特許 7048360 半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-03-28

(45)【発行日】2022-04-05

(54)【発明の名称】半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20220329BHJP

   C23C 16/455 20060101ALI20220329BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 B

C23C16/455

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2018044000

(22)【出願日】2018-03-12

(65)【公開番号】P2018157202

(43)【公開日】2018-10-04

【審査請求日】2021-03-11

(31)【優先権主張番号】106108613

(32)【優先日】2017-03-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(73)【特許権者】

【識別番号】504210994

【氏名又は名称】漢民科技股▲分▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】100082418

【弁理士】

【氏名又は名称】山口 朔生

(74)【代理人】

【識別番号】100167601

【弁理士】

【氏名又は名称】大島 信之

(74)【代理人】

【識別番号】100201329

【弁理士】

【氏名又は名称】山口 真二郎

(72)【発明者】

【氏名】黄燦華

(72)【発明者】

【氏名】林佳穎

【審査官】加藤 芳健

(56)【参考文献】

【文献】特表２００９－５１７５４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－１６８５７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－２２５５７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許第０５４５３１２４（ＵＳ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

Ｃ２３Ｃ １６／４５５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

凸部と、第一反応ガスを入力するために用いられる第一吸気通路と、第二反応ガスを入力するために用いられる第二吸気通路と、第三反応ガスを入力するために用いられる第三吸気通路とを含むトップカバー部材であって、前記凸部は前記トップカバー部材の下底面に設置され、且つ前記第三吸気通路は前記凸部内に延設されるトップカバー部材と、
前記凸部に被装される中空部材であって、且つ前記中空部材の上面は前記トップカバー部材の下底面に連結され、前記中空部材の内側壁と前記凸部の外側壁との間に第一伝達経路が形成され、且つ前記第一吸気通路に連通される中空部材と、
中心穴を有し、前記中空部材を収容するために用いられるトップハウジングであって、且つ前記トップカバー部材の上蓋壁が前記トップハウジングの上面に設置され、前記中空部材の外側壁と前記中心穴の内側壁との間に第二伝達経路が形成され、且つ前記第二吸気通路に連通されるトップハウジングと、
前記中空部材の底面に連結され、第一仕切板及び第二仕切板を含み、前記第二反応ガスを垂直出力させるために用いられる第一ガス出力層と、前記第一反応ガスを垂直出力させるために用いられる第二ガス出力層と、前記第三反応ガスを垂直出力させるために用いられる第三ガス出力層とが形成されるガス出力ユニットとを備えることを特徴とする、
半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項2】

前記第一伝達経路及び前記第二伝達経路は第一フローガイドプレート及び第二フローガイドプレートをそれぞれ備え、且つ前記第一フローガイドプレート及び前記第二フローガイドプレートは複数の第一フローガイド穴及び第二フローガイド穴をそれぞれ有し、前記第一伝達経路及び前記第二伝達経路の横断面に均一に分布するように配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項3】

前記トップハウジングは、冷却液を前記中心穴の周囲に伝送させて循環させるために用いられる冷却ユニットを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項4】

前記第一仕切板は前記中空部材の底面に連結され、且つ前記中空部材の底面は前記トップハウジングの底面に突出され、前記第一ガス出力層は前記第一仕切板の上面と前記トップハウジングの底面との間に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項5】

前記第二仕切板は前記トップカバー部材の前記凸部に連結され、且つ前記凸部の底面は前記中空部材の底面に突出され、前記第二ガス出力層は前記第二仕切板の上面と前記第一仕切板の底面との間に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項6】

前記第一仕切板及び前記第二仕切板の内の少なくとも１つは複数のフローガイドブロックまたはフローガイド仕切板を有し、前記第一仕切板或いは／及び前記第二仕切板の中心領域に等間隔で周設され、複数のフローガイド通路が形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項7】

前記ガス出力ユニットは前記第三吸気通路に連結される出力口が設けられるフローガイドカバーを更に備え、且つ前記フローガイドカバーの上面は前記第二仕切板の底面に連結され、前記第三反応ガスの導流に用いられることを特徴とする請求項１に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項8】

前記フローガイドカバーはヒートスプレッダに嵌設され、且つ前記第三ガス出力層は前記第二仕切板の底面と前記ヒートスプレッダの上面との間に形成されることを特徴とする請求項７に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項9】

