特許 7043204 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-03-18

(45)【発行日】2022-03-29

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1334 20060101AFI20220322BHJP

   G02F 1/13357 20060101ALI20220322BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20220322BHJP

   G02F 1/137 20060101ALI20220322BHJP

   F21S 2/00 20160101ALI20220322BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20220322BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20220322BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1334

G02F1/13357

G02F1/1368

G02F1/137 500

F21S2/00 435

G09F9/00 336D

G09F9/30 348Z

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2017175057

(22)【出願日】2017-09-12

(65)【公開番号】P2019053097

(43)【公開日】2019-04-04

【審査請求日】2020-08-06

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】特許業務法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】黒川 多惠

(72)【発明者】

【氏名】奥山 健太郎

【審査官】磯崎 忠昭

(56)【参考文献】

【文献】特開平０５－２０３９８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１５６７１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－１４８３８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭６０－１２０３２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第９３／０１１４５５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１１／０１４９２０１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０３２９３７４４（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｆ １／１３３４

Ｇ０２Ｆ １／１３３５７

Ｇ０２Ｆ １／１３６８

Ｇ０２Ｆ １／１３７

Ｆ２１Ｓ ２／００

Ｇ０９Ｆ ９／００

Ｇ０９Ｆ ９／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１側面及び前記第１側面とは反対側の第２側面を備えた配線と、遮光層と、を備えた第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、ポリマーと、液晶分子とを含む高分子分散型液晶層と、
前記第１基板に重畳し、前記第２基板の端部と対向する複数の発光素子と、を備え、
前記複数の発光素子は、第１方向に沿って間隔をおいて並び、
前記配線は、前記第１方向に延出し、
前記第１側面は、前記第２側面よりも前記発光素子に近接し、
前記遮光層は、前記配線を直接覆い、
前記配線は、第１エッジと、前記第１エッジとは反対側の第２エッジとを備え、前記第１エッジは前記第２エッジよりも前記発光素子に近接し、
前記遮光層は、前記第１エッジよりも前記発光素子に近接した第３エッジと、前記第２エッジよりも前記発光素子から離間した第４エッジとを備え、
前記第１エッジと前記第３エッジとの間の第１幅は、前記第２エッジと前記第４エッジとの間の第２幅より大きい、表示装置。

【請求項2】

第１側面、前記第１側面とは反対側の第２側面、及び、前記第１側面と前記第２側面との間の上面を備えた配線と、遮光層と、を備えた第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、ポリマーと、液晶分子とを含む高分子分散型液晶層と、
前記第１基板に重畳し、前記第２基板の端部と対向する複数の発光素子と、を備え、
前記複数の発光素子は、第１方向に沿って間隔をおいて並び、
前記配線は、前記第１方向に延出し、
前記第１側面は、前記第２側面よりも前記発光素子に近接し、
前記遮光層は、前記配線のうち、少なくとも前記第１側面を直接覆い、
前記配線は、第１エッジと、前記第１エッジとは反対側の第２エッジとを備え、前記第１エッジは前記第２エッジよりも前記発光素子に近接し、
前記遮光層は、前記第１エッジよりも前記発光素子に近接した第３エッジと、前記第２エッジの直上または前記第２側面の直上または前記上面に位置する第４エッジとを備えた、表示装置。

【請求項3】

前記遮光層は、前記第１側面よりも前記発光素子に近接した第３側面を備え、
前記第３側面は、鈍角の傾斜角で傾斜している、請求項１または２に記載の表示装置。

【請求項4】

第１側面及び前記第１側面とは反対側の第２側面を備えた配線と、第１遮光層と、を備えた第１基板と、
第２遮光層を備え、前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、ポリマーと、液晶分子とを含む高分子分散型液晶層と、
前記第１基板に重畳し、前記第２基板の端部と対向する複数の発光素子と、を備え、
前記複数の発光素子は、第１方向に沿って間隔をおいて並び、
前記配線は、前記第１方向に延出し、
前記第１側面は、前記第２側面よりも前記発光素子に近接し、
前記第１遮光層は、前記配線を直接覆い、
前記第２遮光層は、前記配線のうち、少なくとも前記第１側面の直上に位置し、
前記配線は、第１エッジと、前記第１エッジとは反対側の第２エッジとを備え、前記第１エッジは前記第２エッジよりも前記発光素子に近接し、
前記第１遮光層は、前記第１エッジよりも前記発光素子に近接した第３エッジと、前記第２エッジよりも前記発光素子から離間した第４エッジとを備え、
前記第１エッジと前記第３エッジとの間の第１幅は、前記第２エッジと前記第４エッジとの間の第２幅より大きい、表示装置。

【請求項5】

前記第２遮光層は、前記第１側面よりも前記発光素子に近接した第５側面を備え、
前記第５側面は、鋭角の傾斜角で傾斜している、請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

さらに、前記第２遮光層と前記配線との間に位置する反射層を備えた、請求項４または５に記載の表示装置。

【請求項7】

走査線と、第１遮光層と、を備えた第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、ポリマーと、液晶分子とを含む高分子分散型液晶層と、
前記第１基板に重畳し、前記第２基板の端部と対向する複数の発光素子と、を備え、
前記複数の発光素子は、第１方向に沿って間隔をおいて並び、
前記走査線は、前記第１方向に延出し、
前記第１遮光層は、前記走査線を直接覆い、
前記走査線は、第１エッジと、前記第１エッジとは反対側の第２エッジとを備え、前記第１エッジは前記第２エッジよりも前記発光素子に近接し、
前記第１遮光層は、前記第１エッジよりも前記発光素子に近接した第３エッジと、前記第２エッジよりも前記発光素子から離間した第４エッジとを備え、
前記第１エッジと前記第３エッジとの間の第１幅は、前記第２エッジと前記第４エッジとの間の第２幅より大きい、表示装置。

