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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-03-25
(45)【発行日】2022-04-04
(54)【発明の名称】タッチパネル付き表示装置
(51)【国際特許分類】
G06F 3/041 20060101AFI20220328BHJP
G06F 3/044 20060101ALI20220328BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20220328BHJP
G02F 1/1345 20060101ALI20220328BHJP
G02F 1/1333 20060101ALI20220328BHJP
【ＦＩ】
G06F3/041 430
G06F3/041 412
G06F3/041 422
G06F3/044 124
G09F9/00 366A
G02F1/1345
G02F1/1333
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2017218360
(22)【出願日】2017-11-13
(65)【公開番号】P2019091159
(43)【公開日】2019-06-13
【審査請求日】2020-10-08
(73)【特許権者】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】特許業務法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】青木 義典
(72)【発明者】
【氏名】阿部 裕行
【審査官】円子 英紀
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１４－１６４７５２（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１６／１３６２７２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１６－１９７４０２（ＪＰ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１０７２４７９２１（ＣＮ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０６Ｆ ３／０４１
Ｇ０６Ｆ ３／０４４
Ｇ０９Ｆ ９／００
Ｇ０２Ｆ １／１３４５
Ｇ０２Ｆ １／１３３３
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示領域内にマトリクス状に配置された複数のセンサ電極と、前記表示領域を囲む周辺領域に配置された電極ドライバと、
前記電極ドライバと前記複数のセンサ電極とを接続するための複数の配線と、
を備えたタッチパネル付き表示装置であって、
前記複数のセンサ電極は第１センサ電極と、第２センサ電極と、を含み、
前記複数の配線は前記第１センサ電極に接続される第１配線と、前記第２センサ電極に接続される第２配線と、を含み、
前記第２配線は前記電極ドライバが位置する端子方向とは逆の方向に引き出される複数の第１引出配線部と、前記端子方向に引き出される第２引出配線部と、を含み、
前記第１配線は前記端子方向に引き出される第２引出配線部を含み、
前記複数の第１引出配線部は連結部を介して互いに接続され、
前記第２配線の前記第２引出配線部は前記複数の前記第１引出配線部の少なくとも１本を介して前記連結部に接続され、
前記第２配線の前記第２引出配線部は第１コンタクトを介して前記第２センサ電極に接続されており、
前記第２配線の前記複数の第１引出配線部は、前記第１コンタクトを介して前記第２センサ電極に接続される第１線と、複数の第２コンタクトを夫々介して前記第２センサ電極に接続される複数の第２線と、を含むタッチパネル付き表示装置。
【請求項2】
前記連結部は前記周辺領域に形成され、
前記連結部及び前記複数の第１引出配線部は前記電極ドライバに接続される請求項１記載のタッチパネル付き表示装置。
【請求項3】
前記連結部は前記周辺領域に形成され、
前記第１線は前記第２配線の前記第２引出配線部を介して前記電極ドライバに接続され、前記複数の第２線は前記連結部、前記第１線、及び前記第２配線の前記第２引出配線部を介して前記電極ドライバに接続される請求項１記載のタッチパネル付き表示装置。
【請求項4】
前記第１センサ電極と前記第２センサ電極は形状又は面積が異なり、
前記第２センサ電極において、前記第１コンタクトの数と前記複数の第２コンタクトの数は異なる請求項１乃至請求項３のいずれか一項記載のタッチパネル付き表示装置。
【請求項5】
前記表示領域は少なくとも２個の角部が丸められた矩形領域であり、前記第２センサ電極は前記表示領域の丸められた角部に配置され、前記第２センサ電極の形状は該角部に対応する角部が丸められている形状であり、
前記第２センサ電極において、前記複数の第２コンタクトのうち少なくとも１つと前記第１コンタクトとは、第１方向に間隔を置いて並び、
前記第１センサ電極と前記第２センサ電極は前記第１方向に交差する第２方向に間隔を置いて並ぶ、請求項１乃至請求項４のいずれか一項記載のタッチパネル付き表示装置。
【請求項6】
前記第２配線の前記複数の第１引出配線部は互いに平行であり、
前記第２配線の前記複数の第１引出配線部の中の１つの第１引出配線部と前記第２引出配線部は、同一直線上に配置される、請求項５記載のタッチパネル付き表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態はタッチパネル付き表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
スマートフォン、タブレットパーソナルコンピュータ又はノート型パーソナルコンピュータ等の携帯端末が普及している。このような携帯端末はタッチパネル付き表示装置を備えることが多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１７－１０２４５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
タッチパネル付き表示装置はタッチ検出のためのセンサ電極が必要である。センサ電極にはドライバからの配線が接続される。センサ電極の形状によっては、配線が接続できないことがある。
本発明の目的はセンサ電極の形状によらずセンサ電極に配線を接続することができるタッチパネル付き表示装置を提供することである。
本発明の目的はセンサ電極の形状によらずセンサ電極に配線を接続することができるタッチパネル付き表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態によれば、タッチパネル付き表示装置は、表示領域内にマトリクス状に配置された複数のセンサ電極と、表示領域を囲む周辺領域に配置された電極ドライバと、電極ドライバと複数のセンサ電極とを接続するための複数の配線とを備える。
【0006】
複数のセンサ電極は第１センサ電極と、第２センサ電極と、を含む。複数の配線は第１センサ電極に接続される第１配線と、第２センサ電極に接続される第２配線と、を含む。第２配線は電極ドライバが位置する端子方向とは逆の方向に引き出される複数の第１引出配線部と、端子方向に引き出される第２引出配線部と、を含む。第１配線は端子方向に引き出される第２引出配線部を含む。複数の第１引出配線部は連結部を介して互いに接続されている。第２配線の第２引出配線部は複数の第１引出配線部の少なくとも１本を介して連結部に接続されている。第２配線の第２引出配線部は第１コンタクトを介して第２センサ電極に接続されている。第２配線の複数の第１引出配線部は第１コンタクトを介して第２センサ電極に接続される第１線と、複数の第２コンタクトを夫々介して第２センサ電極に接続される複数の第２線と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、実施の形態について図面を参照して説明する。開示はあくまで一例にすぎず、以下の実施形態に記載した内容により発明が限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は、当然に開示の範囲に含まれる。いくつかの要素に複数の呼称を付しているが、これら呼称の例はあくまで例示であり、これらの要素に他の呼称を付すことを否定するものではない。また、複数の呼称が付されていない要素についても、他の呼称を付すことを否定するものではない。説明をより明確にするため、図面において、各部分のサイズ、厚み、平面寸法又は形状等を実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合もある。また、図面相互間において互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれることもある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して詳細な説明を省略する場合もある。
【0009】
タッチパネル付き表示装置は、表示装置とタッチ検出機能を実現するタッチパネルが別々に製造され、表示装置の画面にタッチパネルが貼り付けられるオンセルタイプ（外付けタイプとも称する）と、表示装置とタッチパネルが一体化されているインセルタイプ（内蔵タイプとも称する）を含む。インセルタイプの表示装置は、タッチ検出機能を有する部品の一部若しくは全部が表示機能を有する部品の一部若しくは全部と兼用される装置、又はタッチ検出機能を有する部品と表示機能を有する部品が互いに兼用されない装置を含む。インセルタイプの表示装置では、例えばカラーフィルタと偏光板の間にセンサ電極が形成され、ＴＦＴ基板上に形成される表示のための共通電極がタッチ検出のための駆動電極としても使用されることがある。インセルタイプの表示装置については、外付けタッチパネルが無いので、全体が薄型・軽量化するとともに、表示の視認性も向上する。実施形態はインセルタイプの表示装置を説明するが、本発明はオンセルタイプの表示装置にも適用可能である。
【0010】
タッチ検出方式には光学式、抵抗式、静電容量方式又は電磁誘導方式等の種々の方式がある。静電容量方式は一対の電極（駆動電極とセンサ電極と称する）間の静電容量が物体の近接又は接触により変化することを利用する検出方式であり、比較的単純な構造であることと、消費電力が少ない利点がある。実施形態として、静電容量方式のタッチパネル付きの表示装置を説明する。
静電容量方式は、互いに離間した状態で対向配置された駆動電極とセンサ電極の間の静電容量を検出する相互容量方式(Mutual Capacitive Sensing)及び一つのセンサ電極と例えば接地電位等の基準電位との間の静電容量を検出する自己容量方式(Self Capacitive Sensing)を含む。タッチ検出機能を有する表示装置は入力装置の一態様であり、指又はタッチペン等の物体がタッチ面に近づく又は接触すると入力信号を検出しタッチ位置を算出する。タッチ位置はタッチ面の入力信号を検出した点の座標である。
静電容量方式は、互いに離間した状態で対向配置された駆動電極とセンサ電極の間の静電容量を検出する相互容量方式(Mutual Capacitive Sensing)及び一つのセンサ電極と例えば接地電位等の基準電位との間の静電容量を検出する自己容量方式(Self Capacitive Sensing)を含む。タッチ検出機能を有する表示装置は入力装置の一態様であり、指又はタッチペン等の物体がタッチ面に近づく又は接触すると入力信号を検出しタッチ位置を算出する。タッチ位置はタッチ面の入力信号を検出した点の座標である。
【0011】
本明細書において、接触状態は物体が表示面に接触した状態又は接触と見なすことができる距離まで表示面に近接した状態を意味する。このため、非接触状態は物体が表示面に接触していない状態又は接触と見なすことができる距離まで表示面に近接していない状態を意味する。物体の接触状態を検出することをタッチ検出とも称する。
【0012】
表示装置は液晶表示装置、自発光型の有機ＥＬ表示装置、プラズマディスプレイ表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical System)を応用した表示装置又はエレクトロクロミズムを応用した表示装置等を利用することができるが、一例として、液晶表示装置を用いた実施形態を説明するが、有機ＥＬ表示装置又はプラズマディスプレイ表示装置等を用いた実施形態も可能である。液晶表示装置の表示モードは、表示機能層である液晶層の液晶分子の配向を変化させるための電界の印加方向により大きく２つに分類される。第１は表示装置の厚さ方向（あるいは面外方向）に電界が印加される所謂縦電界モードである。縦電界モードは例えばＴＮ(Twisted Nematic)モードやＶＡ(Vertical Alignment)モード等を含む。第２は表示装置の平面方向（あるいは面内方向）に電界が印加される所謂横電界モードである。横電界モードは例えばＩＰＳ(In-Plane Switching：インプレーンスイッチング)モード又はＩＰＳモードの一つであるＦＦＳ(Fringe Field Switching：フリンジフィールドスイッチング)モード等を含む。以下で説明する技術は縦電界モード及び横電界モードのいずれにも適用できる。実施形態としては横電界モードの表示装置を説明するが、本発明は縦電界モードの表示装置にも適用可能である。
【0013】
タッチパネル付き液晶表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、車載機器又はゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。
［第１実施形態］
［概略構成］
図１は第１実施形態のタッチパネル付き表示装置の電気的な構成の一例を示すブロック図である。表示装置は表示部１４とタッチセンサ１６を備える表示パネル１２を含む。図１では、表示部１４とタッチセンサ１６とは別体のように示されているが、両者は一体化されてもよい。両者が一体化される場合、表示部１４の電極や基板等がタッチセンサ１６の電極や基板等に兼用される。表示部１４は表示素子として液晶表示素子又は有機ＥＬ素子等を用いてもよい。表示部１４は表示素子を有する複数の画素を備えるとともに、複数の画素に対向する表示面を有する。図示しないホスト装置等から映像信号Ｖdispがコントローラ１８に供給される。コントローラ１８は映像信号Ｖdispに基づいてゲートドライバ２２、ソースドライバ２４、センサ電極ドライバ２６及び検出タイミング制御回路３２に制御信号を供給し、表示部１４に映像信号Ｖdispに基づいた表示を行わせる。コントローラ１８は表示装置の表示動作及びタッチ検出動作を制御する。
［第１実施形態］
［概略構成］
図１は第１実施形態のタッチパネル付き表示装置の電気的な構成の一例を示すブロック図である。表示装置は表示部１４とタッチセンサ１６を備える表示パネル１２を含む。図１では、表示部１４とタッチセンサ１６とは別体のように示されているが、両者は一体化されてもよい。両者が一体化される場合、表示部１４の電極や基板等がタッチセンサ１６の電極や基板等に兼用される。表示部１４は表示素子として液晶表示素子又は有機ＥＬ素子等を用いてもよい。表示部１４は表示素子を有する複数の画素を備えるとともに、複数の画素に対向する表示面を有する。図示しないホスト装置等から映像信号Ｖdispがコントローラ１８に供給される。コントローラ１８は映像信号Ｖdispに基づいてゲートドライバ２２、ソースドライバ２４、センサ電極ドライバ２６及び検出タイミング制御回路３２に制御信号を供給し、表示部１４に映像信号Ｖdispに基づいた表示を行わせる。コントローラ１８は表示装置の表示動作及びタッチ検出動作を制御する。
【0014】
ゲートドライバ２４は、コントローラ１８から供給される制御信号に基づいて、表示部１４の表示駆動の対象となる１水平ライン又は複数の水平ラインに走査信号Ｖscanを順次供給する。これにより、表示駆動の対象となる１水平ライン又は複数の水平ラインが順次選択される。図１では、ゲートドライバ２４は表示部１４の１水平ラインの一端（左端）の外側に設けられているが、他方の一端（右端）又は左右両端の外側に設けられてもよい。
【0015】
ソースドライブ２４は、コントローラ１８から供給される制御信号に基づいて、表示部１４の各副画素ｓ－ＰＩＸ（図３参照）に画素信号Ｖpixを供給する。ソースドライバ２４の機能の一部は、表示パネル１２に搭載されてもよい。この場合、コントローラ１８は画素信号Ｖpixを生成し、この画素信号Ｖpixをソースドライバ２４に供給してもよい。また、ソースドライブ２４の機能の一部はコントローラ１８に搭載されてもよい。
【0016】
センサ電極ドライバ２６はコントローラ１８から供給される制御信号に基づいて表示の際、表示パネル１２のセンサ電極ＣＯＭ（図４参照）に表示用の一定の電圧信号である駆動信号Ｖcomdcを供給するとともに、タッチ検出の際、センサ電極ＣＯＭ（図５参照）に検出用の高周波のパルス信号である駆動信号Ｖcomを供給する。センサ電極ドライバ２６の機能の一部はコントローラ１８に搭載されてもよい。コントローラ１８は、表示部１４により表示を行う表示動作とタッチセンサ１６により物体の接触状態を検出するタッチ検出動作とを時分割で行う。
【0017】
タッチセンサ１６は公知の自己容量方式によるタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出を行うことができる。タッチセンサ１６は公知の自己容量方式による検出信号Ｖdet2を検出部３４に出力する。また、タッチセンサ１６は相互容量方式によるタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出を行うこともできる。タッチセンサ１６は相互容量方式による検出信号Ｖdet1を検出部３４に出力する。タッチセンサ１６は自己容量式、相互容量式のいずれかの方式を用いてもよいし、期間的に両方式を切替えて両方式を併用してもよい。
【0018】
検出部３４は、コントローラ１８から供給される制御信号と相互容量方式のタッチ検出を行うタッチセンサ１６から出力される検出信号Ｖdet1とに基づいて、表示パネル１２の表示面への物体の接触状態を検出する。検出部３４は、コントローラ１８から供給される制御信号と、自己容量方式のタッチ検出を行うタッチセンサ１６から出力される検出信号Ｖdet2とに基づいて、表示パネル１２の表示面への物体の接触状態を検出する。検出部３４は検出信号Ｖdet1、Ｖdet2のいずれかに基づいて物体の接触状態を検出してもよいし、両検出信号Ｖdet1、Ｖdet2に基づいて物体の接触状態を検出してもよい。検出部３４は接触状態を検出した場合、表示面上の物体の接触位置の座標などを求める。
【0019】
タッチ検出の原理を簡単に説明する。相互容量方式のセンサは誘電体を挟んで互いに対向配置された駆動電極とセンサ電極により形成される。駆動電極に駆動パルスＶcomを加えると、駆動電極とセンサ電極の間に電界が発生し、電界に応じた信号が発生する。物体の接触状態時はセンサ電極と物体の間で電界が発生するため、電極間の電界は減少し、発生する信号の振幅は減少する。この動作を駆動パルスの間繰り返し、発生する信号の振幅に基づき物体の接触状態が検出される。
【0020】
自己容量方式のセンサはセンサ電極からなる。非接触時にセンサ電極には寄生容量が発生している。物体の接触状態時はセンサ電極と物体の間に静電容量が発生し、センサ電極の容量は増加する。センサ電極に駆動パルスＶcomを加えると、センサ電極は充電と放電を繰り返し、センサ電極の容量の差により充放電特性が接触状態と非接触状態とで異なる。この動作を駆動パルスの間繰り返し、充放電特性に基づいて物体の接触状態が検出される。
【0021】
検出部３４は、アナログフロントエンド部（以下、ＡＦＥと称する）３６と信号処理回路４２と位置検出回路４４と検出タイミング制御回路３２とを備える。ＡＦＥ３６は増幅器３８とアナログ／デジタル変換器４０（以下Ａ／Ｄ変換器）を含む。ＡＦＥ３６は検出信号Ｖdet1、Ｖdet2をデジタル信号に変換して信号処理回路４２に出力するアナログ信号処理回路である。検出タイミング制御回路３２はコントローラ１８から供給される制御信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換器４０と信号処理回路４２と位置検出回路４４とを同期して動作するように制御する。
【0022】
タッチ検出において、増幅器３８はタッチセンサ１６から供給された検出信号Ｖdet1を増幅する。Ａ／Ｄ変換器４０は駆動信号Ｖcomに同期したタイミングで増幅器３８から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。
【0023】
信号処理回路４２はＡ／Ｄ変換器４０の出力信号に基づいて表示パネル１２に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理回路４２は、指又はスライラスペン等の物体の有無による検出信号を所定のしきい値電圧と比較し、比較結果に応じて物体が非接触状態である又は接触状態であると判断する。
【0024】
位置検出回路４４は信号処理回路４２において接触状態であることが検出されたとき、表示パネル１２の表示面上の座標を求める論理回路である。位置検出回路４４は座標を出力信号Ｖoutとして出力する。位置検出回路４４は出力信号Ｖoutをコントローラ１８に出力してもよい。コントローラ１８は出力信号Ｖoutに基づいて所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。
【0025】
検出部３４の増幅器３８、Ａ／Ｄ変換器４０、信号処理回路４２、位置検出回路４４及び検出タイミング制御回路３２は、表示パネル１２に搭載されてもよい。ただし、これに限定されず、検出部３４の全部又は一部の機能は外部の制御基板又はプロセッサ等に搭載されてもよい。例えば、位置検出回路４４は表示パネル１２とは別の外部プロセッサに搭載されてもよい。この場合、検出部３４は信号処理回路４２が信号処理した信号を出力信号Ｖoutとして出力してもよい。あるいは、ＡＦＥ３８は表示パネル１２に搭載され、信号処理回路４２及び位置検出回路４４は外部プロセッサに搭載されてもよい。この場合、検出部３４はＡ／Ｄ変換器４０が信号処理したデジタル信号を出力信号Ｖoutとして出力してもよい。