前記フローガイドカバーは前記第三反応ガスを前記第三ガス出力層に均等に伝送させるために用いられる複数のフローガイド溝を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項10】

前記ガス出力ユニットは前記第三吸気通路に連結されるための出力口が設けられるボルト部材を更に備え、且つ前記ボルト部材の底部には、前記第三吸気通路を真空にするために使用される穴を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項11】

凸部と、第一反応ガスを入力するために用いられる第一吸気通路と、第二反応ガスを入力するために用いられる第二吸気通路と、第三反応ガスを入力するために用いられる第三吸気通路とを含むトップカバー部材であって、前記凸部は前記トップカバー部材の下底面に設置され、且つ前記第三吸気通路は前記凸部内に延設されるトップカバー部材と、
前記凸部に被装される第一中空部材であって、且つ前記第一中空部材の上面は前記トップカバー部材の下底面に連結され、前記第一中空部材の内側壁と前記凸部の外側壁との間に第一伝達経路が形成されると共に前記第一吸気通路に連通される第一中空部材と、
前記第一中空部材に被装される第二中空部材であって、且つ前記第二中空部材の上面は前記トップカバー部材の下底面に連結され、前記第二中空部材の内側壁と前記第一中空部材の外側壁との間に第二伝達経路が形成されると共に前記第二吸気通路に連通される第二中空部材と、
中心穴を有し、前記第二中空部材を収容するために用いられるトップハウジングであって、且つ前記トップカバー部材の上蓋壁が前記トップハウジングの上面に設置されるトップハウジングと、
前記第一中空部材及び前記第二中空部材の底面に連結され、第一仕切板及び第二仕切板を含み、前記第二反応ガスを垂直出力させるために用いられる第一ガス出力層と、前記第一反応ガスを垂直出力させるために用いられる第二ガス出力層と、前記第三反応ガスを垂直出力させるために用いられる第三ガス出力層とが形成されるガス出力ユニットとを備えることを特徴とする、
半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項12】

前記第一伝達経路及び前記第二伝達経路は第一フローガイドプレート及び第二フローガイドプレートをそれぞれ備え、且つ前記第一フローガイドプレート及び前記第二フローガイドプレートは複数の第一フローガイド穴及び第二フローガイド穴をそれぞれ有し、前記第一伝達経路及び前記第二伝達経路の横断面に均一に分布するように配置されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項13】

前記トップハウジングは、冷却液を前記中心穴の周囲に伝送させて循環させるために用いられる冷却ユニットを備えることを特徴とする請求項１１に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項14】

前記第一仕切板は前記第一中空部材の底面に連結され、且つ前記第一中空部材の底面は前記トップハウジングの底面に突出され、前記第二中空部材の底面は前記トップハウジングの底面と共面であり、前記第一ガス出力層は前記第一仕切板の上面と前記第二中空部材の底面及び前記トップハウジングの底面の共面との間に形成されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項15】

前記第二仕切板は前記トップカバー部材の前記凸部に連結され、且つ前記凸部の底面は前記第一中空部材の底面に突出され、前記第二ガス出力層は前記第二仕切板の上面と前記第一仕切板の底面との間に形成されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項16】

前記第一仕切板及び前記第二仕切板の内の少なくとも１つは複数のフローガイドブロックまたはフローガイド仕切板を有し、前記第一仕切板或いは／及び前記第二仕切板の中心領域に等間隔で周設され、複数のフローガイド通路が形成されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項17】

前記ガス出力ユニットは前記第三吸気通路に連結される出力口が設けられるフローガイドカバーを更に備え、且つ前記フローガイドカバーの上面は前記第二仕切板の底面に連結され、前記第三反応ガスの導流に用いられることを特徴とする請求項１１に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項18】

前記フローガイドカバーはヒートスプレッダに嵌設され、且つ前記第三ガス出力層は前記第二仕切板の底面と前記ヒートスプレッダの上面との間に形成されることを特徴とする請求項１７に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項19】

前記フローガイドカバーは、前記第三反応ガスを前記第三ガス出力層に均等に伝送させるために使用される複数のフローガイド溝を有することを特徴とする請求項１７に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【請求項20】