【請求項8】

前記第２基板は、第２遮光層を備え、
前記第２遮光層は、前記走査線の直上に位置している、請求項７に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、入射した光を拡散する拡散状態と入射した光を透過させる透過状態とを切り替え可能な高分子分散型液晶（Polymer Dispersed Liquid Crystal：以下、『ＰＤＬＣ』と称する場合がある）を用いた照明装置が種々提案されている。
一方で、ＰＤＬＣを用いた表示装置においては、表示品位の低下を抑制することが要望されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特許第５４６７３８９号公報

【文献】特開２０１０－９２６８２号公報

【文献】特開２０１６－５７３３８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一実施形態によれば、
第１側面及び前記第１側面とは反対側の第２側面を備えた配線と、遮光層と、を備えた第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、ポリマーと、液晶分子とを含む高分子分散型液晶層と、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の端部と対向する発光素子と、を備え、前記第１側面は、前記第２側面よりも前記発光素子に近接し、前記遮光層は、前記配線のうち、少なくとも前記第１側面を覆っている、表示装置が提供される。
一実施形態によれば、
第１側面及び前記第１側面とは反対側の第２側面を備えた配線を備えた第１基板と、遮光層を備え、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、ポリマーと、液晶分子とを含む高分子分散型液晶層と、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の端部と対向する発光素子と、を備え、前記第１側面は、前記第２側面よりも前記発光素子に近接し、前記遮光層は、前記配線のうち、少なくとも前記第１側面の直上に位置している、表示装置が提供される。
一実施形態によれば、
走査線と、第１遮光層と、を備えた第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、ポリマーと、液晶分子とを含む高分子分散型液晶層と、を備え、前記第１遮光層は、前記走査線を覆っている、表示装置が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】図１は、本実施形態における表示装置ＤＳＰの構成例を示す平面図である。

【図2】図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの斜視図である。

【図3】図３は、図１に示した表示装置ＤＳＰの断面図である。

【図4】図４は、図３に示した表示パネルＰＮＬの一構成例を示す断面図である。

【図5】図５は、第１実施形態を示す断面図である。

【図6】図６は、第２実施形態を示す断面図である。

【図7】図７は、第３実施形態を示す断面図である。

【図8】図８は、第１実施形態の第１構成例を示す断面図である。

【図9】図９は、第１実施形態の第２構成例を示す断面図である。

【図10】図１０は、第１実施形態の第３構成例を示す断面図である。

【図11】図１１は、第２実施形態の第４構成例を示す断面図である。

【図12】図１２は、第２実施形態の第５構成例を示す断面図である。

【図13】図１３は、第３実施形態の第６構成例を示す断面図である。

【図14】図１４は、配線１１及び遮光層１６の第７構成例を示す断面図である。

【図15】図１５は、配線１１及び遮光層１６の第８構成例を示す断面図である。

【図16】図１６は、配線１１及び遮光層１６の第９構成例を示す断面図である。

【図17】図１７は、第４実施形態を示す断面図である。

【図18】図１８は、第５実施形態を示す断面図である。

【図19】図１９は、第６実施形態を示す断面図である。

【図20】図２０は、第１０構成例を示す断面図である。

【図21】図２１は、第１１構成例を示す断面図である。

【図22】図２２は、第７実施形態を示す断面図である。

【図23】図２３は、透明状態の液晶層３０を模式的に示す図である。

【図24】図２４は、散乱状態の液晶層３０を模式的に示す図である。

【図25】図２５は、液晶層３０が透明状態である場合の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。

【図26】図２６は、液晶層３０が散乱状態である場合の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。

【図27】図２７は、一画素ＰＸの構成例を示す平面図である。

【図28】図２８は、図２７に示した画素ＰＸのＡ－Ｂ線に沿った断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0008】

図１は、本実施形態における表示装置ＤＳＰの構成例を示す平面図である。図中において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは互いに交差し、第３方向Ｚは第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差している。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、互いに９０度以外の角度で交差していてもよい。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を「上」と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を「下」と称する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよいし、第１部材から離間していてもよい。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ－Ｙ平面に向かってみることを平面視という。

【0009】

本実施形態においては、表示装置の一例として、高分子分散型液晶を適用した表示装置について説明する。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、及び、配線基板Ｆ１乃至Ｆ３を備えている。また、表示装置ＤＳＰは、ここでは図示しない光源ユニットも備えている。

【0010】

表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、平面視で重畳している。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。表示領域ＤＡは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が重畳している領域に位置している。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、ｎ本の走査線Ｇ（Ｇ１～Ｇｎ）、及び、ｍ本の信号線Ｓ（Ｓ１～Ｓｍ）を備えている。なお、ｎ及びｍはいずれも正の整数であり、ｎがｍと等しくてもよいし、ｎがｍとは異なっていてもよい。複数の走査線Ｇは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。複数の信号線Ｓは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。

