特許 7045441 発光素子及びタッチ構造を含むタッチディスプレイ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-03-23

(45)【発行日】2022-03-31

(54)【発明の名称】発光素子及びタッチ構造を含むタッチディスプレイ装置

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/041 20060101AFI20220324BHJP

   G06F 3/044 20060101ALI20220324BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20220324BHJP

【ＦＩ】

G06F3/041 490

G06F3/044 124

G06F3/041 422

G06F3/041 410

G09F9/30 349Z

【請求項の数】 12

(21)【出願番号】P 2020203949

(22)【出願日】2020-12-09

(65)【公開番号】P2021108114

(43)【公開日】2021-07-29

【審査請求日】2020-12-10

(31)【優先権主張番号】10-2019-0176475

(32)【優先日】2019-12-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】金成▲祐▼

(72)【発明者】

【氏名】李榮福

【審査官】酒井 優一

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－１０９９６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０１６６５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１０９７６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０３３９８１８（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０６Ｆ ３／０４１

Ｇ０６Ｆ ３／０４４

Ｇ０９Ｆ ９／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に位置する発光素子と、
前記基板上に位置し、前記発光素子を少なくとも部分的に覆う封止部材と、
前記封止部材上に位置し、タッチ電極と、隣接したタッチ電極を電気的に連結する少なくとも一つのブリッジ電極とを含む、タッチ構造と、
前記タッチ電極の下であって、且つ前記ブリッジ電極の上に位置するタッチ絶縁膜とを含み、
前記タッチ絶縁膜は前記発光素子と重畳するガイド開口部を含み、
前記ガイド開口部の側面は、前記タッチ電極によって少なくとも部分的に覆われており、
前記ガイド開口部の前記側面は、前記基板と反対側の前記封止部材の上面に対して、ある傾斜角を有する傾斜面であり、
前記ガイド開口部の前記側面上に位置する前記タッチ電極の一部領域は、前記基板と反対側の前記タッチ絶縁膜の上面上に位置する前記タッチ電極の一部領域より高い反射率を有する、タッチディスプレイ装置。

【請求項2】

前記タッチ電極の各々は、第１タッチ電極層と、前記第１タッチ電極層より低い反射率を有する第２タッチ電極層とを含む、積層構造を有し、
前記第２タッチ電極層は、前記タッチ絶縁膜の前記ガイド開口部から離隔している、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。

【請求項3】

前記タッチ絶縁膜は有機絶縁物質を含む、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。

【請求項4】

前記ガイド開口部の外側において、前記基板と反対側の前記タッチ絶縁膜の上面は平面である、請求項３に記載のタッチディスプレイ装置。

【請求項5】

前記基板上に位置し、前記封止部材から離隔しているタッチパッドと、
前記封止部材の表面に沿って延び、前記タッチ構造を前記タッチパッドと電気的に連結するタッチルーティングラインとをさらに含み、
前記タッチパッドは、前記タッチ絶縁膜の外側に位置する、請求項３に記載のタッチディスプレイ装置。

【請求項6】

前記ブリッジ電極は、前記発光素子の外側に位置する、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。

【請求項7】

基板上に順に積層された第１発光電極、発光層及び第２発光電極を含む発光素子と、
前記発光素子の前記第２発光電極上に位置する封止部材と、
前記封止部材上に位置するタッチ絶縁膜であって、前記発光素子と重畳するガイド開口部を含むタッチ絶縁膜と、
前記封止部材と前記タッチ絶縁膜との間に位置し、前記タッチ絶縁膜の前記ガイド開口部から離隔しているブリッジ電極と、
前記基板と反対側の前記タッチ絶縁膜の上面上に位置し、前記ブリッジ電極と電気的に連結されるタッチ電極とを含み、
前記タッチ電極は、前記ガイド開口部の側面上に延び、
前記タッチ電極は、前記タッチ絶縁膜の前記上面上に位置する第１タッチ電極層と、前記ガイド開口部の前記側面上に位置する第２タッチ電極層とを含み、
前記第１タッチ電極層は、前記ガイド開口部の前記側面と前記第２タッチ電極層との間に延在し、
前記第２タッチ電極層の反射率は前記第１タッチ電極層の反射率より高い、タッチディスプレイ装置。

【請求項8】

前記タッチ電極は、前記発光素子の外側に位置する、請求項７に記載のタッチディスプレイ装置。

【請求項9】

前記タッチ電極は多重層構造を有し、
前記タッチ絶縁膜の前記上面上における前記タッチ電極の積層構造は、前記ガイド開口部の前記側面上における前記タッチ電極の積層構造と違う、請求項７に記載のタッチディスプレイ装置。

【請求項10】

前記第１タッチ電極層及び前記第２タッチ電極層は金属を含む、請求項７に記載のタッチディスプレイ装置。

【請求項11】

前記基板上に位置し、前記第１発光電極の縁部を少なくとも部分的に覆うバンク絶縁膜をさらに含み、
前記バンク絶縁膜によって露出された前記第１発光電極の一部領域は、前記タッチ絶縁膜の前記ガイド開口部より小さい幅を有する、請求項７に記載のタッチディスプレイ装置。

【請求項12】

前記ブリッジ電極は、前記バンク絶縁膜と重畳する、請求項１１に記載のタッチディスプレイ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は発光素子を覆う封止部材上にタッチ構造が位置するタッチディスプレイ装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

一般に、モニター、ＴＶ、ノートブック型パソコン、デジタルカメラのような電子機器は、イメージの具現のために、ディスプレイ装置を含む。例えば、前記ディスプレイ装置は、少なくとも一つの発光素子を含むことができる。前記発光素子は、特定の色を示す光を放出することができる。例えば、前記発光素子は、第１発光電極と第２発光電極との間に位置する発光層を含むことができる。

【0003】

前記ディスプレイ装置は、使用者及び／又は道具のタッチを感知して特定のプログラムを駆動するか、特定の信号を入力することができる。例えば、前記ディスプレイ装置は、タッチ構造を含むことができる。前記タッチ構造は、タッチ電極及び隣接したタッチ電極を電気的に連結する少なくとも一つのブリッジ電極を含むことができる。前記タッチ構造は前記発光素子に近くに位置することができる。例えば、前記タッチ構造は、前記発光素子を覆う封止部材上に位置することができる。