【0026】
図２は表示パネル１２の構成の一例を示す概略断面図である。表示パネル１２は、第１基板５２と、第１基板５２に対向配置された第２基板５４と、第１基板５２と第２基板５４との間に配置された液晶層５６とを備える。第２基板５４は第１基板５２の表面に垂直な方向に対向して配置される。後述するように、第１基板５２には画素電極６４が２次元アレイ状（マトリクス状とも称する）に配置されるので、第１基板５２は画素基板又はアレイ基板とも称する。第２基板５４は対向基板とも称する。表示パネル１２は第２基板５４側から観察される。このため、第２基板５４は上側基板、第１基板５２は下側基板と称することもある。
【0027】
第１基板５２は、ガラス基板又は樹脂基板等の透明な第１基材６２と、複数の画素電極６４と、複数のセンサ電極ＣＯＭと、偏光板６６Ｂとを備える。画素電極６４、センサ電極ＣＯＭは透光性（光透過性）の導電性材料、例えばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)からなる。透光性の導電性材料としては、ＩＴＯ以外にも、例えばインジウム(Ｉｎ)、スズ(Ｓｎ)及び亜鉛(Ｚｎ)のそれぞれの酸化物の中の少なくとも１種類から形成される酸化物導電膜を用いることができる。図２では図示省略するが、ゲートドライバ２２に含まれるゲートスキャナ等の回路、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)等のスイッチング素子、走査線又は信号線等の各種配線は第１基材６２に設けられる。
【0028】
複数の画素電極６４と複数のセンサ電極ＣＯＭは第１基材６２上にマトリクス状に設けられる。複数の画素電極６４は絶縁層６８を介してセンサ電極ＣＯＭの上部に設けられる。このように、画素電極６４は平面視ではセンサ電極ＣＯＭと重なって配置されるが、画素電極６４はセンサ電極ＣＯＭとは異なる層に設けられる。画素電極６４とセンサ電極ＣＯＭは１対１ではなく、複数の画素電極６４が一つのセンサ電極ＣＯＭに対応していてもよい。図２では、画素電極６４はセンサ電極ＣＯＭの上側に設けられるが、これに限らず、センサ電極ＣＯＭを画素電極６４の上側に設けてもよい。すなわち、画素電極６４とセンサ電極ＣＯＭは絶縁層６８を挟んで第１基材６２の表面に垂直な方向に隔離して設けられていればよく、どちらが上でもよい。
【0029】
第１基板５２の表面に垂直な方向（Ｚ方向とも称する）において、第１基板５２から第２基板５４に向かう向きを上向き、第２基板５４から第１基板５２に向かう向きを下向きと称する。すなわち、第２基板５４は第１基板５２の上にある。平面視とは、第１基板５２の表面に垂直な方向で上から見ることを意味する。偏光板６６Ｂは第１基材６２のセンサ電極ＣＯＭとは反対側の下面に設けられる。
【0030】
第２基板５４は、ガラス基板又は樹脂基板等の第２基材７２と、第２基材７２の一方の面に形成されたカラーフィルタ７４と、第２基材７２の他方の面に形成された偏光板６６Ａとを備える。カラーフィルタ７４は第１基板５２に垂直な方向において液晶層５６と対向する。カラーフィルタ７４は第１基材６２の上に配置してもよい。
【0031】
第１基板５２と第２基板５４とは所定の間隔を空けて対向して配置され、その間に液晶層５６が設けられる。液晶層５６は通過する光を電界の状態に応じて変調する。
図２では図示を省略するが、液晶層５６と第１基板５２との間及び液晶層５６と第２基板５４との間にそれぞれ配向膜が配置される。第１基板５２の下には照明部（バックライト）が設けられる。照明部は、例えばＬＥＤ等の光源を備え、光源からの光を第１基板５２に向けて照射する。光源からの光は第１基板５２を通過し、各画素に対応する液晶層５６の部分の状態に応じて変調され、表示面への光透過状態は画素によって異なる。これにより、表示面に画像が表示される。
図２では図示を省略するが、液晶層５６と第１基板５２との間及び液晶層５６と第２基板５４との間にそれぞれ配向膜が配置される。第１基板５２の下には照明部（バックライト）が設けられる。照明部は、例えばＬＥＤ等の光源を備え、光源からの光を第１基板５２に向けて照射する。光源からの光は第１基板５２を通過し、各画素に対応する液晶層５６の部分の状態に応じて変調され、表示面への光透過状態は画素によって異なる。これにより、表示面に画像が表示される。
【0032】
図３は表示部１４の画素の等価回路の一例を示す。表示部１４はマトリクス状に配列された複数の副画素ｓ－ＰＩＸを有する。副画素ｓ－ＰＩＸはそれぞれスイッチング素子Ｔｒと液晶素子５６ａを備える。スイッチング素子Ｔｒは薄膜トランジスタにより構成され、例えばｎチャネルのＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)型のＴＦＴにより構成される。画素電極６４とセンサ電極ＣＯＭとの間に絶縁層６８が設けられ、これらによって保持容量５６ｂが形成される。
【0033】
画素電極６４は表示パネル１２の各画素ＰＩＸを構成する副画素ｓ－ＰＩＸに対応している。各副画素ｓ－ＰＩＸのスイッチング素子Ｔｒ、信号線（ソース線とも称する）Ｓ又は走査線（ゲート線とも称する）Ｇ等は第１基板５２に形成される。信号線Ｓ、走査線Ｇはスイッチング素子Ｔｒに電気的に接続される。スイッチング素子Ｔｒは信号線Ｓと走査線Ｇの交点（電気的には絶縁）に配置される。信号線Ｓはソースドライバ２４から各画素電極６４に画素信号Ｖpixを供給するための配線である。
【0034】
ゲートドライバ２２は走査線Ｇを順次選択する。ゲートドライバ２２は走査信号Ｖscanを選択された走査線Ｇを介して副画素ｓ－ＰＩＸのスイッチング素子Ｔｒのゲートに印加する。これにより、副画素ｓ－ＰＩＸの中の１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として選択される。ソースドライバ２４は画素信号Ｖpixを選択された副画素ｓ－ＰＩＸに信号線Ｓを介して供給する。そして、これらの副画素ｓ－ＰＩＸでは供給された画素信号Ｖpixに応じて１水平ラインずつ表示が行われる。
【0035】
この表示動作を行う際、センサ電極ドライバ２６はセンサ電極ＣＯＭに対して一定の電圧信号である表示用の駆動信号Ｖcomdcを印加する。表示用の駆動信号Ｖcomdcは複数の副画素ｓ－ＰＩＸに対する共通電位となる電圧信号である。これにより、各センサ電極ＣＯＭは表示動作において画素電極６４に対する共通電極として機能する。信号線Ｓと走査線Ｇは第１基材６２の表面と平行な平面に設けられる。
【0036】
カラーフィルタ７４は例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色された色領域７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂが周期的に配列されてなる。各副画素ｓ－ＰＩＸは一つの色領域７４Ｒ、７４Ｇ又は７４Ｂに対応付けられる。画素ＰＩＸは３色の色領域７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂに対応する３個の副画素ｓ－ＰＩＸから構成される。カラーフィルタ６４は３色以上の色領域、例えば白（Ｗ）領域を含んでもよい。
【0037】
［センサ電極とコントローラＣＴ（検出ドライバＲ２）との接続配線］
図４は本実施形態に係るタッチパネル付き表示装置ＤＳＰの表示のための画素電極とゲートドライバ、ソースドライバとの接続例を示す。図５は本実施形態に係るタッチパネル付き表示装置ＤＳＰのタッチ検出のためのセンサ電極ＣＯＭとセンサ電極ドライバ２６との接続例を示す。図６は図５の各配線群Ｌ１２ｎの中の８本の配線Ｌ１～Ｌ８とセンサ電極ＣＯＭとの接続の詳細の一例を示す。図４の配線（Ｇ、Ｓ）と図５の配線（Ｌ１～Ｌ８）は異なる層により形成される。図中において、表示パネルＰＮＬの面を規定する第１方向（Ｘ方向と称する）及び第２方向（Ｙ方向と称する）は互いに交差する方向であり、第３方向（Ｚ方向と称する）はＸ方向及びＹ方向と交差する方向である。一例では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向は互いに直交しているが、互いに９０度以外の角度で交差してもよい。
図４は本実施形態に係るタッチパネル付き表示装置ＤＳＰの表示のための画素電極とゲートドライバ、ソースドライバとの接続例を示す。図５は本実施形態に係るタッチパネル付き表示装置ＤＳＰのタッチ検出のためのセンサ電極ＣＯＭとセンサ電極ドライバ２６との接続例を示す。図６は図５の各配線群Ｌ１２ｎの中の８本の配線Ｌ１～Ｌ８とセンサ電極ＣＯＭとの接続の詳細の一例を示す。図４の配線（Ｇ、Ｓ）と図５の配線（Ｌ１～Ｌ８）は異なる層により形成される。図中において、表示パネルＰＮＬの面を規定する第１方向（Ｘ方向と称する）及び第２方向（Ｙ方向と称する）は互いに交差する方向であり、第３方向（Ｚ方向と称する）はＸ方向及びＹ方向と交差する方向である。一例では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向は互いに直交しているが、互いに９０度以外の角度で交差してもよい。
【0038】
図４に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ（図１の表示部１４に対応する）と、配線基板Ｆと、コントローラＣＴとを備える。ＩＣ化されているコントローラＣＴは配線基板Ｆに実装されている。配線基板Ｆはフレキシブル基板等からなり、図示しないホスト装置と表示パネルＰＮＬとを接続する。
【0039】
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１（図２の第１基板５２に対応する）と、第２基板ＳＵＢ２（図２の第２基板５４に対応する）とを備える。図４、図５には示さないが、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に液晶層（図２の液晶層５６に対応する）が形成される。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域（表示面とも称する）ＤＡと、それ以外の周辺領域ＳＡを有する。表示領域ＤＡは複数の画素ＰＩＸ（あるいは副画素ｓ－ＰＩＸ）が配置された領域である。周辺領域ＳＡは第１基板ＳＵＢ１の外周よりも内側で、かつ表示領域ＤＡよりも外側の領域である。周辺領域ＳＡは表示領域ＤＡを囲む枠状であってもよく、その場合、周辺領域ＳＡは額縁領域とも称する。
【0040】
表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の走査線Ｇと複数の信号線Ｓとを備える。複数の走査線Ｇは、それぞれＸ方向に沿って延びており、Ｙ方向に間隔をおいて配置される。複数の信号線Ｓは、それぞれＹ方向に沿って延びており、Ｘ方向に間隔をおいて配置される。表示領域ＤＡはＸ方向およびＹ方向に沿って配列された複数の画素ＰＩＸ（図３参照）を有する。複数の画素ＰＩＸはセンサ電極ＣＯＭに対応する。大部分のセンサ電極ＣＯＭの平面視形状は一定の形状、例えば正方形又は矩形であるが、後述するように、いくつかのセンサ電極の平面視形状は異形である。一定の形状は図４、図５の例では正方形である。アレイ状に配置される図４の破線及び図５の実線の正方形はセンサ電極ＣＯＭを示す。
【0041】
表示パネルＰＮＬは５個の端部Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５を有する。端部Ｅ１、Ｅ５は表示領域ＤＡに対して同じ側に位置する。端部Ｅ２は表示領域ＤＡに対して端部Ｅ１の反対側に位置する。端部Ｅ４は表示領域ＤＡに対して端部Ｅ３の反対側に位置する。端部Ｅ１、Ｅ２、Ｅ５はＸ方向に沿って延び、端部Ｅ３、Ｅ４はＹ方向に沿って延びている。各端部Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４において、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のそれぞれの縁部は揃っている。端部Ｅ１は第１基板ＳＵＢ１の縁部に相当する。端部Ｅ５は第２基板ＳＵＢ２の縁部に相当する。端部Ｅ５は端部Ｅ１よりも表示領域ＤＡの側に位置している。表示パネルＰＮＬは、端部Ｅ１、Ｅ５の間において、第１基板ＳＵＢ１は第２基板ＳＵＢ２と対向しない非対向領域ＮＡ（あるいは端子領域）を有する。配線基板Ｆは第１基板ＳＵＢ１の非対向領域ＮＡに接続される。
【0042】
第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２は平面視でほぼ矩形である。第１基板ＳＵＢ１は端部Ｅ１、Ｅ３が交差する角部Ｃ１１と、端部Ｅ１、Ｅ４が交差する角部Ｃ１２と、端部Ｅ２、Ｅ３が交差する角部Ｃ１３と、端部Ｅ２、Ｅ４が交差する角部Ｃ１４とを有する。第２基板ＳＵＢ２は角部Ｃ１１の近傍に位置する角部であり端部Ｅ５、Ｅ３が交差する角部Ｃ２１と、角部Ｃ１２の近傍に位置する角部であり端部Ｅ５、Ｅ４が交差する角部Ｃ２２と、角部Ｃ１３と重なる角部であり端部Ｅ２、Ｅ３が交差する角部Ｃ２３と、角部Ｃ１４と重なる角部であり端部Ｅ２、Ｅ４が交差する角部Ｃ２４とを有する。表示領域ＤＡは、角部Ｃ２１の近傍内側に位置する角部Ｃ３１と、角部Ｃ２２の近傍内側に位置する角部Ｃ３２と、角部Ｃ２３、Ｃ１３の近傍内側の角部Ｃ３３と、角部Ｃ２４、Ｃ１４の近傍内側の角部Ｃ３４とを有する。図中の一点鎖線は、表示領域ＤＡの縁部に相当し、この縁部は角部Ｃ３１、Ｃ３２、Ｃ３３、Ｃ３４を含む。
一般的な表示装置と同様に、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２の形状は、平面視において、矩形であるが、矩形に限らず、正方形等の他の形状でもよいし、角部が円弧状に変形されていてもよいし、一部に凹部、凸部が備えられていてもよい。例えば、第１基板ＳＵＢ１の配線基板Ｆに近い端部Ｅ１の両端の角部Ｃ１１、Ｃ１２と、第２基板ＳＵＢ２の配線基板Ｆに近い端部Ｅ５の両端の角部Ｃ２１、Ｃ２２と、表示領域ＤＡの配線基板Ｆに近い端部の両端の角部Ｃ３１、Ｃ３２はいずれも直角な角部である。第１基板ＳＵＢ１の配線基板Ｆに遠い端部Ｅ２の両端の角部Ｃ１３、Ｃ１４と、第２基板ＳＵＢ２の配線基板Ｆに遠い端部Ｅ２の両端の角部Ｃ２３、Ｃ２４と、表示領域ＤＡの配線基板Ｆに遠い端部の両端の角部Ｃ３３、Ｃ３４はいずれも円弧状であり、ラウンド部と呼ぶことがある。このように第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２の形状は、平面視において、下辺の両端の２角部は直角な角部であり、上辺の両端の２角部は円弧状に丸められた角部であるが、上辺の２角部を除くと略矩形である。このラウンド部は必須ではなく、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２の形状は直角な４角部を含む矩形であってもよい。
一般的な表示装置と同様に、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２の形状は、平面視において、矩形であるが、矩形に限らず、正方形等の他の形状でもよいし、角部が円弧状に変形されていてもよいし、一部に凹部、凸部が備えられていてもよい。例えば、第１基板ＳＵＢ１の配線基板Ｆに近い端部Ｅ１の両端の角部Ｃ１１、Ｃ１２と、第２基板ＳＵＢ２の配線基板Ｆに近い端部Ｅ５の両端の角部Ｃ２１、Ｃ２２と、表示領域ＤＡの配線基板Ｆに近い端部の両端の角部Ｃ３１、Ｃ３２はいずれも直角な角部である。第１基板ＳＵＢ１の配線基板Ｆに遠い端部Ｅ２の両端の角部Ｃ１３、Ｃ１４と、第２基板ＳＵＢ２の配線基板Ｆに遠い端部Ｅ２の両端の角部Ｃ２３、Ｃ２４と、表示領域ＤＡの配線基板Ｆに遠い端部の両端の角部Ｃ３３、Ｃ３４はいずれも円弧状であり、ラウンド部と呼ぶことがある。このように第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２の形状は、平面視において、下辺の両端の２角部は直角な角部であり、上辺の両端の２角部は円弧状に丸められた角部であるが、上辺の２角部を除くと略矩形である。このラウンド部は必須ではなく、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２の形状は直角な４角部を含む矩形であってもよい。
【0043】
また、電子部品の実装上の理由等により、表示パネルＰＮＬの端部Ｅ２の一部に凹部が形成されることがあり、図４、図５は凹部９８を含む例を示す。しかし、凹部９８は本発明に必須ではなく、凹部９８を含まない表示パネルの実施形態も本発明に含まれる。図４、図５は端部Ｅ２の中央に一つの凹部９８が形成される例を示すが、凹部９８の数は複数でもよいし、形成箇所も中央に限定されない。凹部９８は第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２に形成される例を示したが、凹部９８は第１基板ＳＵＢ１のみに形成され、第２基板ＳＵＢ２には凹部９８が形成されなくてもよい。
凹部９８は第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２の外周から表示領域ＤＡに向かって湾曲する形で第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２を切り取っている。湾曲部の形状は任意であり、図４の例では矩形である。しかし、これに限らず、半円形でもよいし、三角形、五角形等の多角形でもよいし、アーチ形状でもよいし、矩形や多角形の先端が円弧状になっている形状でもよい。
ラウンド部と凹部９８の少なくとも一方が存在する場合、表示パネルＰＮＬの平面視形状は異形と称する。図５を参照して後述するように、ラウンド部が設けられた部分では、センサ電極ＣＯＭもラウンド部の形状に応じた異形であり、凹部９８が設けられた部分では、センサ電極ＣＯＭも凹部９８の形状に応じた異形である。
凹部９８は第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２の外周から表示領域ＤＡに向かって湾曲する形で第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２を切り取っている。湾曲部の形状は任意であり、図４の例では矩形である。しかし、これに限らず、半円形でもよいし、三角形、五角形等の多角形でもよいし、アーチ形状でもよいし、矩形や多角形の先端が円弧状になっている形状でもよい。
ラウンド部と凹部９８の少なくとも一方が存在する場合、表示パネルＰＮＬの平面視形状は異形と称する。図５を参照して後述するように、ラウンド部が設けられた部分では、センサ電極ＣＯＭもラウンド部の形状に応じた異形であり、凹部９８が設けられた部分では、センサ電極ＣＯＭも凹部９８の形状に応じた異形である。
【0044】
図４に示すように、表示パネルＰＮＬは、周辺領域ＳＡにおいて、各走査線Ｇが接続された走査線ドライバＧＤ１、ＧＤ２（図１のゲートドライバ２２に対応する）と、各信号線Ｓが接続された信号線ドライバＳＤ（図１のソースドライバ２４に対応する）とを備える。走査線ドライバＧＤ１は第１基板ＳＵＢ１の表示領域ＤＡと端部Ｅ３との間に配置され、走査線ドライバＧＤ２は第１基板ＳＵＢ１の表示領域ＤＡと端部Ｅ４との間に配置される。走査線ドライバＧＤ１、ＧＤ２の一方を省略してもよい。信号線ドライバＳＤは、第１基板ＳＵＢ１の表示領域ＤＡと端部Ｅ５との間に配置される。
【0045】
走査線ドライバＧＤ１、ＧＤ２と、信号線ドライバＳＤは表示領域ＤＡに沿って配置されるので、走査線ドライバＧＤ１は角部Ｃ３３の近傍において角部Ｃ３３と同様に円弧状に曲がった領域に設けられ、角部Ｃ３４の近傍において走査線ドライバＧＤ２は角部Ｃ３４と同様に円弧状に曲がった領域に設けられている。信号線ドライバＳＤは直線状の領域に設けられる。走査線ドライバＧＤ１、ＧＤ２は、各走査線Ｇに対して走査信号Ｖscanを供給する。信号線ドライバＳＤは、各信号線Ｓに対して映像信号Ｖpixを供給する。あるスイッチング素子Ｔｒに対応する走査線Ｇに走査信号Ｖscanが供給され、かつこのスイッチング素子Ｔｒに接続された信号線Ｓに映像信号Ｖpixが供給されると、この映像信号Ｖpixに応じた電圧が画素電極６４（図４には示さないが、図３に示すように共通電極ＣＯＭ内に多数ある）に印加される。一方、センサ電極ＣＯＭには表示のための駆動信号Ｖcomdcが印加される。このとき、画素電極６４とセンサ電極ＣＯＭとの間に生じる電界の大きさに応じて、液晶層５６に含まれる液晶分子の配向状態は変化する。このような動作により、表示領域ＤＡに画像が表示される。
【0046】
非対向領域ＮＡには端部Ｅ１に沿って接続端子Ｔが設けられている。接続端子Ｔに配線基板Ｆの一端が接続されている。配線基板Ｆの他端はホスト装置に接続される。配線基板Ｆに実装されているコントローラＣＴ（図１のコントローラ１８に対応する）は、走査線ドライバＧＤ１、ＧＤ２および信号線ドライバＳＤを制御する表示ドライバＲ１（図１のゲートドライバ２２及びソースドライバ２４に対応する）と、タッチ検出用の検出ドライバＲ２（図１のセンサ電極ドライバ２６及び検出部３４に対応する）とを備える。表示ドライバＲ１と検出ドライバＲ２はコントローラＣＴとは別で、それぞれ別パッケージでＩＣ化されていてもよいし、コントローラＣＴとともに１パッケージでＩＣ化されていてもよい。接続端子Ｔの中の表示ドライバＲ１に接続される端子群は配線群Ｌ１０を介して走査線ドライバＧＤ１、ＧＤ２および信号線ドライバＳＤに接続される。表示ドライバＲ１および検出ドライバＲ２の実装態様はこれに限られず、例えば第１基板ＳＵＢ１に実装されてもよい。また、表示ドライバＲ１および検出ドライバＲ２は異なる部材に実装されてもよい。
【0047】
