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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-06-13
(45)【発行日】2022-06-21
(54)【発明の名称】コネクタ端子用導電部材及びコネクタ端子
(51)【国際特許分類】
C25D 7/00 20060101AFI20220614BHJP
C22C 19/03 20060101ALI20220614BHJP
C22C 13/00 20060101ALI20220614BHJP
C22C 30/04 20060101ALI20220614BHJP
C22C 9/00 20060101ALI20220614BHJP
C25D 5/50 20060101ALI20220614BHJP
C25D 5/12 20060101ALI20220614BHJP
H01R 13/03 20060101ALI20220614BHJP
【ＦＩ】
C25D7/00 H
C22C19/03 G
C22C13/00
C22C30/04
C22C9/00
C25D5/50
C25D5/12
H01R13/03 D
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2018123098
(22)【出願日】2018-06-28
(65)【公開番号】P2020002429
(43)【公開日】2020-01-09
【審査請求日】2021-03-08
(73)【特許権者】
【識別番号】000006264
【氏名又は名称】三菱マテリアル株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100101465
【弁理士】
【氏名又は名称】青山 正和
(72)【発明者】
【氏名】宮嶋 直輝
(72)【発明者】
【氏名】牧 一誠
(72)【発明者】
【氏名】船木 真一
【審査官】國方 康伸
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１６－０６５３１６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－０８６４４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１６６３９６（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２５Ｄ ５／００－ ７／１２
Ｈ０１Ｒ１３／００－１３／０８
Ｈ０１Ｒ１３／１５－１３／３５
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材の上に、Ｃｕ及びＳｎの金属間化合物からなるＣｕ－Ｓｎ金属間化合物層が形成され、該Ｃｕ－Ｓｎ金属間化合物層の上にＳｎ又はＳｎ合金からなるＳｎ層が形成されており、前記Ｓｎ層の表面において、端子に成形したときに端子同士が嵌合により接触状態となる予定の嵌合予定部位に、ストライプ状に部分皮膜が形成されており、該部分皮膜は、前記Ｓｎ層の上に形成されたＮｉ又はＮｉ合金からなるＮｉ層と、該Ｎｉ層の上に形成されたＡｇ又はＡｇ合金からなるＡｇ層とを有し、前記Ｓｎ層における前記Ｎｉ層との界面部に、ＳｎにＮｉが固溶してなるＳｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎとＮｉとの金属間化合物を含有するＳｎ－Ｎｉ層が形成され、
前記Ｎｉ層における前記基材の圧延面に対する法線方向から視た平均結晶粒径が１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、該平均結晶粒径の変動係数が１以下であることを特徴とするコネクタ端子用導電部材。
【請求項2】
前記Ｓｎ－Ｎｉ層に含まれるＳｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎ－Ｎｉ金属間化合物の平均結晶粒径が０．２μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のコネクタ端子用導電部材。
【請求項3】
前記Ｓｎ－Ｎｉ層におけるＮｉの含有量は５ａｔ％以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のコネクタ端子用導電部材。
【請求項4】
前記Ｎｉ層における前記基材の圧延面の法線方向から視た平均結晶粒径をｄＮＤとし、前記基材の圧延幅方向に対して垂直な面での平均結晶粒径をｄＴＤとすると、その粒径比ｄＴＤ／ｄＮＤが１以上１０以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載のコネクタ端子用導電部材。
【請求項5】
前記Ｎｉ層において前記Ａｇ層と接する面の算術平均面高さＳａが０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載のコネクタ端子用導電部材。
【請求項6】
前記基材は帯板状に形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載のコネクタ端子用導電部材。
【請求項7】
請求項１から５のいずれか一項記載のコネクタ端子用導電部材からなり、相手端子に嵌合状態に接触する嵌合部を有し、該嵌合部の表面に前記部分皮膜が形成されていることを特徴とするコネクタ端子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、コネクタ用導電部材及び該導電部材により形成したコネクタ端子に関する。
【背景技術】
【0002】
最近、表面にＡｇめっきが施された銅合金条材が耐摩耗性及び導電性が要求される電気自動車の充電用プラグ部、各種摺動部、モーター部、充電部などのコネクタ部材として使用されている。
この電気自動車の充電用プラグ部のコネクタ部品などにおいて、高電流・高電圧環境下での使用に加えて数万回の抜き差しに耐えうる耐摩耗性が求められるようになってきている。この課題に対して、特許文献１により、表面に錫めっきを施した銅合金材料上に電解ニッケルめっきを施した後、さらに電解銀めっきを施しためっき積層体が提案されている。
この電気自動車の充電用プラグ部のコネクタ部品などにおいて、高電流・高電圧環境下での使用に加えて数万回の抜き差しに耐えうる耐摩耗性が求められるようになってきている。この課題に対して、特許文献１により、表面に錫めっきを施した銅合金材料上に電解ニッケルめっきを施した後、さらに電解銀めっきを施しためっき積層体が提案されている。
【0003】
