１、１５０：平面ＲＣ－ＩＧＢＴ、２、３、４：トレンチＲＣ－ＩＧＢＴ、１０、１０’、１００：ウエハ、１１、１１１：第１の主面、１２、１１２：第２の主面、２１、１２１：第１の主電極、２２、１２２：第２の主電極、３１：ｎ型の（第１の）ベース層、３１ａ、１３１ａ：ドリフト層、３１ｂ、１３１ｂ：バッファ層、３２、１３２：コレクタ層、３３、１３３：コレクタ短絡部、４０、４０’：アクティブユニットセル、４１ａ、４１ａ’：第１のソース層、４１ｂ、４１ｂ’：第２のソース層、４２、４２’、１４２：ｐ型の（第２の）ベース層、４６ａ、４６ａ’：第１のゲート絶縁層、４６ｂ、４６ｂ’：第２のゲート絶縁層、４７ａ、４７ａ’：第１のゲート電極、４７ｂ、４７ｂ’：第２のゲート電極、５０、５０’：パイロットダイオードユニットセル、５１、５１’：アノード領域、５２ａ、５２ａ’：第１の絶縁層、５２ｂ、５２ｂ’：第２の絶縁層、６０：ダミーセル、７２：絶縁層、１３５：バッファ層、１４１：ｎ型ソース領域、１４５：ゲート電極、１４６：ゲート絶縁層、１４７：ゲート電極、１４９：絶縁層、ｄ１：第１の深さ、ｄ２：第２の深さ、ｄ３：第３の深さ、Ｄ、Ｄ’：横方向距離、Ｘ：第２の方向、Ｙ：第１の方向、ｗ：横方向サイズ。