる群より選択される、請求項1に記載の装置。
【請求項11】
前記退出ウィンドウは、特定範囲の波長を反映させるように構成された反射性材料のコーティングを備える、請求項1に記載の装置。
【請求項12】
前記退出ウィンドウは、特定範囲の波長を通過するように構成された材料のコーティングを備える、請求項1に記載の装置。
【請求項13】
前記チャンバ円筒形壁部から前記チャンバ内に突出した壁部突出部をさらに備え、
前記インサートは、前記壁部突出部内に配される、請求項1に記載の装置。
【請求項14】
前記壁部突出部は、前記チャンバ円筒形壁部の中心軸からオフセットした中心軸を備えた円形断面形状を備える、請求項13に記載の装置。
【請求項15】
前記壁部突出部は、非円形断面形状を備える、請求項13に記載の装置。
【請求項16】
レーザ光源からレーザビームを受けるように構成された封止高出力照明装置を製造する方法であって、
円筒形壁部を備えた封止可能な円筒形チャンバを形成するステップと、
前記チャンバ円筒形壁部内に絶縁チューブインサートを挿入するステップと、
前記円筒形壁部の第1の端部に侵入ウィンドウを取り付けるステップと、
前記侵入ウィンドウの反対側の前記円筒形壁部の第2の端部に退出ウィンドウを取り付けるステップと、を備え、
インサート侵入端部は、前記チャンバ侵入ウィンドウに当接し、インサート退出端部は、前記チャンバ退出ウィンドウに当接する、方法。
【請求項17】
前記絶縁チューブインサートにパッシブ非電極点火剤を組み込むステップをさらに備える、請求項16に記載の方法。
【請求項18】
前記絶縁チューブインサートの壁部に開口を形成するステップと、
前記チューブインサート開口を通じて電極を挿入するステップと、
をさらに備える、請求項16に記載の方法。
【請求項19】
レーザ光源からレーザビームを受けるように構成された封止高出力照明装置であって、
イオン性媒体を包含するように構成され第1の直径及び第1の中央部を有
する封止円筒形チャンバを備え、
前記封止円筒形チャンバは、
前記チャンバの直径より小さい第1のキャビティの直径及び前記チャンバの中心からオフセットした第1のキャビティの中心を有する、前記チャンバ内に隔壁領域を備えた第1のキャビティと、
前記キャビティ内に延びる第1の電極、及び、前記第1の電極の略反対側で前記キャビティ内に延び前記第1の電極とともに共通軸を共有する第2の電極と、
前記第1の電極及び前記第2の電極の間で前記共通軸に沿った中間点と、を有
し、
前記中間点は、さらに、前記キャビティの壁部及び前記第1のキャビティの中心の間に配置される、封止高出力照明装置。
【請求項20】
前記チャンバは、前記第1のキャビティと部分的に交差する第2のキャビティをさらに備える、請求項19に記載の封止高出力照明装置。
【請求項21】
前記第2のキャビティは、前記第1のキャビティの直径より小さい第2のキャビティの直径を有するチャンバ内に隔壁領域をさらに備える、請求項20に記載の封止高出力照明装置。
【請求項22】
前記チャンバ内に前記レーザビームを収容するように構成された前記キャビティの壁部内に配された侵入ウィンドウと、
前記キャビティから高出力光を放射するように構成された高出力光退出ウィンドウと、
をさらに備える、請求項19に記載の封止高出力照明装置。
【請求項23】
前記第1の電極及び前記第2の電極は、略対称の形状である、請求項19に記載の封止高出力照明装置。
【請求項24】
前記第1の電極及び前記第2の電極は、1mmを上回るギャップで分離される、請求項19に記載の封止高出力照明装置。
【請求項25】
前記封止チャンバの本体は、石英、サファイヤ、及び金属からなる群より選択される、請求項19に記載の封止高出力照明装置。
【請求項26】
前記封止チャンバの本体は、ニッケル-コバルト鉄合金を備える、請求項19に記載の封止高出力照明装置。
【請求項27】
前記封止チャンバの本体は、銅を含まない、請求項26に記載の封止高出力照明装置。
【請求項28】
イオン性媒体は、キセノンガス、アルゴンガス、及びクリプトンガスからなる群より選択される、請求項19に記載の封止高出力照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
本出願は、2015年5月14日出願の米国仮特許出願シリアル番号62/161,389号、表題「Laser Driven Sealed Beam Lamp With Improved Stability」の利益を主張するものであり、その内容全体を参照として組み込む。
【0002】
本発明は、照明装置に関連し、特に、高出力アークランプに関連する。
【背景技術】
【0003】
高出力アークランプは、高出力ビームを放射する装置である。このランプは、通常、チャンバ内のガス(イオン性媒体)を励起するために使用されるアノード及びカソードを備えたガス含有チャンバ、例えば、ガラスバルブを含む。放電は、アノードとカソードとの間に生成され、励起された(例えば、イオン化された)ガスに動力を提供し、光源の動作中、イオン化されたガスによって放射された光を維持する。
【0004】
図1は、低ワット数で放物型の従来技術のキセノンランプ100の見取図及び断面を示している。このランプは、通常、金属及びセラミックで構築される。充填ガスであるキセノンは、不燃性且つ非毒性である。ランプサブアセンブリは、アセンブリを厳しい寸法公差に制限する固定具に高温蝋付けで構築されてもよい。
図2は、蝋付け後におけるこれらのランプサブアセンブリ及び固定具の一部を示している。
【0005】
図1及び