前記ガス出力ユニットは前記第三吸気通路に連結されるための出力口が設けられるボルト部材を更に備え、且つ前記ボルト部材の底部には穴を有し、前記第三吸気通路を真空にするために使用されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置（Ｄｉｒｅｃｔｅｄ ｔｏ ａ ｄｅｔａｃｈａｂｌｅ ｇａｓ ｉｎｊｅｃｔｏｒ ｕｓｅｄ ｆｏｒ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）に関し、より詳しくは、化学気相成長（ＣＶＤ）システムに応用されるガス階層伝送分布メカニズムを有する着脱可能なガス噴射装置に関する。

【背景技術】

【0002】

現在よくある半導体プロセスでは、ガス分散出力メカニズムを有する化学気相成長（ＣＶＤ）システム設備において、ガス噴射装置は一般的に凹溝穴を有する複数の連結板部材により連通管路が形成され、且つ管路の孔径によってガスの流動分布及びその均等度の調整を図っている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

しかしながら、前述した従来の技術では、連結板部材は通常金属溶接による固定方式が採用され、取り外してプロセス中で残留した沈殿物等の洗浄を行うことができない。また、プロセスの条件の違いに基づいて一部の部材のみを交換するといった柔軟な対応ができず、ガスの伝送及び流動分布を調整できなかった。このため、現在従来のガス噴射装置は、連結板部材及び連通管路の複雑さにより全体的なコストが高騰するのみならず、後続の清掃にも時間と労力がかかった。

【0004】

そこで、本発明者は上記の欠点が改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、プロセス反応ガスが階層的に独立して導流されて伝送されるのみならず、弾力的に着脱可能にすることで構成部材の清掃及び交換が可能になる半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置を見出した。

【0005】

かかる従来の実情に鑑みて、本発明は、半導体プロセスの化学気相成長（ＣＶＤ）システムに応用される着脱可能なガス噴射装置を提供することを目的とする。
つまり、プロセス反応ガスが階層的に独立して導流されて伝送されることにより、その流場での分布の均等度が制御されてプロセス反応区画に噴射され、ウェハー上に形成される薄膜成長の品質及び歩留まりが向上する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上述した課題を解決し、目的を達成するための本発明に係る半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置の特徴は、トップカバー部材と、中空部材と、トップハウジングと、ガス出力ユニットとを備える。トップカバー部材は凸部と、第一反応ガスを入力するために用いられる第一吸気通路と、第二反応ガスを入力するために用いられる第二吸気通路と、第三反応ガスを入力するために用いられる第三吸気通路とを含み、凸部はトップカバー部材の下底面に設置され、且つ第三吸気通路は凸部内に延設される。中空部材は凸部に被装され、且つ中空部材の上面はトップカバー部材の下底面に連結され、中空部材の内側壁と凸部の外側壁との間に第一伝達経路が形成されると共に第一吸気通路に連通される。トップハウジングは中心穴を有し、中空部材を収容するために用いられ、且つトップカバー部材の上蓋壁はトップハウジングの上面に設置され、中空部材の外側壁と中心穴の内側壁との間に第二伝達経路が形成されると共に第二吸気通路に連通される。ガス出力ユニットは中空部材の底面に連結され、ガス出力ユニットは第一仕切板及び第二仕切板を具備し、第二反応ガスを垂直出力させるために用いられる第一ガス出力層と、第一反応ガスを垂直出力させるために用いられる第二ガス出力層と、第三反応ガスを垂直出力させるために用いられる第三ガス出力層とが形成される。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、プロセス反応ガスが階層的に独立して導流されて伝送されることによりその流場での分布の均等度が制御され、プロセス反応区画に噴射され、ウェハー上に形成される薄膜成長の品質及び歩留まりが向上する。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1A】本発明の一実施形態に係る半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置の組立構成を示す一部の断面図である。

【図1B】本発明の一実施形態に係る半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置を示す分解図である。

【図1C】本発明の一実施形態に係る半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置の気体流を示す概略図である。

【図1D】本発明の他の実施形態による第一仕切板を示す概略図である。

【図1E】本発明の他の実施形態による第一仕切板を示す概略図である。

【図1F】本発明の他の実施形態によるフローガイドカバーを示す概略図である。

【図1G】本発明の他の実施形態によるボルト部材を示す概略図である。

【図2A】本発明の一実施形態に係る半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置の組立構成を示す一部の断面図である。