【0011】

第１基板ＳＵＢ１は、第１方向Ｘに沿って延出した端部Ｅ１１及び端部Ｅ１２と、第２方向Ｙに沿って延出した端部Ｅ１３及び端部Ｅ１４とを有している。第２基板ＳＵＢ２は、第１方向Ｘに沿って延出した端部Ｅ２１及び端部Ｅ２２と、第２方向Ｙに沿って延出した端部Ｅ２３及び端部Ｅ２４とを有している。図示した例では、平面視で、端部Ｅ１１及び端部Ｅ２１、端部Ｅ１３及び端部Ｅ２３、及び、端部Ｅ１４及び端部Ｅ２４は、それぞれ重畳しているが、重畳していなくてもよい。端部Ｅ２２は、平面視で、端部Ｅ１２と表示領域ＤＡとの間に位置している。第１基板ＳＵＢ１は、端部Ｅ１２と端部Ｅ２２との間に延出部Ｅｘを有している。

【0012】

配線基板Ｆ１乃至Ｆ３は、それぞれ延出部Ｅｘに接続され、この順に第１方向Ｘに並んでいる。配線基板Ｆ１は、ゲートドライバＧＤ１を備えている。配線基板Ｆ２は、ソースドライバＳＤを備えている。配線基板Ｆ３は、ゲートドライバＧＤ２を備えている。なお、配線基板Ｆ１乃至Ｆ３は、単一の配線基板に置換されてもよい。
複数の信号線Ｓは、非表示領域ＮＤＡに引き出され、ソースドライバＳＤに接続されている。複数の走査線Ｇは、非表示領域ＮＤＡに引き出され、ゲートドライバＧＤ１及びＧＤ２に接続されている。図示した例では、奇数番目の走査線Ｇは、端部Ｅ１４と表示領域ＤＡとの間に引き出され、ゲートドライバＧＤ２に接続されている。また、偶数番目の走査線Ｇは、端部Ｅ１３と表示領域ＤＡとの間に引き出され、ゲートドライバＧＤ１に接続されている。なお、ゲートドライバＧＤ１及びＧＤ２と各走査線Ｇとの接続関係は図示した例に限らない。

【0013】

図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの斜視図である。ここでは、配線基板Ｆ１乃至Ｆ３の図示を省略している。光源ユニットＬＵは、第１基板ＳＵＢ１の上に位置し、端部Ｅ２２に沿って配置されている。光源ユニットＬＵは、光源に相当する発光素子ＬＳと、点線で示した配線基板Ｆ４とを備えている。複数の発光素子ＬＳは、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて並んでいる。発光素子ＬＳの各々は、配線基板Ｆ４に接続されている。発光素子ＬＳは、第１基板ＳＵＢ１と配線基板Ｆ４との間に位置している。発光素子ＬＳは、例えば発光ダイオードである。発光素子ＬＳは、発光部ＥＭを有している。発光部ＥＭは、端部Ｅ２２と向かい合っている。発光部ＥＭは、端部Ｅ２２に接触していてもよい。また、発光部ＥＭと端部Ｅ２２との間に、空気層、光学素子などが介在していてもよい。端部Ｅ２２は、発光部ＥＭから出射された光が入射する入光部に相当する。

【0014】

図３は、図１に示した表示装置ＤＳＰの断面図である。ここでは、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ－Ｚ平面における表示装置ＤＳＰの断面において、主要部のみを説明する。表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持された液晶層３０を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、シール４０によって接着されている。
図示した例では、発光素子ＬＳは、延出部ＥＸの上に位置している。また、発光素子ＬＳは、配線基板Ｆ１乃至Ｆ３と第２基板ＳＵＢ２との間に位置している。発光素子ＬＳは、発光部ＥＭから端部Ｅ２２に向けて光を照射する。端部Ｅ２２から入射した光は、後述するように、第２方向Ｙに沿って表示パネルＰＮＬを伝播する。なお、発光素子ＬＳは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の両方の端部と対向していてもよく、例えば、端部Ｅ１１及びＥ２１と対向していてもよい。

【0015】

図４は、図３に示した表示パネルＰＮＬの一構成例を示す断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、透明基板１０、配線１１、絶縁層１２、画素電極１３、及び、配向膜１４を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、透明基板２０、共通電極２１、及び、配向膜２２を備えている。なお、第２基板ＳＵＢ２は、配線１１と重畳する遮光層を備えていない。透明基板１０及び２０は、ガラス基板やプラスチック基板などの絶縁基板である。配線１１は、モリブデン、タングステン、アルミニウム、チタン、銀などの不透明な金属材料によって形成されている。図示した配線１１は、第１方向Ｘに延出しているが、第２方向Ｙに延出していてもよい。絶縁層１２は、透明な絶縁材料によって形成されている。画素電極１３及び共通電極２１は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成されている。画素電極１３は、画素ＰＸ毎に配置されている。共通電極２１は、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。配向膜１４及び２２は、Ｘ－Ｙ平面に略平行な配向規制力を有する水平配向膜であってもよいし、第３方向Ｚに略平行な配向規制力を有する垂直配向膜であってもよい。

【0016】

液晶層３０は、配向膜１４と配向膜２２との間に位置している。液晶層３０は、高分子化合物であるポリマー３１と、液晶分子３２と、を含む高分子分散型液晶層である。一例では、ポリマー３１は、液晶性ポリマーである。ポリマーは、例えば、液晶性モノマーが配向膜１４及び２２の配向規制力によって所定の方向に配向した状態で重合されることによって得られる。一例では、配向膜１４及び２２の配向処理方向は第１方向Ｘであり、配向膜１４及び２２は第１方向Ｘに沿った配向規制力を有している。このため、ポリマー３１は、第１方向Ｘに沿って延びた筋状に形成される。液晶分子３２は、ポリマー３１の隙間に分散され、その長軸が第１方向Ｘに沿うように配向される。