図５に示すように、接続端子Ｔの中の検出ドライバＲ２に接続される端子群は配線群Ｌ１２を介してセンサ電極ＣＯＭに接続される。端子群を構成する端子の数とセンサ電極ＣＯＭの数は等しい。図５、図６、図７を参照してセンサ電極ＣＯＭと検出ドライバＲ２との接続例を説明する。複数のセンサ電極ＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（８，６）（総称するときはＣＯＭと称する）は第１基板ＳＵＢ１の表示領域ＤＡにマトリクス状に配置される。言い換えると、複数のセンサ電極ＣＯＭはＸ方向に沿って配列されるとともに、複数のセンサ電極ＣＯＭはＹ方向に沿っても配列される。ここでは、説明の便宜上、センサ電極ＣＯＭのマトリクスは８行×６列であるとする。すなわち、Ｙ方向に８行のセンサ電極ＣＯＭが配列され、Ｘ方向に６列のセンサ電極ＣＯＭが配列される。各センサ電極ＣＯＭはマトリクス配置された複数の副画素ｓ－ＰＩＸに対応する。
【0048】
大部分のセンサ電極ＣＯＭの平面視形状は一定の形状、図５、図６の例では正方形であるが、表示領域ＤＡの角部Ｃ３３に対応するセンサ電極ＣＯＭ（１，１）の形状は基板の形状に対応して正方形の一部（左上角部）が角部Ｃ３３の形状に応じて丸められている異形である。センサ電極ＣＯＭはマトリクス配置された多数の副画素に対応するので、実際には正方形の一部が副画素単位で階段状に欠けるが、図５、図６では説明の便宜上角部が円弧状に丸められているセンサ電極ＣＯＭを示す。表示領域ＤＡの角部Ｃ３４に対応するセンサ電極ＣＯＭ（１，６）の形状は正方形の一部（右上角部）が角部Ｃ３４の形状に応じて円弧状に丸められた形状である。さらに、凹部９８の両側のセンサ電極ＣＯＭ（１，３）とセンサ電極ＣＯＭ（１，４）は他のセンサ電極ＣＯＭよりも幅が狭い縦長の矩形状である。凹部９８の先端の左側のセンサ電極ＣＯＭ（２，３）の形状は正方形の一部（右上）が矩形的に欠けている形状である。凹部９８の先端の右側のセンサ電極ＣＯＭ（２，４）の形状は正方形の一部（左上）が矩形的に欠けている形状である。これらのセンサ電極ＣＯＭ（１，１）、ＣＯＭ（１，３）、ＣＯＭ（１，４）、ＣＯＭ（１，６）、ＣＯＭ（２，３）、ＣＯＭ（２，４）の形状は正方形とは異なる異形である。異形のセンサ電極ＣＯＭは他のセンサ電極に比べて面積が小さい。後述するように、面積が小さいセンサ電極は十分な数の配線とのコンタクトを確保できないこともある。凹部９８の先端が丸められている場合は、センサ電極ＣＯＭ（２，３）の形状は正方形の一部（右上）が内側に向かって円弧状に湾曲している形状であり、センサ電極ＣＯＭ（２，４）の形状は正方形の一部（左上）が内側に向かって円弧状に湾曲している形状である。
【0049】
検出ドライバＲ２は各センサ電極ＣＯＭに接続される端子を備え、タッチ検出期間にこれらの端子から配線群Ｌ１２を介してセンサ電極ドライバ２６からの検出用の駆動電圧Ｖcomを各センサ電極ＣＯＭに供給する。また、タッチ検出期間に各センサ電極ＣＯＭから出力される検出信号Ｖdet1、Ｖdet2はこれらの端子を介して検出ドライバＲ２内の検出部３４に入力される。
【0050】
図６に示すように、マトリクス状に配列されたセンサ電極ＣＯＭは列毎にグループ化される。言い換えると、Ｙ方向に沿って一次元的に配列された８個のセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）～ＣＯＭ（８，ｎ）（ｎ＝１～６の整数）は１グループを構成する。センサ電極グループＣＯＭ（１，ｎ）～ＣＯＭ（８，ｎ）は配線群Ｌ１２ｎを介して検出ドライバＲ２の端子に接続される。
【0051】
各配線群Ｌ１２ｎは８個のセンサ電極ＣＯＭにそれぞれ接続される８本の配線Ｌ１～Ｌ８を含む。配線Ｌ１～Ｌ８はセンサ電極ＣＯＭ上に配置される本体部と、本体部と一体であり周辺領域ＳＡに引き出される引出配線部とを含む。以下、本体部を配線Ｌ１～Ｌ８と称することもある。引出配線部は、１行目のセンサ電極ＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（１，６）から検出ドライバＲ２とは反対側の周辺領域ＳＡに引き出される第１引出配線部と、８行目のセンサ電極ＣＯＭ（８，１）～ＣＯＭ（８，６）から検出ドライバＲ２側の周辺領域ＳＡに引き出される第２引出配線部とを含む。各配線群Ｌ１２ｎにおいて、配線Ｌ１は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に接続される配線であり、配線Ｌ２は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に接続される配線であり、配線Ｌ３は配線基板Ｆから３番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（３，ｎ）に接続される配線であり、以下同様に、配線Ｌ８は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に接続される配線である。すなわち、配線Ｌ１は最も長く、次いで配線Ｌ２、Ｌ３、…の順に長く、Ｌ８は最も短い。
【0052】
接続端子Ｔの中の検出ドライバＲ２に接続される端子群はセンサ電極ＣＯＭにそれぞれ対応するセンサ電極ＣＯＭと等しい数の端子ｔ１～ｔ４８を備える。端子ｔ１は接続群の中で最も左に位置し、端子ｔ４８は最も右に位置し、端子ｔ２～端子ｔ４７は端子ｔ１と端子ｔ４８の間にこの順番で左から右に位置する。端子ｔ１～ｔ４８も列毎のセンサ電極ＣＯＭグループに対応してグループ化されている。例えば、端子ｔ１～ｔ８からなる端子グループＴ１はセンサ電極ＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（８，１）グループに対応し、端子ｔ９～ｔ１６からなる端子グループＴ２はセンサ電極ＣＯＭ（１，２）～ＣＯＭ（８，２）グループに対応し、以下同様に端子ｔ４２～ｔ４８からなる端子グループＴ６はセンサ電極ＣＯＭ（１，６）～ＣＯＭ（８，６）グループに対応する。
【0053】
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８それぞれはセンサ電極グループの各センサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）～ＣＯＭ（８，ｎ）に対応している。この対応関係（マッピングとも称する）は検出ドライバＲ２により決まっている。この対応関係に応じて各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子ｔ８（ｎ－１）＋８とセンサ電極グループ内の各センサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）～ＣＯＭ（８，ｎ）に接続される配線Ｌ１～Ｌ８との接続は決まる。
【0054】
マッピングのいくつかの例を説明する。
第１のマッピングでは、
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応し、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に対応し、
左から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線基板Ｆから３番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（３，ｎ）に対応し、
左から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線基板Ｆから４番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（４，ｎ）に対応し、
左から５番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線基板Ｆから５番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（５，ｎ）に対応し、
左から６番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線基板Ｆから６番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（６，ｎ）に対応し、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆから７番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に対応し、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆから８番目に遠い（配線基板Ｆに最も近い）センサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応する。
第１のマッピングでは、
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応し、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に対応し、
左から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線基板Ｆから３番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（３，ｎ）に対応し、
左から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線基板Ｆから４番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（４，ｎ）に対応し、
左から５番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線基板Ｆから５番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（５，ｎ）に対応し、
左から６番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線基板Ｆから６番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（６，ｎ）に対応し、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆから７番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に対応し、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆから８番目に遠い（配線基板Ｆに最も近い）センサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応する。
【0055】
第１のマッピング例とは逆の対応関係を規定する第２マッピングでは、
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応し、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆに２番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に対応し、
左から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線基板Ｆに３番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（６，ｎ）に対応し、
左から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線基板Ｆに４番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（５，ｎ）に対応し、
左から５番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線基板Ｆに５番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（４，ｎ）に対応し、
左から６番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線基板Ｆに６番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（３，ｎ）に対応し、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆに７番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に対応し、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆに８番目に近い（配線基板Ｆから最も遠い）センサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応する。
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応し、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆに２番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に対応し、
左から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線基板Ｆに３番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（６，ｎ）に対応し、
左から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線基板Ｆに４番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（５，ｎ）に対応し、
左から５番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線基板Ｆに５番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（４，ｎ）に対応し、
左から６番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線基板Ｆに６番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（３，ｎ）に対応し、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆに７番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に対応し、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆに８番目に近い（配線基板Ｆから最も遠い）センサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応する。
【0056】
上記の２例は、端子の位置が左から右へ変化するにつれてセンサ電極の位置が遠から近又は近から遠へ一様に変化するように対応づけられている例であるが、端子の位置が右から左へ変化するにつれてセンサ電極の位置が遠から近へ交互に（例えば、第２遠、第２近、第３遠、第３近、…等）変化する第３マッピング例もある。第３マッピングについては図１３を参照して第５実施形態で説明する。
【0057】
第１実施形態では、検出ドライバＲ２の端子とセンサ電極との対応関係は第１マッピングであるとする。このため、
各端子グループ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に接続される配線Ｌ１に接続され、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に接続される配線Ｌ２に接続され、以下同様に、
左から７番目の端子８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆから７番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に接続される配線Ｌ７に接続され、
左から８番目（最も右）の端子８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆから８番目に遠い（配線基板Ｆに最も近い）センサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に接続される配線Ｌ８に接続される。
各端子グループ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に接続される配線Ｌ１に接続され、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に接続される配線Ｌ２に接続され、以下同様に、
左から７番目の端子８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆから７番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に接続される配線Ｌ７に接続され、
左から８番目（最も右）の端子８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆから８番目に遠い（配線基板Ｆに最も近い）センサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に接続される配線Ｌ８に接続される。
【0058】
これにより、凹部９８にある左から４列目のセンサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループ以外については、配線Ｌ１は端子ｔ８（ｎ－１）＋１に接続されるので、各配線群Ｌ１２ｎの中の最も左に位置し、配線Ｌ８は端子ｔ８（ｎ－１）＋８に接続されるので、各配線群Ｌ１２ｎの中の最も右に位置する。配線Ｌ１とＬ８の間に、配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）及び端子ｔ８（ｎ－１）＋２に接続される配線Ｌ２、配線基板Ｆから３番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（３，ｎ）及び端子ｔ８（ｎ－１）＋３に接続されるＬ３、…センサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）及び端子ｔ８（ｎ－１）＋７に接続されるＬ７がこの順番に位置する。各配線Ｌ１～Ｌ８は各センサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）～（８，ｎ）と所定数（図６の例では６個）のコンタクト（図中、黒点）を介して接続される。
【0059】
図７（ａ）はセンサ電極ＣＯＭ（８，４）の拡大平面図、図７（ｂ）はセンサ電極ＣＯＭ（１，１）の拡大平面図である。後述する理由により、センサ電極ＣＯＭ（８，４）から検出ドライバＲ２（端子群）側の周辺領域ＳＡに引き出される配線Ｌ１～Ｌ８の第２引出配線部は、図７（ａ）に示すように途中でコンタクトホール（図７の白丸）を介して他の層の配線に接続され、２個の層の配線を介して端子群Ｔに接続される。第２引出配線部の中のセンサ電極ＣＯＭ（８，４）からコンタクトホールまでの部分を第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ８２ａと称し、コンタクトホールから端子群Ｔまでの部分を第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ８２ｂと称する。左から４列目のセンサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループについては、凹部９８の影響により配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，４）は左側が欠けている。このため、センサ電極ＣＯＭ（１，４）に接続される配線Ｌ１は配線群Ｌ１２４の中の最も右に配置される。各端子グループＴｎを構成する８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も右の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応し、最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応しているので、配線Ｌ１の配線基板Ｆ側の第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａの端部は周辺領域ＳＡ内でＸ方向に沿って延びているブリッジ配線Ｂｒ１を介して検出ドライバＲ２の端子ｔ２５（センサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループに対応する端子グループＴ４を構成する８個の端子の中の最も左の端子）からＹ方向に沿って延びている配線Ｌ１の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂに接続される。これにより、配線基板Ｆ側の周辺領域ＳＡで配線Ｌ１の位置を最も右から最も左に入れ替えることができ、センサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループに対応する端子グループＴ４を構成する８個の端子の中の最も左の端子ｔ２５と配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，４）とを配線Ｌ１により接続することができる。すなわち、センサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループについての配線Ｌ１～Ｌ８の配置は、表示領域ＤＡ内では左から順番に配線Ｌ２、Ｌ３～Ｌ８、Ｌ１である。配線Ｌ２、Ｌ３～Ｌ８はそれぞれセンサ電極ＣＯＭ（２，４）、ＣＯＭ（３，４）～ＣＯＭ（８，４）と接続され、配線Ｌ１はセンサ電極ＣＯＭ（１，４）と接続される。各センサ電極に形成される６個のコンタクトのＹ方向の位置は揃っていてもよい。
