(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-06-09
(45)【発行日】2022-06-17
(54)【発明の名称】衛生陶器及び衛生陶器の製造方法
(51)【国際特許分類】
C04B 41/86 20060101AFI20220610BHJP
C04B 33/34 20060101ALI20220610BHJP
E03D 11/02 20060101ALI20220610BHJP
C03C 8/14 20060101ALN20220610BHJP
A47K 1/04 20060101ALN20220610BHJP
E03D 1/01 20060101ALN20220610BHJP
E03D 13/00 20060101ALN20220610BHJP
【ＦＩ】
C04B41/86 D
C04B33/34
E03D11/02 Z
C03C8/14
A47K1/04 H
E03D1/01 Z
E03D13/00
【請求項の数】
5
(21)【出願番号】P 2018117447
(22)【出願日】2018-06-20
(65)【公開番号】P2019218243
(43)【公開日】2019-12-26
【審査請求日】2021-04-27
(73)【特許権者】
【識別番号】504163612
【氏名又は名称】株式会社ＬＩＸＩＬ
(74)【代理人】
【識別番号】100106909
【弁理士】
【氏名又は名称】棚井 澄雄
(74)【代理人】
【識別番号】100094400
【氏名又は名称】鈴木 三義
(74)【代理人】
【識別番号】100161506
【弁理士】
【氏名又は名称】川渕 健一
(74)【代理人】
【識別番号】100169764
【弁理士】
【氏名又は名称】清水 雄一郎
(72)【発明者】
【氏名】森 俊徳
(72)【発明者】
【氏名】竹内 一男
(72)【発明者】
【氏名】岩崎 俊三
(72)【発明者】
【氏名】吉永 勲
(72)【発明者】
【氏名】宮本 博幸
(72)【発明者】
【氏名】芦澤 忠
(72)【発明者】
【氏名】澤田 英明
(72)【発明者】
【氏名】崔 宰熏
(72)【発明者】
【氏名】川合 秀治
【審査官】浅野 昭
(56)【参考文献】
【文献】特開昭６０－１６６２８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－２７２９８８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－２９８２５０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－２３８２７４（ＪＰ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１０４００３７５９（ＣＮ，Ａ）
【文献】特開２００３－２４６６８９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－１０７２６６（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０４Ｂ ４１／８６
Ｅ０３Ｄ １１／０２
Ａ４７Ｋ １／０４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
陶器素地と、前記陶器素地の表面に位置する上釉層と、前記陶器素地と前記上釉層との間に位置する中間層とを備え、前記上釉層の厚さの最大値と、前記上釉層の厚さの最小値との差が、５０μｍ以下であり、
前記上釉層の厚さに対する前記差の割合が２５％以下である、衛生陶器。
【請求項2】
前記中間層を厚さ方向に切断した切断面における気泡の平均気泡径が２５μｍ以下である、請求項１に記載の衛生陶器。
【請求項3】
前記中間層を厚さ方向に切断した切断面の面積に対する気泡の面積の割合が２０％以下である、請求項１又は２に記載の衛生陶器。
【請求項4】
前記中間層を形成する中間層組成物を前記陶器素地の表面に、浸し掛け、流し掛け、塗り掛け、又は吹き掛けのいずれかにより塗布し、乾燥し、次いで、前記中間層組成物を塗布した面に、前記上釉層を形成する上釉層組成物を塗布する、請求項１～３のいずれか一項に記載の衛生陶器の製造方法。
【請求項5】
前記中間層を形成する中間層組成物を前記陶器素地の表面に、浸し掛け、流し掛け、塗り掛け、又は吹き掛けのいずれかにより塗布した後焼成して一次焼成体を得、前記一次焼成体に前記上釉層を形成する上釉層組成物を塗布して焼成する、請求項１～３のいずれか一項に記載の衛生陶器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、衛生陶器及び衛生陶器の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、便器、洗面器等の衛生陶器には、汚れの付着を抑制し、又は外観の意匠性を良好にするために、上釉層（釉薬層）が最表面に形成されている。
【0003】
例えば、特許文献１には、陶器素地表面に、着色性の第一釉薬層が形成され、さらにその上に透明性の第二釉薬層が形成された衛生陶器が提案されている。特許文献１の衛生陶器では、表面平滑性の向上と、耐熱衝撃性の向上とが図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２００５－２９８２５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、近年、衛生陶器の設置されるトイレ空間、洗面空間には、衛生性だけではなく、高級感や品位を求めるニーズがある。品位は、色彩や形状といった意匠性だけではない部分で感じ取られるものである。
品位を表す指標の一つに衛生陶器の「美しさ」が挙げられる。「美しさ」とは、衛生陶器の輝きや色合い、透明感等から感じ取れる総合的な美感である。「美しさ」が認められる衛生陶器は、高品位の印象を与える。
特許文献１の衛生陶器では、衛生陶器の「美しさ」について、いまだ満足できるものでなかった。
品位を表す指標の一つに衛生陶器の「美しさ」が挙げられる。「美しさ」とは、衛生陶器の輝きや色合い、透明感等から感じ取れる総合的な美感である。「美しさ」が認められる衛生陶器は、高品位の印象を与える。
特許文献１の衛生陶器では、衛生陶器の「美しさ」について、いまだ満足できるものでなかった。
【0006】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、「美しさ」をより向上できる衛生陶器及び衛生陶器の製造方法を目的とする。
【0007】
一般に、写像性（衛生陶器の表面に映り込んだ像の鮮明さ）が高い衛生陶器は、衛生陶器の表面に映り込んだ像が鮮明であり、高品位の印象を与えやすい。しかし、本発明者等が鋭意検討した結果、写像性が高い衛生陶器は、総合的な美感に優れるとは限らず、「美しさ」との相関性は見出せなかった。本発明は、写像性とは異なる観点から衛生陶器の高級感や品位を求めるものである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を達成するため、本発明は、以下の態様を有する。
［１］陶器素地と、前記陶器素地の表面に位置する上釉層と、前記陶器素地と前記上釉層との間に位置する中間層とを備え、前記上釉層の厚さの最大値と、前記上釉層の厚さの最小値との差が、５０μｍ以下である、衛生陶器。
［２］前記中間層を厚さ方向に切断した切断面における気泡の平均気泡径が２５μｍ以下である、［１］に記載の衛生陶器。
［３］前記中間層を厚さ方向に切断した切断面の面積に対する気泡の面積の割合が２０％以下である、［１］又は［２］に記載の衛生陶器。
［１］陶器素地と、前記陶器素地の表面に位置する上釉層と、前記陶器素地と前記上釉層との間に位置する中間層とを備え、前記上釉層の厚さの最大値と、前記上釉層の厚さの最小値との差が、５０μｍ以下である、衛生陶器。
［２］前記中間層を厚さ方向に切断した切断面における気泡の平均気泡径が２５μｍ以下である、［１］に記載の衛生陶器。
［３］前記中間層を厚さ方向に切断した切断面の面積に対する気泡の面積の割合が２０％以下である、［１］又は［２］に記載の衛生陶器。
【0009】
［４］前記中間層を形成する中間層組成物を前記陶器素地の表面に、浸し掛け、流し掛け、塗り掛け、又は吹き掛けのいずれかにより塗布し、乾燥し、次いで、前記中間層組成物を塗布した面に、前記上釉層を形成する上釉層組成物を塗布する、［１］～［３］のいずれかに記載の衛生陶器の製造方法。
［５］前記中間層を形成する中間層組成物を前記陶器素地の表面に、浸し掛け、流し掛け、塗り掛け、又は吹き掛けのいずれかにより塗布した後焼成して一次焼成体を得、前記一次焼成体に前記上釉層を形成する上釉層組成物を塗布して焼成する、［１］～［３］のいずれかに記載の衛生陶器の製造方法。
［５］前記中間層を形成する中間層組成物を前記陶器素地の表面に、浸し掛け、流し掛け、塗り掛け、又は吹き掛けのいずれかにより塗布した後焼成して一次焼成体を得、前記一次焼成体に前記上釉層を形成する上釉層組成物を塗布して焼成する、［１］～［３］のいずれかに記載の衛生陶器の製造方法。
【発明の効果】
【0010】
本発明の衛生陶器及び衛生陶器の製造方法によれば、衛生陶器の「美しさ」をより向上できる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
［衛生陶器］
以下、本発明の一実施形態について、図１を参照して説明する。
図１に示す衛生陶器１は、陶器素地１０と、陶器素地１０の表面に位置する上釉層３０と、陶器素地１０と上釉層３０との間に位置する中間層２０とを備える。
以下、本発明の一実施形態について、図１を参照して説明する。
図１に示す衛生陶器１は、陶器素地１０と、陶器素地１０の表面に位置する上釉層３０と、陶器素地１０と上釉層３０との間に位置する中間層２０とを備える。
【0013】
本明細書において「衛生陶器」とは、トイレ及び洗面所周りで用いられる陶器製品を意味する。衛生陶器１としては、例えば、小便器、大便器、便器タンク、洗面台の洗面器、手洗い器等が挙げられる。
本明細書において「陶器」とは、原料に長石、陶石、カオリン、粘土を用い、表面に釉薬を塗布して焼成したものを意味する。
本明細書において「陶器」とは、原料に長石、陶石、カオリン、粘土を用い、表面に釉薬を塗布して焼成したものを意味する。
【0014】
衛生陶器１の厚さＴ１は、特に限定されないが、例えば、１～５０ｍｍが好ましく、２～３０ｍｍがより好ましく、３～２０ｍｍがさらに好ましい。厚さＴ１が上記下限値以上であると、衛生陶器１の強度が高められやすい。厚さＴ１が上記上限値以下であると、衛生陶器１を軽量にでき、取り扱いが容易になる。
