特許 7075326 ダイシングダイボンドフィルム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-05-17

(45)【発行日】2022-05-25

(54)【発明の名称】ダイシングダイボンドフィルム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20220518BHJP

   C09J 7/38 20180101ALI20220518BHJP

   C09J 201/00 20060101ALI20220518BHJP

   C09J 133/00 20060101ALI20220518BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 M

C09J7/38

C09J201/00

C09J133/00

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2018190407

(22)【出願日】2018-10-05

(65)【公開番号】P2020061423

(43)【公開日】2020-04-16

【審査請求日】2021-05-24

(73)【特許権者】

【識別番号】000003964

【氏名又は名称】日東電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002239

【氏名又は名称】弁理士法人Ｇ－ｃｈｅｍｉｃａｌ

(72)【発明者】

【氏名】杉村 敏正

(72)【発明者】

【氏名】大西 謙司

(72)【発明者】

【氏名】高本 尚英

(72)【発明者】

【氏名】戸崎 裕

【審査官】鈴木 孝章

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－３４１１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－６６３９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－２９１６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－９０４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－８２４９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１８３６４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１９０２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１８３７０５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｃ０９Ｊ ７／３８

Ｃ０９Ｊ ２０１／００

Ｃ０９Ｊ １３３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、
前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、
放射線硬化前の前記粘着剤層表面の、温度２３℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による硬さが０．０４～０．８ＭＰａであり、
温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化前の前記粘着剤層と前記接着剤層との間の剥離力が０．３Ｎ／２０ｍｍ以上である、ダイシングダイボンドフィルム。

【請求項2】

前記粘着剤層が、窒素原子含有モノマー由来の構成単位を含む第１アクリル系ポリマーを含有する、請求項１に記載のダイシングダイボンドフィルム。

【請求項3】

前記窒素原子含有モノマー由来の構成単位は（メタ）アクリロイルモルホリン由来の構成単位を含む、請求項２に記載のダイシングダイボンドフィルム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ダイシングダイボンドフィルムに関する。より詳細には、本発明は、半導体装置の製造過程で使用することができるダイシングダイボンドフィルムに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造過程においては、ダイボンディング用のチップ相当サイズの接着フィルムを有する半導体チップ、すなわち、ダイボンディング用接着剤層付き半導体チップを得る過程で、ダイシングダイボンドフィルムが使用される場合がある。ダイシングダイボンドフィルムは、加工対象である半導体ウエハに対応するサイズを有し、例えば、基材及び粘着剤層からなるダイシングテープと、その粘着剤層側に剥離可能に密着しているダイボンドフィルム（接着剤層）とを有する。

【0003】

ダイシングダイボンドフィルムを使用して接着剤層付き半導体チップを得る手法の一つとして、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドしてダイボンドフィルムを割断させるための工程を経る手法が知られている。この手法では、まず、ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上に半導体ウエハを貼り合わせる。この半導体ウエハは、例えば、後にダイボンドフィルムに共だって割断されて複数の半導体チップへと個片化可能なように加工されたものである。

【0004】

次に、ダイシングテープ上のダイボンドフィルムを割断させるために、エキスパンド装置を使用してダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープを半導体ウエハの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばす。このエキスパンド工程では、ダイボンドフィルムにおける割断箇所に相当する箇所でダイボンドフィルム上の半導体ウエハにおいても割断が生じ、ダイシングダイボンドフィルム又はダイシングテープ上にて半導体ウエハが複数の半導体チップに個片化される。

【0005】

次に、ダイシングテープ上の割断後の複数のダイボンドフィルム付き半導体チップについて離間距離を広げるために、再度のエキスパンド工程を行う。次に、例えば洗浄工程を経た後、各半導体チップをそれに密着しているチップ相当サイズのダイボンドフィルムと共に、ダイシングテープの下側からピックアップ機構のピン部材によって突き上げてダイシングテープ上からピックアップする。このようにして、ダイボンドフィルムすなわち接着剤層付き半導体チップが得られる。この接着剤層付き半導体チップは、その接着剤層を介して、実装基板等の被着体にダイボンディングによって固着されることとなる。

【0006】

以上のように使用されるダイシングダイボンドフィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献１～３に記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】特開２００７－２１７３号公報

【文献】特開２０１０－１７７４０１号公報

【文献】特開２０１６－１１５８０４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

近年、半導体の高容量化のニーズにより回路層の多層化や、シリコン層の薄層化が進んでいる。しかし、回路層の多層化により回路層の厚さ（総厚み）が増加することで、回路層に含まれる樹脂の割合が増加する傾向があり、これによって、多層化された回路層と、薄層化されたシリコン層との線膨張率の差が顕著になり、半導体チップが反りやすくなる。このため、従来のダイシングダイボンドフィルムを用いた場合、特に、ダイシング後に得られる、ダイボンドフィルム付きの回路層が多層化された半導体チップは、エキスパンド工程（後述のクールエキスパンド及び常温エキスパンド）及びその後（例えば、洗浄工程、ピックアップするまでの間等）において、ダイシングテープの粘着剤層とダイボンドフィルムとの界面で剥離（浮き）が発生しやすいという問題があった。浮きが発生すると、エキスパンド工程後（洗浄工程、ハンドリング時等）に半導体チップが滑落しやすい。

【0009】

本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、クールエキスパンド時及び常温エキスパンド時、並びにその後において、接着剤層と粘着剤層との間で浮きが起こりにくいダイシングダイボンドフィルムを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、放射線硬化前の上記粘着剤層表面の、温度２３℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による硬さが０．０４～０．８ＭＰａであり、温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化前の上記粘着剤層と上記接着剤層との間の剥離力が０．３Ｎ／２０ｍｍ以上である、ダイシングダイボンドフィルムを用いると、クールエキスパンド時及び常温エキスパンド時、並びにその後において、接着剤層と粘着剤層との間で浮きが起こりにくいことを見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。

【0011】

すなわち、本発明は、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、放射線硬化前の上記粘着剤層表面の、温度２３℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による硬さが０．０４～０．８ＭＰａであり、温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化前の上記粘着剤層と上記接着剤層との間の剥離力が０．３Ｎ／２０ｍｍ以上である、ダイシングダイボンドフィルムを提供する。

【0012】

本発明のダイシングダイボンドフィルムは、ダイシングテープ及び接着剤層を備える。ダイシングテープは、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有する。接着剤層は、ダイシングテープにおける粘着剤層に剥離可能に密着している。ダイシングテープの粘着剤層は、放射線硬化前の当該粘着剤層表面の、温度２３℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による硬さが０．０４～０．８ＭＰａであり、温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化前の上記粘着剤層と上記接着剤層との間の剥離力が０．３Ｎ／２０ｍｍ以上である。このような構成のダイシングダイボンドフィルムは、半導体装置の製造過程で接着剤層付き半導体チップを得るために使用することができる。

【0013】

半導体装置の製造過程においては、上述のように、接着剤層付き半導体チップを得るために、ダイシングダイボンドフィルムを使用して行うエキスパンド工程、すなわち、割断のためのエキスパンド工程を実施する場合がある。このエキスパンド工程では、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープ上の接着剤層に適切に割断力が作用することが必要である。本発明のダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープの粘着剤層は、上述のように、当該粘着剤層表面の、温度２３℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による硬さが０．０４～０．８ＭＰａである。上記ナノインデンテーション法による硬さは、圧子を粘着剤層表面に押し込んだときの、圧子への負荷荷重と押し込み深さとを、負荷時及び除荷時に渡り連続的に測定し、得られた負荷荷重－押し込み深さ曲線から求められる。このように、上記ナノインデンテーション法による硬さは、粘着剤層表面の物理的特性を表す指標である。本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける粘着剤層の、このような上記ナノインデンテーション法による硬さが０．０４ＭＰａ以上であることにより、粘着剤層表面がやわらかく、粘着剤層と接着剤層との密着性を適度とすることができ、エキスパンド工程及びその後における粘着剤層と接着剤層との間の剥離（浮き）が生じるのを抑制することができる。また、上記ナノインデンテーション法による硬さが０．８ＭＰａ以下であることにより、粘着剤層と接着剤層との密着性が強くなりすぎることを抑制し、後述のピックアップ工程では割断後の接着剤層付き半導体チップが粘着剤層から良好に剥離でき、良好なピックアップを実現することが可能である。なお、放射線硬化前の粘着剤層の上記ナノインデンテーション法による硬さが上記範囲内である。

【0014】

また、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、上述のように、温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件でのＴ型剥離試験における、上記粘着剤層と上記接着剤層との間の剥離力が０．３Ｎ／２０ｍｍ以上である。上記剥離力が０．３Ｎ／２０ｍｍ以上であると、粘着剤層と接着剤層との密着性を適度とすることができ、エキスパンド工程及びその後における粘着剤層と接着剤層との間の剥離（浮き）が生じるのを抑制することができる。

【0015】

また、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、上記粘着剤層は、窒素原子含有モノマー由来の構成単位を含む第１アクリル系ポリマーを含有することが好ましい。また、上記窒素原子含有モノマー由来の構成単位として、（メタ）アクリロイルモルホリン由来の構成単位を含むことが好ましい。上記粘着剤層がこのような第１アクリル系ポリマーを含むと、上記ナノインデンテーション法による硬さを上記範囲内とし、且つ上記剥離力を上記範囲内とすることが容易であり、エキスパンド工程及びその後における粘着剤層と接着剤層との間の剥離（浮き）が生じるのを抑制しつつ、後述のピックアップ工程では割断後の接着剤層付き半導体チップが粘着剤層から良好に剥離でき、良好なピックアップを実現することが容易となる。