ブリッジ配線Ｂｒは第２Ｂ引出配線部Ｌ２２ｂ～Ｌ８２ｂと交差するので、第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ８２ｂが形成される層と異なる層に形成される場合がある。例えば、図７（ａ）の場合、配線Ｌ１～Ｌ８、第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ８２ａ、ブリッジ配線Ｂｒを同じ金属層で形成し、第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ８２ｂを他の金属層により形成してもよいし、第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ８２ａ及び第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ８２ｂを同じ金属層により形成してもよいし、配線Ｌ１～Ｌ８とブリッジ配線Ｂｒを他の金属層により形成してもよい。表示装置の層構造は第２実施形態に関して詳細に説明するが、後述する図１５及び図１６に示すように、第１基板ＳＵＢ１（図２）は多数の層からなる。例えば基材の上にポリシリコン層からなる半導体層が形成され、半導体層の上に無機膜からなる絶縁層を介して例えばモリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）からなる走査線層（ゲート線層とも称する）が形成される。走査線層の上に無機膜からなる絶縁層を介して例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）からなる信号線層（ソース線層とも称する）が形成される。信号線層の上に有機膜からなる第１絶縁層（第１ＨＲＣ層）を介して例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）層からなる金属配線層が形成されることがある。走査線層を第１金属層、信号線層を第２金属層、信号線層の上のＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ層からなる金属配線層を第３金属層と称することもある。第３金属層の上に有機膜からなる第２絶縁層（第２ＨＲＣ層）を介して第１ＩＴＯ層が形成される。また、第２ＨＲＣ層は無機膜であっても良い。表示領域ＤＡにおいて、第３金属層の金属配線は配線Ｌ１～Ｌ８を形成し、第１ＩＴＯ層はセンサ電極ＣＯＭを形成する。第１ＩＴＯ層の上に例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）からなる絶縁層を介して第２ＩＴＯ層が形成される。第２ＩＴＯ層は画素電極６４（図２）を形成する。配線Ｌ１～Ｌ８はそれぞれ第２ＨＲＣ層に形成されたコンタクトホールを介してセンサ電極ＣＯＭに接続されている。
例えば、ブリッジ配線Ｂｒを第１ＨＲＣ層の下層、例えば第２金属層又は第１金属層により形成してもよいし、第３金属層により形成してもよい。さらに、ブリッジ配線Ｂｒを第２ＨＲＣ層の絶縁像の上層の第１ＩＴＯ又は第２ＩＴＯを用いて形成してもよい。
ブリッジ配線Ｂｒを用いて配置を入れ替える配線の数は１に限定されない。例えば、凹部の深さ（Ｙ方向の長さ）が深く、検出ドライバＲ２の端子ｔ２６に接続されＹ方向に延びる配線がセンサ電極ＣＯＭ（２，４）と十分な数のコンタクトを形成できない場合、センサ電極ＣＯＭ（２，４）に接続される配線Ｌ２も配線群Ｌ１２４の中の右から２番目、すなわち配線Ｌ１の左に配置し、配線Ｌ２の配線基板Ｆ側の第２Ａ引出配線部Ｌ２２ａの端部を周辺領域ＳＡ内でＸ方向に沿って延びている第２のブリッジ配線を介して検出ドライバＲ２の端子ｔ２６からＹ方向に沿って延びている配線Ｌ２の第２Ｂ引出配線部Ｌ２２ｂと接続してもよい。
ブリッジ配線Ｂｒは第２Ｂ引出配線部Ｌ２２ｂ～Ｌ８２ｂと交差するので、第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ８２ｂが形成される層と異なる層に形成される場合がある。例えば、図７（ａ）の場合、配線Ｌ１～Ｌ８、第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ８２ａ、ブリッジ配線Ｂｒを同じ金属層で形成し、第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ８２ｂを他の金属層により形成してもよいし、第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ８２ａ及び第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ８２ｂを同じ金属層により形成してもよいし、配線Ｌ１～Ｌ８とブリッジ配線Ｂｒを他の金属層により形成してもよい。表示装置の層構造は第２実施形態に関して詳細に説明するが、後述する図１５及び図１６に示すように、第１基板ＳＵＢ１（図２）は多数の層からなる。例えば基材の上にポリシリコン層からなる半導体層が形成され、半導体層の上に無機膜からなる絶縁層を介して例えばモリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）からなる走査線層（ゲート線層とも称する）が形成される。走査線層の上に無機膜からなる絶縁層を介して例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）からなる信号線層（ソース線層とも称する）が形成される。信号線層の上に有機膜からなる第１絶縁層（第１ＨＲＣ層）を介して例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）層からなる金属配線層が形成されることがある。走査線層を第１金属層、信号線層を第２金属層、信号線層の上のＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ層からなる金属配線層を第３金属層と称することもある。第３金属層の上に有機膜からなる第２絶縁層（第２ＨＲＣ層）を介して第１ＩＴＯ層が形成される。また、第２ＨＲＣ層は無機膜であっても良い。表示領域ＤＡにおいて、第３金属層の金属配線は配線Ｌ１～Ｌ８を形成し、第１ＩＴＯ層はセンサ電極ＣＯＭを形成する。第１ＩＴＯ層の上に例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）からなる絶縁層を介して第２ＩＴＯ層が形成される。第２ＩＴＯ層は画素電極６４（図２）を形成する。配線Ｌ１～Ｌ８はそれぞれ第２ＨＲＣ層に形成されたコンタクトホールを介してセンサ電極ＣＯＭに接続されている。
例えば、ブリッジ配線Ｂｒを第１ＨＲＣ層の下層、例えば第２金属層又は第１金属層により形成してもよいし、第３金属層により形成してもよい。さらに、ブリッジ配線Ｂｒを第２ＨＲＣ層の絶縁像の上層の第１ＩＴＯ又は第２ＩＴＯを用いて形成してもよい。
ブリッジ配線Ｂｒを用いて配置を入れ替える配線の数は１に限定されない。例えば、凹部の深さ（Ｙ方向の長さ）が深く、検出ドライバＲ２の端子ｔ２６に接続されＹ方向に延びる配線がセンサ電極ＣＯＭ（２，４）と十分な数のコンタクトを形成できない場合、センサ電極ＣＯＭ（２，４）に接続される配線Ｌ２も配線群Ｌ１２４の中の右から２番目、すなわち配線Ｌ１の左に配置し、配線Ｌ２の配線基板Ｆ側の第２Ａ引出配線部Ｌ２２ａの端部を周辺領域ＳＡ内でＸ方向に沿って延びている第２のブリッジ配線を介して検出ドライバＲ２の端子ｔ２６からＹ方向に沿って延びている配線Ｌ２の第２Ｂ引出配線部Ｌ２２ｂと接続してもよい。
【0060】
最も左列のセンサ電極ＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（８，１）グループについては、表示領域ＤＡのラウンド部Ｃ３３の形状に応じて配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，１）は左上角部が丸められている。このため、検出ドライバＲ２の端子ｔ１（端子グループＴ１内の最も左の端子）に接続されＹ方向に延びる配線Ｌ１がセンサ電極ＣＯＭ（１，１）と十分な数のコンタクトを形成できない場合がある。図６の例では１つしかコンタクトｃ１を形成できない。なお、センサ電極ＣＯＭ（１，１）のラウンド形状によってはＹ方向に延出する配線Ｌ１と全くコンタクトを形成できない場合もある。そのため、センサ電極ＣＯＭ（１，１）では配線Ｌ１とは別の箇所でコンタクトｃ２～ｃ６が形成される。
【0061】
図７（ｂ）に示すように、コンタクトｃ１に接続される配線Ｌ１は検出ドライバＲ２とは反対側（Ｙ方向のマイナス側）の周辺領域ＳＡに引き出される第１引出配線部Ｌ１ｅを含む。最も左列のセンサ電極ＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（８，１）グループの中のラウンド部Ｃ３３に対応するセンサ電極ＣＯＭ（１，１）以外のセンサ電極ＣＯＭ（２，１）～ＣＯＭ（８，１）について、配線Ｌ２～Ｌ８はセンサ電極ＣＯＭ（２，１）～ＣＯＭ（８，１）とのコンタクトの箇所を含むそれぞれの配線が接続されるセンサ電極ＣＯＭ（２，１）～ＣＯＭ（８，１）までしか形成されず、検出ドライバＲ２と反対側に隣接する他のセンサ電極に引き出される第１引出配線部は存在しない。他の列のセンサ電極ＣＯＭグループについての配線Ｌ１～Ｌ８も同様である。
【0062】
配線Ｌ１と平行に副配線Ｌ２´が形成され、副配線Ｌ２´がコンタクトｃ２、ｃ３を介してセンサ電極ＣＯＭ（１，１）と接続される。副配線Ｌ２´は検出ドライバＲ２とは反対側（Ｙ方向のマイナス側）の周辺領域ＳＡに引き出される第１引出配線部Ｌ２´ｅを含む。副配線Ｌ２´と平行に副配線Ｌ３´が形成され、副配線Ｌ３´がコンタクトｃ４、ｃ５、ｃ６を介してセンサ電極ＣＯＭ（１，１）と接続される。副配線Ｌ３´は検出ドライバＲ２とは反対側（Ｙ方向のマイナス側）の周辺領域ＳＡに引き出される第１引出配線部Ｌ３´ｅを含む。
【0063】
第１引出配線部Ｌ１ｅ、Ｌ２´ｅ、Ｌ３´ｅの先端は周辺領域ＳＡで連結配線Ｌｓにより互いに接続される。これにより、検出ドライバＲ２の端子ｔ１（端子グループＴ１内の最も左の端子）に接続される配線Ｌ１はセンサ電極ＣＯＭ（１，１）と６個のコンタクトｃ１～ｃ６を介して接続される。コンタクトの数は説明の便宜上６個とするが、６個に限定されず、任意の数で良い。コンタクトの数が増えれば、副配線の数を増やせばよい。
【0064】
副配線Ｌ２´は検出ドライバＲ２の端子ｔ２（端子グループＴ１内の左から２番目の端子）に接続されＹ方向に沿って延びている配線Ｌ２の延長線上に配線Ｌ２とは非接続状態で形成してもよく、副配線Ｌ３´は検出ドライバＲ２の端子ｔ３（端子グループＴ１内の左から３番目の端子）に接続されＹ方向に沿って延びている配線Ｌ３の延長線上に配線Ｌ３とは非接続状態で形成してもよい。コンタクトｃ１、ｃ２、ｃ４はＹ方向位置が揃っていてもよい。同様に、コンタクトｃ３、ｃ５はＹ方向位置が揃っていてもよい。さらに、コンタクトｃ１～ｃ６は同じ行のセンサ電極グループの他のセンサ電極ＣＯＭ（１，２）～ＣＯＭ（１，６）のコンタクトともＹ方向位置が揃っていてもよい。
【0065】
なお、凹部９８は必須ではなく、凹部９８が無い場合は、センサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループについても他のセンサ電極ＣＯＭグループと同様に、配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，４）に接続される配線Ｌ１を第２引出配線部を介して端子グループＴ４内の最も左の端子ｔ２５に接続して最も左に位置させ、配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，４）に接続される配線Ｌ８を第２引出配線部を介して端子ｔ３２に接続して最も右に位置させ、配線Ｌ１とＬ８の間に、配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，４）及び端子ｔ２６に接続される配線Ｌ２、センサ電極ＣＯＭ（３，４）及び端子ｔ２７に接続されるＬ３、…センサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）及び端子ｔ３１に接続されるＬ７をこの順番に位置するように配線すればよい。
【0066】
図６の例は第１マッピングを採用したので、最も左列のセンサ電極ＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（８，１）グループ及び凹部９８の右側である左から４列目のセンサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループが、それらの配線Ｌ１～Ｌ８の配置が他のセンサ電極ＣＯＭグループの配線Ｌ１～Ｌ８の配置と異なる例外グループである。第１実施形態は第２マッピングを採用してもよい。その場合は、最も右列のセンサ電極ＣＯＭ（１，６）～ＣＯＭ（８，６）グループ及び凹部９８の左側である左から３列目のセンサ電極ＣＯＭ（１，３）～ＣＯＭ（８，３）グループが例外グループとなる。すなわち、第２マッピングが採用される場合は、図６の配線パターンを左右反転させた配線パターンにより検出ドライバＲ２とセンサ電極ＣＯＭとを接続する。
【0067】
第２マッピングを採用し、かつ凹部９８が無い表示装置では、センサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループについても他のセンサ電極ＣＯＭグループと同様に第２マッピングに基づき接続される。この場合、ブリッジ配線Ｂｒは不要である。
このように第１実施形態によれば、表示領域ＤＡのラウンド部Ｃ３３の形状に応じて一部が丸められているため、検出ドライバＲ２から延びる配線と十分なコンタクトが確保できない異形のセンサ電極ＣＯＭについては、センサ電極内の検出ドライバＲ２から延びる配線以外の箇所にもコンタクトを形成する。これらのコンタクトに接続される配線と一体的な引出配線部を検出ドライバＲ２に向かう方向とは反対の方向の周辺領域ＳＡまで引き出す。これらのコンタクトから引き出された引出配線部を周辺領域ＳＡで互いに接続する。これにより、ラウンド部を有するセンサ電極ＣＯＭと検出ドライバとのコンタクトを確保することができる。
このように第１実施形態によれば、表示領域ＤＡのラウンド部Ｃ３３の形状に応じて一部が丸められているため、検出ドライバＲ２から延びる配線と十分なコンタクトが確保できない異形のセンサ電極ＣＯＭについては、センサ電極内の検出ドライバＲ２から延びる配線以外の箇所にもコンタクトを形成する。これらのコンタクトに接続される配線と一体的な引出配線部を検出ドライバＲ２に向かう方向とは反対の方向の周辺領域ＳＡまで引き出す。これらのコンタクトから引き出された引出配線部を周辺領域ＳＡで互いに接続する。これにより、ラウンド部を有するセンサ電極ＣＯＭと検出ドライバとのコンタクトを確保することができる。
【0068】
さらに、凹部９８に対応して一部が欠けているため、検出ドライバＲ２から延びる配線と十分なコンタクトを確保できない異形のセンサ電極ＣＯＭについては、検出ドライバＲ２とセンサ電極との間の周辺領域ＳＡで配線の配置を入れ替えることにより、センサ電極ＣＯＭと検出ドライバとのコンタクトを確保することができる。配線の配置を入れ替えるために、センサ電極に接続されＹ方向に沿って延びている第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａと、検出ドライバＲ２に接続されＹ方向に沿って延びている第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂと、を配線に交差するＸ方向に沿って延びているブリッジ配線Ｂｒを用いて接続する。これにより、凹部によりセンサ電極の一部が欠けていても、センサ電極ＣＯＭと検出ドライバとを接続することができる。
【0069】
以下、他の実施形態を説明するが、他の実施形態において先に説明した実施形態と同じ構成についての説明は省略する。
［第２実施形態］
図８は第２実施形態に係るタッチパネル付き表示装置ＤＳＰのタッチ検出のためのセンサ電極ＣＯＭとセンサ電極ドライバとの接続例を示す。第１実施形態では、表示パネルＰＮＬの平面視形状は上辺の２角の形状は円弧状であるが、下辺の２角部は直角な角部である略矩形の異形であった。第２実施形態としては、４角部とも円弧状に丸められた略矩形の異形である表示パネルＰＮＬを備えるタッチパネル付き表示装置を説明する。図５、図６に示す第１実施形態とは異なり、第２実施形態では図８に示すように、上辺の２角部と同じように、第１基板ＳＵＢ１の配線基板Ｆに近い端部Ｅ１の両端の角部Ｃ１１、Ｃ１２、第２基板ＳＵＢ２の配線基板Ｆに近い端部Ｅ５の両端の角部Ｃ２１、Ｃ２２及び表示領域ＤＡの配線基板Ｆに近い端部の両端の角部Ｃ３１、Ｃ３１も円弧状（ラウンド部とも称する）である。図８は上辺の中央部に凹部９８を有する例を説明するが、第１実施形態と同様に凹部９８は必須ではなく、無くてもよい。
［第２実施形態］
図８は第２実施形態に係るタッチパネル付き表示装置ＤＳＰのタッチ検出のためのセンサ電極ＣＯＭとセンサ電極ドライバとの接続例を示す。第１実施形態では、表示パネルＰＮＬの平面視形状は上辺の２角の形状は円弧状であるが、下辺の２角部は直角な角部である略矩形の異形であった。第２実施形態としては、４角部とも円弧状に丸められた略矩形の異形である表示パネルＰＮＬを備えるタッチパネル付き表示装置を説明する。図５、図６に示す第１実施形態とは異なり、第２実施形態では図８に示すように、上辺の２角部と同じように、第１基板ＳＵＢ１の配線基板Ｆに近い端部Ｅ１の両端の角部Ｃ１１、Ｃ１２、第２基板ＳＵＢ２の配線基板Ｆに近い端部Ｅ５の両端の角部Ｃ２１、Ｃ２２及び表示領域ＤＡの配線基板Ｆに近い端部の両端の角部Ｃ３１、Ｃ３１も円弧状（ラウンド部とも称する）である。図８は上辺の中央部に凹部９８を有する例を説明するが、第１実施形態と同様に凹部９８は必須ではなく、無くてもよい。
【0070】
第２実施形態の走査線ドライバＧＤ１は、図４に示す第１実施形態の走査線ドライバＧＤ１に対して、角部Ｃ３１の近傍においても角部Ｃ３１と同様に円弧状に曲がった領域に設けられる点が異なる。同様に、第２実施形態の走査線ドライバＧＤ２は、図４に示す第１実施形態の走査線ドライバＧＤ２に対して、角部Ｃ３２の近傍において角部Ｃ３２と同様に円弧状に曲がった領域に設けられる点が異なる。
【0071】
検出ドライバＲ２の端子ｔ１～ｔ４８は第１実施形態と同様に列毎のセンサ電極ＣＯＭグループに対応してグループ化されている。各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８とセンサ電極グループの各センサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）～ＣＯＭ（８，ｎ）とのマッピングは第１実施形態とは異なる。第１実施形態は、全ての検出器グループについて第１マッピング又は第２マッピングを一様に採用したが、第２実施形態は、検出器グループ毎に第１マッピング又は第２マッピングを採用し、全体としては第１マッピング及び第２マッピングを併用する。
【0072】
左から３列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，３）～ＣＯＭ（８，３）と、左から６列目（最も右列）のセンサ電極グループＣＯＭ（１，６）～ＣＯＭ（８，６）については、第１マッピングが採用される。最も左列のセンサ電極グループＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（８，１）と、左から４列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）については、第２マッピングが採用される。左から２列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，２）～ＣＯＭ（８，２）と、左から５列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，５）～ＣＯＭ（８，５）については、第１マッピング及び第２マッピングのいずれが採用されてもよいが、ここでは、左から２列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，２）～ＣＯＭ（８，２）については第２マッピングが採用され、左から５列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，５）～ＣＯＭ（８，５）については第１マッピングが採用されるとする。
【0073】
このように、最も左列のセンサ電極グループＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（８，１）と、左から２列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，２）～ＣＯＭ（８，２）と、左から４列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）については、第２マッピングが採用されている。そのため、
各端子グループＴｎ内の８個の端子の中の最も左に位置する端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に接続される配線Ｌ８に接続され、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆに２番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に接続される配線Ｌ７に接続され、以下同様に、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆに７番目に近い遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に接続される配線Ｌ２に接続され、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆに８番目に近い（配線基板Ｆから最も遠い）センサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に接続される配線Ｌ１に接続される。
このため、各センサ電極グループＣＯＭ（１，ｎ）～ＣＯＭ（８，ｎ）の配線群Ｌ１２ｎ内では、配線Ｌ１は図８の平面視において最も右（端部Ｅ４側）に位置し、配線Ｌ８は最も左（端部Ｅ３側）に位置し、配線Ｌ１とＬ８の間に配線Ｌ２、Ｌ３、…Ｌ７はこの順番に右から左に位置する。
