特許7052019IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

本出願は、放射放出半導体デバイスと、放射放出半導体デバイスを製造する方法と

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の目的は、容易かつ高い信頼性で製造され、良好な放射特性を特徴とする半導体デバイスを開示することである。さらに、半導体デバイスを効率的かつ高い精度で製造することのできる方法を開示する。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

これらの目的は、独立請求項に係る放射放出半導体デバイスまたは方法によって解決される。さらなる発展形態および利点は、従属請求項の主題である。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、概略断面図を使用して放射放出半導体デバイスの例示的な実施形態を示している。
【図2】 図２は、概略断面図を使用して放射放出半導体デバイスの例示的な実施形態を示している。
【図3】 図３は、概略断面図を使用して放射放出半導体デバイスの例示的な実施形態を示している。
【図4】 図４は、概略断面図を使用して放射放出半導体デバイスの例示的な実施形態を示している。
【図5A】 各図は、放射放出半導体デバイスを製造する方法の例示的な実施形態を、それぞれ概略断面図で表現されている中間ステップに基づいて示している。
【図5B】 図５Ｂは、放射放出半導体デバイスを製造する方法の例示的な実施形態を、概略断面図で表現されている中間ステップに基づいて示している。
【図5C】 図５Ｃは、放射放出半導体デバイスを製造する方法の例示的な実施形態を、概略断面図で表現されている中間ステップに基づいて示している。
【図5D】 図５Ｄは、放射放出半導体デバイスを製造する方法の例示的な実施形態を、概略断面図で表現されている中間ステップに基づいて示している。
【図6A】 図６Ａは、放射放出半導体デバイスを製造する方法の例示的な実施形態を、概略断面図で表現されている中間ステップに基づいて示している。
【図6B】 図６Ｂは、放射放出半導体デバイスを製造する方法の例示的な実施形態を、概略断面図で表現されている中間ステップに基づいて示している。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 半導体デバイス １１ 側面 ２ 半導体ボディ ２０ 活性領域 ２０Ａ セグメント ２０Ｂ セグメント ２１ 第１の半導体領域 ２２ 第２の半導体領域 ２５ 凹部 ２９ 半導体積層体 ３ キャリア ３０ 側面 ４ 光学素子 ４０ 放射出口面 ４１ 貫通部 ４２ 光学セグメント ４５ 側面 ４９ 光学系担体 ５ コンタクト ５１ 空間 ６ 直接接合結合部 ６１ 補助接合層 ６２ さらなる補助接合層 ７ ミラー領域 ７５ さらなるミラー領域 ８１ 第１の界面 ８２ 第２の界面 ９ 分離線

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