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特許7078091銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-05-23
(45)【発行日】2022-05-31
(54)【発明の名称】銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板
(51)【国際特許分類】
C22C 9/00 20060101AFI20220524BHJP
C22F 1/08 20060101ALI20220524BHJP
C22F 1/00 20060101ALN20220524BHJP
【ＦＩ】
C22C9/00
C22F1/08 B
C22F1/00 691B
C22F1/00 691C
C22F1/00 661A
C22F1/00 650F
C22F1/00 623
C22F1/00 630K
C22F1/00 682
C22F1/00 685A
C22F1/00 685Z
C22F1/00 650A
C22F1/00 691Z
C22F1/00 694B
C22F1/00 613
C22F1/00 683
C22F1/00 694A
【請求項の数】
11
(21)【出願番号】P 2020181734
(22)【出願日】2020-10-29
(65)【公開番号】P2022072354
(43)【公開日】2022-05-17
【審査請求日】2022-02-08
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000006264
【氏名又は名称】三菱マテリアル株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100149548
【弁理士】
【氏名又は名称】松沼 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100175802
【弁理士】
【氏名又は名称】寺本 光生
(74)【代理人】
【識別番号】100142424
【弁理士】
【氏名又は名称】細川 文広
(74)【代理人】
【識別番号】100140774
【弁理士】
【氏名又は名称】大浪 一徳
(72)【発明者】
【氏名】松永 裕隆
(72)【発明者】
【氏名】福岡 航世
(72)【発明者】
【氏名】牧 一誠
(72)【発明者】
【氏名】森川 健二
(72)【発明者】
【氏名】船木 真一
(72)【発明者】
【氏名】森 広行
【審査官】河野 一夫
(56)【参考文献】
【文献】特開昭６３－３１０９２９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－２５５４１７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０５６４１４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－０２９６０５（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０２０／１２２１１２（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２２Ｃ ９／００
Ｃ２２Ｆ １／０８
Ｃ２２Ｆ １／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内、残部がＣｕ及び不可避不純物とした組成を有し、前記不可避不純物のうち、Ｓの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下とされるとともに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされており、Ｍｇの含有量を〔Ｍｇ〕とし、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕とした場合に、これらの質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６以上５０以下の範囲内とされており、
導電率が９７％ＩＡＣＳ以上とされ、
ＥＢＳＤ法により１００００μｍ２以上の測定面積を、０．２５μｍの測定間隔のステップでＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界とし、Ａｒｅａ Ｆｒａｃｔｉｏｎにより平均粒径Ａを求め、平均粒径Ａの１０分の１以下となる測定間隔のステップで測定して、総数１０００個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で１００００μｍ２以上となる測定面積で、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて各結晶粒の方位差を解析し、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＫＡＭ（Ｋｅｒｎｅｌ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｉｓｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）値の平均値が２．４以下とされていることを特徴とする銅合金。
【請求項2】
Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の銅合金。
【請求項3】
圧延方向に平行な方向における２００℃、４時間保持後の残留応力率ＲＳＧ（％）が２０％以上とされていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の銅合金。
【請求項4】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の銅合金からなることを特徴とする銅合金塑性加工材。
【請求項5】
厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の圧延板であることを特徴とする請求項４に記載の銅合金塑性加工材。
【請求項6】
表面にＳｎめっき層又はＡｇめっき層を有することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の銅合金塑性加工材。
【請求項7】
請求項４から請求項６のいずれか一項に記載された銅合金塑性加工材からなることを特徴とする電子・電気機器用部品。
【請求項8】
請求項４から請求項６のいずれか一項に記載された銅合金塑性加工材からなることを特徴とする端子。
【請求項9】
請求項４から請求項６のいずれか一項に記載された銅合金塑性加工材からなることを特徴とするバスバー。
【請求項10】
請求項４から請求項６のいずれか一項に記載された銅合金塑性加工材からなることを特徴とするリードフレーム。
【請求項11】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載された銅合金を用いて作製されたことを特徴とする放熱基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品に適した銅合金、この銅合金からなる銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品には、導電性の高い銅又は銅合金が用いられている。
ここで、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電子・電気機器用部品においては、導電率に優れた無酸素銅等の純銅材が適用されている。
しかしながら、純銅材においては、耐応力緩和特性が不十分であり、高温環境下での使用ができないといった問題があった。
そこで、特許文献１には、Ｍｇを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１ｍａｓｓ％未満の範囲で含む銅圧延板が開示されている。
ここで、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電子・電気機器用部品においては、導電率に優れた無酸素銅等の純銅材が適用されている。
しかしながら、純銅材においては、耐応力緩和特性が不十分であり、高温環境下での使用ができないといった問題があった。
そこで、特許文献１には、Ｍｇを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１ｍａｓｓ％未満の範囲で含む銅圧延板が開示されている。
【0003】
特許文献１に記載された銅圧延板においては、Ｍｇを０．００５ｍａｓｓ％以上０．１ｍａｓｓ％未満の範囲で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる組成を有しているので、Ｍｇを銅の母相中に固溶させることで、導電率を大きく低下させることなく、耐応力緩和特性を向上させることが可能であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１６－０５６４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、最近では、上述の電子・電気機器用部品を構成する銅材においては、大電流が流された際の発熱を十分に抑制するために、また、純銅材が用いられていた用途に使用可能なように、導電率をさらに向上させることが求められている。さらに、導電率を十分に向上させることにより、従来、純銅材が用いられていた用途においても良好に使用することが可能となる。
また、上述の電子・電気機器用部品は、エンジンルーム等の高温環境下で使用されることが多く、電子・電気機器用部品を構成する銅材においては、従来にも増して耐応力緩和特性を向上させる必要がある。
