特許7062481IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

計測用の電磁波を発生させる光伝導素子及び当該電磁波を検出する光伝導素子を含む電磁波計測装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

例えば、電磁波の計測を行う場合、電磁波発生素子としての光伝導素子は高出力の電磁波を発生させること、また、検出素子としての光伝導素子は高感度且つ高精度で電磁波を検出することが好ましい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

請求項1に記載の発明は、第1の基板と第1の基板上にエピタキシャル成長した第1の光伝導層とを含む電磁波発生素子と、第2の基板と第2の基板上にエピタキシャル成長した第2の光伝導層とを含む電磁波検出素子と、を含み、電磁波発生素子における第1の基板と第1の光伝導層との間の格子定数のずれ度合は、電磁波検出素子における第2の基板と第2の光伝導層との間の格子定数のずれ度合よりも小さいことを特徴としている。・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施例1に係る電磁波計測装置の斜視図である。
【図2】 実施例1に係る電磁波計測装置における電磁波発生素子及び電磁波検出素子の構成を示す図である。
【図3】 実施例1に係る電磁波計測装置を含む光学測定システムの模式的な回路図である。
【図4】 実施例1に係る電磁波計測装置の電磁波発生素子及び電磁波検出素子の構成例を示す図である。
【図5】 実施例1に係る電磁波計測装置の電磁波発生素子及び比較例に係る電磁波発生素子から発生した電磁波のダイナミックレンジを示す図である。
【図6】 実施例1に係る電磁波計測装置の電磁波検出素子及び比較例に係る電磁波検出素子によって検出された電磁波のダイナミックレンジを示す図である。
【図7】 実施例1に係る電磁波計測装置の電磁波発生素子における格子定数のずれ度合の好ましい範囲を示す図である。
【図8】 実施例1に係る電磁波計測装置の電磁波検出素子における格子定数のずれ度合の好ましい範囲を示す図である。
【図9】 実施例1の変形例1に係る電磁波計測装置における電磁波発生素子及び電磁波検出素子の斜視図である。
【図10】 実施例1の変形例1に係る電磁波計測装置における電磁波発生素子及び電磁波検出素子の上面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

10、10A 電磁波計測装置 20 電磁波発生素子 21 第1の基板 22 バッファ層 23 第1の光伝導層 30、30A 電磁波検出素子 31 第2の基板 32 バッファ層 33、35 第2の光伝導層

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