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▶ サイノラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-04-13
(45)【発行日】2022-04-21
(54)【発明の名称】青色光を発光する有機エレクトロルミネセントデバイス
(51)【国際特許分類】
H01L 51/50 20060101AFI20220414BHJP
C09K 11/06 20060101ALI20220414BHJP
C07D 403/10 20060101ALI20220414BHJP
【ＦＩ】
H05B33/14 B
C09K11/06 640
C07D403/10 CSP
【請求項の数】
14
(21)【出願番号】P 2019561251
(86)(22)【出願日】2018-05-08
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2020-07-02
(86)【国際出願番号】 EP2018061756
(87)【国際公開番号】W WO2018206520
(87)【国際公開日】2018-11-15
【審査請求日】2021-04-14
(31)【優先権主張番号】17169900.2
(32)【優先日】2017-05-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(73)【特許権者】
【識別番号】517297359
【氏名又は名称】サイノラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
(74)【代理人】
【識別番号】100127926
【弁理士】
【氏名又は名称】結田 純次
(74)【代理人】
【識別番号】100140132
【弁理士】
【氏名又は名称】竹林 則幸
(72)【発明者】
【氏名】アンドレアス・ハルディ
(72)【発明者】
【氏名】ゲオルギオス・リアプトシス
(72)【発明者】
【氏名】ハーラルト・フリュッゲ
(72)【発明者】
【氏名】パトリック・ピンゲル
(72)【発明者】
【氏名】シュテファン・ヘーフレ
【審査官】岩井 好子
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１４／１５７６１９（ＷＯ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／０３２９５１４（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／００５６３９３（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１３－１９７３２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１７／００５６９９（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ５１／５０
Ｃ０９Ｋ １１／０６
Ｃ０７Ｄ ４０３／１０
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
有機エレクトロルミネセントデバイスであって：（ｉ）最下の励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１Hおよび最下の励起三重項状態のエネルギー準位Ｔ１H、を有するホスト材料ＨBと；
（ｉｉ）最下の励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１Eおよび最下の励起三重項状態のエネルギー準位Ｔ１E、を有する第１の熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥBと；
（ｉｉｉ）最下の励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１Sおよび最下の励起三重項状態のエネルギー準位Ｔ１S、を有する第２のＴＡＤＦ材料ＳBと
を含む発光層Ｂを含み、
ＳBはＥBにエネルギーを伝達し、ＥBは４２０から５００ｎｍの間の発光最大で熱活性化遅延蛍光を発光し；かつ、以下の式（１）～（４）：
Ｓ１H＞Ｓ１E （１）
Ｓ１H＞Ｓ１S （２）
Ｓ１E＞Ｓ１S （３）
Ｔ１H＞Ｔ１S （４）
によって表される関係が当てはまり、
ここで、
Ｓ１ E ＞Ｓ１ S ≧Ｔ１ E ＞Ｔ１ S および
Ｓ１ E －Ｔ１ S ≦０．４ｅＶである、
前記有機エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項2】
有機発光ダイオード、発光電気化学セル、および発光トランジスタからなる群から選択されるデバイスである、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項3】
第１のＴＡＤＦ材料ＥBは有機ＴＡＤＦエミッタである、請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項4】
第２のＴＡＤＦ材料ＳBは有機ＴＡＤＦエミッタである、請求項１～３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項5】
４４０～４７０ｎｍの発光最大λmax（Ｄ）を示す、請求項１～４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項6】
発光層Ｂは：（ｉ）ホスト化合物ＨBを５～９８重量％；
（ｉｉ）第１のＴＡＤＦ材料ＥBを１～５０重量％；および
（ｉｉｉ）第２のＴＡＤＦ材料ＳBを１～５０重量％；ならびに場合により
（ｉｖ）ＨBと異なる１種またはそれ以上のさらなるホスト化合物ＨB2を０～９３重量％；ならびに場合により
（ｖ）１種またはそれ以上の溶媒を０～９３重量％、
を含む、請求項１～５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項7】
第２のＴＡＤＦ材料ＳBは、発光最大λmax
PMMA（ＳB）を示し、第１のＴＡＤＦ材料ＥBは、発光最大λmax
PMMA（ＥB）を示し、５００ｎｍ≧λmax PMMA（ＳB）＞λmax PMMA（ＥB ）
である、請求項１～６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項8】
第１のＴＡＤＦ材料ＥBは、４５０から４７０ｎｍまでの範囲の発光最大λmax
PMMA（ＥB）を示す、請求項１～７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項9】
第２のＴＡＤＦ材料ＳBは、発光最大λmax
PMMA（ＳB）を示し、第１のＴＡＤＦ材料ＥBは、発光最大λmax
PMMA（ＥB）を示し、デバイスは発光最大λmax（Ｄ）を示し、λmax PMMA（ＳB）＞λmax（Ｄ）≧λmax PMMA（ＥB）
である、請求項１～８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項10】
第１のＴＡＤＦ材料ＥBおよび第２のＴＡＤＦ材料ＳBは、両方ともに、式Ｉ【化1】
ｎは、各存在で、他から独立して、１または２であり；
Ｘは、各存在で、ＣＮまたはＣＦ3から、他から独立して選択され；
Ｚは、各存在で、直接結合、ＣＲ3Ｒ4、Ｃ＝ＣＲ3Ｒ4、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ3、ＮＲ3、Ｏ、ＳｉＲ3Ｒ4、Ｓ、Ｓ（Ｏ）およびＳ（Ｏ）2からなる群から、他から独立して選択され；
ＡｒEWGは、各存在で、他から独立して式ＩＩａ～ＩＩｉ
【化2】
ここで、
＃は、ＡｒEWGを式Ｉの置換されているセンターのフェニル環と連結している単結合の結合部位を表し；
Ｒ1は、各存在で、水素、重水素、
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素によって場合により置換されているＣ1～Ｃ5－アルキル、および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ6で場合により置換されているＣ6～Ｃ18－アリール、
からなる群から、他から独立して選択され；
Ｒ2は、各存在で、水素、重水素、
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素によって場合により置換されているＣ1～Ｃ5－アルキル、および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ6で場合により置換されているＣ6～Ｃ18－アリール、
からなる群から、他から独立して選択され；
Ｒa、Ｒ3およびＲ4は、各存在で、水素、重水素、Ｎ（Ｒ5）2、ＯＲ5、ＳＲ5、Ｓｉ（Ｒ5）3、ＣＦ3、ＣＮ、Ｆ、
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ5で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ2基がＲ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5によって、場合により置換されている、Ｃ1～Ｃ40－アルキル；
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ5で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ2基がＲ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5によって、場合により置換されている、Ｃ1～Ｃ40－チオアルコキシ；および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ5で場合により置換されている、Ｃ6～Ｃ60－アリール；１つまたはそれ以上の置換基Ｒ5で場合により置換されている、Ｃ3～Ｃ57－ヘテロアリール
からなる群から、他から独立して選択され；
Ｒ5は、各存在で、水素、重水素、Ｎ（Ｒ6）2、ＯＲ6、ＳＲ6、Ｓｉ（Ｒ6）3、ＣＦ3、ＣＮ、Ｆ、
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ6で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ2基がＲ6Ｃ＝ＣＲ6、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ6）2、Ｇｅ（Ｒ6）2、Ｓｎ（Ｒ6）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ6、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ6）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ6、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ6によって、場合により置換されている、Ｃ1～Ｃ40－アルキル；
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ6で場合により置換されている、Ｃ6～Ｃ60－アリール；および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ6で場合により置換されている、Ｃ3～Ｃ57－ヘテロアリール
からなる群から、他から独立して選択され；
Ｒ6は、各存在で、水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ3、ＣＮ、Ｆ、
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素、ＣＮ、ＣＦ3、またはＦによって互いに独立して場合により置換されている、Ｃ1～Ｃ5－アルキル；
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素、ＣＮ、ＣＦ3、またはＦによって互いに独立して場合により置換されている、Ｃ1～Ｃ5－アルコキシ；
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素、ＣＮ、ＣＦ3、またはＦによって互いに独立して場合により置換されている、Ｃ1～Ｃ5－チオアルコキシ；
１つまたはそれ以上のＣ1～Ｃ5－アルキル置換基で場合により置換されている、Ｃ6～Ｃ18－アリール；
１つまたはそれ以上のＣ1～Ｃ5－アルキル置換基で場合により置換されている、Ｃ3～Ｃ17－ヘテロアリール；
Ｎ（Ｃ6～Ｃ18－アリール）2；
Ｎ（Ｃ3～Ｃ17－ヘテロアリール）2、および
Ｎ（Ｃ3～Ｃ17－ヘテロアリール）（Ｃ6～Ｃ18－アリール）
からなる群から、他から独立して選択され；
Ｒdは、各存在で、水素、重水素、Ｎ（Ｒ5）2、ＯＲ5、ＳＲ5、Ｓｉ（Ｒ5）3、ＣＦ3、ＣＮ、Ｆ、
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ5で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ2基がＲ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5によって、場合により置換されている、Ｃ1～Ｃ40－アルキル；
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ5で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ2基がＲ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5によって、場合により置換されている、Ｃ1～Ｃ40－チオアルコキシ；および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ5で場合により置換されている、Ｃ6～Ｃ60－アリール；１つまたはそれ以上の置換基Ｒ5で場合により置換されている、Ｃ3～Ｃ57－ヘテロアリール
からなる群から、他から独立して選択され；
ここで、置換基Ｒa、Ｒ3、Ｒ4またはＲ5が、互いに独立して場合により、１つもしくはそれ以上の置換基Ｒa、Ｒ3、Ｒ4またはＲ5と一緒に、単環のまたは多環の、脂肪族環系、芳香族環系および／またはベンゾ縮合環系を形成することができ、
ここで、１つまたはそれ以上の置換基Ｒdが、互いに独立して場合により、１つまたはそ
れ以上の置換基Ｒdと一緒に、単環のまたは多環の、脂肪族環系、芳香族環系および／またはベンゾ縮合環系を形成することができる）
の構造の分子から、他から独立して選択される、請求項１～９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項11】
第１のＴＡＤＦ材料ＥBおよび第２のＴＡＤＦ材料ＳBの両方は、Ｒa、Ｒ1、Ｒ2およびＸのうちの１つまたはそれ以上のみが構造的に異なる、式Ｉによる同じ構造を有する、請求項１０に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項12】
Ｚは各存在で直接結合である、請求項１０または１１に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項13】
Ｒaは各存在で、水素、重水素、Ｍｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3、
Ｍｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているＰｈ、
Ｍｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているピリジニル、
Ｍｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているピリミジニル、
Ｍｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているカルバゾリル、
Ｍｅ、iＰｒ、tＢｕ、ＣＮ、ＣＦ3およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているトリアジニル、
ならびにＮ（Ｐｈ）
からなる群から、他から独立して選択される、
請求項１０～１２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項14】
第２のＴＡＤＦ材料Ｓ
B
は、発光最大λ
max
PMMA
（Ｓ
B
）を示し、第１のＴＡＤＦ材料Ｅ
B
は、発光最大λ
max
PMMA
（Ｅ
B
）を示し、
４８０ｎｍ≧λ max PMMA （Ｓ B ）＞λ max PMMA （Ｅ B ）