【発明の効果】

【0016】

本発明のダイシングダイボンドフィルムは、接着剤層付き半導体チップを得るためにダイシングダイボンドフィルムが使用されるエキスパンド工程及びその後において、接着剤層と粘着剤層との間で浮きが起こりにくい。特に、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合にも浮きが起こりにくい。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態を示す断面模式図である。

【図2】図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法における一部の工程を表す。

【図3】図２に示す工程の後に続く工程を表す。

【図4】図３に示す工程の後に続く工程を表す。

【図5】図４に示す工程の後に続く工程を表す。

【図6】図５に示す工程の後に続く工程を表す。

【図7】図６に示す工程の後に続く工程を表す。

【図8】図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。

【図9】図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。

【図10】図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。

【図11】図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。

【発明を実施するための形態】

【0018】

［ダイシングダイボンドフィルム］
本発明のダイシングダイボンドフィルムは、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層と、を備える。本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態について、以下に説明する。図１は、本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態を示す断面模式図である。

【0019】

図１に示すように、ダイシングダイボンドフィルム１は、ダイシングテープ１０と、ダイシングテープ１０における粘着剤層１２上に積層された接着剤層２０とを備え、半導体装置の製造において接着剤層付き半導体チップを得る過程でのエキスパンド工程に使用することのできるものである。

【0020】

ダイシングダイボンドフィルム１は、半導体装置の製造過程における加工対象の半導体ウエハに対応するサイズの円盤形状を有する。ダイシングダイボンドフィルム１の直径は、例えば、３４５～３８０ｍｍの範囲内（１２インチウエハ対応型）、２４５～２８０ｍｍの範囲内（８インチウエハ対応型）、１９５～２３０ｍｍの範囲内（６インチウエハ対応型）、又は、４９５～５３０ｍｍの範囲内（１８インチウエハ対応型）にある。ダイシングダイボンドフィルム１におけるダイシングテープ１０は、基材１１と粘着剤層１２とを含む積層構造を有する。

【0021】

（基材）
ダイシングテープにおける基材は、ダイシングテープやダイシングダイボンドフィルムにおいて支持体として機能する要素である。基材としては、例えば、プラスチック基材（特にプラスチックフィルム）が挙げられる。上記基材は、単層であってもよいし、同種又は異種の基材の積層体であってもよい。

【0022】

上記プラスチック基材を構成する樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン－ブテン共重合体、エチレン－ヘキセン共重合体等のポリオレフィン樹脂；ポリウレタン；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；ポリカーボネート；ポリイミド；ポリエーテルエーテルケトン；ポリエーテルイミド；アラミド、全芳香族ポリアミド等のポリアミド；ポリフェニルスルフィド；フッ素樹脂；ポリ塩化ビニル；ポリ塩化ビニリデン；セルロース樹脂；シリコーン樹脂等が挙げられる。基材において良好な熱収縮性を確保して、後述の常温エキスパンド工程においてチップ離間距離をダイシングテープ又は基材の部分的熱収縮を利用して維持しやすい観点から、基材は、エチレン－酢酸ビニル共重合体を主成分として含むことが好ましい。

【0023】

なお、基材の主成分とは、構成成分中で最も大きな質量割合を占める成分とする。上記樹脂は、一種のみを使用されていてもよいし、二種以上を使用されていてもよい。粘着剤層が後述のように放射線硬化型粘着剤層である場合、基材は放射線透過性を有することが好ましい。

【0024】

基材がプラスチックフィルムである場合、上記プラスチックフィルムは、無配向であってもよく、少なくとも一方向（一軸方向、二軸方向等）に配向していてもよい。少なくとも一方向に配向している場合、プラスチックフィルムは当該少なくとも一方向に熱収縮可能となる。熱収縮性を有していると、ダイシングテープの、半導体ウエハの外周部分をヒートシュリンクさせることが可能となり、これにより個片化された接着剤層付きの半導体チップ同士の間隔を広げた状態で固定できるため、半導体チップのピックアップを容易に行うことができる。基材及びダイシングテープが等方的な熱収縮性を有するためには、基材は二軸配向フィルムであることが好ましい。なお、上記少なくとも一方向に配向したプラスチックフィルムは、無延伸のプラスチックフィルムを当該少なくとも一方向に延伸（一軸延伸、二軸延伸等）することにより得ることができる。

【0025】

基材及びダイシングテープは、加熱温度１００℃及び加熱時間処理６０秒の条件で行われる加熱処理試験における熱収縮率が、１～３０％であることが好ましく、より好ましくは２～２５％、さらに好ましくは３～２０％、特に好ましくは５～２０％である。上記熱収縮率は、ＭＤ方向及びＴＤ方向の少なくとも一方向の熱収縮率であることが好ましい。

【0026】

基材の粘着剤層側表面は、粘着剤層との密着性、保持性等を高める目的で、例えば、コロナ放電処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理等の物理的処理；クロム酸処理等の化学的処理；コーティング剤（下塗り剤）による易接着処理等の表面処理が施されていてもよい。また、帯電防止能を付与するため、金属、合金、これらの酸化物等を含む導電性の蒸着層を基材表面に設けてもよい。密着性を高めるための表面処理は、基材における粘着剤層側の表面全体に施されていることが好ましい。

【0027】

基材の厚さは、ダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムにおける支持体として基材が機能するための強度を確保するという観点からは、４０μｍ以上が好ましく、より好ましくは５０μｍ以上、さらに好ましくは５５μｍ以上、特に好ましくは６０μｍ以上である。また、ダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムにおいて適度な可撓性を実現するという観点からは、基材の厚さは、２００μｍ以下が好ましく、より好ましくは１８０μｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍ以下である。

【0028】

（粘着剤層）
ダイシングダイボンドフィルムにおける粘着剤層は、上述のように、粘着剤層表面の、温度２３℃、周波数１００Ｈｚの条件におけるナノインデンテーション法による硬さが０．０４～０．８ＭＰａであり、好ましくは０．０５～０．８ＭＰａ、より好ましくは０．０５～０．７ＭＰａである。上記ナノインデンテーション法による硬さが０．０４ＭＰａ以上であることにより、粘着剤層表面がやわらかく、粘着剤層と接着剤層との密着性を適度とすることができ、エキスパンド工程及びその後における粘着剤層と接着剤層との間の剥離（浮き）が生じるのを抑制することができる。また、上記ナノインデンテーション法による硬さが０．８ＭＰａ以下であることにより、粘着剤層と接着剤層との密着性が強くなりすぎることを抑制し、後述のピックアップ工程では割断後の接着剤層付き半導体チップが粘着剤層から良好に剥離でき、良好なピックアップを実現することが可能である。なお、放射線硬化前の粘着剤層の上記ナノインデンテーション法による硬さが上記範囲内である。また、本明細書において、「放射線硬化前」とは、放射線照射により粘着剤層が硬化していない状態をいい、粘着剤層が後述の放射線硬化型粘着剤層でない場合も含む。

【0029】

上記ナノインデンテーション法による硬さは、圧子を粘着剤層表面に押し込んだときの、圧子への負荷荷重と押し込み深さとを、負荷時及び除荷時に渡り連続的に測定し、得られた負荷荷重－押し込み深さ曲線から求められる。このように、上記ナノインデンテーション法による硬さは、粘着剤層表面の物理的特性を表す指標である。上記粘着剤層のナノインデンテーション法による硬さは、荷重：１ｍＮ、負荷・除荷速度：０．１ｍＮ／ｓ、保持時間：１ｓの条件下でのナノインデンテーション試験により得られる硬さである。

【0030】

ダイシングテープの粘着剤層は、ベースポリマーとしてアクリル系ポリマーを含有することが好ましい。上記アクリル系ポリマーは、ポリマーの構成単位として、アクリル系モノマー（分子中に（メタ）アクリロイル基を有するモノマー成分）に由来する構成単位を含むポリマーである。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多く含むポリマーであることが好ましい。なお、アクリル系ポリマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。また、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」及び／又は「メタクリル」（「アクリル」及び「メタクリル」のうち、いずれか一方又は両方）を表し、他も同様である。

【0031】

上記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ－ブチルエステル、ｔ－ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２－エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル（ラウリルエステル）、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等が挙げられる。

【0032】

上記（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のシクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のフェニルエステル、ベンジルエステルが挙げられる。アルコキシ基を有する炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、上記炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルにおける炭化水素基中の１以上の水素原子をアルコキシ基に置換したものが挙げられ、例えば、（メタ）アクリル酸の２－メトキシメチルエステル、２－メトキシエチルエステル、２－メトキシブチルエステル等が挙げられる。上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。

【0033】

上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基を有する（メタ）アクリル酸エステルは、エステル部における炭素数の総数（アルコキシ基を有する場合はアルコキシ基における炭素数を含む総数）が６～１０であることが好ましい。特に、炭化水素基の炭素数の総数が６～１０である炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルであることが好ましい。これらの場合、エキスパンド工程及びその後における粘着剤層と接着剤層との間の浮きの抑制性と、ピックアップ工程における良好なピックアップ性とをより容易に両立させることができる。

