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発光ダイオード（ＬＥＤ）又は例えば垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）若しくは端面発光レーザダイオードなどのレーザダイオードのような発光半導体デバイスに関する。本発明は更に、そのような発光半導体デバイスを製造する対応した方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

故に、本発明の１つの目的は、改善された発光半導体デバイスと、そのような発光半導体デバイスを製造する対応した方法とを提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

第１の態様によれば、基板と、発光層構造と、該発光層構造内の不純物を減らすためのＡｌＧａＡｓゲッター層とを有する発光半導体デバイスが提案される。発光層構造は、活性層と、アルミニウム含有量が変化する層とを有し、アルミニウムを含む発光層構造の層の成長条件は、ＡｌＧａＡｓゲッター層内の第１の不純物濃度が、アルミニウムを含む発光層構造の層内の第２の不純物濃度と比較して、少なくとも５０％高いように、Ａｌ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

本発明のこれら及びその他の態様が、以下に記載される実施形態を参照して明らかになる。 ここに、添付の図面を参照して、実施形態に基づいて、例として、本発明を説明する。図面は以下を示す。
【図1】 第１の実施形態に従った発光半導体デバイスを示している。
【図2】 第２の実施形態に従った発光半導体デバイスを示している。
【図3】 従来技術のＶＣＳＥＬ構造のＡｌプロファイルを示している。
【図4】 従来技術のＶＣＳＥＬ構造のＡｌ及び硫黄のプロファイルを示している。
【図5】 図４に示したプロファイルの拡大図を示している。
【図6】 図４に示したプロファイルとの比較で、変更された成長条件でのＶＣＳＥＬ構造のＡｌ及び硫黄のプロファイルを示している。
【図7】 本発明に従った第１の発光半導体デバイスのＡｌプロファイルを示している。
【図8】 本発明に従った第２の発光半導体デバイスのＡｌプロファイルを示している。
【図9】 発光半導体デバイスの層の堆積中の酸素分圧の変化に伴う発光半導体デバイスのＡｌ、Ｓ及びＯのプロファイルを示している。
【図10】 本発明に従った方法の主な略図を示している。
【図11】 発光半導体デバイスの発光層構造内のＳ濃度を低下させることの効果を示している。 図面においては、全体を通して、似通った参照符号が同様のオブジェクトを表す。図中のオブジェクトは必ずしも縮尺通りに描かれていない。

代表図 図1本件の代表的な図

１００ 発光半導体デバイス １１０ 第１の電極 １２０ 基板 １３０ 底部ＤＢＲ １４０ 活性層 １５０ 閉じ込め層 １５５ 発光層構造 １６０ 頂部ＤＢＲ １７０ 第２の電極 １９０ ＡｌＧａＡｓゲッター層 ３８０ 従来技術のＶＣＳＥＬ構造のＡｌプロファイル ４３０ 硫黄プロファイル ４５０ Ａｌプロファイル ７８０ 第１の実施形態に従ったＶＣＳＥＬ構造のＡｌプロファイル ８８０ 第２の実施形態に従ったＶＣＳＥＬ構造のＡｌプロファイル ９１０ Ａｌ濃度 ９２０ Ｏ濃度 ９３０ Ｓ濃度 １０１０ 基板を用意するステップ １０２０ 発光層構造を設けるステップ １０３０ ＡｌＧａＡｓゲッター層を設けるステップ

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