(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-05-19
(45)【発行日】2022-05-27
(54)【発明の名称】有機ＥＬ表示パネルの製造方法
(51)【国際特許分類】
H05B 33/10 20060101AFI20220520BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20220520BHJP
H01L 27/32 20060101ALI20220520BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20220520BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20220520BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20220520BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20220520BHJP
【ＦＩ】
H05B33/10
H05B33/14 A
H01L27/32
H05B33/12 B
H05B33/22 Z
G09F9/30 365
G09F9/00 338
G09F9/30 349Z
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2018141161
(22)【出願日】2018-07-27
(65)【公開番号】P2020017466
(43)【公開日】2020-01-30
【審査請求日】2019-07-26
(73)【特許権者】
【識別番号】514188173
【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ
(74)【代理人】
【識別番号】110001900
【氏名又は名称】特許業務法人 ナカジマ知的財産綜合事務所
(72)【発明者】
【氏名】福田 敏生
【審査官】中村 博之
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１７－０６７３４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１６／０４７１４４（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００６－１０５５２４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－０７８０９４（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０３１７３１８（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｂ ３３／１０
Ｈ０１Ｌ ５１／５０
Ｈ０１Ｌ ２７／３２
Ｈ０５Ｂ ３３／１２
Ｈ０５Ｂ ３３／２２
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｇ０９Ｆ ９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、
前記基板上に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、
前記基板上の少なくとも行方向における前記画素電極と前記画素電極の間に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する工程と、
行方向に隣接する前記列バンク間の間隙からなる列状塗布領域それぞれに、列方向に連続して有機発光材料を含むインクを塗布する工程と、
平面視において、少なくとも前記基板の前記インクが塗布された領域を覆う整流板を、前記基板の上面から第１の距離だけ離間させた状態とし、当該状態にて前記基板を含む雰囲気の圧力を第１の圧力まで減圧する工程と、
前記雰囲気の圧力が前記第１の圧力に達した後、前記整流板を前記基板の上面から前記第１の距離よりも大きい第２の距離だけ離間させた状態とし、当該状態にて前記雰囲気の圧力を前記第１の圧力より低い第２の圧力以下の圧力まで減圧する工程と、
前記基板を加熱することにより、前記列状塗布領域内に、列方向に連続して延伸する発光層を形成する工程と、
前記整流板を除去した状態で前記発光層上方に対向電極を形成する工程とを含み、
前記第１の圧力は、１×１０ 4 Ｐａ以上５×１０ 4 Ｐａ以下であり、
前記第１の距離は、２ｍｍ以上１０ｍｍ以下である
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項2】
前記第２の圧力は、１×１０-1Ｐａであり、前記第２の距離は、３０ｍｍ以上７０ｍｍ以下である
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項3】
前記基板の前記複数の列バンクを含む範囲の幅に対する前記第１の距離の比率は、５／２０００以上５／１００以下である請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項4】
前記第１の圧力に到達する時間は、前記雰囲気の圧力の減圧を開始した後、１秒以上３００秒以下の時間である請求項１から３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項5】
前記雰囲気の圧力を前記第１の圧力まで減圧する工程では、前記基板に塗布されたインクのレベリングを促進し、前記雰囲気の圧力を前記第２の圧力まで減圧する工程では、インクに残存する溶媒の蒸発を促進する
請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項6】
前記整流板は少なくとも前記基板上の前記複数の列バンクと対向する位置に配される請求項１から５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項7】
前記整流板は、前記基板の上方において前記基板を覆い、昇降手段により前記基板に対する相対的な高さを変更される請求項１から６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた有機ＥＬ表示パネルの製造方法、及びそれに用いるインク乾燥装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。この有機ＥＬ表示パネルは、各有機ＥＬ素子が自発光を行うので視認性が高い。
近年、デバイスの大型化が進み、効率の良い機能膜の成膜方法として、機能性材料を含むインクをインクジェット法等に基づいて塗布するウエットプロセスが提案されている。ウエットプロセスは機能膜を塗り分ける際の位置精度が基板サイズに依存せず、デバイスの大型化への技術的障壁が比較的低いメリットがある。代表的なインクジェット法のウエットプロセスでは、塗布装置の作業テーブル上に塗布対象基板を載置する。基板表面に対してインクヘッドを一方向に走査し、インクジェットヘッドの複数のノズルから基板表面の所定領域にインクを滴下する。その後はインクの溶媒を蒸発乾燥させて機能膜を成膜する。
近年、デバイスの大型化が進み、効率の良い機能膜の成膜方法として、機能性材料を含むインクをインクジェット法等に基づいて塗布するウエットプロセスが提案されている。ウエットプロセスは機能膜を塗り分ける際の位置精度が基板サイズに依存せず、デバイスの大型化への技術的障壁が比較的低いメリットがある。代表的なインクジェット法のウエットプロセスでは、塗布装置の作業テーブル上に塗布対象基板を載置する。基板表面に対してインクヘッドを一方向に走査し、インクジェットヘッドの複数のノズルから基板表面の所定領域にインクを滴下する。その後はインクの溶媒を蒸発乾燥させて機能膜を成膜する。
【0003】
ところで、このような基板上にインクを充填し乾燥する方法で機能層を形成するウエットプロセスに於いては、インクの溶媒を蒸発乾燥させるプロセスにおいて、成膜エリアの中央部分と周縁部分では、周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなることにより溶媒の蒸発速度が大きい。その結果、基板中央部分に形成される画素の機能層と基板端部に形成される画素の機能層とは膜厚が互いに異なる傾向がある。このように、基板中央部分の画素と基板周縁部分の画素とで機能層の膜厚が異なると、各機能層の特性も互いに異なるため、有機ＥＬ表示パネルとして面内輝度ムラの原因となっていた。
【0004】
これに対して、例えば、特許文献１では、基板上のライン状のバンクの延在方向における両端のみ開口を有している整流板にて基板を覆いインクを乾燥させる機能膜形成方法が開示されている。また、特許文献２では、貫通孔を有する整流板を用いて、インクの溶媒を基板の上側に排出する乾燥方法が開示されている。また、特許文献３では、処理容器内の圧力が大気圧から５００Ｐａまでは、基板を第１の高さ位置に保持し、処理容器内の圧力が３Ｐａ以下では、基板を第１の高さ位置より低い第２の高さ位置に下降させる乾燥処置方法が開示されており、特許文献３には、有機材料膜を乾燥処理する際に、処理容器内に混入した水分の影響を低減できることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２０１０－２６７４２８号公報
【文献】特開２００７－９０２００号公報
【文献】特開２０１７－６７３４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、パネルの高精細化に伴って、従来の製造方法では、隣接する２つの長尺状のバンク間の間隙から構成される列状塗布領域に有機発光材料を含むインクを塗布して発光層を形成する構成では、インク溶媒の蒸気圧分布から基板上の列状塗布領域内において機能層の膜厚が不均一になり輝度ムラの要因となるという課題があった。長尺状の列状塗布領域にインクを塗布して発光層を形成する構成では、主に列方向に連続してインクが塗布されることに起因して、列端部における膜厚変動の影響が表示領域を含む基板内方におよび易いということに基づく。
【0007】
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであって、基板上の列状塗布領域内で発光層の膜厚の均一化を図ることにより面内の輝度ムラを改善する有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、前記基板上の少なくとも行方向における前記画素電極と前記画素電極の間に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する工程と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙それぞれに、列方向に連続して有機発光材料を含むインクを塗布する工程と、平面視において、少なくとも前記基板の前記インクが塗布された領域を覆う整流板を、前記基板の上面から第１の距離だけ離間させた状態とし、当該状態にて前記基板を含む雰囲気の圧力を第１の圧力まで減圧する工程と、前記雰囲気の圧力が前記第１の圧力に達した後、前記整流板を前記基板の上面から前記第１の距離よりも大きい第２の距離だけ離間させた状態とし、当該状態にて前記雰囲気の圧力を前記第１の圧力より低い第２の圧力以下の圧力まで減圧する工程と、前記基板を加熱することにより発光層を形成する工程と、前記整流板を除去した状態で前記有機機能層上方に対向電極を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【0009】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、基板上の列状塗布領域内で発光層の膜厚の均一化を図ることにより、有機ＥＬ表示パネル面内での輝度ムラを改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法で製造した有機ＥＬ表示パネル１０の模式平面図である。
【図5】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法に用いるインク乾燥装置９００の模式断面図である。
【図6】インク乾燥装置９００における整流板４００と基板１００ｘとの位置関係を示す模式図であって、（ａ）は斜視図、（ｂ）は整流板４００を透視して示した基板１００ｘの平面図である。
【図7】（ａ）（ｂ）は、インク乾燥装置９００における昇降手段８００の動作を示す模式断面図である。
【図8】表示パネル１０の製造工程を示す工程図である。
【図10】有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法において、基板に対して発光層形成用のインクを塗布する工程を示す図であって、バンク１２２Ｘと１２２Ｙとで規定される格子状の領域に塗布する場合の図である。
【図11】有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法において、インク乾燥工程の詳細を示す工程図である。
【図12】インク乾燥工程におけるチャンバ内圧力の時間変化を示す図である。
【図13】（ａ）～（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるＣＦ基板１３１製造の各工程での状態を示す模式断面図である。
【図15】有機ＥＬ表示パネル１０の実施例、比較例１から３における、膜厚の測定位置を示す模式平面図である。
【図16】有機ＥＬ表示パネル１０の実施例及び比較例１、２における膜厚の測定結果である。
【図17】（ａ）は、比較例１に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との蒸気圧分布を示す模式図、（ｂ）は、比較例１に係る蒸気圧分布の影響による表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との間の成膜形状の違いを示す模式図である。
【図18】（ａ）は、比較例１における列バンク端部付近の模式平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＹ２－Ｙ２で切った模式側断面図、（ｃ）はインク吐出直後における膜形状を示す模式図、（ｄ）は、時間経過に伴う膜厚の変化を示す模式側断面図である。
【図19】比較例１に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との間の成膜形状の違いを示す模式図である。
【図20】（ａ）は、比較例２における塗布直後における膜形状を示す模式図、（ｂ）はレベリングされた後における塗布直後における膜形状を示す模式図である。
【図21】（ａ）は、比較例２に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との蒸気圧分布と基板と整流板との間の空間における蒸気の流れを示す模式図、（ｂ）は、比較例２に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との間の成膜形状の違いを示すに模式図である。
【図22】（ａ）は、実施例における塗布直後における膜形状を示す模式図、（ｂ）はレベリングされた後における塗布直後における膜形状を示す模式図、（ｃ）は、列端部における膜厚の変化を示す模式側断面図である。
【図23】（ａ）は、実施例に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との蒸気圧分布と基板と整流板との間の空間における蒸気の流れを示す模式図、（ｂ）は、実施例に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との間の成膜形状の違いを示すに模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、前記基板上の少なくとも行方向における前記画素電極と前記画素電極の間に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する工程と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙それぞれに、列方向に連続して有機発光材料を含むインクを塗布する工程と、平面視において、少なくとも前記基板の前記インクが塗布された領域を覆う整流板を、前記基板の上面から第１の距離だけ離間させた状態とし、当該状態にて前記基板を含む雰囲気の圧力を第１の圧力まで減圧する工程と、前記雰囲気の圧力が前記第１の圧力に達した後、前記整流板を前記基板の上面から前記第１の距離よりも大きい第２の距離だけ離間させた状態とし、当該状態にて前記雰囲気の圧力を前記第１の圧力より低い第２の圧力以下の圧力まで減圧する工程と、前記基板を加熱することにより発光層を形成する工程と、前記整流板を除去した状態で前記有機機能層上方に対向電極を形成する工程とを含むことを特徴とする。