しかしながら、抜き差しの繰り返しによりめっきの摩耗が進行し、母材に達することで急激な電気抵抗の増大を招くおそれがあった。また、折り曲げなどにより形成しためっき皮膜が剥離する問題もあった。
また、特許文献２では、Ｃｕ系基材の上にＣｕ－Ｓｎ金属間化合物層、Ｓｎ系表面層を順に備え、Ｓｎ系表面層の上にＮｉめっき、硬質Ａｇめっきを施したコネクタ用導電部材が提案され、コネクタとして長時間実装された後もある程度の高い表面硬度を維持することにより耐摩耗性が向上したが、電気自動車の高性能化等に伴い、使用されるコネクタ数およびその端子数も増加し、より細かい曲げ加工が必要となってきていることから、耐摩耗性のさらなる改良と共に曲げ加工性についてもさらなる改良が望まれていた。
また、特許文献２では、Ｃｕ系基材の上にＣｕ－Ｓｎ金属間化合物層、Ｓｎ系表面層を順に備え、Ｓｎ系表面層の上にＮｉめっき、硬質Ａｇめっきを施したコネクタ用導電部材が提案され、コネクタとして長時間実装された後もある程度の高い表面硬度を維持することにより耐摩耗性が向上したが、電気自動車の高性能化等に伴い、使用されるコネクタ数およびその端子数も増加し、より細かい曲げ加工が必要となってきていることから、耐摩耗性のさらなる改良と共に曲げ加工性についてもさらなる改良が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】国際公開２０１４／１９９５４７号
【文献】特開２０１５－８６４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明では、前記事情に鑑みてなされたもので、耐摩耗性をさらに向上させ、電気抵抗の増大を抑制するとともに、曲げ加工等の際の剥離の発生を確実に防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明のコネクタ端子用導電部材は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材の上に、Ｃｕ及びＳｎの金属間化合物からなるＣｕ－Ｓｎ金属間化合物層が形成され、該Ｃｕ－Ｓｎ金属間化合物層の上にＳｎ又はＳｎ合金からなるＳｎ層が形成されており、前記Ｓｎ層の表面において、端子に成形したときに端子同士が嵌合により接触状態となる予定の嵌合予定部位に、ストライプ状に部分皮膜が形成されており、該部分皮膜は、前記Ｓｎ層の上に形成されたＮｉ又はＮｉ合金からなるＮｉ層と、該Ｎｉ層の上に形成されたＡｇ又はＡｇ合金からなるＡｇ層とを有し、
前記Ｓｎ層における前記Ｎｉ層との界面部に、ＳｎにＮｉが固溶してなるＳｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎとＮｉとの金属間化合物を含有するＳｎ－Ｎｉ層が形成され、
前記Ｎｉ層における前記基材の圧延面に対する法線方向から視た平均結晶粒径が１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、該平均結晶粒径の変動係数が１以下である。
なお、前記Ｓｎ－Ｎｉ層は、Ｓｎ層にＮｉが拡散することによって形成されるものであるが、局所的にＳｎが合金化せずそのまま存在している場合もある。平均結晶粒径の変動係数とは、平均結晶粒径の標準偏差を平均結晶粒径で割った値である。
前記Ｓｎ層における前記Ｎｉ層との界面部に、ＳｎにＮｉが固溶してなるＳｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎとＮｉとの金属間化合物を含有するＳｎ－Ｎｉ層が形成され、
前記Ｎｉ層における前記基材の圧延面に対する法線方向から視た平均結晶粒径が１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、該平均結晶粒径の変動係数が１以下である。
なお、前記Ｓｎ－Ｎｉ層は、Ｓｎ層にＮｉが拡散することによって形成されるものであるが、局所的にＳｎが合金化せずそのまま存在している場合もある。平均結晶粒径の変動係数とは、平均結晶粒径の標準偏差を平均結晶粒径で割った値である。
【0007】
このコネクタ端子用導電部材は、端子に成形したときに端子同士が嵌合により接触状態となる予定の嵌合予定部位に、表面にＡｇ層を有する部分皮膜が形成されているので、耐摩耗性に優れている。この部分皮膜は嵌合予定部位にストライプ状に形成しているので、高価なＡｇ層の使用が局部に制限され、コスト増を抑制することができる。また、このストライプ状の部分皮膜において、Ｓｎ層とＮｉ層との間にＳｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎ－Ｎｉ金属間化合物からなるＳｎ－Ｎｉ層が介在しているので、Ｎｉ層とＳｎ層との結合状態がより強固かつ安定的になり、コネクタとして挿抜を繰り返しても摩耗しにくく、抵抗値が安定して維持される。また、皮膜の密着性が高まるので、折り曲げ加工等によっても皮膜の剥離が生じにくい。このため、コネクタ用導電部材として高い信頼性を維持することができる。
この場合、Ｎｉ層の平均結晶粒径が１０ｎｍ未満では、微細な結晶により耐摩耗性は向上するも、硬くなり過ぎて曲げ加工時に割れが生じ易い。Ｎｉ層の平均結晶粒径が５００ｎｍを超える粗大な結晶粒となると、耐摩耗性が低下する。また、平均結晶粒径の変動係数が１を超えると、結晶粒径のばらつきが大きくなり、実用上好ましいレベルの耐摩耗性を安定して得ることができない。
この場合、Ｎｉ層の平均結晶粒径が１０ｎｍ未満では、微細な結晶により耐摩耗性は向上するも、硬くなり過ぎて曲げ加工時に割れが生じ易い。Ｎｉ層の平均結晶粒径が５００ｎｍを超える粗大な結晶粒となると、耐摩耗性が低下する。また、平均結晶粒径の変動係数が１を超えると、結晶粒径のばらつきが大きくなり、実用上好ましいレベルの耐摩耗性を安定して得ることができない。
【0008】
本発明のコネクタ端子用導電部材の好ましい実施態様として、前記Ｓｎ－Ｎｉ層の含まれるＳｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎ－Ｎｉ金属間化合物の平均結晶粒径が０．２μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
Ｓｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎ－Ｎｉ金属間化合物の平均結晶粒径をこの範囲にすることで、Ｓｎ層とＮｉ層の密着性が向上する。平均結晶粒径がこの範囲を外れたものは、密着性の向上効果が十分には得られなくなる。
Ｓｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎ－Ｎｉ金属間化合物の平均結晶粒径をこの範囲にすることで、Ｓｎ層とＮｉ層の密着性が向上する。平均結晶粒径がこの範囲を外れたものは、密着性の向上効果が十分には得られなくなる。