衛生陶器１の厚さＴ１は、例えば、ノギスを用いて測定できる。
衛生陶器１の厚さＴ１は、例えば、ノギスを用いて測定できる。
【0015】
衛生陶器１の写像性は、８０以上が好ましく、８５以上がより好ましく、９０以上がさらに好ましい。衛生陶器１の写像性が上記下限値以上であると、高品位の印象を与えやすい。衛生陶器１の写像性の上限値は、特に限定されないが、実質的には９９以下である。
なお、本明細書において、写像性は、ウェーブスキャンＤＯＩ測定装置（ＢＹＫ Ｇａｒｄｎｅｒ社製、Ｗａｖｅ－Ｓｃａｎ－ＤＵＡＬ）により測定されるＤＯＩ値を意味する。
なお、本明細書において、写像性は、ウェーブスキャンＤＯＩ測定装置（ＢＹＫ Ｇａｒｄｎｅｒ社製、Ｗａｖｅ－Ｓｃａｎ－ＤＵＡＬ）により測定されるＤＯＩ値を意味する。
【0016】
陶器素地１０としては、長石、陶石、カオリン、粘土等を原料として含む陶器素地組成物（陶器素地泥漿）を石膏型あるいは樹脂型を用いて所定の形状に成形し、１１００～１３００℃で焼成した素地が挙げられる。
陶器素地組成物は、水を含有する。陶器素地組成物の総質量に対する水の含有量は、３０～５０質量％が好ましく、３０～４０質量％がより好ましい。
陶器素地組成物は、水を含有する。陶器素地組成物の総質量に対する水の含有量は、３０～５０質量％が好ましく、３０～４０質量％がより好ましい。
【0017】
陶器素地１０の厚さＴ１０は、特に限定されないが、例えば、１～５０ｍｍが好ましく、２～３０ｍｍがより好ましく、３～２０ｍｍがさらに好ましい。厚さＴ１０が上記下限値以上であると、陶器素地１０の強度が高められやすい。厚さＴ１０が上記上限値以下であると、陶器素地１０を軽量にでき、取り扱いが容易になる。
陶器素地１０の厚さＴ１０は、例えば、ノギスを用いて測定できる。
陶器素地１０の厚さＴ１０は、例えば、ノギスを用いて測定できる。
【0018】
上釉層３０は、本発明の衛生陶器用の上釉層組成物（以下、単に上釉層組成物ともいう。）の焼成物である。上釉層３０は、衛生陶器１の最表面に位置する層を形成するための釉（釉薬）からなる層である。上釉層組成物は、いわゆる釉薬である。上釉層組成物は、釉原料であるケイ砂、長石、石灰、粘土等が水に分散されたスラリー（泥漿）である。
上釉層組成物の総質量に対する水の含有量は、４０～８０質量％が好ましく、４０～７０質量％がより好ましい。
上釉層組成物の総質量に対する水の含有量は、４０～８０質量％が好ましく、４０～７０質量％がより好ましい。
【0019】
上釉層組成物に含まれる固形分の平均粒子径は、２０μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましい。上釉層組成物に含まれる固形分の平均粒子径が上記上限値以下であると、上釉層組成物に含まれる固形分の溶融開始温度を低くしやすい。
上釉層組成物に含まれる固形分の平均粒子径の下限値は、特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上である。
上釉層組成物に含まれる固形分の平均粒子径は、例えば、釉原料を粉砕することにより調整できる。釉原料を粉砕する道具としては、例えば、ボールミルが挙げられる。
上釉層組成物に含まれる固形分の平均粒子径の下限値は、特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上である。
上釉層組成物に含まれる固形分の平均粒子径は、例えば、釉原料を粉砕することにより調整できる。釉原料を粉砕する道具としては、例えば、ボールミルが挙げられる。
【0020】
本明細書において、「平均粒子径」とは、５０％平均粒子径（Ｄ５０）を意味する。Ｄ５０は、個数基準でのメジアン径であり、累積分布における５０％の平均粒子径を意味する。粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定器（日機装（株）製、「ＭＴ３３００ＥＸ（型番）」）を用いて測定できる。
なお、上釉層組成物に含まれる固形分は、上釉層組成物の乾燥物である。
なお、上釉層組成物に含まれる固形分は、上釉層組成物の乾燥物である。
【0021】
上釉層組成物としては、ケイ砂５～２５質量部、長石２０～４０質量部、石灰５～１５質量部、粘土１～５質量部を含有する組成物が挙げられる。
上釉層組成物は、上記の他、フリットを含有することが好ましい。
フリットは、フリット原料を１３００℃以上で溶融した後冷却し、非晶質のガラスとしたものである。上釉層組成物がフリットを含有することで、上釉層組成物の溶融開始温度を低くしやすい。加えて、上釉層組成物がフリットを含有することで、上釉層組成物をより均一に溶融しやすく、上釉層中の気泡を減少させやすい。
フリット原料としては、フリット原料の総質量に対して、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を４０～７０質量％、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を５～１５質量％、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）と酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）と酸化カルシウム（ＣａＯ）と酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と酸化バリウム（ＢａＯ）と酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）との合計を１０～５０質量％含有する組成物が挙げられる。
なお、フリット原料の各成分の含有量の合計は、フリット原料の総質量に対して１００質量％を超えないものとする。
上釉層組成物は、上記の他、フリットを含有することが好ましい。
フリットは、フリット原料を１３００℃以上で溶融した後冷却し、非晶質のガラスとしたものである。上釉層組成物がフリットを含有することで、上釉層組成物の溶融開始温度を低くしやすい。加えて、上釉層組成物がフリットを含有することで、上釉層組成物をより均一に溶融しやすく、上釉層中の気泡を減少させやすい。
フリット原料としては、フリット原料の総質量に対して、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を４０～７０質量％、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を５～１５質量％、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）と酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）と酸化カルシウム（ＣａＯ）と酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と酸化バリウム（ＢａＯ）と酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）との合計を１０～５０質量％含有する組成物が挙げられる。
なお、フリット原料の各成分の含有量の合計は、フリット原料の総質量に対して１００質量％を超えないものとする。
【0022】
上釉層組成物がフリットを含有する場合、フリットの含有量は、上釉層組成物に含まれる固形分の総質量に対して、５０～１００質量％が好ましく、７０～１００質量％がより好ましい。フリットの含有量が上記下限値以上であると、上釉層組成物の溶融開始温度を低くしやすい。なお、フリットの含有量は、上釉層組成物に含まれる固形分の総質量に対して１００質量％を超えないものとする。
【0023】
上釉層組成物の溶融開始温度は、第一溶融温度、第二溶融温度又は第三溶融温度のいずれかで規定できる。
第一溶融温度は、下記測定方法１－１により測定される。
＜測定方法１－１＞
アルミナ粉末を基準物質とし、衛生陶器用の上釉層組成物の乾燥物を試料粉末としてＤＴＡ測定を行い、ＤＴＡ曲線を求める。得られたＤＴＡ曲線の７００℃超の領域において、試料粉末の温度から基準物質の温度を減じた値ΔＴを示す電位差ΔＶが、小さくなる最初の変曲点における基準物質の温度を第一溶融温度とする。第一溶融温度よりも高温側の領域において、電位差ΔＶが、大きくなる最初の変曲点における基準物質の温度を第二溶融温度とする。
第一溶融温度は、下記測定方法１－１により測定される。
＜測定方法１－１＞
アルミナ粉末を基準物質とし、衛生陶器用の上釉層組成物の乾燥物を試料粉末としてＤＴＡ測定を行い、ＤＴＡ曲線を求める。得られたＤＴＡ曲線の７００℃超の領域において、試料粉末の温度から基準物質の温度を減じた値ΔＴを示す電位差ΔＶが、小さくなる最初の変曲点における基準物質の温度を第一溶融温度とする。第一溶融温度よりも高温側の領域において、電位差ΔＶが、大きくなる最初の変曲点における基準物質の温度を第二溶融温度とする。
【0024】
ＤＴＡ曲線は、示差熱分析（ＤＴＡ）装置を用いて、ＤＴＡ測定を行うことにより求められる。ＤＴＡ測定は、ＴＧ－ＤＴＡ測定（熱重量示差熱分析測定）であってもよい。ＤＴＡ測定は、アルミナ粉末を基準物質とし、上釉層組成物の乾燥物を試料粉末とする。上釉層組成物の乾燥物は、例えば、上釉層組成物を２０～１１０℃に加熱して、水分を蒸発させることにより得られる。上釉層組成物の乾燥物の総質量に対する水分量は、例えば、０～１質量％である。
ＤＴＡ測定においては、試料粉末の温度及び基準物質の温度を一定のプログラムによって変化させながら、試料粉末の温度から基準物質の温度を減じた値ΔＴ（（試料粉末の温度）－（基準物質の温度））を示す電位差ΔＶを温度の関数として測定する。ＤＴＡ曲線において、基準物質の温度が７００℃超の領域で現れる変曲点のうち、電位差ΔＶが、小さくなる最初の変曲点を第一変曲点とする。第一変曲点における基準物質の温度を第一溶融温度とする。第一溶融温度よりも高温側の領域で現れる変曲点のうち、電位差ΔＶが、大きくなる最初の変曲点を第二変曲点とする。第二変曲点における基準物質の温度を第二溶融温度とする。
ＤＴＡ測定においては、試料粉末の温度及び基準物質の温度を一定のプログラムによって変化させながら、試料粉末の温度から基準物質の温度を減じた値ΔＴ（（試料粉末の温度）－（基準物質の温度））を示す電位差ΔＶを温度の関数として測定する。ＤＴＡ曲線において、基準物質の温度が７００℃超の領域で現れる変曲点のうち、電位差ΔＶが、小さくなる最初の変曲点を第一変曲点とする。第一変曲点における基準物質の温度を第一溶融温度とする。第一溶融温度よりも高温側の領域で現れる変曲点のうち、電位差ΔＶが、大きくなる最初の変曲点を第二変曲点とする。第二変曲点における基準物質の温度を第二溶融温度とする。
【0025】