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、前記基板上の少なくとも行方向における前記画素電極と前記画素電極の間に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する工程と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙それぞれに、列方向に連続して有機発光材料を含むインクを塗布する工程と、平面視において、少なくとも前記基板の前記インクが塗布された領域を覆う整流板を、前記基板の上面から第１の距離だけ離間させた状態とし、当該状態にて前記基板を含む雰囲気の圧力を第１の圧力まで減圧する工程と、前記雰囲気の圧力が前記第１の圧力に達した後、前記整流板を前記基板の上面から前記第１の距離よりも大きい第２の距離だけ離間させた状態とし、当該状態にて前記雰囲気の圧力を前記第１の圧力より低い第２の圧力以下の圧力まで減圧する工程と、前記基板を加熱することにより発光層を形成する工程と、前記整流板を除去した状態で前記有機機能層上方に対向電極を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【0012】
係る構成により、インク乾燥工程において、隣接する２つの長尺状のバンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚからなる列状塗布領域に有機発光材料を含むインクを連続して塗布して発光層１２３を形成する製造方法では、主に列方向に連続してインクが塗布されることに起因して生じる膜厚変動の要因が抑制され、列状塗布領域に形成される発光層の膜形状は成膜エリアの周縁部分と中央部分において膜厚が等価な形状になる。これより、基板上の列状塗布領域内で発光層の膜厚の均一化が図れ、有機ＥＬ表示パネル面内での輝度ムラを改善することができる。
【0013】
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記第１の圧力は、１×１０4Ｐａ以上５×１０4Ｐａ以下であり、前記第１の距離は、２ｍｍ以上１０ｍｍ以下である構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記基板の前記複数の列バンクを含む範囲の幅に対する前記第１の距離の比率は、５／２０００以上５／１００以下である構成であってもよい。
【0014】
係る構成により、基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布に伴う溶媒蒸発速度のアンバランス、列状塗布領域内のインクの表面張力のアンバランス、列状塗布領域内のインク吐出力後の吐出量バラツキのレベリング不足といった問題を改善できる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記第２の圧力は、１×１０-1Ｐａであり、前記第２の距離は、３０ｍｍ以上７０ｍｍ以下である構成であってもよい。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記第２の圧力は、１×１０-1Ｐａであり、前記第２の距離は、３０ｍｍ以上７０ｍｍ以下である構成であってもよい。
【0015】
係る構成により、基板と整流板との間の空間内の蒸気流の乱れ、蒸発速度の低下に伴う膜の断面形状の変化といった膜厚変動の要因が抑制される。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記第１の圧力に到達する時間は、前記雰囲気の圧力の減圧を開始した後、１秒以上３００秒以下の時間である構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記雰囲気の圧力を前記第１の圧力まで減圧する工程では、前記基板に塗布されたインクのレベリングを促進し、前記雰囲気の圧力を前記第２の圧力まで減圧する工程では、インクに残存する溶媒の蒸発を促進する構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記対向させて配置する工程では、前記整流板は少なくとも前記基板上の前記複数の列バンクと対向する位置に配される構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記整流板は、前記基板の上方において前記基板を覆い、昇降手段により前記基板に対する相対的な高さを変更される構成であってもよい。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記第１の圧力に到達する時間は、前記雰囲気の圧力の減圧を開始した後、１秒以上３００秒以下の時間である構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記雰囲気の圧力を前記第１の圧力まで減圧する工程では、前記基板に塗布されたインクのレベリングを促進し、前記雰囲気の圧力を前記第２の圧力まで減圧する工程では、インクに残存する溶媒の蒸発を促進する構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記対向させて配置する工程では、前記整流板は少なくとも前記基板上の前記複数の列バンクと対向する位置に配される構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記整流板は、前記基板の上方において前記基板を覆い、昇降手段により前記基板に対する相対的な高さを変更される構成であってもよい。
【0016】
係る構成により、基板上の列状塗布領域に形成される発光層の膜形状は成膜エリアの周縁部分と中央部分において膜厚が等価な形状とし、列状塗布領域内で発光層の膜厚の均一化が図れる有機ＥＬ表示パネルの製造方法を実現できる。
≪実施の形態≫
＜表示パネル１０の全体構成＞
［概要］
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
≪実施の形態≫
＜表示パネル１０の全体構成＞
［概要］
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
【0017】
図１は、表示パネル１０の模式平面図である。
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ表示素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図１におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、Ｙ方向、厚み方向とする。
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ表示素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図１におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、Ｙ方向、厚み方向とする。
【0018】
図１に示すように、表示パネル１０は、基板１００ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが配された区画領域１０ａ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘａ、１０Ｙａ、区別を要しない場合は１０ａとする）と、区画領域１０ａの周囲に非区画領域１０ｂ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘｂ、１０Ｙｂ、区別を要しない場合は１０ｂとする）とから構成されている。区画領域１０ａの列方向の外周縁は列バンク５２２Ｙの列方向の列端部５２２Ｙｅに相当する。非区画領域１０ｂには、区画領域１０ａを取り囲む矩形状の封止部材３００が形成されている。さらに、区画領域１０ａは、基板中心を含む表示素子配列領域１０ｅと、表示素子配列領域１０ｅの周囲に非発光領域１０ｎｅとから構成されている。表示素子配列領域１０ｅは、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘにより規制される各区画に有機ＥＬ表示素子１００が形成されている領域であり、非発光領域１０ｎｅでは、各区画に有機ＥＬ表示素子１００が形成されていない領域である。また、Ｘ、Ｙ方向における非発光領域１０ｎｅの長さは、隣接する列バンク５２２Ｙと隣接する行バンク１２２Ｘとに囲まれたサブ画素１００ｓｅ領域のＸ、Ｙ方向の長さに対し、それぞれ、２倍以上１０倍以下であることが好ましい。本実施の形態では、Ｘ、Ｙ方向とも４倍とした。
【0019】
＜表示素子配列領域１０ｅの構成＞
図２は、図１におけるＸ０部の拡大平面図である。
表示パネル１０の表示素子配列領域１０ｅには、有機ＥＬ表示素子１００に対応する単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、図２に示すように行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つのサブ画素１００ｓｅが１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。
図２は、図１におけるＸ０部の拡大平面図である。
表示パネル１０の表示素子配列領域１０ｅには、有機ＥＬ表示素子１００に対応する単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、図２に示すように行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つのサブ画素１００ｓｅが１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。
【0020】
また、図２に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。画素電極１１９は、平面視において矩形形状である。行列状に配された画素電極１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、Ｇ、Ｂに対応する。
表示パネル１０では、バンク１２２の形状は、いわゆるライン状の絶縁層形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極１１９の行方向外縁及び外縁間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図２のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数行方向に並設されている。
表示パネル１０では、バンク１２２の形状は、いわゆるライン状の絶縁層形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極１１９の行方向外縁及び外縁間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図２のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数行方向に並設されている。
【0021】
一方、列方向に隣接する２つの画素電極１１９の列方向外縁及び外縁間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図２のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設されている。行バンク１２２Ｘが形成される領域は、画素電極１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
【0022】
隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義したとき、間隙５２２ｚには、自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」とする）が存在し、表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を採る。
【0023】
また、図２に示すように、表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚに沿って列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極１１９とＴＦＴのソースとを接続する接続凹部１１９ｃ（コンタクトホール）があり、画素電極１１９に対して電気接続するための画素電極１１９上のコンタクト領域１１９ｂ（コンタクトウインドウ）が設けられている。
【0024】
また、１つのサブ画素１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列バンク５２２Ｙと行方向に設けられた行バンク１２２Ｘとは直交し、自己発光領域１００ａは列方向において行バンク１２２Ｘと行バンク１２２Ｘの間に位置している。
＜表示パネル１０の各部構成＞
表示パネル１０における有機ＥＬ表示素子１００の構成を図３及び図４の模式断面図を用いて説明する。図３は、図３におけるＹ１－Ｙ１で切断した模式断面図である。図４は、図１におけるＸ１－Ｘ１で切断した模式断面図である。
＜表示パネル１０の各部構成＞
表示パネル１０における有機ＥＬ表示素子１００の構成を図３及び図４の模式断面図を用いて説明する。図３は、図３におけるＹ１－Ｙ１で切断した模式断面図である。図４は、図１におけるＸ１－Ｘ１で切断した模式断面図である。
【0025】
本実施の形態に係る表示パネル１０は、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
［基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）］
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）層（不図示）と、基材上及びＴＦＴ層上に形成された層間絶縁層（不図示）とを有する。
［基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）］
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）層（不図示）と、基材上及びＴＦＴ層上に形成された層間絶縁層（不図示）とを有する。
【0026】
基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
【0027】
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面の少なくともサブ画素１００ｓｅを平坦化するものである。また、層間絶縁層は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面の少なくともサブ画素１００ｓｅを平坦化するものである。また、層間絶縁層は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。
【0028】
ＴＦＴ上部の絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）
や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いることもできる。ＴＦＴの接続電極層としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体を採用することができる。基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用い形成されており、層厚は、例えば、２０００ｎｍ～８０００ｎｍの範囲とすることができる。
や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いることもできる。ＴＦＴの接続電極層としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体を採用することができる。基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用い形成されており、層厚は、例えば、２０００ｎｍ～８０００ｎｍの範囲とすることができる。
【0029】
［画素電極１１９］
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層上には、サブ画素１００ｓｅ単位で画素電極１１９が設けられている。画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。画素電極１１９の形状は、矩形形状をした平板状であり、画素電極１１９は行方向に間隔δＸをあけて、間隙５２２ｚのそれぞれにおいて列方向に間隔δＹをあけて基板１００ｘ上に配されている。また、基板１００ｘの上面に開設されたコンタクトホールを通して、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続凹部１１９ｃとＴＦＴのソースとが接続される。