また、上述の電子・電気機器用部品は、エンジンルーム等の高温環境下で使用されることが多く、電子・電気機器用部品を構成する銅材においては、従来にも増して耐応力緩和特性を向上させる必要がある。
【0006】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、高い導電率と優れた耐応力緩和特性を有する銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
この課題を解決するために、本発明者らが鋭意検討した結果、高い導電率と優れた耐応力緩和特性をバランス良く両立させるためには、Ｍｇを微量添加するとともに、Ｍｇと化合物を生成する元素の含有量を規制することが必要であることが明らかになった。すなわち、Ｍｇと化合物を生成する元素の含有量を規制して、微量添加したＭｇを適正な形態で銅合金中に存在させることにより、従来よりも高い水準で導電率と耐応力緩和特性とをバランス良く向上させることが可能となるとの知見を得た。
【0008】
本発明は、上述の知見に基づいてなされたものであって、本発明の銅合金は、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内、残部がＣｕ及び不可避不純物とした組成を有し、前記不可避不純物のうち、Ｓの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下とされるとともに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされており、 Ｍｇの含有量を〔Ｍｇ〕とし、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕とした場合に、これらの質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６以上５０以下の範囲内とされており、導電率が９７％ＩＡＣＳ以上とされ、ＥＢＳＤ法により１００００μｍ２以上の測定面積を、０．２５μｍの測定間隔のステップでＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界とし、Ａｒｅａ Ｆｒａｃｔｉｏｎにより平均粒径Ａを求め、平均粒径Ａの１０分の１以下となる測定間隔のステップで測定して、総数１０００個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で１００００μｍ２以上となる測定面積で、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて各結晶粒の方位差を解析し、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＫＡＭ（Ｋｅｒｎｅｌ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｉｓｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）値の平均値が２．４以下とされていることを特徴としている。
【0009】
この構成の銅合金によれば、Ｍｇと、Ｍｇと化合物を生成する元素であるＳ，Ｐ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓの含有量が上述のように規定されているので、微量添加したＭｇが銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく耐応力緩和特性を向上させることができ、具体的には、導電率を９７％ＩＡＣＳ以上とすることができる。
そして、ＫＡＭ値の平均値が２．４以下とされているとされているので、強度を維持したまま耐応力緩和特性を向上させることが可能となる。
そして、ＫＡＭ値の平均値が２．４以下とされているとされているので、強度を維持したまま耐応力緩和特性を向上させることが可能となる。
【0010】
ここで、本発明の銅合金においては、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、Ａｇを上述の範囲で含有しているので、Ａｇが粒界近傍に偏析し、粒界拡散が抑制され、耐応力緩和特性をさらに向上させることが可能となる。
この場合、Ａｇを上述の範囲で含有しているので、Ａｇが粒界近傍に偏析し、粒界拡散が抑制され、耐応力緩和特性をさらに向上させることが可能となる。
【0011】
また、本発明の銅合金においては、圧延方向に平行な方向における２００℃、４時間保持後の残留応力率ＲＳＧ（％）が２０％以上とされていることが好ましい。
この場合、耐応力緩和特性に十分に優れており、高温環境下で使用される電子・電気機器用部品を構成する銅合金として特に適している。
この場合、耐応力緩和特性に十分に優れており、高温環境下で使用される電子・電気機器用部品を構成する銅合金として特に適している。
【0012】
本発明の銅合金塑性加工材は、上述の銅合金からなることを特徴としている。
この構成の銅合金塑性加工材によれば、上述の銅合金で構成されていることから、導電性、耐応力緩和特性に優れており、大電流用途、高温環境下で使用される端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
この構成の銅合金塑性加工材によれば、上述の銅合金で構成されていることから、導電性、耐応力緩和特性に優れており、大電流用途、高温環境下で使用される端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
【0013】
ここで、本発明の銅合金塑性加工材においては、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の圧延板であってもよい。
この場合、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の圧延板であることから、この銅合金塑性加工材（圧延板）に対して打ち抜き加工や曲げ加工を施すことで、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品を成形することができる。
この場合、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の圧延板であることから、この銅合金塑性加工材（圧延板）に対して打ち抜き加工や曲げ加工を施すことで、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品を成形することができる。
【0014】
また、本発明の銅合金塑性加工材においては、表面にＳｎめっき層又はＡｇめっき層を有することが好ましい。
この場合、表面にＳｎめっき層又はＡｇめっき層を有しているので、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。なお、本発明において、「Ｓｎめっき」は、純Ｓｎめっき又はＳｎ合金めっきを含み、「Ａｇめっき」は、純Ａｇめっき又はＡｇ合金めっきを含む。
この場合、表面にＳｎめっき層又はＡｇめっき層を有しているので、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。なお、本発明において、「Ｓｎめっき」は、純Ｓｎめっき又はＳｎ合金めっきを含み、「Ａｇめっき」は、純Ａｇめっき又はＡｇ合金めっきを含む。
【0015】
本発明の電子・電気機器用部品は、上述の銅合金塑性加工材からなることを特徴としている。なお、本発明における電子・電気機器用部品とは、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等を含むものである。
この構成の電子・電気機器用部品は、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
この構成の電子・電気機器用部品は、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
【0016】
本発明の端子は、上述の銅合金塑性加工材からなることを特徴としている。
この構成の端子は、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
この構成の端子は、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
【0017】
本発明のバスバーは、上述の銅合金塑性加工材からなることを特徴としている。
この構成のバスバーは、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
この構成のバスバーは、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
【0018】
本発明のリードフレームは、上述の銅合金塑性加工材からなることを特徴としている。
この構成のリードフレームは、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
この構成のリードフレームは、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
【0019】
本発明の放熱基板は、上述の銅合金を用いて作製されたことを特徴としている。
この構成の放熱基板は、上述の銅合金を用いて作製されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
この構成の放熱基板は、上述の銅合金を用いて作製されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
【発明の効果】
【0020】