図２は、衛生陶器１の上釉層３０を形成する上釉層組成物のＴＧ－ＤＴＡ測定を行ったときに得られるＴＧ－ＤＴＡのグラフである。ＴＧ－ＤＴＡのグラフにおいて、横軸は基準物質の温度（℃）を表す。縦軸の第一軸は、試料粉末の質量変化（質量％）を表す。縦軸の第二軸は、試料粉末の温度から基準物質の温度を減じた値ΔＴを示す電位差ΔＶ（μＶ）を表す。
図２において、Ｃ１は、ＴＧ曲線を表す。Ｃ２は、ＤＴＡ曲線を表す。Ｃ２は、基準物質の温度の上昇とともに電位差ΔＶが大きくなり、基準物質の温度が７００℃超の領域で第一変曲点Ｐ１が現れる。第一変曲点Ｐ１では、上釉層組成物が溶融を開始し、上釉層組成物のガラス構造が緩み始めているものと考えられる。第一変曲点Ｐ１は、Ｃ２の傾き（ΔＶの増加量／基準物質の温度の増加量）が最大となるときのＣ２に引いた接線と、Ｃ２の傾きが最小となるときのＣ２に引いた接線との交点で与えられる。第一変曲点Ｐ１における基準物質の温度が第一溶融温度である。なお、第一溶融温度は、一般的なＴＧ－ＤＴＡのグラフにおける補外溶融開始温度の求め方と同様にして求められる（ＪＩＳ Ｋ７１２１－１９８７参照）。
Ｃ２は、第一変曲点Ｐ１が現れた後、ΔＶが減少し、再びΔＶが大きくなる第二変曲点Ｐ２を有する。第二変曲点Ｐ２では、上釉層組成物が溶融し、上釉層組成物のガラス構造が完全に緩んでいるものと考えられる。第二変曲点Ｐ２は、Ｃ２の傾きが最小となるときのＣ２に引いた接線と、Ｃ２の傾きが正となるときのＣ２に引いた接線との交点で与えられる。第二変曲点Ｐ２における基準物質の温度が第二溶融温度である。なお、第二溶融温度は、一般的なＴＧ－ＤＴＡのグラフにおける溶融ピーク温度の求め方と同様にして求められる（ＪＩＳ Ｋ７１２１－１９８７参照）。
図２において、Ｃ１は、ＴＧ曲線を表す。Ｃ２は、ＤＴＡ曲線を表す。Ｃ２は、基準物質の温度の上昇とともに電位差ΔＶが大きくなり、基準物質の温度が７００℃超の領域で第一変曲点Ｐ１が現れる。第一変曲点Ｐ１では、上釉層組成物が溶融を開始し、上釉層組成物のガラス構造が緩み始めているものと考えられる。第一変曲点Ｐ１は、Ｃ２の傾き（ΔＶの増加量／基準物質の温度の増加量）が最大となるときのＣ２に引いた接線と、Ｃ２の傾きが最小となるときのＣ２に引いた接線との交点で与えられる。第一変曲点Ｐ１における基準物質の温度が第一溶融温度である。なお、第一溶融温度は、一般的なＴＧ－ＤＴＡのグラフにおける補外溶融開始温度の求め方と同様にして求められる（ＪＩＳ Ｋ７１２１－１９８７参照）。
Ｃ２は、第一変曲点Ｐ１が現れた後、ΔＶが減少し、再びΔＶが大きくなる第二変曲点Ｐ２を有する。第二変曲点Ｐ２では、上釉層組成物が溶融し、上釉層組成物のガラス構造が完全に緩んでいるものと考えられる。第二変曲点Ｐ２は、Ｃ２の傾きが最小となるときのＣ２に引いた接線と、Ｃ２の傾きが正となるときのＣ２に引いた接線との交点で与えられる。第二変曲点Ｐ２における基準物質の温度が第二溶融温度である。なお、第二溶融温度は、一般的なＴＧ－ＤＴＡのグラフにおける溶融ピーク温度の求め方と同様にして求められる（ＪＩＳ Ｋ７１２１－１９８７参照）。
【0026】
ＤＴＡ測定において、基準物質の質量は、例えば、５～５０ｍｇが好ましい。
試料粉末の質量は、例えば、５～５０ｍｇが好ましい。
上釉層組成物の乾燥物を得る際の加熱温度は、例えば、２０～１１０℃が好ましい。
試料粉末を加熱する際の昇温速度は、例えば、２～１０℃／分が好ましい。
試料粉末の質量は、例えば、５～５０ｍｇが好ましい。
上釉層組成物の乾燥物を得る際の加熱温度は、例えば、２０～１１０℃が好ましい。
試料粉末を加熱する際の昇温速度は、例えば、２～１０℃／分が好ましい。
【0027】
上釉層組成物の第一溶融温度は、８００～１０５０℃が好ましく、８２０～１０００℃がより好ましく、８４０～９５０℃がさらに好ましい。上釉層組成物の第一溶融温度が上記下限値以上であると、上釉層組成物を焼成するときの気泡の発生を抑制しやすい。上釉層組成物の第一溶融温度が上記上限値以下であると、上釉層組成物を焼成するときに発生した気泡を大気中に拡散しやすい。
【0028】
第二溶融温度は、上記測定方法１－１により測定される。
上釉層組成物の第二溶融温度は、８５０～１１５０℃であり、８７０～１１００℃が好ましく、９００～１０５０℃がより好ましい。上釉層組成物の第二溶融温度が上記下限値以上であると、上釉層組成物を焼成するときの気泡の発生を抑制しやすい。上釉層組成物の第二溶融温度が上記上限値以下であると、上釉層組成物を焼成するときに発生した気泡を大気中に拡散しやすい。
上釉層組成物の第二溶融温度は、８５０～１１５０℃であり、８７０～１１００℃が好ましく、９００～１０５０℃がより好ましい。上釉層組成物の第二溶融温度が上記下限値以上であると、上釉層組成物を焼成するときの気泡の発生を抑制しやすい。上釉層組成物の第二溶融温度が上記上限値以下であると、上釉層組成物を焼成するときに発生した気泡を大気中に拡散しやすい。
【0029】
上釉層組成物の第二溶融温度と第一溶融温度との差（上釉層溶融温度差）は、５０～１２０℃が好ましく、６０～１００℃がより好ましく、７０～９０℃がさらに好ましい。上釉層溶融温度差が上記下限値以上であると、上釉層組成物を焼成するときに発生する気泡の平均気泡径を小さくしやすい。上釉層溶融温度差が上記上限値以下であると、上釉層組成物を焼成するときの気泡の発生を抑制しやすい。
上釉層溶融温度差は、上釉層組成物の第二溶融温度から、上釉層組成物の第一溶融温度を減じることにより求められる。
上釉層溶融温度差は、上釉層組成物の第二溶融温度から、上釉層組成物の第一溶融温度を減じることにより求められる。
【0030】
上釉層組成物の第一溶融温度は、釉原料の種類、釉原料の配合割合、上釉層組成物の固形分の平均粒子径、及びこれらの組合せにより調整できる。
上釉層組成物の第二溶融温度は、上釉層組成物の第一溶融温度と同様に調整できる。
上釉層組成物の第二溶融温度は、上釉層組成物の第一溶融温度と同様に調整できる。
【0031】
第三溶融温度は、下記測定方法１－２により測定される。
＜測定方法１－２＞
衛生陶器用の上釉層組成物の乾燥物を加圧成形して円柱状試料を得る。得られた円柱状試料を加熱しつつ、光を照射する。円柱状試料の表面が反射する反射光の光量を測定する。反射光の光量が、光り始めに検出した反射光の光量の１０倍以上となる最初の温度を第三溶融温度とする。
＜測定方法１－２＞
衛生陶器用の上釉層組成物の乾燥物を加圧成形して円柱状試料を得る。得られた円柱状試料を加熱しつつ、光を照射する。円柱状試料の表面が反射する反射光の光量を測定する。反射光の光量が、光り始めに検出した反射光の光量の１０倍以上となる最初の温度を第三溶融温度とする。
【0032】
測定方法１－２において、円柱状試料は、衛生陶器用の上釉層組成物の乾燥物を加圧成形することにより得られる。
円柱状試料の直径は、例えば、２～１０ｍｍが好ましい。円柱状試料の高さは、例えば、５～２０ｍｍが好ましい。円柱状試料の質量は、例えば、１００～５００ｍｇが好ましい。上釉層組成物の乾燥物を加圧成形する際の圧力は、例えば、１０～５０ＭＰａが好ましい。
反射光の光量は、望遠レンズ付きデジタルカメラで撮影し、画像処理システムによりピクセル数に換算される値とする。
円柱状試料を加熱する際の反射光の光量は、１℃ごとに測定される。「光り始め」は、円柱状試料の表面が反射する反射光の光量が０でなくなったときを意味する。
円柱状試料を加熱する際の昇温速度は、例えば、１～１０℃／分が好ましい。
円柱状試料に照射する光の光量は、例えば、５００～２０００ルーメンが好ましい。
第三溶融温度では、上釉層組成物が溶融を開始し、上釉層組成物のガラス構造が完全に緩んでいるものと考えられる。
円柱状試料の直径は、例えば、２～１０ｍｍが好ましい。円柱状試料の高さは、例えば、５～２０ｍｍが好ましい。円柱状試料の質量は、例えば、１００～５００ｍｇが好ましい。上釉層組成物の乾燥物を加圧成形する際の圧力は、例えば、１０～５０ＭＰａが好ましい。
反射光の光量は、望遠レンズ付きデジタルカメラで撮影し、画像処理システムによりピクセル数に換算される値とする。
円柱状試料を加熱する際の反射光の光量は、１℃ごとに測定される。「光り始め」は、円柱状試料の表面が反射する反射光の光量が０でなくなったときを意味する。
円柱状試料を加熱する際の昇温速度は、例えば、１～１０℃／分が好ましい。
円柱状試料に照射する光の光量は、例えば、５００～２０００ルーメンが好ましい。
第三溶融温度では、上釉層組成物が溶融を開始し、上釉層組成物のガラス構造が完全に緩んでいるものと考えられる。
【0033】
上釉層組成物の第三溶融温度は、８５０～１１５０℃が好ましく、８７０～１１００℃がより好ましく、９００～１０５０℃がさらに好ましい。上釉層組成物の第三溶融温度が上記下限値以上であると、上釉層組成物を焼成するときの気泡の発生を抑制しやすい。上釉層組成物の第三溶融温度が上記上限値以下であると、上釉層組成物を焼成するときに発生した気泡を大気中に拡散しやすい。
【0034】
上釉層組成物の第三溶融温度は、上釉層組成物の第一溶融温度と同様に調整できる。
【0035】
上釉層３０を備える衛生陶器１から上釉層３０の溶融開始温度を求める場合、第一溶融温度、第二溶融温度は、下記測定方法２－１により測定される。
＜測定方法２－１＞
アルミナ粉末を基準物質とし、上釉層３０の粉末を試料粉末としてＤＴＡ測定を行い、ＤＴＡ曲線を求める。得られたＤＴＡ曲線の７００℃超の領域において、試料粉末の温度から基準物質の温度を減じた値ΔＴを示す電位差ΔＶ（μＶ）が、小さくなる最初の変曲点における基準物質の温度を第一溶融温度とする。第一溶融温度よりも高温側の領域において、電位差ΔＶが、大きくなる最初の変曲点における基準物質の温度を第二溶融温度とする。
＜測定方法２－１＞
アルミナ粉末を基準物質とし、上釉層３０の粉末を試料粉末としてＤＴＡ測定を行い、ＤＴＡ曲線を求める。得られたＤＴＡ曲線の７００℃超の領域において、試料粉末の温度から基準物質の温度を減じた値ΔＴを示す電位差ΔＶ（μＶ）が、小さくなる最初の変曲点における基準物質の温度を第一溶融温度とする。第一溶融温度よりも高温側の領域において、電位差ΔＶが、大きくなる最初の変曲点における基準物質の温度を第二溶融温度とする。
【0036】
上釉層３０の粉末は、上釉層３０を適宜切り出し、研磨等することにより得られる。ＤＴＡ測定の条件は、上記測定方法１－１におけるＤＴＡ測定の条件と同様である。
上釉層３０の第一溶融温度は、上釉層組成物の第一溶融温度と同様である。
上釉層３０の第二溶融温度は、上釉層組成物の第二溶融温度と同様である。
上釉層３０の第二溶融温度と第一溶融温度との差は、上釉層組成物の第二溶融温度と第一溶融温度との差（上釉層溶融温度差）と同様である。
