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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-03-24
(45)【発行日】2022-04-01
(54)【発明の名称】表示装置及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
G02F 1/1335 20060101AFI20220325BHJP
G02F 1/1368 20060101ALI20220325BHJP
G02F 1/1339 20060101ALI20220325BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20220325BHJP
G02B 5/20 20060101ALI20220325BHJP
【ＦＩ】
G02F1/1335 505
G02F1/1368
G02F1/1339 500
G09F9/30 320
G09F9/30 349C
G09F9/30 349B
G02B5/20 101
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2018050770
(22)【出願日】2018-03-19
(65)【公開番号】P2018159922
(43)【公開日】2018-10-11
【審査請求日】2021-03-11
(31)【優先権主張番号】10-2017-0035570
(32)【優先日】2017-03-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】100121382
【弁理士】
【氏名又は名称】山下 託嗣
(72)【発明者】
【氏名】朴 旻 ▲ウク▼
(72)【発明者】
【氏名】孫 智 媛
(72)【発明者】
【氏名】金 勳 泰
(72)【発明者】
【氏名】朴 徑 浩
(72)【発明者】
【氏名】李 潤 錫
(72)【発明者】
【氏名】李 眞 洙
【審査官】井亀 諭
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１６－０３３６５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／００３３８１４（ＵＳ，Ａ１）
【文献】中国特許出願公開第１０５３１９７６０（ＣＮ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１５／０１３８４８０（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００３－０８４２６６（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２００３／００４３３２６（ＵＳ，Ａ１）
【文献】韓国公開特許第２００３－０００３００４（ＫＲ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１０６４８３７１９（ＣＮ，Ａ）
【文献】特開平０５－１２７１９５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－２０１７５０（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２００１／００２６３４７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】韓国公開特許第２００１－００８３１０６（ＫＲ，Ａ）
【文献】特開２００１－１７５１９８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０２Ｆ １／１３３５
Ｇ０２Ｆ １／１３６８
Ｇ０２Ｆ １／１３３９
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｇ０２Ｂ ５／２０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
映像を表示するための光が放出される複数の画素領域、及び、前記画素領域の間に配置され、光が放出されない遮光領域を含む表示装置であって、第１ベース基板と、
前記第１ベース基板上に各々の前記画素領域に対応して配置される薄膜トランジスタと、
前記第１ベース基板上に配置される第１色相の第１カラーフィルタと、
前記第１ベース基板上に配置され、前記第１色相と相異する第２色相の第２カラーフィルタと、
前記第１ベース基板上に配置され、前記第１色相及び前記第２色相と相異する第３色相の第３カラーフィルタとを含み、
前記遮光領域中、少なくとも前記薄膜トランジスタの箇所には、前記第２カラーフィルタの層を含まずに、前記第１カラーフィルタの層と前記第３カラーフィルタの層とを少なくとも含む、複数のカラーフィルタ層による積層膜が配置され、
前記第２カラーフィルタは、少なくとも一つの画素領域に配置された部分と、これに隣り合う他の一つの画素領域に配置された部分とが、ブリッジ部により連結され、前記ブリッジ部は、前記第２カラーフィルタの層と、前記第１カラーフィルタまたは前記第３カラーフィルタの層とを少なくとも含む、複数のカラーフィルタ層による積層膜で形成され、前記遮光領域内に配置されることを特徴とする、表示装置。
【請求項2】
前記第１カラーフィルタは赤色カラーフィルタであり、前記第２カラーフィルタは緑色カラーフィルタであり、前記第３カラーフィルタは青色カラーフィルタであることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記第１カラーフィルタは第１方向に配列された複数の画素領域を覆うように延長され、前記第２カラーフィルタは前記第１方向に配列された複数の画素領域を覆うように延長され、前記第３カラーフィルタは、前記第１方向に配列された複数の画素領域、及び、前記遮光領域における、これら複数の画素領域の間の部分を覆うように延長され、これにより帯状またはストリップ（strip）状に配置されることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
前記ブリッジ部は、前記薄膜トランジスタと重ならないように配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
前記第１ベース基板上に配置される透明な第４カラーフィルタをさらに含み、前記第１～第３カラーフィルタは、いずれも、前記第４カラーフィルタと重なることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項6】
前記第１～第３カラーフィルタ上に配置され、有機絶縁物質を含む有機膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項7】
前記有機膜上に配置され、前記遮光領域内に配置される遮蔽電極をさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の表示装置。
【請求項8】
前記第１ベース基板と対向する第２ベース基板と、前記第１ベース基板と前記第２ベース基板との間に配置される液晶層と、
前記第１及び第３カラーフィルタと重なるように配置されるメーンコラムスペーサーとをさらに含み、
前記メーンコラムスペーサーは、前記液晶層のセルギャップ（cell gap）を維持することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項9】
前記遮光領域内に配置され、透明導電物質を含む遮蔽電極をさらに含み、前記遮光領域は、第１方向に沿って延びる第１遮光部分、及び、前記第１方向に交差する第２方向に沿って延びる第２遮光部分を含み、これら第１及び第２遮光部分が組み合わさって網（mesh）状をなしており、
前記遮蔽電極は、前記第１遮光部分に沿って延びる第１遮蔽電極部、及び、前記第２遮光部分に沿って延びる第２遮蔽電極部を含み、これら第１及び第２遮蔽電極部が組み合わさって網（mesh）状をなすが、前記ブリッジ部の箇所で省かれることにより断続しており、前記ブリッジ部と前記遮蔽電極は重ならないことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項10】
前記第１カラーフィルタは赤色カラーフィルタであり、前記第１カラーフィルタは前記ブリッジ部の箇所で省かれることにより断続しており、前記遮光領域中、前記ブリッジ部は、全体が、前記第３カラーフィルタの層を含む、複数のカラーフィルタ層による積層膜により形成され、この積層膜には、前記第１カラーフィルタが部分的に含まれるるか、または含まれないことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は表示装置及び前記表示装置の製造方法に関し、より詳しくは、薄膜トランジスタを含む下部基板にカラーフィルタが形成される表示装置及び前記表示装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【0002】
最近、技術が発展するにつれて、小型、軽量化し、かつ性能はより優れるディスプレイ製品が生産されている。今までディスプレイ装置には既存のブラウン管テレビ（cathode ray tube：ＣＲＴ）が性能や価格面で多くの長所を有することから広く使われていたが、小型化または携帯性の点からＣＲＴの短所を克服し、小型化、軽量化、及び低電力消費などの長所を有する表示装置、例えば、プラズマ表示装置、液晶表示装置、及び有機発光表示装置などが注目を受けている。
【0003】
前記液晶表示装置は、液晶の特定の分子配列に電圧を印加して分子配列を変換させ、このような分子配列の変換により発光する液晶セルの複屈折性、旋光性、二色性、及び光散乱特性などの光学的性質の変化を視覚変化に変換して映像を表示するディスプレイ装置である。
【0004】
前記表示装置は映像が表示される画素領域に配置され、色相を具現するためのカラーフィルタ、映像が表示されない遮光領域に配置され、光を遮断するためのブラックマトリックス及び下部基板と上部基板のセルギャップ（cell gap）を維持するためのコラムスペーサーを含む。しかしながら、前記ブラックマトリックスを形成するためには追加的なマスクが必要であり、前記表示装置の構造が複雑になり、製造費用が高まるという問題があった。また、前記コラムスペーサーは前記上部基板と常に接触するメーンコラムスペーサーと前記メーンコラムスペーサーより低い高さに形成されるサブコラムスペーサーを含むことができるが、前記サブコラムスペーサーは、ハーフトーンマスクなどを用いて形成されるので、均一な高さで適切な位置に形成することに困難性があった。これによって、前記表示装置の前記セルギャップを維持し難いという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開2015-102683号公報
【文献】特開2006-113204号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ここに、本発明の技術的課題はこのような点から着眼したものであって、本発明の目的は、構造が単純で、別途のブラックマトリックス無しで遮光領域を具現し、セルギャップを維持することができる表示装置を提供することにある。
【0007】
本発明の他の目的は、前記表示装置を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