【0034】

アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層１２において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分におけるアルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルの割合は、２０モル％以上が好ましく、より好ましくは３０モル％以上である。さらに好ましくは４０モル％以上である。

【0035】

なお、本明細書において、上記モノマー成分には、粘着剤層への放射線照射前の、ポリマーに取り込まれた段階において放射線重合性基を有する化合物（例えば、ラジカル重合性官能基及び第１の官能基を有する架橋剤）は含まれないものとする。

【0036】

上記アクリル系ポリマーは、ポリマーの構成単位として、窒素原子含有モノマー由来の構成単位を含むポリマー（「第１アクリル系ポリマー」と称する場合がある）であることが好ましい。この場合、上記ナノインデンテーション法による硬さを上記範囲内とし、且つ上記剥離力を上記範囲内とすることが容易であり、エキスパンド工程及びその後における粘着剤層と接着剤層との間の剥離（浮き）が生じるのを抑制しつつ、後述のピックアップ工程では割断後の接着剤層付き半導体チップが粘着剤層から良好に剥離でき、良好なピックアップを実現することが容易となる。

【0037】

上記窒素原子含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリロイルモルホリン等のモルホリノ基含有モノマー、（メタ）アクリロニトリル等のシアノ基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド等のアミド基含有モノマー等が挙げられる。上記窒素原子含有モノマーは、中でも、モルホリノ基含有モノマー（特に、（メタ）アクリロイルモルホリン）を含むことが好ましい。上記窒素原子含有モノマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。

【0038】

上記ナノインデンテーション法による硬さを上記範囲内とし、且つ上記剥離力を上記範囲内とすることをより容易とする観点から、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における第１アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における窒素原子含有モノマー由来の構成単位の割合は、１モル％以上が好ましく、より好ましくは２モル％以上である。また、上記割合は、３０モル％以下が好ましく、より好ましくは２０モル％以下である。

【0039】

上記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、上記窒素原子含有モノマー以外に、上記アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー等の官能基含有モノマー等が挙げられる。

【0040】

上記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等が挙げられる。

【0041】

上記酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸等が挙げられる。上記ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８－ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０－ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２－ヒドロキシラウリル、（４－ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

【0042】

上記グリシジル基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸メチルグリシジル等が挙げられる。

【0043】

上記スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等が挙げられる。

【0044】

上記リン酸基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等が挙げられる。

【0045】

上記他のモノマー成分としては、中でも、ヒドロキシ基含有モノマーが好ましく、より好ましくは（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル（２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート）である。すなわち、上記アクリル系ポリマーは、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含むことが好ましい。上記他のモノマー成分は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層１２において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における、窒素原子含有モノマーと上記他のモノマー成分の合計割合は、６０モル％以下が好ましく、より好ましくは４０モル％以下である。

【0046】

アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分におけるヒドロキシ基含有モノマー由来の構成単位の割合は、５モル％以上が好ましく、より好ましくは１０モル％以上である。また、上記割合は、例えば８０モル％以下であり、７０モル％以下、６０モル％以下であってもよい。

【0047】

また、第１アクリル系ポリマーは、ヒドロキシ基含有モノマー由来の構成単位と共に、イソシアネート基及びラジカル重合性官能基を有する化合物由来の構造部を有することが好ましい。上記ラジカル重合性官能基としては、放射線重合性を有する炭素－炭素二重結合が挙げられ、例えば、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、（メタ）アクリロイル基（アクリロイル基、メタクリロイル基）等が挙げられる。中でも、（メタ）アクリロイル基が好ましい。

【0048】

第１アクリル系ポリマーが、ヒドロキシ基含有モノマー由来の構成単位と、イソシアネート基及びラジカル重合性官能基を有する化合物由来の構造部とを有する場合、第１アクリル系ポリマーにおける、イソシアネート基及びラジカル重合性官能基を有する化合物由来の構造部の、ヒドロキシ基含有モノマー由来の構成単位に対するモル比率は、０．７以上が好ましく、より好ましくは０．７５以上である。また、上記モル比率は、０．９以下が好ましく、より好ましくは０．８５以下である。上記モル比率が上記範囲内であると、上記ナノインデンテーション法による硬さを上記範囲内とし、且つ上記剥離力を上記範囲内とすることをより容易とすることができる。

【0049】

イソシアネート基及びラジカル重合性官能基を有する化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２－アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。中でも、２－アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが好ましい。

【0050】

第１アクリル系ポリマーを含む上記アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、アクリル系ポリマーを形成するモノマー成分と共重合可能な多官能性モノマーに由来する構成単位を含んでいてもよい。上記多官能性モノマーとしては、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート（例えば、ポリグリシジル（メタ）アクリレート）、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等の分子内に（メタ）アクリロイル基と他の反応性官能基を有する単量体等が挙げられる。上記多官能性モノマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層１２において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における上記多官能性モノマーの割合は、４０モル％以下が好ましく、より好ましくは３０モル％以下である。

【0051】

アクリル系ポリマーは、アクリル系モノマーを含む一種以上のモノマー成分を重合に付すことにより得られる。重合方法としては、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等が挙げられる。

【0052】

アクリル系ポリマーの質量平均分子量は、３０万以上が好ましく、より好ましくは３５万～１００万である。質量平均分子量が３０万以上であると、粘着剤層中の低分子量物質が少ない傾向にあり、接着剤層や半導体ウエハ等への汚染をより抑制することができる。

【0053】

粘着剤層あるいは粘着剤層を形成する粘着剤は、架橋剤を含有していてもよい。例えば、ベースポリマーとしてアクリル系ポリマーを用いる場合、アクリル系ポリマーを架橋させ、粘着剤層中の低分子量物質をより低減させることができる。また、アクリル系ポリマーの質量平均分子量を高めることができる。上記架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物（ポリフェノール系化合物等）、アジリジン化合物、メラミン化合物等が挙げられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は、ベースポリマー１００質量部に対して、５質量部程度以下が好ましく、より好ましくは０．１～５質量部である。

【0054】

粘着剤層は、ダイシングダイボンドフィルムの使用過程において外部からの作用によって意図的に粘着力を低減させることが可能な粘着剤層（粘着力低減可能型粘着剤層）であってもよいしダイシングダイボンドフィルムの使用過程において外部からの作用によっては粘着力がほとんど又は全く低減しない粘着剤層（粘着力非低減型粘着剤層）であってもよく、ダイシングダイボンドフィルムを使用して個片化される半導体ウエハの個片化の手法や条件等に応じて適宜に選択することができる。

【0055】

粘着剤層が粘着力低減可能型粘着剤層である場合、ダイシングダイボンドフィルムの製造過程や使用過程において、粘着剤層が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを使い分けることが可能となる。例えば、ダイシングダイボンドフィルムの製造過程でダイシングテープの粘着剤層に接着剤層を貼り合わせる時や、ダイシングダイボンドフィルムがダイシング工程に使用される時には、粘着剤層が相対的に高い粘着力を示す状態を利用して粘着剤層から接着剤層等の被着体の浮きを抑制・防止することが可能となる一方で、その後、ダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープから接着剤層付き半導体チップをピックアップするためのピックアップ工程では、粘着剤層の粘着力を低減させることで、ピックアップを容易に行うことができる。

【0056】

このような粘着力低減可能型粘着剤層を形成する粘着剤としては、例えば、放射線硬化性粘着剤、加熱発泡型粘着剤等が挙げられる。粘着力低減可能型粘着剤層を形成する粘着剤としては、一種の粘着剤を用いてもよいし、二種以上の粘着剤を用いてもよい。

【0057】

上記放射線硬化性粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、又はＸ線の照射により硬化するタイプの粘着剤を用いることができ、紫外線照射によって硬化するタイプの粘着剤（紫外線硬化性粘着剤）を特に好ましく用いることができる。

【0058】

上記放射線硬化性粘着剤としては、例えば、上記アクリル系ポリマー等のベースポリマーと、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する添加型の放射線硬化性粘着剤が挙げられる。

【0059】

上記放射線重合性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等挙げられる。上記放射線重合性のオリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等の種々のオリゴマーが挙げられ、分子量が１００～３００００程度のものが好ましい。粘着剤層を形成する放射線硬化性粘着剤中の上記放射線硬化性のモノマー成分及びオリゴマー成分の含有量は、上記ベースポリマー１００質量部に対して、例えば５～５００質量部、好ましくは４０～１５０質量部程度である。また、添加型の放射線硬化性粘着剤としては、例えば特開昭６０－１９６９５６号公報に開示のものを用いてもよい。

【0060】

上記放射線硬化性粘着剤としては、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有するベースポリマーを含有する内在型の放射線硬化性粘着剤も挙げられる。このような内在型の放射線硬化性粘着剤を用いると、形成された粘着剤層内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制することができる傾向がある。

【0061】

上記内在型の放射線硬化性粘着剤に含有されるベースポリマーとしては、アクリル系ポリマー（特に、上記第１アクリル系ポリマー）が好ましい。アクリル系ポリマーへの放射線重合性の炭素－炭素二重結合の導入方法としては、例えば、第１の官能基を有するモノマー成分を含む原料モノマーを重合（共重合）させてアクリル系ポリマーを得た後、上記第１の官能基と反応し得る第２の官能基及び放射線重合性の炭素－炭素二重結合を有する化合物を、炭素－炭素二重結合の放射線重合性を維持したままアクリル系ポリマーに対して縮合反応又は付加反応させる方法が挙げられる。