【0004】

前記タッチ構造の前記タッチ電極及び前記ブリッジ電極は、相対的に低い抵抗を有する金属を含むことができる。例えば、前記タッチ構造の前記タッチ電極及び前記ブリッジ電極は前記発光素子から離隔することができる。前記発光素子から一定の傾斜角で放出された光は、前記タッチ電極及び／又は前記ブリッジ電極によって内側方向に反射され得る。これにより、前記ディスプレイ装置では、光抽出効率が低下し得る。

【発明の概要】

【0005】

本発明が解決しようとする課題は、光抽出効率を高めることができるタッチディスプレイ装置を提供することである。
本発明が解決しようとする他の課題は、各画素領域の正面輝度を向上することができるタッチディスプレイ装置を提供することである。
本発明が解決しようとする課題は前述した課題に限定されない。ここで言及しなかった課題は下記の記載から通常の技術者に明らかに理解可能であろう。

【0006】

前記解決しようとする課題を達成するための本発明の技術的思想によるタッチディスプレイ装置は素子基板を含む。素子基板上には発光素子及び封止部材が位置する。封止部材は発光素子を少なくとも部分的に覆う。封止部材上にはタッチ構造が位置する。タッチ構造は、タッチ電極及び少なくとも一つのブリッジ電極を含む。ブリッジ電極は、隣り合うタッチ電極の間を電気的に連結する。タッチ電極とブリッジ電極との間にはタッチ絶縁膜が位置する。タッチ絶縁膜はガイド開口部を含む。ガイド開口部は発光素子と重畳する。ガイド開口部の側面はタッチ電極によって少なくとも部分的に覆われる。

【0007】

ガイド開口部の側面は、素子基板と反対側の封止部材の上面に対して、ある傾斜角を有する傾斜面であり得る。
ガイド開口部の側面上に位置するタッチ電極の一部領域は、素子基板と反対側のタッチ絶縁膜の上面上に位置する該当タッチ電極の一部領域より大きい反射率を有することができる。

【0008】

各タッチ電極は、第１タッチ電極層及び第２タッチ電極層の積層構造を有することができる。第２タッチ電極層は、第１タッチ電極層より低い反射率を有することができる。第２タッチ電極層は、タッチ絶縁膜のガイド開口部から離隔することができる。

【0009】

タッチ絶縁膜は有機絶縁物質を含むことができる。
ガイド開口部の外側において、素子基板と反対側のタッチ絶縁膜の上面は平面であり得る。
素子基板上にはタッチパッドが位置することができる。タッチパッドは封止部材から離隔することができる。タッチ構造は、タッチルーティングラインによってタッチパッドと電気的に連結されることができる。タッチルーティングラインは、封止部材の表面に沿って延びることができる。
タッチパッドはタッチ絶縁膜の外側に位置することができる。
ブリッジ電極は発光素子の外側に位置することができる。

【0010】

前記解決しようとする他の課題を達成するための本発明の技術的思想によるタッチディスプレイ装置は素子基板を含む。素子基板上には、第１発光電極、発光層及び第２発光電極が順に積層される。第２発光電極上には封止部材が位置する。封止部材上にはタッチ絶縁膜が位置する。タッチ絶縁膜は、発光素子と重畳するガイド開口部を含む。封止部材とタッチ絶縁膜との間にはブリッジ電極が位置する。ブリッジ電極は、タッチ絶縁膜のガイド開口部から離隔する。素子基板と反対側のタッチ絶縁膜の上面上にはタッチ電極が位置する。タッチ電極はブリッジ電極と電気的に連結される。タッチ電極はガイド開口部の側面上に延びる。

【0011】

タッチ電極は、第１発光電極、発光層及び第２発光電極を含む発光素子の外側に位置することができる。
タッチ電極は多重層構造を有することができる。タッチ絶縁膜の上面上でのタッチ電極の積層構造はガイド開口部の側面上でのタッチ電極の積層構造と違うことができる。
タッチ絶縁膜の上面上でタッチ電極は、第１タッチ電極層、第２タッチ電極層及び第３タッチ電極層を含むことができる。ガイド開口部の側面上でタッチ電極は、第１タッチ電極層及び第２タッチ電極層を含むことができる。第３タッチ電極層の反射率は第２タッチ電極層の反射率より小さいことができる。
第２タッチ電極層は金属を含むことができる。
素子基板上にはバンク絶縁膜が位置することができる。バンク絶縁膜は第１発光電極の縁部を少なくとも部分的に覆うことができる。バンク絶縁膜によって露出された第１発光電極の一部領域は、タッチ絶縁膜のガイド開口部より小さい幅を有することができる。
ブリッジ電極はバンク絶縁膜と重畳することができる。

【0012】

本発明の技術的思想によるタッチディスプレイ装置は、発光素子を覆う封止部材上に位置するタッチ構造、及び前記タッチ構造のタッチ電極とブリッジ電極との間に位置するタッチ絶縁膜を含み、前記タッチ絶縁膜が前記発光素子と重畳するガイド開口部を含み、前記タッチ電極が前記ガイド開口部の側面を覆うことができる。これにより、本発明の技術的思想によるタッチディスプレイ装置では、前記発光素子から一定の傾斜角で放出された光が前記ガイド開口部の側面上に位置する前記タッチ電極の一部領域によって外部に反射されることができる。よって、本発明の技術的思想によるタッチディスプレイ装置では、光抽出効率及び各画素領域の正面輝度が向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置を概略的に示す図である。

【図2】本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置の上面を示す図である。

【図3】図２のＡ領域を拡大した図である。

【図4】図２のＩ－Ｉ’線に沿って切断した断面を示す図である。

【図5】図４のＰ領域を拡大した図である。

【図6】本発明の他の実施例によるタッチディスプレイ装置を示す図である。

【図7】本発明の他の実施例によるタッチディスプレイ装置を示す図である。

【図8】本発明の他の実施例によるタッチディスプレイ装置を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

本発明の前記目的と技術的構成及びこれによる作用効果についての詳細な事項は本発明の実施例を示している図面を参照する以下の詳細な説明によってより明らかに理解可能であろう。ここで、本発明の実施例は当業者に本発明の技術的思想を充分に伝達するために提供するものなので、本発明は以下で説明する実施例に限定されずに他の形態に具体化することができる。