前記の本発明の目的を実現するための一実施形態に係る表示装置は、複数の画素領域及び前記画素領域の間に配置される遮光領域を含む。前記表示装置は、第１ベース基板、前記第１ベース基板上に各々の前記画素領域に対応して配置される薄膜トランジスタ、前記第１ベース基板上に配置される第１色相の第１カラーフィルタ、前記第１ベース基板上に配置され、前記第１色相と相異する第２色相の第２カラーフィルタ、及び前記第１ベース基板上に配置され、前記第１色相及び前記第２色相と相異する第３色相の第３カラーフィルタを含む。前記遮光領域で、前記薄膜トランジスタ、前記第１カラーフィルタ、及び前記第３カラーフィルタは、少なくとも一部が互いに重畳する。少なくとも一つの画素領域に配置される前記第２カラーフィルタは隣り合う画素領域に配置された第２カラーフィルタとブリッジ部により連結され、前記ブリッジ部は前記第２カラーフィルタと同一な物質で形成され、前記遮光領域内に配置される。
【0009】
本発明の一実施形態において、前記第１カラーフィルタは赤色カラーフィルタであり、前記第２カラーフィルタは緑色カラーフィルタであり、前記第３カラーフィルタは青色カラーフィルタでありうる。
【0010】
本発明の一実施形態において、前記第１カラーフィルタは第１方向に複数の画素領域に沿って延び、前記第２カラーフィルタは前記第１方向に複数の画素領域に沿って延び、前記第３カラーフィルタは前記第１方向に複数の画素領域に沿って延び、ストリップ（strip）形状に配置できる。
【0011】
本発明の一実施形態において、前記ブリッジ部は前記薄膜トランジスタと重畳しないように配置できる。
【0012】
本発明の一実施形態において、前記表示装置は前記第１ベース基板上に配置され、透明な第４カラーフィルタをさらに含むことができる。前記第１～第３カラーフィルタは前記第４カラーフィルタと重畳することができる。
【0013】
本発明の一実施形態において、前記表示装置は前記第１～第３カラーフィルタ上に配置され、有機絶縁物質を含む有機膜をさらに含むことができる。
【0014】
本発明の一実施形態において、前記表示装置は前記有機膜上に配置される前記遮光領域内に配置される遮蔽電極をさらに含むことができる。
【0015】
本発明の一実施形態において、前記表示装置は前記遮蔽電極と同一な層から形成され、前記薄膜トランジスタと電気的に連結される画素電極をさらに含むことができる。前記画素電極は、前記第１カラーフィルタ、前記第３カラーフィルタ、前記有機膜を通じて形成されるコンタクトホールを通じて前記薄膜トランジスタと連結できる。
【0016】
本発明の一実施形態において、前記表示装置は前記ベース基板上に配置されるフローティング電極をさらに含むことができる。前記画素電極は、第１方向または第３方向に延びる幹を含み、前記画素電極には前記幹から前記画素電極の縁方向に延びる複数のスリットが形成できる。
【0017】
本発明の一実施形態において、前記表示装置は前記第１ベース基板と対向する第２ベース基板、前記第１ベース基板と前記第２ベース基板との間に配置される液晶層、及び前記第１及び第３カラーフィルタと重畳するように配置されるメーンコラムスペーサーをさらに含むことができる。前記メーンコラムスペーサーは、前記液晶層のセルギャップ（cell gap）を維持することができる。
【0018】
本発明の一実施形態において、前記第２カラーフィルタの前記ブリッジ部は、前記第１カラーフィルタ及び／又は前記第３カラーフィルタと重畳するように配置されて、前記メーンコラムスペーサーより低く、前記液晶層の押されギャップを維持する第２サブコラムスペーサーを構成することができる。
【0019】
本発明の一実施形態において、前記表示装置は前記メーンコラムスペーサーより低く、前記液晶層の押されギャップを維持する第１サブコラムスペーサーをさらに含むことができる。
【0020】
本発明の一実施形態において、前記表示装置は前記遮光領域内に配置され、透明導電物質を含む遮蔽電極をさらに含むことができる。前記遮蔽電極は、前記遮光領域に沿って網（mesh）構造で形成され、かつ前記第２カラーフィルタの前記ブリッジ部が形成された部分で省かれることにより途切れて、前記ブリッジ部と前記遮蔽電極は重畳しないことがある。
【0021】
本発明の一実施形態において、前記第１カラーフィルタは赤色カラーフィルタであり、前記第１カラーフィルタは前記ブリッジ部が形成された部分で省かれることにより途切れた形状を有することができる。前記遮光領域で前記ブリッジ部は全体が前記第３カラーフィルタと重畳し、前記第１カラーフィルタとは一部重畳するか、または重畳しないことがある。
【0022】
本発明の一実施形態において、前記第３カラーフィルタは青色カラーフィルタであり、前記第３カラーフィルタは前記ブリッジ部が形成された部分で切れた形状を有することができる。前記遮光領域で前記ブリッジ部は前記第１カラーフィルタと完全に重畳し、前記第３カラーフィルタとは一部重畳するか、または重畳しないことがある。
【0023】
前記の本発明の目的を実現するための一実施形態に係る表示装置は、第２方向及び第１方向に沿って３＊２マトリックス形態に配列される第１～第６画素領域及び前記第１～第６画素領域の間に配置される遮光領域を含む。前記表示装置は、前記第１画素領域及び前記第１画素領域と前記第１方向に隣接する前記第２画素領域に配置される第１カラーフィルタ、前記第１画素領域に前記第２方向に隣接する前記第３画素領域及び前記第３画素領域に前記第１方向に隣接する第４画素領域に配置される第２カラーフィルタ、及び前記第３画素領域に前記第２方向に隣接する前記第５画素領域及び前記第５画素領域と前記第１方向に隣接する第６画素領域に配置される第３カラーフィルタを含む。前記遮光領域内で前記第３カラーフィルタは前記第１カラーフィルタと重畳し、前記第２カラーフィルタは前記第３画素領域と前記第４画素領域との間の遮光領域に形成されたブリッジ部を含む。
【0024】
本発明の一実施形態において、第１カラーフィルタは赤色カラーフィルタ、前記第２カラーフィルタは緑色カラーフィルタ、前記第３カラーフィルタは青色カラーフィルタでありうる。
【0025】
本発明の一実施形態において、第７画素領域及び前記第７画素領域と前記第１方向に隣接する第８画素領域に配置される前記第４カラーフィルタをさらに含むことができる。前記第４カラーフィルタは透明カラーフィルタであり、前記第１～第８画素領域の全体に形成できる。
【0026】
本発明の一実施形態において、前記表示装置は前記第１～第６画素領域に配置される液晶層及び前記液晶層のセルギャップを維持するためのメーンコラムスペーサーをさらに含むことができる。前記第２カラーフィルタの前記ブリッジ部は、前記第１カラーフィルタ及び／又は前記第３カラーフィルタと重畳するように配置されて、前記メーンコラムスペーサーより低く、前記液晶層の押されギャップを維持する第２サブコラムスペーサーを構成することができる。
【0027】
本発明の一実施形態において、前記遮光領域内に配置されて透明導電物質を含む遮蔽電極をさらに含むことができる。
【0028】
前記の本発明の目的を実現するための一実施形態に係る複数の画素領域及び前記画素領域の間に配置される遮光領域を含む表示装置の製造方法は、第１ベース基板上に第１カラーフィルタを形成するステップ、前記第１ベース基板上にブリッジ部を含む第２カラーフィルタを形成するステップ、前記第１ベース基板上に第３カラーフィルタを形成するステップ、及び第２ベース基板と前記第１ベース基板との間に液晶層を形成するステップを含む。前記遮光領域で、前記第１カラーフィルタ及び前記第３カラーフィルタは少なくとも一部が互いに重畳する。少なくとも一つの画素領域に配置される前記第２カラーフィルタは隣り合う画素領域に配置された第２カラーフィルタと前記ブリッジ部により連結され、前記ブリッジ部は前記第２カラーフィルタと同一の物質で形成され、前記遮光領域内に配置される。
【0029】
本発明の一実施形態において、前記第１カラーフィルタ、前記第２カラーフィルタ、及び前記第３カラーフィルタは、各々光を透過する透過部及び光を遮断する遮光部を含むフルトーン（full tone）マスクを用いて形成できる。
【0030】
本発明の一実施形態において、前記製造方法は前記第１カラーフィルタと前記第３カラーフィルタが重畳する領域上にメーンコラムスペーサーを形成するステップをさらに含むことができる。
【0031】
本発明の一実施形態において、前記第２カラーフィルタは光を遮断する領域、光を透過するフルトーン領域、及び光を一部透過するハーフトーン領域を含むハーフトーンマスクを用いて形成できる。前記ブリッジ部は、前記画素領域に配置される前記第２カラーフィルタの第１厚さより小さな第２厚さを有するように形成できる。
【0032】
本発明の一実施形態において、前記製造方法は前記第１ベース基板上に透明カラーフィルタである第４カラーフィルタを形成するステップをさらに含むことができる。
【0033】
本発明の一実施形態において、前記製造方法は前記第１ベース基板上に薄膜トランジスタを形成するステップ、前記第１～第３カラーフィルタ上に有機膜を形成するステップ、前記有機膜上に前記遮光領域内に透明導電物質を含む遮蔽電極を形成するステップをさらに含むことができる。前記第１カラーフィルタは赤色カラーフィルタであり、前記第２カラーフィルタは緑色カラーフィルタであり、前記第３カラーフィルタは青色カラーフィルタであり、前記ブリッジ部は前記薄膜トランジスタと重畳しないように配置できる。
【発明の効果】
【0034】
本発明の実施形態によれば、表示装置の遮光領域で、第１及び第３カラーフィルタの重畳、第１フローティング電極、ゲートパターン、データパターン、及び遮蔽電極により遮光機能が極大化できる。また、前記遮光領域の前記ゲートライン及び前記遮蔽電極により遮光機能が極大化できる。これによって、前記表示装置は別途の遮光層無しでも遮光領域を具現することができる。
【0035】
また、前記表示装置のブリッジ部により第２サブコラムスペーサーが形成されるので、前記表示装置の押されギャップを効果的に維持することができる。
【0036】
但し、本発明の効果は前記効果に限定されるものではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で多様に拡張できる。
【図面の簡単な説明】
【0037】
【図1】本発明の一実施形態に係る表示装置を示すブロック図である。
【図6】本発明の一実施形態に係る表示装置の第１～第６画素領域を詳細に示す平面図である。
【図9】本発明の一実施形態に係る表示装置の第１～第８画素領域を詳細に示す平面図である。
【図12】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素領域を概略的に示す平面図である。
【図14】本発明の一実施形態に係る表示装置の第１～第６画素領域を詳細に示す平面図である。
【図17】本発明の一実施形態に係る表示装置の第１～第６画素領域を詳細に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0038】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態をより詳細に説明する。
【0039】
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置を示すブロック図である。
【0040】
図１を参照すると、前記表示装置は、表示パネル１０及び表示パネル駆動部を含むことができる。前記表示パネル駆動部は、タイミングコントローラ２０、ゲート駆動部３０、ガンマ基準電圧生成部４０、及びデータ駆動部５０を含むことができる。