本発明によれば、高い導電率と優れた耐応力緩和特性を有する銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】本実施形態である銅合金の製造方法のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
以下に、本発明の一実施形態である銅合金について説明する。
本実施形態である銅合金は、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内、残部がＣｕ及び不可避不純物とした組成を有しており、不可避不純物のうち、Ｓの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下とされるとともに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている。
本実施形態である銅合金は、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内、残部がＣｕ及び不可避不純物とした組成を有しており、不可避不純物のうち、Ｓの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量が５ｍａｓｐｐｍ以下とされるとともに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている。
【0023】
そして、Ｍｇの含有量を〔Ｍｇ〕とし、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕とした場合に、これらの質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６以上５０以下の範囲内とされている。
なお、本実施形態である銅合金においては、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であってもよい。
なお、本実施形態である銅合金においては、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であってもよい。
【0024】
また、本実施形態である銅合金においては、導電率が９７％ＩＡＣＳ以上とされている。
さらに、本実施形態である銅合金においては、圧延方向に平行な方向における２００℃、４時間保持後の残留応力率ＲＳＧ（％）が２０％以上とされていることが好ましい。
さらに、本実施形態である銅合金においては、圧延方向に平行な方向における２００℃、４時間保持後の残留応力率ＲＳＧ（％）が２０％以上とされていることが好ましい。
【0025】
そして、本実施形態である銅合金においては、ＥＢＳＤ法により１００００μｍ２以上の測定面積を、０．２５μｍの測定間隔のステップでＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界とし、Ａｒｅａ Ｆｒａｃｔｉｏｎにより平均粒径Ａを求め、平均粒径Ａの１０分の１以下となる測定間隔のステップで測定して、総数１０００個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で１００００μｍ２以上となる測定面積で、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて各結晶粒の方位差を解析し、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＫＡＭ（Ｋｅｒｎｅｌ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｉｓｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）値の平均値が２．４以下とされている。
【0026】
ここで、本実施形態の銅合金において、ここで、上述のように成分組成、組織、各種特性を規定した理由について以下に説明する。
【0027】
（Ｍｇ）
Ｍｇは、銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく、強度および耐応力緩和特性を向上させる作用効果を有する元素である。また、Ｍｇを母相中に固溶させることにより、耐熱性も向上することになる。
ここで、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることができなくなるおそれがある。一方、Ｍｇの含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ以上の場合には、導電率が低下するおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Ｍｇの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内に設定している。
Ｍｇは、銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく、強度および耐応力緩和特性を向上させる作用効果を有する元素である。また、Ｍｇを母相中に固溶させることにより、耐熱性も向上することになる。
ここで、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることができなくなるおそれがある。一方、Ｍｇの含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ以上の場合には、導電率が低下するおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Ｍｇの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内に設定している。
【0028】
なお、耐応力緩和特性をさらに向上させるためには、Ｍｇの含有量の下限を２０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが好ましく、３０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましく、４０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましい。
また、導電率の低下をさらに抑制するためには、Ｍｇの含有量の上限を９０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることが好ましく、８０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることがさらに好ましく、７０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることがより好ましい。
また、導電率の低下をさらに抑制するためには、Ｍｇの含有量の上限を９０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることが好ましく、８０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることがさらに好ましく、７０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることがより好ましい。
【0029】
（Ｓ，Ｐ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓ）
上述のＳ，Ｐ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓといった元素は、一般的に銅合金に混入しやすい元素である。そして、これらの元素は、Ｍｇと反応し化合物を形成しやすく、微量添加したＭｇの固溶効果を低減するおそれがある。このため、これらの元素の含有量は厳しく制御する必要がある。
そこで、本実施形態においては、Ｓの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下に制限している。
さらに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を３０ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限している。
上述のＳ，Ｐ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓといった元素は、一般的に銅合金に混入しやすい元素である。そして、これらの元素は、Ｍｇと反応し化合物を形成しやすく、微量添加したＭｇの固溶効果を低減するおそれがある。このため、これらの元素の含有量は厳しく制御する必要がある。
そこで、本実施形態においては、Ｓの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下に制限している。
さらに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を３０ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限している。
【0030】
なお、Ｓの含有量は、９ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、８ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｐの含有量は、６ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、３ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｓｅの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｔｅの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｓｂの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｂｉの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ａｓの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