である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセントデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ホスト材料ＨＢと、第１の熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢと、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢとを含む発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネセントデバイスであって、ＳＢはＥＢにエネルギーを伝達し、ＥＢは４２０から５００ｎｍの間の発光最大でＴＡＤＦを発光する、有機エレクトロルミネセントデバイスに関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣ）および発光トランジスタなどの有機物をベースとする１つまたはそれ以上の発光層を含有する有機エレクトロルミネセントデバイスは、ますます重要性を増している。具体的には、ＯＬＥＤは、例えばスクリーン、ディスプレイおよび照明デバイスなどの電子製品用の有望なデバイスである。無機物を本質的にベースとするほとんどのエレクトロルミネセントデバイスとは対照的に、有機物をベースとする有機エレクトロルミネセントデバイスはかなり柔軟であり、特に薄い層で製造可能であることが多い。今日すでに利用可能なＯＬＥＤベースのスクリーンやディスプレイは、特に効果的な鮮明な色、コントラストを有し、これらのエネルギー消費に関して比較的効率的である。
【0003】
光を発生するための有機エレクトロルミネセントデバイスの中心的要素は、アノードとカソードとの間に配置された発光層である。有機エレクトロルミネセントデバイスに電圧（および電流）を印加すると、アノードおよびカソードからそれぞれ正孔および電子が発光層に注入される。通常は、正孔輸送層は発光層とアノードとの間に位置し、電子輸送層は発光層とカソードとの間に位置している。異なる層が順次配列されている。次いで、正孔と電子との再結合によって高エネルギーの励起子が発生する。そのような励起状態（例えば、Ｓ１などの一重項状態および／またはＴ１などの三重項状態）の基底状態（Ｓ０）への崩壊は、望ましくは発光をもたらす。
【0004】
効率的なエネルギー輸送および放出を可能にするために、有機エレクトロルミネセントデバイスは、１種またはそれ以上のホスト化合物とドーパントとして１種またはそれ以上のエミッタ化合物とを含む。有機エレクトロルミネセントデバイスを作製する場合の課題は、したがって、デバイスの照明レベル（すなわち、電流当たりの明るさ）の改善であり、所望の光スペクトルを得ること、および適切な（長い）寿命を達成することである。
【0005】
可視光スペクトルの深青色領域で発光する効率的で安定なＯＬＥＤが依然として欠けており、これは、ＣＩＥｙ値が小さいことによって表されるであろう。したがって、特に深青色範囲において、長い寿命と高い量子収率を有する有機エレクトロルミネセントデバイスに関して満たされていない技術的ニーズが依然としてある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0006】
驚くべきことに、２つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料と、ホスト材料とを含む有機エレクトロルミネセントデバイスの発光層によって、良好な寿命および量子収率を有し、深青色発光を示す、有機エレクトロルミネセントデバイスが用意される、ことが分かった。ここで、ＴＡＤＦ材料のうちの一方は、特に、より低い一重項状態のエネルギー準位を有するものは、他方のＴＡＤＦ材料に、特により高い一重項状態のエネルギー準位を有するものにエネルギーを伝達し、これは、４２０から５００ｎｍの間の発光最大を有する。
【0007】
したがって、本発明の一態様は、有機エレクトロルミネセントデバイスであって：
（ｉ）最下の励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１Ｈおよび最下の励起三重項状態のエネルギー準位Ｔ１Ｈ、を有するホスト材料ＨＢと；
（ｉｉ）最下の励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１Ｅおよび最下の励起三重項状態のエネルギー準位Ｔ１Ｅ、を有する第１の熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢと；
（ｉｉｉ）最下の励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１Ｓおよび最下の励起三重項状態のエネルギー準位Ｔ１Ｓ、を有する第２のＴＡＤＦ材料ＳＢと
を含む発光層Ｂを含み、
ＳＢはＥＢにエネルギーを伝達し、ＥＢは４２０から５００ｎｍの間の発光最大で熱活性化遅延蛍光を発光し；かつ、以下の式（１）～（４）：
Ｓ１Ｈ＞Ｓ１Ｅ （１）
Ｓ１Ｈ＞Ｓ１Ｓ （２）
Ｓ１Ｅ＞Ｓ１Ｓ （３）
Ｔ１Ｈ＞Ｔ１Ｓ （４）
によって表される関係が当てはまる、
有機エレクトロルミネセントデバイスに関する。
（ｉ）最下の励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１Ｈおよび最下の励起三重項状態のエネルギー準位Ｔ１Ｈ、を有するホスト材料ＨＢと；
（ｉｉ）最下の励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１Ｅおよび最下の励起三重項状態のエネルギー準位Ｔ１Ｅ、を有する第１の熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢと；
（ｉｉｉ）最下の励起一重項状態のエネルギー準位Ｓ１Ｓおよび最下の励起三重項状態のエネルギー準位Ｔ１Ｓ、を有する第２のＴＡＤＦ材料ＳＢと
を含む発光層Ｂを含み、
ＳＢはＥＢにエネルギーを伝達し、ＥＢは４２０から５００ｎｍの間の発光最大で熱活性化遅延蛍光を発光し；かつ、以下の式（１）～（４）：
Ｓ１Ｈ＞Ｓ１Ｅ （１）
Ｓ１Ｈ＞Ｓ１Ｓ （２）
Ｓ１Ｅ＞Ｓ１Ｓ （３）
Ｔ１Ｈ＞Ｔ１Ｓ （４）
によって表される関係が当てはまる、
有機エレクトロルミネセントデバイスに関する。
【0008】
本発明によれば、ホスト材料ＨＢの最下の励起一重項状態は、第１の熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢの最下の励起一重項状態よりもエネルギーが高い。ホスト材料ＨＢの最下の励起一重項状態は、第２のＴＡＤＦ材料ＥＢの最下の励起一重項状態よりもエネルギーが高い。第１のＴＡＤＦ材料ＥＢの最下の励起一重項状態は、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢの最下の励起一重項状態よりもエネルギーが高い。ホスト材料ＨＢの最下の励起三重項状態は、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢの最下の励起三重項状態よりもエネルギーが高い。
【0009】
本明細書で使用する場合、「ＴＡＤＦ材料」および「ＴＡＤＦエミッタ」という用語は、同じ意味で理解してよい。「エミッタ」「エミッタ化合物」等という用語のうちの１つが使用される場合、これは、本発明のＴＡＤＦ材料は好ましくは、特にそれぞれＥＢおよびＳＢとして指定された一方またはこれらを意味する、というように理解してよい。
【0010】
好ましい実施形態では、ホスト材料ＨＢの最下の励起三重項状態は、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢの最下の励起三重項状態よりもエネルギーが高い：Ｔ１Ｈ＞Ｔ１Ｅ。
【0011】
あるいは、ホスト材料ＨＢの最下の励起三重項状態は、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢの最下の励起三重項状態よりもエネルギーが低くてもよい：Ｔ１Ｈ＜Ｔ１Ｅ。次いで、システムについての当業者であれば予想するであろう、ホストの最下の励起三重項状態がエミッタの最下の励起三重項状態よりもエネルギーが低い、ホスト材料ＨＢと第１のＴＡＤＦ材料ＥＢとの間の三重項－三重項クエンチングは、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢを介する励起経路に起因して、通常には発生しない。
【0012】
好ましい実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢの最下の励起三重項状態は、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢの最下の励起三重項状態よりもエネルギーが高い：Ｔ１Ｅ＞Ｔ１Ｓ。
【0013】
好ましい実施形態では、以下の関係、Ｓ１Ｅ＞Ｓ１Ｓ≧Ｔ１Ｅ＞Ｔ１ＳおよびＳ１Ｅ－Ｔ１Ｓ≦０．４ｅＶが当てはまる。換言すれば、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢの最下の励起一重項状態は、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢの最下の励起一重項状態よりもエネルギーが高く、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢの最下の励起一重項状態は、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢの最下の励起三重項状態にエネルギーが少なくとも等しいかもしくはこれよりも高いまたはこれとエネルギーが等しく、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢの最下の励起三重項状態は、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢの最下の励起三重項状態よりも、エネルギーが高い。好ましい実施形態では、４つの状態はすべて、０．４ｅＶ以下の範囲内（すなわち、エネルギーの差）、好ましくは０．３ｅＶ以下の範囲、特に０．２ｅＶ以下の範囲、にある。
【0014】
ＴＡＤＦ材料ＥＢおよびＳＢの最下の励起一重項状態と励起三重項状態との間の低エネルギー差に起因して、ＥＢおよびＳＢの異なる状態間での励起子移動は、十分に可能となる。加えて、異なる多重度の状態間での移動も低エネルギー差に起因して、可能性がある。
【0015】
このことは、
（ａ） 一方のＴＡＤＦ材料の一重項状態から他方のＴＡＤＦ材料の一重項状態への、
（ｂ） 一方のＴＡＤＦ材料の三重項状態から他方のＴＡＤＦ材料の三重項状態への、
（ｃ） 一方のＴＡＤＦ材料の一重項状態から他方のＴＡＤＦ材料の三重項状態への、および／または
（ｄ） 一方のＴＡＤＦ材料の三重項状態から他方のＴＡＤＦ材料の一重項状態への
エネルギー伝達を含むことが可能である。
（ａ） 一方のＴＡＤＦ材料の一重項状態から他方のＴＡＤＦ材料の一重項状態への、
（ｂ） 一方のＴＡＤＦ材料の三重項状態から他方のＴＡＤＦ材料の三重項状態への、
（ｃ） 一方のＴＡＤＦ材料の一重項状態から他方のＴＡＤＦ材料の三重項状態への、および／または
（ｄ） 一方のＴＡＤＦ材料の三重項状態から他方のＴＡＤＦ材料の一重項状態への
エネルギー伝達を含むことが可能である。
【0016】
興味深いことに、本発明のＥＢとＳＢとのいろいろな組合せにおいて、エネルギー伝達はまた、代表的には：
（ａ） Ｔ１ＳからＳ１Ｅへ、
（ｂ） Ｓ１ＳからＴ１Ｅへ、
（ｃ） Ｔ１ＥからＳ１Ｓへ、
（ｄ） Ｓ１ＥからＴ１Ｓへ、
（ｅ） Ｓ１ＳからＳ１Ｅへ、
（ｆ） Ｓ１ＥからＳ１Ｓへ、
（ｇ） Ｔ１ＳからＴ１Ｅへ、および／または
（ｈ） Ｔ１ＥからＴ１Ｓへ、
などの、より高いエネルギー準位にならびにより低いエネルギー準位に、起こることも可能である。
（ａ） Ｔ１ＳからＳ１Ｅへ、
（ｂ） Ｓ１ＳからＴ１Ｅへ、
（ｃ） Ｔ１ＥからＳ１Ｓへ、
（ｄ） Ｓ１ＥからＴ１Ｓへ、
（ｅ） Ｓ１ＳからＳ１Ｅへ、
（ｆ） Ｓ１ＥからＳ１Ｓへ、
（ｇ） Ｔ１ＳからＴ１Ｅへ、および／または
（ｈ） Ｔ１ＥからＴ１Ｓへ、
などの、より高いエネルギー準位にならびにより低いエネルギー準位に、起こることも可能である。
【0017】
驚くべきことに、本発明による光電子デバイスの発光帯に対する主たる寄与は、ＳＢからＥＢへのエネルギーの十分な伝達を示すＥＢの発光に起因するとし得ること、が見いだされた。
【0018】
したがって、本発明によるデバイスの発光は、同様のデバイスアーキテクチャおよびエミッタとしてＴＡＤＦ材料ＳＢを含む発光層を有するデバイスと比較して、青方偏移して現れる。
【0019】
特に興味深いのは、本発明のＥＢとＳＢとの組合せに応じて、より低いエネルギー状態からのエネルギーは、他の化合物のより高いエネルギー状態へと伝達することができる、ということである。また、ＴＡＤＦエミッタで生じる逆系間交差（ＲＩＳＣ）を考慮すると、本発明のＥＢとＳＢとの組合せは、より高いエネルギーのＴＡＤＦ材料ＥＢの特に高い発光をもたらすことが可能である。これにより、所望の青方偏移をもたらすことが可能である。
【0020】
本発明によれば、ＴＡＤＦ材料が、これは最下の励起一重項状態（Ｓ１）と最下の励起三重項状態（Ｔ１）との間のエネルギー差に相応するが、０．４ｅＶ未満、好ましくは０．３ｅＶ未満、より好ましくは０．２ｅＶ未満、さらにより好ましくは０．１ｅＶ未満またはさらに０．０５ｅＶ未満のΔＥＳＴ値を示すことを特徴とする。
【0021】
本明細書で使用する場合、有機エレクトロルミネセントデバイスおよび光電子発光デバイスという用語は、ホスト材料ＨＢと、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢと、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢとを含む発光層Ｂを含む任意のデバイスとして、最も広い意味で理解してよい。
【0022】
有機エレクトロルミネセントデバイスは、可視範囲または最も近い紫外線（ＵＶ）範囲において、すなわち、３８０から８００ｎｍまでの波長の範囲において、発光に適している有機材料をベースとする任意のデバイスとして、最も広い意味で理解してよい。より好ましくは、有機エレクトロルミネセントデバイスは可視範囲で、すなわち４００から８００ｎｍまでの発光を可能とすることができる。
【0023】
好ましい実施形態では、有機エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣ）、および発光トランジスタからなる群から選択されるデバイスである。
【0024】
特に好ましくは、有機エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。場合により、全体として有機エレクトロルミネセントデバイスは、不透明、半透明または（本質的に）透明とすることができる。
【0025】
本発明の文脈で使用する「層」という用語は、広く平面形状を有する本体であることが好ましい。
発光層Ｂは、１ｍｍ以下、より好ましくは０．１ｍｍ以下、さらにより好ましくは１０μｍ以下、さらにより好ましくは１μｍ以下、特に０．１μｍ以下の厚さを有することが好ましい。
発光層Ｂは、１ｍｍ以下、より好ましくは０．１ｍｍ以下、さらにより好ましくは１０μｍ以下、さらにより好ましくは１μｍ以下、特に０．１μｍ以下の厚さを有することが好ましい。
【0026】
好ましい実施形態では、第１の熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢは有機ＴＡＤＦエミッタである。本発明によれば、有機エミッタまたは有機材料とは、エミッタまたは材料が水素、炭素、窒素、ならびに場合によりフッ素および場合により酸素の各元素から（主として）なることを意味する。特に好ましくは、これは遷移金属をまったく含有しない。
【0027】
好ましい実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは有機ＴＡＤＦエミッタである。好ましい実施形態では、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは有機ＴＡＤＦエミッタである。より好ましい実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢおよび第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは両方とも有機ＴＡＤＦエミッタである。
【0028】
特に好ましい実施形態では、少なくとも１種のＴＡＤＦ材料ＥＢは青色ＴＡＤＦエミッタ、好ましくは深青色ＴＡＤＦエミッタである。
【0029】
当業者であれば、発光層Ｂが典型的には本発明の有機エレクトロルミネセントデバイスに組み込まれることに留意するであろう。好ましくは、このような有機エレクトロルミネセントデバイスは、少なくとも以下の層を含む：少なくとも１つの発光層Ｂ、少なくとも１つのアノード層Ａおよび少なくとも１つのカソード層Ｃ。
【0030】
好ましくは、アノード層Ａは、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、ＰｂＯ、ＳｎＯ、グラファイト、ドープしたシリコン、ドープしたゲルマニウム、ドープしたＧａＡｓ、ドープしたポリアニリン、ドープしたポリピロール、ドープしたポリチオフェン、およびそれらの２つ以上の混合物からなる群から選択される少なくとも１つの成分を含有する。
【0031】
好ましくは、カソード層Ｃは、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｗ、Ｐｄ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、およびそれらの２つ以上の混合物または合金からなる群から選択される少なくとも１つの成分を含有する。