【0009】
本発明のコネクタ端子用導電部材の好ましい実施態様として、前記Ｓｎ－Ｎｉ層におけるＮｉの含有量は５ａｔ％以上であるのが好ましい
Ｓｎ－Ｎｉ層中にＮｉ含有量を５ａｔ％以上とすることで、安定したＳｎ－Ｎｉ金属間化合物層が形成され、Ｓｎ層とＮｉ層の密着性が向上する。その含有量が５ａｔ％未満であると、Ｓｎ含有量が多過ぎるため、柔らかくなり過ぎて耐摩耗性低下のおそれがある。Ｎｉ含有量の上限は６７ａｔ％が好ましい。
Ｓｎ－Ｎｉ層中にＮｉ含有量を５ａｔ％以上とすることで、安定したＳｎ－Ｎｉ金属間化合物層が形成され、Ｓｎ層とＮｉ層の密着性が向上する。その含有量が５ａｔ％未満であると、Ｓｎ含有量が多過ぎるため、柔らかくなり過ぎて耐摩耗性低下のおそれがある。Ｎｉ含有量の上限は６７ａｔ％が好ましい。
【0010】
Ｓｎ－Ｎｉ層におけるＳｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎ－Ｎｉ金属間化合物の粒子が上記のような範囲で存在することにより、Ｓｎ層とＮｉ層の密着性が、界面全体でより安定的に強くなり、曲げ加工時の剥離発生のおそれが低くなる。
【0011】
本発明のコネクタ端子用導電部材の好ましい実施態様として、前記Ｎｉ層における前記基材の圧延面の法線方向から視た平均結晶粒径をｄＮＤとし、前記基材の圧延幅方向に対して垂直な面での平均結晶粒径をｄＴＤとすると、その粒径比ｄＴＤ／ｄＮＤが１以上１０以下であるとよい。
粒径比ｄＴＤ／ｄＮＤの比がこの範囲内であると、より耐摩耗性が良好になる。ｄＴＤ／ｄＮＤが１未満では、粒径が微細になることで、耐摩耗性は向上するが、細かくなり過ぎて、曲げた際に割れが生じ易くなる。ｄＴＤ／ｄＮＤが１０を超えると、ニッケル層の表面が粗くなり過ぎ、その凹凸の凸部が先行して摩耗することで摩耗粉が発生し、その摩耗粉の酸化による抵抗値の増大によって接続信頼性が低下するおそれがある。
粒径比ｄＴＤ／ｄＮＤの比がこの範囲内であると、より耐摩耗性が良好になる。ｄＴＤ／ｄＮＤが１未満では、粒径が微細になることで、耐摩耗性は向上するが、細かくなり過ぎて、曲げた際に割れが生じ易くなる。ｄＴＤ／ｄＮＤが１０を超えると、ニッケル層の表面が粗くなり過ぎ、その凹凸の凸部が先行して摩耗することで摩耗粉が発生し、その摩耗粉の酸化による抵抗値の増大によって接続信頼性が低下するおそれがある。
【0012】
本発明のコネクタ端子用導電部材の好ましい実施態様として、前記Ｎｉ層において前記Ａｇ層と接する面の算術平均面高さＳａが０．５μｍ以下であるとよい。ここで、算術平均面高さＳａとは、ＩＳＯ２５１７８－２で定義されているａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ ｍｅａｎ ｈｅｉｇｈｔのことをいう。
Ｎｉ層におけるＡｇ層と接する面のＳａが０．５μｍ以下であると、耐摩耗性がさらに良好になる。０．５μｍを超えると、その凹凸の凸部が先行して摩耗することで摩耗粉が発生し、その摩耗粉の酸化による抵抗値の増大によって接続信頼性が低下するおそれがある。
Ｎｉ層におけるＡｇ層と接する面のＳａが０．５μｍ以下であると、耐摩耗性がさらに良好になる。０．５μｍを超えると、その凹凸の凸部が先行して摩耗することで摩耗粉が発生し、その摩耗粉の酸化による抵抗値の増大によって接続信頼性が低下するおそれがある。
【0013】
本発明のコネクタ端子用導電部材は、前記基材は帯板状に形成されているとよい。帯板とすることにより、その長さ方向に沿って連続的に端子を製造することができる。
本発明のコネクタ端子は、前記コネクタ端子用導電部材からなり、相手端子に嵌合状態に接触する嵌合部を有し、該嵌合部の表面に前記部分皮膜が形成されている。
本発明のコネクタ端子は、前記コネクタ端子用導電部材からなり、相手端子に嵌合状態に接触する嵌合部を有し、該嵌合部の表面に前記部分皮膜が形成されている。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、耐摩耗性が向上し、電気抵抗の増大を抑制するとともに、曲げ加工等の際の剥離の発生を確実に防止して、高い信頼性を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本発明に係るコネクタ端子用導電部材の一実施形態の層構造を模式化して示す縦断面図である。
【図2】雄端子に用いられるコネクタ端子用導電部材の例を示す斜視図である。
【図3】雌端子に用いられるコネクタ端子用導電部材の例を示す斜視図である。
【図4】コネクタ端子用導電部材を使用して製造された雄端子及び雌端子からなるコネクタの実施形態を示す概略図である。
【図5】試料Ａ４の断面の顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明のコネクタ端子用導電部材の実施形態を詳細に説明する。
コネクタ端子用導電部材１，１１は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材２の表面に、Ｃｕ及びＳｎの金属間化合物からなるＣｕ－Ｓｎ金属間化合物層３が形成され、Ｃｕ－Ｓｎ金属間化合物層３の上にＳｎ又はＳｎ合金からなるＳｎ層４が形成されており、そのＳｎ層４の表面の一部に部分皮膜５が形成されている。
具体的には、基材２は帯板状に形成された条材であり、Ｃｕ－Ｓｎ金属間化合物層３及びＳｎ層４が形成されためっき付条材６の表面に、図２及び図３に示すように、その長さ方向に沿ってストライプ状に部分皮膜５が形成されている。なお、図２は雄端子として用いられるコネクタ端子用導電部材１、図３は雌端子として用いられるコネクタ端子用導電部材１１を示している。
そして、このコネクタ端子用導電部材１，１１をプレス成形することにより、複数の端子が帯板の長さ方向に並んで連続的に成形される。
コネクタ端子用導電部材１，１１は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材２の表面に、Ｃｕ及びＳｎの金属間化合物からなるＣｕ－Ｓｎ金属間化合物層３が形成され、Ｃｕ－Ｓｎ金属間化合物層３の上にＳｎ又はＳｎ合金からなるＳｎ層４が形成されており、そのＳｎ層４の表面の一部に部分皮膜５が形成されている。
具体的には、基材２は帯板状に形成された条材であり、Ｃｕ－Ｓｎ金属間化合物層３及びＳｎ層４が形成されためっき付条材６の表面に、図２及び図３に示すように、その長さ方向に沿ってストライプ状に部分皮膜５が形成されている。なお、図２は雄端子として用いられるコネクタ端子用導電部材１、図３は雌端子として用いられるコネクタ端子用導電部材１１を示している。
そして、このコネクタ端子用導電部材１，１１をプレス成形することにより、複数の端子が帯板の長さ方向に並んで連続的に成形される。