各端子グループＴｎ内の８個の端子の中の最も左に位置する端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に接続される配線Ｌ８に接続され、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆに２番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に接続される配線Ｌ７に接続され、以下同様に、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆに７番目に近い遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に接続される配線Ｌ２に接続され、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆに８番目に近い（配線基板Ｆから最も遠い）センサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に接続される配線Ｌ１に接続される。
このため、各センサ電極グループＣＯＭ（１，ｎ）～ＣＯＭ（８，ｎ）の配線群Ｌ１２ｎ内では、配線Ｌ１は図８の平面視において最も右（端部Ｅ４側）に位置し、配線Ｌ８は最も左（端部Ｅ３側）に位置し、配線Ｌ１とＬ８の間に配線Ｌ２、Ｌ３、…Ｌ７はこの順番に右から左に位置する。
【0074】
左から３列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，３）～ＣＯＭ（８，３）と、左から５列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，５）～ＣＯＭ（８，５）と、左から６列目（最も右列）のセンサ電極グループＣＯＭ（１，６）～ＣＯＭ（８，６）については、第１マッピングが採用されている。そのため、
各端子グループＴｎ内の８個の端子の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に接続される配線Ｌ１に接続され、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に接続される配線Ｌ２に接続され、以下同様に、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆから７番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に接続される配線Ｌ７に接続され、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆから８番目に遠い（配線基板Ｆに最も近い）センサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に接続される配線Ｌ８に接続される。
各端子グループＴｎ内の８個の端子の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に接続される配線Ｌ１に接続され、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に接続される配線Ｌ２に接続され、以下同様に、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆから７番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に接続される配線Ｌ７に接続され、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆから８番目に遠い（配線基板Ｆに最も近い）センサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に接続される配線Ｌ８に接続される。
【0075】
このため、各センサ電極グループＣＯＭ（１，ｎ）～ＣＯＭ（８，ｎ）の配線群Ｌ１２ｎでは、配線Ｌ１は図８の平面視において最も左（端部Ｅ３側）に位置し、配線Ｌ８は最も右（端部Ｅ４側）に位置し、配線Ｌ１とＬ８の間に配線Ｌ２、Ｌ３、…Ｌ７はこの順番に左から右に位置する。
【0076】
第２実施形態によれば、左右対称な位置の異形のセンサ電極を有する検出器グループにおいて、左右でマッピングを異ならせることにより、表示領域ＤＡのラウンド部Ｃ３３、Ｃ３４の形状に応じて１角部が丸められているセンサ電極ＣＯＭ（１，１）、ＣＯＭ（１，６）及び凹部９８の形状に応じて少なくとも１角部が欠けているセンサ電極ＣＯＭ（１，３）、ＣＯＭ（１，４）、ＣＯＭ（２，３）、ＣＯＭ（２，４）についても検出ドライバＲ２に接続される配線との十分なコンタクトを確保することができる。
【0077】
図８の例とは異なり、２列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，２）～ＣＯＭ（８，２）について第１マッピングが採用され、左から５列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，５）～ＣＯＭ（８，５）について第２マッピングが採用されてもよい。
凹部９８が無い場合は、最も左又は右のセンサ電極グループについては、第２実施形態と同様なマッピングが採用されるが、それ以外は第１マッピング及び第２マッピングのいずれが採用されてもよい。
凹部９８が無い場合は、最も左又は右のセンサ電極グループについては、第２実施形態と同様なマッピングが採用されるが、それ以外は第１マッピング及び第２マッピングのいずれが採用されてもよい。
【0078】
［第３実施形態］
図９は第３実施形態に係るタッチパネル付き表示装置ＤＳＰのタッチ検出のためのセンサ電極ＣＯＭとセンサ電極ドライバとの接続例を示す。第３実施形態のタッチパネル付き表示装置も第２実施形態と同様に４角部とも円弧である略矩形の異形である表示パネルＰＮＬを備える。
図９は第３実施形態に係るタッチパネル付き表示装置ＤＳＰのタッチ検出のためのセンサ電極ＣＯＭとセンサ電極ドライバとの接続例を示す。第３実施形態のタッチパネル付き表示装置も第２実施形態と同様に４角部とも円弧である略矩形の異形である表示パネルＰＮＬを備える。
【0079】
検出ドライバＲ２の端子ｔ１～ｔ４８は第１実施形態と同様に列毎のセンサ電極ＣＯＭグループに対応してグループ化されている。各端子グループ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８とセンサ電極グループの各センサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）～ＣＯＭ（８，ｎ）とのマッピングは第１実施形態と同様に、全ての検出器グループについて一様に第１マッピング又は第２マッピングが採用される。図９は第１マッピングが採用される例を示す。
【0080】
第３実施形態では、凹部９８にある左から４列目のセンサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループ以外については、配線Ｌ１は端子ｔ８（ｎ－１）＋１に接続されるので、配線群Ｌ１２ｎの中で最も左に位置し、配線Ｌ８は端子ｔ８（ｎ－１）＋８に接続されるので、最も右に位置する。配線Ｌ１とＬ８の間に、配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）及び端子ｔ８（ｎ－１）＋２に接続される配線Ｌ２、センサ電極ＣＯＭ（３，ｎ）及び端子ｔ８（ｎ－１）＋３に接続されるＬ３、…センサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）及び端子ｔ８（ｎ－１）＋７に接続されるＬ７がこの順番に位置する。各配線Ｌ１～Ｌ８は各センサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）～（８，ｎ）と所定数（図５の例では６個）のコンタクト（図中、黒点）を介して接続される。
【0081】
左から４列目のセンサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループについては、図６、図７（ａ）に示した第１実施形態と同様に、センサ電極ＣＯＭ（１，４）に接続される配線Ｌ１は各配線群Ｌ１２ｎの中の最も右に配置される。各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も右の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応し、最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応しているので、配線Ｌ１の配線基板Ｆ側の第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａの端部は周辺領域ＳＡ内でＸ方向に沿って延びているブリッジ配線Ｂｒ１を介して検出ドライバＲ２の端子ｔ２５（センサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループに対応する端子グループＴ４内の最も左の端子）からＹ方向に沿って延びている配線Ｌ１の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂと接続される。
【0082】
これにより、周辺領域ＳＡで配線の配置を入れ替えることができ、センサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループに対応する端子グループＴ４内の最も左の端子ｔ２５と配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，４）とを接続することができる。すなわち、センサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループについての配線Ｌ１～Ｌ８の配置は、表示領域ＤＡ内では左から順番に配線Ｌ２、Ｌ３～Ｌ８、Ｌ１である。配線Ｌ２、Ｌ３～Ｌ８はそれぞれセンサ電極ＣＯＭ（２，４）、ＣＯＭ（３，４）～ＣＯＭ（８，４）と接続され、配線Ｌ１はセンサ電極ＣＯＭ（１，４）と接続される。各センサ電極に形成される６個のコンタクトのＹ方向の位置は揃っていてもよい。
【0083】
センサ電極グループＣＯＭ（１，４）～（８，４）においてブリッジ配線を用いて配置を入れ替える配線の数は１に限定されない。例えば、凹部の深さ（Ｙ方向の長さ）が深く、センサ電極ＣＯＭ（２，４）に端子ｔ２６と接続されＹ方向に延びている配線上で十分な数のコンタクトを形成できない場合、センサ電極ＣＯＭ（２，４）に接続される配線Ｌ２も配線群Ｌ１２４の中の右から２番目、すなわち配線Ｌ１の左に配置し、配線Ｌ２の配線基板Ｆ側の第２Ａ引出配線部Ｌ２２ａの端部を周辺領域ＳＡ内でＸ方向に沿って延びている第２のブリッジ配線を介して検出ドライバＲ２の端子ｔ２６からＹ方向に沿って延びている配線Ｌ２の第２Ｂ引出配線部Ｌ２２ｂと接続してもよい。
【0084】
最も左列のセンサ電極ＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（８，１）グループについても、図６、図７（ｂ）に示した第１実施形態と同様に、センサ電極ＣＯＭ（１，１）では、配線Ｌ１とのコンタクトｃ１以外に、配線Ｌ１とは別の箇所でコンタクトｃ２～ｃ６が形成される。
これらのコンタクトｃ１～ｃ６を接続するために、コンタクトｃ１に接続される配線Ｌ１は検出ドライバＲ２とは反対側（Ｙ方向のマイナス側）の周辺領域ＳＡに引き出される第１引出配線部Ｌ１ｅを含む。コンタクトｃ２、ｃ３に接続される副配線Ｌ２´は検出ドライバＲ２とは反対側（Ｙ方向のマイナス側）の周辺領域ＳＡに引き出される第１引出配線部Ｌ２´ｅを含む。コンタクトｃ４、ｃ５、ｃ６に接続される副配線Ｌ３´は検出ドライバＲ２とは反対側（Ｙ方向のマイナス側）の周辺領域ＳＡに引き出される第１引出配線部Ｌ３´ｅを含む。
これらのコンタクトｃ１～ｃ６を接続するために、コンタクトｃ１に接続される配線Ｌ１は検出ドライバＲ２とは反対側（Ｙ方向のマイナス側）の周辺領域ＳＡに引き出される第１引出配線部Ｌ１ｅを含む。コンタクトｃ２、ｃ３に接続される副配線Ｌ２´は検出ドライバＲ２とは反対側（Ｙ方向のマイナス側）の周辺領域ＳＡに引き出される第１引出配線部Ｌ２´ｅを含む。コンタクトｃ４、ｃ５、ｃ６に接続される副配線Ｌ３´は検出ドライバＲ２とは反対側（Ｙ方向のマイナス側）の周辺領域ＳＡに引き出される第１引出配線部Ｌ３´ｅを含む。
【0085】
第１引出配線部Ｌ１ｅ、Ｌ２´ｅ、Ｌ３´ｅの先端は周辺領域ＳＡで連結配線Ｌｓにより互いに接続される。これにより、検出ドライバＲ２の端子ｔ１（端子グループＴ１内の最も左の端子）に接続される配線Ｌ１はセンサ電極ＣＯＭ（１，１）と６個のコンタクトｃ１～ｃ６を介して接続される。
【0086】
最も右列のセンサ電極ＣＯＭ（１，６）～ＣＯＭ（８，６）グループについては、表示領域ＤＡのラウンド部３４の形状に応じて配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，６）は右下角部が丸められている。このため、センサ電極ＣＯＭ（８，６）に接続される配線Ｌ８は各配線群Ｌ１２６の中の最も左に配置される。図１０（ａ）はセンサ電極ＣＯＭ（８，６）の拡大平面図である。各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も右の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応し、最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応しているので、配線Ｌ８の配線基板Ｆ側の周辺領域ＳＡの第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａの端部はＸ方向に沿って延びているブリッジ配線Ｂｒ２を介して検出ドライバＲ２の端子ｔ４８（センサ電極ＣＯＭ（１，６）～ＣＯＭ（８，６）グループに対応する端子グループＴ６内の最も右の端子）からＹ方向に沿って延びている配線Ｌ８の第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂと接続される。ブリッジ配線Ｂｒ２と第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂとは別の層により形成され、ブリッジ配線Ｂｒ２と第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂとはコンタクトホール（図１０の白丸）を介して接続される。他の配線Ｌ１～Ｌ７ではブリッジ配線Ｂｒは含まれず、配線基板Ｆ側の周辺領域ＳＡの第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ７２ａの端部は検出ドライバＲ２の端子グループに接続される第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂにコンタクトホールを介して接続される。
第１実施形態で説明したように、ブリッジ配線Ｂｒを形成する層は第２Ｂ引出配線層Ｌ１２ｂ～Ｌ８２ｂと異なる層の中から任意に選ぶことができる。一例として、図１０（ｂ）は第３金属層１２８によりブリッジ配線Ｂｒを形成する場合の図１０（ａ）のＢ－Ｂ´線に沿った断面図である。基材１０４の上に無機膜からなる絶縁層１０６が形成される。図１０（ｂ）以外の箇所で、基材１０４と絶縁層１０６の間にポリシリコン層からなる半導体層が形成される。絶縁層１０６の上に無機膜からなる絶縁層１０８が形成される。図１０（ｂ）以外の箇所で、絶縁層１０６と絶縁層１０８の間に例えばモリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）からなる走査線層（ゲート線層、第１金属層とも称する）が形成される。
絶縁層１０８の上に例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）からなる信号線層（ソース線層、第２金属層とも称する）１１２、１１４、１１６が形成される。信号線層１１２は配線Ｌ８の第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂを形成し、信号線層１１４は配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂを形成し、信号線層１１６はソース線ＳＬを形成する。信号線層１１２、１１４、１１６の上に有機膜からなる第１絶縁層（第１ＨＲＣ層）１２２が形成される。第１ＨＲＣ層１２２の上に同じく有機膜からなる第２絶縁層（第２ＨＲＣ層）１２６が形成される。第１ＨＲＣ層１２２と第２ＨＲＣ層１２６の間に例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）層からなる第３金属層１２８が形成される。第３金属層１２８は、配線Ｌ８を形成する第１部分１２８ａと、配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａを形成する第１部分１２８ｂと、ブリッジ配線Ｂｒ２を形成する第３部分１２８ｃとを含む。図１０（ｂ）以外の箇所で、第３金属層１２８は、配線Ｌ１～Ｌ７と、配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ７２ａを形成する。第３金属層の第１部分１２８ｂ（配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａ）の先端は第１ＨＲＣ層１２２内に形成されたコンタクトホール１２４を介して信号線層１１２（配線Ｌ８の第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂ）に接続される。
第２ＨＲＣ層１２６の上に無機膜からなる絶縁層１３４が形成される。第２ＨＲＣ層１２６と絶縁層１３４の間にセンサ電極ＣＯＭを形成する第１ＩＴＯ層１３２が形成される。センサ電極ＣＯＭ１３２は第２ＨＲＣ層１２６に形成されたコンタクトホール１３８を介して第３金属層の第１部分１２８ａ（配線Ｌ８）に接続される。配線Ｌ８は端子部側の周辺領域ＳＡに引き出された第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａ、第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂ、第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａと第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂとを接続するブリッジ配線Ｂｒ２を備える。図示しないが、他の配線Ｌ１～Ｌ７についても同様であり端子部側の周辺領域ＳＡに引き出された第２Ａ引出配線部と第２Ｂ引出配線部を備える。
このように第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａ及びブリッジ配線Ｂｒ２は第３金属層１２８で形成され、第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ８２ｂは信号線層１１４、１１２で形成される。このため、図１０（ｂ）以外の箇所で、配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ７２ａと配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂは第１ＨＲＣ層１２２に形成されたコンタクトホールを介して接続されている。配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａと第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂとの間には配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂが位置する。ブリッジＢｒ２は第３金属層１２８により配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａと一体的に形成され、第１引出配線部Ｌ８２ａの端部からＸ方向へ屈曲し、第１ＨＲＣ層１２２のコンタクトホール１２４を介して信号線層１１２により形成される第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂに接続される。ブリッジＢｒ２と配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂは第１ＨＲＣ層１２２を介して絶縁されており、ブリッジＢｒ２は配線Ｌ１～Ｌ７の複数の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂと重畳する。
なお、センサ電極ＣＯＭ１３２に接続される映像信号線は、ソース線１１６に重畳し、ソースドライバ２４に向かって引き出されているが、本願はセンサ電極ＣＯＭに接続されるタッチ検出のための配線群に着目しているので、理解のしやすさの為、映像信号線についての詳細な引き回し配線構造の図示は省略する。
図１１はセンサ電極ＣＯＭ（８，６）の他の例を示す。図１１（ａ）はセンサ電極ＣＯＭ（８，６）の他の例の拡大平面図である。この例では、配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａはコンタクトホールを介して互いに接続される第１領域Ｌ８２ａ１と第２領域Ｌ８２ａ２とを含む。これ以外は図１０（ａ）と同じである。図１１（ｂ）は絶縁層１０６と絶縁層１０８との間の第１金属層によりブリッジ配線Ｂｒを形成する場合の図１１（ａ）のＢ－Ｂ´線に沿った断面図である。基材１０４の上に無機膜からなる絶縁層１０６が形成される。図１１（ｂ）以外の箇所で、基材１０４と絶縁層１０６の間にポリシリコン層からなる半導体層が形成される。絶縁層１０６の上に無機膜からなる絶縁層１０８が形成される。絶縁層１０６と絶縁層１０８の間に例えばモリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）からなる走査線層（ゲート線層、第１金属層とも称する）１５２が形成される。走査線層１５２はブリッジ配線Ｂｒ２を形成する。