【0032】
好ましくは、発光層Ｂは、アノード層Ａとカソード層Ｃとの間に位置する。したがって、一般的な構成は、好ましくは、Ａ－Ｂ－Ｃである。このことは、当然ながら、場合によるさらなる１つまたはそれ以上の層の存在を排除するものではない。これらは、Ａの、Ｂのおよび／またはＣの各面に存在することができる。
【0033】
好ましい実施形態では、有機エレクトロルミネセントデバイスは少なくとも以下の層：
Ａ）酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、ＰｂＯ、ＳｎＯ、グラファイト、ドープしたシリコン、ドープしたゲルマニウム、ドープしたＧａＡｓ、ドープしたポリアニリン、ドープしたポリピロール、ドープしたポリチオフェン、およびそれらの２つ以上の混合物からなる群から選択される少なくとも１つの成分を含有するアノード層Ａ；
Ｂ）発光層Ｂ；ならびに
Ｃ）Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｗ、Ｐｄ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、およびそれらの２つ以上の混合物または合金からなる群から選択される少なくとも１つの成分を含有するカソード層Ｃ、
を含み、ここで、発光層Ｂは、アノード層Ａとカソード層Ｃとの間に位置する。
Ａ）酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、ＰｂＯ、ＳｎＯ、グラファイト、ドープしたシリコン、ドープしたゲルマニウム、ドープしたＧａＡｓ、ドープしたポリアニリン、ドープしたポリピロール、ドープしたポリチオフェン、およびそれらの２つ以上の混合物からなる群から選択される少なくとも１つの成分を含有するアノード層Ａ；
Ｂ）発光層Ｂ；ならびに
Ｃ）Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｗ、Ｐｄ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、およびそれらの２つ以上の混合物または合金からなる群から選択される少なくとも１つの成分を含有するカソード層Ｃ、
を含み、ここで、発光層Ｂは、アノード層Ａとカソード層Ｃとの間に位置する。
【0034】
一実施形態では、有機エレクトロルミネセントデバイスがＯＬＥＤである場合、これは以下の層構造：
Ａ）アノード層Ａ、代表的に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含む；
ＨＴＬ）正孔輸送層ＨＴＬ；
Ｂ）本明細書に記載の本発明による発光層Ｂ；
ＥＴＬ）電子輸送層ＥＴＬ；ならびに
Ｃ）カソード層、代表的にＡｌ、Ｃａおよび／またはＭｇを含む、
を場合により含むことができる。
Ａ）アノード層Ａ、代表的に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含む；
ＨＴＬ）正孔輸送層ＨＴＬ；
Ｂ）本明細書に記載の本発明による発光層Ｂ；
ＥＴＬ）電子輸送層ＥＴＬ；ならびに
Ｃ）カソード層、代表的にＡｌ、Ｃａおよび／またはＭｇを含む、
を場合により含むことができる。
【0035】
好ましくは、本明細書における層の順序は、Ａ－ＨＴＬ－Ｂ－ＥＴＬ－Ｃである。
【0036】
さらに、有機エレクトロルミネセントデバイスは、代表的に湿気、蒸気および／またはガスを含む環境中の有害な種への破損をもたらす暴露からデバイスを保護する１つまたはそれ以上の保護層を場合により含むことができる。
【0037】
好ましくは、アノード層Ａは基板の表面に位置する。基板は、任意の材料または材料の組成物によって形成することができる。最も頻繁には、ガラススライドが基板として使用される。あるいは、薄い金属層（例えば、銅、金、銀またはアルミニウムのフィルム）またはプラスチックのフィルムもしくはスライドを使用することができる。これによってより高度の柔軟性が可能となる。アノード層Ａは、（本質的に）透明なフィルムを得ることを可能にする材料から主として構成される。両電極のうちの少なくとも１つは、ＯＬＥＤからの発光を可能にするために（本質的に）透明であることが求められるので、アノード層Ａまたはカソード層Ｃのいずれかが透明である。好ましくは、アノード層Ａは、高含有量の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含むかまたはこれからなることさえある。
このようなアノード層Ａは、代表的に、酸化インジウムスズ、アルミニウム亜鉛酸化物、フルオロスズ酸化物、酸化インジウム亜鉛、ＰｂＯ、ＳｎＯ、酸化ジルコニウム、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ウルフラム、グラファイト、ドープしたＳｉ、ドープしたＧｅ、ドープしたＧａＡｓ、ドープしたポリアニリン、ドープしたポリピロールおよび／またはドープしたポリチオフェンを含むことができる。
このようなアノード層Ａは、代表的に、酸化インジウムスズ、アルミニウム亜鉛酸化物、フルオロスズ酸化物、酸化インジウム亜鉛、ＰｂＯ、ＳｎＯ、酸化ジルコニウム、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ウルフラム、グラファイト、ドープしたＳｉ、ドープしたＧｅ、ドープしたＧａＡｓ、ドープしたポリアニリン、ドープしたポリピロールおよび／またはドープしたポリチオフェンを含むことができる。
【0038】
特に好ましくは、アノード層Ａは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）（例えば、（ＩｎＯ３）０．９（ＳｎＯ２）０．１）から（本質的に）なる。透明導電性酸化物（ＴＣＯ）によって生じるアノード層Ａの粗さは、正孔注入層（ＨＩＬ）を使用することによって補償することができる。さらに、ＴＣＯから正孔輸送層（ＨＴＬ）への準電荷キャリア（すなわち、正孔）の輸送が容易になるという点で、ＨＩＬによって、準電荷キャリアの注入が容易となり得る。正孔注入層（ＨＩＬ）は、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリスチレンスルホネート（ＰＳＳ）、ＭｏＯ２、Ｖ２Ｏ５、ＣｕＰＣまたはＣｕＩ、特にＰＥＤＯＴとＰＳＳの混合物を含むことができる。正孔注入層（ＨＩＬ）はまた、アノード層Ａから正孔輸送層（ＨＴＬ）への金属の拡散も防止することができる。ＨＩＬは、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホネート）、ＰＥＤＯＴ（ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン）、ｍＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”－トリス［フェニル（ｍ－トリル）アミノ］トリフェニルアミン）、スピロ－ＴＡＤ（２，２’，７，７’－テトラキス（ｎ，ｎ－ジフェニルアミノ）－９，９’－スピロビフルオレン）、ＤＮＴＰＤ（Ｎ１，Ｎ１’－（ビフェニル－４，４’－ジイル）ビス（Ｎ１－フェニル－Ｎ４，Ｎ４－ジ－ｍ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン）、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’－ニス－（１－ナフタレニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－フェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン）、ＮＰＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ－［４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニル－アミノ）フェニル］ベンジジン）、ＭｅＯ－ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）－ベンジジン）、ＨＡＴ－ＣＮ（１，４，５，８，９，１１－ヘキサアザトリフェニレン－ヘキサカルボニトリル）および／またはスピロ－ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス－（１－ナフチル）－９，９’－スピロビフルオレン－２，７－ジアミン）、を代表的に含むことができる。
【0039】
アノード層Ａまたは正孔注入層（ＨＩＬ）に隣接して、典型的には正孔輸送層（ＨＴＬ）が位置している。ここで、任意の正孔輸送化合物を使用することができる。代表的に、トリアリールアミンおよび／またはカルバゾールなどの電子が豊富なヘテロ芳香族化合物を正孔輸送化合物として使用することができる。ＨＴＬは、アノード層Ａと発光層Ｂ（放出層（ＥＭＬ）として機能する）との間のエネルギー障壁を減少させることができる。正孔輸送層（ＨＴＬ）はまた、電子阻止層（ＥＢＬ）とすることができる。好ましくは、正孔輸送化合物はその三重項状態Ｔ１の比較的高いエネルギーレベルを有する。代表的に、正孔輸送層（ＨＴＬ）は、星形ヘテロ環を、例えばトリス（４－カルバゾイル－９－イルフェニル）アミン（ＴＣＴＡ）、ポリ－ＴＰＤ（ポリ（４－ブチルフェニル－ジフェニル－アミン））、［アルファ］－ＮＰＤ（ポリ（４－ブチルフェニル－ジフェニル－アミン））、ＴＡＰＣ（４，４’－シクロヘキシリデン－ビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］）、２－ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”－トリス［２－ナフチル（フェニル）－アミノ］トリフェニルアミン）、スピロ－ＴＡＤ、ＤＮＴＰＤ、ＮＰＢ、ＮＰＮＰＢ、ＭｅＯ－ＴＰＤ、ＨＡＴ－ＣＮおよび／またはＴｒｉｓＰｃｚ（９，９’－ジフェニル－６－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール）を、含むことができる。加えて、ＨＴＬは、ｐドープ層を含むことができ、これは有機正孔輸送マトリックス中の無機または有機ドーパントで構成することができる。酸化バナジウム、酸化モリブデン、または酸化タングステンなどの遷移金属酸化物を、無機ドーパントとして代表的に使用することができる。
【0040】
テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、銅－ペンタフルオロベンゾエート（Ｃｕ（Ｉ）ｐＦＢｚ）または遷移金属錯体を有機ドーパントとして代表的に使用することができる。
【0041】
ＥＢＬは、ｍＣＰ（１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン）、ＴＣＴＡ、２－ＴＮＡＴＡ、ｍＣＢＰ（３，３－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル）、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾチオフェン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾフラニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾチオフェニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、Ｔｒｉｓ－Ｐｃｚ、ＣｚＳｉ（９－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３，６－ビス（トリフェニルシリル）－９Ｈ－カルバゾール）および／またはＤＣＢ（Ｎ，Ｎ’－ジカルバゾリル－１，４－ジメチルベンゼン）、を代表的に含むことができる。
【0042】
本発明によれば、発光層Ｂは、少なくとも１つのホスト材料ＨＢと、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢと第２のＴＡＤＦ材料ＳＢとを含む。
【0043】
本発明の好ましい実施形態では、発光層Ｂは：
（ｉ）ホスト化合物ＨＢ５～９８重量％、より好ましくは５０～９２重量％、さらにより好ましくは７０～８５重量％；
（ｉｉ）第１のＴＡＤＦ材料ＥＢ１～５０重量％、より好ましくは５～３５重量％、さらにより好ましくは１０～２０重量％；および
（ｉｉｉ）第２のＴＡＤＦ材料ＳＢ１～５０重量％、より好ましくは３～１５重量％、さらにより好ましくは５～１０重量％；ならびに場合により
（ｉｖ）ＨＢと異なる１種またはそれ以上のさらなるホスト化合物ＨＢ２０～９３重量％；ならびに場合により
（ｖ）１種またはそれ以上の溶媒０～９３重量％、
を含む。
（ｉ）ホスト化合物ＨＢ５～９８重量％、より好ましくは５０～９２重量％、さらにより好ましくは７０～８５重量％；
（ｉｉ）第１のＴＡＤＦ材料ＥＢ１～５０重量％、より好ましくは５～３５重量％、さらにより好ましくは１０～２０重量％；および
（ｉｉｉ）第２のＴＡＤＦ材料ＳＢ１～５０重量％、より好ましくは３～１５重量％、さらにより好ましくは５～１０重量％；ならびに場合により
（ｉｖ）ＨＢと異なる１種またはそれ以上のさらなるホスト化合物ＨＢ２０～９３重量％；ならびに場合により
（ｖ）１種またはそれ以上の溶媒０～９３重量％、
を含む。
【0044】
代表的に、ホスト材料ＨＢおよび／または場合により存在するさらなるホスト化合物ＨＢ２は、ＣＢＰ（４，４’－ビス－（Ｎ－カルバゾリル）－ビフェニル）、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、Ｓｉｆ８７（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イルトリフェニルシラン）、ＣｚＳｉ、Ｓｉｆ８８（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イル）ジフェニルシラン）、ＤＰＥＰＯ（ビス［２－（ジフェニルホスフィノ）フェニル］エーテルオキシド）、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾチオフェン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾフラニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾチオフェニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、Ｔ２Ｔ（２，４，６－トリス（ビフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン）、Ｔ３Ｔ（２，４，６－トリス（トリフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン）および／またはＴＳＴ（２，４，６－トリス（９，９’－スピロビフルオレン－２－イル）－１，３，５－トリアジン）からなる群から選択することができる。本発明の一実施形態では、発光層Ｂは、少なくとも１種の正孔優勢（ｎ型）ホストおよび１種の電子優勢（ｐ型）ホストを持ついわゆる混合ホストシステムを含む。
【0045】
一実施形態では、発光層Ｂは、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢと第２のＴＡＤＦ材料ＳＢと、ＣＢＰ、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾチオフェン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾフラニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾールおよび９－［３，５－ビス（２－ジベンゾチオフェニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、からなる群から選択される正孔優勢ホストＨＢとを含む。
【0046】
好ましい実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）を有し、ホスト化合物ＨＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）を有し、ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≦０．３ｅＶおよびＥＨＯＭＯ（ＥＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≧－０．３ｅＶである。換言すれば、ホストＨＢのＨＯＭＯ（ＨＢ）は、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢのＨＯＭＯ（ＥＢ）と比較してエネルギーが高くても低くてもよいが、その差は０．３ｅＶを超えず、より好ましくは０．２ｅＶを超えない。
【0047】