【0062】

上記第１の官能基と上記第２の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基等が挙げられる。これらの中でも、反応追跡の容易さの観点から、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせ、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが好ましい。中でも、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製することは技術的難易度が高く、一方でヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーの作製及び入手の容易性の観点から、上記第１の官能基がヒドロキシ基であり、上記第２の官能基がイソシアネート基である組み合わせが好ましい。イソシアネート基及び放射性重合性の炭素－炭素二重結合を有する化合物としては、上述のイソシアネート基及びラジカル重合性官能基を有する化合物が挙げられる。また、ヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーとしては、上述のヒドロキシ基含有モノマーや、２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、４－ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテル等のエーテル系化合物に由来する構成単位を含むものが挙げられる。

【0063】

上記放射線硬化性粘着剤は、光重合開始剤を含有することが好ましい。上記光重合開始剤としては、例えば、α－ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート等が挙げられる。上記α－ケトール系化合物としては、例えば、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α’－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－２－ヒドロキシプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等が挙げられる。上記アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフエノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１等が挙げられる。上記ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等が挙げられる。上記ケタール系化合物としては、例えば、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。上記芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば、２－ナフタレンスルホニルクロリド等が挙げられる。上記光活性オキシム系化合物としては、例えば、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム等が挙げられる。上記ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。上記チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、２－クロロチオキサントン、２－メチルチオキサントン、２，４－ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４－ジクロロチオキサントン、２，４－ジエチルチオキサントン、２，４－ジイソプロピルチオキサントン等が挙げられる。放射線硬化性粘着剤中の光重合開始剤の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対して、例えば０．０５～２０質量部である。

【0064】

上記加熱発泡型粘着剤は、加熱によって発泡や膨張をする成分（発泡剤、熱膨張性微小球等）を含有する粘着剤である。上記発泡剤としては、種々の無機系発泡剤や有機系発泡剤が挙げられる。上記無機系発泡剤としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、アジド類等が挙げられる。上記有機系発泡剤としては、例えば、トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロモノフルオロメタン等の塩フッ化アルカン；アゾビスイソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレート等のアゾ系化合物；パラトルエンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン－３，３’－ジスルホニルヒドラジド、４，４’－オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）、アリルビス（スルホニルヒドラジド）等のヒドラジン系化合物；ｐ－トルイレンスルホニルセミカルバジド、４，４’－オキシビス（ベンゼンスルホニルセミカルバジド）等のセミカルバジド系化合物；５－モルホリル－１，２，３，４－チアトリアゾール等のトリアゾール系化合物；Ｎ，Ｎ’－ジニトロソペンタメチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジニトロソテレフタルアミド等のＮ－ニトロソ系化合物等が挙げられる。上記熱膨張性微小球としては、例えば、加熱によって容易にガス化して膨張する物質が殻内に封入された構成の微小球が挙げられる。上記加熱によって容易にガス化して膨張する物質としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタン等が挙げられる。加熱によって容易にガス化して膨張する物質をコアセルべーション法や界面重合法等によって殻形成物質内に封入することによって、熱膨張性微小球を作製することができる。上記殻形成物質としては、熱溶融性を示す物質や、封入物質の熱膨張の作用によって破裂し得る物質を用いることができる。そのような物質としては、例えば、塩化ビニリデン・アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホン等が挙げられる。

【0065】

上記粘着力非低減型粘着剤層としては、例えば、感圧型粘着剤層が挙げられる。なお、感圧型粘着剤層には、粘着力低減可能型粘着剤層に関して上述した放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層を予め放射線照射によって硬化させつつも一定の粘着力を有する形態の粘着剤層が含まれる。粘着力非低減型粘着剤層を形成する粘着剤としては、一種の粘着剤を用いてもよいし、二種以上の粘着剤を用いてもよい。また、粘着剤層の全体が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、一部が粘着力非低減型粘着剤層であってもよい。例えば、粘着剤層が単層構造を有する場合、粘着剤層の全体が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、粘着剤層における所定の部位（例えば、リングフレームの貼着対象領域であって、中央領域の外側にある領域）が粘着力非低減型粘着剤層であり、他の部位（例えば、半導体ウエハの貼着対象領域である中央領域）が粘着力低減可能型粘着剤層であってもよい。また、粘着剤層が積層構造を有する場合、積層構造における全ての粘着剤層が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、積層構造中の一部の粘着剤層が粘着力非低減型粘着剤層であってもよい。

【0066】

放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層（放射線未照射放射線硬化型粘着剤層）を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤層（放射線照射済放射線硬化型粘着剤層）は、放射線照射によって粘着力が低減されているとしても、含有するポリマー成分に起因する粘着性を示し、ダイシング工程等においてダイシングテープの粘着剤層に最低限必要な粘着力を発揮することが可能である。放射線照射済放射線硬化型粘着剤層を用いる場合、粘着剤層の面広がり方向において、粘着剤層の全体が放射線照射済放射線硬化型粘着剤層であってもよく、粘着剤層の一部が放射線照射済放射線硬化型粘着剤層であり且つ他の部分が放射線未照射の放射線硬化型粘着剤層であってもよい。なお、本明細書において、「放射線硬化型粘着剤層」とは、放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層をいい、放射線硬化性を有する放射線未照射放射線硬化型粘着剤層及び当該粘着剤層が放射線照射により硬化した後の放射線硬化済放射線硬化型粘着剤層の両方を含む。

【0067】

上記感圧型粘着剤層を形成する粘着剤としては、公知乃至慣用の感圧型の粘着剤を用いることができ、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤やゴム系粘着剤を好ましく用いることができる。粘着剤層が感圧型の粘着剤としてアクリル系ポリマーを含有する場合、当該アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多い構成単位として含むポリマーであることが好ましい。上記アクリル系ポリマーとしては、例えば、上述の粘着剤層に含まれ得るアクリル系ポリマーとして説明されたアクリル系ポリマーを採用することができる。

【0068】

粘着剤層又は粘着剤層を形成する粘着剤は、上述の各成分以外に、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料等）等の公知乃至慣用の粘着剤層に用いられる添加剤が配合されていてもよい。上記着色剤としては、例えば、放射線照射により着色する化合物が挙げられる。放射線照射により着色する化合物を含有する場合、放射線照射された部分のみを着色することができる。上記放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料等が挙げられる。上記放射線照射により着色する化合物の使用量は特に限定されず適宜選択することができる。

【0069】

粘着剤層の厚さは、特に限定されないが、粘着剤層が放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層である場合に当該粘着剤層の放射線硬化の前後における接着剤層に対する接着力のバランスをとる観点から、１～５０μｍ程度が好ましく、より好ましくは２～４０μｍ、さらに好ましくは５～３０μｍである。

【0070】

（接着剤層）
接着剤層は、ダイボンディング用の熱硬化性を示す接着剤として機能を有し、さらに必要に応じて半導体ウエハ等のワークとリングフレーム等のフレーム部材とを保持するための粘着機能を併有する。接着剤層は、引張応力を加えることによる割断が可能であり、引張応力を加えることにより割断させて使用される。

【0071】

接着剤層及び接着剤層を構成する接着剤は、熱硬化性樹脂と例えばバインダー成分としての熱可塑性樹脂とを含んでいてもよいし、硬化剤と反応して結合を生じ得る熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。接着剤層を構成する接着剤が、熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、当該粘着剤は熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂等）を含む必要はない。接着剤層は、単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。

【0072】

上記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ナイロンや６，６－ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いために接着剤層による接合信頼性を確保しやすいという理由から、アクリル樹脂が好ましい。

【0073】

上記アクリル系樹脂は、アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多い構成単位として含むことが好ましい。当該アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、上述の粘着剤層に含まれ得るアクリル系ポリマーを形成するアルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとして例示されたものが挙げられる。

【0074】

上記アクリル樹脂は、アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられ、具体的には、上述の粘着剤層に含まれ得るアクリル系ポリマーを構成する他のモノマー成分として例示されたものを使用することができる。

【0075】

接着剤層が、熱硬化性樹脂を熱可塑性樹脂とともに含む場合、当該熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。ダイボンディング対象の半導体チップの腐食原因となり得るイオン性不純物等の含有量の少ない傾向にあるという理由から、上記熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

【0076】

上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂等が挙げられる。中でも、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み且つ耐熱性に優れることから、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が好ましい。

【0077】

エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得るフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等が挙げられる。上記フェノール樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。中でも、ダイボンディング用接着剤としてのエポキシ樹脂の硬化剤として用いられる場合に当該接着剤の接続信頼性を向上させる傾向にある観点から、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。

【0078】

接着剤層において、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を十分に進行させるという観点からは、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たり、当該フェノール樹脂中の水酸基が好ましくは０．５～２．０当量、より好ましくは０．７～１．５当量となる量で含まれる。

【0079】

接着剤層が熱硬化性樹脂を含む場合、上記熱硬化性樹脂の含有割合は、接着剤層において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点から、接着剤層の総質量に対して、５～６０質量％が好ましく、より好ましくは１０～５０質量％である。

