発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の第１の観点の錫又は錫合金めっき液は、質量平均分子量が６１０～７４０のポリプロピレングリコールを０．０５ｇ／Ｌ～５ｇ／Ｌ含むことで、例えば、２ＡＳＤ～１４ＡＳＤといった幅広い電流密度範囲においてバンプ内におけるボイドの発生を抑制することができる。
バンプ内にボイドが生じる理由については、以下のような理由が考えられる。
先ず、はんだめっきバンプにおけるボイドには、２つの発生メカニズムが考えられる。 第１の発生メカニズムは、添加剤（界面活性剤）による錫（Ｓｎ）の析出の抑制力が不足する場合である。この場合、適切に抑制された条件で錫（Ｓｎ）が析出しないと、緻密なめっき堆積層が形成されずに、めっき液がめっき堆積層中に取り込まれることで、リフロー後のバンプ内にボイドが発生し易くなる。
第２の発生メカニズムは、添加剤（界面活性剤）の抑制力が過剰な場合である。この場合、Ｓｎの析出と同時に水の電気分解により水素発生が起こり、生じた水素ガスがめっき堆積層中に取り込まれることで、リフロー後のバンプ内にボイドが発生し易くなる。
質量平均分子量が６１０～７４０の範囲にあるポリプロピレングリコールは、親水性と疎水性の両方の性質があることから、添加剤（界面活性剤）のカソード面への吸着不足を補助するととともに、過度の吸着を緩衝する効果があるため、Ｓｎの析出が適切に行われ、結果としてボイドが抑制されると考えられる。

本発明の第２の観点の錫又は錫合金めっき液では、界面活性剤が、ポリオキシエチレン（ＥＯ）とポリオキシプロピレン（ＰＯ）が縮合したノニオン系界面活性剤であるため、ポリプロピレングリコールと併用することで、より一層ボイドの発生を抑制することができる。

本発明の第３の観点のバンプの形成では、第１の観点又は第２の観点の錫又は錫合金めっき液を用いて、基材上に複数のバンプ前駆体となる錫又は錫合金めっき堆積層を、例えば、２ＡＳＤ～１４ＡＳＤといった幅広い電流密度の範囲において形成する。次いで、リフロー処理をする。これにより、各種デバイスに適した電流密度でめっき堆積層を形成できるとともに、内部にボイドの少ない複数のバンプを形成することができる。