【0017】

ポリマー３１及び液晶分子３２の各々は、光学異方性あるいは屈折率異方性を有している。液晶分子３２は、正の誘電率異方性を有するポジ型の液晶性分子であってもよいし、負の誘電率異方性を有するネガ型の液晶性分子であってもよい。ポリマー３１及び液晶分子３２の各々の電界に対する応答性は異なる。ポリマー３１の電界に対する応答性は、液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。なお、図中の拡大部分において、ポリマー３１は右上がりの斜線で示し、液晶分子３２は右下がりの斜線で示している。

【0018】

図５は、第１実施形態を示す断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、配線１１に加えて、遮光層１６を備えている。遮光層１６は、配線１１を覆っている。なお、ここでの「覆う」とは、遮光層１６が配線１１と接触する場合に限らず、遮光層１６と配線１１との間に他の部材が介在する場合も含む。第１実施形態では、遮光層１６は、配線１１を覆っている。図中の実線で囲んだ配線１１及び遮光層１６の拡大図を参照しながら、より具体的に説明する。
配線１１は、第１側面１１１と、第１側面１１１とは反対側の第２側面１１２と、上面１１３と、を備えている。第１側面１１１及び第２側面１１２は、いずれも第１方向Ｘに沿って延出している。第１側面１１１は、第２側面１１２よりも、発光素子ＬＳに近接している。遮光層１６は、第３側面１６１と、第３側面１６１とは反対側の第４側面１６２と、を備えている。第３側面１６１及び第４側面１６２は、いずれも第１方向Ｘに沿って延出している。第３側面１６１は、第４側面１６２よりも発光素子ＬＳに近接している。遮光層１６は、第１側面１１１、第２側面１１２、及び、上面１１３をそれぞれ覆っている。つまり、第３側面１６１は第１側面１１１よりも発光素子ＬＳに近接し、第４側面１６２は第２側面１１２よりも発光素子ＬＳから離間している。遮光層１６は、第１側面１１１よりも発光素子ＬＳに近接する側において、配線１１の下方に位置する絶縁層１７に接触している。

【0019】

遮光層１６は、低反射率、あるいは、光吸収性、あるいは、遮光性を有する材料によって形成される。一例では、遮光層１６は、モリブデンなどの金属材料によって形成されてもよいし、黒色等に着色された絶縁材料によって形成されてもよい。

【0020】

図６は、第２実施形態を示す断面図である。第２実施形態は、第１実施形態と比較して、第４側面１６２が第２側面１１２の直上に位置する点で相違している。図示した例では、第２側面１１２及び第４側面１６２は、第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって規定されるＸ－Ｚ平面と平行な同一平面に位置しているが、この例に限らない。例えば、第２側面１１２及び第４側面１６２の少なくとも一方は傾斜していてもよいし、第２側面１１２及び第４側面１６２が互いに異なる傾斜角で傾斜していてもよい。第２実施形態では、第４側面１６２の少なくとも一部が第２側面１１２の上に位置していればよい。第１側面１１１及び上面１１３は、第１実施形態と同様に、遮光層１６によって覆われている。

【0021】

図７は、第３実施形態を示す断面図である。第３実施形態は、第１実施形態と比較して、遮光層１６が第２側面１１２を覆っていない点で相違している。第４側面１６２は、上面１１３に位置している。第４側面１６２は、第２側面１１２よりも発光素子ＬＳに近接している。第１側面１１１と、上面１１３の一部は、第１実施形態と同様に、遮光層１６によって覆われている。

【0022】

図２を参照して説明したように、複数の発光素子ＬＳは第１方向Ｘに並んでおり、発光素子ＬＳから出射された光は第２方向Ｙに沿って伝播する。一方で、第１側面１１１は、第１方向Ｘに沿って延出しており、光の伝播方向と交差する（または、第１側面１１１は、光の伝播方向とほぼ直交する）。
上記の第１乃至第３実施形態によれば、遮光層１６は、配線１１のうち、少なくとも第１側面１１１を覆っている。このため、発光素子ＬＳからの光が表示パネルＰＮＬを伝播した際に、配線１１の発光素子ＬＳ側に面した第１側面１１１での不所望な反射または散乱を抑制することができる。したがって、表示パネルＰＮＬに表示される画像の表示品位の低下を抑制することができる。

【0023】

また、第１実施形態によれば、遮光層１６が配線１１の第１側面１１１、第２側面１１２、及び、上面１１３をそれぞれ覆っているため、配線１１の各面における不所望な反射または散乱を抑制することができる。

【0024】

また、第２実施形態及び第３実施形態によれば、遮光層１６が第２側面１１２よりも発光素子ＬＳから離間した側に配置されていないため、画素のうち、遮光層１６によって遮光される面積を低減することができ、一画素あたり表示に寄与する面積を拡大することができる。

【0025】

また、第３実施形態によれば、上面１１３の一部が遮光層１６から露出しているため、上面１１３の一部は、発光素子ＬＳからの光が表示パネルＰＮＬを伝播するための反射面として利用することができ、光の伝播効率、あるいは、光の利用効率を向上することができる。