上釉層３０の第一溶融温度は、上釉層組成物の第一溶融温度と同様である。
上釉層３０の第二溶融温度は、上釉層組成物の第二溶融温度と同様である。
上釉層３０の第二溶融温度と第一溶融温度との差は、上釉層組成物の第二溶融温度と第一溶融温度との差（上釉層溶融温度差）と同様である。
【0037】
上釉層３０を備える衛生陶器１から上釉層３０の第三溶融温度を求める場合、下記測定方法２－２により測定される。
＜測定方法２－２＞
上釉層３０の粉末を加圧成形して円柱状試料を得る。得られた円柱状試料を加熱しつつ、光を照射する。円柱状試料の表面が反射する反射光の光量を測定する。反射光の光量が、光り始めに検出した反射光の光量の１０倍以上となる最初の温度を第三溶融温度とする。
＜測定方法２－２＞
上釉層３０の粉末を加圧成形して円柱状試料を得る。得られた円柱状試料を加熱しつつ、光を照射する。円柱状試料の表面が反射する反射光の光量を測定する。反射光の光量が、光り始めに検出した反射光の光量の１０倍以上となる最初の温度を第三溶融温度とする。
【0038】
上釉層３０の粉末は、上釉層３０を適宜切り出し、研磨等することにより得られる。円柱状試料を得る際の条件は、上記測定方法１－２における円柱状試料を得る際の条件と同様である。
上釉層３０の第三溶融温度は、上釉層組成物の第三溶融温度と同様である。
上釉層３０の第三溶融温度は、上釉層組成物の第三溶融温度と同様である。
【0039】
本明細書において、「気泡」とは、実際に上釉層３０又は中間層２０に含まれる気泡を意味する。気泡は、例えば、上釉層３０、陶器素地１０、中間層組成物に含まれる成分の酸化反応、分解反応、上釉層３０、陶器素地１０、中間層組成物に含まれる空隙等により発生する。気泡は、上釉層３０の切断面をマイクロスコープ等により観察した画像において、画像処理ソフトを用いて画像の明るさを２値化し、相対的に暗い箇所を気泡として判断することにより計数される。計数する気泡の大きさは、切断面における気泡を真円換算し、直径２μｍ以上とする。
【0040】
計数する気泡は、例えば、以下の手順で求められる。
衛生陶器１を上釉層３０の厚さ方向に小型試料切断機を用いて切断する。切断した切断面をマイクロスコープ（オリンパス（株）製、ＤＳＸ５１０）により、倍率１２５倍で観察する。観察した画像において、画像処理ソフトを用いて画像の明るさを２値化し、相対的に暗い箇所のそれぞれの面積で、πμｍ２（直径２μｍの気泡相当面積）以上のものを気泡として検出する。
衛生陶器１を上釉層３０の厚さ方向に小型試料切断機を用いて切断する。切断した切断面をマイクロスコープ（オリンパス（株）製、ＤＳＸ５１０）により、倍率１２５倍で観察する。観察した画像において、画像処理ソフトを用いて画像の明るさを２値化し、相対的に暗い箇所のそれぞれの面積で、πμｍ２（直径２μｍの気泡相当面積）以上のものを気泡として検出する。
【0041】
上釉層３０を厚さ方向に切断した切断面の面積に対する気泡の面積の割合（以下、「上釉層３０の気泡面積率」ともいう。）は、３％以下が好ましく、２％以下がより好ましい。上釉層３０の気泡面積率が上記上限値以下であると、上釉層３０に入射する光が上釉層３０中の気泡で乱反射されることを抑制しやすい。このため、衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい。上釉層３０の気泡面積率の下限値は、特に限定されないが、通常、０．０１％以上である。
上釉層３０の気泡面積率（％）は、上述したマイクロスコープ等を用いて観察される画像において検出される気泡の総面積（ｍｍ２）を、観察される画像における視野面積（ｍｍ２）で除することにより求められる。
上釉層３０の気泡面積率（％）は、上述したマイクロスコープ等を用いて観察される画像において検出される気泡の総面積（ｍｍ２）を、観察される画像における視野面積（ｍｍ２）で除することにより求められる。
【0042】
上釉層３０を厚さ方向に切断した切断面における気泡の平均気泡径（以下、「上釉層３０の切断面における気泡の平均気泡径」ともいう。）は、５０μｍ以下が好ましく、４０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましい。上釉層３０の切断面における気泡の平均気泡径が上記上限値以下であると、上釉層３０に入射する光が上釉層３０中の気泡で乱反射されることを抑制しやすい。このため、衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい。上釉層３０の切断面における気泡の平均気泡径の下限値は、２μｍとする。
上釉層３０の切断面における気泡の平均気泡径（μｍ）は、上述したマイクロスコープ等を用いて観察される画像において、気泡として検出された部分のそれぞれの面積より真円換算で気泡径（直径）を計算し、気泡径の合計を検出された気泡数で除した平均値である。
上釉層３０の切断面における気泡の平均気泡径（μｍ）は、上述したマイクロスコープ等を用いて観察される画像において、気泡として検出された部分のそれぞれの面積より真円換算で気泡径（直径）を計算し、気泡径の合計を検出された気泡数で除した平均値である。
【0043】
上釉層３０を厚さ方向に切断した切断面における気泡数（以下、「上釉層３０の切断面における気泡数」ともいう。）は、１ｍｍ２当たり１２０個以下が好ましく、１００個以下がより好ましく、８０個以下がさらに好ましい。上釉層３０の切断面における気泡数が上記上限値以下であると、上釉層３０に入射する光が上釉層３０中の気泡で乱反射されることを抑制しやすい。このため、衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい。上釉層３０の切断面における気泡数の下限値は、特に限定されないが、通常、１個以上である。
上釉層３０の切断面における気泡数（個／ｍｍ２）は、上述したマイクロスコープ等を用いて観察される画像において検出される気泡の数を、観察される画像における視野面積（ｍｍ２）で除することにより求められる。
上釉層３０の切断面における気泡数（個／ｍｍ２）は、上述したマイクロスコープ等を用いて観察される画像において検出される気泡の数を、観察される画像における視野面積（ｍｍ２）で除することにより求められる。
【0044】
上釉層３０の厚さＴ３０は、例えば、１００μｍ以上が好ましく、１００～１０００μｍがより好ましく、１５０～８００μｍがさらに好ましく、２００～６００μｍが特に好ましい。厚さＴ３０が上記下限値以上であると、上釉層３０の表面を平坦に形成しやすい。厚さＴ３０が上記上限値以下であると、上釉層組成物中の気泡を上釉層３０の外部に放出しやすい。
【0045】
上釉層３０の厚さＴ３０は、例えば、以下の手順で求められる。
衛生陶器１を上釉層３０の厚さ方向に小型試料切断機を用いて切断する。切断した切断面をマイクロスコープ（オリンパス（株）製、ＤＳＸ５１０）により、倍率１２５倍で観察する。観察した画像において、上釉層３０の表面と、上釉層３０と中間層２０との境界線（上中境界線）との距離を任意の２０か所について測定する。測定した距離の算術平均値を上釉層３０の厚さＴ３０とする。
衛生陶器１を切断する部位は特に限定されず、人の目に触れやすい部位が好ましい。人の目に触れやすい部位としては、例えば、洗面器の鉢面、洗面器の天面、小便器の天面、便器のリム部分、便器の鉢面、便器の側面等が挙げられる。
衛生陶器１を上釉層３０の厚さ方向に小型試料切断機を用いて切断する。切断した切断面をマイクロスコープ（オリンパス（株）製、ＤＳＸ５１０）により、倍率１２５倍で観察する。観察した画像において、上釉層３０の表面と、上釉層３０と中間層２０との境界線（上中境界線）との距離を任意の２０か所について測定する。測定した距離の算術平均値を上釉層３０の厚さＴ３０とする。
衛生陶器１を切断する部位は特に限定されず、人の目に触れやすい部位が好ましい。人の目に触れやすい部位としては、例えば、洗面器の鉢面、洗面器の天面、小便器の天面、便器のリム部分、便器の鉢面、便器の側面等が挙げられる。
【0046】
上釉層３０の厚さＴ３０の最大値Ｔ３０ＭＡＸと、上釉層３０の厚さＴ３０の最小値Ｔ３０ＭＩＮとの差Ｔ３０Δは、５０μｍ以下であり、４０μｍ以下が好ましく、３０μｍ以下がより好ましい。差Ｔ３０Δが上記上限値以下であると、上釉層３０と中間層２０との界面における光の乱反射を抑制しやすい。その結果、衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい。差Ｔ３０Δの下限値は、特に限定されないが、通常、０．１μｍ以上である。
【0047】
差Ｔ３０Δの厚さＴ３０に対する割合（以下、「Ｔ３０Δ／Ｔ３０比」ともいう。）は、２５％以下が好ましく、２０％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましい。Ｔ３０Δ／Ｔ３０比が上記上限値以下であると、上釉層３０と中間層２０との界面における光の乱反射を抑制しやすい。その結果、衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい。Ｔ３０Δ／Ｔ３０比の下限値は、特に限定されないが、通常、０．０１％以上である。
【0048】
厚さＴ３０の最大値Ｔ３０ＭＡＸと、厚さＴ３０の最小値Ｔ３０ＭＩＮとは、例えば、以下の手順で求められる。
上釉層３０の厚さＴ３０を求める手順と同様に、上釉層３０の表面と上中境界線との距離を任意の２０か所について測定する。測定した２０か所のうち、上釉層３０の表面と上中境界線との距離が最大となるものを最大値Ｔ３０ＭＡＸとする。測定した２０か所のうち、上釉層３０の表面と上中境界線との距離が最小となるものを最小値Ｔ３０ＭＩＮとする。
上釉層３０の厚さＴ３０を求める手順と同様に、上釉層３０の表面と上中境界線との距離を任意の２０か所について測定する。測定した２０か所のうち、上釉層３０の表面と上中境界線との距離が最大となるものを最大値Ｔ３０ＭＡＸとする。測定した２０か所のうち、上釉層３０の表面と上中境界線との距離が最小となるものを最小値Ｔ３０ＭＩＮとする。
【0049】
差Ｔ３０Δは、上釉層３０と中間層２０との界面を平坦に形成することにより制御できる。後述する中間層組成物の溶融開始温度、中間層２０を厚さ方向に切断した切断面における平均気泡径、中間層２０を厚さ方向に切断した切断面の面積に対する気泡の面積の割合、及びこれらの組合せにより、上釉層３０と中間層２０との界面の平滑性を制御できる。
【0050】
中間層２０は、中間層組成物の焼成物である。中間層２０は、陶器素地１０と上釉層３０との間に位置する釉を含む層である。中間層組成物は、中間層２０を形成する原料（中間層原料）が水に分散されたスラリー（泥漿）である。