【0015】

また、明細書全般にわたって同じ参照符号で表示した部分は同じ構成要素を意味し、図面において層又は領域の長さと厚さは便宜のために誇張して表現することができる。さらに、第１構成要素が第２構成要素「上」にあると記載する場合、前記第１構成要素が前記第２構成要素と直接接触する上側に位置する場合だけではなく、前記第１構成要素と前記第２構成要素との間に第３構成要素が位置する場合も含む。

【0016】

ここで、前記第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するためのものであり、一構成要素を他の構成要素と区別する目的で使う。ただ、本発明の技術的思想を逸脱しない範疇内で第１構成要素と第２構成要素は当業者の便宜によって任意に名付けることができる。

【0017】

本発明の明細書で使う用語はただ特定の実施例を説明するために使うものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。例えば、単数で表現した構成要素は文脈上明白に単数のみ意味しない限り、複数の構成要素を含む。また、本発明の明細書で、「含む」又は「有する」などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらの組合せが存在することを指定しようとするものであり、一つ又はそれ以上の他の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらの組合せなどの存在又は付加の可能性を予め排除しないものであると理解しなければならない。

【0018】

さらに、他に定義しない限り、技術的又は科学的な用語を含めてここで使う全ての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同じ意味がある。一般的に使われる辞書に定義されているもののような用語は関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味があるものに解釈されなければならなく、本発明の明細書で明白に定義しない限り、理想的又は過度に形式的な意味に解釈されない。

【0019】

（実施例）
図１は本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置を概略的に示す図である。図２は本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置の上面を示す図である。図３は図２のＡ領域を拡大した図である。図４は図２のＩ－Ｉ’線に沿って切断した断面を示す図である。図５は図４のＰ領域を拡大した図である。

【0020】

図１～５を参照すると、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、素子基板１１０を含むことができる。前記素子基板１１０は、絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記素子基板１１０は、ガラス又はプラスチックを含むことができる。

【0021】

前記素子基板１１０上には、信号配線ＧＬ、ＤＬ、ＶＤＤが位置することができる。例えば、前記信号配線ＧＬ、ＤＬ、ＶＤＤは、ゲート信号を伝達するゲートラインＧＬ、データ信号を伝達するデータラインＤＬ、及び電源電圧を供給する電源電圧供給ラインＶＤＤを含むことができる。前記信号配線ＧＬ、ＤＬ、ＶＤＤは画素領域ＰＡを定義することができる。各画素領域ＰＡは、前記信号配線ＧＬ、ＤＬ、ＶＤＤを介して印加された信号を用いて光を放出することができる。例えば、各画素領域ＰＡは、駆動回路及び発光素子１３０を含むことができる。

【0022】

前記駆動回路は、前記ゲート信号に応じて前記データ信号に対応する駆動電流を生成することができる。例えば、前記駆動回路は、第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、及びストレージキャパシタＣｓｔを含むことができる。前記第１薄膜トランジスタＴ１は、前記ゲート信号に応じて前記第２薄膜トランジスタＴ２をターンオン／オフすることができる。前記第２薄膜トランジスタＴ２は、前記データ信号に対応する駆動電流を生成することができる。前記ストレージキャパシタＣｓｔは、前記第２薄膜トランジスタＴ２の動作を１フレームの間に維持することができる。

【0023】

前記第１薄膜トランジスタＴ１及び前記第２薄膜トランジスタＴ２は同じ構造を有することができる。例えば、前記第２薄膜トランジスタＴ２は、半導体パターン１２１、ゲート絶縁膜１２２、ゲート電極１２３、層間絶縁膜１２４、ソース電極１２５及びドレイン電極１２６を含むことができる。

【0024】

前記半導体パターン１２１は半導体物質を含むことができる。例えば、前記半導体パターン１２１はシリコンを含むことができる。前記半導体パターン１２１は酸化物半導体であり得る。例えば、前記半導体パターン１２１はＩＧＺＯのような金属酸化物を含むことができる。前記半導体パターン１２１は、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を含むことができる。前記チャネル領域は、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に位置することができる。前記ソース領域及び前記ドレイン領域は前記チャネル領域より高い電気伝導度を有することができる。

【0025】

前記ゲート絶縁膜１２２は前記半導体パターン１２１上に位置することができる。例えば、前記半導体パターン１２１は、前記素子基板１１０と前記ゲート絶縁膜１２２との間に位置することができる。前記ゲート絶縁膜１２２は前記半導体パターン１２１の外側に延びることができる。例えば、前記半導体パターン１２１の側面は前記ゲート絶縁膜１２２と直接接触することができる。前記ゲート絶縁膜１２２は絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記ゲート絶縁膜１２２は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）及び／又はシリコン窒化物（ＳｉＮ）を含むことができる。前記ゲート絶縁膜１２２は、高誘電率を有する物質（Ｈｉｇｈ－Ｋ ｍａｔｅｒｉａｌ）を含むことができる。例えば、前記ゲート絶縁膜１２２はハフニウム酸化物（ＨｆＯ）を含むことができる。前記ゲート絶縁膜１２２は多重層構造を有することができる。

【0026】

前記ゲート電極１２３は前記ゲート絶縁膜１２２上に位置することができる。前記ゲート電極１２３は前記半導体パターン１２１の前記チャネル領域と重畳することができる。例えば、前記半導体パターン１２１の前記ソース領域及び前記ドレイン領域は前記ゲート電極１２３の外側に位置することができる。前記ゲート電極１２３は導電性物質を含むことができる。例えば、前記ゲート電極１２３は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）及び銅（Ｃｕ）のような金属を含むことができる。

【0027】

前記層間絶縁膜１２４は前記ゲート電極１２３上に位置することができる。前記層間絶縁膜１２４は前記半導体パターン１２１の外側に延びることができる。例えば、前記ゲート電極１２３の側面は前記層間絶縁膜１２４と直接接触することができる。前記層間絶縁膜１２４は絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記層間絶縁膜１２４はシリコン酸化物（ＳｉＯ）を含むことができる。