好ましい実施形態では、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）を有し、ホスト化合物ＨＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）を有し、ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≦０．３ｅＶおよびＥＨＯＭＯ（ＳＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≧－０．３ｅＶである。換言すれば、ホストＨＢのＨＯＭＯ（ＨＢ）は、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢのＨＯＭＯ（ＳＢ）と比較してエネルギーが高くても低くてもよいが、その差は０．４ｅＶを超えず、好ましくは０．３ｅＶを、より好ましくは０．２ｅＶを超えない。
【0048】
さらに好ましい実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）を有し、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）を有し、ホスト化合物ＨＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）を有し、
ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≧ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）≧ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）である。
ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≧ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）≧ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）である。
【0049】
さらなる実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）を有し、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）を有し、ホスト化合物ＨＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）を有し、ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）である。この実施形態では、ホストは正孔輸送に著しく関与する。
【0050】
さらなる実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）を有し、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）を有し、ホスト化合物ＨＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）を有し、
ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≧ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）≧ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である。
ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≧ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）≧ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である。
【0051】
さらなる実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）を有し、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）を有し、ホスト化合物ＨＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）を有し、ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である。この実施形態では、ホストは正孔輸送に著しく関与する。
【0052】
別の実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有し、ホスト化合物ＨＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）を有し、ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）≦０．３ｅＶおよびＥＬＵＭＯ（ＥＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）≧－０．３ｅＶである。換言すれば、ホストＨＢのＬＵＭＯ（ＨＢ）は、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢのＬＵＭＯ（ＥＢ）と比較してエネルギーが高くても低くてもよいが、その差は０．３ｅＶを超えず、より好ましくは０．２ｅＶを超えない。
【0053】
さらなる実施形態では、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）を有し、ホスト化合物ＨＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）を有し、ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）≦０．３ｅＶおよびＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）≧－０．３ｅＶである。換言すれば、ホストＨＢのＬＵＭＯ（ＨＢ）は、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢのＬＵＭＯ（ＳＢ）と比較してエネルギーが高くても低くてもよいが、その差は０．３ｅＶを越えず、より好ましくは０．２ｅＶを超えない。
【0054】
さらなる実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有し、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）を有し、ホスト化合物ＨＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）を有し、ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）≦ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）≦ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）である。
【0055】
さらなる実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有し、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）を有し、ホスト化合物ＨＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）を有し、ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）である。この実施形態では、ホストは電子輸送に著しく関与する。
【0056】
さらなる実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有し、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）を有し、ホスト化合物ＨＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）を有し、ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）≦ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）≦ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）である。
【0057】
さらなる実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有し、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）を有し、ホスト化合物ＨＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）を有し、ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）である。この実施形態では、ホストは典型的には電子輸送に著しく関与する。
【0058】
さらなる実施形態では、発光層Ｂは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）およびエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）、を有する第１のＴＡＤＦ材料ＥＢと、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）およびエネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）、を有する第２のＴＡＤＦ材料ＳＢと、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）およびエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）、を有するホスト化合物ＨＢと、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ２）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ２）およびエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ２）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ２）、を有するさらなるホスト化合物ＨＢ２とを含み；
ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≦０．３ｅＶおよびＥＨＯＭＯ（ＥＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≧－０．３ｅＶ；ならびに
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢ２）≦０．３ｅＶおよびＥＬＵＭＯ（ＥＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢ２）≧－０．３ｅＶ；ならびに場合により
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≦０．３ｅＶおよびＥＨＯＭＯ（ＳＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≧－０．３ｅＶ；ならびに場合により
ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢ２）≦０．３ｅＶおよびＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢ２）≧－０．３ｅＶ
である。
ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≦０．３ｅＶおよびＥＨＯＭＯ（ＥＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≧－０．３ｅＶ；ならびに
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢ２）≦０．３ｅＶおよびＥＬＵＭＯ（ＥＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢ２）≧－０．３ｅＶ；ならびに場合により
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≦０．３ｅＶおよびＥＨＯＭＯ（ＳＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）≧－０．３ｅＶ；ならびに場合により
ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢ２）≦０．３ｅＶおよびＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＨＢ２）≧－０．３ｅＶ
である。
【0059】
好ましい実施形態では、発光層Ｂは、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢと第２のＴＡＤＦ材料ＳＢと、電子優勢ホストＨＢ２としてＴ２Ｔを含み、かつ正孔優勢ホストとして、ＣＢＰ、ｍＣＰ、ｍＣＢＰ、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾチオフェン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾフラニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾールおよび９－［３，５－ビス（２－ジベンゾチオフェニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾールからなる群から選択されるホストＨＢを含む、混合ホストシステムとを含む。
【0060】
軌道および励起状態エネルギーは、当業者に公知の実験方法によって決定することができる。実験的には、最高被占分子軌道ＥＨＯＭＯのエネルギーは、０．１ｅＶの精度でサイクリックボルタンメトリー測定から当業者であれば知っている方法によって決定される。最低空分子軌道ＥＬＵＭＯのエネルギーはＥＨＯＭＯ＋Ｅｇａｐとして計算され、ここで、Ｅｇａｐは次のように決定される：ホスト化合物については、特に明記しない限り、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）中にホスト１０重量％を有するフィルムの発光の開始をＥｇａｐとして使用する。エミッタ化合物については、ＰＭＭＡ中にエミッタ１０重量％を有するフィルムの励起スペクトルおよび発光スペクトルが交差するエネルギーとしてＥｇａｐは決定される。
第１の励起三重項状態Ｔ１のエネルギーは、低温での、典型的には７７Ｋでの発光の開始から決定される。ホスト化合物については、第１の励起一重項状態および最も低い三重項状態がエネルギー的に＞０．４ｅＶで隔てられている場合、２－ＭＥ－ＴＨＦ中の定常状態スペクトルにおいてリン光が通常目に見える。したがって、三重項のエネルギーはリン光スペクトルの開始として決定することができる。ＴＡＤＦエミッタ化合物については、第１の励起三重項状態Ｔ１のエネルギーは、特に明記しない限り、エミッタ１０重量％を有するポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）のフィルム中で測定して、７７Ｋでの遅延発光スペクトルの開始から決定される。ホスト化合物およびエミッタ化合物の両方については、第１の励起一重項状態Ｓ１のエネルギーは、特に明記しない限り、それぞれのホスト化合物またはエミッタ化合物１０重量％を有するポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）のフィルム中で測定して、発光スペクトルの開始から決定される。典型的には、この組成物は、調査されるものを外れて、さらなるホスト化合物またはエミッタ化合物を含まない。
第１の励起三重項状態Ｔ１のエネルギーは、低温での、典型的には７７Ｋでの発光の開始から決定される。ホスト化合物については、第１の励起一重項状態および最も低い三重項状態がエネルギー的に＞０．４ｅＶで隔てられている場合、２－ＭＥ－ＴＨＦ中の定常状態スペクトルにおいてリン光が通常目に見える。したがって、三重項のエネルギーはリン光スペクトルの開始として決定することができる。ＴＡＤＦエミッタ化合物については、第１の励起三重項状態Ｔ１のエネルギーは、特に明記しない限り、エミッタ１０重量％を有するポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）のフィルム中で測定して、７７Ｋでの遅延発光スペクトルの開始から決定される。ホスト化合物およびエミッタ化合物の両方については、第１の励起一重項状態Ｓ１のエネルギーは、特に明記しない限り、それぞれのホスト化合物またはエミッタ化合物１０重量％を有するポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）のフィルム中で測定して、発光スペクトルの開始から決定される。典型的には、この組成物は、調査されるものを外れて、さらなるホスト化合物またはエミッタ化合物を含まない。
【0061】