中間層組成物の総質量に対する水の含有量は、４０～６０質量％が好ましく、４０～５０質量％がより好ましい。
中間層組成物の総質量に対する水の含有量は、４０～６０質量％が好ましく、４０～５０質量％がより好ましい。
【0051】
中間層組成物に含まれる固形分の平均粒子径は、１０μｍ以下が好ましく、８μｍ以下がより好ましく、６μｍ以下がさらに好ましい。中間層組成物に含まれる固形分の平均粒子径が上記上限値以下であると、中間層組成物に含まれる固形分の溶融開始温度を低くしやすい。
中間層組成物に含まれる固形分の平均粒子径の下限値は、特に限定されないが、例えば、０．０５μｍ以上である。
中間層組成物に含まれる固形分の平均粒子径は、例えば、中間層原料を粉砕することにより調整できる。中間層原料を粉砕する道具としては、例えば、ボールミルが挙げられる。
中間層組成物に含まれる固形分の平均粒子径の下限値は、特に限定されないが、例えば、０．０５μｍ以上である。
中間層組成物に含まれる固形分の平均粒子径は、例えば、中間層原料を粉砕することにより調整できる。中間層原料を粉砕する道具としては、例えば、ボールミルが挙げられる。
【0052】
中間層組成物に含まれる固形分の平均粒子径は、上釉層組成物に含まれる固形分の平均粒子径と同様の方法により測定できる。
なお、中間層組成物に含まれる固形分は、中間層組成物の乾燥物である。
なお、中間層組成物に含まれる固形分は、中間層組成物の乾燥物である。
【0053】
中間層組成物としては、中間層組成物に含まれる固形分の総質量に対して、ＳｉＯ２を５０～８０質量％、Ａｌ２Ｏ３を５～４０質量％、Ｎａ２ＯとＫ２ＯとＣａＯとＭｇＯとＺｎＯとの合計を５～３０質量％含有する組成物が挙げられる。
なお、中間層組成物に含まれる固形分の各成分の含有量の合計は、中間層組成物に含まれる固形分の総質量に対して、１００質量％を超えないものとする。
なお、中間層組成物に含まれる固形分の各成分の含有量の合計は、中間層組成物に含まれる固形分の総質量に対して、１００質量％を超えないものとする。
【0054】
中間層組成物の組成としては、Ｎａ２ＯとＫ２ＯとＣａＯとＭｇＯとＺｎＯとの合計のモル数を１としたときのモル比で、ＳｉＯ２を２～１６モル、Ａｌ２Ｏ３を０～５モル含有する組成が好ましい。
【0055】
中間層組成物は、フリットを含有してもよい。フリットの含有量は、中間層組成物に含まれる固形分の総質量に対して、０～３０質量％が好ましく、０～２０質量％がより好ましい。
【0056】
中間層組成物の乾燥物（以下、中間層原料ともいう。）は、陶器素地組成物の乾燥物（以下、陶器素地原料ともいう。）と上釉層組成物の乾燥物（以下、釉原料ともいう。）との混合物であってもよい。
中間層原料が陶器素地原料と釉原料との混合物である場合、陶器素地原料／釉原料で表される質量比（以下、「素地／釉薬比」ともいう。）は、２０／８０～８０／２０が好ましく、３０／７０～７０／３０がより好ましく、４０／６０～６０／４０がさらに好ましい。素地／釉薬比が上記下限値以上であると、陶器素地１０と中間層２０との結着性を高めやすい。素地／釉薬比が上記上限値以下であると、中間層２０と上釉層３０との界面を平坦にしやすい。
衛生陶器１の「美しさ」をより向上する観点から、中間層原料は、陶器素地原料と釉原料との混合物が好ましい。
また、中間層組成物は、陶器素地組成物と上釉層組成物とを上記素地／釉薬比となるように混合した混合物であってもよい。
中間層原料が陶器素地原料と釉原料との混合物である場合、陶器素地原料／釉原料で表される質量比（以下、「素地／釉薬比」ともいう。）は、２０／８０～８０／２０が好ましく、３０／７０～７０／３０がより好ましく、４０／６０～６０／４０がさらに好ましい。素地／釉薬比が上記下限値以上であると、陶器素地１０と中間層２０との結着性を高めやすい。素地／釉薬比が上記上限値以下であると、中間層２０と上釉層３０との界面を平坦にしやすい。
衛生陶器１の「美しさ」をより向上する観点から、中間層原料は、陶器素地原料と釉原料との混合物が好ましい。
また、中間層組成物は、陶器素地組成物と上釉層組成物とを上記素地／釉薬比となるように混合した混合物であってもよい。
【0057】
中間層組成物は、顔料を含有することが好ましい。中間層組成物が顔料を含有することで、中間層２０を着色できる。中間層２０を着色することで、陶器素地１０の色を隠蔽できる。陶器素地１０の色を隠蔽することで、衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい。
顔料としては、ケイ酸ジルコニウム、酸化アルミニウム等が挙げられる。
中間層組成物が顔料を含有する場合、顔料の含有量は、中間層組成物に含まれる固形分の総質量に対して、３～１５質量％が好ましく、６～１５質量％がより好ましい。
顔料としては、ケイ酸ジルコニウム、酸化アルミニウム等が挙げられる。
中間層組成物が顔料を含有する場合、顔料の含有量は、中間層組成物に含まれる固形分の総質量に対して、３～１５質量％が好ましく、６～１５質量％がより好ましい。
【0058】
中間層組成物の溶融開始温度は、第一溶融温度又は第二溶融温度のいずれかで規定できる。
中間層組成物の第一溶融温度は、８５０～９６０℃が好ましく、９１０～９５０℃がより好ましく、９３０～９５０℃がさらに好ましい。中間層組成物の第一溶融温度が上記下限値以上であると、中間層組成物を焼成するときの気泡の発生を抑制しやすい。中間層組成物の第一溶融温度が上記上限値以下であると、上釉層３０と中間層２０との界面を平坦にしやすい。
中間層組成物の第一溶融温度は、上釉層組成物の第一溶融温度と同様の方法で測定できる。
中間層組成物の第一溶融温度は、８５０～９６０℃が好ましく、９１０～９５０℃がより好ましく、９３０～９５０℃がさらに好ましい。中間層組成物の第一溶融温度が上記下限値以上であると、中間層組成物を焼成するときの気泡の発生を抑制しやすい。中間層組成物の第一溶融温度が上記上限値以下であると、上釉層３０と中間層２０との界面を平坦にしやすい。
中間層組成物の第一溶融温度は、上釉層組成物の第一溶融温度と同様の方法で測定できる。
【0059】
上釉層組成物の第一溶融温度と中間層組成物の第一溶融温度との温度差（第一温度差）は、１０～１２０℃が好ましく、３０～１１５℃がより好ましく、６０～１１０℃がさらに好ましい。第一温度差が上記数値範囲内であると、上釉層３０と中間層２０との界面を平坦にしやすい。その結果、上釉層３０と中間層２０との界面における光の乱反射を抑制でき、衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい。
【0060】
中間層組成物の第二溶融温度は、１０９０～１２３０℃が好ましく、１０９５～１２２５℃がより好ましく、１１００～１２２０℃がさらに好ましい。中間層組成物の第二溶融温度が上記下限値以上であると、中間層組成物を焼成するときの気泡の発生を抑制しやすい。中間層組成物の第二溶融温度が上記上限値以下であると、上釉層３０と中間層２０との界面を平坦にしやすい。
中間層組成物の第二溶融温度は、上釉層組成物の第二溶融温度と同様の方法で測定できる。
中間層組成物の第二溶融温度は、上釉層組成物の第二溶融温度と同様の方法で測定できる。
【0061】
上釉層組成物の第二溶融温度と中間層組成物の第二溶融温度との温度差（第二温度差）は、１０～３３０℃が好ましく、１００～３２５℃がより好ましく、２００～３２０℃がさらに好ましい。第二温度差が上記数値範囲内であると、上釉層３０と中間層２０との界面を平坦にしやすい。その結果、上釉層３０と中間層２０との界面における光の乱反射を抑制でき、衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい。
【0062】
中間層組成物の第二溶融温度と第一溶融温度との差（中間層溶融温度差）は、５０～３００℃が好ましく、１００～３００℃がより好ましく、２３０～３００℃がさらに好ましい。中間層溶融温度差が上記下限値以上であると、中間層組成物を焼成するときに発生する気泡の平均気泡径を小さくしやすい。中間層溶融温度差が上記上限値以下であると、中間層組成物を焼成するときの気泡の発生を抑制しやすい。
中間層溶融温度差は、中間層組成物の第二溶融温度から、中間層組成物の第一溶融温度を減じることにより求められる。
中間層溶融温度差は、中間層組成物の第二溶融温度から、中間層組成物の第一溶融温度を減じることにより求められる。
【0063】
中間層組成物の第一溶融温度は、中間層原料の種類、中間層原料の配合割合、中間層組成物の固形分の平均粒子径、及びこれらの組合せにより調整できる。
中間層組成物の第二溶融温度は、中間層組成物の第一溶融温度と同様に調整できる。
中間層組成物の第二溶融温度は、中間層組成物の第一溶融温度と同様に調整できる。
【0064】
中間層２０を備える衛生陶器１から中間層２０の溶融開始温度を求める場合、第一溶融温度、第二溶融温度は、中間層２０の粉末を試料粉末として、上記測定方法２－１と同様の方法により測定される。
中間層２０の粉末は、中間層２０を適宜切り出し、研磨等することにより得られる。
中間層２０の第一溶融温度は、中間層組成物の第一溶融温度と同様である。
中間層２０の第二溶融温度は、中間層組成物の第二溶融温度と同様である。
中間層２０の第二溶融温度と第一溶融温度との差は、中間層組成物の第二溶融温度と第一溶融温度との差（中間層溶融温度差）と同様である。
中間層２０の粉末は、中間層２０を適宜切り出し、研磨等することにより得られる。
中間層２０の第一溶融温度は、中間層組成物の第一溶融温度と同様である。
中間層２０の第二溶融温度は、中間層組成物の第二溶融温度と同様である。
中間層２０の第二溶融温度と第一溶融温度との差は、中間層組成物の第二溶融温度と第一溶融温度との差（中間層溶融温度差）と同様である。
【0065】
中間層２０を厚さ方向に切断した切断面の面積に対する気泡の面積の割合（以下、「中間層２０の気泡面積率」ともいう。）は、２０％以下が好ましく、１５％以下がより好ましく、１２％以下がさらに好ましい。中間層２０の気泡面積率が上記上限値以下であると、上釉層３０に入射する光が中間層２０中の気泡で乱反射されることを抑制しやすい。その結果、上釉層３０と中間層２０との界面における光の乱反射を抑制でき、衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい。中間層２０の気泡面積率の下限値は、特に限定されないが、通常、１．０％以上である。
中間層２０の気泡面積率は、上釉層３０の気泡面積率と同様の方法により求められる。
中間層２０の気泡面積率は、上釉層３０の気泡面積率と同様の方法により求められる。
【0066】