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層上には、サブ画素１００ｓｅ単位で画素電極１１９が設けられている。画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。画素電極１１９の形状は、矩形形状をした平板状であり、画素電極１１９は行方向に間隔δＸをあけて、間隙５２２ｚのそれぞれにおいて列方向に間隔δＹをあけて基板１００ｘ上に配されている。また、基板１００ｘの上面に開設されたコンタクトホールを通して、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続凹部１１９ｃとＴＦＴのソースとが接続される。
【0030】
画素電極１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の場合には、層厚を最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。画素電極１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、例えば、銀（Ａｇ）またはアルミニウム
（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
【0031】
［ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１］
画素電極１１９上には、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１が順に積層され、ホール輸送層１２１はホール注入層１２０に接触している。ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、画素電極１１９から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。
画素電極１１９上には、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１が順に積層され、ホール輸送層１２１はホール注入層１２０に接触している。ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、画素電極１１９から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。
【0032】
ホール注入層１２０は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物などを用いることができる。
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物などを用いることができる。
【0033】
［バンク１２２］
画素電極１１９、ホール注入層１２０及びホール輸送層１２１の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンク１２２が形成されている。バンク１２２は、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがあり、図２に示すように、列バンク５２２Ｙはバンク１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」とする）。また、列バンク５２２Ｙはバンク１２２Ｘの上面１２２Ｘｂよりも高い位置に上面５２２Ｙｂを有する。
画素電極１１９、ホール注入層１２０及びホール輸送層１２１の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンク１２２が形成されている。バンク１２２は、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがあり、図２に示すように、列バンク５２２Ｙはバンク１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」とする）。また、列バンク５２２Ｙはバンク１２２Ｘの上面１２２Ｘｂよりも高い位置に上面５２２Ｙｂを有する。
【0034】
行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク５２２Ｙを貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上１２２Ｘｂを有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。
【0035】
行バンク１２２Ｘは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。そのため、行バンク１２２Ｘはインクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。係る構成により、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動性を高めサブ画素間のインク塗布量の変動を抑制する。行バンク１２２Ｘにより画素電極１１９は露出することはなく、行バンク１２２Ｘが存在する領域では発光せず輝度には寄与しない。
【0036】
バンク１２２Ｘの厚みの上限膜厚は、２０００ｎｍより厚い場合はインクの濡れ広がりが悪く、１２００ｎｍ以下の場合には、インクの濡れ広がりが更に良化する。また、下限膜厚は、下限膜厚は、１００ｎｍ以上あれば、画素電極１１９端部がバンク１２２で被覆され画素電極１１９と対向電極１２５がショートする事なく一定の歩留りで製造可能となる。２００ｎｍ以上あれば、膜厚バラつきにともなう上記のショート不良が軽減され安定的に製造可能となる。バンク１２２に接続溝部を設ける場合における、溝部の底における膜厚も同様である。
【0037】
したがって、行バンク１２２Ｘの厚み、例えば、１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では、約１０００ｎｍとした。
列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。列バンク５２２Ｙの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を縮幅する台形形状である。
列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。列バンク５２２Ｙの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を縮幅する台形形状である。
【0038】
列バンク５２２Ｙは、行方向における各サブ画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。そのため、列バンク５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。
列バンク５２２Ｙの厚み、例えば、１００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では、約２０００ｎｍとした。
列バンク５２２Ｙの厚み、例えば、１００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では、約２０００ｎｍとした。
【0039】
バンク１２２は、画素電極１１９の外縁と、対向電極１２５との間における厚み方向（Ｚ方向）の電流リークを防止するために、バンク１２２は、体積抵抗率が１×１０6 Ωｃｍ以上の絶縁性を備えていることが必要である。そのために、バンク１２２は、は後述するように所定の絶縁材料からなる構成を採る。
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。
【0040】
または、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
上述のとおり、バンク１２２Ｘは、約１０００ｎｍの層である。ただし、層厚は、これに限定されるものではなく、例えば、１００ｎｍ～２０００ｎｍの範囲とすることができる。また、列バンク５２２Ｙは、約２０００ｎｍの層である。ただし、層厚は、これに限定されるものではなく、例えば、１００ｎｍ～５０００ｎｍの範囲とすることができる。
上述のとおり、バンク１２２Ｘは、約１０００ｎｍの層である。ただし、層厚は、これに限定されるものではなく、例えば、１００ｎｍ～２０００ｎｍの範囲とすることができる。また、列バンク５２２Ｙは、約２０００ｎｍの層である。ただし、層厚は、これに限定されるものではなく、例えば、１００ｎｍ～５０００ｎｍの範囲とすることができる。
【0041】
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、列バンク５２２Ｙの形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、列バンク５２２Ｙの表面に撥水性を低くするために、列バンク５２２Ｙに紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、列バンク５２２Ｙの形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、列バンク５２２Ｙの表面に撥水性を低くするために、列バンク５２２Ｙに紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
【0042】
［発光層１２３］
表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚには、発光層１２３が列方向に延伸して形成されている。自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３が形成されている。
表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚには、発光層１２３が列方向に延伸して形成されている。自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３が形成されている。
【0043】
発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合すること
で光を発する機能を有する。
発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
で光を発する機能を有する。
発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
【0044】
発光層１２３のうち行バンク１２２Ｘの側面及び上面１２２Ｘｂ上方にある部分１１９ｂは発光せず、この部分は非自己発光領域１００ｂとなる。発光層１２３は、自己発光領域１００ａにおいてはホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行バンク１２２Ｘの上面及び側面上に位置する。
なお、図８に示すように、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
なお、図８に示すように、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
【0045】
発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５－１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５－１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【0046】
［電子輸送層１２４］
バンク１２２上及びバンク１２２により規定された開口内には、発光層１２３の上に電子輸送層１２４が形成されている。また、本例では、発光層１２３から露出する各列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂ上にも配されていている。電子輸送層１２４は、対向電極１２５から注入された電子を発光層１２３へ輸送する機能を有する。電子輸送層１２４は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
バンク１２２上及びバンク１２２により規定された開口内には、発光層１２３の上に電子輸送層１２４が形成されている。また、本例では、発光層１２３から露出する各列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂ上にも配されていている。電子輸送層１２４は、対向電極１２５から注入された電子を発光層１２３へ輸送する機能を有する。電子輸送層１２４は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
【0047】
［対向電極１２５］
電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極１２５が積層形成されている。対向電極１２５については、表示パネル１０全体に連続した状態で形成され、ピクセル単位あるいは数ピクセル単位でバスバー配線に接続されていてもよい（図示を省略）。対向電極１２５は、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光
層１２３へ電子を供給する。対向電極１２５は、電子輸送層１２４の表面に沿って形成され、各発光層１２３に共通の電極となっている。対向電極１２５は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。
電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極１２５が積層形成されている。対向電極１２５については、表示パネル１０全体に連続した状態で形成され、ピクセル単位あるいは数ピクセル単位でバスバー配線に接続されていてもよい（図示を省略）。対向電極１２５は、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光
層１２３へ電子を供給する。対向電極１２５は、電子輸送層１２４の表面に沿って形成され、各発光層１２３に共通の電極となっている。対向電極１２５は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。
【0048】
［封止層１２６］
対向電極１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、対向電極１２５の上面を覆うように表示パネル１０全面に渡って設けられている。封止層１２６は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
対向電極１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、対向電極１２５の上面を覆うように表示パネル１０全面に渡って設けられている。封止層１２６は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【0049】
［接合層１２７］
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたＣＦ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとＣＦ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。接合層１２７の材料は、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたＣＦ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとＣＦ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。接合層１２７の材料は、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
【0050】
［上部基板１３０］
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたＣＦ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。透光性材料としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を採用することができる。