【0080】

接着剤層が熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、当該熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂は、好ましくは、アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多い構成単位として含む。当該アルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、上述の粘着剤層に含まれ得るアクリル系ポリマーを形成するアルコキシ基を有していてもよい炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとして例示されたものが挙げられる。

【0081】

一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。中でも、グリシジル基、カルボキシ基が好ましい。すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル基含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂が特に好ましい。

【0082】

また、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂とともに硬化剤を含むことが好ましく、当該硬化剤としては、例えば、上述の粘着剤層形成用の放射線硬化性粘着剤に含まれ得る架橋剤として例示されたものが挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基がグリシジル基である場合には、硬化剤としてポリフェノール系化合物を用いることが好ましく、例えば上述の各種フェノール樹脂を用いることができる。

【0083】

ダイボンディングのために硬化される前の接着剤層について、ある程度の架橋度を実現するためには、例えば、接着剤層に含まれ得る上述の樹脂の分子鎖末端の官能基等と反応して結合し得る多官能性化合物を架橋成分として接着剤層形成用樹脂組成物に配合しておくのが好ましい。このような構成は、接着剤層について、高温下での接着特性を向上させる観点で、また、耐熱性の改善を図る観点で好ましい。

【0084】

上記架橋成分としては、例えばポリイソシアネート化合物が挙げられる。ポリイソシアネート化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ－フェニレンジイソシアネート、１，５－ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等が挙げられる。また、上記架橋成分としては、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物をポリイソシアネート化合物と併用してもよい。

【0085】

接着剤層形成用樹脂組成物における架橋成分の含有量は、当該架橋成分と反応して結合し得る上記官能基を有する樹脂１００質量部に対し、形成される接着剤層２０の凝集力向上の観点からは０．０５質量部以上が好ましく、形成される接着剤層２０の接着力向上の観点からは７質量部以下が好ましい。

【0086】

接着剤層は、フィラーを含有することが好ましい。接着剤層へのフィラーの配合により、接着剤層の導電性や、熱伝導性、弾性率等の物性を調整することができる。フィラーとしては、無機フィラー及び有機フィラーが挙げられ、特に無機フィラーが好ましい。

【0087】

無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカの他、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体や、合金、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。フィラーは、球状、針状、フレーク状等の各種形状を有していてもよい。上記フィラーとしては、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。

【0088】

上記フィラーの平均粒径は、０．００５～１０μｍが好ましく、より好ましくは０．００５～１μｍである。上記平均粒径が０．００５μｍ以上であると、半導体ウエハ等の被着体への濡れ性、接着性がより向上する。上記平均粒径が１０μｍ以下であると、上記各特性の付与のために加えたフィラーの効果を十分なものとすることができると共に、耐熱性を確保することができる。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（例えば、商品名「ＬＡ－９１０」、株式会社堀場製作所製）を用いて求めることができる。

【0089】

接着剤層は、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、硬化触媒、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、染料等が挙げられる。上記他の添加剤は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。

【0090】

上記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。

【0091】

上記シランカップリング剤としては、例えば、β－（３、４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。

【0092】

上記イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ－３００」）、特定構造のリン酸ジルコニウム（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ－１００」）、ケイ酸マグネシウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード６００」）、ケイ酸アルミニウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード７００」）等が挙げられる。

【0093】

金属イオンとの間で錯体を形成し得る化合物もイオントラップ剤として使用することができる。そのような化合物としては、例えば、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、ビピリジル系化合物が挙げられる。これらのうち、金属イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点からはトリアゾール系化合物が好ましい。

【0094】

上記トリアゾール系化合物としては、例えば、１，２，３－ベンゾトリアゾール、１－｛Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル｝ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－ブチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３－ｔ－ブチル－５－メチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－５－ｔ－オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、６－（２－ベンゾトリアゾリル）－４－ｔ－オクチル－６’－ｔ－ブチル－４’－メチル－２，２’－メチレンビスフェノール、１－（２’，３’－ヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾール、１－（１，２－ジカルボキシジエチル）ベンゾトリアゾール、１－（２－エチルヘキシルアミノメチル）ベンゾトリアゾール、２，４－ジ－ｔ－ペンチル－６－｛（Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル｝フェノール、２－（２－ヒドロキシ－５－ｔ－ブチルフェニル）－２Ｈ－ベンゾトリアゾール、３－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－５－（１，１－ジメチルエチル）－４－ヒドロキシ、オクチル－３－［３－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－（５－クロロ－２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）フェニル］プロピオネート、２－エチルヘキシル－３－［３－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－（５－クロロ－２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）フェニル］プロピオネート、２－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－６－（１－メチル－１－フェニルエチル）－４－（１，１，３，３－テトラメチルブチル）フェノール、２－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－ｔ－ブチルフェノール、２－（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－５－ｔ－オクチルフェニル）－ベンゾトリアゾール、２－（３－ｔ－ブチル－２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－ブチルフェニル）－５－クロロ－ベンゾトリアゾール、２－［２－ヒドロキシ－３，５－ジ（１，１－ジメチルベンジル）フェニル］－２Ｈ－ベンゾトリアゾール、２，２’－メチレンビス［６－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－（１，１，３，３－テトラメチルブチル）フェノール］、２－［２－ヒドロキシ－３，５－ビス（α，α－ジメチルベンジル）フェニル］－２Ｈ－ベンゾトリアゾール、メチル－３－［３－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－５－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル］プロピオネート等が挙げられる。

【0095】

また、キノール化合物や、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物等の所定の水酸基含有化合物も、イオントラップ剤として使用することができる。そのような水酸基含有化合物としては、具体的には、１，２－ベンゼンジオール、アリザリン、アントラルフィン、タンニン、没食子酸、没食子酸メチル、ピロガロール等が挙げられる。

【0096】

接着剤層の厚さ（積層体の場合は、総厚み）は、特に限定されないが、例えば１～２００μｍである。上限は、１００μｍが好ましく、より好ましくは８０μｍである。下限は、３μｍが好ましく、より好ましくは５μｍである。

【0097】

ダイシングダイボンドフィルムにおいて、上述のように、温度２３℃、剥離速度３００ｍｍ／分の条件でのＴ型剥離試験における、上記粘着剤層と上記接着剤層との間の剥離力が０．３Ｎ／２０ｍｍ以上であり、好ましくは０．５Ｎ／２０ｍｍ以上、より好ましくは０．７Ｎ／２０ｍｍ以上である。上記剥離力が０．３Ｎ／２０ｍｍ以上であると、粘着剤層と接着剤層との密着性を適度とすることができ、エキスパンド工程及びその後における粘着剤層と接着剤層との間の剥離（浮き）が生じるのを抑制することができる。また、上記剥離力は高いほど好ましいが、その上限は、例えば、１０Ｎ／２０ｍｍであってもよく、５．０Ｎ／２０ｍｍであってもよく、３．０Ｎ／２０ｍｍであってもよい。なお、放射線硬化前の粘着剤層の上記剥離力が上記の値である。

【0098】

上記Ｔ型剥離試験については、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ－Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して行われる。その試験に供される試料片は、次のようにして作製することができる。ダイシングダイボンドフィルムの接着剤層側に裏打ちテープ（商品名「ＢＴ－３１５」，日東電工株式会社製）を貼り合わせた後、幅５０ｍｍ×長さ１２０ｍｍのサイズの試験片を切り出す。

【0099】

ダイシングダイボンドフィルムは、セパレータを有していてもよい。具体的には、ダイシングダイボンドフィルムごとに、セパレータを有するシート状の形態であってもよいし、セパレータが長尺状であってその上に複数のダイシングダイボンドフィルムが配され且つ当該セパレータが巻き回されてロールの形態とされていてもよい。セパレータは、ダイシングダイボンドフィルムの接着剤層の表面を被覆して保護するための要素であり、ダイシングダイボンドフィルムを使用する際には当該フィルムから剥がされる。セパレータとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類等が挙げられる。セパレータの厚さは、例えば５～２００μｍである。

【0100】

本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態であるダイシングダイボンドフィルム１は、例えば、次の通りにして製造される。

【0101】

まず基材１１は、公知乃至慣用の製膜方法により製膜して得ることができる。上記製膜方法としては、例えば、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出法、ドライラミネート法等が挙げられる。

【0102】

次に、基材１１上に、粘着剤層１２を形成する粘着剤及び溶媒等を含む、粘着剤層を形成する組成物（粘着剤組成物）を塗布して塗布膜を形成した後、必要に応じて脱溶媒や硬化等により該塗布膜を固化させ、粘着剤層１２を形成することができる。上記塗布の方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の公知乃至慣用の塗布方法が挙げられる。また、脱溶媒条件としては、例えば、温度８０～１５０℃、時間０．５～５分間の範囲内で行われる。

【0103】

また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、上記の脱溶媒条件で塗布膜を固化させて粘着剤層１２を形成してもよい。その後、基材１１上に粘着剤層１２をセパレータと共に貼り合わせる。以上のようにして、ダイシングテープ１０を作製することができる。