さらに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量は、２４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、１８ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｐの含有量は、６ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、３ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｓｅの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｔｅの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｓｂの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｂｉの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ａｓの含有量は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
さらに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量は、２４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、１８ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
【0031】
（〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕）
上述のように、Ｓ，Ｐ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓといった元素は、Ｍｇと反応して化合物を形成しやすいことから、本実施形態においては、Ｍｇの含有量と、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量との比を規定することで、Ｍｇの存在形態を制御している。
Ｍｇの含有量を〔Ｍｇ〕とし、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕とした場合に、これらの質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が５０を超えると、銅中にＭｇが過剰に固溶状態で存在しており、導電率が低下するおそれがある。一方、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６未満では、Ｍｇが十分に固溶しておらず、耐応力緩和特性が十分に向上しないおそれがある。
よって、本実施形態では、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕を０．６以上５０以下の範囲内に設定している。
上述のように、Ｓ，Ｐ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ａｓといった元素は、Ｍｇと反応して化合物を形成しやすいことから、本実施形態においては、Ｍｇの含有量と、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量との比を規定することで、Ｍｇの存在形態を制御している。
Ｍｇの含有量を〔Ｍｇ〕とし、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕とした場合に、これらの質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が５０を超えると、銅中にＭｇが過剰に固溶状態で存在しており、導電率が低下するおそれがある。一方、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６未満では、Ｍｇが十分に固溶しておらず、耐応力緩和特性が十分に向上しないおそれがある。
よって、本実施形態では、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕を０．６以上５０以下の範囲内に設定している。
【0032】
なお、導電率の低下をさらに抑制するためには、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕の上限を３５以下とすることが好ましく、２５以下とすることがさらに好ましい。
また、耐応力緩和特性をさらに向上させるためには、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕の下限を０．８以上とすることが好ましく、１．０以上とすることがさらに好ましい。
また、耐応力緩和特性をさらに向上させるためには、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕の下限を０．８以上とすることが好ましく、１．０以上とすることがさらに好ましい。
【0033】
（Ａｇ：５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下）
Ａｇは、２５０℃以下の通常の電子・電気機器の使用温度範囲ではほとんどＣｕの母相中に固溶することができない。このため、銅中に微量に添加されたＡｇは、粒界近傍に偏析することとなる。これにより粒界での原子の移動は妨げられ、粒界拡散が抑制されるため、耐応力緩和特性が向上することになる。
ここで、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることが可能となる。一方、Ａｇの含有量が２０ｍａｓｓｐｐｍ以下である場合には、導電率が確保されるとともに製造コストの増加を抑制することができる。
以上のことから、本実施形態では、Ａｇの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内に設定している。
Ａｇは、２５０℃以下の通常の電子・電気機器の使用温度範囲ではほとんどＣｕの母相中に固溶することができない。このため、銅中に微量に添加されたＡｇは、粒界近傍に偏析することとなる。これにより粒界での原子の移動は妨げられ、粒界拡散が抑制されるため、耐応力緩和特性が向上することになる。
ここで、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることが可能となる。一方、Ａｇの含有量が２０ｍａｓｓｐｐｍ以下である場合には、導電率が確保されるとともに製造コストの増加を抑制することができる。
以上のことから、本実施形態では、Ａｇの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内に設定している。
【0034】
なお、耐応力緩和特性をさらに向上させるためには、Ａｇの含有量の下限を６ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが好ましく、７ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましく、８ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましい。また、導電率の低下およびコストの増加を確実に抑制するためには、Ａｇの含有量の上限を１８ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、１６ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、１４ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましい。
また、Ａｇを意図的に含まずに不純物として含む場合には、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ未満であってもよい。
また、Ａｇを意図的に含まずに不純物として含む場合には、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ未満であってもよい。
【0035】
（その他の不可避不純物）
上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Ａｌ，Ｂ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、導電率を低下させるおそれがあることから、総量で０．１ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０５ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．０３ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、さらには０．０１ｍａｓｓ％以下とすることが好ましい。
また、これらの不可避不純物のそれぞれの含有量の上限は、１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましい。