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたＣＦ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。透光性材料としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を採用することができる。
【0051】
［カラーフィルタ層１２８］
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、Ｇ、Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１２８は、具体的には、例えば、複数の開口部を画素単位に行列状に形成されたカラーフィルタ形成用のカバーガラスからなる上部基板１３０に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、Ｇ、Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１２８は、具体的には、例えば、複数の開口部を画素単位に行列状に形成されたカラーフィルタ形成用のカバーガラスからなる上部基板１３０に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。
【0052】
＜インク乾燥装置＞
［全体構成］
次に、表示パネル１０の製造方法に用いるインク乾燥装置の構成について説明する。図５は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法に用いるインク乾燥装置９００の模式断面図である。
［全体構成］
次に、表示パネル１０の製造方法に用いるインク乾燥装置の構成について説明する。図５は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法に用いるインク乾燥装置９００の模式断面図である。
【0053】
インク乾燥装置９００は、後述するインク乾燥工程において、基板１００ｘ上の列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚ内に充填された有機発光材料を含むインクを減圧下で乾燥させベーク処理することによって、発光層１２３を形成するための製造装置である。
図５に示すように、インク乾燥装置９００は、列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚ内に有機発光材料を含むインクが塗布された基板１００ｘを収容するチャンバ５００と、チャンバ５００内において基板１００ｘが載置される支持台７００を備える。さらに、基板１００ｘ上の列バンク５２２Ｙから所定距離だけ離間した状態で基板１００ｘに対し対向配置される整流板４００と、整流板４００を列バンク５２２Ｙから所定距離だけ離間させて基板１００ｘに対向させるとともに、整流板４００又は／及び基板１００ｘを昇降させて前記基板に対する整流板４００の相対的な高さを変更するする昇降手段８００とを備える。また、チャンバ５００に接続されチャンバ５００から気体を吸引してチャンバ５００外へ排気する真空ポンプ６００、支持台７００上の基板１００ｘを加熱するヒータ（不図示）とを備える。ヒータは、支持台７００に設置されたホットプレート、チャンバ５００内を加熱するオーブンを用いることができる。
図５に示すように、インク乾燥装置９００は、列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚ内に有機発光材料を含むインクが塗布された基板１００ｘを収容するチャンバ５００と、チャンバ５００内において基板１００ｘが載置される支持台７００を備える。さらに、基板１００ｘ上の列バンク５２２Ｙから所定距離だけ離間した状態で基板１００ｘに対し対向配置される整流板４００と、整流板４００を列バンク５２２Ｙから所定距離だけ離間させて基板１００ｘに対向させるとともに、整流板４００又は／及び基板１００ｘを昇降させて前記基板に対する整流板４００の相対的な高さを変更するする昇降手段８００とを備える。また、チャンバ５００に接続されチャンバ５００から気体を吸引してチャンバ５００外へ排気する真空ポンプ６００、支持台７００上の基板１００ｘを加熱するヒータ（不図示）とを備える。ヒータは、支持台７００に設置されたホットプレート、チャンバ５００内を加熱するオーブンを用いることができる。
【0054】
支持台７００は、耐熱性に優れた金属、又はセラミックの板からなる。支持台７００は、搬送手段（不図示）により、チャンバ５００の内と外との間を双方向に移動可能に構成されている。
整流板４００は、耐溶剤性を有するステンレス、アルミ、銅、鉄等の金属、又はセラミックの板からなる。
整流板４００は、耐溶剤性を有するステンレス、アルミ、銅、鉄等の金属、又はセラミックの板からなる。
【0055】
図６は、インク乾燥装置９００における整流板４００と基板１００ｘとの位置関係を示す模式図であって、（ａ）は斜視図、（ｂ）は整流板４００を透視して示した基板１００ｘの平面図である。図６に示すように、整流板４００は、Ｘ方向、Ｙ方向ともに、基板１００ｘ上の少なくとも区画領域１０ａよりも大きい。また、基板１００ｘに対し対向して配置された状態において、整流板４００が被覆する領域４００ａＡｒｅａに、基板１００ｘ上の少なくとも区画領域１０ａは含まれる。例えば、図６（ｂ）に示すように、領域４００ａAreaに基板１００ｘが含まれていている構成としてもよい。
【0056】
整流板４００は、昇降手段８００により支持台７００の上方をＺ方向に双方向に移動可能に構成されている。昇降手段８００は、間隙調整手段８０１（例えば、ボールねじ等）、駆動手段８０２（例えばモータ等）、制御手段８０３から構成される。間隙調整手段８０１は、整流板４００を保持することにより支持台７００と整流板４００との間隙を所定距離に規制するとともに、制御手段８０３からの電気信号に基づき駆動手段８０２により作動して、整流板４００を上下に移動させる。
【0057】
図７（ａ）（ｂ）は、インク乾燥装置９００における昇降手段８００の動作を示す模式断面図である。基板１００ｘに対し対向して配置された状態において、図７（ａ）に示す整流板４００と基板１００ｘとを近接させた状態では、整流板４００と基板１００ｘ上面との間の第１の距離Ｙ１は、２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、図７（ｂ）に示す整流板４００と基板１００ｘとを離した状態では、整流板４００と基板１００ｘ上面との間の第１の距離Ｙ２は、３０ｍｍ以上７０ｍｍ以下であることが好ましい。
【0058】
チャンバ５００内における真空ポンプ６００への排気路への開口５００ａは支持台７００の下方に位置することが好ましい。図５に示すように、支持台７００と整流板４００とを包むように気流を形成することができ、ＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが配された区画領域１０ａ内において整流板４００側方に溶媒の蒸気Ａｉｒ１を放出することができる。
【0059】
インク乾燥装置９００を用いた後述するインク乾燥工程では、形成される発光層１２３の膜形状も同様に、成膜エリアの周縁部分と中央部分において膜厚が等価な形状になる。すなわち、基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布に伴う溶媒蒸発速度のアンバランスに起因する膜厚変動を抑制するとともに、後述するように、基板上の列状塗布領域内に有機発光材料を含むインクを塗布して製造する際に、列状塗布領域内でインク表面張力のアンバランスの起因するインク対流の影響、インク吐出力後の吐出量バラツキのレベリング不足、基板と整流板との間の空間内の蒸気流の乱れ、蒸発速度の低下に伴う膜の断面形状の変化といった膜厚変動の要因を緩和することができる。
【0060】
その結果、係るインク乾燥工程を含む表示パネル１０の製造方法では、非表示パネル１０の成膜エリアの周縁部分と中央部分において発光層１２３の膜厚の不均一性に起因して生じる輝度ムラを改善することができる。
＜表示パネル１０の製造方法＞
次に、表示パネル１０の製造方法について説明する。図８は、表示パネル１０の製造工程を示す工程図である。図９（ａ）～（ｄ）、図１４（ａ）（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるにおけるＹ１－Ｙ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
＜表示パネル１０の製造方法＞
次に、表示パネル１０の製造方法について説明する。図８は、表示パネル１０の製造工程を示す工程図である。図９（ａ）～（ｄ）、図１４（ａ）（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるにおけるＹ１－Ｙ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【0061】
［画素電極１１９の形成］
先ず、図８、図９（ａ）に示すように、層間絶縁層までが形成されたＴＦＴ基板１００ｘ０を準備する。層間絶縁層にコンタクト孔を開設し、画素電極１１９を形成する（ステップＳ１０）。
画素電極１１９の形成は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いパターニングすることでなされる。なお、画素電極１１９は、ＴＦＴの電極と電気的に接続された状態となる。
先ず、図８、図９（ａ）に示すように、層間絶縁層までが形成されたＴＦＴ基板１００ｘ０を準備する。層間絶縁層にコンタクト孔を開設し、画素電極１１９を形成する（ステップＳ１０）。
画素電極１１９の形成は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いパターニングすることでなされる。なお、画素電極１１９は、ＴＦＴの電極と電気的に接続された状態となる。
【0062】
［ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１の形成］
次に、図９（ｂ）に示すように、画素電極１１９上に対して、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１を形成する（ステップＳ２０、３０）。ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、スパッタリング法を用い酸化金属（例えば、酸化タングステン）からなる膜を形成、あるいは、スパッタリング法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を堆積し、焼成によって酸化して形成される。その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
次に、図９（ｂ）に示すように、画素電極１１９上に対して、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１を形成する（ステップＳ２０、３０）。ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、スパッタリング法を用い酸化金属（例えば、酸化タングステン）からなる膜を形成、あるいは、スパッタリング法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を堆積し、焼成によって酸化して形成される。その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
【0063】
［バンク１２２の形成］
図９（ｂ）に示すように、ホール輸送層１２１の縁部を覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し（ステップＳ４０）、その後、各画素を規定する間隙５２２ｚを形成するように列バンク５２２Ｙを形成し（ステップＳ５０）、間隙５２２ｚ内の行バンク１２２Ｘと行バンク１２２Ｘとの間にホール輸送層１２１の表面が露出するように設けられる。
図９（ｂ）に示すように、ホール輸送層１２１の縁部を覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し（ステップＳ４０）、その後、各画素を規定する間隙５２２ｚを形成するように列バンク５２２Ｙを形成し（ステップＳ５０）、間隙５２２ｚ内の行バンク１２２Ｘと行バンク１２２Ｘとの間にホール輸送層１２１の表面が露出するように設けられる。
【0064】
バンク１２２の形成は、先ず、ホール輸送層１２１上に、バンク１２２の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを順に形成する。行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。
【0065】
バンク１２２Ｘの形成工程では、先ず、スピンコート法などを用い、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。次に、感光性樹脂を現像によってバンク１２２Ｘをパターニングした絶縁層を形成する。一般にはポジ型と呼ばれるフォトレジストが使用される。ポジ型は露光された部分が現像によって除去される。露光されないマスクパターンの部分は、現像されずバンク１２２が約５００ｎｍ程度の厚みで残存する。
【0066】
列バンク５２２Ｙの形成は、先ず、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する。間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することによりなされる。列バンク５２２Ｙは、列方向に延設され、行方向に間隙５２２ｚを介して並設される。
【0067】
また、列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて、形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するため、列バンク５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。他方、行バンク１２２Ｘは、発光層１２３のインクの列方向への流動を制御するために、行バンク１２２Ｘはインクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。
【0068】
列バンク５２２Ｙの表面に撥水性をもたせるために、列バンク５２２Ｙの表面をＣＦ４プラズマ処理することもできる。また、列バンク５２２Ｙの形成にフッ素を含有した材料、もしくはフッ素を含有した材料を混合した組成物を用いてもよい。
［発光層１２３の形成］
図９（ｃ）に示すように、列バンク５２２Ｙで規定された各間隙５２２ｚ内に、ホール輸送層１２１側から順に、発光層１２３を積層形成する（ステップＳ６０）。
［発光層１２３の形成］
図９（ｃ）に示すように、列バンク５２２Ｙで規定された各間隙５２２ｚ内に、ホール輸送層１２１側から順に、発光層１２３を積層形成する（ステップＳ６０）。
【0069】
発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、有機発光材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布（ステップＳ６１）した後、焼成によりインクを乾燥する（ステップＳ６２）ことによりなされる。本明細書では、基板１００ｚの列方向に延伸した長尺状の間隙５２２ｚを列状塗布領域と定義する。
具体的には、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する（図９（ｃ））。
具体的には、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する（図９（ｃ））。
【0070】
（インク塗布方法（ステップＳ６０）について）
発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。
発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。
【0071】
次に、インクジェット法を用いて、発光層１２３のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法の詳細について説明する。図１０は、基板に対して発光層形成用のインクを塗布する工程を示す図であって、列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに一様に塗布する場合の模式図である。