図2を参照すると、従来技術のランプ100には、3つの主要サブアセンブリ、すなわち、カソード、アノード、及びリフレクタが設けられる。カソードアセンブリ3aは、ランプカソード3b、カソード3bをウィンドウフランジ3cに保持する複数の支柱、ウィンドウ3d、及びゲッタ3eを包含する。ランプカソード3bは、例えば、トリウム入りタングステンから作成された小型のペンシル形状部品である。動作中、カソード3bは、ランプアークギャップを横切って移動し、アノード3gの衝突する電子を放射する。電子は、カソード3bから熱電子的に放射されるため、カソードチップが高温且つ低電子放射を機能させるように維持しなければならない。
【0006】
カソード支柱3cは、カソード3bを定位置に強固に保持し、カソード3bに電流を伝導する。ランプウィンドウ3dは、研削及び研磨された単結晶サファイヤ(AlO2)であってもよい。サファイヤにより、気密封止が幅広い動作温度範囲に亘って維持されるように、ウィンドウ3dの熱膨張をフランジ3cのフランジ熱膨張に合致させる。サファイヤの熱伝導率は、ランプのフランジ3cに熱を搬送し、ウィンドウ3dのひび割れを回避するために、均一に熱を分散させる。ゲッタ3eは、カソード3b周辺で覆われ、支柱上に搭載される。ゲッタ3eは、動作中、ランプ内に生じる汚染ガスを吸収し、汚染物がカソード3bを汚染して望ましくない材料をリフレクタ3k及びウィンドウ3d上に搬送するのを防ぐことにより、ランプの寿命を延ばす。アノードアセンブリ3fは、アノード3g、ベース3h、及びタビュレーション3iからなる。アノード3gは、通常、純タングステンから構築され、カソード3bよりかなり鈍い形状を有する。この形状は、ほぼ、アークがその正極電気的接続点にて広がるようにする放電物理学の結果である。アークは、典型的に、幾分円錐形状を有し、円錐の点がカソード3bに接触し、円錐の底面がアノード3g上に据えられるようにする。アノード3gは、カソード3bより大きく、より多くの熱を伝達する。ランプ内に伝達された廃熱の約80%は、アノード3gを通じて伝達して出され、20%は、カソード3bを通じて伝達される。アノードは、通常、ランプヒートシンクまで熱抵抗のより低い進路を有するように構成され、ランプベース3hが比較的大型となる。ベース3hは、ランプアノード3gからの熱負荷を伝達するために、鉄又は他の熱伝導性材料で構築される。タビュレーション3iは、ランプ100を退避させ、それにキセノンガスを充填するためのポートである。充填後、タビュレーション3iは、例えば、油圧ツールで挟持又は冷間圧接で封止され、ランプ100が同時に封止されて充填処理ステーションから遮断されるようにする。リフレクタアセンブリ3jは、リフレクタ3kと2つのスリーブ31を含む。リフレクタ3kは、リフレクタに鏡面を与えるために、高温材料で蝋付けされたほぼ純粋な多結晶アルミナ本体であってもよい。そして、リフレクタ3kがそのスリーブ31に封止され、反射コーティングが蝋付けされた内面に付与される。
【0007】
図3Aは、従来技術の円筒形ランプ300の第1の斜視図を示している。2つのアーム345及び346は、封止チャンバ320から外側に突出している。アーム345及び346は、一対の電極390及び391を収容しており、これらは、封止チャンバ320の内側に突出し、チャンバ320内のイオン性媒体の点火のための電界を提供する。電極390及び391の電気的接続は、アーム345及び346の端部に設けられる。
【0008】
チャンバ320は、レーザ源(図示せず)からのレーザ光がチャンバ320に入ってもよい侵入ウィンドウ326を有する。同様に、チャンバ320は、エネルギー供給されたプラズマからの高出力光がチャンバ320を出てもよい退出ウィンドウ328を有する。レーザからの光は、持続エネルギーを提供するために、励起ガス(プラズマ)に集光される。イオン化媒体は、制御された高圧力弁398でチャンバ内に添加されるか、又はチャンバから除去される。
【0009】
図3Bは、
図3Aの図を垂直方向に90度回転させた、円筒形ランプ300の第2の斜視図を示している。制御された高圧力弁398は、ビューイングウィンドウ310の略反対側に配置される。
図3Cは、
図3Bの図を水平方向に90度回転させた、円筒形ランプ300の第2の斜視図を示している。通常、チャンバ320の内部プロファイルは、チャンバ320の外部プロファイルに合致する。
【0010】
加熱されたガスは、チャンバ内に何らかの乱流を生じることもある。このような乱流は、プラズマ領域に影響を及ぼし、例えば、プラズマ領域を拡張、変更、又は変形することもあり、さもなければ、高出力の出力光に何らかの不安定を生じることもある。
【0011】
バルブの熱勾配及び重力により、相当量の不安定を生じ、プラズマ周辺のガスに乱流を生じる。プラズマ自体は、典型的には、9,000Kを上回る温度に達するため、周囲のキセノンガスは、重力とともに激しい乱流を引き起こす著しい温度勾配を見せる。この乱流は、プラズマの空間的安定性に影響を及ぼし、プラズマの熱エネルギー交換力学にも等しく影響し、引いては、光子の変換効率を直接変更する。従って、上述の欠点のうちの1つ以上に対処する必要性がある。
【発明の概要】
【0012】
本発明の実施形態は、安定性が改善されたレーザ駆動封止ビームランプを提供するものである。簡単に述べると、第1の態様は、レーザ光源からレーザビームを受けるように構成された封止高出力照明装置を対象とし、その作成方法も開示する。この装置は、イオン性媒体を包含するように構成された封止円筒形チャンバを含む。このチャンバは、侵入ウィンドウと、侵入ウィンドウの反対側に配された退出ウィンドウと、を備える円筒形壁部を有する。チューブインサートは、絶縁材料で形成されたチャンバ内に配される。インサートは、インサート内径内にレーザビームを受けるように構成される。