【0041】
前記表示パネル１０は、第１～第３ゲートライン（図２のＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３参照）を含む複数のゲートラインＧＬ、第１及び第２データライン（図２のＤＬ１、ＤＬ２参照）を含む複数のデータラインＤＬ、及び前記ゲートラインＧＬと前記データラインＤＬの各々に電気的に連結された複数の画素構造を含むことができる。前記ゲートラインＧＬは第１方向（Ｄ１）に延び、前記データラインＤＬは前記第１方向（Ｄ１）と交差する第２方向（Ｄ２）に延びる。
【0042】
各画素構造は、薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された液晶キャパシタ及びストレージキャパシタを含むことができる。前記画素構造はマトリックス形態に配置できる。
【0043】
前記表示パネル１０は、前記ゲートラインＧＬ、前記データラインＤＬ、前記画素構造、前記薄膜トランジスタが形成される下部基板、前記下部基板と対向し、共通電極を含む上部基板、及び前記下部基板及び前記上部基板の間に配置される液晶層を含むことができる。
【0044】
前記画素構造に対しては、図２、３ａ、３ｂ、３ｃ、４、５ａ、５ｂ、及び５ｃに対する説明で、詳細に説明する。
【0045】
前記タイミングコントローラ２０は、外部の装置（図示せず）から入力映像データ（ＩＭＧ）及び入力制御信号（ＣＯＮＴ）を受信することができる。例えば、前記入力映像データは、赤色映像データ、緑色映像データ、及び青色映像データを含むことができる。前記入力制御信号（ＣＯＮＴ）は、マスタークロック信号、データイネーブル信号を含むことができる。前記入力制御信号（ＣＯＮＴ）は、垂直同期信号及び水平同期信号をさらに含むことができる。
【0046】
前記タイミングコントローラ２０は、前記入力映像データ（ＩＭＧ）及び前記入力制御信号（ＣＯＮＴ）に基づいて第１制御信号（ＣＯＮＴ１）、第２制御信号（ＣＯＮＴ２）、第３制御信号（ＣＯＮＴ３）、及びデータ信号（ＤＡＴＡ）を生成する。
【0047】
前記タイミングコントローラ２０は、前記入力制御信号（ＣＯＮＴ）に基づいて前記ゲート駆動部３０の動作を制御するための前記第１制御信号（ＣＯＮＴ１）を生成して前記ゲート駆動部３００に出力することができる。前記第１制御信号（ＣＯＮＴ１）は、垂直開始信号及びゲートクロック信号を含むことができる。
【0048】
前記タイミングコントローラ２０は、前記入力制御信号（ＣＯＮＴ）に基づいて前記データ駆動部５０の動作を制御するための前記第２制御信号（ＣＯＮＴ２）を生成して前記データ駆動部５０に出力することができる。前記第２制御信号（ＣＯＮＴ２）は、水平開始信号及びロード信号を含むことができる。
【0049】
前記タイミングコントローラ２０は、前記入力映像データ（ＩＭＧ）に基づいてデータ信号（ＤＡＴＡ）を生成することができる。前記タイミングコントローラ２０は、前記データ信号（ＤＡＴＡ）を前記データ駆動部５０に出力することができる。
【0050】
前記タイミングコントローラ２０は、前記入力制御信号（ＣＯＮＴ）に基づいて前記ガンマ基準電圧生成部４０の動作を制御するための前記第３制御信号（ＣＯＮＴ３）を生成して前記ガンマ基準電圧生成部４０に出力することができる。
【0051】
前記ゲート駆動部３０は、前記タイミングコントローラ２０から入力を受けた前記第１制御信号（ＣＯＮＴ１）に応答して前記ゲートラインＧＬを駆動するためのゲート信号を生成する。前記ゲート駆動部３０は、前記ゲート信号を前記ゲートラインＧＬに出力する。
【0052】
前記ガンマ基準電圧生成部４０は、前記タイミングコントローラ２０から入力を受けた前記第３制御信号（ＣＯＮＴ３）に応答してガンマ基準電圧（ＶＧＲＥＦ）を生成する。前記ガンマ基準電圧生成部４０は、前記ガンマ基準電圧（ＶＧＲＥＦ）を前記データ駆動部５０に提供することができる。前記ガンマ基準電圧（ＶＧＲＥＦ）は、各々のデータ信号（ＤＡＴＡ）に対応する値を有する。
【0053】
例えば、前記ガンマ基準電圧生成部４０は前記タイミングコントローラ２０内に配置されるか、または前記データ駆動部５０内に配置できる。
【0054】
前記データ駆動部５０は、前記タイミングコントローラ２０から前記第２制御信号（ＣＯＮＴ２）及び前記データ信号（ＤＡＴＡ）の入力を受けて、前記ガンマ基準電圧生成部４０から前記ガンマ基準電圧（ＶＧＲＥＦ）の入力を受けることができる。前記データ駆動部５０は、前記データ信号（ＤＡＴＡ）を、前記ガンマ基準電圧（ＶＧＲＥＦ）を用いてアナログ形態のデータ電圧に変換することができる。前記データ駆動部５０は、前記データ電圧を前記データラインＤＬに出力することができる。これによって、前記表示装置は、前記画素構造にそれぞれ対応する複数の画素領域（ＰＸ１からＰＸ６）に光を発生して映像を表示することができる。
【0055】
図２は、図１の表示装置の第１～第６画素領域を詳細に示す平面図である。図３ａから図３ｃは、各々図２の表示装置の第１カラーフィルタ、第２カラーフィルタ、及び第３カラーフィルタを示す平面図である。図４は、図２の表示装置の遮蔽電極及び画素電極を示す平面図である。図５ａから図５ｃは、各々図２の表示装置のI－I’線、II－II’線、III－III’線を切断した断面図である。
【0056】
図２、３ａ、３ｂ、３ｃ、４ａ、４ｂ、５ａ、５ｂ、及び５ｃを参照すると、前記表示装置は、第２方向（Ｄ２）及び第１方向（Ｄ１）に３＊２マトリックス形態に配列される第１画素領域（ＰＸ１）、第２画素領域（ＰＸ２）、第３画素領域（ＰＸ３）、第４画素領域（ＰＸ４）、第５画素領域（ＰＸ５）、第６画素領域（ＰＸ６）、及び前記第１～第６画素領域（ＰＸ１～ＰＸ６）の間に配置される遮光領域（ＢＭ）を含むことができる。前記第２方向（Ｄ２）は、前記第１方向（Ｄ１）と実質的に垂直でありうる。前記第１～第６画素領域（ＰＸ１～ＰＸ６）は、前記表示装置が映像を表示するために光が放出される領域であり、前記遮光領域（ＢＭ）は光が放出されない領域である。
【0057】
図面上では、６個の画素領域の画素構造に対してのみ図示されているが、前記表示装置は、前記画素構造が反復形成される構造を有することができる。
【0058】
前記表示装置は、下部基板、前記下部基板と対向する上部基板、及び前記下部基板と前記上部基板との間に配置される液晶層ＬＣを含むことができる。
【0059】
前記下部基板は、第１偏光板ＰＯＬ１、第１ベース基板１００、バッファ層１１０、ゲートパターン（ゲートライン及びゲート電極を含むパターン）、アクティブパターン（半導体活性層のパターン）ＡＣＴ、データパターン（データライン、ソース電極及びドレイン電極を含むパターン）、第１絶縁層１２０、第１カラーフィルタＲ、第２カラーフィルタＧ、第３カラーフィルタＢ、有機膜１３０、透明電極パターン、メーンカラースペーサーＭＣＳ、第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１、及び第１配向膜ＡＬ１を含むことができる。
【0060】
前記第１偏光板ＰＯＬ１は、前記第１ベース基板１００上に付着できる。前記第１偏光板ＰＯＬ１は、前記液晶層ＬＣに光を供給するバックライトユニット（図示せず）と前記第１ベース基板１００との間に配置できる。前記第１偏光板ＰＯＬ１は、透過する光を偏光させることができ、一般的に使われるＰＶＡ（poly vinyl alcohol）偏光板が使用できる。図示してはいないが、他の実施形態によれば、前記第１偏光板ＰＯＬ１は前記第１ベース基板１００上に形成されるワイヤーグリッド偏光素子でありうる。
【0061】
前記第１ベース基板１００は、透明絶縁基板を含むことができる。例えば、前記第１ベース基板１００は、ガラス基板、石英基板、透明樹脂基板などで構成できる。この場合、前記透明樹脂基板は、ポリイミド系（polyimide-based）樹脂、アクリル系（acryl-based）樹脂、ポリアクリレート系（polyacrylate-based）樹脂、ポリカーボネート系（polycarbonate-based）樹脂、ポリエーテル系（polyether-based）樹脂、スルホン酸系（sulfonic acid-based）樹脂、ポリエチレンテレフタレート系（polyethylene terephthalate-based）樹脂などを含むことができる。
【0062】
前記バッファ層１１０は、前記第１ベース基板１００上に配置できる。前記バッファ層１１０は、前記第１ベース基板１００の上面が平坦でない場合、これを平坦化することができる。前記バッファ層１３０は、無機絶縁物質または有機絶縁物質を用いて形成できる。
【0063】
前記ゲートパターンは、前記バッファ層１１０上に配置できる。前記ゲートパターンは、第１ゲートラインＧＬ１、第２ゲートラインＧＬ２、第３ゲートラインＧＬ３、ゲート電極ＧＥ、第１フローティング電極ＦＥ１、第２フローティング電極ＦＥ２、及び第３フローティング電極ＦＥ３を含むことができる。前記ゲートパターンは金属を含むことができる。例えば、前記ゲートパターンは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタニウム（チタン；Ｔｉ）などを含むことができる。
【0064】
前記第１ゲートラインＧＬ１、前記第２ゲートラインＧＬ２、及び前記第３ゲートラインＧＬ３は、いずれも、前記第１方向（Ｄ１）に延び、前記第２方向（Ｄ２）に離隔して配置できる。前記第１ゲートラインＧＬ１には、第１薄膜トランジスタＴＦＴ１のゲート電極ＧＥ及び第２薄膜トランジスタＴＦＴ２のゲート電極が、電気的に連結されうる。前記第２ゲートラインＧＬ２には、第３薄膜トランジスタＴＦＴ３のゲート電極及び第４薄膜トランジスタＴＦＴ４のゲート電極が、電気的に連結されうる。前記第３ゲートラインＧＬ３には、第５薄膜トランジスタＴＦＴ５のゲート電極及び第６薄膜トランジスタＴＦＴ６のゲート電極が、電気的に連結されうる。
【0065】
前記第１フローティング電極ＦＥ１は、前記第１～第６画素領域と前記遮光領域（ＢＭ）との間の境界に配置されることで、液晶制御が容易でないために光漏れが発生しうる部分での光を遮断することができる。前記第２フローティング電極ＦＥ２は、前記画素電極ＰＥにおけるスリットが形成されない幹部に重なるように形成されることで、液晶制御が容易でないために光漏れが発生しうる部分での光を遮断することができる。前記第３フローティング電極ＦＥ３は、前記画素電極ＰＥの縁部に重なるように形成されることで、液晶制御が容易でないために光漏れが発生しうる部分での光を遮断することができる。図面に図示したように、前記第１～第３フローティング電極ＦＥ１、ＦＥ２、ＦＥ３は、各画素領域に対応して形成できる。
【0066】
前記第１絶縁層１２０は、前記ゲートパターンが形成された前記バッファ層１１０上に配置できる。前記第１絶縁層１２０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、金属酸化物などを使用して形成できる。例えば、前記第１絶縁層１２０を構成する金属酸化物は、ハフニウム酸化物（ＨｆＯｘ）、アルミニウム酸化物（ＡｌＯｘ）、ジルコニウム酸化物（ＺｒＯｘ）、チタニウム酸化物（ＴｉＯｘ）、タンタル酸化物（ＴａＯｘ）などを含むことができる。これらは単独に、または互いに組合わせて使用できる。前記第１絶縁層１２０は、前記ゲートパターンの三次元輪郭形状（profile）に沿うようにして前記バッファ層１１０上に実質的に均一な厚さで形成できる。この場合、前記第１絶縁層１２０は相対的に薄い厚さを有することができ、前記第１絶縁層１２０には、前記ゲートパターンに隣接する段差部が生成されうる。他の例示的な実施形態によれば、前記第１絶縁層１２０は前記ゲートパターンを充分にカバーし、かつ実質的に平坦な上面を有することができる。