発光層１２３の形成時には、発光層１２３を形成するための溶液であるインクを用いて、赤色副画素用の間隙５２２ｚＲ内に発光層１２３Ｒ、緑色副画素用の間隙５２２ｚＧ内に発光層１２３Ｇ、及び青色副画素用の間隙５２２ｚＢ内に発光層１２３Ｂを、複数のラインバンク間の各領域に形成する。発光層１２３Ｒと、発光層１２３Ｇ又は発光層１２３Ｂとは厚みが異なる。具体的には、間隙５２２ｚＲ内に塗布するインクの量を、間隙５２２ｚＢ及び間隙５２２ｚＧ内に塗布するインクの量よりも多くすることにより、発光層１２３Ｒの厚みを、発光層１２３Ｂ及び発光層１２３Ｇの厚みよりも大きく形成することができる。
発光層１２３の形成時には、発光層１２３を形成するための溶液であるインクを用いて、赤色副画素用の間隙５２２ｚＲ内に発光層１２３Ｒ、緑色副画素用の間隙５２２ｚＧ内に発光層１２３Ｇ、及び青色副画素用の間隙５２２ｚＢ内に発光層１２３Ｂを、複数のラインバンク間の各領域に形成する。発光層１２３Ｒと、発光層１２３Ｇ又は発光層１２３Ｂとは厚みが異なる。具体的には、間隙５２２ｚＲ内に塗布するインクの量を、間隙５２２ｚＢ及び間隙５２２ｚＧ内に塗布するインクの量よりも多くすることにより、発光層１２３Ｒの厚みを、発光層１２３Ｂ及び発光層１２３Ｇの厚みよりも大きく形成することができる。
【0072】
説明を簡略にするため、ここでは、ノズルから吐出するインクの量を第１の条件に設定して基板上の複数の第１色目の間隙にインクを塗布し、次に、ノズルから吐出するインクの量を第２の条件に設定してその基板上の複数の第２色目の間隙にインクを塗布し、次にノズルから吐出するインクの量を第３の条件に設定してその基板上の複数の第３色目の間隙にインクを塗布する方法で、３色全部の間隙にインクを順次塗布する。基板１００ｘに対して第１色目の間隙へのインクの塗布が終わると、次に、その基板の第２色目の間隙にインクを塗布し、さらに、その基板の第３色目の間隙にインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色の間隙用のインクを順次塗布する。
【0073】
上記において、複数の基板に対して第１色目の間隙へのインクの塗布が終わると、次に、その複数の基板に第２色目の間隙にインクを塗布し、次にその複数の基板の第３色目の間隙にインクを塗布する工程を繰り返し行って、３色の間隙用のインクを順次塗布してもよい。
他方、ノズルから吐出するインクの量を第１の条件に設定して１枚の基板上の第１色目の間隙にインクを塗布した後、インクの量を第２の条件に変更して隣接する第２色目の間隙にインクを塗布し、さらに、インクの量を第３の条件に変更して隣接する第３色目の間隙にインクを塗布し、インクの量を第１の条件に戻して隣接する第１色目の間隙にインクを塗布し、この動作を繰り返して１枚の基板上の３色の間隙全部にインクを連続して塗布してもよい。
他方、ノズルから吐出するインクの量を第１の条件に設定して１枚の基板上の第１色目の間隙にインクを塗布した後、インクの量を第２の条件に変更して隣接する第２色目の間隙にインクを塗布し、さらに、インクの量を第３の条件に変更して隣接する第３色目の間隙にインクを塗布し、インクの量を第１の条件に戻して隣接する第１色目の間隙にインクを塗布し、この動作を繰り返して１枚の基板上の３色の間隙全部にインクを連続して塗布してもよい。
【0074】
（列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに一様に塗布する方法）
次に、１色の間隙中にインク（例えば、赤色間隙用のインク）を塗布する方法について説明する。
発光層１２３は、発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらや寿命低下が改善される。
次に、１色の間隙中にインク（例えば、赤色間隙用のインク）を塗布する方法について説明する。
発光層１２３は、発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらや寿命低下が改善される。
【0075】
本塗布方法では、図１０に示すように、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の作業テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数の吐出口６２４ｄ１がライン状に配置されたインクジェットヘッド６２２をＸ方向に走査しながら、各吐出口６２４ｄ１から列バンク５２２Ｙ同士の間隙５２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクを着弾させることによって行う。
【0076】
なお、同一の塗布量にて発光層１２３のインクを塗布する領域は、ｘ方向に隣接して並
ぶ３つの領域の中の１つである。
発光層１２３の形成方法はこれに限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。
ぶ３つの領域の中の１つである。
発光層１２３の形成方法はこれに限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。
【0077】
（インク乾燥方法（ステップＳ６２）について）
塗布したインクを焼成により乾燥するインク乾燥工程について説明する。図１１は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法において、インク乾燥工程の詳細を示す工程図である。
ステップＳ６２０では、列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚ内に有機発光材料を含むインクが塗布された基板１００ｘを支持台７００に載置し、支持台７００を搬送手段（不図示）により、チャンバ５００の内に移動させて、基板１００ｘをチャンバ５００内に収容する。
塗布したインクを焼成により乾燥するインク乾燥工程について説明する。図１１は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法において、インク乾燥工程の詳細を示す工程図である。
ステップＳ６２０では、列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚ内に有機発光材料を含むインクが塗布された基板１００ｘを支持台７００に載置し、支持台７００を搬送手段（不図示）により、チャンバ５００の内に移動させて、基板１００ｘをチャンバ５００内に収容する。
【0078】
ステップＳ６２１では、チャンバ５００内において、整流板４００を昇降手段８００により上方から下方に移動させ、支持台７００と整流板４００との間隙を調整し、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を、２ｍｍ以上１０ｍｍ以下である第１の距離Ｙ１に規制する。あるいは、第１の距離Ｙ１の基板１００ｘの複数の列バンク５２２Ｙを含む範囲の幅に対する比率は、５／２０００以上５／１００以下としてもよい。このとき、整流板４００の昇降は、制御手段８０３からの電気信号に基づき駆動手段８０２により支持台７００の外周近傍に複数設けられた間隙調整手段８０１を作動させて行う。
【0079】
図１２は、インク乾燥工程におけるチャンバ内圧力の時間変化を示す図である。図１２に示すように、本実施の形態では、チャンバ５００内の圧力を、約１００ｋＰａから約１分で約１０Ｐａまで１／１００００に減圧し、２分から３分の間の時間で１Ｐａ以下まで１／１０００００に減圧し、その後、Ｔ2以後の時間において０．１Ｐａ以下の圧力まで減圧する。
【0080】
次に、ステップＳ６２２において、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を第１の距離Ｙ１に規制した状態において、真空ポンプ６００を駆動して図１２に示される減圧プロファイルに従って減圧し、時間Ｔｉｎｉにおいて、チャンバ５００内の圧力を大気圧から１×１０4Ｐａ以上５×１０4Ｐａ以下、より好ましくは２×１０4Ｐａ以上３×１０4Ｐａ以下である第１の圧力Ｐ１まで減圧する。時間Ｔｉｎｉは、チャンバ５００内の圧力の減圧を開始した後、例えば、１秒以上３００秒以下の時間である。
【0081】
この状態では、基板１００ｘと整流板４００との間の空間において、基板１００ｘ上の区画領域１０ａから蒸発したインクの溶媒の蒸気が、基板１００ｘの平面方向に移動することが抑制される。すなわち、区画領域１０ａから蒸発したインクの溶媒の蒸気（図５におけるＡｉｒ１）は、基板１００ｘと整流板４００との間の高さＹ１の空間に押し込められた状態となり空間内の蒸気圧は増加する。そのため、基板１００ｘと整流板４００による流路抵抗は増加し、溶媒の蒸気Ａｉｒ２は基板１００ｘと整流板４００との間の空間内に留まり、整流板４００側方からは微量の蒸気が放出される（図５におけるＦｌ１）。その結果、チャンバ５００内の圧力を第１の圧力まで減圧する工程では、整流板４００と基板１００ｘ上の列バンク５２２Ｙとの間隙内雰囲気中のインク溶媒の蒸気Ａｉｒ１の蒸気濃度を高い状態に保持して、基板１００ｘ上に溶剤蒸気の飽和域をつくりあげ、基板１００ｘ上の区画領域１０ａからインクの溶媒の蒸発を抑制される。そして、所定時間Ｔｉｎｉの間に基板１００ｘの間隙５２２ｚ内のインクの列方向への移動が許容されるので、間隙５２２ｚ内のインクは列方向に移動して膜厚バラツキが所定時間内にレべリングが促進される。
【0082】
次に、ステップＳ６２３では、チャンバ５００内の圧力が第１の圧力Ｐ１に達した後、整流板４００を基板１００ｘ上面から第１の距離よりも大きい第２の距離だけ離間させた状態とする。第２の距離は、例えば、３０ｍｍ以上７０ｍｍ以下とすることが好ましい。
そして、ステップＳ６２４では、整流板４００を基板１００ｘ上面から第１の距離よりも大きい第２の距離だけ離間させた状態にてチャンバ５００内の圧力を第１の圧力より低い第２の圧力Ｐ２以下の圧力まで減圧する。
そして、ステップＳ６２４では、整流板４００を基板１００ｘ上面から第１の距離よりも大きい第２の距離だけ離間させた状態にてチャンバ５００内の圧力を第１の圧力より低い第２の圧力Ｐ２以下の圧力まで減圧する。
【0083】
この状態では、支持台７００と整流板４００が位置するチャンバ５００内から外への気流Ｆｌ２が発生する（図５におけるＦｌ２）。このとき、基板１００ｘと整流板４００との間の高さＹ２の空間において、基板１００ｘ上の区画領域１０ａから蒸発したインクの溶媒の蒸気が、基板１００ｘの平面方向に移動することが促進される。すなわち、区画領域１０ａから蒸発したインクの溶媒の蒸気（図５におけるＡｉｒ２）は、基板１００ｘと整流板４００との間の高さＹ２の空間内に解放され空間内の蒸気圧は減少する。そのため、基板１００ｘと整流板４００による流路抵抗は減少するので、気流Ｆｌ２に吸引されて、基板１００ｘに塗布されたインクから蒸発した溶媒の蒸気Ａｉｒ２は基板１００ｘと整流板４００との間の空間から整流板４００側方に放出され、気流Ｆｌ２によりチャンバ５００外へ放出される。その結果、チャンバ５００内の圧力を第２の圧力まで減圧する工程では、インクに残存する溶媒の蒸発が促進される。
【0084】
図１２に示す減圧過程では、主に開始から、２分から３分までの時間において、図５に示すように、支持台７００と整流板４００が位置するチャンバ５００内から外への気流が発生する。同様に基板１００ｘに塗布されたインクから蒸発した溶媒蒸気も、主に開始から、２分から３分までの時間の時間帯において、基板１００ｘと整流板４００との間隙からチャンバ５００外へ放出される。
【0085】
次に、チャンバ５００内の圧力が第２の圧力Ｐ２以下の圧力に達した後、第２の圧力Ｐ２以下の圧力を維持し充填したインクに含まれる溶媒を蒸発してインクを乾燥させる。その後、基板１００ｘにベーク処理を施すことによって、発光層１２３を形成する（ステップＳ６２５）。ベーク処理は、所定条件の焼成工程（加熱温度約１５０℃、加熱時間約６０分の条件で真空焼成する工程）により行う。
【0086】
焼成工程が終了すると、チャンバ５００内に気体を導入し（ステップＳ６２６）、整流板４００を昇降手段（不図示）により上方に移動して基板１００ｘから退避させて、支持台７００を駆動手段（不図示）により、チャンバ５００の外に移動させて、発光層１２３
が形成された基板１００ｘをチャンバ５００外に搬出し（ステップＳ６２７）、インク乾燥工程を終了する。
が形成された基板１００ｘをチャンバ５００外に搬出し（ステップＳ６２７）、インク乾燥工程を終了する。
【0087】
［電子輸送層１２４、対向電極１２５および封止層１２６の形成］
図９（ｄ）に示すように、間隙５２２ｚ内、及び列バンク５２２Ｙ上にベタ膜として真空蒸着法などを用い電子輸送層１２４を形成する（ステップＳ７０）。間隙５２２ｚ内、及び列バンク５２２Ｙ上にベタ膜として電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極１２５および封止層１２６を順に積層形成する（ステップＳ８０、Ｓ９０）。対向電極１２５および封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
図９（ｄ）に示すように、間隙５２２ｚ内、及び列バンク５２２Ｙ上にベタ膜として真空蒸着法などを用い電子輸送層１２４を形成する（ステップＳ７０）。間隙５２２ｚ内、及び列バンク５２２Ｙ上にベタ膜として電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極１２５および封止層１２６を順に積層形成する（ステップＳ８０、Ｓ９０）。対向電極１２５および封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
【0088】
［ＣＦ基板１３１の形成］
次に、ＣＦ基板１３１を形成する（ステップＳ１００）。図１３（ａ）～（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるＣＦ基板１３１製造の各工程での状態を示す模式断面図である。
ＣＦ基板１３１の形成では、先ず、透明な上部基板１３０を準備する（図１３（ａ））。次に、上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料を溶媒に分散させ、ペースト１２８Ｘを塗布し（図１３（ｂ））、溶媒を一定除去した後、所定のパターンマスクＰＭ２を載置し、紫外線照射を行う（図１３（ｃ））。その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ２及び未硬化のペースト１２８Ｘを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８（Ｇ）が形成される（図１３（ｄ））。この図１３（ｂ）、（ｄ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する。なお、ペースト１２７Ｘを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。
次に、ＣＦ基板１３１を形成する（ステップＳ１００）。図１３（ａ）～（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるＣＦ基板１３１製造の各工程での状態を示す模式断面図である。
ＣＦ基板１３１の形成では、先ず、透明な上部基板１３０を準備する（図１３（ａ））。次に、上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料を溶媒に分散させ、ペースト１２８Ｘを塗布し（図１３（ｂ））、溶媒を一定除去した後、所定のパターンマスクＰＭ２を載置し、紫外線照射を行う（図１３（ｃ））。その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ２及び未硬化のペースト１２８Ｘを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８（Ｇ）が形成される（図１３（ｄ））。この図１３（ｂ）、（ｄ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する。なお、ペースト１２７Ｘを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。
【0089】
［ＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ］
次に、ＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせる（ステップＳ１１０）。
工程では、先ず、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１４（ａ））。
次に、ＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせる（ステップＳ１１０）。
工程では、先ず、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１４（ａ））。
【0090】
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとＣＦ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１４（ｂ））。
