特許 7070935出願番号 特願 2019-554237
半導体素子中間体、金属含有膜形成用組成物、半導体素子中間体の製造方法、半導体素子の製造方法
出願人 三井化学株式会社（識別番号 5887）
2026年 特許公開件数ランキング 123位 198件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 94位 201件（※）
公報発行日 2022年5月18
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7070935 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体素子中間体、金属含有膜形成用組成物、半導体素子中間体の製造方法、及び半導体素子の製造方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
上述した多層レジスト法等による半導体素子の製造においては、レジスト膜等を有する半導体素子中間体が使用される。
本開示において、半導体素子中間体とは、半導体素子の製造に用いられる材料であって、レジスト膜、埋め込み絶縁膜等の半導体素子の製造において用いられる膜のうち、少なくとも１つの膜が基板上に形成された材料をいう。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するための手段には、以下の態様が含まれる。
＜１＞ 基板と、多層レジスト層と、を有し、
前記多層レジスト層中に金属含有膜を有し、
前記金属含有膜における、Ｘ線光電分光法により測定される、ゲルマニウム元素の含有量が２０ａｔｍ％以上である、又は、スズ元素、インジウム元素及びガリウム元素の合計含有量が１ａｔｍ％以上である、
半導体素子中間体。
＜２＞ 前記金属含有膜が・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示に係る発明の一態様によれば、スイッチング特性に優れた金属含有膜を有する半導体素子中間体、半導体素子中間体の製造方法、及びスイッチング特性に優れた金属含有膜を用いる半導体素子の製造方法を提供することができる。
また、本開示に係る発明の別の一態様によれば、前記半導体素子中間体の製造に用いられる金属含有膜形成用組成物を提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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