【0067】
前記アクティブパターンＡＣＴ、及び、前記アクティブパターンＡＣＴ上の前記データパターンが、前記第１絶縁層１２０上に配置されうる。前記アクティブパターンＡＣＴと前記データパターンは、エッチバック（etch-back）工程などを用いて同時に形成できる。
【0068】
前記アクティブパターンＡＣＴは、ソース電極ＳＥと重なり合うソース領域、ドレイン電極ＤＥと重なり合うドレイン領域、及び前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に配置されるチャンネル領域を含むことができる。前記アクティブパターンＡＣＴは、非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ：Ｈ）からなる半導体層、及び、ｎ＋非晶質シリコン（ｎ＋ａ－Ｓｉ：Ｈ）からなり、前記ソース電極ＳＥまたは前記ドレイン電極ＤＥと接触する抵抗性接触層を含むことができる。また、他の実施形態によれば、前記アクティブパターンＡＣＴは、酸化物半導体を含むことができる。例えば、前記酸化物半導体は、インジウム（indium：Ｉｎ）、亜鉛（zinc：Ｚｎ）、ガリウム（gallium：Ｇａ）、スズ（tin：Ｓｎ）、またはハフニウム（hafnium：Ｈｆ）のうちの少なくとも一つを含む非晶質酸化物からなることができる。
【0069】
前記データパターンは、第１データラインＤＬ１、第２データラインＤＬ２、前記ソース電極ＳＥ、前記ドレイン電極ＤＥを含むことができる。前記データパターンは、金属を含むことができる。例えば、前記データパターンはアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタニウム（Ｔｉ）などを含むことができる。
【0070】
前記第１データラインＤＬ１及び前記第２データラインＤＬ２は、いずれも、前記第２方向（Ｄ２）に延び、前記第１方向（Ｄ１）に離隔して配置できる。前記第１データラインＤＬ１には、前記第１薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース電極ＳＥ、前記第３薄膜トランジスタＴＦＴ３のソース電極、前記第５薄膜トランジスタＴＦＴ５のソース電極が、電気的に連結されうる。前記第２データラインＤＬ２には、前記第２薄膜トランジスタＴＦＴ２のソース電極、前記第４薄膜トランジスタＴＦＴ４のソース電極、前記第６薄膜トランジスタＴＦＴ６のソース電極が、電気的に連結されうる。
【0071】
前記第１カラーフィルタＲは、前記データパターンが配置された前記第１絶縁層１２０上に配置できる。前記第１カラーフィルタＲは、前記液晶層ＬＣを透過する光に色を提供するためのものであって、赤色カラーフィルタ（red color filter）でありうる。
【0072】
前記第１カラーフィルタＲは、前記第１画素領域（ＰＸ１）、前記第２画素領域（ＰＸ２）内、及び前記遮光領域（ＢＭ）内に配置できる。具体的に、図３ａを再び参照すると、前記第１カラーフィルタＲは、前記第１画素領域（ＰＸ１）に隣接する前記第１薄膜トランジスタＴＦＴ１が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第１画素領域（ＰＸ１）、前記第１画素領域（ＰＸ１）と前記第２画素領域（ＰＸ２）との間の遮光領域（ＢＭ）、及び、前記第２画素領域（ＰＸ２）を覆うように前記第１方向（Ｄ１）に延びる、幅が一定の帯状パターンを含むように形成できる。また、前記第１カラーフィルタＲは、前記第１薄膜トランジスタＴＦＴ１が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第３薄膜トランジスタＴＦＴ３が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第５薄膜トランジスタＴＦＴ５が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）を覆うように前記第２方向（Ｄ２）に延びる帯状パターンをも含むように形成できる。また、前記第１カラーフィルタＲは、前記第２薄膜トランジスタＴＦＴ２が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第４薄膜トランジスタＴＦＴ４が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第６薄膜トランジスタＴＦＴ６が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）を覆うように前記第２方向（Ｄ２）に延びるパターンをも含むように形成できる。
【0073】
即ち、前記第１カラーフィルタＲのパターンは、前記第１方向（Ｄ１）に、複数個の画素領域にわたって延びる等幅のストリップ（strip）状または帯状に形成された部分と、前記第２方向（Ｄ２）に、複数個の画素領域に対応する遮光領域（ＢＭ）にわたって延びる部分とを含むように形成できる。
【0074】
また、前記第１カラーフィルタＲのパターンには、各画素領域中の画素電極のためのコンタクトホールに対応して、前記第１カラーフィルタＲが形成されない部分である開口領域（ＲＯＰ）が形成されうる。
【0075】
前記第２カラーフィルタＧは、前記第１カラーフィルタＲが配置された前記第１絶縁層１２０上に形成できる。前記第２カラーフィルタＧは、前記液晶層ＬＣを透過する光に色を提供するためのものであって、緑色カラーフィルタ（green color filter）でありうる。
【0076】
前記第２カラーフィルタＧは、前記第３画素領域（ＰＸ３）内及び前記第４画素領域（ＰＸ４）内に配置できる。具体的に、図３ｂを再び参照すると、前記第２カラーフィルタＧは、前記第３画素領域（ＰＸ３）及び前記第４画素領域（ＰＸ４）を覆うようにして前記第１方向に延びるパターンとして形成できる。但し、前記遮光領域（ＢＭ）内には、前記第２方向の寸法が、各画素領域よりも小さいブリッジ部ＧＢＲが配置されうる。前記ブリッジ部ＧＢＲは、前記第２カラーフィルタＧがともに配置される隣り合う二つの画素領域の間の遮光領域（ＢＭ）内に配置されて、前記二つの画素領域をそれぞれ覆う前記第２カラーフィルタＧのパターン（矩形状パターン）を互いに連結することができる。
【0077】
前記ブリッジ部ＧＢＲは、前記第１カラーフィルタＲ及び前記第３カラーフィルタＢと重なりうる。このように重なることによって、前記ブリッジ部ＧＢＲが形成される領域では、前記第１カラーフィルタＲ、前記第２カラーフィルタＧ、及び前記第３カラーフィルタＢが互いに重ね合わせられて、第２コラムスペーサーＳＣＳ２の機能を果たすことができる（図２及び図５ｂ参照）。
【0078】
また、前記ブリッジ部ＧＢＲは、前記画素電極ＰＥのためのコンタクトホール（図４のＣＮＴ参照）及び前記第３または第４薄膜トランジスタＴＦＴ３、ＴＦＴ４と重ならないように形成されることが好ましい。これは、前記コンタクトホールは前記第１～第３カラーフィルタを貫通して形成されなければならず、前記第３または第４薄膜トランジスタＴＦＴ３、ＴＦＴ４が形成された部分では前記薄膜トランジスタの構造による下部膜の厚さが高いので、前記第２コラムスペーサーが形成される適切な位置でないためである。
【0079】
前記ブリッジ部ＧＢＲは、前記画素領域に配置される前記第２カラーフィルタＧと一体に形成できる。
【0080】
即ち、前記第２カラーフィルタＧは、前記第１方向（Ｄ１）に複数個の画素領域にわたって延びるストリップ（strip）状または帯状に形成されており、前記第１方向（Ｄ１）に隣り合う２つの画素領域をそれぞれ覆う前記第２カラーフィルタＧの矩形状パターンが、これら２つの画素領域同士の間の遮光領域（ＢＭ）で、前記第２方向（Ｄ２）での寸法が比較的小さい矩形状の前記ブリッジ部ＢＲＧにより、互いに連結されるという構造を有することができる。
【0081】
前記第３カラーフィルタＢは、前記第１及び第２カラーフィルタＲ、Ｇが配置された状態の前記第１絶縁層１２０上に配置できる。前記第３カラーフィルタＢは、前記液晶層ＬＣを透過する光に色を提供するためのものであって、青色カラーフィルタ（blue color filter）でありうる。
【0082】
前記第３カラーフィルタＢは、前記第５画素領域（ＰＸ５）内、前記第６画素領域（ＰＸ６）内、及び前記遮光領域（ＢＭ）内にわたって配置できる。具体的に、図３ｃを再び参照すると、前記第３カラーフィルタＢは、前記第５画素領域（ＰＸ５）に隣接する前記第５薄膜トランジスタＴＦＴ５が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第５画素領域（ＰＸ５）、前記第５画素領域（ＰＸ５）と前記第６画素領域（ＰＸ６）との間の遮光領域（ＢＭ）、及び、前記第６画素領域（ＰＸ６）を覆うように前記第１方向（Ｄ１）に延びる、幅が一定の帯状パターンを含むように形成できる。また、前記第３カラーフィルタＢは、前記第１薄膜トランジスタＴＦＴ１が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第３薄膜トランジスタＴＦＴ３が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第５薄膜トランジスタＴＦＴ５が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）を覆うように前記第２方向（Ｄ２）に延びる帯状パターンをも含むように形成できる。また、前記第３カラーフィルタＢは、前記第２薄膜トランジスタＴＦＴ２が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第４薄膜トランジスタＴＦＴ４が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第６薄膜トランジスタＴＦＴ６が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）を覆うように前記第２方向（Ｄ２）に延びる帯状パターンをも含むように形成できる。
【0083】
即ち、前記第３カラーフィルタＢのパターンは、前記第１方向（Ｄ１）に、複数個の画素領域にわたって延びる等幅のストリップ（strip）状または帯状に形成された部分と、前記第２方向（Ｄ２）に、複数個の画素領域に対応する遮光領域（ＢＭ）にわたって延びる部分とを含むように形成できる。
【0084】
また、前記第３カラーフィルタＢのパターンには、各画素領域中の画素電極のためのコンタクトホールに対応して、前記第３カラーフィルタＢが形成されない部分である開口領域（ＢＯＰ）が形成されうる。
【0085】
以上のことから、前記ゲート電極ＧＥ、前記アクティブパターンＡＣＴ、前記ソース電極ＳＥ、及び前記ドレイン電極ＤＥを含む前記第１薄膜トランジスタＴＦＴ１は、前記第１カラーフィルタＲが配置される第１画素領域（ＰＸ１）に対応して形成され、前記第２薄膜トランジスタＴＦＴ２は前記第１カラーフィルタＲが配置される第２画素領域（ＰＸ２）に対応して形成され、前記第３薄膜トランジスタＴＦＴ３は前記第２カラーフィルタＧが配置される第３画素領域（ＰＸ３）に対応して形成され、前記第４薄膜トランジスタＴＦＴ４は前記第２カラーフィルタＧが配置される第４画素領域（ＰＸ４）に対応して形成され、前記第５薄膜トランジスタＴＦＴ５は前記第３カラーフィルタＢが配置される第５画素領域（ＰＸ５）に対応して形成され、前記第６薄膜トランジスタＴＦＴ６は前記第３カラーフィルタＢが配置される第６画素領域（ＰＸ６）に対応して形成できる。