電子輸送層（ＥＴＬ）では、任意の電子輸送体を使用することができる。代表的に、電子の少ない化合物、例えばベンゾイミダゾール、ピリジン、トリアゾール、オキサジアゾール（例えば、１，３，４－オキサジアゾール）、ホスフィンオキシドおよびスルホンを、使用することができる。代表的に、電子輸送体ＥＴＭＤはまた、１，３，５－トリ（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェニル（ＴＰＢｉ）などの星形ヘテロ環とすることができる。ＥＴＭＤは、代表的に、ＮＢｐｈｅｎ（２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ａｌｑ３（アルミニウム－トリス（８－ヒドロキシキノリン））、ＴＳＰＯ１（ジフェニル－４－トリフェニルシリルフェニル－ホスフィンオキシド）、ＢＰｙＴＰ２（２，７－ジ（２，２’－ビピリジン－５－イル）トリフェニル）、Ｓｉｆ８７（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イルトリフェニルシラン）、Ｓｉｆ８８（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イル）ジフェニルシラン）、ＢｍＰｙＰｈＢ（１，３－ビス［３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル］ベンゼン）および／またはＢＴＢ（４，４’－ビス－［２－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジニル）］－１，１’－ビフェニル）とすることができる。場合により、電子輸送層は、Ｌｉｑ（８－ヒドロキシキノリノラトリチウム）などの材料でドープすることができる。場合により、第２の電子輸送層を電子輸送層とカソード層Ｃとの間に位置することができる。
【0062】
電子輸送層（ＥＴＬ）に隣接して、カソード層Ｃを位置することができる。代表的に、カソード層Ｃは、金属（例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｗ、またはＰｄ）または金属合金を含むことができるか、またはそれからなることができる。実用上の理由から、カソード層Ｃはまた、Ｍｇ、ＣａまたはＡｌなどの（本質的に）不透明な金属からなることもできる。代替的にまたは追加的に、カソード層Ｃはまた、グラファイトおよび／またはカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）も含むことができる。代替的に、カソード層Ｃはまた、ナノスケールの銀ワイヤからなることもできる。
【0063】
ＯＬＥＤはさらに、場合により、電子輸送層（ＥＴＬ）Ｄとカソード層Ｃ（電子注入層（ＥＩＬ）と呼ばれる場合もある）との間に保護層を含むことができる。この層は、フッ化リチウム、フッ化セシウム、銀、Ｌｉｑ（８－ヒドロキシキノリノラトリチウム）、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ２、ＭｇＯおよび／またはＮａＦを含むことができる。
【0064】
本明細書で使用する場合、特定の文脈においてより具体的に定義されていないとき、放出光および／または吸収光の色の指定は以下の通りである：
紫色：＞３８０～４２０ｎｍの波長範囲；
深青色：＞４２０～４７０ｎｍの波長範囲；
空色：＞４７０～５００ｎｍの波長範囲；
緑色：＞５００～５６０ｎｍの波長範囲；
黄色：＞５６０～５８０ｎｍの波長範囲；
オレンジ色：＞５８０～６２０ｎｍの波長範囲；
赤色：＞６２０～８００ｎｍの波長範囲。
紫色：＞３８０～４２０ｎｍの波長範囲；
深青色：＞４２０～４７０ｎｍの波長範囲；
空色：＞４７０～５００ｎｍの波長範囲；
緑色：＞５００～５６０ｎｍの波長範囲；
黄色：＞５６０～５８０ｎｍの波長範囲；
オレンジ色：＞５８０～６２０ｎｍの波長範囲；
赤色：＞６２０～８００ｎｍの波長範囲。
【0065】
エミッタ化合物に関しては、このような色は、エミッタ１０重量％を有するポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）フィルムの発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡを指す。したがって、代表的に、深青色のエミッタは４２０から４７０ｎｍまでの範囲の発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡを有し、空色のエミッタは４７０から５００ｎｍまでの範囲の発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡを有し、緑色のエミッタは５００から５６０ｎｍまでの範囲の発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡを有し、赤色のエミッタは６２０から８００ｎｍまでの範囲の発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡを有する。
【0066】
深青色のエミッタは、４７５ｎｍ未満の、より好ましくは４７０ｎｍ未満の、さらにより好ましくは４６５ｎｍ未満のまたはさらに４６０ｎｍ未満の発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡを好ましくは有することができる。これは典型的には４２０ｎｍ超、好ましくは４３０ｎｍ超、より好ましくは４４０ｎｍ超であろう。
【0067】
したがって、本発明のさらなる実施形態は、ＯＬＥＤであって、１０００ｃｄ／ｍ２での外部量子効率が、１０％超、より好ましくは１２％超、より好ましくは１５％超、さらにより好ましくは１７％超もしくはさらに２０％超を示し、かつ／または４２０ｎｍから５００ｎｍの間、好ましくは４３０ｎｍから４９０ｎｍの間、より好ましくは４４０ｎｍから４８０ｎｍの間、さらにより好ましくは４５０ｎｍから４７０ｎｍの間の発光最大を示し、かつ／または５００ｃｄ／ｍ２でのＬＴ８０値が１００時間超、好ましくは２００時間超、より好ましくは４００時間超、さらにより好ましくは７５０時間超もしくはさらに１０００時間超を示す、ＯＬＥＤに関する。
【0068】
本発明のさらなる実施形態は、異なる色点で発光するＯＬＥＤに関する。本発明によれば、ＯＬＥＤは狭い発光帯（半値全幅（ＦＷＨＭ）が小さい）で発光する。好ましい実施形態では、本発明によるＯＬＥＤは、０．５０ｅＶ未満の、より好ましくは０．４６ｅＶ未満の、さらにより好ましくは０．４３ｅＶ未満のまたはさらに０．４１ｅＶ未満の主たる発光ピークのＦＷＨＭで発光する。
【0069】
本発明のさらなる態様は、ＯＬＥＤであって、ＩＴＵ－Ｒ勧告ＢＴ．２０２０（Ｒｅｃ．２０２０）で定義の、原色青色のＣＩＥｘ（＝０．１３１）およびＣＩＥｙ（＝０．０４６）色座標に近いＣＩＥｘならびにＣＩＥｙ色座標で発光し（ＣＩＥｘ＝０．１３１およびＣＩＥｙ＝０．０４６）、したがって、超高精細度（ＵＨＤ）ディスプレイ、例えばＵＨＤ－ＴＶでの使用に適している、ＯＬＥＤに関する。商業用途では、通常には上面発光（上面電極は透明）のデバイスが使用されるが、本出願を通して使用される試験デバイスは底面発光デバイスとなっている（底面電極および基板は透明である）。ＣＩＥｘはほとんど変化しないままであるが、青色デバイスのＣＩＥｙ色座標は、底面発光デバイスから上面発光デバイスに変更する場合、２分の１まで減少させることができる（Ｏｋｉｎａｋａら ｄｏｉ：１０．１００２／ｓｄｔｐ．１０４８０）。したがって、本発明のさらなる態様はＯＬＥＤであって、その発光が０．０２から０．３０の間、好ましくは０．０３から０．２５の間、より好ましくは０．０５から０．２０の間、もしくはさらにより好ましくは０．０８から０．１８の間、もしくはさらに０．１０から０．１５の間のＣＩＥｘ色座標を示し、かつ／または０．００から０．４５の間、好ましくは０．０１から０．３０の間、より好ましくは０．０２から０．２０の間、もしくはさらにより好ましくは０．０３から０．１５の間、もしくはさらに０．０４から０．１０の間のＣＩＥｙ色座標を示す、ＯＬＥＤに関する。
【0070】
本発明の一実施形態では、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＳＢ）を示し、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＥＢ）を示し、５００ｎｍ≧λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＳＢ）＞λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＥＢ）である。
【0071】
より好ましい実施形態では、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＳＢ）を示し、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＥＢ）を示し、４８０ｎｍ≧λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＳＢ）＞λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＥＢ）である。
【0072】
好ましい実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、４５０から４７０ｎｍまでの範囲の発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＥＢ）を示す（すなわち、４７０ｎｍ≧λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＥＢ）≧４５０ｎｍ）。
【0073】
好ましい実施形態では、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＳＢ）を示し、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＥＢ）を示し、デバイスは発光最大λｍａｘ（Ｄ）を示し、λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＳＢ）＞λｍａｘ（Ｄ）≧λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＥＢ）である。
【0074】
層の設計により、デバイスの発光を青色へとよりさらに偏移させることができる。したがって、本発明のさらなる実施形態では、第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＳＢ）を示し、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢは、発光最大λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＥＢ）を示し、デバイスは発光最大λｍａｘ（Ｄ）を示し、λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＳＢ）＞λｍａｘ
ＰＭＭＡ（ＥＢ）＞λｍａｘ（Ｄ）である。
【0075】
好ましい実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢおよび第２のＴＡＤＦ材料ＳＢは、両方ともに、式Ｉ
（式中、
ｎは、各存在で、他から独立して１または２であり；
Ｘは、各存在で、ＣＮまたはＣＦ３から他から独立して選択され；
Ｚは、各存在で、直接結合、ＣＲ３Ｒ４、Ｃ＝ＣＲ３Ｒ４、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ３、ＮＲ３、Ｏ、ＳｉＲ３Ｒ４、Ｓ、Ｓ（Ｏ）およびＳ（Ｏ）２からなる群から他から独立して選択され；
ＡｒＥＷＧは、各存在で、他から独立して式ＩＩａ～ＩＩｉ
のうちの１つによる構造であり；
ここで、
＃は、ＡｒＥＷＧを式Ｉの置換されているセンターのフェニル環と連結している単結合の結合部位を表し；
Ｒ１は、各存在で、水素、重水素、
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素によって場合により置換されているＣ１～Ｃ５－アルキル、および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ６で場合により置換されているＣ６～Ｃ１８－アリール、
からなる群から他から独立して選択され；
Ｒ２は、各存在で、水素、重水素、
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素によって場合により置換されているＣ１～Ｃ５－アルキル、および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ６で場合により置換されているＣ６～Ｃ１８－アリール、
からなる群から他から独立して選択され；
Ｒａ、Ｒ３およびＲ４は、各存在で、水素、重水素、Ｎ（Ｒ５）２、ＯＲ５、
ＳＲ５、Ｓｉ（Ｒ５）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ２基がＲ５Ｃ＝ＣＲ５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５によって、場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ４０－アルキル；
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ２基がＲ５Ｃ＝ＣＲ５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５によって、場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ４０－チオアルコキシ；および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されている、Ｃ６～Ｃ６０－アリール；１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されている、Ｃ３～Ｃ５７－ヘテロアリール
からなる群から他から独立して選択され；
Ｒ５は、各存在で、水素、重水素、Ｎ（Ｒ６）２、ＯＲ６、ＳＲ６、Ｓｉ（Ｒ６）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ６で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ２基がＲ６Ｃ＝ＣＲ６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ６）２、Ｇｅ（Ｒ６）２、Ｓｎ（Ｒ６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ６、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ６によって、場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ４０－アルキル；
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ６で場合により置換されている、Ｃ６～Ｃ６０－アリール；および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ６で場合により置換されている、Ｃ３～Ｃ５７－ヘテロアリール
からなる群から他から独立して選択され；
Ｒ６は、各存在で、水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦによって互いに独立して場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ５－アルキル；
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦによって互いに独立して場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ５－アルコキシ；
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦによって互いに独立して場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ５－チオアルコキシ；
１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換されている、Ｃ６～Ｃ１８－アリール；
１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換されている、Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール；
Ｎ（Ｃ６～Ｃ１８－アリール）２；
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）２、および
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）（Ｃ６～Ｃ１８－アリール）
からなる群から他から独立して選択され；
Ｒｄは、各存在で、水素、重水素、Ｎ（Ｒ５）２、ＯＲ５、