【0013】
第2の態様は、封止高出力照明装置を対象とする。この装置は、レーザ光源からレーザビームを受けるように構成される。封止チャンバは、イオン性媒体を包含するように構成され、少なくとも2次元において非対称である体積プロファイルを有する。第1の電極及び第2の電極は、チャンバ内に延びる。第1の電極及び第2の電極の間に配置された点火位置は、チャンバ内の対称の少なくとも1点からオフセットする。
【0014】
本発明の他のシステム、方法、及び特徴は、以下の図面及び詳細な説明を検討することにより、当業者にとって明らかとなるであろう。このような追加のシステム、方法、及び特徴は、本発明に含まれるものであり、本発明の範囲内であり、添付の特許請求の範囲によって保護されることが意図されるものである。
【図面の簡単な説明】
【0015】
添付の図面は、本発明のさらなる理解を促すために含まれるものであり、本明細書の一部に組み込まれ、それを構築するものである。図中の構成要素は、必ずしも寸法を表すものでなく、本発明の原則を明確に示すように強調が施されている。図面は、本発明の実施形態を示しており、本説明とともに、本発明の原則を説明するものである。
【0016】
【
図1】展開図における従来技術の高出力ランプの概念図である。
【
図2】断面図における
図1の従来技術の高出力ランプの概念図である。
【
図3A】従来技術の円筒形レーザ駆動封止ビームランプの概念図である。
【
図3B】
図3Aの円筒形レーザ駆動封止ビームランプを第2の視点から見た概念図である。
【
図3C】
図3Aの円筒形レーザ駆動封止ビームランプを第3の視点から見た概念図である。
【
図4】オフセットキャビティを備えたチャンバを有する円筒形レーザ駆動封止ビームランプの一例としての第1実施形態の概念図である。
【
図5】ダブルキャビティを備えたチャンバを有する円筒形レーザ駆動封止ビームランプの一例としての第2実施形態の概念図である。
【
図6】絶縁インサートを有するレーザ駆動円筒形封止ビームランプの一例としての第3実施形態の概念図である。
【
図7】斜視図において
図6のランプの本体の詳細を示す概念図である。
【
図8】
図6のランプの本体の詳細を示す展開概念図である。
【
図9】チャンバの中心から中心がオフセットした絶縁インサートを有するレーザ駆動円筒形封止ビームランプの一例としての第4実施形態の概念図である。
【
図10】少なくとも部分的にチャンバ内に延びる外壁の突出部を含む、第4実施形態と同様のレーザ駆動円筒形封止ビームランプの一例としての第5実施形態の概念図である。
【
図11】非対称絶縁インサートを有するレーザ駆動円筒形封止ビームランプの一例としての第6実施形態の概念図である。
【
図12】ダブルキャビティ及び絶縁インサートを備えたチャンバを有する円筒形レーザ駆動封止ビームランプの一例としての第7実施形態の概念図である。
【
図13】アクティブ電極の代わりに1つ以上のパッシブ非電極点火剤を使用する円筒形レーザ駆動封止ビームランプの一例としての第8実施形態の概念図である。
【
図14】レーザ光源からレーザビームを受けるように構成された封止高出力照明装置を製造する方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下の定義は、本明細書に開示の実施形態の特徴に適用される用語を解釈するのに有用であり、本開示内の要素を規定することのみを意図している。特許請求の範囲内に使用された用語への限定は意図されておらず、従って、これを導き出してはならない。添付の特許請求の範囲内に使用された用語は、適用可能な分野における慣例的意味によってのみ限定されなければならない。
【0018】
本明細書において使用されるコリメート光は、光線が並行である光であるため、伝播する際の広がりが最小となる。
【0019】
本明細書において使用される「略」は、「非常に近い」又は正常の製造公差内であることを意味する。例えば、略平坦ウィンドウは、設計によって平坦であることが意図されるものであるが、製造による差異に基づき、完全に平坦である状態から変動することもある。
【0020】
以降、添付の図面に例示された、本発明の実施形態について詳細に説明を行う。可能な限り、図中及び説明において、同一又は同様の部品について言及する際、同一の参照符号を使用する。
【0021】
図4は、非対称キャビティ430を備えたレーザ駆動円筒形封止ビームランプ400の一例としての第1実施形態を示している。ランプ400は、例えば、キセノン、アルコン、又はクリプトンガスが挙げられるが、これに限定されないイオン性媒体を包含するように構成された非対称キャビティ430を備えた封止チャンバ420を含む。イオン性媒体は、制御された高圧力弁498により、チャンバに添加されてもよく、又はチャンバから除去されてもよい。
【0022】
チャンバ420は、キャビティ430内にレーザ光を伝達する侵入ウィンドウ426を有し、例えば、石英ガラス又はサファイヤ等の好適な透明材料で形成されてもよい。チャンバ420は、外壁421で囲まれ、侵入ウィンドウ426がチャンバ420の第1の側方を封止し、退出ウィンドウ428が、侵入ウィンドウ426の略反対側で、チャンバ420の第2の側方を封止する。非対称キャビティ430は、キャビティの壁部431で囲まれ、チャンバ420内の領域として形成される。
【0023】