【0086】
前記有機膜１３０は、前記第１～第３カラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂ上に配置できる。前記有機膜１３０は、有機絶縁物質を含むことができる。前記有機膜１３０は、前記第１～第３カラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂをカバーし、平坦な上面を有することができる。
【0087】
前記透明電極パターンは、前記有機膜１３０上に配置できる。前記透明電極パターンは、透明導電物質を含むことができる。例えば、前記透明導電パターンは、酸化インジウムスズ（indium tin oxide：ＩＴＯ）、酸化亜鉛スズ（indium zinc oxide：ＩＺＯ）などを含むことができる。前記透明電極パターンは遮蔽電極ＳＣＯＭ及び画素電極ＰＥを含むことができる。
【0088】
図４ａ及び４ｂを再び参照すると、前記遮蔽電極ＳＣＯＭは、前記第１及び第２データラインＤＬ１、ＤＬ２、及び、前記第１～第３ゲートラインＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬ３と重なり合い、これらに沿って延びるように配置できる。これによって、前記遮蔽電極ＳＣＯＭは、前記遮光領域（ＢＭ）に対応する網（mesh）状ないしは格子状の構造を形成することができる。前記遮蔽電極ＳＣＯＭには遮蔽電圧が印加されて、遮蔽電極ＳＣＯＭに重なる部分における液晶層ＬＣの液晶分子を、ブラック（black）の配向状態に保つように制御することができる。
【0089】
例えば、ノーマリブラックモードの液晶駆動方式、特には図示のように垂直配向（ＶＡ）モードの液晶駆動方式を用いるとともに、上部基板の共通電極ＣＥに印加する共通電圧と実質的に同一の電圧を、下部基板の遮蔽電極ＳＣＯＭに印加することで、遮蔽電極ＳＣＯＭの近傍の領域をブラック（black）の状態に維持することができる。
【0090】
前記画素電極ＰＥは、前記第１～第６画素領域（ＰＸ１～ＰＸ６）内に、それぞれ形成できる。前記画素電極ＰＥは、前記有機膜１３０、前記第１～第３カラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂの層を貫いて形成されて前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極（または、前記ドレイン電極と連結されるコンタクトパッド）を露出するコンタクトホールＣＮＴを通じて前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極と電気的に連結できる。
【0091】
図４ａに示すように、前記画素電極ＰＥは、前記第１方向（Ｄ１）または前記第２方向（Ｄ２）に延びる幹を含み、前記画素電極ＰＥには、前記幹から前記画素電極ＰＥの縁の側へと延びる複数のスリット（ＳＬ）が形成されたものでありうる。前記画素電極ＰＥの前記幹は、前記第１、第２、または第３フローティング電極ＦＥ１、ＦＥ２、ＦＥ３と重なり合うように配置できる。
【0092】
図５ｃ及び図５ａにそれぞれ示す、前記メーンコラムスペーサーＭＣＳ及び前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１は、前記有機膜１３０上に配置できる。前記メーンコラムスペーサーＭＣＳは、前記上部基板と接して前記上部基板と下部基板との間のセルギャップを維持することができる。前記メーンコラムスペーサーＭＣＳと前記上部基板との間に前記第１配向膜ＡＬ１がさらに配置できる。前記メーンコラムスペーサーＭＣＳは、前記第６薄膜トランジスタＴＦＴ６と重なるように配置できる。前記メーンコラムスペーサーＭＣＳは、図面に図示された個所以外にも必要な個所に適切な個数が形成できる。
【0093】
前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１は前記メーンコラムスペーサーＭＣＳより低く形成され、前記液晶表示装置が外力により押された場合、前記上部基板と下部基板との間に所定の寸法の押されギャップを維持することができる。前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１は、前記第１薄膜トランジスタＴＦＴ１及び前記第２薄膜トランジスタＴＦＴ２と重なるように形成できる。前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１は、図面に図示された個所の以外にも必要な個所に適切な個数が形成できる。前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１は、ハーフトーンマスクなどを用いて前記メーンコラムスペーサーＭＣＳと共に形成できる。
【0094】
前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１は、前記メーンコラムスペーサーＭＣＳより多い個数が形成できる。したがって、前記表示装置の全体に対し、前記メーンコラムスペーサーＭＣＳの密度は前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１の密度より小さいのでありうる。一方、前記表示装置は後述する第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２を含むので、前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１は省略できる。
【0095】
一方、図５ｂを再び参照すると、前記第１カラーフィルタＲ、前記第２カラーフィルタＧ、及び前記第３カラーフィルタＢが互いに重畳した領域、即ち前記ブリッジ部ＧＢＲが配置された領域は、一つまたは二つのカラーフィルタのみ重畳された部分に比べて前記第１ベース基板１００からの高さがより高いので、第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２を構成することができる。これによって、前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１と共に押されギャップを効果的に維持することができる。
【0096】
特に、前記第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２を構成する層はハーフトーンマスクを使用せず、フルトーン（full tone）露光工程を通じて形成されるので、前記第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２の間の偏差が非常に小さい。一般的に、ハーフトーンマスクを用いて形成される前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１であると、前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１の間の高さ偏差が発生しうるが、ハーフトーンマスクを用いて形成される部分がない前記第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２であると、前記第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２の間の偏差が非常に小さいのでありうる。したがって、均一な高さの複数の前記第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２を形成することができる。
【0097】
本実施形態では、前記メーンコラムスペーサーＭＣＳ及び前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１は、前記遮蔽電極ＳＣＯＭと重畳しないように配置されているが、必要によって、前記メーンコラムスペーサーＭＣＳ及び前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１は、前記遮蔽電極ＳＣＯＭと重なるようにも設計されうる。
【0098】
前記第１配向膜ＡＬ１は、前記透明電極パターン、前記メーンコラムスペーサーＭＣＳ、前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ、及び前記有機膜１３０上に配置できる。前記第１配向膜ＡＬ１は、前記液晶層ＬＣの液晶分子を配向できる配向物質を含むことができる。
【0099】
前記上部基板は、第２ベース基板２００、共通電極ＣＥ、第２配向膜ＡＬ２、及び第２偏光板ＰＯＬ２を含むことができる。
【0100】
前記第２ベース基板２００は、透明絶縁基板を含むことができる。例えば、前記第２ベース基板２００は、ガラス基板、石英基板、透明樹脂基板などで構成できる。この場合、前記透明樹脂基板は、ポリイミド系（polyimide-based）樹脂、アクリル系（acryl-based）樹脂、ポリアクリレート系（polyacrylate-based）樹脂、ポリカーボネート系（polycarbonate-based）樹脂、ポリエーテル系（polyether-based）樹脂、スルホン酸系（sulfonic acid-based）樹脂、ポリエチレンテレフタレート系（polyethylene terephthalate-based）樹脂などを含むことができる。
【0101】
前記共通電極ＣＥは、前記第２ベース基板２００上に配置できる。前記共通電極ＣＥには共通電圧が印加できる。前記共通電極ＣＥは、透明導電物質を含むことができる。例えば、前記共通電極ＣＥは、酸化インジウムスズ（indium tin oxide：ＩＴＯ）、酸化亜鉛スズ（indium zinc oxide：ＩＺＯ）などを含むことができる。
【0102】
前記第２配向膜ＡＬ２は、前記共通電極ＣＥ上に配置できる。前記第２配向膜ＡＬ２は、前記液晶層ＬＣの液晶分子を配向できる配向物質を含むことができる。一方、前記第１及び第２配向膜ＡＬ１、ＡＬ２は、前記液晶層ＬＣの構成物質により、必要に応じて省略できる。前記第１及び第２配向膜ＡＬ１、ＡＬ２が省略される場合、前記メーンコラムスペーサーＭＣＳは、前記共通電極ＣＥに直接接触することができる。
【0103】
前記第２偏光板ＰＯＬ２は、前記第２ベース基板２００上に前記共通電極ＣＥが形成された面の反対側に取り付けられうる。前記第２偏光板ＰＯＬ２は、透過する光を偏光させることができ、一般的に使われるＰＶＡ（poly vinyl alcohol）偏光板が使用できる。前記第２偏光板ＰＯＬ２の偏光軸は、前記第１偏光板ＰＯＬ１の偏光軸と垂直でありうる。図示してはいないが、他の実施形態によれば、前記第２偏光板ＰＯＬ２は、前記第２ベース基板２００上に形成されるワイヤーグリッド偏光素子でありうる。
【0104】
前記液晶層ＬＣは、前記第１配向膜ＡＬ１と前記第２配向膜ＡＬ２との間に配置できる。前記液晶層ＬＣは光学的異方性を有する液晶分子を含むことができる。前記液晶分子は、電界により駆動されて前記液晶層ＬＣを通り過ぎようとする光を、透過または遮断させて映像を表示することができる。
【0105】