中間層２０を厚さ方向に切断した切断面における気泡の平均気泡径（以下、「中間層２０の切断面における気泡の平均気泡径」ともいう。）は、２５μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましく、１５μｍ以下がさらに好ましい。中間層２０の切断面における気泡の平均気泡径が上記上限値以下であると、上釉層３０に入射する光が中間層２０中の気泡で乱反射されることを抑制しやすい。その結果、上釉層３０と中間層２０との界面における光の乱反射を抑制でき、衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい。中間層２０の切断面における気泡の平均気泡径の下限値は、２μｍとする。
中間層２０の切断面における気泡の平均気泡径は、上釉層３０の切断面における気泡の平均気泡径と同様の方法により求められる。
中間層２０の切断面における気泡の平均気泡径は、上釉層３０の切断面における気泡の平均気泡径と同様の方法により求められる。
【0067】
中間層２０を厚さ方向に切断した切断面における気泡数（以下、「中間層２０の切断面における気泡数」ともいう。）は、１ｍｍ２当たり１０００個以下が好ましく、７００個以下がより好ましく、５００個以下がさらに好ましい。中間層２０の切断面における気泡数が上記上限値以下であると、上釉層３０に入射する光が中間層２０中の気泡で乱反射されることを抑制しやすい。その結果、上釉層３０と中間層２０との界面における光の乱反射を抑制でき、衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい。中間層２０の切断面における気泡数の下限値は、特に限定されないが、通常、１個以上である。
中間層２０の切断面における気泡数は、上釉層３０の切断面における気泡数と同様の方法により計数できる。
中間層２０の切断面における気泡数は、上釉層３０の切断面における気泡数と同様の方法により計数できる。
【0068】
中間層２０の厚さＴ２０は、例えば、２００μｍ以上が好ましく、２００～１０００μｍがより好ましく、２５０～８００μｍがさらに好ましく、３００～６００μｍが特に好ましい。厚さＴ２０が上記下限値以上であると、中間層２０と上釉層３０との界面を平坦にしやすい。厚さＴ２０が上記上限値以下であると、中間層組成物中の気泡を中間層２０の外部に放出しやすい。
【0069】
中間層２０の厚さＴ２０は、例えば、以下の手順で求められる。
衛生陶器１を中間層２０の厚さ方向に小型試料切断機を用いて切断する。切断した切断面をマイクロスコープ（オリンパス（株）製、ＤＳＸ５１０）により、倍率１２５倍で観察する。観察した画像において、上釉層３０と中間層２０との境界線（上中境界線）と、中間層２０と陶器素地１０との境界線（中素境界線）との距離を任意の２０か所について測定する。測定した距離の算術平均値を中間層２０の厚さＴ２０とする。
衛生陶器１を中間層２０の厚さ方向に小型試料切断機を用いて切断する。切断した切断面をマイクロスコープ（オリンパス（株）製、ＤＳＸ５１０）により、倍率１２５倍で観察する。観察した画像において、上釉層３０と中間層２０との境界線（上中境界線）と、中間層２０と陶器素地１０との境界線（中素境界線）との距離を任意の２０か所について測定する。測定した距離の算術平均値を中間層２０の厚さＴ２０とする。
【0070】
中間層２０の厚さＴ２０の最大値Ｔ２０ＭＡＸと、中間層２０の厚さＴ２０の最小値Ｔ２０ＭＩＮとの差Ｔ２０Δは、５０μｍ以下が好ましく、４０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましい。差Ｔ２０Δが上記上限値以下であると、上釉層３０と中間層２０との界面における光の乱反射を抑制しやすい。その結果、衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい。差Ｔ２０Δの下限値は、特に限定されないが、通常、０．１μｍ以上である。
【0071】
差Ｔ２０Δの厚さＴ２０に対する割合（以下、「Ｔ２０Δ／Ｔ２０比」ともいう。）は、２５％以下が好ましく、２０％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましい。Ｔ２０Δ／Ｔ２０比が上記上限値以下であると、上釉層３０と中間層２０との界面における光の乱反射を抑制しやすい。その結果、衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい。Ｔ２０Δ／Ｔ２０比の下限値は、特に限定されないが、通常、０．０１％以上である。
【0072】
厚さＴ２０の最大値Ｔ２０ＭＡＸと、厚さＴ２０の最小値Ｔ２０ＭＩＮとは、例えば、以下の手順で求められる。
中間層２０の厚さＴ２０を求める手順と同様に、上中境界線と中素境界線との距離を任意の２０か所について測定する。測定した２０か所のうち、上中境界線と中素境界線との距離が最大となるものを最大値Ｔ２０ＭＡＸとする。測定した２０か所のうち、上中境界線と中素境界線との距離が最小となるものを最小値Ｔ２０ＭＩＮとする。
中間層２０の厚さＴ２０を求める手順と同様に、上中境界線と中素境界線との距離を任意の２０か所について測定する。測定した２０か所のうち、上中境界線と中素境界線との距離が最大となるものを最大値Ｔ２０ＭＡＸとする。測定した２０か所のうち、上中境界線と中素境界線との距離が最小となるものを最小値Ｔ２０ＭＩＮとする。
【0073】
［衛生陶器の製造方法］
次に、本実施形態の衛生陶器１の製造方法について説明する。
まず、陶器素地１０を用意する。陶器素地１０は、陶器素地組成物を成形したもの以外に、焼成して成形したものでもよく、予め成形された、又は成形して焼成された市販品であってもよい。
陶器素地組成物を焼成する場合、焼成温度は、例えば、１１００～１３００℃が好ましく、１１５０～１２５０℃がより好ましい。焼成温度が上記下限値以上であると、陶器素地１０の強度を高めやすい。焼成温度が上記上限値以下であると、陶器素地１０の変形を抑制しやすい。
次に、本実施形態の衛生陶器１の製造方法について説明する。
まず、陶器素地１０を用意する。陶器素地１０は、陶器素地組成物を成形したもの以外に、焼成して成形したものでもよく、予め成形された、又は成形して焼成された市販品であってもよい。
陶器素地組成物を焼成する場合、焼成温度は、例えば、１１００～１３００℃が好ましく、１１５０～１２５０℃がより好ましい。焼成温度が上記下限値以上であると、陶器素地１０の強度を高めやすい。焼成温度が上記上限値以下であると、陶器素地１０の変形を抑制しやすい。
【0074】
次に、中間層組成物を陶器素地１０の表面に塗布する。中間層組成物を陶器素地１０の表面に塗布する方法は、特に限定されず、浸し掛け、流し掛け、吹き掛け、塗り掛け等、一般的な方法を適宜選択できる。中間層２０の厚さを確保する観点から、中間層組成物を陶器素地１０の表面に塗布する方法は、浸し掛け、流し掛け、塗り掛け、又は吹き掛けのうちのいずれかが好ましい。中間層２０の厚さを均一にしやすい観点から、中間層組成物を陶器素地１０の表面に塗布する方法は、吹き掛けが好ましい。
浸し掛けとしては、ディップコーティング法が挙げられる。吹き掛けとしては、スプレーコーティング法が挙げられる。
浸し掛けとしては、ディップコーティング法が挙げられる。吹き掛けとしては、スプレーコーティング法が挙げられる。
【0075】
中間層組成物の塗布量は、特に限定されず、焼成後の中間層２０の厚さを２００μｍ以上にできるように調整することが好ましい。中間層組成物の塗布量は、中間層組成物の水の含有量、中間層組成物の粘度、中間層組成物に含まれる固形分の平均粒子径等を適宜調整することにより調整できる。
中間層組成物を陶器素地１０の表面に塗布することにより、一次塗布体が得られる。
中間層組成物を陶器素地１０の表面に塗布することにより、一次塗布体が得られる。
【0076】
一次塗布体を乾燥することにより、一次塗布体の表面に上釉層組成物を塗布しやすくなる。このため、一次塗布体は、乾燥することが好ましい。
一次塗布体を乾燥する際の温度は、２０～１１０℃が好ましく、３０～１００℃がより好ましく、４０～９０℃がさらに好ましい。一次塗布体を乾燥する際の温度が上記下限値以上であると、中間層組成物の水の含有量を低減しやすい。一次塗布体を乾燥する際の温度が上記上限値以下であると、中間層２０の表面を平坦にしやすい。
一次塗布体を乾燥する時間は、０．５～４８時間が好ましい。一次塗布体を乾燥する時間が上記下限値以上であると、中間層組成物を充分に乾燥しやすい。一次塗布体を乾燥する時間が上記上限値以下であると、衛生陶器１の生産性を向上しやすい。
一次塗布体を乾燥する際の温度は、２０～１１０℃が好ましく、３０～１００℃がより好ましく、４０～９０℃がさらに好ましい。一次塗布体を乾燥する際の温度が上記下限値以上であると、中間層組成物の水の含有量を低減しやすい。一次塗布体を乾燥する際の温度が上記上限値以下であると、中間層２０の表面を平坦にしやすい。
一次塗布体を乾燥する時間は、０．５～４８時間が好ましい。一次塗布体を乾燥する時間が上記下限値以上であると、中間層組成物を充分に乾燥しやすい。一次塗布体を乾燥する時間が上記上限値以下であると、衛生陶器１の生産性を向上しやすい。
【0077】
次に、一次塗布体の表面に上釉層組成物を塗布する。上釉層組成物を塗布する方法は、上釉層３０の厚さを調整しやすくする観点から、吹き掛け（スプレー掛け）が好ましい。
【0078】
上釉層組成物の塗布量は、特に限定されず、焼成後の上釉層３０の厚さを１００μｍ以上にできるように調整することが好ましい。上釉層組成物の塗布量は、上釉層組成物の水の含有量、上釉層組成物の粘度、上釉層組成物に含まれる固形分の平均粒子径等を適宜調整することにより調整できる。
上釉層組成物を一次塗布体の表面に塗布することにより、二次塗布体が得られる。
上釉層組成物を一次塗布体の表面に塗布することにより、二次塗布体が得られる。
【0079】
次に、二次塗布体を焼成する。二次塗布体を焼成する際の焼成温度としては、陶器素地１０が焼結し、かつ、中間層組成物と上釉層組成物とが軟化する温度が好ましい。二次塗布体を焼成する際の焼成温度は、例えば、１１００～１３００℃が好ましく、１１５０～１２５０℃がより好ましい。二次塗布体を焼成する際の焼成温度が上記下限値以上であると、上釉層組成物を充分に溶融しやすい。加えて、二次塗布体を焼成する際の焼成温度が上記下限値以上であると、中間層組成物を充分に溶融しやすい。二次塗布体を焼成する際の焼成温度が上記上限値以下であると、上釉層３０の表面を平坦に形成しやすい。加えて、二次塗布体を焼成する際の焼成温度が上記上限値以下であると、中間層２０と上釉層３０との界面を平坦にしやすい。
【0080】