＜表示パネル１０の製造方法による効果について＞
以下、表示パネル１０の製造方法から得られる効果について説明する。
＜表示パネル１０の製造方法による効果について＞
以下、表示パネル１０の製造方法から得られる効果について説明する。
【0091】
［膜厚測定結果］
発明者は、表示パネル１０における発光層１２３の膜厚の分布を測定した。図１５は、表示パネル１０の実施例、比較例１、２における膜厚の測定位置を示す模式平面図である。本試験では、表示パネルにおける区画領域１０ａのＸ方向中心線上における基板１００ｘ上の発光層１２３の膜厚の分布を、列バンク５２２Ｙの列方向列端部５２２Ｙｅから列端部５２２Ｙｅまで測定した。
発明者は、表示パネル１０における発光層１２３の膜厚の分布を測定した。図１５は、表示パネル１０の実施例、比較例１、２における膜厚の測定位置を示す模式平面図である。本試験では、表示パネルにおける区画領域１０ａのＸ方向中心線上における基板１００ｘ上の発光層１２３の膜厚の分布を、列バンク５２２Ｙの列方向列端部５２２Ｙｅから列端部５２２Ｙｅまで測定した。
【0092】
（１）供試サンプル
次に、実施例、比較例１から３の仕様について説明する。
実施例は、インク乾燥工程において、実施例に係るインク乾燥装置９００を用いる製造方法により製造した表示パネル１０の膜厚測定結果である。実施例では、第１の圧力は３×１０4Ｐａ、第１の距離は５ｍｍ、第２の距離は５０ｍｍ、第２の圧力は１×１０-1Ｐａとした。
次に、実施例、比較例１から３の仕様について説明する。
実施例は、インク乾燥工程において、実施例に係るインク乾燥装置９００を用いる製造方法により製造した表示パネル１０の膜厚測定結果である。実施例では、第１の圧力は３×１０4Ｐａ、第１の距離は５ｍｍ、第２の距離は５０ｍｍ、第２の圧力は１×１０-1Ｐａとした。
【0093】
比較例１は、インク乾燥工程において、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を５０ｍｍに固定した比較例１に係るインク乾燥装置を用いて製造した表示パネルの膜厚測定結果である。
比較例２は、インク乾燥工程において、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を５ｍｍに固定した比較例１に係るインク乾燥装置を用いて製造した表示パネルの膜厚測定結果である。
比較例２は、インク乾燥工程において、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を５ｍｍに固定した比較例１に係るインク乾燥装置を用いて製造した表示パネルの膜厚測定結果である。
【0094】
なお、比較例１、２において、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を除く他の条件は実施例に係る条件と同じである。
（２）測定結果
図１６は、表示パネル１０の実施例及び比較例１、２における膜厚の測定結果である。
比較例１では、列バンク５２２Ｙの上端部（０ｍｍ位置）（図１６におけるＰｌ１）にて、上端部から約２０ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１０ｎｍ減少した。
（２）測定結果
図１６は、表示パネル１０の実施例及び比較例１、２における膜厚の測定結果である。
比較例１では、列バンク５２２Ｙの上端部（０ｍｍ位置）（図１６におけるＰｌ１）にて、上端部から約２０ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１０ｎｍ減少した。
【0095】
また、下端部（２７０ｍｍ位置）（図１６におけるＰｌ２）にて、下端部から約２０ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１３ｎｍ減少した。
比較例２では、比較例１のような、列バンク５２２Ｙの上端部（０ｍｍ位置）、下端部（２７０ｍｍ位置）における膜厚の降下は観測されなかった。
しかしながら、列バンク５２２Ｙの上端部から約１０ｍｍの位置（図１６におけるＷａｖ１）にて、上端部から約３０ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１５ｎｍ減少した凹部が観測された。
比較例２では、比較例１のような、列バンク５２２Ｙの上端部（０ｍｍ位置）、下端部（２７０ｍｍ位置）における膜厚の降下は観測されなかった。
しかしながら、列バンク５２２Ｙの上端部から約１０ｍｍの位置（図１６におけるＷａｖ１）にて、上端部から約３０ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１５ｎｍ減少した凹部が観測された。
【0096】
また、下端部から約１０ｍｍの位置（図１６におけるＷａｖ２）にて、下端部から約３０ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１３ｎｍ減少した凹部が観測された。
また、上端部から約３０ｍｍの位置よりも内方（図１６におけるＷａｖ３）では、約６５ｍｍ周期で最大４ｎｍ程度の振幅の凹凸（波打ち）が観測された。
これに対し、表示パネル１０の実施例では、列バンク５２２Ｙの上端部（０ｍｍ位置）及び下端部（２７０ｍｍ位置）における膜厚の変動は４ｎｍ以内という結果になった。
また、上端部から約３０ｍｍの位置よりも内方（図１６におけるＷａｖ３）では、約６５ｍｍ周期で最大４ｎｍ程度の振幅の凹凸（波打ち）が観測された。
これに対し、表示パネル１０の実施例では、列バンク５２２Ｙの上端部（０ｍｍ位置）及び下端部（２７０ｍｍ位置）における膜厚の変動は４ｎｍ以内という結果になった。
【0097】
以上の結果より、表示パネル１０の実施例では、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を５ｍｍ、５０ｍｍに固定したインク乾燥装置を用いた比較例１、２に対して隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ＹＺに沿った列状塗布領域内で機能層の膜厚の均一性が向上することが確認された。
［膜厚測定結果について］
以下、表示パネル１０の実施例及び比較例１、２から得られた発光層１２３の膜厚測定結果について考察する。
［膜厚測定結果について］
以下、表示パネル１０の実施例及び比較例１、２から得られた発光層１２３の膜厚測定結果について考察する。
【0098】
（比較例１）
（１）基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布による膜厚変動
発明者は、基板上にインクを充填し乾燥する方法で機能層を形成するウエットプロセスに於いて、基板上の表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分での乾燥速度差による成膜形状にばらつきについて検討を行った。
（１）基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布による膜厚変動
発明者は、基板上にインクを充填し乾燥する方法で機能層を形成するウエットプロセスに於いて、基板上の表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分での乾燥速度差による成膜形状にばらつきについて検討を行った。
【0099】
図１７（ａ）は、比較例１に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との蒸気圧分布を示す模式図、（ｂ）は、比較例１に係る蒸気圧分布の影響による表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との間の成膜形状の違いを示す説明図である。図１７（ａ）において、１００ｘは基板、５２２Ｙは基板１００ｘに配設される列バンク、隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚを規定する。１２２Ｘは間隙５２２ｚに列バンク５２２Ｙに垂直に配設される行バンクであって、１２３は発光層を形成するために間隙５２２ｚに充填されたインクである。
【0100】
上述のとおり、比較例１では、表示領域の中央部分Ａ１のサブ画素では、区画領域１０ａの外周付近に位置する表示領域の周縁部分Ｂ１及びＣ１のサブ画素に比べ、発光層１２３は側壁近傍が薄膜化し画素中央が厚膜化するという結果になった。
その理由は以下のとおりである。すなわち、図１７（ａ）に示すように、インク乾燥工程において整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を５０ｍｍに固定した比較例１では、区画領域１０ａの外周付近に位置する表示領域の周縁部分Ｂ１又はＣ１のサブ画素では、表示領域の中央部分Ａ１のサブ画素に比べ、インクの溶媒の蒸気濃度が相対的に低く乾燥が速い。そのため、図１７（ｂ）に示すように、蒸気圧分布の影響により、乾燥の遅い中央部分Ａ１では、溶媒が蒸発する過程で、発光層１２３インクを構成する固形成分が沈降し間隙５２２ｚの底部に移動する量が多く、底部の膜厚ｔ２が基準膜厚ｔ０に比べて増加する。他方、乾燥の早い周縁部分Ｂ１又はＣ１では、蒸気圧分布の影響により、溶媒が蒸発する過程で、発光層１２３インクを構成する固形成分が沈降して間隙５２２ｚの底部に移動する量は少なく、底部の膜厚ｔ１は基準膜厚ｔ０に比べて薄くなる。
その理由は以下のとおりである。すなわち、図１７（ａ）に示すように、インク乾燥工程において整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を５０ｍｍに固定した比較例１では、区画領域１０ａの外周付近に位置する表示領域の周縁部分Ｂ１又はＣ１のサブ画素では、表示領域の中央部分Ａ１のサブ画素に比べ、インクの溶媒の蒸気濃度が相対的に低く乾燥が速い。そのため、図１７（ｂ）に示すように、蒸気圧分布の影響により、乾燥の遅い中央部分Ａ１では、溶媒が蒸発する過程で、発光層１２３インクを構成する固形成分が沈降し間隙５２２ｚの底部に移動する量が多く、底部の膜厚ｔ２が基準膜厚ｔ０に比べて増加する。他方、乾燥の早い周縁部分Ｂ１又はＣ１では、蒸気圧分布の影響により、溶媒が蒸発する過程で、発光層１２３インクを構成する固形成分が沈降して間隙５２２ｚの底部に移動する量は少なく、底部の膜厚ｔ１は基準膜厚ｔ０に比べて薄くなる。
【0101】
このように、比較例１では、蒸気圧分布の影響により、行列方向における基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布に伴う溶媒蒸発速度のアンバランスに起因する膜厚変動が発生する。
（２）間隙５２２ｚ（列状塗布領域）内の基板中央部と周辺部とのインク表面張力のアンバランスによる膜厚変動
長尺状の列状塗布領域にインクを塗布して発光層１２３を形成する構成では、主に列方向に連続してインクが塗布されることに起因して、間隙５２２ｚ（列状塗布領域）内のインク表面張力のアンバランスによる膜厚変動が発生する。
（２）間隙５２２ｚ（列状塗布領域）内の基板中央部と周辺部とのインク表面張力のアンバランスによる膜厚変動
長尺状の列状塗布領域にインクを塗布して発光層１２３を形成する構成では、主に列方向に連続してインクが塗布されることに起因して、間隙５２２ｚ（列状塗布領域）内のインク表面張力のアンバランスによる膜厚変動が発生する。
【0102】
図１８（ａ）は、比較例１における列バンク５２２Ｙの列端部５２２Ｙｅ付近の基板１００Ｘの模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＹ２－Ｙ２で切った模式側断面図であり、（ｄ）は、時間経過に伴う膜厚の変化を示すＹ２－Ｙ２で切った模式側断面図である。図１８（ａ）（ｂ）に示すように、基板１００Ｘには、列バンク５２２Ｙ及び行バンク１２２Ｘが配設されている。
【0103】
図１８（ｄ）に示すように、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を５０ｍｍに固定した比較例１では、基板１００ｘ上に塗布された発光層１２３Ｙのインクは、列バンク５２２Ｙの列端部５２２Ｙｅから溶媒の乾燥は始まる。
その理由は、上述のとおり、ウエットプロセスに於いては、インクの溶媒を蒸発乾燥させるプロセスにおいて、成膜エリアの中央部分と周縁部分とでは、周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなることにより溶媒の乾燥速度が大きいためである。ここで、成膜エリアとは、ウエットプロセスによりインクを塗布するエリアであり、図１に示した区画領域１０ａと同じ領域である。そのため、乾燥により溶媒の蒸発が進み、単位面積あたりの残存溶媒量が少ない列端部５２２Ｙｅ付近のインクよりも、溶媒の蒸発が遅く単位面積あたりの残存溶媒量が多い列端部５２２Ｙｅより内方のインクの表面張力が不均一となる。その結果、列端部５２２Ｙｅ付近のインクは列端部５２２Ｙｅより内方のインクからの表面張力によって内方に引っ張られ内方に向けたインク対流が生じ、その結果、列端部５２２Ｙｅ付近のインクは列端部５２２Ｙｅより内方へ移動し、列端部５２２Ｙｅより内方におけるインク膜厚は増加する。
その理由は、上述のとおり、ウエットプロセスに於いては、インクの溶媒を蒸発乾燥させるプロセスにおいて、成膜エリアの中央部分と周縁部分とでは、周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなることにより溶媒の乾燥速度が大きいためである。ここで、成膜エリアとは、ウエットプロセスによりインクを塗布するエリアであり、図１に示した区画領域１０ａと同じ領域である。そのため、乾燥により溶媒の蒸発が進み、単位面積あたりの残存溶媒量が少ない列端部５２２Ｙｅ付近のインクよりも、溶媒の蒸発が遅く単位面積あたりの残存溶媒量が多い列端部５２２Ｙｅより内方のインクの表面張力が不均一となる。その結果、列端部５２２Ｙｅ付近のインクは列端部５２２Ｙｅより内方のインクからの表面張力によって内方に引っ張られ内方に向けたインク対流が生じ、その結果、列端部５２２Ｙｅ付近のインクは列端部５２２Ｙｅより内方へ移動し、列端部５２２Ｙｅより内方におけるインク膜厚は増加する。
【0104】
具体的には、図１８（ｄ）の上段から下段に向けて段階的に示すように、時間経過に伴い列端部５２２Ｙｅから内方に向けて徐々に溶媒の乾燥が進行し、これに伴い、列端部５２２Ｙｅから内方に向けたインクの移動により列端部５２２Ｙｅから内方に向けてインク膜厚も徐々に増加する。最終的には、成膜エリアの中央部分においてインク膜厚が最大となり、形成される発光層１２３Ｙの膜形状も同様に成膜エリアの列方向の中央部分において膜厚が最大となる形状になる。
【0105】
図１９は、比較例１における表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との間の成膜形状の違いを示す模式図である。図１９に示すように、中央部分Ａ１では、発光層１２３インクを構成するインクの固形成分が周縁部分Ｂ１及びＣ１から流入することにより底部の膜厚ｔ４は膜厚ｔ２に比べてさらに増加する。他方、周縁部分Ｂ１及びＣ１では、発光層１２３インクを構成する固形成分が中央部分Ａ１に流出することにより底部の膜厚ｔ３は膜厚ｔ１に比べてさらに減少する。
【0106】
このように、比較例１では、列方向における基板中央部と周辺部とのインク表面張力のアンバランスに起因する膜厚変動が発生する。
（３）吐出口毎のインク吐出量バラツキに起因するインク塗布直後の局所的な膜厚変動
長尺状の列状塗布領域にインクを塗布して発光層１２３を形成する構成では、吐出口６２４ｄ１毎のインク吐出量のバラツキや不吐出等に起因した膜厚バラツキが生じ、この膜厚バラツキはインク塗布直後においてより顕著である。
（３）吐出口毎のインク吐出量バラツキに起因するインク塗布直後の局所的な膜厚変動
長尺状の列状塗布領域にインクを塗布して発光層１２３を形成する構成では、吐出口６２４ｄ１毎のインク吐出量のバラツキや不吐出等に起因した膜厚バラツキが生じ、この膜厚バラツキはインク塗布直後においてより顕著である。
【0107】
図１８（ｃ）はインク吐出直後における膜形状を示す模式図である。インクジェット方式では、図１０に示すように、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の作業テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数の吐出口６２４ｄ１がライン状に配置されたインクジェットヘッド６２２をＸ方向に走査しながら、各吐出口６２４ｄ１から列バンク５２２Ｙ同士の間隙５２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクを着弾させることによって行う。一般に、ライン状に配置された複数の吐出口６２４ｄ１には、吐出口６２４ｄ１ごとにインク吐出量のバラツキがあり、また、吐出口６２４ｄ１の中には事前に行った吐出品質検査により一部の吐出口６２４ｄ１からのインク吐出を停止する場合もある。そのため、間隙５２２ｚに沿って、吐出口６２４ｄ１毎のインク吐出量のバラツキや不吐出等に起因した膜厚バラツキが生じ、この膜厚バラツキはインク塗布直後においてより一層顕著である。この吐出量バラツキに起因する膜厚バラツキは、時間の経過に伴い間隙５２２ｚ内のインクが列方向に移動してレべリングされることにより膜厚バラツキは減少する。