絶縁層１０８の上に例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）からなる信号線層（ソース線層、第２金属層とも称する）１１２、１１４、１５８、１１６が形成される。信号線層１１２は配線Ｌ８の第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂを形成し、信号線層１１４は配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂを形成し、信号線層１５８は配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部の第２領域Ｌ８２ａ２を形成し、信号線層１１６はソース線ＳＬを形成する。信号線１１２（配線Ｌ８の第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂ）が絶縁層１０８に形成されたコンタクトホール１５４を介して走査線層（ブリッジ配線Ｂｒ２）１５２の一端に接続され、信号線１５８（配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部の第２領域Ｌ８２ａ２）が絶縁層１０８に形成されたコンタクトホール１５６を介して走査線層（ブリッジ配線Ｂｒ２）１５２の他端に接続される。
信号線層１１２、１１４、１５８、１１６の上に有機膜からなる第１絶縁層（第１ＨＲＣ層）１２２が形成される。第１ＨＲＣ層１２２の上に同じく有機膜からなる第２絶縁層（第２ＨＲＣ層）１２６が形成される。第１ＨＲＣ層１２２と第２ＨＲＣ層１２６の間に例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）層からなる第３金属層１２８が形成される。第３金属層１２８は、配線Ｌ８を形成する第１部分１２８ａと、配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部の第１領域Ｌ８２ａ１を形成する第２部分１２８ｂとを含む。第３金属層１２８の第２部分１２８ｂ（Ｌ８２ａ１）は第１ＨＲＣ層１２２に形成されたコンタクトホール１６０を介して信号線１５８（Ｌ８２ａ２）に接続される。図１１（ｂ）以外の箇所で、第３金属層１２８は、配線Ｌ１～Ｌ７と、配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ７２ａを形成する。
第２ＨＲＣ層１２６の上に無機膜からなる絶縁層１３４が形成される。第２ＨＲＣ層１２６と絶縁層１３４の間にセンサ電極ＣＯＭを形成する第１ＩＴＯ層１３２が形成される。センサ電極ＣＯＭ１３２は第２ＨＲＣ層１２６に形成されたコンタクトホール１３８を介して第３金属層の第１部分１２８ａ（配線Ｌ８）に接続される。配線Ｌ８は端子部側の周辺領域ＳＡに引き出された第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａ１、Ｌ８２ａ２、第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂ、第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａ２と第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂとを接続するブリッジ配線Ｂｒ２を備える。図示しないが、他の配線Ｌ１～Ｌ７についても同様であり端子部側の周辺領域ＳＡに引き出された第２Ａ引出配線部と第２Ｂ引出配線部を備える。
配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ７２ａは第３金属層１２８で形成され、第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂは信号線層１１４で形成される。このため、図１１（ｂ）以外の箇所で、配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ７２ａと配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂは第１ＨＲＣ層１２２に形成されたコンタクトホールを介して接続されている。配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部の第２領域Ｌ８２ａ２と第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂとの間には配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂが位置する。ブリッジＢｒ２はＸ方向に延びる走査線層１５２により形成される。ブリッジＢｒ２と配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂは絶縁層１０８を介して絶縁されており、ブリッジＢｒ２は配線Ｌ１～Ｌ７の複数の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂと重畳する。
なお、センサ電極ＣＯＭ１３２に接続される映像信号線は、ソース線１１６に重畳し、ソースドライバ２４に向かって引き出されているが、本願はセンサ電極ＣＯＭに接続されるタッチ検出のための配線群に着目しているので、理解のしやすさの為、映像信号線についての詳細な引き回し配線構造の図示は省略する。
第１実施形態で説明したように、ブリッジ配線Ｂｒを形成する層は第２Ｂ引出配線層Ｌ１２ｂ～Ｌ８２ｂと異なる層の中から任意に選ぶことができる。一例として、図１０（ｂ）は第３金属層１２８によりブリッジ配線Ｂｒを形成する場合の図１０（ａ）のＢ－Ｂ´線に沿った断面図である。基材１０４の上に無機膜からなる絶縁層１０６が形成される。図１０（ｂ）以外の箇所で、基材１０４と絶縁層１０６の間にポリシリコン層からなる半導体層が形成される。絶縁層１０６の上に無機膜からなる絶縁層１０８が形成される。図１０（ｂ）以外の箇所で、絶縁層１０６と絶縁層１０８の間に例えばモリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）からなる走査線層（ゲート線層、第１金属層とも称する）が形成される。
絶縁層１０８の上に例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）からなる信号線層（ソース線層、第２金属層とも称する）１１２、１１４、１１６が形成される。信号線層１１２は配線Ｌ８の第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂを形成し、信号線層１１４は配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂを形成し、信号線層１１６はソース線ＳＬを形成する。信号線層１１２、１１４、１１６の上に有機膜からなる第１絶縁層（第１ＨＲＣ層）１２２が形成される。第１ＨＲＣ層１２２の上に同じく有機膜からなる第２絶縁層（第２ＨＲＣ層）１２６が形成される。第１ＨＲＣ層１２２と第２ＨＲＣ層１２６の間に例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）層からなる第３金属層１２８が形成される。第３金属層１２８は、配線Ｌ８を形成する第１部分１２８ａと、配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａを形成する第１部分１２８ｂと、ブリッジ配線Ｂｒ２を形成する第３部分１２８ｃとを含む。図１０（ｂ）以外の箇所で、第３金属層１２８は、配線Ｌ１～Ｌ７と、配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ７２ａを形成する。第３金属層の第１部分１２８ｂ（配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａ）の先端は第１ＨＲＣ層１２２内に形成されたコンタクトホール１２４を介して信号線層１１２（配線Ｌ８の第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂ）に接続される。
第２ＨＲＣ層１２６の上に無機膜からなる絶縁層１３４が形成される。第２ＨＲＣ層１２６と絶縁層１３４の間にセンサ電極ＣＯＭを形成する第１ＩＴＯ層１３２が形成される。センサ電極ＣＯＭ１３２は第２ＨＲＣ層１２６に形成されたコンタクトホール１３８を介して第３金属層の第１部分１２８ａ（配線Ｌ８）に接続される。配線Ｌ８は端子部側の周辺領域ＳＡに引き出された第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａ、第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂ、第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａと第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂとを接続するブリッジ配線Ｂｒ２を備える。図示しないが、他の配線Ｌ１～Ｌ７についても同様であり端子部側の周辺領域ＳＡに引き出された第２Ａ引出配線部と第２Ｂ引出配線部を備える。
このように第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａ及びブリッジ配線Ｂｒ２は第３金属層１２８で形成され、第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ８２ｂは信号線層１１４、１１２で形成される。このため、図１０（ｂ）以外の箇所で、配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ７２ａと配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂは第１ＨＲＣ層１２２に形成されたコンタクトホールを介して接続されている。配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａと第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂとの間には配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂが位置する。ブリッジＢｒ２は第３金属層１２８により配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａと一体的に形成され、第１引出配線部Ｌ８２ａの端部からＸ方向へ屈曲し、第１ＨＲＣ層１２２のコンタクトホール１２４を介して信号線層１１２により形成される第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂに接続される。ブリッジＢｒ２と配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂは第１ＨＲＣ層１２２を介して絶縁されており、ブリッジＢｒ２は配線Ｌ１～Ｌ７の複数の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂと重畳する。
なお、センサ電極ＣＯＭ１３２に接続される映像信号線は、ソース線１１６に重畳し、ソースドライバ２４に向かって引き出されているが、本願はセンサ電極ＣＯＭに接続されるタッチ検出のための配線群に着目しているので、理解のしやすさの為、映像信号線についての詳細な引き回し配線構造の図示は省略する。
図１１はセンサ電極ＣＯＭ（８，６）の他の例を示す。図１１（ａ）はセンサ電極ＣＯＭ（８，６）の他の例の拡大平面図である。この例では、配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａはコンタクトホールを介して互いに接続される第１領域Ｌ８２ａ１と第２領域Ｌ８２ａ２とを含む。これ以外は図１０（ａ）と同じである。図１１（ｂ）は絶縁層１０６と絶縁層１０８との間の第１金属層によりブリッジ配線Ｂｒを形成する場合の図１１（ａ）のＢ－Ｂ´線に沿った断面図である。基材１０４の上に無機膜からなる絶縁層１０６が形成される。図１１（ｂ）以外の箇所で、基材１０４と絶縁層１０６の間にポリシリコン層からなる半導体層が形成される。絶縁層１０６の上に無機膜からなる絶縁層１０８が形成される。絶縁層１０６と絶縁層１０８の間に例えばモリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）からなる走査線層（ゲート線層、第１金属層とも称する）１５２が形成される。走査線層１５２はブリッジ配線Ｂｒ２を形成する。
絶縁層１０８の上に例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）からなる信号線層（ソース線層、第２金属層とも称する）１１２、１１４、１５８、１１６が形成される。信号線層１１２は配線Ｌ８の第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂを形成し、信号線層１１４は配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂを形成し、信号線層１５８は配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部の第２領域Ｌ８２ａ２を形成し、信号線層１１６はソース線ＳＬを形成する。信号線１１２（配線Ｌ８の第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂ）が絶縁層１０８に形成されたコンタクトホール１５４を介して走査線層（ブリッジ配線Ｂｒ２）１５２の一端に接続され、信号線１５８（配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部の第２領域Ｌ８２ａ２）が絶縁層１０８に形成されたコンタクトホール１５６を介して走査線層（ブリッジ配線Ｂｒ２）１５２の他端に接続される。
信号線層１１２、１１４、１５８、１１６の上に有機膜からなる第１絶縁層（第１ＨＲＣ層）１２２が形成される。第１ＨＲＣ層１２２の上に同じく有機膜からなる第２絶縁層（第２ＨＲＣ層）１２６が形成される。第１ＨＲＣ層１２２と第２ＨＲＣ層１２６の間に例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）層からなる第３金属層１２８が形成される。第３金属層１２８は、配線Ｌ８を形成する第１部分１２８ａと、配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部の第１領域Ｌ８２ａ１を形成する第２部分１２８ｂとを含む。第３金属層１２８の第２部分１２８ｂ（Ｌ８２ａ１）は第１ＨＲＣ層１２２に形成されたコンタクトホール１６０を介して信号線１５８（Ｌ８２ａ２）に接続される。図１１（ｂ）以外の箇所で、第３金属層１２８は、配線Ｌ１～Ｌ７と、配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ７２ａを形成する。
第２ＨＲＣ層１２６の上に無機膜からなる絶縁層１３４が形成される。第２ＨＲＣ層１２６と絶縁層１３４の間にセンサ電極ＣＯＭを形成する第１ＩＴＯ層１３２が形成される。センサ電極ＣＯＭ１３２は第２ＨＲＣ層１２６に形成されたコンタクトホール１３８を介して第３金属層の第１部分１２８ａ（配線Ｌ８）に接続される。配線Ｌ８は端子部側の周辺領域ＳＡに引き出された第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａ１、Ｌ８２ａ２、第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂ、第２Ａ引出配線部Ｌ８２ａ２と第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂとを接続するブリッジ配線Ｂｒ２を備える。図示しないが、他の配線Ｌ１～Ｌ７についても同様であり端子部側の周辺領域ＳＡに引き出された第２Ａ引出配線部と第２Ｂ引出配線部を備える。
配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ７２ａは第３金属層１２８で形成され、第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂは信号線層１１４で形成される。このため、図１１（ｂ）以外の箇所で、配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ａ引出配線部Ｌ１２ａ～Ｌ７２ａと配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂは第１ＨＲＣ層１２２に形成されたコンタクトホールを介して接続されている。配線Ｌ８の第２Ａ引出配線部の第２領域Ｌ８２ａ２と第２Ｂ引出配線部Ｌ８２ｂとの間には配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂが位置する。ブリッジＢｒ２はＸ方向に延びる走査線層１５２により形成される。ブリッジＢｒ２と配線Ｌ１～Ｌ７の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂは絶縁層１０８を介して絶縁されており、ブリッジＢｒ２は配線Ｌ１～Ｌ７の複数の第２Ｂ引出配線部Ｌ１２ｂ～Ｌ７２ｂと重畳する。
なお、センサ電極ＣＯＭ１３２に接続される映像信号線は、ソース線１１６に重畳し、ソースドライバ２４に向かって引き出されているが、本願はセンサ電極ＣＯＭに接続されるタッチ検出のための配線群に着目しているので、理解のしやすさの為、映像信号線についての詳細な引き回し配線構造の図示は省略する。
【0087】
これにより、配線基板Ｆ側の周辺領域ＳＡで配線Ｌ８の位置を最も左から最も右に入れ替えることができ、センサ電極ＣＯＭ（１，６）～ＣＯＭ（８，６）グループに対応する端子グループＴ６内の最も右の端子ｔ４８と配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，６）とを接続することができる。すなわち、センサ電極ＣＯＭ（１，６）～ＣＯＭ（８，６）グループについての配線Ｌ１～Ｌ８の配置は、表示領域ＤＡ内では左から順番に配線Ｌ８、Ｌ１、Ｌ２～Ｌ６、Ｌ７である。配線Ｌ１～Ｌ７はそれぞれセンサ電極ＣＯＭ（１，６）～ＣＯＭ（７，６）と接続され、配線Ｌ８はセンサ電極ＣＯＭ（８，６）と接続される。各センサ電極に形成される６個のコンタクトのＹ方向の位置は揃っていてもよい。
【0088】
センサ電極グループＣＯＭ（１，６）～（８，６）においてもブリッジ配線を用いて入れ替える配線の数は１に限定されない。
凹部９８が無い場合は、センサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループについても他のセンサ電極ＣＯＭグループと同様に、第１マッピングに基づき接続すればよい。この場合、ブリッジ配線Ｂｒ１は不要である。
凹部９８が無い場合は、センサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループについても他のセンサ電極ＣＯＭグループと同様に、第１マッピングに基づき接続すればよい。この場合、ブリッジ配線Ｂｒ１は不要である。
【0089】
図９は第１マッピングが採用される例を示したが、第１実施形態と同様に第２マッピングが採用されてもよい。その場合、図９の配線パターンを左右反転させた配線パターンにより検出ドライバＲ２とセンサ電極ＣＯＭとが接続される。
第２マッピングを採用し凹部９８が無い表示装置では、センサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループについても他のセンサ電極ＣＯＭグループと同様に、第２マッピングに基づき接続される。
第２マッピングを採用し凹部９８が無い表示装置では、センサ電極ＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）グループについても他のセンサ電極ＣＯＭグループと同様に、第２マッピングに基づき接続される。
【0090】
このように第３実施形態によれば、４角部がラウンド部であり、かつ上辺中央部に凹部がある異形の表示パネルにおいても、左右でマッピングを異ならせることや、配線基板から遠い周辺領域でラウンド部を有するセンサ電極の複数列のコンタクトを接続する副配線を設けることや、配線基板側の周辺領域で配線を入れ替えることにより、ラウンド部や凹部９８の形状に応じて異形のセンサ電極ＣＯＭが存在していていも、検出ドライバＲ２に接続される配線とセンサ電極ＣＯＭとを接続することができる。
【0091】
［第４実施形態］
図１２は第４実施形態に係るタッチパネル付き表示装置ＤＳＰのタッチ検出のためのセンサ電極ＣＯＭとセンサ電極ドライバとの接続例を示す。第４実施形態のタッチパネル付き表示装置も第２実施形態と同様に４角部とも円弧である略矩形の異形である表示パネルＰＮＬを備える。ただし、凹部９８の形状は矩形ではなく、Ｙ方向の位置が進むにつれてＸ方向の幅が狭くなるアーチ状である。このため、センサ電極ＣＯＭ（１，３）、ＣＯＭ（１，４）の対抗する辺とセンサ電極ＣＯＭ（２，３）、ＣＯＭ（２，４）の対抗する辺は平面視において放物線を描いている。
図１２は第４実施形態に係るタッチパネル付き表示装置ＤＳＰのタッチ検出のためのセンサ電極ＣＯＭとセンサ電極ドライバとの接続例を示す。第４実施形態のタッチパネル付き表示装置も第２実施形態と同様に４角部とも円弧である略矩形の異形である表示パネルＰＮＬを備える。ただし、凹部９８の形状は矩形ではなく、Ｙ方向の位置が進むにつれてＸ方向の幅が狭くなるアーチ状である。このため、センサ電極ＣＯＭ（１，３）、ＣＯＭ（１，４）の対抗する辺とセンサ電極ＣＯＭ（２，３）、ＣＯＭ（２，４）の対抗する辺は平面視において放物線を描いている。
【0092】
