特許7068772IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

発光素子に関し、特にレーザ及び発光ダイオード特性を有する発光素子

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は発光素子を提供する。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

放射を放出可能な発光素子であって、基板と、前記基板の上に位置し、第１ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ：分布ブラッグ反射鏡）スタック、発光スタック、第２ＤＢＲスタック及びコンタクト層を順次含むエピタキシャル構造と、電極と、前記コンタクト層と前記電極との間に位置する電流ブロック層と、前記電流ブロック層の中に形成された第１開口と、前記電極の中に形成され、且つ前記第・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 本開示内容の第１実施例の発光素子の平面図である。
【図1B】 本開示内容の第１実施例の発光素子の図１ＡのＡ－Ａ’線に沿う断面図である。
【図2】 本開示内容の第１実施例の発光素子の光出力パワー（ｏｐｔｉｃａｌ ｏｕｔｐｕｔ ｐｏｗｅｒ）と順方向電流（ｆｏｒｗａｒｄ ｃｕｒｒｅｎｔ）の関係曲線を示す図である。
【図3A】 図１Ａ及び図１Ｂに示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図3B】 図１Ａ及び図１Ｂに示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図4A】 図１Ａ及び図１Ｂに示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図4B】 図１Ａ及び図１Ｂに示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図5A】 本開示内容の第２実施例の発光素子の平面図である。
【図5B】 本開示内容の第１実施例の発光素子の図５ＡのＡ－Ａ’線に沿う断面図である。
【図6】 本開示内容の第３実施例の発光素子の断面図である。
【図7】 本開示内容の第４実施例の発光素子の断面図である。
【図8A】 本開示内容の第５実施例の発光素子の平面図である。
【図8B】 本開示内容の第５実施例の発光素子の図８ＡのＡ－Ａ’線に沿う断面図である。
【図9A】 本開示内容の第６実施例の発光素子の平面図である。
【図9B】 本開示内容の第６実施例の発光素子の図９ＡのＡ－Ａ’線に沿う断面図である。
【図10A】 本開示内容の図９Ａに示す第６実施例の発光素子の電流ブロック層の平面図である。
【図10B】 本開示内容の発光素子の図１０ＡのＡ－Ａ’線に沿う断面図である。
【図11A】 本開示内容の第７実施例の発光素子の平面図である。
【図11B】 本開示内容の発光素子の図１１ＡのＡ－Ａ’線に沿う断面図である。
【図12A】 本開示内容の第７実施例の発光素子の光出力パワー（ｏｐｔｉｃａｌ ｏｕｔｐｕｔ ｐｏｗｅｒ）と順方向電流（ｆｏｒｗａｒｄ ｃｕｒｒｅｎｔ）の関係曲線を示す図である。
【図12B】 図１２Ａにおける領域Ｉの拡大図である。
【図13A】 図１１Ａ及び図１１Ｂに示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図13B】 図１１Ａ及び図１１Ｂに示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図14A】 図１１Ａ及び図１１Ｂに示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図14B】 図１１Ａ及び図１１Ｂに示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図15A】 図１１Ａ及び図１１Ｂに示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図15B】 図１１Ａ及び図１１Ｂに示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図16A】 図１１Ａ及び図１１Ｂに示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図16B】 図１１Ａ及び図１１Ｂに示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図17A】 本開示内容の第８実施例の発光素子の平面図である。
【図17B】 本開示内容の発光素子の図１７ＡのＡ－Ａ’線に沿う断面図である。
【図18】 本開示内容の第９実施例の発光素子の断面図である。
【図19A】 図１８に示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図19B】 図１８に示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図19C】 図１８に示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図19D】 図１８に示す発光素子の製造方法を示す図である。
【図20A】 本開示内容の第１０実施例の発光素子の平面図である。
【図20B】 本開示内容の発光素子の図２０ＡのＡ－Ａ’線に沿う断面図である。
【図21A】 本開示内容の第１１実施例の発光素子の平面図である。
【図21B】 本開示内容の発光素子の図２１ＡのＡ－Ａ’線に沿う断面図である。
【図22】 本開示内容の第１２実施例の発光素子の平面図である。
【図23】 本開示内容の第１３実施例の発光素子の平面図である。
【図24】 従来の垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ－Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ）の断面図である。
１０ 基板 ２０ エピタキシャル構造 ３０ 電流ブロック層 ４０ 第１電極 ５０ 第２電極 ６０ 導電層 ２１ 第１ＤＢＲスタック ３１ 第１開口 ２２ 発光スタック ２３ 第２ＤＢＲスタック ２４ コンタクト層 ２５ 第２開口 Ｗ１ 第１最大幅 Ｗ２ 第２最大幅 Ｒ 放射 ４１ ワイヤボンディング部 ４２ 電流注入部 ４３ ブリッジング部 Ｉ 放射放出領域 ２６ 突出部 ２６１ 台部側壁 ３０１ 内部 ３０２ 外部 Ｗ３ 第３幅 Ｗ４ 第４幅 Ｗ５ 第５幅 Ｗ３’ 第３幅 Ｉｔｈ レーザ閾値電流 １１０ パッシベーション層 １１１ 開孔 ９０ 永久基板 １００ 接着層 ７０ 一時的な基板 ４４ 第１延在電極 ４５ 第２延在電極 ４６ 第３延在電極 ２４１ コンタクト領域 Ｉｓａｔ 飽和電流Ｉｓａｔ

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