二次塗布体を焼成する焼成時間は、１～１６８時間が好ましく、２～７２時間がより好ましく、３～２４時間がさらに好ましい。二次塗布体を焼成する焼成時間が上記下限値以上であると、上釉層３０の表面を平坦に形成しやすい。加えて、二次塗布体を焼成する焼成時間が上記下限値以上であると、中間層２０と上釉層３０との界面を平坦にしやすい。二次塗布体を焼成する焼成時間が上記上限値以下であると、衛生陶器１の生産性を向上しやすい。
【0081】
二次塗布体を焼成することにより、焼成品が得られる。焼成品は、冷却することにより、衛生陶器１となる。衛生陶器１は、焼成品を自然放冷することにより得てもよく、送風する等、冷却することにより得てもよい。
焼成品を冷却する際の温度域は、８００～１３００℃が好ましく、９００～１２５０℃がより好ましい。焼成品を冷却する際の温度域が上記下限値以上であると、気泡を上釉層３０の外部に放出しやすい。焼成品を冷却する際の温度域が上記上限値以下であると、上釉層３０の表面を平坦に形成しやすい。
焼成品を冷却する際の降温速度は、３０℃／分以下が好ましく、１０℃／分以下がより好ましく、０．１℃／分以下がさらに好ましい。焼成品を冷却する際の降温速度が上記上限値以下であると、気泡を上釉層３０の外部に放出しやすい。加えて、焼成品を冷却する際の降温速度が上記上限値以下であると、上釉層３０の表面を平坦に形成しやすい。
焼成品を冷却する際の温度域は、８００～１３００℃が好ましく、９００～１２５０℃がより好ましい。焼成品を冷却する際の温度域が上記下限値以上であると、気泡を上釉層３０の外部に放出しやすい。焼成品を冷却する際の温度域が上記上限値以下であると、上釉層３０の表面を平坦に形成しやすい。
焼成品を冷却する際の降温速度は、３０℃／分以下が好ましく、１０℃／分以下がより好ましく、０．１℃／分以下がさらに好ましい。焼成品を冷却する際の降温速度が上記上限値以下であると、気泡を上釉層３０の外部に放出しやすい。加えて、焼成品を冷却する際の降温速度が上記上限値以下であると、上釉層３０の表面を平坦に形成しやすい。
【0082】
衛生陶器１は、中間層組成物を陶器素地１０の表面に、浸し掛け、流し掛け、塗り掛け、又は吹き掛けのいずれかにより塗布した後焼成して一次焼成体を得（第一焼成工程）、前記一次焼成体に上釉層組成物を塗布して焼成すること（第二焼成工程）によって得てもよい。
【0083】
第一焼成工程の焼成温度は、８００～１０００℃が好ましく、８５０～９５０℃がより好ましい。第一焼成工程の焼成温度が上記下限値以上であると、中間層組成物を充分に溶融しやすい。加えて、陶器素地１０、中間層２０のガス抜きがされ、上釉層３０への気泡の混入を抑制しやすい。第一焼成工程の焼成温度が上記上限値以下であると、中間層２０の表面を平坦に形成しやすく、上釉層組成物との密着性を向上しやすい。
第一焼成工程の焼成時間は、１～１６８時間が好ましく、２～７２時間がより好ましく、３～２４時間がさらに好ましい。第一焼成工程の焼成時間が上記下限値以上であると、中間層２０の表面を平坦に形成しやすい。加えて、陶器素地１０、中間層２０のガス抜きがされ、上釉層３０への気泡の混入を抑制しやすい。第一焼成工程の焼成時間が上記上限値以下であると、衛生陶器１の生産性を向上しやすい。
一次塗布体を焼成することにより一次焼成体が得られる。
第一焼成工程の焼成時間は、１～１６８時間が好ましく、２～７２時間がより好ましく、３～２４時間がさらに好ましい。第一焼成工程の焼成時間が上記下限値以上であると、中間層２０の表面を平坦に形成しやすい。加えて、陶器素地１０、中間層２０のガス抜きがされ、上釉層３０への気泡の混入を抑制しやすい。第一焼成工程の焼成時間が上記上限値以下であると、衛生陶器１の生産性を向上しやすい。
一次塗布体を焼成することにより一次焼成体が得られる。
【0084】
一次焼成体は、上釉層組成物を塗布する前に冷却することが好ましい。一次焼成体を冷却する際の温度は、８００～１０００℃が好ましく、８５０～９５０℃がより好ましい。一次焼成体を冷却する際の温度が上記下限値以上であると、気泡を中間層２０の外部に放出しやすい。一次焼成体を冷却する際の温度が上記上限値以下であると、中間層２０の表面を平坦に形成しやすい。
一次焼成体を冷却する際の降温速度は、３０℃／分以下が好ましく、１０℃／分以下がより好ましい。一次焼成体を冷却する際の降温速度が上記上限値以下であると、気泡を中間層２０の外部に放出しやすい。加えて、一次焼成体を冷却する際の降温速度が上記上限値以下であると、中間層２０の表面を平坦に形成しやすい。
一次焼成体を冷却する際の降温速度は、３０℃／分以下が好ましく、１０℃／分以下がより好ましい。一次焼成体を冷却する際の降温速度が上記上限値以下であると、気泡を中間層２０の外部に放出しやすい。加えて、一次焼成体を冷却する際の降温速度が上記上限値以下であると、中間層２０の表面を平坦に形成しやすい。
【0085】
次に、一次焼成体の表面に上釉層組成物を塗布する。一次焼成体の表面に上釉層組成物を塗布する方法は、上釉層３０の厚さを調整しやすくする観点から、吹き掛け（スプレー掛け）が好ましい。
一次焼成体の表面に上釉層組成物を塗布する際の塗布量は、一次塗布体の表面に上釉層組成物を塗布する際の塗布量と同様である。
上釉層組成物を一次焼成体の表面に塗布することにより、二次塗布体が得られる。
一次焼成体の表面に上釉層組成物を塗布する際の塗布量は、一次塗布体の表面に上釉層組成物を塗布する際の塗布量と同様である。
上釉層組成物を一次焼成体の表面に塗布することにより、二次塗布体が得られる。
【0086】
次に、二次塗布体を焼成する（第二焼成工程）。第二焼成工程の焼成温度は、１１００～１３００℃が好ましく、１１５０～１２５０℃がより好ましい。第二焼成工程の焼成温度が上記下限値以上であると、上釉層組成物を充分に溶融しやすい。第二焼成工程の焼成温度が上記上限値以下であると、上釉層３０の表面を平坦に形成しやすい。
第二焼成工程の焼成時間は、１～１６８時間が好ましく、２～７２時間がより好ましく、３～２４時間がさらに好ましい。第二焼成工程の焼成時間が上記下限値以上であると、上釉層３０の表面を平坦に形成しやすい。第二焼成工程の焼成時間が上記上限値以下であると、衛生陶器１の生産性を向上しやすい。
第二焼成工程により焼成品が得られる。焼成品は、冷却することにより、衛生陶器１となる。焼成品を冷却する際の温度は、上述した焼成品を冷却する際の温度と同様である。焼成品を冷却する際の降温速度は、上述した焼成品を冷却する際の降温速度と同様である。
第二焼成工程の焼成時間は、１～１６８時間が好ましく、２～７２時間がより好ましく、３～２４時間がさらに好ましい。第二焼成工程の焼成時間が上記下限値以上であると、上釉層３０の表面を平坦に形成しやすい。第二焼成工程の焼成時間が上記上限値以下であると、衛生陶器１の生産性を向上しやすい。
第二焼成工程により焼成品が得られる。焼成品は、冷却することにより、衛生陶器１となる。焼成品を冷却する際の温度は、上述した焼成品を冷却する際の温度と同様である。焼成品を冷却する際の降温速度は、上述した焼成品を冷却する際の降温速度と同様である。
【0087】
一次焼成体を経由して衛生陶器１を得ることにより、中間層２０と上釉層３０との界面をより平坦に形成しやすい。また、中間層２０及び上釉層３０に含まれる気泡の数を減らしやすい。このため、衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい。
衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい観点から、本発明の衛生陶器の製造方法は、一次焼成体を経由して衛生陶器１を得ることが好ましい。
衛生陶器１の「美しさ」をより向上しやすい観点から、本発明の衛生陶器の製造方法は、一次焼成体を経由して衛生陶器１を得ることが好ましい。
【0088】
以上、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。また、上記の実施の形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能である。
【0089】
上述した実施形態では、衛生陶器１は、陶器素地１０と中間層２０と上釉層３０とを備える。しかしながら、本発明は上述した実施形態に限定されず、例えば、衛生陶器は、中間層を有していなくてもよい。すなわち、衛生陶器は、陶器素地の表面に上釉層（釉薬層）を備える形態であってもよい。また、上釉層３０と中間層２０の間に他の釉薬層を有していても良く、釉薬層は、複数層になってもよい。すなわち、衛生陶器は、陶器素地の表面に、中間層、次いで、単層又は複層の釉薬層、さらにその上に、上釉層(釉薬層)を備える形態であってもよい。
衛生陶器の「美しさ」をより向上しやすい観点から、衛生陶器は、中間層を備えることが好ましい。
なお、衛生陶器が中間層を有していない場合、上釉層（釉薬層）の厚さは、例えば、以下の手順で求められる。
衛生陶器を上釉層の厚さ方向に小型試料切断機を用いて切断する。切断した切断面をマイクロスコープ（オリンパス（株）製、ＤＳＸ５１０）により、倍率１２５倍で観察する。観察した画像において、上釉層の表面と、上釉層と陶器素地との境界線（上素境界線）との距離を任意の２０か所について測定する。測定した距離の算術平均値を上釉層の厚さとする。
衛生陶器の「美しさ」をより向上しやすい観点から、衛生陶器は、中間層を備えることが好ましい。
なお、衛生陶器が中間層を有していない場合、上釉層（釉薬層）の厚さは、例えば、以下の手順で求められる。
衛生陶器を上釉層の厚さ方向に小型試料切断機を用いて切断する。切断した切断面をマイクロスコープ（オリンパス（株）製、ＤＳＸ５１０）により、倍率１２５倍で観察する。観察した画像において、上釉層の表面と、上釉層と陶器素地との境界線（上素境界線）との距離を任意の２０か所について測定する。測定した距離の算術平均値を上釉層の厚さとする。
【実施例】
【0090】
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
本実施例において使用した原料は、下記の［使用原料］に示す通りである。
本実施例において使用した原料は、下記の［使用原料］に示す通りである。
【0091】
［使用原料］
＜陶器素地原料＞
Ａ－１：陶石１０質量部、長石４０質量部、粘土５０質量部（ＳｉＯ２７０質量％、Ａｌ２Ｏ３２５質量％、Ｎａ２ＯとＫ２ＯとＣａＯとＭｇＯとＺｎＯとの合計５質量％）。
Ａ－２：陶石３０質量部、粘土７０質量部（ＳｉＯ２６５質量％、Ａｌ２Ｏ３３０質量％、Ｎａ２ＯとＫ２ＯとＣａＯとＭｇＯとＺｎＯとの合計５質量％）。
＜釉原料＞
Ｂ－１：ＳｉＯ２６３質量％、Ａｌ２Ｏ３１０質量％、Ｎａ２ＯとＫ２ＯとＣａＯとＭｇＯとＺｎＯとＳｒＯとＢａＯとＢ２Ｏ３との合計２０質量％、その他７質量％。