高出力退出光は、ランプ400によって出力される。高出力光は、キャビティ430内の点火及びエネルギー供給されたイオン性媒体で形成されたプラズマにより放出される。イオン性媒体は、キャビティ430内の一対の点火電極490及び491の間に配置されたプラズマ点火領域にて、キャビティ430内で点火及び/又は励起される。プラズマは、チャンバ420の外部で生成され侵入ウィンドウ426を介してチャンバ420内に入ったレーザ光によって生成されたエネルギーにより、キャビティ430内で連続的に生成及び持続される。
図4は、各々チャンバ420の上部及び底部における侵入ウィンドウ426及び退出ウィンドウ428を示しているが、侵入ウィンドウ426及び退出ウィンドウ428には他の構成も可能である。
【0024】
非対称キャビティ430は、チャンバ420について非対称であるが、それ自体に対しては対称であってもよいことに留意しなければならない。非対称キャビティ430は、例えば、円筒形の形状であってもよいが、チャンバ420より小さい直径を有し、ここでは、キャビティ430の中心432がチャンバ420の中心422からオフセットする。電極490及び491は、電極490及び491の間の中間点が、チャンバ420の略中心422に配置されるものの、キャビティ430の中心432に対してオフセットすることで、その中間点がキャビティ430の上部壁部(すなわち、天井)付近に配置されるように位置決めされてもよい。
図4に示される通り、中間点は、チャンバ420の中心422に合致してもよい。充填部分435は、キャビティ430によって占有されない、チャンバ420の部分を充填する。充填部分435は、例えば、ニッケル-コバルト鉄合金等、ランプ400のハウジングと同一の材料で形成されてもよい。
【0025】
2つのアーム445及び446は、封止チャンバ420から外側に突出する。アーム445及び446は、電極490及び491を収容し、これらは、キャビティ430の内側に突出し、キャビティ430内のイオン性媒体の点火及び/又は励起のための電界を提供する。電極490及び491の端部のみが、充填部分435からチャンバ430の内側に突出してもよい。電極490及び491の電気的接続は、アーム445及び446の端部に設けられる。
【0026】
試験では、レーザ集光が円筒形ランプのチャンバの上部壁部に近づくように移動された時、安定性が改善したことを示している。調査では、或る幾何学的チャンバ配置により、チャンバ内のガスの乱流が減速し、規模が減少することを示している。チャンバ内にオフセットしたキャビティを形成することにより、このような配置は、円筒形ランプ構成内に形成されてもよい。
【0027】
従って、エネルギーが異なる割合で消散するように、キャビティ430内の乱流ガスストリームを分裂又は分散させる代わりに、水平方向、垂直方向、及び/又は深さに関して非対称のキャビティを使用することが望ましい。結果として、1つでなく少なくとも2つの共鳴周波数でエネルギーが分散されるので、乱流の大きさは低減する。これらの周波数は、キャビティ430の全体積から見ると互いに非常に近くてもよいが、ピークの広がり及び平坦化により、結果として、長期に亘ってより安定性の高い製品をもたらす。
【0028】
複数のキャビティ形状の試験では、キャビティの形状に応じて、且つ、キャビティ全体のサイズに対して程度は低いが、100Hz~10kHzの間である従来技術のランプの通常0.1%の不安定性が、非対称キャビティにより、1.5~2分の1に低減されることを示している。
【0029】
最も改善された形状としては、少なくとも2次元において対称が崩されたものであり、キャビティ内のより冷たいガスが、容積を低減した、例えば、二重放物状キャビティ(すなわち、「卵型」)チャンバ上方のより温かいガスと相互作用するように設けられた形状であった。プラズマをランプの中心から離れて配置することにより、対称を崩し、プラズマがキャビティの上部により近づいて配置された時の性能を向上させる。サファイヤウィンドウを遮蔽する下方部分壁部を備えたオフセットキャビティと、D字型輪郭形状を備えたキャビティと、を含むが、これに限定されない他のキャビティ構成も可能である。
【0030】
チャンバ420内のキャビティ430は、通常、例えば、20~60バールの範囲内の圧力レベルまで加圧される。高圧であるほど、プラズマスポットが小さくなり、例えば、繊維開口等、小さな開口への結合に有利であってもよい。チャンバ420は、高出力退出光を放射するための退出ウィンドウ428を有する。退出ウィンドウ428は、例えば、石英ガラス又はサファイヤ等、好適な透明材料で形成されてもよく、特定波長を反射させる反射性材料でコーティングされてもよい。反射性コーティングは、ランプ400からレーザビーム波長が出ることを遮断してもよく、及び/又は、UVエネルギーがランプ400から出るのを防いでもよい。反射性コーティングは、可視光等、特定範囲の波長を通過させるように構成されてもよい。
【0031】
退出ウィンドウ428は、意図された波長の光線の透過率を増加させるために、反射防止コートも有してよい。これは、例えば、ランプ400によって放射される退出光から望ましくない波長をフィルタリングするための部分反射又は分光反射であってもよい。侵入レーザ光の波長をチャンバ420内に反射して戻す退出ウィンドウ428のコーティングにより、チャンバ420内にプラズマを維持するために必要とされるエネルギー量を低下させてもよい。チャンバ420は、例えば、金属、サファイヤ、又は石英ガラス等のガラスで形成された本体を有してもよい。
【0032】