【0028】

前記ソース電極１２５は前記層間絶縁膜１２４上に位置することができる。前記ソース電極１２５は前記半導体パターン１２１の前記ソース領域と電気的に連結されることができる。例えば、前記ゲート絶縁膜１２２及び前記層間絶縁膜１２４は、前記半導体パターン１２１の前記ソース領域を部分的に露出するソースコンタクトホールを含むことができる。前記ソース電極１２５は、前記ソースコンタクトホールを介して前記半導体パターン１２１の前記ソース領域と連結されることができる。例えば、前記ソース電極１２５は、前記半導体パターン１２１の前記ソース領域と重畳する領域を含むことができる。前記ソース電極１２５は導電性物質を含むことができる。例えば、前記ソース電極１２５は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）及びタングステン（Ｗ）のような金属を含むことができる。前記ソース電極１２５は前記ゲート電極１２３と違う物質を含むことができる。

【0029】

前記ドレイン電極１２６は前記層間絶縁膜１２４上に位置することができる。前記ドレイン電極１２６は前記半導体パターン１２１の前記ドレイン領域と電気的に連結されることができる。前記ドレイン電極１２６は前記ソース電極１２５から離隔することができる。例えば、前記ゲート絶縁膜１２２及び前記層間絶縁膜１２４は、前記半導体パターン１２１の前記ドレイン領域を部分的に露出するドレインコンタクトホールを含むことができる。前記ドレイン電極１２６は、前記ドレインコンタクトホールを介して前記半導体パターン１２１の前記ドレイン領域と連結されることができる。例えば、前記ドレイン電極１２６は、前記半導体パターン１２１の前記ドレイン領域と重畳する領域を含むことができる。前記ドレイン電極１２６は導電性物質を含むことができる。例えば、前記ドレイン電極１２６は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）及びタングステン（Ｗ）のような金属を含むことができる。前記ドレイン電極１２６は、前記ソース電極１２５と同じ物質を含むことができる。例えば、前記ドレイン電極１２６は、前記ゲート電極１２３と違う物質を含むことができる。

【0030】

前記第１薄膜トランジスタＴ１のゲート電極は前記ゲートラインＧＬと電気的に連結されることができる。前記第２薄膜トランジスタＴ２の前記ゲート電極１２３は前記第１薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極と電気的に連結されることができる。前記第１薄膜トランジスタＴ１のソース電極は前記データラインＤＬと連結されることができる。前記第２薄膜トランジスタＴ２の前記ソース電極１２５は前記電源電圧供給ラインＶＤＤと連結されることができる。前記ストレージキャパシタＣｓｔは、前記第１薄膜トランジスタＴ１の前記ドレイン電極と連結される第１キャパシタ電極、及び前記第２薄膜トランジスタＴ２の前記ドレイン電極１２６と連結される第２キャパシタ電極を含むことができる。

【0031】

前記素子基板１１０と前記駆動回路との間には素子バッファー層１１１が位置することができる。例えば、前記第１薄膜トランジスタＴ１、前記第２薄膜トランジスタＴ２及び前記ストレージキャパシタＣｓｔは前記素子バッファー層１１１上に位置することができる。前記素子バッファー層１１１は、前記駆動回路の形成工程で前記素子基板１１０による汚染を防止することができる。前記素子バッファー層１１１は絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記素子バッファー層１１１は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）及び／又はシリコン窒化物（ＳｉＮ）を含むことができる。前記素子バッファー層１１１は多重層構造を有することができる。例えば、前記素子バッファー層１１１は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）からなる絶縁膜及びシリコン窒化物（ＳｉＮ）からなる絶縁膜の積層構造を有することができる。

【0032】

前記駆動回路上には下部保護膜１１２が位置することができる。前記下部保護膜１１２は、外部の水分及び衝撃による前記駆動回路の損傷を防止することができる。前記下部保護膜１１２は、前記素子基板１１０と反対側の前記駆動回路の表面に沿って延びることができる。前記下部保護膜１１２は前記駆動回路の外側に延びることができる。例えば、前記下部保護膜１１２は、前記第２薄膜トランジスタＴ２の前記ソース電極１２５及び前記ドレイン電極１２６を覆うことができる。前記下部保護膜１１２は絶縁性物質を含むことができる。前記下部保護膜１１２は無機絶縁物質を含むことができる。例えば、前記下部保護膜１１２は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）又はシリコン窒化物（ＳｉＮ）を含むことができる。

【0033】

前記下部保護膜１１２上にはオーバーコート層１１３が位置することができる。前記オーバーコート層１１３は前記駆動回路による段差を除去することができる。例えば、前記第２薄膜トランジスタＴ２による段差は前記オーバーコート層１１３によって除去することができる。前記素子基板１１０と反対側の前記オーバーコート層１１３の表面は平面であり得る。前記オーバーコート層１１３は絶縁性物質を含むことができる。前記オーバーコート層１１３は、相対的に流動性の大きい物質を含むことができる。例えば、前記オーバーコート層１１３は有機絶縁物質を含むことができる。

【0034】

前記発光素子１３０は前記オーバーコート層１１３上に位置することができる。前記発光素子１３０は特定の色を示す光を放出することができる。例えば、前記発光素子１３０は、前記オーバーコート層１１３上に順に積層された第１発光電極１３１、発光層１３２及び第２発光電極１３３を含むことができる。

【0035】

前記第１発光電極１３１は導電性物質を含むことができる。前記第１発光電極１３１は、相対的に反射率の高い物質を含むことができる。例えば、前記第１発光電極１３１は、アルミニウム（Ａｌ）及び銀（Ａｇ）のような金属を含むことができる。前記第１発光電極１３１は多重層構造を有することができる。例えば、前記第１発光電極１３１は、ＩＴＯ及びＩＺＯのような透明な導電性物質から形成された透明電極の間に金属から形成された反射電極が位置する構造を有することができる。

【0036】

前記発光層１３２は、前記第１発光電極１３１と前記第２発光電極１３３との間の電圧差に対応する輝度の光を生成することができる。例えば、前記発光層１３２は発光物質を含む発光物質層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）であり得る。前記発光物質は、有機物質、無機物質又はハイブリッド物質を含むことができる。例えば、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、有機物質の発光層１３２を含む有機電界発光表示装置であり得る。