ＳＲ５、Ｓｉ（Ｒ５）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ２基がＲ５Ｃ＝ＣＲ５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５によって、場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ４０－アルキル；
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ２基がＲ５Ｃ＝ＣＲ５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５によって、場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ４０－チオアルコキシ；および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されている、Ｃ６～Ｃ６０－アリール；１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されている、Ｃ３～Ｃ５７－ヘテロアリール
からなる群から他から独立して選択され；
ここで、置換基Ｒａ、Ｒ３、Ｒ４またはＲ５が、互いに独立して場合により、１つもしくはそれ以上の置換基Ｒａ、Ｒ３、Ｒ４またはＲ５と一緒に、単環のまたは多環の、脂肪族環系、芳香族環系および／またはベンゾ縮合環系を形成することができ、
ここで、１つまたはそれ以上の置換基Ｒｄが、互いに独立して場合により、１つまたはそれ以上の置換基Ｒｄと一緒に、単環のまたは多環の、脂肪族環系、芳香族環系および／またはベンゾ縮合環系を形成することができる）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化1】
ｎは、各存在で、他から独立して１または２であり；
Ｘは、各存在で、ＣＮまたはＣＦ３から他から独立して選択され；
Ｚは、各存在で、直接結合、ＣＲ３Ｒ４、Ｃ＝ＣＲ３Ｒ４、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ３、ＮＲ３、Ｏ、ＳｉＲ３Ｒ４、Ｓ、Ｓ（Ｏ）およびＳ（Ｏ）２からなる群から他から独立して選択され；
ＡｒＥＷＧは、各存在で、他から独立して式ＩＩａ～ＩＩｉ
【化2】
ここで、
＃は、ＡｒＥＷＧを式Ｉの置換されているセンターのフェニル環と連結している単結合の結合部位を表し；
Ｒ１は、各存在で、水素、重水素、
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素によって場合により置換されているＣ１～Ｃ５－アルキル、および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ６で場合により置換されているＣ６～Ｃ１８－アリール、
からなる群から他から独立して選択され；
Ｒ２は、各存在で、水素、重水素、
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素によって場合により置換されているＣ１～Ｃ５－アルキル、および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ６で場合により置換されているＣ６～Ｃ１８－アリール、
からなる群から他から独立して選択され；
Ｒａ、Ｒ３およびＲ４は、各存在で、水素、重水素、Ｎ（Ｒ５）２、ＯＲ５、
ＳＲ５、Ｓｉ（Ｒ５）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ２基がＲ５Ｃ＝ＣＲ５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５によって、場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ４０－アルキル；
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ２基がＲ５Ｃ＝ＣＲ５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５によって、場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ４０－チオアルコキシ；および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されている、Ｃ６～Ｃ６０－アリール；１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されている、Ｃ３～Ｃ５７－ヘテロアリール
からなる群から他から独立して選択され；
Ｒ５は、各存在で、水素、重水素、Ｎ（Ｒ６）２、ＯＲ６、ＳＲ６、Ｓｉ（Ｒ６）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ６で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ２基がＲ６Ｃ＝ＣＲ６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ６）２、Ｇｅ（Ｒ６）２、Ｓｎ（Ｒ６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ６、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ６によって、場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ４０－アルキル；
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ６で場合により置換されている、Ｃ６～Ｃ６０－アリール；および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ６で場合により置換されている、Ｃ３～Ｃ５７－ヘテロアリール
からなる群から他から独立して選択され；
Ｒ６は、各存在で、水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦによって互いに独立して場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ５－アルキル；
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦによって互いに独立して場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ５－アルコキシ；
１つまたはそれ以上の水素原子が重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦによって互いに独立して場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ５－チオアルコキシ；
１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換されている、Ｃ６～Ｃ１８－アリール；
１つまたはそれ以上のＣ１～Ｃ５－アルキル置換基で場合により置換されている、Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール；
Ｎ（Ｃ６～Ｃ１８－アリール）２；
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）２、および
Ｎ（Ｃ３～Ｃ１７－ヘテロアリール）（Ｃ６～Ｃ１８－アリール）
からなる群から他から独立して選択され；
Ｒｄは、各存在で、水素、重水素、Ｎ（Ｒ５）２、ＯＲ５、
ＳＲ５、Ｓｉ（Ｒ５）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ２基がＲ５Ｃ＝ＣＲ５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５によって、場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ４０－アルキル；
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されており、かつ非隣接の１つまたはそれ以上のＣＨ２基がＲ５Ｃ＝ＣＲ５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５）２、Ｇｅ（Ｒ５）２、Ｓｎ（Ｒ５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５によって、場合により置換されている、Ｃ１～Ｃ４０－チオアルコキシ；および
１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されている、Ｃ６～Ｃ６０－アリール；１つまたはそれ以上の置換基Ｒ５で場合により置換されている、Ｃ３～Ｃ５７－ヘテロアリール
からなる群から他から独立して選択され；
ここで、置換基Ｒａ、Ｒ３、Ｒ４またはＲ５が、互いに独立して場合により、１つもしくはそれ以上の置換基Ｒａ、Ｒ３、Ｒ４またはＲ５と一緒に、単環のまたは多環の、脂肪族環系、芳香族環系および／またはベンゾ縮合環系を形成することができ、
ここで、１つまたはそれ以上の置換基Ｒｄが、互いに独立して場合により、１つまたはそれ以上の置換基Ｒｄと一緒に、単環のまたは多環の、脂肪族環系、芳香族環系および／またはベンゾ縮合環系を形成することができる）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0076】
本発明によれば、置換基Ｒａ、Ｒ３、Ｒ４またはＲ５は、各存在で互いに独立して、１つもしくはそれ以上の置換基Ｒａ、Ｒ３、Ｒ４またはＲ５と一緒に、単環のまたは多環の、脂肪族環系、芳香族環系および／またはベンゾ縮合環系を場合により形成することができる。
【0077】
本発明によれば、置換基Ｒｄは、各存在で互いに独立して、１つまたはそれ以上の他の置換基Ｒｄと一緒に、単環のまたは多環の、脂肪族環系、芳香族環系および／またはベンゾ縮合環系を場合により形成することができる。
【0078】
本発明の好ましい実施形態では、第１のＴＡＤＦ材料ＥＢおよび第２のＴＡＤＦ材料ＳＢの両方は、Ｒａ、Ｒ１、Ｒ２およびＸのうちの１つまたはそれ以上のみが構造的に異なる、式Ｉによる同じ構造を有する。換言すれば、ＴＡＤＦ材料ＳＢおよびＥＢの両方は、式Ｉによる同じ構造を有し、Ｒａ、Ｒ１、Ｒ２およびＸからなる群から選択される少なくとも１つの置換基が異なる。
【0079】
本発明の好ましい実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、式Ｉによる同じ構造を含むかまたはそれからなり、１つまたはそれ以上の置換基Ｒａが異なる。以下の表：
（式中、ＡｒＥＷＧおよびＸは上記の通りに定義される）
に、代表的に、この実施形態によるＳＢとＥＢのペア（各ラインは例示的ペアを表す）を列記する。
【表1】
【表2】
【表3】
【表4】
に、代表的に、この実施形態によるＳＢとＥＢのペア（各ラインは例示的ペアを表す）を列記する。
【0080】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、式ＩＩａ～式ＩＩｉによる同じ構造を有し、式Ｉの置換されているセンターのフェニル環の置換パターン（のみ）が異なる。したがって、好ましい実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、残基Ｘが別定義であるということ（のみ）が異なる。別の実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、残基ｎが別定義であるということ（のみ）が異なる。別の実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、残基ｎおよびＸがそれぞれ別定義であるということ（のみ）が異なる。さらなる残基は、上記の通りに定義され、例示された任意の構造および／または実施形態にしたがって具体的に定義し得ることが理解されるであろう。
【0081】
本発明の特に好ましい実施形態では、Ｚは各存在で直接結合である。特に好ましくは、ＴＡＤＦ材料ＳＢおよびＥＢの両方において、Ｚは各存在で直接結合である。
【0082】
本発明の一実施形態では、Ｒａは各存在で、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているＰｈ；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているピリジニル；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているピリミジニル；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているカルバゾリル；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているトリアジニル；
ならびにＮ（Ｐｈ）２、
からなる群から他から独立して選択される。
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているＰｈ；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているピリジニル；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているピリミジニル；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているカルバゾリル；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているトリアジニル；
ならびにＮ（Ｐｈ）２、
からなる群から他から独立して選択される。
【0083】
本発明の一実施形態では、Ｒｄは各存在で、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているＰｈ；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているピリジニル；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているピリミジニル；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているカルバゾリル；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているトリアジニル；
ならびにＮ（Ｐｈ）２
からなる群から他から独立して選択される。
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているＰｈ；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているピリジニル；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているピリミジニル；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているカルバゾリル；
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３およびＰｈからなる群から互いに独立して選択される１つまたはそれ以上の置換基で場合により置換されているトリアジニル；
ならびにＮ（Ｐｈ）２
からなる群から他から独立して選択される。
【0084】
好ましい実施形態では、ＸはＣＮである。好ましくは、Ｘは、ＴＡＤＦ材料ＳＢおよびＥＢの両方において両存在で、ＣＮとすることができる。
【0085】
本発明の一実施形態では、ＴＡＤＦ材料ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＩＩＩ：
（式中、Ｒａ、ＸおよびＲ１は上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化3】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0086】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＩＩＩａ：
（式中、Ｒａ、ＸおよびＲ１は上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化4】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0087】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＩＩＩｂ：
（式中、ＲａおよびＲ１は上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化5】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0088】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＩＶ：