【図2B】本発明の一実施形態に係る半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置を示す分解図である。

【図2C】本発明の一実施形態に係る半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置の気体流を示す概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照しつつ、本発明に係る半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置について具体的に説明する。尚、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を限定するものではない。また、以下に説明される構成の全てが、本発明の必須要件であるとは限らない。

【実施例】

【0010】

図１Ａは本発明の一実施形態に係る半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置１００の組立構成を示す一部の断面図である。図１Ｂは本発明の一実施形態に係る半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置１００を示す分解図である。図１Ｃは本発明の一実施形態に係る半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置１００の気体流を示す概略図である。

【0011】

本発明の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置１００は、トップカバー部材１１０と、中空部材１２０と、トップハウジング１３０と、ガス出力ユニット１４０とを備える。トップカバー部材１１０は凸部１１２と、第一反応ガス１５０Ａを入力するために用いられる第一吸気通路１１４Ａと、第二反応ガス１５０Ｂを入力するために用いられる第二吸気通路１１４Ｂと、第三反応ガス１５０Ｃを入力するために用いられる第三吸気通路１１４Ｃとを含み、凸部１１２はトップカバー部材１１０の下底面に設置され、第三吸気通路１１４Ｃは凸部１１２内に延設される。
中空部材１２０は凸部１１２に被装され、且つ中空部材１２０の上面はトップカバー部材１１０の下底面に連結され、中空部材１２０の内側壁と凸部１１２の外側壁との間に第一伝達経路１６０Ａが形成されると共に第一吸気通路１１４Ａに連通される。トップハウジング１３０は中心穴１３２を有し、中空部材１２０の収容に用いられ、且つトップカバー部材１１０の上蓋壁はトップハウジング１３０の上面に設置され、中空部材１２０の外側壁と中心穴１３２の内側壁との間に第二伝達経路１６０Ｂが形成されると共に第二吸気通路１１４Ｂに連通される。
ガス出力ユニット１４０は中空部材１２０の底面に連結され、ガス出力ユニット１４０は第一仕切板１４１及び第二仕切板１４２を具備し、第二反応ガス１５０Ｂを垂直出力させるために用いられる第一ガス出力層１４３Ａと、第一反応ガス１５０Ａを垂直出力させるために用いられる第二ガス出力層１４３Ｂと、第三反応ガス１５０Ｃを垂直出力させるために用いられる第三ガス出力層１４３Ｃとが形成される。

【0012】

本実施形態では、トップカバー部材１１０、中空部材１２０、トップハウジング１３０、及びガス出力ユニット１４０が相互に装設されてロックされるため、使用者は必要に応じて取り外して分解及び交換または洗浄を行った後、再度装設させる。また、本発明はこれに限られず、上述の部材には係合、螺接、或いは他の適切な密封連結固定方式が採用されてもよい。

【0013】

また、第一伝達経路１６０Ａ及び第二伝達経路１６０Ｂは第一フローガイドプレート１６２Ａ及び第二フローガイドプレート１６２Ｂをそれぞれ備え、且つ第一フローガイドプレート１６２Ａ及び第二フローガイドプレート１６２Ｂは複数の第一フローガイド穴１６４Ａ及び第二フローガイド穴１６４Ｂをそれぞれ有し、第一伝達経路１６０Ａ及び第二伝達経路１６０Ｂの横断面中に均一に分布するように配置される。
第一反応ガス１５０Ａ及び第二反応ガス１５０Ｂが第一吸気通路１１４Ａ及び第二吸気通路１１４Ｂから第一伝達経路１６０Ａ及び第二伝達経路１６０Ｂに伝送されて導入されると、第一フローガイドプレート１６２Ａ及び第二フローガイドプレート１６２Ｂの第一フローガイド穴１６４Ａ及び第二フローガイド穴１６４Ｂにより均一に拡散されて第一吸気通路１１４Ａ及び第二吸気通路１１４Ｂに分布するように伝送される。

【0014】

さらに、本発明のある実施形態では、トップハウジング１３０は、冷却液１３６を中心穴１３２の周囲に伝送させて循環させるために用いられる冷却ユニット１３４を備え、トップカバー部材１１０、中空部材１２０、トップハウジング１３０及びその周辺の温度が有効的に調節される。これにより有効的な温度調節メカニズムが提供される。

