特許 7054135出願番号特願 2018-20202
焦電型赤外線センサー用間接型強誘電体、焦電型赤外線センサー、及び焦電型赤外線センサーアレイ

出願人国立大学法人東京工業大学（識別番号 304021417）

2026年特許公開件数ランキング 425位 131件（※）

2026年特許取得件数ランキング 377位 108件（※）

2026年特許公開件数ランキング 249位 150件（※）

2026年特許取得件数ランキング 270位 139件（※）

公報発行日　2022年4月13

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7054135　ログイン済みの方はこのURLへ

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※ 共同出願を含む

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焦電型赤外線センサー用の間接型強誘電体、焦電型赤外線センサー、及び焦電型赤外線センサーアレイ

従来、焦電型赤外線センサーに用いられている強誘電体は、自発分極が大きく強誘電性相転移温度の近傍で誘電率が急激に増大するために、自発分極の温度変化を効率的に出力電場に変換することができなかった。

本発明者は、鋭意研究を行い、鉛を含まず、自発分極が小さく誘電率も小さい間接型強誘電体を焦電型赤外線センサーに用いることにより、環境負荷が小さく、自発分極の温度変化を効率的に出力電場に変換することができる焦電型赤外線センサーを得ることができることを見出した。

本開示によれば、環境負荷が小さく、自発分極の温度変化を効率的に出力電場に変換することができる焦電型赤外線センサー用強誘電体を提供することができる。

【図1】図１は、（Ｃａ0.84Ｓｒ0.16）8［Ａｌ12Ｏ24］（ＭｏＯ4）2で表される間接型強誘電体の誘電率の温度依存性を示すグラフである。

【図2】図２は、（Ｃａ0.84Ｓｒ0.16）8（ＡｌＯ2）12（ＭｏＯ4）2で表される間接型強誘電体の自発分極の温度依存性を表すグラフである。

【図3】図３は、図２に記載の間接型強誘電体の、３００Ｋにおける分極の大きさの電場依存性を表すグラフを示す。

【図4】図４は、（Ｃａ0.84Ｓｒ0.16）8（ＡｌＯ2）12（ＭｏＯ4）2で表される間接型強誘電体の焦電係数の温度依存性を表すグラフである。

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