（式中、Ｒａ、Ｒ１およびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化6】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0089】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＩＶａ：
（式中、Ｒａ、Ｒ１およびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化7】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0090】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＩＶｂ：
（式中、ＲａおよびＲ１は上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化8】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0091】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式Ｖ：
（式中、Ｒａ、Ｒ１およびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化9】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0092】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式Ｖａ：
（式中、Ｒａ、Ｒ１およびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化10】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0093】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式Ｖｂ：
（式中、ＲａおよびＲ１は上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化11】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0094】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＶＩ：
（式中、Ｒａ、Ｒ１およびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化12】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0095】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＶＩａ：
（式中、Ｒａ、Ｒ１およびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化13】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0096】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＶＩｂ：
（式中、ＲａおよびＲ１は上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化14】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0097】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＶＩＩ：
（式中、ＲａおよびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化15】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0098】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＶＩＩａ：
（式中、ＲａおよびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化16】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0099】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＶＩＩｂ：
（式中、Ｒａは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化17】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0100】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＶＩＩＩ：
（式中、ＲａおよびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化18】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0101】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＶＩＩＩａ：
（式中、ＲａおよびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化19】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0102】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＶＩＩＩｂ：
（式中、Ｒａは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化20】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0103】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＩＸ：
（式中、ＲａおよびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化21】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0104】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＩＸａ：
（式中、ＲａおよびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化22】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0105】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＩＸｂ：
（式中、Ｒａは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化23】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0106】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式Ｘ：
（式中、ＲａおよびＸは上記の通りに定義される）
構造の分子から他から独立して選択される。
【化24】
構造の分子から他から独立して選択される。
【0107】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式Ｘａ：
（式中、ＲａおよびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化25】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0108】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式Ｘｂ：
（式中、Ｒａは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化26】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0109】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＸＩ：
（式中、ＲａおよびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化27】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0110】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＸＩａ：
（式中、ＲａおよびＸは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化28】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0111】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＸＩｂ：
（式中、Ｒａは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化29】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0112】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＸＩＩ：
（式中、Ｒａ、ＸおよびＲｄは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化30】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0113】
本発明の一実施形態では、ＳＢおよびＥＢは、両方ともに、式ＸＩＩａ：
（式中、Ｒａ、ＸおよびＲｄは上記の通りに定義される）
の構造の分子から他から独立して選択される。
【化31】
の構造の分子から他から独立して選択される。
【0114】
式Ｉの構造の分子の合成は、当業者であれば知っている標準的な反応および反応条件により行うことができる。典型的には、第１の工程で、カップリング反応、好ましくはパラジウム触媒カップリング反応が実行される。
【0115】
【化32】
【0116】
Ｅ１は、任意のボロン酸（ＲＢ＝Ｈ）または同等のボロン酸エステル（ＲＢ＝アルキルまたはアリール）とすることができ、特に、２つのＲＢは環を形成して、例えば、フルオロ－（トリフルオロメチル）フェニル、ジフルオロ－（トリフルオロメチル）フェニル、フルオロ－（シアノ）フェニルまたはジフルオロ－（シアノ）フェニルのボロン酸ピナコールエステルを与える。第２の反応物Ｅ２として、好ましくはＡｒＥＷＧ－Ｂｒが使用される。このようなパラジウム触媒カップリング反応の反応条件は、例えば、ＷＯ２０１７／００５６９９Ａ１から、当業者であれば知っており、反応収率を最適化するためにＥ１とＥ２との反応基を相互交換できることが知られている。
【0117】
【化33】
【0118】
第２の工程では、式Ｉによる分子は、窒素ヘテロ環を、芳香族求核置換でハロゲン化アリール、好ましくはフッ化アリール、または二ハロゲン化アリール、好ましくは二フッ化アリールと反応させることにより得られる、Ｅ３。典型的な条件には、例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）またはＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などの、例えば、非プロトン性極性溶媒中に溶かした、三塩基性リン酸カリウムまたは水素化ナトリウムなどの塩基の使用が含まれる。
【0119】
【化34】
【0120】
具体的には、ドナー分子Ｅ６は、３，６－置換カルバゾール（例えば、３，６－ジメチルカルバゾール、３，６ジフェニルカルバゾール、３，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、２，７－置換カルバゾール（例えば、２，７ジメチルカルバゾール、２，７－ジフェニルカルバゾール、２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、１，８－置換カルバゾール（例えば、１，８－ジメチルカルバゾール、１，８－ジフェニルカルバゾール、１，８－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、１置換カルバゾール（例えば、１－メチルカルバゾール、１－フェニルカルバゾール、１－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、２置換カルバゾール（例えば、２－メチルカルバゾール、２－フェニルカルバゾール、２－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、または３置換カルバゾール（例えば、３－メチルカルバゾール、３－フェニルカルバゾール、３－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、である。
【0121】
あるいは、ハロゲン置換カルバゾールを、特に３－ブロモカルバゾールをＥ６として使用することができる。
【0122】
続く反応において、ボロン酸エステル官能基またはボロン酸官能基を、Ｅ６を介して導入された１つまたはそれ以上のハロゲン置換基の位置で代表的に導入して、例えば、ビス（ピナコラト）ジボロン（ＣＡＳ番号７３１８３－３４－３）との反応により、相応するカルバゾール－３－イルボロン酸エステルまたはカルバゾール－３－イルボロン酸を得ることができる。続いて、相応するハロゲン化反応物Ｒａ－Ｈａｌ、好ましくはＲａ－ＣｌおよびＲａ－Ｂｒとのカップリング反応により、ボロン酸エステル基またはボロン酸基の代わりに１つまたはそれ以上の置換基Ｒａを導入することができる。
【0123】
あるいは、１つまたはそれ以上の置換基Ｒａを、置換基Ｒａ［Ｒａ－Ｂ（ＯＨ）２］のボロン酸または相応するボロン酸エステルとの反応により、Ｄ－Ｈを介して導入された１つまたはそれ以上のハロゲン置換基の位置で導入することができる。
【0124】
代替の合成経路は、ハロゲン化アリールまたは擬ハロゲン化アリールへの、好ましくは臭化アリール、ヨウ化アリール、アリールトリフレートまたはアリールトシレートへの、銅触媒カップリングまたはパラジウム触媒カップリングによる窒素ヘテロ環の導入を含む。
【0125】
本出願を通して使用される、「アリール」および「芳香族」という用語は、単環の、２環のまたは多環の任意の芳香族部分として、最も広い意味で理解してよい。別段の指示がない限り、アリールはまた、本出願を通してさらに例示される１つまたはそれ以上の置換基によって場合により置換することができる。したがって、「アリーレン」という用語は、他の分子構造に対する２つの結合部位を有し、それによってリンカー構造として働く二価の残基を指す。本出願を通して使用される、「ヘテロアリール」および「ヘテロ芳香族」という用語は、少なくとも１個のヘテロ原子を含む、特に１から３個のヘテロ原子毎芳香族環を有する、単環の、２環のまたは多環の任意の芳香族部分として、最も広い意味で理解してよい。
【0126】
代表的に、ヘテロ芳香族化合物は、ピロール、フラン、チオフェン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジンおよびピリミジン等とすることができる。別段の指示がない限り、ヘテロアリールはまた、本出願を通してさらに例示される１つまたはそれ以上の置換基によって場合により置換することもできる。したがって、「ヘテロアリーレン」という用語は、他の分子構造に対する２つの結合部位を有し、それによってリンカー構造として働く二価の残基を指す。
【0127】
本出願を通して使用される、「アルキル」という用語は、直鎖状または分枝鎖状のアルキル残基の両方として、最も広い意味で理解してよい。好ましいアルキル残基は、１から１５個の炭素原子を含有するものである。代表的に、アルキル残基は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ－ブチル等とすることができる。別段の指示がない限り、アルキルはまた、本出願を通してさらに例示される１つまたはそれ以上の置換基によって場合により置換することもできる。したがって、「アルキレン」という用語は、他の分子構造に対する２つの結合部位を有し、それによってリンカー構造として働く二価の残基を指す。
【0128】
別段の指示がない限り、本明細書で使用する場合、特にアリール、アリーレン、ヘテロアリール、アルキル等の文脈において、「置換される」という用語は最も広い意味で理解してよい。好ましくは、かかる置換は、Ｃ１～Ｃ２０－アルキル、Ｃ７～Ｃ１９－アルカリル、およびＣ６～Ｃ１８－アリールからなる群から選択される残基を意味する。したがって、好ましくは、荷電部分、より好ましくは官能基はそのような置換においてまったく存在しない。
【0129】
水素は、各存在で、重水素によって置き換えることが可能であることに気付くであろう。
【0130】