【0017】
このコネクタ端子用導電部材１，１１にストライプ状に設けられる部分皮膜５は、端子に成形したときに端子同士が嵌合して接触状態となる予定の嵌合予定部位に形成されることを前提とするものであるが、リード線が圧着状態に接続される予定の圧着予定部位に形成しても良い。図２及び図３は、嵌合予定部位と圧着予定部位の両方に形成した例であり、以下、この例に基づいて説明する。この部分皮膜５は図１に示すように、めっき付条材６のＳｎ層４の上に形成されたＮｉ又はＮｉ合金からなるＮｉ層８と、Ｎｉ層８の上に形成されたＡｇ又はＡｇ合金からなるＡｇ層９とを有し、Ｓｎ層４とＮｉ層８との間、具体的にはＳｎ層４におけるＮｉ層８との界面部に、ＳｎにＮｉが固溶してなるＳｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎとＮｉの金属間化合物を含有するＳｎ－Ｎｉ層７が形成されている。
【0018】
図４に、このコネクタ用導電部材１、１１を使用して製造されたコネクタの一例を示す。
雄端子２１は、先端に、雌端子２２に嵌合状態に接触する嵌合部３１が形成され、その基端部にリード線圧着部３２が形成されている。嵌合部３１は棒状に形成され、リード線圧着部３２は、リード線３３の先端に露出している導体３３ａを嵌合する円筒部３４が嵌合部３１に連続して形成され、その円筒部３４に連続して、一対のかしめ片３５ａ，３５ｂが左右に開いた状態に一体に形成された構成とされている。これらかしめ片３５ａ，３５ｂは、符号３５ａがリード線３３の外被３３ｂをかしめる外被用かしめ片であり、符号３５ｂがリード線３３の導体３３ａをかしめる導体用かしめ片である。
雄端子２１は、先端に、雌端子２２に嵌合状態に接触する嵌合部３１が形成され、その基端部にリード線圧着部３２が形成されている。嵌合部３１は棒状に形成され、リード線圧着部３２は、リード線３３の先端に露出している導体３３ａを嵌合する円筒部３４が嵌合部３１に連続して形成され、その円筒部３４に連続して、一対のかしめ片３５ａ，３５ｂが左右に開いた状態に一体に形成された構成とされている。これらかしめ片３５ａ，３５ｂは、符号３５ａがリード線３３の外被３３ｂをかしめる外被用かしめ片であり、符号３５ｂがリード線３３の導体３３ａをかしめる導体用かしめ片である。
【0019】
雌端子２２は、先端に、雄端子２１の嵌合部３１を嵌合する嵌合部４１が形成され、その基端部にリード線圧着部４２が形成されている。嵌合部４１は、雄端子２１の嵌合部３１を緊密に嵌合し得る内径の円筒状に形成され、その先端部を除く中央部分に長さ方向に沿うスリットが周方向に間隔をおいて複数形成されることにより、弾性変形容易部４３とされている。リード線圧着部４２は、雄端子２１と同様に、リード線３３の先端の導体３３ａを嵌合する円筒部４４が嵌合部４１に連続して形成され、その円筒部４４に連続して、一対のかしめ片４５ａ，４５ｂが左右に開いた状態に一体に形成されており、符号４５ａは外被用かしめ片、符号４５ｂは導体用かしめ片である。
【0020】
そして、雄端子２１では、前述したストライプ状の部分皮膜５が棒状の嵌合部３１の基端側に近い部分の外周面、円筒部３４の内面及び導体用かしめ片３５ｂの内面にそれぞれ配置されている。一方、雌端子２２では、ストライプ状の部分皮膜５が嵌合部４１の先端部の内周面、円筒部４４の内面及び導体用かしめ片４５ｂの内面にそれぞれ配置されている。
この部分皮膜の形成部位は、コネクタ端子用導電部材１，１１を端子に加工したときに、相手端子と嵌合して接触状態となる部位（嵌合予定部とする）及びリード線がかしめられて圧着状態に接続される部位（圧着予定部位とする）にそれぞれ形成され、この部分皮膜５が形成されていない部位は、Ｓｎ層４の表面が露出している。通常は、リード線圧着部３２，４２は、雄端子２１では嵌合部３１と反対面、雌端子２２では嵌合部４１と同じ面に形成される。したがって、雄端子２１に用いられるコネクタ用導電部材１では、図２に示すように部分皮膜５がめっき付条材６の両面に形成され、雌端子２２に用いられるコネクタ用導電部材１１では、図３に示すように、めっき付条材６の一方の面にのみ形成される。
なお、「嵌合予定部位」は、雄端子と雌端子とが直接面接触する部分にそれに隣接する若干のマージン幅の部分を加えた部位とするのが好適である。「圧着予定部位」も同様であり、リード線が圧着して接触する部分にそれに隣接する若干のマージン幅の部分を加えた部位とするのが好適である。
この様な個々のコネクタの雄端子２１及び雌端子２２が、雄端子毎、あるいは雌端子毎に複数本まとめてハウジングに収容されることにより多ピン型のコネクタとなる。
この部分皮膜の形成部位は、コネクタ端子用導電部材１，１１を端子に加工したときに、相手端子と嵌合して接触状態となる部位（嵌合予定部とする）及びリード線がかしめられて圧着状態に接続される部位（圧着予定部位とする）にそれぞれ形成され、この部分皮膜５が形成されていない部位は、Ｓｎ層４の表面が露出している。通常は、リード線圧着部３２，４２は、雄端子２１では嵌合部３１と反対面、雌端子２２では嵌合部４１と同じ面に形成される。したがって、雄端子２１に用いられるコネクタ用導電部材１では、図２に示すように部分皮膜５がめっき付条材６の両面に形成され、雌端子２２に用いられるコネクタ用導電部材１１では、図３に示すように、めっき付条材６の一方の面にのみ形成される。
なお、「嵌合予定部位」は、雄端子と雌端子とが直接面接触する部分にそれに隣接する若干のマージン幅の部分を加えた部位とするのが好適である。「圧着予定部位」も同様であり、リード線が圧着して接触する部分にそれに隣接する若干のマージン幅の部分を加えた部位とするのが好適である。
この様な個々のコネクタの雄端子２１及び雌端子２２が、雄端子毎、あるいは雌端子毎に複数本まとめてハウジングに収容されることにより多ピン型のコネクタとなる。
【0021】
以下、このコネクタ用導電部材１、１１の層構造の詳細について説明する。
基材２はコネクタ端子としての使用に適した銅又は銅合金であれば特に限定しないが、導電性、耐熱性、強度、加工性等を考慮すると、以下に列挙する各種銅合金を適用するのが好ましい。
（１）Ｍｇ：０．１５～３．０質量％、Ｐ：０．０００５～０．１質量％（Ｐは不可避不純物として存在する品種もある）、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有するＣｕ－Ｍｇ系合金であり、例えば三菱伸銅株式会社のＭＳＰシリーズ。
（２）Ｚｎ：２．０～３２．５質量％、Ｓｎ：０．１～０．９質量％、Ｎｉ：０．０５～１．０質量％、Ｆｅ：０．００１～０．１質量％、Ｐ：０．００５～０．１質量％、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有するＣｕ－Ｚｎ系合金であり、例えば三菱伸銅株式会社のＭＮＥＸ１０。