【0037】

前記第２発光電極１３３は導電性物質を含むことができる。前記第２発光電極１３３は、前記第１発光電極１３１と違う物質を含むことができる。例えば、前記第２発光電極１３３は、ＩＴＯ及びＩＺＯのような透明な導電性物質から形成された透明電極であり得る。これにより、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、前記発光層１３２によって生成された光が前記第２発光電極１３３を介して放出されることができる。

【0038】

前記発光素子１３０は、前記第１発光電極１３１と前記発光層１３２との間及び／又は前記発光層１３２と前記第２発光電極１３３との間に位置する発光機能層をさらに含むことができる。前記発光機能層は、正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨｏｌｅＴｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇＬａｙｅｒ；ＨＴＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）の少なくとも一つを含むことができる。これにより、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、前記発光素子１３０の発光効率が向上することができる。

【0039】

各画素領域ＰＡの前記発光素子１３０は該当画素領域ＰＡの前記駆動回路と電気的に連結されることができる。例えば、前記下部保護膜１１２及び前記オーバーコート層１１３は、各駆動回路の前記第２薄膜トランジスタＴ２を部分的に露出する電極コンタクトホールを含むことができる。各画素領域ＰＡの前記第１発光電極１３１は、該当電極コンタクトホールを介して該当画素領域ＰＡの前記第２薄膜トランジスタＴ２と電気的に連結されることができる。例えば、各発光素子１３０の前記第１発光電極１３１は、該当第２薄膜トランジスタＴ２の前記ドレイン電極１２６と電気的に連結されることができる。

【0040】

各画素領域ＰＡの前記発光素子１３０は、隣接した画素領域ＰＡの前記発光素子１３０と独立的に制御されることができる。例えば、各画素領域ＰＡの前記第１発光電極１３１は、隣接した画素領域ＰＡの前記第１発光電極１３１と絶縁されることができる。各画素領域ＰＡの前記第１発光電極１３１は、隣接した画素領域ＰＡの前記第１発光電極１３１から離隔することができる。隣り合う第１発光電極１３１間の空間にはバンク絶縁膜１１４が位置することができる。前記バンク絶縁膜１１４は絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記バンク絶縁膜１１４は有機絶縁物質を含むことができる。前記バンク絶縁膜１１４は前記オーバーコート層１１３上に位置することができる。例えば、前記バンク絶縁膜１１４は、隣り合う第１発光電極１３１の間で前記オーバーコート層１１３と直接接触することができる。前記バンク絶縁膜１１４は、前記オーバーコート層１１３と違う物質を含むことができる。前記バンク絶縁膜１１４はそれぞれの第１発光電極１３１の縁部を覆うことができる。例えば、各画素領域ＰＡの前記発光層１３２及び前記第２発光電極１３３は、前記バンク絶縁膜１１４によって露出された該当第１発光電極１３１の一部領域上に積層されることができる。

【0041】

各画素領域ＰＡは、隣接した画素領域ＰＡと違う色を具現することができる。例えば、各画素領域ＰＡの前記発光層１３２は、隣接した画素領域ＰＡの前記発光層１３２と違う物質を含むことができる。各画素領域ＰＡの前記発光層１３２は、隣接した画素領域ＰＡの前記発光層１３２から離隔することができる。例えば、各画素領域ＰＡの前記発光層１３２は、前記バンク絶縁膜１１４上に位置する端部を含むことができる。各画素領域ＰＡの前記発光層１３２は、隣接した画素領域ＰＡの前記発光層１３２と違う工程によって形成されることができる。例えば、各画素領域ＰＡの前記発光層１３２は、微細金属マスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ；ＦＭＭ）を用いる蒸着工程によって形成されることができる。

【0042】

各画素領域ＰＡの前記第２発光電極１３３には、隣接した画素領域ＰＡの前記第２発光電極１３３と同じ電圧が印加されることができる。例えば、各画素領域ＰＡの前記第２発光電極１３３は、隣接した画素領域ＰＡの前記第２発光電極１３３と電気的に連結されることができる。各画素領域ＰＡの前記第２発光電極１３３は、隣接した画素領域ＰＡの前記第２発光電極１３３と同じ物質を含むことができる。各画素領域ＰＡの前記第２発光電極１３３は、隣接した画素領域ＰＡの前記第２発光電極１３３と接触することができる。例えば、各画素領域ＰＡの前記第２発光電極１３３は前記バンク絶縁膜１１４上に延びることができる。

【0043】

各画素領域ＰＡの前記発光素子１３０は、隣接した画素領域ＰＡの前記発光素子１３０と同じ積層構造を有することができる。例えば、各画素領域ＰＡの前記発光素子１３０は、隣接した画素領域ＰＡの前記発光素子１３０と同じ発光機能層を含むことができる。各画素領域ＰＡの前記発光機能層は、隣接した画素領域ＰＡの前記発光機能層と連結されることができる。例えば、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、前記正孔注入層、前記正孔輸送層、前記電子輸送層及び前記電子注入層の少なくとも一つが前記バンク絶縁膜１１４上に延びることができる。

【0044】

各画素領域ＰＡの前記発光素子１３０上には封止部材１４０が位置することができる。前記封止部材１４０は、外部水分及び衝撃による前記発光素子１３０の損傷を防止することができる。前記封止部材１４０は前記第２発光電極１３３の外側に延びることができる。例えば、前記封止部材１４０は、前記オーバーコート層１１３、前記バンク絶縁膜１１４及び前記発光素子１３０を覆うことができる。

【0045】

前記封止部材１４０は多重層構造を有することができる。例えば、前記封止部材１４０は、前記第２発光電極１３３上に順に積層された第１封止層１４１、第２封止層１４２及び第３封止層１４３を含むことができる。前記第１封止層１４１、前記第２封止層１４２及び前記第３封止層１４３は絶縁性物質を含むことができる。前記第２封止層１４２は、前記第１封止層１４１及び前記第３封止層１４３と違う物質を含むことができる。例えば、前記第１封止層１４１及び前記第３封止層１４３は無機絶縁物質を含み、前記第２封止層１４２は有機絶縁物質を含むことができる。これにより、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、外部の水分及び衝撃による前記発光素子１３０の損傷を効果的に防止することができる。前記発光素子１３０による段差は前記第２封止層１４２によって除去することができる。例えば、前記素子基板１１０と反対側の前記封止部材１４０の上面は、前記素子基板１１０の表面に平行であり得る。