検出ドライバＲ２の端子ｔ１～ｔ４８は第１実施形態と同様に列毎のセンサ電極ＣＯＭグループに対応してグループ化されている。各端子グループ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８とセンサ電極グループの各センサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）～ＣＯＭ（８，ｎ）とのマッピングは左半分と右半分のセンサ電極グループで異なる。最も左列のセンサ電極グループＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（８，１）と、左から２列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，２）～ＣＯＭ（８，２）と、左から３列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，３）～ＣＯＭ（８，３）については、第１マッピングが採用される。最も右列のセンサ電極グループＣＯＭ（１，６）～ＣＯＭ（８，６）と、右から２列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，５）～ＣＯＭ（８，５）と、右から３列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）については、第２マッピングが採用される。
【0093】
なお、左から２列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，２）～ＣＯＭ（８，２）と、右から２列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）については、第１マッピングが採用されてもよい。
第１マッピングが採用されている左側３列のセンサ電極グループＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（８，１）、ＣＯＭ（１，２）～ＣＯＭ（８，２）、ＣＯＭ（１，３）～ＣＯＭ（８，３）については、各配線群Ｌ１２ｎ内で配線Ｌ１は図８の平面視において最も左（端部Ｅ３側）に位置し、配線Ｌ８は最も右（端部Ｅ４側）に位置し、配線Ｌ１とＬ８の間に配線Ｌ２、Ｌ３、…Ｌ７はこの順番に左から右に位置する。
第１マッピングが採用されている左側３列のセンサ電極グループＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（８，１）、ＣＯＭ（１，２）～ＣＯＭ（８，２）、ＣＯＭ（１，３）～ＣＯＭ（８，３）については、各配線群Ｌ１２ｎ内で配線Ｌ１は図８の平面視において最も左（端部Ｅ３側）に位置し、配線Ｌ８は最も右（端部Ｅ４側）に位置し、配線Ｌ１とＬ８の間に配線Ｌ２、Ｌ３、…Ｌ７はこの順番に左から右に位置する。
【0094】
第２マッピングが採用されている右側３列のセンサ電極グループＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）、ＣＯＭ（１，５）～ＣＯＭ（８，５）、ＣＯＭ（１，６）～ＣＯＭ（８，６）については、各配線群Ｌ１２ｎ内で配線Ｌ１は図８の平面視において最も右（端部Ｅ４側）に位置し、配線Ｌ８は最も左（端部Ｅ３側）に位置し、配線Ｌ１とＬ８の間に配線Ｌ２、Ｌ３、…Ｌ７はこの順番に右から左に位置する。
【0095】
最も左列のセンサ電極ＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（８，１）グループについては、図６、図７（ｂ）に示した第１実施形態と同様に、コンタクトｃ１に接続される配線Ｌ１の第１引出配線Ｌ１ｅ、コンタクトｃ２、ｃ３に接続される副配線Ｌ２´の第１引出配線Ｌ２´ｅ、コンタクトｃ４、ｃ５、ｃ６に接続される副配線Ｌ３´の第１引出配線Ｌ３´ｅは周辺領域ＳＡ内で連結配線Ｌｓにより接続される。これにより、検出ドライバＲ２の端子ｔ１（端子グループＴ１内の最も左の端子）からＹ方向に沿って延びている配線Ｌ１は６個のコンタクトｃ１～ｃ６を介してセンサ電極ＣＯＭ（１，１）に接続される。
【0096】
最も右列のセンサ電極ＣＯＭ（１，６）～ＣＯＭ（８，６）グループについては、表示領域ＤＡのラウンド部Ｃ３３の形状に応じて配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，６）は右上角部が丸められている。このため、センサ電極ＣＯＭ（１，６）は検出ドライバＲ２の端子ｔ４８（端子グループＴ６内の最も右の端子）に接続される配線Ｌ１とは十分な数のコンタクトを形成できない場合がある。図１２の例では１つしかコンタクトｃ１を形成できない。そのため、センサ電極ＣＯＭ（１，６）では配線Ｌ１とは別の箇所でコンタクトｃ２～ｃ６が形成される。
【0097】
これらのコンタクトｃ１～ｃ６を接続するために、コンタクトｃ１に接続される配線Ｌ１は検出ドライバＲ２とは反対側（Ｙ方向のマイナス側）の周辺領域ＳＡに引き出される第１引出配線部Ｌ１ｅを含む。コンタクトｃ２、ｃ３に接続される副配線Ｌ２´は検出ドライバＲ２とは反対側（Ｙ方向のマイナス側）の周辺領域ＳＡに引き出される第１引出配線部Ｌ２´ｅを含む。コンタクトｃ４、ｃ５、ｃ６に接続される副配線Ｌ３´は検出ドライバＲ２とは反対側（Ｙ方向のマイナス側）の周辺領域ＳＡに引き出される第１引出配線部Ｌ３´ｅを含む。
【0098】
第１引出配線部Ｌ１ｅ、Ｌ２´ｅ、Ｌ３´ｅの先端は周辺領域ＳＡで連結配線Ｌｓにより互いに接続される。これにより、検出ドライバＲ２の端子ｔ４８（端子グループＴ６内の最も右の端子）に接続される配線Ｌ１はセンサ電極ＣＯＭ（１，１）と６個のコンタクトｃ１～ｃ６を介して接続される。
【0099】
副配線Ｌ２´は検出ドライバＲ２の端子ｔ４７（端子グループＴ６内の右から２番目の端子）に接続されＹ方向に沿って延びている配線Ｌ２の延長線上に配線Ｌ２とは非接続状態で形成してもよく、副配線Ｌ３´は検出ドライバＲ２の端子ｔ４６（端子グループＴ６内の右から３番目の端子）に接続されＹ方向に沿って延びている配線Ｌ３の延長線上に配線Ｌ３とは非接続状態で形成してもよい。コンタクトｃ１、ｃ２、ｃ４はＹ方向位置が揃っていてもよい。同様に、コンタクトｃ３、ｃ５はＹ方向位置が揃っていてもよい。さらに、コンタクトｃ１～ｃ６は同じ行のセンサ電極グループの他のセンサ電極ＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（１，５）のコンタクトともＹ方向位置が揃っていてもよい。
【0100】
第４実施形態によれば、右半分と左半分でマッピングを異ならせているので、ラウンド部や凹部の形状に応じた異形のセンサ電極ＣＯＭが左右対称な位置に存在している場合、検出ドライバＲ２に接続される配線とセンサ電極ＣＯＭとを接続することができる。
【0101】
凹部９８が無い場合、凹部９８に関するセンサ電極グループＣＯＭ（１，３）～ＣＯＭ（８，３）については図１２と同様に第１マッピングが採用されてもよいし、第２マップングが採用されてもよい。同様に、凹部９８に関するセンサ電極グループＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）についても図１２と同様に第２マッピングが採用されてもよいし、第１マップングが採用されてもよい。
【0102】
［第５実施形態］
図１３は第５実施形態に係るタッチパネル付き表示装置ＤＳＰのタッチ検出のためのセンサ電極ＣＯＭとセンサ電極ドライバとの接続例を示す。第５実施形態でも、凹部９８の形状は矩形ではなく、Ｙ方向の位置が進むにつれてＸ方向の幅が狭くなるアーチ状である。上述の実施形態では第１マッピング又は第２マッピングが採用されたが、第３実施形態では第３マッピングが採用される。第３マッピングでは、検出ドライバＲ２の端子の位置が左から右へ変化することにつれてセンサ電極の位置が遠から近へ交互に変化する。第３マッピングは配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極が端子グループ内の右端の端子に対応するか、あるいは左端の端子に対応するかにより、第３Ａマッピングと第３Ｂマッピングとに細分される。
図１３は第５実施形態に係るタッチパネル付き表示装置ＤＳＰのタッチ検出のためのセンサ電極ＣＯＭとセンサ電極ドライバとの接続例を示す。第５実施形態でも、凹部９８の形状は矩形ではなく、Ｙ方向の位置が進むにつれてＸ方向の幅が狭くなるアーチ状である。上述の実施形態では第１マッピング又は第２マッピングが採用されたが、第３実施形態では第３マッピングが採用される。第３マッピングでは、検出ドライバＲ２の端子の位置が左から右へ変化することにつれてセンサ電極の位置が遠から近へ交互に変化する。第３マッピングは配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極が端子グループ内の右端の端子に対応するか、あるいは左端の端子に対応するかにより、第３Ａマッピングと第３Ｂマッピングとに細分される。
【0103】
例えば、第３Ａマッピングでは、
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応し、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応し、
左から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に対応し、
左から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線基板Ｆに２番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に対応し、
左から５番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線基板Ｆから３番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（３，ｎ）に対応し、
左から６番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線基板Ｆに３番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（６，ｎ）に対応し、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆから４番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（４，ｎ）に対応し、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線基板Ｆに４番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（５，ｎ）に対応する。
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応し、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応し、
左から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に対応し、
左から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線基板Ｆに２番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に対応し、
左から５番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線基板Ｆから３番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（３，ｎ）に対応し、
左から６番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線基板Ｆに３番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（６，ｎ）に対応し、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆから４番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（４，ｎ）に対応し、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線基板Ｆに４番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（５，ｎ）に対応する。
【0104】
第３Ｂマッピングは第３Ａマッピングの左右を反転したものであり、第３Ｂマッピングでは、
各端子グループ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も右の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応し、
右から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応し、
右から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に対応し、
右から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線基板Ｆに２番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に対応し、
右から５番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線基板Ｆから３番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（３，ｎ）に対応し、
右から６番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線基板Ｆに３番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（６，ｎ）に対応し、
右から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆから４番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（４，ｎ）に対応し、
右から８番目（最も左）の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆに４番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（５，ｎ）に対応する。
各端子グループ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も右の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応し、
右から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応し、
右から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に対応し、
右から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線基板Ｆに２番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に対応し、
右から５番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線基板Ｆから３番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（３，ｎ）に対応し、
右から６番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線基板Ｆに３番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（６，ｎ）に対応し、
右から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆから４番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（４，ｎ）に対応し、
右から８番目（最も左）の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆに４番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（５，ｎ）に対応する。
【0105】
第５実施形態では、検出器グループ毎に第３Ａマッピング又は第３Ｂマッピングが採用される。左から３列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，３）～ＣＯＭ（８，３）と、左から６列目（最も右列）のセンサ電極グループＣＯＭ（１，６）～ＣＯＭ（８，６）については、第３Ａマッピングが採用される。最も左列のセンサ電極グループＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（８，１）と、左から４列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）については、第３Ｂマッピングが採用される。左から２列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，２）～ＣＯＭ（８，２）と、左から５列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，５）～ＣＯＭ（８，５）については、第３Ａマッピング及び第３Ｂマッピングのいずれが採用されてもよいが、ここでは、左から２列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，２）～ＣＯＭ（８，２）については第３Ｂマッピングが採用され、左から５列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，５）～ＣＯＭ（８，５）については第３Ａマッピングが採用されるとする。
【0106】
このため、第３Ａマッピングが採用される左から３列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，３）～ＣＯＭ（８，３）と、左から５列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，５）～ＣＯＭ（８，５）と、左から６列目（最も右列）のセンサ電極グループＣＯＭ（１，６）～ＣＯＭ（８，６）については、
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線Ｌ１に接続され、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線Ｌ８に接続され、
左から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線Ｌ２に接続され、
左から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線Ｌ７に接続され、
左から５番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線Ｌ３に接続され、
左から６番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線Ｌ６に接続され、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線Ｌ４に接続され、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線Ｌ５に接続される。
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線Ｌ１に接続され、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線Ｌ８に接続され、
左から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線Ｌ２に接続され、
左から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線Ｌ７に接続され、
左から５番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線Ｌ３に接続され、
左から６番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線Ｌ６に接続され、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線Ｌ４に接続され、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線Ｌ５に接続される。
【0107】
第３Ｂマッピングが採用される最も左のセンサ電極グループＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（８，１）と、左から２列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，２）～ＣＯＭ（８，２）と、左から４列目のセンサ電極グループＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）については、
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も右の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線Ｌ１に接続され、
右から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線Ｌ８に接続され、
右から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線Ｌ２に接続され、
右から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線Ｌ７に接続され、