本実施形態によれば、光が遮断される前記遮光領域（ＢＭ）は、前記データラインと重なり合う部分だけでなく、前記ゲートラインと重なり合うように形成された部分をさらに含むことができ、これによって、網（mesh）状または格子状の配置構造をなすように形成できる。前記遮光領域（ＢＭ）における前記第２方向（Ｄ２）に延びる部分では、前記第１及び第３カラーフィルタ（Ｒ、Ｂ）が重ね合わされるだけでなく、前記第１フローティング電極ＦＥ１、前記ゲートパターン及び前記データパターンと組み合わされて遮光を行い、さらに前記遮蔽電極ＳＣＯＭの作用が加わることにより遮光機能が極大化できる。
【0106】
また、前記遮光領域（ＢＭ）の前記第１方向（Ｄ１）に延びる部分では、前記ゲートライン及び前記遮蔽電極ＳＣＯＭにより遮光機能が極大化できる。これによって、前記表示装置は別途の遮光層無しでも、遮光領域を具現することができる。
【0107】
また、前記ブリッジ部ＢＧＲにより前記第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２が形成されるので、前記表示装置は、強くタッチされた場合などにも、所定の押されギャップを効果的に維持することができる。
【0108】
好ましい実施形態において、前記遮光領域（ＢＭ）は、第１方向Ｄ１に沿って連続して延びる第１遮光部分ＢＭ１、及び、前記第１方向に交差する第２方向Ｄ２に沿って延びるようにして、第１遮光部分ＢＭ１を繋（つな）ぎ合わせる第２遮光部分ＢＭ２を含み、これら第１及び第２遮光部分が組み合わさって網（mesh）状または格子状をなしている。第１遮光部分ＢＭ１及び第２遮光部分ＢＭ２は、いずれも、幅が一定の帯状であり、第２遮光部分ＢＭ２の幅は、第１遮光部分ＢＭ１の幅より大きい。
【0109】
好ましい実施形態において、各第２遮光部分ＢＭ２は、少なくとも一つの薄膜トランジスタＴＦＴ、及び、少なくとも一つのコンタクトホールＣＮＴを含み、これらにより、隣接する少なくとも一つの画素電極ＰＥへのデータ電圧の書き込みを行う。各第２遮光部分ＢＭ２は、第２方向に沿って並ぶ３つの部分を含む。これら３つの部分は、薄膜トランジスタＴＦＴ１～６の近傍の領域であるＴＦＴ遮光部ＢＭ２-Ａ、コンタクトホールＣＮＴの近傍であるコンタクトホール部ＢＭ２-Ｂ、及び、他の配線パターンのない矩形状の配線空隙部ＢＭ２-Ｃである。なお、図示の具体例では、コンタクトホール部ＢＭ２-Ｂとデータラインとに挟まれる領域が、サブ配線空隙部ＢＭ２-Ｄをなしており、配線空隙部ＢＭ２-Ｃは、コンタクトホール部ＢＭ２-Ｂ及びサブ配線空隙部ＢＭ２-Ｄと、ゲートラインとに挟まれる矩形状の領域である。
【0110】
各第２遮光部分ＢＭ２では、コンタクトホール部ＢＭ２-Ｂを除く全体にわたって、第１カラーフィルタＲと第３カラーフィルタＢとの２層の積層膜ＲＢが備えられ、この積層膜ＲＢが遮光に寄与する。また、複数の第２遮光部分ＢＭ２のうち、第２カラーフィルタＧが備えられる２つの画素領域ＰＸ３，ＰＸ４に挟まれる第２遮光部分ＢＭ２では、配線空隙部ＢＭ２-Ｃの全体にわたって、第１～３カラーフィルタＲ，Ｇ，Ｂの３層の積層膜によるブリッジ部ＧＢＲが配置される。このブリッジ部ＧＢＲは、図５ａ及び５ｃに示すような、薄膜トランジスタＴＦＴの頂部に配置されるコラムスペーサーに比べて、面積が大きい。また、全体にわたって、厚み（高さ）が等しい。そのため、表示装置が押さえ付けられた場合に、応力が広い面積に分散することとなり、コラムスペーサーの損傷などを防ぐことができる。特には、例えばＲＧＢの三原色構成の場合、第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２としてのブリッジ部ＧＢＲを、３つの画素領域に一つの割合で画像表示領域の全体にわたって均一に分布させることができる。
【0111】
一方、遮蔽電極ＳＣＯＭは、図示の実施形態において、ゲートラインＧＬに、ほぼ重なり合うように配置される第１遮蔽電極部ＳＣＯＭ１と、これらの間で、データラインＤＬに重なり合うように配置される第２遮蔽電極部ＳＣＯＭ２とを含む。なお、図示の具体例において、ゲートラインＧＬの幅は、データラインＤＬとの交差部の近傍以外において、第１遮蔽電極部ＳＣＯＭ１の幅より大きい。また、遮蔽電極ＳＣＯＭは、薄膜トランジスタＴＦＴの近傍で、第１遮蔽電極部ＳＣＯＭ１から枝状に突き出した第３遮蔽電極部ＳＣＯＭ３を含む。この第３遮蔽電極部ＳＣＯＭ３は、薄膜トランジスタＴＦＴと、画素電極ＰＥとの間に配置される。このように、薄膜トランジスタＴＦＴを、第１～３遮蔽電極部ＳＣＯＭ１～３により三方から囲むことで、表示面側からの外光が薄膜トランジスタＴＦＴに到達するのを確実に防止している。
【0112】
図６は、本発明の一実施形態に係る表示装置の第１～第６画素領域を詳細に示す平面図である。図７は、図６の表示装置の第２カラーフィルタを示す平面図である。図８ａから図８ｃは、各々図６の表示装置のI-I’線、II-II’線、III-III’線を切断した断面図である。
【0113】
【0114】
前記第２カラーフィルタＧは、第３画素領域（ＰＸ３）及び第４画素領域（ＰＸ４）内に配置できる。具体的に、図７をまた参照すると、前記第２カラーフィルタＧは前記第３画素領域（ＰＸ３）及び前記第４画素領域（ＰＸ４）に沿って前記第１方向に延びながら形成できる。前記遮光領域（ＢＭ）内にブリッジ部ＧＢＲが配置できる。前記ブリッジ部ＧＢＲは隣り合う前記第２カラーフィルタＧが配置される二つの画素領域の間の遮光領域（ＢＭ）内に配置されて前記二つの画素領域の前記第２カラーフィルタＧを連結することができる。
【0115】
前記第２カラーフィルタＧは、前記第３画素領域（ＰＸ３）及び前記第４画素領域（ＰＸ４）で第１厚さ（ｔ１）を有することができる。前記ブリッジ部ＧＢＲは、前記遮光領域（ＢＭ）内で前記第１厚さ（ｔ１）より小さな第２厚さ（ｔ２）を有することができる。
【0116】
前記ブリッジ部ＧＢＲは、前記第１カラーフィルタＲ及び前記第３カラーフィルタＢと重畳することができる。これによって、前記ブリッジ部ＧＢＲが形成される領域では前記第１カラーフィルタＲ、前記ブリッジ部ＧＢＲ、及び前記第３カラーフィルタＢが互いに重畳して第２コラムスペーサーＳＣＳ２の機能をすることができる。この際、前記第２厚さ（ｔ２）を有する前記ブリッジ部ＧＢＲはハーフトーンマスクにより形成できる。即ち、前記第１厚さ（ｔ１）を有する部分である前記第２カラーフィルタＧはフルトーン（full tone）露光により、前記第２厚さ（ｔ２）を有する部分である前記ブリッジ部ＧＢＲはハーフトーンマスクを用いたハーフトーン露光により形成できる。
【0117】
これによって、前記第２コラムスペーサーＳＣＳ２の高さは図２に図示された表示装置の第２コラムスペーサーより低いことがあり、このように前記ブリッジ部ＢＧＲの厚さを調節して前記第２コラムスペーサーＳＣＳ２の高さを適切に調節することが可能である。
【0118】
図９は、本発明の一実施形態に係る表示装置の第１～第８画素領域を詳細に示す平面図である。
【0119】
図１０ａから図１０ｄは、各々図８の表示装置の第１カラーフィルタ、第２カラーフィルタ、第３カラーフィルタ、及び第４カラーフィルタを示す平面図である。図１１ａから図１１ｄは、各々図９の表示装置のI-I’線、II-II’線、III-III’線、IV-IV’線で切断した断面図である。
【0120】
図９、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、及び１１ｄを参照すると、前記表示装置は第４カラーフィルタＷをさらに含むことを除いて、図２の表示装置と実質的に同一でありうる。したがって、反復説明は省略する。
【0121】
前記表示装置は、第２方向（Ｄ２）及び第１方向（Ｄ１）に４＊２マトリックス形態に配列される第１画素領域（ＰＸ１）、第２画素領域（ＰＸ２）、第３画素領域（ＰＸ３）、第４画素領域（ＰＸ４）、第５画素領域（ＰＸ５）、第６画素領域（ＰＸ６）、第７画素領域（ＰＸ７）、第８画素領域（ＰＸ８）、及び前記第１～第８画素領域（ＰＸ１～ＰＸ８）の間に配置される遮光領域（ＢＭ）を含むことができる。
【0122】
前記第１カラーフィルタＲは前記液晶層ＬＣを透過する光に色を提供するためのものであって、赤色カラーフィルタ（red color filter）でありうる。前記第１カラーフィルタＲは、前記第１画素領域（ＰＸ１）、前記第２画素領域（ＰＸ２）、及び前記遮光領域（ＢＭ）内に配置できる。具体的に、図１０ａをまた参照すると、前記第１カラーフィルタＲは前記第１画素領域（ＰＸ１）に隣接する第１薄膜トランジスタＴＦＴ１が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第１画素領域（ＰＸ１）、前記第１画素領域（ＰＸ１）と前記第２画素領域（ＰＸ２）との間の遮光領域（ＢＭ）、及び前記第２画素領域（ＰＸ２）に沿って前記第１方向（Ｄ１）に延びながら形成できる。また、前記第１カラーフィルタＲは、前記第１薄膜トランジスタＴＦＴ１が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、第３薄膜トランジスタＴＦＴ３が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、第５薄膜トランジスタＴＦＴ５が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、及び第７薄膜トランジスタＴＦＴ７が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）に沿って前記第２方向（Ｄ２）に延びながら形成できる。また、前記第１カラーフィルタＲは、第２薄膜トランジスタＴＦＴ２が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、第４薄膜トランジスタＴＦＴ４が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、第６薄膜トランジスタＴＦＴ６が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、及び第８薄膜トランジスタＴＦＴ８が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）に沿って前記第２方向（Ｄ２）に延びながら形成できる。
【0123】
即ち、前記第１カラーフィルタＲは前記第１方向（Ｄ１）に複数個の画素領域に沿ってストリップ（strip）形状に形成され、前記第２方向（Ｄ２）に複数個の画素領域に対応する遮光領域（ＢＭ）に沿って形成できる。
【0124】
また、前記第１カラーフィルタＲには各々の画素領域に対応する画素電極のためのコンタクトホールに対応して、前記第１カラーフィルタＲが形成されない部分である開口領域（ＲＯＰ）が形成できる。
【0125】
前記第２カラーフィルタＧは前記液晶層ＬＣを透過する光に色を提供するためのものであって、緑色カラーフィルタ（green color filter）でありうる。前記第２カラーフィルタＧは、前記第３画素領域（ＰＸ３）及び前記第４画素領域（ＰＸ４）内に配置できる。具体的に、図１０ｂをまた参照すると、前記第２カラーフィルタＧは前記第３画素領域（ＰＸ３）及び前記第４画素領域（ＰＸ４）に沿って前記第１方向に延びながら形成できる。前記遮光領域（ＢＭ）内にブリッジ部ＧＢＲが形成できる。前記ブリッジ部ＧＢＲは隣り合う前記第２カラーフィルタＧが配置される二つの画素領域の間の遮光領域（ＢＭ）内に配置されて、前記二つの画素領域の前記第２カラーフィルタＧを連結することができる。
【0126】