上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Ａｌ，Ｂ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、導電率を低下させるおそれがあることから、総量で０．１ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０５ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．０３ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、さらには０．０１ｍａｓｓ％以下とすることが好ましい。
また、これらの不可避不純物のそれぞれの含有量の上限は、１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましい。
【0036】
（導電率：９７％ＩＡＣＳ以上）
本実施形態である銅合金においては、導電率が９７％ＩＡＣＳ以上とされている。導電率を９７％ＩＡＣＳ以上とすることにより、通電時の発熱を抑えて、純銅材の代替として端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品として良好に使用することが可能となる。
なお、導電率は９７．５％ＩＡＣＳ以上であることが好ましく、９８．０％ＩＡＣＳ以上であることがさらに好ましく、９８．５％ＩＡＣＳ以上であることがより好ましく、９９．０％ＩＡＣＳ以上であることがより一層好ましい。
本実施形態である銅合金においては、導電率が９７％ＩＡＣＳ以上とされている。導電率を９７％ＩＡＣＳ以上とすることにより、通電時の発熱を抑えて、純銅材の代替として端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品として良好に使用することが可能となる。
なお、導電率は９７．５％ＩＡＣＳ以上であることが好ましく、９８．０％ＩＡＣＳ以上であることがさらに好ましく、９８．５％ＩＡＣＳ以上であることがより好ましく、９９．０％ＩＡＣＳ以上であることがより一層好ましい。
【0037】
（圧延方向に平行な方向における２００℃、４時間保持後の残留応力率ＲＳＧ（％）：２０％以上）
本実施形態である銅合金においては、圧延方向に平行な方向における２００℃、４時間保持後の残留応力率ＲＳＧ（％）が２０％以上とされていることが好ましい。
この条件における残留応力率が高い場合には、高温環境下で使用した場合であっても永久変形を小さく抑えることができ、接圧の低下を抑制することができる。よって、本実施形態である銅合金は、自動車のエンジンルーム周りのような高温環境下で使用される端子として特に適している。
なお、圧延方向に平行な方向における２００℃、４時間保持後の残留応力率ＲＳＧ（％）は、３０％以上とすることがさらに好ましく、４０％以上とすることがより好ましく、５０％以上とすることがより一層好ましい。
本実施形態である銅合金においては、圧延方向に平行な方向における２００℃、４時間保持後の残留応力率ＲＳＧ（％）が２０％以上とされていることが好ましい。
この条件における残留応力率が高い場合には、高温環境下で使用した場合であっても永久変形を小さく抑えることができ、接圧の低下を抑制することができる。よって、本実施形態である銅合金は、自動車のエンジンルーム周りのような高温環境下で使用される端子として特に適している。
なお、圧延方向に平行な方向における２００℃、４時間保持後の残留応力率ＲＳＧ（％）は、３０％以上とすることがさらに好ましく、４０％以上とすることがより好ましく、５０％以上とすることがより一層好ましい。
【0038】
（ＫＡＭ値の平均値：２．４以下）
ＥＢＳＤにより測定されるＫＡＭ（Ｋｅｒｎｅｌ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｉｓｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）値は、１つのピクセルとそれを取り囲むピクセル間との方位差を平均値化することで算出される値である。ピクセルの形状は正六角形のため、近接次数を１とする場合（１ｓｔ）、隣接する六つのピクセルとの方位差の平均値がＫＡＭ値として算出される。このＫＡＭ値を用いることで、局所的な方位差、すなわちひずみの分布を可視化できる。
ＥＢＳＤにより測定されるＫＡＭ（Ｋｅｒｎｅｌ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｉｓｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）値は、１つのピクセルとそれを取り囲むピクセル間との方位差を平均値化することで算出される値である。ピクセルの形状は正六角形のため、近接次数を１とする場合（１ｓｔ）、隣接する六つのピクセルとの方位差の平均値がＫＡＭ値として算出される。このＫＡＭ値を用いることで、局所的な方位差、すなわちひずみの分布を可視化できる。
【0039】
このＫＡＭ値が高い領域は、加工時に導入された転位（ＧＮ転位）の密度が高い領域であるため、転位を経路とした原子の高速拡散が起こりやすく、応力緩和が起こりやすい。そのため、このＫＡＭ値の平均値を２．４以下に制御することによって、強度を維持したまま耐応力緩和特性を向上させることが可能となる。
なお、ＫＡＭ値の平均値は、上記の範囲内でも２．２以下が好ましく、２．０以下がさらに好ましく、１．８以下がより好ましく、１．６以下であることが一層好ましい。一方、ＫＡＭ値の平均値の下限に特に制限はないが、加工硬化量を確保して十分な強度を得るためには、ＫＡＭ値の平均値は０．２以上であることがさらに好ましく、０．４以上であることがより好ましく、０．６以上であることがより一層好ましく、０．８以上であることが最も好ましい。
なお、ＫＡＭ値の平均値は、上記の範囲内でも２．２以下が好ましく、２．０以下がさらに好ましく、１．８以下がより好ましく、１．６以下であることが一層好ましい。一方、ＫＡＭ値の平均値の下限に特に制限はないが、加工硬化量を確保して十分な強度を得るためには、ＫＡＭ値の平均値は０．２以上であることがさらに好ましく、０．４以上であることがより好ましく、０．６以上であることがより一層好ましく、０．８以上であることが最も好ましい。
【0040】
なお、本実施形態では、ＥＢＳＤ装置の解析ソフトＯＩＭ Ａｎａｌｙｓｉｓ（Ｖｅｒ．７．３．１）にて測定される値であるＣＩ（Ｃｏｎｆｉｄｅｎｃｅ Ｉｎｄｅｘ）値が０．１以下の測定点を除きＫＡＭ値を算出している。ＣＩ値はある解析点から得られたＥＢＳＤパターンを指数付けする際に、Ｖｏｔｉｎｇ法を用いることで算出され、０から１の値を取る。ＣＩ値は指数付けと方位計算の信頼性を評価する値であるため、ＣＩ値が低い場合、すなわち解析点の明瞭な結晶パターンが得られない場合には組織中にひずみ（加工組織）が存在しているといえる。特にひずみが大きい場合、ＣＩ値が０．１以下の値を取る。
【0041】
次に、このような構成とされた本実施形態である銅合金の製造方法について、図１に示すフロー図を参照して説明する。
【0042】
（溶解・鋳造工程Ｓ０１）
まず、銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。なお、各種元素の添加には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、本合金のリサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
ここで、銅原料は、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
まず、銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。なお、各種元素の添加には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、本合金のリサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
ここで、銅原料は、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
【0043】
溶解時においては、Ｍｇの酸化を抑制するため、また水素濃度低減のため、Ｈ２Ｏの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気（例えばＡｒガス）による雰囲気溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。
そして、成分調整された銅合金溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
そして、成分調整された銅合金溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
【0044】
（均質化／溶体化工程Ｓ０２）
次に、得られた鋳塊の均質化および溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程においてＭｇが偏析で濃縮することにより発生したＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物等が存在することがある。そこで、これらの偏析および金属間化合物等を消失または低減させるために、鋳塊を３００℃以上１０８０℃以下にまで加熱する加熱処理を行うことで、鋳塊内において、Ｍｇを均質に拡散させたり、Ｍｇを母相中に固溶させたりする。なお、この均質化／溶体化工程Ｓ０２は、非酸化性または還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