（３）Ｃｒ：０．０７～０．４質量％、Ｚｒ：０．０１～０．１５質量％、Ｓｉ：０．００５～０．１質量％、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有するＣｒ－Ｚｒ系銅合金であり、例えば三菱伸銅株式会社のＭＺＣ１。
（４）Ｚｒ：０．００５～０．５質量％、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有する銅合金であり、例えば三菱伸銅株式会社のＣ１５１。
基材２はコネクタ端子としての使用に適した銅又は銅合金であれば特に限定しないが、導電性、耐熱性、強度、加工性等を考慮すると、以下に列挙する各種銅合金を適用するのが好ましい。
（１）Ｍｇ：０．１５～３．０質量％、Ｐ：０．０００５～０．１質量％（Ｐは不可避不純物として存在する品種もある）、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有するＣｕ－Ｍｇ系合金であり、例えば三菱伸銅株式会社のＭＳＰシリーズ。
（２）Ｚｎ：２．０～３２．５質量％、Ｓｎ：０．１～０．９質量％、Ｎｉ：０．０５～１．０質量％、Ｆｅ：０．００１～０．１質量％、Ｐ：０．００５～０．１質量％、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有するＣｕ－Ｚｎ系合金であり、例えば三菱伸銅株式会社のＭＮＥＸ１０。
（３）Ｃｒ：０．０７～０．４質量％、Ｚｒ：０．０１～０．１５質量％、Ｓｉ：０．００５～０．１質量％、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有するＣｒ－Ｚｒ系銅合金であり、例えば三菱伸銅株式会社のＭＺＣ１。
（４）Ｚｒ：０．００５～０．５質量％、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有する銅合金であり、例えば三菱伸銅株式会社のＣ１５１。
【0022】
（５）Ｆｅ：０．０５～０．１５質量％、Ｐ：０．０１５～０．０５質量％、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有するＦｅ－Ｐ系銅合金であり、例えば三菱伸銅株式会社のＴＡＭＡＣ４。
（６）Ｆｅ：２．１～２．６質量％、Ｚｎ：０．０５～０．２０質量％、Ｐ：０．０１５～０．１５質量％、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有するＦｅ－Ｚｎ系銅合金であり、例えば三菱伸銅株式会社のＴＡＭＡＣ１９４。
（７）Ｎｉ：１．０～５．０質量％、Ｓｉ：０．１～１．５質量％、Ｍｇ，Ｓｎ，Ｚｎのうち１種類または２種類以上を合計で０．０１～２．０質量％、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有するＣｕ－Ｎｉ－Ｓｉ系合金（コルソン系合金）であり、例えば三菱伸銅株式会社のＭＡＸシリーズ。
これらの銅合金は、良好な熱伝導性、強度、熱クリープ性、耐熱性、加工性等を有しており、電気自動車用のコネクタ製造用銅合金条材として最適である。
（６）Ｆｅ：２．１～２．６質量％、Ｚｎ：０．０５～０．２０質量％、Ｐ：０．０１５～０．１５質量％、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有するＦｅ－Ｚｎ系銅合金であり、例えば三菱伸銅株式会社のＴＡＭＡＣ１９４。
（７）Ｎｉ：１．０～５．０質量％、Ｓｉ：０．１～１．５質量％、Ｍｇ，Ｓｎ，Ｚｎのうち１種類または２種類以上を合計で０．０１～２．０質量％、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有するＣｕ－Ｎｉ－Ｓｉ系合金（コルソン系合金）であり、例えば三菱伸銅株式会社のＭＡＸシリーズ。
これらの銅合金は、良好な熱伝導性、強度、熱クリープ性、耐熱性、加工性等を有しており、電気自動車用のコネクタ製造用銅合金条材として最適である。
【0023】
Ｃｕ－Ｓｎ金属間化合物層３及びＳｎ層４は、基材２の上にＣｕ又はＣｕ合金からなるＣｕめっき層及びＳｎ又はＳｎ合金からなるＳｎめっき層を順に形成した後に加熱してリフロー処理することによって形成されたものであり、Ｃｕ６Ｓｎ５やＣｕ３Ｓｎ等の金属間化合物を主成分とする。Ｃｕ－Ｓｎ金属間化合物層３の平均厚みは０．１μｍ以上３．０μｍ以下が好ましく、Ｓｎ層４の平均厚みは０．１μｍ以上５．０μｍ以下が好ましい。このＣｕ－Ｓｎ金属間化合物層３とＳｎ層４との界面は凹凸形状に形成される。基材２とＣｕ－Ｓｎ金属間化合物層３との間に薄くＣｕ層が形成される場合もある。
【0024】
ストライプ状の部分皮膜５において、Ｓｎ層４の上に形成されているＳｎ－Ｎｉ層７、Ｎｉ層８及びＡｇ層９は、リフロー処理した後のＳｎ層４の表面における嵌合予定部位及び圧着予定部位に、Ｎｉ又はＮｉ合金からなるＮｉめっき、Ａｇ又はＡｇ合金からなるＡｇめっきを施した後に加熱処理することにより形成されたものである。
【0025】
Ｓｎ－Ｎｉ層７は、Ｓｎ層４とＮｉ層８との界面近傍のＳｎ層４側に形成され、Ｓｎ（結晶構造が正方晶のβ錫）にＮｉが固溶してなるＳｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎとＮｉとの金属間化合物を含有している。Ｓｎ－Ｎｉ層７中のＮｉの含有量は５ａｔ％以上が好ましい。Ｎｉ含有量の上限は６７ａｔ％が好ましい。より好ましくは７ａｔ％以上６０ａｔ％以下、さらに好ましくは１０ａｔ％以上５０ａｔ％以下である。
また、このＳｎ－Ｎｉ層７の平均厚みは０．０２μｍ以上１μｍ以下が好ましい。また、Ｓｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎ－Ｎｉ金属間化合物の平均粒径は０．２μｍ以上５μｍ以下である。
また、このＳｎ－Ｎｉ層７の平均厚みは０．０２μｍ以上１μｍ以下が好ましい。また、Ｓｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎ－Ｎｉ金属間化合物の平均粒径は０．２μｍ以上５μｍ以下である。
【0026】
Ｎｉ層８は、その平均厚みが０．２μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。また、基材２の圧延面に対する法線方向から視た平均結晶粒径が１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、平均結晶粒径の変動係数が１以下である。平均結晶粒径の変動係数とは、平均結晶粒径の標準偏差を平均結晶粒径で割った値である。平均結晶粒径は５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下がより好ましく、変動係数は０．３以下がより好ましい。