【0015】

図１Ｃを参照する。ガス出力ユニット１４０は第一仕切板１４１が中空部材１２０の底面に連結され、且つ中空部材１２０の底面はトップハウジング１３０の底面に突出され、第一ガス出力層１４３Ａは第一仕切板１４１の上面とトップハウジング１３０の底面との間に形成される。

【0016】

一方は、第二仕切板１４２はトップカバー部材１１０の凸部１１２に連結され、且つ凸部１１２の底面は中空部材１２０の底面に突出され、第二ガス出力層１４３Ｂは第二仕切板１４２の上面と第一仕切板１４１の底面との間に形成される。

【0017】

図１Ｄは本発明の他の実施形態による第一仕切板１４１を示す概略図である。第一仕切板１４１は複数のフローガイドブロック１４１Ａを有し、第一仕切板の中心領域に等間隔で周設され、複数のフローガイド通路１４１Ｃが形成され、第二反応ガス１５０Ｂが均一に伝送されて噴射される。

【0018】

しかし、本発明はこれに限定されるものではない。図１Ｅは本発明の他の実施形態による第一仕切板１４１を示す概略図である。
第一仕切板１４１は実際のプロセスの需要に応じて複数のフローガイド仕切板１４１Ｂを有する設計とし、第一仕切板１４１の中心領域に等間隔で周設され、複数のフローガイド通路１４１Ｃが形成され、これにより第二反応ガス１５０Ｂが均一に伝送されて噴射されてもよい。また、上述では第一仕切板１４１を例に説明するが、第二仕切板１４２も第一仕切板１４１と相似する特徴を有してもよく、ここではその再述は省く。

【0019】

図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、ガス出力ユニット１４０は前記第三吸気通路１１４Ｃに連結される出力口が設けられるフローガイドカバー１４４を更に備え、且つフローガイドカバー１４４の上面は第二仕切板１４２の底面に連結、第三反応ガス１５０Ｃを導流させるために使用される。更に詳しくは、フローガイドカバー１４４はヒートスプレッダ１７０に嵌設され、且つ第三ガス出力層１４３Ｃは第二仕切板１４２の底面とヒートスプレッダ１７０の上面との間に形成される。

【0020】

本実施形態では、ガス出力ユニット１４０中の第一仕切板１４１、第二仕切板１４２、及びフローガイドカバー１４４は相互に装設されてロックされる。これにより、使用者は実需に応じて取り外して分解及び交換または洗浄を行った後、再度装設させることができる。また、本発明はこれに限られず、上述の部材には係合、螺接、或いは他の適切な密封連結固定方式が採用されてもよい。

【0021】

図１Ｆは本発明の他の実施形態によるフローガイドカバー１４４を示す概略図である。フローガイドカバー１４４は複数のフローガイド溝１４４Ａを有し、第三反応ガス１５０Ｃが第三ガス出力層１４３Ｃに均等に伝送され、反応室中に有効的に均等に伝送されて噴射される。

【0022】

図１Ｇは本発明の他の実施形態によるボルト部材１４５を示す概略図である。ガス出力ユニット１４０は第三吸気通路１１４Ｃに連結される出力口が設けられるボルト部材１４５を更に備え、且つボルト部材１４５は第三吸気通路１１４Ｃを真空にするためのスルーホール１４５Ａを有し、通路内に残留するガスが他の通路に漏れ出す事態が防止される。こうして、使用者は置換して配置されるボルト部材１４５及びフローガイドカバー１４４により異なる種類の反応ガスの入力量を決定させる。

【0023】

図２Ａは本発明の一実施形態に係る半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置の組立構成を示す一部の断面図である。図２Ｂは本発明の一実施形態に係る半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置を示す分解図である。図２Ｃは本発明の一実施形態に係る半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置の気体流を示す概略図である。