【0046】

前記封止部材１４０上にはタッチ構造３１０、３２０が位置することができる。前記タッチ構造３１０、３２０は、使用者又は道具のタッチを感知することができる。例えば、各タッチ構造３１０、３２０は、タッチ電極３１１、３２１及びブリッジ電極３１２、３２２を含むことができる。各ブリッジ電極３１２、３２２は、隣り合うタッチ電極３１１、３２１の間を電気的に連結することができる。前記封止部材１４０と前記タッチ構造３１０、３２０との間にはタッチバッファー膜２００が位置することができる。前記タッチバッファー膜２００は、前記タッチ構造３１０、３２０の形成工程による前記発光素子１３０及び前記封止部材１４０の損傷を防止することができる。前記タッチバッファー膜２００は絶縁性物質を含むことができる。例えば、前記タッチバッファー膜２００は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）及び／又はシリコン酸化物（ＳｉＯ）を含むことができる。

【0047】

前記タッチ電極３１１、３２１は導電性物質を含むことができる。前記タッチ電極３１１、３２１は相対的に抵抗の低い物質を含むことができる。前記タッチ電極３１１、３２１は相対的に反射率の高い物質を含むことができる。例えば、前記タッチ電極３１１、３２１はアルミニウム（Ａｌ）のような金属を含むことができる。

【0048】

前記ブリッジ電極３１２、３２２は導電性物質を含むことができる。前記ブリッジ電極３１２、３２２は相対的に抵抗の低い物質を含むことができる。例えば、前記ブリッジ電極３１２、３２２は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）及び銅（Ｃｕ）のような金属を含むことができる。

【0049】

前記タッチ電極３１１、３２１及び前記ブリッジ電極３１２、３２２は前記発光素子１３０の外側に位置することができる。前記タッチ電極３１１、３２１及び前記ブリッジ電極３１２、３２２は前記発光素子１３０から離隔することができる。例えば、前記タッチ電極３１１、３２１及び前記ブリッジ電極３１２、３２２は前記バンク絶縁膜１１４と重畳することができる。各タッチ電極３１１、３２１はメッシュ状であってもよい。これにより、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、前記発光素子１３０から前記素子基板１１０の表面に垂直な方向に放出された光が前記タッチ電極３１１、３２１及び前記ブリッジ電極３１２、３２２によって遮断されないことができる。また、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡの前記発光素子１３０から隣接した画素領域ＰＡの方向に放出された光が前記タッチ電極３１１、３２１及び前記ブリッジ電極３１２、３２２によって遮断されることができる。よって、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、隣接画素領域ＰＡから放出された光の混じりによるイメージの品質低下を防止することができる。

【0050】

前記タッチ構造３１０、３２０は、第１タッチ構造３１０及び第２タッチ構造３２０から構成されることができる。それぞれの第１タッチ構造３１０は、第１タッチ電極３１１及び少なくとも一つの第１ブリッジ電極３１２を含むことができる。前記第１タッチ電極３１１は、前記第１ブリッジ電極３１２によって第１方向に連結されることができる。それぞれの第２タッチ構造３２０は、第２タッチ電極３２１及び少なくとも一つの第２ブリッジ電極３２２を含むことができる。前記第２タッチ電極３２１は、前記第２ブリッジ電極３２２によって前記第１方向に垂直な第２方向に連結されることができる。前記第２タッチ電極３２１は前記第１タッチ電極３１１に平行に位置することができる。例えば、前記第２タッチ電極３２１は前記第１タッチ電極３１１と同じ層上に位置することができる。前記第２ブリッジ電極３２２は前記第１ブリッジ電極３１２と交差することができる。前記第２ブリッジ電極３２２は前記第１ブリッジ電極３１２と絶縁されることができる。例えば、前記第２ブリッジ電極３２２は前記第１ブリッジ電極３１２と違う層上に位置することができる。

【0051】

前記第１ブリッジ電極３１２と前記第２ブリッジ電極３２２との間にはタッチ絶縁膜３４０が位置することができる。前記第２ブリッジ電極３２２は、前記タッチバッファー膜２００と前記タッチ絶縁膜３４０との間に位置することができる。前記第１タッチ電極３１１及び前記第２タッチ電極３２１は前記タッチ絶縁膜３４０上に位置することができる。例えば、前記第１ブリッジ電極３１２は、前記第１タッチ電極３１１及び前記第２タッチ電極３２１と同じ物質を含むことができる。前記第１ブリッジ電極３１２は、前記第１タッチ電極３１１と直接接触することができる。前記第２ブリッジ電極３２２は前記第１ブリッジ電極３１２と違う物質を含むことができる。前記タッチ絶縁膜３４０は、前記第２ブリッジ電極３２２の一部領域を露出するタッチコンタクトホールを含むことができる。前記第２タッチ電極３２１は、前記タッチコンタクトホールを介して前記第２ブリッジ電極３２２と連結されることができる。

【0052】

前記タッチ絶縁膜３４０は絶縁性物質を含むことができる。前記タッチ絶縁膜３４０は、前記第２ブリッジ電極３２２による段差を除去することができる。例えば、前記素子基板１１０と反対側の前記タッチ絶縁膜３４０の上面は平面であり得る。前記タッチ絶縁膜３４０は有機絶縁物質を含むことができる。

【0053】

前記タッチ絶縁膜３４０は、各発光素子１３０と重畳する多数のガイド開口部３４０ｈを含むことができる。各ガイド開口部３４０ｈの側面３４０ｓは前記タッチ電極３１１、３２１によって覆われることができる。これにより、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、各画素領域ＰＡの前記発光素子１３０から該当ガイド開口部３４０ｈの前記側面３４０ｓの方向に放出された光Ｌ２が該当画素領域ＰＡの内側方向に反射されることができる。よって、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、光抽出効率が向上することができる。