レーザ光源(図示せず)は、例えば、単一赤外(IR)レーザダイオード等、単一レーザであってもよく、又は、例えば、IRレーザダイオードの積層等、2つ以上のレーザを含んでもよい。レーザ光源(図示せず)の波長は、例えば、キセノンガス等のイオン性媒体を最適に汲みだすことに関して、近赤外域~中赤外域において選択されることが好ましい。遠赤外線光源も可能である。複数のIR波長が、キセノンガスの吸収帯域との連結改善のために適用されてもよい。当然のことながら、他のレーザ光のソリューションも可能であるが、他の因子の中でも、コスト因子、熱放射、サイズ、又はエネルギー要件のために望ましくないこともある。
【0033】
強い吸収線の10nm以内でイオン化ガスを励起することが好ましいと一般的には教示されるが、これは、光共鳴プラズマの代わりに、逆制動放射による熱プラズマを生成する時には要求されないことに留意しなければならない。例えば、イオン化ガスは、非常に弱い吸収線(1%ポイントであり、通常、例えば、20%ポイントにて979.9nmの吸収線で980nmの放射にて蛍光プラズマを使用するランプに比べて、20倍弱い)から14nm離れた、1070nmにて励起されたCWであってもよい。しかしながら、10.6μmのレーザは、この波長付近に既知の吸収線が存在しなくても、キセノンプラズマを点火することができる。特に、キセノン中でレーザプラズマを点火及び持続させるために、CO2レーザを使用することができる。例えば、米国特許第3,900,803号を参照のこと。
【0034】
ランプ400は、蝋付け材料を含む、構成内にいずれの銅も使用しない、Kovar(登録商標)としても既知のニッケル-コバルト鉄合金で形成されてもよい。第1実施形態において、チャンバ420内に比較的高い圧力を使用することで、より小さなプラズマ焦点をもたらし、結果として、例えば、光ファイバー侵入等、より小さな開口への連結を改善する。
【0035】
第1実施形態において、電極490及び491は、電極490及び491を損傷するプラズマガスの乱流の影響を最小にするために、例えば、1mm以上の距離、離間してもよい。電極490及び491は、非対称の電極によって生じるプラズマガス乱流への影響を最小にするように、対称に設計されてもよい。
【0036】
電極490及び491はまた、侵入ウィンドウ426及び退出ウィンドウ428に対してオフセットしてもよい。例えば、電極は、点火位置が退出ウィンドウ428よりも侵入ウィンドウ426に近くなるように配置されてもよい。或いは、電極は、点火位置が侵入ウィンドウ426よりも退出ウィンドウ428に近くなるように配置されてもよい。
【0037】
図5は、二重非対称キャビティ530及び540を備えたレーザ駆動円筒形封止ビームランプ500の一例としての第2実施形態を示している。レーザ駆動円筒形封止ビームランプ400の一例としての第1実施形態のように、ランプ500は、イオン性媒体を包含するように構成された非対称キャビティ530を備えた封止チャンバ520を含む。イオン性媒体は、制御された高圧力弁598により、チャンバに添加されてもよく、又はチャンバから除去されてもよい。チャンバ520は、レーザをキャビティ530内に伝達する侵入ウィンドウ526を有する。チャンバ520は、外壁521、侵入ウィンドウ526、及び退出ウィンドウ528に囲まれている。非対称キャビティ530は、キャビティ壁部531に囲まれた、チャンバ520内の領域として形成される。
図5は、各々、チャンバ520の上部及び底部における侵入ウィンドウ526及び退出ウィンドウ528を示しているが、侵入ウィンドウ526及び退出ウィンドウ528については、他の位置及び構成が可能である。例えば、代替の実施形態において、侵入ウィンドウ426は、侵入ウィンドウ428の反対側に配置されてもよい。
【0038】
チャンバ520は、第1のキャビティ530と部分的に交差する第2のキャビティ540を含み、チャンバ420内の隔壁領域541を有する第2のキャビティ540は、第1のキャビティの直径より小さな第2のキャビティの直径を有する。充填部分535は、キャビティ530及び540に占有されないチャンバ520の部分を充填する。充填部分535は、例えば、ニッケル-コバルト鉄合金等、ランプ500のハウジングと同一の材料で形成されてもよい。
【0039】
高出力退出光は、キャビティ530内の点火及びエネルギー供給されたイオン性媒体で形成されたプラズマから、ランプ500によって出力される。2つのアーム545、546は、封止チャンバ520から外側に突出する。アーム545及び546は、電極590及び591を収容し、これらは、キャビティ530の内側に突出し、キャビティ530内のイオン性媒体の点火のための電界を提供する。電極590及び451の電気的接続は、アーム545及び546の端部にて設けられる。
【0040】
図5は、チャンバ520の中心522の周囲に配置された第1のキャビティ530内に実質的に配置された電極590及び591を示すが、代替の実施形態において、電極590及び591は、第2のキャビティ540内に配置されてもよく、又は第1のキャビティ530及び第2のキャビティ540の交差点に配置されてもよい。
【0041】
以上の実施形態は、円筒形ランプの文脈で説明したが、オフセットした、及び/又は、非対称のキャビティを備えた加圧高出力ランプを有する代替の実施形態は、非円筒形構成における封止高出力ランプを含んでもよい。
【0042】
上述の通り、バルブの熱勾配及び重力により、相当量の不安定を生じ、プラズマ周辺のガスに乱流を生じる。従って、以下の実施形態には、ランプの円筒形キャビティに挿入される絶縁石英チューブが含まれる。
【0043】
図6は、絶縁インサート650を有するレーザ駆動円筒形封止ビームランプ600の一例としての第3実施形態を示している。ランプ600は、本体610と、本体610から外側に突出した2つのアーム645及び646と、を含む。本体610は、内部キャビティ630の周辺に封止チャンバ620を含む。