【0104】

接着剤層２０について、まず、樹脂、フィラー、硬化触媒、溶媒等を含む、接着剤層２０を形成する組成物（接着剤組成物）を作製する。次に、接着剤組成物をセパレータ上に塗布して塗布膜を形成した後、必要に応じて脱溶媒や硬化等により該塗布膜を固化させ、接着剤層２０を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の公知乃至慣用の塗布方法が挙げられる。また、脱溶媒条件としては、例えば、温度７０～１６０℃、時間１～５分間の範囲内で行われる。

【0105】

続いて、ダイシングテープ１０及び接着剤層２０からそれぞれセパレータを剥離し、接着剤層２０と粘着剤層１２とが貼り合わせ面となるようにして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば、３０～５０℃が好ましく、より好ましくは３５～４５℃である。また、線圧は特に限定されず、例えば、０．１～２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、より好ましくは１～１０ｋｇｆ／ｃｍである。

【0106】

上述のように、粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層である場合に接着剤層２０の貼り合わせより後に粘着剤層１２に紫外線等の放射線を照射する時には、例えば基材１１の側から粘着剤層１２に放射線照射を行い、その照射量は、例えば５０～５００ｍＪであり、好ましくは１００～３００ｍＪである。ダイシングダイボンドフィルム１において粘着剤層１２の粘着力低減措置としての照射が行われる領域（照射領域Ｒ）は、通常、粘着剤層１２における接着剤層２０貼り合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。部分的に照射領域Ｒを設ける場合、照射領域Ｒを除く領域に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に放射線を照射して照射領域Ｒを形成する方法も挙げられる。

【0107】

以上のようにして、例えば図１に示すダイシングダイボンドフィルム１を作製することができる。

【0108】

［半導体装置の製造方法］
本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いて、半導体装置を製造することができる。具体的には、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける上記接着剤層側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける工程（「工程Ａ」と称する場合がある）と、相対的に低温の条件下で、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドして、少なくとも上記接着剤層を割断して接着剤層付き半導体チップを得る工程（「工程Ｂ」と称する場合がある）と、相対的に高温の条件下で、上記ダイシングテープをエキスパンドして、上記接着剤層付き半導体チップ同士の間隔を広げる工程（「工程Ｃ」と称する場合がある）と、上記接着剤層付き半導体チップをピックアップする工程（「工程Ｄ」と称する場合がある）とを含む製造方法により、半導体装置を製造することができる。

【0109】

工程Ａで用いる上記複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハは、以下のようにして得ることができる。まず、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに分割溝３０ａを形成する（分割溝形成工程）。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａ及び第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。

【0110】

そして、粘着面Ｔ１ａを有するウエハ加工用テープＴ１を半導体ウエハＷの第２面Ｗｂ側に貼り合わせた後、ウエハ加工用テープＴ１に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に所定深さの分割溝３０ａをダイシング装置等の回転ブレードを使用して形成する。分割溝３０ａは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための空隙である（図２～４では分割溝３０ａを模式的に太線で表す）。

【0111】

次に、図２（ｃ）に示すように、粘着面Ｔ２ａを有するウエハ加工用テープＴ２の、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側への貼り合わせと、半導体ウエハＷからのウエハ加工用テープＴ１の剥離とを行う。

【0112】

次に、図２（ｄ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化する（ウエハ薄化工程）。研削加工は、研削砥石を備える研削加工装置を使用して行うことができる。このウエハ薄化工程によって、本実施形態では、複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ａが形成される。

【0113】

半導体ウエハ３０Ａは、具体的には、当該ウエハにおいて複数の半導体チップ３１へと個片化されることとなる部位を第２面Ｗｂ側で連結する部位（連結部）を有する。半導体ウエハ３０Ａにおける連結部の厚さ、すなわち、半導体ウエハ３０Ａの第２面Ｗｂと分割溝３０ａの第２面Ｗｂ側先端との間の距離は、例えば１～３０μｍであり、好ましくは３～２０μｍである。

【0114】

（工程Ａ）
工程Ａでは、ダイシングダイボンドフィルム１における接着剤層２０側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける。

【0115】

工程Ａにおける一実施形態では、図３（ａ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ３０Ａをダイシングダイボンドフィルム１の接着剤層２０に対して貼り合わせる。この後、図３（ｂ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａからウエハ加工用テープＴ２を剥がす。

【0116】

ダイシングダイボンドフィルム１における粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層である場合には、ダイシングダイボンドフィルム１の製造過程での上述の放射線照射に代えて、半導体ウエハ３０Ａの接着剤層２０への貼り合わせの後に、基材１１の側から粘着剤層１２に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。照射量は、例えば５０～５００ｍＪ／ｃｍ²であり、好ましくは１００～３００ｍＪ／ｃｍ²である。ダイシングダイボンドフィルム１において粘着剤層１２の粘着力低減措置としての照射が行われる領域（図１に示す照射領域Ｒ）は、例えば、粘着剤層１２における接着剤層２０貼り合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。

【0117】

（工程Ｂ）
工程Ｂでは、相対的に低温の条件下で、ダイシングダイボンドフィルム１におけるダイシングテープ１０をエキスパンドして、少なくとも接着剤層２０を割断して接着剤層付き半導体チップを得る。

【0118】

工程Ｂにおける一実施形態では、まず、ダイシングダイボンドフィルム１におけるダイシングテープ１０の粘着剤層１２上にリングフレーム４１を貼り付けた後、図４（ａ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａを伴う当該ダイシングダイボンドフィルム１をエキスパンド装置の保持具４２に固定する。

【0119】

次に、相対的に低温の条件下での第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を、図４（ｂ）に示すように行い、半導体ウエハ３０Ａを複数の半導体チップ３１へと個片化するとともに、ダイシングダイボンドフィルム１の接着剤層２０を小片の接着剤層２１に割断して、接着剤層付き半導体チップ３１を得る。

【0120】

クールエキスパンド工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を、ダイシングダイボンドフィルム１の図中下側においてダイシングテープ１０に当接させて上昇させ、半導体ウエハ３０Ａの貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルム１のダイシングテープ１０を、半導体ウエハ３０Ａの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。

【0121】

このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において１５～３２ＭＰａ、好ましくは２０～３２ＭＰａの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは－２０～－５℃、より好ましくは－１５～－５℃、より好ましくは－１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、好ましくは０．１～１００ｍｍ／秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは３～１６ｍｍである。

【0122】

工程Ｂでは、複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハ３０Ａを用いた場合、半導体ウエハ３０Ａにおいて薄肉で割れやすい部位に割断が生じて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、工程Ｂでは、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝の図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生じる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間の分割溝の垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。エキスパンドによる割断の後、図４（ｃ）に示すように、突き上げ部材４３を下降させて、ダイシングテープ１０におけるエキスパンド状態を解除する。

【0123】

（工程Ｃ）
工程Ｃでは、相対的に高温の条件下で、上記ダイシングテープ１０をエキスパンドして、上記接着剤層付き半導体チップ同士の間隔を広げる。

【0124】

工程Ｃにおける一実施形態では、まず、相対的に高温の条件下での第２エキスパンド工程（常温エキスパンド工程）を、図５（ａ）に示すように行い、接着剤層付き半導体チップ３１間の距離（離間距離）を広げる。

【0125】

工程Ｃでは、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を再び上昇させ、ダイシングダイボンドフィルム１のダイシングテープ１０をエキスパンドする。第２エキスパンド工程における温度条件は、例えば１０℃以上であり、好ましくは１５～３０℃である。第２エキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、例えば０．１～１０ｍｍ／秒であり、好ましくは０．３～１ｍｍ／秒である。また、第２エキスパンド工程におけるエキスパンド量は、例えば３～１６ｍｍである。後述のピックアップ工程にてダイシングテープ１０から接着剤層付き半導体チップ３１を適切にピックアップ可能な程度に、工程Ｃでは接着剤層付き半導体チップ３１の離間距離を広げる。エキスパンドにより離間距離を広げた後、図５（ｂ）に示すように、突き上げ部材４３を下降させて、ダイシングテープ１０におけるエキスパンド状態を解除する。

【0126】

エキスパンド状態解除後にダイシングテープ１０上の接着剤層付き半導体チップ３１の離間距離が狭まることを抑制する観点では、エキスパンド状態を解除するより前に、ダイシングテープ１０における半導体チップ３１保持領域より外側の部分を加熱して収縮させることが好ましい。

【0127】

工程Ｃの後、接着剤層付き半導体チップ３１を伴うダイシングテープ１０における半導体チップ３１側を水等の洗浄液を使用して洗浄するクリーニング工程を必要に応じて有していてもよい。

【0128】

（工程Ｄ）
工程Ｄ（ピックアップ工程）では、個片化された接着剤層付き半導体チップをピックアップする。工程Ｄにおける一実施形態では、必要に応じて上記クリーニング工程を経た後、図６に示すように、接着剤層付き半導体チップ３１をダイシングテープ１０からピックアップする。例えば、ピックアップ対象の接着剤層付き半導体チップ３１について、ダイシングテープ１０の図中下側においてピックアップ機構のピン部材４４を上昇させてダイシングテープ１０を介して突き上げた後、吸着治具４５によって吸着保持する。ピックアップ工程において、ピン部材４４の突き上げ速度は例えば１～１００ｍｍ／秒であり、ピン部材４４の突き上げ量は例えば５０～３０００μｍである。