【0054】

各ガイド開口部３４０ｈの前記側面３４０ｓは、前記封止部材１４０の前記上面に対して、ある傾斜角を有する傾斜面であり得る。例えば、各ガイド開口部３４０ｈの幅Ｗ２は、前記封止部材１４０から遠くなるほど増加することができる。すなわち、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、各ガイド開口部３４０ｈの前記側面３４０ｓによって反射された光による干渉を防止することができる。これにより、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、各ガイド開口部３４０ｈの前記側面３４０ｓで反射された光による各画素領域ＰＡの正面輝度が効果的に向上することができる。

【0055】

各ガイド開口部３４０ｈの幅Ｗ２は、前記バンク絶縁膜１１４によって露出された該当第１発光電極１３１の一部領域の幅Ｗ１より大きくてもよい。例えば、各発光素子１３０から一定値以下の傾斜を有する光Ｌ１は、該当ガイド開口部３４０ｈを通過して外部に放出されることができる。これにより、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、各発光素子１３０から放出される光Ｌ１の放出角度を前記タッチ構造３１０、３２０によって決定することができる。よって、本発明の実施例によるディスプレイ装置では、前記タッチ絶縁膜３４０の前記ガイド開口部３４０ｈによって視野角を制御することができる。

【0056】

前記素子基板１１０上にはパッド１０４、３０４が位置することができる。前記パッド１０４、３０４は前記封止部材１４０から離隔することができる。例えば、前記パッド１０４、３０４は前記封止部材１４０の外側に位置することができる。前記封止部材１４０と前記パッド１０４、３０４との間には少なくとも一つのダム１０６が位置することができる。前記ダム１０６は、相対的に高い流動性を有する前記第２封止層１４２の流れを遮断することができる。例えば、前記ダム１０６は、前記第２封止層１４２によって覆われる領域を定義することができる。前記ダム１０６は前記素子基板１１０の縁部に沿って延びることができる。前記ダム１０６は絶縁性物質を含むことができる。前記ダム１０６は、前記素子基板１１０と前記発光素子１３０との間に形成される絶縁膜の一つと同じ物質を含むことができる。例えば、前記ダム１０６は前記オーバーコート層１１３と同時に形成されることができる。

【0057】

前記パッド１０４、３０４は、表示パッド１０４及びタッチパッド３０４から構成されることができる。各表示パッド１０４は、前記信号配線ＧＬ、ＤＬ、ＶＤＤの一つと電気的に連結されることができる。前記表示パッド１０４は導電性物質を含むことができる。前記表示パッド１０４は、前記駆動回路を構成する電極のいずれか一つと同じ物質を含むことができる。例えば、前記表示パッド１０４は、前記第２薄膜トランジスタＴ２の前記ソース電極１２５及び前記ドレイン電極１２６と同時に形成されることができる。

【0058】

各タッチパッド３０４は前記タッチ構造３１０、３２０の一つと電気的に連結されることができる。例えば、各タッチ構造３１０、３２０は、前記封止部材１４０の表面に沿って延びるタッチルーティングライン３３０の一つを介して該当タッチパッド３０４と電気的に連結されることができる。各タッチルーティングライン３３０は、該当タッチ構造３１０、３２０の前記タッチ電極３１１、３２１と同じ物質を含むことができる。例えば、前記タッチルーティングライン３３０は前記タッチ電極３１１、３２１と同時に形成されることができる。前記各タッチルーティングライン３３０は該当タッチ構造３１０、３２０の前記タッチ電極３１１、３２１と直接接触することができる。

【0059】

各タッチパッド３０４は多重層構造を有することができる。例えば、各タッチパッド３０４は、前記表示パッド１０４と同じ層上に位置する下部パッド層３０４ａ、及び前記タッチルーティングライン３３０と同じ層上に位置する上部パッド層３０４ｂを含むことができる。前記下部パッド層３０４ａは前記表示パッド１０４と同じ物質を含むことができる。前記上部パッド層３０４ｂは前記タッチルーティングライン３３０と同じ物質を含むことができる。例えば、各タッチパッド３０４の前記上部パッド層３０４ｂは該当タッチルーティングライン３３０と直接連結されることができる。前記下部保護膜１１２及び前記タッチバッファー膜２００は前記ダム１０６の外側に延びることができる。例えば、前記下部保護膜１１２及び前記タッチバッファー膜２００は、各タッチパッド３０４の前記下部パッド層３０４ａを部分的に露出するパッドコンタクトホールを含むことができる。各タッチパッド３０４の前記上部パッド層３０４ｂは、該当パッドコンタクトホール内で該当タッチパッド３０４の前記下部パッド層３０４ａと直接接触することができる。

【0060】

前記表示パッド１０４及び前記タッチパッド３０４は前記タッチ絶縁膜３４０の外側に位置することができる。前記タッチ絶縁膜３４０は前記表示パッド１０４及び前記タッチパッド３０４から離隔することができる。例えば、前記タッチ絶縁膜３４０は前記ダム１０６によって定義された領域内のみに位置することができる。これにより、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、各タッチパッド３０４の前記下部パッド層３０４ａと前記上部パッド層３０４ｂとの間に前記タッチ絶縁膜３４０による段差が形成されないことができる。すなわち、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、各タッチパッド３０４の前記下部パッド層３０４ａを部分的に露出する前記パッドコンタクトホールの深さが前記タッチ絶縁膜３４０の厚さに関係ないことができる。よって、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、各タッチパッド３０４の前記下部パッド層３０４ａと前記上部パッド層３０４ｂが安定的に連結されることができる。

【0061】

結果として、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、発光素子１３０を覆う封止部材１４０上に位置する第１タッチ構造３１０及び第２タッチ構造３２０を含み、それぞれの第１タッチ構造３１０の第１ブリッジ電極３１２とそれぞれの第２タッチ構造３２０の第２ブリッジ電極３２２との間を絶縁するタッチ絶縁膜３４０が前記発光素子１３０と重畳するガイド開口部３４０ｈを含み、各ガイド開口部３４０ｈの側面３４０ｓが前記タッチ構造３１０、３２０のタッチ電極３１１、３２１によって覆われることができる。これにより、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、光抽出効率及び各画素領域ＰＡの正面輝度が向上することができる。よって、本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置では、イメージの品質が向上することができる。