次に、得られた鋳塊の均質化および溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程においてＭｇが偏析で濃縮することにより発生したＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物等が存在することがある。そこで、これらの偏析および金属間化合物等を消失または低減させるために、鋳塊を３００℃以上１０８０℃以下にまで加熱する加熱処理を行うことで、鋳塊内において、Ｍｇを均質に拡散させたり、Ｍｇを母相中に固溶させたりする。なお、この均質化／溶体化工程Ｓ０２は、非酸化性または還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
【0045】
ここで、加熱温度が３００℃未満では、溶体化が不完全となり、母相中にＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が多く残存するおそれがある。一方、加熱温度が１０８０℃を超えると、銅素材の一部が液相となり、組織や表面状態が不均一となるおそれがある。よって、加熱温度を３００℃以上１０８０℃以下の範囲に設定している。
なお、後述する粗圧延の効率化と組織の均一化のために、前述の均質化／溶体化工程Ｓ０２の後に熱間加工を実施してもよい。この場合、加工方法に特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。また、熱間加工温度は、３００℃以上１０８０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、後述する粗圧延の効率化と組織の均一化のために、前述の均質化／溶体化工程Ｓ０２の後に熱間加工を実施してもよい。この場合、加工方法に特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。また、熱間加工温度は、３００℃以上１０８０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
【0046】
（粗加工工程Ｓ０３）
所定の形状に加工するために、粗加工を行う。なお、この粗加工工程Ｓ０３における温度条件は特に限定はないが、再結晶を抑制するために、あるいは寸法精度の向上のため、冷間または温間圧延となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。加工率については、２０％以上が好ましく、３０％以上がさらに好ましい。また、加工方法については、特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。
所定の形状に加工するために、粗加工を行う。なお、この粗加工工程Ｓ０３における温度条件は特に限定はないが、再結晶を抑制するために、あるいは寸法精度の向上のため、冷間または温間圧延となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。加工率については、２０％以上が好ましく、３０％以上がさらに好ましい。また、加工方法については、特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。
【0047】
（中間熱処理工程Ｓ０４）
粗加工工程Ｓ０３後に、再結晶組織にするために熱処理を実施する。なお、中間熱処理工程Ｓ０４と後述する上前加工工程Ｓ０５を繰り返し実施してもよい。
ここで、この中間熱処理工程Ｓ０４が実質的に最後の再結晶熱処理となるため、この工程で得られた再結晶組織の結晶粒径は最終的な結晶粒径にほぼ等しくなる。そのため、この中間熱処理工程Ｓ０４では、平均結晶粒径が５μｍ以上となるように、適宜、熱処理条件を選定することが好ましい。例えば７００℃では１秒から１２０秒程度保持することが好ましい。
粗加工工程Ｓ０３後に、再結晶組織にするために熱処理を実施する。なお、中間熱処理工程Ｓ０４と後述する上前加工工程Ｓ０５を繰り返し実施してもよい。
ここで、この中間熱処理工程Ｓ０４が実質的に最後の再結晶熱処理となるため、この工程で得られた再結晶組織の結晶粒径は最終的な結晶粒径にほぼ等しくなる。そのため、この中間熱処理工程Ｓ０４では、平均結晶粒径が５μｍ以上となるように、適宜、熱処理条件を選定することが好ましい。例えば７００℃では１秒から１２０秒程度保持することが好ましい。
【0048】
（上前加工工程Ｓ０５）
中間熱処理工程Ｓ０４後の銅素材を所定の形状に加工するため、上前加工を行う。なお、この上前加工工程Ｓ０５における温度条件は特に限定はないが、加工時の再結晶を抑制するため、または軟化を抑制するために冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。また、加工率は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、加工硬化によって強度を向上させるため５％以上とすることが好ましい。一方、ＫＡＭ値の過剰な増加を抑制するためには、加工率を８５％以下とすることが好ましく、加工率を８０％以下とすることがより好ましい。
また、加工方法については、特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。
中間熱処理工程Ｓ０４後の銅素材を所定の形状に加工するため、上前加工を行う。なお、この上前加工工程Ｓ０５における温度条件は特に限定はないが、加工時の再結晶を抑制するため、または軟化を抑制するために冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。また、加工率は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、加工硬化によって強度を向上させるため５％以上とすることが好ましい。一方、ＫＡＭ値の過剰な増加を抑制するためには、加工率を８５％以下とすることが好ましく、加工率を８０％以下とすることがより好ましい。
また、加工方法については、特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。
【0049】
（機械的表面処理工程Ｓ０６）
上前加工工程Ｓ０５後に、機械的表面処理を行う。機械的表面処理は、所望の形状がほぼ得られた後に表面近傍に圧縮応力を与える処理であり、耐応力緩和特性を向上させる効果がある。
機械的表面処理は、ショットピーニング処理、ブラスト処理、ラッピング処理、ポリッシング処理、バフ研磨、グラインダー研磨、サンドペーパー研磨、テンションレベラー処理、１パス当りの圧下率が低い軽圧延（１パス当たりの圧下率１～１０％とし３回以上繰り返す）など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
Ｍｇを添加した銅合金に、この機械的表面処理を加えることで、耐応力緩和特性が大きく向上することになる。
上前加工工程Ｓ０５後に、機械的表面処理を行う。機械的表面処理は、所望の形状がほぼ得られた後に表面近傍に圧縮応力を与える処理であり、耐応力緩和特性を向上させる効果がある。
機械的表面処理は、ショットピーニング処理、ブラスト処理、ラッピング処理、ポリッシング処理、バフ研磨、グラインダー研磨、サンドペーパー研磨、テンションレベラー処理、１パス当りの圧下率が低い軽圧延（１パス当たりの圧下率１～１０％とし３回以上繰り返す）など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
Ｍｇを添加した銅合金に、この機械的表面処理を加えることで、耐応力緩和特性が大きく向上することになる。
【0050】
（仕上熱処理工程Ｓ０７）
次に、機械的表面処理工程Ｓ０６によって得られた塑性加工材に対して、含有元素の粒界への偏析および残留ひずみの除去のため、仕上熱処理を行う。
熱処理温度は、１００℃以上５００℃以下の範囲内とすることが好ましい。なお、この仕上熱処理工程Ｓ０７においては、再結晶による強度の大幅な低下を避けるように、かつ、残留ひずみの除去により転位配列を最適化させ、過剰に増加したＫＡＭ値を低減させるように熱処理条件を設定する必要がある。例えば４５０℃では０．１秒から１０秒程度保持、２５０℃では１分から１００時間とすることが好ましい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理の方法は特に限定はないが、製造コスト低減の効果から、連続焼鈍炉による短時間の熱処理が好ましい。
さらに、上述の上前加工工程Ｓ０５、機械的表面処理工程Ｓ０６、仕上熱処理工程Ｓ０７を、繰り返し実施してもよい。
次に、機械的表面処理工程Ｓ０６によって得られた塑性加工材に対して、含有元素の粒界への偏析および残留ひずみの除去のため、仕上熱処理を行う。
熱処理温度は、１００℃以上５００℃以下の範囲内とすることが好ましい。なお、この仕上熱処理工程Ｓ０７においては、再結晶による強度の大幅な低下を避けるように、かつ、残留ひずみの除去により転位配列を最適化させ、過剰に増加したＫＡＭ値を低減させるように熱処理条件を設定する必要がある。例えば４５０℃では０．１秒から１０秒程度保持、２５０℃では１分から１００時間とすることが好ましい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理の方法は特に限定はないが、製造コスト低減の効果から、連続焼鈍炉による短時間の熱処理が好ましい。
さらに、上述の上前加工工程Ｓ０５、機械的表面処理工程Ｓ０６、仕上熱処理工程Ｓ０７を、繰り返し実施してもよい。
【0051】
このようにして、本実施形態である銅合金（銅合金塑性加工材）が製出されることになる。なお、圧延により製出された銅合金塑性加工材を銅合金圧延板という。
ここで、銅合金塑性加工材の板厚を０．１ｍｍ以上とした場合には、大電流用途での導体としての使用に適している。また、銅合金塑性加工材の板厚を１０．０ｍｍ以下とすることにより、プレス機の荷重の増大を抑制し、単位時間あたりの生産性を確保することができ、製造コストを抑えることができる。