Ｂ－２：ＳｉＯ２６４質量％、Ａｌ２Ｏ３１２質量％、Ｎａ２ＯとＫ２ＯとＣａＯとＭｇＯとＺｎＯとＳｒＯとＢａＯとＢ２Ｏ３との合計２４質量％。
＜中間層原料＞
陶器素地原料Ａ－２と、釉原料Ｂ－１とを表１に記載の質量比（素地／釉薬比）で混合した混合物。
＜陶器素地原料＞
Ａ－１：陶石１０質量部、長石４０質量部、粘土５０質量部（ＳｉＯ２７０質量％、Ａｌ２Ｏ３２５質量％、Ｎａ２ＯとＫ２ＯとＣａＯとＭｇＯとＺｎＯとの合計５質量％）。
Ａ－２：陶石３０質量部、粘土７０質量部（ＳｉＯ２６５質量％、Ａｌ２Ｏ３３０質量％、Ｎａ２ＯとＫ２ＯとＣａＯとＭｇＯとＺｎＯとの合計５質量％）。
＜釉原料＞
Ｂ－１：ＳｉＯ２６３質量％、Ａｌ２Ｏ３１０質量％、Ｎａ２ＯとＫ２ＯとＣａＯとＭｇＯとＺｎＯとＳｒＯとＢａＯとＢ２Ｏ３との合計２０質量％、その他７質量％。
Ｂ－２：ＳｉＯ２６４質量％、Ａｌ２Ｏ３１２質量％、Ｎａ２ＯとＫ２ＯとＣａＯとＭｇＯとＺｎＯとＳｒＯとＢａＯとＢ２Ｏ３との合計２４質量％。
＜中間層原料＞
陶器素地原料Ａ－２と、釉原料Ｂ－１とを表１に記載の質量比（素地／釉薬比）で混合した混合物。
【0092】
［陶器素地の調製］
陶器素地原料Ａ－１を１ｋｇ、水を０．４ｋｇ混合し、混合物を得た。その混合物をボールミルにより２０時間粉砕し、陶器素地組成物を得た。
次に、長さ１００ｍｍ、幅１００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの石膏型に前記陶器素地組成物を流し込み、陶器素地を得た。
陶器素地原料Ａ－１を１ｋｇ、水を０．４ｋｇ混合し、混合物を得た。その混合物をボールミルにより２０時間粉砕し、陶器素地組成物を得た。
次に、長さ１００ｍｍ、幅１００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの石膏型に前記陶器素地組成物を流し込み、陶器素地を得た。
【0093】
［フリットの調製］
フリット原料として釉原料Ｂ－２を１５００℃で溶融させてフリットＦ－１を得た。
フリット原料として釉原料Ｂ－２を１５００℃で溶融させてフリットＦ－１を得た。
【0094】
［中間層組成物の調製］
中間層原料を１ｋｇ、水を０．４ｋｇ混合し、混合物を得た。その混合物をボールミルにより２０時間粉砕し、各例の中間層組成物を得た。
中間層原料を１ｋｇ、水を０．４ｋｇ混合し、混合物を得た。その混合物をボールミルにより２０時間粉砕し、各例の中間層組成物を得た。
【0095】
［上釉層組成物の調製］
フリットＦ－１を１ｋｇ、水を０．６ｋｇ混合し、混合物を得た。その混合物をボールミルにより３０時間粉砕し、粘性調整のため、カルボキシメチルセルロース等の粘性調整剤を添加し、上釉層組成物を得た。
フリットＦ－１を１ｋｇ、水を０．６ｋｇ混合し、混合物を得た。その混合物をボールミルにより３０時間粉砕し、粘性調整のため、カルボキシメチルセルロース等の粘性調整剤を添加し、上釉層組成物を得た。
【0096】
［実施例１～５、比較例１～２］
［衛生陶器の調製］
上記陶器素地に各例の中間層組成物をスプレーコーティング法により塗布して、６０℃で１時間乾燥させた後、上記上釉層組成物をスプレーコーティング法により塗布して二次塗布体を得た。二次塗布体を１２２０℃で２０時間焼成し、直方体の衛生陶器の試料を得た。
［衛生陶器の調製］
上記陶器素地に各例の中間層組成物をスプレーコーティング法により塗布して、６０℃で１時間乾燥させた後、上記上釉層組成物をスプレーコーティング法により塗布して二次塗布体を得た。二次塗布体を１２２０℃で２０時間焼成し、直方体の衛生陶器の試料を得た。
【0097】
＜上釉層の厚さの測定＞
小型試料切断機を用いて、各例の試料を試料の長さ方向の一辺の中点を通り試料の幅方向と平行な面で厚さ方向に切断した。切断した切断面をマイクロスコープ（オリンパス（株）製、ＤＳＸ５１０）により、倍率１２５倍で観察した。観察した画像の幅方向の一端から他端までを幅方向に１０等分して、それぞれ２か所の上釉層の表面と上中境界線との距離（Ｌ３０）を測定した。一つの試料につき合計２０か所の上記距離（Ｌ３０）を測定し、上釉層の厚さの最大値、最小値、最大値と最小値との差、平均値を求めた。上記距離（Ｌ３０）の平均値を上釉層の厚さとした。結果を表１に示す。表中、「差」は、上釉層の厚さの最大値と最小値との差を表す。
小型試料切断機を用いて、各例の試料を試料の長さ方向の一辺の中点を通り試料の幅方向と平行な面で厚さ方向に切断した。切断した切断面をマイクロスコープ（オリンパス（株）製、ＤＳＸ５１０）により、倍率１２５倍で観察した。観察した画像の幅方向の一端から他端までを幅方向に１０等分して、それぞれ２か所の上釉層の表面と上中境界線との距離（Ｌ３０）を測定した。一つの試料につき合計２０か所の上記距離（Ｌ３０）を測定し、上釉層の厚さの最大値、最小値、最大値と最小値との差、平均値を求めた。上記距離（Ｌ３０）の平均値を上釉層の厚さとした。結果を表１に示す。表中、「差」は、上釉層の厚さの最大値と最小値との差を表す。
【0098】
＜中間層の厚さの測定＞
上釉層の厚さで観察した画像を用いて、観察した画像の幅方向の一端から他端までを幅方向に１０等分して、それぞれ２か所の上中境界線と中素境界線との距離（Ｌ２０）を測定した。一つの試料につき合計２０か所の上記距離（Ｌ２０）を測定し、平均値を求め、中間層の厚さとした。結果を表１に示す。
上釉層の厚さで観察した画像を用いて、観察した画像の幅方向の一端から他端までを幅方向に１０等分して、それぞれ２か所の上中境界線と中素境界線との距離（Ｌ２０）を測定した。一つの試料につき合計２０か所の上記距離（Ｌ２０）を測定し、平均値を求め、中間層の厚さとした。結果を表１に示す。
【0099】
＜第一溶融温度の測定＞
各例で用いた中間層組成物を８０℃で２時間乾燥させて各例の試料粉末を得た。ＤＴＡ装置（株式会社リガク製、ＴＧ８１２１）を用い、常温（２５℃）の空気を２００ｍＬ／分の流量で通流しながら、アルミナ粉末（基準物質）３０ｍｇと各例の試料粉末３０ｍｇとを、昇温速度３℃／分で加熱してＤＴＡ測定を行った。得られたＤＴＡ曲線において、基準物質の温度が７００℃超の領域で現れる試料粉末の温度から基準物質の温度を減じた値ΔＴを示す電位差ΔＶが、小さくなる第一変曲点を求め、第一変曲点における基準物質の温度を第一溶融温度とした。測定した第一溶融温度を表１に示す。
各例で用いた中間層組成物を８０℃で２時間乾燥させて各例の試料粉末を得た。ＤＴＡ装置（株式会社リガク製、ＴＧ８１２１）を用い、常温（２５℃）の空気を２００ｍＬ／分の流量で通流しながら、アルミナ粉末（基準物質）３０ｍｇと各例の試料粉末３０ｍｇとを、昇温速度３℃／分で加熱してＤＴＡ測定を行った。得られたＤＴＡ曲線において、基準物質の温度が７００℃超の領域で現れる試料粉末の温度から基準物質の温度を減じた値ΔＴを示す電位差ΔＶが、小さくなる第一変曲点を求め、第一変曲点における基準物質の温度を第一溶融温度とした。測定した第一溶融温度を表１に示す。
【0100】
＜第二溶融温度の測定＞
上記ＤＴＡ曲線において、第一溶融温度よりも高温側に現れ、試料粉末の温度から基準物質の温度を減じた値ΔＴを示す電位差ΔＶが、大きくなる最初の変曲点（第二変曲点）を求め、第二変曲点における基準物質の温度を第二溶融温度とした。測定した第二溶融温度を表１に示す。
上記ＤＴＡ曲線において、第一溶融温度よりも高温側に現れ、試料粉末の温度から基準物質の温度を減じた値ΔＴを示す電位差ΔＶが、大きくなる最初の変曲点（第二変曲点）を求め、第二変曲点における基準物質の温度を第二溶融温度とした。測定した第二溶融温度を表１に示す。
【0101】
＜平均気泡径、気泡面積率の測定＞
上記のマイクロスコープにより観察した画像を用いて、装置処理ソフト（三谷商事（株）、ＷｉｎＲＯＯＦ２０１５）により、画像を２値化し、画像解析により、中間層の切断面における平均気泡径、気泡面積率を求めた。結果を表１に示す。
上記のマイクロスコープにより観察した画像を用いて、装置処理ソフト（三谷商事（株）、ＷｉｎＲＯＯＦ２０１５）により、画像を２値化し、画像解析により、中間層の切断面における平均気泡径、気泡面積率を求めた。結果を表１に示す。
【0102】
＜写像性の測定＞
各例の試料を準備し、ウェーブスキャンＤＯＩ測定装置（ＢＹＫ Ｇａｒｄｎｅｒ社製、Ｗａｖｅ－Ｓｃａｎ－ＤＵＡＬ）によって、ＤＯＩ値を測定した。結果を表１に示す。
各例の試料を準備し、ウェーブスキャンＤＯＩ測定装置（ＢＹＫ Ｇａｒｄｎｅｒ社製、Ｗａｖｅ－Ｓｃａｎ－ＤＵＡＬ）によって、ＤＯＩ値を測定した。結果を表１に示す。
【0103】
＜「下地の乱れ」の評価＞
各例の試料を準備し、室内で蛍光灯にかざし、衛生陶器の「下地の乱れ」を感じるか、という観点から、外観感応評価を実施した。ここで、「下地の乱れ」とは、衛生等陶器表面の上釉層を通して見える上釉層の下の層（中間層）の乱れが人間の視覚で認められることを示し、「下地の乱れ」が少ない衛生陶器は、「美しさ」に優れる。外観感応評価は、被験者１０人で実施し、下記評価基準に基づいて、「下地の乱れ」を評価した。結果を表１に示す。
《評価基準》
○：「下地の乱れ」を感じない被験者の数が７人以上。
△：「下地の乱れ」を感じない被験者の数が５人以上。
×：「下地の乱れ」を感じない被験者の数が４人以下。
各例の試料を準備し、室内で蛍光灯にかざし、衛生陶器の「下地の乱れ」を感じるか、という観点から、外観感応評価を実施した。ここで、「下地の乱れ」とは、衛生等陶器表面の上釉層を通して見える上釉層の下の層（中間層）の乱れが人間の視覚で認められることを示し、「下地の乱れ」が少ない衛生陶器は、「美しさ」に優れる。外観感応評価は、被験者１０人で実施し、下記評価基準に基づいて、「下地の乱れ」を評価した。結果を表１に示す。
《評価基準》
○：「下地の乱れ」を感じない被験者の数が７人以上。
△：「下地の乱れ」を感じない被験者の数が５人以上。
×：「下地の乱れ」を感じない被験者の数が４人以下。
【0104】
【表1】
【0105】
表１に示すように、本発明を適用した実施例１～５は、「下地の乱れ」の評価が「○」又は「△」で、「美しさ」をより向上できていることが分かった。
一方、上釉層の厚さの最大値と最小値との差が５０μｍ超である比較例１～２は、「下地の乱れ」の評価が「×」だった。
一方、上釉層の厚さの最大値と最小値との差が５０μｍ超である比較例１～２は、「下地の乱れ」の評価が「×」だった。
【0106】
本発明の衛生陶器によれば、衛生陶器の「美しさ」をより向上できることが分かった。
【符号の説明】
【0107】
１ 衛生陶器
１０ 陶器素地
２０ 中間層
３０ 上釉層
Ｃ１ ＴＧ曲線
Ｃ２ ＤＴＡ曲線
Ｐ１ 第一変曲点
Ｐ２ 第二変曲点
１０ 陶器素地
２０ 中間層
３０ 上釉層
Ｃ１ ＴＧ曲線
Ｃ２ ＤＴＡ曲線
Ｐ１ 第一変曲点
Ｐ２ 第二変曲点
【図1】
【図2】