図7は、本体610の斜視図であり、明確さのため、電極690及び691とアーム645及び646とを省略している。
図8は、本体610の展開図を示している。
【0044】
チャンバ620は、キャビティ630内にレーザ光を伝達する侵入ウィンドウ626にて封止され、侵入ウィンドウ626は、例えば、石英ガラス又はサファイヤ等の好適な透明材料で形成され、侵入ウィンドウリング627によって枠取りされてもよい。チャンバ620は、外壁621と、侵入ウィンドウ626と、退出ウィンドウリング629によって枠取りされた退出ウィンドウ628と、に囲まれている。キャビティ630は、外壁621とウィンドウ626及び628とで形成されたチャンバ620内の領域として形成される。外壁621は、少なくとも部分的にチャンバ620内に延びる任意の延設部分635を含んでもよい。延設部分635は、例えば、ニッケル-コバルト鉄合金等、本体610と同一の材料で形成されてもよい。充填ポート696は、本体610の外部からチャンバ620に延び、チャンバ620に対してイオン性媒体を添加又は除去するための制御された高圧力弁698を収容するように構成される。
【0045】
絶縁インサート650は、チャンバ620内に配置される。絶縁インサート650は、略円筒形の形状であってもよいが、以下にさらに説明する通り、他の形状も可能である。特に、絶縁インサート650の断面形状は、円形であってもよく、又は非円形であってもよい。絶縁インサート650の壁部は、侵入ウィンドウ626及び退出ウィンドウ628の間に延びる。絶縁インサート650の侵入端部は、侵入ウィンドウ626に当接してもよく、絶縁インサート650の侵入端部が侵入ウィンドウ626に接触するか、又はほぼ接触するようにしてもよい。同様に、絶縁インサート650の退出端部は、退出ウィンドウ628に当接してもよく、絶縁インサート650の退出端部が退出ウィンドウ628に接触するか、又はほぼ接触するようにしてもよい。特に、絶縁インサート650は、侵入ウィンドウ626及び/又は退出ウィンドウ628に対して封止される必要がない。従って、絶縁インサート650は、チャンバ620内を移動してもよく、チャンバ620内の絶縁インサート650の位置は、重力等の外力の影響を受けてもよい。
【0046】
絶縁インサート650の外径は、通常、キャビティ630の内径より小さくてもよい。非限定的な例として、絶縁インサート650は、11mmの内径を有するキャビティ630内で、8mmの内径及び10mmの外径を有してもよく、ここでは、侵入ウィンドウ626から退出ウィンドウ628までの距離は、8mmである。他の構成も可能である。例えば、ウィンドウ間の距離は、好ましくは、4~12mmであってもよく、キャビティの直径は、いくつかの適用例について、好ましくは、7~19mmの範囲であってもよい。例えば、石英インサート壁部の厚さは、0.2~2mmであってもよい。
【0047】
絶縁インサート650は、石英又は他の好適な絶縁材料で作成されてもよい。この材料は、好ましくは、キャビティの本体材料の熱膨張係数よりも小さな熱膨張係数を備えた断熱器である。本体材料の熱膨張係数より小さな熱膨張係数を備えた絶縁インサート650の材料を使用することにより、確実に、石英又は他の断熱材料に熱-機械応力によるひび割れを生じないようにする。
【0048】
高出力退出光は、ランプ600によって出力される。高出力光は、キャビティ630及び絶縁インサート650内で点火及びエネルギー供給されたイオン性媒体で形成されたプラズマによって放射される。イオン性媒体は、キャビティ630及び絶縁インサート650内の一対のアクティブ点火電極690及び691の間に配置されたプラズマ点火領域にて、キャビティ630及び絶縁インサート650内で点火及び/又は励起される。アーム645及び646は、アクティブ電極690及び691を収容し、これらは、キャビティ630の内側に突出し、キャビティ630内のイオン性媒体の点火のための電界を提供する。アクティブ電極690及び691の電気的接続は、アーム645及び646の端部に設けられる。アクティブ電極690及び691は、例えば、絶縁インサート650の壁部の開口(図示せず)を通じて、絶縁インサート650の壁部を貫通してもよい。他の点火機構について、以下に説明する。
【0049】
一旦点火及び/励起されると、プラズマは、レーザ(ランプ600の外部)からのエネルギーで持続される。レーザは、絶縁インサート650内の位置に集光され、絶縁インサート650の壁部が、プラズマから放出される熱からチャンバ620の壁部を絶縁するようにする。石英は良好な絶縁を行うため、例えば、キセノンガス等のイオン性媒体は、もはや、動作中にランプ600の壁部621によって直接冷却されることはない。これは、ランプ600内のキセノンガスの乱流を大幅に低減し、引いては、プラズマ及び周辺のキセノンガスの間の熱交換バランスに対する影響を低減することにより、プラズマの空間位置に対する乱流の影響を低減する。
【0050】
チャンバ620内のキャビティ630は、通常、例えば、20~60バールの範囲の圧力レベルに加圧される。絶縁インサート650の内部は、絶縁インサート650の外部から封止されなくてもよい。圧力が高いほど、プラズマスポット(の体積が)小さくなってもよく、これは、例えば、繊維開口等、小さな開口内への連結に有利であってもよい。チャンバ620の退出ウィンドウ628は、高出力退出光を放射する。退出ウィンドウ628は、例えば、石英ガラス又はサファイヤ等、好適な透明材料で形成されてもよく、特定の波長を反射する反射性材料でコーティングされてもよい。反射性コーティングは、レーザビームの波長がランプ600から出るのを遮断し、及び/又は、UVエネルギーがランプ600から出るのを防いでもよい。反射性コーティングは、可視光等、特定範囲の波長を通過させるように構成されてもよい。