このため、銅合金塑性加工材（銅合金圧延材）の板厚は０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、銅合金塑性加工材（銅合金圧延材）の板厚の下限は０．５ｍｍ以上とすることが好ましく、１．０ｍｍ以上とすることがより好ましい。一方、銅合金塑性加工材（銅合金圧延材）の板厚の上限は９．０ｍｍ未満とすることが好ましく、８．０ｍｍ未満とすることがより好ましい。
ここで、銅合金塑性加工材の板厚を０．１ｍｍ以上とした場合には、大電流用途での導体としての使用に適している。また、銅合金塑性加工材の板厚を１０．０ｍｍ以下とすることにより、プレス機の荷重の増大を抑制し、単位時間あたりの生産性を確保することができ、製造コストを抑えることができる。
このため、銅合金塑性加工材（銅合金圧延材）の板厚は０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、銅合金塑性加工材（銅合金圧延材）の板厚の下限は０．５ｍｍ以上とすることが好ましく、１．０ｍｍ以上とすることがより好ましい。一方、銅合金塑性加工材（銅合金圧延材）の板厚の上限は９．０ｍｍ未満とすることが好ましく、８．０ｍｍ未満とすることがより好ましい。
【0052】
以上のような構成とされた本実施形態である銅合金においては、Ｍｇの含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内とされ、Ｍｇと化合物を生成する元素であるＳの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｐの含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｔｅの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓｂの含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｂｉの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下、Ａｓの含有量を５ｍａｓｐｐｍ以下、さらに、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を３０ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限しているので、微量添加したＭｇを銅の母相中に固溶させることができ、導電率を大きく低下させることなく、耐応力緩和特性を向上させることが可能となる。
【0053】
そして、Ｍｇの含有量を〔Ｍｇ〕とし、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量を〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕とした場合に、これらの質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕を０．６以上５０以下の範囲内に設定しているので、Ｍｇが過剰に固溶して導電率を低下させることなく耐応力緩和特性を十分に向上させることが可能となる。よって、本実施形態の銅合金によれば、導電率を９７％ＩＡＣＳ以上、圧延方向に平行な方向における２００℃、４時間保持後の残留応力率ＲＳＧ（％）を２０％以上とすることができ、高い導電率と優れた耐応力緩和特性とを両立することが可能となる。
そして、本実施形態では、ＫＡＭ値の平均値が２．４以下とされているとされているので、強度を維持したまま耐応力緩和特性を向上させることが可能となる。
そして、本実施形態では、ＫＡＭ値の平均値が２．４以下とされているとされているので、強度を維持したまま耐応力緩和特性を向上させることが可能となる。
【0054】
本実施形態において、Ａｇの含有量が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とされている場合には、Ａｇが粒界近傍に偏析し、粒界拡散が抑制され、耐応力緩和特性を向上させることが可能となる。
【0055】
本実施形態である銅合金塑性加工材は、上述の銅合金で構成されていることから、導電性、耐応力緩和特性に優れており、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
また、本実施形態である銅合金塑性加工材を、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の圧延板とした場合には、銅合金塑性加工材（圧延板）に対して打ち抜き加工や曲げ加工を施すことで、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品を比較的容易に成形することができる。
なお、本実施形態である銅合金塑性加工材の表面にＳｎめっき層又はＡｇめっき層を形成した場合には、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
また、本実施形態である銅合金塑性加工材を、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の圧延板とした場合には、銅合金塑性加工材（圧延板）に対して打ち抜き加工や曲げ加工を施すことで、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品を比較的容易に成形することができる。
なお、本実施形態である銅合金塑性加工材の表面にＳｎめっき層又はＡｇめっき層を形成した場合には、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
【0056】
さらに、本実施形態である電子・電気機器用部品（端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等）は、上述の銅合金塑性加工材で構成されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
【0057】
以上、本発明の実施形態である銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品（端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板）について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、上述の実施形態では、銅合金（銅合金塑性加工材）の製造方法の一例について説明したが、銅合金の製造方法は、実施形態に記載したものに限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
例えば、上述の実施形態では、銅合金（銅合金塑性加工材）の製造方法の一例について説明したが、銅合金の製造方法は、実施形態に記載したものに限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
【実施例】
【0058】
以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
帯溶融精製法により、純度９９．９９９ｍａｓｓ％以上の純銅からなる原料を高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ａｒガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。
帯溶融精製法により、純度９９．９９９ｍａｓｓ％以上の純銅からなる原料を高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ａｒガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。
【0059】
得られた銅溶湯内に、６Ｎ（純度９９．９９９９ｍａｓｓ％）以上の高純度銅と２Ｎ（純度９９ｍａｓｓ％）以上の純度を有する純金属を用いて作製した各種０．１ｍａｓｓ％母合金を添加して成分調整し、断熱材（イソウール）鋳型に注湯することにより、表１，２に示す成分組成の鋳塊を製出した。なお、鋳塊の大きさは、厚さ約３０ｍｍ×幅約６０ｍｍ×長さ約１５０～２００ｍｍとした。
【0060】
得られた鋳塊に対して、Ｍｇの溶体化のため、Ａｒガス雰囲気中において、９００℃、１時間の加熱を行い、酸化被膜を除去するために表面研削を実施し、所定の大きさに切断を行った。
その後、適宜最終厚みになる様に厚みを調整して切断を行った。切断されたそれぞれの試料は表３，４に記載の条件で粗圧延を行った後、再結晶により結晶粒径が３０μｍ程度となる条件で中間熱処理を実施した。
その後、適宜最終厚みになる様に厚みを調整して切断を行った。切断されたそれぞれの試料は表３，４に記載の条件で粗圧延を行った後、再結晶により結晶粒径が３０μｍ程度となる条件で中間熱処理を実施した。
【0061】
次に、表３，４に記載された条件にて上前圧延(上前加工工程)を実施した。
そして、これらの試料に表３，４に記載された手法で機械的表面処理工程を施した。
なお、サンドペーパー研磨は♯２４０の研磨紙を用いて行った。
ラッピング処理 は、ＳｉＣ系の砥粒を用い、鋳鉄のラップを使用して実施した。
ショットピーニング処理は、直径０．２ｍｍのステンレスのショットを用い、投射速度１０ｍ／秒、投射時間５秒で実施した。
その後、表３，４に記載の条件で仕上熱処理を行い、それぞれ表３，４に記載された厚さ×幅約６０ｍｍの条材を製出した。
そして、これらの試料に表３，４に記載された手法で機械的表面処理工程を施した。
なお、サンドペーパー研磨は♯２４０の研磨紙を用いて行った。
ラッピング処理 は、ＳｉＣ系の砥粒を用い、鋳鉄のラップを使用して実施した。