右から５番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線Ｌ３に接続され、
右から６番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線Ｌ６に接続され、
右から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線Ｌ４に接続され、
右から８番目（最も左）の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線Ｌ５に接続される。
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も右の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線Ｌ１に接続され、
右から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線Ｌ８に接続され、
右から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線Ｌ２に接続され、
右から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線Ｌ７に接続され、
右から５番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線Ｌ３に接続され、
右から６番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線Ｌ６に接続され、
右から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線Ｌ４に接続され、
右から８番目（最も左）の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線Ｌ５に接続される。
【0108】
第５実施形態によれば、ラウンド部や凹部の形状に応じた異形のセンサ電極ＣＯＭが存在していていも、センサ電極上でコンタクトを形成できる箇所に配線を形成するので、検出ドライバＲ２に接続される配線とセンサ電極ＣＯＭとを接続することができる。
【0109】
凹部９８が無い場合、凹部９８に関するセンサ電極グループＣＯＭ（１，３）～ＣＯＭ（８，３）については図１３と同様に第３Ａマッピングが採用されてもよいし、第３Ｂマップングが採用されてもよい。同様に、凹部９８に関するセンサ電極グループＣＯＭ（１，４）～ＣＯＭ（８，４）についても図１２と同様に第３Ｂマッピングが採用されてもよいが、第３Ａマップングが採用されてもよい。
【0110】
センサ電極ＣＯＭ（８,３）、ＣＯＭ（７,３）についてコンタクトは左側に形成されており、センサ電極ＣＯＭ（８,４）、ＣＯＭ（７,４）についてコンタクトは右側に形成されているので、下辺中央部に凹部を設けることも可能である。
第３Ａマッピング、第３Ｂマッピングでは、配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極は端子グループ内の右端あるいは左端の端子に対応するが、配線基板Ｆに最も近いセンサ電極が端子グループ内の右端あるいは左端の端子に対応するように変形してもよい。すなわち、第３Ａマッピング、第３Ｂマッピングにおいてセンサ電極の遠、近を入れ替えて次のように変形してもよい。
第３Ａマッピング、第３Ｂマッピングでは、配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極は端子グループ内の右端あるいは左端の端子に対応するが、配線基板Ｆに最も近いセンサ電極が端子グループ内の右端あるいは左端の端子に対応するように変形してもよい。すなわち、第３Ａマッピング、第３Ｂマッピングにおいてセンサ電極の遠、近を入れ替えて次のように変形してもよい。
【0111】
変形第３Ａマッピングでは、
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応し、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応し、
左から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線基板Ｆに２番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に対応し、
左から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に対応し、以下同様に、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆに４番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（５，ｎ）に対応し、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線基板Ｆから４番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（４，ｎ）に対応する。
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応し、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応し、
左から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線基板Ｆに２番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に対応し、
左から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に対応し、以下同様に、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆに４番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（５，ｎ）に対応し、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線基板Ｆから４番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（４，ｎ）に対応する。
【0112】
このため、変形第３Ａマッピングが採用されるセンサ電極グループについては、
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線Ｌ８に接続され、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線Ｌ１に接続され、
左から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線Ｌ７に接続され、
左から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線Ｌ２に接続され、以下同様に、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線Ｌ５に接続され、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線Ｌ４に接続される。
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も左の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線Ｌ８に接続され、
左から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線Ｌ１に接続され、
左から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋３は配線Ｌ７に接続され、
左から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋４は配線Ｌ２に接続され、以下同様に、
左から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線Ｌ５に接続され、
左から８番目（最も右）の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線Ｌ４に接続される。
【0113】
変形第３Ｂマッピングでは、
各端子グループ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も右の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応し、
右から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応し、
右から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線基板Ｆに２番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に対応し、
右から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に対応し、以下同様に、
右から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆに４番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（５，ｎ）に対応し、
右から８番目（最も左）の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆから４番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（４，ｎ）に対応する。
各端子グループ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も右の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線基板Ｆに最も近いセンサ電極ＣＯＭ（８，ｎ）に対応し、
右から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，ｎ）に対応し、
右から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線基板Ｆに２番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（７，ｎ）に対応し、
右から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線基板Ｆから２番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（２，ｎ）に対応し、以下同様に、
右から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線基板Ｆに４番目に近いセンサ電極ＣＯＭ（５，ｎ）に対応し、
右から８番目（最も左）の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線基板Ｆから４番目に遠いセンサ電極ＣＯＭ（４，ｎ）に対応する。
【0114】
このため、変形第３Ｂマッピングが採用されるセンサ電極グループＣＯＭについては、
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も右の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線Ｌ８に接続され、
右から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線Ｌ１に接続され、
右から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線Ｌ７に接続され、
右から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線Ｌ２に接続され、以下同様に、
右から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線Ｌ５に接続され、
右から８番目（最も左）の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線Ｌ４に接続される。
各端子グループＴｎ内の８個の端子ｔ８（ｎ－１）＋１～端子８（ｎ－１）＋８の中の最も右の端子ｔ８（ｎ－１）＋８は配線Ｌ８に接続され、
右から２番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋７は配線Ｌ１に接続され、
右から３番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋６は配線Ｌ７に接続され、
右から４番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋５は配線Ｌ２に接続され、以下同様に、
右から７番目の端子ｔ８（ｎ－１）＋２は配線Ｌ５に接続され、
右から８番目（最も左）の端子ｔ８（ｎ－１）＋１は配線Ｌ４に接続される。
【0115】
［実施形態に共通な配線接続］
図１４は第１、第３、第４実施形態における周辺領域ＳＡでの引出配線の接続例を示す。第１、第３、第４実施形態においてはラウンド部を有するセンサ電極ＣＯＭ（１，１）は左上角部が丸められている。図６、図９、図１２ではラウンド部は円弧状である例を示したが、実際には、センサ電極ＣＯＭ（１，１）のラウンド部の輪郭は画素ＰＩＸ単位で規定されるので、図１４（ａ）に示すように、センサ電極ＣＯＭ（１，１）のラウンド部は画素に沿った階段状のジグザグ形状である。図１４（ａ）は図６のセンサ電極ＣＯＭ（１，１）の拡大図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）の拡大図である。
図１４は第１、第３、第４実施形態における周辺領域ＳＡでの引出配線の接続例を示す。第１、第３、第４実施形態においてはラウンド部を有するセンサ電極ＣＯＭ（１，１）は左上角部が丸められている。図６、図９、図１２ではラウンド部は円弧状である例を示したが、実際には、センサ電極ＣＯＭ（１，１）のラウンド部の輪郭は画素ＰＩＸ単位で規定されるので、図１４（ａ）に示すように、センサ電極ＣＯＭ（１，１）のラウンド部は画素に沿った階段状のジグザグ形状である。図１４（ａ）は図６のセンサ電極ＣＯＭ（１，１）の拡大図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）の拡大図である。
【0116】
説明の便宜上、図６では６個のコンタクトを示したが、一つのセンサ電極に対して図１４に示すように多数のコンタクトが形成される。検出ドライバＲ２によるセンサ電極の駆動能力はセンサ電極までの距離に反比例する。検出ドライバＲ２から離れれば離れる程センサ電極は駆動能力が弱くなるので、検出ドライバＲ２から遠いセンサ電極はコンタクトの数を増やす場合もある。そのため、図１４（ａ）に示すように、検出ドライバＲ２から近い（図１４のより左側の）画素のセンサ電極についてはコンタクトに接続され周辺領域ＳＡまで引き出される引出配線Ｌ１ｅ、Ｌ２´ｅ、Ｌ３´ｅの数を少なく（例えば、２本）し、検出ドライバＲ２から遠い（図１４のより右側の）画素のセンサ電極については引出配線Ｌ１ｅ、Ｌ２´ｅ、Ｌ３´ｅの数を多く（例えば、４本）している。
【0117】
図１５は画素領域の平面図の一例であり、図１６（ａ）は図１５のＡ－Ａ´線に沿った第１基板ＳＵＢ１の断面図、図１６（ｂ）は図１５のＢ－Ｂ´線に沿った第１基板ＳＵＢ１の断面図である。
図１６に示すように、基材８０の上に無機膜からなる絶縁層８１が形成される。図１６以外の箇所で、基材８０と絶縁層８１の間にポリシリコン層からなる半導体層が形成される。絶縁層８１の上に無機膜からなる絶縁層８２が形成される。図１６以外の箇所で、絶縁層８１と絶縁層８２の間に例えばモリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）からなる走査線層（ゲート線層とも称する）が形成される。絶縁層８２の上に有機膜からなる第１ＨＲＣ層８６が形成される。絶縁層８２と第１ＨＲＣ層８６の間に例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）からなる信号線層（ソース線層とも称する）８４が形成される。信号線８４に対応する第１ＨＲＣ層８６上の箇所に第３金属層からなる配線８８が形成される。第３金属層は例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）からなる。配線８８は配線Ｌ１～Ｌ８と引出配線部Ｌ１、Ｌ２´ｅ、Ｌ３´ｅを形成する。配線８８の上に有機膜からなる第２ＨＲＣ層９０を介して第１ＩＴＯ層９２が形成される。第１ＩＴＯ層９２はセンサ電極ＣＯＭを形成する。図１６（ａ）に示すように、第１ＩＴＯ層９２（センサ電極ＣＯＭ）が配線８８（配線Ｌ１～Ｌ８、引出配線部Ｌ１ｅ、Ｌ２´ｅ、Ｌ３´ｅ）の一部と接続される。なお、第１、第２ＨＲＣ層は無機膜であってもよい。
図１６に示すように、基材８０の上に無機膜からなる絶縁層８１が形成される。図１６以外の箇所で、基材８０と絶縁層８１の間にポリシリコン層からなる半導体層が形成される。絶縁層８１の上に無機膜からなる絶縁層８２が形成される。図１６以外の箇所で、絶縁層８１と絶縁層８２の間に例えばモリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）からなる走査線層（ゲート線層とも称する）が形成される。絶縁層８２の上に有機膜からなる第１ＨＲＣ層８６が形成される。絶縁層８２と第１ＨＲＣ層８６の間に例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）からなる信号線層（ソース線層とも称する）８４が形成される。信号線８４に対応する第１ＨＲＣ層８６上の箇所に第３金属層からなる配線８８が形成される。第３金属層は例えば窒化チタン／チタン／アルミニウム／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉ）からなる。配線８８は配線Ｌ１～Ｌ８と引出配線部Ｌ１、Ｌ２´ｅ、Ｌ３´ｅを形成する。配線８８の上に有機膜からなる第２ＨＲＣ層９０を介して第１ＩＴＯ層９２が形成される。第１ＩＴＯ層９２はセンサ電極ＣＯＭを形成する。図１６（ａ）に示すように、第１ＩＴＯ層９２（センサ電極ＣＯＭ）が配線８８（配線Ｌ１～Ｌ８、引出配線部Ｌ１ｅ、Ｌ２´ｅ、Ｌ３´ｅ）の一部と接続される。なお、第１、第２ＨＲＣ層は無機膜であってもよい。
【0118】
第１ＩＴＯ層９２の上に層間絶縁層９４を介して第２ＩＴＯ層９６が形成される。第２ＩＴＯ層９６は画素電極６４（図２）を形成する。図１６（ｂ）に示すように、第２ＩＴＯ層９６（画素電極６４）は第１ＩＴＯ層９２（センサ電極ＣＯＭ）と、配線８８（配線Ｌ１～Ｌ８、引出配線Ｌ１ｅ、Ｌ２´ｅ、Ｌ３´ｅ）と、信号線８４に電気的に接続される。
【0119】
［全実施形態に共通な変形例］
センサ電極ＣＯＭを表示領域ＤＡに設けたが、周辺領域ＳＡにも検出のための周辺電極を設けてもよい。この場合、周辺領域ＳＡと接触状態である物体と周辺電極との距離は、物体と表示領域ＤＡに設けたセンサ電極との距離より短い。これにより、周辺領域ＳＡと接触状態である物体による周辺電極の静電容量変化は大きくなり、周辺領域ＳＡでの検出感度は向上する。
センサ電極ＣＯＭを表示領域ＤＡに設けたが、周辺領域ＳＡにも検出のための周辺電極を設けてもよい。この場合、周辺領域ＳＡと接触状態である物体と周辺電極との距離は、物体と表示領域ＤＡに設けたセンサ電極との距離より短い。これにより、周辺領域ＳＡと接触状態である物体による周辺電極の静電容量変化は大きくなり、周辺領域ＳＡでの検出感度は向上する。
【0120】
検出ドライバＲ２の端子をセンサ電極ＣＯＭに直接接続し、検出ドライバＲ２の端子とセンサ電極ＣＯＭとを１対１で対応させているが、検出ドライバＲ２とセンサ電極ＣＯＭとの間にマルチプレクサ等の接続回路を接続してもよい。接続回路は検出ドライバＲ２の端子を時分割でいずれかのセンサ電極ＣＯＭグループと接続する。これにより、検出ドライバＲ２の端子数を減らすことができる。
【0121】
センサ電極ＣＯＭの配線Ｌ１～Ｌ８の形成エリアをセンサ電極とのコンタクトまでとし、配線のＬ１～Ｌ８の長さが異なるとしたが、全ての配線Ｌ１～Ｌ８を配線基板Ｆから最も遠いセンサ電極ＣＯＭ（１，１）～ＣＯＭ（１，６）まで形成してもよい。これにより、配線Ｌ１～Ｌ８が表示領域ＤＡの全面に均一に設けられるので、光透過率のバラつきが生じることがなく、良好な視認性が実現される。
凹部９８は表示領域ＤＡの上辺に設けたが、下辺にあるいは上辺と下辺の両方にも設けてもよい。さらに、上下辺に限らず、左右辺の少なくとも一方に設けてもよい。凹部は何処に設けてもよく、凹部の位置は限定されない。
凹部９８は表示領域ＤＡの上辺に設けたが、下辺にあるいは上辺と下辺の両方にも設けてもよい。さらに、上下辺に限らず、左右辺の少なくとも一方に設けてもよい。凹部は何処に設けてもよく、凹部の位置は限定されない。
【0122】
さらに、異形の表示パネルは４角部の中の少なくとも２角部がラウンド部であるとともにいずれかの辺に凹部が設けられている必要は無い。異形の表示パネルは４角部の中の少なくとも２角部がラウンド部であるだけ、あるいはいずれかの辺に凹部が設けられているだけでもよい。
【0123】
本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【符号の説明】
【0124】
２６…センサ電極ドライバ、ＣＯＭ…センサ電極、５２…第１基板、５４…第２基板、５６…液晶層、６４…画素電極、ＰＩＸ…画素、７４…カラーフィルタ、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、Ｒ２…検出ドライバ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】