【0026】

図８は、第１実施形態の第１構成例を示す断面図である。配線１１は、第２方向Ｙに沿って最外部に位置する第１エッジＥ１及び第２エッジＥ２を備えている。第２エッジＥ２は、第１エッジＥ１とは反対側に位置している。第１エッジＥ１は、第２エッジＥ２よりも発光素子ＬＳに近接している。遮光層１６は、第２方向Ｙに沿って最外部に位置する第３エッジＥ３及び第４エッジＥ４を備えている。第３エッジＥ３は、第１エッジＥ１よりも発光素子ＬＳに近接している。第４エッジＥ４は、第２エッジＥ２よりも発光素子ＬＳから離間している。遮光層１６は、第１エッジＥ１と第３エッジＥ３との間に第１幅Ｗ１を有し、第２エッジＥ２と第４エッジＥ４との間に第２幅Ｗ２を有している。第１幅Ｗ１及び第２幅Ｗ２は、いずれも第２方向Ｙに沿った遮光層１６の長さである。第１幅Ｗ１は、第２幅Ｗ２と同じ、もしくは、第２幅Ｗ２より大きい。

【0027】

第１側面１１１は、絶縁層１７に対して鋭角の第１傾斜角θ１１で傾斜している。第２側面１１２も、第１側面１１１と同様に傾斜している。図示した例では、第１エッジＥ１は、第１側面１１１のうち、最も絶縁層１７に近接する部分に相当する。第２エッジＥ２も同様に、第２側面１１２のうち、最も絶縁層１７に近接する部分に相当する。第３側面１６１は、絶縁層１７に対して第１傾斜角θ１１より大きな第２傾斜角θ１６で傾斜している。一例では、第２傾斜角θ１６は、９０度である。第４側面１６２も、第３側面１６１と同様に傾斜している。図示した例では、第３エッジＥ３は、第３側面１６１のうち、最も絶縁層１７に近接する部分に相当する。第４エッジＥ４も同様に、第４側面１６２のうち、最も絶縁層１７に近接する部分に相当する。

【0028】

図９は、第１実施形態の第２構成例を示す断面図である。第２構成例は、第１構成例と比較して、第２傾斜角θ１６が鋭角である点で相違している。つまり、第３側面１６１及び第４側面１６２は、絶縁層１７に対して鋭角の第２傾斜角θ１６で傾斜している。第２構成例においては、第１側面１１１に重なる遮光層１６の第１厚さＴ１は、第２側面１１２に重なる遮光層１６の第２厚さＴ２と同じ、もしくは、第２厚さＴ２より厚い。第１厚さＴ１及び第２厚さＴ２は、いずれも第３方向Ｚに沿った遮光層１６の長さである。

【0029】

図１０は、第１実施形態の第３構成例を示す断面図である。第３構成例は、第１構成例と比較して、第２傾斜角θ１６が鈍角である点で相違している。つまり、第３側面１６１及び第４側面１６２は、絶縁層１７に対して鈍角の第２傾斜角θ１６で傾斜している。このため、表示パネルＰＮＬを伝播した光がたとえ第３側面１６１で反射されたとしても、第３方向Ｚに沿った上方への反射あるいは散乱を抑制することができる。

【0030】

図１１は、第２実施形態の第４構成例を示す断面図である。第２実施形態においては、第４エッジＥ４は、第２エッジＥ２の直上に位置している。なお、第３エッジＥ３は、図８乃至図１０に示した第１実施形態と同様に、第１エッジＥ１よりも発光素子ＬＳに近接している。

【0031】

図１２は、第２実施形態の第５構成例を示す断面図である。第５構成例は、第４構成例と比較して、第４エッジＥ４が第２側面１１２の直上に位置している点で相違している。つまり、第４エッジＥ４は、第２エッジＥ２よりも第１エッジＥ１に近接している。なお、第３エッジＥ３は、図８乃至図１０に示した第１実施形態と同様に、第１エッジＥ１よりも発光素子ＬＳに近接している。

【0032】

図１３は、第３実施形態の第６構成例を示す断面図である。第３実施形態においては、第４エッジＥ４は、上面１１３に位置している。なお、第３エッジＥ３は、第１エッジＥ１よりも発光素子ＬＳに近接している。第４乃至第６構成例における第３側面１６１及び第４側面１６２は、第２及び第３構成例と同様に、傾斜していてもよい。

【0033】

図１４は、配線１１及び遮光層１６の第７構成例を示す断面図である。配線１１は、第１層Ｌ１、第２層Ｌ２、及び、第３層Ｌ３を備えた多層体によって構成されている。一例では、第１層Ｌ１及び第３層Ｌ３は同一材料によって形成され、第２層Ｌ２は第１層とは異なる材料によって形成されている。例えば、第１層Ｌ１及び第３層Ｌ３はモリブデンやチタンによって形成され、第２層Ｌ２はアルミニウムによって形成されている。このような配線１１は、絶縁層１７の上に、モリブデン層、アルミニウム層、及び、モリブデン層の３つの金属層の積層体を形成した後に、この積層体を一括してパターニングすることによって得られる。遮光層１６は、低反射率、あるいは、光吸収性、あるいは、遮光性を有する材料によって形成され、配線１１を覆っている。

【0034】

図１５は、配線１１及び遮光層１６の第８構成例を示す断面図である。図１５に示した第８構成例は、図１４に示した第７構成例と比較して、遮光層１６の断面形状が異なる。配線１１は、第７構成例と同様の多層体によって構成されている。遮光層１６は、低反射率、あるいは、光吸収性、あるいは、遮光性を有する材料によって形成され、配線１１を覆っている。

【0035】

図１６は、配線１１及び遮光層１６の第９構成例を示す断面図である。配線１１は、第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２を備えた多層体によって構成されている。遮光層１６は、例えばモリブデンなどの金属材料によって形成され、配線１１を覆っている。このような配線１１は、絶縁層１７の上に、例えばモリブデン層及びアルミニウム層の積層体を形成した後に、この積層体を一括してパターニングすることによって得られる。また、遮光層１６は、絶縁層１７及び配線１１の上、例えばモリブデン層を形成した後に、このモリブデン層をパターニングすることによって得られる。