【0051】
退出ウィンドウ628は、意図された波長の光線の透過を増加させるように非反射性コートも有してよい。これは、例えば、ランプ600によって放射された退出光から望ましくない波長をフィルタで取り除く部分反射又はスペクトル反射であってもよい。侵入レーザ光の波長を反射してチャンバ620内に戻す退出ウィンドウ628のコーティングは、チャンバ620内のプラズマを維持するために必要とされるエネルギー量を低下させてもよい。
【0052】
特定の測定において測定された絶縁インサートを備えないランプの典型的な不安定性は、0.07~0.1%と評価され、後者は、遮断の仕様限界である。一方、0.04%と測定された絶縁インサート650とVIS光出力とを備えたランプ600は、壁部上に投影されたシュリーレン現象の流れを判断する裸眼に対してはるかに安定的に視認可能であった。サファイヤウィンドウの温度は、25%上昇し、絶縁インサート650がランプ600内の内部キセノン温度を上昇させることを明確に確認するものである。ランプの内部体積を低減すること及び/又はキャビティの断絶をなくすために電極を除去することで、結果として、さらなる改善をもたらす。石英インサートを備えた無電極ランプへの測定は、同一のキセノン充填圧力で、非石英インサートソリューションと比べて、不安定性が0.02%を下回り、光出力が10%増加する。
【0053】
図9に示される通り、キャビティ630内の絶縁インサート650の位置は、第1実施形態に関して説明した通り、乱流の低減が得られるように構成されてもよい。例えば、第3実施形態と略同様であるランプ900の第4実施形態は、チャンバ620の中心622からオフセットしたキャビティ630の中心932を有してもよく、ここでは、プラズマ持続領域がチャンバ620の中心622に配置されるように構成される。アクティブ電極又はパッシブ非電極点火剤を用いる実施形態について、電極690及び691又は点火剤は、電極690及び691又は点火剤の中間点におけるプラズマ持続領域がチャンバ620の略中心622に配置されるものの、絶縁インサート650の中心932に対してオフセットすることで、プラズマ持続領域が、絶縁インサート650の上部壁部(すなわち、天井)付近に配置されるように配置されてもよい。
図9に示される通り、プラズマ持続領域は、チャンバ620の中心622に合致してもよい。
【0054】
第4実施形態の構成では、絶縁インサート650を含まない以外、ランプと同様にポンプ及び充填プロセスが進行できるように、キャビティ630内に十分な余地を残す。これにより、絶縁インサート650がキャビティ630の底部に落ちる際、プラズマがチャンバ620の円筒軸上で作動されたとしても、プラズマが底部よりもインサート650の上部により近い状態で、ランプ900の正常動作が行えるようにする。
【0055】
図10は、第4実施形態と同様であり、少なくとも部分的にチャンバ620内に延びる外壁621の延設部分1035を含む、ランプ1000の第5実施形態を示している。延設部分1035は、例えば、ニッケル-コバルト鉄合金等、本体610と同一材料で形成されてもよい。延設部分1035は、チャンバ620内の所望の位置に絶縁インサート650を配置するのを支援するために、チャンバ620の中心622からオフセットした開口を有してもよい。延設部分1035における開口は、絶縁インサート650の外側寸法より大きくてもよく、延設部分1035が絶縁インサート650に対して封止されないようにし、これにより流体の自由な流れを許容し、イオン性媒体等の流れが延設部分1035及び絶縁インサート650の間で妨げられないようにする。第3実施形態及び第4実施形態のように、絶縁インサートは、同様に、絶縁インサート650内、及び絶縁インサート650を伴うことなく、イオン性媒体の自由な流動を許容するために、侵入ウィンドウ626及び/又は退出ウィンドウ628に対して封止されなくてもよい。
【0056】
図11は、非対称の絶縁インサート1150を有するレーザ駆動円筒形封止ビームランプ1100の一例としての第6実施形態を示している。第6実施形態において、絶縁インサートは、非円形の断面を有してもよい。例えば、対称は、少なくとも2次元で崩されてもよく、キャビティ内のより冷たいガスが、容積を低減した、例えば、二重放物状キャビティ(すなわち、「卵型」)チャンバ上方のより温かいガスと相互作用するようにする。上述の実施形態と同じように、プラズマをランプの中心から離れて配置することにより、対称を崩し、プラズマがキャビティの上部のより近くに配置された時の性能を改善する。サファイヤウィンドウを遮蔽する下方部分壁と、D字型輪郭形状を備えたインサートを含むが、これに限定されない他のインサート形状構成も可能である。しかしながら、このようなインサート形状は、ランプの製造コストを著しく増加させることもある。
【0057】
図12は、ダブルキャビティ1235及び絶縁インサート630を備えたチャンバを有する円筒形レーザ駆動封止ビームランプ1200の一例としての第7実施形態を示している。第7実施形態は、第2実施形態のチャンバ形状を、第3~第6実施形態の絶縁インサート650と組み合わせたものである。絶縁インサート650は、第3実施形態のように、円形断面を有してもよく、又は第6実施形態のように、非対称断面を有してもよい。プラズマ持続位置は、特定ランプの必要性に応じて選ばれてもよい。例えば、プラズマ持続位置は、ダブルキャビティ1235の中心、インサート650の中心、又は、ダブルキャビティ1235及びインサート630の一方又は双方の中心からオフセットして配置されてもよい。