ショットピーニング処理は、直径０．２ｍｍのステンレスのショットを用い、投射速度１０ｍ／秒、投射時間５秒で実施した。
その後、表３，４に記載の条件で仕上熱処理を行い、それぞれ表３，４に記載された厚さ×幅約６０ｍｍの条材を製出した。
【0062】
得られた条材について、以下の項目について評価を実施した。
【0063】
（組成分析）
得られた鋳塊から測定試料を採取し、Ｍｇは誘導結合プラズマ発光分光分析法で、その他の元素はグロー放電質量分析装置（ＧＤ－ＭＳ）を用いて測定した。なお、測定は試料中央部と幅方向端部の２カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。その結果、表１，２に示す成分組成であることを確認した。
得られた鋳塊から測定試料を採取し、Ｍｇは誘導結合プラズマ発光分光分析法で、その他の元素はグロー放電質量分析装置（ＧＤ－ＭＳ）を用いて測定した。なお、測定は試料中央部と幅方向端部の２カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。その結果、表１，２に示す成分組成であることを確認した。
【0064】
（導電率）
特性評価用条材から幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍの試験片を採取し、４端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。評価結果を表３，４に示す。
特性評価用条材から幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍの試験片を採取し、４端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。評価結果を表３，４に示す。
【0065】
（ＫＡＭ値）
圧延面、すなわちＮＤ面(Ｎｏｒｍａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を観察面として、ＥＢＳＤ測定装置およびＯＩＭ解析ソフトによって、次のようにＫＡＭ値の平均値を求めた。
耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った後、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。そして、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）によって、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１００００μｍ２以上の測定面積を、０．２５μｍの測定間隔のステップでＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界とし、データ解析ソフトＯＩＭを用いてＡｒｅａ Ｆｒａｃｔｉｏｎによる平均粒径Ａを求めた。その後、平均粒径Ａの１０分の１以下となる測定間隔のステップで測定して、総数１０００個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で１００００μｍ２以上となる測定面積で、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて解析し、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなして解析した全ピクセルのＫＡＭ値を求め、その平均値を求めた。
圧延面、すなわちＮＤ面(Ｎｏｒｍａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を観察面として、ＥＢＳＤ測定装置およびＯＩＭ解析ソフトによって、次のようにＫＡＭ値の平均値を求めた。
耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った後、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。そして、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）によって、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１００００μｍ２以上の測定面積を、０．２５μｍの測定間隔のステップでＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界とし、データ解析ソフトＯＩＭを用いてＡｒｅａ Ｆｒａｃｔｉｏｎによる平均粒径Ａを求めた。その後、平均粒径Ａの１０分の１以下となる測定間隔のステップで測定して、総数１０００個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で１００００μｍ２以上となる測定面積で、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて解析し、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなして解析した全ピクセルのＫＡＭ値を求め、その平均値を求めた。
【0066】
（耐応力緩和特性）
耐応力緩和特性試験は、日本伸銅協会技術標準ＪＣＢＡ－Ｔ３０９：２００４に準拠し、片持はりねじ式に準じた方法によって応力を負荷し、２００℃の温度で４時間保持後の残留応力率を測定した。評価結果を表３，４に示す。
試験方法としては、各特性評価用条材から圧延方向に対して平行な方向に試験片（幅１０ｍｍ）を採取し、試験片の表面最大応力が耐力の８０％となるよう、初期たわみ変位を２ｍｍと設定し、スパン長さを調整した。上記表面最大応力は次式で定められる。
表面最大応力（ＭＰａ)＝１．５Ｅｔδ0/Ｌs 2
ただし、
Ｅ：ヤング率（ＭＰａ）
ｔ：試料の厚さ（ｍｍ）
δ０：初期たわみ変位（ｍｍ）
Ｌｓ：スパン長さ（ｍｍ）
である。
なお、ここで用いた耐力は特性評価用条材からＪＩＳ Ｚ ２２４１に規定される１３Ｂ号試験片を採取し、ＪＩＳ Ｚ ２２４１のオフセット法により、０．２％耐力を測定することで求めた。
耐応力緩和特性試験は、日本伸銅協会技術標準ＪＣＢＡ－Ｔ３０９：２００４に準拠し、片持はりねじ式に準じた方法によって応力を負荷し、２００℃の温度で４時間保持後の残留応力率を測定した。評価結果を表３，４に示す。
試験方法としては、各特性評価用条材から圧延方向に対して平行な方向に試験片（幅１０ｍｍ）を採取し、試験片の表面最大応力が耐力の８０％となるよう、初期たわみ変位を２ｍｍと設定し、スパン長さを調整した。上記表面最大応力は次式で定められる。
表面最大応力（ＭＰａ)＝１．５Ｅｔδ0/Ｌs 2
ただし、
Ｅ：ヤング率（ＭＰａ）
ｔ：試料の厚さ（ｍｍ）
δ０：初期たわみ変位（ｍｍ）
Ｌｓ：スパン長さ（ｍｍ）
である。
なお、ここで用いた耐力は特性評価用条材からＪＩＳ Ｚ ２２４１に規定される１３Ｂ号試験片を採取し、ＪＩＳ Ｚ ２２４１のオフセット法により、０．２％耐力を測定することで求めた。
【0067】
２００℃の温度で、４時間保持後の曲げ癖から、残留応力率ＲＳＧ（％）を測定し、耐応力緩和特性を評価した。なお、残留応力率ＲＳＧ（％）は次式を用いて算出した。
残留応力率ＲＳＧ（％）＝（１－δt/δ0）×１００
ただし、
δｔ：２００℃で４時間保持後の永久たわみ変位（ｍｍ）－常温で２４時間保持後の永久たわみ変位（ｍｍ）
δ０：初期たわみ変位（ｍｍ）
である。
残留応力率ＲＳＧ（％）＝（１－δt/δ0）×１００
ただし、
δｔ：２００℃で４時間保持後の永久たわみ変位（ｍｍ）－常温で２４時間保持後の永久たわみ変位（ｍｍ）
δ０：初期たわみ変位（ｍｍ）
である。
【0068】
（機械的特性）
特性評価用条材からＪＩＳ Ｚ ２２４１に規定される１３Ｂ号試験片を採取し、ＪＩＳ Ｚ ２２４１のオフセット法により、引張強度を測定した。なお、試験片は、圧延方向に平行な方向で採取した。評価結果を表３，４に示す。
特性評価用条材からＪＩＳ Ｚ ２２４１に規定される１３Ｂ号試験片を採取し、ＪＩＳ Ｚ ２２４１のオフセット法により、引張強度を測定した。なお、試験片は、圧延方向に平行な方向で採取した。評価結果を表３，４に示す。
【0069】
【表1】
【0070】
【表2】
【0071】
【表3】
【0072】
【表4】
【0073】
比較例１は、Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも少ないため、残留応力率が低く、耐応力緩和特性が不十分であった。
比較例２は、Ｍｇの含有量が本発明の範囲を超えており、導電率が低くなった。
比較例３は、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が３０ｍａｓｓｐｐｍ超えており、残留応力率が低く、耐応力緩和特性が不十分であった。
比較例４は、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６未満であり、残留応力率が低く、耐応力緩和特性が不十分であった。
比較例５は、ＫＡＭ値の平均値が２．４を超えており、残留応力率が低く、耐応力緩和特性が不十分であった。
比較例２は、Ｍｇの含有量が本発明の範囲を超えており、導電率が低くなった。
比較例３は、ＳとＰとＳｅとＴｅとＳｂとＢｉとＡｓの合計含有量が３０ｍａｓｓｐｐｍ超えており、残留応力率が低く、耐応力緩和特性が不十分であった。
比較例４は、質量比〔Ｍｇ〕／〔Ｓ＋Ｐ＋Ｓｅ＋Ｔｅ＋Ｓｂ＋Ｂｉ＋Ａｓ〕が０．６未満であり、残留応力率が低く、耐応力緩和特性が不十分であった。
比較例５は、ＫＡＭ値の平均値が２．４を超えており、残留応力率が低く、耐応力緩和特性が不十分であった。
【0074】
これに対して、本発明例１～２４においては、導電率と耐応力緩和特性がバランス良く向上されていることが確認された。
【図1】