【0036】

図１７は、第４実施形態を示す断面図である。第４実施形態は、第１実施形態と比較して、第２基板ＳＵＢ２が遮光層２３を備えている点で相違している。遮光層２３は、配線１１の直上に位置している。第４実施形態では、遮光層２３は、配線１１の全体に対向している。図中の実線で囲んだ配線１１及び遮光層２３の拡大図を参照しながら、より具体的に説明する。
遮光層２３は、上記の遮光層１６と同様の材料によって形成される。遮光層２３は、第５側面２３１と、第５側面２３１とは反対側の第６側面２３２と、を備えている。第５側面２３１は、第６側面２３２よりも発光素子ＬＳに近接している。第５側面２３１は第１側面１１１よりも発光素子ＬＳに近接し、第６側面２３２は第２側面１１２よりも発光素子ＬＳから離間している。
また、遮光層２３は、第２方向Ｙに沿って最外部に位置する第５エッジＥ５及び第６エッジＥ６を備えている。第５エッジＥ５は、第１エッジＥ１よりも発光素子ＬＳに近接している。第６エッジＥ６は、第２エッジＥ２よりも発光素子ＬＳから離間している。遮光層２３は、第１エッジＥ１と第５エッジＥ５との間に第３幅Ｗ３を有し、第２エッジＥ２と第６エッジＥ６との間に第４幅Ｗ４を有している。第３幅Ｗ３は、第４幅Ｗ４と同じ、もしくは、第４幅Ｗ４より大きい。

【0037】

図１８は、第５実施形態を示す断面図である。第５実施形態は、第４実施形態と比較して、第６側面２３２が第２側面１１２の直上に位置する点で相違している。第６エッジＥ６は、第２エッジＥ２の直上に位置している。なお、第４実施形態と同様に、第５側面２３１は、第１側面１１１よりも発光素子ＬＳに近接し、第５エッジＥ５は、第１エッジＥ１よりも発光素子ＬＳに近接している。

【0038】

図１９は、第６実施形態を示す断面図である。第６実施形態は、第４実施形態と比較して、第６側面２３２が第２側面１１２よりも発光素子ＬＳに近接している点で相違している。つまり、第２側面１１２の直上には、遮光層２３が配置されていない。第６エッジＥ６は、第２エッジＥ２よりも発光素子ＬＳに近接している。

【0039】

以上説明したように、第４乃至第６実施形態によれば、遮光層１６は、配線１１のうち、少なくとも第１側面１１１の直上に位置している。このため、発光素子ＬＳからの光が表示パネルＰＮＬを伝播した際に、配線１１の発光素子ＬＳ側に面した第１側面１１１で不所望な反射光または散乱光が生じたとしても、これらの光は遮光層２３によって遮光される。したがって、表示パネルＰＮＬに表示される画像の表示品位の低下を抑制することができる。

【0040】

図２０は、第１０構成例を示す断面図である。配線１１は、第１構成例などと同様に構成されている。遮光層２３において、第５側面２３１は、絶縁層２４に対して鋭角の第３傾斜角θ２３で傾斜している。第６側面２３２も、第５側面２３１と同様に傾斜している。このため、表示パネルＰＮＬを伝播した光がたとえ第５側面２３１で反射されたとしても、第３方向Ｚに沿った上方への反射あるいは散乱を抑制することができる。

【0041】

図２１は、第１１構成例を示す断面図である。第１１構成例は、第１０構成例と比較して、遮光層２３と配線１１との間に反射層２５が設けられた点で相違している。図示した例では、反射層２５は、遮光層２３に接触している。反射層２５の幅Ｗ２５は、遮光層２３の幅Ｗ２３より小さい。また、反射層２５のエッジＥ２５１及びＥ２５２は、いずれも遮光層２３の第５エッジＥ５と第６エッジＥ６との間に位置している。このため、表示パネルＰＮＬを伝播した光がたとえ第１側面１１１で反射されたとしても、その反射光は反射層２５で反射され、さらに表示パネルＰＮＬを伝播することができる。つまり、反射光が遮光層２３によって吸収されにくくなるため、光の利用効率を改善することができる。

【0042】

図２２は、第７実施形態を示す断面図である。第７実施形態は、第１実施形態と比較して、第１基板ＳＵＢ１が配線１１及び遮光層（第１遮光層）１６を備えるのに加えて、第２基板ＳＵＢ２が遮光層（第２遮光層）２３を備えている点で相違している。このような第７実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が得られるのに加えて、たとえ遮光層１６で不所望な反射光または散乱光が生じたとしても、これらの光は遮光層２３によって遮光される。したがって、表示パネルＰＮＬに表示される画像の表示品位の低下を抑制することができる。