【0129】

上記半導体装置の製造方法は、工程Ａ～Ｄ以外の他の工程を含んでいてもよい。例えば、一実施形態においては、図７（ａ）に示すように、ピックアップした接着剤層付き半導体チップ３１を、被着体５１に対して接着剤層２１を介して仮固着する（仮固着工程）。

【0130】

被着体５１としては、例えば、リードフレーム、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）フィルム、配線基板、別途作製した半導体チップ等が挙げられる。接着剤層２１の仮固着時における２５℃での剪断接着力は、被着体５１に対して０．２ＭＰａ以上が好ましく、より好ましくは０．２～１０ＭＰａである。接着剤層２１の上記剪断接着力が０．２ＭＰａ以上であるという構成は、後述のワイヤーボンディング工程において、超音波振動や加熱によって接着剤層２１と半導体チップ３１又は被着体５１との接着面でずり変形が生じるのを抑制して適切にワイヤーボンディングを行うことができる。また、接着剤層２１の仮固着時における１７５℃での剪断接着力は、被着体５１に対して０．０１ＭＰａ以上が好ましく、より好ましくは０．０１～５ＭＰａである。

【0131】

次に、図７（ｂ）に示すように、半導体チップ３１の電極パッド（図示略）と被着体５１の有する端子部（図示略）とをボンディングワイヤー５２を介して電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。

【0132】

半導体チップ３１の電極パッドや被着体５１の端子部とボンディングワイヤー５２との結線は、加熱を伴う超音波溶接によって実現でき、接着剤層２１を熱硬化させないように行われる。ボンディングワイヤー５２としては、例えば金線、アルミニウム線、銅線等を用いることができる。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は、例えば８０～２５０℃であり、好ましくは８０～２２０℃である。また、その加熱時間は数秒～数分間である。

【0133】

次に、図７（ｃ）に示すように、被着体５１上の半導体チップ３１やボンディングワイヤー５２を保護するための封止樹脂５３によって半導体チップ３１を封止する（封止工程）。

【0134】

封止工程では、接着剤層２１の熱硬化が進行する。封止工程では、例えば、金型を使用して行うトランスファーモールド技術によって封止樹脂５３を形成する。封止樹脂５３の構成材料としては、例えばエポキシ系樹脂を用いることができる。封止工程において、封止樹脂５３を形成するための加熱温度は例えば１６５～１８５℃であり、加熱時間は例えば６０秒～数分間である。

【0135】

封止工程で封止樹脂５３の硬化が十分に進行しない場合には、封止工程の後に封止樹脂５３を完全に硬化させるための後硬化工程を行う。封止工程において接着剤層２１が完全に熱硬化しない場合であっても、後硬化工程において封止樹脂５３と共に接着剤層２１の完全な熱硬化が可能となる。後硬化工程において、加熱温度は例えば１６５～１８５℃であり、加熱時間は例えば０．５～８時間である。

【0136】

上記の実施形態では、上述のように、接着剤層付き半導体チップ３１を被着体５１に仮固着させた後、接着剤層２１を完全に熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程が行われる。このような構成に代えて、上記半導体装置の製造方法では、接着剤層付き半導体チップ３１を被着体５１に仮固着させた後、接着剤層２１を熱硬化させてからワイヤーボンディング工程を行ってもよい。

【0137】

上記半導体装置の製造方法においては、他の実施形態として、図２（ｄ）を参照して上述したウエハ薄化工程に代えて、図８に示すウエハ薄化工程を行ってもよい。図２（ｃ）を参照して上述した過程を経た後、図８に示すウエハ薄化工程では、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、当該ウエハが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化させて、複数の半導体チップ３１を含んでウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ分割体３０Ｂを形成する。

【0138】

上記ウエハ薄化工程では、分割溝３０ａが第２面Ｗｂ側に露出するまでウエハを研削する手法（第１の手法）を採用してもよいし、第２面Ｗｂ側から分割溝３０ａに至るより前までウエハを研削し、その後、回転砥石からウエハへの押圧力の作用により分割溝３０ａと第２面Ｗｂとの間にクラックを生じさせて半導体ウエハ分割体３０Ｂを形成する手法（第２の手法）を採用してもよい。採用される手法に応じて、図２（ａ）及び図２（ｂ）を参照して上述したように形成する分割溝３０ａの、第１面Ｗａからの深さは、適宜に決定される。

【0139】

図８では、第１の手法を経た分割溝３０ａ、又は、第２の手法を経た分割溝３０ａ及びこれに連なるクラックについて、模式的に太線で表す。上記半導体装置の製造方法では、工程Ａにおいて、半導体ウエハ分割体としてこのようにして作製される半導体ウエハ分割体３０Ｂを半導体ウエハ３０Ａの代わりに用い、図３から図７を参照して上述した各工程を行ってもよい。

【0140】

図９（ａ）及び図９（ｂ）は、当該実施形態における工程Ｂ、すなわち半導体ウエハ分割体３０Ｂをダイシングダイボンドフィルム１に貼り合わせた後に行う第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を表す。

【0141】

当該実施形態における工程Ｂでは、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を、ダイシングダイボンドフィルム１の図中下側においてダイシングテープ１０に当接させて上昇させ、半導体ウエハ分割体３０Ｂの貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルム１のダイシングテープ１０を、半導体ウエハ分割体３０Ｂの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。

【0142】

このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において、例えば５～２８ＭＰａ、好ましくは８～２５ＭＰａの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは－２０～－５℃、より好ましくは－１５～－５℃、より好ましくは－１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、好ましくは１～４００ｍｍ／秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは５０～２００ｍｍである。

【0143】

このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルム１の接着剤層２０を小片の接着剤層２１に割断して接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、クールエキスパンド工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において、半導体ウエハ分割体３０Ｂの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝３０ａの図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生じる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間の分割溝３０ａの図中垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。

【0144】

上記半導体装置の製造方法においては、さらなる他の実施形態として、工程Ａにおいて用いる半導体ウエハ３０Ａ又は半導体ウエハ分割体３０Ｂに代えて、以下のようにして作製される半導体ウエハ３０Ｃを用いてもよい。

【0145】

当該実施形態では、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、まず、半導体ウエハＷに改質領域３０ｂを形成する。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａ及び第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。

【0146】

そして、粘着面Ｔ３ａを有するウエハ加工用テープＴ３を半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に貼り合わせた後、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、ウエハ内部に集光点の合わせられたレーザー光をウエハ加工用テープＴ３とは反対の側から半導体ウエハＷに対して分割予定ラインに沿って照射して、多光子吸収によるアブレーションに因って半導体ウエハＷ内に改質領域３０ｂを形成する。改質領域３０ｂは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための脆弱化領域である。

【0147】

半導体ウエハにおいてレーザー光照射によって分割予定ライン上に改質領域３０ｂを形成する方法については、例えば特開２００２－１９２３７０号公報に詳述されているが、当該実施形態におけるレーザー光照射条件は、例えば以下の条件の範囲内で適宜に調整される。

【0148】

＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^-8ｃｍ²
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下

【0149】

次に、図１０（ｃ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化させ、これによって複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ｃを形成する（ウエハ薄化工程）。

【0150】

上記半導体装置の製造方法では、工程Ａにおいて、個片化可能は半導体ウエハとしてこのようにして作製される半導体ウエハ３０Ｃを半導体ウエハ３０Ａの代わりに用い、図３から図７を参照して上述した各工程を行ってもよい。

【0151】

図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、当該実施形態における工程Ｂ、すなわち半導体ウエハ３０Ｃをダイシングダイボンドフィルム１に貼り合わせた後に行う第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を表す。

【0152】

クールエキスパンド工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を、ダイシングダイボンドフィルム１の図中下側においてダイシングテープ１０に当接させて上昇させ、半導体ウエハ３０Ｃの貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルム１のダイシングテープ１０を、半導体ウエハ３０Ｃの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において、例えば５～２８ＭＰａ、好ましくは８～２５ＭＰａの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは－２０～－５℃、より好ましくは－１５～－５℃、より好ましくは－１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、好ましくは１～４００ｍｍ／秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは５０～２００ｍｍである。

【0153】

このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルム１の接着剤層２０を小片の接着剤層２１に割断して接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、クールエキスパンド工程では、半導体ウエハ３０Ｃにおいて脆弱な改質領域３０ｂにクラックを形成されて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、クールエキスパンド工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において、半導体ウエハ３０Ｃの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、ウエハのクラック形成箇所の図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生じる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間のクラック形成箇所の図中垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。

【0154】

また、上記半導体装置の製造方法において、ダイシングダイボンドフィルム１は、上述のように接着剤層付き半導体チップを得る用途に使用することができるが、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合における接着剤層付き半導体チップを得るための用途にも使用することができる。そのような３次元実装における半導体チップ３１間には、接着剤層２１と共にスペーサが介在していてもよいし、スペーサが介在していなくてもよい。

【実施例】

【0155】

以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、実施例及び比較例における粘着剤層の、アクリル系ポリマーＰ₂を構成する各モノマー成分の組成を表１に示す。但し、表１において、組成物の組成を表す各数値の単位は、モノマー成分に関する数値は相対的な“モル”であり、モノマー成分以外の各成分に関する数値は当該アクリル系ポリマーＰ₂１００質量部に対する “質量部”である。