【0024】

本発明の半導体設備に適用される着脱可能なガス噴射装置１００は、トップカバー部材１１０と、第一中空部材１２０Ａと、第二中空部材１２０Ｂと、トップハウジング１３０と、ガス出力ユニット１４０とを備える。トップカバー部材１１０は凸部１１２と、第一反応ガス１５０Ａを入力するために用いられる第一吸気通路１１４Ａと、第二反応ガス１５０Ｂを入力するために用いられる第二吸気通路１１４Ｂと、第三反応ガス１５０Ｃを入力するために用いられる第三吸気通路１１４Ｃとを含み、凸部１１２はトップカバー部材１１０の下底面に設置され、且つ第三吸気通路１１４Ｃは凸部１１２内に延設される。
第一中空部材１２０Ａは凸部１１２に被装され、且つ第一中空部材１２０Ａの上面はトップカバー部材１１０の下底面に連結され、第一中空部材１２０Ａの内側壁と凸部１１２の外側壁との間に第一伝達経路１６０Ａが形成されると共に第一吸気通路１１４Ａに連通される。第二中空部材１２０Ｂは第一中空部材１２０Ａに被装され、且つ第二中空部材１２０Ｂの上面はトップカバー部材１１０の下底面に連結され、第二中空部材１２０Ｂの内側壁と第一中空部材１２０Ａの外側壁との間に第二伝達経路１６０Ｂが形成されると共に第二吸気通路１１４Ｂに連通される。
トップハウジング１３０は中心穴１３２を有し、第二中空部材１２０Ｂの収容に用いられ、且つトップカバー部材１１０の上蓋壁はトップハウジング１３０の上面に設置される。ガス出力ユニット１４０は第一中空部材１２０Ａ及び第二中空部材１２０Ｂの底面に連結され、ガス出力ユニット１４０は第一仕切板１４１及び第二仕切板１４２を具備し、第二反応ガス１５０Ｂを垂直出力させるために用いられる第一ガス出力層１４３Ａと、第一反応ガス１５０Ａを垂直出力させるために用いられる第二ガス出力層１４３Ｂと、第三反応ガス１５０Ｃを垂直出力させるために用いられる第三ガス出力層１４３Ｃとが形成される。

【0025】

更に詳しくは、本実施形態では、ガス出力ユニット１４０中の第一仕切板１４１は第一中空部材１２０Ａの底面に連結され、且つ第一中空部材１２０Ａの底面はトップハウジング１３０の底面に突出され、第二中空部材１２０Ｂの底面はトップハウジング１３０の底面と共面である。このため、第一ガス出力層１４３Ａが第一仕切板１４１の上面と第二中空部材１２０Ｂの底面及びトップハウジング１３０の底面の共面との間に形成される。

【0026】

第二仕切板１４２はトップカバー部材１１０の凸部１１２に連結され、且つ凸部１１２の底面は第一中空部材１２０Ａの底面に突出される。第二ガス出力層１４３Ｂは第二仕切板１４２の上面と第一仕切板１４１の底面との間に形成される。なお、本実施形態で提供される着脱可能なガス噴射装置１００の他の技術的特徴は前述の実施形態に係る着脱可能なガス噴射装置１００について記載する技術的特徴と相似するため、再述は省く。

【0027】

以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。

【符号の説明】

【0028】

１００ ガス噴射装置
１１０ トップカバー部材
１１２ 凸部
１１４Ａ 第一吸気通路
１１４Ｂ 第二吸気通路
１１４Ｃ 第三吸気通路
１２０ 中空部材
１２０Ａ 第一中空部材
１２０Ｂ 第二中空部材
１３０ トップハウジング
１３２ 中心穴
１３４ 冷却ユニット
１３６ 冷却液
１４０ ガス出力ユニット
１４１ 第一仕切板
１４１Ａ フローガイドブロック
１４１Ｂ フローガイド仕切板
１４１Ｃ フローガイド通路
１４２ 第二仕切板
１４３Ａ 第一ガス出力層
１４３Ｂ 第二ガス出力層
１４３Ｃ 第三ガス出力層
１４４ フローガイドカバー
１４４Ａ フローガイド溝
１４５ ボルト部材
１４５Ａ スルーホール
１５０Ａ 第一反応ガス
１５０Ｂ 第二反応ガス
１５０Ｃ 第三反応ガス
１６０Ａ 第一伝達経路
１６０Ｂ 第二伝達経路
１６２Ａ 第一フローガイドプレート
１６２Ｂ 第二フローガイドプレート
１６４Ａ 第一フローガイド穴
１６４Ｂ 第二フローガイド穴
１７０ ヒートスプレッダ

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図1D】

【図1E】

【図1F】

【図1G】

【図2A】

【図2B】

【図2C】