即ち、前記第２カラーフィルタＧは前記第１方向（Ｄ１）に複数個の画素領域に沿ってストリップ（strip）形状に形成され、前記第２カラーフィルタＧが配置される画素領域の間の遮光領域（ＢＭ）で前記ブリッジ部ＢＲＧにより互いに連結される構造を有することができる。
【0127】
前記第３カラーフィルタＢは前記液晶層ＬＣを透過する光に色を提供するためのものであって、青色カラーフィルタ（blue color filter）でありうる。前記第３カラーフィルタＢは、前記第７画素領域（ＰＸ７）、前記第８画素領域（ＰＸ８）、及び前記遮光領域（ＢＭ）内に配置できる。具体的に、図１０ｃをまた参照すると、前記第３カラーフィルタＢは前記第７画素領域（ＰＸ７）に隣接する前記第７薄膜トランジスタＴＦＴ７が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第７画素領域（ＰＸ７）、前記第７画素領域（ＰＸ７）と前記第８画素領域（ＰＸ８）との間の遮光領域（ＢＭ）、及び前記第８画素領域（ＰＸ８）に沿って前記第１方向（Ｄ１）に延びながら形成できる。また、前記第３カラーフィルタＢは前記第１薄膜トランジスタＴＦＴ１が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第３薄膜トランジスタＴＦＴ３が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第５薄膜トランジスタＴＦＴ５が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、及び前記第７薄膜トランジスタＴＦＴ７が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）に沿って前記第２方向（Ｄ２）に延びながら形成できる。また、前記第３カラーフィルタＢは前記第２薄膜トランジスタＴＦＴ２が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第４薄膜トランジスタＴＦＴ４が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第６薄膜トランジスタＴＦＴ６が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、及び前記第８薄膜トランジスタＴＦＴ８が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）に沿って前記第２方向（Ｄ２）に延びながら形成できる。
【0128】
即ち、前記第３カラーフィルタＢは前記第１方向（Ｄ１）に複数個の画素領域に沿ってストリップ（strip）形状に形成され、前記第２方向（Ｄ２）に複数個の画素領域に対応する遮光領域（ＢＭ）に沿って形成できる。
【0129】
また、前記第３カラーフィルタＢには各々の画素領域に対応する画素電極のためのコンタクトホールに対応して、前記第３カラーフィルタＢが形成されない部分である開口領域（ＢＯＰ）が形成できる。
【0130】
前記第４カラーフィルタＷは透明カラーフィルタであって、前記第１～第８画素領域（ＰＸ１～ＰＸ８）の全体に配置できる。これによって、前記第５画素領域（ＰＸ５）及び前記第６画素領域（ＰＸ６）は白色画素（white pixel）の役割をすることができる。前記第４カラーフィルタＷには各々の画素領域に対応する画素電極のためのコンタクトホールに対応して、前記第４カラーフィルタＷが形成されない部分である開口領域（ＷＯＰ）が形成できる。
【0131】
前記第４カラーフィルタＷは透明であるので、前記第５画素領域（ＰＸ５）及び前記第６画素領域（ＰＸ６）だけでなく、前記第１ベース基板１００の全体に対して形成できる。これによって、図２の表示装置とは異なるように別途の有機膜（図５ａの１３０参照）が省略できる。
【0132】
【0133】
図１２、図１３ａ、及び図１３ｂを参照すると、前記表示装置はブリッジ部ＧＢＲが一部の領域で省略され、ブリッジ部ＢＧＲが形成された部分では遮蔽電極ＳＣＯＭが省かれることで途切れている構造を有することを除いて、図２の表示装置と実質的に同一でありうる。したがって、反復説明は省略する。
【0134】
前記表示装置は、複数の画素領域を含むことができる。各画素領域は赤色カラーフィルタＲを含む赤色画素、緑色カラーフィルタＧを含む緑色画素、または青色カラーフィルタＢを含む青色画素を形成することができる。前記赤色画素、前記緑色画素、及び前記青色画素は、各々第１方向（Ｄ１）に延長され、ストリップ（strip）形状に配置できる。
【0135】
隣り合う緑色画素の間の遮光領域（ＢＭ）にはブリッジ部ＧＢＲが形成された部分と形成されない部分が存在し、これによって、前記緑色カラーフィルタＧは幾つの画素領域内で互いに連結できる。前記ブリッジ部ＧＢＲが形成されない部分は一定の間隔で配列されることもでき、ランダム（random）に配列されることもできる。
【0136】
前記ブリッジ部ＧＢＲが形成されない部分、例えば、図面上の第２画素（ＰＸ２）と第３画素（ＰＸ３）の間では第２方向（Ｄ２）に延びる前記遮蔽電極ＳＣＯＭが切れるように形成できる。これによって、前記ブリッジ部ＧＢＲと前記遮蔽電極ＳＣＯＭとが重畳しないことがある。
【0137】
前記ブリッジ部ＧＢＲが形成される部分は、第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２の機能をするが、前記ブリッジ部ＧＢＲが前記遮蔽電極ＳＣＯＭと重畳する場合、表示パネルの圧縮により前記遮蔽電極ＳＣＯＭが損傷される危険がある。本実施形態によれば、前記遮蔽電極ＳＣＯＭは前記ブリッジ部ＧＢＲと重畳しないので、前記表示パネルの圧縮にも関わらず、前記遮蔽電極ＳＣＯＭの損傷が最小化できる。
【0138】
図１４は、本発明の一実施形態に係る表示装置の第１～第６画素領域を詳細に示す平面図である。図１５ａから図１５ｃは、各々図１４の表示装置の第１カラーフィルタ、第２カラーフィルタ、及び第３カラーフィルタを示す平面図である。図１６ａから図１６ｃは、各々図１４の表示装置のI-I’線、II-II’線、III-III’線で切断した断面図である。
【0139】
【0140】
前記第１カラーフィルタＲは液晶層ＬＣを透過する光に色を提供するためのものであって、赤色カラーフィルタ（red color filter）でありうる。前記第１カラーフィルタＲは、第１画素領域（ＰＸ１）、第２画素領域（ＰＸ２）、及び遮光領域（ＢＭ）内に配置できる。具体的に、図１５ａをまた参照すると、前記第１カラーフィルタＲは前記第１画素領域（ＰＸ１）に隣接する第１薄膜トランジスタＴＦＴ１が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第１画素領域（ＰＸ１）、前記第１画素領域（ＰＸ１）と前記第２画素領域（ＰＸ２）との間の遮光領域（ＢＭ）、及び前記第２画素領域（ＰＸ２）に沿って前記第１方向（Ｄ１）に延びることで形成できる。また、前記第１カラーフィルタＲは前記第１薄膜トランジスタＴＦＴ１が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、第３薄膜トランジスタＴＦＴ３が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第５薄膜トランジスタＴＦＴ５が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）に沿って前記第２方向（Ｄ２）に延びることで形成できる。
【0141】
この際、前記第１カラーフィルタＲはブリッジ部ＧＢＲが形成される部分では形成されず、これによって、前記遮光領域（ＢＭ）に沿って形成される前記第１カラーフィルタＲが前記ブリッジ部ＧＢＲで切れた形状を有することができる。したがって、前記ブリッジ部ＧＢＲは前記第１カラーフィルタＲと完全に重畳せず、一部重畳するか、または重畳しないことがある。
【0142】
即ち、前記第１カラーフィルタＲは前記第１方向（Ｄ１）に複数個の画素領域に沿ってストリップ（strip）形状に形成され、前記第２方向（Ｄ２）に複数個の画素領域に対応する遮光領域（ＢＭ）に沿って形成され、かつ前記ブリッジ部ＧＢＲで切れた形状を有することができる。
【0143】
また、前記第１カラーフィルタＲには各々の画素領域に対応する画素電極のためのコンタクトホールに対応して、前記第１カラーフィルタＲが形成されない部分である開口領域（ＲＯＰ）が形成できる。
【0144】
これによって、第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２の高さは図２の表示装置の第２サブコラムスペーサーより低いことがある。必要によって、前記第１カラーフィルタＲが切れた長さを調節して、前記第１カラーフィルタＲと前記ブリッジ部ＧＢＲが重畳する領域を調節することができ、これによって、前記第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２の全体的な高さを調節することができる。
【0145】
本実施形態によれば、前記第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２の高さを決定する前記第１カラーフィルタＲ、前記第２カラーフィルタＧ、及び第３カラーフィルタＢは、全てハーフトーン露光工程が含まれず、フルトーン（full tone）露光工程を通じて形成される層であるので、ハーフトーン露光工程により形成されるサブコラムスペーサーの高さ偏差問題を解決することができる。
【0146】
図１７は、本発明の一実施形態に係る表示装置の第１～第６画素領域を詳細に示す平面図である。図１８ａから図１８ｃは、各々図１７の表示装置の第１カラーフィルタ、第２カラーフィルタ、及び第３カラーフィルタを示す平面図である。図１９ａから図１９ｃは、各々図１７の表示装置のI-I’線、II-II’線、III-III’線で切断した断面図である。
【0147】
【0148】
前記第３カラーフィルタＢは、第５画素領域（ＰＸ５）、第６画素領域（ＰＸ６）、及び前記遮光領域（ＢＭ）内に配置できる。具体的に、図１８ｃをまた参照すると、前記第３カラーフィルタＢは前記第５画素領域（ＰＸ５）に隣接する第５薄膜トランジスタＴＦＴ５が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第５画素領域（ＰＸ５）、前記第５画素領域（ＰＸ５）と前記第６画素領域（ＰＸ６）との間の遮光領域（ＢＭ）、及び前記第６画素領域（ＰＸ６）に沿って前記第１方向（Ｄ１）に延びながら形成できる。また、前記第３カラーフィルタＢは、前記第１薄膜トランジスタＴＦＴ１が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第３薄膜トランジスタＴＦＴ３が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）、前記第５薄膜トランジスタＴＦＴ５が配置される部分の遮光領域（ＢＭ）に沿って前記第２方向（Ｄ２）に延びることで形成できる。
【0149】
この際、前記第３カラーフィルタＢはブリッジ部ＧＢＲが形成される部分では形成されず、これによって、前記遮光領域（ＢＭ）に沿って形成される前記第３カラーフィルタＢが前記ブリッジ部ＧＢＲで切れた形状を有することができる。したがって、前記ブリッジ部ＧＢＲは前記第３カラーフィルタＢと完全に重畳せず、一部重畳するか、または重畳しないことがある。
【0150】
即ち、前記第３カラーフィルタＢは前記第１方向（Ｄ１）に複数個の画素領域に沿ってストリップ（strip）形状に形成され、前記第２方向（Ｄ２）に複数個の画素領域に対応する遮光領域（ＢＭ）に沿って形成され、かつ前記ブリッジ部ＧＢＲで省かれることで途切れた形状を有することができる。