【0043】

次に、高分子分散型液晶層（以下、単に液晶層３０と称する）についてより詳細に説明する。

【0044】

図２３は、透明状態の液晶層３０を模式的に示す図である。図示した例は、液晶層３０に電圧が印加されていない状態（例えば画素電極１３と共通電極２１との間の電位差がほぼゼロである状態）に相当する。ポリマー３１の光軸Ａｘ１及び液晶分子３２の光軸Ａｘ２は、互いに平行である。図示した例では、光軸Ａｘ１及び光軸Ａｘ２は、いずれも第１方向Ｘに平行である。ポリマー３１及び液晶分子３２は、ほぼ同等の屈折率異方性を有している。つまり、ポリマー３１及び液晶分子３２の常光屈折率は互いにほぼ同等であり、また、ポリマー３１及び液晶分子３２の異常光屈折率は互いにほぼ同等である。このため、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚを含むあらゆる方向において、ポリマー３１と液晶分子３２との間にほとんど屈折率差がない。このため、第３方向Ｚに沿って液晶層３０に入射した光Ｌ１は、液晶層３０内でほとんど散乱されることなく透過する。同様に、第３方向Ｚに対して傾斜した斜め方向に入射した光Ｌ２及びＬ３についても、液晶層３０内でほとんど散乱されることはない。このため、高い透明性が得られる。図２３に示した状態を『透明状態』と称する。例えば、光Ｌ３は、図３などに示した発光素子ＬＳから照射された光に相当し、液晶層３０においてほとんど散乱されることなく、第２方向Ｙの矢印で示した向きとは逆向きに伝播する。

【0045】

図２４は、散乱状態の液晶層３０を模式的に示す図である。図示した例は、液晶層３０に電圧が印加された状態（例えば画素電極１３と共通電極２１との間の電位差がしきい値以上である状態）に相当する。上記の通り、ポリマー３１の電界に対する応答性は、液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。一例では、ポリマー３１の配向方向は、電界の有無にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子３２の配向方向は、液晶層３０にしきい値以上の高い電圧が印加された状態では、電界に応じて変化する。つまり、図示したように、光軸Ａｘ１は第１方向Ｘとほとんど平行であるのに対して、光軸Ａｘ２は第１方向Ｘに対して傾斜している。液晶分子３２がポジ型液晶性分子である場合には、液晶分子３２は、その長軸が電界に沿うように配向する。画素電極１３と共通電極２１との間の電界は、第３方向Ｚに沿って形成される。このため、液晶分子３２は、その長軸あるいは光軸Ａｘ２が第３方向Ｚに沿うように配向する。つまり、光軸Ａｘ１及びＡｘ２は、互いに交差する。したがって、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚを含むあらゆる方向において、ポリマー３１と液晶分子３２との間に大きな屈折率差が生ずる。これにより、液晶層３０に入射した光Ｌ１乃至Ｌ３は、液晶層３０内で散乱される。図２４に示した状態を『散乱状態』と称する。

【0046】

図２５は、液晶層３０が透明状態である場合の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。発光素子ＬＳから照射された光Ｌ１１は、端部Ｅ２２から表示パネルＰＮＬに入射し、透明基板２０、液晶層３０、透明基板１０などを伝播する。配線１１及び画素電極１３と重畳する液晶層３０は、透明状態である。このため、光Ｌ１１は、液晶層３０でほとんど散乱されず、透明基板１０の下面１０Ｂ及び透明基板２０の上面２０Ｔからほとんど漏れ出すことはない。
表示パネルＰＮＬに入射する外部光Ｌ１２は、液晶層３０でほとんど散乱されることなく透過する。つまり、下面１０Ｂから表示パネルＰＮＬに入射した外部光は上面２０Ｔを透過し、上面２０Ｔから表示パネルＰＮＬに入射した外部光は下面１０Ｂを透過する。このため、ユーザは、表示パネルＰＮＬを上面２０Ｔ側から観察した場合には、表示パネルＰＮＬを透かして下面１０Ｂ側の背景を視認することができる。同様に、ユーザは、表示パネルＰＮＬを下面１０Ｂ側から観察した場合には、表示パネルＰＮＬを透かして上面２０Ｔ側の背景を視認することができる。

【0047】

図２６は、液晶層３０が散乱状態である場合の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。発光素子ＬＳから照射された光Ｌ２１は、端部Ｅ２２から表示パネルＰＮＬに入射し、透明基板２０、液晶層３０、透明基板１０などを伝播する。図示した例では、配線１１と重畳する液晶層３０は透明状態に維持されている。また、電圧が印加されていない画素電極１３Ａと重畳する液晶層３０は透明状態である。このため、光Ｌ２１は、液晶層３０のうち配線１１及び画素電極１３Ａと重畳する領域でほとんど散乱されない。一方、電圧が印加されている画素電極１３Ｂと重畳する液晶層３０は散乱状態である。このため、光Ｌ２１は、液晶層３０のうち画素電極１３Ｂと重畳する領域で散乱される。光Ｌ２１のうち、一部の散乱光Ｌ２１１は上面２０Ｔを透過し、一部の散乱光Ｌ２１２は下面１０Ｂを透過し、他の散乱光は表示パネルＰＮＬ内を伝播する。
電圧が印加されていない画素電極１３Ａと重畳する領域では、表示パネルＰＮＬに入射する外部光Ｌ２２は、図２５に示した外部光Ｌ１２と同様に、液晶層３０でほとんど散乱されることなく透過される。電圧が印加されている画素電極１３Ｂと重畳する領域では、下面１０Ｂから入射した外部光Ｌ２３は、液晶層３０で散乱された後に、その一部の光Ｌ２３１が上面２０Ｔを透過する。また、上面２０Ｔから入射した外部光Ｌ２４は、液晶層３０で散乱された後に、その一部の光Ｌ２４１が下面１０Ｂを透過する。このため、ユーザは、表示パネルＰＮＬを上面２０Ｔ側から観察した場合には、画素電極１３Ｂと重畳する領域で光Ｌ２１の色を視認することができる。加えて、一部の外部光Ｌ２３１が表示パネルＰＮＬを透過するため、ユーザは、表示パネルＰＮＬを透かして下面１０Ｂ側の背景を視認することもできる。同様に、ユーザは、表示パネルＰＮＬを下面１０Ｂ側から観察した場合には、画素電極１３Ｂと重畳する領域で光Ｌ２１の色を視認することができる。加えて、一部の外部光Ｌ２４１が表示パネルＰＮＬを透過するため、ユーザは、表示パネルＰＮＬを透かして上面２０Ｔ側の背景を視認することもできる。なお、画素電極１３Ａと重なる領域では、液晶層３０が透明状態であるため、光Ｌ２１の色はほとんど視認されず、ユーザは、表示パネルＰＮＬを透かして背景を視認することができる。