別段の指定がない限り、種々の実施形態の層のいずれも、適切な任意の方法によって蒸着することができる。発光層Ｂを含めて、本発明の文脈における層は、液体処理（「フィルム処理」、「流体処理」、「溶液処理」または「溶媒処理」とも呼ばれる）によって場合により製造することができる。これは、それぞれの層に含まれる成分が液体状態でデバイスの一部の表面に塗布されることを意味する。好ましくは、発光層Ｂを含めて、本発明の文脈における層は、スピンコーティングによって製造することができる。当業者に周知のこの方法によって、薄い（本質的に）均質な層を得ることができる。
【0131】
あるいは、発光層Ｂを含めて、本発明の文脈における層は、例えばキャスティング法（例えばドロップキャスティング）およびローリング法などの液体処理、ならびに印刷法（例えば、インクジェット印刷、グラビア印刷、ブレードコーティング）に基づく他の方法によって製造することができる。これは、場合により、不活性雰囲気中（例えば、窒素雰囲気中）で実施することができる。
【0132】
別の好ましい実施形態では、本発明の文脈における層は、それらに限定されないが、例えば熱（同時）蒸発、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）、および有機蒸気ジェット印刷（ＯＶＪＰ）による蒸着などの、当業者であればよく知っている真空処理法を含めて、当技術分野で知られている他の任意の方法によって製造できる。
【0133】
液体処理によって層を製造する場合、層の成分（すなわち、本発明の発光層Ｂに関連して、少なくとも１種のホスト化合物ＨＢ、典型的には少なくとも１種の第１のＴＡＤＦ材料ＥＢ、少なくとも１種の第２のＴＡＤＦ材料ＳＢ、および場合により１種またはそれ以上の他のホスト化合物ＨＢ２）を含む溶液は、揮発性有機溶媒をさらに含むことができる。このような揮発性有機溶媒は、場合により、テトラヒドロフラン、ジオキサン、クロロベンゼン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、２－（２－エトキシエトキシ）エタノール、ガンマ－ブチロラクトン、Ｎ－メチルピロリジノン、エトキシエタノール、キシレン、トルエン、アニソール、フェネトール、アセトニトリル、テトラヒドロチオフェン、ベンゾニトリル、ピリジン、トリヒドロフラン、トリアリールアミン、シクロヘキサノン、アセトン、プロピレンカーボネート、酢酸エチル、ベンゼンおよびＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート）からなる群から選択される１つとすることができる。また、２つ以上の溶媒の組合せも使用することができる。液体状態で適用した後、層は続いて当技術分野の任意の手段により、代表的に周囲条件で、温度を高めて（例えば、約５０℃または約６０℃）または減圧で、乾燥および／または硬化することができる。
【0134】
場合により、有機エレクトロルミネセントデバイス（例えば、ＯＬＥＤ）は、代表的に、本質的に白色の有機エレクトロルミネセントデバイスまたは青色の有機エレクトロルミネセントデバイスとすることができる。代表的に、そのような白色の有機エレクトロルミネセントデバイスは、少なくとも１種の（深）青色エミッタ化合物（例えば、ＴＡＤＦ材料ＥＢ）と、緑色光および／または赤色光を発光する１種またはそれ以上のエミッタ化合物とを含むことができる。次いで、上記の２つ以上の化合物の間にエネルギー透過率が場合により存在してもよい。
【0135】
有機エレクトロルミネセントデバイス全体としてまた、厚さが５ｍｍ以下、２ｍｍ以下、１ｍｍ以下、０．５ｍｍ以下、０．２５ｍｍ以下、１００μｍ以下、または１０μｍ以下の薄層を形成することもできる。
【0136】
有機エレクトロルミネセントデバイス（例えば、ＯＬＥＤ）は、小型（例えば、５ｍｍ２以下、もしくはさらに１ｍｍ２以下の表面を有する）であっても、中型（例えば、０．５～２０ｃｍ２の範囲の表面を有する）であっても、または大型（例えば、２０ｃｍ２より大きい表面を有する）であってもよい。本発明による有機エレクトロルミネセントデバイス（例えばＯＬＥＤ）は、場合により、ルミネセント壁紙、ルミネセント窓枠またはガラス、ルミネセントラベル、ルミネセントポーザーまたはフレキシブルスクリーンもしくはディスプレイのような大面積照明デバイスとして、スクリーンを作製するのに使用することができる。一般的な用途の次に、有機エレクトロルミネセントデバイス（例えば、ＯＬＥＤ）はまた、代表的に、ルミネセントフィルム、「スマート包装」ラベル、または革新的なデザイン要素としても使用することができる。さらにこれは細胞の検出および検査に（例えばバイオ標識として）使用できる。
【0137】
有機エレクトロルミネセントデバイスの主な目的の１つは、光の発生である。したがって、本発明はさらに、所望の波長範囲の光を発生するための方法であって、本発明のいずれかによる有機エレクトロルミネセントデバイスを用意する工程を含む、方法に関する。
【0138】
したがって、本発明のさらなる態様は、所望の波長範囲の光を発生させるための方法であって、
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネセントデバイスを用意する工程；および
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネセントデバイスに電流を印加する工程
を含む、方法に関する。
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネセントデバイスを用意する工程；および
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネセントデバイスに電流を印加する工程
を含む、方法に関する。
【0139】
本発明のさらなる態様は、上記の要素を組み立てることによって有機エレクトロルミネセントデバイスを作製する方法に関する。本発明はまた、前記有機エレクトロルミネセントデバイスを使用することによる、青色、緑色、黄色、オレンジ色、赤色または白色の各光、特に青色光または白色光を発生するための方法にも関する。
【発明を実施するための形態】
【0140】
図および実施例ならびに特許請求の範囲によって本発明をさらに例示する。
【図面の簡単な説明】
【0141】
【図1】７ＶでのデバイスＣ２の発光スペクトルを示す図である。
【実施例】
【0142】
サイクリックボルタンメトリー
ジクロロメタンまたは適切な溶媒および適切な支持電解質（例えば、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート０．１ｍｏｌ／ｌ）中に有機分子１０－３ｍｏｌ／ｌの濃度を有する溶液のサイクリックボルタモグラムを測定した。測定は、３電極アセンブリ（作用電極および対電極：Ｐｔワイヤ、参照電極：Ｐｔワイヤ）を用いて室温および窒素雰囲気下で行い、内部標準としてＦｅＣｐ２／ＦｅＣｐ２ ＋を使用して較正した。ＳＣＥに対する内部標準としてフェロセンを使用してＨＯＭＯデータを補正した。
ジクロロメタンまたは適切な溶媒および適切な支持電解質（例えば、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート０．１ｍｏｌ／ｌ）中に有機分子１０－３ｍｏｌ／ｌの濃度を有する溶液のサイクリックボルタモグラムを測定した。測定は、３電極アセンブリ（作用電極および対電極：Ｐｔワイヤ、参照電極：Ｐｔワイヤ）を用いて室温および窒素雰囲気下で行い、内部標準としてＦｅＣｐ２／ＦｅＣｐ２ ＋を使用して較正した。ＳＣＥに対する内部標準としてフェロセンを使用してＨＯＭＯデータを補正した。
【0143】
密度汎関数理論計算
分子構造は、ＢＰ８６汎関数およびレゾリューション－オブ－アイデンティティ（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｏｆ ｉｄｅｎｔｉｔｙ）アプローチ（ＲＩ）を用いて最適化した。励起エネルギーは、タイム－ディペンダント（Ｔｉｍｅ－Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ）ＤＦＴ（ＴＤ－ＤＦＴ）法を用いる（ＢＰ８６）最適化構造を使用して計算した。軌道および励起状態のエネルギーはＢ３ＬＹＰ汎関数で計算した。Ｄｅｆ２－ＳＶＰ基底関数系および数値積分用のｍ４－グリッドを使用した。Ｔｕｒｂｏｍｏｌｅプログラムパッケージをすべての計算に使用した。
分子構造は、ＢＰ８６汎関数およびレゾリューション－オブ－アイデンティティ（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｏｆ ｉｄｅｎｔｉｔｙ）アプローチ（ＲＩ）を用いて最適化した。励起エネルギーは、タイム－ディペンダント（Ｔｉｍｅ－Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ）ＤＦＴ（ＴＤ－ＤＦＴ）法を用いる（ＢＰ８６）最適化構造を使用して計算した。軌道および励起状態のエネルギーはＢ３ＬＹＰ汎関数で計算した。Ｄｅｆ２－ＳＶＰ基底関数系および数値積分用のｍ４－グリッドを使用した。Ｔｕｒｂｏｍｏｌｅプログラムパッケージをすべての計算に使用した。
【0144】
光物理学的測定
試料前処理：スピンコーティング
装置：Ｓｐｉｎ１５０、ＳＰＳｅｕｒｏ。
試料濃度は１０ｍｇ／ｍｌとし、適切な溶媒に溶かした。
プログラム：１）４００Ｕ／分で３秒；１０００Ｕｐｍ／秒で１０００Ｕ／分で２０秒。３）１０００Ｕｐｍ／秒で４０００Ｕ／分で１０秒。コーティング後、フィルムを７０℃で１分間試験した。
試料前処理：スピンコーティング
装置：Ｓｐｉｎ１５０、ＳＰＳｅｕｒｏ。
試料濃度は１０ｍｇ／ｍｌとし、適切な溶媒に溶かした。
プログラム：１）４００Ｕ／分で３秒；１０００Ｕｐｍ／秒で１０００Ｕ／分で２０秒。３）１０００Ｕｐｍ／秒で４０００Ｕ／分で１０秒。コーティング後、フィルムを７０℃で１分間試験した。
【0145】
フォトルミネッセンス分光およびＴＣＳＰＣ（時間相関単一光子計数）
１５０Ｗキセノンアークランプを備えたＨｏｒｉｂａ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ、Ｍｏｄｅｌｌ ＦｌｕｏｒｏＭａｘ－４、励起および発光モノクロメーターならびにＨａｍａｍａｔｓｕ Ｒ９２８光電子増倍管および時間相関単光子計数オプションを使用して、定常状態発光分光法を記録した。発光スペクトルおよび励起スペクトルは、標準補正フィットを使用して補正した。
１５０Ｗキセノンアークランプを備えたＨｏｒｉｂａ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ、Ｍｏｄｅｌｌ ＦｌｕｏｒｏＭａｘ－４、励起および発光モノクロメーターならびにＨａｍａｍａｔｓｕ Ｒ９２８光電子増倍管および時間相関単光子計数オプションを使用して、定常状態発光分光法を記録した。発光スペクトルおよび励起スペクトルは、標準補正フィットを使用して補正した。
【0146】
励起状態寿命は、ＦＭ－２０１３機器およびＨｏｒｉｂａ Ｙｖｏｎ ＴＣＳＰＣハブによるＴＣＳＰＣ法を使用する同じシステムを用いて決定した。
【0147】
励起源
ＮａｎｏＬＥＤ ３７０（波長：３７１ｎｍ、パルス幅：１，１ｎｓ）
ＮａｎｏＬＥＤ ２９０（波長：２９４ｎｍ、パルス幅：＜１ｎｓ）
ＳｐｅｃｔｒａＬＥＤ ３１０（波長：３１４ｎｍ）
ＳｐｅｃｔｒａＬＥＤ ３５５（波長：３５５ｎｍ）。
ＮａｎｏＬＥＤ ３７０（波長：３７１ｎｍ、パルス幅：１，１ｎｓ）
ＮａｎｏＬＥＤ ２９０（波長：２９４ｎｍ、パルス幅：＜１ｎｓ）
ＳｐｅｃｔｒａＬＥＤ ３１０（波長：３１４ｎｍ）
ＳｐｅｃｔｒａＬＥＤ ３５５（波長：３５５ｎｍ）。
【0148】
データ分析（指数関数的適合）を、ソフトウェアスイートＤａｔａＳｔａｔｉｏｎおよびＤＡＳ６分析ソフトウェアを使用して、行った。フィットは、カイ２乗検定を使用して特定した。
【0149】
フォトルミネッセンス量子収率測定
フォトルミネッセンス量子収率（ＰＬＱＹ）測定については、Ａｂｓｏｌｕｔｅ ＰＬ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｙｉｅｌｄ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｃ９９２０－０３Ｇシステム（Ｈａｍａｍａｔｓｕ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ）を使用した。量子収率およびＣＩＥ座標は、ソフトウェアＵ６０３９－０５バージョン３．６．０を使用して決定した。
発光最大をｎｍで、量子収率Φを％で、ＣＩＥ座標をｘ、ｙ値として得た。
ＰＬＱＹは以下のプロトコルを使用して決定した：
１）品質保証：エタノール中のアントラセン（既知濃度）をレファレンスとして使用する
２）励起波長：有機分子の吸収極大を決定し、分子をこの波長を使用して励起する
３）測定
量子収率を、窒素雰囲気下で溶液またはフィルムの試料について測定する。収率は式：
（式中、ｎ光子は光子カウントを示し、Ｉｎｔ．は強度を示す）
を使用して計算する。
フォトルミネッセンス量子収率（ＰＬＱＹ）測定については、Ａｂｓｏｌｕｔｅ ＰＬ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｙｉｅｌｄ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｃ９９２０－０３Ｇシステム（Ｈａｍａｍａｔｓｕ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ）を使用した。量子収率およびＣＩＥ座標は、ソフトウェアＵ６０３９－０５バージョン３．６．０を使用して決定した。
発光最大をｎｍで、量子収率Φを％で、ＣＩＥ座標をｘ、ｙ値として得た。
ＰＬＱＹは以下のプロトコルを使用して決定した：
１）品質保証：エタノール中のアントラセン（既知濃度）をレファレンスとして使用する
２）励起波長：有機分子の吸収極大を決定し、分子をこの波長を使用して励起する
３）測定
量子収率を、窒素雰囲気下で溶液またはフィルムの試料について測定する。収率は式：
【数1】
を使用して計算する。
【0150】
有機エレクトロルミネッセントデバイスの製造および特性決定
真空蒸着法により、本発明による有機分子を含むＯＬＥＤデバイスを製造することができる。２つ以上の化合物を層が含有する場合、１種またはそれ以上の化合物の重量パーセントが％で与えられている。総重量パーセントの値は合計１００％となり、したがって、値が与えられていない場合、この化合物の割合は所与の値と１００％と間の差に等しい。
真空蒸着法により、本発明による有機分子を含むＯＬＥＤデバイスを製造することができる。２つ以上の化合物を層が含有する場合、１種またはそれ以上の化合物の重量パーセントが％で与えられている。総重量パーセントの値は合計１００％となり、したがって、値が与えられていない場合、この化合物の割合は所与の値と１００％と間の差に等しい。
【0151】
最適化が完全ではないＯＬＥＤについては、標準的な方法を使用して、エレクトロルミネッセンススペクトル、フォトダイオードによって検出された光を使用して計算された強度に依存する外部量子効率（％）、および電流を測定して、特性決定した。ＯＬＥＤデバイスの寿命は、一定の電流密度で作動中の輝度の変化から抽出した。ＬＴ５０値は、測定輝度が初期輝度の５０％に低下した時間に相応し、同様に、ＬＴ８０は、測定輝度が初期輝度の８０％に低下した時点に相応し、ＬＴ９７は、測定輝度が初期輝度の９７％に低下した時点に相応する。
【0152】
加速寿命の測定を行った（例えば、増大させた電流密度を印加する）。代表的に、５００ｃｄ／ｍ２におけるＬＴ８０値は、以下の式：
（式中、Ｌは印加電流密度での初期輝度を示す）
を使用して決定する。
【数2】
を使用して決定する。
【0153】
値は数ピクセルの平均値（通常２～８）に相応し、これらのピクセル間の標準偏差が与えられる。図に、１つのＯＬＥＤピクセルのデータ系列を示す。
【0154】
例Ｄ１ならびに比較例Ｃ１およびＣ２
【化35】
【0155】
【表5】
【0156】
【表6】
【0157】
デバイスＤ１では、１０００ｃｄ／ｍ２での外部量子効率（ＥＱＥ）１２．７±０．２％が得られた。加速寿命の測定から、７３０ｃｄ／ｍ２でのＬＴ９７値は１８時間と決定された。発光最大は５ＶでのＦＷＨＭ６０ｎｍを有して４６９ｎｍであった。相応するＣＩＥｘ値は０．１５７であり、ＣＩＥｙは０．２２７であった。
【0158】
比較デバイスＣ１は、発光層がエミッタＴＡＤＦ２のみを含有しかつＴＡＤＦ１がＴ２Ｔによって置き換えられていることを除いて、デバイスＤ１と同じ層配置を含む。１０００ｃｄ／ｍ２でのＥＱＥは８．７±０．１％に顕著に減少し、寿命は短くなった（７３０ｃｄ／ｍ２でのＬＴ９７＝１１時間）。発光最大は、５ＶでのＦＷＨＭ６４ｎｍを有して４７２ｎｍと赤方偏移していた。相応するＣＩＥｘ値は０．１６２であり、ＣＩＥｙは０．２３７であった。
【0159】
比較デバイスＣ２はエミッタとしてＴＡＤＦ１のみを含有する発光層を含む。１０００ｃｄ／ｍ２でのＥＱＥは１２．３±０．２％と、Ｄ１に匹敵するが、寿命は著しく短くなった（７３０ｃｄ／ｍ２でのＬＴ９７＝６時間）。発光最大は、ここでも、５ＶでのＦＷＨＭ６１ｎｍを有して４７３ｎｍと赤方偏移で現れた。相応するＣＩＥｘ値は０．１４８であり、ＣＩＥｙは０．２０７であった。ＣＩＥｙ座標の低下は、ＥＭＬ内であまり良好にバランスの取れていない電荷分布を示すＮＢＰｈｅｎの発光に帰する、スペクトル中およそ４１０ｎｍでのショルダーに起因するものとし得た（図１）。
【図1】