【0058】
ランプ1300の第8実施形態において、
図13に示される通り、同時係属中の米国特許出願第14/712,304号の表題「Electrodeless Single CW Laser Driven Xenon Lamp」で説明されるように、アクティブ電極690及び691(
図6)の代わりに、1つ以上のパッシブ非電極点火剤1390を使用して、チャンバ内のイオン性媒体を点火/励起してもよく、その内容全体を参照としてここに組み込む。絶縁インサート650は、絶縁インサート650に内蔵されるか、又は絶縁インサート650の内側及び/外側に取り付けられる等、絶縁インサート650に組み込まれたパッシブ非電極点火剤1390を有してもよい。以上の実施形態の電極690及び691(
図6)とアーム645及び646(
図6)は、省略されてもよい。例えば、電極及びパッシブ非電極点火剤1390の双方を省略した実施形態において、チャンバ内のイオン性媒体は、すべて外部レーザからのエネルギーにより、点火/励起されてもよい。
【0059】
絶縁インサート650の一例としての実施形態には、内側を向いたトリウム入りタングステンの非電極点火1390(ピン)、例えば、絶縁インサート650内のプラズマ点火領域を向いた、2つ又は4つの等間隔に配された非電極点火剤1390を備える、銅/タングステンのMIM構造の内蔵リング又は嵌めこみリングを含んでもよい。前述の通り、ランプ1300の他の代替の実施形態では、電極が完全に省略され、イオン性媒体がレーザによって直接点火/励起されるようにしてもよい。
【0060】
以上の実施形態(第3実施形態を除く)では、チャンバの中心(第1実施形態及び第2実施形態)又は絶縁インサート(第4~第7実施形態)の中心に対してプラズマ持続位置の位置が、通常、プラズマの安定性に影響を及ぼす。例えば、10mmオーダの内径を有するキャビティ/インサートを備えたランプにおいて、プラズマ持続位置は、好ましくは、キャビティ/インサートの壁部から少なくとも2~3mm離れている。壁部に少しでも近づくと、プラズマは消えてもよい。プラズマの安定性に対するポジティブな影響は、プラズマ持続位置がキャビティ/インサートの中心軸から1~2mm移動されるや否や、気づかれるものであってもよい。正確な距離は、キャビティ/インサートのサイズに対して相対的なものであり、イオン性媒体がキャビティの壁部に当たる時のイオン性媒体の冷却に基づく、ランプ内の熱のストリームに基づく。プラズマ持続位置は、手元での適用における安定性及び/又は照明の必要性に応じて配置されてもよい。プラズマは、最初に、例えば、電極又はパッシブ非電極点火要素の中心等、第1の位置で点火及び/又は励起されたた後、例えば、第1の位置から第2の位置にレーザの集光位置を徐々に移動させることにより、高出力光を持続するための第2の位置に再配置されてもよい。
【0061】
他の実施形態も可能である。図面は、通常、アクティブ電極を備えたランプの実施形態を示しているが、代替実施形態において、アクティブ電極を使用した上述のランプの実施形態は、各々、代わりに、パッシブ非電極点火剤を備えて構成されてもよく、又は、電極を完全に省略してもよい。このような実施形態において、アーム445及び446(
図4)、545及び546(
図5)、並びに645及び646(
図6及び
図9~12)は、省略されてもよい。他の代替実施形態では、絶縁インサートをチャンバ壁部から離間させる代わりに、ランプのチャンバ壁部が石英等の絶縁材料と並べられてもよい。ポンプ及び充填プロセスを作動させ、及び/又は、チャンバ内へのアクティブ電極のアクセスを提供するように、このような実施形態では、1つ以上の開口が設けられてもよい。
【0062】
図14は、レーザ光源からレーザビームを受けるように構成された封止高出力照明装置の製造方法を示すフローチャート1400である。フローチャートの任意のプロセス記述又はブロックは、プロセスにおける特定の論理機能を実施するためのモジュール、セグメント、コード部分、又はステップとして理解されなければならず、代替の実現例も本発明の範囲内に含まれ、機能は、本発明の分野で合理的な技術を有する者によって理解される通り、関与する機能に応じて、略同時又は逆の順を含む、図示又は検討とは順不同で実行されてもよいことに留意しなければならない。
【0063】
円筒形壁部621(
図6)を備えた封止可能な円筒形チャンバ620(
図6)は、ブロック1410に示される通り、形成される。絶縁チューブインサート650(
図6)は、ブロック1420に示される通り、チャンバ円筒形壁部621(
図6)内に挿入される。侵入ウィンドウ626(
図6)は、ブロック1430に示される通り、円筒形壁部621(
図6)の第1の端部に取り付けられる。退出ウィンドウ628(
図6)は、ブロック1440に示される通り、侵入ウィンドウ626(
図6)の反対側の円筒形壁部621(
図6)の第2の端部に取り付けられ、インサート650(
図6)の侵入端部は、チャンバ侵入ウィンドウ626(
図6)に当接し、インサート650(
図6)は、チャンバ退出ウィンドウ628(
図6)に当接する。
【0064】
まとめると、当分野の技術者は、本発明の範囲又は主旨から逸脱することなく、本発明の構造に種々の修正及び変更がなされ得ることが明らかであろう。以上に鑑み、本発明は、以下の特許請求の範囲及びそれらの同等物の範囲内である限り、本発明の修正及び変更も網羅することが意図されるものである。