【0048】

次に、一実施例について説明する。

【0049】

図２７は、画素ＰＸの一例を示す平面図である。図示した例では、画素ＰＸは、第１方向Ｘに並ぶ２本の信号線Ｓと、第２方向Ｙに並ぶ２本の走査線Ｇとで区画されている。画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷと、画素電極１３とを備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタであり、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、及び、ドレイン電極ＤＥを備えている。ゲート電極ＧＥは、走査線Ｇと一体的に形成されている。遮光層１６は、走査線Ｇ及びゲート電極ＧＥに重なっている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣの下にゲート電極ＧＥが位置するボトムゲート型であるが、半導体層ＳＣの上にゲート電極ＧＥが位置するトップゲート型であってもよい。半導体層ＳＣは、例えばアモルファスシリコンによって形成されるが、多結晶シリコンや酸化物半導体によって形成されてもよい。ソース電極ＳＥは、信号線Ｓと一体的に形成され、半導体層ＳＣに接触している。ドレイン電極ＤＥは、ソース電極ＳＥから離間し、半導体層ＳＣに接触している。画素電極１３は、ドレイン電極ＤＥの上に重畳し、コンタクトホールＣＨにおいてドレイン電極ＤＥに接触している。
また、２本の走査線Ｇの間には、容量線Ｃが配置されている。画素電極１３は、容量線Ｃの上に重畳している。容量線Ｃと画素電極１３とが重畳する部分は、蓄積容量を形成する。

【0050】

図２８は、図２７に示した画素ＰＸのＡ－Ｂ線に沿った断面図である。第１基板ＳＵＢ１において、ゲート電極ＧＥ及び走査線Ｇは、透明基板１０の上に位置し、例えば図４に示した配線１１に相当する。遮光層１６は、ゲート電極ＧＥ及び走査線Ｇに接触し、ゲート電極ＧＥ及び走査線Ｇを覆っている。絶縁層１２１は、遮光層１６及び透明基板１０を覆っている。半導体層ＳＣは、ゲート電極ＧＥの直上において、絶縁層１２１の上に位置している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、絶縁層１２１の上に位置し、それぞれ半導体層ＳＣに接触している。絶縁層１２２は、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及び、絶縁層１２１を覆っている。絶縁層１２３は、絶縁層１２２を覆っている。絶縁層１２１乃至１２３は、例えば図４に示した絶縁層１２に相当する。絶縁層１２１及び１２２は、例えばシリコン窒化物やシリコン酸化物などの透明な無機絶縁材料によって形成されている。絶縁層１２３は、例えばアクリル樹脂などの透明な有機絶縁材料によって形成されている。画素電極１３は、絶縁層１２３の上に位置している。画素電極１３は、絶縁層１２２及び１２３を貫通するコンタクトホールＣＨにおいて、ドレイン電極ＤＥに接触している。配向膜１４は、画素電極１３及び絶縁層１２３を覆っている。
第２基板ＳＵＢ２において、遮光層２３は、透明基板２０の下に位置し、且つ、ゲート電極ＧＥ及び走査線Ｇの直上に位置している。オーバーコート層２４は、透明基板２０及び遮光層２３を覆っている。共通電極２１は、オーバーコート層２４の下に位置している。配向膜２２は、共通電極２１を覆っている。液晶層３０は、配向膜１４及び２１に接触している。

【0051】

上記実施例によれば、第１方向Ｘに延出した走査線Ｇは遮光層１６によって覆われ、また、遮光層２３は走査線Ｇの直上に位置している。このため、走査線Ｇの側面での不所望な反射または散乱に起因した表示品位の低下を抑制することができる。なお、図２７に示したように、容量線Ｃ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥなどの各種導電層も、走査線Ｇと同様の第１方向Ｘに沿った側面を備えている。このため、容量線Ｃ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥについても、少なくとも第１方向Ｘに沿った側面を遮光することで、さらに不所望な反射または散乱を抑制することができる。

【0052】

以上説明したように、本実施形態によれば、配線や電極等の導電層が比較的高い反射率を有する側面を有し、その側面が発光素子ＬＳ側に面するとともに光の伝播方向と交差する構成において、その側面を遮光層１６で覆うことにより不所望な反射や散乱を抑制し、また、その側面の直上に遮光層２３を配置することにより不所望な反射光や散乱光を遮光することができる。したがって、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。

【0053】

なお、この発明は、上記各実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、各実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

【符号の説明】

【0054】

ＤＳＰ…表示装置 ＰＮＬ…表示パネル
ＳＵＢ１…第１基板 １１…配線 １３…画素電極 １４…配向膜 １６…遮光層
ＳＵＢ２…第２基板 ２１…共通電極 ２２…配向膜 ２３…遮光層
３０…液晶層 ３１…ポリマー ３２…液晶分子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】