また、このＮｉ層８において、基材２の圧延面の法線方向から視た平均結晶粒径をｄＮＤとし、基材２の圧延幅方向に対して垂直な面での平均結晶粒径をｄＴＤとすると、その比ｄＴＤ／ｄＮＤが１以上１０以下である。さらに、このＮｉ層８においてＡｇ層９と接する面のＩＳＯ２５１７８に準拠した算術平均面高さＳａは０．５μｍ以下である。平均結晶粒径の比ｄＴＤ／ｄＮＤは１以上６以下がより好ましく、算術平均面高さＳａは０．２μｍ以下がより好ましい。
また、このＮｉ層８において、基材２の圧延面の法線方向から視た平均結晶粒径をｄＮＤとし、基材２の圧延幅方向に対して垂直な面での平均結晶粒径をｄＴＤとすると、その比ｄＴＤ／ｄＮＤが１以上１０以下である。さらに、このＮｉ層８においてＡｇ層９と接する面のＩＳＯ２５１７８に準拠した算術平均面高さＳａは０．５μｍ以下である。平均結晶粒径の比ｄＴＤ／ｄＮＤは１以上６以下がより好ましく、算術平均面高さＳａは０．２μｍ以下がより好ましい。
【0027】
Ａｇ層９は、その平均厚みが０．５μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。また、このＡｇ層９の表面硬さは、コネクタ端子としての使用時の耐久性、特に耐摩耗性の低下を抑制するために、ビッカース硬さで１３０Ｈｖ以上が好ましい。２５０Ｈｖを超えても、効果は飽和し、コスト高になるため無駄である。
なお、Ａｇ層もＮｉ層も厚い方が耐摩耗性は良くなるが、あまり厚くしても効果は飽和してしまうためコスト的にメリットがなく、逆に厚過ぎると曲げの際に割れる恐れが増大することから、Ａｇ層とＮｉ層の合計厚さは、１μｍ以上２０μｍ以下の範囲とすることが好ましい。
なお、Ａｇ層もＮｉ層も厚い方が耐摩耗性は良くなるが、あまり厚くしても効果は飽和してしまうためコスト的にメリットがなく、逆に厚過ぎると曲げの際に割れる恐れが増大することから、Ａｇ層とＮｉ層の合計厚さは、１μｍ以上２０μｍ以下の範囲とすることが好ましい。
【0028】
このような層構造を有するコネクタ端子用導電部材１，１１は、基材２の表面にＣｕめっき、Ｓｎめっきを順に施した後に、リフロー処理し、リフロー処理後のＳｎ層４の上に、Ｎｉめっき、Ａｇめっきを順に施して、その後、加熱処理することにより形成される。
【0029】
Ｃｕめっきは一般的なＣｕめっき浴を用いればよく、例えば硫酸銅（ＣｕＳＯ４）及び硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を主成分とした硫酸銅浴等を用いることができる。めっき浴の温度は２０～５０℃、電流密度は１～５０Ａ／ｄｍ２とされる。このＣｕめっきにより形成されるＣｕめっき層の膜厚は０．０５μｍ以上０．５０μｍ以下とされる。
【0030】
Ｓｎめっき層形成のためのめっき浴としては、一般的なＳｎめっき浴を用いればよく、例えば硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と硫酸第一錫（ＳｎＳＯ４）を主成分とした硫酸浴を用いることができる。めっき浴の温度は１５～３５℃、電流密度は１～３０Ａ／ｄｍ２とされる。このＳｎめっき層の膜厚は０．１μｍ以上５．０μｍ以下とされる。
【0031】
リフロー処理はＣｕめっき層及びＳｎめっき層を加熱して一旦溶融させたのち急冷すればよい。例えば、ＣＯ還元性雰囲気にした加熱炉内でＣｕめっき及びＳｎめっきを施した後の処理材を２０～７５℃／秒の昇温速度で２４０～３００℃のピーク温度まで加熱する加熱工程と、そのピーク温度に達した後、３０℃／秒以下の冷却速度で２～１０秒間冷却する一次冷却工程と、一次冷却後に１００～２５０℃／秒の冷却速度で２０～６０℃まで冷却する二次冷却工程とを有する処理とする。このリフロー処理により、基材２表面から順に、Ｃｕ－Ｓｎ金属間化合物層３、Ｓｎ層４が形成されためっき付条材６が形成される。基材２とＣｕ－Ｓｎ金属間化合物層３との間にＣｕめっき層の一部が残る場合もある。
【0032】
Ｎｉめっきは一般的なＮｉめっき浴を用いればよく、例えば硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４）を主成分とした硫酸浴を用いることができる。めっき浴の温度は２０℃以上６０℃以下、電流密度は５～６０Ａ/ｄｍ２以下とされる。このＮｉめっき層の膜厚は通常０．０５μｍ以上２０μｍ以下とされるが、本発明では０．２μｍ以上１０μｍ以下の範囲で調整される。
このＮｉめっきを施す前に、Ｓｎ層４の表面に薄くストライクめっき（フラッシュめっき）を例えば０．００５μｍ以上０．２μｍ以下の厚みで施しても良い。ストライクめっきとしては、金、銀、ニッケル等を適用できる。
Ａｇめっきは、一般的なＡｇめっき浴であるシアン化銀めっき浴を用いればよい。浴の温度は１５℃以上３５℃以下、電流密度は０．１Ａ／ｄｍ２以上３Ａ／ｄｍ２以下が適切である。このＡｇめっき層の膜厚は通常０．１μｍ以上５０μｍ以下とされるが、本発明では０．５μｍ以上２０μｍ以下の範囲で調整される。
このＮｉめっきを施す前に、Ｓｎ層４の表面に薄くストライクめっき（フラッシュめっき）を例えば０．００５μｍ以上０．２μｍ以下の厚みで施しても良い。ストライクめっきとしては、金、銀、ニッケル等を適用できる。
Ａｇめっきは、一般的なＡｇめっき浴であるシアン化銀めっき浴を用いればよい。浴の温度は１５℃以上３５℃以下、電流密度は０．１Ａ／ｄｍ２以上３Ａ／ｄｍ２以下が適切である。このＡｇめっき層の膜厚は通常０．１μｍ以上５０μｍ以下とされるが、本発明では０．５μｍ以上２０μｍ以下の範囲で調整される。
【0033】
これらＮｉめっき及びＡｇめっきを施した後、５０℃以上２３０℃以下の温度で１秒以上１０分以下の時間保持する加熱処理を行う。この加熱処理により、Ｓｎ層４側のＮｉ層８との界面に、Ｓｎ層４とＮｉ層８との間でＳｎの一部にＮｉが固溶してなるＳｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎとＮｉとの金属間化合物が層状に配置されたＳｎ－Ｎｉ層７が形成される。
【0034】
以上の層構造を有するコネクタ端子用導電部材１，１１は、所定の外形にプレス打抜きされ、曲げ加工等の機械的加工が施されて、雄端子２１あるいは雌端子２２となり、耐久性が高く、密着力が強くて硬度の高い部分皮膜５が、雄端子２１と雌端子２２との嵌合部３１，４１に形成される。これにより、繰り返し挿抜に対する高い耐久性を有することができ、特に、厳しい状況下で使用される電気自動車用充電器コネクタの製造に使用されることが好ましい。