【0062】

図６は図４のＫ領域を拡大した図である。図４及び図６を参照すると、本発明の他の実施例によるタッチディスプレイ装置は、各タッチ電極３１１、３２１が多重層構造を有することができる。例えば、各タッチ電極３１１、３２１は、前記タッチ絶縁膜３４０上に順に積層された第１タッチ電極層３２１ａ、第２タッチ電極層３２１ｂ及び第３タッチ電極層３２１ｃを含むことができる。前記第１タッチ電極層３２１ａ、前記第２タッチ電極層３２１ｂ及び前記第３タッチ電極層３２１ｃは導電性物質を含むことができる。前記第１タッチ電極層３２１ａ、前記第２タッチ電極層３２１ｂ及び前記第３タッチ電極層３２１ｃは互いに異なる物質を含むことができる。例えば、前記第１タッチ電極層３２１ａは、相対的に前記タッチ絶縁膜３４０と接着性の良い物質を含むことができる。前記第３タッチ電極層３２１ｃは、前記第２タッチ電極層３２１ｂより低い反射率を有する物質を含むことができる。例えば、前記第１タッチ電極層３２１ａ及び前記第３タッチ電極層３２１ｃはチタン（Ｔｉ）を含み、前記第２タッチ電極層３２１ｂはアルミニウム（Ａｌ）を含むことができる。

【0063】

前記素子基板１１０と反対側の前記タッチ絶縁膜３４０の上面上の前記タッチ電極３１１、３２１の積層構造は、各ガイド開口部３４０ｈの前記側面３４０ｓ上の前記タッチ電極３１１、３２１の積層構造と違うことができる。例えば、本発明の他の実施例によるタッチディスプレイ装置では、各ガイド開口部３４０ｈの前記側面３４０ｓ上に前記第３タッチ電極層３２１ｃが形成されなくてもよい。これにより、本発明の他の実施例によるタッチディスプレイ装置では、前記ガイド開口部３４０ｈの前記側面３４０ｓ上に位置する各タッチ電極３１１、３２１の一部領域が、前記素子基板１１０と反対側の前記タッチ絶縁膜３４０の上面上に位置する該当タッチ電極３１１、３２１の一部領域より大きい反射率を有することができる。よって、本発明の他の実施例によるタッチディスプレイ装置では、前記タッチ電極３１１、３２１による外光反射を防止し、各ガイド開口部３４０ｈの前記側面３４０ｓを用いて光抽出効率及び各画素領域ＰＡの正面輝度が向上することができる。

【0064】

本発明の他の実施例によるタッチディスプレイ装置は、各ガイド開口部３４０ｈの側面３４０ｓ上で前記タッチ電極３１１、３２１が相対的に少ない積層数を有するものとして説明する。しかし、本発明のさらに他の実施例によるタッチディスプレイ装置では、各タッチ電極３１１、３２１が、各ガイド開口部３４０ｈの前記側面３４０ｓ上において、前記素子基板１１０と反対側の前記タッチ絶縁膜３４０の上面より多い層が積層された構造を有することができる。例えば、図７に示したように、本発明のさらに他の実施例によるタッチディスプレイ装置では、各タッチ電極３１１、３２１が低抵抗金属層３２１ａ及び反射電極層３２１ｄを含むことができる。前記低抵抗金属層３２１ａは前記タッチ絶縁膜３４０の表面に沿って延びることができる。前記反射電極層３２１ｄは各ガイド開口部３４０ｈの前記側面３４０ｓと重畳することができる。前記低抵抗金属層３２１ａは各ガイド開口部３４０ｈの前記側面３４０ｓと前記反射電極層３２１ｄとの間で延びることができる。前記反射電極層３２１ｄは、前記素子基板１１０と反対側の前記タッチ絶縁膜３４０の上面上に位置する端部を含むことができる。例えば、各タッチ電極３１１、３２１の前記反射電極層３２１ｄは前記ブリッジ電極３１２、３２２の外側に位置することができる。

【0065】

前記低抵抗金属層３２１ａは、相対的に低い抵抗を有する物質を含むことができる。例えば、前記低抵抗金属層３２１ａは、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）及びタングステン（Ｗ）のような金属を含むことができる。前記反射電極層３２１ｄは相対的に高い反射率を有する物質を含むことができる。例えば、前記反射電極層３２１ｄは、アルミニウム（Ａｌ）及び銀（Ａｇ）を含むことができる。前記反射電極層３２１ｄの反射率は前記低抵抗金属層３２１ａの反射率より高いことができる。これにより、本発明のさらに他の実施例によるタッチディスプレイ装置では、領域別に反射率が異なるタッチ電極３１１、３２１の形成工程に対する自由度が向上することができる。また、本発明のさらに他の実施例によるタッチディスプレイ装置では、前記タッチ電極３１１、３２１による外光反射を最少化し、前記ガイド開口部３４０ｈの前記側面３４０ｓ上で前記タッチ電極３１１、３２１による反射を最大化することができる。

【0066】

本発明の実施例によるタッチディスプレイ装置は、各タッチ電極３１１、３２１の端部が前記バンク絶縁膜１１４と重畳するものとして説明する。しかし、図８に示したように、本発明の他の実施例によるタッチディスプレイ装置では、各ガイド開口部３４０ｈ内で前記タッチ電極３２１間の距離が前記バンク絶縁膜１１４によって露出されたそれぞれの第１発光電極１３１の一部領域の幅Ｗ３と同一であっても良い。これにより、本発明の他の実施例によるタッチディスプレイ装置では、前記タッチ電極３２１によって視野角を制御することができる。例えば、本発明の他の実施例によるタッチディスプレイ装置は、前記タッチ電極３２１を用いて狭視野角を具現することができる。よって、本発明の他の実施例によるタッチディスプレイ装置では、使用者に提供されるイメージの品質が向上することができる。

【符号の説明】

【0067】

１１０ 素子基板
１３０ 発光素子
１４０ 封止部材
２００ タッチバッファー膜
３１０ 第１タッチ構造
３１１ 第１タッチ電極
３１２ 第１ブリッジ電極
３２０ 第２タッチ構造
３２１ 第２タッチ電極
３２２ 第２ブリッジ電極
３４０ タッチ絶縁膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】