【0151】
また、前記第３カラーフィルタＢには各々の画素領域に対応する画素電極のためのコンタクトホールに対応して、前記第３カラーフィルタＢが形成されない部分である開口領域（ＢＯＰ）が形成できる。
【0152】
これによって、第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２の高さは図２の表示装置の第２サブコラムスペーサーより低いことがある。必要によって、前記第３カラーフィルタＢが切れた長さを調節して、前記第３カラーフィルタＢと前記ブリッジ部ＧＢＲが重畳する領域を調節することができ、これによって、前記第２サブコラムスペーサーＳＣＳ２の全体的な高さを調節することができる。
【0153】
【0154】
図２０ａを参照すると、バッファ層１１０が第１ベース基板１００上に形成できる。前記バッファ層１１０は、スピンコーティング（spin coating）工程、化学気相蒸着（ＣＶＤ）工程、プラズマ増大化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）工程、高密度プラズマ－化学気相蒸着（ＨＤＰ－ＣＶＤ）工程、プリンティング（printing）工程などを用いて収得できる。
【0155】
ゲートパターンが前記バッファ層１１０上に形成できる。前記ゲートパターンは複数のゲートライン、第１～第３フローティング電極及びゲート電極を含むことができる。前記バッファ層１１０上に導電膜（図示せず）を形成した後、写真エッチング工程または追加的なエッチングマスクを用いるエッチング工程などを用いて前記導電膜をパターニングすることによって、前記ゲートパターンを収得することができる。ここで、前記導電膜は、プリンティング工程、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、パルスレーザー蒸着（ＰＬＤ）工程、真空蒸着工程、原子層積層（ＡＬＤ）工程などを用いて形成できる。
【0156】
図２０ｂを参照すると、第１絶縁層１２０を前記ゲートパターンが形成された前記バッファ層１１０上に形成できる。前記第１絶縁層１２０は、スピンコーティング工程、化学気相蒸着工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、高密度プラズマ－化学気相蒸着工程などを用いて収得できる。
【0157】
アクティブパターンＡＣＴ及びデータパターンが前記第１絶縁層１２０上に形成できる。前記データパターンは、複数のデータライン、ソース電極、ドレイン電極を含むことができる。前記第１絶縁層１１０上にアクティブ層（図示せず）を形成した後、前記アクティブ層上に導電膜を形成することができる。以後、前記導電膜及び前記アクティブ層を同時にパターニングして前記アクティブパターン及び前記データパターンを形成することができる。
【0158】
図２０ｃを参照すると、第１カラーフィルタＲを前記データパターンが形成された前記第１絶縁層１２０上に形成できる。前記第１カラーフィルタＲは前記第１絶縁層１２０上に感光性レジストを塗布した後、マスクを用いて露光（exposure）及び現像（development）を通じてパターニングして形成することができる。この際、前記マスクは透過部及び遮光部を含むフルトーン（full tone）マスクでありうる。一方、前記第１カラーフィルタＲはインクジェット方法など、他の方法によっても形成できる。
【0159】
図２０ｄを参照すると、第２カラーフィルタＧが前記第１カラーフィルタＲ及び前記第１絶縁層１２０上に形成できる。前記第２カラーフィルタＧは、前記第１カラーフィルタＲ及び前記第１絶縁層１２０上に感光性レジストを塗布した後、マスクを用いて露光及び現像を通じてパターニングして形成することができる。この際、前記マスクは透過部及び遮光部を含むフルトーン（full tone）マスクでありうる。一方、前記第２カラーフィルタＧはインクジェット方法など、他の方法によっても形成できる。
【0160】
図２０ｅを参照すると、第３カラーフィルタＢが前記第１カラーフィルタＲ、前記第２カラーフィルタＧ、及び前記第１絶縁層１２０上に形成できる。前記第３カラーフィルタＢは、前記第１カラーフィルタＲ、前記第２カラーフィルタＧ、及び前記第１絶縁層１２０上に感光性レジストを塗布した後、マスクを用いて露光及び現像を通じてパターニングして形成することができる。この際、前記マスクは光を透過する透過部及び光を遮断する遮光部を含むフルトーン（full tone）マスクでありうる。一方、前記第３カラーフィルタＢはインクジェット方法など、他の方法によっても形成できる。
【0161】
図２０ｆを参照すると、有機膜１３０が前記第１～第３カラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂ上に形成できる。前記有機膜１３０の構成物質によってスピンコーティング工程、プリンティング工程、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程、プラズマ増大化学気相蒸着工程、高密度プラズマ－化学気相蒸着工程、真空蒸着工程などを用いて前記有機膜１３０を収得することができる。前記有機膜１３０を形成した後、前記有機膜１３０をパターニングして、画素電極ＰＥのためのコンタクトホール（図４のＣＮＴ参照）が前記有機膜１３０を通じて形成できる。
【0162】
前記有機膜１３０上に画素電極ＰＥ及び遮蔽電極ＳＣＯＭを含む透明電極パターンが形成できる。前記透明電極パターンは、前記有機膜１３０上に前記コンタクトホールを詰めながら透明導電層を形成した後、これをパターニングして収得できる。前記透明導電層は、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、パルスレーザー蒸着工程、真空蒸着工程、原子層積層工程、プリンティング工程などを用いて収得できる。
【0163】
図２０ｇを参照すると、前記透明導電パターンが形成された前記有機膜１３０上にメーンコラムスペーサーＭＣＳ及び第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１を形成することができる。前記透明導電パターン及び前記有機膜１３０上にフォトレジスト物質を塗布した後、ハーフトーン（half tone）マスクを用いて露光及び現像を通じてパターニングして前記メーンコラムスペーサーＭＣＳ及び前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１を収得することができる。前記ハーフトーンマスクは、光を遮断する領域、光を透過するフルトーン領域、及び光を一部透過するハーフトーン領域を含むことができ、前記フルトーン領域に対応して前記メーンコラムスペーサーＭＳＣが形成され、前記ハーフトーン領域に対応して前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１が形成できる。
【0164】
前記メーンコラムスペーサーＭＣＳ及び前記第１サブコラムスペーサーＳＣＳ１が形成された前記有機膜１３０上に第１配向膜ＡＬ１を形成することができる。前記第１配向膜ＡＬ１は前記有機膜１３０上に配向液を塗布した後、ラビング（rubbing）などの物理的処理、光照射などの光学的処理、または化学的処理などの方法により形成できる。
【0165】
図２０ｈを参照すると、共通電極ＣＥが第２ベース基板２００上に形成できる。前記共通電極ＣＥは、前記第２ベース基板２００上に透明導電層を形成して形成することができる。前記透明導電層は、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、パルスレーザー蒸着工程、真空蒸着工程、原子層積層工程、プリンティング工程などを用いて収得できる。
【0166】
第２配向膜ＡＬ２が前記共通電極ＣＥ上に形成できる。前記第２配向膜ＡＬ２は、前記共通電極ＣＥ上に配向液を塗布した後、ラビング（rubbing）などの物理的処理、光照射などの光学的処理、または化学的処理などの方法により形成できる。
【0167】
前記第１配向膜ＡＬ１と前記第２配向膜ＡＬ２との間に液晶層ＬＣを形成することができる。以後、前記第１ベース基板１００と前記第２ベース基板２００の外側の面に各々第１偏光板ＰＯＬ１及び第２偏光板ＰＯＬ２を取り付けて前記表示装置を製造することができる。
【0168】
一方、図６の表示装置の製造方法は、前記第２カラーフィルタがハーフトーンマスクを用いて形成されることを除いて、図２０ａから２０ｈの表示装置の製造方法と実質的に同一でありうる。また、図９の表示装置の製造方法は、第４カラーフィルタをさらに形成することを除いて、図２０ａから２０ｈの表示装置の製造方法と実質的に同一でありうる。一方、他の実施形態に従う表示装置の製造方法もこれと類似の方法により製造できる。
【0169】
本発明の実施形態によれば、表示装置の遮光領域で、第１及び第３カラーフィルタの重畳、第１フローティング電極、ゲートパターン、データパターン、及び遮蔽電極により遮光機能が極大化できる。また、前記遮光領域の前記ゲートライン及び前記遮蔽電極により遮光機能が極大化できる。これによって、前記表示装置は別途のブラックマトリックス構造無しでも、遮光領域を具現することができる。
【0170】
また、前記表示装置のブリッジ部により第２サブコラムスペーサーが形成されるので、前記表示装置の押されギャップを効果的に維持することができる。
【0171】
以上、実施形態を参照して説明したが、該当技術分野の熟練した当業者は以下の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解することができる。
【符号の説明】
【0172】
１００ 第１ベース基板
１１０ バッファ層
１２０ 第１絶縁層
１３０ 有機膜
２００ 第２ベース基板
ＰＯＬ１ 第１偏光板
ＴＦＴ１ 第１薄膜トランジスタ
ＦＥ１ 第１フローティング電極
Ｒ 第１カラーフィルタ
Ｇ 第２カラーフィルタ
Ｂ 第３カラーフィルタ
ＬＣ 液晶層
ＰＸ１ 第１画素領域
ＢＭ 遮光領域
ＭＣＳ メーンコラムスペーサー
ＳＣＳ１ 第１サブコラムスペーサー
ＳＣＳ２ 第２サブコラムスペーサー
１１０ バッファ層
１２０ 第１絶縁層
１３０ 有機膜
２００ 第２ベース基板
ＰＯＬ１ 第１偏光板
ＴＦＴ１ 第１薄膜トランジスタ
ＦＥ１ 第１フローティング電極
Ｒ 第１カラーフィルタ
Ｇ 第２カラーフィルタ
Ｂ 第３カラーフィルタ
ＬＣ 液晶層
ＰＸ１ 第１画素領域
ＢＭ 遮光領域
ＭＣＳ メーンコラムスペーサー
ＳＣＳ１ 第１サブコラムスペーサー
ＳＣＳ２ 第２サブコラムスペーサー
【図1】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図3c】
【図4a】
【図4b】
【図5a】
【図5b】
【図5c】
【図6】
【図7】
【図8a】
【図8b】
【図8c】
【図9】
【図10a】
【図10b】
【図10c】
【図10d】
【図11a】
【図11b】
【図11c】
【図11d】
【図12】
【図13a】
【図13b】
【図14】
【図15a】
【図15b】
【図15c】
【図16a】
【図16b】
【図16c】
【図17】
【図18a】
【図18b】
【図18c】
【図19a】
【図19b】
【図19c】
【図20a】
【図20b】
【図20c】
【図20d】
【図20e】
【図20f】
【図20g】
【図20h】