更に、リード線圧着部３２，４２にも部分皮膜５が形成されてもよい。これにより、端子全体としての強度および耐久性が増し、外部リード線３３とのはんだ付けなどの接合が容易になる。この外部リード線３３と接合する部位は、かしめ加工などを施されることが多く、密着力が強固である部分皮膜５が形成されることにより、加工性が向上する。この場合、このリード線圧着部３２，４２に形成される部分皮膜５の厚みは、雄端子２１と雌端子２２との直接の挿抜力が作用しないので、コストダウンの面からも、嵌合部３１，４１に形成される部分皮膜５の厚みより小さくても良い。
更に、リード線圧着部３２，４２にも部分皮膜５が形成されてもよい。これにより、端子全体としての強度および耐久性が増し、外部リード線３３とのはんだ付けなどの接合が容易になる。この外部リード線３３と接合する部位は、かしめ加工などを施されることが多く、密着力が強固である部分皮膜５が形成されることにより、加工性が向上する。この場合、このリード線圧着部３２，４２に形成される部分皮膜５の厚みは、雄端子２１と雌端子２２との直接の挿抜力が作用しないので、コストダウンの面からも、嵌合部３１，４１に形成される部分皮膜５の厚みより小さくても良い。
【実施例】
【0035】
長さ５００ｍｍ、幅３０ｍｍ、厚み０．３ｍｍの三菱伸銅株式会社製の商品名「ＭＳＰ１」（Ｍｇ：０.３～２質量％、Ｐ：０.００１～０.１質量％、残部がＣｕおよび不可避的不純物）を用いた基材の表面に、以下のめっき条件で、０．４μｍ厚みのＣｕめっき及び１．２μｍ厚みのＳｎめっきを順に施した後に、前述したリフロー処理を施して、めっき付条材を作製した。
（Ｃｕめっき条件）
処理方法：電解めっき
めっき液：硫酸銅めっき液
液温：２７℃
電流密度：４Ａ／ｄｍ2
（Ｓｎめっき条件）
処理方法：電解めっき
めっき液：硫酸錫めっき液
液温：２０℃
電流密度：２Ａ／ｄｍ2
（Ｃｕめっき条件）
処理方法：電解めっき
めっき液：硫酸銅めっき液
液温：２７℃
電流密度：４Ａ／ｄｍ2
（Ｓｎめっき条件）
処理方法：電解めっき
めっき液：硫酸錫めっき液
液温：２０℃
電流密度：２Ａ／ｄｍ2
【0036】
次に、そのめっき付条材の所定の部位に、銀のストライクめっきを施した後、表１に示す厚みでＮｉめっき及びＡｇめっきを順に形成した。Ｎｉめっきは半光沢ニッケルめっきとした。これらのめっきを施した後、温風を吹き付けながら１５０℃の温度で１分間保持する加熱処理を行った。
この部分皮膜用の各めっきの条件は以下の通りとした。
（銀ストライクめっき条件）
処理方法：電解めっき
めっき液：シアン化銀ストライクめっき液
液温：室温
電流密度：３Ａ／ｄｍ2
（Ｎｉめっき条件)
処理方法：電解めっき
めっき液：スルファミン酸ニッケルめっき液
液温：５０℃
電流密度：１０Ａ／ｄｍ2
（Ａｇめっき）
処理方法：電解めっき
めっき液：シアン化銀めっき液
液温：３０℃
電流密度：１Ａ／ｄｍ2
この部分皮膜用の各めっきの条件は以下の通りとした。
（銀ストライクめっき条件）
処理方法：電解めっき
めっき液：シアン化銀ストライクめっき液
液温：室温
電流密度：３Ａ／ｄｍ2
（Ｎｉめっき条件)
処理方法：電解めっき
めっき液：スルファミン酸ニッケルめっき液
液温：５０℃
電流密度：１０Ａ／ｄｍ2
（Ａｇめっき）
処理方法：電解めっき
めっき液：シアン化銀めっき液
液温：３０℃
電流密度：１Ａ／ｄｍ2
【0037】
得られた各試料について、Ｎｉ層における平均結晶粒径、変動係数、ｄＴＤ／ｄＮＤの粒径比、Ａｇ層と接する面の算術平均面高さＳａを測定し、また、Ｓｎ－Ｎｉ層における平均粒径、Ｓｎ－Ｎｉ層中のＮｉの含有量（ａｔ％）を測定した。
Ｎｉ層における平均結晶粒径は、試料表面のＳＥＭ画像より切断法にて１００個の結晶粒径を算出し、これを平均した。その平均結晶粒径の標準偏差を平均結晶粒径で割ることで変動係数を求めた。
ｄＴＤ／ｄＮＤの粒径比は、基材の圧延面の法線方向から視た平均結晶粒径ｄＮＤ、及び基材の圧延幅方向に対して垂直な面での平均結晶粒径ｄＴＤをそれぞれＳＥＭ画像により切断法にて算出し、その比率を求めた。
算術平均面高さは、ＩＳＯ２５１７８に従い、レーザー共焦点顕微鏡（ＬＳＣＭ）にて測定した。
Ｓｎ－Ｎｉ層における平均粒径は、ＳＥＭ－ＥＰＭＡによりＳｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎ－Ｎｉ金属間化合物を確認した後、ＳＥＭ－ＥＢＳＤにより結晶粒界像を撮影し、１００個の結晶粒径から算出した。
Ｓｎ－Ｎｉ層のＮｉの含有量（ａｔ％）は、ＴＥＭ－ＥＤＸによりＳｎ－Ｎｉ層の任意の５点で測定した値から算出した。
Ｎｉ層における平均結晶粒径は、試料表面のＳＥＭ画像より切断法にて１００個の結晶粒径を算出し、これを平均した。その平均結晶粒径の標準偏差を平均結晶粒径で割ることで変動係数を求めた。
ｄＴＤ／ｄＮＤの粒径比は、基材の圧延面の法線方向から視た平均結晶粒径ｄＮＤ、及び基材の圧延幅方向に対して垂直な面での平均結晶粒径ｄＴＤをそれぞれＳＥＭ画像により切断法にて算出し、その比率を求めた。
算術平均面高さは、ＩＳＯ２５１７８に従い、レーザー共焦点顕微鏡（ＬＳＣＭ）にて測定した。
Ｓｎ－Ｎｉ層における平均粒径は、ＳＥＭ－ＥＰＭＡによりＳｎ－Ｎｉ固溶体及び／又はＳｎ－Ｎｉ金属間化合物を確認した後、ＳＥＭ－ＥＢＳＤにより結晶粒界像を撮影し、１００個の結晶粒径から算出した。
Ｓｎ－Ｎｉ層のＮｉの含有量（ａｔ％）は、ＴＥＭ－ＥＤＸによりＳｎ－Ｎｉ層の任意の５点で測定した値から算出した。
【0038】
【表1】
【0039】
これらの試料につき、部分皮膜の表面硬さを測定し、耐摩耗性、曲げ加工性を評価した。
表面硬さは、加熱前と、実装時を想定した条件（１５０℃×１０００ｈｒ）で加熱保持処理後について、マイクロビッカース硬度計にて測定した。
耐摩耗性（摺動試験）は、山崎精機研究所製精密摺動試験装置ＣＲＳ－Ｇ２０５０－ＭＴＳ型を使用し、摺動距離０．２５ｍｍ、摺動速度０．５ｍｍ／ｓ、接触荷重１．２Ｎ、摺動回数５００往復を１セットとし、これを複数セット繰り返す条件で摺動回数と接触抵抗との関係を評価した。サンプル数は３個とし、サンプルの初期（試験開始前）の接触抵抗が１ｍΩ以下であることを確認した後、連続的に摺動させながら接触抵抗を測定し、接触抵抗が５０ｍΩ以上となったのが何セット目であるかに基づき、良否を判定した。具体的には、５０ｍΩに到達したセット数について、３個とも１０セット目（４５０１～５０００往復）以降であったものを「優」、いずれか１個でも９セット目であった（ただし、それを含め全て９セット目以降であった）場合は「良」、いずれか１個でも８セット目であった（ただし、それを含め全て８セット目以降であった）場合は「可」とし、いずれか１個でも７セット目以前で５０ｍΩに達してしまったものがあった場合は「不可」とした。