【0108】
比較例１では、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を５０ｍｍに固定されているので、間隙５２２ｚ内のインクが列方向に移動して膜厚バラツキが十分にレべリングされる前に、インクに含まれる溶媒の蒸発が進んだ結果、間隙５２２ｚ内列方向へのインクの移動が制限され吐出直後の吐出量バラツキに起因する膜厚バラツキが固定化される。
（比較例２）
（１）比較例１において生じた膜厚変動の改善
比較例２では、比較例１のような、列バンク５２２Ｙの上端部（０ｍｍ位置）、下端部（２７０ｍｍ位置）における膜厚の降下は観測されなかった。
（比較例２）
（１）比較例１において生じた膜厚変動の改善
比較例２では、比較例１のような、列バンク５２２Ｙの上端部（０ｍｍ位置）、下端部（２７０ｍｍ位置）における膜厚の降下は観測されなかった。
【0109】
図２０（ａ）は、比較例２における塗布直後における膜形状を示す模式図、（ｂ）はレベリングされた後における塗布直後における膜形状を示す模式図である。図２０（ａ）に示すように、比較例２においても、インク吐出直後においては、列状塗布領域を構成する間隙５２２ｚ内において、インクの吐出量バラツキに起因する膜厚バラツキが生じる。しかしながら、比較例２では、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を５ｍｍに固定されているので、整流板４００と基板１００ｘとの間の空間内の蒸気圧が増加してインクの溶媒の蒸気の蒸発が抑制される。その結果、図２０（ｂ）に示すように、基板１００ｘの間隙５２２ｚ内のインクの列方向への移動が促進されるので、間隙５２２ｚ内のインクは列方向に移動して膜厚バラツキが期間Ｔｉｎｉ内に十分にレべリングされる。
【0110】
図２１（ａ）は、比較例２に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との蒸気圧分布と基板と整流板との間の空間における蒸気の流れを示す模式図であり、（ｂ）は、比較例２に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との間の成膜形状の違いを示す模式図である。
図２１（ｂ）に示すように、周縁部分Ｂ２及びＣ２では、基準膜厚ｔ０からの変化はない。比較例２では、上述のとおり、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離が５ｍｍに固定されているので、整流板４００と基板１００ｘとの間の空間内の蒸気圧が増加してインクの溶媒の蒸気の蒸発が抑制され、基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布に伴う溶媒蒸発速度のアンバランスに起因する膜厚変動は抑制される。また、列端部５２２Ｙｅから溶媒の乾燥は始まることが抑制される結果、列方向における基板中央部と周辺部とのインク表面張力のアンバランスに起因して発光層１２３インクを構成する固形成分が中央部分Ａ１に流出することが抑制される。その結果、周縁部分Ｂ２及びＣ２では、底部の膜厚は基準膜厚ｔ０となる。
図２１（ｂ）に示すように、周縁部分Ｂ２及びＣ２では、基準膜厚ｔ０からの変化はない。比較例２では、上述のとおり、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離が５ｍｍに固定されているので、整流板４００と基板１００ｘとの間の空間内の蒸気圧が増加してインクの溶媒の蒸気の蒸発が抑制され、基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布に伴う溶媒蒸発速度のアンバランスに起因する膜厚変動は抑制される。また、列端部５２２Ｙｅから溶媒の乾燥は始まることが抑制される結果、列方向における基板中央部と周辺部とのインク表面張力のアンバランスに起因して発光層１２３インクを構成する固形成分が中央部分Ａ１に流出することが抑制される。その結果、周縁部分Ｂ２及びＣ２では、底部の膜厚は基準膜厚ｔ０となる。
【0111】
（２）整流板４００と基板１００ｘとの間の空間内の気流の乱れに伴う膜厚変動
比較例２では、上述のとおり、上端部から約３０ｍｍの位置よりも内方（図１６におけるＷａｖ３）において、約６５ｍｍ周期で最大４ｎｍ程度の振幅の凹凸（波打ち）が観測された。行方向の断面観察では、比較例２では、図２１（ｂ）に示すように、中央部分Ａ２では、基準膜厚ｔ０よりも大きい膜厚ｔ６と基準膜厚ｔ０よりも小さい膜厚ｔ７との間の膜厚変動が生じる。
比較例２では、上述のとおり、上端部から約３０ｍｍの位置よりも内方（図１６におけるＷａｖ３）において、約６５ｍｍ周期で最大４ｎｍ程度の振幅の凹凸（波打ち）が観測された。行方向の断面観察では、比較例２では、図２１（ｂ）に示すように、中央部分Ａ２では、基準膜厚ｔ０よりも大きい膜厚ｔ６と基準膜厚ｔ０よりも小さい膜厚ｔ７との間の膜厚変動が生じる。
【0112】
比較例２では、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を５ｍｍに固定されているので、基板１００ｘと整流板４００との間の空間において、基板１００ｘ上の区画領域１０ａから蒸発したインクの溶媒の蒸気ＦＺ０が、基板１００ｘの平面方向に移動することが抑制される。すなわち、区画領域１０ａから蒸発したインクの溶媒の蒸気ＦＺ０は、基板１００ｘと整流板４００との間の高さＹ１の空間に押し込められた状態となり空間内の蒸気圧は増加する。そのため、基板１００ｘと整流板４００による流路抵抗は増加し、蒸気は基板１００ｘと整流板４００との間の空間内に留まり、空間内の蒸気流Ｆｖ１、Ｆｖ２は乱れ、気流は乱流のような状態となり、整流板４００側方からは微量の蒸気Ｆｌ１が放出される。比較例２における凹凸（波打ち）状の膜厚変動は、基板１００ｘと整流板４００との間の空間内の蒸気流Ｆｖ１、Ｆｖ２の乱れに起因する。
【0113】
（３）空間内の気流と膜の断面形状の変化に伴う膜厚変動
比較例２では、上述のとおり、列バンク５２２Ｙの上端部から約１０ｍｍの位置Ｗａｖ１にて、上端部から約３０ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１５ｎｍ減少した凹部が観測された。また、下端部から約１０ｍｍの位置Ｗａｖ２にて、下端部から約３０ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１３ｎｍ減少した凹部が観測された。
比較例２では、上述のとおり、列バンク５２２Ｙの上端部から約１０ｍｍの位置Ｗａｖ１にて、上端部から約３０ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１５ｎｍ減少した凹部が観測された。また、下端部から約１０ｍｍの位置Ｗａｖ２にて、下端部から約３０ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１３ｎｍ減少した凹部が観測された。
【0114】
行方向の断面観察では、図２１（ｂ）に示すように、周縁部分Ｄ２及びＥ２では、バンク５２２Ｙの側壁上のインク１２３ｗｌの膜厚が厚くなり間隙５２２ｚ底部における膜厚ｔ５は、比較例１における周縁部分の膜厚ｔ３よりもさらに小さい膜厚となる。
この膜厚変動についても、中央部分Ａ２における膜厚変動と同様に、基板１００ｘと整流板４００との間の空間内の蒸気流Ｆｖ１、Ｆｖ２は乱れが影響している。加えて、比較例２では、整流板４００と基板１００ｘとの間の空間内の蒸気圧が増加してインクの溶媒の蒸気の蒸発が抑制されたことに伴い、蒸発速度の低下に伴いインクの溶質成分がより多くバンク５２２Ｙの側壁上に残ると考えられる。
この膜厚変動についても、中央部分Ａ２における膜厚変動と同様に、基板１００ｘと整流板４００との間の空間内の蒸気流Ｆｖ１、Ｆｖ２は乱れが影響している。加えて、比較例２では、整流板４００と基板１００ｘとの間の空間内の蒸気圧が増加してインクの溶媒の蒸気の蒸発が抑制されたことに伴い、蒸発速度の低下に伴いインクの溶質成分がより多くバンク５２２Ｙの側壁上に残ると考えられる。
【0115】
（実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法の実施例）
（１）比較例１において生じた膜厚変動の改善
図２２（ａ）は、実施例における塗布直後における膜形状を示す模式図、（ｂ）はレベリングされた後における塗布直後における膜形状を示す模式図である。図２２（ａ）に示すように、実施例においても、インク吐出直後においては、列状塗布領域を構成する間隙５２２ｚ内において、の吐出量バラツキに起因する膜厚バラツキが生じる。しかしながら、実施例では、減圧開始からチャンバ５００内の圧力が第１の圧力Ｐ１まで減圧されるＴｉｎｉまでの時間は、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を５ｍｍに固定されているので、整流板４００と基板１００ｘとの間の空間内の蒸気圧が増加してインクの溶媒の蒸気の蒸発が抑制される。その結果、図２２（ｂ）に示すように、基板１００ｘの間隙５２２ｚ内のインクの列方向への移動が促進されるので、実施例においても、間隙５２２ｚ内のインクは列方向に移動して膜厚バラツキが期間Ｔｉｎｉ内に十分にレべリングされる。
（１）比較例１において生じた膜厚変動の改善
図２２（ａ）は、実施例における塗布直後における膜形状を示す模式図、（ｂ）はレベリングされた後における塗布直後における膜形状を示す模式図である。図２２（ａ）に示すように、実施例においても、インク吐出直後においては、列状塗布領域を構成する間隙５２２ｚ内において、の吐出量バラツキに起因する膜厚バラツキが生じる。しかしながら、実施例では、減圧開始からチャンバ５００内の圧力が第１の圧力Ｐ１まで減圧されるＴｉｎｉまでの時間は、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を５ｍｍに固定されているので、整流板４００と基板１００ｘとの間の空間内の蒸気圧が増加してインクの溶媒の蒸気の蒸発が抑制される。その結果、図２２（ｂ）に示すように、基板１００ｘの間隙５２２ｚ内のインクの列方向への移動が促進されるので、実施例においても、間隙５２２ｚ内のインクは列方向に移動して膜厚バラツキが期間Ｔｉｎｉ内に十分にレべリングされる。
【0116】
図２２（ｃ）は、列端部５２２Ｙｅにおける膜厚の変化を示す模式側断面図である。実施例では、上記したように、Ｔｉｎｉまでの時間はインクの溶媒の蒸気の蒸発が抑制されるので、基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布に伴う溶媒蒸発速度のアンバランスに起因する膜厚変動は抑制される。また、列端部５２２Ｙｅから溶媒の乾燥は始まることが抑制される結果、チャンバ５００内の圧力が第２の圧力Ｐ２に減圧されるＴ2以降の時間においても、図２２（ｃ）に示すように、列方向における基板中央部と周辺部とのインク表面張力のアンバランスに起因する膜厚変動も抑制される。
【0117】
図２３（ｂ）は、実施例に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との間の成膜形状の違いを示すに模式図である。行方向の断面観察では、図２３（ｂ）に示すように、実施例では周縁部分Ｂ３及びＣ３では、基準膜厚ｔ０となる。
（２）比較例２において生じた膜厚変動の改善
図２３（ａ）は、実施例に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との蒸気圧分布と基板と整流板との間の空間における蒸気の流れを示す模式図である。
（２）比較例２において生じた膜厚変動の改善
図２３（ａ）は、実施例に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との蒸気圧分布と基板と整流板との間の空間における蒸気の流れを示す模式図である。
【0118】
実施例では、図２３（ｂ）に示すように、行方向の断面観察では、中央部分Ａ３では、間隙５２２ｚ底部における膜厚は基準膜厚ｔ０となる。
実施例では、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を第１の距離Ｙ１に規制した状態で、時間Ｔｉｎｉにおいて、チャンバ５００内の圧力を大気圧から第１の圧力Ｐ１まで減圧し、その後、整流板４００を基板１００ｘ上面から第２の距離Ｙ２だけ離間させた状態とする。そのため、基板１００ｘと整流板４００との間の空間において、基板１００ｘ上の区画領域１０ａから蒸発したインクの溶媒の蒸気ＦＺ０は、基板１００ｘの平面方向に移動することが促進される。すなわち、区画領域１０ａから蒸発したインクの溶媒の蒸気Ａｉｒ２は、基板１００ｘと整流板４００との間の高さＹ２の空間内に解放され、空間内の蒸気圧は減少し、基板１００ｘと整流板４００による流路抵抗は減少するので、蒸気Ａｉｒ２は基板１００ｘと整流板４００との間の空間を抵抗なく移動し、整流板４００側方に放出される（Ｆｌ２）。したがって、実施例では、比較例２のように空間内の蒸気流Ｆｖ１、Ｆｖ２は、気流が乱れた乱流のような状態となることはなく、比較例２において生じた凹凸（波打ち）状の膜厚変動は解消される。
実施例では、整流板４００と基板１００ｘ上面との距離を第１の距離Ｙ１に規制した状態で、時間Ｔｉｎｉにおいて、チャンバ５００内の圧力を大気圧から第１の圧力Ｐ１まで減圧し、その後、整流板４００を基板１００ｘ上面から第２の距離Ｙ２だけ離間させた状態とする。そのため、基板１００ｘと整流板４００との間の空間において、基板１００ｘ上の区画領域１０ａから蒸発したインクの溶媒の蒸気ＦＺ０は、基板１００ｘの平面方向に移動することが促進される。すなわち、区画領域１０ａから蒸発したインクの溶媒の蒸気Ａｉｒ２は、基板１００ｘと整流板４００との間の高さＹ２の空間内に解放され、空間内の蒸気圧は減少し、基板１００ｘと整流板４００による流路抵抗は減少するので、蒸気Ａｉｒ２は基板１００ｘと整流板４００との間の空間を抵抗なく移動し、整流板４００側方に放出される（Ｆｌ２）。したがって、実施例では、比較例２のように空間内の蒸気流Ｆｖ１、Ｆｖ２は、気流が乱れた乱流のような状態となることはなく、比較例２において生じた凹凸（波打ち）状の膜厚変動は解消される。
【0119】
また、実施例では、図２１（ｂ）に示すように、行方向の断面観察では、周縁部分Ｄ３及びＥ３では、間隙５２２ｚ底部における膜厚は基準膜厚ｔ０となる。
実施例では、整流板４００を基板１００ｘ上面から第２の距離Ｙ２だけ離間させた状態で、チャンバ５００内の圧力を第１の圧力から減圧することにより、インクに残存する溶媒の蒸発が促進され、比較例２においてインクの溶媒の蒸気の蒸発が抑制されたことに伴いインクの溶質成分がより多くバンク５２２Ｙの側壁上に残るといった現象は生じない。そのため、比較例２においてみられた周縁部分Ｄ２及びＥ２における膜の凹部、すなわち、バンク５２２Ｙの側壁上のインク１２３ｗｌの膜厚が厚くなり間隙５２２ｚ底部における膜厚は、比較例１よりもさらに薄くとなるという現象は生じない。
実施例では、整流板４００を基板１００ｘ上面から第２の距離Ｙ２だけ離間させた状態で、チャンバ５００内の圧力を第１の圧力から減圧することにより、インクに残存する溶媒の蒸発が促進され、比較例２においてインクの溶媒の蒸気の蒸発が抑制されたことに伴いインクの溶質成分がより多くバンク５２２Ｙの側壁上に残るといった現象は生じない。そのため、比較例２においてみられた周縁部分Ｄ２及びＥ２における膜の凹部、すなわち、バンク５２２Ｙの側壁上のインク１２３ｗｌの膜厚が厚くなり間隙５２２ｚ底部における膜厚は、比較例１よりもさらに薄くとなるという現象は生じない。
【0120】
以上のとおり、実施例では、比較例１、２に比べて、基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布に伴う溶媒蒸発速度のアンバランス、インクの表面張力のアンバランス、インク吐出力後の吐出量バラツキのレベリング不足、基板と整流板との間の空間内の蒸気流の乱れ、蒸発速度の低下に伴う膜の断面形状の変化といった膜厚変動の要因が抑制され、実施例では比較例１、２に比べて膜厚の変動量が低減される。
【0121】
＜まとめ＞