【0156】

実施例１
（ダイシングテープ）
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、アクリル酸２－エチルヘキシル（２ＥＨＡ）１００モルと、２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）２０モルと、これらモノマー成分の総量１００質量部に対して２質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、６１℃で６時間、窒素雰囲気下で撹拌した（重合反応）。これにより、アクリル系ポリマーＰ₁を含有するポリマー溶液を得た。

【0157】

次に、このアクリル系ポリマーＰ₁を含有するポリマー溶液と、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、５０℃で４８時間、空気雰囲気下で撹拌した（付加反応）。当該反応溶液において、ＭＯＩの配合量は１６モルである。また、当該反応溶液において、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーＰ₁１００質量部に対して０．０１質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーＰ₂（不飽和官能基含有イソシアネート化合物由来の構成単位を含むアクリル系ポリマー）を含有するポリマー溶液を得た。

【0158】

次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーＰ₂１００質量部に対して２質量部のポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、東ソー株式会社製）と、２質量部の光重合開始剤（商品名「イルガキュア１２７」、ＢＡＳＦ社製）とを加えて混合し、且つ、当該混合物の室温での粘度が５００ｍＰａ・ｓになるように当該混合物についてトルエンを加えて希釈し、粘着剤組成物を得た。

【0159】

次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して粘着剤組成物を塗布して粘着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について１２０℃で２分間の加熱による脱溶媒を行い、ＰＥＴセパレータ上に厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。

【0160】

次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面に基材としてのＥＶＡ樹脂フィルム（厚さ１２５μｍ、日東電工株式会製）を室温で貼り合わせた。この貼り合わせ体について、その後に５０℃で２４時間の保存を行った。以上のようにして実施例１のダイシングテープを作製した。

【0161】

（接着剤層）
アクリル系ポリマーＡ₁（商品名「テイサンレジン ＳＧ－Ｐ３」、ナガセケムテックス株式会社製）１００質量部と、固形フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」、２３℃で固形、明和化成株式会社製）１２質量部と、シリカフィラー（商品名「ＳＯ－Ｃ２」、平均粒径は０．５μｍ、株式会社アドマテックス製）１００質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、固形分の濃度が１８質量％になるように濃度を調整し、接着剤組成物を得た。

【0162】

次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物を塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１３０℃で２分間の脱溶媒を行った。以上のようにして、実施例１における厚さ１５μｍの接着剤層をＰＥＴセパレータ上に作製した。

【0163】

（ダイシングダイボンドフィルムの作製）
実施例１のダイシングテープからＰＥＴ系セパレータを剥離し、露出した粘着剤層に実施例１の接着剤層を貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。このようにして実施例１のダイシングダイボンドフィルムを作製した。

【0164】

実施例２～１７及び比較例１～９
粘着剤層の作製において、表１及び２に示すように、アクリル系ポリマーＰ₁を形成するモノマー組成、ＭＯＩの配合量、光重合開始剤の種類若しくは配合量、ポリイソシアネート化合物の種類若しくは配合量などを変更したこと以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを作製した。

【0165】

なお、表１及び２において、「ＥＡ」はエチルアクリレート、「ＢＡ」はブチルアクリレート、「２ＭＥＡ」は２－メトキシエチルアクリレート、「４ＨＢＡ」は４－ヒドロキシブチルアクリレート、「ＡＭ」はアクリロイルモルホリン、「イルガキュア１８４」は商品名「イルガキュア１８４」（ＢＡＳＦ社製）、「イルガキュア６５１」は商品名「イルガキュア６５１」（ＢＡＳＦ社製）、「イルガキュア３６９」は商品名「イルガキュア３６９」（ＢＡＳＦ社製）、「イルガキュア２９５９」は商品名「イルガキュア２９５９」（ＢＡＳＦ社製）、「コロネートＨＬ」は商品名「コロネートＨＬ」（東ソー株式会社製）をそれぞれ示す。

【0166】

＜評価＞
実施例及び比較例で得られたダイシングダイボンドフィルムについて、以下の評価を行った。結果を表１に示す。

【0167】

（ナノインデンテーション法による硬さ）
実施例及び比較例でそれぞれ得られた各ダイシングダイボンドフィルムについて、粘着剤層上から接着剤層を剥離し、粘着剤層の剥離面について、ナノインデンター（商品名「ＴｒｉｂｏＩｎｄｅｎｔｅｒ」、ＨＹＳＩＴＲＯＮ Ｉｎｃ．社製）を用い、以下の条件で、粘着剤層表面のナノインデンテーション測定を行った。そして、得られた硬さを表１に示す。
使用圧子：Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ（三角錐型）
測定方法：単一押し込み測定
測定温度：２３℃
周波数：１００Ｈｚ
押し込み深さ設定：５００ｎｍ
荷重：１ｍＮ、
負荷速度：０．１ｍＮ／ｓ
除荷速度：０．１ｍＮ／ｓ
保持時間：１ｓ

【0168】

（Ｔ型剥離試験）
実施例及び比較例でそれぞれ得られた各ダイシングダイボンドフィルムについて、次のようにして粘着剤層と接着剤層との間の剥離力を調べた。まず、各ダイシングダイボンドフィルムから試験片を作製した。具体的には、ダイシングダイボンドフィルムの接着剤層側に裏打ちテープ（商品名「ＢＴ－３１５」，日東電工株式会社製）を貼り合わせ、当該裏打ちテープを有するダイシングダイボンドフィルムから、幅５０ｍｍ×長さ１２０ｍｍのサイズの試験片を切り出した。そして、試験片について、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ－Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用してＴ型剥離試験を行い、剥離力（Ｎ／２０ｍｍ）を測定した。本測定においては、温度条件を２３℃とし、剥離速度を３００ｍｍ／分とした。測定結果を表に示す。

【0169】

（接着剤層付き半導体チップの浮き）
レーザー加工装置として商品名「ＭＬ３００－Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ」（株式会社東京精密製）を用いて、１２インチの半導体ウエハの内部に集光点を合わせ、格子状（１０ｍｍ×１０ｍｍ）の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、半導体ウエハの内部に改質領域を形成した。レーザー光の照射は、下記の条件で行った。
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^-8ｃｍ²
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ
パルス幅 ３０ｎｓ
出力 ２０μＪ／パルス
レーザー光品質 ＴＥＭ００ ４０
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 ５０倍
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 ６０％
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 １００ｍｍ／秒

【0170】

半導体ウエハにおいてレーザー光照射によって分割予定ライン上に改質領域３０ｂを形成する方法については、例えば特開２００２－１９２３７０号公報に詳述されているが、当該実施形態におけるレーザー光照射条件は、例えば以下の条件の範囲内で適宜に調整される。

【0171】

＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^-8ｃｍ²
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下

【0172】

半導体ウエハ内部に改質領域を形成した後、半導体ウエハの表面にバックグラインド用保護テープを貼り合わせ、バックグラインダー（商品名「ＤＧＰ８７６０」、株式会社ディスコ製）を用いて半導体ウエハの厚さが３０μｍになるように裏面を研削した。

【0173】

実施例及び比較例で得られたダイシングダイボンドフィルムに、改質領域が形成された半導体ウエハとダイシングリングを貼り合わせた。そして、ダイセパレーター（商品名「ＤＤＳ２３００」、株式会社ディスコ製）を用いて、半導体ウエハ及び接着剤層の割断を行った。具体的には、まず、クールエキスパンダーユニットで、温度－１５℃、クールエキスパンド時の速度（エキスパンド速度）２００ｍｍ／秒、エキスパンド量１４ｍｍの条件でクールエキスパンドを行って半導体ウエハを割断させた。そして、接着剤層がダイシングテープから浮いている部分の面積（接着剤層全体の面積を１００％としたときの浮いている接着剤層付き半導体チップの面積の割合）を顕微鏡で観察した。クールエキスパンド工程における浮きについて、浮きが無い又は許容範囲内であれば○、浮きが目立って有る場合を×として評価した。結果を表に示す。

【0174】

半導体ウエハ及び接着剤層の割断後、上記クールエキスパンダーユニットをそのまま用いて、室温、エキスパンド速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量５ｍｍの条件で常温エキスパンドを行った。そして、接着剤層がダイシングテープから浮いている部分の面積（接着剤層全体の面積を１００％としたときの浮いている接着剤層付き半導体チップの面積の割合）を顕微鏡で観察した。常温エキスパンド工程における浮きについて、浮きが無い又は許容範囲内であれば○、浮きが目立って有る場合を×として評価した。また、常温エキスパンド後２３℃で３０分間放置した後の浮き（経時での浮き）についても、上記の評価基準に従って評価を行った。結果を表に示す。

【0175】

【表1】

【0176】

【表2】

【0177】

実施例１～１７のダイシングダイボンドフィルムによると、クールエキスパンド工程及び常温エキスパンド工程、さらには経時後において、ダイシングテープからの接着剤層付き半導体チップの浮きを生じることなく接着剤層の割断を良好に行うことができた上に、ピックアップ工程において、接着剤層付き半導体チップを適切にピックアップすることができた。

【符号の説明】

【0178】

１ ダイシングダイボンドフィルム
１０ ダイシングテープ
１１ 基材
１２ 粘着剤層
２０，２１ 接着剤層
Ｗ，３０Ａ，３０Ｃ 半導体ウエハ
３０Ｂ 半導体ウエハ分割体
３０ａ 分割溝
３０ｂ 改質領域
３１ 半導体チップ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】