曲げ加工性は、試料をＢａｄＷａｙ：圧延垂直方向に幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍに切出し、ＪＩＳ Ｚ ２２４８に規定される金属材料曲げ試験方法に準拠し、曲げ半径Ｒと押し金具の厚さｔとの比Ｒ／ｔ＝１として１８０°曲げ試験を行い、曲げ部の表面及び断面にクラック等が認められるか否かを光学顕微鏡にて倍率５０倍で観察した。クラック等が認められず、表面状態も曲げの前後で大きな変化がなかったものを「◎」、表面は光沢低下などの状態変化が認められたもののクラックの発生は確認できなかったものを「〇」、クラックは認められたものの、めっき剥離は認められなかったものを「△」、めっき自体の剥離が認められたものを「×」とした。
これらの結果を表２に示す。
表面硬さは、加熱前と、実装時を想定した条件（１５０℃×１０００ｈｒ）で加熱保持処理後について、マイクロビッカース硬度計にて測定した。
耐摩耗性（摺動試験）は、山崎精機研究所製精密摺動試験装置ＣＲＳ－Ｇ２０５０－ＭＴＳ型を使用し、摺動距離０．２５ｍｍ、摺動速度０．５ｍｍ／ｓ、接触荷重１．２Ｎ、摺動回数５００往復を１セットとし、これを複数セット繰り返す条件で摺動回数と接触抵抗との関係を評価した。サンプル数は３個とし、サンプルの初期（試験開始前）の接触抵抗が１ｍΩ以下であることを確認した後、連続的に摺動させながら接触抵抗を測定し、接触抵抗が５０ｍΩ以上となったのが何セット目であるかに基づき、良否を判定した。具体的には、５０ｍΩに到達したセット数について、３個とも１０セット目（４５０１～５０００往復）以降であったものを「優」、いずれか１個でも９セット目であった（ただし、それを含め全て９セット目以降であった）場合は「良」、いずれか１個でも８セット目であった（ただし、それを含め全て８セット目以降であった）場合は「可」とし、いずれか１個でも７セット目以前で５０ｍΩに達してしまったものがあった場合は「不可」とした。
曲げ加工性は、試料をＢａｄＷａｙ：圧延垂直方向に幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍに切出し、ＪＩＳ Ｚ ２２４８に規定される金属材料曲げ試験方法に準拠し、曲げ半径Ｒと押し金具の厚さｔとの比Ｒ／ｔ＝１として１８０°曲げ試験を行い、曲げ部の表面及び断面にクラック等が認められるか否かを光学顕微鏡にて倍率５０倍で観察した。クラック等が認められず、表面状態も曲げの前後で大きな変化がなかったものを「◎」、表面は光沢低下などの状態変化が認められたもののクラックの発生は確認できなかったものを「〇」、クラックは認められたものの、めっき剥離は認められなかったものを「△」、めっき自体の剥離が認められたものを「×」とした。
これらの結果を表２に示す。
【表2】
【0040】
これらの結果より、本実施例はいずれも、長時間の加熱後も表面硬さは概ね１３０Ｈｖ以上であり、かつ良好な耐摩耗性（高い摺動回数）を示していると共に、曲げ加工性にも優れていることが分かる。
これに対し比較例を見ると、Ｎｉの結晶粒径が小さすぎる比較例Ｂ１とＢ２では、結晶粒が微細であるがゆえに耐摩耗性は良好であるが、硬くなりすぎるために曲げ加工性は悪かった。逆に結晶粒が５００ｎｍ前後と大きくなり、変動係数が１を超えてしまった比較例Ｂ３～Ｂ６では、耐摩耗性が非常に悪い結果となった。比較例Ｂ７とＢ８はＳｎ－Ｎｉ化合物の形成が認められなかったもので、耐摩耗性は良好であったものの曲げ加工性が悪く、やはり密着性に問題があったものと思われる。比較例Ｂ９はわずかであるが変動係数が１を超え、かつＳｎ－Ｎｉ中のＮｉ量が多すぎるため、硬くなりすぎて割れが発生した。比較例Ｂ１０は、変動係数が１を超え、耐摩耗性が悪くなる結果となった。比較例Ｂ１１は、変動係数が１を超えており、またＮｉめっきとＡｇめっきの合計膜厚が０．６μｍと薄いために、耐摩耗性が悪くなった。比較例Ｂ１２は、逆にＮｉが厚くなり過ぎ、割れやすくなってしまった。また、比較例全体を見ると、半数が加熱後の表面硬さが１３０を下回っており、そのうちの多くは耐摩耗性も低下していた。
図５は試料Ａ４の断面写真であり、基材の上に、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５からなるＣｕ－Ｓｎ金属間化合物層、Ｓｎ層、Ｎｉ層、Ａｇ層が順に形成され、Ｎｉ層とＳｎ層との界面にＳｎ－Ｎｉ層が形成されているのがわかる。
これに対し比較例を見ると、Ｎｉの結晶粒径が小さすぎる比較例Ｂ１とＢ２では、結晶粒が微細であるがゆえに耐摩耗性は良好であるが、硬くなりすぎるために曲げ加工性は悪かった。逆に結晶粒が５００ｎｍ前後と大きくなり、変動係数が１を超えてしまった比較例Ｂ３～Ｂ６では、耐摩耗性が非常に悪い結果となった。比較例Ｂ７とＢ８はＳｎ－Ｎｉ化合物の形成が認められなかったもので、耐摩耗性は良好であったものの曲げ加工性が悪く、やはり密着性に問題があったものと思われる。比較例Ｂ９はわずかであるが変動係数が１を超え、かつＳｎ－Ｎｉ中のＮｉ量が多すぎるため、硬くなりすぎて割れが発生した。比較例Ｂ１０は、変動係数が１を超え、耐摩耗性が悪くなる結果となった。比較例Ｂ１１は、変動係数が１を超えており、またＮｉめっきとＡｇめっきの合計膜厚が０．６μｍと薄いために、耐摩耗性が悪くなった。比較例Ｂ１２は、逆にＮｉが厚くなり過ぎ、割れやすくなってしまった。また、比較例全体を見ると、半数が加熱後の表面硬さが１３０を下回っており、そのうちの多くは耐摩耗性も低下していた。
図５は試料Ａ４の断面写真であり、基材の上に、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５からなるＣｕ－Ｓｎ金属間化合物層、Ｓｎ層、Ｎｉ層、Ａｇ層が順に形成され、Ｎｉ層とＳｎ層との界面にＳｎ－Ｎｉ層が形成されているのがわかる。
【符号の説明】
【0041】
１、１１ コネクタ端子用導電部材
２ 基材
３ Ｃｕ－Ｓｎ金属間化合物層
４ Ｓｎ層
５ 部分皮膜
６ めっき付条材
７ Ｓｎ－Ｎｉ層
８ Ｎｉ層
９ Ａｇ層
３１，４１ 嵌合部
３２，４２ リード線圧着部
４３ 弾性変形容易部
３４，４４ 円筒部
３５ａ，４５ａ 外被用かしめ片
３５ｂ，４５ｂ 導体用かしめ片
２ 基材
３ Ｃｕ－Ｓｎ金属間化合物層
４ Ｓｎ層
５ 部分皮膜
６ めっき付条材
７ Ｓｎ－Ｎｉ層
８ Ｎｉ層
９ Ａｇ層
３１，４１ 嵌合部
３２，４２ リード線圧着部
４３ 弾性変形容易部
３４，４４ 円筒部
３５ａ，４５ａ 外被用かしめ片
３５ｂ，４５ｂ 導体用かしめ片
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