発明者の検討では、隣接する２つの長尺状のバンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚからなる列状塗布領域に有機発光材料を含むインクを連続して塗布して発光層１２３を形成するラインバンク方式の表示パネルでは、主に列方向に連続してインクが塗布されることに起因して、画素毎に島状に発光層が分離されているピクセルバンク方式による表示パネルに比べて、列端部５２２Ｙｅにおける膜厚変動の影響が区画領域１０ａを含む基板１００ｘの内方におよび易いという特性がある。そして、長尺状の列状塗布領域にインクを連続して塗布して発光層１２３を形成する表示パネルの構成では、従来のインク乾燥方法を用いた場合には、インク溶媒の蒸気圧分布から基板上の列状塗布領域内において機能層の膜厚が不均一になり輝度ムラの要因となる。
発明者の検討では、隣接する２つの長尺状のバンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚからなる列状塗布領域に有機発光材料を含むインクを連続して塗布して発光層１２３を形成するラインバンク方式の表示パネルでは、主に列方向に連続してインクが塗布されることに起因して、画素毎に島状に発光層が分離されているピクセルバンク方式による表示パネルに比べて、列端部５２２Ｙｅにおける膜厚変動の影響が区画領域１０ａを含む基板１００ｘの内方におよび易いという特性がある。そして、長尺状の列状塗布領域にインクを連続して塗布して発光層１２３を形成する表示パネルの構成では、従来のインク乾燥方法を用いた場合には、インク溶媒の蒸気圧分布から基板上の列状塗布領域内において機能層の膜厚が不均一になり輝度ムラの要因となる。
【0122】
これに対し、実施の形態１に係る表示パネル１０の製造方法では、基板１００ｘ上に列方向に延伸して行方向に複数の列バンク５２２Ｙを並設する工程と、行方向に隣接する列バンク間の間隙５２２ｚに、列方向に連続して有機発光材料を含むインクを塗布する工程と、基板のインクが塗布された領域を覆う整流板を４００を基板の上面から第１の距離Ｙ１離間させた状態とし、当該状態にて基板を含む雰囲気の圧力を第１の圧力Ｐ１まで減圧する工程と、雰囲気の圧力が第１の圧力に達した後、整流板を基板の上面から第１の距離よりも大きい第２の距離Ｙ２離間させた状態とし、当該状態にて雰囲気の圧力を第１の圧力より低い第２の圧力Ｐ２以下の圧力まで減圧する工程と、基板を加熱することにより発光層１２３を形成する工程と、整流板を除去した状態で有機機能層上方に対向電極１２５を形成する工程とを含むという構成を採る。
【0123】
係る表示パネル１０の製造方法により、インク乾燥工程において、基板中央部と周辺部分とのインク溶媒の蒸気濃度分布に伴う溶媒蒸発速度のアンバランス、列状塗布領域内のインクの表面張力のアンバランス、列状塗布領域内のインク吐出力後の吐出量バラツキのレベリング不足、基板と整流板との間の空間内の蒸気流の乱れ、蒸発速度の低下に伴う膜の断面形状の変化といった膜厚変動の要因が抑制され、列状塗布領域に形成される発光層１２３の膜形状は成膜エリアの周縁部分と中央部分において膜厚が等価な形状になる。これより、基板上の列状塗布領域内で発光層の膜厚の均一化が図れ、有機ＥＬ表示パネル面内での輝度ムラを改善することができる。
【0124】
≪変形例≫
実施の形態では、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法を説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。
（１）実施の形態では、表示パネル１０の量産工程において１枚の基板から表示パネル１０を同時に形成する枚数について、枚数を特定した説明は行わなかった。しかしながら、表示パネル１０の量産工程において１枚の基板から複数の表示パネル１０を同時に形成する多面取りを行う場合にも、各表示パネル１０に対するそれぞれの区画領域１０ａが１つの成膜エリアとなることは言うまでもない。多面取りの場合でも隣接する成膜エリア（区画領域１０ａ）が所定の距離以上離間している場合には、各成膜エリアにおいて周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなるからである。
（２）上記実施の形態では、例えば、図１に示すように、表示パネル１０は、基板１００
ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが配された区画領域１０ａと、区画領域１０ａの周囲に非区画領域１０ｂ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘｂ、１０Ｙｂ、区別を要しない場合は１０ｂとする）とから構成される例を示した。しかしながら、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが配された区画領域１０ａの周囲又は周囲の一部に、格子状の絶縁層により区画された周辺区画領域を設ける構成としてもよい。周辺区画領域では、格子状の絶縁層により区画された部分にも区画領域１０ａと同様に、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層を形成するためのインクが塗布される。さらに周辺区画領域の周囲に非区画領域１０ｂを設けてもよい。（３）上記実施の形態では、図１に示すように、表示パネル１０では、基板１００ｘ上の区画領域１０ａの外縁から所定の区画数だけ、各区画に有機ＥＬ表示素子１００が形成されていない非発光領域１０ｎｅが形成された構成とした。しかしながら、列バンク５２２Ｙの列端部５２２Ｙｅまで、基板１００ｘ上の各区画に画素電極１１９を配設して表示素子配列領域１０ｅとしてもよい。基板上の成膜エリアを有効に活用することができ表示素子配列領域１０ｅを拡大することができコスト削減に資する。
（４）表示パネル１０では、各色サブ画素１００ｓeである間隙５２２ｚの上方に、透光
性材料からなる上部基板１３０を備え、カラーフィルタ層１２８が形成されている構成とした。しかしながら、例示した表示パネル１０において、透光性材料からなる上部基板１３０を設けずに、間隙５２２ｚの上方にはカラーフィルタ層１２８を設けない構成としてもよい。これにより、外光の照り返し抑制と発光効率を向上に加え、製造コストを低減することができる。
（５）表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。係る構成によっても、インクの溶媒の蒸気濃度の分布に起因する輝度ムラを改善することができる。
（６）表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配されたサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向
に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配されたサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発
する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接するサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接するサ
サブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また
、行列方向の両方において隣接するサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色が
互いに異なる構成としてもよい。係る構成によっても、インクの溶媒の蒸気濃度の分布に起因する輝度ムラを改善することができる。
実施の形態では、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法を説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。
（１）実施の形態では、表示パネル１０の量産工程において１枚の基板から表示パネル１０を同時に形成する枚数について、枚数を特定した説明は行わなかった。しかしながら、表示パネル１０の量産工程において１枚の基板から複数の表示パネル１０を同時に形成する多面取りを行う場合にも、各表示パネル１０に対するそれぞれの区画領域１０ａが１つの成膜エリアとなることは言うまでもない。多面取りの場合でも隣接する成膜エリア（区画領域１０ａ）が所定の距離以上離間している場合には、各成膜エリアにおいて周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなるからである。
（２）上記実施の形態では、例えば、図１に示すように、表示パネル１０は、基板１００
ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが配された区画領域１０ａと、区画領域１０ａの周囲に非区画領域１０ｂ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘｂ、１０Ｙｂ、区別を要しない場合は１０ｂとする）とから構成される例を示した。しかしながら、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが配された区画領域１０ａの周囲又は周囲の一部に、格子状の絶縁層により区画された周辺区画領域を設ける構成としてもよい。周辺区画領域では、格子状の絶縁層により区画された部分にも区画領域１０ａと同様に、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層を形成するためのインクが塗布される。さらに周辺区画領域の周囲に非区画領域１０ｂを設けてもよい。（３）上記実施の形態では、図１に示すように、表示パネル１０では、基板１００ｘ上の区画領域１０ａの外縁から所定の区画数だけ、各区画に有機ＥＬ表示素子１００が形成されていない非発光領域１０ｎｅが形成された構成とした。しかしながら、列バンク５２２Ｙの列端部５２２Ｙｅまで、基板１００ｘ上の各区画に画素電極１１９を配設して表示素子配列領域１０ｅとしてもよい。基板上の成膜エリアを有効に活用することができ表示素子配列領域１０ｅを拡大することができコスト削減に資する。
（４）表示パネル１０では、各色サブ画素１００ｓeである間隙５２２ｚの上方に、透光
性材料からなる上部基板１３０を備え、カラーフィルタ層１２８が形成されている構成とした。しかしながら、例示した表示パネル１０において、透光性材料からなる上部基板１３０を設けずに、間隙５２２ｚの上方にはカラーフィルタ層１２８を設けない構成としてもよい。これにより、外光の照り返し抑制と発光効率を向上に加え、製造コストを低減することができる。
（５）表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。係る構成によっても、インクの溶媒の蒸気濃度の分布に起因する輝度ムラを改善することができる。
（６）表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配されたサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向
に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配されたサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発
する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接するサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接するサ
サブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また
、行列方向の両方において隣接するサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色が
互いに異なる構成としてもよい。係る構成によっても、インクの溶媒の蒸気濃度の分布に起因する輝度ムラを改善することができる。
【0125】
（７）その他
実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００eには、赤色画素、緑色画素、青色
画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、画素１００eが、マトリクス状に並んだ構成であったが、
本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００eには、赤色画素、緑色画素、青色
画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、画素１００eが、マトリクス状に並んだ構成であったが、
本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
【0126】
また、表示パネル１０では、すべての間隙５２２ｚに画素電極１１９が配されていたが、本発明はこの構成に限られない。例えば、バスバーなどを形成するために、画素電極１１９が形成されない間隙５２２ｚが存在してもよい。
また、上記実施の形態では、画素電極１１９と対向電極１２５の間に、ホール注入
層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と対向電極１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
また、上記実施の形態では、画素電極１１９と対向電極１２５の間に、ホール注入
層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と対向電極１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
【0127】
また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
【0128】
上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１１９が配され、ＴＦＴのソースに画素電極１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に対向電極、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
【0129】
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【0130】
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【0131】
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【0132】
本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの製造法、及びそれに用いるインク乾燥装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、表示パネルを有する様々な電子機器における表示パネル等の製造に広く利用することができる。また、インク塗布工程を用いて機能層を形成する工程を含む電子デバイスの製造等に広く活用することができる。
【符号の説明】
【0133】
１０ 有機ＥＬ表示パネル
１００ 有機ＥＬ素子
１００ｅ 単位画素
１００ｓｅ サブ画素
１００ａ 自己発光領域
１００ｂ 非自己発光領域
１００ｘ 基板（ＴＦＴ基板）
１１９ 画素電極
１１９ｂ コンタクト領域（コンタクトウインドウ）
１１９ｃ 接続凹部
１２０ ホール注入層
１２１ ホール輸送層
１２２ 絶縁層
１２２Ｘ 行バンク
５２２Ｙ 列バンク
１２３ 発光層
１２４ 電子輸送層
１２５ 対向電極
１２６ 封止層
１２７ 接合層
１２８ カラーフィルタ層
１３０ 上部基板
１３１ ＣＦ基板
４００ 整流板
５００ チャンバ
５００ａ 開口
６００ 真空ポンプ
７００ 支持台
８００ 昇降手段
８０１ 間隙調整手段
８０２ 駆動手段
８０３ 制御手段
９００ インク乾燥装置
１００ 有機ＥＬ素子
１００ｅ 単位画素
１００ｓｅ サブ画素
１００ａ 自己発光領域
１００ｂ 非自己発光領域
１００ｘ 基板（ＴＦＴ基板）
１１９ 画素電極
１１９ｂ コンタクト領域（コンタクトウインドウ）
１１９ｃ 接続凹部
１２０ ホール注入層
１２１ ホール輸送層
１２２ 絶縁層
１２２Ｘ 行バンク
５２２Ｙ 列バンク
１２３ 発光層
１２４ 電子輸送層
１２５ 対向電極
１２６ 封止層
１２７ 接合層
１２８ カラーフィルタ層
１３０ 上部基板
１３１ ＣＦ基板
４００ 整流板
５００ チャンバ
５００ａ 開口
６００ 真空ポンプ
７００ 支持台
８００ 昇降手段
８０１ 間隙調整手段
８０２ 駆動手段
８０３ 制御手段
９００ インク乾燥装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】